CN101312605B - 布线基板和电光装置及其制造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 155
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 39
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 39
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 15
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 22
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 18
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N metformin Chemical compound CN(C)C(=N)NC(N)=N XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
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- Y02B20/325—
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
一种布线基板装置，具有基板、在基板上形成的由多层构成的布线层、和与所述布线层交迭(overlap)地形成的多个电极。位于布线层的任意一层的布线图案(30)具有在所述各个电极的下方等间隔地平行延伸的不少于三条的布线(31)、(32)、(33)。由此可以提高动作元件的功能层(例如发光层)的膜厚的均匀性。
Description
本申请是申请日为2004年2月4日、申请号为200410003726.7、发明名称为“布线基板和电光装置及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及布线基板和电光装置及其制造方法。
背景技术
在电致发光面板中，二维排列着多个电致发光元件。各电致发光元件具有电极及在电极上形成的发光层(例如，可参照特开平11-24606)。为了扩大发光区域，而希望在布线上形成像素电极，但由于在像素电极下形成布线，使该电极上形成凹凸，所以难以使发光层的膜厚达到均匀。这还不是仅限于电致发光元件，对于具有在布线上形成电极，在电极上形成功能层(例如发光层)的结构的电光装置也是如此。
发明内容
本发明的目的在于提高动作元件的功能层(例如发光层)的膜厚的均匀性。
(1)本发明中的布线基板具有基板、在上述基板上形成的由多层构成的布线层、与上述布线层交迭地形成的多个电极；位于上述布线层的任意一层的布线图案具有在上述多个电极的各自的下方等间隔平行延伸的不少于三条的布线。根据本发明，由于不少于三根的布线等间隔地平行延伸，所以即使在电极上形成凹凸，也是均匀的凹凸。另外，在本发明中，所谓“等间隔”，是指至少在设计上为等间隔，包含考虑了制造误差的等间隔，即实质上等间隔的情况。而且，在本发明中，所谓“平行”，也是指至少设计上平行，包含考虑了制造误差的平行，即实质上平行的情况。
(2)本发明中的布线基板具有基板、在上述基板上形成的由多层构成的布线层、与上述布线层交迭地形成的多个电极；位于上述布线层的第1层的第1布线图案的一部分与位于上述布线层的第2层的第2布线图案的一部分，在上述多个电极的各自的下方，配置为形成格子。根据本发明，由于第1及第2布线图案的一部分向形成格子的方向延伸地配置，所以在格子的内侧的电极上不易形成凹陷。另外，在本发明中，所谓“形成格子”，是指至少在设计上形成格子的形状，包含考虑了制造误差的格子的形状，即实质上形成格子的形状的情况。
(3)本发明中的布线基板具有基板、在上述基板上形成的由多层构成的布线层、与上述布线层交迭地形成的多个电极；分别位于上述布线层的第1层及第2层的第1和第2布线图案，在上述多个电极的各自的下方，具有相互平行延伸的部分，上述平行延伸的部分相互不交迭地形成。根据本发明，由于第1及第2布线图案平行延伸的部分相互不交迭，所以即使在电极上形成凹凸，其高低的差也很小。另外，在本发明中，所谓“平行”，是指至少在设计上为平行，包含考虑了制造误差的平行，即实质上平行的情况。
(4)本发明中的布线基板具有基板、在上述基板上形成的由多层构成的布线层、与上述布线层交迭地形成的多个电极；位于上述布线层的任意一层的布线图案具有在上述多个电极的各自的下方与电连接相独立的布线。根据本发明，由于形成了与电连接独立的布线，所以能够使电极的凹凸减小。
(5)在上述布线基板中，进而具有覆盖上述布线层而形成的上表面平坦的有机树脂层，上述多个电极可以在上述有机树脂层上形成，穿过上述有机树脂层，与上述布线层的至少一层电连接。
(6)本发明的电光装置具有上述布线基板、和在上述多个电极的各自的第1区域形成的用于构成电光元件的功能层；上述多个电极分别与向该电极供给电力的任意的上述布线层，在该电极的第2区域相连接。根据本发明，由于在除去配置有功能层的第1区域的第2区域，电极与向该电极供给电力的布线相连接，所以能够减低配置有功能层的第1区域的凹凸，提高功能层的膜厚的均匀性。
(7)电子设备可以具有上述电光装置。
(8)本发明中布线基板的制造方法包含在基板上形成由多层构成的布线层、覆盖上述布线层、并且上表面平坦化地形成有机树脂层、以及在上述有机树脂层上与上述布线层交迭地形成多个电极等步骤；位于上述布线层的任意一层的布线图案具有在上述多个电极的各自的下方等间隔平行延伸的不少于三条的布线。根据本发明，由于不少于三根的布线等间隔地延伸，所以容易形成上表面平坦的有机树脂层。另外，在本发明中，所谓“等间隔”，是指至少在设计上为等间隔，包含考虑了制造误差的等间隔，即实质上等间隔的情况。而且，在本发明中，所谓“平行”，也是指至少在设计上为平行，包含考虑了制造误差的平行，即实质上平行的情况。
(9)本发明中布线基板的制造方法包含在基板上形成由多层构成的布线层、覆盖上述布线层、并且上表面平坦化地形成有机树脂层、以及在上述有机树脂层上与上述布线层交迭地形成多个电极等步骤；位于上述布线层的第1层的第1布线图案的一部分与位于上述布线层的第2层的第2布线图案的一部分，在上述多个电极的各自的下方，配置为形成格子。根据本发明，由于第1及第2布线图案的一部分向形成格子的方向延伸地配置，所以容易形成上表面平坦的有机树脂层。另外，在本发明中，所谓“形成格子”，是指至少在设计上形成格子的形状，包含考虑了制造误差的格子的形状，即实质上形成格子的形状的情况。
(10)本发明中布线基板的制造方法包含在基板上形成由多层构成的布线层、覆盖上述布线层、并且上表面平坦化地形成有机树脂层、以及在上述有机树脂层上与上述布线层交迭地形成多个电极等步骤；分别位于上述布线层的第1层及第2层的第1和第2布线图案，在上述多个电极的各自的下方，具有相互平行延伸的部分，上述平行延伸的部分相互不交迭地形成。根据本发明，由于第1及第2布线图案的平行延伸的部分相互不交迭，所以容易形成上表面平坦的有机树脂层。另外，在本发明中，所谓“平行”，也是指至少在设计上为平行，包含考虑了制造误差的平行，即实质上平行的情况。
(11)本发明中布线基板的制造方法包含在基板上形成由多层构成的布线层、覆盖上述布线层、并且上表面平坦化地形成有机树脂层、以及在上述有机树脂层上与上述布线层交迭地形成多个电极等步骤；位于上述布线层的任意一层的布线图案具有在上述多个电极的各自的下方与电连接相独立的布线。根据本发明，由于形成了与电连接独立的布线，所以容易形成上表面平坦的有机树脂层。
(12)在该布线基板的制造方法中，上述有机树脂层的形成工序可以包含有机树脂前体的涂敷。
(13)在该布线基板的制造方法中，可以通过旋转涂敷进行上述有机树脂前体的涂敷。
(14)本发明中电光装置的制造方法包含利用上述方法制造基板、以及在上述多个电极的各自的第1区域形成用于构成电光元件的功能层等步骤；上述多个电极分别与向该电极供给电力的任意一个上述布线层，在该电极的第2区域电连接。
附图说明
图1是说明本发明第1实施方式中的电光装置的图。
图2是沿图1中II-II线的截面图。
图3是表示各个像素内的半导体膜的图。
图4是说明位于由多层构成的布线层中一层的布线图案的图。
图5是说明位于由多层构成的布线层中其它层的布线图案的图。
图6是说明布线层上的电极的图。
图7是说明本发明的第1实施方式中的电光装置的动作的电路图。
图8是表示本发明的第2实施方式中电光装置的各个像素内的半导体膜的图。
图9是说明位于由多层构成的布线层中一层的布线图案的图。
图10是说明位于由多层构成的布线层中其它层的布线图案的图。
图11是说明布线层上的电极的图。
图12是本发明的第2实施方式中电光装置的电路图。
图13是本发明的第2实施方式的变形例中电光装置的电路图。
图14是表示本发明的实施方式中电子设备的图。
图15是表示本发明的实施方式中电子设备的图。
具体实施方式
下面参照附图对本发明的实施方式进行说明。
(第1实施方式)
图1是说明本发明第1实施方式中电光装置的图。图2是沿图1中II-II线的截面图。电光装置1可以是显示装置(例如显示面板)等电光装置或记忆装置。图1所示的电光装置1是有机EL(Electroluminescence)装置(例如有机EL面板)。在电光装置1中，安装有布线基板(例如挠性基板)2，并电连接。该安装与电连接，也可以使用各向异性的导电薄膜及各向异性的导电胶等各向异性导电材料。所谓电连接也包含接触。这在以下的说明中也相同。在布线基板2上，形成未图示的布线图案及端子。在布线基板2上安装有集成电路芯片(或半导体芯片)3。集成电路芯片3也可以具有电源电路及控制电路等。在该安装中，可以适用TAB(TapeAutomated Bonding)或COF(Chip On Film)，该包装的形态可以是TCP(Tape Carrier Package)。具有安装着集成电路芯片3的布线基板2的电光装置1可以是电子组件(例如液晶组件或EL组件等显示组件)。
电光装置1具有基板10。基板10可以是刚性基板(例如玻璃基板、硅基板)，也可以是挠性基板(例如薄膜基板)。基板10可以具有透光性，也可以具有遮光性。例如，在底部发射(或背发射)型的显示装置(例如有机EL装置)中，可以使用透光性的基板10，从基板10的侧边透光。在顶部发射型的显示装置中，可以使用遮光性的基板10。另外，基板10不限于板状的形状，包含即使是板状以外的形状，但是能够支撑其他部件的形状。
基板10包含动作区域(例如显示区域)12。在动作区域12中，可以形成多个像素(例如m行n列的矩阵状)。在彩色显示装置中，一个彩色显示用像素可以由多个子像素(R、G、B)所构成。
在基板10上，也可以设置一个或多个驱动电路14(例如扫描线驱动电路)。驱动电路14驱动动作区域12内的动作(例如显示动作)。也可以在动作区域12的两侧配置一对驱动电路14。在基板10上也可以设置辅助电路16。辅助电路16可以是用于检查动作区域12内的动作(例如显示动作)是否正常的检查电路，也可以是加速动作区域12内的动作速度(显示速度)的预充电电路。驱动电路14与辅助电路16中的至少一个，可以是使用多晶硅膜等在基板10上形成的电路，也可以是基板10上安装的集成电路芯片。另外，基板10外部的集成电路芯片3，也可以控制动作区域12内的动作。
在基板10上也可以形成半导体膜20。图3是表示各个像素(例如子像素)内的半导体膜的图。半导体膜20可以由半导体材料(例如硅)所形成。半导体膜20可以具有单晶、多晶、或非晶质等任意的结构。半导体膜20可以是由公知的低温(例如600℃以下)工艺所形成的、所谓的低温多晶硅膜。半导体膜20具有基薄膜22。在基薄膜22上可以扩散有N型或P型的杂质。半导体膜20具有杂质扩散膜24。杂质扩散膜24可以注入比基薄膜22更高浓度的杂质。杂质扩散膜24在基薄膜22的区域内形成。杂质扩散膜24可以在包含构成基薄膜22的部分及构成杂质扩散膜24的部分的前体膜中注入杂质而形成。杂质扩散膜24的至少一部分，可以成为MOS FET的源极或漏极，也可以成为电容器等电子零件的电极。
在基板10上形成由多层构成的布线层。图4是说明位于由多层所构成的布线层中一层的布线图案的图。布线图案30可以通过绝缘层(例如SiO2等氧化膜)26(参照图2)，在半导体膜20上形成。布线图案30具有等间隔平行延伸的不少于三根的布线31、32、33。另外，所谓“等间隔”，是指至少在设计上为等间隔，包含考虑了制造误差的等间隔，即实质上等间隔的情况。而且，在本发明中，所谓“平行”，也是指至少在设计上为平行，包含考虑了制造误差的平行，即实质上平行的情况(在以下的说明中也相同)。布线31、32各自的一部分成为MOS FET的门电极。根据本实施方式，由于不少于三根的布线31、32、33等间隔平行延伸，所以即使在其上的电极50(参照图2)上形成凹凸，也是均匀的凹凸，能够提高功能层的膜厚的均匀性。
布线图案30具有与布线31电连接的多条布线34，各个布线34的一部分成为MOS FET的门电极。布线34是具有多个门电极的MOS FET、即多门晶体管的门电极，多门晶体管的门电极的各自的多个门电极也可以等间隔地形成。布线34与布线31、32平行地延伸。布线图案30进而具有在与布线31、32、34相交叉(例如垂直)方向上延伸的布线35。布线35的一部分也成为MOS FET的门电极。布线31、32、34、35在一对杂质扩散膜24之间从基薄膜22的一部分上通过。例如，可以将布线31、32、34、35作为掩模，在前体膜中注入杂质，形成杂质扩散膜24。
布线33是与电连接相独立的布线(虚拟布线)。布线图案30具有在与布线33交叉(例如垂直)的方向上延伸的布线36。布线36是与电连接相独立的布线(虚拟布线)。根据本实施方式，由于形成了与电连接独立的布线33、36，所以能够使其上的电极50(参照图2)的凹凸减小，能够提高功能层的膜厚的均匀性。
布线图案30具有与杂质扩散膜24相对向的电极37。也可以通过杂质扩散膜24和电极37、及两者间的绝缘层26构成电容器88(参照图7)。电极37与布线35电连接。
图5是说明位于由多层构成的布线层中的其它层的布线图案的图。在上述布线图案30上，可以通过绝缘层38(参照图2)而形成布线图案40。布线图案40具有作为其一部分的布线41、42。布线41、42在与布线图案30的布线31、32相交叉(例如垂直)的方向上延伸。布线图案(第1布线图案)30的布线31、32，与布线图案(第2布线图案)40的布线41、42，可以在形成格子的方向上延伸地配置。可以由布线31、32的至少一部分与布线41、42的至少一部分形成格子。另外，所谓“形成格子”，是指至少在设计上形成格子的形状，包含考虑了制造误差的格子的形状，即实质上形成格子的形状的情况(以下的说明中也同样)。根据本实施方式，由于第1及第2布线图案30、40的一部分在形成格子的方向上延伸地配置，所以在格子的内侧，在其上的电极50(参照图2)上不易形成凹陷，能够提高功能层的膜厚的均匀性。布线图案40具有在电极50(参照图6)的外侧配置的布线46。
布线图案40具有作为其一部分的布线43、44、45。布线图案(第1布线图案)30的布线31、32、33、34，与布线图案(第2布线图案)40的布线43、44、45相互平行而延伸。而且，布线31、32、33、34与布线43、44、45相互不交迭地形成。根据本实施方式，由于第1及第2布线图案30、40的平行延伸的部分不相互交迭，所以即使在其上的电极50(参照图2)上形成凹凸，其高低差也很小，能够提高功能层的膜厚的均匀性。
形成覆盖由多层所构成的布线层(例如布线图案40)的有机树脂层52。有机树脂层52的上表面平坦。
电光装置1具有多个电极。图6是说明各个电极的图。电极(例如第1电极)50与上述布线层(例如包含布线图案30、40)交迭地形成。电极50在有机树脂层52上形成。电极50可以与布线层中最上层的布线图案40(例如其布线45)电连接。该电连接可以贯通有机树脂层52而实现。
例如，在电极50的除去第1区域(形成用于构成电光元件的功能层(发光层62等)的区域)的第2区域(例如触点区域)，电极50与向电极50供给电力的布线45电连接。这样，能够减低配置有功能层(发光层62等)的第1区域(例如发光区域)的凹凸，提高功能层(发光层62等)的膜厚的均匀性。第2区域可以在电容部上形成。而且，第2区域也可以在围堰(bank)68内形成，由此能够防止第2区域的腐蚀，还能够减少与阴极(第2电极70)的寄生电容。而且，还能够提高第2区域(触点区域)部分的开口比。该段落的内容也可以适用于其他的实施方式。
在电极50的下方，布线31、32、33、34等间隔地平行延伸。在电极50的下方，形成布线(虚拟布线)33、36。在电极50的下方，由布线31、32的至少一部分与布线41、42的至少一部分形成格子。在电极50的下方，布线31、32、33、34与布线43、44、45相互不交迭地配置。
在基板10上设置着多个动作元件60。设置有多个动作元件60的区域是动作区域12。在一个像素(例如子像素)中设置有一个动作元件60。如图2所示，多个动作元件60具有多个发色光(例如红、绿、蓝)的多个发光层62。各个动作元件60具有任意一个发色光的发光层62。构成发光层62的材料可以是聚合物系材料，低分子系材料、或使用二者复合的材料。发光层62可以通过流过电流而发光。发光层62的发光效率也可以根据发光色而不同。
动作元件60可以具有第1及第2缓冲层64、66的至少一个。第1缓冲层64可以是使向发光层62的空穴注入稳定的空穴注入层，也可以具有空穴注入层。第1缓冲层64也可以具有空穴输送层。空穴输送层可以设置在发光层62与空穴注入层之间。第2缓冲层66可以是使向发光层62的电子注入稳定的电子注入层，也可以具有电子注入层。第2缓冲层66也可以具有电子输送层。电子输送层可以设置在发光层62与电子注入层之间。相邻的动作元件60由围堰68划分(电气绝缘)。
上述电极(第1电极)50是用于向任意一个动作元件60供给电能的电极。电极50可以与动作元件60(例如第1缓冲层64(例如空穴注入层))相接触。
电光装置1设置有多个或一个第2电极70。第2电极70是用于向动作元件60供给电能的电极。第2电极70可以与动作元件60(例如第2缓冲层66(例如电子注入层))相接触。第2电极70具有与电极50相对向的部分。第2电极70也可以配置在电极50的上方。
电光装置1具有动作元件60的封固部件72。在动作元件60的至少一部分容易由于水分、氧等而退化的情况下，能够利用封固部件72保护动作元件60。
下面说明电光装置1的制造方法。在本实施方式中，在基板10上形成由多层所构成的布线层(例如布线图案30、40)。而且，形成有覆盖布线层(例如最上层的布线图案40)、且上表面平坦的有机树脂层52。有机树脂层52的形成工序可以包含有机树脂前体的涂敷(例如旋转涂敷)。由此，能够使其上表面平坦地设置有机树脂前体，在对其干燥、固化(硬化)时，能够施加均匀的温度。这有利于有机树脂层52的上表面的平坦化。
在本实施方式中，以在处于多个电极的下方的区域具有等间隔地平行延伸的不少于三根的布线31、32、33的形式形成位于布线层的任意一层的布线图案30。或者，以在处于多个电极的下方的区域向形成格子的方向延伸的形式形成位于布线层的第1层的第1布线图案30的一部分(例如布线31、32)，与位于布线层的第2层的第2布线图案40的一部分(例如布线41、42)。或者，以在处于多个电极的下方的区域具有相互平行地延伸的部分(布线31～34、43～45)的形式形成分别位于布线层的第1及第2层的第1及第2布线图案30、40，平行延伸的部分相互不交迭地形成。或者，以在处于多个电极的下方的区域具有与电连接相独立的布线33的形式形成位于布线层的任意一层的布线图案30。根据以上的做法，能够使有机树脂前体均匀地遍布像素区域(动作区域、显示区域)，所以能够使有机树脂层52的上表面平坦。该平坦性与现有的岛状布线的情况相比，极为优异。
而且，在有机树脂层52上形成与布线层(例如布线图案30、40)相交迭的多个电极50。由于有机树脂层52很平坦，所以能够使其上表面平坦地形成电极50。
电光装置1的制造方法，也可以在上述布线基板的制造方法的基础上，包含在多个电极50的各第1区域(形成有用于构成电光元件的功能层(发光层62等)的区域)形成用于构成电光元件的功能层(发光层62等)的步骤。另外，多个电极50分别与向该电极50供给电力的任意一个布线层(例如布线图案40)，在该电极50的第2区域(例如触点区域)相连接。关于电光装置1的制造方法的其他细节，也可以包含能够由上述结构导出的内容。
图7是说明本实施方式的电光装置的动作的电路图。电光装置1具有与图7所示电路相对应的元件。元件在每个动作元件60中设置。电路结构(元件的连接状态)如图7所示，其说明予以省略。在本实施方式中，向布线42供给电源电压Vdd。向布线46供给信号电压Vdata。信号电压Vdata是对应于供给到动作元件60的电流的信号。在布线(扫描线)31、32中输入相反的选择信号。选择信号是高电位的H信号或低电位的L信号。
在编程期间，向布线31输入H信号，向布线32输入L信号。这样，开关元件80呈接通状态，电流根据布线42、46之间的电位差而通过开关元件80、86流过。与该电流相对应的开关元件86的控制电压(在开关元件86是MOS晶体管的情况下为门电压)蓄积于电容器88。
在动作期间(例如发光期间)，向布线31输入L信号，向布线32输入H信号。这样，开关元件80、84呈断开状态，开关元件82呈接通状态。其结果是，由对应于在编程期间蓄积在电容器88内的电荷的控制电压(在开关元件86是MOS晶体管的情况下为门电压)，对开关元件86进行控制(例如接通)，对应于控制电压的电流从布线42通过开关元件86、82流向动作元件60。
(第2实施方式)
图8～11是说明本发明的第2实施方式的电光装置的图。在本实施方式中半导体膜及布线层与第1实施方式不同。对于下述的内容之外的部分，可以将第1实施方式中说明的内容适用于本实施方式。
在本实施方式中，在第1实施方式中说明的基板10上形成半导体膜120。图8是表示各个像素(例如子像素)内的半导体膜的图。半导体膜120可以由半导体材料(例如硅)形成。半导体膜120可以具有单晶、多晶、或非晶质的任意一种结构。半导体膜120也可以是由公知的低温(例如600℃以下)工艺所形成的、所谓的低温多晶硅膜。半导体膜120具有基薄膜122。在基薄膜122上可以扩散有N型或P型的杂质。半导体膜120具有杂质扩散膜124。杂质扩散膜124可以注入比基薄膜122更高浓度的杂质。杂质扩散膜124在基薄膜122的区域内形成。杂质扩散膜124可以是在包含构成基薄膜122的部分及构成杂质扩散膜124的部分的前体膜中注入杂质而形成。杂质扩散膜124的至少一部分，可以为MOS FET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的源极或漏极，也可以为电容器等电子零件的电极。
在基板10上形成由多层构成的布线层。图9是说明位于由多层所构成的布线层中一层的布线图案的图。布线图案130可以通过绝缘层(例如SiO2等氧化膜)，在半导体膜120上形成。布线图案130具有等间隔平行延伸的不少于三根的布线131、132、133。布线132、133各自的一部分构成MOS FET的门电极。根据本实施方式，由于不少于三根的布线131、132、133以等间隔平行延伸，所以在其上的电极150(参照图11)上即使形成凹凸，也是均匀的凹凸，因而能够提高功能层的膜厚的均匀性。
布线131是与电连接相独立的布线(虚拟布线)。布线图案130具有在与布线131相交叉(例如垂直)的方向延伸的布线136。布线136也是与电连接相独立的布线(虚拟布线)。根据本实施方式，由于形成了与电连接独立的布线131、136，所以能够使其上的电极150(参照图11)的凹凸减小，能够提高功能层的膜厚的均匀性。
布线图案130具有与杂质扩散膜124相对向的电极137。也可以通过杂质扩散膜124和电极137、及两者间的绝缘层构成电容器188(参照图12)。
图10是说明位于由多层所构成的布线层中其它层的布线图案的图。在上述布线图案130上，可以通过绝缘层形成布线图案140。
布线图案140具有作为其一部分的布线143、144、145、146、148。布线图案(第1布线图案)130的布线136，与布线图案(第2布线图案)140的布线143、144、145、146、148相互平行地延伸。而且，布线136与布线143、144、145、146、148相互不交迭地形成。根据本实施方式，由于第1及第2布线图案130、140的平行延伸的部分不相互交迭，所以即使在其上的电极150(参照图11)上形成凹凸，其高低差也很小，能够提高功能层的膜厚的均匀性。布线图案140具有在电极150(参照图11)的外侧配置的布线149。
电光装置具有多个电极。图11是说明各个电极的图。电极150与上述布线层(例如包含布线图案130、140)相交迭地形成。电极150可以与布线层中最上层的布线图案140(例如其布线146)电连接。在电极150的下方，布线131、132、133等间隔地平行延伸。在电极150的下方，形成布线(虚拟布线)136。在电极150的下方，布线136与布线143、144、145、146、148相互不交迭地形成。
在本实施方式的电光装置的制造方法中，可以适用在第1实施方式中所说明的内容。
图12是说明本实施方式中电光装置动作的电路图。电光装置具有与图12所示电路相对应的元件。元件在每个动作元件60中设置。电路结构(元件的连接状态)如图12所示，其说明予以省略。在本实施方式中，向布线148供给电源电压Vdd。布线149中供给有信号电压Vdata。信号电压Vdata是对应于向动作元件60供给的电流的信号。动作元件60的一个的电极与GND电位电连接。在布线(扫描线)132中输入选择信号。选择信号是高电位的H信号或低电位的L信号。
在编程期间，向布线132输入H信号，开关元件180呈接通状态，电荷根据电源电压Vdd与信号电压Vdata之间的电位差而蓄积在电容器188中。此时，如果电源电压Vdd比GND电位高，则电流从布线148流过开关元件182及动作元件60。
在动作期间(例如发光期间)，向布线132输入L信号，使开关元件180呈断开状态，这样，由对应于在编程期间蓄积在电容器188内的电荷的控制电压(在开关元件182是MOS晶体管的情况下为门电压)，对开关元件182进行控制(例如接通)，对应于控制电压的电流从布线148通过开关元件182流过动作元件60。
图13是说明本实施方式的变形例中电光装置的动作的电路图。在该变形例中，动作元件60的一个的电极与布线190电连接，向布线190供给基准电压Vss。基准电压Vss在与电源电压Vdd相同的电压及比电源电压Vdd低的电压(例如GND电压)之间切换。除此之外的电路结构与图12中所示的电路相同。
在编程期间，向布线132输入H信号，基准电压Vss成为与电源电压Vdd相同的电压。这样，开关元件180呈接通状态，电荷根据电源电压Vdd与信号电压Vdata之间的电位差而蓄积于电容器188。另外，由于基准电压Vss是与电源电压Vdd相同的电压，所以在动作元件60中不流过电流。
在动作期间(例如发光期间)，向布线132输入L信号，使开关元件180呈断开状态。基准电压Vss成为比电源电压Vdd低的电压(例如GND电压)。这样，由对应于在编程期间蓄积在电容器188内的电荷的控制电压(在开关元件182是MOS晶体管的情况下为门电压)，对开关元件182进行控制(例如接通)，与控制电压相对应的电流(对应于基准电压Vss与电源电压Vdd的电位差的电流)从布线148通过开关元件182流过动作元件60。
作为具有本发明的实施方式中电光装置的电子设备，图14中表示笔记本型个人计算机1000，图15表示移动电话2000。
本发明并不限于上述实施方式，可以进行种种变更。例如，本发明包含与实施方式中说明的结构实质上相同的结构(例如功能、方法及结果相同的结构，或目的及结果相同的结构)。而且，本发明还包含将实施方式中所说明的结构的非本质部分予以置换的结构。而且，本发明还包含与实施方式中所说明的结构起到相同作用效果的结构或能够达到同样目的的结构。而且，本发明还包含在实施方式中所说明的结构中附加公知技术的结构。
Claims (9)
1.一种电光装置，在基板上具有多个单位结构，其特征在于，
所述多个单位结构的每一个具有：包括夹持在第一电极与第二电极之间的功能层的发光元件、和用于向所述发光元件供给电源的驱动电路，
所述第一电极与构成所述驱动电路的多个布线层交迭地形成，
位于所述布线层的第1层的第1布线图案的一部分与位于所述布线层的第2层的第2布线图案的一部分，在所述第一电极的下方，配置为形成格子，
所述第一布线图案包括构成用于向所述单位结构供给扫描信号的扫描线的布线图案，所述第二布线图案包括构成用于向所述单位结构供给数据信号的数据线的布线图案，
所述第一布线图案和所述第二布线图案的任一方在所述第一电极的下方具有等间隔平行延伸的三条以上的布线，
所述第一布线图案与所述第二布线图案交叉而形成的多个交叉部配置在所述第一电极的下方，以使所述功能层的膜厚均匀。
2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，
所述第一布线图案在所述第一电极的下方具有与电连接相独立的布线，
所述多个交叉部包括：所述第二布线图案与所述电独立的布线交叉而形成的交叉部。
3.根据权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于，
进而具有覆盖所述布线层而形成的上表面平坦的有机树脂层，
所述第一电极在所述有机树脂层上形成，穿过所述有机树脂层，与所述布线层的至少一层电连接。
4.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，
所述布线层还包括用于向所述单位结构供给电源的电源线。
5.一种电子设备，具有权利要求1～4中任一项所述的电光装置。
6.一种电光装置的制造方法，该电光装置在基板上具有多个单位结构，所述多个单位结构的每一个具有：包括夹持在第一电极与第二电极之间的功能层的发光元件、和用于向所述发光元件供给电源的驱动电路，
该电光装置的制造方法包括如下步骤：由多个布线层形成所述驱动电路、形成覆盖所述布线层且上表面平坦的有机树脂层、和在所述有机树脂层上与所述布线层交迭地形成所述第一电极，
位于所述布线层的第1层的第1布线图案的一部分包括构成用于向所述单位结构供给扫描信号的扫描线的布线图案，位于所述布线层的第2层的第2布线图案的一部分包括构成用于向所述单位结构供给数据信号的数据线的布线图案，并且所述第1布线图案的一部分与所述第2布线图案的一部分在所述第一电极的下方，配置为形成格子，
所述第一布线图案和所述第二布线图案的任一方在所述第一电极的下方具有等间隔平行延伸的三条以上的布线，
所述第一布线图案与所述第二布线图案交叉而形成的多个交叉部配置在所述第一电极的下方，以使所述功能层的膜厚均匀。
7.根据权利要求6所述的电光装置的制造方法，其特征在于，
将位于所述布线层的任一层的布线图案形成为在所述第一电极的下方具有与电连接相独立的布线。
8.根据权利要求6或7所述的电光装置的制造方法，其特征在于，
所述有机树脂层的形成工序包含有机树脂前体的涂敷。
9.根据权利要求8所述的电光装置的制造方法，其特征在于，
通过旋转涂敷进行所述有机树脂前体的涂敷。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003-027088 | 2003-02-04 | ||
| JP2003027088 | 2003-02-04 | ||
| JP2003027088 | 2003-02-04 | ||
| JP2003-379938 | 2003-11-10 | ||
| JP2003379938 | 2003-11-10 | ||
| JP2003379938A JP2004260133A (ja) | 2003-02-04 | 2003-11-10 | 配線基板及び電気光学装置並びにこれらの製造方法並びに電子機器 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2004100037267A Division CN100401341C (zh) | 2003-02-04 | 2004-02-04 | 布线基板和电光装置及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101312605A CN101312605A (zh) | 2008-11-26 |
| CN101312605B true CN101312605B (zh) | 2010-09-29 |
Family
ID=40100980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200810100029.1A Expired - Lifetime CN101312605B (zh) | 2003-02-04 | 2004-02-04 | 布线基板和电光装置及其制造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5240454B2 (zh) |
| CN (1) | CN101312605B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102460997B1 (ko) * | 2016-02-16 | 2022-11-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1233768A (zh) * | 1998-02-09 | 1999-11-03 | 精工爱普生株式会社 | 液晶板及电子设备 |
| US6075580A (en) * | 1993-12-28 | 2000-06-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Active matrix type liquid crystal display apparatus with conductive light shield element |
| CN1285526A (zh) * | 1999-08-20 | 2001-02-28 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4666722B2 (ja) * | 1999-06-28 | 2011-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Ｅｌ表示装置及び電子装置 |
| JP2002083812A (ja) * | 1999-06-29 | 2002-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 配線材料およびこれを用いた配線を備えた半導体装置およびその作製方法 |
-
2004
- 2004-02-04 CN CN200810100029.1A patent/CN101312605B/zh not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-11-05 JP JP2008283996A patent/JP5240454B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6075580A (en) * | 1993-12-28 | 2000-06-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Active matrix type liquid crystal display apparatus with conductive light shield element |
| CN1233768A (zh) * | 1998-02-09 | 1999-11-03 | 精工爱普生株式会社 | 液晶板及电子设备 |
| CN1285526A (zh) * | 1999-08-20 | 2001-02-28 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101312605A (zh) | 2008-11-26 |
| JP2009037265A (ja) | 2009-02-19 |
| JP5240454B2 (ja) | 2013-07-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: ZHIJI SHIDUN TECHNOLOGY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SEIKO EPSON CORP. Effective date: 20130820 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20130820 Address after: Delaware, Newcastle, USA Patentee after: Zhiji Shidun Technology Co.,Ltd. Address before: Tokyo, Japan Patentee before: Seiko Epson Corp. |
|
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20100929 |