TW556358B

TW556358B - Light emitting device and method of manufacturing the same

Info

Publication number: TW556358B
Application number: TW091102832A
Authority: TW
Inventors: Hirokazu Yamagata; Shunpei Yamazaki; Toru Takayama
Original assignee: Semiconductor Energy Lab
Priority date: 2001-02-19
Filing date: 2002-02-19
Publication date: 2003-10-01
Also published as: US9502679B2; US8497525B2; US20170069866A1; US9954196B2; CN100375288C; KR100843302B1; US20130280841A1; US20110024787A1; US7485478B2; SG143946A1; CN101232027B; SG102681A1; CN101232027A; US8866184B2; US20090128026A1; SG143944A1; SG143942A1; US7825419B2; US20020113248A1; US9768405B2

Description

556358 A7 B7 五、發明説明（1 ) 1、發明的領域 % (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明涉及具有發光元件的發光裝置及製造發光裝置的方法，其中發光元件由陽極、陰極和含有通過施加電場能發光的有機化合物的膜（該膜以下稱爲有機化合物層）構成。具體而言，本發明涉及採用驅動電壓和元件壽命分別比習知元件低和長的發光元件的發光裝置。本說明書中的發光裝置指的是採用發光元件的影像顯示裝置。而且，下列元件都被包含于發光裝置的定義中··通過將連接器如各向異性導電膜（FPC :可撓印刷電路）、TAB (捲帶自動接合）捲帶、或TCP (帶式載體封裝）固定到發光元件上得到的元件；其中在TAB帶或TCP的端部提供印刷配線板的元件；和其中利用COG (玻璃上晶片）方法將1C (積體電路）直接安裝到發光元件上的元件。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4 - 556358 A7 B7 五、發明説明（2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 發光。在有機化合物中産生的分子激子採用單激發或三激發。本說明書涉及從單激發發光的元件和從三激發發光的元件。這些發光元件通過驅動方法分類爲被動矩陣（簡單矩陣）型和主動矩陣型。最吸引人的元件是主動矩陣型元件，因爲它們能以QVGA級數量的圖素或更多圖素顯示高淸晰的影像。具有發光元件的主動矩陣發光裝置的元件結構如圖2 中所示。TFT 202形成在基板201上，層間絕緣膜203形成在 TFT 202上 ° 在層間絕緣膜203上形成通過配線204電連接到TFT 202的陽極（圖素電極）205。適合於陽極205的材料是具有大功函數的透明導電材料。建議採用ITO (氧化銦錫）膜、氧化錫（Sn〇2 )膜、氧化錫和氧化鋅（ZnO )的合金膜、半透明金膜、聚苯胺膜等。這些膜當中，最好使用ITO 膜，因爲它具有約3.75 eV的帶隙和在可見光範圍中的高度透明性。經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製有機化合物層206形成在陽極205上。在本說明書中，設置在陽極和陰極之間的所有層一起構成有機化合物層。具體而言，有機化合物層206包括發光層、電洞注入層、電子注入層、電洞轉移層、電子轉移層等。發光元件的基本結構是陽極、發光層和陰極按順序層疊的疊層結構。該基本結構可被修改爲陽極、電洞注入層、發光層和陰極按順序層疊的疊層，或陽極、電洞注入層、和發光層、電子本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 556358 A7 ______B7 五、發明説明（3 ) 轉移層、和陰極按順序層疊的疊層。形成有機化合物層206之後，形成陰極以完成發光元件209。陰極通常由具有小功函數（通常，屬於周期表中1 或2族的金屬）的金屬形成。在本說明書中，這種金屬（包括鹼金屬和鹼土金屬）稱爲鹼金屬。用有機樹脂材料形成組208以覆蓋陽極邊緣並防止在該位置的陽極和陰極之間短路。圖2表示一個圖素和其中形成的發光元件。實際圖素部分提供有各如圖2所示那樣構成的多個發光元件，以便構成主動矩陣發光裝置。在發光裝置的上述習知結構中，層間絕緣膜和形成在層間絕緣膜上的陽極（透明導電材料）具有不同的熱膨脹係數。當對與該習知發光裝置結構一樣的其中具有不„同_熱膨脹係數的材料互相接觸的結構進行熱處理時，在具有較小熱膨脹係數的材料一側（這種情況下爲陽極）上的介面中産生破裂。陽極是用於參與光發射的電洞注入到有機化合物層中的電極。如果在陽極中産生破裂，裂痕將影響電洞的産生，並減少了注入的電洞數量，甚至使發光元件本身退化。陽極表面的不規則性也影響電洞的産生和注入。此外，有機化合物層本來就容易被氧和潮氣退化。鑒於此，通常使用如聚醯亞胺、醯胺和丙烯酸等的有機樹脂材料形成層間絕緣膜，並且從該層間絕緣膜釋放的氧或其他氣體將使發光元件退化。而且，發光元件的陰極由能嚴重損害TFT特性的鹼金 1紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公麓) " -6- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Ϊ- 訂經濟部智慧財產局g(工消费合作社印製 556358 A7 B7 五、發明説明（4 ) 屬材料如A1或Mg形成。混合在TFT的主動層中的鹼金屬使TFT的電特性改變，並且不可能給TFT提供長期可靠性〇請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁爲了避免損害TFT特性，最好通過將TFT製造步驟處理室（無塵室）與發光元件製造步驟處理室（無塵室）分開來防止TFT的主動層的鹼金屬污染。但是，給製造工藝增加了爲了防止鹼金屬污染而在室（無塵室）移動基板時出現的其他問題；TFT基板可能由於空氣中的灰塵或其他汙物而被污染，並且TFT元件可能被靜電放電損壞。發明槪述因此本發明的目的是提供高質量的具有長耐久性的發光元件的發光裝置及製造發光裝置的方法，其中發光元件由於允許比習知元件少的退化性的結構而沒有上述問題。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明的特徵在於層間絕緣膜形成在TFT上，TFT形成在絕緣體上；絕緣膜形成在層間絕緣膜上；形成陽極以便通過配線電連接到TFT ;形成樹脂絕緣膜以便覆蓋陽極和配線；蝕刻樹脂絕緣膜以形成組；熱處理之後擦拭或淸晰陽極；和形成絕緣膜以覆蓋陽極和組。形成在層間絕緣膜和陽極之間的絕緣膜抑制了由熱處理引起的在有不同熱膨脹係數的相鄰材料中産生的破裂。因此發光元件可具有長壽命。這個絕緣膜還能防止從層間絕緣膜釋放的氣體或潮氣到達發光元件。該絕緣膜可以是無機絕緣膜，或者可以是通過電漿處理的表面修正得到的本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 556358 A 7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（5 ) 硬化膜或DLC膜。通過擦拭陽極，陽極表面的不規則性可以被修平，並且可去除陽極表面上的灰塵。通過形成覆蓋陽極和組的絕緣膜，可實現要注入到有機化合物層中的電洞和電子的平衡量的效果。本發明的其他方案的特徵在於：形成用於形成組的樹脂絕緣膜；將基板移動到可避免被鹼金屬或其他汙物污染的處理室中；和蝕刻樹脂絕緣膜以形成組。在形成用於保護TFT的半導體膜的絕緣膜之後進行抗靜電處理。用於形成TFT基板的第一處理室（第一無塵室 )與用於形成發光元件的第二處理室（第二無塵室）分開。這樣，降低了來自形成發光元件的陰極的鹼金屬材料的鹼金屬如A1或Mg混合在TFT的主動層中的風險。結果是，可提高TFT的電特性及其長期可靠性。抗靜電膜是用不影響形成組、陽極和配線的樹脂絕緣膜的材料形成的，並用水淸洗等其他簡單方法去除。作爲這種材料，具有進行抗靜電處理所需要的導電性的材料是合適的（例如，10_8[S/m]或更多）。一般採用導電有機材料，例如通過旋塗形成包括導電聚合物的抗靜電膜，並通過蒸鍍形成包括導電低分子的抗靜電膜。具體而言，可使用聚乙烯二氧噻吩（PEDOT )、聚苯胺（PAni )、甘油脂肪酸酯、聚氧化乙烯烷基醚、聚氧化乙烯烷基苯基醚、叱屮二（2-羥乙基）烷胺（烷基二乙醇胺）、屮2-羥乙基-N-2-羥基烷胺（羥烷基單乙醇胺）、聚氧化乙烯烷胺、聚 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8 - 556358 A7 B7 五、發明説明（6 ) 氧化慚烯烷胺脂肪酸酯、烷基二乙醇醯胺、烷基磺酸酯、烷基苯磺酸酯、烷基磷酸酯、四烷基銨鹽、三烷基苯基銨鹽、烷基甜菜城、烷基咪唑鑰甜菜城等。這些材料可容易地用水或有機溶劑去除。此外，有機絕緣材料如聚醯亞胺、丙烯酸、醯胺、聚醯亞胺醯胺（polyimideamide )或BCB (苯並環丁烯）可用做抗靜電膜。由上述材料形成的抗靜電膜可適用於所有實施例。本發明的其他方案的特徵在於包括用於結晶而在陽極上進行熱處理之後形成組和在組表面上進行電漿處理的步驟。在組表面上通過電漿處理而對其進行表面修正形成硬化膜。這防止了組釋放其潮氣和使發光元件退化。附圖的簡要說明圖1A-1E是表示根據實施方式的製造發光裝置的方法圖2是表示習知發光裝置的例子的示意圖；圖3A-3D是表示製造發光裝置的工藝的示意圖；圖4A-4C是表示製造發光裝置的工藝的示意圖；圖5A-5C是表示製造發光裝置的工藝的示意圖；圖6A和6B是表示製造發光裝置的工藝的示意圖；圖7是表示進行發光裝置製造工藝的示意圖；圖8是表示進行發光裝置製造工藝的示意圖；圖9A和9B是表示發光裝置的密封結構的示意圖；本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^^衣. 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -9- 556358 A7 B7 五、發明説明（7 圖10A和10B是表示發光裝置的圖素部分結構的示意圖請先閲讀背之注意事項再填寫本頁圖11A-11H是表示電設備的例子的示意圖；圖12是表示進行發光裝置製造工藝的例子的示意圖；圖13是表示進行發光裝置製造工藝的例子的示意圖；圖14是表示AFM測量的結果的示意圖；圖15是表示AFM測量的結果的示意圖；圖16是表示AFM測量的結果的示意圖；圖17A-17F是表示根據實施例的製造發光裝置的工藝的示意圖；圖18A和18B是表示製造發光裝置的工藝的示意圖；訂圖19是表示本發明的製造工藝的流程圖；圖20A-20D是表示進行發光裝置製造工藝的例子的示意圖；圖21 A-21C是表示進行發光裝置製造工藝的例子的示意圖；經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖22A和22B是表示進行發光裝置製造工藝的例子的示意圖；圖23A和23B是表示進行發光裝置製造工藝的例子的示意圖。基板薄膜電晶體主要元件對照 100,810,1100 101,202 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10- 556358 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（8 102,203 103,936 層間絕緣膜第一絕緣膜 104,204,937-943,193 8- 1944,3929-393 5 配線 105 透明導電膜 1 06,7 1 8,8 1 2,944,1937,3928 陽極 1 07,208,8 1 5,947,3938 組 1 10,948 第二絕緣膜 1 1 1,206,8 1 6,949,3940 有機化合物層 1 1 2,207,8 1 7,950,3941,3952 陰極 205 209,818 801 802 803 804 805 807 809 706,811 813 814 900 901,1101 901a,901b 陽極（圖素電極）發光元件源極側驅動電路圖素部分閘極側驅動電路密封基板密封劑空間可撓印刷電路電流控制薄膜電晶體 η通道型薄膜電晶體 Ρ通道型薄膜電晶體玻璃基板基底絕緣膜氮氧化矽膜本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -11 - 556358 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（9 720,902-905 906 907 908 909,930,93 1 半導體層閘極絕緣膜耐熱導電層第二導電層抗蝕劑遮罩 9 1 0-9 1 3,3901 -3904 第一錐形導電層 914-917 第一 η型雜質區 918-921 導電膜 922-925 第二形狀導電膜 922a-925a 第一層第二形狀導電膜 926-929 第二η型雜質區 932(93 2a，93 2b)，933(933a，933 b)，3921，3922,39 23,39 24 雜質區 934,3925 935,3926,3939 945.3936 946.3937 10C0 1001 1002,704 1003 909a-909d,39 19,3920 3905-3908,3905a-3908a 3909-3912,3916,3917,3918 第一層間絕緣膜第二層間絕緣膜第三層間絕緣膜抗靜電膜 P通道薄膜電晶體 η通道薄膜電晶體切換薄膜電晶體電流控制薄膜電晶體遮罩第二錐形導電層 η型雜質區 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) P型本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -12- 556358 A7 B7 五、發明説明（10 ) 3913,3915 3914 3927

935B

936B 1102 1103 1104 1105,1108 1106 1107 703 704a,704b,707 705,717 716 719 3950 第一遮罩第二遮罩阻障絕緣膜硬化膜 DLC膜氮化矽膜非晶系半導體膜含催化劑層結晶矽膜薄層吸氣位置配線閘極電極汲極配線電流供應線冷凝器第一有機化合物 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 395 1 第二有機化合物經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 395 8 邊緣部分 2001,2202,2402,2603,2702 殻體 2002 支撐底座顯示單元 200 3,2102,2203,2302,25 02,2602,2703 2004,2407 揚聲器單元 2005 視頻輸入端子本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -13- 556358 A7 B7 五、發明説明（11 ) 2101,2201,2 3 01,2401,25 01,2601,2701 2103,2606 影像接收單元主體 2104,2304,2406,2609,2706 2105,2205,2604,2707 2106 2204 2206 2303 2305 2403 2404 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2405 2503 2605 2606 2607 2608,2704 2705 2708 操作鍵外部連接埠快門鍵盤指向滑鼠開關紅外線埠顯示單元A 顯示單元B 記錄介質（DVD)讀取單元臂狀物單元遙控接收單元影像接收單元電池聲頻輸入單元聲頻輸出單元天線較佳實施例的詳細說明實施方式在基板100上形成TFT 101。這裏所示TFT是用於控制流入發光元件中的電流的TFT，在本說明書中稱爲電流控本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -14- 556358 A7 B7 五、發明説明（12 ) 制 TFT 101 (圖 1A )。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在電流控制TFT 101上，形成層間絕緣膜102，用於平面化。層間絕緣膜102是由有機樹脂材料如聚醯亞胺、丙烯酸、醯胺、聚醯亞胺醯胺、環氧樹脂、或BCB (苯並環丁烯）形成，且具有約1.0-2.0 μιη的平均厚度。基板適合通過形成層間絕緣膜102來整平。而且，由於有機樹脂材料的介電常數一般較低，因此層間絕緣膜可減少寄生電容〇經濟部智慧財產局員工消費合作社印製接著，在層間絕緣膜102上形成第一絕緣膜103，以便使從層間絕緣膜102釋放的氣體不會影響發光元件。第一絕緣膜103是無機絕緣膜，一般爲氧化矽膜、氮氧化矽膜或氮化矽膜，或者具有上述膜組合的疊層結構。第一絕緣膜是利用電漿CVD形成的，其中反應壓力設定爲20-200 Pa ，基板溫度設定爲300-400 °C，用於放電的高頻（13.56 MHz)功率密度設定爲0.1-1.0 W/cm2。或者，通過在層間絕緣膜表面上進行電漿處理，形成含有選自由氫、氮、鹵代碳、氟化氫和稀有氣體構成的組的一種或多種氣體元素的硬化膜。此後形成具有所希望圖形的抗鈾劑遮罩。形成到達電流控制TFT 1 0 1的汲極區的接觸孔，以便形成配線1 〇4。該配線是由作爲導電金屬膜的A1膜或Ti膜、或A1和Ti的合金膜形成的。通過濺射或真空蒸鍍澱積該材料以形成膜，並將得到的膜構圖成所希望的形狀。接著形成用做發光層的陽極的透明導電膜105。透明本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 15- 556358 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（13 ) 導電膜105通常由氧化銦錫（ITO )、或其中混合了 2-20% 的氧化鋅（Zn〇 )的氧化銦形成。陽極是通過蝕刻透明導電膜1 05形成的。然後·’形成組107，並在230-350°C進行熱處理。在本說明書中，具有在陽極上方的開口並覆蓋陽極邊緣的絕緣膜稱爲組（圖1 B 和 1 C )。用PV A (聚乙烯醇）-基多孔物質和淸洗液擦拭陽極 106的表面，以便整平陽極106的表面並從其上去除灰塵。在本說明書中，用PVA (聚乙烯醇）基多孔物質擦拭陽極表面以整平該表面並從其上去除灰塵表示爲擦拭。擦拭陽極表面之後，形成第二絕緣膜。然後在第二絕緣膜110上形成有機化合物層111和陰極112。第二絕緣膜 110是通過旋塗形成厚度爲1-5 nm的聚醯亞胺、醯胺、丙烯酸、或其他有機樹脂絕緣膜。有機化合物層1 1 1是除了發光層之外還有電洞注入層、電洞轉移層、電洞阻擋層、電子轉移層、電子注入層、緩衝層等組合的疊層。有機化合物層111的厚度較佳爲約 10 - 4 0 0 n m 〇陰極112是在有機化合物層111形成之後通過蒸鍍形成的。陰極112的材料是MgAg或Al-Li合金（鋁和鋰的合金 )。或者’陰極可以是屬於周期表中1或2族的元素和鋁的共蒸鍍形成的膜。陰極112的厚度較佳約爲80-200 nm。利用原子力顯微鏡（AFM )觀察擦拭處理之後透明導電膜的表面狀態，結果示於圖14-16中。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣.

、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -16- 556358 A7 B7 五、發明説明（14 ) 本實施例中的表面觀察用做在玻璃基板上形成爲110 nm厚並通過在250°C熱處理結晶的ITO膜的測量表面。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖14和15表示用AFM觀察到的基板表面的不規則性。圖14中所示的是在擦拭處理之前觀察測量表面的結果，而圖1 5是在擦拭處理之後觀察測量表面的結果。圖16表示用Bellclean ( Ozu Corporation的産品）作爲擦拭的PVA系列多孔材料而在擦拭處理之前和之後的平均表面粗糙度（Ra)。這裏平均表面粗糙度擴展爲三維，以便可以相對於要觀察的表面施加由nS B0601確定的中心線平均高度。從結果看來，擦拭處理之後，測量表面上的平均表面粗糙度減小了，水平度提高了。實施例1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本實施例將介紹利用本發明製造的發光元件。這裏參考圖3A-6B所述的是在同一基板上同時製造圖素部分的 TFTs和驅動電路的TFTs ( η通道TFT和p通道TFT )的方法的例子。圖素部分具有本發明的發光元件。驅動電路設置在圖素部分的周邊。首先，製備玻璃基板900。在本例中，硼矽酸鋇玻璃 -—〜— ，典型的例子是Corning #7059玻璃或#1737玻璃（Corning Incorporated的産品），或硼矽酸鋁玻璃可用做基板900。基板900可以是任何透光基板，也可以使用石英基板。如果對於本例的工藝處理具有耐熱性，則可以採用塑膠基板本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 556358 A7 ____B7_ 五、發明説明（15 ) 接著，如圖3A所示，在基板900上用絕緣膜如氧化矽膜、氮化矽膜或氮氧化矽膜形成基底絕緣膜901。在本例中，基底絕緣膜901具有兩層結構。但是，上面列出的單層或兩層以上的多層絕緣膜也可用做基底絕緣膜。基底絕緣膜901的第一層是採用SiH4、NH3和N2〇作爲反應氣體用電隳CVD形成厚度爲10-200 nm(較佳爲50-100 nm)的氮氧化矽膜901a。本例中形成的氮氧化矽膜9〇la (成分比： Si = 3 2%，0 = 27%，N = 24%，H=17% )的厚度爲 50 nm。基底絕緣膜9 0 1的第二層是用S i Η 4和N 2 0做反應氣體用電漿 CVD形成厚度爲50-200 nm (較佳100- 150 nm)的氮氧化矽膜901b。本例中形成的氮氧化矽膜901b (成分比：Si = 32% ，〇 = 59%，N = 7%，H = 2%)。的厚度爲 lOOnm。在基底絕緣膜901上形成半導體層902-905。半導體層 902-905是通過將結晶半導體膜構圖成所希望的形狀形成的，其中結晶半導體膜是通過用公知方法（濺射、LPCVD、電漿CVD等）形成帶有非晶結構的半導體膜，然後對該膜進行公知的結晶處理（例如鐳射結晶、熱結晶、或用鎳或其他催化劑的熱結晶）得到的。半導體層902-905的厚度各爲25- 80 nm (較佳30-60 nm )。結晶半導體膜的材料不限，但是較佳矽或矽鍺（SixGeu (Χ = 〇·〇〇〇ΐ-〇·〇2))合金。本例中，用電漿CVD形成厚度爲55 nm的非晶矽膜，然後將含有鎳的溶液施加於非晶矽膜的上表面。接著對非晶砂膜進行脫氫處理（在500°C進行1小時），然後進行熱結晶 C在550°C，進行4小時），再進行鐳射退火，用於提高結 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}

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-18- 556358 A7 ________B7 五、發明説明（16 ) 晶度以得到結晶矽膜。在該結晶矽膜上進行利用光刻的構圖處理，形成半導體層902-905。在形成半導體層902-905之後，可以用微量雜質元素（硼或磷）摻雜半導體層902-905，以便控制TFTs的閾値。如果採用鐳射結晶形成結晶半導體膜，可採用脈衝振蕩型或連續波準分子雷射器、YAG雷射器、或YV〇4雷射器。由這些雷射器選出的一種雷射器發射的鐳射較佳在照射半導體膜之前用光學系統聚集成線形光束。雖然結晶的條件可由操作者適當設定，但是有一些較佳條件。當使用準分子雷射器時，較佳條件包括：設定脈衝振蕩頻率爲 300 Hz，鐳射能量密度爲100-400 mJ/cm2 (典型爲200-300 mJ/cm2 )。當使用YAG鐳射時，較佳條件包括：使用其二次諧波，設定脈衝振蕩頻率爲30-300 kHz，鐳射能量密度爲 300-600 mJ/cm2 (典型爲 350-500 mJ/cm2)。鐳射被聚集成寬度爲100- 1000 μΐΉ、例如400 μηι的線形光束，以便用該光束照射基板的整個表面。在照射中，線形鐳射的重疊率設定爲50-90%。接下來，形成覆蓋半導體層902-905的閘極絕緣膜906 。閘極絕緣膜906是用電漿CVD或濺射由含有矽的絕緣膜形成的，且厚度爲40- 1 50 nm。本例使用通過電漿CVD形成的厚度爲110 nm的氮氧化矽膜（成分比：Si=32%，0 = 59%，N = 7%，H = 2% )。閘極絕緣膜不限於氮氧化矽膜’當然可以是含有矽的其他絕緣膜的單層或疊if .'。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^^衣·

-、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -19- 556358 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（17 ) 閘極絕緣膜使用氧化矽膜時，可用電漿CVD形成該膜，其中TEOS (原矽酸四乙酯）和〇2混合，反應壓力設定爲40Pa，基板溫度設定爲300-400 °C，用於放電的高頻（ 13.56 MHz)功率密度設定爲0.5-0.8 W/cm2。當該膜接受後來的在400-500°C的熱退火時，如此形成的氧化矽膜提供作爲閘極絕緣膜的優異特性。在閘極絕緣膜906上形成厚度爲200-400 nm (較佳爲 250-350 nm)、用於形成閘極的耐熱導電層907。如果需要，耐熱導電層907可以是單層、或兩層、三層或多層的疊層。耐熱導電層可以是含有選自由Ta、Ti和W構成的組的元素的膜。或者，耐熱導電層可以是含有上面列出的一種元素和其他元素的合金膜，或含有上面列出的元素的組合的合金膜。採用濺射或CVD形成耐熱導電層。爲了減小該層的電阻，應當降低該層中含有的雜質的濃度，特別是氧的濃度較佳減小到30 ppm或更少。在本例中，W膜形成爲300 nm厚。W膜可以用W做靶利用濺射法形成，或用六氟化鎢（WFe )的熱CVD法形成。在每種情況下，爲了用W膜做閘極，W膜必須具有低電阻率。所希望的w膜的電阻率爲20μ Qcm或更低。可通過增加晶粒尺寸來減小 W膜的電阻率，但是，如果w膜中有太多的雜質元素如氧 ’抑制了結晶並使電阻率升高。相應地，當用濺射法形成 W膜時，採用純度爲9 9 · 9至9 9 · 9 9 9 9 %的W靶，並且應非常小心不允許氣相雜質混合到正在形成的W膜中。結果是， W膜可具有9-20 μQcm的電阻率。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20- 556358 A7 ________B7_ 五、發明説明（18 ) 還可用濺射形成用於耐熱導電層907的Ta膜。Ta膜是用Ai•做濺射氣體形成的。如果給濺射氣體添加適量的Xe 或Kr ’得到的Ta膜的內部應力很容易防止Ta膜剝離。處於α相的Ta膜的電阻率爲約20 μQcm，並且可用做閘極。另一方面，處於/3相的Ta膜的電阻率約爲180 μ Ωcm並且不適合用於閘極。處於α相的Ta膜可以很容易地通過形成作爲Ta膜的基底的具有近似於α相的晶體結構的TaN 膜獲得。雖然圖中未示出，在耐熱導電層907下面形成厚度爲約2-20 nm且用磷（P)摻雜的矽膜是有效的。這提高了與要形成在其上的導電膜的粘附力並防止氧化。同時，矽膜防止了包含在耐熱導電層907和908中的微量鹼金屬元素擴散到第一形狀閘極絕緣膜906中。無論使用哪種材料，耐熱導電層907的較佳電阻率範圍爲10-50 μΩαηι。在本例中，TaN膜用於第一導電膜907，W膜用於第二導電膜908 (圖3A)。接著，用光刻技術形成抗蝕劑遮罩909。然後進行第一蝕刻處理。第一蝕刻處理是在第一蝕刻條件和第二蝕刻條件下進行的。在本例中，採用ICP蝕刻裝置，Cl2、CF4和〇2用做蝕刻氣體，其氣體流速的比爲25/25/10，在IPa的壓力下提供 3.2 W/cm2的RF ( 13.56 MHz)功率以産生電漿。還給基板一側（樣品階段（sample stage))提供 224 mW/cm2 的 RF C 13.56 MHz )功率，以便給其施加基本上負自偏置電壓° 在第一蝕刻條件下蝕刻W膜。然後在不去除抗蝕劑遮罩的本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .^^衣·

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -21 - 556358 A7 B7 五、發明説明（19 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 情況下將第一鈾刻條件轉換成第二蝕刻條件。在第二蝕刻條件下，CF4和Cl2用做蝕刻氣體，氣體流速的比設定爲 3 0/3 0SCCM，在1 Pa壓力下提供RF ( 13.56 MHz )功率以産生電漿。還給基板一側（樣品階段）提供20 W的RF ( 13.56 MHz)功率，以便可以施加基本負自偏置電壓。通過第一蝕刻處理形成具有第一錐形的導電層9 1 0-9 1 3 。導電層910-913的錐部的角度設定爲15-30° 。爲了在不留下任何殘餘物的情況下蝕刻該膜，鈾刻時間延長約10-20% ，用於過鈾刻（over-etching )。氮氧化砂膜（聞極絕緣膜 906 )對W膜的選擇率爲2-4 (典型爲3 )，於是氮氧化矽膜的露出表面通過過蝕刻處理被蝕刻約20-50 nm (圖3B ) 〇經濟部智慧財產局員工消費合作社印製然後進行第一摻雜處理，以便用導電類型的雜質元素摻雜半導體層。在該摻雜步驟中在不去除抗蝕劑遮罩909 的情況下使用提供η型導電性的雜質元素。用第一錐形導電層910和91 3做遮罩，用雜質元素部分摻雜半導體層902-905，由此按自對準方式形成第一 η型雜質區914-917。用於提供η型導電性的雜質元素是周期表中的1 5族元素，典型爲磷（Ρ )或砷（As )。這裏的摻雜使用磷和離子摻雜。在第一 η型雜質區914-9 17中提供η型導電性的雜質元素的濃度爲1Μ02Μχΐ〇21原子/cm3 (圖3Β)。

然後在不去除抗蝕劑遮罩的情況下進行第二蝕刻處理。第二蝕刻處理是在第三蝕刻條件和第四蝕刻條件下進行的。在第二蝕刻處理中，與第一蝕刻處理一樣，採用ICP 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -22- 556358 A7 B7 五、發明説明（2〇 ) 裝置，CF4和Ch用做蝕刻氣體，其流速的比爲30/30 SCCM ，在1 Pa壓力下提供RF ( 13.56 MHz)功率以産生電漿。還給基板一側（樣品階段）提供20 W的RF ( 13.56 MHz) 功率，以便對其施加基本負自偏置電壓。在第三蝕刻條件下形成的是導電膜91 8-921，其中W膜和TaW膜被蝕刻到相同程度（圖3C)。在它們的位置上留下抗蝕劑遮罩的同時，將蝕刻條件改變爲第四蝕刻條件。在第一蝕刻條件下，CF4、Cl2和〇2 用做蝕刻氣體，並在1 Pa的壓力下提供RF ( 13.56 MHz) 功率以産生電漿。還給基板一側（樣品階段）提供20W的 RF ( 13.56 MHz )功率，以便對其施加基本負自偏置電壓。在第四鈾刻條件下蝕刻W膜，形成第二形狀導電膜922-925 (圖 3D )。進行第二摻雜步驟（其中通過第二形狀第一導電膜 922a-925a用η型雜質元素摻雜半導體層）。結果是，在與第一 η型雜質區914-917接觸的通道形成區的一側上分別形成第二η型雜質區926-929。每個第二η型雜質區中的雜質的濃度設定爲1Χ1016-1><1019原子/cm3。在第二摻雜步驟中，也通過第一層第二形狀導電膜922a-925a的錐部η型雜質元素摻雜半導體層。在本說明書中，與第一層第二形狀導電膜9 22a-925a重疊的第二η型雜質區的部分稱爲Lov ( ‘ ov ’表示‘重疊，）區，而不與第一層第二形狀導電膜922a-925a重疊的第二η型雜質區的部分稱爲Loff ( ‘ off’表示 ‘偏離’、）區（圖4A)。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I--------衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -23- 556358 A7 ____B7_ 五、發明説明（21 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如圖4B所示，分別在用做p通道TFTs的主動層的半導體層902和905中形成雜質區932 ( 932a和932b )和933 ( 9 3 3a和93 3b)。雜質區932和93 3的導電類型與所述一個導電類型相反。也通過用p型導電性的雜質元素摻雜半導體層同時用第二導電層922作遮罩，也按自對準方式形成雜質區932和93 3。在該摻雜之前，形成覆蓋作爲n通道TFTs 的主動層的半導體層903和904的整個表面的抗鈾劑遮罩930 和931。p型雜質區932和933是利用乙硼烷（B2H6 )的離子摻雜形成的。在每個p型雜質區932和933中，提供p型導電性的雜質的濃度設定爲2><102°-2χ1021原子/cm3。在更近處觀察，p型雜質區932和933含有提供η型導電性的雜質元素。然而，如果ρ型雜質區932和93 3用提供 Ρ型導電性的雜質元素以比提供η型導電性的雜質元素的濃度高1.5-3倍的濃度摻雜，則它們用做ρ通道TFTs的源極區和汲極區是沒有問題的。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製之後，在第二形狀導電層922-925和閘極絕緣膜906上形成第一層間絕緣膜934，如圖4C所示。第一層間絕緣膜 934是氧化矽膜、氮氧化矽膜、或氮化矽膜，或具有上述膜組合的疊層。在任何一種情況下，第一層間絕緣膜934 設定爲100-200 nm。如果氧化矽膜用於第一層間絕緣膜934 ，則可用電漿CVD形成該膜，其中混合了 TEOS和〇2，反應壓力設定爲40Pa，基板溫度設定爲300-400°C，用於放電的高頻C 13.5 6 MHz)功率密度設定爲0.5-0.8 W/cm2。如果氮氧化矽膜用於第一層間絕緣膜934，可用電漿CVD由本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24- 556358 A7 ____ B7 五、發明説明（22 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

SiH4、N⑴和NH3，或由SiEl·和仏〇形成該膜。這種情況下的膜形成條件包括設定反應壓力爲20-200 Pa，基板溫度爲 300-400。(：，咼頻（6〇]^1^)功率密度爲〇.1-1.〇^//(：1112。第一層間絕緣膜934可以是由SiHU、N2O和H2形成的氮氧化矽水合物膜。作爲第一層間絕緣膜的氮化矽膜可同樣用電漿CVD由SiH4和NH3形成。然後進行啓動步驟以啓動用於以不同濃度摻雜半導體層並給它們提供η型或p型導電性的雜質元素。啓動步驟是通過使用退火爐的熱退火實現的。也可採用鐳射退火或快速熱退火（RTA )代替。熱退火是在氧濃度爲！ ρριΉ或更少、較佳0·1 ppm或更少的氮氣氛下、在400-700°C、典型爲500-600°C的溫度下進行的，本例中的熱處理是在550 °C下進行4小時。如果具有低耐熱性的塑膠基板用做基板 900，最好採用鍾射退火。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在該熱處理步驟中，在結晶半導體層的步驟中使用的催化劑元素（鎳）被移動（吸氣）到用有吸氣效應的周期表中的15族元素（本例中爲磷）重摻雜的第一 n型雜質區中。作爲吸氣的結果，在通道形成區中催化劑元素的濃度減少。啓動步驟之後是半導體層的氫化步驟，該步驟是通過在300-450°C下熱處理1-12小時同時將氣氛氣體改變爲含有 3-100%氫的氣氛進行的。該步驟是用於利用熱受激氫端接 101 6-1 01 8/cm3半導體層。其他可用的氫化方法包括電漿氫化（採用被電漿激發的氫）。無論使用哪種方法，希望半本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -25- 556358 A7 B7 五、發明説明（23 ) 導體層的缺陷密度減少到或更低。爲此，用〇〇1_ 0.1原子％的氫摻雜半導體層. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 用有機絕緣材料形成平均厚度爲i.Oj.O μ1Ώ的第二層間絕緣膜935 °第二層間絕緣膜可以由有機樹脂材料如聚醯亞胺、丙烯酸、醯胺、聚醯亞胺醯胺、或BCB (苯並環丁烯）形成。例如，當使用施加於基板之後熱聚合的類型的聚醯亞胺時’通過在潔淨爐中在3〇〇 °C下焙燒形成該膜。如果第二層間絕緣膜是由丙烯酸形成，則採用雙包裝類型。用硬化劑混合主材料，用旋塗器將混合物施加於基板的整個表面上，該基板在80°C的holt板上預熱60秒，然後在25 0°C的潔淨爐中焙燒60分鐘以形成膜。由有機絕緣材料形成的第二層間絕緣膜935能適當地整平表面。而且，由於有機樹脂材料的介電常數一般較低，因此層間絕緣膜可減少寄生電容。然而，有機樹脂材料是吸濕的且不適合用做保護膜。因此，如在本例中那樣，第二層間絕緣膜與由氧化矽膜、氮氧化矽膜或氮化矽膜形成的第一層間絕緣膜9 3 4組合使用。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製由有機絕緣材料形成的第二層間絕緣膜9 3 5可釋放潮氣和氣體。發光元件容易被潮氣或氣體（氧）退化是公知的。事實上，在使用有機樹脂絕緣膜形成層間絕緣膜的發光裝置中，發光元件可能很容易受到因爲發光裝置在工作中産生的熱量而從有機樹脂絕緣膜釋放的潮氣和氧的影響而退化。因此，在由有機樹脂材料形成的第二層間絕緣膜 935上形成第一絕緣膜936。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -26- 556358 A7 B7 五、發明説明（24 ) 氧化矽膜、氮氧化矽膜、氮化矽膜等用於第一絕緣膜 93 6。這裏第一絕緣膜93 6是通過濺射或電漿CVD形成的。可以在形成接觸孔之後形成第一絕緣膜936。然後形成具有給定圖形的抗蝕劑遮罩，以便形成到達形成在半導體層總並用做源極區或汲極區的雜質區的接觸孔。接觸孔是用幹蝕刻形成的。在這種情況下，CF4和〇2 的混合物用做蝕刻第一絕緣膜936的蝕刻氣體。然後將蝕刻氣體改變爲CF4、〇2和He的混合物以蝕刻由有機樹脂材料形成的第二層間絕緣膜935。然後蝕刻氣體再轉換回到蝕刻第一層間絕緣膜934的CF4和〇2。進一步將蝕刻氣體改變爲CHF3，以便增強與半導體層的選擇率，蝕刻閘極絕緣膜906。由此獲得接觸孔。同濺射或真空蒸鍍形成金屬導電膜並利用遮罩構圖。然後蝕刻該膜以形成配線937-943。雖然圖中未示出，本例中的配線由厚度爲50 nm的Ti膜和厚度爲500 nm的合金膜 (AhTi合金膜）的疊層形成。然後在其上形成厚度爲80- 1 20 nm的透明導電膜。然後蝕刻該膜以形成陽極944 (圖5A )。本例中使用的透明導電膜是氧化銦錫（ITO)膜或通過用氧化銦混合2-20%氧化鋅（ZnO)得到的膜。形成與汲極配線943接觸和重疊的陽極944，由此陽極與電流控制TFT的汲極區電連接（圖5A )。此時陽極944 可承受在1 80-35(TC的熱處理。

接著，在陽極944上形成第三層間絕緣膜945，如圖5B 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

*1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -27- 556358 A7 _____B7_ 五、發明説明（25 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 所示。此時，基板可以移動到用於形成發光元件的處理室 (無塵室）中。爲了避免TFT基板被空氣中的灰塵污染或損壞，在第三層間絕緣膜945上形成具有抗靜電效應的超薄膜946 (以下稱爲抗靜電膜）。抗靜電膜946是由能通過水淸洗而去除的材料形成的（圖5C )。代替形成抗靜電膜，基板可以在抗靜電裝載殼體中保存。在改變處理室之前，可以對已經完成上述步驟的TFT基板進行操作測試。當TFT基板進入用於形成發光元件的處理室（無塵室 )時，通過水淸洗去除抗靜電膜946。然後鈾刻第三層間絕緣膜945以形成在與圖素（發光元件）一致的位置上具有開口的組947。本例中抗蝕劑用於形成組947。本例中的組947爲約ΙμΐΉ厚，覆蓋陽極與配線接觸的部分的組947的區域爲錐形（圖6Α )。在TFT基板進入用於形成發光元件的處理室之後，可再次對TFT基板進行操作測試。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製雖然本例中抗蝕劑膜用於組947，但是，在某些情況下可採用聚醯亞胺膜、醯胺膜、丙烯酸膜、BCB (苯並環丁烯）膜、氧化矽膜等。如果使用感光丙烯酸形成組947 ，較佳蝕刻感光丙烯酸，然後在1 80-350°C進行熱處理。當使用非感光丙烯酸膜時，較佳在180-350°C進行熱處理，然後蝕刻以形成組。接下來，在陽極表面上進行擦拭處理。在本例中，用 Bellclean(〇zu Corporation的産品）擦拭陽極944的表面，以便整平陽極944的表面並從其上去除灰塵。在擦拭時，純水用做淸洗液，纏繞Bellclean的軸的旋轉數量設定爲本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -28- 556358 Α7 Β7 五、發明説明（26 ) 100-300rpm，下降値設定爲 0.1-1.0 mm (圖 6A)。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，在真空中焙燒TFT基板。爲了從形成組的樹脂絕緣膜釋放潮氣和氣體，在如0.01 Toor或更低的恒定真空度下進行真空抽空。可以在去除抗靜電膜之後\擦拭處理之後或在形成發光元件之前進行在真空中的焙燒. 形成覆蓋組947和陽極944的第二絕緣膜948.第二絕緣膜948是用旋塗、蒸鍍、濺射等形成厚度爲1-5 nm的有機樹脂膜，如聚醯亞胺膜、醯胺膜、或聚醯亞胺醯胺膜。通過形成該絕緣膜，可避免陽極944的表面破裂，可防止發光元件的退化。通過蒸鍍在第二絕緣膜948上形成有機化合物層949和陰極950。本例中，MgAg電極用於發光元件的陰極，但也可使用其他公知材料代替。有機化合物層949是除了發光層以外還有電洞注入層、電洞轉移層、電子轉移層、電子注入層、緩衝層等組合的疊層。本例中使用的有機化合物層將在下面詳細介紹。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本例中，銅菁用於電洞注入層，而a -NPD用於電洞轉移層。兩層都可以用蒸鍍形成。接著形成發光層。在本例中，不同材料用於不同發光層以獲得發射不同顔色光的有機化合物層。本例中形成的有機化合物層是三種類型的：發射紅光的，發射綠光的，和發射藍光的。所有類型的有機化合物層都可通過蒸鍍形成。因此，可以使用金屬遮罩，以便用在不同圖素之間變化的材料形成發光層。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -29- 556358 A7 __B7__ 五、發明説明（27 ) 發射紅光的發光層是由用DCM摻雜的A1q3B成的。代替地，可使用作爲Eu絡合物的（1，10-菲咯啉）.三（！，3·二苯-丙院-1，3-dionato)銪（III) ( Eu ( DBM ) 3( Phen))摻雜的N，N’ -二亞水揚基-1，6 -己院雙胺化物）鋅（II) ( Zn ( salhn ))。也可使用其他公知材料。發射綠光的發光層可以由CBP和Ir(ppy)3通過共蒸鍍形成。在這種情況下較佳由B C P形成電洞阻擋層。也可使用啉酸鋁絡合物（A1q3 )和苯並啉醇化鈹絡合物（ BeBQ )代替。該層可以由用做摻雜劑香豆素6的啉酸鋁絡合物（A1Q3 )、吖啶酮等形成。也可採用其他公知材料。發射藍光的發光層可以由作爲二苯乙烯基（distylyl ) 衍生物的DPVBi、是具有偶氮甲城化合物作爲其配位體的鋅絡合物的N，N - 一亞水揚基-1，6 -己院雙胺化物）鋅（ II) ( Ζ η ( s a 1 h η ))、或用茈摻雜的 4，4，-雙（2，2 -二苯-乙烯基）-聯苯（DPVBi )形成。也可使用其他公知材料〇接著形成電子轉移層。1，3，4 -氧雜二〇坐衍生物、1， 2 ’ 4-二唑衍生物（例如T AZ )、等可用於電子轉移層。在本例中，1，2，4-三唑衍生物（TAZ )是通過蒸鍍形成的，且厚度爲30-60 nm。通過上面的步驟，完成了具有疊層結構的有機化合物層。在本例中，有機化合物層949的厚度爲丨0-400 nm (典型爲60- 1 50 _ )，陰極950的厚度爲80-200 nm (典型爲 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公慶) ---— 衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -30- 556358 A7 B7 五、發明説明（28 ) 100- 150 nm)。形成有機化合物層之後，通過蒸鍍形成發光元件的陰極950。在本例中，MgAg用於構成發光元件的陰極的導電膜。然而，也可以採用Al-Li合金膜（鋁和鋰的合金膜）或通過鋁和屬於周期表1或2族的元素的共蒸鍍得到的膜。由此完成了具有圖6B所示結構的發光裝置。陽極944 、有機化合物層949、和陰極950重疊的部分951對應發光元件。 p通道TFT 1000和η通道TFT 1001是驅動電路的TFTs ，並構成CMOS。切換TFT 1002和電流控制TFT 1 003是圖素部分的TFTs。驅動電路的TFTs和圖素部分的TFTs可形成在同一基板上。在使用發光元件的發光裝置的情況下，其驅動電路可用具有約5-6V、最大10V的電壓的電源操作。因此，由於熱電子引起的TFTs的退化不是嚴重問題。實施例2 本例將參照圖19-22B介紹製造發光裝置的工藝的另一例子。實施例1的說明之後，完成了到達在閘極絕緣膜906 上形成兩層導電膜907和908的步驟的步驟，如圖3A所示。接著，在圖20A中介紹使用遮罩909a-909d鈾刻導電膜 907和908以形成具有第一錐形的導電層390 1-3904的工藝。 ICP (感應耦合電漿）蝕刻用於該蝕刻。雖然蝕刻氣體不限，但可使用CF4、Cl2和〇2鈾刻W膜和氮化鉅膜。Cb、本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本瓦) .参衣· 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -31 - 556358 A7 ____B7_ 五、發明説明（29 ) (：12和〇2的氣體流速分別設定爲25/25/10,在1 Pa的壓力下給線圈電極提供RF ( 1 3.5 6 MHz )功率，用於蝕刻。還給基板一側C樣品階段）提供150W的RF ( 13.56 MHz )功率，以便施加基本負自偏置電壓。在這些第一蝕刻條件下， W膜主要被鈾刻成具有給定形狀。之後，將蝕刻氣體改變爲CF4和Ch，其氣體流速的比設定爲30/30，並在1 Pa的壓力下給線圏電極提供500 W的 RF ( 13.56 MHz)功率以産生電漿，用於蝕刻30秒。還給基板一側（樣品階段）提供20 W的RF ( 1 3 · 5 6 MHz )功率，以便施加基本負自偏置電壓。利用Ch和Cl2的混合物，以大約相同的速率蝕刻氮化鉅膜和W膜。由此形成具有第一錐形的導電層390 1 -3904。其錐部的角度爲45-75° 。爲了在不在第二絕緣膜上留下任何殘餘物的情況下蝕刻膜，對於過蝕刻，蝕刻時間延長約10-20%。沒有用第一錐形導電層 3 90 1 -3904覆蓋的閘極絕緣膜906的區域的表面被蝕刻並且變薄了約 20-50 nm (圖 20A)。然後，在不去除遮罩909a-909d的情況下，進行第二蝕刻處理，如圖20B所示。在第二蝕刻處理中，混合CF4、 Cl2和CM乍爲蝕刻氣體，其氣體流速的比設定爲20/20/20，在1 Pa的壓力下給線圈電極提供500 W的RF ( 13.56 MHz ) 功率以産生電漿。還給基板一側（樣品階段）提供20 W的 RF ( 13.56 MHz )功率，以便施加比第一實施例中的自偏置電壓低的自偏置電壓。在這些蝕刻條件下，作爲第二導電膜的W膜被蝕刻。由此形成具有第二錐形的導電層本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣. 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -32- 556358 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（30 ) 3 905- 3 908。沒有被第二錐形導電層3905-3908覆蓋的閘極絕, 緣膜906的區域的表面被蝕刻並且變薄了約20-50 nm。去除抗蝕劑遮罩之後，進行第一摻雜處理，以便用提供η型導電性的雜質元素（η型雜質元素）：摻雜半導體層。第一摻雜處理使用用於注入離子的離子摻雜而不用質量分離。在摻雜中，第二錐形導電層3905-3908用做遮罩，使用被氫稀釋的磷化氫（PH3 )氣體和被稀有氣體稀釋的磷化氫氣體在半導體層902-905中形成含有第一濃度的η型雜質元素的η型雜質區3909-39 1 2。通過該摻雜形成的含有第一濃度的η型雜質元素的η型雜質區3909-39 1 2含有濃度爲 lx 1016-lx 1017 原子/cm3 的磷（圖 20C)。接著形成的是分別完全覆蓋半導體層902和905的第一遮罩3913和3915，和覆蓋半導體層904上的第二錐形導電層 3907和覆蓋一部分半導體層904的第二遮罩3914。然後，進行第二摻雜處理。在第二摻雜處理中，通過第二錐形導電層3 906a摻雜半導體層903以具有含第二濃度的η型雜質元素的η型雜質區39 17和含有第三濃度的η型雜質元素的η 型雜質區391 6和3918。通過該摻雜形成的含有第二濃度的 η型雜質元素的η型雜質區3917含有濃度爲lx 1〇17_1χ 1〇19 原子/cm3的磷。通過該摻雜形成的含有第三濃度的η型雜質元素的η型雜質區3916和3918各含有濃度爲lx 1〇2°-lx 1021原子/cm3的磷（圖20D)。如上所述，在本例中，在一個摻雜步驟中形成各含有第二濃度的n型雜質元素的n型雜質區和含有第三濃度的本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） --------衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T -33- 556358 A7 B7 五、發明説明（31 ) η型雜質元素的η型雜質區。然而，摻雜步驟可以分爲兩個步驟以用雜質元素摻雜半導體層。接下來，如圖21Α所示，形成覆蓋半導體層903和904 的遮罩39 19和3920，以便進行第三摻雜處理。在摻雜中，被氫稀釋的乙硼烷（Β2Η6)氣體或被稀有氣體稀釋的乙硼烷氣體用於在半導體層902和905中形成含有第一濃度的Ρ 型雜質元素的ρ型雜質區392 1和3923及含有第二濃度的Ρ 型雜質元素的ρ型雜質區3922和3924。含有第一濃度的ρ 型雜質元素的ρ型雜質區3921和3923各含有濃度爲2x 102Q-3x 1021原子/cm3的硼。在重疊第二錐形導電層3905a-3908a 的區域中形成含有第二濃度的ρ型雜質元素的ρ型雜質區 3922和 3924 〇如圖21B所示，第一層間絕緣膜3925是由通過電漿 CVD形成的氮化矽膜或氮氧化矽膜形成的，且厚度爲50 nm。爲了給用於摻雜半導體層的雜質元素進行啓動處理，用爐子在410° C進行熱處理。這個熱處理還半導體層被從氮化矽膜或氮氧化矽膜釋放的氫氫化。熱處理可以用使用爐子的方法以外的其他方法實現。可採用RT A的熱處理代替（包括使用氣體或光作爲熱源的 RTA法）。如果用爐子進行熱處理，在熱處理之前形成覆蓋閘極和閘極絕緣膜的絕緣膜，或者熱處理氣氛設定爲減壓氮氣氛，以便防止形成閘極的導電膜氧化。或者，可以用YAG鐳射的二次諧波（5 32 nm )光照射半導體層。正如上面看到的，有幾種啓動用於摻雜半導體層的雜質元素的本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ---------- * (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -34- 556358 A7 B7 五、發明説明（32 ) 方法，操作者可以從中選擇一種適合它的方法。在第一層間絕緣膜3925上，用丙烯酸形成第二層間絕緣膜3926。通過濺射在第二層間絕緣膜3926上形成氮化矽膜，作爲用於保護TFTs不進入雜質的第一絕緣膜3927 ( 以下該膜還稱爲阻障絕緣膜）（圖21C)。在阻障絕緣膜3927上，形成厚度爲80- 1 20 nm的透明導電膜，並被鈾刻形成陽極3928 (圖22A )。本例中的透明電極是氧化銦錫（ITO)膜，或通過用2-20%的氧化鋅（ ZnO )混合氧化銦得到的透明導電膜。然後形成具有給定圖形的抗蝕劑遮罩，以便形成分別到達形成在半導體層中以用做源極區或汲極區的雜質區 3916、3918、3921和3923的接觸孔。接觸孔是利用幹蝕刻形成的。通過濺射或真空蒸鍍形成金屬導電膜並使用遮罩構圖。然後蝕刻該膜以形成配線3929-3935。雖然圖中未示出，本例中的配線是由厚度爲50 nm的Ti膜和厚度爲500 nm的合金膜（Al-Ti合金膜）的疊層形成的。接著，形成覆蓋陽極3928和配線3929-3935的第三層間絕緣膜3936。現在，製造工藝進行到基板從用於形成TFT 基板的處理室（以下稱爲第一無塵室）移動到用於形成發光元件的處理室（以下稱爲第二無塵室），以便減少來自用於發光元件的陰極的鹼金屬材料的鹼金屬如A1或Mg混合到TFTs的主動層中的風險。爲避免在移動過程中TFT基板被空氣中的灰塵污染和本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ---------衣-- 瓤 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -35- 556358 A7 -_______B7 五、發明説明（33 ) —— l·-----— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) TFT基板由於靜電造成的靜電放電損壞，在第三層間絕緣膜3936上形成具有抗靜電效應的超薄膜3937 (以下稱爲抗靜電膜）°抗靜電膜3937是由能夠用水淸洗等其他簡單方法除去的材料形成的（圖22A )。代替形成抗靜電膜，在移動過程中基板可以儲存在能防止靜電放電損壞的殼體中〇在改變處理室之前，可以對已經完成上面步驟的TFT 基板進行操作測試。到此時爲止的步驟是用於在第一處理室（無塵室）中處理的，圖19的流程圖所示。在從第一處理室向第二處理室移動過程中可能出現各種情況。例如，TFT基板可能在同一房屋的不同建築之間、或在位於不同位置但由同一公司所有的工廠（處理室，如無塵室）之間、或在由不同公司所有的工廠（處理室，如無塵室）之間移動。在任何情況下，移動時，應小心不能損傷TFT基板。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製然後’製造工藝繼續在第二處理室（無塵室）中進行處理’如圖19的流程圖所示。進入第二處理室的TFT基板用水淸洗，以便去除抗靜電膜3937。鈾刻第三層間絕緣膜 3936以形成組3938。該組在與圖素（發光元件）一致的位置上具有開口，並且爲錐形以覆蓋配線3934與陽極3928接觸的部分和覆蓋陽極3928的邊緣。在本例中，組3938是由厚度約爲1 // m的抗蝕劑形成的。此時，可再次在進入第二處理室的TFT基板上進行操作測試。爲了防止發光元件由於從組393 8釋放的潮氣和氣體而本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " 一~ -36- 556358 A7 B7 五、發明説明（34 ) 退化，用氮化矽膜等第二絕緣膜3939覆蓋組393 8的表面。第二絕緣膜3939是用於保護發光元件不讓引起發光元件退化的潮氣和氣體進入的絕緣膜。相應地，第二絕緣膜還稱爲第二阻障絕緣膜3 9 3 9。接著，在真空中焙燒TFT基板。爲了從形成組的樹脂絕緣膜釋放潮氣和氣體，在例如〇. 〇 1 Torr或更低的恒定真空度下進行真空抽空。真空中的焙燒可以在去除抗靜電膜之後或在形成發光元件之前進行。接下來’在第二絕緣膜3939上通過蒸鍍形成有機化合物層3940，以便使有機化合物層與陽極3939接觸。在有機化合物層3940上，通過蒸鍍形成陰極3941。本實施例採用 MgAg電極用於發光元件的陰極，但是也可以採用其他公知材料代替。有機化合物層是除了發光層還具有電洞注入層、電洞轉移層、電子轉移層、電子注入層、緩衝層等組合的疊層。本例中的有機化合物層是在實施例1的說明之後形成的。由此完成了具有圖22B所示結構的發光裝置。陽極 3 9 28、有機化合物層3940、和陰極3941重疊的部分3942對應發光元件。如上所述，通過將用於形成TFT基板的處理室（如第一無塵室）與用於形成發光元件的處理室（如第二無塵室 )分開’可保護TFT的主動層不讓用於發光元件的陰極的鹼金屬材料如A1或Mg進入，並且得到優異的發光裝置。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210父297公釐） hll·-----费 II * (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -37- 556358 A7 B7 五、發明説明（35 ) 實施例3 實施例1或2的說明之後，完成了進行到形成第二層間絕緣膜（93 5或3926 )的步驟的製造工藝。然後’代替實施例1的形成第一絕緣膜936，在第二層間絕緣膜上進行電漿處理以修正第二層間絕緣膜（93 5或3926)的表面。將參照圖7介紹這個方法。第二層間絕緣膜接受在例如選自由氫、氮、碳氫化合物、鹵化碳、氟化氫、和稀有氣體（如Ar、He或Ne )構成的組的一種或多種氣體中的電漿處理，以便在第二層間絕緣膜（935或3926 )上重新形成塗層，或將該表面上存在的官能團改變爲不同的官能團。由此實現第二層間絕緣膜 (935或3 926 )的表面修正。如圖7所示，在第二層間絕緣膜（9 3 5或3926 )的表面上形成緻密膜93 5 B。本說明書中這個膜被稱爲硬化膜。該膜可防止從有機樹脂膜釋放氣體或潮氣。本例中，在表面修正之後形成陽極（ITO )，由此避免具有不同熱膨脹係數的材料接受熱處理同時互相接觸的情況。因此，可防止ITO電極的破裂和防止發光元件的退化。在形成接觸孔之前或之後進行用於第二層間絕緣膜（ 935或3926 )的電漿處理。硬化膜935B是通過在由有機絕緣材料形成的第二層間絕緣膜（93 5或3926 )表面上在選自由氫、氮、碳氫化合物、鹵化碳、氟化氫和稀有氣體（如Ai·、He或Ne)構成的組的一種或多種氣體中進行電漿處理形成的。因而，硬化本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） --------衣-- ♦ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -38- 556358 A7 B7 五、發明説明（36 ) 膜93 5B含有氫、氮、碳氫化合物、鹵化碳、氟化氫和稀有氣體（如Ar、He或Ne )以外的氣體元素之一。實施例4 在實施例1或2的說明之後，完成了進行到形成第二層間絕緣膜（93 5或3926 )的步驟的製造工藝。然後，如圖12 所示，在第二層間絕緣膜（93 5或3 926 )上形成作爲第一絕緣膜936的DLC膜936B。 DLC膜的特性是具有在1 550 cnT1附近有不對稱峰値和在1 300 cnV1附近有肩部的Raman光譜分佈。當用顯微硬度測試器測量時，DLC膜呈現15-25Gpa的硬度。DLC膜的特徵在於它的優異的抗化學性。而且，DLC膜可以在室溫和 100°C之間的溫度範圍內形成。可用于形成DLC膜的方法的例子包括濺射、ECR電漿CVD、高頻電漿CVD、和離子束蒸鍍。DLC膜的厚度設定爲5-50 nm。實施例5 本例介紹採用DLC膜以外的其他絕緣材料形成第二層間絕緣膜（935，3926 )上的絕緣膜936的情況。在實施例1或2的說明之後，完成了進行到形成第二層間絕緣膜（93 5，3926 )的步驟的製造工藝。然後，作爲第一絕緣膜936，用矽做靶通過濺射形成氮化矽膜93 6。可適當設定膜形成條件，但是特別較佳使用氮（N 2 )或氮和· 的混合物作爲濺射氣體並施加用於濺射的高頻功率。基板本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210父297公釐） rll·-----f II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -39- 556358 Α7 Β7 五、發明説明（37) 溫度設定爲室溫，並且不總是需要加熱裝置。如果有機絕緣膜用做層間絕緣膜，則最好在不加熱基板的情況下形成氮化矽膜。爲了很好地去除被吸收或吸附的潮氣，較佳通過在50- 100°C的真空中對基板加熱幾分鐘到幾小時而進行脫氫處理。爲了提供膜形成條件的例子，採用用硼摻雜的 1 - 2 Ω s q ·砂祀，單獨供應氮氣體，在0 · 4 P a提供8 0 0 W的高頻功率（13.5 6 MHz)，靶的尺寸設定爲直徑爲152.4 mm。在這些條件下得到的膜形成率爲2 - 4 η m / m i η。由此得到的氮化矽膜含有濃度爲1原子％或更少的雜質，如氧和氫，並具有在可見光範圍內的80%或更高的透射率。通過該膜具有在400 nm波長的80%或更高的透射率，證明了這個膜的透明度特別高。此外，這種方法能夠在不嚴重損傷表面的情況下形成緻密膜。如上所述，氮化矽膜可用於絕緣膜936。接下來的步驟與實施例1或2中的步驟相同。實施例6 本例介紹採用DLC膜以外的其他絕緣膜形成第二層間絕緣膜（93 5，3926 )上的第一絕緣膜936的例子。實施例1或2的說明之後，完成了進行到形成第二層間絕緣膜（935或3926 )的步驟的製造工藝。然後在通過混合氬氣和氮氣得到的氣氛下，採用氮化鋁（A1N )靶形成 AhNv膜。含在AhNY膜中的雜質、特別是氧的濃度的可接受範圍是小於0-10原子％。可以通過適當調整濺射條件（本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） --------— % (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -40- 556358 A7 _____B7 五、發明説明（38 ) 基板溫度、使用的原材料氣體的類型、其流速、膜形成壓力等）來控制氧的濃度。或者，可以在含有氮氣的氣氛下採用絕（A1 ) ?E形成該膜。還可以通過蒸鍍或其他公知技術代替濺射來形成該膜。除了 AhNY膜以外，還可以採用通過在混合氬氣、氮氣和氧氣得到的氣氛下使用氮化鋁（Ain )靶形成的 Α1Νχ〇Υ膜。含在Α1Νχ〇Υ膜中的氮的濃度的可接受範圍是幾個原子％或更多’較佳2.5-47.5原子％。可以通過適當調整濺射條件（基板溫度、使用的原材料氣體的類型、其流速、膜形成壓力等）來控制氮的濃度。或者，可以採用在含有氮氣和氧氣的氣氛下採用鋁（A1 )靶形成該膜。還可以通過蒸鍍或其他公知技術代替職射形成該膜。上述ΑΙχΝυ膜和AINxOy膜都是高度透光的（具有在可見光範圍內的80-9 1.3%的透射率）且不會阻擋從發光元件發射的光。如上所述，ΑΙχΝυ膜和AINxOy膜可用於絕緣膜936。接下來的步驟與實施例1的那些步驟相同。實施例7 實施例1或2的說明之後，完成了進行到形成第二層間絕緣膜（935或3926 )的步驟的製造工藝。然後，如圖13所示，通過電漿處理修正第二層間絕緣膜的表面，以便在該表面上形成硬化膜935 B。在該硬化膜935B上形成DLC膜 9 3 6B。濺射、ECR電漿CVD、高頻電漿CVD、離子束蒸鍍本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） rll·-----f ! * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -41 - 556358 A 7 B7 五、發明説明（39 ) 等可用于形成DLC膜936B，以便具有5-50 nm的厚度。實施例8 根據實施例1或2的製造工藝形成組（947或393 8 ) °然後，在組（9 4 7或3 9 3 8 )的表面上進行電漿處理以修正組（ 947或3938 )的表面。這種情況將參照圖8介紹。有機樹脂絕緣膜用於形成組（ 947或393 8 )。不希望地，有機樹脂絕緣膜由於在發光裝置工作中發産生的熱而容易釋放潮氣或氣體。因而，在熱處理之後，對組的修正表面進行電漿處理，如圖8所示。電漿處理是在選自由氫、氮、鹵化碳、氟化氫和稀有氣體構成的組中的一種或多種氣體中進行的。結果是，組的表面變得緻密，以便形成含有選自由氫、氮、鹵化碳、氟化氫和稀有氣體構成的組中的一種或多種氣體的硬化膜。該硬化膜可防止潮氣和氣體（氧）進入內部，由此防止發光元件退化。本例可以以與實施例1-7的任何一個組合。實施例9 實施例1的說明之後，完成了直到形成第二層間絕緣膜（935或3926 )的步驟的製造工藝（圖18A)。然後，在第二層間絕緣膜（935或3926 )上形成第一絕緣膜936。第一絕緣膜936可以是實施例2或3中介紹的DLC膜、氮化砂膜、氮化鋁膜或氮氧化鋁膜。在第一絕緣膜936上，形成本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） rl·-----t! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -42- 556358 A7 B7 五、發明説明（4〇 ) ITO膜並構圖成所希望的形狀，形成陽極1937。然後形成抗蝕劑遮罩，以便形成到達形成在半導體層中並作爲源極區或汲極區的雜質區的接觸孔。接觸孔是通過幹蝕刻等形成的。這可以根據實施例1實現。通過濺射或真空蒸鍍形成金屬導電膜並被蝕刻以形成配線1938- 1944。與實施例1 一樣，配線1 93 8- 1 944是由厚度爲50 nm的Ti膜和厚度爲500 nm的合金膜（AhTi膜）的疊層形成的。在本例中在形成配線1 938- 1944之前形成陽極1937的情況下（圖1 8B )，即使在陽極由覆蓋率差的材料形成的情況下，也不會由於在陽極1 93 8上存在破損配線1943而産生如配線破損等問題。在形成配線之後，根據實施例1形成組、有機化合物層和陰極。本例可與實施例1-7組合。實施例10 本例介紹用做TFT的主動層的半導體膜利用催化劑元素結晶然後減少得到的半導體膜中的催化劑元素的濃度的方法。在圖17A中，基板1100較佳由硼矽酸鋇玻璃、硼矽酸鋁玻璃或石英形成。在基板1100表面上，形成厚度爲10-200 nm的無機絕緣膜，作爲基底絕緣膜1101。合適的基底絕緣膜是通過電漿CVD形成的氮氧化矽膜。由SiH4、NH3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） - ------f L, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -43- 556358 A7 B7 五、發明説明（41 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 和N2O形成厚度爲50 nm的第一氮氧化矽膜，然後由SiH4 和N2O形成厚度爲100 nm的第二氮氧化矽膜，以便獲得基底絕緣膜。提供的基底絕緣膜能防止包含在玻璃基板中的鹼金屬擴散到要形成在上層的半導體膜中，因此，如果採用石英基板，可省去基底絕緣膜。在基底絕緣膜1 101上形成氮化矽膜1102。提供氮化矽膜1 102用於防止後來在半導體膜結晶的步驟中使用的催化劑元素（一般爲鎳）粘附於基底絕緣膜1101上，並避免含在基底絕緣膜1 1 0 1中的氧的有害影響。注意氮化矽膜1 1 02 是通過電漿CVD形成的，厚度爲1-5 nm。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在氮化矽膜1 1 02上形成非晶系半導體膜11 〇3。主要含有矽的半導體材料用於非晶系半導體膜丨103。非晶系半導體膜通常是通過電漿CVD、減壓CVD、或濺射形成的厚度爲1 0-1 00 nm的非晶矽膜或非晶矽鍺膜。爲了得到滿意的晶體，含在非晶系半導體膜1 1 03中的雜質如氧和氮的濃度被減少5xl018原子/cm3或更低。這些雜質可能妨礙非晶半導體膜的結晶，並在結晶之後，將增加捕獲中心和複合中心的密度。爲此，希望使用高純度的材料氣體和配有鏡面修整反應室（通過場抛光處理的）和無離子真空抽空系統的超高真空CVD裝置。在不將基板暴露於空氣的情況下，連續形成基底絕緣膜11 0 1、氮化矽膜11 02和非晶系半導體膜 1103。用具有加速結晶的催化功能的金屬元素摻雜非晶系矽膜1103的表面（圖17B )。具有加速半導體膜結晶的催化本&張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~" -44- 556358 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（42 ) 功能的金屬元素的例子包括鐵（Fe )、鎳（Ne )、鈷（Co )、釕（Ru ) '鍺（Rh )、鈀（Pd )、餓（〇s )、銥（Ir )、鉑（Pt )、銅（Cu )、和金（Au )。可採用選自上述元素的一種或多種金屬元素。通常，選擇鎳，並且通過旋塗器施加含有1-100 ppm重量鎳的乙酸鎳溶液以形成含催化劑層11 04。爲了確保平滑地施加該溶液，在非晶矽膜 1 1 03上進行表面處理。表面處理包括由含臭氧的水溶液形成超薄氧化物膜、用氟酸和過氧化氫水溶液的混合物飽刻氧化物膜以形成潔淨表面，和再次由含臭氧的溶液形成超薄氧化物膜。由於半導體膜如矽膜的表面是固有疏水的，因此通過用這種方法形成氧化物膜均勻施加乙酸鎳溶液。形成含催化劑層1104的方法不限於此，當然，可採用濺射、蒸鍍電漿處理等代替。在保持非晶矽膜1 1 03與含催化劑層11 04接觸的同時，進行用於結晶的熱處理。熱處理可採用使用電爐的爐退火、或使用鹵素燈、金屬鹵化物燈、氙電弧燈、碳電弧燈、高壓鈉燈、高壓汞燈等的快速熱退火（RTA)。如果選擇RTA，用於加熱的燈光源點燃卜60秒，較佳 30-60秒，重復1-10次，較佳2-6次。從燈光源發射的光的強度可任意設定，只要半導體膜瞬間被加熱到600- 1 000°C ' 較佳650-7 50 °C即可。當其溫度到達這麽高時，半導體膜單獨暫態被加熱，但基板1100本身不變形。由此非晶半導體膜被結晶以獲得結晶矽膜1105，如圖17C所示。只有當提供含催化劑層時實現了由這種處理進行的結晶。 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）一 -45- — II-----0—, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 556358 A7 B7 五、發明説明（43 ) 如果選擇爐退火，在結晶的熱處理之前，在50CTC進行熱處理1小時以釋放含在非晶矽膜11 03中的氫。然後，在在550-600 °C、較佳在580°C的氮氣氛中在電爐中對基板進行熱處理4小時，以便使非晶矽膜1103結晶。由此形成如圖 17C中所示的結晶矽膜1105。有效的是用鐳射照射結晶矽膜11 05，以便提高結晶率 (膜的晶體成分與整個體積的比率）和修復留在晶粒中的缺陷。由此得到的結晶矽膜1105具有濃度平均高於lxl 019原子/cm3的剩餘催化劑元素（這裏爲鎳）。剩餘催化劑元素能影響TFT特性，因此必須減少半導體膜中的催化劑元素的濃度。下面介紹在結晶步驟之後怎樣減少半導體膜中的催化劑元素的濃度。首先，在結晶矽膜1105的表面上形成薄層1106，如圖 17D所示。在本說明書中，形成在結晶矽膜11〇5上的薄層 1106被稱爲阻障層1106，因爲提供該層是爲了防止結晶矽膜1105在後來去除吸氣部分時被蝕刻。阻障層1106的厚度設定爲1-10 nnl。得到阻障層的簡單方法是通過用臭氧水處理表面形成化學氧化物。在用其中過氧化氫與硫酸、鹽酸或硝酸混合的水溶液處理時也可形成化學氧化物。其他合適可用的方法包括在氧化氣氛中的電漿處理、和在含氧氣氛中用通過UV輻射産生的臭氧進行的氧化處理。或者，通過在潔淨爐中加熱直到200-350°C 形成的薄氧化物膜可用做阻障層。通過電漿CVD、濺射或本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） — II-----0 — m (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -46- 556358 A7 B7 五、發明説明（44 ) 蒸鍍形成的厚度爲1 -5 nm的氧化物膜也可以用做阻賬層。在任何情況下，用做阻障層的膜在吸氣步驟中必須容許催化劑元素移動到吸氣部分中，同時在去除吸氣部分的步驟中能防止蝕刻劑滲入結晶矽膜1105中（保護該膜1105不受蝕刻劑影響）。這種膜的例子包括通過臭氧水處理形成的化學氧化物、矽氧化物（SiOx )膜和多孔膜。在阻障層1106上，形成第二半導體膜（通常爲非晶矽膜），作爲吸氣位置1107，厚度爲20-250 nm。第二半導體膜含有濃度爲lxl〇2Q原子/cm3或更高的稀有氣體。爲了在蝕刻中提高對結晶矽膜11 05的選擇率，後來被去除的吸氣位置1107較佳是低密度膜。稀有氣體元素本身在半導體膜中是惰性的。因此稀有氣體元素不影響結晶矽膜1105。選自由氦（He)、氖（Ne )、氬（Αι·)、氪（Κι·)和氙（Xe )構成的組的一種或多種元素用做稀有氣體元素。本發明的特徵在於稀有氣體元素用做形成吸氣部分的離子源，並且形成含有這些元素的半導體膜用做吸氣部分。爲了保證徹底進行吸氣，此時必須進行熱處理。熱處理是通過爐退火或RTA實現的。如果選擇爐退火，在450-600°C的氮氣氛中進行熱處理0.5-12小時。如果選擇RTA，用於加熱的燈光源點燃1-60秒，較佳30-60秒，並重復1-10 次，較佳2-6次。從燈光源發射的光的強度可以任意設定，只要半導體膜被暫態加熱到600- 1000°C、較佳700-750°C即可。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 1——-----0t, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -47- 556358 A7 B7 五、發明説明（45 ) 在吸氣過程中，要被吸氣的區域（捕獲部分）中的催化劑元素被熱能釋放並通過擴散移動到吸氣部分。因而，吸氣取決於處理溫度和在更高溫度的較短時間周期中的吸氣過程。在本發明中，吸氣過程中催化劑元素移動的距離約等於半導體膜的厚度，因此在相對短的時間周期內完成了本發明中的吸氣（圖17E)。這個熱處理不會使含有濃度爲1 X 1019 -1 X 1 021原子/ c m 3、較佳lxl02(3-lxl021原子/cm3、更希望爲5Μ02()原子/cm3的稀有氣體的半導體膜1107結晶。這是推測得到的，因爲稀有氣體元素不會在上述處理溫度範圍內再排出和剩餘元素妨礙半導體膜結晶。吸氣步驟結束之後，通過選擇鈾刻去除吸收部分1107 。採用的蝕刻方法可以是在不用電漿情況下通過C1F3的幹蝕刻，或使用或城溶液如含有氫氧化四乙銨（化學式爲 ·· ( CH3 ) 4N〇H ))的水溶液的濕蝕刻。阻障層1106用做此時的蝕刻停止層。之後，用氟酸去除阻障層Π06。通過這種方法，得到其中催化劑元素的濃度被減少到 1 χ1017原子/cm3或更低的結晶矽膜1108，如圖17E所示。由於催化劑的作用，由此形成的結晶矽膜1108是大量細棒狀晶體或薄平棒狀晶體。宏觀上看來，每個晶體以特定取向生長。本例可與實施例1-9組合。實施例11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I!-----f, m (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -48- 556358 A7 B7 五、發明説明（46 ) 作爲本例，參照圖9A和9B，接著將具體介紹通過如圖 6B所示的實施例1-1 〇的結合製造步驟製造的發光板將作爲發光裝置完成的工藝。圖9A是其中元件基板是氣密密封的發光板的頂視圖，圖9B是沿著圖9A的線A-A’截取的剖面圖。參考標記801 表示源極側驅動電路，由電劃線表示；參考標記8 0 2表示密封基板；參考標記805是密封劑。由密封劑805包圍的內部是空間807。用於傳輸輸入到源極側驅動電路801和閘極側驅動電路803的信號、視頻信號或時鐘信號的貫穿配線（未示出 )從作爲外部輸入端的可撓印刷電路（FPC ) 809接收。這裏示出了 FPC連接到發光板的狀態。在本說明書中，其上直接安裝積體電路（ICs)的任何元件被稱爲發光裝置。參見圖9B，下面介紹圖9A所示的發光板的剖面結構。圖素部分802和驅動電路部分形成在基板810上。圖素部分 802由圖素構成，每個圖素包括電流控制TFT 811和電連接到其汲極的陽極812。驅動電路部分由CMOS電路構成，其中η通道型TFT 813和p通道型TFT 814互相結合。在每個陽極8 1 2的兩側形成組8 1 5。此後，在陽極8 1 2上形成有機化合物層816和陰極817，以便形成發光元件818。陰極817用做公用於所有圖素的配線，並通過配線808 電連接到FPC 809上。由玻璃製成的密封基板804用密封劑805粘接到基板8 10 上。作爲密封劑805，較佳採用紫外安裝樹脂或熱固樹脂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-='口丁經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -49 - 556358 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

五、發明説明（47 ) 。如果需要，爲了在密封基板804和發光元件81 8之間保持間隔，可以設置由樹脂膜構成的空間。惰性氣體如氮或稀有氣體塡充到由密封劑805包圍的空間807中。希望密封劑 805由其水和氧的滲透性盡可能小的材料製成。通過將發光元件氣密地放入上述結構中的空間807中，發光元件可以完全與外部隔絕。結果，可以防止發光元件由於來自外部的水含量或氧而退化。因而，製成具有高度可靠性的發光裝置。本例的結構可以與實施例1-10的結構任何組合。實施例1 2 圖10A更具體地表示了利用本發明製造的發光裝置的圖素部分的頂面結構，如圖10A所示，圖10B表示其電路圖。參見圖10A-10B，切換TFT 704由圖6所示的切換（η通道）TFT 1002構成。相應地，關於其結構，將參照對於切換（η通道）TFT 1002的說明。配線703是用於使切換TFT 704的閘極704a和704b彼此電連接的閘極配線。在本例中，採用其中形成兩個通道形成區的雙閘極結構。但是，也可以採用其中形成一個通道形成區的單閘極結構或其中形成三個通道形成區的三閘極結構。切換TFT 704的源極連接到源極配線7 1 5，其汲極連接到汲極配線705。汲極配線705電連接到電流控制TFT 706 的閘極707。電流控制TFT 706由圖6中的電流控制（p通道型）TFT 1003構成。因此，關於其結構可參照關於開關（P (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -50- 556358 A7 B7 五、發明説明（明）通道）TFT 1 003的說明。在本例中，採用單閘極結構。然而，也可以採用雙閘極結構或三鬧極結構。電流控制TFT 706的源極電連接到電流供應線716。其汲極電連接到汲極配線717。汲極配線717電連接到由虛線表不的陽極（圖素電極）718。在這種情況下，在區域719中形成存儲電容器（冷凝器）。冷凝器719由電連接到電流供應線716的半導體層720 、形成與閘極絕緣膜相同的層的絕緣膜（未示出）和閘極 707構成。由閘極707、形成與第一層間絕緣膜相同的層的層（未示出）、和電流供應線7 1 6構成的電容器可以用做存儲電容器。本例的結構可以與實施例1-10的結構結合。實施例13 下面參照圖23 ( A )和（B )介紹製造不同於實施例2 的發光裝置的工藝步驟的另一例子。這些工藝步驟是根據實施例2進行的，直到圖22 ( A ) 的狀態。然後，TFT基板被轉送到第二處理室，通過水淸洗去除抗靜電膜。然後如圖23 ( A )所示形成組3 93 8。組 3938的表面可以用絕緣膜如氮化矽膜覆蓋，這與實施例2 — 樣，或者與實施例8 —樣，可以通過進行電漿處理而進行表面修正。首先利用旋塗法、濺射法等在陽極3928上形成由聚合物有機化合物形成的第一有機化合物層3950。該層是由具本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） — II-----f ! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -51 - 556358 A7 _____B7 五、發明説明（49 ) 有正電洞轉移特性的聚合物有機化合物材料或具有高的正電洞遷移率的聚合物有機化合物材料形成的。作爲聚合物有機化合物材料，可採用聚乙烯二氧並噻吩（PEDOT )。第二有機化合物層395 1如發光層和電子轉移層、和要在其上形成的陰極3952可以用與實施例1相同的方式形成。如圖23 ( B )的細節所示，通過適當改變粘度，第一有機化合物層3950的厚度在陽極3928上的厚度（tl)和在組393 8上的厚度（t2 )之間有區別。換言之，陽極3928上的厚度（tl)由於由陽極3928和組393 8形成的凹部而較厚〇在陽極3928和組393 8互相接觸的邊緣部分395 8的厚度 (t3 )變爲最大，該層可以形成爲具有一定的曲率。根據這種形狀，第二有機化合物層395 1和形成爲其頂層的陰極 3 952的覆蓋特性提高了。而且，抑制了由於應力聚集和電場聚集産生的破裂，以便防止發光元件由於退化和短路而出現故障。實施例14 使用發光元件的發光裝置是自發光的，因此與液晶顯示裝置相比，在明亮環境中的可見度優異，並具有更寬的視角。相應地，採用本發明的發光裝置可完成各種電子裝置。採用本發明的發光裝置的電子裝置的例子是：視頻攝像機；數位攝像機；護目鏡型顯示器（頭部安裝顯示器）本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） --------衣-- m (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -52- 556358 A7 ___________B7_ 五、發明説明（5〇 ) •’導航系統；聲頻再生裝置（汽車聲頻、聲頻部件等）；膝上電腦；遊戲機構；攜帶型資訊終端（移動電腦、攜帶型電話、攜帶型遊戲機構、電子筆記本等）；和影像再現裝置（具體而言，能在記錄介質如數位通用盤（DVD )中處理資料和具有能顯示資料影像的顯示裝置的裝置）。特別希望具有發光元件的發光裝置用於攜帶型資訊終端，這是因爲其熒光屏經常被斜視並且需要具有寬的視角。電子裝置的具體例子示於圖1 1 A -1 1 Η中。圖11Α表示顯示裝置，其由殻體2001、支撐底座2002 、顯示單元2003、揚聲器單元2004、視頻輸入端子2005等構成。本發明的發光裝置可適用於顯示單元2〇〇3。具有發光元件的發光裝置是自發光的，並且不需要背底照明，因此可以將顯示單元做得比液晶顯示裝置薄。該顯示裝置包括用於顯示資訊的每種顯示裝置，如用於個人電腦的顯示裝置、用於接收TV廣播的顯示裝置和用於廣告的顯示裝置。圖11B表示數位靜物攝像機，由主體2101、顯示單元 2102、影像接收單元2103、操作鍵2104、外部連接埠2105 、快門2106等構成。該數位攝像機可通過採用本發明的發光裝置作爲顯示單元2102而形成。圖11C表示膝上電腦，其由主體2201、殼體2202、顯示單元2203、鍵盤2204、外部連接璋2205、指向滑鼠2206 等構成。該膝上電腦可通過將本發明的發光裝置用於顯示單元2203而形成。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） l·!-----费— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 -53 - 556358 A7 B7 五、發明説明（51 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖11D表示移動電腦，其由主體2301、顯示單元2302 、開關2303、操作鍵2304、紅外線埠2305等構成。該移動電腦通過將本發明的發光裝置用於顯示單元2302而形成。圖11E表示配有記錄介質（具體爲DVD播放機）的攜帶型影像再現裝置。該裝置由主體2401、殼體2402、顯示單元A 2403、顯示單元B 2404、記錄介質（DVD )讀取單元2405、操作鍵2406、揚聲器單元2407等構成。顯示單元 A 2403主要顯示影像資訊，而顯示單元B 2404主要顯示文本資訊。該攜帶型影像再現裝置通過將本發明的發光裝置用於顯示單元A 2403和B 2404而形成。配有記錄介質的該術語影像再現裝置包括視頻遊戲機構。圖11F表示護目鏡型顯示器（頭部安裝顯示器），其由主體2501、顯示單元2502、和臂狀物單元2503構成。該護目鏡型顯示器可通過將本發明的發光裝置用於顯示單元 2502而形成。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖11G表示視頻攝像機，其由主體260 1、顯示單元 2602、殻體2603、外部連接埠2604、遙控接收單元2605、影像接收單元2606、電池2607和聲音輸入單元2608、操作鍵2609等構成。該視頻攝像機可通過將本發明的發光裝置用於顯示單元2602而形成。圖11H表示攜帶型蜂窩電話，其由主體2701、殼體 27 02、顯示單元2703、聲頻輸入單元2704、聲頻輸出單元 27 05、操作鍵2706、外部連接埠2707、天線2708等構成。該攜帶型電話可通過將本發明的發光裝置用於顯示單元本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -54- 556358 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（52 ) 2703而形成。如果顯示單元2703在黑背景上顯示白色字元，則可減少該攜帶型電話的功耗。如果將來從有機材料發射的光的亮度增加了，具有有機元件的發光裝置也可用在正面或背面投影儀中，其中光承載輸出影像資訊被透鏡等放大以便投影在熒光屏上。上面給出的電子裝置經常顯示通過電子通信線如互連網和CATV (電纜電視機）分佈的資訊，特別是具有增加頻率的活動資訊。由於有機材料具有快速回應速度，因此具有發光元件的發光裝置適合於顯示活動資訊。在發光裝置中，發光的部分消耗功率。因此，希望通過用盡可能小的部分發光而顯示資訊。因而，如果發光裝置用於主要顯示文本資訊的顯示單元中，如攜帶型資訊終端、特別是攜帶型電話、和聲音再現裝置，希望分配發光部分顯示文本資訊，同時不發光的部分用做背景。如上所述，適用于本發明的發光裝置的應用範圍非常寬’並且每個領域的電子裝置都可以採用該裝置。可以採用通過執行實施例1-13中所示的方法而製造的發光裝置完成本例中的電子裝置。通過應用本發明，減少了陽極的破裂，因此可防止發光元件的退化。本發明還包括整平陽極表面，由此增加有機化合物層中的電流密度。結果，可降低驅動電壓並延長發光元件的壽命。而且’本發明能在互相物理分開的用於形成TFT基板的處理室和用於形成發光元件的處理室之間移動基板而不本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）卜—-----费— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T -55- 556358 A7 ---- -B7 五、發明説明（53 ) 引起TFT特性的退化或靜電放電損傷。本發明的結構可解決由用做發光元件的材料的鹼金屬污染TFT和由於潮氣或氣體而使發光元件退化的問題，因此可提供優異的發光裝置。 c请先聞讀背面之注意事項真填寫本貢) *1r 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -56-

Claims

556358 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍第91 1 02832號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國92年8月1日修正 1. 一種發光裝置，包括：一薄膜電晶體，在一絕緣體之上；一層間絕緣膜，在該薄膜電晶體之上；一第一絕緣膜，在該層間絕緣膜之上；一陽極，在該第一絕緣膜之上；一配線，用以將薄膜電晶體電連接到陽極； -一組，在第一絕緣膜、陽極的邊緣部分和配線之上 j 一第二絕緣膜，在該陽極和該組之上；一有機化合物層，在該陽極上，連同該第二絕緣膜被置於其間；以及一陰極，在該有機化合物層之上，其中，第一絕緣膜係藉由電漿處理所形成的硬化膜，並包括選自由氫、氮、鹵化碳、氟化氫和稀有氣體所構成之群組中的一種或多種氣體元素。 2. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中，陽極表面的平均表面粗糙度（Ra )爲0.9 nm或更低。 3 .如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中，該組在其表面上具有一藉由電漿處理所形成的硬化膜，並包括選自由氫、氮、鹵化碳、氟化氫和稀有氣體所構成之群組中的一種或多種氣體元素。本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ ~ ----------1------訂------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 556358 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製六、申請專利範圍 4. 一種發光裝置，包括：一薄膜電晶體，在一絕緣體之上；一層間絕緣膜，在薄膜電晶體之上；一第一絕緣膜，在該層間絕緣膜之上；一陽極，在該第一絕緣膜之上；一配線，用以將薄膜電晶體電連接到陽極；一組，在第一絕緣膜、陽極的邊緣部分和配線之上一第二絕緣膜，在該陽極和該組之上； · 一有機化合物層，在該陽極之上，連同第二絕緣膜被置於其間；以及一陰極，在該有機化合物層之上，其中，該第一絕緣膜爲DLC膜。 5. 如申請專利範圍第4項所述的發光裝置，其中，該陽極表面的平均表面粗糙度（Ra )爲0.9 nm或更低。 6. 如申請專利範圍第4項所述的發光裝置，其中，該組在其表面上具有藉由電漿處理所形成的硬化膜，並包括選自由氫、氮、鹵化碳、氟化氫和稀有氣體所構成之群組中的一種或多種氣體元素。 7. —種發光裝置，包括：一薄膜電晶體，在一絕緣體之上；一層間絕緣膜，在該薄膜電晶體之上；一第一絕緣膜，在該層間絕緣膜之上；一陽極，在該第一絕緣膜之上； (請先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 556358 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 夂、申請專利範圍一配線，用以將薄膜電晶體電連接到陽極；一組，在第一絕緣膜、陽極的邊緣部分和配線之上 7 一第二絕緣膜，在該陽極和該組之上；一有機化合物層，在該陽極之上，連同該第二絕緣膜被置於其間；以及一陰極，在該有機化合物層之上，其中，該第一絕緣膜爲氮化矽膜。 8·如申請專利範圍第7項所述的發光裝置，其中·，該陽極表面的平均表面粗糙度（Ra)爲0.9 nm或更低。 9 ·如申請專利範圍第7項所述的發光裝置，其中，該組在其表面上具有藉由電漿處理所形成的硬化膜，並包括選自由氫、氮、鹵化碳、氟化氫和稀有氣體所構成之群組中的一種或多種氣體元素。 10.—種發光裝置，包括：一薄膜電晶體，在一絕緣體之上；一層間絕緣膜，在該薄膜電晶體之上；一第一絕緣膜，在該層間絕緣膜之上；一陽極，在該第一絕緣膜之上；一配線，用以將薄膜電晶體電連接到陽極；一組，在第一絕緣膜、陽極的邊緣部分和配線之上一第二絕緣膜，在陽極和該組之上；一有機化合物層，在該陽極之上，連同該第二絕緣本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐）裝訂絲 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -3 - 556358 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍膜被置於其間；以及一陰極，在該有機化合物層之上， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中，該第一絕緣膜包括一藉由電漿處理所形成的硬化膜和DLC膜。 11.如申請專利範圍第1 0項所述的發光裝置，其中，該陽極表面的平均表面粗糙度（Ra)爲0.9 nm或更低。 12·如申請專利範圍第10項所述的發光裝置，其中，該組在其表面上具有藉由電漿處理所形成的硬化膜，並包括選自由氫、氮、鹵化碳、氟化氫和稀有氣體所·構成之群組中的一種或多種氣體元素。 13.—種發光裝置，包括：一薄膜電晶體，在一絕緣體之上；一層間絕緣膜，在該薄膜電晶體之上；一第一絕緣膜，在該層間絕緣膜之上；一陽極，在該絕緣膜之上；一配線，用以將薄膜電晶體電連接到陽極；一組，在第一絕緣膜、陽極的邊緣部分和配線之上 y 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製一第二絕緣膜，在陽極和該組之上；一有機化合物層，在該陽極之上，連同該第二絕緣膜被置於其間；以及一陰極，在該有機化合物層之上，其中，該第一絕緣膜包括藉由電漿處理所形成的硬化膜和氮化矽膜。本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) M規格（210X297公釐） -4 - 556358 A8 B8 C8 D8 _ 六、申請專利範圍 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項所述的發光裝置，其中該陽極表面的平均表面粗糙度（Ra )爲0.9 nm或更低。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 5 ·如申請專利範圍第1 3項所述的發光裝置，其中該組在其表面上具有藉由電漿處理所形成的硬化膜’並包括選自由氫、氮、鹵化碳、氟化氫和稀有氣體所構成之群組中的一種或多種氣體元素。 16. —種發光裝置，包括：一薄膜電晶體，在一絕緣體之上；一層間絕緣膜，在該薄膜電晶體之上；一第一絕緣膜，在該層間絕緣膜之上；一陽極，在該絕緣膜之上；一配線，用以將薄膜電晶體電連接到陽極；一組，在第一絕緣膜、陽極的邊緣部分和配線之上一第二絕緣膜，在該組之上；一有機化合物層，在陽極上和該組之上；以及一陰極，在該有機化合物層之上，經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其中，該第二絕緣膜爲氮化矽膜。 17. 如申請專利範圍第16項所述的發光裝置，其中，該陽極表面的平均表面粗糙度（Ra)爲0.9 nm或更低。 18. 如申請專利範圍第16項所述的發光裝置，其中，該組在其表面上具有藉由電漿處理所形成的硬化膜，並包括選自由氫、氮、鹵化碳、氟化氫和稀有氣體所構成之群組中的一種或多種氣體元素。 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' — 556358 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 19. 一種半導體裝置，包括：一薄膜電晶體，在一絕緣體之上， • -------窣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 一第一層間絕緣膜，在該薄膜電晶體之上；一電極，在該第一層間絕緣膜之上；一配線，用以將薄膜電晶體電連接到電極，並且在該第一層間絕緣膜之上；一第二層間絕緣膜，在該弟一層間絕緣膜、電極和配線之上；以及一抗靜電膜，在該第二層間絕緣膜之上。 - 20. 如申請專利範圍第19項所述的半導體裝置，其中，該電極爲陽極或陰極。销· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 1.如申請專利範圍第1 9項所述的半導體裝置，其中，該抗靜電膜包括一選自由聚乙烯二氧噻吩、聚苯胺、甘油脂肪酸酯、聚氧乙烯烷基醚、N-2-羥基乙基-N-2-羥. 基烷胺[羥烷基單乙醇胺]、N，N-雙（2-羥基乙基）烷基胺 [烷基二乙醇胺]、烷基二乙醇醯胺、聚氧乙烯烷胺、聚氧乙烯烷胺脂肪酸酯、烷基磺酸酯、烷基苯磺酸酯、烷基磷酸脂、四烷基銨鹽、三烷基苄基銨鹽、烷基甜菜域、烷基咪唑鑰甜菜城、和聚氧乙烯烷基苯基醚所構成之群組中的有機導電材料。 22.如申請專利範圍第21項所述的半導體裝置，其中，該有機導電材料係藉由旋塗或蒸鍍來予以形成的。 2 3 .如申請專利範圍第1 9項所述的半導體裝置’其中，該抗靜電膜包括一選自由聚醯亞胺、丙烯酸、聚醯胺本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐） -6 - 556358 A8 B8 C8 D8 穴、申請專利乾圍、聚醯亞胺醯胺或苯並環丁烯所構成之群組中的有機絕緣材料。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 24·如申請專利範圍第19項所述的半導體裝置，其中，該裝置另包括在第二層間絕緣膜上的有機化合物層和在有機化合物層上的陰極。 25. —種發光裝置的製造方法，包括以下步驟：在形成於絕緣體上之薄膜電晶體上形成層間絕緣膜在該層間絕緣膜上形成第一絕緣膜；在該第一絕緣膜上形成配線；在該第一絕緣膜上形成一經由配線而被電連接到薄膜電晶體的陽極；形成覆蓋該陽極和配線的樹脂絕緣膜；鈾刻該樹脂絕緣膜以形成一組；對該樹脂絕緣膜實施熱處理；擦拭該陽極；形成一第二絕緣膜以覆蓋該陽極和該組；經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在該第二絕緣膜上形成有機化合物層；以及在該有機化合物層上形成陰極。 26. 如申請專利範圍第25項所述之發光裝置的製造方法，其中，對該組實施電漿處理。 27. 如申請專利範圍第25項所述之發光裝置的製造方法，其中，在選自由氫、氮、鹵化碳、氟化氫和稀有氣體所構成之群組中的一種或多種氣體中實施電漿處理。本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -7 - 556358 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 8.如申請專利範圍第25項所述之發光裝置的製造方法，其中，擦拭陽極的步驟採用PVA系列多孔材料。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 29·如申請專利範圍第25項所述之發光裝置的製造方法，其中，擦拭陽極的步驟係一用以整平陽極表面的步驟。 30. —種發光裝置的製造方法，包括以下步驟：在形成於絕緣體上之薄膜電晶體上形成層間絕緣膜在該層間絕緣膜上形成第一絕緣膜； · 在該第一絕緣膜上形成配線；在該第一絕緣膜上形成經由配線而被電連接到薄膜電晶體的陽極；對該陽極實施第一熱處理；形成覆蓋該陽極和配線的樹脂絕緣膜，並蝕刻該樹脂絕緣膜以形成一組；對該樹脂絕緣膜實施第二熱處理；擦拭陽極；經濟部智慧財產局員工消費合作社印製形成覆蓋該陽極和該組的第二絕緣膜；在該第二絕緣膜上形成有機化合物層；以及在該有機化合物層上形成陰極。 31. 如申請專利範圍第30項所述之發光裝置的製造方法，其中，對該組實施電漿處理。 3 2.如申請專利範圍第30項所述之發光裝置的製造方法，其中，在選自由氫、氮、鹵化碳、氟化氫和稀有氣本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 556358 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ^' 體所構成之群組中的一種或多種氣體中實施電漿處理。 3 3 ·如申請專利範圍第3 0項所述之發光裝置的_造方法，其中，擦拭陽極的步驟採用P V A系列多孔材料。 3 4.如申請專利範圍第3 0項所述之發光裝置的製造方法，其中’擦拭陽極的步驟係一用以整平陽極表面的步驟。 35.—種發光裝置的製造方法，包括以下步驟：在形成於絕緣體上之薄膜電晶體上形成層間,絕，緣膜 9 在該層間絕緣膜上形成第一絕緣膜；形成配線；形成經由配線而被電連接到薄膜電晶體的陽極；對該陽極實施第一熱處理；形成覆蓋該陽極和配線的樹脂絕緣膜，其用做一組 J 對該樹脂絕緣膜實施第二熱處理；蝕刻該樹脂絕緣膜以形成一組；擦拭該陽極；形成覆蓋該陽極和該組的第二絕緣膜；在該第二絕緣膜上形成有機化合物層；以及在該有機化合物層上形成陰極。 3 6.如申請專利範圍第35項所述之發光裝置的製造方法，其中，對該組實施電漿處理。 3 7.如申請專利範圍第35項所述之發光裝置的製造方本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------^------訂------ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -9- 556358 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍法，其中，在選自由氫、氮、鹵化碳、氟化氫和稀有氣體所構成之群組中的一種或多種氣體中實施電漿處理。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 38·如申請專利範圍第35項所述之發光裝置的製造方法，其中，擦拭陽極的步驟採用PVA系列多孔材料。 39.如申請專利範圍第35項所述之發光裝置的製造方法，其中，擦拭陽極的步驟係一用以整平陽極表面的步驟。 40·—種發光裝置的製造方法，包括以下步驟：在形成於絕緣體上之薄膜電晶體上形成層間絕·緣膜對該層間絕緣膜的表面實施電漿處理；形成配線；形成經由配線而被電連接到薄膜電晶體的陽極；形成覆蓋該陽極和配線的樹脂絕緣膜；蝕刻該樹脂絕緣膜以形成一組；對該樹脂絕緣膜實施熱處理；擦拭陽極；經濟部智慧財產局員工消費合作社印製形成覆蓋該陽極和該組的絕緣膜；在該絕緣膜上形成有機化合物層；以及在該有機化合物層上形成陰極。 4 1.如申請專利範圍第40項所述之發光裝置的製造方法，其中，對該組實施電漿處理。 42.如申請專利範圍第40項所述之發光裝置的製造方法，其中，在選自由氫、氮、鹵化碳、氟化氫和稀有氣本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 556358 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍體所構成之群組中的一種或多種氣體中實施電漿處理。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 43·如申請專利範圍第40項所述之發光裝置的製造方法，其中，擦拭陽極的步驟採用PVA系列多孔材料。 44·如申請專利範圍第40項所述之發光裝置的製造方法，其中，擦拭陽極的步驟係一用以整平陽極表面的步驟。 45. —種發光裝置的製造方法，包括以下步驟：在薄膜電晶體上形成層間絕緣膜，該薄膜電晶體被形成在具有絕緣表面的基板上； · 對該層間絕緣膜的表面實施電漿處理；在該層間絕緣膜上形成陽極；在該層間絕緣膜上形成配線；形成覆蓋陽極、配線和層間絕緣膜的樹脂絕緣膜；將其上形成有薄膜電晶體的基板從第一處理室移動到第二處理室；蝕刻該樹脂絕緣膜以形成一組；實施熱處理；經濟部智慧財產局員工消費合作社印製對該組的表面實施電漿處理；擦拭陽極；形成覆蓋該陽極和該組的絕緣膜；在該絕緣膜上形成有機化合物層；以及在該有機化合物層上形成陰極。 46. 如申請專利範圍第45項所述之發光裝置的製造方法，其中，該陽極局部地重疊配線，以使該陽極電連接本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 556358 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍到薄膜電晶體。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 7 ·如申請專利範圍第4 5項所述之發光裝置的製造方法，其中，在選自由氫、氮、鹵化碳、氟化氫和稀有氣體所構成之群組中的一種或多種氣體中實施電漿處理。 48·如申請專利範圍第45項所述之發光裝置的製造方法，其中，擦拭陽極的步驟採用P V A系列多孔材料。 49·如申請專利範圍第45項所述之發光裝置的製造方法，其中，擦拭陽極的步驟係一用以整平陽極表面的步 50.—種半導體裝置的製造方法，包括以下步驟：在一具有絕緣表面的基板上形成薄膜電晶體；在該薄膜電晶體上形成層間絕緣膜；在該層間絕緣膜上形成電極；在該層間絕緣膜上形成一使陽極和薄膜電晶體連接的配線；在該電極、配線和層間絕緣膜上形成樹脂絕緣膜；經濟部智慧財產局員工消費合作社印製將其上形成有薄膜電晶體的基板從第一處理室移動到第二處理室。 5 1.如申請專利範圍第5 0項所述之半導體裝置的製造方法，其中，該電極爲陽極或陰極。 52·—種半導體裝置的製造方法，包括以下步驟：在一具有絕緣表面的基板上形成薄膜電晶體；在該薄膜電晶體上形成層間絕緣膜；在該層間絕緣膜上形成電極；本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -12- 556358 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍在該層間絕緣膜上形成一使陽極和薄膜電晶體連接的配線； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在該陽極、配線和層間絕緣膜上形成樹脂絕緣膜；形成一膜，用以防止其上形成有薄膜電晶體的基板被污染和靜電放電損傷。 5 3 ·如申請專利範圍第5 2項所述之半導體裝置的製造方法，其中，該電極爲陽極或陰極。 5 4.如申請專利範圍第52項所述之半導體裝置的製造方法，其中，該膜包括一選自由聚乙烯二氧噻吩、·聚苯胺、甘油脂肪酸酯、聚氧乙烯烷基醚、N-2-羥基乙基-N-2-羥基烷胺[羥烷基單乙醇胺]、N，N-雙（2-羥基乙基）烷基胺[烷基二乙醇胺]、烷基二乙醇醯胺、聚氧乙烯烷胺、聚氧乙烯烷胺脂肪酸酯、烷基磺酸酯、烷基苯磺酸酯、烷基磷酸脂、四烷基銨鹽、三烷基苄基銨鹽、烷基甜菜城、烷基咪唑鑰甜菜城、和聚氧乙烯烷基苯基醚所構成之群組中的有機導電材料。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 55,如申請專利範圍第54項所述之半導體裝置的製造方法，其中，該有機導電材料膜係藉由旋塗或蒸鍍來予以形成的。 5 6 ·如申請專利範圍第5 2項所述之半導體裝置的製造方法，其中，該膜包括一選自由聚醯亞胺、丙烯酸、聚醯胺、和聚醯亞胺醯胺或苯並環丁烯所構成之群組中的有機絕緣材料。 5 7 ·如申請專利範圍第5 2項所述之半導體裝置的製造本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- 556358 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍，該方法另包括去除該膜、軸刻樹脂絕緣膜、擦拭陽極、在該組和陽極上形成有機化合方法，其中以形成一組物層的步驟 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 58·—種發光裝置的製造方法，包括以下步驟：去除形成在樹脂絕緣膜上的抗靜電膜，該樹脂，絕，緣膜被形成在該薄膜電晶體和陽極上；鈾刻該樹脂絕緣膜以形成一組；在真空中焙燒該組；在該組和陽極上形成有機化合物層；在該有機化合物層上形成陰極。 5 9.如申請專利範圍第58項所述之發光裝置的製造方法，其中，該膜包括一選自由聚乙烯二氧噻吩、聚苯月安、甘油脂肪酸酯、聚氧乙烯烷基醚、N-2-羥基乙基_N_2_ 羥基烷胺[羥烷基單乙醇胺]、N，N-雙（2-羥基乙基）院基. 胺[烷基二乙醇胺]、烷基二乙醇醯胺、聚氧乙烯院胺、經濟部智慧財產局員工消費合作社印製聚氧乙烯烷胺脂肪酸酯、烷基磺酸酯、烷基苯磺酸酯、烷基磷酸脂、四烷基銨鹽、三烷基苄基銨鹽、烷基甜菜城、院基咪鐵甜菜城、和聚氧乙院基苯基醚所構成之群組中的有機導電材料。 60.如申請專利範圍第59項所述之發光裝置的製造方法，其中，該有機導電材料係藉由旋塗或蒸鍍來予以形成的。 6 1.如申請專利範圍第5 8項所述之發光裝置的製造方法，其中，該抗靜電膜包括一選自由聚醯亞胺、丙烯酸、本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14 - 556358 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍聚釀胺、和聚醯亞胺醯胺或苯並環丁烯所構成之群組中的有機絕緣材料。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 6 2 · —種發光裝置的製造方法，包括以下步驟：在〜具有絕緣表面的基板上形成薄膜電晶體；在該薄膜電晶體上形成層間絕緣膜；在該層間絕緣膜上形成電極；在該層間絕緣膜上形成一連接至電極的配線；在該電極、配線和層間絕緣膜上形成樹脂絕緣膜；在該樹脂絕緣膜上形成一膜，該膜防止其上形成有薄膜電晶體的基板被污染和靜電放電損傷；將其上形成有薄膜電晶體的基板從第一處理室移動到第二處理室。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 63 ·如申請專利範圍第62項之發光裝置的製造方法，其中，該膜包括一選自由聚乙烯二氧噻吩、聚苯胺、甘油脂肪酸酯、聚氧乙烯烷基醚、N-2-羥基乙基-N-2-羥基烷胺[羥烷基單乙醇胺]、N，N-雙（2-羥基乙基）烷基胺[烷基二乙醇胺]、烷基二乙醇醯胺、聚氧乙烯烷胺、聚氧乙烯烷胺脂肪酸酯、烷基磺酸酯、烷基苯磺酸酯、烷基磷酸脂、四烷基銨鹽、三烷基苄基銨鹽、烷基甜菜城、烷基咪唑鏺甜菜域、和聚氧乙烯烷基苯基所構成之群組中的有機導電材料。 64 .如申請專利範圍第62項之發光裝置的製造方法，其中，該膜包括一選自由聚醯亞胺、丙烯酸、聚醯胺、和聚醯亞胺醯胺或苯並環丁烯所構成之群組中的有機絕緣材本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） 15- 556358 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍料。 65 . —種發光裝置的製造方法，包括以下步驟：在一具有絕緣表面的基板上形成薄膜電晶體；在該薄膜電晶體上形成層間絕緣膜；在該層間絕緣膜上形成第一電極；在該層間絕緣膜上形成一連接至第一電極的配線；在該第一電極、配線和層間絕緣膜上形成樹脂絕緣膜在該樹脂絕緣膜上形成一膜，該膜防止其上形成有薄膜電晶體的基板被污染和靜電放電損傷；將其上形成有薄膜電晶體的基板從第一處理室移動到第二處理室；去除該膜；蝕刻該樹脂絕緣膜以形成一組；在真空中焙燒該組；在該組和第一電極上形成有機化合物層；在該有機化合物層上形成第二電極。 66 ·如申請專利範圍第65項之發光裝置的製造方法，其中，該膜包括一選自由聚乙烯二氧噻吩、聚苯胺、甘油脂肪酸酯、聚氧乙烯烷基醚、N-2-羥基乙基-N-2-羥基烷胺[羥烷基單乙醇胺]、N，N-雙（2-羥基乙基）烷基胺[烷基二乙醇胺]、烷基二乙醇醯胺、聚氧乙烯烷胺、聚氧乙烯烷胺脂肪酸酯、烷基磺酸酯、烷基苯磺酸酯、烷基磷酸脂、四烷基銨鹽、三烷基苄基銨鹽、烷基甜菜城、烷基咪唑本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ----------^—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T -絲經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 556358 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍鏺甜菜城、和聚氧乙烯烷基苯基所構成之群組中的有@ _ 電材料。 67 .如申請專利範圍第65項之發光裝置的製造方法，其中，該膜包括一選自由聚醯亞胺、丙烯酸、聚醯胺、和聚醯亞胺醯胺或苯並環丁烯所構成之群組中的有機絕緣# 料。 68 . —種發光裝置的製造方法，包括以下步驟：在一具有絕緣表面的基板上形成薄膜電晶體；在該薄膜電晶體上形成層間絕緣膜； · 在該層間絕緣膜上形成電極；在該層間絕緣膜上形成一連接至電極的配線；在陽極、配線和層間絕緣膜上形成樹脂絕緣膜；在該樹脂絕緣膜上形成一包含有機導電材料之膜，該膜防止其上形成有薄膜電晶體的基板被污染和靜電放電損傷。 69 ·如申請專利範圍第68項之發光裝置的製造方法，其中，該有機導電材料係選自由聚乙烯二氧噻吩、聚苯胺、甘油脂肪酸酯、聚氧乙烯烷基醚、N-2-羥基乙基-N-2-羥基烷胺[羥烷基單乙醇胺]、N，N-雙（2-羥基乙基）烷基胺[烷基二乙醇胺]、烷基二乙醇醯胺、聚氧乙烯烷胺、聚氧乙烯烷胺脂肪酸酯、烷基磺酸酯、烷基苯磺酸酯、烷基磷酸脂、四烷基銨鹽、三烷基苄基銨鹽、烷基甜菜城、烷基咪唑鑰甜菜城、和聚氧乙烯烷基苯基所構成之群組中。 70 . —種發光裝置的製造方法，包括以下步驟：本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） •^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂絲- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -17- 556358 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍在一具有絕緣表面的基板上形成薄膜電晶體；在該薄膜電晶體上形成層間絕緣膜； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在該層間絕緣膜上形成電極；在該層間絕緣膜上形成一連接至電極的配線；在電極、配線和層間絕緣膜上形成樹脂絕緣膜；在該樹脂絕緣膜上形成一包含有機導電材料之膜，該膜防止其上形成有薄膜電晶體的基板被污染和靜電放電損傷；將其上形成有薄膜電晶體的基板從第一^處理室移動到第二處理室。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 1 .如申請專利範圍第70項之發光裝置的製造方法，其中，該有機導電材料係選自由聚乙烯二氧噻吩、聚苯胺、甘油脂肪酸酯、聚氧乙烯烷基醚、N - 2 -羥基乙基-N - 2 -羥基烷胺[羥烷基單乙醇胺]、N，N-雙（2-羥基乙基）烷基胺[烷基二乙醇胺]、烷基二乙醇醯胺、聚氧乙烯烷胺、聚氧乙烯烷胺脂肪酸酯、烷基磺酸酯、烷基苯磺酸酯、烷基磷酸脂、四烷基銨鹽、三烷基苄基銨鹽、烷基甜菜城、烷基咪唑鏺甜菜城、和聚氧乙烯烷基苯基所構成之群組中。 72. —種發光裝置的製造方法，包括以下步驟：在一具有絕緣表面的基板上形成薄膜電晶體；在該薄膜電晶體上形成層間絕緣膜；在該層間絕緣膜上形成第一電極；在該層間絕緣膜上形成一連接至第一電極的配線；在第一電極、配線和層間絕緣膜上形成樹脂絕緣膜；本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐）— " -18 - 556358 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在該樹脂絕緣膜上形成一包含有機導電材料之膜，該膜防止其上形成有薄膜電晶體的基板被污染和靜電放電損傷；將其上形成有薄膜電晶體的基板從第一處理室移動到第二處理室；去除該膜；蝕刻該樹脂絕緣膜以形成一組；在真空中焙燒該組；在該組和第一電極上形成有機化合物層； · 在該有機化合物層上形成第二電極。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 73 ·如申請專利範圍第72項之發光裝置的製造方法，其中，該有機導電材料係選自由聚乙烯二氧噻吩、聚苯胺、甘油脂肪酸酯、聚氧乙烯烷基醚、N-2-羥基乙基-N-2-羥基烷胺[羥烷基單乙醇胺]、N，N-雙（2-羥基乙基）烷基胺[烷基二乙醇胺]、烷基二乙醇醯胺、聚氧乙烯烷胺、聚氧乙烯烷胺脂肪酸酯、烷基磺酸酯、烷基苯磺酸酯、烷基磷酸脂、四烷基銨鹽、三烷基苄基銨鹽、烷基甜菜城、烷基咪唑鏺甜菜城、和聚氧乙烯烷基苯基所構成之群組中。 74. —種發光裝置的製造方法，包括以下步驟：在一具有絕緣表面的基板上形成薄膜電晶體；在該薄膜電晶體上形成層間絕緣膜；在該層間絕緣膜上形成電極；在該層間絕緣膜上形成一連接至電極的配線；在陽極、配線和層間絕緣膜上形成樹脂絕緣膜；本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19- 556358 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製六、申請專利範圍 | 在該樹脂絕緣膜上形成一包含有機絕緣材料之膜 ? 該 1 I 膜防止其上形成有薄膜電晶體的基板被污染和靜電放電損 1 ] I 傷〇 1 1 75 • 如甲請專利範圍第 74項之發光裝置的製造方法，請先 Ί 1 其中該有機絕緣材料係選自由聚醯亞胺、丙烯酸 Λ 聚醯閲讀背 1 1 胺 Λ 和聚醯亞胺醯胺或苯並環丁烯所構成之群組中〇之注 1 I 76 • 一種發光裝置的製造方法，包括以下步驟 ; 意事項 1 1 | 在一具有絕緣表面的基板上形成薄膜電晶體；再 1 1 在該薄膜電晶體上形成層間絕緣膜；寫本頁裝 1 在該層間絕緣膜上形成電極； 1 1 在該層間絕緣膜上形成一連接至電極的配線； 1 | 在電極配線和層間絕緣膜上形成樹脂絕緣膜 9 1 訂在該樹脂絕緣膜上形成一包含有機絕緣材料之膜 5 該 1 膜防止其上形成有薄膜電晶體的基板被污染和靜電放電損 1 1 傷， 1 1 將其上形成有薄膜電晶體的基板從第一處理室移動到 ! 絲 1 I 第二處理室〇 77 • 如甲三主日円專利範圍第 76項之發光裝置的製造方法 5 1 1 1 其中該有機絕緣材料係選自由聚醯亞胺、丙烯酸 Λ 聚醯 1 1 胺和聚醯亞胺醯胺或苯並環丁烯所構成之群組中〇 1 } 78 • 一種發光裝置的製造方法，包括以下步驟： 1 | 在一具有絕緣表面的基板上形成薄膜電晶體； 1 I 在該薄膜電晶體上形成層間絕緣膜； 1 1 在該層間絕緣膜上形成第一電極； 1 1 1 I 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --*-- 1 2U 556358 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍在該層間絕緣膜上形成一連接至第一電極的配線； .·----------^-- C請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁，> 在第一電極、配線和層間絕緣膜上形成樹脂絕緣膜；在該樹脂絕緣膜上形成一包含有機絕緣材料之膜，該膜防止其上形成有薄膜電晶體的基板被污染和靜電放電_ 傷；將其上形成有薄膜電晶體的基板從第一處理室移動至U 第二處理室；去除該膜；鈾刻該樹脂絕緣膜以形成一組； · 在真空中焙燒該組；在該組和第一電極上形成有機化合物層；在該有機化合物層上形成第二電極。 79 ·如申請專利範圍第78項之發光裝置的製造方法，其中，該有機絕緣材料係選自由聚醯亞胺、丙烯酸、聚_ 胺、和聚醯亞胺醯胺或苯並環丁烯所構成之群組中。絲 80 . —種發光裝置的製造方法，包括以下步驟：在一具有絕緣表面的基板上形成薄膜電晶體；經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在該薄膜電晶體上形成層間絕緣膜；對該層間絕緣膜的表面實施電漿處理；在該層間絕緣膜上形成電極；在該層間絕緣膜上形成一連接至電極的配線；在電極、配線和層間絕緣膜上形成樹脂絕緣膜；在該樹脂絕緣膜上形成一膜，該膜防止其上形成有薄膜電晶體的基板被污染和靜電放電損傷；本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -21 - 556358 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍將其上形成有薄膜電晶體的基板從第一處理室移動到第二處理室。 81 .如申請專利範圍第80項之發光裝置的製造方法，其中，該膜包括一選自由聚乙烯二氧噻吩、聚苯胺、甘油脂肪酸酯、聚氧乙烯烷基醚、N-2-羥基乙基-N-2-羥基院胺[羥烷基單乙醇胺]、N，N-雙（2-羥基乙基）烷基胺[烷基二乙醇胺]、烷基二乙醇醯胺、聚氧乙烯烷胺、聚氧乙烯烷胺脂肪酸酯、烷基磺酸酯、烷基苯磺酸酯、烷基磷酸脂、四烷基銨鹽、三烷基苄基銨鹽、烷基甜菜城、烷基咪哩鎩甜菜域、和聚氧乙烯烷基苯基所構成之群組中的有機導電材料。 82 .如申請專利範圍第80項之發光裝置的製造方法，其中，該膜包括一選自由聚醯亞胺、丙烯酸、聚醯胺、和聚醯亞胺醯胺或苯並環丁烯所構成之群組中的有機絕緣材料0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22-