TW505685B - Transparent conductive film and composition for forming same - Google Patents

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505685 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明背景 本發明係關於一具有低的反射率及電阻的透明導電性 薄膜，其中含有一種雙層結構其中包含一層含有細金屬粉 的下層及一層矽基底上層，也關於用於形成一種透明導電 性薄膜的組成物，適於形成如前所述的下層薄膜。本發明 透明導電性薄膜適於賦予透明作用物（如陰極射線管（ CRT)、影像顯示器及各類顯示器單元的顯示部分）如 .下功能：防止帶電、電磁波遮蔽、及抗眩目性質（防止干 擾性反射）。 各類顯示器單元中由玻璃組成的影像顯示器部分（螢 光幕）如陰極射線管（電視或顯示器之CRT)、電漿顯 示器、EL (電發光）顯示器、及液晶顯示器在靜電作用 下不易發生表面積塵，且不充分的抗眩目性質導致不淸晰 影像問題，造成外來光線或外來影像的反射。最近人們擔 心陰極射線管放出的電磁波可能對人體健康造成嚴重的影 響，因此各國正制定低頻電波洩露之標準。 經濟部中央榀牟而只Η消費合作社印f (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 基於採用防帶電或電磁波效果，可能採用作爲防制積 塵或電磁波洩露的手段的方法，是在螢光幕表面形成透明 導電性薄膜。已習知可使用氫氟酸或其類似物將螢光幕玻 璃表面作光散射的微細不規則性非光滑處理，而賦予抗眩 目性質。此非光滑處理會造成如較低的影像解析度並減可 見度等問題。 因此嘗試藉由雙層薄膜賦予防止帶電（防止積塵）及 防止反射的功能，其中含有高折射率透明導電性薄膜並加 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公嫠） ^ 505685 A7 ____ B7 五、發明説明（2 ) 上低折射率透明外薄膜。就有該雙層薄膜而言，特別是當 高折射率薄膜與低折射率薄膜之折射率差距大，上層低折 射率薄膜表面的反射光被下層高折射率薄膜反射光的干涉 所抵銷，因此造成改良的抗眩目性質。 當透明導電性薄膜具有電導性，可得到電磁波遮蔽效 應。 例如日本未查驗專利文獻No . 5 - 290，634 揭示一雙層薄膜其中反射率降低至0 . 7 %，係經由酒精 分散溶液的塗層的塗層程序，其中係以界面活性劑將微細 含銻氧化錫（A T 0 )粉分散於玻璃作用物中，乾燥薄膜 形成具有高折射的導電性薄膜，且薄膜形成於由可含有氟 化鎂之烷氧基矽烷形成的矽基底低折射率薄膜上。 經濟部中央樣^->PJM.T消贽合作·#印繁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 日本未查驗專利No . 6 - 12，920揭示低反射 率可由一高折射率層及一低折射率層於一作用物上而達成 ，其光學膜厚nd (η:薄膜厚度，d:折射率）分別爲 1 / 2 λ及1 / 4 λ ( λ =波長入射光）。根據此專利文 獻，此高折射率層爲一矽基底薄膜，該薄膜含有微細 ΑΤΟ或含錫氧化銦（I TO)粉，且此低折射率薄膜爲 矽膜。 日本未查驗專利文獻No · 6 - 234，552也揭 示一雙層薄膜，其中包含高折射率導電性含I Τ Ο之矽酸 鹽薄膜及低折射率矽酸鹽玻璃薄膜的。 日本未查驗專利文獻No · 5 — 107，403揭示 一雙層薄膜，其中包含一由含微細導電性粉及鈦鹽溶液之

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） R 505685 A7 — __B7 五、發明説明（3 ) 塗層而形成之高折射率導電性薄膜，以及一低折射率薄膜 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 曰本未查驗專利文獻No · 6 — 344，489揭示 一粉黑雙層薄膜，及於其上形成之一層矽基底低折射率薄 膜，前者包含一含有微細A T 0粉及黑色導電性微細粉（ 較佳爲微細炭黑粉）的高折射率薄膜。 對於使用半導體型導電性粉如A T 0或I T 0之透明 、導電性薄膜，通常難以達成較低的電阻以提供電磁波遮蔽 效應，且即使可達成較低的電阻，也將嚴重降低透明度。 特別是目前就C R T電磁波洩露的規定已日趨嚴格，過去 習知技藝由於缺乏充分的電磁波遮蔽效應，已難以妥善處 理此狀況，因此對具較低電阻且帶來顯著電磁波遮蔽效應 的透明導電性薄膜之需求正在增加。 採用蒸汽沉積法（如噴濺）可形成具有高電磁波遮蔽 效應的透明導電性薄膜，但此技術由成本考量不易用於量 產型產物如電視機。 經濟部中央ir:牟而Μ η消費合作社印f 本發明槪要 本發明目標爲提供雙層結構的低反射性透明導電性薄 膜，其具有低電阻而顯示高度的電磁波遮蔽效應，保持透 明度與低混濁値而不會減少C R T可見的識別，且能賦予 抗眩目功能用以防止外來影像的反射。 本發明另一項目標係在前述性質外，提供具有筒對比 性質的透明導電性薄膜。 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 505685 經潢部中央標率豹只Η消費合作社印掣 A7 B7 五、發明説明（4 ) 本發明進一步目標爲提供一透明導電性薄膜，其反射 光不是粉藍或粉紅而基本上是無色的。 本發明進一步目標爲提供一種透明導電性薄膜形成組 成物，具絕佳的薄膜形成性質，含有細金屬粉，可減輕或 甚至消除薄膜不規則性如色彩模糊，基本條紋及斑點。 本發明進一步目標爲提供一透明導電性薄膜形成組成 物，具絕佳的貯存安定性並含有細金屬粉。 本發明者指出，基於新近對C R T電磁波遮蔽性質的 嚴格標準，已趨向於不用半導體型態無機微細粉如至或 1 T 0，而使用具有較高導電性的細金屬粉作爲導電性粉 用於透明導電性薄膜。 本發明提供具有低反射率及電磁波遮蔽性質的雙層結 構透明導電性薄膜，包含一用於透明作用物表面的含有細 金屬粉矽基底基材下層，並於其上提供一矽基底上層。 下層含有細金屬粉中除細金屬粉外另可含有黑粉（例 如鈦黑）。如此可改善透明導電性薄膜的對比性。 在這下層中細金屬粉的二級顆粒可分散形二維網狀結 構，微孔不含有微細金屬粉。如此使可見光穿透網狀結構 微孔，因而大幅改善此透明導電性薄膜的透明度。 此外，下層表面具有凹陷及凸出部分。下層凸出部分 平均薄膜厚介於5 0至1 5 0 nm，且凹陷部分平均厚度 介於凸出部分5 0至8 5 %。此凸出部分平均間距介於 2 0至3 0 0 n m。如此導致透明導電性薄膜的平面反射 光譜，造成基本上無色的反射光。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 505685 A7 B7 五、發明説明（5 ) 根據本發明提供一形成導電性薄膜之組成物，其中含 有適於用於形成下層之細金屬粉。 在一體系中，形成該導電性薄膜之組成物包含將細金 屬粉分散而形成之分散溶液，其中含有一顆粒其尺寸最高 到2 0 n m，其在含有水的有機溶劑中含量介於0 · 2 0 至0 · 5 0 w t %。此溶劑含有（1 )含氟界面活性劑， 其含量介於0 . 0020至0 · 080wt%，及/或（ 、2 )多元醇、聚伸烷基二醇及單烷醚衍生物其總量介於 0 · 1 0至3 . 0 w t %。可由此組成物形成導電性薄膜 ，具有絕佳之薄膜形成性質，其薄膜不規則性如色彩模糊 ，基本條紋及斑點可減輕或甚至消除。 在另一體系中，該組成物包含含有細金屬粉的水性分 散溶液，其中含有一級顆粒尺寸最高到2 0 nm，其含量 介於2·0至10·〇wt%，其導電性高達分散劑的 7.0mS/cm，且其pH値介於3.8至9.0，如 此提供一含有細金屬粉之導電性薄膜形成組成物，其具有 絕佳之儲存安定性，使用時係以溶劑稀釋。 較佳體系之敘述 本發明中就雙層結構的透明導電性薄膜形成所用之透 明作用物並無特別的限制。任何任意可賦予低反射率及電 磁波遮蔽性質的透明作用物均可用。玻璃係透明作用物的 典型物質，本發明的透明導電性薄膜可形成於如透明塑膠 之作用物上。 本紙張尺度適用Γ國國家標準（CNS ) A4規格（2H)X297公釐) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央樣率而只工消費合作社印繁 505685 A7 B7 五、發明説明（6 ) 如前所述，特別需要賦予低反射率及電磁波遮蔽性質 的透明作用物包括C R T的影像顯示器部、電漿顯示器、 及E L顯示器或用於電視或電腦顯示器單元的液晶顯示器 。透明作用物可選自這些作用物。 本發明雙層結構的透明導電性薄膜具有低反射率及電 磁波遮蔽性質（低電阻），且較佳爲高對比，具有平面反 射光譜：其爲無色，不似某些傳統的透明導電性薄膜會被 藍-紫或紅-黃所染色，而具有良好的可見度。當此導電 性薄膜形成在影像顯示器部分如C R T表面，可以止或減 少電磁波洩露，積塵，外來影像干擾性反射，這些都有害 於人體健康且可能造成電腦故障。薄膜令人滿意的特性在 透明度（可見光透明度）及混濁。較高對比及無色的反射 光允許維持影像的良好發光效率，因而提供很淸晰的螢光 幕。在一較佳體系中，薄膜形成性質已有改善，且不造成 薄膜不規則如色彩模糊，基本條紋及斑點，可賦予產品商 業價値，因而易於形成包含微細金屬顆粒的透明導電性薄 膜。 本發明透明導電性薄膜爲雙層，包含含有作爲導電性 分的細金屬粉在矽底基材中的下層（導電性層），及不含 粉的矽基底上層。 下層由於含有緻密細金屬粉而具有高折射率，上層則 具有底的折射率。造成本發明透明導電性薄膜雙層薄膜結 構具有低反射率及低電阻性質，並展現前述功能。 本發明透明導電性薄膜中，下層導電性層的矽基底基 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 505685 A7 __ B7 五、發明説明（7 ) 材與矽基底上層兩者，其形成可由烷氧基矽烷（或更廣義 地可水解的矽烷化合物）經由水解轉化爲矽。 合適的烷氧基矽烷系任何一或多個矽烷化合物，其中 含有至少一個，或較佳爲二或多個，或更佳爲三或多個烷 氧基團。可水解的基團可以用含有鹵素的鹵矽烷，或以烷 氧基矽烷代替。 更特定地，合適的烷氧基矽烷包括四乙氧基矽烷（= 乙基矽酸鹽）、四丙氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、二甲 基二甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、氯三甲氧基矽烷， 各類矽烷偶合劑（例如乙烯基三乙氧基矽烷、r -氨基丙 基三乙氧基矽烷、τ-氯丙基三甲氧基矽烷、r一氫硫基 丙基三甲氧乙烯基矽基、r-甘氨酸丙基三甲氧基矽烷、 r 一甲基丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷。 N —苯基一 r 一氨基丙基三甲氧基矽烷、N —沒一（ 氨基乙基—r 一氨基丙基三甲氧基矽烷，及p -（3，4 -環氧基環己基）乙基三甲氧基矽烷）。較佳爲乙基矽酸 鹽，其可在最低成本下最易水解。 經淨·部中央樣率趵只工消費合作社印製 在一包含烷氧基矽烷之薄膜中，酒精經水解而分離， 且製造OH基團濃縮入矽溶膠。 加熱烘烤此溶膠導致進一步濃縮，且最後形成矽（ S i 0 2 )薄膜。烷氧基矽烷可用以形成矽基底薄膜作爲砂 先質（形成無機薄膜組份）。當烷氧基矽烷與粉共同形成 形成薄膜，作爲無機黏結劑以連接粉顆粒且構成薄膜基材 -10- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印褽 505685 A7 B7 五、發明説明（8 ) 即使鹵素-矽烷矽能類似地經由水解而形成薄膜，以 下將就使用烷氧基矽烷加以敘述。 導電性下層 本發明透明導電性薄膜的導電性下層含有細金屬粉於 矽基底基材中。矽基底基材可形成如前所述之烷氧基矽烷 0 除非對烷氧基矽烷薄膜形成性質有不良影響，細金屬 粉可使用任何任意的金屬粉或合金粉、或金屬及/或合金 混合物粉。該細金屬粉較佳物質爲包括一或多種金屬其係 選自含有下列金屬基團Fe、 Co、 Ni、 Cr、W、

Al、In、Zn、Pb、Sb、Bi、Sn、Ce、

Cd、Pd、Cu、Rh、Ru、Pt、Ag 及 Ail，及 /或其合金，及/或這些金屬及/或合金的混合物。上列 說明中更佳金屬爲Ni、W、 In、 Zn、 Sn、 Pd、 Cu、 Pt、 Rh、 Ru、 Ag、 Bi及Au，或更特別 較佳爲Ni、 Cu、 Pd、 Rh、 Ru、 Pt、 Ag及

Au。最適合之材料爲含有低電阻之a g。較佳合金包括 Cu - Ag、Ni— Ag、Ag-Pd、Ag — Sn 及 Ag — Pb，但合金不限於這些。Ag與其它金屬（例如 W、 Pb、 Cu、 In、 Sn及Bi)混合物之細金屬粉 也較佳。 一或多種非金屬元素如P、B、C、N及S，或鹼金 屬如N a與K，及/或一或多種鹼土金屬如M g與C a可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210><297公釐） -11 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) C· 訂 505685 A7 B7 _ 五、發明説明（9 ) 溶解於該細金屬粉的固體-溶液態。 該細金屬粉顆粒尺寸不損害此導電性薄膜透明度。細 金屬粉一級顆粒平均尺寸最高到1 0 0 n m ( = 0 · 1 pm)，或較佳爲最高到5 0 nm，或更佳爲最筒到3 0 n m，或視需要最高到2 0 n m。含有平均顆粒尺寸之細 金屬粉之製備可使用製作膠體之技術（例如在適當還原劑 及保護膠體的存在下將金屬化合物還原成爲金屬）。 除細金屬粉，無機氧化物基底透明導電性薄膜微細粉 如I TO或ΑΤΟ (其中含有一級顆粒平均尺寸高達 0 · 2/zm，或較佳爲高達〇 · 1/zrn)可同時作爲導電 性粉。即使在此案例中，該細金屬粉用量較佳爲至少5 0 w t %，或更佳爲至少6 0 w t %的導電性粉。 經潢部中央樣枣而只工消費合作社印繁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本發明一體系中，導電性下層除細金屬粉外可含有 黑粉，經由賦予透明導電性薄膜黑化性質，可以達到改進 影像的目的。黑粉以導電性黑粉較佳。然而在本發明中存 在著高導電性細金屬粉已賦予充分的導電性，可使用非導 電性黑粉。此黑粉較佳應爲一級顆粒平均尺寸高達〇 . 1 /zm因而不會嚴重地減弱透明度，即使就顆粒尺寸並無特 別的限制。 較佳導電性黑粉物質包含鈦黑、石墨粉、磁鐵礦粉（ F e 3〇4)及碳黑。其中鈦黑因爲具有特別高的可見光吸 收度而成爲最佳物質。泰坦黑爲氧化鈦-氮化物粉其化學 組成係以 Ti〇xNy(〇 · 1<χ<2 · 0 ; y<〇 · 2 )表示，且由於結晶格中的氧缺陷而且有導電性。特別是 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公嫠） -12- 經潢部中央樣率Λ只工消費合作衽卬繁 505685 A7 __ 一 B7 五、發明説明（10) 較佳之鈦黑在前述組成物中其X介於0 . 8至1 . 2。 A g 0爲非導電性黑粉。 細金屬粉與黑粉混合之重量百分比較佳應介於5: 95至97 : 3，或更佳爲自15 : 85至95 : 5。細 金屬粉之一部分可以如前所述無機氧化物基底透明導電性 粉如至或I T 0取代。 僅以少量之細金屬粉是不可能達到充分的低電阻以確 ,保令人滿意的電磁波遮蔽性質，此外，使用大量的黑粉將 導致薄膜較低的透明度（可見光透明度）。使用較前述更 少量的黑粉，將造成可見光範圍（反射光譜）光譜反射率 曲線上短波長部分及長波長部分反射率的急速增加。即使 當目標低反射率以可見光最低反射率高達1 . 0 %的形式 達成，此反射光被藍-紫或紅-黃所染色，且可見度嚴重 減弱。 細金屬粉之次微米微細顆粒存在於下層作爲導電性粉 ，通常以二級顆粒形式存在，其係經由一級顆粒（個別顆 粒）聚集而形成。 根據本發明另一體系展示如圖1，薄膜二維網狀結構 係經由細金屬粉二級顆粒之二維連接所形成，且微孔存在 於網狀結構中。該網狀狀結構可由稍晚敘述之方法形成。 此微孔幾乎完全由矽基底基材塡充，幾乎不含細金屬 粉。下層部分微孔因此基本上透明，且大部分射入此透明 導電性薄膜孔部分的可見光束可穿過這些微孔，因此造成 可見光透明度的增加，且改善透明導電性薄膜的透明度。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) C. 訂 -13- 505685 A7 __ B7 五、發明説明（11 ) 另方面，進入薄膜網狀結構部分（細金屬粉二級顆粒 連接而緊密塡充部分）而非微孔部分之可見光，會被細金 屬粉所反射。然而，由於細金屬粉存在於下層而使透明導 電性薄膜這些部分具有高折射率，且其與具低射率之矽基 底上層在折射率上有相當差距。結果基於上層與下層間折 射率差異，使得入射的可見光在透明導電性薄膜這些部分 將具低反射性。 分散下層微細金屬粉二級顆粒而達成其中有許多微孔 的網狀結構，將可能基於此微孔的存在而促成此透明導電 性薄膜具有較高透明度，並保持雙層薄膜固有的低反射性 。爲確保達成此效果，微孔較佳應爲平均面積介於 2，500至30，OOOnm2，且相當於薄膜總面積的 3 0 至 7 0 %。 經淤部中央樣牟而只工消費告作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此體系中，形成下層導電性薄膜（薄膜形成組成物 )之塗層物質經調整，使細金屬粉二級顆粒分散在作用物 表面的塗層物質上，形成網狀結構。在塗層物質中二級顆 粒細金屬粉的分佈狀態決定於該參數如細金屬粉一級顆粒 平均尺寸，塗層物質黏度及溶劑表面張力。因此足以由參 數如如溶劑種類，細金屬粉一級顆粒平均尺寸，細金屬粉 濃度之選擇，而得到塗層後微細金屬粉二級顆粒之網狀結 構分佈。此選擇可由任何熟行此技藝之人士經由實驗而完 成。 在此體系中，該細金屬粉一級顆粒平均尺寸較佳應爲 介於2至3 0 nm。當一級顆粒平均尺寸超出此範圍，以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2!0Χ297公釐） 經潢部中失梂率而負工消費合作社印繁 505685 A7 B7 五、發明説明（12) 難以形成。更佳者爲一級顆粒平均尺寸範圍在5至2 5 n m 〇 本發明另一體系中，下層表面（即上層與下層間界面 )有凹一凸形狀展示如圖2。此體系中，下層厚度基本上 等於細金屬粉二級顆粒平均顆粒尺寸，導致二級顆粒顆粒 尺寸相對地較大分佈（達成大的二級顆粒與小的二級顆粒 共存），因而造成在下層表面的凹陷及凸出部分。這抑制 了波長兩邊反射率的增加而顯示了最低反射率，使反射光 近於無色。 更特定地，下層表面其中含有凹-凸部分，於凸出部 分平均厚度應介於5 0至1 5 0 nm，且凹陷部分平均厚 度介於凸出部分的5 0至8 5%，凸出部分平均間距介於 2 0至3 0 Q n m。凸出部分係指不規則表面最高點，而 凹陷部分係指不規則表面底部。具有這些凸出及凹陷部分 之下層可用稍後敘述的方法形成。 當凸出部分平均厚度小於5 0 n m，由表面不規則性 達成無色的反射光的效果變得不明顯。凸出部分平均厚度 高於1 5 0 n m導致透明度的減低，且降低影像的發光效 率。凹陷部分平均厚度低於凸出部分的5 0% /將由於過 多的凹凸部分而導致混濁增加，並及降低影像發光效率。 當此値超過8 5 %，不規則性且幾乎沒有達到無色的反射 光效果。當凸出部分平均間距小於2 0 n m，不規則性小 且些微地達到無色的反射光效果。凸出部分平均間距大於 3 0 0 n m導致薄膜混濁的增加，較低的無色反射效果， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -15- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) C-

、1T 經满部中央樣枣^负工消費合作社印繁 505685 A7 B7 五、發明説明（13) 及影像發光效率的降低。 在此體系中，細金屬粉一級穎粒平均尺寸較佳應爲介 於5至5 0 n m。一級顆粒平均尺寸小於5 n m使難於形 成其爲本體系特色的具有相對深的不規則表面導電性下層 ，當一級顆粒平均尺寸大於5 0 n m ’將可能在導電性下 層上形成不規則表面，但頂端與底端間距過大，一級顆粒 平均尺寸更佳應介於8至3 5 nm ° 導電性下層中矽基底基材之量宜充足以使細金屬粉顆 粒及其它需用的粉顆粒充分地混合。以矽基底上層覆蓋的 此導電性層，不需要特別的高薄膜強度或硬度。矽基底基 材較佳用量應介於1至3 Owt%。 下層厚度應介於8至1，OOOnm或較佳爲2 0至 5 0 0 nm。下層厚度低於8 nm將不能賦予充分的導電 性或低反射性。厚度高於1，0 〇 〇 n m將減弱薄膜透明 度（可見光透明度），且導致由所產生的裂縫所造成的緊 密接著的降低，造成薄膜成易於剝層。可由該細金屬粉之 一級顆粒尺寸，所用塗層物質中細金屬粉的濃度，薄膜形 成條件（例如旋轉塗佈的迴轉，及作用物的溫度而達成控 制薄膜厚度。 矽基底上薄膜 此層薄膜基本上包含低折射率的矽。上層厚度較佳應 介於1 0至1 50nm，更佳爲30至1 20nm，或進 一步更佳爲5 0至1 0 0 nm。可由控制矽先質（烷氧基 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） -16- 505685 A7 B7 經Μ部中央樣率而只工消費合作拍印繁 -----------一•一_____________________________ 五、發明説明（ 14) 矽烷或其它 可水解的矽烷化合 物 或 其水 解 產 物 ) 在所用塗 層物質中之 濃度，薄膜形成條 件及作 用 物 的 溫 度 而控制薄 膜厚度。 本發明透明 導電性薄膜之一般 形成 方 法 本發明 雙層結構的透明導 電 性 薄 膜 形成 方法 並無特別 限制，例如 下述方法即可採用 〇 、 首先， 以形成導電性薄膜 的 塗 層 物 質 作 爲 下 層，其含 細金屬粉及 視需要另一粉（A T 〇 I T 〇 或 里 J i\\ 粉）（薄 膜形成組成 物），將其塗佈於 透 明 作用 物 上 而形成含有細 金屬粉之薄 膜。該塗層物質之 製 備 可 將 細 金 屬 粉 及其它任 意的粉分散 於適當的溶劑中。 分 散 可 藉 由 —^ 般 製 造塗層物 質常用的方 法達成。 形成下 層的塗層物質可含有 或 不 含包含 院 氧 基矽烷的 黏結劑（至 少局部事先水解） 於烘 烤 後 形成 —^ 矽基底基 材。在任何 案例中，細金屬粉 在 塗 層 物 質 中 用 量 應槪略介 於塗層物質 的0 · 1至1 5 W t % > 或 特別地 0 • 3至 1 0 w t % 。當含有烷氧基矽 院 J 烷 氧 基 矽 院 用 量（轉化 爲S i〇2 )較佳應介於1至 1 8 ^ W t ί ，相對於烷氧基矽 烷及細金屬 粉（及其它任何用 及的 粉 ) 的 總 用 里 〇 當形成 下層的塗層物質不 含 烷 氧 基 矽 垸 作 爲 黏結劑， 一*不含黏結 劑但基本上包含細 金 屬 粉 及 視 需 要 的其它任意 的粉（有機 添加劑如界面活性 劑 可局 部 餘 留 ) 的 薄膜，其 形成係經塗 佈此塗層物質於作用 物 表 面並 將 溶 劑 揮發乾燥 C·

、1T (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經Μ部中央樣率而只Η消贽合作衽印f! 505685 A7 _______ _ B7 五、發明説明（15) 。因爲細金屬粉及其它粉包含次微米微細粉且具有強聚集 性質，即使無黏結劑仍可形成薄膜。溶劑揮發可使用或不 用加熱而完成，視所用溶劑的沸點而決定。例如當以旋轉 塗佈法執行塗層，旋轉中充分的旋轉期間可不須加熱而導 致揮發，視溶劑種類而定。不須完全執行溶劑揮發，但部 分溶劑可餘留。 之後，塗覆塗層物質而形成上層，包含用於形成上層 的烷氧基矽烷溶液（烷氧基矽烷可至少局部事先水解）。 部分塗覆溶液滲入介於下層細金屬粉顆粒及前述網狀結構 微孔間的間隙，再加入用於接合細金屬粉顆粒的黏結劑。 視需要可將添加劑如用於調整穿透力的界面活性劑加入塗 層物質中。塗佈形成上層的塗層物質以使未穿透下層之部 分塗層物質餘留在下層。 之後將薄膜加熱。烷氧基矽烷轉化爲矽基底薄膜，且 穿透介於下層細金屬粉顆粒間間隙之烷氧基矽烷成爲矽基 底基材而塡充於介於顆粒與微孔間之間隙。溶液中未穿透 而餘留在下層之烷氧基矽烷形成層，如此完成了本發明雙 層結構的透明導電性薄膜。 此方法中同時烘烤下層及上層，如此於烘烤中加速了 烷氧基矽烷之水解。宜使用至少局部水解的烷氧基矽烷， 且特別是稱爲矽溶膠的基本上完全水解的烷氧基矽烷。矽 溶膠可於酸觸媒的存在下（較佳爲鹽酸或硝酸）在室溫下 或加熱而由水解烷氧基矽烷製備。 當使用矽溶膠轉化爲S i 〇2，矽溶膠在形成上層的塗 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -18 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T _濟部中央標率而只工消費合作社印製 505685 A7 __ B7 五、發明説明（16) 層物質中的濃度較佳應介於0·5至2·5wt%。 塗層物質黏度較佳應介於0 · 8至lOcps，或更 佳爲1 . 0至4 . 0 c p s。使用低於此範圍的矽溶膠濃 度，顆粒下層之連接及上層的厚度將變得不夠充分，濃度 高於此水準則導致較低的薄膜形成準確性，因而難以控制 上層厚度。使用高於前述範圍之塗層物質黏度，矽溶膠無 法充分地穿透介於下層粉顆粒間間隙，造成較低的導電性 、及較低的薄膜形成準確度，造成難於控制上層厚度。 此方法中使用簡化的製造程序，執行僅有一階段的烘 烤程序須要許多時間及高能量成本。更特定地，當此方法 中執行兩次塗層程，由旋轉塗佈法可作連續塗層，連續地 將下層塗層物質及上層塗層物質滴於單旋轉塗料器上，之 後一次執行烘烤。因此可能經由基本上與單階段塗層差別 不大的簡單操作程序形成雙層薄膜。基於初次形成的細金 屬粉薄膜不含黏結劑，薄膜係處於細金屬粉直接接觸的狀 態。此狀態即使在浸透烷氧基矽烷之後依然保持。優點之 一爲電子路徑結構可容易地形成，且薄膜具有進一步較低 的電阻。 當用於形成下層的塗層物質含有烷氧基矽烷作爲黏結 劑，將含有細金屬粉及黏結劑之塗層物質形成於透明作用 之上，於下層矽基底基材上形成含有細金屬粉的導電性層 且之後經由烘烤此塗佈膜而將烷氧基矽烷轉化成矽基底基 材。之後，塗佈包含烷氧基矽烷的形成上層之塗層物質， 再次烘烤此塗佈薄膜。因此必須執行兩階段烘烤。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) £·

、1T 經濟部中央樣率而Μ η消費合作社ν* Ρ 505685 A7 _________ ____B7 五、發明説明（17) 在此將硏究由第一種方法形成的本發明透明導電性薄 膜雙層結構的厚度方向切面（其中形成下層塗層物質不含 黏結劑）。此結果顯示導電性下層中粉含量未自上層界面 激烈升高，而是緩緩地升高。另方面，當薄膜由第二種方 法形成（其中形成下層塗層物質含有黏結劑），導電性下 層中粉含量自上層界面急速升高。 當導電性下層厚度改變，由第一種方法形成之雙層結 構在可見光最低反射率顯現較小之變化。更特定地，當〔 厚度（mm)〕X〔折射率〕之値等於λ/4 (λ爲入射 光波長< m m > )，反射率變成最低。由第一種方法形成 之雙層薄膜中，即使當下層厚度大幅偏離此値時，可見光 最低反射率可保持於低水平。另方面第二種方法有利於容 易地控制各層厚度，即可能容易地控制上及下層厚度而達 成最低可見光的最小反射。 只要溶劑可分散微細金屬粉，用於製備塗層物質之溶 劑並無特別限制。可用的溶劑包括例如：水、酒精如甲醇 、乙醇、異丙醇、丁醇、己醇及環己醇；酮類如丙酮、甲 基乙基酮；甲基異丁基酮、環己酮、異holone、及4 —羥 基一4一甲基一2—戊酮；碳氫化合物如甲苯、二甲苯、 己烷及環己烷；醯胺類如N，N -二甲基甲醯胺、及N， N -二甲基乙醯胺；及亞硕類如二甲基亞硕，但這些並非 限制。可用一或多種溶劑。 就含有烷氧基矽烷之塗層物質，即含有黏結劑之下層 形成塗層物質及上層.形成塗層物質，宜選擇不會快速轉化 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) C.

、1T -20- 505685 經碘部中央樣率而货工消費合作社印犁 A7 B7 五、發明説明（18) 爲凝膠且可溶解黏結劑之溶劑。較佳之溶劑包含一或多種 酒精之溶劑，及酒精與其化溶劑及/或水的混合劑。酒精 中除了烷醇如乙醇，烷氧基醇如2 -甲氧基乙醇可單獨使 用或烷醇合倂使用。 可用作爲形成下層及上層之塗層物質黏結劑的烷氧基 矽烷，可事先局部水解。這允許塗佈後在短時間內完成烘 烤。此案例中水解之執行較佳應於酸觸媒（例如無機酸如 _鹽酸或有機酸如P -甲苯磺酸）及水的存在之下以促進反 應。烷氧基矽烷之水解可在室溫下進行或由加熱進行，且 較佳的反應溫度範圍爲自2 0至8 0°C。 當使用上層形成塗層物質，單使用烷氧基矽烷溶液， 或使用其至少部分水解者即足夠。 塗層物質之塗佈可由噴佈法，旋轉塗佈法或沾塗法完 成。就薄膜形成準確度而言，旋轉塗佈法最令人滿意。視 採用之塗層方法調整塗層物質黏度以獲得滿意的薄膜厚度 。一般而言，本發明所用塗層物質黏度較佳應介於0 · 5 至lOcps，或更佳爲〇 · 8至5cps。 塗佈後通常較佳應在至少1 4 0 °C溫度執行烘烤。當 透明作用物爲C R T，烘烤應在最高到2 5 0 °C進行，或 較佳爲最高2 0 0 °C，或更佳爲最佳1 8 Q °C以確保作用 物的高尺寸準確度，且防止螢光體剝離。就C R T以外之 透明作用物而言，可在作用物物質的容許範圍內採用較高 烘烤溫度，透明導電性薄膜下層含有黑粉° 用於形成含有黑粉導電性下層之塗層物質，其形成係 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -21 - (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 505685 A7 B7 五、發明説明（19) 將細金屬粉之及黑粉分散於適當的溶劑中。此溶劑可含有 烷氧基矽烷作爲黏結劑。細金屬粉及黑粉在塗層物質中總 用量較佳應介於0·5至20wt%，或更佳爲1.〇至 1 5 w t % 〇 在一較佳體系中，塗層物質進一步含有至少一個選自 那些基團中含有烷氧基鈦（可以是其水解產物）的鈦化合 及鈦酸鹽偶合劑。此鈦化合物作爲薄膜增強劑，且可有效 地均勻連接細金屬粉顆粒與導電性下層中黑粉，且確保穩 定的低電阻而具有絕佳之再現性。 當使用鈦化合物，其用量相對於細金屬粉與黑粉總用 量應介於0·1至5wt%，或較佳爲〇·2至2wt% 。當用量低於0·lwt%，前述效果不再顯現，而用量 高於5 w t %將有損於介於粉顆粒間之電子路徑而導致較 低的導電性。 本發明所用合適的烷氧基鈦實施例包括四烷氧基鈦如 四異丙氧基鈦、四（·2 —乙基hexoxine鈦、及四硬脂氧基 鈦；及三-二-或單烷氧基鈦如二異丙氧基-雙（乙醯丙 酮酯）鈦、二一 η —丁氧基一雙（三乙醇氨化物）鈦、二 羥基一雙（乳酸）鈦、及鈦—i —丙氧基octilene三甘醇酯 〇 其它方面，四烷氧基鈦爲較佳。烷氧基鈦可作爲部分 水解產物。可以水解烷氧基矽烷同樣方式完成烷氧基鈦之 水解。 另方面，合適的鈦酸鹽-基底偶合劑實施例包括異丙 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -22- ---：---f II -- * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、ΐΤ 經濟部中央樣率趵只工消費合作社印繁 505685 A7 B7 五、發明説明（20) 基三異硬脂醯鈦酸鹽、異丙基三癸基苯硫醯鈦酸鹽、異丙 基三（二辛基焦磷酸鹽）鈦酸鹽、四異丙基（二辛基亞磷 酸鹽）鈦酸鹽、四辛基雙（二三癸基亞磷酸鹽）鈦酸鹽、 四（2，2 —二芳氧基甲基—1 一丁基）雙（二一三癸基 )亞磷酸鹽鈦酸鹽、雙（二辛基焦磷酸鹽）氧醋酸鹽鈦酸 鹽、及三（二辛基焦磷酸鹽）乙撐鈦酸鹽。 當下層形成塗層物質不含黏結劑’宜加入至少一個烷 、氧基乙醇或Θ—二酮於溶劑中。烷氧基乙醇及々一二酮具 有增強介於微細導電性粉顆粒間聯結的功能，及改善不含 下層形成黏結劑的塗層物質之薄膜形成性質。這改善了薄 膜形成準確度，導致平滑表面，如此造成具較低混濁及反 射的導電性下層。 烷氧基乙醇實施例2—四氧基乙醇、2—(甲氧基乙 氧基）乙醇、2 —乙氧基乙醇、2— (η —異一）丙氧基 乙醇、2 —（η —，異一，特一）丁氧基乙醇、1—甲氧 基—2 —丙醇、1—乙氧基—2 —丙醇、1— (η —，異 一）丙氧基一 2 —丙醇、2 —甲氧基一 2 —丙醇、及2 — 乙氧基一2 —丙醇。沒一二酮實施例包括2，4 一戊二酮 (=乙醯丙酮）、3 —甲基一2，4 一戊二酮、3 —異丙 基一2，4 一戊二酮、及2，2 —甲基一3，5 —己二酮 。而以Β—二酮、乙醯丙酮爲較佳。 塗層物質可進一步含有其它添加劑。其它添加劑實施 例別是包括用以改進黑粉分散性（陽離子-基底、陰離子 -基底及非離子基底）之界面活性劑。當含有烷氧基矽院 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) *1Τ -23- 505685 A7 — _B7 五、發明説明（21) 之塗層物質作爲黏結劑，可加入一種酸以加速烷氧基矽垸 之水解。另方面，當塗層物質不含黏結劑，可加入p Η調 節劑（有機酸或無機酸如甲酸、醋酸、丙酸、丁酸、 octilic酸、鹽酸、硝酸及過氯酸、或胺）或少量有機樹脂 〇 爲保持微細金屬粉及黑粉在不含黏結劑的塗層物質中 具有良好的分散穩定性，溶液p Η値較佳應介於4 · 0至 、1 0，或更佳爲5 · 0至8 · 5。 含有細金屬粉及黑粉下層之厚度較佳應介於2 0至 1，OOOnm，或更佳 30 至 600nm。 雙層透明導電性薄膜，其下層含有黑粉，具有光學特 徵括低電阻、粉黑透明度、及低反射性。透明粉黑導電性 薄膜之導電性隨下層細金屬粉種類及用量（比例於黑粉） 而大幅地變化，且薄膜表面電阻變化範圍一般於 10°Ω/□至約 1〇5Ω/〇。 經濟部中央桴率而只工消費合作私印製 本發明透明粉黑導電性薄膜，其在導電性下層中含有 黑粉，傳統的雙層薄膜的藍-紫或紅-黃染色已被消除， ，且本發明薄膜基本上無色。即使下層中有緻密的細金屬 粉及黑粉，導電性薄膜保持局部充分的透明度，其典型的 展示爲混濁低於1 %及總透明度至少6 0 %。因爲薄膜以 低折射率矽層作爲上層，薄膜之低可見光最低反射率低於 1 %。此粉黑色可改善影像對比。 透明導電性薄膜下層具有二維網狀結構。 當下層細金屬粉顆粒分散而形成二維網狀結構’其中 -24· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 經漪部中央樣率而Μ Η消費合作私印f 505685 A7 _____ B7 五、發明説明（22) 含有微孔而不含其細金屬粉，可大幅改善導電性薄膜之透 明度。爲形成該下層，不論作爲黏結劑之烷氧基矽烷存在 與否，調整塗層中溶劑種類，細金屬粉一級顆粒平均尺寸 ’及細金屬粉濃度，可使塗佈後微細金屬粉二級顆粒分散 形成二維網狀結構。 例如不含烷氧基矽烷作爲黏結劑之塗層物質係可由分 散溶液製備，其中細金屬粉顆粒係分散於含有分散劑的溶 .劑中。分散劑可選自聚合體分散劑及界面活性劑。聚合體 分散劑實施例包括乙烯基吡咯烷酮、聚乙烯基酒精、及聚 乙二醇-單- P -壬基苯基醚。界面活性劑可以是非離子 -基底、陽離子-基底或陰離子-基底，且實施例包括p -氨基苯磺酸鈉鹽、十二烷基苯磺酸鈉鹽、及長鏈烷基三 甲基銨鹽（例如硬脂醯三甲基氯化銨）。 在此體系中，當細金屬粉一級顆粒平均尺寸介於2至 3 0 nm且此溶劑含有至少一個1至3 〇w t %的丙二醇 甲基醚，1至3 Owt%的異丙二醇及1至1 〇wt%的 4 一羥基一 4 一甲基一 2 -戊酮，細金屬粉二級顆粒在塗 佈後易在塗層物質上形成網狀結構。 .此溶劑較佳應包含水及/或一種低級酒精如甲醇、乙 醇、異丙醇或丁醇。此溶劑不限於如上列舉的，只要當塗 佈此塗層物質時溶劑可形成前述網狀結構，製備塗層物質 可使用任何任意的溶劑。 即使以形成下層的含有烷氧基矽烷之塗層物質作爲黏 結劑，使用前述三種溶劑丙二醇甲基醚、異丙二醇、及4 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐） -25- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，裝· 訂 經濟部中央梂^-^Μ.τ消費合作赵印衆 505685 A7 B7 五、發明説明（23) 一羥基一 4 一甲基—2 -戊酮，可有效的形成網狀結構。 然而可能須要改變其用量。在所有案例中，此溶劑可經由 實驗作選擇。 下層形成塗層物質可含有鈦酸鹽-基底或鋁-基底偶 合劑。鈦酸鹽-基底偶合劑可選自如上列舉者。合適的鋁 -基底偶合劑包括乙醯烷氧基鋁二異丙鹽。 所加入分散劑或偶合劑用量小至於〇 . 〇 〇 1至 0 · 2 0 0 w t %，相對於分散劑溶液（塗層物質）。 此塗層物質形成的導電性下層厚度較佳應介於1 〇至 2 0 nm，或更佳爲2 5至1 5 0 nm。下層厚度高於 2 0 0 n m使得難於形成微細金屬粉二級顆粒的網狀結構 〇 雙層透明導電性薄膜其下層形成二維網狀結構中之微 孔不含微細金屬粉，其具有光學特徵包括反射光不帶粉藍 而幾乎無色、高透明度、及低反射性。更特定地，可見光 透明度高達至少6 0%，或較佳爲至少7 0%，或更佳爲 至少7 5 %，且混濁低達1 %。在最低反射率低達1 %之 外，反射光譜是平的，且造成傳統雙層導電性薄膜粉藍反 射光的短波長部分反射率的增加（例如4 0 0 n m )，被 抑制在某水準而無異於長波長寬（例如8 0 0 n m )差異 不大。因此，反射光不呈粉藍而基本上無色，如此改進了 影像的發光效率。 透明導電性薄膜中，作爲導電性粉的細金屬粉的二級 顆粒結合形成網狀結構，且電流流經此細金屬粉聯結結構 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -26- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 ΜΜ部中夾標率而货Η消費合作啦印繁 505685 A7 B7 五、發明説明（24) 。即使細金屬粉係相對地低程度塡充（存在微孔），因此 ’表面電阻低達介於1 02至1 〇8Ω/□，如此可充分顯 示電磁波遮蔽功能。 透明導電性薄膜其下層具有表面凹陷/凸出部分 當下層表面具有凹陷及凸出部分，由透明導電性層發 出的反射光變成幾乎無色，其凸出部分平均厚度介於5 0 至1 5 0 nm，凹陷部分平均厚度介於凸出部分的5 0至 8 5 %，且於凸出部分平均間距介於2 〇至3 0 0 n m。 此凸出部分意指不規則表面波浪形之頂端，而凹陷部分意 指不規則表面底端。 含有表面凹陷及凸出部分的用於形成下層之塗層物質 ，較佳應由分散溶液製備，該分散溶液係將含有一級顆粒 係將含有一級顆粒平均尺寸介於5至5 0 nm之細金屬粉 顆粒分散在含有分散劑的溶劑中。宜將不含烷氧基矽烷的 該塗層物質烘烤後變爲矽基底基材。 不考慮作爲黏結劑的烷氧基矽烷的存在，經調整下層 形成塗層物質使細金屬粉二級顆粒在塗層物質中具有特定 的顆粒尺寸分佈。更特定地，一級顆粒平均尺寸介於5至 5 0 0 n m之細金屬粉顆粒在塗層物質中應聚集形成二級 粒，其顆粒尺寸分佈中有1 0%累積顆粒尺寸高達6 0 nm，有5 0%累積顆粒尺寸介於5 0至1 5 0 nm，且 有9 0%累積顆粒尺寸介於8 0至5 0 0 nm。 細金屬粉在分散溶液中聚集狀態（即二級顆粒尺寸分 佈）決定於細金屬粉一級顆粒平均尺寸，溶劑表面張力， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) C-

、1T -27- 505685 A7 -----------------£ 五、發明説明（25) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 粉顆粒分散的攪拌條件，分散溶液的黏度，及添加劑如分 散劑。因此可選擇參數如溶劑種類，微細金屬粉一級顆粒 平均尺寸，微細金屬粉濃度，攪拌速度及時間，及添加劑 之種類與用量，以使細金屬粉二級顆粒尺寸分佈在前述範 圍內。熟於此技藝之人士因此可經由實驗達到適當的結果 〇 適於該細金屬粉分散之溶劑爲一混合溶劑，其中水及 /或低級酒精（甲醇、乙醇、異丙醇或其類似物）與溶纖 劑-基底溶劑混合使用（例如甲基溶纖劑、丁基溶纖劑或 其類似物），其含量最高到3 0 w t %，或更佳爲最高到 2 5 w t %。然而溶劑不限於此，但分散溶液之製備可使 用任何任意的溶劑只要該溶劑能分散細金屬粉顆粒使能聚 集而形成二級顆粒，其中顆粒尺寸分佈在前述範圍內。 用於下層形成之塗層物質的分散劑可同如前所述。塗 層物質可含有鈦酸鹽基底或鋁-基底偶合劑。這些添加劑 成份可同於如前所述。 經漭部中央樣率而货工消費合作私印f 塗層物質較佳應以塗佈而達成使不規則表面凸出部分 平均厚度於薄膜乾燥後介於5 0至1 5 0 nm。由於此厚 度範圍與細金屬粉二級顆粒5 0 %累積顆粒尺寸相同，塗 佈薄膜基本上包含二級顆粒之單層，因此二級顆粒之顆粒 尺寸分佈直接在塗佈的薄膜表面以表面不規則形式展現。 若細金屬粉二級顆粒具有如前述所述之顆粒尺寸分佈，因 此，於乾燥且除去溶劑後可得到含有前述表面凹陷及凸出 部分的經塗佈的細金屬粉薄膜。 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經漭部中央樣卒而β,χ消費告作相印f 505685 A7 B7 五、發明説明（26) 即使當下層形成之塗層物質含有烷氧基矽烷，由於細 金屬粉與烷氧基矽烷溶液相較具有遠較爲高的密度，細金 屬粉二級顆粒會沉積於塗佈薄膜內。在此案例中，即使形 成之薄膜具有光滑表面，凹陷及凸出部分之產生係回應於 含有細金屬粉部分二級顆粒的顆粒尺寸分散。部分烷氧基 矽烷溶液積聚在不規則的凹陷部分而於烘烤後形成不含細 金屬粉的矽基底薄膜，且最後與矽基底上層薄膜混合，如 、此形成上層薄膜之部分。也就是，下層塗層物質形成之塗 佈薄膜，僅有含有微細金屬粉部分變爲下層，且因爲這些 部分具有凹陷及凸出部分而使得下層具有表面凹陷及凸出 部分。 因爲介於含有細金屬粉高折射率的下層，與僅包含具 有低折射率矽的上層兩者之間的界面具有適當的不規則性 ，本發明雙層透明導電性薄膜具有光學特徵包括低反射， 非粉藍或粉紅但幾乎無色的反射光，高透明度、及低混濁 。更特定地，可見光透明度至少5 5%，或較佳爲高達至 少6 0 %，及混濁低達1 %。可見光反射率典型地以最低 反射1%表示，其爲平的反射光譜，且在傳統的雙層導電 性薄膜造成粉藍反射光的短波長部分（例如4 0 0 n m ) 反射率之增加被抑制爲與長波長部分（例如8 0 0 n m ) 基本上屬同一等級。因此，反射光非粉藍而幾乎無色，如 此顯著地改進影像的發光效率。透明導電性薄膜具有低表 面電阻約1 0 2 Ω /□，如此可完全顯示電磁波遮蔽功能。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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Lm. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -29 - 505685 A7 ___B7 五、發明説明（27) 抑制了薄膜模糊的透明導電性薄膜 已抑制薄膜模糊之導電性下層可由包含分散溶液之塗 層物質形成，該分散溶液中細金屬粉顆粒一級顆粒之尺寸 高達2〇nm且其含量介於〇·20至0·50wt%， 其係分散於包含含水有機溶劑之分散介質中，其中分散劑 含有下列（1 )及（2)之一或兩者。 (1 )含氟界面活性劑介0 · 0 0 2 0至0 · 0 8 0 w t % ;且 (2 )至少一個選自含有基團1 )多元醇及2 )聚伸 烷基二醇及單烷醚衍生物，其總量介於〇 . 1 〇至3 . 0 w t %。 MM部中央樣準M Η消費合作私印策 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 用於此體系中之細金屬粉較佳應含有少量F e作爲雜 質。F e係雜質元素於產生非F e金屬膠體中混入細金屬 粉。已知以少量F e混入細金屬粉作爲雜質可在形成的導 電性薄膜表面帶來均勻分佈的導電性以及低電阻。爲得到 此效果，F e元素較佳應作爲雜質其含量介於 0 · 0 0 2 0至0 · 0 1 5 w t %，相對於塗層物質總用 量。F e含量高於〇 · 〇 1 5wt%將對薄膜形成性質導 致嚴重效果。 使用一級顆粒尺寸含量最高到2 0 n m之細金屬粉。 含有細金屬粉之導電性薄膜厚度較佳應高達5 0 nm以確 保令人滿意的可見光透明度。因此，細金屬粉一級顆粒尺 寸須充分地小於薄膜厚度。大量的含有尺寸高於2 〇 nm 的一級顆粒的顆粒將容易導致如前所述的薄膜模糊並導致 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） ^ 505685 A7 B7 五、發明説明（28) 薄膜形成性質的降低。 術語 ''一級顆粒尺寸〃意指一級顆粒尺寸中排除最高 5 %及最低5 %尺寸後所得到的一級顆粒尺寸分佈。因此 ’在排除最高5 %後餘留的微細顆粒中，最大的微細顆粒 其一級粒度尺寸最高爲2 0 nm。 分散溶液中微細顆粒的一級顆粒尺寸是可量測的，例 如由微細金屬粉TE Μ (穿透式電子顯微鏡）照片。此方 法中，1 0 0個微細金屬粉顆粒一級顆粒尺寸經隨機選擇 而作量測。排除五個最大微細顆粒及五個最小微細顆粒後 ，餘留的微細顆粒一級顆粒之尺寸經採用作爲此一級顆粒 尺寸之量測値。一級顆粒尺寸最大量測値最高到2 0 n m ο 微細金屬粉一級顆粒尺寸之上限較佳應爲1 5 n m。 當細金屬粉不含尺寸高於1 5 n m之一級顆粒，薄膜透明 度將會改善。在此體系中，對顆粒尺寸分佈並無特別限制 。微細金屬粉一級顆粒之尺寸可由操作形成金屬膠體時之 反應條件而控制。 特別微細金屬顆粒其中含有一級顆粒尺寸最高到2 0 n m者，可由傳統所知金屬膠體產生技術（例如於保護膠 體存在下藉由適當的還原劑將金屬化合物還原成金屬）。 還原反應中副產之鹽可用除鹽法除去，如離心分離/排斥 方法或透析方法。所產生的微細金屬顆粒係得自金屬膠體 狀態，即水性分散溶液（此分散劑介質包含水本身或主要 是水）。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)Α4規格（210x297公釐） -31 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T #Μ·部中次樣準而负工消費合作社印t 505685 A7 B7 五、發明説明（29) 微細金屬顆粒的水性分散溶液係以有機溶劑或有機溶 劑及水稀釋而達成微細金屬顆粒含量介於〇 · 2 0至 0.5〇wt%。微細金屬顆粒含量保持在該低水平’因 爲所形成薄膜具有很小的厚度達5 0 n m。當微細金屬顆 粒含量高於0·50wt%，將難於形成該薄膜，且所形 成薄膜的可見光透明度變得較低的。此外，薄膜形成性質 變成較差，難以防止薄膜模糊。若微細金屬顆粒含量低於 2 0 w t %，所形成之薄膜很薄，且薄膜導電性嚴重降低 。微細金屬顆粒含量較佳應介於0·25至0·40wt 此溶劑稀釋後水含量並無特別限制，但較佳應高達 2 0 w t %，或較佳高達1 0 w t %，相對於該組成物重 量。高的水含量導致較多的薄膜乾燥時間，造成可實施性 〇 因爲稀釋前微細金屬顆粒之分散劑，用於稀釋之有機 溶劑應較佳含有至少局部的水可溶混有機溶劑。形成薄膜 時爲加速乾燥，較佳應包含沸點高達8 5 °主要（例如高 於此溶劑的6 0 % )溶劑。 特別較佳的水可溶混有機溶劑包括單-價酒精如甲醇 、乙醇及異丙醇。其它水可溶混有機溶劑包括酮類如丙酮 也可用。水可溶混有機溶劑如碳氫化合物、醚或酯也可使 用，較佳爲與水可溶混有機溶劑合倂。稀釋用有機溶劑最 宜者包括甲醇、乙醇及其混合溶劑。其它方面，宜使用甲 醇本身或甲醇及乙醇混合溶劑。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T -32- 505685 A7 ___ B7 五、發明説明（30) 如前所述，當水性膠體含有微細金屬顆粒其中含有一 級顆粒尺寸最高到2 0 n m，僅使用如前所述揮發性溶劑 作稀釋，微細金屬顆粒將易於聚集且其分佈將易於變爲非 均勻性。以其作爲形成導電性薄膜之組成物將導致不充分 的薄膜形成性質。因此，即使當此組成物充分地攪拌並立 即用於塗佈作用物，薄膜模糊將發生於所形成透明導電性 薄膜。 薄膜模糊之發生是可以有效地防止的，在下層形成塗 層物質中加入任何一或兩者（1 )氟基界面活性劑，及（ 2 ) —或多種選擇自多元醇，聚伸烷基二醇及單烷醚衍生 物。此效果機轉之細節尙不淸楚，推測加入這些添加劑可 穩定細金屬粉分散狀態且防止發生聚集。如此造成薄膜形 成性質的改善。氟基界面活性劑爲含有全氟烷基基團之界 面活性劑。全氟烷基基團較佳應有碳原子數介於6至9， 或更佳爲7至8。界面活性劑之種類沒有特別限制，且陰 離子型態者較佳。 更特定地，較佳爲由下列分子式通式表示之界面活性 經潢部中央摞卑而只工消費合作社印製 劑： [CnF2n+1S02N (C3H7) CH2CH20 ] 2Ρ02Υ (其中，η = 7 或 8，Υ = Η或ΝΗ4)；

CnF 211+1S3X -33- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2!0X297公釐） 505685 A7 B7 五、發明説明（31 ) (其中，n = 7 或 8，X = H，Na，K，Li 或 NH4)

CnF2n+1S02N (C2H7) CH2C02X1

(其中，N=7或8，Xl=Na或K);或 CnF2n+1C02Z (其中，n=7或8，Z=H，Na或NH4)。 所加入氟基界面活性劑之用量（當使用二或多個，爲 總用量）應介於0 · 0 0 2 0至0 · Q 8 0 w t %，相對 於下層形成塗層物質。當用量低於0·0020wt%， 薄膜防模糊效果變得不充分，當超過0.080wt%， 界面活化變成太強，薄膜模糊將再發生。發生薄膜模糊有 時會導致導電性降低。所加入氟基界面活性劑之用量較佳 應介於0·0025至0·060wt%，或更佳爲 0.00 25至0.0401^1:%0 經Μ部中央糅率而货工消費合作私印繁 (讀先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 多元醇、聚伸烷基二醇及單烷醚其衍生物（以下爲簡 化而將這些指示作 ''乙二醇基底溶劑〃）作爲溶劑。也就 是在液體狀態下使用。然而，此溶劑型態具有高沸點（即 使其中含有最低沸點的乙二醇一單甲基醚其沸點爲 1 2 4 · 5 °C )而不適於作爲主要溶劑。 本發明合適的乙二醇基溶劑底具體實施例如下。多元 醇實施例包括乙二醇、丙二醇、三乙二醇、丁二醇、1， 4 一丁二醇、2，3 -丁二醇、及甘油。聚伸烷基二醇及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 34- 505685 經满部中央樣準而只Η消費合作相印製 A7 B7 五、發明説明（32) 單烷醚其衍生物之實施例包括二乙二醇、二丙二醇與單甲 基醚及其單乙基醚。 所加入乙二醇基底溶劑用量（當使二或多個，爲總用 量）係介於0·10至3·Owt%。添加量低於或超過 此範圍導致較低的薄膜形成性質且不充分的薄膜模糊防制 ，且可能導致導電性降低。乙二醇基底溶劑所加入用量較 佳應介於0·15至2·5wt%，或更佳爲〇·50至 2 . 0 w t % 〇 加入任何一項前述氟基界面活性劑及乙二醇基底溶劑 可充分有效地防止薄膜變模糊，但加入兩者將可更確定其 效果。 黏結劑較佳應不存在於下層形成塗層物質。其它不嚴 重影響薄膜形成性質或薄膜性質之添加劑可加入該塗層物 質組成物。該添加劑實施例包括非氟基界面活性劑，偶合 劑及使用蝥形成力之隱匿劑。所有這些添加劑作爲保護劑 以穩定微細金屬粉之分散。由於加入這些添加劑過量將嚴 重影響薄膜形成力，在任何案例中添加量較佳應最高到 0 · 0 1 0 w t %。 非氟基界面活性劑可以是陰離子型態、非離子型態或 陽離子型態。一或多種選擇自矽烷偶合劑，鈦酸鹽基底偶 合劑及鋁基底偶合劑可作爲此偶合劑。 適用的遮蔽劑包括檸檬酸、EDTA、醋酸、草酸及 其鹽。 由下層形成塗層物質形成之下層，基本上含有細金屬 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} -裝· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -35- 505685 A7 B7 五、發明説明（33) 粉，且其厚度較佳應爲最高到5 0 n m。細金屬粉薄膜厚 度較佳應爲介於8至5 0 nm，或更佳爲1 〇至3 0 nm 。厚度小於此水準不能達到充分的導電性。 當層形成塗層物質依如前所述塗佈於下層薄膜之上， 部分塗層物質滲入含有細金屬粉下層薄膜之間隙，如此造 成本發明透明導電性薄膜雙層。如此形成的上層其厚度較 佳應介於1 0至1 5 Onm，或更佳爲3 0至1 1 Onm 〇 雙層薄膜具有低反射性，且基於細金屬粉薄膜效果而 進一步提供導電性及透明度。針對導電性，薄矽基底上層 僅稍微損及導電性。爲了對此，由烘烤上層所導致的收縮 造成下層微細金屬粉的內應力，確保了平順的通訊，且與 單獨微細金屬粉相較可改善導電性。導致透明導電性薄膜 其表面電阻最高到1 X 1 0 3 Ω /□及令人滿意的對電磁波 遮蔽低電阻。由於細金屬粉薄膜之反射更改善透明度。 經Μ部中央樣率处只Η消費合作社印架 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 結果，此雙層薄膜可顯示電磁波遮蔽功能及抗眩功能 (防止外來影像或光源進入），且適用於CRT或各類顯 示器單元的影像顯示器部分。然而，因爲反射光譜不是平 的，但在可見光範圍短波長部分反射率較高，影像色彩稍 微改變爲藍色或藍紫色’如此減損某種程度的影像品質。 已知由噴佈矽先質溶液於雙層薄膜上所形成矽基底微 細不規則層，造成平的反射光譜，經由散射表面反射光而 消除影像色調之改變，且改善抗眩目性質。此微細不規則 性較佳高度（介於凸出及凹陷部分之高度差異）應介於約 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格（210X297公釐） ~7[ ' 505685 Λ7 _ B7 五、發明説明（34 ) 5 0 至 2 0 0 A。 因爲噴佈目標之一係在表面形成微細不規則性，最少 的噴佈用量即可（例如約外塗層重量的1/4)。此矽先 質可與用於上層矽基底薄膜外塗層者相同，且乙基矽酸鹽 或其部分水解產物最令人滿意。在溶液中轉化爲S i〇2 的矽先質之濃度較佳應介於0·5至1·〇wt%，或更 佳爲0·6至0·8wt%。爲加速薄膜形成，此作用可 於噴佈之前作預熱。 下層導電性薄膜形成塗層物質具有絕佳之儲存安定性 在本發明一體系中，提供高濃度的導電性薄膜形成組 成物（即起始稀釋溶液）包含含有細金屬粉之水性分散溶 液，其中含有一級顆粒尺寸最高到2 0 n m，係以溶劑稀 釋使用。此包含細金屬粉透明導電性薄膜爲非常薄的薄膜 ，爲確保透明度其厚度最高到5 0 nm。細金屬粉在塗層 溶液中之濃度必須非常低。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 當販售以適於塗佈所使用的濃度的產物，其所需要之 溶液體積將非常大而無效率。因此可令人滿意地以高濃度 起始溶液形式而販售塗層物質，令使用者以適當的溶劑作 稀釋後再使用。在此案例中，因爲起始溶液須作儲存，起 始溶液需要有令人滿意的儲存安定性。此體系因此涵蓋起 始溶液，即使形成該導電性薄膜之組成物可稀釋使用。 特別微細金屬顆粒其一級顆粒尺寸最高到2 0 n m， 其製造係使用如前所述的金屬膠體產生技術，且係由除鹽 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) :37 _ ~ 經漪部中央«^-^1只工消費告作拉印繁 505685 A7 B7 五、發明説明（35)

V 力法如前所述之離心分離/排斥方法或透析方法除去副產 S之鹽。如此微細金屬顆粒可由水性散溶液（金屬膠體） 的形式獲得。之後，視需要加入純水及/或有機溶劑而調 整使微細金屬粉在溶液中濃度介於2·0至10·Owt %。當使用有機溶劑以調整濃度時，有機溶劑種類及使用 量範圍如稍後所述。 根據本發明，在形成金屬膠體的除鹽過程中，細金屬 、 粉分散溶液中分散介質之導電性最高到7 · 0 m S / c m ’且pH介於3 · 8至9 · 0。當分散介質滿足這條件， 分散溶液具有絕佳的儲存安定性。例如當分散溶液於室溫 下儲存約一個月，之後經稀釋使濃度等於塗層溶液，該塗 層溶液具有絕佳之薄膜形成力而沒有薄膜模糊，且形成之 細金屬粉薄膜就導電性及透明度也提供了充分的性能。 當分散介質之導電性高於7.OmS/cm或pH超 出前述範圍，增加鹽用量將導致微細金屬顆粒分散溶液的 聚集，如此造成較低的儲存安定性；例如稀釋溶液在室溫 下儲存一個月後於塗佈中，塗層溶液之薄膜形成力差，且 在形成透明導電性薄膜中發生薄膜變模糊。分散介質之導 電性較佳應最高到5 · 0 m S / c m，且p Η介於5 · 0 至 7 · 5 。 爲達到令人滿意的薄膜形成力，使用含有一級顆粒尺 寸最高到2 0 nm之微細金屬顆粒，且在上一個體系中， 較佳應含有少量F e作爲不純物。 如前所述，本發明中形成該導電性薄膜之組成物（作 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -38- 505685 A7 B7 五、發明説明（36) 爲稀釋起始溶液），其中的含細金屬粉之含量介於2 · 0 至10 · Owt%。當細金屬粉用量低於2 · Owt%， 溶液體積變成太大，係作爲起始溶液之缺點。細金屬粉濃 粉高於10·Owt%將導致分散溶液的儲存安定性降低 〇 可以調整有機溶劑使細金屬粉含量介於2 · 0至 1 · 0 w t %。在此案例中，有機溶劑於濃度調整後在分 .散溶液中之用量（相對於組成物總用量之含量）不超過下 列上限。各有機溶劑用量超過限制將嚴重影響儲存安定性 ，造成薄膜形成力的降低。 (1 )對甲醇及/乙醇，總量最高到4 0 w t % ; (2 )對1 )多元醇及2 )聚伸烷二醇及單烷醚其衍 生物，最高到3 0 w t % ; (3)對乙二醇單甲基醚、硫乙二醇、α—硫乙二醇 及二甲基亞硕，總用量高到1 5 w t % ;及 (4 )對非前述有機溶劑，總量最高到2 w t %。 經满部中央輮率>PJM Η消費合作社印製 (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .1# 對上述有機溶劑（1 )至（4 )較佳用量分別爲（1 )最高到 30wt%, (2)最高到 20wt%，（3) 最高到10wt%，及（4)最高到1 · 〇wt%。 本發明合適的較佳多元醇實施例包括乙二醇、丙二醇 、三乙二醇、丁二醇、1，4 一丁二醇、2，3 —丁二醇 及甘油。聚伸烷基二醇及其單烷醚衍生物之較佳實施例包 括二乙二醇、二丙二醇，及其單甲基醚與單乙基醚。 可用上述（1 )至（4 )任何一或多種，且可用（1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（2丨0X297公釐） _ 39 _ 505685 經潢部中央樣率M工消費合作私印繁 A7 B7 五、發明説明（37) )至（4)其任何組合。也就是可使用僅一項選擇自上述 (1 )至（4 )之有機溶劑，或二到四項有機溶劑的組合 。（4 )中其它溶劑無特別限制，且可用任何含氮化合物 如酮、醚、及胺，極性溶劑包括酯，及非極性溶劑如碳氫 化合物。當總用量最高到2 w t %，對本發明形成導電性 薄膜之組成物之儲存安定性無嚴重影響。 爲穩定細金屬粉，至少一個選自界面活性劑、偶合劑 、及隱匿劑可作爲稀釋用有機溶液，加入本發明形成導電 性薄膜之組成物中作爲分散保護劑。在此案例中保護劑總 含量應最高到1 · 0 w t %。保護劑含量高於此將對透明 導電性薄膜導電性造成嚴重影響，如此難以得到薄膜其具 有充分的低電阻以賦予電磁波遮蔽性質。保護劑含量較佳 應最高到0 · 5 w t %。 陰離子型態或非離子型態界面活性劑爲較佳。陰離子 型態界面活性劑實施例包括烷基苯磺酸鈉鹽（例如十二院 基苯磺酸鈉鹽）、烷基鈉磺酸鹽（例如十二烷基鈉磺酸鹽 )及脂肪酸鈉（例如油酸鈉）。非離子型態界面活性劑實 施例包括聚烷基乙二醇的烷基酯或烷基苯基醚，蔗糖的山 梨糖醇酐或脂肪酸酯，以及單甘油酯。 另一合適的界面活性劑爲氟基界面活性劑。氟基界面 活性劑可選擇自如上列舉者。 偶合劑及隱匿劑可以上述同樣方式處理。 導電性薄膜形成組成物爲含有高含量的細金屬粉起始 溶液，於塗佈中經稀釋而用於形成透明導電性薄膜。水（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _40_ 505685 鳑满部中央樣準趵只工消費合作社印繁 A7 B7 五、發明説明（38) 純水）及/或有機溶劑可在此用於稀釋。有機溶劑可以是 二或多種溶劑的混合溶劑。由於稀釋前細金屬粉之分散介 質含有水，至少一部分有機溶劑較佳應爲水可溶混之有機 溶劑。爲加速乾燥薄膜之形成，大部分溶劑於稀釋後（例 如至少6 0%，或較佳爲至少7 0%，或更佳者爲至少 8 0 % )較佳應包含沸點最高到8 5 °C之溶劑。 基於這些考量，此稀釋溶劑應爲單羥酒精，且特別是 ，甲醇及乙醇。特別是使用甲醇本身或甲醇及乙醇之混合 溶劑用於稀釋可加速乾燥，且例如於旋轉塗層中揮發此溶 劑，如此消除了提供分別乾燥時間的需要，且因此可得到 更有效率的薄膜形成操作。 較佳之稀釋執行應使得稀釋後塗層溶液中細金屬粉含 量介於0·20至0·50wt%。由於稀釋前微細金屬 粉含量介於2·0至10·Owt%，稀釋平均約10至 2 0倍。該細金屬粉含量之減少係因爲薄膜形成之厚度很 小，最高到5 0 n m。 細金屬粉含量高於0 · 5 0將難於形成最高到5 0 nm之超薄薄膜，導致所形成薄膜較低的可見光透明度， 此外，也導致較差的薄膜形成力，如此將難以防止發生薄 膜變模糊。使用低於0 · 2 0 w t %的細金屬粉含量，形 成之薄膜將太薄，造成薄膜導電性嚴重降低。細金屬粉含 量較佳應介於0 · 2 5至0 · 4〇wt%。 經稀釋的塗層溶液其薄膜形成力將可改善，當塗層溶 液含有下列任何一項或兩者（1 )氟基界面活性劑，其含 --^--^----ί ^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -41 - 505685 經濟部中央樣準而只工消費合作社印繁 A7 B7 五、發明説明（39) 量介於 0 · 0020 至 0 · 080wt%，及（2) —或 多種選擇自多元醇，聚伸烷基二醇及單烷醚其衍生物（此 後共同地參用 ''乙二醇基底溶劑且其含量介於 0 · 1 0至3 · 0 w t %。加入任何氟基界面活性劑及乙 二醇-基底溶劑顯示充分防止發生薄膜變模糊的效果，且 加入兩者將確保更顯著的效果。 如前所述，稀釋前可含有上列1 )之氟基界面活性劑 及乙二醇基底溶劑雨者。因此，若起始溶液（即本發明形 成導電性薄膜之組成物）含有至少任何一項上列（1 )之 氟基界面活性劑及上列（2 )之乙二醇基底溶劑，且稀釋 後其濃度在特定範圍內，即使用此稀釋的塗層溶液。然而 ，當起始溶液不含任何（1 )及（2 )或含有任何其中之 一但其稀釋後濃度低於該特定的範圍，宜於塗層溶液中加 入（1 )及（2 )中至少任何一項，以使在塗層溶液中（ 1 )及（2 )中至少任何一項之含量在特定範圍內。 含量氟基界面活性劑在稀釋的塗層溶液中較佳應介於 0 · 0025至0 · 060wt%，或更佳爲 0·0025至0·040wt%。之後乙二醇基底溶劑 含量較佳應介於0·15至2·5wt%，或更佳爲 0.50 至 2.0wt%。 由塗佈經稀釋的塗層溶液所形成的導電性薄膜下層及 矽基底上薄膜，可以用前一案例同樣方式而形成。上及下 薄膜及厚度可與上一案例相同。同樣地，矽基底微細凹-凸層可由噴佈矽先質溶液於雙層薄膜上而形成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 -42- 505685 A7 B7 _ 五、發明説明（40) 當用於形成導電性下層之本發明之塗層物質不含黏結 劑（烷氧基矽烷）時，基本上含有細金屬粉，此經由塗佈 塗層物質及乾燥而形成之透明導電性薄膜，一般而言此透 明導電性薄膜的可見光總透明度至少6 0 %。然而，由於 金屬薄膜固有的高反射性使得細金屬粉薄膜外觀看來不似 那麼透明，故不適用於CRT或顯示器單元的影像顯示器 部分。 、 針對細金屬粉薄膜導電性，經塗佈形成及乾燥後表面 經漭部中央樣率而負X消費合作社印繁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —0 電阻値不會降到低於1 X 1 0 3 Ω /□，即使不含黏結劑， 但在許多案例升高超過1X105Ω/□。當須要達成較低 的電阻以表面電阻表示最高到1 X 1 〇3Ω/□，可在至少 2 5 0 °C之溫度對微細金屬粉薄膜作熱處理。熱處理溫度 應更佳介於2 5 0至4 5 0°C。通常熱處理可在開放之空 氣中執行。然而就易於氧化之金屬而言，有時須在非氧化 氣體如惰性氣體下作熱處理。經由此熱處理，可改進介於 細金屬粉顆粒間之陽離子之傳遞性，因而改善導電性，且 如此可能降低表面電阻低於1 X 1 0 3 Ω /□或更佳至低1 X 1 0 2 Ω / □。 所形成細金屬粉薄膜適合作爲高反射率透明導電性薄 膜，用於擋風玻璃及汽車玻璃，或展示櫥窗及玻璃隔板之 裝飾。也可作爲導電性軟膏，用以製造顯示器透明電極之 導電性電路。 現在，本發明將進一步藉由實施例詳細敘述。注意這 些實施例並非用於限制本發明。在下列實施例中，除非另 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2】0X297公釐） -43- 505685 A7 B7 五、發明説明（41 ) 有其它規定，％意指重量百分比。 實施例 實施例1 實施例1涵蓋形成含有黑粉之雙層薄膜，使用含有黏 結劑之下層形成塗層物質網。 下層形成塗層物質 不含烷氧基矽烷之下層形成塗層物質，其製備係在重 量比8 0/2 0之異丙醇/2 —異一丙氧基乙醇混合溶劑 中，依表1所示之比例及其種類加入細金屬粉及黑粉，再 視需要依表1所示種類及比例加入鈦化合物，並在含有直 徑0 · 3 m m之氧化锆珠粒之油漆搖動器混合所形成之混 合物，以將此二種粉粒分散於此溶中。微細金屬粉及黑粉 在塗層物質中其一級顆粒平均尺寸0 · 1 。塗層物質 經潆部中央樣導而只工消費合作社印t 含有這兩種粉其總量介於0 · 7至3 · 2 %，其黏度介於 1.0 至 1.6cpso 用於表1之鈦化合物具有下列意義： a :異丙基三（二辛基焦磷酸鹽）鈦酸鹽； b :四（2，2 —二芳氧基甲基—1— 丁基）雙（二 -三二苯乙酮基）亞磷酸鹽鈦酸鹽； c :雙（二辛基焦磷酸鹽）氧醋酸鹽鈦酸鹽。 爲了作比較，含有以下列I T 0粉或A T 0粉取代細 -44- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐} 505685 A7 B7 五、發明説明（42) 金屬粉之塗層物質係以相似的方法製備 1丁〇粉·· Sndoping: 5mo! 。 ％， —級顆粒平均尺寸：〇 · 〇 2 // m ; A 丁 〇粉：Sn doping : 5 m ο I % ° 一級顆粒平均尺寸：〇.〇2//m。 上層形成塗層物質 矽溶膠合成係經由乙氧基矽烷（乙基矽酸鹽）水解而 得’其方法係將其在含有少量鹽酸之乙醇中於6 0 t加熱 一小時。所形成矽溶膠溶液係使用乙醇/異丙醇/丁醇以 重量比5 : 8 : 1之混合溶劑作稀釋，以製備塗層物質， 其中0 · 70%的濃度轉化爲Si〇2，且黏度爲 1 · 6 5 c p s 〇 薄膜形成方法 經漭部中央樣卑而炅Η消費合作私印繁 (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 薄膜之形成係由藉由旋轉塗佈器連續將下層形成塗層 物質及上層形成塗層物質滴下到作用物邊上，該作用物包 含鈉石灰玻璃（藍板玻璃）板，其尺寸爲1 〇 〇mmx 1 0 Ommx厚度3mm，就兩種塗層物質其條件包括滴 下用量5至l〇g，旋轉速度140至180rpm及旋 轉時間6 0至1 8 0秒。之後在開放空氣中於1 7 0 °C對 作用物加熱3 0分鐘以烘烤所塗佈之薄膜，透明黑色導電 性薄膜形成於玻璃作用物上。所形成薄膜性質評估如下。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 45- 505685 經系部中央標率而Μ工消費合作相印f Α7 Β7 五、發明説明（43) 薄膜性質評估 厚度：各層厚度由S E Μ截面量測。 表面電阻：由四探針法量測（R 0 L E S T E R A Ρ :由 Mitsubishi Petrochemical Co·，Ltd 製作） 透光度（可見光總透明度）：量測使用紀錄式分光光 度計（U— 4000 型：Hitachi Limited 製作） 混濁：以濁度計量測（H G Μ - 3 D : Suga Tester Manufacturing Co.製造） 可見光最低反射率：黑色乙烯基膠帶（No · 2 1 : Nitto Electric Co·製作）黏於玻璃作用物背面。將作用物於 溫度5 0 °C下保持3 0分鐘後形成黑色遮蔽，使用紀錄式 分光光度計量測反射光譜在可見光波長範圍1 2 °之常規 '反射，在高可見度5 0 0至6 0 0 nm反射率最低値由所 形成光譜決定，且此結果紀錄爲最低反射。 前述測試結果綜合的展示如表1。本發明實施例試驗 編號7之透明黑色導電性薄膜（含有微細A g粉及鈦黑粉 )之透射光譜及反射光譜圖示說明於圖3 A及3 B。比較 實施例試驗編號1 3之透明黑色導電性薄膜（含有I TO 粉及鈦黑粉）其透明光譜及反射光譜經圖示說明於圖4 A 及4 B 0 在本發明實施例中，如表1，即使導電性下層其厚度 寬廣範圍由約6 5至6 0 0 nm (有時大幅地偏離λ/4 )，所形成導電性薄膜其可見光最低反射率最高到1 %， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公楚） --^-------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -46- 經濟部中央樣率而货二消費合作私印製 505685 A7 B7 五、發明説明（44) 混濁最高到1 %，且可見光總透明度至少6 0 %，且其具 有絕佳之目視辨識，且具有低反射性。薄膜表面電阻在寬 範圍1 0 ° Ω / □至1 0 5 Ω / □大幅地變化，決定於細金 屬粉種類及其與黑粉之比例。也就是回應於所需的電磁波 遮蔽性質將可能改變薄膜導電性，且可得到非常低電阻的 透明黑色導電性薄膜，其中含有表面電阻1 Ο13至1 OiQ /□，充分地滿足嚴格電磁波遮蔽性質。 在使用I T 0粉作爲導電性粉之案例中，爲了對比， 即使透明度高，導電性之表示係以表面之電阻最高低達 1 0 3 Ω /□，且不能滿足就嚴格的電磁波遮蔽性質之需求 。在使用ΑΤΟ粉之案例中，表面電阻非常高可達1 06Ω /□:可賦予防止帶電的能力但未顯示出電磁波遮蔽性質 〇 本發明實施例透明黑色導電性薄膜（導電性粉爲A g 粉）之透射光譜展示如圖3 A，顯示薄膜呈粉黑，基本上 由於接觸透明度在可見光全範圍保持約6 5%。透明黑色 導電性薄膜反射光譜之比較展示如圖3 B，且比較實施例 (導電性粉爲I TO粉）反射光譜之展示如圖4 B說明了 在可見光範圍末端近4 0 0 nm及8 0 0 nm，比較實施 例之反射率較本發明實施例導電性薄膜爲低，且使用 I T 0粉之後由低反射性所帶來的可見度改進效果顯著。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) C- 訂 -47- 505685 A7B7 五、發明説明（45 ) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 最低反射率(％> 0.98 0.95 0.91 0.93 0.90 0.76 0.68 0.78 0.71 0.77 0.85 0.81 0.89 模糊 « 2 5 VO 3 2 2 2 5 2 透光 度(％) 75.5 68.8 69.5 60.8 63.3 ύ 68.8 80.5 71.8 70.1 77.8 96.8 97.0 86.7 薄膜性質 1.5 X 105 7.0 X 102 5.5 x I03 8.5 X 10Σ 1.0 X 103 X 1.3 x 105 X X X X X X X 表面電阻 (ΩΟ 薄膜厚度(run) 矽上 m - Ο - § 2 g - § - g «η 1 § (Ν Ο ο s $ 〇 - § o 低導 電下 層 wt%z 〇 1 ί ! 5 5 [ 1 i I i 1 ί 鈦化合物 種類 σί 壞 χ> m - Ο 壞 黎 m m * * m m οσ CN γΚ 2 總粉 m 黑粉 重量部分 8 v-> § 種類 TiO〇-s〇N〇.〇4 Τΐ〇0.8〇Ν〇.〇4 Τί〇0.8〇Ν〇.〇4 TiOflsoNo.04 s a TiOl.ZlNo.OS ό TiOi oiNow Magnetite Carbon black 1 m j | TiOi.osNQ.oi 溶劑平衡） 細金鼷粉 重量 部分 - - ο g m v〇 o 8 - 38 箍 S « _ m 卜 種類 a Cu-Ai5 2 Ni-Ag4 W/Ag5 Ag-Pd/ATO6 Au-Pd7 g ITO 1 :趣 糴 髌 - co OO o CS - - 分組 本發明實施例 • 比較實施例 姻如？0-次 03—3 伥宓啦.«201<次一 隹 09abov 次 1Λ0Ι>:9 伥逛啦_2!50<^ ^ fe- w a ^ 次*-·择 83:5 «<nbov^ΡΜΟΟΘ—ΪΖ:寸 姻<0&0<^ίΛνιη吋 lnu:oo 。_ 缠 w^ilaail姻里¾葙毋筚次__ : ζ 。胳揪 ανχοϊητπ-φμ^ιι溢：I ( (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -48 - 505685 經鴻部中央樣率趵货工消費合作赵印繁 A7 B7___ 五、發明説明（46) 實施例2 實施例2涵蓋其中包含含有黑粉的導電性下層的雙層 薄膜的形成，使用含有黏結劑之形成下層塗層物質。 下層形成塗層物質 此實施例細節與實施例1相同，除了將四乙氧基矽烷 (乙基矽酸鹽）加入作爲黏結劑，其轉化爲S i Ο 2比例爲 、1 0重量部分相對於1 0重量部分細金屬粉與黑粉總用量 ，且加入少量鹽酸作爲水解觸媒。 上層形成塗層物質 相同於實施例1。 薄膜形成方法 此程序與實施例1相同，除了在藉由旋轉塗料器將下 層形成塗層物質塗佈於作用物上之後，且在藉由旋轉塗料 器塗佈上層形成塗層物質之前，於開放空氣中於已塗佈已 作用物在5 0°C加熱5分鐘以完成下層之烘烤。 如此得自雙層黑色導電性微細粉之薄膜結構及測試結 果綜合地展示如表2。由表2可知，即使當形成下層之塗 層物質含有黏結劑，可得到其中含有如實施例1之類似性 質的透明黑色導電性薄膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 L# • 49 - 505685 A7 B7 明 説 明 發 sm 經濟部中央標牟而負Η消費合作相印製 薄膜性質 最低反 射率(％) 1 0.51 1 1 0.38 1 1 0.39 1 模糊 姻 透光 度(％) 61.2 60.8 x............i s 表面電阻 (Ω〇 1.8 X 103 8.6 X 102 2.0 X 103 薄膜厚度 (nm) 矽上 _ CSI oo 低導電 度下層 〇〇 VO CSI 下層形成塗層物質之組成（重量部分，溶劑平衡） 鈦化合物 wt%2 1 0.10 1 種類 壊 ο 簾 |乙基矽| 酸鹽 wt%2 1 o.liJ Γ〇.16 1 I o.io | 總粉 粒wt% %.............4 ν〇 t.............\ o r.-H 黑粉 重量部分 vrj 〇 種類 TiOo.OsNo.04 Carbon black TiOo.8oNo.04 重量部分 VT) oo 國 粜 種類 H Μ 耀 1'..............< CNJ CO 分組 本發明 實施例 长 _ 嗽 χ 〇.鋪 ο —圈( —CO囊 Η φ|ϋ 这翠領 傘驄粜 _次寂 截Ρ要 ·. g擊 Η ·.次 π (XI _ 雛 W 相 ·· 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) Α4規格（2 Η) X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 - 50 - 505685 經滴部中央樣率Λ負Η消費合作社印繁 A7 ___ __ _!_B7_五、發明説明（48 ) 實施例3 下層形成塗層物質 不含烷氧基矽烷之下層形成塗層物質，其製備係於含 有界面活性劑或聚合體分散劑之溶劑中加入細金屬粉，且 在油漆搖晃器中以直徑Q · 3 mm之氧化銷珠混合此混合 物以將細金屬粉分散於ί溶劑中。細金屬粉種類，添加劑 及此溶劑在塗層物質中用量展示如表3。細金屬粉係由膠 . I 體技術（於還原劑與保蠢膠體存在下經由反應而還原金屬 化合物）製備。一級顆粒平均尺寸也顯示於表3。添加劑 及溶劑之符號（括號內數字爲重量比）具有下列意義： A :硬脂醯三甲基氯化銨 B :十二烷基苯磺酸鈉鹽 C :聚乙烯基吡咯烷酮（K— 3 0由Kanto Kagaku Co. 製作） I ί 溶劑 1 )水/丙二醇甲塞醚/4 一羥基一 4 一甲基一2 — 戊酮（8 5 / 1 0 / 5 ) 2) 甲醇/異丙二醇（7 1/29) 3) 水/丙二醇甲基醚（98 · 5/1 · 5) 4) 乙醇/異丙二醇/丙二醇甲基一醚/4一羥基一 4 —甲基一 2 —戊酮（84/1 · 5/5/9 · 5) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )A4規格（ 210X297公釐） ! - 51' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂 i0 505685 A7 B7 五、發明説明（49 ) 5 )乙醇（1 0 0 ) 6 )水/丙二醇甲^醚（6 8/3 2) 上層形成塗層物質 乙基矽酸鹽之水解係採用與實施例1同樣之方法。反 應物矽溶膠溶液之稀釋你使用乙醇/異丙醇/丁醇之混合 溶劑，其混合重量比5丨8 : 1，從而製備塗層物質，其 、中含轉化成S i 0 2之濃度爲1 · 0 %且黏度1 · 6 5 C P S 0 薄膜形成方法 採用與實施例1同樣方式，將透明導電性薄膜由旋轉

I 塗佈法形成於玻璃作用物上，除了旋轉時間爲6 0至 1 5 0秒。所形成薄膜性質之評估如下。其結果共同顯示 於表3 〇 薄膜性質評估 經濟部中央榡率妁只Η消費合作啦印f (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 細金屬粉二級顆粒的網狀結構微孔平均面積及佔有比 :由薄膜上表面TEM無片量測。 緊密黏著性：使用橡皮擦，ER— 20由Rlion Co·製 作，裂縫狀態係在1 k # f/cm2應力下使用5 cm之衝 程於5 0次互相作用後^目視觀察。符號〇意指不含裂縫 而X表示有裂縫。 ‘丨: 可見光最低反射：可見波長範圍反射光譜量測如之前 本紙張尺度適用中國國1標準（CNS)A4規格（2丨0X297公嫠) -52 - 505685 經Μ部中央樣準M工消費合作社印f A7 B7 五、發明説明（50 ) 實施例1所述。反射率最低値（最低反射）及在4 0 ◦ n m及8 0 〇 n m之反射率値係由反射光譜測定。此結果 與最低反射率發生之波長顯示於表3。 厚度、表面電阻、透光度（可見光全透明度）及混濁 測之試方法與實施例1所示方法相同。 本發明實施例測試2中透明導電性薄膜表面T E Μ照 片顯示於圖5。其透射k譜及反射光譜分別展示如圖6Α 及6 B。比較實施例試驗編號1 1之透明導電性薄膜其表 面TEM照片顯示於圖7。其透射光譜及反射光譜分別展 示如圖8 A及8 B。 ! 在本發明實施例中，由表3可淸晰地看出，將含有一 級顆粒平均尺寸介於2至3 0 n m的細金屬粉經以分散劑 分散於溶劑中的塗層物質，可滿足特殊條件，顯示細金屬 粉的二級顆粒分散於導電性下層中，如圖5 T E Μ照片所 示，而在此網狀結構中|f彡成網狀結構及微孔。 然而，本發明透明導電性薄膜形成方法不限於這些實 施例所展示的方法，但釋膜可由任何方法形成，只要該方 法可產生類似的網狀結構。 即使細金屬粉顆粒未均勻地分散，但可形成二級顆粒 網狀結構，此薄膜顯示恤人滿意的緊密黏著性。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格< 210X297公釐） 一 53 - ---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 505685 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（51 ) it Φ 〇 〇 〇 〇| 〇 〇 〇 〇 〇 X X X X 伥 鹧 4ΜΜπ 賴賴50馨 < b〇 < Jg CL 芨 次 次驅 ^次次00链 \寸LO CD接 P \ \ 1 伥 Π | 「1 η •产1 薄膜性質 接觸 強度 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 X 〇 反射率 |800nm s 〇〇 r4 vo r4 $ o4 00 cs 〇\ CN o CO OO Os c4 cn 寸 cn vn CO |400nm 00 cn cs； 卜 CO 00 CO as CO OO wS 口 CO S v〇 M3 oa 06 Hf & g O) v〇 λ〇 as 00 CD OO 0 CO vn ON VO 0 OO 0 cn 〇 Μ 酿 波長 (nm) 安 o cs| m csr in Οί 吳 vn 泛 W^i 0 芝 wn 艺 OO CO vn to 模糊 度 (%) vq vq r^ 0 〇〇 〇 〇〇 〇 vq MD OO OO , 可見光 穿透度 (%) S r~H v〇! VO! 〇〇 g§ 00 OO ss 0 ζ1 表面電阻 (ΩΟ) 11.0 x 1021 1 5.0 X 102 1 1 3.8 X 102 1 [2.1 x 1021 4.0 X 102 1 2.2 X 103 1 4.2 X 102 8.9 X 102 14.2 x 1031 4.6 X 102 4.2 X 105 6.1 X 104 5.1 X 104 厚度(nm) 上層 00 00 00 J 〇〇 CN ON VO 00 CSI ON Os OO OO CO OO 下層 ^0 CSI t—H 0 cs 00 〇〇! Os； VO r-H csi ON s OO <N Os r-H OO VO OO 網狀結構 細孔佔 有率(％) CN cn 00 … 〇 芝 OO CO VO Os v〇 v〇 wn i 1 I 平均細孔 面積(nm2) 1 2,590 1 vr> 00 〇 cn c<t Sc I— 2,953—」 3,015 o CN 2,725 29,580 ! 26,968 〇· r—( 1 1 1 Kl· 11 溶劑 種類 s /^S N H (n G ^=7 wt% 0.005 0.002 0.004 0.005 0.005 瓶 籐 種類 1 < pq u < Primary patticle (nm) ON <N CO <N 0 OO CN CN OO <N wo s v〇 wt% v〇 vn 00 ^—4 O； CN o CN 〇 <N p CN <N 〇 CO iri r-H CS p ·· Ο PU 之 rH *· ·· ·· *· ^ (XI 00 寸 LO 鼴 Η ϋ 領 種類 < 1 I Ag/Pd1 1 1 Ag/Cu2 1 Pd/Pt3 1 1 Ni-Ag4 1 r—i ca CO 寸丨 I in ^0 OO ON 0 t—^ t—^ CN r-^ CO r»H 分組 本發 明實 施例 比較 實施 例 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝------訂---------^— ......................................... 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 54 - 經满部中央梂率而I工消費合作啦印製 505685 A7 B7 五、發明説明（52 ) 實施例4 下層形成塗層物質 不含烷氧基矽烷之ΓΤ層形成塗層物質，其製備方式與 實施例3相同。微細金-粉之種類，其在塗層物質中所用 分散劑，溶劑種類及用崑展示如表4。 所用細金屬粉係由摩體技術（於還原劑與保護膠體存 在下經由反應而還原金屬化合物）製備。在塗層物質中（ 分散的溶液）〔10%、 50%及90%累積顆粒尺寸， 使用U P A顆粒尺寸分炉儀（Nikki Equipment Mfg. Co.製 作）量測〕一級顆粒平均尺寸〔由TEM (穿透式電子顯 微鏡）量測〕及二級顆粒的尺寸分佈地顯示如表4。 表4中分散劑及溶劑之符號（括號內數字爲重量比） 具有下列意義： • | | 添加劑： i | A:硬脂醯三甲基第化銨； B :十二烷基苯磺_鈉鹽； C :聚乙烯基吡咯p酮（K—3 0由Kanto Kagaku Co· 製作） 溶劑： 1) 乙醇/甲基溶纖劑（85/15); 2) 甲醇/異基溶^劑（80/20); 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格1 2丨0X297公釐) " ^ 一 55 - (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·

、1T 505685 A7 __•一_^ ___ __J_B7^ 五、發明説明（53 ) 3)水/丁基溶纖劑（90/10); 4 )乙醇/甲醇/丁基溶纖劑（8 0/1 0/1 0 ) 5 )乙醇（1 〇 〇 ) 6)水/乙醇/丁b溶纖劑（8 0/1 0/1 0) | ' 上層形成塗層物質 塗層物質中含有S i 〇2轉化濃度0 · 7%且黏度 .1 · 65cps，係使用經由如實施例1同樣方式水解乙 基矽酸鹽所得之矽溶膠 醇/異丙醇/丁醇混合 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 溶液，並以重量比5 : 8 ·· 1之乙 溶劑稀釋而得。 薄膜形成方法 雙層透明導電性薄P以實施例3同樣方式形成於玻璃 作用物上。所形成薄膜|之性質評估如下。這些結果也顯示 於表4。 薄膜性質評估 ： 經浐部中央標率而只工消費合作社印製 下層（含細金屬粉層）與上層厚度（由下層凸出部分

算起之平均厚度），不 厚度與平均間距：於T 規則表面之凹陷及凸出部分之平均 E Μ截面量測。 緊密黏著性、表面隱阻、透光度（可見光透明度）、 混濁、及可見光反射率乏量測方式與實施例3相同。 本發明實施例中試驗編號4中透明導電性薄膜之透射 光譜及反射光譜分別展i示如圖9 Α及9 Β。比較實施例試 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 56 - 505685 A7 B7 54 經满部中央樣率M工消費合作社印f 五、發明説明（ 驗編號1 1中透明導電性薄膜之透射光譜及反射光譜分別 展示如圖1 0A及1 〇:B。 (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝.

、1T L· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -57 - 505685 A7 B7 五、發明説明（55 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 紘Φ 〇 〇 〇 〇 〇 Θ 〇 〇 〇 X X X X X 舾 #1 m 職 驩《 m m 〇 〇 〇 〇 〇 0 〇 〇 〇 〇 X X 〇 X 铄 i ii ν〇 〇4 oi CO r4 c4 v〇 CN c4 v〇 oi <N m cn cn i Ii OQ cn Ss〇 〇4 00 01 V£> CN oo c4 oo 00 01 口 εί CM vd C<1 褂 1¾ 擊 « i On oo C-; p s VO 卜· \o o cn cs o oo oo 2 1 S oo C<l 们 o oo 芝 tin s ITi C4 cn Vi^ ^r> ON W^i 妄 oo m uo 04 寒 ^ 鹅κ g oo VO oo MD oo 卜· 卜 o v〇 oo c> 卜 〇 vq cn ^ m 喊朱$ 归鳛δ S o 〇< δ oo w^i n s s V£> v〇 v〇 \〇 oo VO oo <M Eq «S X — o X oo oo o X oo vb X § X OJ cn k ri—4 f X CM oo 爸 X oo oo o X CS "〇 X p X "o X oo X oo oo 〇 X Οί ii fes a Ή it ^ 1 x> 04 oo VO oo oo g k s JQ s g g ON S i g 袋 is * ii 锻靼 S酲 ¢1 Φ CO a § oo ^r> o L· 0 r 1 s 04 oo VO o ! 1 o tn €M 泛 CO 铯《 mm « φ § oo CO cs VO cn s r—4 ί s - oo ir> CO cn S Co VO 锻侧 键ft ci φ CS oo oo CN s g oo s s 3 S f--4 璀 ^ m it II 觀 锲 靼 Kl· 凝 靼 H- m H- 靼 缠 靼 駿 w - CN' 二: (R f—4 e 蘅 m I 謹 oo 8 o | 8 O 駿 < PQ u < tK u § v〇 oo 寸 1—4 g cs g r-H .........i § § v〇 VO 04 vo oo C<J 5 Ο 1—4 04 oo Ό oo s ? s s 等 oo VO VO t-H 鼷 ο Ο v〇 CN CN V£> CS s 和 VO <M v〇 oa VO oo oo o 醭 領 m S 〇 _ .| *g B £ a vB oo CN oo i CN CN oo oo v〇 CO oo oo (N 卜· c4 5 CD o o4 s v〇 r—4 oo VO Os 〇· 駿 哀 < t < % 繼黯 緘糴 一 <N CO 寸 vb 卜 oo Os o .........4 f-H cs cn 键 Φ 總辑 柃κ w T—1 CXI 00 ^ LO 雕 擷鲰 41 Ηίι 伥伥伥 _ in <π <!□ <π <π賴賴藤口一 θ bo 口 < 幽 ^ < 卜 次次次〇丨丨 00 寸 LO Τ·Η 制\\\ I ϋβ 口 p 1¾ PL, 〇 ^ 〇, J-^ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格i( 2ίOX 297公釐） -58 - 58 505685 A7 B7 五、發明説明（Μ 由表4可知，本發明實施例中使用之塗層物質，係由 含平均一級顆粒直徑介k5至5 0 nm之細金屬粉分散於 含有分散劑之溶劑中，其聚集狀態產生二級顆粒具顆粒尺 寸分佈的大幅變化。因此，導電性下層中（例如展示如圖 2)有大量不規則性發&於介於含有細金屬粉下層及不含 細金屬粉上層的界面上|(即下層表面）。 然而，本發明透明導電性薄膜形成方法不限於這些實 施例所展示者，而雙層薄膜可由任何能在下層表面產生類 似不規則性的方法形成。 即使細金屬粉形成相對大的二級顆粒，此薄膜仍具有 令人滿意的緊密黏著性。 此實施例透明導電性薄膜展示在所有案例中其可見光 最低反射率最高到1 %，混濁最高到1 %，且可見光全透 明度至少5 5% (預期k少6 0%)，具有低反射可防止 1 外來影像進入，且有充幹的透明度而不損傷影像的目視辨 識。 在4 0 0 nm及8 0 0 nm的反射率比較値顯示反射 麫满部中央標準而Μ Η消費合作相印f (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 率之値完全或基本上在_一水準。展示如圖9 B，反射光 . | 譜在最低反射的兩端增io，展示幾乎相同曲線，僅有相對 地小程度的增加。因此，薄膜具有低反射，以及基本上無 色的反射光，且其具有Is佳之影像發光效率。此外，透射 光譜非常平且薄膜本身爲無色（展示如圖9 A)。 在比較實施例中爲了對比，當展示低的最低反射，反 射光譜在短波長部分之增加特別大，展示如圖1 〇 B :在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -59 - 經滴部中央標準>CJMX消費合作拉印繁 505685 A7 ! B7 _________I____ 五、發明説明（57 ) 4 0 0 nm之反射率高|&令在8 0 0 nm反射率的兩倍。因 此，反射光爲粉藍，造k影像的發光效率不利的效果。 j 就導電性而言，兩者透明導電性薄膜展示低電阻在 1 0 2Ω/□水準，因虐下層含有細金屬粉，使得充分地賦 予電磁波遮蔽性質。 實施例5 |

I

. I 下層形成塗層物質 | 各類型態細金屬粉Ρ水性分散溶液係由膠體技術（於 還原劑與保護膠體存在[f經由反射還原金屬化合物）製備 I · ，且細金屬粉一級顆粒尺寸係由TEM量測。 細金屬粉水性分散_液係以水稀釋，且使用螺旋漿型 態攪拌器充分地攪拌，從而得到塗層物質，其中不含黏結 劑，含有如表5展示之組成物。塗層物質中F e含量之量 測係使用IC P (高頻電漿發射分析）。所用之有機溶劑 係由主要溶劑與少量的p二醇基底溶劑所組成的混合溶劑 。然而在某些實施例中省略一種氟基界面活性劑及乙二醇 基底溶劑。

I 如表5展示氟基界to活性劑與溶劑之符號具有下列意 義:

I I. 氟基界面活性劑 丨 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝.

、1T -60 - 經濟部中央梂準而ΜΧ消費合作啦印製 505685 \ \ Β7 五、發明説明（5彩） F1 ·· t C2F i7S02N (C3H7) CH2CH20 ] 2PO2H F2: C8Fi7S02Li F3: C8Fi7S02N(C3H7)CH2C〇2K F4: C^FisCOaNa 乙二醇基底溶劑 1 )多元醇 丨 E G :乙二醇 P G :丙二醇 G :甘油 | TMG:伸丙基二醇 2)聚伸烷基二醇及衍笙物

I D E G :二乙二醇I D E G Μ ·•二乙二醇單甲基醚 DEGE:二乙二醇單乙基醚 D P GM :二丙二_單甲基醚 DPGE:二丙二醇單乙基醚 EGME :乙二醇_甲基醚 主溶劑 S1 :甲醇 10 0% 82:混合溶劑7|5%甲醇/25%乙醇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS } Α4規格丨210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ -61 - 505685 A7 B7 五 '發明説明（59€) S3:混合溶劑5 ;0 %甲醇/ 50%乙醇 薄膜形成方法 取尺寸爲100mmxl00mmx2· 8mm厚之 玻璃作用物在烘箱中預熱至4 0 °C，之後置於旋轉塗料器 ，以1 5 0 r pm之速jg旋轉，將如上製備的下層形成塗 層物質滴2 c c。之後_轉此塗料器9 0秒，將作用物再 加熱至4 0 °C，再將上層形成矽先質溶液於相同條件下旋 j 轉塗佈。接著將作用物fe烘箱中加熱至2 0 Ot：維持2 0 分鐘，從而形成雙層薄腠其中包含含有細金屬粉薄膜之下 層及含有矽基底薄膜之LL層。 I- . 用於形成上層的矽#質溶液之製備，依稀釋矽塗層溶 液 S C — 10 〇 Μ，由；Mitsubishi Material Corporation 製 作（由水解乙基矽酸鹽所得之矽溶膠，其中含有S i 〇2 轉化濃度1 · 0 0%)而達成在乙醇中S i 〇2轉化濃度 0 · 70%，且黏度爲丨1 · 65cps。 經滴部中央糯率而负η消費合作私印掣 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 所形成透明導電性»膜之切面部分經以S E Μ (掃猫 式電子顯微鏡）觀察：h定在所有案例中薄膜爲雙層薄膜 ，包含下方的細金屬粉1¾上方矽薄膜。經由S EM照片量 測之上及下層厚度，及如下執行量測之結果綜合地展示如 表 5。 j. 表面電阻：由四探_方法量測（rorester AP: Mitsubishi Phetrochemical 製作）。 可見光透朋度：透光度係藉由紀錄式分光光度計（ 本紙張尺度適ϋ國國家標準（CNSYA4規格（210X297公嫠） - ； - 62 二 505685 A7 B7 60 五、發明説明（

Model U — 4 0 0，Hitachi Limited 製作）於 5 5 Ο n m 波長量測。在5 5 0 n m量測之値顯示可見光透明度。在 (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明案例中細金屬粉I，由經實驗證實在5 5 0 nm之可 ! 見光透度幾乎符合可見^透明度。 薄膜形成力：薄膜^糊之存在如顏色變模糊，輻射條 狀及點狀均經由透明導^性薄膜外觀作目視觀察而得。將 黑色乙嫌基膠帶（N 〇:· 2 1，NittodenkoCo·製作）黏於 玻璃作用物背面，再由3 0 c m之距離作目視觀察，無薄 膜模糊記作〇，而有薄膜模糊記作X。 綜合評估，滿足所^條件的案例包括表面電阻最高到

I 1 X 1 02Ω/□，可見光全透光度至少6 0%，及薄膜形 成力標示〇者被評估爲p，且任一案例即使未滿足單一條 件仍標示爲X。 表5也展示此綜合實施例之結果2，其中細金屬粉一 級顆粒尺寸或下層形成_層物質組成物超出本發明範圍。 由表5可淸晰看出I，使用本發明下層形成之塗層物質 | 經系部中央桴準而负Η消費合作私印製 改善了薄膜形成力，且Nr防止發生薄膜模糊其可能影響細 金屬粉薄膜上的商業執照。因爲表面電阻充分地低而最高 到1 X 1 0 8 Ω /□，可以用於遮蔽電磁波，且至少6 0 %的可見光全透明度確 單元可充分地確保所需 保透明度，就CRT或其它顯示器 之影像目視辨識。 當細金屬粉含有高於2 0 nm之一級顆粒，在對比上 ，薄膜形成力較差，且_生薄膜模糊，大幅降低薄膜導電 性。細金屬粉含量小於此特定水準將導致薄膜導電性嚴重 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -63 - 505685 經濟部中央樣準而βχ消費合作it印f A7 B7 五、發明説明（61&) 的降低，且含量 及可見光透明度 在其它比較 基底溶劑之用量 且在某些案例中 圖1 1展示 示令人滿意的薄 \具不良薄膜形成 (試驗編號2 3 圖1 3說明 低反射率提示了 膜提供低反射率 高於此特定水準將導致較差的薄膜形成力 的實施 已超過 甚至對 雙層透 膜形成 力的雙 )(兩 試驗編 低反射 在幾乎 例中，氟基界面活性劑及/或乙醇 _本發明的範圍。薄膜形成力不佳 導電性有不良影響。 明導電性薄膜之光學顯微照片，展 力（試驗編號9)，且圖12展示 _透明導電性薄膜的光學顯微照片 _案例中均爲放大1 〇倍）。 4雙層薄膜反射光譜：低的最 i性。其它本發明雙層透明導電性薄 樣水準。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (讀先聞讀背面之注意事項再填寫本頁} -裝· 訂 505685 A7 B7 五、發明説明（队) 經潢部中央標率^M-T消費合作社印f I 導電性薄膜性質 1 評分 〇 〇 〇 〇 ο 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 链鲰 鼷#i m 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 表面電阻(Ω/〇) 1 9.1 X 102 | 5.2 X 102 〇 X 〇〇 7.9 X 101 2 x丨 τ—Η 1 “丨 3.0 X 102 1 5.0 X 10^ 1 6.1 X 102 1 4.9 X 102 1 1 6.8 X 102 1 4.0 X 102 6.6 x 102 6.8 x 102 2.7 X 102 可見光 穿透度 (%) CO cr5 rr^ wn in s 1 00 CO SO CO 卜 v〇 〇 CS vo 寸 CO OO 04 v〇 tn 1 厚度 1 下層 g s ,ί v〇 On OO On Os 00 ON ΓΛ S ON 上層 ON v〇 CS CO Οί OO cn cn 9 to I 導電性薄膜形成組成物 1 厂 主溶劑 1 % 1平衡1 平衡 平衡 平衡 平衡 平衡 1平衡1 平衡 1平衡1 1平衡1 平衡 平衡 平衡 平衡 種類 00 GO CO cs 00 55 OO CO 04 OO 1 乙二醇基溶劑 | % 〇 wn 0.50 0.50 0.20 1.00 0.50 0.10 2.40 1 tn S S 0 0.50 0.50 8 8 二 1 1 8 種類 0 DPGM DPGE TMG EG DEGM DEGE EG 2 Q ! j S 〇 w a 22 2 2 1 1 2 水wt% Μ CO σί 卜· f 〇 i cn vd un r·； 10.00 § $ ON 00 CO cn 寸· 1 氟基活化劑 I % [0.0070 1 0.0023 0.0022 0.0750 0.0025 -0.GO5G 0.0010 0.0040 1 0.0075 1 0.0065 | 0.0045 | | 0.0060 1 i 0.0025 0.0025 0.0047 種類 2 £ 2 E2 £ 2 £ £ 2 2 2 細金屬粉 Fe(wt%) Ο 0.0023 0.0146 0.0022 0.0009 0.0011 1 0.0030 1 0.0011 1 0.0008 1 | 0.0012 1 0.0008 0.0140 0.0142 0.0023 % 〇 〇 〇 Ο 0 ! 〇 〇 C^J i cn cn <N CO 0 Ο 0〇 CN 〇 顆粒 尺寸2 CN 〇 cn 〇〇 ιΛ oo OO <A VO ιΛ 0 CO 〇 cA 〇 CO CS cA v〇 v〇 ON v〇 oo 5 cA 種類1 2 K s s s Au/Pd (72/28) Au/Ni (36/64) Au/Cu (24/76) Ag/Pd (91/09) 試驗編 號 一 CM m 寸 1 VO 卜 00 On 0 CN cn 2 分組 S' ^ mm H ϊ Μ 3 Η扭张>廿欠5|駿_| frligi s fc 1 i^鍫长聰_召啦賴-|||111但_啦駿甶链迴^饀 (a) --„--,------ (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2iOX 297公釐} 505685 A7 B7 五、發明説明（63 經漭部中央椋準趵只Η消費合作社印製 TLD« I 導電性薄膜性質 1 評分 〇 〇 〇 〇 ol 〇 X X X X X X X X X 薄膜成 形性質 〇 〇 〇 〇 〇： 〇 X 〇 X X X X X X X 表面電 阻(Ω/ □) 6.8χ102 3.1χ 102 4.0xl02 4.5xl07 4.8xl02 6.8xl02 | 4.1xl06 | 1 1.8χ106 1 I 1.8xl06 1 2.8xl04 I 2.1xl03 I 9. lx 102 8.8xl02 1.8xl03 3.8χ103 可見光 穿透度 (%) CO VO 卜 οο wn oo Ό t-H o4 o ! R 1 r—4 f""4 CO cn v〇 OO c4 oo r—( 寸 i-H r- t—4 uS v〇 OO vd v〇 3 VO ψ-^-4 o $ 1 厚度 1 下層 〇〇 Os oo oo ό On Os OO oo CO On s ss Os IT) r—4 ON s o* 上層 ON οο Os <rs _! v〇 cs 卜 m CN CM CM OO [ : 導電性薄膜形成組成物 1 1 主溶劑 1 % 鞋 靼 Η- 鞋 平衡 平衡 平衡 Ite 鄉 1平衡1 |平衡| |平衡| |平衡| 平衡 種類 CO οο CO 〇〇 . CO I 00 CO C/5 (N tn CO CO cn 00 CO 00 CN C/3 ΏΙ ΩΙ 1乙二醇基溶劑1 S 1 o o 8 —· 3 1 8 r-3 沄 O 8 8 一· Ol g o § o SI 種類 J O o ο- ω o cu s o w 〇 2 2 1 1 DPGM I I DEGE I a ο m Q 2 g CO 〇s 寸· vr> t—^ 5 i in IQ 8 1 lo.oo I 卜· vn ¥ VQ 寸· VQ 寸· to vn — 丨氟基活化劑1 % 1 0.0048 0.0110 0.0050 0.0050 0.0050 i 0.0130 | | 0.0030 1 I 0.0130 I Ol I 0.0015 I 1 0.0015 I | 0.0850 I 0.0050 0.0050 種類 1 S e S e S 2 s 2 丨丨 ε 2 ε 2 細金屬粉 1 Fe(wt%) 0.0021 0.0022 0.0013 0.0008 0.0007 0.0008 | 0.0025 1 | 0.0030 1 I 0.0025 I | 0.0012 I 1 0.0028 I I 0.0026 I 0.0025 0.0025 0.0028 S Ο a o oo cJ 3 ： CO o 〇〇| CO o 〇 ο Ο 〇 Ο 〇 顆粒 尺寸2 Γ^ cA o CO o cA CO c〇 SI oo m v〇 04 cA ο cn cA o cA ο cn o ro 種類1 Ag/Pd (82/18) Ag/Pd (82/18) Ag/Ru (83/17) Ag/Ru (83/17) Ag/Ru o Ag/Rh (84/16) Si Ag/Pd (91/09) Ag/Pd (91/09) Ag/Ru (83/17) 疆 鸛IS v〇 OO Os ' c<t (Si CO a 分組 本發明 實施例 比較實 施例 旮_靼sfcl i^迄长職_丑啦1了|1|111但^啦鹧甶链擊飘鐽：1(坦) (諸先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,ιτ ·—^ι· .!*Γ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格{ 210X297公釐） -66 - 505685 A7 B7 五、發明説明（64 實施例6 含有依實 用物，經預熱 矽酸鹽溶液， /異丙醇/丁 佈之作用物烘 試驗編號 圖1 4。比較 形成含有微細 圍（最高到4 施例5形 至 6 CTC 其混合溶 醇/ 0 · 烤十分鐘 1 4的雙 圖1 3及 不規則性 0 n m ) 成之雙層透明導電性薄膜之玻璃作 於薄膜表面噴佈0·5%的乙基 劑爲重量比5/2 / 1/1之乙醇 乜51^硝酸。於16 0^：將此已噴 ； 〇 層薄膜於噴佈後之反射光譜展示於 4，建議以噴佈法於雙層薄膜上 W，導致反射率在可見光短波長範 大幅降低，造成較平的反射光譜。 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例7 試驗編號3 7 1 4及1 7之細金屬粉薄膜採用與 | 實施例5同樣方式，在k璃作用物上形成單層薄膜，且在 • ; · . 開放空氣下加熱至3 〇 bt作十分鐘預熱。這些細金屬粉 薄膜於熱處理之前及之後的表面電阻量測結果如下。這些 結果建議熱處理造成較低的電阻，改善導電性。 ,#濟部中央标準而只Η消費合作私印掣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 67 - 505685 A7 B7 五、發明説明（65 表6 試驗編號 Kind of metal

Surface resistance ( Ω / □) Before heat After heat treatment treatment 3 7 14 17

Ag Ru Ag/Pd(91 (9)

Ag/Ru(83/!17) 8.9 x 106 1.2 X 107 9.5 X 105 8.1 X 106 5.2 X 101 6.1 X 101 2.7 X 101 3.8 X 101 (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例8 經濟部中央標率趵負Η消費告作社印製 下層形成塗 各類型 還原劑與保 備，且使用 高到7 · 0 虹級顆粒尺 含有如 之製備，是 機溶劑及/ 成分散介質 表7中

m S / c m 寸係以T E 層物質 態細金屬粉的水性分散溶液係由 護膠體存在ff經由反應而還原金 離心分離/g斥方法除鹽以使分 的導電性。在分散溶 Μ量測。 表7所示混合物且不含黏結劑的 在細金屬粉水性分散溶液加入保 或純水，並&分地攪拌此溶液。 之Ρ Η及導電性量測結果顯示於 保護劑及有機溶劑符號具有下列 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格210X297公釐） 膠體技術（於 屬化合物）製 散介質具有最 液中細金屬粉 塗層起始溶液 護劑及/或有 塗層物質所形 圖7。 意義： 鳑满部中央標準而！Η消費合作私印製 505685 A7 B7 五、發明説明（6B ) 保護劑 1)隱匿劑 i C A :檸檬酸 !

I 2 )陰離子界面活性劑i S D :十二烷基苯磺酸鈉鹽 Ο N :油酸鈉 | 3) 非離子界面活性劑 PN :聚乙二醇一kp —壬基苯基醚 PL:聚乙二醇一單月桂酸鹽 1 4) 氟基界面活性劑 | FI ： [ C8Fi7S02N(C^H7) CH2CH20] 2PO2H F2: C8F17S03Li F3 : C8F17S02N (C2H7) CH2C02K F4 ： C7F15C02Na 有機溶劑 1 )單羥酒精（容許値鼻高到4 0% ) 本紙張尺度趟用中國國家標準（€呢）八4規格|2〗0父297公釐) (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-69 - 505685 A7 B7 五、發明説明（67 ) M e Ο Η ··甲醇 Ε至Η :乙醇 L：醇及其衍生物（容許値最高到 (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2)多元醇或聚伸烷基 3 0%) E G :乙二醇 P G :丙二醇 G :甘油 丨 TMG:伸丙基二^ D £ G :二乙二醇 i DEGM :二乙二醇單甲基醚 EDGE:二乙二醇單乙基醚 DPGM:二丙二^單甲基醚 D P G E :二丙二_單乙基醚 EGME :乙二醇單甲基醚 3 )其它溶劑（容許値^高到1 5%) ] 經潢部中央樣率工消費合作ί±印t T G :硫乙二醇 丨 . | 丁 G R : α —硫甘油 I. . DMS:二甲基亞_ 薄膜形成方法 塗層溶液之製備，te將前述塗層起始溶液以有機溶劑 稀釋而使微細金屬粉濃 度達到0 ·: 30%，並以螺旋槳攪 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格 (210X297公釐） 505685 A7 B7 經濟部中央梂準而Μ工消費合作社印策 五、發明説明（68 拌器充分地攪拌。用於稀釋之有機溶劑，其中包含甲醇及 乙醇以重量比5 0/5 |〇混合之混合溶劑，且含有相對於

I 溶劑的1 0 0重量部分b〇 · 5重量部分之丙二醇（乙二 醇基底溶劑），及高於|〇· 005重量部分的以F2表示 之氟基界面活性劑。| 以有機溶劑稀釋備塗層溶液）係執行於（1 )製 備塗層起始溶液的當天第一天），（2)第十三天，及 (3 )第四十五天。塗層起始溶液之儲存係緊塞燒瓶並靜 置於室溫下（1 5至2丨0 t：) ί 含有細金屬粉且由声釋製備之塗層溶液，須在攪拌後 立即塗佈使用。薄膜之形成係採與實施例5同樣方式，從 而在玻璃作用物上形成te含含有細金屬粉薄膜的下層及矽 基底上層之雙層薄膜。i 所形成透明導電性薄膜之截面係以S E Μ (掃瞄式電 子顯微鏡）觀察：在所有案例中，薄膜爲包含下層細金屬 粉及上層矽薄膜之雙層簿膜。此雙層薄膜性質之評估如實 施例5。此結果也顯示於表7。 針對塗層起始溶液#釋前的儲存安定性，滿足所有條 件的案例包括表面電阻f高到1X103Ω/□，可見全光 透明度至少6 0 %，且#膜形成力標示〇係評估爲〇（穩 定且可用的），且即使未滿足這些條件中任一單項之案例 即評估爲X(不穩定，&可用的）。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝- ,11 505685 A7 B7 五、發明説明（69 -) 經Μ部中央標準工消費合作社印製 貯存安定性 OO X 〇〇〇 〇〇〇 οοο OO x - 〇〇、 〇〇〇 OO X ooo OOO OO X OO X OO X ooo OOO | 薄膜性質 1 薄膜形成性質 〇〇〇 〇〇〇 〇〇〇 〇〇〇 〇〇〇 OOD 〇〇〇 〇〇〇 ooo 〇〇〇 oo x OO x OO X ooo ooo 表面電阻 (Ω〇 Ο Ο 〇 7 7 7 —；〇〇—； Ο Ο 〇 v〇 〇〇 〇〇 so ο "ο ο X CN ο 〇〇 οοο 0 o o XXX 一 m 01 'O 8.6x10J 7.2x10! 1 5.3x102 1 00¾ ^ XXX cs cs es o o XXX v〇 CO On ooo GO <30 ooo *X X X ri cn —^ co r4 o o *〇 5 2 S ^ o o S 5 s ooo 0 0¾ 可見光穿透度 (%) 62.5 63.3 54.0 75.5 68.8 67.2 72.0 75.0 71.1 76.6 72.1 70.8 71.1 70.8 55.7 65.5 63.6 76.3 70.8 71.1 67.5 63.0 61.0 73.3 73.6 63.0 72.3 64.5 66.9 一 〇 一 63.3 61.1 62.2 61.8 62.3 72.3 | 80.2 1 76.5 73.2 ! 76.8 I 68.2 70.6 液體貯存天數 一㈡ ^ 〇 !ρ 一矣！$ -^ ^ -^ ^ -袞：$ -^ ^ 一沄5? i n- § N 越 齡 m m 導霉度 呀· OH (N v〇 Cl 〇〇 o 〇\ OO cs - $ w-> 2 .丨 vd CO vd v〇 νί cn m vd 2 OO ΙΤΪ I 有機導電度 1 I 5 ο § S • p 〇 ro p p | w “ ΐ § 20.0 10.0 3.0 • p p 2 § § 1 種類 I 〇 EGME DMS MeOH DPGE • DEGM DPGM DEG TGR MeOH EtOH DEGE s 〇 TMG S I 保護劑 1 0.098 0.020 0.854 0.285 • 0.255 0.095 0.032 0.210 0.153 0.101 0.074 g d 0.256 0.050 0.295 0.685 0.050 1 0.088 i I 種類 | S 2 < < 5 si § g S £ § u ε < 細金靥顆粒 _I S 00 Ό\ 8 cn ° ; § O； § 1 g I顆粒尺寸2 I rj cn Ο «Λ 5 | o en o Λ 〇 eA C4 cA v〇 VO ON OO 5 S 種類1 1 2 £ S. Au/Pd 72/28 Au/Ni 36/64 Au/Cu 24/76 1 Ag/Pd 91/09 Ag/Pd 82/18 試驗編號 - cs v〇 卜 00 〇s o = Cj cn 2 一 ! 分組 本發明實施例 1 ； ； . .护欠起雔鹚1SW1: (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、1Τ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -72 - 505685 A7 B7 五、發明説明（7〇 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 貯存安定性 〇〇〇 〇〇〇 〇〇〇 ooq 〇〇〇 〇X 〇X 〇X 〇X X X X 〇x 〇X 薄膜形成性 質 〇〇〇 〇〇〇 〇〇〇 j ooc^ I 〇〇〇 〇X 〇X 〇X 〇X X X X 〇X 〇X 1 薄膜性質 表面電阻 (Ω/口） ^ Ο 〇 XXX 〇 Os f—j 〇4 cn 'Ο O ·〇 S S 4 vd 〇d ιΗ 7.5xl02 6,8xl03 8.9xl02 o ^ H S1 od H ^ 〇 〇 XXX oo oo in oo \〇 o o 2 4 vd —f "o 4 Ά (N ΓΟ H 4 cn v〇 8.9xl02 1.2xl07 I 7.2χ102 I 8.8χ102 7.8χ102 o o %%· 3.5χ102 | 8.2xl02 可見光穿透 度 (%) 7B.B 73.2 72.2 76.2 70.6 71.5 CN N 04 P ^ S —OO 04 <N c5 CN r-卜卜 62.2 53.5 78.3 61.2 76.8 58.8 63.3 49.2 VO OO s 2 OO 1—f 76.8 [ 69.6 液體貯存关 數 -R ^ ! -R s -R -R -^ -R ^ . — -安 痤 运 链 m 鞭 m 賴 導電度| J CO cn CM cn vq p 00 cn 3 SI <N VO 二· vd s S v〇 VD cs vd as un 2 卜 i vd ! ! 〇〇 CM v〇 a vd <N vd v〇 as (N vD v〇 SI 1 有機導電度 I % | | • P 2 ! 〇 〇 S o tr； CM • P P| o w —寸I II SI §|si • 種類 2 2 * s o MeOH * MeOH EtOH S g DMS TG TGR . 1 保護劑 1 % • 0.122 0.156 0.064 0.185 0.015 0.920 0.310 OO 〇 s s o o 1 0.050 1 0.710 0.710 0.710 0.181 i 種類 § 〇 ! CO ; < < < g s s < < < § 1 細金屬顆粒 % s? iA s v〇 CN v〇 § s CO 12.00 〇 CO S o v〇 8 vd s 顆粒尺寸2 CO cA 〇 cA 〇 cn cA | c〇 oo 〇 cA cn CN cA CN cA o o CO o cn 〇 ΓΟ 種類1 Ag/Pd 82/18 Ag/Ru 83/17 Ag/Ru 83/17 Ag/Ru 74/26 Ag/Rh 84/16 s Ag/Pd 91/09 Ag/Pd 91/09 Ag/Pd | 91/09 Ag/Ru j 83/17 試驗編 號 S 1 __L 3 CM cs 3 1 OS ] CN ^ 你/-么 分組 本發明實施 例 比較實施例 >聃忒这画鍵盔鎚恃W#皿郷农紘张 。廿^越鼴鹚丨^3^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 73 505685 A7 _____ '_l· B7___

五、發明説明（71 J 由表7可知，即使於稀釋前在細金屬粉高濃度之下，

本發明塗層起始溶液具有絕佳之儲存安定性。儲存至少 3 0天後，薄膜形成力保持在令人滿意的水準。經稀釋塗 佈後，可形成透明導電性薄膜，表面電阻値最高到1 X 1 02Ω/□可充分地雖蔽電磁波，且高透明度典型地以高 可見光全透明度至少6 0%表示，且不造成薄膜模糊而影 響商業値。 I 當微細金屬粉一級_粒尺寸，稀釋前的的塗層物質組 成物，塗層物質分散介寶之導電性及Ρ Η値任何一項超出 本發明範圍，在對比上〃薄膜形成力即使在一開始即不充 分的，造成發生薄膜模_或較低的儲存安定性，導致儲存 30天後薄膜模糊。| 圖1 5爲光學顯微照片，展示雙層透明導電性薄膜外

I 觀，其形成係使用如前所述試驗編號1 4之塗層起始溶液 儲存4 5天，保持良好的薄膜形成力。圖1 6展示一案 例的類似光學顯微照片 該案例使用試驗編號2 2之塗層 起始溶液儲存3 0天，#薄膜形成力不佳（在所有案例中 . I . 經濟部中央桴率>CJM Η消費合作社印f (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 均爲放大1 0倍）。i

I 圖1 7說明雙層透明導電性薄膜之反射光譜，其形成 係如前所述使用試驗編號1 4之塗層起始溶液儲存4 5天 。建議薄膜具有低反射|，造成反射性。其它雙層薄膜也提 i 供相同水準的低反射性|。 本紙張尺度適^中國國家標準（€奶）六4規格12〗0><297公釐 505685 五、發明説明（ 實施例9 如實施 作用物經預 佈於薄膜表 醇/異丙醇 於 1 6 0 t： 試驗編 :如圖1 8。 形成微細不 4 0 〇 n m A7 B7 例8中形成的含有雙層透明導電性薄膜的玻璃 取0 · 5%的乙基矽酸鹽溶液噴 5/2/1/1 的乙 溶劑。將此噴佈薄膜

熱至6 (KC 面二秒，其溶劑爲重量比 //0 · 5N硝酸之混合 烘烤十分鐘I。 號14之噴p後雙層薄膜 比較圖1 701 8顯示以 規則性，導在可見光短 )之反射率六幅降低，且 的反射光譜圖示說明 噴佈法在雙層薄膜上 波長範圍（最高到 造成平的反射光譜。 經承部中央樣率而爲X消費合作41印f 實施例1 ο I ' ; 在實施例8中試驗_號4的塗層起始溶液中，加入展 示如表8所示容許値最細到2 % w t的一項其它有機溶劑 ，其添加量爲2% (本發明）或4% (比較的實施例）。 充分地攪拌此混合物，Μ室溫下（1 5至2 0°C)儲存， t 且以目視觀察紀錄發生聚集的天數。表8展示有機溶劑種 類，發生聚集前的儲存^數，以及聚集狀態。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-75 - 505685 五、 表8 發明説明（73 ) A7 B7 試驗 編號 添加有機溶劑 種類 1) i集前之天數及聚集狀m 添加量：2.0wt% 添加量：4.0wt% 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 2) 1- 丙醇 2- 丙醇 1- 丁醇 2- 丁醇 異丁醇 Tert_ 丁醇 1-癸醇 三氟乙醇 苯甲基醇 α ®品油 rrsitNUsnsnsnsristisrisiis 9999922222 4444444444 色色色色色色色色色色 變變變變變變變變變變 离离离 分分分 色色色色澱澱澱全全全 變變變變沈沈沈完完完 nsnsnsnsnsnsnsiisnsiis 1X 11 11 11 11 11 1X 11 11 11 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2-乙氧基乙醇 i 2-異丙氧基乙醇 i 2-η·丁氧基乙醇 ! 1- 異-丁氧基乙醇 丨 2- tert-丁氧基乙醇 1-甲氧基-2-丙醇 | 1- 乙氧基-2-丙醇 丨 2- (異戊基氧）丙醇 2-(2-丁氧基乙氧基）乙醇 糠醇 四氫糠醇 四氫呋喃 nsnsnsiTsrisfisiisnsrtsnsnsns 9 9 9 9 95555555 444443333333 色色色色色色色澱色色澱澱 變變變變變變變沈變變沈沈 nsrrsnsnsnsrtsftsrtsnsiisrfs Ίχ ΊΧ ix ΙΑ lx lx 11 ix 2 2 2 2 22221111 經濟部中央標準而只工消費合作ii印製 23 3) 2-氣基 ekunol 24 2-二甲基氨基乙醇 25 2-二甲基氨基乙醇 26 二乙醇胺 27 二乙基胺 28 三乙基胺 29 丙胺 30 異丙胺 31 二丙胺 32 二異丙胺 33 丁胺 34 異丁胺 35 Sec-丁胺 36 二丁胺 37 二異丁胺 38 三丁胺 39 甲醯胺 40 N-甲基甲醯胺 41 N，N-二甲基甲醯胺 42 乙醯胺 43 N，N-二甲基乙醯胺 44 N-甲基-2-吡咯烷 nsnsnsrtsiT\ns!isnsnsnsnsns}isnsnsnsnsnsnsrisnsnN 33336669996666 6 6 333399 6 6 6 6 5 5 5 4 445555 55666644 色色色色色色色色色色色色色色色色色色色色色色 變變變變變變變變變變變變變變變變變變變變變變 8888881111114444888811 2 2 2 2 2 2 2 222221111222222 離離離離 分分分分 色色色色色色色色全全全全 變變變變變變變變完完完 色色色色色色澱澱澱色色色色色色色色色色色色色 完|變變變變變變沈沈沈變變變變變變變變變變變變變 (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝- 訂 1 )單羥醇 2) 醚或醚醇 3) 氮天含有有機溶劑化合物 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格< 210X297公釐） 505685 A7 B7 五、發明説明（74 ) 表8 — 2 試驗 其它添加有機溶劑 聚集前之天數及聚集狀態 編號 種類 名稱 丨 添力D量:2.0w%t 添加量:4.0wt% 45 4) 苯 49天沈澱 21天沈澱 46 甲苯 i 49天沈澱 21天沈澱 47 二甲苯 1 49天沈澱 21天沈澱 48 環己院 | 56天沈澱 28天沈澱 49 5) 丙酮 77天變色 28天變色 50 甲基乙基酮 49天沈澱 21天沈澱 51 異氟爾酮 1 49天沈澱 21天沈澱 52 乙醯苯 1 ί 35天沈澱 14天沈澱 53 4-羥基-4-甲基-2-戊酮 56天變色 21天變色 54 乙醯丙酮 49天沈澱 21天沈澱 55 6) 乙基醋酸鹽 35天沈澱 14天沈澱 (註解） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝- 訂 MM部中央榡準>KJM工消費合作私印製 4)碳氫化合物 5 )酮 6 )醚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 505685 A7 B7 五、發明説明（75 由 少一個 狀態。 集。由 所容許 4 %添 ，該嚴 就 形成導 所得結 表8可淸 月不會發 另方面， 相同溶劑 之天數高 加量之案 重的聚集 使用實施 電性薄膜 果展示如 晰看出 生聚集 溶劑加 比較顯示 | 於加入k 例中，就 未發生_ 例8之實 之組成物 表8 〇丨 入 在此案 且細金 量增至 ，就大 %所容 某些溶 2 %添 驗編號 ，執行 例中加入此溶劑2 %，至 屬粉儲存在穩定的分散的 4 %導致二到四週後即聚 部分溶劑而言，加入2 % 許之天數之兩倍。在使用 劑而言聚集導致完全分離 加量之案例中。 9，1 0，1 4 及 1 7 之 相同的儲存安定性測試， (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 發明雙層結構的透明導電性薄膜體 屬粉二維網狀結構； 發明透明導電性薄膜體系中部分的 經*部中央#率ΛΜ工消費合作社印繁 圖式簡要說明 圖1爲圖示說明本 系中，在下層中之細金 圖2爲圖例說明本 雙層結構； 圖3 A及3 B各爲_發明在一體系中製備之透明粉黑 導電性薄膜的透射光譜^反射光譜； 圖4 A及4 B各爲_前述體系中作爲比較的透明粉黑 導電性薄膜的透射光譜反射光譜； 圖5爲另一體系中本發明製備的透明導電性薄膜的 E T Μ照片； 圖6 Α及6 Β各爲前述另一體系中本發明製備的透明 導電性薄膜的透射光譜及反射光譜； 本紙張尺度適用中國國家標準（〇抓）厶4規格|(210><297公釐） 505685 經满部中央樣率而Μ工消費合作社印t I A7 I B7 五、發明説明（76 ) 丨 | 圖7爲前述另一體k中比較而製備的透明導電性薄膜 . .!.... . 的Τ E Μ照片； i 圖8 A及8 B各爲_前述作爲比較的透明導電性薄膜 的透射光譜及反射光譜； 圖9 A及9 B各爲在前述另一體系中本發明製備的透 明導電性薄膜的透射光譜及反射光譜； 圖1 0 A及1 0 B各爲在前述另一體系中爲比較而製 備透明導電性薄膜的透射光譜及反射光譜； 圖1 1係顯示另一髗系中本發明製備的透明導電性薄 | 膜外觀的光學顯微照片I; 圖1 2係顯示另一^系中爲比較而製備的透明導電性 薄膜外觀的光學顯微照; 圖1 3爲前述另一_系中本發明製備的透明導電性薄 膜的反射光譜； 圖1 4爲矽基底微神凹-凸層薄膜之反射光譜，其係 其成於圖1 3所示透明#電性薄膜之上； 圖15係顯示另一^系中本發明製備物外觀的光學顯 j 微照片； | 圖16係顯示另一#系中爲比較而製備的透明導電性 薄膜外觀的光學顯微照片； 圖1 7爲前述另一稗系中本發明製備的透明導電性薄

I |

膜的反射光譜；且 I 圖1 8爲矽基底微細凹-凸層薄膜之反射光譜，其係 其成於圖17所示透明_電性薄膜之上。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格< 210X297公釐） l!f (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、ΐΤ

Claims (1)

1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5056& A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第87109412號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國91年8月26日修正 1 . 一種用以形成透明黑色導電性薄膜之組成物，包 含有機液態載劑及膠態金屬及黑粉’係分散於該載劑中’ 其中該載劑爲選自醇、酮、醚、胺及烴類中之一或多者， 該膠態金屬含有微細金屬粉，選自F e、C 〇、N i、 Cr、W、Al、 In、Zn、Pd、Sb、Bi、S n 、Ce、Cd、Pd、Cu、Rh、Pt、Ag 及 Au 中 ，及/或這些金屬之合金，及/或這些金屬及/或合金之 混合物中之一或多者·，且黑粉爲導電性或非導電性，並且 有最高Ο · 1 // m之一級顆粒平均尺寸，且其中該微細金 屬粉相對於組成物總量而言爲2 · 0至1 0 . 0 w t %， 而微細金屬對黑粉之比例以重量計爲5 : 9 5至9 7 :‘ 3 〇 2 ·如申請專利範圍第1項之組成物，其中該組成物 進一步含有一或多種鈦化合物，其係選自烷氧基鈦、該烷 氧基鈦之局部水解產物、及鈦偶合劑中，其含量爲〇 · 1 至5 w t % (相對於膠態金屬與黑粉總用量）。 3 . —種用以形成導電性薄膜之組成物，包含有機液 .態載劑其中該載劑含有1至3 0 w t %丙二醇甲基醚，1 至3 0wt%異丙二醇，及1至i〇wt% 4 —羥基一 4一甲基—2 一戊酮中之一或多種，以及有一級顆粒平均 尺寸爲2至3 0 n m的膠態金屬分散於該載劑中。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） 销_ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 505685 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 . 一種用以形成導電性薄膜之組成物，包含有機液 態載劑，以及有一級顆粒平均尺寸爲5至5 0 n. m的膠態 金屬分散於該載劑中；其中該載劑爲選自醇、酮、.醚、胺 及烴類中之一或多者，該膠態金屬含有微細金屬粉，選自 Fe、Co、Ni、Cr、W、Al、In、Zn、Pd 、Sb、Bi、Sn、Ce、Cd、Pd、Cu、Rh、 Pt、Ag及Au中，及/或這些金屬之合金，及/或這 些金屬及/或合金之混合物中之一或多者，該微細金屬粉 相對於組成物總量而言爲2 . 0至1 0 · 0 w t % ;且該 膠態金屬經附聚作用形成二級顆粒，其中顆粒尺寸分佈爲 1 0%累積顆粒尺寸‘最高到6 0 nm，5 0%累積顆粒尺 寸爲5 0至15 0 nm，及9 0%累積顆粒尺寸爲8 0至 5 0 0 n m 〇 5 ·如申請專利範圍第3或4項之組成物，其中該組 成物進一步含有一或多種選擇自鈦酸鹽-基底偶合劑及鋁 -基底偶合劑中之偶合劑。 6 ·如申請專利範圍第1、2、3或4項之組成物， 其中組成物進一步含有黏結劑，其係選擇自烷氧基矽烷及 其水解產物，及一有機樹脂。 7 ·如申請專利範圍第5項之組成物，其中組成物進 一步含有黏結劑，其係選擇自烷氧基矽烷及其水解產物， 及一有機樹脂。 8 ·如申請專利範圍第1、2、3或4項之組成物， 其中組成物不含如申請專利範圍第6項中所述之黏著劑。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 2 _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

   505685 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 9 ·如申請專利範圍第5項之組成物，其中組成物不 含如申請專利範圍第6項中所述之黏著劑。 1 0 · —種用以形成導電性薄膜之組成物，包含額外 含有水之有機載劑，以及膠態金屬分散於該載劑中，其中 該載劑爲選自醇、酮、醚、胺及烴類中之一或多者，該膠 態金屬含有微細金屬粉，選自F e、C 〇、N i、c !·、 W、A1、In、Zn、Pd、Sb、Bi、Sn、Ce 、Cd、Pd、Cu、Rh、Pt、Ag 及 Au 中，及 / 或這些金屬之合金，及/或這些金屬及/或合金之混合物 中之一或多者，且該膠態金屬具有一級顆粒平均尺寸最高 到2〇nm，其含量爲〇·20至0·50wt%，其中 該載劑含有（1)用量爲〇 · 0020至0 · 080 w t %的含有全氟基團的界面活性劑及/或（2 )總量爲 0·10至3·〇wt%的多元醇，聚伸烷基二醇及/或 其單院醚衍生物。 1 1 · 一種用以形成導電性薄膜之組成物，其具有絕 佳儲存安定性，包含額外含有水之液態載劑及分散在該載 劑中之膠態金屬，其中該載劑爲選自醇、酮、醚、胺及煃 類中之一或多者，該膠態金屬含有選自F e、C 〇、N i 、Cr、W、Al、In、Zn、Pd、Sb、Bi、 Sn、Ce、Cd、Pd、Cu、Rh、Pt、Ag 及 A u中，及/或這些金屬之合金，及/或這些金屬及/或 合金之混合物中之一或多者，該金屬具有一級顆粒尺寸最 高到20nm，且含量爲2·0至10.Owt%，且其 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 絲- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） 3- 505685 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 中該組成物具有導電性最高到7 · 0 m S / c m，且p Η 爲3·8至9·〇且使用溶劑作稀釋。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之組成物，其中組成 物進一步含有甲醇/及或乙醇，其總量最高到4 0w t % ο 1 3 ·如申請專利範圍第1 1或1 2項之用以形成導 電性薄膜之組成物，其中組成物進一步含有（1 )多元醇 ，及（2)—或多種選自聚伸烷基二醇與單烷醚其衍生物 中者，其總量最高到3 0 w t %。 - 1 4 ·如申請專利範圍第1 1或1 2項之組成物，該 組成物進一步含有至一或多種選自乙二醇甲基醚、硫乙二 醇、t —硫乙醇與二甲基亞硕中者，其總量最高到1 5 w t % 〇 1 5 ·如申請專利範圍第1 1或1 2項之組成物，該 組成物進一步含有一或多種有機溶劑，其總量最高到2 w t % 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 6 ·如申請專利範圍第1 0或1 1項之組成物，其 中膠態金屬包含一或多種金屬，係選自Fe、 Co、 Ni 、Cr、W、Al、In、Zn、Pb、Sb、Bi、 Si、Ce、Cd、Pd、Cu、Rh、Ru、Pt、 Ag與Au及這些金屬的合金中。 i 7 .如申請專利範圍第1 6項之組成物，其中該金 屬係選自Ni、 Cu、 Pd、 Rh、 Ru、 Pt、 Ag及 A u中。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） ~ " 505685 8888 ABCD 、申請專利範圍 1 8 .如申請專利範圍第1 0或1 1項之組成物，其 中膠態金屬包含非F e金屬，且該組成物含有F. e作爲雜 質，其含量爲0·0020至0.〇15wt%。 1 9 . 一種由如申請專利範圍第1、3、4、1 0與 1 1項中任一項之組成物製成之項透明導電性薄膜，其具 有低反射率及電磁波遮蔽性質，包含一層下層，含有微細 金屬粉於以二氧化矽爲主之基質中，該下層係位於一透明 基板表面上，其中微細金屬粉包含一或多種金屬，其係選 自 Fe、Co、Ni、Cr、W、Al、In、Zn.、 Pd、 Sb、Bi、 Sn、Ce、 Cd、Pd、Cu、 請 先 閲 面 之 注 I 旁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 訂 Rh、Pt、Ag 及 Au 中 /或這些金屬及/或合金之 2 0 .如申請專利範圍 其中金屬係選自N i人W、 Cu、Rh、Ru、Pt、 2 1 .如申請專利範圍 膜，其中透明基板係選自C 器及液晶顯示器。 2 2 .如申請專利範圍 明黑色導電性薄膜，其中該 其下層矽基底基材中除了微 2 3 .如申請專利範圍 膜，其中黑粉爲鈦黑。 2 4 .如申請專利範圍 ，及/或這些金屬之合金，及 混合物。 第1 9項之透明導電性薄膜， In、Zn、Sn、Pd、 A g、B i 及 A u 中。 第1 9項之透明黑色導電性薄 R T，電漿顯示器，E L顯示 第1 9至2 1項中任一項之透 薄膜進一步具有高對比性質， 細金屬粉，進一步含有黑粉。 第2 2項之透明黑色導電性薄 第2 2項之透明黑色導電性薄 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 505685 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 膜，其中微細金屬粉之含量，相對於微細金屬粉與黑粉總 用量爲5至97wt%。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 5 ·如申請專利範圍第1 9至2 1項中任一項之透 明導電性薄膜，其中在該下層中，該微細金屬粉二級顆粒 分散而形成二級網狀結構，其中含有微孔但其中不含有該 微細金屬粉。 2 6 ·如申請專利範圍第2 5項之透明導電性薄膜， 其中網狀結構中微孔具有平均面積爲2，5 0 0至 3 0，0 0 0 n m 2，且該微孔面積相當於薄膜面積的3 0 至 7 0 %。 2 7 .如申請專利範圍第1 9至2 1項中任一項之透 明導電性薄膜，其中該下層具有不規則表面；於下層凸出 部分平均薄膜厚度爲5 0至1 5 0 n m ;凹陷部分薄膜厚 度爲凸出部分之5 0至8 5 % ;且該凸出部分平均間距爲 2 0 至 3 0 0 n m。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 8 . —種形成不含黏著劑之透明導電性薄膜的方法 ，其步驟包括將如申請專利範圍第1 0至1 8項中任一項 之組成物塗覆在透明基板上，乾燥所形成之經塗覆薄膜， 且在高於或等於2 5 0 °C之溫度對已乾燥之透明導電性薄 膜作熱處理。 2 9 . —種形成透明導電性薄膜的方法，其步驟包括 將如申請專利範圍第6或7項之組成物塗覆在透明基板上 ，乾燥所形成之經塗覆薄膜，且在高於或等於2 5 0 t之 溫度對已乾燥之透明導電性薄膜作熱處理。 本紙張又度適财關家鱗（CNS ) Α4· ( 21GX297公釐) Γβ - 505685 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 0 ·如申請專利範圍第2 8項之方法，其中該方法 之步驟包括進一步在.雙層型態透明導電性薄膜上由藉由噴 佈方法形成以二氧化矽爲主之微細凹凸層。 31·—種形成具有低反射之雙層型態透明導電性薄 膜的方法，其步驟包括將如申請專利範圍第1 〇至1 8項 中任一項之組成物塗覆在透明基板上，藉著乾燥所獲得之 經塗覆薄膜而形成實質上不含黏著劑之導電性薄膜，再使 用烷氧基矽烷或其部分水解產物之溶液塗佈於該導電性薄 膜上，而形成以二氧化矽爲主之上塗層薄膜。 · 3 2 · —種形成具有低反射之雙層形態透明導電性薄 膜的方法，其步驟包括將如申請專利範圍第6或7項之組 成物塗覆在透明基板上，藉著乾燥所獲得之經塗覆薄膜， 再使用烷氧基矽烷或其部分水解產物之溶液塗佈於該導電 性薄膜上，而形成以二氧化砂之上塗層薄膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） > 7 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)