KR100484102B1

KR100484102B1 - 투명도전막 형성용 조성물, 이로부터 형성된 투명도전막및 상기 투명도전막을 채용한 화상표시장치

Info

Publication number: KR100484102B1
Application number: KR10-2002-0027068A
Authority: KR
Inventors: 서강일
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2002-05-16
Filing date: 2002-05-16
Publication date: 2005-04-18
Also published as: US20030215651A1; KR20030089614A; US6846566B2

Abstract

본 발명은 투명도전막 형성용 조성물, 이로부터 형성된 투명도전막 및 이 투명도전막을 채용한 화상 표시장치를 제공한다. 상기 투명도전막 형성용 조성물은 도전막과, 그 상부에 형성된 투명 피막을 포함하여 된 투명도전막을 형성하기 위한 것으로서, 상기 투명 피막을 형성하기 위한 조성물이 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(6-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, p-아미노페닐트리톡실란과 같은 아미노 화합물과, 테트라에틸실리케이트와 같은 금속 화합물과, 극성 용매를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 투명 도전막 형성용 조성물을 이용하면, 종래의 경우보다 저렴한 비용으로 원하는 저반사 특성을 유지하면서 저저항 특성을 가질 뿐만 아니라 막강도가 우수한 투명도전막을 얻을 수 있다. 이 투명도전막은 음극선관, 형광표시관, 플라즈마 디스플레이 패널, 액정표시소자와 같이 전기적으로 이미지를 디스플레이할 수 있는 표시장치의 전면 기판 표면에 채용가능하다. 이와 같이 표시장치의 전면 기판 표면에 본 발명의 투명도전막을 형성하면 전자파의 방사로 유도된 전자파 및 전자장을 효과적으로 차폐시킬 수 있다.

Description

투명도전막 형성용 조성물, 이로부터 형성된 투명도전막 및 상기 투명도전막을 채용한 화상표시장치{Composition for forming transparent conductive layer, transparent conductive layer formed therefrom and image display device employing the same}

본 발명은 투명도전막 형성용 조성물, 이로부터 형성된 투명도전막 및 상기 투명도전막을 채용하고 있는 화상표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하기로는 반사방지 및 전자파 차폐 기능이 우수한 투명도전막 형성용 조성물과, 이로부터 형성된 투명도전막과, 상기 투명도전막이 도포된 기재로 구성된 전면판을 구비하고 있는 화상표시장치에 관한 것이다.

종래에는 대전 및 반사를 감소시키기 위하여, 예를 들어 음극선관, 형광표시관, 액정표시소자의 표시판과 같은 투명 기재의 표면에 대전 방지 기능 및 반사 방지 기능을 갖는 투명 박막을 형성하는 것이 일반적이다.

최근 들어 전자파가 인체에 미치는 영향에 관심이 집중되면서, 종래의 대전 방지 기능뿐만 아니라 전자파 및 전자파로부터 형성된 전기장을 차폐하는 것이 반드시 필요하게 되었다. 예를 들어, 전자파를 차폐하는 방법으로는, 음극선관과 같은 화상표시장치의 패널 표면에 도전성 박막을 형성한다. 이 때 대전방지를 위한 도전성 박막의 경우는 표면저항값이 약 10⁷Ω/㎠이면 충분하고, 전자파 차폐를 위한 도전성 박막의 경우는 표면저항값이 10² 내지 10⁴Ω/㎠ 정도로 낮아야 한다.

안티몬(Sb) 처리된 주석 산화물 또는 주석(Sn) 처리된 인듐 산화물과 같은 도전성 산화물을 포함하는 도포액을 사용하여 낮은 표면저항성의 도전성 박막을 얻고자 하는 경우, 도전성 박막의 두께는 종래의 코팅막의 경우보다 두꺼워야 하며, 이에 원하는 반사방지 효과를 얻을 수 없다. 따라서 안티몬 처리된 주석 산화물, 주석 도핑된 인듐 산화물 등으로 된 도전성 산화물 박막으로는 전자파 차폐 및 반사방지성 코팅박막을 얻는다는 것이 실질적으로 어려웠다.

표면저항성이 낮은 도전성 박막을 형성하는 다른 박막으로는, 은과 같은 금속 미립자를 포함하는 도전성 박막 형성용 코팅액을 적용하여 금속 미립자를 포함하는 박막을 기재 표면에 형성하는 방법이 있다. 이 때 상기 도전성 박막 형성용 코팅액에는 금속 미립자의 분산성을 개선하기 위하여 폴리비닐알콜, 폴리비닐피롤리돈, 젤라틴과 같은 유기계 안정제로 처리한다.

그런데, 금속 미립자를 포함하는 박막 형성용 코팅액으로부터 형성된 도전성 박막은 금속 미립자들이 박막내에서 유기계 안정제를 통하여 서로 접촉하여 커다란 입계 저항을 갖게 됨으로써 박막의 표면저항성이 낮아질 수 없는 단점이 있다. 그러므로 박막의 형성후, 약 400℃ 정도의 고온에서 가열시켜 유기계 안정제를 파괴하고 제거하는 것이 요구된다.

그러나, 유기계 안정제의 파괴와 제거를 위하여 고온에서 가열하는 것은 금속 미립자의 용해와 집합을 일으켜서 박막의 투명성과 헤이즈를 저하시키는 문제를 발생시킨다. 더우기 은과 같은 금속 미립자들을 포함하는 투명도전막은 금속이 산화되고 이온화에 의하여 미립자가 성장되고 때때로 부식으로 박막의 도전성 및 광투과율이 저하되어 화상표시장치의 신뢰성이 저하되는 문제점이 발생된다.

상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 한국 공개특허공보 제98-25037호는 기재상에 1 내지 200nm의 평균 입자 크기를 갖는 복합 금속의 미립자를 포함하는 투명 도전성 미립자층과, 이 도전성 미립자층 상부에 형성되며 투명 도전성 미립자층보다 낮은 굴절율을 갖는 투명 피막을 구비하는 투명도전막을 제안하였다.

그런데, 상기 투명도전막을 실질적으로 적용해보면, 다음과 같은 문제점이 발생된다.

투명도전성 미립자층의 금속 미립자가 공기중의 수증기나 산소에 의하여 산화되어 각종 문제점을 야기시키고, 금속 미립자 자체가 고가여서 투명도전막 제조시 많은 비용이 소요되는 문제점이 있을 뿐만 아니라, 투명도전막의 표면저항 특성이 만족할 만한 수준에 도달하지 못하여 개선의 여지가 있다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기 문제점을 해결하여 표면저항 특성이 개선된 투명도전막 형성용 조성물, 이로부터 형성된 투명도전막과 이의 제조방법 및 상기 투명도전막을 구비함으로써 반사방지 기능 및 전자파 차폐 기능이 우수한 화상표시장치를 제공하는 것이다.

상기 첫번째 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명에서는, 도전막과, 그 상부에 형성된 투명 피막을 포함하여 된 투명도전막을 형성하기 위한 조성물에 있어서,

상기 투명 피막을 형성하기 위한 조성물이

화학식 1 또는 2로 표시되는 아민 화합물과, 화학식 3의 금속 화합물와, 극성 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명도전막 형성용 조성물이 제공된다.

R₁(NH₂)_n

상기식중, n은 1 내지 2의 정수이고,

R₁은 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 페닐기, 탄소수 2 내지 20의 알켄기, 하이드록시기를 갖는 C1-C20의 알킬기 및 -(CH₂)_kSO₃H(k는 1 내지 10의 정수이다)로 이루어진 군으로부터 선택되고,

(R₂O)_x-Si(OR₃)_3-x-R₄

상기식중, x는 1 내지 3의 정수이고,

R₂및 R₃은 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 페닐기로 이루어진 군으로부터 선택되고,

R₄는 아민기 또는 아미노기를 갖는 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 아민기 또는 아미노기를 갖는 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 아민기 또는 아미노기를 갖는 페닐기, 아민기 또는 아미노기를 갖는 탄소수 6 내지 50의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고,

상기식중, M은 실리콘(Si), 티타늄(Ti), 주석(Sn) 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군으로부터 선택되고, R₆은 C1-C20 알킬기 또는 -M(R₁₂R₁₃R₁₄)이고, R₁₂, R₁₃ 및 R₁₄는 서로에 관계없이 C1-C20 알킬기, C1-C20 알콕시기 또는 C6-C20의 아릴기이고, R₇는 C1-C20 알킬기이고, R₈및 R₉는 이들중 적어도 하나는 C1-C20 알콕시기이고, 나머지 하나는 C1-C20 알킬기, C1-C20 알콕시기, C2-C20의 알킬렌기 또는 C6-C20의 아릴기이고, R₁₀및 R₁₁은 이들중 적어도 하나는 C1-C20 알콕시기이고, 나머지 하나는 C1-C20 알킬기, C2-C20의 알킬렌기 또는 C6-C20의 아릴기이고, n은 0 내지 20의 정수이다.

상기 투명 피막 형성용 조성물은 화학식 4 또는 5로 표시되는 메르캅토 화합물을 더 포함한다.

R₁₅SH

상기식중, R₁₅는 C1-C20의 알킬기, 하이드록시기를 갖는 C1-C20의 알킬기, 하이드록시기로 치환된 C1-C20의 하이드록시알킬기 또는 -(CH2)_kCOOH(k는 1 내지 10의 정수이다)이고,

상기식중, R₁₆은 C1-C20의 알킬기이고, R₁₇및 R₁₈은 서로에 관계없이 C1-C20의 알킬기, C1-C20의 알콕시기 또는 메르캅토기를 갖는 C1-C20의 알킬기이고, R₁₉은 메르캅토기(SH)를 갖는 C1-C20의 알킬기이다.

본 발명에서 사용하는 메르캅토 화합물은 특히 메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-메르캅토-1,2-프로판디올, 1-메르캅토-2-프로판올 및 3-메르캅토프로피오딕산으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, 상기 아민 화합물은 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(6-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, p-아미노페닐트리톡실란, 2-아미노-1-프로판올, 1-아미노-2-프로판올, 3-아미노-1-프로판설폰산, 에틸렌디아민 및 1,2-디아미노프로판으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것이 바람직하다.

상기 아민 화합물의 함량은 화학식 3의 금속 화합물 100 중량부를 기준으로 하여 0.001 내지 5.0 중량부이고, 상기 메르캅토 화합물의 함량은 화학식 3의 화합물 100 중량부를 기준으로 하여 0.001 내지 5.0 중량부인 것이 바람직하다.

상기 화학식 3의 금속 화합물은 테트라에틸실리케이트, 테트라메틸실리케이트, 그 올리고머, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 메틸트리메톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이다.

상기 투명 피막 형성용 조성물을 구성하는 극성 용매는 물, 에탄올, 메탄올, 부탄올, 메틸셀로솔브 및 이소프로필셀로솔브로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이고, 그 함량은 화학식 3의 금속 화합물 1 중량부를 기준으로 하여 1 내지 10,000 중량부인 것이 바람직하다.

상기 도전막을 형성하기 위한 조성물은, 평균입경 5 내지 5000nm의 금속과 금속 산화물중 선택된 하나 이상과, 극성 용매를 포함하며, 상기 금속은 금, 은, 팔라듐, 백금, 로듐, 루테늄, 구리, 철, 니켈, 코발트, 주석, 티타늄, 인듐, 알루미늄, 탄탈륨, 안티몬으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이고, 상기 금속 산화물은 주석 도핑된 인듐 산화물(ITO), 안티몬 도핑된 주석 산화물(ATO), 티타늄 산화물 및 루테늄 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이고, 상기 금속 또는 금속 산화물의 함량은 조성물 총중량 100 중량부를 기준으로 하여 0.01 내지 20 중량부인 것이 바람직하다.

상기 극성 용매는 물, 에탄올, 메탄올, 부탄올, 메틸셀로솔브 및 이소프로필셀로솔브로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이고, 그의 함량은 조성물 총중량 100 중량부를 기준으로 하여 80 내지 99.99 중량부인 것이 바람직하다.

본 발명의 두번째 기술적 과제는 도전막과, 이 상부에 형성된 투명 피막을 포함하여 된 투명도전막에 있어서,

상기 투명 피막이 화학식 1 또는 2로 표시되는 아민 화합물과, 화학식 3으로 표시되는 금속 화합물와, 극성 용매를 포함하는 투명 피막 형성용 조성물을 코팅한 다음, 이를 열처리하여 얻은 것임을 특징으로 하는 투명 도전막에 의하여 이루어진다.

<화학식 1>

R₁(NH₂)_n

상기식중, n은 1 내지 2의 정수이고,

<화학식 2>

(R₂O)_x-Si(OR₃)_3-x-R₄

상기식중, x는 1 내지 3의 정수이고,

<화학식 3>

본 발명의 투명 피막은 특히 화학식 1 또는 2로 표시되는 아민 화합물과 그 가수분해 탈수축합물중에서 선택된 하나 이상과, 화학식 3으로 표시되는 금속 화합물의 가수분해 탈수축합물을 포함하거나, 또는 화학식 1 또는 2로 표시되는 아민 화합물과 그 가수분해 탈수축합물중에서 선택된 하나 이상과, 화학식 3으로 표시되는 금속 화합물의 가수분해 탈수축합물과, 화학식 4 또는 5로 표시되는 메르캅토 화합물과 그 가수분해 탈수축합물중에서 선택된 하나 이상을 포함한다.

본 발명의 세번째 기술적 과제는 평균입경 5 내지 5000nm의 금속과 금속 산화물중에서 선택된 하나 이상과, 극성 용매를 포함하는 도전막 형성용 조성물을 코팅 및 건조하여 도전막을 형성하는 단계; 및

상기 도전막 상부에 화학식 1 또는 2로 표시되는 아민 화합물과, 화학식 3으로 표시되는 금속 화합물와 극성 용매를 포함하는 투명 피막 형성용 조성물을 코팅한 다음, 이를 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조방법에 의하여 이루어진다.

<화학식 1>

R₁(NH₂)_n

상기식중, n은 1 내지 2의 정수이고,

<화학식 2>

(R₂O)_x-Si(OR₃)_3-x-R₄

상기식중, x는 1 내지 3의 정수이고,

<화학식 3>

상기식중, n은 1 내지 2의 정수이고,

M은 실리콘(Si), 티타늄(Ti), 주석(Sn) 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군으로부터 선택되고,

R₅는 C1-C20 알킬기이다.

상기 열처리는 100 내지 400℃에서 이루어지는 것이 바람직하다.

본 발명의 네번째 기술적 과제는 상술한 투명도전막을 채용하고 있는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치에 의하여 이루어진다.

본 발명의 투명도전막은 고굴절율 도전막과, 그 상부에 상기 도전막보다 저굴절율 특성을 갖는 투명피막을 적층하여 이루어진다. 상기 투명 피막은, 도전막에 함유된 나노사이즈의 금속 또는 금속 산화물 입자와 상호작용을 하는 화학식 1 또는 2의 아민 화합물과, 화학식 3의 금속 화합물을 혼합하고(또는 화학식 4 또는 5로 표시되는 메르캅토 화합물을 더 부가 및 혼합하고) 이를 코팅한 후, 열처리하여 제조된다. 상기 아민 화합물과 메르캅토 화합물은, 화학식 3의 금속 화합물 특히, 실리콘 알콕사이드와 반응하여 망상 구조를 형성하여 투명도전막의 강도 특성을 향상시키는 역할을 한다. 이 때 아민 화합물과 메르캅토 화합물은 상기 금속 산화물 또는 금속 미립자와 상호작용하여 도전막내의 금속 산화물 등의 산화방지 및 환원성을 증대시킨다.

<화학식 1>

R₁(NH₂)_n

상기식중, n은 1 내지 2의 정수이고,

<화학식 2>

(R₂O)_x-Si(OR₃)_3-x-R₄

상기식중, x는 1 내지 3의 정수이고,

<화학식 3>

<화학식 4>

R₁₅SH

<화학식 5>

본 발명의 투명 도전막 형성용 조성물은 도전막 형성용 조성물과 투명 피막 형성용 조성물을 혼합함으로써 얻을 수 있다.

본 발명의 도전막 형성용 조성물은 평균입경이 5 내지 5000nm인 금속 산화물 및/또는 금속과, 극성 용매를 포함한다. 이 때 금속 산화물로는 주석 도핑된 인듐 산화물(ITO), 안티몬 도핑된 주석 산화물(ATO), 티타늄 산화물, 루테늄 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 사용하며, 상기 금속으로는 금, 은, 팔라듐, 백금, 로듐, 루테늄, 구리, 철, 니켈, 코발트, 주석, 티타늄, 인듐, 알루미늄, 탄탈륨, 안티몬으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 사용한다. 상기 금속 산화물 또는 금속의 평균 입경이 상기 범위를 벗어나는 경우에는 투명도전막이 불투명해지므로 바람직하지 못하다. 그리고 금속 산화물 또는 금속의 함량은 도전막 형성용 조성물의 총중량 100 중량부에 대하여 0.01 내지 20 중량부이다. 만약 금속 산화물 또는 금속의 함량이 20 중량부를 초과하면 투명도전막이 불투명하고, 0.01 중량부 미만이면 원하는 표면저항 특성을 얻을 수 없어서 바람직하지 못하다. 그리고 상기 금속 산화물 또는 금속의 입경이 5nm 미만이면 도전막의 도전성이 저하되고 5000nm를 초과하면 도전막내의 금속 산화물 또는 금속의 분산성이 낮아져 바람직하지 못하다.

상기 금속 산화물 또는 금속을 분산시키기 위한 극성 용매로는 물, 에탄올, 메탄올, 부탄올, 메틸셀로솔브, 이소프로필 셀로솔브 등을 사용하며, 이의 함량은 도전막 형성용 조성물의 총중량 100 중량부에 대하여 80 내지 99.99 중량부이다. 만약 극성 용매의 함량이 99.99 중량부를 초과하면 원하는 표면저항 특성을 얻을 수 없고, 80 중량부 미만이면 코팅성이 저하된다.

본 발명의 투명 피막 형성용 조성물은 화학식 1 또는 2로 표시되는 아민 화합물과, 화학식 3의 금속 화합물와, 극성 용매를 포함한다.

<화학식 1>

R₁(NH₂)_n

상기식중, n은 1 내지 2의 정수이고,

<화학식 2>

(R₂O)_x-Si(OR₃)_3-x-R₄

상기식중, x는 1 내지 3의 정수이고,

<화학식 3>

본 발명의 투명 피막 형성용 조성물은 화학식 4 또는 5로 표시되는 메르캅토 화합물을 더 함유하기도 한다.

<화학식 4>

R₁₅SH

<화학식 5>

상기 화학식 1에서 R₁의 구체적인 예로서, 아미노프로판올, 아미노에탄이 있고, 탄소수 2 내지 20의 알켄기의 구체적인 예로서 에틸렌기, 프로필렌기가 있고, 하이드록시기를 갖는 C1-C20의 알킬기의 구체적인 예로서 -CH₂CH(OH)CH₃, -CH(CH₃)CH₂OH가 있고, -(CH₂)_kSO₃H의 구체적인 예로서, -(CH₂)₃SO₃H 또는 -C₆H₅SO₃H가 있다.

상기 화학식 2에서 R₂ 및 R₃의 구체적인 예로는 -CH₃, -CH₂CH₃, -(CH₂)₃CH₃가 있고, R₄의 구체적인 예로서, -CH₂CH₂CH₂NH₂, -C ₆H₅NH₂, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필기(-CH₂CH₂CH₂NHCH₂CH₂NH₂) 가 있다.

상기 화학식 3에서 R₆, R₇, R₈, R₉, R₁₀, R₁₁, R₁₂, R₁₃, R₁₄의 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 부틸기, 프로필기, 이소프로필기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, 부톡시기, 비닐기, 페닐기 등이 있다. 그리고 화학식 4의 R₁₅에서 C1-C20의 알킬기의 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 부틸기 또는 프로필기이고, 하이드록시기를 갖는 C1-C20의 알킬기의 구체적인 예로는 -CH₂CH(OH)CH₂CH₃, -CH₂CH₂CH₂CH₂OH 등이 있고, 하이드록시기로 치환된 C1-C20의 하이드록시알킬기의 구체적인 예로는 -CH₂CH(OH)CH₂OH이 있고, -(CH₂)_kCOOH(k는 1 내지 10의 정수이다)의 구체적인 예로는 -CH₂CH₂COOH, -CH₂CH₂CH₂COOH이 있고, 화학식 5의 R₁₆ 내지 R₁₉에서에서 C1-C20의 알킬기의 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기 또는 부틸기가 있고, C1-C20의 알콕시기의 구체적인 예로는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, 부톡시기 등이 있고, 메르캅토기를 갖는 C1-C20의 알킬기의 구체적인 예로는 3-메르캅토프로필기, 4-메르캅토부틸기 등이 있다.

본 발명의 화학식 1 또는 2의 아민 화합물의 함량은 화학식 3의 금속 화합물 함량을 기준으로 하여 0.001 내지 5.0 중량부인 것이 바람직하다. 만약 아민 화합물의 함량이 0.001 중량부 미만이면 원하는 저저항 특성을 얻지 못하고, 5.0 중량부를 초과하면 막강도가 저하되어 바람직하지 못하다. 그리고 화학식 1 또는 2의 아민 화합물은 특히 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(6-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, p-아미노페닐트리톡실란과 같은 아미노실란 화합물, 2-아미노-1-프로판올, 1-아미노-2-프로판올 등과 같은 유기 알콜류, 3-아미노-1-프로판설폰산 등과 같은 유기산, 에틸렌디아민, 1,2-디아미노프로판 등과 같은 디아민 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.

본 발명의 투명 피막 형성용 조성물을 구성하는 화학식 3으로 표시되는 금속 화합물는 특히 상술한 바와 같이, 상기 화학식 1의 금속 화합물중에서, R₁₀과 R₁₁중의 적어도 하나는 C1-C20 알콕시기이고, R₈과 R₉중의 적어도 하나는 C1-C20 알콕시기인 것이 바람직한데, 이러한 금속 화합물을 이용해야 가수분해후 탈수축합시키면 삼차원적인 실리카 망상구조를 형성할 수 있기 때문이다.

또한, 상기 화학식 3으로 표시되는 금속 화합물에서, n이 0을 초과하는 경우, n은 특히 3 내지 5인 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 화학식 3으로 표시되는 금속 화합물의 구체적인 예로는, 테트라에틸오르토실리케이트, 테트라메틸오르토실리케이트, 테트라이소프로필오르토실리케이트, 메틸 트리메톡시오르토실리케이트, 디메틸디메톡시오르토실리케이트, 비닐트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 등이 있다.

본 발명에서 사용하는 화학식 4 또는 5로 표시되는 메르캅토 화합물의 함량은 화학식 3으로 표시되는 금속 화합물 100 중량부를 기준으로 하여 0.001 내지 5.0 중량부이다. 만약 메르캅토 화합물의 함량이 0.001 중량부 미만이면 원하는 저저항 특성을 얻을 수 없고 5.0 중량부를 초과하면 막강도가 저하되어 바람직하지 못하다. 상기 메르캅토 화합물은 특히, 메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필메틸디메톡시실란과 같은 메르캅토실란 화합물, 3-메르캅토-1,2-프로판디올, 1-메르캅토-2-프로판올과 같은 유기 알콜류, 3-메르캅토프로피오딕산과 같은 유기산을 사용하는 것이 바람직하다.

상술한 아민 화합물과 금속 화합물 또는 메르캅토 화합물을 용해 또는 분산시키기 위한 극성 용매로는 도전막 형성용 조성물의 제조시 사용하는 극성 용매와 마찬가지의 종류를 사용하며, 이의 함량은 화학식 3으로 표시되는 금속 산화물 1 중량부를 기준으로 하여 1 내지 10,000 중량부인 것이 바람직하다. 만약 극성 용매의 함량이 10,000 중량부 미만이면 원하는 막강도를 얻기가 어렵고 1 중량부를 초과하면 코팅 작업성면에서 바람직하지 못하다.

이하, 본 발명의 원리를 설명하기로 한다.

은과 같은 금속 미립자를 이용한 전자파 차폐 코팅막은 우수한 저항 특성을 얻기 위해서는 그 사용농도가 어느 수준을 유지해야 하며, 하루정도 방치한 경우 저항값이 변화되므로 저항 안정성이 불량하다는 문제점이 있다. 이에 본 발명에서는 필수 구성 성분인 화학식 1 또는 2의 아민 화합물과, 선택적 부가 성분인 화학식 4 또는 5의 메르캅토 화합물을 화학식 3의 금속 화합물 및 극성 용매에 부가 및 혼합하고, 이를 금속 또는 금속 산화물로 된 도전막 상부에 코팅함으로써 메르캅토기 또는 아미노기가 상기 금속을 흡착하고 아민 화합물 또는 메르캅토 화합물내에서의 메르캅토 또는 아미노기와 실리콘에 결합된 치환기가 금속층을 둘러쌈으로써 금속이 공기중의 수증기나 산소에 의하여 산화되는 것을 방지시킨다. 또한 메르캅토기 또는 아미노기와 금속의 상호작용으로 인하여 코팅막의 미세구조가 변경되어 좀 더 치밀한 도전막을 형성함으로써 전기 전도성이 향상된다. 그 결과, 저저항 및 전자파 차폐 특성이 개선된 투명도전막을 얻을 수 있게 된다.

상술한 투명도전막 형성용 조성물을 이용하여 본 발명에 따른 투명도전막을 제조하는 방법을 살펴보면 다음과 같다.

먼저, 평균 입경 5 내지 5000nm의 금속 또는 금속 산화물을 극성 용매에 분산시켜 도전막 형성용 조성물을 준비한다. 이어서 상기 도전막 형성용 조성물을 글래스 패널 상부에 코팅 및 건조하여 도전막을 형성한다. 이 때 건조온도는 30 내지 100℃이다.

이와 별도로, 극성 용매, 화학식 1 또는 2의 아민 화합물 및 화학식 3의 금속 화합물을 혼합한 다음, 이를 소정시간동안 숙성시켜 투명 피막 형성용 조성물을 제조한다. 이와 같이 숙성 과정을 거치면 막강도가 증가하고 코팅성이 향상되는 잇점이 있다. 상기 투명 피막 형성용 조성물에는 화학식 4 또는 5로 표시되는 메르캅토 화합물을 더 부가하기도 한다.

이어서, 상기 도전막 상부에 상술한 투명 피막 형성용 조성물을 코팅한 다음 건조하거나 또는 이러한 건조단계를 거치지 않고, 이를 열처리함으로써 본 발명에 따른 투명 도전막이 형성된다.

상기 열처리단계는 100 내지 400℃에서 이루어지는 것이 바람직하다. 만약 열처리온도가 400℃를 초과하면, 처리 기재가 제한되고, 열처리온도가 100℃ 미만이면 원하는 막강도가 얻어지지 못하여 바람직하지 못하다.

상기 도전막과 투명 피막의 코팅방법은 특별히 제한되지는 않으며, 구체적으로 스핀코팅, 롤코팅 등의 방법을 사용한다.

상술한 과정에 따라 얻어진 도 1의 투명도전막(10)은 음극선관 패널(11)상부에 도전막(12)과, 이 도전막(12) 상부에 투명피막(보호막)이 형성되어 있는 적층구조를 갖는다. 이 때 상기 도전막(12)은 금속 산화물 또는 금속으로 이루어지며, 자체적으로는 결합력이 없다. 이 도전막(12)의 두께는 50 내지 3000nm이다. 만약 도전막(12)의 두께가 50 nm 미만이면 저항 특성이 저하되고 3000nm를 초과하면 내습성이 감소하여 바람직하지 못하다.

상기 도전막(12) 상부에 형성된 투명 피막(13)은 망상구조의 화학식 3의 금속 화합물의 가수분해 탈수축합물 특히, 실리콘 알콕사이드의 가수분해 탈수축합물(즉, 실리카)과 화학식 1 또는 2의 아민 화합물과 이의 가수분해 탈수축합물중에서 선택된 하나 이상으로 이루어진다. 또는 상기 투명 피막(13)은 상술한 성분들이외에 화학식 4 또는 5로 표시되는 메르캅토 화합물과 이의 가수분해 탈수축합물중에서 선택된 하나 이상을 더 함유하기도 한다.

투명 피막(13)이 상술한 조성을 가짐으로써 막의 강도를 유지할 수 있다. 그리고 투명 피막(13)의 두께는 50 내지 200nm 정도이며, 굴절율이 1.3 내지 1.5 정도로서 도전막의 경우(1.5 내지 2.4 정도)보다 낮다. 여기에서 만약 투명피막(13)의 두께가 50nm 미만인 경우에는 내습성이 저하되고, 200nm를 초과하는 경우에는 반사율 등의 광학특성이 저하되므로 바람직하지 못하다.

상기 투명피막(13)에서 화학식 1 또는 2의 아민 화합물과 이들의 가수분해 탈수축합물중에서 선택된 하나 이상의 함량은 화학식 3의 금속 화합물의 가수분해 탈수축합물 100 중량부를 기준으로 하여 0.1 내지 100 중량부인 것이 바람직하며, 화학식 4 또는 5의 메르캅토 화합물과 이들의 가수분해 탈수축합물중에서 선택된 하나 이상의 함량은 화학식 3의 금속 화합물의 가수분해 탈수축합물 100 중량부를 기준으로 하여 0.1 내지 100 중량부인 것이 바람직하다.

본 발명의 투명 도전막(10)을 화상표시장치의 전면 기판 표면에 채용하면, 10¹ 내지 10⁴ Ω/㎠, 특히 약 10³Ω/㎠의 표면 저항성을 가지므로 전자파의 방사로 유도된 전자파 및 전자장을 효과적으로 차폐시킬 수 있다.

한편, 광반사가 표시장치의 전면기판에서 일어날 때는 반사광으로 인하여 표시 화상을 보기 어렵다. 그러나, 본 발명의 표시장치에서는, 전면기판이 가시광선과 근적외선 영역내에서 만족스러운 반사방지성을 나타내는 투명 도전막이 도포된 기재로 이루어지므로 광반사가 효과적으로 방지된다.

이하, 본 발명을 하기 실시예를 들어 보다 상세하게 설명하기도 하되, 본 발명이 하기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.

실시예 1

에탄올 15g과 메탄올 10g과 이소프로필 알콜 10g과 n-부탄올 5g의 혼합용매에 평균 입경의 Ag/Pd 5% 수용액 10g을 첨가하여 도전막 형성용 조성물을 준비하였다.

이와 별도로, 에탄올 50g, 메탄올 30g, 이소프로필 알콜 10g 및 n-부탄올 7.25 g의 혼합용매에 테트라에틸 실리케이트 2.67g과 3-아미노프로필트리메톡시실란 0.08g을 첨가한 다음, 이를 교반하여 60℃에서 24시간동안 숙성시켜 투명 피막 형성용 조성물을 제조하였다.

기재상에 상기 도전막 형성용 조성물을 스핀 코팅한 후, 이를 60℃에서 건조하여 도전막을 형성하였다. 이어서, 이 도전막 상부에 상기 투명 피막 형성용 조성물을 코팅한 다음, 이를 200℃에서 30분동안 열처리하여 투명 피막을 형성함으로써 투명도전막을 완성하였다.

실시예 2

투명 피막 형성용 조성물이 하기 과정에 따라 제조된 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 투명도전막을 완성하였다.

에탄올 50g, 메탄올 30g, 이소프로필알콜 10g, n-부탄올 7.25g의 혼합용매에 테트라에틸 실리케이트 2.67g과 N-(6-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란 0.08g을 첨가하고 이를 교반하여 60℃에서 24시간동안 숙성시켜 투명 피막 형성용 조성물을 제조하였다.

실시예 3

도전막 형성용 조성물이 하기 과정에 따라 제조된 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 투명도전막을 얻었다.

에탄올 30g과 메탄올 5g과 이소프로필 셀루솔브 5g의 혼합용매에 평균 입경 20nm의 Ag/Pd 5% 수용액 10g을 첨가하여 도전막 형성용 조성물을 준비하였다.

비교예 1

투명피막 형성용 조성물이 하기 과정에 따라 제조된 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 투명도전막을 얻었다.

에탄올 50g, 메탄올 30g, 이소프로필 알콜 10g 및 n-부탄올 7.25 g의 혼합용매에 테트라에틸 실리케이트 2.67g을 첨가한 다음, 질산을 이용하여 pH를 2 정도로 유지시킨 다음, 이를 교반하여 60℃에서 24시간동안 숙성시켜 투명 피막 형성용 조성물을 제조하였다.

비교예 2

투명피막 형성용 조성물이 하기 과정에 따라 제조된 것을 제외하고는, 실시예 2와 동일한 방법에 따라 실시하여 투명도전막을 얻었다.

상기 실시예 1-3 및 비교예 1-2에 따라 제조된 투명도전막에 있어서, 표면저항와 막강도를 측정하였고, 그 결과는 하기 표 1과 같다. 여기에서 표면저항은 4-포인트 프루브(4-point probe)법에 의하여 평가하였고, 막강도는 연필경도 측정법에 의하여 평가하였다.

구분	막강도	표면저항(㏀/㎠)
실시예 1	7H	1.5
실시예 2	7H	1.4
실시예 3	7H	0.25
비교예 1	7H	5
비교예 2	7H	0.9

상기 표 1로부터, 실시예 1-3의 투명 도전막은 비교예 1-2의 경우에 비하여 표면저항 특성과 막강도 특성이 개선된다는 것을 알 수 있었다.

삭제

본 발명의 투명 도전막 형성용 조성물을 이용하면, 종래의 경우보다 저렴한 비용으로 원하는 저반사 특성을 유지하면서 저저항 특성을 가질 뿐만 아니라 막강도가 우수한 투명도전막을 얻을 수 있다. 이 투명도전막은 음극선관, 형광표시관, 플라즈마 디스플레이 패널, 액정표시소자와 같이 전기적으로 이미지를 디스플레이할 수 있는 표시장치의 전면 기판 표면에 채용가능하다. 이와 같이 표시장치의 전면 기판 표면에 본 발명의 투명도전막을 형성하면 10¹ 내지 10⁴ Ω/㎠, 특히 약 10 ³Ω/㎠의 표면저항성을 가지므로 전자파의 방사로 유도된 전자파 및 전자장을 효과적으로 차폐시킬 수 있다.

도 1은 본 발명에 따라 음극선관 패널상에 형성된 투명도전막의 적층 구조를 나타낸 단면도이다.

<도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명>

11... 음극선관 패널

12... 도전막

13... 투명 피막

Claims

도전막과, 그 상부에 형성된 투명 피막을 포함하여 된 투명도전막을 형성하기 위한 조성물에 있어서,

상기 투명 피막을 형성하기 위한 조성물이

화학식 1 또는 2로 표시되는 아민 화합물과, 화학식 3의 금속 화합물과, 극성 용매를 포함하며,

상기 아민 화합물의 함량은 화학식 3의 금속 화합물 100 중량부를 기준으로 하여 0.001 내지 5.0 중량부이고,

상기 용매의 함량은 화학식 3의 금속 화합물 1 중량부를 기준으로 하여 1 내지 10,000 중량부인 것을 특징으로 하는 투명도전막 형성용 조성물:

<화학식 1>

R₁(NH₂)_n

상기식중, n은 1 내지 2의 정수이고,

R₁은 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 페닐기, 탄소수 2 내지 20의 알켄기, 하이드록시기를 갖는 C1-C20의 알킬기 및 -(CH₂)_kSO₃H(k는 1 내지 10의 정수이다)로 이루어진 군으로부터 선택되고,

<화학식 2>

(R₂O)_x-Si(OR₃)_3-x-R₄

상기식중, x는 1 내지 3의 정수이고,

R₂및 R₃은 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 페닐기로 이루어진 군으로부터 선택되고,

R₄는 아민기 또는 아미노기를 갖는 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 아민기 또는 아미노기를 갖는 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 아민기 또는 아미노기를 갖는 페닐기, 아민기 또는 아미노기를 갖는 탄소수 6 내지 50의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고,

<화학식 3>

상기식중, M은 실리콘(Si), 티타늄(Ti), 주석(Sn) 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군으로부터 선택되고, R₆은 C1-C20 알킬기 또는 -M(R₁₂R₁₃R₁₄)이고, R₁₂, R₁₃ 및 R₁₄는 서로에 관계없이 C1-C20 알킬기, C1-C20 알콕시기 또는 C6-C20의 아릴기이고, R₇는 C1-C20 알킬기이고, R₈및 R₉는 이들중 적어도 하나는 C1-C20 알콕시기이고, 나머지 하나는 C1-C20 알킬기, C1-C20 알콕시기, C2-C20의 알킬렌기 또는 C6-C20의 아릴기이고, R₁₀및 R₁₁은 이들중 적어도 하나는 C1-C20 알콕시기이고, 나머지 하나는 C1-C20 알킬기, C2-C20의 알킬렌기 또는 C6-C20의 아릴기이고, n은 0 내지 20의 정수이다.
제1항에 있어서, 상기 투명 피막 형성용 조성물이

화학식 4 또는 5로 표시되는 메르캅토 화합물이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 투명도전막 형성용 조성물.

<화학식 4>

R¹⁵SH

상기식중, R¹⁵는 C1-C20의 알킬기, 하이드록시기를 갖는 C1-C20의 알킬기, 하이드록시기로 치환된 C1-C20의 하이드록시알킬기 또는 -(CH2)_kCOOH(k는 1 내지 10의 정수이다)이고,

<화학식 5>

상기식중, R¹⁶은 C1-C20의 알킬기이고, R¹⁷ 및 R¹⁸은 서로에 관계없이 C1-C20의 알킬기, C1-C20의 알콕시기 또는 메르캅토기를 갖는 C1-C20의 알킬기이고, R¹⁹은 메르캅토기(SH)를 갖는 C1-C20의 알킬기이다.
제2항에 있어서, 상기 메르캅토 화합물이 메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-메르캅토-1,2-프로판디올, 1-메르캅토-2-프로판올 및 3-메르캅토프로피오딕산으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 투명도전막 형성용 조성물.
제1항에 있어서, 상기 아민 화합물이 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(6-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, p-아미노페닐트리톡실란, 2-아미노-1-프로판올, 1-아미노-2-프로판올, 3-아미노-1-프로판설폰산, 에틸렌디아민 및 1,2-디아미노프로판으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 투명도전막 형성용 조성물.
제2항에 있어서, 상기 메르캅토 화합물의 함량은 화학식 3의 화합물 100 중량부를 기준으로 하여 0.001 내지 5.0 중량부인 것을 특징으로 하는 투명도전막 형성용 조성물.
제1항에 있어서, 상기 화학식 3의 금속 화합물이 테트라에틸실리케이트, 테트라메틸실리케이트, 그 올리고머, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 메틸트리메톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 투명 도전막 형성용 조성물.
제1항에 있어서, 상기 투명 피막 형성용 조성물을 구성하는 극성 용매가 물, 에탄올, 메탄올, 부탄올, 메틸셀로솔브 및 이소프로필셀로솔브로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 투명도전막 형성용 조성물.
제1항에 있어서, 상기 도전막을 형성하기 위한 조성물이

평균입경 5 내지 5000nm의 금속과 금속 산화물중 선택된 하나 이상과, 극성 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명도전막 형성용 조성물.
제8항에 있어서, 상기 금속이 금, 은, 팔라듐, 백금, 로듐, 루테늄, 구리, 철, 니켈, 코발트, 주석, 티타늄, 인듐, 알루미늄, 탄탈륨, 안티몬으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이고,

상기 금속 산화물이 주석 도핑된 인듐 산화물(ITO), 안티몬 도핑된 주석 산화물(ATO), 티타늄 산화물 및 루테늄 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이고,

상기 금속 또는 금속 산화물의 함량이 조성물 총중량 100 중량부를 기준으로 하여 0.01 내지 20 중량부인 것을 특징으로 하는 투명도전막 형성용 조성물.
제8항에 있어서, 상기 극성 용매가 물, 에탄올, 메탄올, 부탄올, 메틸셀로솔브 및 이소프로필셀로솔브로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이고, 그의 함량이 조성물 총중량 100 중량부를 기준으로 하여 80 내지 99.99 중량부인 것을 특징으로 하는 투명도전막 형성용 조성물.
도전막과, 이 상부에 형성된 투명 피막을 포함하여 된 투명도전막에 있어서,

상기 투명 피막이 화학식 1 또는 2로 표시되는 아민 화합물과, 화학식 3으로 표시되는 금속 화합물와, 극성 용매를 포함하는 투명 피막 형성용 조성물을 코팅한 다음, 이를 열처리하여 얻은 것임을 특징으로 하는 투명 도전막.

<화학식 1>

R₁(NH₂)_n

상기식중, n은 1 내지 2의 정수이고,

R₁은 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 페닐기, 탄소수 2 내지 20의 알켄기, 하이드록시기를 갖는 C1-C20의 알킬기 및 -(CH₂)_kSO₃H(k는 1 내지 10의 정수이다)로 이루어진 군으로부터 선택되고,

<화학식 2>

(R₂O)_x-Si(OR₃)_3-x-R₄

상기식중, x는 1 내지 3의 정수이고,

R₂및 R₃은 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 페닐기로 이루어진 군으로부터 선택되고,

R₄는 아민기 또는 아미노기를 갖는 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 아민기 또는 아미노기를 갖는 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 아민기 또는 아미노기를 갖는 페닐기, 아민기 또는 아미노기를 갖는 탄소수 6 내지 50의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고,

<화학식 3>

상기식중, M은 실리콘(Si), 티타늄(Ti), 주석(Sn) 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군으로부터 선택되고, R₆은 C1-C20 알킬기 또는 -M(R₁₂R₁₃R₁₄)이고, R₁₂, R₁₃ 및 R₁₄는 서로에 관계없이 C1-C20 알킬기, C1-C20 알콕시기 또는 C6-C20의 아릴기이고, R₇는 C1-C20 알킬기이고, R₈및 R₉는 이들중 적어도 하나는 C1-C20 알콕시기이고, 나머지 하나는 C1-C20 알킬기, C1-C20 알콕시기, C2-C20의 알킬렌기 또는 C6-C20의 아릴기이고, R₁₀및 R₁₁은 이들중 적어도 하나는 C1-C20 알콕시기이고, 나머지 하나는 C1-C20 알킬기, C2-C20의 알킬렌기 또는 C6-C20의 아릴기이고, n은 0 내지 20의 정수이다.
제11항에 있어서, 상기 투명 피막 형성용 조성물이 화학식 4 또는 5로 표시되는 메르캅토 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막.

<화학식 4>

R₁₅SH

상기식중, R₁₅는 C1-C20의 알킬기, 하이드록시기를 갖는 C1-C20의 알킬기, 하이드록시기로 치환된 C1-C20의 하이드록시알킬기 또는 -(CH2)_kCOOH(k는 1 내지 10의 정수이다)이고,

<화학식 5>

상기식중, R₁₆은 C1-C20의 알킬기이고, R₁₇및 R₁₈은 서로에 관계없이 C1-C20의 알킬기, C1-C20의 알콕시기 또는 메르캅토기를 갖는 C1-C20의 알킬기이고, R₁₉은 메르캅토기(SH)를 갖는 C1-C20의 알킬기이다.
제11항에 있어서, 상기 투명 피막이 화학식 1 또는 2로 표시되는 아민 화합물과 그 가수분해 탈수축합물중에서 선택된 하나 이상과, 화학식 3으로 표시되는 금속 화합물의 가수분해 탈수축합물을 포함하거나, 또는

상기 투명 피막이 화학식 1 또는 2로 표시되는 아민 화합물과 그 가수분해 탈수축합물중에서 선택된 하나 이상과, 화학식 3으로 표시되는 금속 화합물의 가수분해 탈수축합물과, 화학식 4 또는 5로 표시되는 메르캅토 화합물과 그 가수분해 탈수축합물중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막.
제11항에 있어서, 상기 도전막이 평균입경 5 내지 5000nm의 금속과 금속 산화물중에서 선택된 하나 이상과, 극성 용매를 포함하는 도전막 형성용 조성물을 코팅 및 건조하여 얻어진 것을 특징으로 하는 투명도전막.
평균입경 5 내지 5000nm의 금속과 금속 산화물중에서 선택된 하나 이상과, 극성 용매를 포함하는 도전막 형성용 조성물을 코팅 및 건조하여 도전막을 형성하는 단계; 및

상기 도전막 상부에 화학식 1 또는 2로 표시되는 아민 화합물과, 화학식 3으로 표시되는 금속 화합물와 극성 용매를 포함하는 투명 피막 형성용 조성물을 코팅한 다음, 이를 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조방법.

<화학식 1>

R₁(NH₂)_n

상기식중, n은 1 내지 2의 정수이고,

R₁은 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 페닐기, 탄소수 2 내지 20의 알켄기, 하이드록시기를 갖는 C1-C20의 알킬기 및 -(CH₂)_kSO₃H(k는 1 내지 10의 정수이다)로 이루어진 군으로부터 선택되고,

<화학식 2>

(R₂O)_x-Si(OR₃)_3-x-R₄

상기식중, x는 1 내지 3의 정수이고,

R₂및 R₃은 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 페닐기로 이루어진 군으로부터 선택되고,

R₄는 아민기 또는 아미노기를 갖는 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 아민기 또는 아미노기를 갖는 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 아민기 또는 아미노기를 갖는 페닐기, 아민기 또는 아미노기를 갖는 탄소수 6 내지 50의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고,

<화학식 3>

상기식중, n은 1 내지 2의 정수이고,

M은 실리콘(Si), 티타늄(Ti), 주석(Sn) 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군으로부터 선택되고,

R⁵는 C1-C20 알킬기이다.
제15항에 있어서, 상기 상기 투명 피막 형성용 조성물이 화학식 4 또는 5로 표시되는 메르캅토 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조방법.

<화학식 4>

R₁₅SH

상기식중, R₁₅는 C1-C20의 알킬기, 하이드록시기를 갖는 C1-C20의 알킬기, 하이드록시기로 치환된 C1-C20의 하이드록시알킬기 또는 -(CH₂)_kCOOH(k는 1 내지 10의 정수이다)이고,

<화학식 5>

상기식중, R₁₆은 C1-C20의 알킬기이고, R₁₇및 R₁₈은 서로에 관계없이 C1-C20의 알킬기, C1-C20의 알콕시기 또는 메르캅토기를 갖는 C1-C20의 알킬기이고, R₁₉은 메르캅토기(SH)를 갖는 C1-C20의 알킬기이다.
제15항에 있어서, 상기 열처리가 100 내지 400℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조방법.
제11항 내지 제17항중 어느 한 항에 따라 제조된 투명도전막을 채용하고 있는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.