KR100472496B1

KR100472496B1 - 투명도전성조성물,이로부터형성된투명도전막및그제조방법

Info

Publication number: KR100472496B1
Application number: KR1019970034591A
Authority: KR
Inventors: 박승순; 이지원; 전윤호; 김헌수; 장동식
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 1997-07-23
Filing date: 1997-07-23
Publication date: 2005-05-16
Also published as: JPH1145619A; KR19990011487A; US6117366A

Abstract

본 발명은 투명도전성 조성물, 이로부터 형성된 투명도전막 및 그 제조방법을 개시한다. 상기 투명도전성 조성물은 금속(M₁) 미립자, 결합제 및 용매를 포함하고 있으며, 이 때 상기 금속(M₁) 미립자는 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 구리(Cu), 니켈(Ni), 납(Pb), 코발트(Co), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd) 및 주석(Sn)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나이고, 상기 결합제가 폴리피롤, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알콜 및 실리콘 알콕사이드 올리고머로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 저온 소성처리 과정을 거쳐도 도전성과 투과도가 매우 우수한 투명도전막을 얻을 수 있다.

Description

투명도전성 조성물, 이로부터 형성된 투명도전막 및 그 제조방법{Transparent conductive composition, transparent conductive layer formed therefrom and manufacturing method of the transparent conductive layer}

본 발명은 투명도전성 조성물, 이로부터 형성된 투명도전막 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하기로는 표시소자의 전원인가용 투명전극 및 가전기기의 전자파 차폐막으로 사용되는 투명도전막을 형성할 수 있는 조성물, 이를 이용하여 투명도전막을 제조하는 방법 및 그 방법에 따라 제조된 투명도전막을 제공하는 것이다.

현재, 표시장치의 전자파 차폐를 위한 투명도전막은 ITO(tin-doped indium oxide), ATO(antimony-doped tin oxide) 등과 같은 투명도전성 입자를 포함한 조성물을 스핀코팅, 스프레이코팅, 침적코팅 등과 같은 습식코팅법을 이용하여 코팅한 다음, 저온소성하여 형성된다.

상기한 방법에 따라 제조된 투명도전막의 표면저항은 10⁴∼10⁵Ω/□ 정도로서, 17" 모니터에 적용하는 경우에는 스웨덴 사무노동조합(The swedish Confederation Of professional employees: TCO)의 전자파 규제에 대하여 대응가능하다. 그러나 17" 모니터 이상의 대형 모니터의 경우에는 표면저항이 10³ Ω/□ 이하가 되어야 TCO에 대응할 수 있기 때문에 종래의 방법에 따라 제조된 투명도전막은 17" 이상의 대형 모니터에는 적용이 불가능하다.

이에 투명도전막의 도전성을 개선하기 위하여, 미립자 타입의 도료를 사용하고, 고온소성공정을 거치는 방법이 제안되었다. 이 방법에 따르면 투명도전막의 도전성이 개선되기는 하지만, 아직도 만족할만한 수준에 이르지 못했다. 또한, 이 방법은 고온소성공정을 거쳐야 하기 때문에 내열성이 약한 기판에는 적용하기가 곤란하고 음극선관 자체를 손상시킬 우려가 있다는 문제점이 있다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기 문제점을 해결하여, 도전성과 투과도 특성이 매우 우수한 투명도전막을 형성할 수 있는 투명도전성 조성물을 제공하는 것이다.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 조성물을 이용한 투명도전막의 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는 상기 방법에 따라 제조된 투명도전막을 제공하는 것이다.

상기 첫번째 과제를 이루기 위하여 본 발명에서는, 금속(M₁) 미립자, 결합제 및 용매를 포함하고 있는 투명도전성 조성물에 있어서, 상기 금속(M₁) 미립자는 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 구리(Cu), 니켈(Ni), 납(Pb), 코발트(Co), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd) 및 주석(Sn)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나이고, 상기 결합제가 폴리피롤(polypyrrole), 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알콜 및 실리콘 알콕사이드 올리고머로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 투명도전성 조성물이 제공된다.

본 발명의 두번째 과제는 (a) 기판 상부에 금속(M₁) 미립자, 결합제 및 용매를 포함하는 투명도전성 조성물을 도포한 다음, 건조하는 단계 및 (b) 상기 결과물을 열처리하여 도전막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법(여기에서, 상기 금속(M₁) 미립자는 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 구리(Cu), 니켈(Ni), 납(Pb), 코발트(Co), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd) 및 주석(Sn)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나이고, 상기 결합제는 폴리피롤, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알콜 및 실리콘 알콕사이드 올리고머로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나임)에 의하여 이루어진다.

본 발명의 세번째 과제는 상기 제조방법에 따라 제조되어 투과도가 70 내지 80%이고, 면저항이 100 내지 2000Ω/□인 투명도전막에 의하여 이루어진다.

본 발명의 투명도전성 조성물은 금속(M₁) 미립자, 결합제 및 용매를 포함하고 있다. 여기에서, 상기 금속(M₁) 미립자로는 평균입경이 10 내지 30nm 정도인 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 구리(Cu), 니켈(Ni), 납(Pb), 코발트(Co), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd), 주석(Sn) 등을 사용할 수 있다.

상기 결합제는 폴리피롤, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알콜 및 실리콘 알콕사이드 올리고머로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나이다. 여기에서, 상기 실리콘 알콕사이드 올리고머로는 화학식 1의 화합물을 사용한다. 이러한 화합물을 사용하면, 투명도전막의 네트워크가 치밀화되어 막경도와 투과도를 향상시키는 동시에 막저항이 최소화된다.

상기식중, R은 수소 또는 C₁ 내지 C₂₀ 알킬기이고, n은 2 내지 10의 정수이다.

상기 조성물에는 산화인듐티탄(ITO), 산화주석(SnO₂), 산화인듐(In₂O₃), 산화티탄(TiO₂), 산화안티몬티탄(ATO), 산화규소(SiO₂), 산화지르코늄(ZrO₂) 등의 금속 산화물이 더 포함되기도 한다.

금속 미립자로 이루어진 도전막은 금속 미립자간의 접촉이 잘 되어야 도전성이 양호하다. 금속 미립자간에 접촉이 되지 않고 자기 입자들끼리 응집하여 비연속적인 상태가 되면 막의 도전성이 저하된다. 그런데, 도전성이 우수한 도전막을 형성하기 위하여, 금속 미립자의 함량을 증가시키는 경우, 막의 도전성은 향상되지만 투과도가 저하되는 문제점이 있다. 따라서, 도전막의 투과도와 도전성 특성이 동시에 양호하도록 유지하기 위해서는, 도 1에 도시된 바와 같이 금속 미립자들을 체인상으로 연결하여 집합체(cluster)를 형성시키면, 막의 도전성이 우수할 뿐만 아니라 체인과 체인사이의 공극에 의하여 투과도가 우수하다. 본 발명에서는 이와 같이 금속 미립자의 분산을 최대한으로 향상시면서 금속 미립자들을 체인상으로 연결시킬 수 있기 위하여 폴리피롤, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알콜, 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘 알콕사이드 올리고머 등과 같은 결합제를 사용한다.

본 발명의 투명도전막은 도 2에 도시된 바와 같은 구조를 갖는다.

이를 참조하면, 기판 (21)위에는 금속 미립자 (24)를 포함하는 도전막 (22)이 형성되어 있고, 상기 도전막 (22) 상부에는 투명도전막의 막경도와 안정성을 향상시키기 위한 막으로서, 실리콘 알콕사이드의 가수분해물로 이루어진 오버코팅막 (23)이 형성되어 있다.

상기 도전막 (22)에는 도 3에 도시된 바와 같이 금속 미립자 (34)이외에 금속 산화물 입자 (35)를 더 포함하기도 한다. 여기에서 금속 미립자와 도전성 입자간의 혼합중량비는 2.5:1 내지 30:1이다. 이와 같이 도전막내에 도전성 입자를 더 함유시키면 투명도전막의 막경도, 굴절율 및 반사율을 바람직한 범위내로 조절할 수 있다.

상기 결합제로는 금속 미립자의 분산 및 연결성을 향상시킬 수 있는 물질로서 폴리피롤(polypyrrole), 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알콜 및 실리콘 알콕사이드 올리고머중에서 선택된 적어도 하나를 사용한다. 이러한 결합제를 사용하면, 금속 미립자들이 연속적으로 응집되어 즉, 금속 미립자들의 체인상 집합체가 형성됨으로써 도전막의 도전성이 양호하면서 체인과 체인사이의 공극에 의하여 투과도가 우수한 막이 얻어질 수 있게 된다. 그리고 상기 결합제와 금속 미립자의 혼합중량비가 1:10 내지 1:1.82인 것이 바람직하다.

본 발명의 투명도전막을 음극선관 패널상에 코팅하는 경우에는, 도전막이 고굴절율의 막이고, 오버코팅막은 저굴절율의 막이므로 각 층에서 반사된 광이 간섭한다. 그 결과, 관측광의 진폭이 감소되어 눈의 피로가 감소된다.

본 발명의 투명도전막에 있어서, 각 층의 막두께를 조절하는 것이 요구된다.

도전막의 두께는 50 내지 400nm이고, 오버코팅막의 두께는 입사파장의 λ/4에 맞추어 형성하는 것이 바람직하다. 이는 b 및 c에서 반사된 파형은 a에서 반사된 파형과 λ/2로 엇갈린 파형으로 반사됨으로써 a에서 반사된 광이 간섭하여 전체 반사광의 강도가 감소되기 때문이다(도 4). 도 4에서, (41)은 기판을, (42)는 도전막을, (43)은 오버코팅막을 각각 나타낸다.

이하, 본 발명에 따른 투명도전막의 제조방법을 살펴보기로 한다.

먼저, 기판 상부에 금속(M₁) 미립자, 결합제 및 용매를 포함하는 투명도전성 조성물을 도포한다. 여기에서, 상기 투명도전성 조성물을 기판상에 코팅하기 이전에 기판을 예열처리하는 과정은 생략하여도 무방하다.

상기 금속 미립자의 함량은 도전성 조성물 전체 중량을 기준으로 하여 0.2 내지 1.0중량%가 바람직하다. 여기에서, 금속 미립자의 함량이 1.0중량%를 초과하면 막의 도전성은 우수하지만 투과도가 저하되고, 0.2중량% 미만이면 막의 도전성이 저하되기 때문이다.

상기 결합제의 함량은 도전성 조성물 전체 중량을 기준으로 하여 0.0333 내지 0.332중량%인 것이 바람직하다. 여기에서, 결합제의 함량이 0.0333중량% 미만이면, 성막성이 없고, 0.332중량%를 초과하면, 결합제가 금속 미립자 사이를 블록킹(blocking)하여 도전성이 저하되므로 바람직하지 못하다.

상기 도전막 상부에 금속 알콕사이드[M₂(OR)₄]의 가수분해물을 포함하는 오버코팅성 조성물을 코팅한다. 그 후, 상기 결과물을 건조한 다음, 150 내지 250℃에서 열처리한다.

상술한 방법에 따르면, 투과도가 70 내지 80%, 표면저항이 100 내지 2000 Ω/□인 투명도전막을 얻을 수 있다.

이하, 본 발명을 실시예를 들어 상세히 설명하기로 하되, 본 발명이 하기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.

<실시예 1>

순수 78g에 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone) 22g을 용해한 폴리비닐피롤리돈 수용액 0.25g, 메탄올 70g, 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol) 55g, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(propyleneglycol monoethylether: PGM) 10g과 혼합한 다음, 이 혼합물을 1시간동안 교반하였다. 이 혼합물에 평균입경이 20nm인 은(Ag)미립자 0.45g 및 순수 14.55g을 부가하여 제1조성물을 준비하였다.

정규산에틸실리케이트(tetraethyl orthosilicate: TEOS) 2.36g, 메탄올 30g. 에탄올 50g, n-부탄올 12g 및 순수 4g을 혼합한 다음, 여기에 질산 0.5g을 첨가하여 이를 상온에서 24시간동안 반응시켜 제2조성물을 준비하였다.

깨끗하게 세정된 유리기판을 80rpm으로 회전시키면서 상기 제1조성물을 붓고, 조성물이 기판 상부에 완전히 코팅될 때까지 60초동안 회전시켰다. 이어서 유리기판의 회전속도를 약 190rpm으로 상승시켜 80초동안 회전시켜서 건조시켰다.

그리고 나서, 상기 제1조성물이 도포된 기판을 80rpm으로 회전시키면서, 제2조성물을 붓고 약 15초동안 회전시켰다. 그 후, 회전속도를 약 150rpm으로 상승시키면서 110초동안 회전시켜 건조시켰다.

건조된 기판을 약 200℃에서 30분동안 열처리하여 투명도전막을 형성하였다.

상기 실시예 1에 따라 제조된 투명도전막의 면저항은 170Ω/□이었고, 투과율은 약 0.8이었으며, 반사율은 0.6였다.

<실시예 2-5>

폴리비닐피롤리돈 수용액의 함량은 0.15g, 0.2g, 0.25g 및 0.3g으로 변화시킨 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.

상기 실시예 2-5에 따라 제조된 투명도전막의 면저항은 550, 300, 170 및 240Ω/□였다.

<실시예 6-7>

열처리온도를 180 및 190℃로 조절하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.

상기 실시예 6-7에 따라 제조된 투명도전막의 면저항은 300 및 220Ω/□였다.

<실시예 8>

제1조성물이 은(Ag) 0.45g, 폴리비닐피롤리돈 수용액 0.25g, 순수 14.55g, 메탄올 70g, 2-메톡시에탄올 55g 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 10g으로 이루어진 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.

<실시예 9>

제1조성물이 은(Ag) 0.38g, 폴리비닐피롤리돈 수용액 0.21g, 순수 12.12g, 메탄올 72.5g, 2-메톡시에탄올 55g 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 10g으로 이루어진 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.

<실시예 10>

제1조성물이 은(Ag) 0.30g, 폴리비닐피롤리돈 수용액 0.17g, 순수 9.70g, 메탄올 75g, 2-메톡시에탄올 55g 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 10g으로 이루어진 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.

상기 실시예 8-10에 따라 제조된 투명도전막의 면저항은 각각 170, 1000 및 5000Ω/□였다.

<실시예 11>

제1조성물로서, 하기 방법에 따라 제조된 조성물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.

순수 20g과 폴리비닐피롤리돈 용액 0.25g을 혼합하여 약 1시간동안 교반한 다음, 은 미립자 0.45g을 부가하였다. 상기 혼합물에 메탄올 25g, 에탄올 44g, 이소프로필알콜 44.5g, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 11.0g 및 콜로이달 실리카(colloidal silica) 0.36g의 혼합액을 부가하였다. 이 혼합물을 약 1시간동안 교반하여 투명도전성 조성물을 준비하였다.

<실시예 12>

콜로이달 실리카 0.36g 대신 산화안티몬티탄(ATO) 0.53g을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 11과 동일한 방법에 따라 실시하였다.

<실시예 13>

콜로이달 실리카 0.36g 대신 산화인듐티탄(ITO) 0.6g을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 11과 동일한 방법에 따라 실시하였다.

상기 실시예 11-13에 따라 제조된 투명도전막의 굴절율 및 반사율을 하기 표 1과 같다.

구분	굴절율(500nm)	반사율(500nm)
실시예 11	1.72	1.23
실시예 12	1.79	1.21
실시예 13	1.82	1.38

<실시예 14>

제1조성물에 산화안티몬티탄(ATO) 0.0172g이 더 부가된 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.

<실시예 15>

제1조성물로서, 하기 방법에 따라 제조된 조성물을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.

메탄올 80g, 2-메톡시에탄올 55g, 폴리비닐피롤리돈 용액 0.25g과 혼합한 다음, 1시간동안 교반하였다. 이 혼합물에 평균입경이 20nm인 은미립자 0.45g, ATO 0.086g 및 순수 14.55g을 부가하여 제1조성물을 준비하였다.

상기 실시예 14 및 15에 따라 제조된 투명도전막의 면저항은 2000 및 900Ω/□였다.

이상에서 살펴본 바와 같이, 상기 실시예 1-15에 따르면, 200℃ 전후의 저온소성으로도 도전성이 우수한 투명도전막을 제조할 수 있었다.

본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과가 있다.

첫째, 표면저항이 매우 작아서 17"인치 이상의 대형 모니터에 적용하여도 TCO의 규제에 효율적으로 대응할 수 있다.

둘째, 본 발명의 제조방법은 고온소성이 불필요하고 별도의 진공장치를 사용하지 않아도 되므로 제조단가를 낮출 수 있다.

셋째, 저온 소성처리로 투명도전막을 제조하므로 내열성이 약한 기판도 적용가능하다.

넷째, 투명도전막내에 함유되어 있는 금속 미립자의 광흡수에 의하여, 이 투명도전막을 채용한 표시장치에서 화면의 콘트라스트가 향상된다.

상술한 바와 같은 효과를 갖는 본 발명에 따른 투명도전막은 표시장치, 특히 음극선관의 전자파차폐막 또는 대전방지막에 유용하게 사용할 수 있다. 이밖에도, 일반적인 전자기기의 전자파 차폐막, 전원인가용 투명전극 등에 적용가능하다.

도 1은 투명도전막내의 금속 미립자가 체인상으로 연결되어 있는 상태를 설명하기 위한 도면이고,

도 2 및 도 3은 본 발명에 따른 투명도전막의 단면을 개략적으로 나타낸 도면들이고,

도 4는 본 발명에 따른 투명도전막에 있어서, 각 층에서의 입사광의 반사된 파형을 나타낸 도면이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

21, 31, 41... 기판 22, 32, 42... 도전막

23, 33, 43... 오버코팅막 24, 34... 금속 미립자

35... 금속 산화물 미립자

Claims

금속(M1) 미립자, 결합제 및 용매를 포함하고 있는 투명도전성 조성물에 있어서,

상기 금속(M1) 미립자는 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 구리(Cu), 니켈(Ni), 납(Pb), 코발트(Co), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd) 및 주석(Sn)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나이고,

상기 결합제가 폴리피롤, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알콜 및 화학식 1로 표시되는 실리콘 알콕사이드 올리고머로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 투명도전성 조성물.

상기식중, R은 수소 또는 C1 내지 C20 알킬기이고, n은 2 내지 10의 정수임.
제1항에 있어서, 상기 조성물에 산화인듐티탄(ITO), 산화주석(SnO2), 산화인듐(In2O3), 산화티탄(TiO2), 산화안티몬티탄(ATO), 산화규소(SiO2) 및 산화지르코늄(ZrO2)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 금속 산화물 입자가 더 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 투명도전성 조성물.
제2항에 있어서, 상기 금속 미립자와 금속 산화물 입자간의 혼합중량비는 2.5:1 내지 30:1인 것을 특징으로 하는 투명도전성 조성물.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 금속 미립자의 함량이 투명도전성 조성물의 전체 중량을 기준으로 하여 0.2 내지 1.0중량%인 것을 특징으로 하는 투명도전성 조성물.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 금속 미립자의 평균입경이 10 내지 30nm인 것을 특징으로 하는 투명도전성 조성물.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 결합제의 함량이 투명도전성 조성물 전체 중량을 기준으로 하여 0.0333 내지 0.332중량%인 것을 특징으로 하는 투명도전성 조성물.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 결합제와 금속 미립자의 혼합중량비가 1:10 내지 1:1.82인 것을 특징으로 하는 투명도전성 조성물.
(a) 기판 상부에 금속(M1) 미립자, 결합제 및 용매를 포함하는 투명도전성 조성물을 도포한 다음, 건조하는 단계 및

(b) 상기 결과물을 열처리하여 도전막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법(여기에서, 상기 금속(M1) 미립자는 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 구리(Cu), 니켈(Ni), 납(Pb), 코발트(Co), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd) 및 주석(Sn)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나이고, 상기 결합제는 폴리피롤, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알콜 및 화학식 1로 표시되는 실리콘 알콕사이드 올리고머로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나임).

상기식중, R은 수소 또는 C1 내지 C20 알킬기이고, n은 2 내지 10의 정수임.
제8항에 있어서, 상기 도전막 상부에 금속 알콕사이드[M2(OR)4]의 가수분해 물을 포함하는 오버코팅성 조성물을 코팅한 다음, 건조 및 열처리하여 오버코팅막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법(여기에서, 상기 금속 알콕사이드[M2(OR)4]는 Si(OR)4, Ti(OR)4, Sn(OR)4 및 Zr(OR)4(단, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기임)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나임).
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 투명도전성 조성물에 산화인듐티탄(ITO), 산화주석(SnO2), 산화인듐(In2O3), 산화티탄(TiO2), 산화안티몬티탄(ATO), 산화규소(SiO2) 및 산화지르코늄(ZrO2)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 금속 산화물 입자가 더 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
제10항에 있어서, 상기 금속 미립자와 금속 산화물 입자간의 혼합중량비는 2.5:1 내지 30:1인 것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 열처리가 150 내지 250℃에서 실시하는 것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 금속 미립자의 함량이 투명도전성 조성물의 전체 중량을 기준으로 하여 0.2 내지 1.0중량%인 것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 금속 미립자의 평균입경이 10 내지 30nm인 것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 결합제의 함량이 투명도전성 조성물 전체 중량을 기준으로 하여 0.0333 내지 0.332중량%인 것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 결합제와 금속 미립자의 혼합중량비가 1:10 내지 1:1.82인 것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 도전막의 두께가 50 내지 400nm인 것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
제9항에 있어서, 상기 오버코팅막을 입사광의 파장의 1/4 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
제8항 내지 제11항, 제12항 내지 제18항중 어느 한 항에 따라 제조된 것을 특징으로 하는 투명도전막.
제19항에 있어서, 상기 막의 면저항이 100 내지 2000Ω/□이고, 투과도가 70 내지 80%인 것을 특징으로 하는 투명도전막.