KR20020066505A - 전자파 차폐막 및 반사방지 형성용 조성물과 그 제조방법 - Google Patents

전자파 차폐막 및 반사방지 형성용 조성물과 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전자파 및 반사방지 차폐막 형성용 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 디스플레이 장치의 전면 패널에 적용하여 전자파 차폐 및 반사방지 기능을 부여하는 전자파 및 반사방지 차폐막 형성용 조성물과 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 이를 위하여, 전자파 차폐막 및 반사방지막 형성용 조성물에 있어서, 배위금속 화합물, 금속 염, 및 금속 알콕사이드로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 보조 도전성 물질을 포함하는 전자파 차폐막 및 반사방지막 형성용 조성물을 제공한다.
본 발명의 조성물은 주도전성 물질 외에 보조 도전성 물질을 이용하여 디스플레이 장치의 전면 패널에 적용시 고투과도, 낮은 반사율, 및 낮은 표면저항을 나타내게 하고 전자파 차폐 기능을 향상시킬 수 있다.

Description

전자파 차폐막 및 반사방지 형성용 조성물과 그 제조방법{A COATING FILM COMPOSITION FOR EMI SHIELDING AND ANTI-REFLECTION AND METHODS FOR PREPARING THE SAME}
본 발명은 전자파 및 반사방지 차폐막 형성용 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 디스플레이 장치의 전면 패널에 적용하여 전자파 차폐 및 반사방지 기능을 부여하는 전자파 및 반사방지 차폐막 형성용 조성물과 그 제조방법에 관한 것이다.
컴퓨터 모니터를 비롯한 각종 표시장치는 일반적으로 정전기의 대전 현상으로 먼지가 부착되어 화질 저하를 일으키거나, 대전된 패널에 인체가 접촉했을 경우 전기쇼크 발생 및 회로 고장으로 인해 기기가 오작동 할 수 있는 등의 문제를 안고 있다. 특히, 최근 들어 전자 장치에서 발생하는 전자파가 인체에 끼치는 유해성이 주요한 관심의 대상으로 등장하면서 많은 국가에서 이에 대한 규제를 강화하고 있다.
최근까지 컴퓨터 모니터를 포함한 음극선관에서 방출되는 전자파를 규제하는 기준으로 널리 알려진 것은 스웨덴 사무노동조합(The Swedish Confederation OfProfessional Employees: TCO)에서 1995년에 제정한 전자파 규제 조항으로, 이에 의하면 음극선관 표면에 104∼ 105Ω/□대의 표면저항을 가지는 전자파 차폐 및 반사 방지막을 조성해야 하는 것으로 인식되었다. 하지만, 1999년에 새로이 제정된 TCO99 규정에서는 그 기준이 대폭 강화되어 17인치 이상의 대형 모니터의 경우 보정 회로 없이도 전자파 차폐의 기능을 가질 수 있도록 102∼ 103Ω/□ 대의 낮은 표면저항을 구현해야만 하게되었다.
이러한 낮은 저항을 구현하는 방법으로 진공증착법, 이온빔법, 스퍼터링법과 같은 건식법이 주로 사용되어 왔으나, 상기 방법들은 생산 단가가 비싸고 고온에서 소성해야 하는 등의 단점이 있어 최근에는 이를 스프레이법, 스핀코팅법과 같은 습식법으로 해결하려는 시도가 있어 왔다. 습식법으로 상기와 같은 낮은 저항을 구현하면서 높은 투과도를 유지하기 위해서는 평균 입자크기가 1 ∼ 100 nm인 금속미립자를 사용하여야 하는데, 이러한 경우 주로 Au, Ag, Pt, Pd과 같은 금속 미립자 또는 상기 2가지 이상의 금속 복합 미립자를 유기 용매에 분산, 안정화한 후 이를 음극선관 표면에 도포하거나 주석이 도핑된 산화인듐(이하, 'ITO'라 함), 안티몬이 도핑된 산화주석(이하, 'ATO'라 함), 알루미늄이 도핑된 산화아연(이하, 'AZO'라 함) 등의 금속 산화물로 1층 투명도전막을 형성하고, 그 위에 상기의 금속 미립자를 실리케이트 등에 도입한 2층 반사방지막 조성물을 도포하는 등의 방법을 사용한다.
그러나, 상기의 습식법을 사용하였을 경우에도 기술적인 문제점은 남아있다.즉, 도전성 물질로 금속 미립자를 사용하였을 때 85% 이상의 높은 투과도를 얻기가 매우 어렵기 때문에 기존의 모니터에 사용되는 착색 유리에는 휘도 저하 등의 이유로 적용하기가 어렵다. 또한, 금속 미립자는 ATO, ITO, AZO 등의 금속 산화물에 비해 유기용매 중에서 균일하게 분산 안정화시키기 어려운 점이 있으므로 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리돈, 폴리피롤, 실리콘 알콕사이드 올리고머 등의 결합제나 시트르산 나트륨과 황산 제1철을 이용한 분산안정제, 및 이외의 유기계 분산안정제 등을 필요로 한다.
따라서, 본 발명은 상기 종래 기술에서의 문제점을 해결하기 위하여, 도전성 물질외에 보조 도전성 물질을 이용하여 반사방지 및 전자파 차폐 기능을 동시에 만족시킬 수 있는 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 금속 미립자를 사용한 습식법의 종래 기술이 가지고 있는 투과도의 한계를 해결하여 기존의 착색 유리를 사용하는 모니터에 적용하였을 때 휘도의 저하 없이 TCO99 규정을 만족시키는 반사방지 전자파 차폐막을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 상기 조성물의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 조성물로 코팅된 전자파 차폐 및 반사방지막을 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여,
전자파 차폐막 및 반사방지막 형성용 조성물에 있어서,
상기 조성물이 배위금속 화합물, 금속 염, 및 금속 알콕사이드로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 보조 도전성 물질을 포함하는 전자파 차폐막 및 반사방지막 형성용 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은
a) 브라운관 패널 표면에
ⅰ) 2종 이상의 유기용매에 분산된 금속 산화물 미립자를 포함하는 주도전성 물질; 및
ⅱ) 배위금속 화합물, 금속 염, 및 금속 알콕사이드로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 보조 도전성 물질을 포함하는 전자파 차폐막 형성용 1층 조성물을 스핀 코팅하는 단계; 및
b) 상기 1층 조성물이 스핀 코팅된 패널 위에
ⅰ) 유기실란 화합물; 및
ⅱ) 배위금속 화합물, 금속 염, 및 금속 알콕사이드로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 보조 도전성 물질을 포함하는 반사방지막 형성용 2층 조성물을 스핀 코팅한 후 열처리하는 단계
를 포함하는 전자파 차폐막 및 반사방지막의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 방법으로 제조된 전자파 차폐막 및 반사방지막을 제공한다.
이하에서 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명은 보조 도전성 물질을 금속 산화물 미립자를 근간으로 하는 전자파 차폐막 형성용 1층 조성물 또는 알콕시 실리케이트를 주성분으로 하는 반사방지막 형성용 2층 조성물에 사용함으로써, 표시장치의 전면 패널에 적용시 투명성과 전도성이 우수하고 전자파 차폐 성능을 보이는 전자파 차폐 및 대전방지막 형성용 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 1층 조성물을 이용하여 형성된 도전막 위에 2층 조성물을 적용함으로써, 입사광의 반사율을 감소시킬 수 있다.
본 발명은 배위금속화합물, 금속 염, 및 금속 알콕사이드로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 보조 도전성 물질을 별도의 표면처리나 분산안정제 없이 유기용매에 녹인 후, 주 도전성 물질인 금속 산화물 미립자에 첨가하여 막 형성시 높은 전도도와 투과도를 가질 수 있게 하는 전자파 차폐막 1층 조성물 또는 상기 보조 도전성 물질을 유기실란 화합물을 주성분으로 하는 반사방지막 형성용 2층 조성물에 첨가하여 반사방지 전자파 차폐막을 형성할 수 있는 조성물을 제공한다.
더욱 상세하게는 상기 전자파 차폐막 및 반사방지막 형성용 조성물은 2 종 이상의 유기용매에 분산된 금속 산화물 미립자를 포함하는 주도전성 물질과 배위금속 화합물, 금속 염, 및 금속 알콕사이드로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 보조 도전성 물질을 포함하는 전자파 차폐막 형성용 1층 조성물을 포함한다.
또한, 상기 전자파 차폐막 및 반사방지막 형성용 조성물은 유기실란 화합물과 배위금속 화합물, 금속 염, 및 금속 알콕사이드로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 보조 도전성 물질을 포함하는 반사방지막 형성용 2층 조성물을 포함한다.
이러한 본 발명의 반사방지 전자파 차폐막 형성용 조성물과 그 제조방법에 대하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 반사방지 전자파 차폐막을 구성하기 위하여, 전자파 차폐막 형성은 2종 이상의 유기용매에 용해된 금속 산화물 미립자를 포함하는 도전성 물질과 배위금속화합물, 금속 염, 및 금속 알콕사이드로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 보조 도전성 물질을 포함하는 1층 조성물이 사용된다.
상기 전자파 차폐막의 투과도 및 도전성을 부여하는 투명한 도전성 금속 산화물로 10 ∼ 150 nm의 크기를 갖는 ITO, ATO, 및 AZO 로 이루어진 군으로부터 선택되는 미립자 1 내지 5 중량%를 유기용매에 분산시킨 분산액을 사용한다. 본 발명에서 사용되는 유기용매는 에탄올, 메탄올, 프로판올, 및 부탄올을 포함하는 알코올류; 아세톤, 에틸메틸케톤, 및 메틸이소부틸케톤을 포함하는 케톤류; 및 이외에 일정량의 중비점 및 고비점 용매로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 사용한다.
특히, 본 발명은 상기 조성의 금속 산화물 분산액에 보조 도전성 물질로 배위금속화합물(바람직하게는 킬레이트 화합물), 금속 염, 및 금속 알콕사이드로 이루어진 군으로부터 1종 이상을 유기용매에 용해하여 첨가한다. 이때 사용되는 유기용매로는 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 및 디아세톤 알코올을 포함하는 알코올류; 디메틸포름아미드를 포함하는 아미드류; 메틸셀루솔브, 에틸셀루솔브, 이소프로필 셀루솔브, 및 부틸 셀루솔브를 포함하는 셀루솔브류; 및 아세틸아세톤을 포함하는 케톤류로부터 이루어진 군으로부터 선택되는 2종 이상의 혼합물이사용된다.
상기 배위금속화합물, 금속 염, 및 금속 알콕사이드에 사용되는 금속은 각각 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 인듐(In), 및 주석(Sn)으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 상기 배위금속화합물, 금속 염, 및 금속 알콕사이드의 사용량은 주도전성 금속 산화물에 대해 각각 0.1 ∼ 2 중량%로 사용하는 것이 바람직하다.
상기 배위금속화합물에 사용되는 리간드는 탄소수 1 ∼ 4의 알킬기를 가진 아세틸아세토네이트를 포함하는 아세테이트류, 및 포스페이트류로 이루어진 군으로부터 선택되는 킬레이트 화합물을 사용한다. 상기 금속 염은 질산염, 황산염, 및 염화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다. 상기 금속 알콕사이드는 탄소수 1 ∼ 4의 알킬기를 가진 군으로부터 선택되는 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 반사방지 전자파 차폐막을 구성하기 위해, 하기 화학식 1로 표시되는 알콕시 실란이나 이들을 산 촉매와 알코올 용매하에서 부분 가수분해시킨 유기실란 화합물을 주성분으로 하여 상기 보조 도전성 물질과 유기용매를 포함하는 반사방지막 형성용 2층 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Ra(O)Si(OR')4-a
상기 화학식 1에서,
R은 CnH2n+1(n = 1 ∼ 4), 수소, 또는 할로겐 원자이고;
a 는 0 내지 3 이고; 및
R'은 CnH2n+1(n = 1 ∼ 4), 수소원자 또는 CnH2n+1OC2H4(n = 1 ∼ 4) 이다.
본 발명에 사용되는 유기실란화합물로는 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라페녹시실란, 메틸트리이소프로폭시실란, 테트라프로폭시실란, 비닐트리이소프로폭시실란 등이 있다. 상기 산 촉매로는 질산, 염산, 아세트산, 황산, 인산, 클로로술폰산, 트리클로로아세트산, 파라톨루엔술폰산 등이 있으며, 알코올로는 탄소수 1 ∼ 4의 알킬기를 가진 알코올이 사용된다. 상기 유기실란의 사용량은 2 내지 10 중량%로 사용한다.
본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 유기실란 화합물 용액에 상기 배위금속화합물, 금속 염, 및 금속 알콕사이드로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 보조 도전성 물질을 2층 조성물의 전체 고형분에 대하여 0.5 ∼ 20 중량%로 사용하여 유기용매에 용해하여 첨가한다. 상기 금속 알콕사이드는 단순 첨가 뿐 아니라 산 촉매하에서 반응시켜 올리고머 형태로 첨가하거나 알콕시 실란 단량체와 함께 산 촉매하에서 반응시켜 공중합체로 만들어서 사용할 수도 있다. 이때, 상기 보조 도전성 물질로 사용되는 배위금속화합물, 금속 염, 금속 알콕사이드 및 유기용매는 상기에 설명된 바와 같다.
이상과 같이, 본 발명의 조성물은 보조 도전성 물질로 배위금속화합물, 금속 염, 및 금속 알콕사이드 중에서 선택된 적어도 1종 이상을 포함하여 상기의 조성물을 스핀코팅 한 후 열처리하여 투명도전막을 형성하였을 때, 550 nm에서 92% 이상의 높은 투과도와 1.0% 이하의 낮은 반사율, 그리고 6×103Ω/□ 이하의 낮은 표면저항을 나타낸다. 따라서, 본 발명은 기존의 금속 미립자를 이용한 습식법을 개선하여 강화된 TCO규정을 만족시키는 낮은 저항과 높은 투과도를 구현함으로써 휘도의 감소 없이 착색 유리를 사용하는 표시장치의 제조에 응용할 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 하기와 같은 비교예와 실시예를 기술하겠는바, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 의해 한정되지는 않는다.
[실시예 1]
약 30 nm의 평균 입경을 갖는 ITO 2.5 중량%, 아세톤 20.0 중량%, 에탄올 40.0 중량%, 메틸셀루솔브 30 중량%, N,N-디메틸포름아마이드 4 중량%, N-메틸피롤리돈 2 중량%, 보조 도전성 물질로 인듐 아세틸아세토네이트 0.3 중량%가 녹아있는 아세틸아세톤 1.5 중량%로 조성된 1층 전자파 차폐막 형성용 조성물을 제조한 후 호모믹서를 이용하여 5,000 rpm으로 10분간 분산하고, 이물질을 제거하기 위하여 기공의 크기가 1.2 미크론인 평판형 필터(Millipore사)로 필터링을 실시하였다. 브라운관 패널을 40 ∼ 50 ℃로 미리 예열하고 패널 표면에 상기 조성의 전자파 차폐막 형성용 1층 조성물을 투입하여 150 rpm에서 60초간 스핀 코팅하였다. 이어서, 테트라에틸 오르토실리케이트(TEOS)를 산 촉매와 알코올 용매하에서 수화 및축합반응시켜 제조한 실리카 화합물 1.5 중량%, 메탄올 50.0 중량%, 메틸셀루솔브 25.0 중량%, 디아세톤알코올 18.5 중량%, 보조 도전성 물질로 인듐 아세틸아세토네이트가 3 중량% 녹아 있는 아세틸아세톤 5 중량%로 조성된 반사방지막 형성용 2층 조성물을 투입하여 150 rpm에서 70초간 스핀 코팅하였다. 스핀 코팅에 의하여 두층의 피막이 형성된 후 소성로에서 180 ∼ 200 ℃의 온도로 30분 이상 소성시켜 전자파 차폐막 및 반사방지막을 형성시켰다.
[실시예 2]
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하되, 1층 조성물에 첨가되는 보조 도전성 물질로 인듐 아세틸아세토네이트 0.2 중량%와 팔라듐 아세테이트 0.1 중량%가 용해된 N,N-디메틸포름아미드 1.5 중량%를 첨가하여 1층 조성물을 제조하였다.
[실시예 3]
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하되, 1층 조성물에 첨가되는 보조 도전성 물질로 인듐 이소프로폭사이드 0.1 중량%가 용해된 2-프로판올 1.5 중량%를 첨가하여 1층 조성물을 제조하였다.
[실시예 4]
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하되, 1층 조성물에 첨가되는 보조 도전성 물질로 인듐 아세테이트 0.2 중량%가 용해된 에틸렌글리콜 1.5 중량%를 첨가하여 1층 조성물을 제조하였다.
[실시예 5]
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하되, 1층 조성물에 첨가되는 보조 도전성 물질로 주석 아세테이트 0.2 중량%가 용해된 에틸렌글리콜 1.5 중량%를 첨가하여 1층 조성물을 제조하였다.
[실시예 6]
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하되, 2층 조성물에 첨가되는 보조 도전성 물질로 인듐 이소프로폭사이드 1 중량%가 용해된 2-프로판올 5 중량%를 첨가하여 2층 조성물을 제조하였다.
[실시예 7]
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하되, 2층 조성물에 첨가되는 보조 도전성 물질로 인듐 아세틸아세토네이트 2 중량%와 주석 아세틸아세토네이트 0.2 중량%가 용해된 아세틸아세톤 5 중량%를 첨가하여 2층 조성물을 제조하였다.
[실시예 8]
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하되, 2층 조성물에 첨가되는 보조 도전성 물질로 인듐 아세테이트 5 중량%가 용해된 에틸렌글리콜 5 중량%를 첨가하여 2층 조성물을 제조하였다.
[실시예 9]
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하되, 2층 조성물에 첨가되는 보조 도전성 물질로 질산인듐 2 중량%와 주석 아세테이트 0.2 중량%가 용해된 에틸렌글리콜 5 중량%를 첨가하여 2층 조성물을 제조하였다.
[실시예 10]
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하되, 2층 조성물에 첨가되는 보조 도전성 물질로 인듐 아세테이트 4 중량%와 팔라듐 아세테이트 2 중량%가 용해된 N,N-디메틸포름아미드 5 중량%를 첨가하여 2층 조성물을 제조하였다.
[실시예 11]
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하되, 1층 조성물에만 보조 도전성 물질로 주석 아세테이트 0.2 중량%가 용해된 에틸렌글리콜 1.5 중량%를 첨가하였고, 2층의 보조 도전성 물질 대신에 아세틸아세톤 5 중량%로 대체하여 피복 조성물을 제조하였다.
[실시예 12]
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하되, 1층의 보조 도전성 물질 대신에 메탄올 1.5 중량% 첨가하였고, 2층 조성물에만 보조 도전성 물질로 인듐 아세테이트 4 중량%와 팔라듐 아세테이트 2 중량%가 용해된 N,N-디메틸포름아미드 5 중량%를 첨가하여 피복 조성물을 제조하였다.
[비교예 1]
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하되, 1층의 보조 도전성 물질 대신에 메탄올 1.5 중량%, 2층의 보조 도전성 물질 대신에 아세틸아세톤 5 중량%로 대체하여 피복 조성물을 제조하였다.
[비교예 2]
약 20 nm의 평균 입경을 갖는 은 미립자 0.3 중량%, 폴리비닐알코올 수용액 0.1 중량%, 아세톤 20.0 중량%, 메탄올 40.0 중량%, 메틸셀루솔브 30 중량%, 디아세톤알코올 4 중량%, 에틸렌글리콜 2 중량%, 아세틸아세톤 3.6 중량%로 조성된 1층전자파 차폐막 형성용 조성물을 제조한 후, 상기 실시예 1에서와 같은 방법으로 스핀 코팅하였다. 이어서, 상기 비교예 1에서의 2층 반사방지 조성물을 상기 실시예 1에서와 같은 방법으로 스핀 코팅한 후, 소성하였다.
하기 표 1은 상기 실시예 1 내지 12 및 비교예 1, 2에서 사용된 주도전성 물질과 보조 도전성 물질을 나타낸 것이다.
표 1
구 분 주 도전성 물질 보조 도전성 물질
1층 2층
실시예 1 ITO* 인듐 아세틸아세토네이트 인듐 아세틸아세토네이트
실시예 2 ITO 인듐 아세틸아세토네이트+ 팔라듐 아세테이트 인듐 아세틸아세토네이트
실시예 3 ITO 인듐 이소프로폭사이드 인듐 아세틸아세토네이트
실시예 4 ITO 인듐 아세테이트 인듐 아세틸아세토네이트
실시예 5 ITO 주석 아세테이트 인듐 아세틸아세토네이트
실시예 6 ITO 인듐 아세틸아세토네이트 인듐 이소프로폭사이드
실시예 7 ITO 인듐 아세틸아세토네이트 인듐 아세틸아세토네이트+ 주석 아세틸아세토네이트
실시예 8 ITO 인듐 아세틸아세토네이트 인듐 아세테이트
실시예 9 ITO 인듐 아세틸아세토네이트 질산인듐 + 주석 아세테이트
실시예 10 ITO 인듐 아세틸아세토네이트 인듐 아세테이트+ 팔라듐 아세테이트
실시예 11 ITO 인듐 아세틸아세토네이트 -
실시예 12 ITO - 인듐 아세테이트+ 팔라듐 아세테이트
비교예 1 ITO - -
비교예 2 Ag - -
* 주석이 도핑된 산화인듐
하기 표 2는 상기 실시예 1 내지 12 및 비교예 1, 2에서 형성된 전자파 차폐막 및 반사방지막의 물성을 하기의 평가방법으로 측정한 결과를 나타낸 것이다.
표면저항: 미쓰비시 화학의 Lorester 표면저항계를 이용하여 측정하였다.
투과도: PSI사의 Darsa-2000 반사율측정장치를 이용하여 측정하였다.
표 2
구 분 표면저항(Ω/□) 550 nm에서의 투과도(%) 550 nm에서의 반사율(%)
실시예 1 6.5×103 95 0.8
실시예 2 8.0×103 93 0.8
실시예 3 7.5×103 96 1.0
실시예 4 5.5×103 95 0.7
실시예 5 6.5×103 94 0.6
실시예 6 6.5×103 96 0.7
실시예 7 5.5×103 94 0.6
실시예 8 6.0×103 95 0.7
실시예 9 5.0×103 95 0.6
실시예 10 6.5×103 92 0.7
실시예 11 1.0×104 96 0.5
실시예 12 8.5×103 93 0.8
비교예 1 2.8×104 98 0.7
비교예 2 2.1×103 82 0.3
상기 표 2에서 보면, 실시예 1 내지 12는 표면 저항, 투과도 및 반사율이 모두 우수한 것에 비해 비교예 1은 표면저항이 불량하고, 비교예 2는 표면 저항과 반사율은 우수한 반면 투과도가 불량함을 알 수 있다.
본 발명의 조성물은 주도전성 물질 외에 보조 도전성 물질을 이용하여 디스플레이 장치의 전면 패널에 적용시 고투과도, 낮은 반사율, 및 낮은 표면저항을 나타내게 하고 전자파 차폐 기능을 향상시킬 수 있다.

Claims (18)

  1. 전자파 차폐막 및 반사방지막 형성용 조성물에 있어서,
    상기 조성물이 배위금속 화합물, 금속 염, 및 금속 알콕사이드로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 보조 도전성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막 및 반사방지막 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 조성물이
    ⅰ) 2종 이상의 유기용매에 분산된 금속 산화물 미립자를 포함하는 주도전성 물질; 및
    ⅱ) 배위금속 화합물, 금속 염, 및 금속 알콕사이드로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 보조 도전성 물질
    을 포함하는 전자파 차폐막 형성용 1층 조성물인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막 및 반사방지막 형성용 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 조성물이
    ⅰ) 유기실란 화합물; 및
    ⅱ) 배위금속 화합물, 금속 염, 및 금속 알콕사이드로 이루어진 군으로부터1 종 이상 선택되는 보조 도전성 물질
    을 포함하는 반사방지막 형성용 2층 조성물인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막 및 반사방지막 형성용 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 조성물이
    a) ⅰ) 2종 이상의 유기용매에 분산된 금속 산화물 미립자를 포함하는 주도전성 물질; 및
    ⅱ) 배위금속 화합물, 금속 염, 및 금속 알콕사이드로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 보조 도전성 물질
    을 포함하는 전자파 차폐막 형성용 1층 조성물; 및
    b) ⅰ) 유기실란 화합물; 및
    ⅱ) 배위금속 화합물, 금속 염, 및 금속 알콕사이드로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 보조 도전성 물질
    을 포함하는 반사방지막 형성용 2층 조성물로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막 및 반사방지막 형성용 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 배위금속 화합물, 금속염, 및 금속 알콕사이드의 금속이 각각 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 인듐(In), 및 주석(Sn)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 배위금속화합물의 리간드가 탄소수 1 ∼ 4의 알킬기를 가진 아세틸아세토네이트를 포함하는 아세테이트류, 및 포스페이트류로 이루어진 군으로부터 선택되는 킬레이트 화합물인 것을 특징으로 하는 조성물.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 금속염이 질산염, 황산염, 및 염화물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 금속 알콕사이드가 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 가진 군으로부터 선택되는 조성물.
  9. 제 2 항 또는 4 항에 있어서, 상기 배위금속화합물, 금속염 및 금속 알콕사이드의 함량이 각각 주도전성 금속 산화물에 대하여 0.1 ∼ 2 중량%인 것을 특징으로 하는 조성물.
  10. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 배위금속화합물, 금속염 및 금속 알콕사이드의 함량이 각각 반사방지막 형성용 2층 조성물의 전체 고형분을 기준으로 0.1 ∼ 2 중량%인 것을 특징으로 하는 조성물.
  11. a) 브라운관 패널 표면에
    ⅰ) 2종 이상의 유기용매에 분산된 금속 산화물 미립자를 포함하는 주도전성 물질; 및
    ⅱ) 배위금속 화합물, 금속 염, 및 금속 알콕사이드로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 보조 도전성 물질을 포함하는 전자파 차폐막 형성용 1층 조성물을 스핀 코팅하는 단계; 및
    b) 상기 1층 조성물이 스핀 코팅된 패널 위에
    ⅰ) 유기실란 화합물; 및
    ⅱ) 배위금속 화합물, 금속 염, 및 금속 알콕사이드로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 보조 도전성 물질을 포함하는 반사방지막 형성용 2층 조성물을 스핀 코팅한 후 열처리하는 단계
    를 포함하는 전자파 차폐막 및 반사방지막의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 a)ⅱ) 및 b)ⅱ)의 배위금속 화합물, 금속염, 및 금속 알콕사이드의 금속이 각각 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 인듐(In), 및 주석(Sn)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 a)ⅱ) 및 b)ⅱ)의 배위금속화합물의 리간드가 탄소수 1 ∼ 4의 알킬기를 가진 아세틸아세토네이트를 포함하는 아세테이트류, 및 포스페이트류로 이루어진 군으로부터 선택되는 킬레이트 화합물인 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 11 항에 있어서, 상기 a)ⅱ)의 배위금속화합물, 금속염 및 금속 알콕사이드의 함량이 각각 주도전성 금속 산화물에 대하여 0.1 ∼ 2 중량%인 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제 11 항에 있어서, 상기 b)ⅱ)의 배위금속화합물, 금속염 및 금속 알콕사이드의 함량이 각각 반사방지막 형성용 2층 조성물의 전체 고형분을 기준으로 0.1 ∼ 2 중량%인 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제 11 항에 있어서, 상기 금속염이 질산염, 황산염, 및 염화물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제 11 항에 있어서, 상기 금속 알콕사이드가 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 가진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제 11 항 내지 제 17 항의 어느 한 항에 따라서 제조된 전자파 차폐막 및 반사방지막.
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