JP5337500B2 - 透明導電膜及びその製造方法 - Google Patents
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Description
数式(1) 0.8≦(A/100)2×√B×C≦4.0
数式(2) 0.8≦(A1/100)2×√B1×C≦4.0
数式(1) 0.8≦(A/100)2×√B×C≦4.0
数式(2) 0.8≦(A1/100)2×√B1×C≦4.0
100mlのプラスチック製ビンに、下記の成分を計り取り、ペイントシェーカー(東洋精機社製)で20分間分散した後、ジルコニアビーズを取り除いて、ITO分散体組成物aを得た。なお、スズ含有インジウム酸化物(ITO)粒子における酸化スズの含有率は10重量%である。
(1)スズ含有インジウム酸化物(ITO)粒子 12.0g
(2)分散剤“BYK163”(ビックケミー社製) 0.60g
(3)メチルエチルケトン(和光純薬社製) 13.7g
(4)トルエン(和光純薬社製) 13.7g
(5)ジルコニアビーズ(液の攪拌分散用、直径0.3mm) 60.0g
分散時間を、それぞれ15分、25分、35分にしたこと以外は、ITO分散体組成物aの場合と同様にして、ITO分散体組成物b〜dを得た。
紫外線を遮蔽したプラスチック製ビンに、ITO分散体組成物a及び下記の成分を計り取り・攪拌して、30gのコーティング組成物1を調製した。
(1)ITO分散体組成物a 18.0g
(2)アクリル樹脂“BR106”(三菱レイヨン社製) 1.83g
(3)メチルエチルケトン(和光純薬社製) 2.27g
(4)トルエン(和光純薬社製) 2.27g
(5)シクロヘキサノン(和光純薬社製) 5.63g
数式(3) 体積含有率=M/7.1/[M/7.1+(1−M)]/1.1
コーティング組成物1の不揮発固形成分中のITO粒子の重量含有率は72.0%であり、ITO粒子の体積含有率は28.5%であった。
下記表1に示すITO分散体組成物及びその他の成分を、表1に示す配合量で配合し、コーティング組成物1と同様にして、それぞれ、コーティング組成物2〜19を調製した。また、表1には、コーティング組成物1〜19の不揮発固形成分中のITO粒子の重量含有率を示した。
コーティング組成物1を、厚さ2mmの光学ガラス基板上にスピンコーター(ミカサ社製“1−HDX2”)を用いて回転数500rpmにて塗布した後、100℃の乾燥機で2分間乾燥させて、実施例1の透明導電膜を得た。実施例1の透明導電膜中のITO粒子の平均粒子径を、透過型電子顕微鏡(TEM)で観測して測定した結果、185nmであり、コーティング組成物におけるITO粒子の平均粒子径とほぼ同一であることが分かった。なお、上記のITO粒子の平均粒子径は、100個の粒子の粒子径を測定して平均した結果である。
それぞれ、コーティング組成物2〜7及び8〜13を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例2〜7及び10〜15の透明導電膜を得た。
スピンコーターの回転数を、それぞれ、1000rpm及び300rpmに変更したこと以外は、実施例7と同様にして、実施例8及び9の透明導電膜を得た。
それぞれ、コーティング組成物14〜18を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、比較例1〜5の透明導電膜を得た。
コーティング組成物19を用いたこと及びスピンコーターの回転数を、200rpmに変更したこと以外は、実施例1と同様にして、比較例6の透明導電膜を得た。
透明導電膜をガラス基板ごと切断し、走査型電子顕微鏡(SEM、日立製作所社製“S−4500”)にて断面観察して、膜厚を測定した。
抵抗計(“ロウレスタAP−MCP−T400”)及び抵抗計(“ハイレスタHT−210”)を用いて、透明導電膜の表面抵抗を測定した。なお、いずれの抵抗計もダイアインスツルメンツ社製である。
まず、紫外可視近赤外分光光度計“V−570”(日本分光社製)を用い、450〜650nmの波長領域における光透過率スペクトルを測定した。次に、基板の光透過率を換算した塗膜のみの光透過率スペクトルについて、波長領域450〜650nmの範囲の光透過率を平均した値を光透過率とした。
紫外可視近赤外分光光度計“V−570”(日本分光社製)を用いて、ヘイズ値を測定した。
A:光透過率95%以上かつヘイズ1.5%未満
B:光透過率90%以上95%未満かつヘイズ3.0%未満
C:ヘイズ3.0%以上
A:表面抵抗が1.0×105Ω/スクエア未満
B:表面抵抗が1.0×108Ω/スクエア以下
C:表面抵抗が1.0×108Ω/スクエアを超える
12 透明導電膜
Claims (4)
- 導電性無機粒子と樹脂成分とを含む透明導電膜であって、
前記導電性無機粒子の体積含有率Aが、25〜60%であり、
前記導電性無機粒子の平均粒子径Bが、30〜200nmであり、
前記透明導電膜の膜厚Cが、0.3〜3.0μmであり、
前記導電性無機粒子の体積含有率A、前記導電性無機粒子の平均粒子径B及び前記透明導電膜の膜厚Cの関係が、下記数式(1)の要件を満たすことを特徴とする透明導電膜。
数式(1) 0.8≦(A/100)2×√B×C≦4.0 - 表面抵抗が1×108Ω/スクエア以下であり、かつヘイズ値が3.0%以下である
請求項1に記載の透明導電膜。 - 前記導電性無機粒子が、酸化スズ粒子、アンチモン含有酸化スズ粒子及びスズ含有酸化インジウム粒子からなる群から選ばれる少なくとも一種である請求項1又は請求項2に記載の透明導電膜。
- 導電性無機粒子を含む透明導電膜の製造方法であって、
導電性無機粒子と樹脂成分とを含むコーティング組成物を作製する工程と、
透明基材の上に、前記コーティング組成物を塗布して塗膜を形成する工程と、
前記塗膜を乾燥して透明導電膜を形成する工程とを含み、
前記コーティング組成物における導電性無機粒子の体積含有率A1が、25〜60%であり、
前記コーティング組成物における導電性無機粒子の平均粒子径B1が、30〜200nmであり、
前記透明導電膜の膜厚Cが、0.3〜3.0μmであり、
前記導電性無機粒子の体積含有率A1、前記導電性無機粒子の平均粒子径B1及び前記透明導電膜の膜厚Cの関係が、下記数式(2)の要件を満たすことを特徴とする透明導電膜の製造方法。
数式(2) 0.8≦(A1/100)2×√B1×C≦4.0
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