KR100357946B1 - 투명 도전막의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 투명 도전막의 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 투명 도전막의 제조방법은 (a) 유리기판상에 투명 도전성 산화물 입자를 함유하는 제1조성물을 도포하는 단계; (b) 상기 도포된 제1조성물 상부에 금속 알콕사이드(단, M1은 Si, Ti, Sn, 및 Zr로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이며, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고 x는 3 또는 4임), 상기 금속알콕사이드의 가수분해반응을 촉진하는 촉매, 및 메탄올, 에탄올, 및 n-부탄올로 구성된 군에서 선택된 어느 하나 이상의 용매를 함유하는 제2조성물을 도포하여 건조하는 단계; (c) 상기 건조된 결과물을 150∼300℃에서 소성하는 단계; 및 (d) 상기 소성된 결과물 상부에 상기 도전성 산화물 입자를 환원시키는 환원제를 처리하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 도전성이 향상된 투명 도전막을 얻을 수 있다.

Description

투명 도전막의 제조방법{Manufacturing process of transparent conductive layer}
본 발명은 투명 도전막의 제조방법에 관한 것으로서, 상세하기로는 우수한 도전성을 갖는 투명 도전막의 제조방법에 관한 것이다.
투명 도전막이란 광투과율이 높은 절연물질의 표면에 형성된 얇은 도전막을 가리킨다. 이러한 투명 도전막은 전자파 차폐막, 가전기기의 정전기 방지막 및 평판액정표시장치 또는 전게발광소자의 전원인가용 투명전극 등으로 널리 사용된다.
최근, 브라운관과 같은 영상표시소자에서 발생하는 전자파의 유해성이 부각됨에 따라 전자파에 대한 규제가 점차 강화되고 있는 추세이므로, 이러한 전자파 규제에 대해 효율적으로 대처하기 위해서는 전자파 차폐 효과가 우수한 투명 도전막을 제조하는 것이 선결과제이다.
이러한 투명 도전막을 형성하는 재료로서 백금(Pt), 금(Au) 등의 금속과 주석도핑 산화 인듐(tin-doped indium oxide), 산화인듐(indium oxide), 안티몬도핑 산화 주석(antimony-doped tin oxide) 및 산화주석(tin oxide) 등의 금속 산화물이 주로 사용된다.
투명 도전막은 통상적으로 스퍼터링법, 증착법, 이온빔법 등을 이용하여 제조된다. 이러한 방법에 따라 형성된 도전막은 제반특성이 전반적으로 우수한 편이지만, 제조공정중 진공장치 등과 같은 고가의 설비를 필요로 하므로 제조단가가 비싸고, 제조공정이 진공 분위기하에서 진행되므로 제조할 수 있는 박막 크기가 제한적이라는 단점이 있다.
상기한 바와 같은 단점을 해결하기 위하여 유리기판상에 스핀법, 스프레이법 또는 침적법을 이용하여 먼저, 산화인듐, 산화주석 등의 투명도전성 미립자 함유 분산액을 도포하여 도전막을 형성한 다음, 실리콘, 알루미늄, 티타늄 등의 금속 알콕사이드를 함유하는 조성물을 도포하여 보호층을 형성하고 소정의 온도에서 열처리하여 투명도전막을 형성하는 방법이 제안되었다. 그러나, 상기 방법은 막의 경도를 높이기 위해 150℃ 이상의 온도에서 소성해야 하므로, 고온 소성과정에서 투명 도전성 미립자가 산화되므로써 막의 도전성이 감소하는 문제점이 있다.
또한, 최근에는 산화인듐, 산화주석 등의 투명도전성 미립자 함유 분산액을 도포하여 형성된 도전막에 금속 알콕사이드와 은, 금, 백금, 구리 등의 금속염을 혼합한 조성물을 도포한 후 열처리하여 금속 미립자를 석출시키므로써 막의 도전성을 높이는 방법이 제안되었다. 그러나, 이 방법에 따르면, 금속염의 열분해 온도보다 낮은 온도에서 소성할 때 열분해되지 않은 금속염이 잔류하게 된다. 이렇게 잔류된 금속염은 석출된 금속에 비해 화학적으로 불안정하여 다른 화합물로 변질될 수 있어 도전성 저하의 원인이 된다. 특히, 변질된 은 화합물은 자외선에 의해 변색되어 기판상에 얼룩을 형성하는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 방지하기 위하여 소성온도를 금속염이 완전히 열분해되는 온도로 높이면 폭축이 발생할 우려가 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기 문제점을 해결하여 도전성이 우수한 투명도전막의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 (a) 유리기판상에 투명 도전성 산화물 입자를 함유하는 제1조성물을 도포하는 단계; (b) 상기 도포된 제1조성물 상부에 금속 알콕사이드(단, M1은 Si, Ti, Sn, 및 Zr로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이며, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고 x는 3 또는 4임), 상기 금속알콕사이드의 가수분해반응을 촉진하는 촉매, 및 메탄올, 에탄올, 및 n-부탄올로 구성된 군에서 선택된 어느 하나 이상의 용매를 함유하는 제2조성물을 도포하여 건조하는 단계; (c) 상기 건조된 결과물을 150∼300℃에서 소성하는 단계; 및 (d) 상기 소성된 결과물 상부에 상기 도전성 산화물 입자를 환원시키는 환원제를 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 (a) 유리기판상에 투명 도전성 산화물 입자를 함유하는 제1조성물을 도포하는 단계; (b) 상기 도포된 제1조성물 상부에 금속 알콕사이드(단, M1은 Si, Ti, Sn, 및 Zr로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이며, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고 x는 3 또는 4임), 상기 금속알콕사이드의 가수분해반응을 촉진하는 촉매, 및 메탄올, 에탄올, 및 n-부탄올로 구성된 군에서 선택된 어느 하나 이상의 용매를 함유하는 제2조성물을 도포하여 건조하는 단계; (c) 상기 도포된 제2조성물 상부에 상기 도전성 산화물 입자를 환원시키는 환원제를 처리하는 단계; 및 (d) 상기 (c)단계의 결과물을 건조한 다음, 150∼200℃에서 소성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 투명 도전막의 제조방법에 있어서, 투명 도전성 산화물 입자는 주석도핑 산화 인듐(tin-doped indium oxide), 산화인듐(indium oxide), 안티몬도핑 산화 주석(antimony-doped tin oxide) 및 산화주석(tin oxide)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 산화물 입자인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 투명 도전막의 제조방법에 있어서, 상기 제2조성물은 금속염을 더 포함하는 것이 바람직하다.
이하에서는 본 발명에 따른 투명 도전막의 제조방법을 예를 들어 상세히 설명하기로 한다.
먼저, 통상적인 투명 도전성 입자, 바람직하게는 주석도핑 산화 인듐(tin-doped indium oxide), 산화인듐(indium oxide), 안티몬도핑 산화 주석(antimony-doped tin oxide) 및 산화주석(tin oxide)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 산화물 입자를 용매에 분산하여 제1조성물을 제조한다. 이 조성물을 예를 들어, 음극선관 또는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)에 사용되는 유리기판상에 도포한다. 이후 건조과정을 실시하거나 또는 이러한 건조과정을 생략하여도 무방하다.
한편,(여기에서, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기임)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속 알콕사이드(단, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고 x는 3 또는 4임)에 용매 및촉매를 첨가하여 제2 조성물을 제조한다. 여기서, 용매는 특별히 제한되지는 않으며, 메탄올, 에탄올, n-부탄올 등의 알콜 용매, 순수 또는 그 혼합용매를 주로 사용한다. 또한, 촉매는 금속 알콕사이드의 가수분해 반응을 촉진시키는 역할을 하는 것으로서, 질산, 염산 등의 산이 주로 사용된다.
상기 제2조성물에 금속염을 혼합하고 질산, 염산 등의 산을 더 첨가할 수 있으며, 여기에 금속 미립자를 더 첨가할 수도 있다. 여기에서 금속염은 물 알콜, 케톤 등에 잘 용해될 수 있는 것이라면 모두 사용이 가능하나, 금속 미립자 또는 금속염의 금속은 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 구리(Cu), 니켈(Ni), 납(Pb), 코발트(Co), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 주석(Sn) 및 인듐(In)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
상기 제2조성물을 상기 제1조성물이 도포된 기판상에 도포 및 건조한 다음, 150 내지 300℃에서 소성한다. 이어서, 소성된 유리기판 위에 환원제를 바르거나 증기를 쏘여주거나 난반사층을 형성시키기 위한 분무액에 섞어 분무하는 등의 방법으로 처리한 후 물로 세정하면 도전성이 우수한 투명 도전막을 제조할 수 있다.
특히, 환원제가 함침된 기판보호용 쉬트를 유리기판 위에 부착하면 쉬트에 함침된 환원제가 지속적으로 도전성 산화물 입자에 가해지므로 도전성 산화물의 환원도가 커질 뿐만 아니라 재산화도 방지할 수 있으므로 환원제를 일시적으로 처리함에 따른 문제점을 보완할 수 있다. 상기 기판보호용 쉬트는 환원제를 충분히 함침할 수 있도록 미세공이 다수 형성된 필름, 부직포 또는 이들이 라미네이트되어 이루어진 것이 바람직하다. 필름을 구성하는 물질은 제한되지 않으며, 예를 들어폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등 일반적인 합성수지를 이용할 수 있다. 필름의 미세공은 가소제 추출법이나 발포제를 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 본 발명의 쉬트에는 기판 외부와의 온도차에 의해 습기가 발생하지 않도록 다수의 통기공을 형성할 수 있으며 습기 흡착부재를 더 부착할 수도 있다.
환원제는 도전성 산화물 입자 또는 제2조성물에 포함될 수 있는 금속염을 환원시킬 수 있는 것이라면 모두 사용이 가능하나, 히드라진, 황산히드라지늄(hydrazine sulfate, dihydrazine sulfate), 수소화붕소나트륨, 차아인산나트륨, 황산철7수화물 및 차아인산나트륨1수화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것이 바람직하다.
이와 같이 환원제를 도전막에 후처리하므로써 유리기판 상에 도포된 투명 도전성 입자의 환원도를 높일 뿐만 아니라 제2조성물에 금속염이 첨가된 경우 금속염을 금속 미립자로 거의 완전히 석출시키게 되어 도전막의 도전성이 크게 향상된다. 환원제는 금속 알콕사이드(단, M1은 Si, Ti, Sn, 및 Zr로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이며, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고 x는 3 또는 4임) 및 용매와 함께 혼합하여 처리할 수 있으며, 이 때 환원제의 함량은 금속 알콕사이드를 기준으로 하여 0.01 내지 0.5중량%인 것이 바람직하다.
상기 투명 도전막의 제조방법에 있어서, 환원제는 상기 제1조성물이 도포된 기판상에 제2조성물을 도포하고 건조한 다음 소성전에 미리 처리할 수도 있다. 다만, 환원제 처리 후 열처리하는 단계에서 투명 도전성 입자가 일부 산화될 수 있으므로 환원제 처리 후의 열처리 온도는 150 내지 200℃인 것이 바람직하다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 특징은 도전성 산화물 입자를 포함하는 제1조성물이 도포된 유리기판 상에 금속 알콕사이드와, 금속염을 선택적으로 포함하는 제2조성물을 도포하고 건조하여 투명도전막을 형성한 다음, 환원제를 후처리하여 도전성 산화물 입자의 환원도를 높이고 금속염이 잔류하지 않도록 하는 것이다. 만일 제2조성물에 환원제를 함께 첨가한다면, 소성과정에서 도전성 산화물 입자의 산화도가 커지므로 도전성이 감소하게 된다. 또한, 금속염을 포함하는 제2조성물에 환원제를 과량 첨가하면 금속염이 환원되어 금속 입자가 석출되는데, 이 금속입자는 분산성이 없어 응집될 뿐만 아니라 입도가 커서 가라앉으므로 도전막의 광투과성이 저하된다.
이하, 본 발명을 실시예를 들어 상세히 설명하기로 하되, 본 발명이 하기 실시에로만 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
주석이 10몰% 도핑된 산화인듐(ITO) 미립자 3.0g을 메탄올 20g, 에탄올 67g 및 n-부탄올 10g의 혼합용매에 분산시켜 제1조성물(도포액 A라 칭함)을 제조하였다.
테트라에틸 오르토실리케이트(tetraethyl orthosilicate) 4.5g을 메탄올 30g, 에탄올 50g, n-부탄올 12g 및 순수 4g의 혼합용매와 혼합하고, 여기에 질산 0.6g 및 질산은0.047g을 첨가하고 실온에서 약 24시간동안 교반하여 제2조성물(도포액 B라 칭함)을 준비하였다.
깨끗하게 세정된 17인치 브라운관용 유리기판을 약 90rpm으로 회전하면서 상기 도포액 A 50㏄를 붓고 유리기판의 회전속도를 약 150rpm으로 상승시켰다. 그런다음, 도포액 B 60㏄를 붓고 도포액 A와 동일한 방법으로 도포하였다. 이어서, B가 도포된 유리기판을 건조한 다음, 180℃에서 약 30분동안 소성하여 유리기판 상에 투명도전막을 형성하였다. 그런 다음, 5중량% 히드라진 용액을 천에 적셔서 투명도전막에 바른 후 물로 세척하였다.
<실시예 2>
소성온도를 200℃로 유지시킨 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.
<실시예 3>
소성온도를 240℃로 유지시킨 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.
<실시예 4>
소성온도를 240℃로 유지시키고, 5중량% 히드라진 용액 대신 5중량% 수소화붕소나트륨(sodium borohydride) 용액을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.
<실시예 5>
소성온도를 240℃로 유지시키고, 5중량% 히드라진 용액 대신 5중량% 차아인산나트륨(sodium hypophosphite) 용액을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.
<실시예 6>
소성온도를 240℃로 유지시키고, 5중량% 히드라진 용액 대신 10중량%황산철7수화물(ferrous sulfate heptahydrate) 용액을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.
<실시예 7>
주석이 10몰% 도핑된 산화인듐(ITO) 미립자 3.0g을 메탄올 20g, 에탄올 67.9g 및 n-부탄올 10g의 혼합용매에 분산시켜 제1조성물(도포액 A라 칭함)을 제조하였다.
테트라에틸 오르토실리케이트(tetraethyl orthosilicate) 4.5g을 메탄올 30g, 에탄올 50g, n-부탄올 12g 및 순수 4g의 혼합용매와 혼합하고, 여기에 질산 0.6g 및 질산은0.047g을 첨가하고 실온에서 약 24시간동안 교반하여 제2조성물(도포액 B라 칭함)을 준비하였다.
테트라에틸 오르토실리케이트(tetraethyl orthosilicate) 4.5g을 메탄올 30g, 에탄올 50g, n-부탄올 12g 및 순수 4g의 혼합용매와 혼합하고, 여기에 질산 0.6g을 첨가하고 실온에서 약 24시간동안 교반한 후 차아인산나트륨 1수화물(sodium hypophosphite monohydrate) 1.0g을 용해시켜 제3조성물(도포액 C라 칭함)을 준비하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 도포액 A와 도포액 B를 유리기판에 도포한 후 도포액 C를 분무하고 건조시켰다. 이어서, 240℃에서 약 30분동안 소성하여 유리기판 상에 투명도전막을 형성하였다.
<실시예 8>
도포액 B 제조시 질산은0.047g 대신 질산구리(cupric nitrate) 0.06g을 첨가하고, 소성온도를 240℃로 유지시킨 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.
<실시예 9>
도포액 B 제조시 질산은을 첨가하지 않고, 소성온도를 240℃로 유지시킨 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.
<실시예 10>
도포액 B 제조시 질산은을 첨가하지 않고, 소성온도를 260℃로 유지시킨 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.
<비교예 1>
히드라진 5중량% 용액을 처리하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.
<비교예 2>
소성온도를 200℃로 유지시키고, 히드라진 5중량% 용액을 처리하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.
<비교예 3>
소성온도를 240℃로 유지시키고, 히드라진 5중량% 용액을 처리하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.
<비교예 4>
도포액 B 제조시 질산은을 첨가하지 않고, 소성온도를 240℃로 유지시키고, 히드라진 5중량% 용액을 처리하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.
<비교예 5>
도포액 B 제조시 질산은을 첨가하지 않고, 소성온도를 260℃로 유지시키고, 히드라진 5중량% 용액을 처리하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.
상기 실시예 1-10 및 비교예 1-5에 따라 형성된 투명도전성 박막의 표면저항 및 대각저항을 측정하여 하기 표 1에 나타냈다. 여기서, 표면저항은 4-포인트 프로브(4-point probe)법으로 측정하였고, 대각저항은 기판의 유효화면 끝부분을 대각으로 가로지르며 멀티메터(Multimeter)로 측정하였다.
구분 표면저항(kΩ) 대각저항(kΩ)
실시예 1 5.2 16.5
실시예 2 4.1 13.5
실시예 3 3.7 12
실시예 4 7.3 23.5
실시예 5 6.5 20.5
실시예 6 6.1 20
실시예 7 7.5 24
실시예 8 4.1 13.5
실시예 9 4.2 14
실시예 10 3.9 12.5
비교예 1 15.2 39.5
비교예 2 9.0 28
비교예 3 10.2 32.5
비교예 4 22.4 64
비교예 5 21.3 61.5
상기 표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1-10에 따라 제조된 투명도전성 박막의 표면저항 및 대각저항은 비교예 1-5의 경우에 비하여 전반적으로 크게 감소되었다.
한편, 질산은을 전혀 첨가하지 않은 비교예 4와 비교예 5는 질산은을 첨가한 비교예 1 내지 비교예 3에 비하여 표면저항이 매우 불량해졌으나, 환원제로 후처리한 본 발명에 따른 투명도전막은 질산염의 첨가 유무에 관계없이 표면저항 및 대각저항이 크게 저하됨을 알 수 있다.
표면저항이 저하된 투명 도전막을 채용한 영상표시소자의 전자파 차폐 효과를 검증하기 위하여, 실시예 3과 비교예 3에 따라 제조한 투명도전막을 채용한 19인치 음극선관의 전자파 발생도를 측정하여 표 2에 나타냈다. 이 때, 전자파의 발생도는 모니터로부터 30cm 떨어진 위치에서 콤비노바(Combinova)사의 EFM 200을 이용하여 밴드 II 영역을 측정하였다.
구분 전자파 발생도(V/m)
실시예 3 0.5
비교예 3 1.3
상기 표 2에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따라 환원제를 후처리하여 제조된 투명도전막을 채용한 음극선관의 전자파 발생도는 종래의 방법에 의해 제조된 투명도전막을 채용한 음극선관의 전자파 발생도보다 크게 감소되었음을 알 수 있다.
본 발명의 제조방법에 따르면, 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 도전성이 향상된 투명도전막을 얻을 수 있다.
둘째, 제2조성물에 금속염을 첨가하는 경우, 금속염에 의한 도전막의 변색을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 저온의 소성온도에서도 투명도전막 제조가 가능하다. 따라서, 고온 소성중 발생할 수 있는 폭축을 방지할 수 있고, 에너지 소비량을 줄일 수 있으며, 플리스틱과 같은 내열성이 약한 물질 상에도 사용이 가능하다.
셋째, 고가의 도전성 산화물 입자를 소량 사용하여도 일정 수준 이상의 도전성을 얻을 수 있으므로 투명 도전막의 제조원가를 절감할 수 있다.

Claims (16)

  1. (a) 유리기판상에 주석도핑 산화 인듐(tin-doped indium oxide), 산화인듐(indium oxide), 안티몬도핑 산화 주석(antimony-doped tin oxide) 및 산화주석(tin oxide)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 투명 도전성 산화물 입자를 함유하는 제1조성물을 도포하는 단계;
    (b) 상기 도포된 제1조성물 상부에 금속 알콕사이드(단, M1은 Si, Ti, Sn, 및 Zr로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이며, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고 x는 3 또는 4임), 상기 금속알콕사이드의 가수분해반응을 촉진하는 질산 또는 염산 촉매 및 메탄올, 에탄올, 및 n-부탄올로 구성된 군에서 선택된 어느 하나 이상의 용매를 함유하는 제2조성물을 도포하여 건조하는 단계;
    (c) 상기 건조된 결과물을 150∼300℃에서 소성하는 단계; 및
    (d) 상기 소성된 결과물 상부에 상기 도전성 산화물 입자를 환원시키는 환원제를 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조방법.
  2. (a) 유리기판상에 주석도핑 산화 인듐(tin-doped indium oxide), 산화인듐(indium oxide), 안티몬도핑 산화 주석(antimony-doped tin oxide) 및 산화주석(tin oxide)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 투명 도전성 산화물 입자를 함유하는 제1조성물을 도포하는 단계;
    (b) 상기 도포된 제1조성물 상부에 금속 알콕사이드(단, M1은 Si, Ti, Sn, 및 Zr로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이며, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고 x는 3 또는 4임), 상기 금속알콕사이드의 가수분해반응을 촉진하는 질산 또는 염산 촉매 및 메탄올, 에탄올, 및 n-부탄올로 구성된 군에서 선택된 어느 하나 이상의 용매를 함유하는 제2조성물을 도포하여 건조하는 단계;
    (c) 상기 도포된 제2조성물 상부에 상기 도전성 산화물 입자를 환원시키는 환원제를 처리하는 단계; 및
    (d) 상기 (c)단계의 결과물을 건조한 다음, 150∼200℃에서 소성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유리기판은 음극선관 또는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)용인 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조방법.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2조성물은 금속염을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2조성물은 금속 미립자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 금속염의 금속은 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 구리(Cu), 니켈(Ni), 납(Pb), 코발트(Co), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 주석(Sn) 및 인듐으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속인 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 환원제는 히드라진, 황산히드라지늄(hydrazine sulfate, dihydrazine sulfate), 수소화붕소나트륨, 차아인산나트륨, 황산철7수화물 및 차아인산나트륨1수화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조방법.
  10. 제1항 또는 2항에 있어서, 상기 환원제는 금속 알콕사이드(단, M1은 Si, Ti, Sn, 및 Zr로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이고, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고 x는 3 또는 4임) 및 용매와 혼합하여 처리되는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 환원제의 함량은 상기 금속 알콕사이드를 기준으로 하여 0.01 내지 0.5중량%인 것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 환원제는 상기 도포된 제2조성물 상부에 환원제를 포함하는 용액을 도포하거나, 분무하거나 또는 증기로 하여 접촉시키는 방법중 어느 하나에 의해 처리되는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조방법.
  13. 삭제
  14. 제1항에 있어서, 상기 (d) 단계의 환원제 처리는 상기 투명도전막의 외면에 부착되며 환원제가 함침된 기판보호용 쉬트에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 기판보호용 쉬트는 다공성 필름 또는 부직포로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
  16. 삭제
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