JP2575273B2 - 電界シールド用透明導電膜 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＯＡ機器のディスプレ
イ，テレビジョンのブラウン管などの前面ガラスの表面
処理に用いる電界シールド用の透明導電膜に関する。

【０００２】

【従来の技術】テレビジョンのブラウン管の表面には、
静電気帯電によるホコリが付着しやすく、また人体が接
触した時に放電して電気ショックを受けるため、帯電防
止の処理を施すことは古くから知られている。

【０００３】殊に近年のオフィスオートメーション（Ｏ
Ａ）化により、オフィスに多くのＯＡ機器が導入され、
ＯＡ機器のディスプレイと向き合って終日作業を行うと
いう環境は珍しくない。コンピュータの陰極線管（ＣＲ
Ｔ）に接して仕事を行う場合にＣＲＴは、単に静電気に
よるＣＲＴ表面のホコリの付着，電撃ショックの防止に
止まらず、表示画面が見やすく、画像の読み取りが容易
であり、視覚疲労を感じさせないことのほか、漏洩Ｘ線
や漏洩電磁界の人体への影響が安全基準をクリアするこ
とが要求される。

【０００４】上記の要求項目のうち、静電気帯電に伴う
問題は、ＣＲＴ表面に導電膜を付し、これをアースする
ことにより解決できる。この場合に導電膜は、表面抵抗
で１０⁸Ω／□程度の導電性が必要である。導電膜は、
画面の透明性や解像度を損なうものであってはならず、
膜中を通過する光の拡散透過の量が極力少ないことが望
ましい。実用上、ＣＲＴに対しては、拡散透過光の直接
透過光に対する百分率で定義されるヘイズ値が、おおよ
そ５％以下の極力少ない値であることが要求される。ヘ
イズを減らすには、膜中の光散乱源が少なく、膜厚がで
きるだけ薄いことが条件となる。

【０００５】また画像を見やすくするためには、ＣＲＴ
表面に防眩処理を施して画面の反射を押さえることが望
ましい。防眩処理に対しては、反射光が入射光に対して
破壊的干渉を生ずるように被膜の膜厚及び屈折率を制御
することによりその対応が可能である。

【０００６】Ｘ線の遮蔽は、その発生箇所がシャドウマ
スク付近なので、ＣＲＴのガラスにＰｂ，Ｂａ，Ｓｒな
どの重元素を添加して遮蔽効果を持たせればよい。

【０００７】電磁界は、電子銃と偏向ヨーク付近から発
生し、ＴＶの大型化に伴って益々大きな電磁場が周囲に
洩れる傾向にある。磁界の漏洩は、逆磁場の印加により
防止でき、電界の漏洩に対する対応は、帯電防止と同様
に、ＣＲＴガラス表面に導電性の透明被膜を形成するこ
とにより防止できる。しかし、電界シールドと帯電防止
とでは、被膜に要求される導電性のレベルには大きな差
があり、帯電防止には表面抵抗で１０⁸Ω／□程度で十
分とされているが、漏洩電界を防ぐためには、少なくと
も１０⁵Ω／□以下、好ましくは１０³Ω／□台の低抵抗
の透明膜を形成する必要がある。

【０００８】上記の要求に対応するため、従来よりいく
つかの提案がなされている。例えば、真空蒸着及びＣＶ
ＤによりＣＲＴの前面に酸化錫や酸化インジウム等の導
電性酸化物の被膜を形成する方法がある。この方法を用
いて形成した膜は、酸化錫や酸化インジウム単一組成で
構成されるため、素材の導電性がそのまま現われて電界
シールド効果に十分な低い抵抗値が得られる。また、膜
厚を十分薄く、且つ均一に制御しやすく、ＣＲＴの解像
度を損うことなく反射防止の処理もしやすい。

【０００９】さらに、ＣＲＴ内部の高真空を保ったまま
ＣＲＴ表面を処理するためには、実質的に２００℃以下
の温度で行う必要があるが、真空蒸着及びＣＶＤ法では
この点についても問題はない。しかしながら、この方法
によるときには、各ブラウン管毎に雰囲気を制御して処
理しなければならず、被膜形成に多大のコストがかかる
ため、ＣＲＴ製造には実用上極めて不都合である。従っ
て特殊な用途のブラウン管を除いてはこの方法は適用さ
れておらず、より安価で迅速に行える膜形成方法が望ま
れている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】導電性を付与する実用
的で安価なコーティング方法として、導電性微粒子を含
有したインク組成物の吹き付け又は塗布による方法が特
開平１−２９９８８７号に開示されている。この方法
は、インクに微粒子酸化錫，シリカゾル及び有機溶媒を
用い、２００℃以下の低温でも反応が可能なシリカゾル
の縮重合反応を利用して製膜するものである。

【００１１】この方法を用いると、酸化錫微粒子がシリ
ケートのマトリックスに分散された膜となるので、上記
の酸化錫単一層のＣＶＤ膜に比べて導電性は１０³程度
も低下する。すなわちこの処理液を用いて形成した透明
導電膜の表面抵抗は、ＣＲＴ画面の明るさや解像度を損
なわない膜厚において、最低でも１０⁷Ω／□であり、
漏洩電界シールドに必要な導電性にははるかに及ばな
い。またこのようにして形成された膜の強度は、膜体積
に対する酸化錫の体積率が低い時にはそこそこの表面硬
度があるが、ＣＲＴ画面に要求される鉛筆硬度９Ｈ以上
の硬さまでは得られないと云う難点がある。

【００１２】本発明の目的は、陰極線管ガラス表面に付
着して十分な膜強度や耐候性があり、画像の明るさや解
像度を損なうことはない透明性を有し、かつ陰極線管か
らの漏洩電界のシールドに十分な導電性を与える電界シ
ールド用透明導電膜を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による電界シールド用透明導電膜において
は、ＩＴＯ分散シリケート膜とオーバーコートとの２層
積層からなり、ＩＴＯ分散シリケート膜を第１層，オー
バーコートを第２層として、第１層，第２層の順にガラ
ス基板上に形成する電界シールド用透明導電膜であっ
て、ＩＴＯ分散シリケート膜は、ＩＴＯ粒子をシリケー
トマトリックスに分散させた膜であり、０．０７〜０．
６０μｍの膜厚を有し、ＩＴＯ分散シリケート膜に含ま
れるＩＴＯ粒子は、粒径が５０ｎｍ以下の粒子を粒子体
積分率で５０％以上であり、膜体積に対するＩＴＯ粒子
の体積は、体積率で３５〜９５％、膜の導電度は１０ ⁵
Ω／□以下、ヘイズは５％以下であり、オーバーコート
は、少なくとも０．０８μｍ以上の厚みの透明なシリケ
ートガラス層であり、第２層のシリケートガラス層は、
第１層のシリケートマトリックスに連続的に接続され、
第１層と第２層との積層の表面硬度は鉛筆硬度で９Ｈ以
上である。

【００１４】

【作用】ＩＴＯ分散シリケート膜中に分散させる導電粒
子としてＩＴＯ超微粒子を用いる。膜内では、微粒子相
互の接触した導電パスが膜に導電性を付与するが、ＩＴ
Ｏ粒子は、本来酸化錫粒子よりも１桁以上低い体積抵抗
を有するために、ＩＴＯを分散させた膜では、酸化錫粒
子を分散させた膜に比べてはるかに抵抗が低くなる。電
界シールドに必要な１０⁵Ω／□以下の導電度を得るた
めには、分散度合いにも依存するが、通常、膜体積に対
するＩＴＯ微粒子の体積が体積率として９５％以下の範
囲で３５％以上は必要である。また膜厚が０．０７μｍ
未満では十分な導電性が得られない。

【００１５】通常得られるＩＴＯ微粒子の平均粒径は、
５０ｎｍを越えるために、粒径が５０ｎｍを超える粒子
が多くなり抵抗値は低くなっても要求される光学特性が
得られない。本発明においては、ＩＴＯ微粒子の粒径
は、５０ｎｍ以下という極小サイズのものが５０％以上
を占めることを特徴としている。

【００１６】このような極小サイズの微粒子が分散した
系では、入射可視光の系内での散乱モードは、ほとんど
がいわゆるＲａｙｌｅｉｇｈ散乱又はＭｉｅ散乱のモー
ドとなり、物体の透明性は極めて高くなる。ヘイズに寄
与するのは粒径が７０〜数１００ｎｍのＩＴＯ粗大粒子
のシリケートとの界面及び膜表面の粗さである。

【００１７】しかし、このような粗大粒子が含まれてい
ても、５０ｎｍ以下の微細粒子が５０％以上を占める膜
では、分散度合いにもよるが、ヘイズを３％以下に下げ
ることは困難ではない。ヘイズはまた、膜厚にほぼ比例
しており、第１層目の膜厚を０．６０μｍ未満にするの
はヘイズを５％以内に抑えるためである。

【００１８】一方、ＩＴＯ微粒子は、水の存在により抵
抗値が上がるという難点がある。ＣＲＴの置かれる環境
が高温高湿であった場合、第１層のみでは水分の侵入が
膜を高抵抗化・劣化させるという懸念がある。また、膜
強度に関しても、第１層目の膜自体の鉛筆硬度は、良好
な膜においても高々３〜４Ｈ程度の硬さであり、ＣＲＴ
表面の硬さとして十分とはいえない。

【００１９】これらの問題を解決するのが第２層目のオ
ーバーコート（シリケート）膜であり、これが０．０８
μｍ以上の厚さで均一に付着している場合は湿度劣化の
度合いは無視できるほど小さくなり、また表面の硬さは
９Ｈ以上の極めて強固なものとなる。シリケートの膜
は、第１層目の膜の構成成分であるシリケートマトリッ
クスと連続に接続するため、第１層と第２層との密着性
にも問題はない。

【００２０】さらに２層膜にすることによる付加的な効
果として、ＣＲＴガラス表面の反射防止効果がある。上
に記載の構造を持つＩＴＯ分散シリケート膜とオーバー
コート膜とは、波長５５０ｎｍの可視光屈折率がそれぞ
れほぼ１．６〜２．０及び１．４となる。従って、膜厚
がそれぞれ６９〜８６ｎｍ及び９７ｎｍにおいて垂直入
射光の１次無反射条件を満足し、特にオーバーコート膜
については、第１層との屈折率差が十分あるため、反射
光の抑制効果が大きい。この理由から第２層の膜厚は、
９７ｎｍ又はその奇数倍であることが望ましいが、製膜
技術に由来する膜の不均一性を考慮して、第２層の膜厚
を８０ｎｍ以上とした。

【００２１】図１に本発明による電界シールド用透明導
電膜の断面ＴＥＭ写真（倍率１００，０００倍）を示
す。写真は、試料の作製時にガラス基板１の界面から２
層の膜を分離した状況を示している。第１層のＩＴＯ分
散シリケート膜２中には、ＩＴＯ粒子３が均一に、密に
分散し、その表面は、平滑な第２層のオーバーコート４
で覆われ、両膜は完全に密着して一つの膜を形成してい
る。

【００２２】このような２層構造を持つ透明膜は、次の
ようにインク法により製造することができる。まず第１
層目の膜としては、ＩＴＯ微粒子をシリカゾルと溶媒中
に分散したＩＴＯ分散インクを、ＣＲＴ表面に塗布し、
これを乾燥してシリカゾルの縮重合反応を利用して製膜
する。上記構造を得るためには、平均粒径４０ｎｍ以下
のＩＴＯ超微粉が必要であり、これを溶媒を用いて高分
散したＩＴＯ分散インクを作製する必要がある。このよ
うな超微細なＩＴＯ粉は、住友金属鉱山（株）から販売
・供給されている。

【００２３】また第２層目も同様に、ＩＴＯを含まない
シリケートゾルゲル溶液の縮重合反応を利用して、２０
０℃以下での低温形成が可能である。

【００２４】ＣＲＴガラス上へのインクの塗布方法は、
スピンコート法やスプレーコート法など、インクを平
滑、かつ薄く塗布できる方法であれば何でもよい。第２
層目のシリケート膜は厚くてもよいのでスクリーン印刷
などによってもよい。スピンコートやスプレーコートを
実施する際は、ガラス表面は３０〜８０℃に予熱するこ
とが望ましい。これは、被膜製造の季節間差を取り除く
とともに、余熱によってインクの乾燥温度が最適値にな
り、特に光学特性を向上させるからである。

【００２５】

【実施例】以下にインク法で行った本発明の実施例を示
す。ＩＴＯ超微粉としては、平均粒径の異なる４種類の
住友金属鉱山（株）製の粉（ＩＴＯ−ＵＦＰ）を用い
た。これを表１に示す。ここで粉末の平均粒径は、異な
る５視野の透過電子顕微鏡写真から測定した平均値を用
いた。透過電子顕微鏡観察は、日本電子製ＪＥＭ−２０
００ＥＸで２００ｋＶの加速電圧で行った。

【００２６】形成した膜の膜厚と屈折率は、溝尻光学工
業所製エリプソメータで測定した。膜厚は、触針式表面
粗さ計でも評価したが、ほぼ同等の結果を与えた。エリ
プソメータの方法によると、第１層及び第２層目の膜厚
を非破壊で、レーザープローブを照射する２〜３ｍｍの
領域について平均的に求められる。表面抵抗は、三菱油
化（株）製表面抵抗計ＭＣＰ−Ｔ２００を用いて測定し
た。ヘイズ値，全光線透過率、及び積分反射率は、村上
色彩技術研究所製ヘイズメータＨＲ−２００を用いて測
定した。鉛筆硬度は、東洋精機製作所製鉛筆引っ掻き塗
膜硬さ試験機を用いて荷重１ｋｇで測定した。

【００２７】

【表１】 使用ＩＴＯ粉（住友金属鉱山（株）製ＩＴＯ−ＵＦＰ） ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 比表面積 平均粒径 ｃｍ² ｎｍ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ ＩＴＯ粉Ａ ２７．５ ２５．３ ＩＴＯ粉Ｂ ２８．６ １９．０ ＩＴＯ粉Ｃ ２１．１ ３８．９ ＩＴＯ粉Ｄ １２．１ ７７．４ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━

【００２８】（実施例１）表１に示すＩＴＯ超微粉Ａを
１５ｇ，Ｎ−メチル−２−ピロリジノン（ＮＭＰ）を２
０ｇ，ＮＮ’ジメチルフォルムアミド（ＤＭＦ）を７
ｇ、及び４ヒドロキシ−メチル−２ペンタノン（ジアセ
トンアルコール）７０ｇを混合し、この溶液を、直径５
ｍｍのジルコニアボールを用いて３６時間ボールミル混
合してＩＴＯ分散溶液を作製した。一方、多摩化学工業
製エチルシリケート４０を１．５ｇ，ジアセトンアルコ
ール１６ｇ，蒸留水１．５ｇの混合溶液を撹拌しなが
ら、５％塩酸水溶液３ｇ，ジアセトンアルコール２ｇ，
蒸留水２．４ｇの混合溶液を滴下して、エチルシリケー
ト溶液を調製した。これらの２液を混合し、１５０ｒｐ
ｍで回転する２００×２００×３ｍｍの板ガラス上にビ
ーカから滴下した。

【００２９】スピンコーターの回転数は、溶媒粘性に対
してインクを広げる遠心力が十分にあり、かつ速すぎて
ブラウン管の管破裂や機能ダメージの危険を伴わない限
度として１５０ｒｐｍに設定した。板ガラスは、予め表
面をアセトン洗浄後５０℃に予熱し、同インクを２枚の
板ガラスにスピンコートした。スピンコート終了後、そ
の１枚は１７０℃で１０分乾燥し、膜厚を計測し、表面
抵抗を測定した。

【００３０】もう１枚はそのままスピンコーター上で１
５０ｒｐｍで回転させながらオーバーコート用溶液を滴
下し、１７０℃で１０分乾燥してオーバーコートガラス
付きのＩＴＯ分散シリケート膜を製膜した。オーバーコ
ート用溶液は、予め、多摩化学工業製エチルシリケート
４０を６．５ｇ，ジアセトンアルコール８０ｇ，蒸留水
７ｇの混合溶液を撹拌しながら、５％塩酸水溶液１５
ｇ，ジアセトンアルコール１０ｇ，蒸留水１２ｇの混合
溶液を滴下してエチルシリケート溶液を調整し、これを
エタノールでエチルシリケートが３％になるように希釈
して作製した。

【００３１】乾燥後の板ガラス表面に透明な薄膜の生成
を確認後、膜構造を評価した。結果を表２に示す。ま
た、表面抵抗値ほかの諸特性を測定して、表３に示すよ
うな良好な特性を得た。表面抵抗値は１層目が２．６２
×１０⁴Ω／□であり、従来に比べてはるかに低い抵抗
値が実現された。２層目コート後に膜の抵抗は５．４１
×１０⁷Ω／□に上がったが、もちろんこれは表面がシ
リケート膜で覆われたからである。実際にＴＶブラウン
管上に電界シールド処理を行う際には、第１層目から電
極を引き出してアースするので、表３中の第１層目の表
面抵抗値がシールド効果の目安となる。光学的特性もヘ
イズ値０．７％，積分反射率７．４％という良好な値が
得られた。

【００３２】ここで、積分球で測定した反射率は、４５
°入射の積分反射率であり、通常測定される垂直入射の
正反射率よりも値が大きくなることに留意したい。この
試料を低速精密カッターで切断し、さらに超ミクロトー
ムで薄くスライスして膜断面を観察面に持つ透過電子顕
微鏡（ＴＥＭ）用試料を作製し、観察した結果、図１に
示すようになり、この写真から第１層目の膜中でのＩＴ
Ｏ微粒子の体積率は５８％、そのうち粒径が５０ｎｍ以
下のＩＴＯ微粒子の粒子体積分率は８７％と見積もるこ
とができ、十分微細な粒子が大部分を占めている分布状
態が確認できた。

【００３３】（実施例２，３）ＩＴＯ粉として表１の粉
Ｂ又はＣを用いる他は実施例１と全く同様にして２層構
造の膜を作製した。その電気・光学的評価結果は、表３
に示すように、粉Ｂを用いた膜では粉Ａを凌ぐ高特性が
得られ、粉Ｃを用いた膜では粉Ａの場合とほぼ同等の特
性が得られた。

【００３４】（実施例４）表１に示すＩＴＯ超微粉Ｂを
１５ｇ，Ｎ−メチル−２−ピロリジノン（ＮＭＰ）を１
０ｇ，ＮＮ’ジメチルフォルムアミド（ＤＭＦ）を３
ｇ、及びジアセトンアルコール７０ｇを混合し、この溶
液を、直径５ｍｍのジルコニアホールを用いて３６時間
ボールミル混合してＩＴＯ分散溶液を作製した。

【００３５】一方、多摩化学工業製エチルシリケート４
０を１．５ｇ，ジアセトンアルコール１６ｇ，蒸留水
１．５ｇの混合溶液を撹拌しながら、５％塩酸水溶液３
ｇ，ジアセトンアルコール２ｇ，蒸留水２．４ｇの混合
溶液を滴下して、エチルシリケート溶液を調製した。

【００３６】これらの２液を混合し、さらにエタノール
で溶液の固形分（ＩＴＯとシリケート成分）が３．０％
になるように希釈してスプレー用インクとし、これをス
プレーノズルから２５０×２５０×３ｍｍの板ガラスに
往復吹き付けて製膜し、その後１８０℃で１０分乾燥し
た。板ガラスはあらかじめ表面をアセトン洗浄後５０℃
に予熱し、同インクを２枚の板ガラスにスプレコートし
た。

【００３７】スプレーコート終了後、その１枚は１８０
℃で１０分乾燥し、膜厚を計測し、表面抵抗を測定し
た。表面を走査電子顕微鏡観察すると、数μｍサイズの
クレーター状の模様が一面に観察された。もう１枚はそ
の上に実施例１で用いたものと同様のオーバーコート液
をスプレーし、１８０℃で１０分乾燥した後、諸特性を
評価した。

【００３８】膜断面のＴＥＭ観察では、ＩＴＯ微粒子の
分布は実施例１の場合とまったく変わらず、５０ｎｍ以
下のＩＴＯ微粒子の粒子体積分率が９２％を占めてい
た。諸特性中では光学特性、特にヘイズ値はやや悪化し
たが、表面抵抗は１０³Ω／□台であった。ヘイズの悪
化は膜厚増加に加えて界面や表面がスプレー膜ではやや
不均一になるためであると考えられる。

【００３９】（実施例５）表１に示すＩＴＯ超微粉Ｂを
１５ｇ，Ｎ−メチル−２−ピロリジノン（ＮＭＰ）を２
０ｇ，ＮＮ’ジメチルフォルムアミド（ＤＭＦ）を７
ｇ、及びジアセトンアルコール７０ｇを混合し、この溶
液を、直径５ｍｍのジルコニアホールを用いて３６時間
ボールミル混合してＩＴＯ分散溶液を作製した。

【００４０】一方、多摩化学工業製エチルシリケート４
０を１．５ｇ，ジアセトンアルコール１６ｇ，蒸留水
１．５ｇの混合溶液を撹拌しながら、５％塩酸水溶液３
ｇ，ジアセトンアルコール２ｇ，蒸留水２．４ｇの混合
溶液を滴下して、エチルシリケート溶液を調整した。

【００４１】これらの２液を混合して角型槽中に入れ、
この液中に１００×１００×３ｍｍの板ガラスを２枚デ
ィプして１層目を製膜した。１８０℃，１０分で乾燥し
た後、１枚は膜厚と表面抵抗を評価し、もう１枚はさら
にオーバーコート溶液にディップしてから１８０℃，１
０分で乾燥し、諸評価を行った。この場合、膜がガラス
の両面にコートされるので全光線透過率やヘイズは悪化
した。また膜厚が厚く干渉縞も顕著に見られたが、抵抗
値は膜厚が薄い割に４．４６×１０⁴と低く、問題はな
かった。

【００４２】以上の実施例において、膜の構造から、Ｉ
ＴＯ体積率が高く第１層目の膜厚が厚い方が膜の抵抗値
が低く、５０ｎｍ以下の粒子体積分率が多い方がヘイズ
が低く、１層目の屈折率が高く２層目の膜厚が９７ｎｍ
に近い方が反射率が低いという結果が得られた。また膜
の鉛筆硬度はすべて９Ｈ以上と十分硬く、また沸騰水中
に１５分浸漬後の膜外観にも変化はなく、高温耐湿性に
優れていることが確認された。

【００４３】（比較例１）平均粒径８ｎｍの住友金属鉱
山（株）製酸化錫超微粒子１５．０ｇ，エタノール１４
０ｇ，ジアセトンアルコール２５ｇ，蒸留水８０ｇを混
合し、この溶液を、直径５ｍｍのジルコニアボールを用
いて３６時間ボールミル混合して酸化錫分散溶液を作製
した。

【００４４】一方、多摩化学工業製エチルシリケート４
０を１．５ｇ，ジアセトンアルコール１６ｇ，蒸留水
１．５ｇの混合溶液を撹拌しながら、５％塩酸水溶液３
ｇ，ジアセトンアルコール２ｇ，蒸留水２．４ｇの混合
溶液を滴下して、エチルシリケート溶液を調整した。こ
れら２液を混合し、あとは実施例１と同様にスピンコー
トで製膜し、１８０℃，１０分乾燥した。

【００４５】この膜の物性値を測定したところ、光学特
性は良かったが、抵抗値が７．０９×１０⁷Ω／□と高
かった。さらに溶媒組成を様々に変えて酸化錫微粒子の
分散性向上を図ったが、抵抗値は決して１０⁷Ω／□台
より低くならず、電界シールドのようをなさないことが
わかった。さらに実施例１と同様にオーバーコート膜を
形成したが、抵抗値はさらに増加した。

【００４６】（比較例２）スプレー回数を１層目，２層
目ともに１０回にしたほかは実施例４とまったく同様の
手順でスプレー膜を作製した。この膜の１層目の膜厚は
０．７１μｍと厚く、抵抗値は１．７９×１０³と十分
低かったが、ヘイズ値が１６％を超えるなど光学特性に
難がみられた。

【００４７】（比較例３）実施例１において、ＩＴＯ分
散液の成分としてＮＭＰを用いる代わりに当量の水で置
き換え、後は全く同様にして製膜・乾燥して評価した。
この膜では１層目の膜中のＩＴＯ微粒子の分散状態が悪
く、凝集傾向を示してＩＴＯ体積率が３４％と低く、１
層目抵抗値が３．７２×１０⁶と高い上にヘイズや反射
率も高かった。

【００４８】（比較例４）平均粒径が大きい住友金属鉱
山（株）製ＩＴＯ粉Ｄ（表１）を用いたほかは実施例１
とまったく同様にして板ガラス上に２層構造の透明膜を
得た。断面方向にスライスした試料をＴＥＭ観察する
と、５０ｎｍ以下のＩＴＯ粒子の粒子体積分率は３０％
以下で、７０〜８０ｎｍの粗大ＩＴＯ粒子が主要体積を
占めていた。この膜は表３に示すように、表面抵抗が
１．２０×１０⁵Ω／□となり電界シールド用としては
高すぎることに加えてヘイズ値も４．７％と高かった。

【００４９】以上の比較例に示されるように、従来の構
造の膜においては、電界シールドに必要とされる導電性
を始めとして、ＣＲＴガラス表面に要求される諸特性を
同時に満足することができない。各実施例及び比較例の
評価結果を表２，表３に示す。

【００５０】

【表２】

【００５１】

【表３】

【００５２】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ブラウ
ン管表面に、膜体積に対するＩＴＯ粒子の体積率は３５
〜９５％であり、ＩＴＯ微粒子の粒径が５０ｎｍ以下の
粒子体積分率が５０％以上で分布するような０．０７〜
１．００μｍの厚さを有するＩＴＯ分散シリケート薄膜
及びこれをシリケートのオーバーコートを被膜した２層
膜を形成して電界シールド効果に十分な低抵抗の導電膜
が得られ、かつテレビジョン，ディスプレイの画面に要
求される透明性と低ヘイズを満足することができる。さ
らにこのような膜は、強度や耐候性にも優れ、表面反射
光の低減効果があり、またインクを用いて装置や工程の
簡単な製膜ができるので、コスト的にも極めて有利であ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による２層の薄膜の断面写真である。

【符号の説明】

１ ガラス基板 ２ ＩＴＯ分散シリケート膜 ３ ＩＴＯ粒子 ４ オーバーコート

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯田 貞博 千葉県習志野市袖ケ浦２−３−５−207 (72)発明者 行延 雅也 愛媛県新居浜市王子町１−７ (72)発明者 折田 桂一 東京都品川区西五反田７丁目９番４号 東北化工株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−70181（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＩＴＯ分散シリケート膜とオーバーコー
   トとの２層積層からなり、ＩＴＯ分散シリケート膜を第
   １層，オーバーコートを第２層として、第１層，第２層
   の順にガラス基板上に形成する電界シールド用透明導電
   膜であって、ＩＴＯ分散シリケート膜は、ＩＴＯ粒子を
   シリケートマトリックスに分散させた膜であり、０．０
   ７〜０．６０μｍの膜厚を有し、ＩＴＯ分散シリケート
   膜に含まれるＩＴＯ粒子は、粒径が５０ｎｍ以下の粒子
   を粒子体積分率で５０％以上であり、 膜体積に対するＩＴＯ粒子の体積は、体積率で３５〜９
   ５％、膜の導電度は１０ ⁵ Ω／□以下、ヘイズは５％以
   下であり、 オーバーコートは、少なくとも０．０８μｍ以上の厚み
   の透明なシリケートガラス層であり、第２層のシリケートガラス層は、第１層のシリケートマ
   トリックスに連続的に接続され、第１層と第２層との積
   層の表面硬度は鉛筆硬度で９Ｈ以上であることを 特徴と
   する電界シールド用透明導電膜。