JPH07230775A - 電界シールド用透明導電膜 - Google Patents
電界シールド用透明導電膜Info
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- JPH07230775A JPH07230775A JP1907694A JP1907694A JPH07230775A JP H07230775 A JPH07230775 A JP H07230775A JP 1907694 A JP1907694 A JP 1907694A JP 1907694 A JP1907694 A JP 1907694A JP H07230775 A JPH07230775 A JP H07230775A
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- silicate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電界シールド効果に十分な低い表面抵抗値
と、低いヘイズ値と、高い透過率を有し、さらに反射防
止効果があって耐湿性に優れた透明導電膜を提供する。 【構成】 ガラス基板上に第１層がＩＴＯ分散シリケー
ト膜、第２層がＡＴＯ分散シリケート膜、第３層がオー
バーコートシリケート膜又は第１層がＩＴＯ分散シリケ
ート膜、第２層がシリケート膜、第３層がＡＴＯ分散シ
リケート膜、第４層がオーバーコートシリケート膜であ
る電界シールド用透明導電膜。
と、低いヘイズ値と、高い透過率を有し、さらに反射防
止効果があって耐湿性に優れた透明導電膜を提供する。 【構成】 ガラス基板上に第１層がＩＴＯ分散シリケー
ト膜、第２層がＡＴＯ分散シリケート膜、第３層がオー
バーコートシリケート膜又は第１層がＩＴＯ分散シリケ
ート膜、第２層がシリケート膜、第３層がＡＴＯ分散シ
リケート膜、第４層がオーバーコートシリケート膜であ
る電界シールド用透明導電膜。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＯＡ機器のディスプレ
イ、テレビジョンのブラウン管などの陰極線管の前面ガ
ラスに電界シールド効果を付与するための透明導電膜に
関する。
イ、テレビジョンのブラウン管などの陰極線管の前面ガ
ラスに電界シールド効果を付与するための透明導電膜に
関する。
【０００２】
【従来の技術】テレビジョンのブラウン管の表面には、
静電気帯電によるホコリが付着しやすく、また人体が接
触した時に放電して電気ショックを受けるため、帯電防
止の処理を施すことは古くから知られている。殊に近年
のオフィスオートメーション（ＯＡ）化により、オフィ
スに多くのＯＡ機器が導入され、ＯＡ機器のディスプレ
イと向き合って終日作業を行なうという環境は珍しくな
い。このためコンピュータの陰極線管（ＣＲＴ）は、単
に静電気によるＣＲＴ表面のホコリの付着、電撃ショッ
クに止まらず、表示画面が見やすく、視覚疲労を感じさ
せないことのほか、漏洩Ｘ線や漏洩電磁界が人体へ影響
を与えないよう安全基準をクリアすることが要求され
る。
静電気帯電によるホコリが付着しやすく、また人体が接
触した時に放電して電気ショックを受けるため、帯電防
止の処理を施すことは古くから知られている。殊に近年
のオフィスオートメーション（ＯＡ）化により、オフィ
スに多くのＯＡ機器が導入され、ＯＡ機器のディスプレ
イと向き合って終日作業を行なうという環境は珍しくな
い。このためコンピュータの陰極線管（ＣＲＴ）は、単
に静電気によるＣＲＴ表面のホコリの付着、電撃ショッ
クに止まらず、表示画面が見やすく、視覚疲労を感じさ
せないことのほか、漏洩Ｘ線や漏洩電磁界が人体へ影響
を与えないよう安全基準をクリアすることが要求され
る。
【０００３】上記の要求に対応するため、本発明者等は
表面抵抗が１０5 Ω／□以下全光線透過率９３％以上ヘ
イズ値５％以下５５０ｎｍ積分反射率１０％以下の２層
構造を有する透明導電膜を発明し、出願した（特願平５
−４４５４８号公報）。上記の透明導電膜は、ＩＴＯ分
散シリケート膜とオーバーコートとの２層積層からな
り、ＩＴＯ分散シリケート膜を第１層、オーバーコート
を第２層としてガラス基板上に形成する電界シールド用
透明導電膜であって、ＩＴＯ分散シリケート膜は、ＩＴ
Ｏ粒子をシリケートマトリックスに分散させた膜であ
り、０．０７〜０．６０μｍの膜厚を有し、ＩＴＯ粒子
は、粒径が５０ｎｍ以下の粒子を粒子体積分率で５０％
以上含み、膜体積に対するＩＴＯ粒子の体積は、体積率
で３５〜９５％であり、オーバーコートは、０．０８μ
ｍ以上の厚みの透明なシリケートガラス層である。
表面抵抗が１０5 Ω／□以下全光線透過率９３％以上ヘ
イズ値５％以下５５０ｎｍ積分反射率１０％以下の２層
構造を有する透明導電膜を発明し、出願した（特願平５
−４４５４８号公報）。上記の透明導電膜は、ＩＴＯ分
散シリケート膜とオーバーコートとの２層積層からな
り、ＩＴＯ分散シリケート膜を第１層、オーバーコート
を第２層としてガラス基板上に形成する電界シールド用
透明導電膜であって、ＩＴＯ分散シリケート膜は、ＩＴ
Ｏ粒子をシリケートマトリックスに分散させた膜であ
り、０．０７〜０．６０μｍの膜厚を有し、ＩＴＯ粒子
は、粒径が５０ｎｍ以下の粒子を粒子体積分率で５０％
以上含み、膜体積に対するＩＴＯ粒子の体積は、体積率
で３５〜９５％であり、オーバーコートは、０．０８μ
ｍ以上の厚みの透明なシリケートガラス層である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＣＲＴの使用
環境によっては高温高湿に耐える膜質であることが必要
とされる。ＩＴＯ微粒子は水分に対しては比較的弱く、
このため、吸湿した透明導電膜は、表面抵抗値が上昇す
る。上記の２層膜では、オーバーコート膜を侵入した水
分が第１層中のＩＴＯ粒子を劣化させ、透明導電膜とし
ての耐湿性や経時変化に問題が生じる場合もある。オー
バーコート膜の膜厚を厚くすれば水分の影響は避けるこ
とができるが、オーバーコートの膜厚は反射率を低減さ
せるため、通常は０．１μｍ程度の光学的無反射膜厚に
薄く制御されており、これを厚くするのは難しい。
環境によっては高温高湿に耐える膜質であることが必要
とされる。ＩＴＯ微粒子は水分に対しては比較的弱く、
このため、吸湿した透明導電膜は、表面抵抗値が上昇す
る。上記の２層膜では、オーバーコート膜を侵入した水
分が第１層中のＩＴＯ粒子を劣化させ、透明導電膜とし
ての耐湿性や経時変化に問題が生じる場合もある。オー
バーコート膜の膜厚を厚くすれば水分の影響は避けるこ
とができるが、オーバーコートの膜厚は反射率を低減さ
せるため、通常は０．１μｍ程度の光学的無反射膜厚に
薄く制御されており、これを厚くするのは難しい。
【０００５】本発明の目的は、ＣＲＴ前面ガラスに適用
した時に、電界シールド効果に十分な低い表面抵抗値と
ヘイズが低く透過率の高い光学的特性を持ち、さらに反
射防止効果があってかつ耐湿性に優れた特性を持つ透明
導電膜を提供することである。
した時に、電界シールド効果に十分な低い表面抵抗値と
ヘイズが低く透過率の高い光学的特性を持ち、さらに反
射防止効果があってかつ耐湿性に優れた特性を持つ透明
導電膜を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
に本発明は、ガラス基板上に、第１層がＩＴＯ分散シリ
ケート膜、第２層がＡＴＯ分散シリケート膜、第３層が
オーバーコートシリケート膜の３層積層からなる電界シ
ールド用透明導電膜であって、第１層のＩＴＯ分散シリ
ケート膜は、インジウム錫酸化物微粒子をシリケートマ
トリックスに分散させた膜であり、０．０７〜０．６０
μｍの膜厚を有し、第２層のＡＴＯ分散シリケート膜
は、アンチモン酸化錫微粒子をシリケートマトリックス
に分散させた膜であり、０．０７〜０．６０μｍの膜厚
を有し、第３層のオーバーコートシリケート膜は、０．
０８μｍ以上の厚みの透明なシリケートガラス層である
ことを特徴とする電界シールド用透明導電膜、
に本発明は、ガラス基板上に、第１層がＩＴＯ分散シリ
ケート膜、第２層がＡＴＯ分散シリケート膜、第３層が
オーバーコートシリケート膜の３層積層からなる電界シ
ールド用透明導電膜であって、第１層のＩＴＯ分散シリ
ケート膜は、インジウム錫酸化物微粒子をシリケートマ
トリックスに分散させた膜であり、０．０７〜０．６０
μｍの膜厚を有し、第２層のＡＴＯ分散シリケート膜
は、アンチモン酸化錫微粒子をシリケートマトリックス
に分散させた膜であり、０．０７〜０．６０μｍの膜厚
を有し、第３層のオーバーコートシリケート膜は、０．
０８μｍ以上の厚みの透明なシリケートガラス層である
ことを特徴とする電界シールド用透明導電膜、
【０００７】または、ガラス基板上に、第１層がＩＴＯ
分散シリケート膜、第２層がシリケート膜、第３層がＡ
ＴＯ分散シリケート膜、第４層がオーバーコートシリケ
ート膜の４層積層からなる電界シールド用透明導電膜で
あって、第１層のＩＴＯ分散シリケート膜は、インジウ
ム錫酸化物微粒子をシリケートマトリックスに分散させ
た膜であり、０．０７〜０．６０μｍの膜厚を有し、第
３層のＡＴＯ分散シリケート膜は、アンチモン酸化錫微
粒子をシリケートマトリックスに分散させた膜であり、
０．０７〜０．６０μｍの膜厚を有し、第２層および第
４層のシリケート膜は、０．０８μｍ以上の厚みの透明
なシリケートガラス層であることを特徴とする電界シー
ルド用透明導電膜、を特徴とする。
分散シリケート膜、第２層がシリケート膜、第３層がＡ
ＴＯ分散シリケート膜、第４層がオーバーコートシリケ
ート膜の４層積層からなる電界シールド用透明導電膜で
あって、第１層のＩＴＯ分散シリケート膜は、インジウ
ム錫酸化物微粒子をシリケートマトリックスに分散させ
た膜であり、０．０７〜０．６０μｍの膜厚を有し、第
３層のＡＴＯ分散シリケート膜は、アンチモン酸化錫微
粒子をシリケートマトリックスに分散させた膜であり、
０．０７〜０．６０μｍの膜厚を有し、第２層および第
４層のシリケート膜は、０．０８μｍ以上の厚みの透明
なシリケートガラス層であることを特徴とする電界シー
ルド用透明導電膜、を特徴とする。
【０００８】ここで、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）微
粒子は、三酸化二インジウム化合物中に錫が二酸化錫換
算で１〜１５重量％固溶されたものであり、またアンチ
モン酸化錫（ＡＴＯ）微粒子は、二酸化錫化合物中にア
ンチモンが三酸化二アンチモン換算で１〜２０重量％ド
ープされたものである。
粒子は、三酸化二インジウム化合物中に錫が二酸化錫換
算で１〜１５重量％固溶されたものであり、またアンチ
モン酸化錫（ＡＴＯ）微粒子は、二酸化錫化合物中にア
ンチモンが三酸化二アンチモン換算で１〜２０重量％ド
ープされたものである。
【０００９】このような３層または４層構造を持つ膜
は、次のようにインク法により製造できる。まず第１層
目の膜としては、ＩＴＯ微粒子をシリカゾルと溶媒中に
分散したＩＴＯ分散インクを、ＣＲＴ表面に塗布し、こ
れを乾燥してシリカゾルの重合反応を利用して成膜す
る。例えばＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）のよ
うな分散剤およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭ
Ｆ）やエタノールのような分散溶媒中にＩＴＯ微粒子粉
末を十分均一に混合分散し、一方で結合剤としてのアル
キルシリケート溶液を調整し、両者を混合する。アルキ
ルシリケートはＩＴＯ粉をガラス表面上に結合固定する
ためのものであって、例えばオルトメチルシリケートＳ
ｉ（ＯＣＨ3 ）4 、オルトエチルシリケートＳｉ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）4 など、或いはこれらを加水分解してある程度
脱水縮重合を進行させた形のものなどが使用される。ア
ルキルシリケート溶液はこれをジアセトンアルコールな
どで希釈し、少量の水や塩酸を加えたものである。ＩＴ
Ｏ分散溶液とアルキルシリケート溶液を混合してＩＴＯ
分散インクとし、これを例えばスピンコート法により、
１００〜２００ｒｐｍで回転するＣＲＴ前面ガラス表面
上に滴下することによって、一層目のＩＴＯ分散シリケ
ート膜を成膜することができる。成膜方法としては、ス
ピンコート法の他、スプレーコート法やディップコート
法など、均一に薄くインクをガラス表面に広げられる方
法であれば、どの方法でもかまわない。透明性と導電性
に十分な膜を得るには、粒子径の極力小さな、望ましく
は５０ｎｍ以下のＩＴＯ超微粉が必要である。例えばこ
のような粉体は、住友金属鉱山（株）から販売・供給さ
れている。
は、次のようにインク法により製造できる。まず第１層
目の膜としては、ＩＴＯ微粒子をシリカゾルと溶媒中に
分散したＩＴＯ分散インクを、ＣＲＴ表面に塗布し、こ
れを乾燥してシリカゾルの重合反応を利用して成膜す
る。例えばＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）のよ
うな分散剤およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭ
Ｆ）やエタノールのような分散溶媒中にＩＴＯ微粒子粉
末を十分均一に混合分散し、一方で結合剤としてのアル
キルシリケート溶液を調整し、両者を混合する。アルキ
ルシリケートはＩＴＯ粉をガラス表面上に結合固定する
ためのものであって、例えばオルトメチルシリケートＳ
ｉ（ＯＣＨ3 ）4 、オルトエチルシリケートＳｉ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）4 など、或いはこれらを加水分解してある程度
脱水縮重合を進行させた形のものなどが使用される。ア
ルキルシリケート溶液はこれをジアセトンアルコールな
どで希釈し、少量の水や塩酸を加えたものである。ＩＴ
Ｏ分散溶液とアルキルシリケート溶液を混合してＩＴＯ
分散インクとし、これを例えばスピンコート法により、
１００〜２００ｒｐｍで回転するＣＲＴ前面ガラス表面
上に滴下することによって、一層目のＩＴＯ分散シリケ
ート膜を成膜することができる。成膜方法としては、ス
ピンコート法の他、スプレーコート法やディップコート
法など、均一に薄くインクをガラス表面に広げられる方
法であれば、どの方法でもかまわない。透明性と導電性
に十分な膜を得るには、粒子径の極力小さな、望ましく
は５０ｎｍ以下のＩＴＯ超微粉が必要である。例えばこ
のような粉体は、住友金属鉱山（株）から販売・供給さ
れている。
【００１０】ＡＴＯ分散シリケート膜は、同様のことを
ＩＴＯ微粒子をＡＴＯ微粒子に変えて行なえばよい。す
なわちＮＭＰ分散剤やエタノール分散溶媒中にＡＴＯ微
粒子粉末を混合分散したＡＴＯ分散液を、例えばオルト
エチルシリケートＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 にジアセトンア
ルコールや少量の水及び塩酸を加えたエチルシリケート
溶液と混合してこれをＡＴＯ分散インクとする。ＡＴＯ
分散インクを例えば１００〜２００ｒｐｍで回転する一
層目を成膜したＣＲＴ前面ガラス表面上に滴下すること
によって、二層目としてのＡＴＯ分散シリケート膜を成
膜することができる。ここでＡＴＯ微粒子も細かいほど
好ましいが、一般に粒径１０ｎｍ以下のＡＴＯ粉は市販
品の中から比較的容易に得ることができる。
ＩＴＯ微粒子をＡＴＯ微粒子に変えて行なえばよい。す
なわちＮＭＰ分散剤やエタノール分散溶媒中にＡＴＯ微
粒子粉末を混合分散したＡＴＯ分散液を、例えばオルト
エチルシリケートＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 にジアセトンア
ルコールや少量の水及び塩酸を加えたエチルシリケート
溶液と混合してこれをＡＴＯ分散インクとする。ＡＴＯ
分散インクを例えば１００〜２００ｒｐｍで回転する一
層目を成膜したＣＲＴ前面ガラス表面上に滴下すること
によって、二層目としてのＡＴＯ分散シリケート膜を成
膜することができる。ここでＡＴＯ微粒子も細かいほど
好ましいが、一般に粒径１０ｎｍ以下のＡＴＯ粉は市販
品の中から比較的容易に得ることができる。
【００１１】オーバーコートなどのシリケート膜も、シ
リケートゾルゲル溶液の縮重合反応を利用して、成膜す
ることが可能である。シリケートゾルゲル溶液は、上記
のＩＴＯ分散シリケート溶液やＡＴＯ分散シリケート溶
液に含まれるアルキルシリケート溶液と、本質的には全
く同一のものである。すなわち、オルトメチルシリケー
トＳｉ（ＯＣＨ3 ）4 、オルトエチルシリケートＳｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 などのアルキルシリケート、或いはこ
れらを加水分散してある程度脱水縮重合を進行させた形
のアルキルシリケートを、ジアセトンアルコールなどで
希釈してさらに少量の水や塩酸を加えたものである。シ
リケートゾルゲルインクを例えば１００〜２００ｒｐｍ
で回転するＣＲＴ前面ガラス表面上に滴下することによ
って、二層目または四層目としてのシリケート膜を成膜
とすることができる。
リケートゾルゲル溶液の縮重合反応を利用して、成膜す
ることが可能である。シリケートゾルゲル溶液は、上記
のＩＴＯ分散シリケート溶液やＡＴＯ分散シリケート溶
液に含まれるアルキルシリケート溶液と、本質的には全
く同一のものである。すなわち、オルトメチルシリケー
トＳｉ（ＯＣＨ3 ）4 、オルトエチルシリケートＳｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 などのアルキルシリケート、或いはこ
れらを加水分散してある程度脱水縮重合を進行させた形
のアルキルシリケートを、ジアセトンアルコールなどで
希釈してさらに少量の水や塩酸を加えたものである。シ
リケートゾルゲルインクを例えば１００〜２００ｒｐｍ
で回転するＣＲＴ前面ガラス表面上に滴下することによ
って、二層目または四層目としてのシリケート膜を成膜
とすることができる。
【００１２】上記のようにスピンコート法などの方法に
よって多層膜を成膜後、これを焼成して膜構造を完成さ
せる。膜焼成温度は、ＣＲＴガラス封着前の前面ガラス
単独に対しては、ゾル乾燥が完了する２００〜３００℃
以上で焼成することができるＣＲＴ完成球に対しては通
常２００℃以下の温度で焼成しなければならないが、こ
の場合ゾルの収縮や導電性はやや低い値となる。
よって多層膜を成膜後、これを焼成して膜構造を完成さ
せる。膜焼成温度は、ＣＲＴガラス封着前の前面ガラス
単独に対しては、ゾル乾燥が完了する２００〜３００℃
以上で焼成することができるＣＲＴ完成球に対しては通
常２００℃以下の温度で焼成しなければならないが、こ
の場合ゾルの収縮や導電性はやや低い値となる。
【００１３】
【作用】第１層目のＩＴＯ分散シリケート膜に用いられ
るＩＴＯ微粒子は、透明で高い導電性を持っており、膜
体積に対する充填率が３５％以上であれば０．０７〜
０．６０μｍの膜厚において、電界シールドに効果のあ
る１０4 Ω／□台以下の表面抵抗を実現することができ
る。膜厚を０．０７〜０．６０μｍとするのは、０．０
７μｍ未満では十分な導電性が得られないからであり、
０．６０μｍをこえるとヘイズが５％以上になるからで
ある。ＡＴＯ分散シリケート膜も同様である。
るＩＴＯ微粒子は、透明で高い導電性を持っており、膜
体積に対する充填率が３５％以上であれば０．０７〜
０．６０μｍの膜厚において、電界シールドに効果のあ
る１０4 Ω／□台以下の表面抵抗を実現することができ
る。膜厚を０．０７〜０．６０μｍとするのは、０．０
７μｍ未満では十分な導電性が得られないからであり、
０．６０μｍをこえるとヘイズが５％以上になるからで
ある。ＡＴＯ分散シリケート膜も同様である。
【００１４】ＡＴＯ分散シリケート膜に用いられるＡＴ
Ｏ微粒子もＩＴＯ微粒子と類似の透明導電性を持つが、
膜として得られる導電性のレベルは表面抵抗値で１桁〜
３桁低いため、この膜単独で電界シールドの用に供すこ
とはできない。一方、ＡＴＯ微粒子は水分により抵抗値
を上げるようなことがないので耐湿性に於いてはＩＴＯ
より優れる。またＡＴＯ分散シリケート膜の屈折率はＩ
ＴＯ分散シリケート膜同様に１．６０〜１．７８と高
く、屈折率１．４６程度のオーバーコートシリケート膜
との組合わせに於いて十分反射率低減効果を持たせるこ
とができる。またそれぞれに導電性を有するＩＴＯ分散
膜とＡＴＯ分散膜との組合わせにより、膜全体としての
電界シールド効果も向上する。
Ｏ微粒子もＩＴＯ微粒子と類似の透明導電性を持つが、
膜として得られる導電性のレベルは表面抵抗値で１桁〜
３桁低いため、この膜単独で電界シールドの用に供すこ
とはできない。一方、ＡＴＯ微粒子は水分により抵抗値
を上げるようなことがないので耐湿性に於いてはＩＴＯ
より優れる。またＡＴＯ分散シリケート膜の屈折率はＩ
ＴＯ分散シリケート膜同様に１．６０〜１．７８と高
く、屈折率１．４６程度のオーバーコートシリケート膜
との組合わせに於いて十分反射率低減効果を持たせるこ
とができる。またそれぞれに導電性を有するＩＴＯ分散
膜とＡＴＯ分散膜との組合わせにより、膜全体としての
電界シールド効果も向上する。
【００１５】ＩＴＯ分散シリケート膜とＡＴＯ分散シリ
ケート膜はそのまま続いて積層してもよいが、間にシリ
ケート膜を挿入することによりさらに反射率を低減でき
る。またインクの溶媒組成にもよるが、一般にＩＴＯと
ＡＴＯとでは分散溶媒が異なるため、間のシリケートイ
ンクに用いる溶媒で両者を調整することにより、膜相互
の界面での密着性を高めることができる。
ケート膜はそのまま続いて積層してもよいが、間にシリ
ケート膜を挿入することによりさらに反射率を低減でき
る。またインクの溶媒組成にもよるが、一般にＩＴＯと
ＡＴＯとでは分散溶媒が異なるため、間のシリケートイ
ンクに用いる溶媒で両者を調整することにより、膜相互
の界面での密着性を高めることができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を示す。形成した膜の
膜厚と屈折率は、溝尻光学工業所製エリプソメータで測
定した。表面抵抗は、ＩＴＯ分散シリケート膜の上に１
００ｍｍ×５ｍｍのＡｇペーストを１００ｍｍの間隔で
焼きつけて測定した。ヘイズ値と透過率は村上色彩技術
研究所製ヘイズメータＨＲ−２００を用いて測定した。
反射率は島津製作所分光光度計を用いて測定した。 （実施例１）比表面積２７．５ｃｍ2 、平均粒径２５．
３ｎｍ（透過電子顕微鏡で評価）の、住友金属鉱山
（株）製ＩＴＯ超微粉（ＩＴＯ−ＵＦＰ）を１５ｇ、Ｎ
−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を２０ｇ、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を７ｇ、及び４−ヒ
ドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（ジアセトンア
ルコール）７０ｇをよく混合し、ＩＴＯ分散溶液を作製
した。続いて比表面積３３．４ｃｍ2 、平均粒径９．３
ｎｍ（透過電子顕微鏡で評価）の、住友金属鉱山（株）
製ＡＴＯ超微粉を用いて、全く同様にＡＴＯ分散溶液を
作製した。一方平均重合度で４〜５量体である多摩化学
工業製エチルシリケート４０を１．５ｇ、ジアセトンア
ルコール１６ｇ、蒸留水１．５ｇの混合溶液を攪拌しな
がら、５％塩酸水溶液３ｇ、ジアセトンアルコール２
ｇ、蒸留水２．４ｇの混合溶液を滴下して、エチルシリ
ケート溶液を調整した。次に、ＩＴＯ分散溶液とエチル
シリケート溶液の２液を混合し、１５０ｒｐｍで回転す
る２００×２００×３ｍｍの板ガラス上にビーカから滴
下した。これを大気中において焼成温度１７０℃で３０
分焼成した後、Ａｇペーストをスクリーン印刷して１５
０℃３０分焼いて電極を形成した。その後再び１５０ｒ
ｐｍで回転させながらＡＴＯ分散溶液とエチルシリケー
ト溶液の混合溶液を滴下し、１分後にエチルシリケート
溶液単独をビーカから滴下した。
膜厚と屈折率は、溝尻光学工業所製エリプソメータで測
定した。表面抵抗は、ＩＴＯ分散シリケート膜の上に１
００ｍｍ×５ｍｍのＡｇペーストを１００ｍｍの間隔で
焼きつけて測定した。ヘイズ値と透過率は村上色彩技術
研究所製ヘイズメータＨＲ−２００を用いて測定した。
反射率は島津製作所分光光度計を用いて測定した。 （実施例１）比表面積２７．５ｃｍ2 、平均粒径２５．
３ｎｍ（透過電子顕微鏡で評価）の、住友金属鉱山
（株）製ＩＴＯ超微粉（ＩＴＯ−ＵＦＰ）を１５ｇ、Ｎ
−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を２０ｇ、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を７ｇ、及び４−ヒ
ドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（ジアセトンア
ルコール）７０ｇをよく混合し、ＩＴＯ分散溶液を作製
した。続いて比表面積３３．４ｃｍ2 、平均粒径９．３
ｎｍ（透過電子顕微鏡で評価）の、住友金属鉱山（株）
製ＡＴＯ超微粉を用いて、全く同様にＡＴＯ分散溶液を
作製した。一方平均重合度で４〜５量体である多摩化学
工業製エチルシリケート４０を１．５ｇ、ジアセトンア
ルコール１６ｇ、蒸留水１．５ｇの混合溶液を攪拌しな
がら、５％塩酸水溶液３ｇ、ジアセトンアルコール２
ｇ、蒸留水２．４ｇの混合溶液を滴下して、エチルシリ
ケート溶液を調整した。次に、ＩＴＯ分散溶液とエチル
シリケート溶液の２液を混合し、１５０ｒｐｍで回転す
る２００×２００×３ｍｍの板ガラス上にビーカから滴
下した。これを大気中において焼成温度１７０℃で３０
分焼成した後、Ａｇペーストをスクリーン印刷して１５
０℃３０分焼いて電極を形成した。その後再び１５０ｒ
ｐｍで回転させながらＡＴＯ分散溶液とエチルシリケー
ト溶液の混合溶液を滴下し、１分後にエチルシリケート
溶液単独をビーカから滴下した。
【００１７】このようにして３層膜のスピンコートを行
なった板ガラスを、大気中において焼成温度１７０℃で
３０分焼成した。形成された膜の焼成直後の表面抵抗
値、ヘイズ、膜厚、反射率を測定し、さらに８０℃湿度
９５％環境下で４００時間保持後、表面抵抗値を測定し
た。これらの測定結果を表１に示す。電界シールドにふ
さわしい１０4 Ω／□台の抵抗値を持ち、ヘイズや反射
率などの光学特性もＣＲＴに許容される値が得られた。
また耐湿試験後の抵抗値の劣化は全くなく、十分耐湿性
を持つ３層膜構造が得られた。
なった板ガラスを、大気中において焼成温度１７０℃で
３０分焼成した。形成された膜の焼成直後の表面抵抗
値、ヘイズ、膜厚、反射率を測定し、さらに８０℃湿度
９５％環境下で４００時間保持後、表面抵抗値を測定し
た。これらの測定結果を表１に示す。電界シールドにふ
さわしい１０4 Ω／□台の抵抗値を持ち、ヘイズや反射
率などの光学特性もＣＲＴに許容される値が得られた。
また耐湿試験後の抵抗値の劣化は全くなく、十分耐湿性
を持つ３層膜構造が得られた。
【００１８】（実施例２）実施例１と全く同様にして３
層積層膜を板ガラス上にスピンコートし、焼成した。但
し焼成温度は２回とも３００℃で行なった。形成された
膜の特性は表１に示すように、１７０℃焼成に比べてさ
らに抵抗値の低い特性が得られた。
層積層膜を板ガラス上にスピンコートし、焼成した。但
し焼成温度は２回とも３００℃で行なった。形成された
膜の特性は表１に示すように、１７０℃焼成に比べてさ
らに抵抗値の低い特性が得られた。
【００１９】（実施例３）実施例１の要領でＩＴＯ分散
液、ＡＴＯ分散溶液、およびエチルシリケート溶液を調
整後、１５０ｒｐｍで回転する２００×２００×３ｍｍ
の板ガラス上に第１層としてＩＴＯ分散溶液とエチルシ
リケート溶液の混合溶液をビーカから滴下し、大気中１
７０℃３０分焼成し、Ａｇ電極を形成した後、第２層に
はエチルシリケート溶液単独を、第３層にはＡＴＯ分散
溶液とエチルシリケート溶液の混合溶液を、第４層には
エチルシリケート溶液単独を、それぞれ１分の間隔をお
いて成膜した。このようにして４層膜のスピンコートを
行なった板ガラスを、大気中において焼成温度１７０℃
で３０分焼成した。形成された膜の特性を表１に示す。
液、ＡＴＯ分散溶液、およびエチルシリケート溶液を調
整後、１５０ｒｐｍで回転する２００×２００×３ｍｍ
の板ガラス上に第１層としてＩＴＯ分散溶液とエチルシ
リケート溶液の混合溶液をビーカから滴下し、大気中１
７０℃３０分焼成し、Ａｇ電極を形成した後、第２層に
はエチルシリケート溶液単独を、第３層にはＡＴＯ分散
溶液とエチルシリケート溶液の混合溶液を、第４層には
エチルシリケート溶液単独を、それぞれ１分の間隔をお
いて成膜した。このようにして４層膜のスピンコートを
行なった板ガラスを、大気中において焼成温度１７０℃
で３０分焼成した。形成された膜の特性を表１に示す。
【００２０】（実施例４）実施例３と全く同様にして４
層積層膜を板ガラス上にスピンコートし、焼成した。但
し焼成温度は３００℃で行なった。形成された膜の特性
を表１に示す。
層積層膜を板ガラス上にスピンコートし、焼成した。但
し焼成温度は３００℃で行なった。形成された膜の特性
を表１に示す。
【００２１】（比較例１）実施例１の要領で、第１層に
ＩＴＯ分散溶液とエチルシリケート溶液の混合溶液を１
５０ｒｐｍで回転する２００×２００×３ｍｍの板ガラ
ス上に成膜し、１７０℃３０分焼成し、Ａｇ電極を形成
した後、第２層としてエチルシリケート単独溶液を、ビ
ーカから滴下し、１７０℃で３０分焼成した。形成され
た膜の特性としては反射率が本発明の実施例に比べて高
く、また耐湿試験後の抵抗値の上昇が顕著であって、耐
湿性が劣ることがわかる。
ＩＴＯ分散溶液とエチルシリケート溶液の混合溶液を１
５０ｒｐｍで回転する２００×２００×３ｍｍの板ガラ
ス上に成膜し、１７０℃３０分焼成し、Ａｇ電極を形成
した後、第２層としてエチルシリケート単独溶液を、ビ
ーカから滴下し、１７０℃で３０分焼成した。形成され
た膜の特性としては反射率が本発明の実施例に比べて高
く、また耐湿試験後の抵抗値の上昇が顕著であって、耐
湿性が劣ることがわかる。
【００２２】（比較例２）比較例１と全く同様にして２
層積層膜を板ガラス上にスピンコートし焼成した。ただ
し焼成温度は２回とも３００℃で３０分行なった。形成
された膜の特性を表１に示す。初めの抵抗値は比較例１
よりもやや低いが、耐湿試験による劣化が認められる。
層積層膜を板ガラス上にスピンコートし焼成した。ただ
し焼成温度は２回とも３００℃で３０分行なった。形成
された膜の特性を表１に示す。初めの抵抗値は比較例１
よりもやや低いが、耐湿試験による劣化が認められる。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、低い表面抵抗値と高い
透過率および低いヘイズの膜が得られ、かつこの膜は耐
湿性に優れているので経時劣化しにくく、また、蒸着膜
などに比べてコスト的に圧倒的に有利であるため、ＣＲ
Ｔ前面の電界シールドにきわめて好適である。
透過率および低いヘイズの膜が得られ、かつこの膜は耐
湿性に優れているので経時劣化しにくく、また、蒸着膜
などに比べてコスト的に圧倒的に有利であるため、ＣＲ
Ｔ前面の電界シールドにきわめて好適である。
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラス基板上に、第１層がＩＴＯ分散シ
リケート膜、第２層がＡＴＯ分散シリケート膜、第３層
がオーバーコートシリケート膜の３層積層からなる電界
シールド用透明導電膜であって、 第１層のＩＴＯ分散シリケート膜は、インジウム錫酸化
物微粒子をシリケートマトリックスに分散させた膜であ
り、０．０７〜０．６０μｍの膜厚を有し、 第２層のＡＴＯ分散シリケート膜は、アンチモン酸化錫
微粒子をシリケートマトリックスに分散させた膜であ
り、０．０７〜０．６０μｍの膜厚を有し、 第３層のオーバーコートシリケート膜は、０．０８μｍ
以上の厚みの透明なシリケートガラス層であることを特
徴とする電界シールド用透明導電膜。 - 【請求項２】 ガラス基板上に、第１層がＩＴＯ分散シ
リケート膜、第２層がシリケート膜、第３層がＡＴＯ分
散シリケート膜、第４層がオーバーコートシリケート膜
の４層積層からなる電界シールド用透明導電膜であっ
て、 第１層のＩＴＯ分散シリケート膜は、インジウム錫酸化
物微粒子をシリケートマトリックスに分散させた膜であ
り、０．０７〜０．６０μｍの膜厚を有し、 第３層のＡＴＯ分散シリケート膜は、アンチモン酸化錫
微粒子をシリケートマトリックスに分散させた膜であ
り、０．０７〜０．６０μｍの膜厚を有し、 第２層および第４層のシリケート膜は、０．０８μｍ以
上の厚みの透明なシリケートガラス層であることを特徴
とする電界シールド用透明導電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1907694A JPH07230775A (ja) | 1994-02-16 | 1994-02-16 | 電界シールド用透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1907694A JPH07230775A (ja) | 1994-02-16 | 1994-02-16 | 電界シールド用透明導電膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07230775A true JPH07230775A (ja) | 1995-08-29 |
Family
ID=11989355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1907694A Pending JPH07230775A (ja) | 1994-02-16 | 1994-02-16 | 電界シールド用透明導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07230775A (ja) |
-
1994
- 1994-02-16 JP JP1907694A patent/JPH07230775A/ja active Pending
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