DE102018003998A1

DE102018003998A1 - Transparentes substrat mit antiverschmutzungsfilm und flüssigkristallanzeigevorrichtung des zellinternen kapazitätsberührungsfeldtyps

Info

Publication number: DE102018003998A1
Application number: DE102018003998.7A
Authority: DE
Inventors: Yosuke Takeda; Toru Ikeda; Takamichi SHIMOSAKA; Takaaki Murakami
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 2017-05-22
Filing date: 2018-05-17
Publication date: 2018-11-22
Also published as: US10802318B2; JP2018198050A; JP7326702B2; US20180335659A1

Abstract

Es wird ein transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm bereitgestellt, das, wenn es als Abdeckungselement mit einem Antiverschmutzungsfilm einer elektrostatischen Flüssigkristallvorrichtung des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps verwendet wird, das Weißwerden eines Flüssigkristallbildschirms vermindern kann, während eine Antiverschmutzungseigenschaft und eine Berührungssensibilität vollständig aufrechterhalten werden. Das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm umfasst: ein transparentes Substrat; und einen Antiverschmutzungsfilm, der als äußerste Schicht auf einer Hauptoberfläche des transparenten Substrats bereitgestellt ist, wobei eine Oberflächenform des Antiverschmutzungsfilms eine raue Form ist, deren arithmetischer Mittenrauwert Ra 0,01 µm oder mehr beträgt und der Oberflächenwiderstand, der auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms gemessen wird, 1,0 × 10⁹ bis 1,0 × 10¹³ Ω/□ beträgt.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung betrifft ein transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm und eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps.
HINTERGRUND
In den letzten Jahren werden Flüssigkristallanzeigevorrichtungen mit einer Berührungsfeldfunktion, wie z.B. Flüssigkristallanzeigevorrichtungen, die in mobilen Flüssigkristallendgeräten, wie z.B. Smartphones, in Fahrzeugen, usw., verwendet werden, und Flüssigkristallanzeigevorrichtungen von Personalcomputern, verbreitet verwendet. Als Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit einer Berührungsfeldfunktion wurde ein externer Typ verbreitet verwendet, bei dem ein Berührungsfeld auf einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung montiert ist, jedoch wurde in den letzten Jahren eine sogenannte zellinterne Flüssigkristallanzeigevorrichtung des Berührungsfeldtyps in der Praxis verwendet, bei der eine Berührungsfeldfunktion in ein Flüssigkristallelement einbezogen ist, um die Dicke und das Gewicht zu vermindern.
Von den zellinternen Flüssigkristallanzeigevorrichtungen des Berührungsfeldtyps weist jedoch ein Kapazitätstyp ein Problem dahingehend auf, dass dessen Flüssigkristallbildschirm teilweise weiß wird, wenn er mit einem Finger berührt wird. Es wird davon ausgegangen, dass das Weißwerden des Flüssigkristallbildschirms in der zellinternen Flüssigkristallanzeigevorrichtung des Berührungsfeldtyps auf eine Schwierigkeit bei der Abführung einer externen statischen Elektrizität zurückzuführen ist, und zwar aufgrund des Fehlens eines leitenden Elements mehr auf einer Bedienerseite als bei einem Flüssigkristallelement. Unter diesen Umständen wurde bei zellinternen Flüssigkristallanzeigevorrichtungen des Berührungsfeldtyps ein Versuch dahingehend unternommen, eine elektrostatische Entladungsfunktion (ESD-Funktion) durch Bereitstellen einer leitenden Schicht mehr auf einer Bedienerseite als bei einem Flüssigkristallelement zu verleihen, wodurch das Weißwerden eines Flüssigkristallbildschirms vermindert wird (vgl. z.B. das Patentdokument 1).
Bei einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung des Berührungsfeldtyps ist üblicherweise ein Abdeckglas auf der Seite, die der Betrachtungsseite am nächsten liegt, angeordnet. Bei einem solchen Abdeckglas ist eine betrachtungsseitige Oberfläche häufig aus einem Antiverschmutzungsfilm ausgebildet, um das Entfernen von Flecken, wie z.B. Fingerabdrücken, zu erleichtern. Wenn ein solches Abdeckglas mit einem Antiverschmutzungsfilm jedoch in einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung des Kapazitätsberührungsfeldtyps des zellinternen Typs verwendet wird, kann das Verfahren, das im Patentdokument 1 beschrieben ist, das Weißwerden eines Flüssigkristallbildschirms nicht immer ausreichend vermindern. Ferner ist selbst dann, wenn das Weißwerden des Flüssigkristallbildschirms durch die ESD-Funktion vermindert werden kann, die Berührungsempfindlichkeit manchmal nicht ausreichend.
DOKUMENT DES STANDES DER TECHNIK
PATENTDOKUMENT
[Patentdokument 1] Internationale Veröffentlichung Nr. 2005/121265
ZUSAMMENFASSUNG
PROBLEME, DIE DURCH DIE ERFINDUNG GELÖST WERDEN SOLLEN
Die vorliegende Erfindung wurde unter diesen Umständen gemacht und deren Aufgabe ist die Bereitstellung eines transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm, welches das Weißwerden eines Flüssigkristallbildschirms vermindern kann, während eine Antiverschmutzungseigenschaft und Berührungssensibilität aufrechterhalten werden, wenn es als Abdeckungselement mit einem Antiverschmutzungsfilm in einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps verwendet wird. Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps bereitzustellen, die eine Antiverschmutzungseigenschaft aufweist und ein geringeres Weißwerden in deren Flüssigkristallbildschirm aufweist, während die Berührungssensibilität ausreichend aufrechterhalten wird.
MITTEL ZUM LÖSEN DER PROBLEME
Die vorliegende Erfindung hat die folgenden Aspekte.

[1] Transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm, umfassend: ein transparentes Substrat und einen Antiverschmutzungsfilm, der als äußerste Schicht auf einer Hauptoberfläche des transparenten Substrats bereitgestellt ist, wobei eine Oberflächenform des Antiverschmutzungsfilms eine raue Form ist, deren arithmetischer Mittenrauwert Ra 0,01 µm oder mehr beträgt, und der Oberflächenwiderstand, der auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms gemessen wird, 1,0 × 10⁹ bis 1,0 × 10¹³ Ω/□ beträgt.
[2] Flüssigkristallanzeigevorrichtung des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps, umfassend: ein Flüssigkristallanzeigeelement des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps und ein transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm, wobei das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm umfasst: ein transparentes Substrat und einen Antiverschmutzungsfilm, der als äußerste Schicht auf einer Hauptoberfläche des transparenten Substrats bereitgestellt ist, wobei eine Oberflächenform des Antiverschmutzungsfilms eine raue Form ist, deren arithmetischer Mittenrauwert Ra 0,01 µm oder mehr beträgt, und der Oberflächenwiderstand, der auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms gemessen wird, 1,0 × 10⁹ bis 1,0 × 10¹³ Ω/□ beträgt, und das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm auf einer Betrachtungsseite des Flüssigkristallanzeigeelements angeordnet ist, wobei sich das transparente Substrat auf einer Seite befindet, die auf das Flüssigkristallanzeigeelement gerichtet ist.

EFFEKT DER ERFINDUNG
Das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm der vorliegenden Erfindung weist eine Antiverschmutzungseigenschaft auf und wenn es als Abdeckungselement eines Berührungsfelds verwendet wird, kann es eine elektrische Entladungsmenge während des Gebrauchs des Berührungsfelds vermindern, und es weist auch eine Blendschutzeigenschaft auf. Das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm der vorliegenden Erfindung kann, insbesondere wenn es in einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps verwendet wird, das Weißwerden eines Flüssigkristallbildschirms vermindern, während eine Antiverschmutzungseigenschaft und Berührungssensibilität ausreichend aufrechterhalten werden, und es weist auch einen Blendschutzeffekt auf.
Die vorliegende Erfindung kann eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps bereitstellen, die eine Antiverschmutzungseigenschaft aufweist und ein geringeres Weißwerden von deren Flüssigkristallbildschirm aufweist, während die Berührungssensibilität ausreichend aufrechterhalten wird. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps der vorliegenden Erfindung weist auch eine Blendschutzeigenschaft auf.
Figurenliste

1 ist eine schematische Schnittansicht eines Beispiels eines transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm gemäß einer Ausführungsform.
2 ist eine vergrößerte Schnittansicht des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm, das in der 1 gezeigt ist.
3 ist eine vergrößerte Schnittansicht eines weiteren Beispiels des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm gemäß der Ausführungsform.
4 ist eine vergrößerte Schnittansicht eines weiteren Beispiels des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm gemäß der Ausführungsform.
5 ist eine vergrößerte Schnittansicht eines weiteren Beispiels des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm gemäß der Ausführungsform.
6A ist eine schematische Ansicht eines weiteren Beispiels des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm gemäß der Ausführungsform von unten.
6B ist eine schematische Schnittansicht des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm, das in der 6A gezeigt ist.
7 ist eine schematische Schnittansicht eines Beispiels einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps gemäß einer Ausführungsform.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
Nachstehend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung detailliert beschrieben.
[Transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm]
Ein transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm umfasst: ein transparentes Substrat und einen Antiverschmutzungsfilm, der als äußerste Schicht auf einer Hauptoberfläche des transparenten Substrats bereitgestellt ist, und weist die folgenden Eigenschaften (1) und (2) auf.

(1) Die Oberflächenform des Antiverschmutzungsfilms ist eine raue Form, deren arithmetischer Mittenrauwert Ra 0,01 µm oder mehr beträgt.
(2) Der Oberflächenwiderstand, der auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms gemessen wird, beträgt 1,0 × 10⁹ bis 1,0 × 10¹³ Ω/□.

In dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm der Ausführungsform bezieht sich der Antiverschmutzungsfilm auf einen Film, dessen Oberfläche wasser- und ölabstoßend ist. In dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm der Ausführungsform bezieht sich die Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms auf eine Hauptoberfläche gegenüber der Seite eines transparenten Substrats des Antiverschmutzungsfilms, und die Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms ist dieselbe wie eine Antiverschmutzungsfilm-seitige Hauptoberfläche des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm.
Der „arithmetische Mittenrauwert Ra“ ist ein Mittelwert der Absolutwertabweichungen von einer Bezugsebene in einer Rauheitskurve, die in eine Referenzlänge auf der Referenzebene einbezogen ist. Der arithmetische Mittenrauwert Ra kann mit einem SURFCOM1500 SD3-12, hergestellt von Tokyo Seimitsu Co., Ltd., gemäß den Verfahren gemessen werden, die in JIS B0601-2001, JIS B0632-2001, JIS B0633-2001 und JIS B0651-2001 angegeben sind. Bei der Messung wird ein Stift mit einem Spitzenradius von 2 µm und einem konischen Verjüngungswinkel von 60 Grad verwendet.
Der „Oberflächenwiderstand“ ist der Oberflächenwiderstand (Ω/□), der z.B. mit einem Supermegohmmeter (SM-8220, hergestellt von Hioki E.E. Corporation) gemessen wird, wobei eine Spannung von 1000 V in einer Umgebung mit einer Temperatur von 22 ± 2 °C und einer Feuchtigkeit von 45 ± 10 % gemäß JIS K6911 unter Verwendung einer Elektrode für eine flache Plattenprobe (SME-8311, hergestellt von Hioki E.E. Corporation) als Elektrode angelegt wird.
Aufgrund der vorstehend beschriebenen Struktur und der Eigenschaften (1) und (2), die das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm der Ausführungsform aufweist, wird, wenn es als Abdeckungselement mit einem Antiverschmutzungsfilm einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps verwendet wird, ein Fingerkontaktbereich, wenn es mit einem Finger berührt wird, geeignet und ferner sind die elektrische Entladungsmenge und eine ESD-Funktion gut ausgewogen, wodurch es möglich wird, das Weißwerden eines Flüssigkristallbildschirms zu vermindern, während die Berührungssensibilität ausreichend aufrechterhalten wird. Der Antiverschmutzungsfilm ist ein Film mit einer Antiverschmutzungseigenschaft, wie er nachstehend beschrieben ist, und dieser kann die Antiverschmutzungseigenschaft selbst dann aufrechterhalten, wenn er die Eigenschaften (1) und (2) aufweist. Ferner kann in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm der Ausführungsform aufgrund der rauen Form (1), welche die Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms aufweist, der Fingerkontaktbereich, wenn es mit einem Finger berührt wird (wird nachstehend einfach als „Kontaktbereich“ bezeichnet) geeignet sein, und darüber hinaus weist es auch eine Blendschutzeigenschaft auf.
Der Aufbau des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm ist nicht beschränkt, solange es das transparente Substrat und den Antiverschmutzungsfilm aufweist, der als die äußerste Schicht auf einer Hauptoberfläche des transparenten Substrats bereitgestellt ist, und es die Eigenschaften (1) und (2) aufweist. Das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm der Ausführungsform kann verschiedene funktionelle Schichten neben dem transparenten Substrat und dem Antiverschmutzungsfilm aufweisen, um die Eigenschaften (1) und (2) zu erreichen oder um zusätzliche Eigenschaften aufzuweisen.
Dabei wird in (1) die Oberflächenform des Antiverschmutzungsfilms nicht durch den Antiverschmutzungsfilm selbst gebildet und sie wird durch die Reflexion einer Oberflächenform einer Antiverschmutzungsfilmseite eines Elements gebildet, die sich mehr auf einer Seite des transparenten Substrats befindet als der Antiverschmutzungsfilm. Insbesondere ermöglicht das Anordnen einer Blendschutzschicht mit derselben Oberflächenform wie die Oberflächenform des Antiverschmutzungsfilms, die in (1) angegeben ist, auf der Seite des transparenten Substrats des Antiverschmutzungsfilms, dass die Eigenschaft (1) in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm erhalten wird. Alternativ ermöglicht das Bilden der Oberfläche der Antiverschmutzungsfilmseite des transparenten Substrats in derselben Form wie die Oberflächenform des Antiverschmutzungsfilms, die in (1) angegeben ist, dass die Eigenschaften (1) erhalten werden. Ferner kann im Hinblick auf die Blendschutzeigenschaft in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm der Ausführungsform eine Seite gegenüber der Oberfläche, die den Antiverschmutzungsfilm aufweist, dieselbe Oberflächenform wie diejenige in (1) aufweisen.
Es sollte beachtet werden, dass der arithmetische Mittenrauwert Ra in (1) im Hinblick auf das Verhindern einer Zunahme einer Trübung des erhaltenen transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm vorzugsweise 0,1 µm oder weniger beträgt.
Ferner kann der Oberflächenwiderstand in (2) durch Anordnen einer leitfähigen Schicht zwischen dem Antiverschmutzungsfilm und dem transparenten Substrat erhalten werden. Der Oberflächenwiderstand, der auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms gemessen wird, beträgt mehr bevorzugt 1 × 10¹⁰ bis 1 × 10¹³ Ω/□ und noch mehr bevorzugt 1,0 × 10¹⁰ bis 1,0 × 10¹² Ω/□.
Das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm der Ausführungsform weist zusätzlich zu den vorstehend genannten Eigenschaften (1) und (2) die folgenden Eigenschaften auf.
(Wasser- und Ölabstoßung)
Bei dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm ist es bevorzugt, dass auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms der Kontaktwinkel von Wasser 90 Grad oder mehr beträgt und der Kontaktwinkel von Ölsäure 70 Grad oder mehr beträgt. Bei der Messung wird der Kontaktwinkel eines 1 µmL-Tröpfchens bei einer Bedingung innerhalb eines Bereichs von 20 ± 10 °C mittels eines Kontaktwinkelmessgeräts (z.B. DM-701, hergestellt von Kyowa Interface Science Co., Ltd.) gemessen. Die Messung wird an fünf verschiedenen Stellen auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms durchgeführt und der Durchschnittswert der gemessenen Werte wird berechnet und als Kontaktwinkel auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms festgelegt.
(Schiefe Rsk der Rauheitskurve und Durchschnittslänge Rsm von Elementen der Rauheitskurve)
In dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm beträgt die Schiefe Rsk der Rauheitskurve, die auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms gemessen wird, vorzugsweise -1,5 bis 1,5 und mehr bevorzugt -1,0 bis 1,0. Dabei gibt die Schiefe Rsk der Rauheitskurve einen kubischen Mittelwert einer Höhe Z(x) in einer Referenzlänge an, der durch die Kubikzahl des quadratischen Mittelwerts der Höhe (Zq) dimensionslos gemacht worden ist, und es handelt sich um einen Index, der eine Abweichung von einer Mittellinie einer rauen Form angibt. Wenn ein Wert der Schiefe Rsk der Rauheitskurve positiv ist (Rsk > 0), weicht die raue Form in der Richtung einer Vertiefungsseite ab und eine Vorwölbungsform neigt dazu, scharf zu sein, und wenn er negativ ist (Rsk < 0), weicht die raue Form in der Richtung einer Vorwölbungsseite ab und die Vorwölbungsform neigt dazu, stumpf zu sein. Wenn die Vorwölbungsform der Rauheitskurve stumpfer ist, ist die Trübung geringer als in einem Fall, bei dem die Vorwölbungsform scharf ist.
Wenn die Schiefe Rsk der Rauheitskurve innerhalb des vorstehend genannten Bereichs liegt, kann der Kontaktbereich auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm geeigneter sein. Ferner ist es einfacher, sowohl eine sehr gute Blendschutzeigenschaft auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm als auch eine geringe Trübung des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm zu erreichen.
In dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm beträgt die durchschnittliche Länge Rsm von Elementen der Rauheitskurve, die auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms gemessen worden ist, vorzugsweise nicht weniger als 10 µm und nicht mehr als 18 µm. Dies ist darauf zurückzuführen, dass dann, wenn die durchschnittliche Länge Rsm der Elemente der Rauheitskurve auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms zu groß ist, die Trübung des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm und der Blendindexwert (Glitzern) auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm zu einem großen Wert neigen, und wenn sie zu klein ist, die Blendschutzeigenschaft auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms dazu neigt, schlechter zu sein.
Die „Schiefe Rsk der Rauheitskurve“ und die „durchschnittliche Länge Rsm der Elemente der Rauheitskurve“ können gemäß den Verfahren, die in JIS B0601-2001, JIS B0632-2001, JIS B0633-2001 und JIS B0651-2001 angegeben sind, unter Verwendung eines SURFCOM1500 SD3-12, hergestellt von Tokyo Seimitsu Co., Ltd., gemessen werden. Bei der Messung wird ein Stift mit einem Spitzenradius von 2 µm und einem konischen Verjüngungswinkel von 60 Grad verwendet.
(Trübung)
Die Trübung des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm beträgt vorzugsweise 0,1 bis 15,0 %, mehr bevorzugt 0,2 bis 10,0 % und besonders bevorzugt 0,5 bis 5,0 %. Wenn die Trübung gleich dem unteren Grenzwert oder mehr in dem vorstehend genannten Bereich ist, sind die Blendschutzeigenschaften besser. Wenn die Trübung gleich dem oberen Grenzwert oder weniger in dem vorstehend genannten Bereich ist, ist es unwahrscheinlich, dass die Bildsichtbarkeit beeinträchtigt wird, wenn das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm auf einer Anzeigeoberfläche einer Bildanzeigevorrichtung angeordnet ist.
Die „Trübung“ wird durch das in JIS K7136:2000 (ISO14782:1999) beschriebene Verfahren gemessen.
(Glanz)
Der auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm gemessene Glanz beträgt vorzugsweise 140 % oder weniger, mehr bevorzugt 135 % oder weniger und noch mehr bevorzugt 130 % oder weniger in Bezug auf den 60°-Spiegelglanz (%) (Glanz). Der 60°-Spiegelglanz auf einer Oberfläche mit einer rauen Form ist ein Index für den Blendschutzeffekt. Wenn der 60°-Spiegelglanz gleich dem vorstehend genannten oberen Grenzwert oder weniger ist, wird ein ausreichender Blendschutzeffekt erhalten.
Der 60°-Spiegelglanz auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm ist ein Wert, der im Wesentlichen bei dem zentralen Abschnitt der Ebene des Antiverschmutzungsfilms gemessen wird, wobei ein schwarzer Filz auf der Rückoberflächenseite angeordnet ist, um eine Rückoberflächenreflexion des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm auszuschließen, und zwar z.B. durch das Verfahren, das in dem 60°-Spiegelglanz von JIS Z8741:1997 angegeben ist, wobei ein Allzweck-Glanzmessgerät (Rhopoint IQ, hergestellt von Rhopoint Instruments) verwendet wird. Es sollte beachtet werden, dass sich in dem Vorstehenden die Rückoberfläche des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm auf eine Oberfläche des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm auf einer Seite bezieht, die den Antiverschmutzungsfilm nicht aufweist.
(Blendschutzeigenschaft-Indexwert (Streuung))
Der Blendschutzeigenschaft-Indexwert (Streuung) auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm beträgt vorzugsweise 0,1 oder mehr und mehr bevorzugt 0,2 oder mehr. Der Antiverschmutzungsfilm, dessen Oberfläche einen Blendeigenschaft-Index von 0,1 oder mehr aufweist, weist bei der Verwendung in einer Bildanzeigevorrichtung eine hervorragende Blendschutzeigenschaft auf.
Der Blendschutzeigenschaft-Indexwert auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm kann mit dem folgenden Verfahren mittels eines Photometers mit variablem Winkel GC5000L, hergestellt von Nippon Denshoku Industries Co., Ltd., gemessen werden. Zuerst wird, wobei ein Winkel in der Richtung parallel zu einer Dickenrichtung des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm als 0° festgelegt ist, ein erstes Licht in einer Richtung eines Winkels θ = -45° ± 0,5° (nachstehend auch als „-45°-Winkel-Richtung“ bezeichnet) von einer Oberflächenseite des Antiverschmutzungsfilms des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm eingestrahlt. Das erste Licht wird auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm reflektiert. Ein 45°-reflektiertes Licht, das in einer Richtung eines Winkels θ‘ = 45° von der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm reflektiert wird, wird empfangen und dessen Helligkeit wird gemessen, was als „Helligkeit des 45°-reflektierten Lichts“ festgelegt ist.
Als nächstes wird Licht, das von der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm reflektiert worden ist, empfangen, wobei der Reflexionswinkel θ‘ innerhalb eines Bereichs von 5° bis 85° variiert wird, und derselbe Vorgang wird durchgeführt. Folglich wird die Helligkeitsverteilung des reflektierten Lichts, das auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm reflektiert wird und in dem Bereich von 5° bis 85° empfangen wird, gemessen und die Gesamthelligkeit ist als „Helligkeit des gesamten reflektierten Lichts“ festgelegt.
Als nächstes wird aus dem folgenden Ausdruck (I) der Blendschutzeigenschaft-Indexwert (Streuung) berechnet. $\begin{array}{l} Blendschutzeigenschaft-Indexwert = {(Helligkeit des gesamten reflektierten Lichts-Helligkeit \\ des 45 ° - reflektierten Lichts) / (Helligkeit des gesamten reflektierten Lichts)} \end{array}$
Es wurde bestätigt, dass der Blendschutzeigenschaft-Indexwert mit dem visuellen Bestimmungsergebnis der Blendschutzeigenschaft durch einen Betrachter korreliert und ein Verhalten nahe an einem visuellen Sinn einer Person zeigt. Ein kleinerer Blendschutzeigenschaft-Indexwert (nahe bei 0) kann als schlechtere Blendschutzeigenschaft bewertet werden, und ein größerer Blendschutzeigenschaft-Indexwert kann als bessere Blendschutzeigenschaft bewertet werden.
(Blendindexwert (Glitzern))
Der Blendindexwert (Glitzern) auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm beträgt vorzugsweise 90 oder weniger. Der Blendindexwert kann mittels eines EyeScale ISC-A, hergestellt von I System Corporation gemessen werden, während das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm auf einer Anzeigeoberfläche eines Flüssigkristallanzeigeelements angeordnet ist, wobei die Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms nach oben zeigt. Ein größerer Blendindexwert gibt eine stärkere Blendung an.
Wie es in der vorstehend genannten Eigenschaft (1) beschrieben ist, wird die Oberflächenform des Antiverschmutzungsfilms nicht durch den Antiverschmutzungsfilm selbst gebildet und wird durch die Reflexion der Oberflächenform der Seite des Antiverschmutzungsfilms des Elements gebildet, das sich mehr auf der Seite des transparenten Substrats als der Antiverschmutzungsfilm befindet. D.h., es ist möglich, den arithmetischen Mittenrauwert Rs, die Schiefe Rsk der Rauheitskurve und die durchschnittliche Länge Rsm der Elemente der Rauheitskurve auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms durch Anordnen z.B. der Blendschutzschicht auf der Seite des transparenten Substrats des Antiverschmutzungsfilms und Einstellen der Form der Antiverschmutzungsfilm-seitigen Hauptoberfläche der Blendschutzschicht oder durch Einstellen der Form der Antiverschmutzungsfilm-seitigen Hauptoberfläche des transparenten Substrats einzustellen.
Die Trübung, der 60°-Spiegelglanz, der Blendschutzeigenschaft-Indexwert und der Blendindexwert des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm kann durch die Schiefe Rsk der Rauheitskurve, den arithmetischen Mittenrauwert Ra, die durchschnittliche Länge Rsm der Elemente der Rauheitskurve und dergleichen auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms eingestellt werden, wie es vorstehend beschrieben worden ist.
Das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm der Ausführungsform weist den Antiverschmutzungsfilm als die äußerste Schicht auf einer Hauptoberfläche des transparenten Substrats auf und kann dadurch, dass es z.B. die folgende Struktur (A), (B) oder (C) aufweist, die Eigenschaften (1) und (2) aufweisen.

(A) Eine Struktur, bei der es eine leitende Blendschutzschicht mit einer Leitfähigkeit zwischen dem transparenten Substrat und dem Antiverschmutzungsfilm aufweist und eine Antiverschmutzungsfilm-seitige Hauptoberfläche der leitenden Blendschutzschicht so ausgebildet ist, dass sie einfallendes Licht diffus reflektiert. Nachstehend wird ein transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm mit der Struktur (A) auch als transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm (A) bezeichnet.
(B) Eine Struktur, bei der es eine leitende Schicht und eine Blendschutzschicht zwischen dem transparenten Substrat und dem Antiverschmutzungsfilm aufweist und eine Antiverschmutzungsfilm-seitige Hauptoberfläche der Blendschutzschicht so ausgebildet ist, dass sie einfallendes Licht diffus reflektiert. Nachstehend wird ein transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm mit der Struktur (B) auch als transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm (B) bezeichnet. In dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm (B) können die leitende Schicht und die Blendschutzschicht, die zwischen dem transparenten Substrat und dem Antiverschmutzungsfilm bereitgestellt sind, in der Reihenfolge der leitenden Schicht und der Blendschutzschicht oder in der Reihenfolge der Blendschutzschicht und der leitenden Schicht ausgehend von der Seite des transparenten Substrats bereitgestellt werden.
(C) Eine Struktur, bei der es eine leitende Schicht zwischen dem transparenten Substrat und dem Antiverschmutzungsfilm aufweist und eine Antiverschmutzungsfilm-seitige Hauptoberfläche des transparenten Substrats so ausgebildet ist, dass sie einfallendes Licht diffus reflektiert. Nachstehend wird ein transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm mit der Struktur (C) auch als transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm (C) bezeichnet.

Nachstehend werden das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm (A), das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm (B) und das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm (C) unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
(Transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm (A))
1 ist eine Ansicht, die schematisch einen Querschnitt eines Beispiels des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm (A) einer Ausführungsform zeigt. Die 2 zeigt eine vergrößerte Schnittansicht des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm, das in der 1 gezeigt ist. Ein transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A, das in der 1 gezeigt ist, weist ein transparentes Substrat 1, eine leitende Blendschutzschicht 3A, die auf dem transparenten Substrat 1 bereitgestellt ist und eine Leitfähigkeit aufweist, und einen Antiverschmutzungsfilm 2 auf, der auf der leitenden Blendschutzschicht 3A bereitgestellt ist. Der Antiverschmutzungsfilm 2 bildet eine äußerste Schicht auf einer Hauptoberfläche Sa des transparenten Substrats 1.
Hier ist eine Oberfläche 2s des Antiverschmutzungsfilms 2 eine Oberfläche des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A und in der nachstehenden Beschreibung wird die Antiverschmutzungsfilm 2-seitige Oberfläche des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A auch als die Oberfläche 2s des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A bezeichnet. Nachstehend werden die Bestandteilselemente des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A beschrieben.
<Transparentes Substrat>
Das transparente Substrat 1 ist nicht beschränkt, solange es aus einem transparenten Material hergestellt ist, das mindestens sichtbares Licht durchlässt und in einer Plattenform mit zwei gegenüberliegenden Hauptoberflächen Sa, Sb vorliegt. Beispiele für das Material, welches das transparente Substrat 1 bildet, umfassen Glas, Harz bzw. Kunststoff und eine Kombination davon (ein Verbundmaterial, ein Schichtmaterial oder dergleichen). Beispiele für das Glas umfassen Natronkalkglas, Borosilikatglas, Aluminosilikatglas, Glas auf Phosphorsäurebasis und alkalifreies Glas. Beispiele für das Harz bzw. den Kunststoff umfassen Polyethylenterephthalat, Polycarbonat, Triacetylcellulose und Polymethylmethacrylat.
In dem transparenten Substrat 1 kann die Hauptoberfläche Sa, auf der die leitende Blendschutzschicht 3A ausgebildet ist, glatt oder rau sein. Im Hinblick auf den Vorteil des Bereitstellens der leitenden Blendschutzschicht 3A ist die Hauptoberfläche Sa vorzugsweise glatt. Ferner muss die leitende Blendschutzschicht 3A, die auf dem transparenten Substrat 1 bereitgestellt ist, nicht auf der gesamten Hauptoberfläche Sa des transparenten Substrats 1 bereitgestellt sein. Die leitende Blendschutzschicht 3A ist vorzugsweise in einem Bereich ausgebildet, bei dem der Antiverschmutzungsfilm 2 ausgebildet ist, d.h., mindestens in einem Bereich, bei dem bei der Verwendung als Berührungsfeld ein Fingerberührungsvorgang durchgeführt wird.
Die Form der Hauptoberflächen Sa, Sb des transparenten Substrats 1 ist nicht auf die flache Form beschränkt, wie sie gezeigt ist, sondern es kann eine Form mit einer gekrümmten Oberfläche sein. In diesem Fall können die gesamten Oberflächen gekrümmte Oberflächen sein oder die Oberflächen Sa, Sb können jeweils einen gekrümmten Teil und einen flachen Teil aufweisen. In verschiedenen Arten von Vorrichtungen (Fernsehgeräten, Personalcomputern, Smartphones, Kraftfahrzeugnavigationssystemen, usw.), die eine Bildanzeigevorrichtung umfassen, ist kürzlich eine Bildanzeigevorrichtung geschaffen worden, die eine gekrümmte Anzeigeoberfläche aufweist. Das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A, in dem die Hauptoberflächen Sa, Sb des transparenten Substrats 1 eine gekrümmte Form aufweisen, ist bei der Verwendung als eine derartige Bildanzeigevorrichtung geeignet.
Als das transparente Substrat 1 ist ein Glassubstrat im Hinblick auf die Transparenz, die mechanische Festigkeit und dergleichen bevorzugt. Ein Verfahren zur Herstellung des Glassubstrats ist nicht beschränkt. Es ist möglich, das Glassubstrat durch Zuführen eines gewünschten Glasausgangsmaterials in einen Schmelzofen, Schmelzen durch Erwärmen desselben, um es zu läutern, und danach Zuführen des geschmolzenen Glases zu einer Formvorrichtung zum Formen und dann Tempern herzustellen. Es sollte beachtet werden, dass ein Formverfahren des Glassubstrats nicht beschränkt ist und z.B. ist ein Glassubstrat verwendbar, das durch ein Floatverfahren, ein Schmelzverfahren, ein Abzugsverfahren („Down-draw“-Verfahren) oder dergleichen geformt wird.
Die Dicke des transparenten Substrats 1 kann in einer geeigneten Weise gemäß dessen Verwendung ausgewählt werden. Beispielsweise beträgt in dem Fall, bei dem ein Glassubstrat als das transparente Substrat 1 verwendet wird, dessen Dicke vorzugsweise 0,1 bis 5 mm und mehr bevorzugt 0,2 bis 2,5 mm.
In dem Fall, bei dem ein Glassubstrat als das transparente Substrat 1 verwendet wird, weist das Glassubstrat vorzugsweise eine gehärtete Hauptoberfläche auf. Das Härten verbessert die Festigkeit des Glases, wodurch z.B. die Dicke vermindert werden kann, während die Festigkeit beibehalten wird.
Das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm10A kann funktionelle Schichten, wie z.B. eine Basisschicht, eine Haftschicht und eine Schutzschicht, zwischen dem transparenten Substrat 1 und der leitenden Blendschutzschicht 3A aufweisen. Die Basisschicht hat eine Funktion als Alkalibarriereschicht oder eine Breitbandschicht mit niedrigem Brechungsindex. Die Basisschicht ist vorzugsweise eine Schicht, die durch Aufbringen einer Basisschicht-bildenden Zusammensetzung, die ein Hydrolysat (Sol-Gel-Siliziumoxid) aus einem Alkoxysilan enthält, auf das transparente Substrat 1 gebildet wird.
<Leitende Blendschutzschicht>
Die leitende Blendschutzschicht 3A weist eine Leitfähigkeit auf und darüber hinaus ist die Antiverschmutzungsfilm 2-seitige Hauptoberfläche 3As der leitenden Blendschutzschicht 3A so ausgebildet, dass sie einfallendes Licht diffus reflektiert.
Der Oberflächenwiderstand, der auf der Antiverschmutzungsfilm 2-seitigen Hauptoberfläche 3As der leitenden Blendschutzschicht 3A gemessen wird, beträgt vorzugsweise 1,0 × 10¹⁰ bis 1,0 × 10¹³ Ω/□ und mehr bevorzugt 1,0 × 10¹⁰ bis 1,0 × 10¹² Ω/□, obwohl dies von dem Aufbaumaterial und der Dicke des Antiverschmutzungsfilms 2 abhängt. Aufgrund der vorstehend genannten Leitfähigkeit der leitenden Blendschutzschicht 3A kann der Oberflächenwiderstand, der auf der Oberfläche 2s des Antiverschmutzungsfilms 2 bei dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A gemessen wird, in dem vorstehend genannten vorgegebenen Bereich liegen.
Die Form der Antiverschmutzungsfilm 2-seitigen Hauptoberfläche 3As der leitenden Blendschutzschicht 3A ist z.B. eine raue Form, deren arithmetischer Mittenrauwert Rs 0,01 µm oder mehr beträgt. Der arithmetische Mittenrauwert Ra der Hauptoberfläche 3As liegt vorzugsweise innerhalb des vorstehend genannten Bereichs, der als bevorzugter Bereich des arithmetischen Mittenrauwerts Ra auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms beschrieben ist. Die Schiefe Rsk einer Rauheitskurve, die durchschnittliche Länge Rsm von Elementen der Rauheitskurve, der 60°-Spiegelglanz, der Blendschutzeigenschaft-Indexwert und der Blendindexwert der Antiverschmutzungsfilm 2-seitigen Hauptoberfläche 3As der leitenden Blendschutzschicht 3A liegen vorzugsweise innerhalb der vorstehend genannten Bereiche, die als die bevorzugten Bereiche dieser physikalischen Eigenschaften auf der Oberfläche 2s des Antiverschmutzungsfilms 2 beschrieben sind.
Die leitende Blendschutzschicht 3A weist vorzugsweise eine durchschnittliche Filmdicke von 15 bis 1500 nm auf. Wenn die durchschnittliche Dicke der leitenden Blendschutzschicht 3A 15 bis 50 nm beträgt, nehmen die Trübung und der Blendindexwert leicht ab. Die durchschnittliche Filmdicke der leitenden Blendschutzschicht 3A beträgt mehr bevorzugt 50 nm oder mehr, da dies dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A eine ausreichende Blendschutzeigenschaft verleihen kann. Die durchschnittliche Filmdicke der leitenden Blendschutzschicht 3A beträgt vorzugsweise 1500 nm oder weniger, da dies ermöglicht, optische Eigenschaften, wie z.B. den Blendschutzeigenschaft-Indexwert und die Trübung, innerhalb von vorteilhaften Bereichen einfach zu erreichen.
Dabei ist es möglich, die durchschnittliche Filmdicke der leitenden Blendschutzschicht 3A durch Bearbeiten eines Querschnitts der leitenden Blendschutzschicht 3A durch fokussierte lonenstrahlen, danach Untersuchen des Querschnitts z.B. bei 10000-facher Vergrößerung durch ein Rastermikroskop (SEM) und Messen der Dicke ausgehend von einer Grenzfläche des transparenten Substrats 1 und der leitenden Blendschutzschicht 3A bis zu der vorderen Oberfläche der leitenden Blendschutzschicht 3A in dem gesamten fotografierten Bereich zu messen. Die Filmdicke kann unter Verwendung digitaler Daten, die durch ein SEM fotografiert worden sind, oder eine Bildverarbeitungssoftware berechnet werden.
Die leitende Blendschutzschicht 3A kann so ausgebildet sein, dass sie die gesamte Hauptoberfläche Sa des transparenten Substrats 1 bedeckt, wobei kein Raum verbleibt. Alternativ kann ein Teil der Hauptoberfläche Sa des transparenten Substrats 1 freiliegen, ohne dass die leitende Blendschutzschicht 3A darauf ausgebildet ist. Insbesondere kann die leitende Blendschutzschicht 3A in einer Inselform ausgebildet sein. Wenn die Dicke der leitenden Blendschutzschicht 3A z.B. 300 nm oder weniger beträgt, wird die leitende Blendschutzschicht 3A manchmal diskontinuierlich auf der Hauptoberfläche des transparenten Substrats 1 ausgebildet, was dazu führt, dass ein Teil der Hauptoberfläche des transparenten Substrats 1 freiliegt.
Die raue Form der Hauptoberfläche 3As der leitenden Blendschutzschicht 3A kann z.B. eine Form sein, die erste Vorwölbungen, die jeweils einen Basisabschnitt mit einem Durchmesser von 1 µm oder mehr aufweisen, und zweite Vorwölbungen, die jeweils einen Basisabschnitt mit einem Durchmesser von weniger als 1 µm aufweisen, umfasst. Ferner kann eine Überlappung zwischen den ersten Vorwölbungen, zwischen den zweiten Vorwölbungen oder zwischen der ersten Vorwölbung und der zweiten Vorwölbung vorliegen. Eine solche Oberflächenstruktur kann durch eine Analyse von Lasermikroskopmessdaten durch eine Bildverarbeitungssoftware untersucht werden.
Die leitende Blendschutzschicht 3A kann z.B. durch Aufbringen einer flüssigen Zusammensetzung zur Bildung einer leitenden Blendschutzschicht (nachstehend eine flüssige Zusammensetzung (X1)) auf die Hauptoberfläche Sa des transparenten Substrats 1 und Aushärten der flüssigen Zusammensetzung (X1) gebildet werden. Die Filmdicke der leitenden Blendschutzschicht 3A und der Oberflächenwiderstand, der arithmetische Mittenrauwert Ra, die Schiefe Rsk der Rauheitskurve und die durchschnittliche Länge Rsm der Elemente der Rauheitskurve auf der Antiverschmutzungsfilm 2-seitigen Hauptoberfläche 3As können durch die Zusammensetzung der flüssigen Zusammensetzung (X1), die für die Bildung der leitenden Blendschutzschicht 3A verwendet wird, die Aufbringbedingung der flüssigen Zusammensetzung (X1) auf das transparente Substrat 1, usw., eingestellt werden.
Ein Material, das die leitende Blendschutzschicht 3A bildet, ist z.B. vorzugsweise ein Material, das ein Bindemittel, dessen Hauptkomponente Siliziumoxid ist, und ein leitendes Mittel, wie z.B. leitende feine Teilchen, enthält. Es sollte beachtet werden, dass „dessen Hauptkomponente Siliziumoxid ist“ bedeutet, dass 50 Massen-% oder mehr SiO₂ enthalten sind. Die leitende Blendschutzschicht 3A, bei welcher das Bindemittel verwendet wird, dessen Hauptkomponente Siliziumoxid ist, weist eine hervorragende chemische Stabilität, Haftung mit dem Substrat, wenn das transparente Substrat ein Glassubstrat ist, und Abriebbeständigkeit auf.
Das Verhältnis des Bindemittels und des leitenden Mittels in der leitenden Blendschutzschicht 3A kann zweckmäßig auf 90:10 bis 10:90 in Bezug auf das Massenverhältnis Bindemittel:leitendes Mittel eingestellt werden.
Die flüssige Zusammensetzung (X1) zur Bildung der leitenden Blendschutzschicht 3A, die aus dem Material hergestellt ist, die das Bindemittel, dessen Hauptkomponente Siliziumoxid ist, und das leitende Mittel enthält, ist z.B. eine Zusammensetzung, die eine Siliziumoxidvorstufe (a), ein leitendes Mittel (b) und ein flüssiges Medium (c) und gegebenenfalls Teilchen (d) (nachstehend weitere Teilchen (d)), die von den leitenden feinen Teilchen (b1) (später beschrieben) in dem leitenden Mittel (b) verschieden sind, enthält.
(Siliziumoxidvorstufe (a))
Die „Siliziumoxidvorstufe“ steht für eine Substanz, die durch eine Siloxanbindung oder dergleichen eine Matrix bilden kann, deren Hauptkomponente Siliziumoxid ist. Als Siliziumoxidvorstufe (a) ist eine Silanverbindung, wie z.B. ein Alkoxysilan, dessen hydrolysiertes Kondensat und dergleichen, die bekannt sind, in einer geeigneten Weise verwendbar. Als Siliziumoxidvorstufe (a) kann eine Art alleine verwendet werden oder zwei Arten oder mehr können in einer Kombination verwendet werden.
Die Siliziumoxidvorstufe (a) enthält vorzugsweise eines oder beide von einem Alkoxysilan, das Kohlenstoffatome aufweist, die direkt an Siliziumatome gebunden sind, und dessen hydrolysiertem Kondensat, und zwar im Hinblick darauf, dass ein Reißen und Ablösen der leitenden Blendschutzschicht 3A verhindert wird. Ferner enthält die Siliziumoxidvorstufe (a) vorzugsweise eines oder beide von Tetraalkoxysilan und dessen hydrolysiertem Kondensat, und zwar im Hinblick auf die Verschleißfestigkeit der leitenden Blendschutzschicht 3A.
Der Gehalt der Siliziumoxidvorstufe (a) in der flüssigen Zusammensetzung (X1) beträgt vorzugsweise 30 bis 90 Massen-% und mehr bevorzugt 40 bis 90 Massen-% als SiO₂ bezogen auf die Gesamtmenge des Feststoffgehalts. Der Feststoffgehalt der flüssigen Zusammensetzung (X1) ist die Summe der Gehalte aller Komponenten in der flüssigen Zusammensetzung (X1), ausgenommen eine Komponente wie z.B. das flüssige Medium (c), das in dem Bildungsvorgang der leitenden Blendschutzschicht 3A verschwindet, und der Gehalt der Siliziumoxidvorstufe (a) ist als SiO₂ angegeben, wie es vorstehend beschrieben ist.
(Leitendes Mittel (b))
Beispiele für das leitende Mittel (b) umfassen leitende Mittel des ionenleitenden Typs, wie z.B. ein quaternäres Ammoniumsalz und ein Lithiumsalz, und leitende Mittel des elektronenleitenden Typs, wie z.B. feine Metallteilchen, feine Metalloxidteilchen, Kohlenstoffnanoröhrchen, feine beschichtete Teilchen und Teilchen auf Polyethylendioxythiophen-Basis. Von diesen werden leitende Mittel des elektronenleitenden Typs zweckmäßig verwendet, da sie nicht feuchtigkeitsempfindlich sind. Ferner sind von den leitenden Mitteln des elektronenleitenden Typs die feinen Metalloxidteilchen im Hinblick auf deren gute Langzeitlagerfähigkeit, die Wärmebeständigkeit, die Feuchtigkeitswärmebeständigkeit und die Lichtbeständigkeit bevorzugt. Das leitende Mittel des elektronenleitenden Typs wird nachstehend als leitende feine Teilchen (b1)" bezeichnet.
Es sollte beachtet werden, dass in der 2 ein Fall, bei dem die leitenden feinen Teilchen (b1) als das leitende Mittel (b) in die leitende Blendschutzschicht 3A einbezogen sind, schematisch dargestellt ist.
Das Metall, das die feinen Metallteilchen bildet, ist nicht beschränkt, und Beispiele dafür umfassen Au, Ag, Cu, Al, Fe, Ni, Pd, Pt, Ru und eine Legierung von diesen.
Das Metalloxid, das die feinen Metalloxidteilchen bildet, ist nicht beschränkt, und Beispiele dafür umfassen Zinnoxid (SnO₂), Antimonoxid (Sb₂O₅), Antimon-dotiertes Zinnoxid (ATO), Antimon-dotiertes Titanoxid, Indium-dotiertes Zinnoxid (ITO), Phosphor-dotiertes Zinnoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid (AZO), fluoriertes Zinnoxid (FTO), Antimon-dotiertes Zinkoxid und Zinkoxid (ZnO).
Die beschichteten feinen Teilchen sind nicht beschränkt und Beispiele dafür umfassen herkömmlich bekannte feine Teilchen mit einer Struktur, in der leitende Beschichtungsschichten auf den Oberflächen von feinen Kernteilchen ausgebildet sind. die feinen Kernteilchen sind nicht speziell beschränkt und Beispiele dafür umfassen anorganische feine Teilchen, wie z.B. feine kolloidale Siliziumoxidteilchen, feine Polymerteilchen, wie z.B. feine Fluorkohlenstoffharzteilchen, feine Acrylharzteilchen und feine Silikonharzteilchen, und feine Teilchen aus organisch-anorganischen Misch- bzw. Verbundteilchen. Ferner ist das Material zur Bildung der leitenden Beschichtungsschicht nicht beschränkt und Beispiele dafür umfassen die vorstehend genannten Metalle und Metalloxide.
Die Form der leitenden feinen Teilchen (b1) ist nicht beschränkt und Beispiele dafür umfassen eine Kugelform, eine Schuppenform, eine Stabform, eine Kettenform und eine Nadelform. Diese Formen können durch Primärteilchen selbst gebildet werden oder sie können durch Sekundärteilchen gebildet werden, die aggregierte, geschichtete oder verbundene Primärteilchen sind. Es sollte beachtet werden, dass die „Schuppenform“ für eine flache Form steht. Die Form der leitenden feinen Teilchen (b1) kann mit einem Transmissionselektronenmikroskop (nachstehend auch als TEM bezeichnet) bestätigt werden.
Die durchschnittliche Teilchengröße der Primärteilchen der leitenden feinen Teilchen (b1) beträgt im Hinblick auf das Sicherstellen einer Transparenz und das Sicherstellen einer Leitfähigkeit vorzugsweise 2 bis 150 nm und mehr bevorzugt 3 bis 100 nm.
Es sollte beachtet werden, dass in der vorliegenden Beschreibung die durchschnittliche Teilchengröße von Teilchen für eine Teilchengröße bei einem 50 %-Punkt in einer kumulativen Volumenverteilungskurve steht, wobei das Gesamtvolumen einer volumenbasierten Teilchengrößenverteilung als 100 % festgelegt ist, d.h., einen volumenbasierten kumulativen 50 %-Durchmesser (D50). Die Teilchengrößenverteilung kann aus der Häufigkeitsverteilungs- und kumulativen Volumenverteilungskurve ermittelt werden, die durch ein Teilchengrößenverteilungsanalysegerät des Laserbeugungsstreutyps gemessen wird.
Der Gehalt des leitenden Mittels (b) in der leitenden Blendschutzschicht 3A ist mit anderen Worten der Gehalt des leitenden Mittels (b) in dem Feststoffgehalt der flüssigen Zusammensetzung (X1). In dem Fall, bei dem die leitenden feinen Teilchen (b1) als das leitende Mittel (b) verwendet werden, wird der Gehalt des leitenden Mittels (b) gemäß der Art, der Form, der Größe, usw., der verwendeten leitenden feinen Teilchen (b1) eingestellt, und es ist z.B. ein Gehalt von 10 bis 80 Massen-% und mehr bevorzugt 30 bis 80 Massen-% bezogen auf die Gesamtmenge der leitenden Blendschutzschicht 3A.
Zum Bereitstellen einer ausreichenden Dispergierbarkeit in der flüssigen Zusammensetzung (X1) werden die leitenden feinen Teilchen (b1) vorzugsweise in die flüssige Zusammensetzung (X1) eingemischt, während sie in einem Zustand einer Dispersion vorliegen, die durch im Vorhinein Dispergieren der leitenden feinen Teilchen (b1) in einem Dispersionsmedium unter Verwendung einer Perlmühle oder dergleichen hergestellt worden ist. Da in diesem Fall das Dispersionsmedium einen Teil des folgenden flüssigen Mediums (c) bildet, wird als das Dispersionsmedium vorzugsweise eine Verbindung verwendet, die dem flüssigen Medium (c) ähnlich ist oder eine Verträglichkeit mit dem flüssigen Medium (c) aufweist. Wenn die Dispersion der leitenden feinen Teilchen (b1) hergestellt wird, kann ein Dispergiermittel verwendet werden. Da ferner die leitenden feinen Teilchen (b1) auf dem Markt als Dispersion verfügbar sind, kann ein solches handelsübliches Produkt in die flüssige Zusammensetzung (X1) eingemischt werden.
(Flüssiges Medium (c))
Das flüssige Medium (c), in dem die Siliziumoxidvorstufe (a) gelöst oder dispergiert ist und die leitenden feinen Teilchen (b1) und die weiteren Teilchen (d) dispergiert sind, wird bevorzugt verwendet. Das flüssige Medium (c) kann sowohl eine Funktion als Lösungsmittel oder Dispersionsmedium, in dem die Siliziumoxidvorstufe (a) gelöst oder dispergiert ist, als auch eine Funktion als Dispersionsmedium aufweisen, in dem die leitenden feinen Teilchen (b1) und die weiteren Teilchen (d) dispergiert sind.
Das flüssige Medium (c) enthält vorzugsweise mindestens ein flüssiges Medium (c1), dessen Siedepunkt 150 °C oder niedriger ist. Der Siedepunkt des flüssigen Mediums (c1) beträgt vorzugsweise 50 bis 145 °C und mehr bevorzugt 55 bis 140 °C. Wenn der Siedepunkt des flüssigen Mediums (c1) innerhalb des vorstehend genannten bevorzugten Bereichs liegt, kann in einem Fall, bei dem die leitende Blendschutzschicht 3A durch Aufbringen der flüssigen Zusammensetzung (X1) auf die Hauptoberfläche Sa des transparenten Substrats 1 unter Verwendung einer elektrostatischen Beschichtungseinrichtung, die eine elektrostatische Beschichtungspistole mit einem rotierenden Zerstäubungskopf umfasst, gefolgt von einem Brennen, gebildet wird, die Oberflächenform der erhaltenen leitenden Blendschutzschicht A einfach die raue Form mit den vorstehend genannten Eigenschaften sein.
Da Wasser zum Hydrolysieren des Alkoxysilans, usw., in der Siliziumoxidvorstufe (a) erforderlich ist, enthält das flüssige Medium (c) mindestens Wasser als das flüssige Medium (c1), solange das flüssige Medium nicht nach der Hydrolyse ersetzt wird. Das flüssige Medium (c) kann ferner ein flüssiges Medium enthalten, das von dem flüssigen Medium (c1) verschieden ist, d.h., es kann je nach Erfordernis ferner ein flüssiges Medium (c2) enthalten, dessen Siedepunkt über 150 °C liegt.
Der Gehalt des flüssigen Mediums (c) in der flüssigen Zusammensetzung (X1) ist eine Menge gemäß der Feststoffgehaltkonzentration der flüssigen Zusammensetzung (X1). Die Feststoffgehaltkonzentration der flüssigen Zusammensetzung (X1) zu der Gesamtmenge (100 Massen-%) der flüssigen Zusammensetzung (X1) beträgt vorzugsweise 0,05 bis 2 Massen-% und mehr bevorzugt 0,1 bis 1 Massen-%. Wenn die Feststoffgehaltkonzentration gleich dem unteren Grenzwert oder mehr in dem vorstehend genannten Bereich ist, kann das Flüssigkeitsvolumen der flüssigen Zusammensetzung (X1) vermindert werden. Wenn die Feststoffgehaltkonzentration gleich dem oberen Grenzwert oder weniger in dem vorstehend genannten Bereich ist, kann die raue Struktur mit den zweiten Vorwölbungen leicht gebildet werden. Ferner verbessert sich die Einheitlichkeit der Filmdicke der leitenden Blendschutzschicht 3A.
Der Gehalt des flüssigen Mediums (c1) in Bezug auf die Gesamtmenge des flüssigen Mediums (c) beträgt vorzugsweise 86 Massen-% oder mehr und mehr bevorzugt 90 Massen-% oder mehr. Der Gehalt des flüssigen Mediums (c1) kann 100 Massen-% in Bezug auf die Gesamtmenge des flüssigen Mediums (c) betragen.
Das flüssige Medium (c2), wenn es enthalten ist, ermöglicht die Verminderung der Schiefe Rsk der Rauheitskurve der erhaltenen leitenden Blendschutzschicht 3A und erleichtert das Erreichen sowohl einer hervorragenden Blendschutzeigenschaft als auch einer niedrigen Trübung. In dem Fall, bei dem das flüssige Medium (c) das flüssige Medium (c2) enthält, beträgt der Gehaltanteil des flüssigen Mediums (c2) zu der Gesamtmenge des flüssigen Mediums (c) vorzugsweise 0,01 bis 14 Massen-%.
(Weitere Teilchen (d))
Die flüssige Zusammensetzung (X1) zur Bildung der leitenden Blendschutzschicht 3A kann die weiteren Teilchen (d) je nach Erfordernis enthalten. Die weiteren Teilchen (d), wenn sie in der flüssigen Zusammensetzung (X1) enthalten sind, ermöglichen, dass die erhaltene leitende Blendschutzschicht 3A einfach die raue Oberflächenform mit den vorstehend genannten Eigenschaften aufweist.
In einem Fall, bei dem das Bestandteilsmaterial der leitenden Blendschutzschicht 3A Siliziumoxid als deren Hauptkomponente enthält, sind die weiteren Teilchen (d) vorzugsweise Siliziumoxidteilchen, wie z.B. kugelförmige Siliziumoxidteilchen, schuppenförmige Siliziumoxidteilchen, stabförmige Siliziumoxidteilchen oder nadelförmige Siliziumoxidteilchen, da sie einen Anstieg des Brechungsindex verhindern können und die Reflexion des Films vermindern können. Im Hinblick auf das einfache Erhalten eines niedrigeren Trübungsverhältnisses sind die kugelförmigen Siliziumoxidteilchen bevorzugt. Im Hinblick auf das Erhalten eines Blendschutzeffekts nur mit einer geringen Menge und im Hinblick darauf, ein Reißen und Ablösen der leitenden Blendschutzschicht 3A zu verhindern, sind die schuppenförmigen Siliziumoxidteilchen bevorzugt.
Als die schuppenförmigen Siliziumoxidteilchen können handelsübliche oder hergestellte schuppenförmige Siliziumoxidteilchen verwendet werden. Als die schuppenförmigen Siliziumoxidteilchen kann ein Pulver verwendet werden, oder es kann eine Dispersion verwendet werden, in der sie in einem Dispersionsmedium dispergiert sind. Beispiele für ein handelsübliches Produkt der schuppenförmigen Siliziumoxidteilchen umfassen die SUNLOVELY (eingetragene Marke)-Reihe, die von AGC Si-Tech Co., Ltd., hergestellt wird.
Der Gehalt der weiteren Teilchen (d) in der flüssigen Zusammensetzung (X1) in Bezug auf das Verhältnis der weiteren Teilchen (d) zu der Gesamtmasse (100 Massen-%) der Siliziumoxidvorstufe (a) und der weiteren Teilchen (d) (die Masse der Siliziumoxidvorstufe (a) ist als SiO₂ angegeben) beträgt vorzugsweise 0 bis 40 Massen-% und mehr bevorzugt 0 bis 30 Massen-%. Wenn der Gehalt der weiteren Teilchen (d) gleich dem oberen Grenzwert oder weniger in dem vorstehend genannten Bereich ist, ist die Haftung an dem transparenten Substrat 1 hervorragend.
In einem Fall, bei dem die weiteren Teilchen (d) kugelförmige Siliziumoxidteilchen sind, beträgt das Verhältnis der weiteren Teilchen (d) zu der Gesamtmasse (100 Massen-%) der Siliziumoxidvorstufe (a) und der weiteren Teilchen (d) vorzugsweise 1 bis 40 Massen-% und mehr bevorzugt 2 bis 30 Massen-%.
In einem Fall, bei dem die weiteren Teilchen (d) die schuppenförmigen Siliziumoxidteilchen sind, beträgt das Verhältnis der weiteren Teilchen (d) zu der Gesamtmasse (100 Massen-%) der Siliziumoxidvorstufe (a) und der weiteren Teilchen (d) vorzugsweise 0,5 bis 30 Massen-% und mehr bevorzugt 1 bis 20 Massen-%.
Wenn das Verhältnis der weiteren Teilchen (d) gleich dem unteren Grenzwert oder mehr in dem vorstehend genannten Bereich ist, ist die Eigenschaft einer geringen Blendung besser. Wenn das Verhältnis der weiteren Teilchen (d) gleich dem oberen Grenzwert oder weniger in dem vorstehend genannten Bereich ist, wird ein niedrigeres Trübungsverhältnis einfach erhalten. Ferner verbessert die Siliziumoxidvorstufe (a), wenn sie in einem vorgegebenen Verhältnis oder mehr enthalten ist, die Haftfestigkeit zwischen der leitenden Blendschutzschicht 3A und dem transparenten Substrat 1.
(Weitere optionale Komponenten)
Die flüssige Zusammensetzung (X1) kann neben den vorstehend beschriebenen Komponenten ein weiteres Bindemittel (f), ausgenommen die Siliziumoxidvorstufe (a) (nachstehend „weiteres Bindemittel (f)“), ein Additiv (g), usw., enthalten. Beispiele für das weitere Bindemittel (f) umfassen eine anorganische Substanz und ein Harz, die/das in dem flüssigen Medium (c) gelöst oder dispergiert sind. Beispiele für die anorganische Substanz umfassen Vorstufen von Metalloxiden, die von Siliziumoxid verschieden sind, wie z.B. Titanoxid, Zirkoniumoxid, usw. Beispiele für das Harz umfassen ein thermoplastisches Harz, ein wärmeaushärtendes Harz, ein Ultraviolett-aushärtbares Harz.
Beispiele für das Additiv (g) umfassen ein Dispergiermittel zum Hemmen einer Aggregation der leitenden feinen Teilchen (b1) und der weiteren Teilchen (d) in der flüssigen Zusammensetzung (X1), ein Ultraviolettabsorptionsmittel, ein Infrarot-reflektierendes Mittel, ein Infrarotabsorptionsmittel, einen Reflexionshemmstoff, ein grenzflächenaktives Mittel zum Verbessern der Verlaufeigenschaften und eine Metallverbindung zum Verbessern der Dauerbeständigkeit.
Beispiele für das Dispergiermittel umfassen ein ungesättigtes Carbonsäurepolymer, ein Cellulosederivat, eine organische Säure (ausschließlich ein ungesättigtes Carbonsäurepolymer) und eine Terpenverbindung. Als Dispergiermittel kann eine Art allein verwendet werden oder zwei Arten oder mehr können in einer Kombination verwendet werden.
(Bildung der leitenden Blendschutzschicht)
Herstellen und Aufbringen der flüssigen Zusammensetzung (X1)
Die flüssige Zusammensetzung (X1) kann durch Mischen der vorstehend beschriebenen Komponenten hergestellt werden. Die Viskosität der flüssigen Zusammensetzung (X1) bei einer Aufbringtemperatur (nachstehend auch als „Flüssigkeitsviskosität“ bezeichnet) beträgt vorzugsweise 0,003 Pa·s oder weniger und besonders bevorzugt 0,001 bis 0,003 Pa·s. Wenn die Flüssigkeitsviskosität gleich dem vorstehend genannten oberen Grenzwert oder weniger ist, werden Tröpfchen, die gebildet werden, wenn die flüssige Zusammensetzung (X1) versprüht wird, feiner, was die Bildung der leitenden Blendschutzschicht 3A mit der gewünschten Oberflächenform erleichtert. Wenn die Flüssigkeitsviskosität gleich dem vorstehend genannten unteren Grenzwert oder mehr beträgt, wird die raue Form der Oberfläche der leitenden Blendschutzschicht 3A einheitlich. Die Viskosität der flüssigen Zusammensetzung (X1) ist ein Wert, der durch ein Viskosimeter des B-Typs gemessen wird.
Die flüssige Zusammensetzung (X1), die auf diese Weise hergestellt worden ist, wird auf die Hauptoberfläche Sa des transparenten Substrats 1 durch ein Sprühbeschichtungsverfahren aufgebracht. Die flüssige Zusammensetzung (X1) kann auf das transparente Substrat 1 z.B. durch Aufladen und Versprühen der flüssigen Zusammensetzung (X1) unter Verwendung einer elektrostatischen Beschichtungseinrichtung, die eine elektrostatische Beschichtungspistole mit einem rotierenden Zerstäubungskopf umfasst, aufgebracht werden. Folglich wird ein aufgebrachter Film der flüssigen Zusammensetzung (X1) auf der Hauptoberfläche Sa des transparenten Substrats 1 gebildet. Die elektrostatische Beschichtungseinrichtung umfasst die elektrostatische Beschichtungspistole, die einen Pistolenhauptkörper und den rotierenden Zerstäubungskopf umfasst, und treibt den rotierenden Zerstäubungskopf zum Zerstäuben und Abgeben der flüssigen Zusammensetzung (X1), die dem rotierenden Zerstäubungskopf zugeführt wird, durch eine Zentrifugalkraft rotierend an, wodurch die flüssige Zusammensetzung (X1) in die Richtung der Hauptoberfläche Sa des transparenten Substrats 1 gesprüht wird.
Als elektrostatische Beschichtungseinrichtung kann eine bekannte elektrostatische Beschichtungseinrichtung verwendet werden, solange sie eine elektrostatische Beschichtungspistole mit einem rotierenden Zerstäubungskopf umfasst. Als elektrostatische Beschichtungspistole kann eine bekannte elektrostatische Beschichtungspistole verwendet werden, solange sie einen rotierenden Zerstäubungskopf umfasst. Es sollte beachtet werden, dass ein Aufbringmittel für die flüssige Zusammensetzung (X1) nicht auf die vorstehend genannte elektrostatische Beschichtungseinrichtung beschränkt ist und eine bekannte Aufbringeinrichtung verwendet werden kann.
Brennen
Als nächstes wird der aufgebrachte Film der flüssigen Zusammensetzung (X1), der auf der Hauptoberfläche Sa des transparenten Substrats 1 ausgebildet ist, gebrannt. Folglich verflüchtigt sich eine flüchtige Komponente, wie z.B. das flüssige Medium (c), in dem aufgebrachten Film, so dass sie entfernt wird, und die Umwandlung der Siliziumoxidvorstufe (a) in dem aufgebrachten Film zu Siliziumoxid schreitet fort (z.B. wird in einem Fall, bei dem die Siliziumoxidvorstufe (a) eine Silanverbindung mit einer hydrolysierbaren Gruppe ist, die an ein Siliziumatom gebunden ist, die hydrolysierbare Gruppe nahezu zersetzt und die Kondensation des Hydrolysats schreitet fort) und darüber hinaus wird der Film verdichtet, so dass die leitende Blendschutzschicht 3A gebildet wird.
Das Brennen kann durch Erwärmen des transparenten Substrats 1 gleichzeitig mit dem Aufbringen der flüssigen Zusammensetzung (X1) auf das transparente Substrat 1 durchgeführt werden, oder es kann durch Erwärmen des aufgebrachten Films durchgeführt werden, nachdem die flüssige Zusammensetzung (X1) auf das transparente Substrat 1 aufgebracht worden ist. Die Brenntemperatur beträgt vorzugsweise 30 °C oder mehr und z.B. beträgt die Brenntemperatur in einem Fall, bei dem das transparente Substrat 1 ein Glas ist, vorzugsweise 100 bis 750 °C und mehr bevorzugt 150 bis 550 °C.
Gemäß dem Herstellungsverfahren der vorstehend beschriebenen Ausführungsform ist es durch Versprühen der flüssigen Zusammensetzung (X1) unter Verwendung von vorzugsweise der elektrostatischen Beschichtungseinrichtung, die den rotierenden Zerstäubungskopf umfasst, möglich, die leitende Blendschutzschicht 3A zu bilden, deren Antiverschmutzungsfilm 2-seitige Hauptoberfläche 3As die gewünschte Oberflächenform aufweist. Ein möglicher Grund dafür liegt darin, dass verglichen mit einem Fall, bei dem ein Sprühverfahren, das herkömmlich verbreitet verwendet wird (z.B. ein Verfahren, bei dem insbesondere eine Zweifluiddüse verwendet wird), das von der elektrostatischen Beschichtungseinrichtung verschieden ist, eingesetzt wird, die Tröpfchen der flüssigen Zusammensetzung (X1) auf dem transparenten Substrat 1 mit einer geringeren Geschwindigkeit haften und sich das flüssige Medium (c) in den haftenden Tröpfchen schneller verflüchtigt, so dass sich die Tröpfchen nicht leicht auf dem transparenten Substrat 1 ausbreiten und zu dem Film ausgebildet werden können, während sie die Form zum Zeitpunkt des Haftens beibehalten.
Ferner ist es in dem Herstellungsverfahren der vorstehend beschriebenen Ausführungsform möglich, die Oberflächenform der Hauptoberfläche 3As der gebildeten leitenden Blendschutzschicht 3A durch die Viskosität, die Aufbringungsbedingungen, die Brenntemperatur, usw., der flüssigen Zusammensetzung (X1) einzustellen.
<Antiverschmutzungsfilm>
Der Antiverschmutzungsfilm 2 ist eine Schicht, die sich auf einer äußersten Schicht des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A befindet und eine Wasser- und Ölabstoßung aufweist. Der Antiverschmutzungsfilm 2 ist auf der Hauptoberfläche 3As der leitenden Blendschutzschicht 3A ausgebildet und weist die Oberfläche 2s auf, deren Form der Form der Hauptoberfläche 3As folgt. Der arithmetische Mittenrauwert Ra beträgt 0,01 µm oder mehr und der Oberflächenwiderstand, der auf der Oberfläche 2s des Antiverschmutzungsfilms 2 gemessen wird, beträgt 1,0 × 10⁹ bis 1,0 × 10¹³ Ω/□. Bevorzugte Werte der verschiedenen Indizes, die den arithmetischen Mittenrauwert Ra, den Oberflächenwiderstand und die Oberflächenform auf der Oberfläche 2s des Antiverschmutzungsfilms 2 angeben, sind derart, wie es vorstehend beschrieben ist.
Bezüglich der Wasser- und Ölabstoßung des Antiverschmutzungsfilms 2 ist es bevorzugt, dass der Kontaktwinkel von Wasser 90 Grad oder mehr beträgt und der Kontaktwinkel von Ölsäure 70 Grad oder mehr beträgt, wie es vorstehend beschrieben ist. Dadurch, dass der Antiverschmutzungsfilm 2 die Wasser- und Ölabstoßung aufweist, weist er eine Antiverschmutzungseigenschaft und gute Fingergleiteigenschaften auf. Beispiele für den Antiverschmutzungsfilm 2 umfassen eine AFP (Antifingerabdruck)-Schicht.
Der Antiverschmutzungsfilm 2 ist vorzugsweise aus einem Beschichtungsfilm aus einer Fluor-enthaltenden organischen Siliziumverbindung hergestellt, der z.B. durch Aushärten einer Fluor-enthaltenden organischen Siliziumverbindung durch eine Hydrolyse- und Kondensationsreaktion erhalten wird.
In einem Fall, bei dem der Antiverschmutzungsfilm 2 aus dem Beschichtungsfilm aus einer Fluor-enthaltenden organischen Siliziumverbindung hergestellt ist, beträgt die Dicke des Antiverschmutzungsfilms 2 vorzugsweise 2 bis 30 nm und mehr bevorzugt 5 bis 20 nm. Der Antiverschmutzungsfilm 2 mit einer Filmdicke von 2 nm oder mehr weist nicht nur eine hervorragende Antiverschmutzungseigenschaft auf, sondern auch eine hervorragende Abriebbeständigkeit. Ferner weist ein solcher Antiverschmutzungsfilm 2 eine ausreichende Wasser- und Ölabstoßung auf und weist gute Fingergleiteigenschaften auf dessen Oberfläche auf. Der Antiverschmutzungsfilm 2 mit einer Filmdicke von 30 nm oder weniger ist bevorzugt, da er die Oberfläche 2s aufweisen kann, deren Form vollständig der Form der Hauptoberfläche 3As der leitenden Blendschutzschicht 3A folgt.
Es sollte beachtet werden, dass die Form der Hauptoberfläche 3As der leitenden Blendschutzschicht 3A und die Oberflächenform der Oberfläche 2s des Antiverschmutzungsfilms 2 nicht genau identisch sein müssen, solange die Oberflächenform auf der Oberfläche 2s des Antiverschmutzungsfilms 2 mindestens die raue Form aufweist, deren arithmetischer Mittenrauwert Ra 0,01 µm oder mehr beträgt, und vorzugsweise die vorstehend genannten Eigenschaften der Oberflächenform aufweist.
Die Dicke des Antiverschmutzungsfilms 2 kann z.B. aus einer Schwingungsperiode eines reflektierten Röntgeninterferenzmusters berechnet werden, das durch ein Röntgenreflexionsverfahren unter Verwendung eines Dünnfilmanalyse-Röntgendiffraktometers ATX-G (hergestellt von RIGAKU Corporation) erhalten wird. Ein weiteres Verfahren zum Ermitteln der Dicke des Antiverschmutzungsfilms 2 besteht darin, einen Antireflexionsfilm herzustellen, dessen Reflexionsspektrum im Vorhinein gemessen wird, und die Filmdicke aus einem Reflexionsspektrum nach der Bildung des Antiverschmutzungsfilms 2 unter derselben Bedingung wie derjenigen für die Probe für die Dickenmessung des Antiverschmutzungsfilms 2 und aus einem Brechungsindex des Antiverschmutzungsfilms 2 zu berechnen.
Es wird ein Verfahren zur Bildung des Antiverschmutzungsfilms 2 beschrieben, wobei der Fall, bei dem der Beschichtungsfilm aus einer Fluor-enthaltenden organischen Siliziumverbindung als Antiverschmutzungsfilm 2 verwendet wird, als Beispiel verwendet wird.
Ein Verfahren zur Bildung des Beschichtungsfilms aus einer Fluor-enthaltenden organischen Siliziumverbindung ist z.B. ein Verfahren, bei dem eine Zusammensetzung, welche die Fluor-enthaltende organische Siliziumverbindung enthält, die eine Fluoralkylgruppe, wie z.B. eine Perfluoralkylgruppe, oder eine Fluoralkylgruppe aufweist, die eine Perfluor(polyoxyalkylen)-Kette umfasst, auf die Hauptoberfläche 3As der leitenden Blendschutzschicht 3A durch ein Schleuderbeschichtungsverfahren, ein Tauchbeschichtungsverfahren, ein Gießverfahren, ein Schlitzbeschichtungsverfahren, ein Sprühbeschichtungsverfahren oder dergleichen aufgebracht wird, worauf gegebenenfalls eine Wärmebehandlung durchgeführt wird.
Ein weiteres Beispiel des Verfahrens ist ein Vakuumabscheidungsverfahren, mit dem die Fluor-enthaltende organische Siliziumverbindung auf der Hauptoberfläche 3As der leitenden Blendschutzschicht 3A gasphasenabgeschieden wird, worauf gegebenenfalls eine Wärmebehandlung durchgeführt wird. Zum Erhalten eines stark haftenden Beschichtungsfilms aus einer Fluor-enthaltenden organischen Siliziumverbindung ist die Bildung durch das Vakuumabscheidungsverfahren bevorzugt. Bei der Bildung des Beschichtungsfilms aus einer Fluor-enthaltenden organischen Siliziumverbindung durch das Vakuumabscheidungsverfahren wird vorzugsweise eine Beschichtungsfilm-bildende Zusammensetzung verwendet, die eine Fluor-enthaltende hydrolysierbare Siliziumverbindung enthält.
Die Beschichtungsfilm-bildende Zusammensetzung ist nicht beschränkt, solange es sich um eine Zusammensetzung handelt, welche die Fluor-enthaltende hydrolysierbare Siliziumverbindung enthält und die durch das Vakuumabscheidungsverfahren zu dem Beschichtungsfilm ausgebildet werden kann. Die Fluor-enthaltende hydrolysierbare Siliziumverbindung kann ein teilweise hydrolysiertes Kondensat oder ein teilweise hydrolysiertes Cokondensat zusätzlich zu der Verbindung selbst enthalten.
Eine solche Beschichtungsfilm-bildende Zusammensetzung, welche die Fluor-enthaltende hydrolysierbare Siliziumverbindung enthält, wird an der Hauptoberfläche 3As der leitenden Blendschutzschicht 3A haften gelassen, so dass sie einer Reaktion zur Bildung eines Films unterliegen kann, wodurch der Beschichtungsfilm aus einer Fluor-enthaltenden organischen Siliziumverbindung erhalten wird. Ferner sind als spezifisches Vakuumabscheidungsverfahren und als spezifische Reaktionsbedingungen ein herkömmlich bekanntes Verfahren, herkömmliche bekannte Bedingungen, usw., verwendbar.
(Transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm (B))
Bezüglich des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm (B) wird nachstehend ein Beispiel, bei dem das transparente Substrat, die leitende Schicht, die Blendschutzschicht und der Antiverschmutzungsfilm in der genannten Reihenfolge gestapelt sind, unter Bezugnahme auf die 3 beschrieben, und ein Beispiel, bei dem das transparente Substrat, die Blendschutzschicht, die leitende Schicht und der Antiverschmutzungsfilm in der genannten Reihenfolge gestapelt sind, wird nachstehend unter Bezugnahme auf die 4 beschrieben.
Die 3 ist eine Ansicht, die schematisch einen vergrößerten Querschnitt eines Beispiels des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm (B) gemäß einer Ausführungsform zeigt. Ein transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10Ba, das in der 3 gezeigt ist, weist ein transparentes Substrat 1, eine leitende Schicht 4A, die auf dem transparenten Substrat 1 bereitgestellt ist, eine Blendschutzschicht 3B, die auf der leitenden Schicht 4A bereitgestellt ist, und einen Antiverschmutzungsfilm 2 auf, der auf der Blendschutzschicht 3B bereitgestellt ist. Der Antiverschmutzungsfilm 2 bildet eine äußerste Schicht auf einer Hauptoberfläche Sa des transparenten Substrats 1. In dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10Ba ist eine Antiverschmutzungsfilm 2-seitige Hauptoberfläche 3Bs der Blendschutzschicht 3B so ausgebildet, dass sie einfallendes Licht diffus reflektiert. Die Bestandteilselemente des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm 10Ba werden nachstehend beschrieben.
Das transparente Substrat 1 und der Antiverschmutzungsfilm 2 in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10Ba sind mit denjenigen des transparenten Substrats 1 und des Antiverschmutzungsfilms 2 in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A identisch, das in den 1 und 2 gezeigt ist.
Die Blendschutzschicht 3B in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10Ba ist mit derjenigen der leitenden Blendschutzschicht 3A in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A identisch, mit der Ausnahme, dass sie unterschiedliche Leitfähigkeiten aufweisen. Beispielsweise ist die Form der Hauptoberfläche 3Bs der Blendschutzschicht 3B eine raue Form, deren arithmetischer Mittenrauwert Ra 0,01 µm oder mehr beträgt. In dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10Ba folgt die Form einer Oberfläche 2s des Antiverschmutzungsfilms 2, der auf der Blendschutzschicht 3B bereitgestellt ist, der Form der Antiverschmutzungsfilm 2-seitigen Hauptoberfläche 3Bs der Blendschutzschicht 3B.
Insbesondere ist die Blendschutzschicht 3B aus denselben Bestandteilsmaterialien wie denjenigen der leitenden Blendschutzschicht 3A hergestellt, mit der Ausnahme, dass sie nicht das leitende Mittel enthalten, und die Blendschutzschicht 3B wird dadurch erhalten, dass sie in derselben Form als diejenige der leitenden Blendschutzschicht 3A ausgebildet wird. Die Blendschutzschicht 3B kann unter Verwendung einer flüssigen Zusammensetzung (nachstehend eine flüssige Zusammensetzung (X2)) mit derselben Zusammensetzung wie diejenige der vorstehend genannten flüssigen Zusammensetzung (X1) gebildet werden, die vorstehend als die flüssige Zusammensetzung zur Bildung der leitenden Blendschutzschicht 3A beschrieben ist, mit der Ausnahme, dass das leitende Mittel (b) nicht einbezogen ist.
Die Bildung der Blendschutzschicht 3B ist dieselbe wie die Bildung der leitenden Blendschutzschicht 3A, mit der Ausnahme, dass deren Bildungsverfahren von dem Bildungsverfahren der leitenden Blendschutzschicht 3A dahingehend verschieden ist, dass die flüssige Zusammensetzung (X2) nicht auf die Hauptoberfläche Sa des transparenten Substrats 1, sondern auf eine Antiverschmutzungsfilm 2-seitige Hauptoberfläche 4As der leitenden Schicht 4A aufgebracht wird, die auf der Hauptoberfläche Sa des transparenten Substrats 1 ausgebildet ist.
Ferner ist die Blendschutzschicht 3B eine Schicht, die so ausgebildet ist, dass sie das einfallende Licht diffus reflektiert, und es kann eine Schicht sein, die eine niedrige Leitfähigkeit aufweist, die es nicht ermöglicht, dass der Oberflächenwiderstand, der auf der Oberfläche 2s des Antiverschmutzungsfilms 2 gemessen wird, 1,0 × 10¹³ Ω/□ oder weniger in einem Fall beträgt, bei dem er allein verwendet wird, wie es durch die leitende Blendschutzschicht 3A ermöglicht wird. D.h., die Blendschutzschicht 3B kann eine Schicht sein, die ein leitendes Mittel, wie z.B. die leitenden feinen Teilchen (b1), in einer Menge enthält, so dass sie die vorstehend genannte niedrige Leitfähigkeit aufweist. In diesem Fall wird die Leitfähigkeit der folgenden leitenden Schicht 4A kombiniert mit der Blendschutzschicht 3B in einer geeigneten Weise so eingestellt, dass der Oberflächenwiderstand, der auf der Oberfläche 2s des Antiverschmutzungsfilms 2 gemessen wird, in den Bereich der vorliegenden Erfindung fällt.
Die leitende Schicht 4A ist eine leitende Schicht, die aus einer leitende Schicht-bildenden Zusammensetzung ausgebildet ist, die ein leitendes Mittel als eine essentielle Komponente und ein Bindemittel und ein Verdünnungslösungsmittel, die je nach Erfordernis verwendet werden, enthält.
Der Oberflächenwiderstand, der auf der Antiverschmutzungsfilm 2-seitigen Hauptoberfläche 4As der leitenden Schicht 4A gemessen wird, beträgt vorzugsweise 1 × 10¹⁰ bis 1 × 10¹³ Ω/□ und mehr bevorzugt 1 × 10¹⁰ bis 1 × 10¹² Ω/□, obwohl dies von dem Bestandteilsmaterial und der Dicke der Blendschutzschicht 3B und dem Bestandteilsmaterial und der Dicke des Antiverschmutzungsfilms 2 abhängt. Aufgrund der vorstehend genannten Leitfähigkeit der leitenden Schicht 4A kann der Oberflächenwiderstand, der auf der Oberfläche 2s des Antiverschmutzungsfilms 2 gemessen wird, in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10Ba innerhalb des vorstehend genannten vorgegebenen Bereichs liegen.
Die Dicke der leitenden Schicht 4A ist vorzugsweise eine Dicke, die derart ist, dass der Oberflächenwiderstand, der auf der Antiverschmutzungsfilm 2-seitigen Hauptoberfläche 4As der leitenden Schicht 4A gemessen wird, der vorstehend genannte Wert wird, und sie beträgt insbesondere vorzugsweise 10 bis 300 nm und mehr bevorzugt 20 bis 200 nm, obwohl dies von der Art des leitenden Mittels und dem Gehalt des leitenden Mittels in der leitenden Schicht 4A abhängt. Die Form der Hauptoberfläche 4As der leitenden Schicht 4A kann glatt oder rau sein. Sie ist im Hinblick auf den Vorteil des Bereitstellens der Blendschutzschicht 3B vorzugsweise glatt.
Beispiele für das leitende Mittel, das in der leitenden Schicht 4A enthalten ist, umfassen dieselben leitenden Mittel wie diejenigen, die als das leitende Mittel (b) angegeben sind, das in der leitenden Blendschutzschicht 3A enthalten ist, und die leitenden feinen Teilchen (b1) sind bevorzugt.
Die leitende Schicht 4A kann nur aus dem leitenden Mittel (b), insbesondere nur aus den leitenden feinen Teilchen (b1), ausgebildet sein, oder sie kann aus dem leitenden Mittel (b), insbesondere den leitenden feinen Teilchen (b1), und optionalen Komponenten, wie z.B. dem Bindemittel, ausgebildet sein. In einem Fall, bei dem die leitende Schicht 4A aus den leitenden feinen Teilchen (b1) und den optionalen Komponenten, wie z.B. dem Bindemittel, ausgebildet ist, wird der Gehalt der leitenden feinen Teilchen (b1) gemäß der Art, der Form, der Größe, usw., der verwendeten leitenden feinen Teilchen (b1) in einer geeigneten Weise eingestellt. Insbesondere um zu bewirken, dass der Oberflächenwiderstand, der auf der Hauptoberfläche 4As der leitenden Schicht 4A gemessen wird, in dem vorstehend genannten bevorzugten Bereich liegt, beträgt der Gehalt der leitenden feinen Teilchen (b1) vorzugsweise 10 bis 90 Massen-% und mehr bevorzugt 20 bis 80 Massen-% in Bezug auf die Gesamtmenge der leitenden Schicht 4A.
Beispielsweise erleichtert in einem Fall, bei dem die leitende Schicht 4A unter Verwendung der vorstehend genannten leitende Schicht-bildenden Zusammensetzung gebildet wird, das Einstellen des Gehalts der leitenden feinen Teilchen (b1) in Bezug auf die Gesamtmenge des Feststoffgehalts der leitende Schicht-bildenden Zusammensetzung innerhalb desselben Bereichs wie vorstehend das Einstellen des Oberflächenwiderstands, der auf der Hauptoberfläche 4As der erhaltenen leitenden Schicht 4A gemessen wird, innerhalb des vorstehend genannten Bereichs.
Beispiele für das Bindemittel umfassen Siliziumoxid, ein thermoplastisches Harz, eine wärmeaushärtende Harzzusammensetzung und eine mit ionisierender Strahlung aushärtende Harzzusammensetzung, und eine geeignete Kombination derselben ist verwendbar. Als Bindemittel ist Siliziumoxid bevorzugt. In einem Fall, bei dem das Bindemittel Siliziumoxid ist, ist das Siliziumoxid als Siliziumoxidvorstufe in der leitende Schicht-bildenden Zusammensetzung enthalten. Als die Siliziumoxidvorstufe können dieselben wie die vorstehend genannte Siliziumoxidvorstufe (a) verwendet werden, und eine von einem Tetraalkoxysilan und deren hydrolysiertem Kondensat oder eine Kombination davon ist bevorzugt. Der Gehalt des Bindemittels in der leitende Schicht-bildenden Zusammensetzung ist eine Menge, die zusammen mit einer Menge des weiteren Feststoffgehalts der Rest des Gehalts der leitenden feinen Teilchen (b1) wird.
Beispiele für das Verdünnungslösungsmittel, das in der leitende Schicht-bildenden Zusammensetzung verwendet wird, umfassen die flüssigen Medien, die als das flüssige Medium (c) verwendbar sind, das in der vorstehend genannten flüssigen Zusammensetzung (X1) verwendet wird. Der Gehalt des Verdünnungslösungsmittels, das in der leitende Schicht-bildenden Zusammensetzung verwendet wird, ist eine Menge gemäß der Feststoffgehaltkonzentration der leitende Schicht-bildenden Zusammensetzung. Die Feststoffgehaltkonzentration der leitende Schicht-bildenden Zusammensetzung beträgt vorzugsweise 0,1 bis 10 Massen-% und mehr bevorzugt 1 bis 5 Massen-% bezogen auf die Gesamtmenge (100 Massen-%) der leitende Schicht-bildenden Zusammensetzung.
Die leitende Schicht-bildende Zusammensetzung kann ferner dasselbe Dispergiermittel wie dasjenige enthalten, das gegebenenfalls in der vorstehend genannten flüssigen Zusammensetzung (X1) enthalten ist.
Ein Verfahren zur Bildung der leitenden Schicht 4A auf der Hauptoberfläche Sa des transparenten Substrats 1 ist nicht beschränkt, solange es die leitende Schicht 4A mit der vorstehend beschriebenen Struktur bilden kann, und ein herkömmlich bekanntes Verfahren kann verwendet werden. Ein Beispiel für das Verfahren ist ein Verfahren des Aufbringens der vorstehend genannten leitende Schicht-bildenden Zusammensetzung auf die Hauptoberfläche Sa des transparenten Substrats 1 durch ein Schleuderbeschichtungsverfahren, ein Tauchbeschichtungsverfahren, ein Gießverfahren, ein Schlitzbeschichtungsverfahren oder ein Sprühbeschichtungsverfahren, gegebenenfalls gefolgt von einer Wärmebehandlung. Ferner kann die leitende Schicht 4A auf der Hauptoberfläche Sa des transparenten Substrats 1 durch ein Sputterverfahren unter Verwendung eines Sputtertargets aufgebracht werden, aus dem eine leitende Schicht mit einer gewünschten Zusammensetzung erhalten werden kann.
Die 4 ist eine Ansicht, die schematisch einen vergrößerten Querschnitt eines weiteren Beispiels des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm (B) gemäß der Ausführungsform zeigt. Ein transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10Bb, das in der 4 gezeigt ist, weist ein transparentes Substrat 1, eine Blendschutzschicht 3B, die auf dem transparenten Substrat 1 bereitgestellt ist, eine leitende Schicht 4B, die auf der Blendschutzschicht 3B bereitgestellt ist, und einen Antiverschmutzungsfilm 2 auf, der auf der leitenden Schicht 4B bereitgestellt ist. Der Antiverschmutzungsfilm 2 bildet eine äußerste Schicht auf einer Hauptoberfläche Sa des transparenten Substrats 1. In dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10Bb ist eine Antiverschmutzungsfilm 2-seitige Hauptoberfläche 3Bs der Blendschutzschicht 3B so ausgebildet, dass sie einfallendes Licht diffus reflektiert. Die Bestandteilselemente des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm 10Bb werden nachstehend beschrieben.
Das transparente Substrat 1 und der Antiverschmutzungsfilm 2 in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10Bb sind dieselben wie das transparente Substrat 1 und der Antiverschmutzungsfilm 2 in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A, das in den 1 und 2 gezeigt ist. Die Blendschutzschicht 3B in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10Bb ist dieselbe wie die Blendschutzschicht 3B in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10Ba, das in der 3 gezeigt ist.
Beispielsweise ist die Form der Hauptoberfläche 3Bs der Blendschutzschicht 3B eine raue Form, deren arithmetischer Mittenrauwert Ra 0,01 µm oder mehr beträgt. In dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10Bb folgen die Form der Antiverschmutzungsfilm 2-seitigen Hauptoberfläche 4Bs der leitenden Schicht 4B, die auf der Blendschutzschicht 3B bereitgestellt ist, und die Form der Oberfläche 2s des Antiverschmutzungsfilms 2, der auf der Antiverschmutzungsfilm 2-seitigen Hauptoberfläche 4Bs der leitenden Schicht 4B bereitgestellt ist, der Form der Antiverschmutzungsfilm 2-seitigen Hauptoberfläche 3Bs der Blendschutzschicht 3B.
In dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10Bb beträgt der Oberflächenwiderstand, der auf der Antiverschmutzungsfilm 2-seitigen Hauptoberfläche 4Bs der leitenden Schicht 4B gemessen wird, vorzugsweise 1,0 × 10⁹ bis 1,0 × 10¹³ Ω/□ und mehr bevorzugt 1,0 × 10¹⁰ bis 1,0 × 10¹² Ω/□. Typischweise ist die Filmdicke eines Antiverschmutzungsfilms sehr gering und demgemäß verursacht das Vorliegen oder Fehlen des Antiverschmutzungsfilms nahezu keine Differenz bei dem gemessenen Wert des Oberflächenwiderstands.
Die Dicke der leitenden Schicht 4B beträgt vorzugsweise 5 bis 200 nm und mehr bevorzugt 10 bis 150 nm, so dass die Form von deren Antiverschmutzungsfilm 2-seitiger Hauptoberfläche 4Bs der Form der Antiverschmutzungsfilm 2-seitigen Hauptoberfläche 3Bs der Blendschutzschicht 3B folgt.
Die leitende Schicht 4B in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10Bb ist dieselbe wie die leitende Schicht 4A in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10Ba mit der Ausnahme, dass die Leitfähigkeit und die Dicke in der leitenden Schicht 4A in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10Ba, die in der 3 gezeigt ist, auf die vorstehend genannten Bereiche eingestellt ist.
Das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10Bb weist vorzugsweise eine Haftschicht zwischen der leitenden Schicht 4B und dem Antiverschmutzungsfilm 2 auf. Die Haftschicht ist vorzugsweise eine Schicht, die durch Aufbringen einer Haftmittelschicht-bildenden Zusammensetzung, die ein Hydrolysat (Sol-Gel-Siliziumoxid) eines Alkoxysilans enthält, auf die leitende Schicht 4B gebildet wird.
(Transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm (C))
Die 5 ist eine Ansicht, die schematisch einen vergrößerten Querschnitt eines Beispiels des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm (C) gemäß einer Ausführungsform zeigt. Ein transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10C, das in der 5 gezeigt ist, weist ein transparentes Substrat 1C, eine leitende Schicht 4C, die auf dem transparenten Substrat 1 bereitgestellt ist, und einen Antiverschmutzungsfilm 2 auf, der auf der leitenden Schicht 4C bereitgestellt ist. Der Antiverschmutzungsfilm 2 bildet eine äußerste Schicht auf einer Hauptoberfläche Sa des transparenten Substrats 1C. Die Antiverschmutzungsfilm 2-seitige Hauptoberfläche Sa des transparenten Substrats 1C ist so ausgebildet, dass sie einfallendes Licht diffus reflektiert. Die Bestandteilselemente des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm 10C werden nachstehend beschrieben.
Der Antiverschmutzungsfilm 2 in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10C ist derselbe wie der Antiverschmutzungsfilm 2 in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A, das in den 1 und 2 gezeigt ist. Die leitende Schicht 4C in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10C ist dieselbe wie die leitende Schicht 4B in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10Bb. Das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10C weist vorzugsweise dieselbe Haftschicht auf wie diejenige in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10Bb zwischen der leitenden Schicht 4C und dem Antiverschmutzungsfilm 2.
Das transparente Substrat 1C in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10C kann dasselbe sein wie das transparente Substrat 1 in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A, das in den 1 und 2 gezeigt ist, mit der Ausnahme der Struktur von deren Antiverschmutzungsfilm 2-seitiger Hauptoberfläche Sa.
Die Form der Antiverschmutzungsfilm 2-seitige Hauptoberfläche Sa des transparenten Substrats 1C ist z.B. eine raue Form, deren arithmetischer Mittenrauwert Ra 0,01 µm oder mehr beträgt. Der arithmetische Mittenrauwert Ra liegt vorzugsweise innerhalb des vorstehend genannten Bereichs, der als der bevorzugte Bereich des arithmetischen Mittenrauwerts Ra auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms beschrieben worden ist. Die Schiefe Rsk einer Rauheitskurve, die durchschnittliche Länge Rsm von Elementen der Rauheitskurve, der 60°-Spiegelglanz, der Blendschutzeigenschaft-Indexwert und der Glanzindexwert auf der Antiverschmutzungsfilm 2-seitigen Hauptoberfläche Sa des transparenten Substrats 1C liegen vorzugsweise innerhalb der vorstehend genannten Bereiche, die als die bevorzugten Bereiche dieser physikalischen Eigenschaften auf der Oberfläche 2s des Antiverschmutzungsfilms 2 beschrieben sind.
Das transparente Substrat 1C wird z.B. durch Bearbeiten der Antiverschmutzungsfilm 2-seitigen Hauptoberfläche Sa des transparenten Substrats 1 in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A, das in den 1 und 2 gezeigt ist, zu der vorstehend genannten Form erhalten. Ein Verfahren zum Bearbeiten der Hauptoberfläche Sa zum Erhalten des transparenten Substrats 1C ist nicht beschränkt. Das Verarbeitungsverfahren wird gemäß einem Material, usw., des transparenten Substrats 1C in einer geeigneten Weise ausgewählt.
Beispielsweise in einem Fall, bei dem das transparente Substrat 1C ein Glassubstrat ist, ist das Verfahren z.B. ein Verfahren des Mattierungsbehandelns eines unbehandelten Substrats, das behandelt werden soll (nachstehend ein „zu behandelndes Substrat“). Die Mattierungsbehandlung kann z.B. durch Eintauchen des zu behandelnden Substrats in eine Mischlösung aus Fluorwasserstoff und Ammoniumfluorid, Kaliumfluorid oder dergleichen und chemisches Oberflächenbehandeln einer eingetauchten Oberfläche durchgeführt werden. Der Gehalt des Fluorwasserstoffs in der Mischlösung, die in der Mattierungsbehandlung verwendet wird, beträgt vorzugsweise 5 bis 60 Massen-%. Ferner wird in einem Fall, bei dem nur eine Hauptoberfläche des zu behandelnden Substrats mattierungsbehandelt wird, eine Hauptoberfläche, die nicht behandelt werden soll, einer Vorbehandlung unterzogen, wie z.B. dem Aufbringen eines säurebeständigen Schutzfilms darauf, und danach wird die Eintauchbehandlung des zu behandelnden Substrats durchgeführt.
Verwendbare Verfahren, die von diesem Verfahren verschieden sind, sind z.B. ein Verfahren, das als Sandstrahlen bezeichnet wird, bei dem ein kristallines Siliziumdioxidpulver, ein Siliziumcarbidpulver oder dergleichen durch Pressluft auf die Hauptoberfläche des zu behandelnden Substrats gesprüht wird, und ein Verfahren durch eine physikalische Behandlung wie z.B. ein Polieren der Hauptoberfläche mit einer mit Wasser angefeuchteten Bürste mit einem daran haftenden kristallinen Siliziumdioxidpulver, einem Siliziumcarbidpulver oder dergleichen.
Insbesondere verursacht das Verfahren des Anwendens der Mattierungsbehandlung, mit der die chemische Oberflächenbehandlung unter Verwendung einer chemischen Lösung von Fluorwasserstoff, usw., durchgeführt wird, nicht leicht einen Mikroriss auf der Oberfläche des zu behandelnden Substrats und vermindert nicht leicht die mechanische Festigkeit, und ist folglich bevorzugt als Verfahren zum Oberflächenbehandeln des zu behandelnden Substrats verwendbar.
Nachdem eine Rauheit auf der Oberfläche des zu behandelnden Substrats in der vorstehend beschriebenen Weise ausgebildet worden ist, wird die behandelte Oberfläche typischerweise chemisch geätzt, um die Oberflächenform einzustellen. Dies kann die Trübung auf einen gewünschten Wert gemäß einem Ätzausmaß einstellen, einen Riss, der während des Sandstrahlens oder dergleichen erzeugt worden ist, entfernen und die Blendung vermindern.
Als Ätzen wird vorzugsweise ein Verfahren des Eintauchens des zu behandelnden Substrats in eine Lösung verwendet, die Fluorwasserstoff enthält. Als Komponenten, die von Fluorwasserstoff verschieden sind, können Chlorwasserstoffsäure, Salpetersäure, Zitronensäure, usw., enthalten sein. Diese enthaltenen Komponenten können das lokale Auftreten einer Fällungsreaktion aufgrund der Reaktion einer alkalischen Komponente, die in dem Glas enthalten ist, und dem Fluorwasserstoff verhindern, und können bewirken, dass das Ätzen einheitlich in der Ebene abläuft. Der Gehalt des Fluorwasserstoffs in der beim Ätzen verwendeten Lösung beträgt vorzugsweise 5 bis 60 Massen-%.
Bisher wurden das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm (A), das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm (B) und das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm (C) als das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die 1 bis 5 beschrieben, jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese Ausführungsformen beschränkt, und diese Ausführungsformen können verändert oder modifiziert werden, ohne von dem Wesen und Umfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
Beispielsweise kann das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ferner Schichten wie z.B. eine gedruckte Schicht, eine Schicht mit geringer Reflexion, eine Ultraviolett-Sperrschicht und eine Infrarot-Sperrschicht zusätzlich zu den vorstehend beschriebenen Strukturen aufweisen. Als spezifisches Beispiel wird ein transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm einer Ausführungsform beschrieben, welche die gedruckte Schicht aufweist.
Ein transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10D, das in den 6A und 6B gezeigt ist, ist ein Beispiel, bei dem in dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A, das in den 1 und 2 gezeigt ist, eine rahmenförmige gedruckte Schicht 5 auf einem Umfangsabschnitt der Hauptoberfläche Sb des transparenten Substrats 1 gegenüber der Hauptoberfläche Sa mit dem Antiverschmutzungsfilm 2 bereitgestellt ist. Die 6A ist eine schematische Ansicht des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm 10D von unten, und die 6B ist eine schematische Schnittansicht des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm 10D.
Die gedruckte Schicht 5 ist je nach Erfordernis bereitgestellt, um Verdrahtungsschaltkreise, einen Verbindungsabschnitt, bei dem eine Bildanzeigevorrichtung an einem Gehäuse angebracht ist, usw., zu verbergen, die in der Nähe eines Außenumfangs der Bildanzeigevorrichtung angeordnet sind, z.B. um die Sichtbarkeit und das Aussehen der Anzeige zu verbessern. Hier steht der Umfangsabschnitt für einen bandförmigen Bereich mit einer vorgegebenen Breite ausgehend von dem Außenumfang in der Richtung des zentralen Abschnitts. Die gedruckte Schicht 5, die das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10D aufweist, ist auf dem gesamten Umfang der Hauptoberfläche Sb des transparenten Substrats 1 gegenüber der Hauptoberfläche Sa mit dem Antiverschmutzungsfilm 2 bereitgestellt, jedoch ist dies nicht beschränkend, und sie kann auf einem Teil des Umfangs bereitgestellt sein.
Das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist z.B. als Abdeckungselement für verschiedene Arten von Berührungsfeldern geeignet und kann insbesondere in einem Fall, bei dem es als Abdeckungselement einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps verwendet wird, beträchtliche Effekte des Verminderns eines Weißwerdens des Flüssigkristallbildschirms aufweisen, während es eine Antiverschmutzungseigenschaft und Berührungssensibilität ausreichend aufrechterhält und auch einen Effekt einer Blendschutzeigenschaft aufweist.
[Flüssigkristallanzeigevorrichtung des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps]
Eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps einer Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf eine schematische Schnittansicht eines Beispiels beschrieben, das in der 7 gezeigt ist.
Eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps 100 weist ein Flüssigkristallanzeigeelement des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps 20 und ein transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A auf, das auf einer Betrachtungsseite des Flüssigkristallanzeigeelements 20 bereitgestellt ist.
Das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A ist das vorstehend beschriebene transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A, das in den 1 und 2 gezeigt ist, und weist das transparente Substrat 1 und den Antiverschmutzungsfilm 2 auf, der als die äußerste Schicht auf der Hauptoberfläche Sa des transparenten Substrats 1 bereitgestellt ist. Die Form der Oberfläche 2s des Antiverschmutzungsfilms 2 ist die raue Form, deren arithmetischer Mittenrauwert Ra 0,01 µm oder mehr beträgt, und der Oberflächenwiderstand, der auf der Oberfläche 2s des Antiverschmutzungsfilms 2 gemessen wird, beträgt 1,0 × 10⁹ bis 1,0 × 10¹³ Ω/□.
Das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A ist so angeordnet, dass sich das transparente Substrat 1 auf der Seite des Flüssigkristallelements 20 befindet und sich der Antiverschmutzungsfilm 2 auf der Betrachtungsseite befindet.
Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps 100 umfasst das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A als transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm und in der Flüssigkristallanzeigevorrichtung des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps der vorliegenden Erfindung ist jedwedes des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, die vorstehend beschrieben sind, ohne irgendeine Beschränkung verwendbar.
Ferner sind in der Flüssigkristallanzeigevorrichtung des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps 100 das Flüssigkristallanzeigeelement 20 und das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A durch eine transparente Haftschicht 11 verbunden.
Beispiele für die transparente Haftschicht 11 umfassen eine, die nur aus einem Haftmittel hergestellt ist, und eine, bei der ein Haftmittel verschiedene Arten von funktionellen Additiven, wie z.B. ein Ultraviolettabsorptionsmittel und ein leitendes Mittel enthält. Als Haftmittel ist eines geeignet, das eine hohe Durchlässigkeit für sichtbares Licht und eine geringe Differenz des Brechungsindex in Bezug auf das transparente Substrat umfasst. Beispiele für das Haftmittel umfassen ein Acrylhaftmittel, ein Haftmittel auf Silikonbasis, ein Haftmittel auf Urethanbasis und ein Haftmittel auf Butadienbasis. Von diesen ist das Acrylhaftmittel geeignet, da es eine hervorragende optische Transparenz, ein(e) mäßige(s) Benetzbarkeit, Kohäsion und Haftvermögen aufweist, und eine hervorragende Witterungsbeständigkeit, Wärmebeständigkeit, usw., aufweist.
Die Dicke der transparenten Haftschicht 11 ist nicht beschränkt, solange sie ein ausreichendes Haftvermögen aufweist, ohne dass sie einen Einfluss auf die Funktion des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A aufweist, und sie beträgt vorzugsweise etwa 200 bis 300 µm.
Das Flüssigkristallanzeigeelement 20 ist nicht beschränkt, solange es sich um ein Flüssigkristallanzeigeelement des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps handelt. Das Flüssigkristallanzeigeelement 20 ist z.B. aus einer Polarisationsplatte (PL), einer transparenten Elektrode (TE), einem Farbfilter (CF), einer Flüssigkristallschicht (LQ) und einem TET-Substrat (TFT) in der genannten Reihenfolge ausgehend von der Betrachtungsseite, wie es in der 7 gezeigt ist, zusammengesetzt.
In der Flüssigkristallanzeigevorrichtung des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps 100 weist der Antiverschmutzungsfilm 2, der die betrachtungsseitig äußerste Schicht des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A ist, die Oberfläche 2s mit einer Antiverschmutzungseigenschaft auf, welche die raue Oberflächenform aufweist, deren arithmetischer Mittenrauwert Ra 0,01 µm oder mehr beträgt und die den Oberflächenwiderstand von 1,0 × 10⁹ bis 1,0 × 10¹³ Ω/□ aufweist.
Das Einstellen der rauen Form der Oberfläche 2s des Antiverschmutzungsfilms 2 in der vorstehend beschriebenen Weise erreicht einen geeigneten Fingerkontaktbereich, wenn die Oberfläche 2s des Antiverschmutzungsfilms 2 mit einem Finger berührt wird, wodurch ermöglicht wird, dass eine elektrische Entladungsmenge in einen geeigneten Bereich fällt. Ferner erreicht das Einstellen des Oberflächenwiderstands der Oberfläche 2s des Antiverschmutzungsfilms 2 innerhalb des vorstehend genannten Bereichs eine geeignete ESD-Funktion. In der vorliegenden Erfindung kann durch Einstellen der elektrischen Entladungsmenge und der ESD-Funktion in einer gut ausgewogenen Weise die Weiße des Flüssigkristallbildschirms vermindert werden, während die Berührungssensibilität ausreichend aufrechterhalten wird. Dabei ist es selbstverständlich, dass die Oberfläche 2s des Antiverschmutzungsfilms 2 die Antiverschmutzungseigenschaft aufweist und ferner die raue Form der Oberfläche 2s die Blendschutzeigenschaft verleiht.
Als Anwendung der Flüssigkristallanzeigevorrichtung des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps der Ausführungsform sind Gegenstände, die sich an einer Transportvorrichtung befinden, bevorzugt, da sie die vorstehend genannten Effekte aufweisen kann.
BEISPIELE
Nachstehend wird die vorliegende Erfindung mittels Beispielen detailliert beschrieben. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf die folgenden Beispiele beschränkt. Von den Beispielen 1 bis 45 sind die Beispiele 8 bis 19, 21, 22 und die Beispiele 25 bis 40, 43 bis 45 Beispiele und die Beispiele 1 bis 7, 20 und die Beispiele 23, 24, 41, 42 sind Vergleichsbeispiele. Nachstehend sind Bewertungsverfahren und Materialien beschrieben, die in den Beispielen verwendet werden.
<Bewertungsverfahren>
(Oberflächeneigenschaften)
Der Oberflächenwiderstand (Ω/□), der 60°-Spiegelglanz (Glanz) und der Blendschutzeigenschaft-Indexwert (Streuung) in dem Antiverschmutzungsfilm jedes transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm wurden mit den vorstehend genannten Verfahren gemessen. Ferner wurden die Schiefe Rsk einer Rauheitskurve, der arithmetische Mittenrauwert Ra und die durchschnittliche Länge Rsm von Elementen der Rauheitskurve in dem Antiverschmutzungsfilm jedes transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm mit den vorstehend genannten Verfahren gemessen.
(Trübung)
Die Trübung (%) des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm wurde mit einem Trübungsmessgerät (HR-100, hergestellt von MURAKAMI COLOR RESEARCH LABORATORY CO., LTD.) gemäß dem in JIS K7136: 2000 angegebenen Verfahren gemessen.
(Bewertung der Trübung und der Berührungssensibilität von Anzeigen)
Jedes transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm wurde auf einem Flüssigkristallanzeigeelement des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps, wobei dessen Hauptoberfläche, bei welcher der Antiverschmutzungsfilm ausgebildet ist (raue Oberfläche), oben angeordnet ist, unter Verwendung eines transparenten Haftmittels angebracht. In einem Strom-EIN-Zustand wurden die Trübung und die Berührungssensibilität, wenn die Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm mit einem Finger berührt wurde, gemäß den folgenden Bewertungskriterien bewertet. Ferner wurde aus den Bewertungsergebnissen der Trübung und der Berührungssensibilität eine Gesamtbewertung erstellt.
<Bewertungskriterien der Trübung>

⊚ ; keine Trübung der Anzeige
◯ ; geringe Trübung der Anzeige (hat praktisch keinen Einfluss)
× ; merkliche Trübung der Anzeige

<Bewertungskriterien der Berührungssensibilität>

⊚ ; schnelle Ansprechgeschwindigkeit auf den Berührungsvorgang
◯; etwas langsame Ansprechgeschwindigkeit auf den Berührungsvorgang (hat praktisch keinen Einfluss)
× ; langsame Ansprechgeschwindigkeit auf den Berührungsvorgang

<Gesamtbewertung>

⊚ ; sowohl die Trübung als auch die Berührungssensibilität wurden als ⊚ bewertet
◯ ; eine der Trübung und der Berührungssensibilität wurde als ◯ und die andere wurde als ⊚ bewertet
× ; eine oder beide der Trübung und der Berührungssensibilität wurde(n) als × bewertet

<Material>
Für die Bildung der Blendschutzschicht oder der leitenden Blendschutzschicht
(Siliziumoxidvorstufe)
Als Siliziumoxidvorstufe (a) wurden Tetraethoxysilan (nachstehend als „TEOS“ bezeichnet) und Propyltrimethoxysilan (nachstehend als „PTMOS“ bezeichnet) (beide von Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. hergestellt) verwendet.
(Dispersion schuppenförmiger Teilchen)
Als Dispersion schuppenförmiger Teilchen wurde eine SLV-Lösung (eine Dispersion schuppenförmiger Teilchen, in der zerkleinertes SUNLOVELY LFS HN150, hergestellt von AGC Si-Tech Co., Ltd. in Wasser dispergiert ist) verwendet. Die schuppenförmigen Siliziumoxidteilchen in der SLV-Lösung weisen eine durchschnittliche Teilchengröße von 175 nm und ein durchschnittliches Seitenverhältnis (durchschnittliche Teilchengröße/durchschnittliche Dicke) von 80 auf und die Konzentration der schuppenförmigen Siliziumoxidteilchen beträgt 5 Massen-%.
(Dispersion leitender feiner Teilchen)
Als Dispersion leitender feiner Teilchen wurde V-3561 (hergestellt von JGC Catalysts and Chemicals Ltd., eine Dispersion, die etwa 20 Massen-% kugelförmige feine Teilchen von Antimon-dotiertem Zinnoxid enthält, deren durchschnittliche Teilchengröße mehrere bis 20 nm beträgt, und Ethanol als Hauptlösungsmittel enthält) oder V-4564 (hergestellt von JGC Catalysts and Chemicals Ltd., eine Dispersion, die etwa 40 Massen-% kugelförmige feine Teilchen von Antimonoxid enthält, deren durchschnittliche Teilchengröße mehrere bis 20 nm beträgt, und 1-Methoxy-2-propanol als Hauptlösungsmittel enthält) verwendet.
(Flüssiges Medium)
Als flüssiges Medium wurden SOLMIX (eingetragene Marke) AP-11 (hergestellt von Japan Alcohol Trading Co., Ltd.; ein Mischlösungsmittel aus 85 Massen-% Ethanol, 10 Massen-% Isopropylalkohol und 5 Massen-% Methanol, nachstehend als AP-11" bezeichnet), Diacetonalkohol (DAA) und Propylenglykol (PG) verwendet.
Für die Bildung der leitenden Schicht
Die vorstehend beschriebene Dispersion leitender feiner Teilchen und das flüssige Medium wurden als Materialien verwendet.
Für die Bildung des Antiverschmutzungsfilms
(Fluor-enthaltende Organosiliziumverbindung)
Als Fluor-enthaltende Organosiliziumverbindung wurde Aflud (eingetragene Marke) S-550 (hergestellt von Asahi Glass Co., Ltd.) verwendet.
(Flüssiges Medium)
Als Lösungsmittel auf Fluorbasis wurde ASAHIKLIN AC-6000 (Markenname; hergestellt von Asahi Glass Co., Ltd, nachstehend als „AC-6000“ bezeichnet) verwendet.
(Beispiele 1 bis 22): Beispiele, die dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm (A) und Vergleichsbeispielen entsprechen
Als Beispiele, die dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm (A) entsprechen, wurde ein transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm (I)s der Beispiele 8 bis 19, 21, 22 mit derselben Stapelstruktur wie derjenigen des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm 10A in der 2 mit dem folgenden Verfahren hergestellt. Als Vergleichsbeispiele wurde ein transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm (Icf)s der Beispiele 1 bis 7, 20, die jeweils eine Blendschutzschicht oder eine leitende Blendschutzschicht, welche die Bedingung der vorliegenden Erfindung nicht erfüllt, anstelle der leitenden Blendschutzschicht aufwiesen, mit demselben Verfahren hergestellt.
(Herstellung von leitende Blendschutzschicht-bildenden flüssigen Zusammensetzungen für die Beispiele 4 bis 19)
Vorstufenlösungen von leitende Blendschutzschicht-bildenden flüssigen Zusammensetzungen wurden unter Verwendung von AP-11, eines Alkoxysilans, einer wässrigen Salpetersäurelösung mit einer Konzentration von 60 Massen-%, der Dispersion leitender feiner Teilchen und der SLV-Lösung in den in den Beispielen 4 bis 19 in der Tabelle 1 angegebenen Mengen hergestellt. Dabei wurden unter Rühren mit einem Magnetrührer das Alkoxysilan, die Dispersion leitender feiner Teilchen und die SLV-Lösung dem AP-11 zugesetzt und diese wurden für dreißig Minuten bei 25 °C gemischt. Diesen Mischlösungen wurde die wässrige Salpetersäurelösung mit einer Konzentration von 60 Massen-% in den Mengen zugetropft, wie sie in den Beispielen 4 bis 19 in der Tabelle 1 angegeben sind, worauf bei 60 °C für sechzig Minuten weiter gemischt wurde, wodurch die Vorstufenlösungen der leitende Blendschutzschicht-bildenden flüssigen Zusammensetzungen erhalten wurden. Jeweils eine Menge von 100 g der erhaltenen Vorstufenlösungen wurde mit Verdünnungslösungsmitteln verdünnt, die in den Beispielen 4 bis 19 in der Tabelle 1 angegeben sind, wodurch die leitende Blendschutzschicht-bildenden flüssigen Zusammensetzungen erhalten wurden.
(Herstellung von leitende Blendschutzschicht-bildenden flüssigen Zusammensetzungen für die Beispiele 20 bis 22)
Vorstufenlösungen von leitende Blendschutzschicht-bildenden flüssigen Zusammensetzungen wurden unter Verwendung von AP-11, eines Alkoxysilans, einer wässrigen Salpetersäurelösung mit einer Konzentration von 10 Massen-%, der Dispersion leitender feiner Teilchen und Wasser in den in den Beispielen 20 bis 22 in der Tabelle 1 angegebenen Mengen hergestellt. Dabei wurde unter Rühren mit einem Magnetrührer das Alkoxysilan einem Teil des AP-11 zugesetzt, worauf für dreißig Minuten bei 25 °C gemischt wurde. Diesen Mischlösungen wurde die wässrige Salpetersäurelösung mit einer Konzentration von 10 Massen-% in den Mengen zugetropft, wie sie in der Tabelle 1 angegeben sind, worauf für sechzig Minuten bei 25 °C gemischt wurde. Ferner wurden diesen Mischlösungen der Rest des AP-11 und die Dispersion leitender feiner Teilchen zugesetzt, worauf für fünfzehn Minuten bei 25 °C gemischt wurde, wodurch Vorstufenlösungen der leitenden Blendschutzschicht-bildenden flüssigen Zusammensetzungen erhalten wurden. Die erhaltenen Vorstufenlösungen wurden mit Verdünnungslösungsmitteln verdünnt, die in den Beispielen 20 bis 22 in der Tabelle 1 angegeben sind, wodurch die leitende Blendschutzschicht-bildenden flüssigen Zusammensetzungen erhalten wurden.
(Herstellung von Blendschutzschicht-bildenden flüssigen Zusammensetzungen für die Beispiele 1 bis 3)
Vorstufenlösungen von Blendschutzschicht-bildenden flüssigen Zusammensetzungen wurden unter Verwendung von AP-11, eines Alkoxysilans, einer wässrigen Salpetersäurelösung mit einer Konzentration von 60 Massen-% und der SLV-Lösung in den in den Beispielen 1 bis 3 in der Tabelle 1 angegebenen Mengen hergestellt. Dabei wurden unter Rühren mit einem Magnetrührer das Alkoxysilan und die SLV-Lösung dem AP-11 zugesetzt, worauf für dreißig Minuten bei 25 °C gemischt wurde. Diesen Mischlösungen wurde die wässrige Salpetersäurelösung mit einer Konzentration von 60 Massen-% in den Mengen zugetropft, wie sie in den Beispielen 1 bis 3 in der Tabelle 1 angegeben sind, worauf bei 60 °C für sechzig Minuten weiter gemischt wurde, wodurch die Vorstufenlösungen der Blendschutzschicht-bildenden flüssigen Zusammensetzungen erhalten wurden. Jeweils 100 g der erhaltenen Vorstufenlösungen wurden mit Verdünnungslösungsmitteln verdünnt, die in den Beispielen 1 bis 3 in der Tabelle 1 angegeben sind, wodurch die Blendschutzschicht-bildenden flüssigen Zusammensetzungen erhalten wurden.
(Herstellung von Antiverschmutzungsfilm-bildenden Zusammensetzungen)
Aflud S-550 wurde AC-6000 so zugesetzt, dass der Gehalt von Aflud S-550 0,1 Massen-% betrug, worauf durch Rühren ausreichend gemischt wurde, wodurch Antiverschmutzungsfilm-bildende Zusammensetzungen erhalten wurden.
(Herstellung eines transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm (I)s und (lcf)s)
Die vorstehend erhaltenen leitende Blendschutzschicht-bildenden flüssigen Zusammensetzungen oder Blendschutzschicht-bildenden flüssigen Zusammensetzungen wurden auf gereinigte und getrocknete Glassubstrate (Natronkalkglas, das durch ein Floatverfahren gebildet worden ist, Dicke 1 mm) durch eine elektrostatische Beschichtungseinrichtung (eine elektrostatische Flüssigkeitsbeschichtungseinrichtung, hergestellt von Asahi Sunac Corporation) aufgebracht, so dass aufgebrachte Filme gebildet wurden. Als elektrostatische Beschichtungspistole der elektrostatischen Beschichtungseinrichtung wurde eine rotierende automatische elektrostatische Zerstäubungspistole (Sunbell, ESA120, hergestellt von Asahi Sunac Corporation, Becherdurchmesser 70 mm) verwendet.
In einer Beschichtungskabine der elektrostatischen Beschichtungseinrichtung wurde die Temperatur innerhalb eines Bereichs von 25 ± 1,5 °C eingestellt und die Feuchtigkeit wurde innerhalb eines Bereichs von 50 % ± 10 % eingestellt. Die im Vorhinein auf 25 °C ± 1 °C erwärmten gereinigten Glassubstrate wurden jeweils auf einer Kettenfördereinrichtung der elektrostatischen Beschichtungseinrichtung mit einer dazwischen angeordneten Platte aus rostfreiem Stahl angeordnet. Während die Glassubstrate jeweils durch die Kettenfördereinrichtung bei einer gleichbleibenden Geschwindigkeit von 3,0 m/Minute gefördert wurden, wurden die leitende Blendschutzschicht-bildenden flüssigen Zusammensetzungen oder die Blendschutzschicht-bildenden flüssigen Zusammensetzungen, deren Temperatur innerhalb eines Bereichs von 25 °C ± 1 °C lag, auf die oberen Oberflächen der Glassubstrate mit der vorgegebenen Anzahl von Wiederholungen, die in der Tabelle 1 angegeben sind, durch ein elektrostatisches Beschichtungsverfahren aufgebracht und danach für sechzig Minuten bei 300 °C an der Luft gebrannt, so dass leitende Blendschutzschichten oder Blendschutzschichten gebildet wurden, wodurch leitende Blendschutzschicht-beschichtete Substrate oder Blendschutzschicht-beschichtete Substrate erhalten wurden. Antiverschmutzungsfilme wurden auf den jeweiligen leitenden Blendschutzschichten oder Blendschutzschichten der erhaltenen leitende Blendschutzschicht-beschichteten Substrate oder Blendschutzschicht-beschichteten Substrate in der folgenden Weise gebildet.
Zur Bildung des Antiverschmutzungsfilms wird eine Düse einer Sprühvorrichtung parallel zu dem leitende Blendschutzschicht-beschichteten Substrat oder dem Blendschutzschicht-beschichteten Substrat in einer ersten Richtung von einem Ende zu dem anderen Ende des Substrats bewegt, wodurch die Antiverschmutzungsfilm-bildende Zusammensetzung aufgebracht wird. Die Düse, die das andere Ende erreicht, wird um eine vorgegebene Distanz (wird nachstehend als „Abstand“ bezeichnet) parallel zu dem Substrat in einer zweiten Richtung senkrecht zur ersten Richtung bewegt. Die Düse wird erneut parallel von dem anderen Ende zu dem einen Ende bewegt. Dies wird wiederholt, so dass die Zusammensetzung aufgebracht wird, bis ein beschichteter Bereich über der gesamten Oberfläche des leitende Blendschutzschicht-beschichteten Substrats oder des Blendschutzschicht-beschichteten Substrats verläuft.
Die vorstehend beschriebene Bewertung wurde mit dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm (I)s und (Icf)s durchgeführt, die auf diese Weise erhalten worden sind. Die Tabelle 2 zeigt die Ergebnisse.

[Tabelle 1]

Beispiel	Verdünnungslösungsmittel [g]			Mischmengen von Komponenten der Vorstufenlösung [g] Dispersion leitender feiner								Anzahl der Aufbringvorgänge -fach
	AP-11	DAA	PG	AP-11	Alkoxysilan		Wasser	Salpetersäure	Teilchen		SLV-Lösung
	AP-11	DAA	PG	AP-11	TEOS	PTMOS	Wasser	Salpetersäure	Art	Menge	SLV-Lösung
1	695,68	2,40	1,92	79,32	10,75	1,82	0,00	0,14	-	0,00	8,00	2
2	695,68	2,40	1,92	95,72	12,90	1,64	0,00	0,14	-	0,00	9,60	2
3	695,68	2,40	1,92	95,72	12,90	1,64	0,00	0,14	-	0,00	9,60	1
4	695,68	2,40	1,92	97,40	12,07	1,64	0,00	0,14	V-4564	1,55	9,60	2
5	695,68	2,40	1,92	95,32	11,23	1,64	0,00	0,14	V-4564	2,06	9,60	1
6	695,68	2,40	1,92	99,49	12,90	1,64	0,00	0,14	V-4564	1,03	9,60	1
7	695,68	2,40	1,92	99,49	12,90	1,64	0,00	0,14	V-4564	1,03	9,60	2
8	695,68	2,40	1,92	94,48	11,65	0,00	0,00	0,14	V-4564	4,12	9,60	1
9	715,68	2,40	1,92	95,32	11,23	1,64	0,00	0,14	V-4564	2,06	9,60	2
10	735,68	2,40	1,92	95,32	11,23	1,64	0,00	0,14	V-4564	2,06	9,60	2
11	695,68	2,40	1,92	94,08	9,99	0,00	0,00	0,14	V-4564	6,19	9,60	1
12	695,68	2,40	1,92	73,13	8,32	0,00	0,00	0,14	V-3561	28,80	9,60	1
13	695,68	2,40	1,92	67,60	6,66	0,00	0,00	0,14	V-3561	36,00	9,60	1
14	695,68	2,40	1,92	94,48	11,65	0,00	0,00	0,14	V-4564	4,12	9,60	2
15	695,68	2,40	1,92	67,60	6,66	0,00	0,00	0,14	V-3561	36,00	9,60	2
16	695,68	2,40	1,92	94,48	11,65	0,00	0,00	0,14	V-4564	4,12	9,60	3
17	695,68	2,40	1,92	94,08	9,99	0,00	0,00	0,14	V-4564	6,19	9,60	3
18	695,68	2,40	1,92	93,69	8,32	0,00	0,00	0,14	V-4564	8,25	9,60	3
19	695,68	2,40	1,92	93,29	6,66	0,00	0,00	0,14	V-4564	10,31	9,60	3
20	475,00	0,00	0,00	19,08	3,47	0,00	1,15	0,04	V-3561	1,25	0,00	2
21	250,00	0,00	0,00	42,83	3,47	0,00	1,15	0,04	V-3561	2,50	0,00	2
22	250,00	0,00	0,00	42,83	3,47	0,00	1,15	0,04	V-3561	2,50	0,00	4

[Tabelle 2]

Beispiel	Trübung	Glanz	Streuung	Ra	Rsm	Rsk	Oberflächenwiderstand [Ω/□]	Trübung der Anzeige	Berührungssensibilität	Gesamtbewertung
Beispiel	Trübung	60 Grad	Streuung	µm	µm	-	Oberflächenwiderstand [Ω/□]	Trübung der Anzeige	Berührungssensibilität	Gesamtbewertung
1	7	82	0,24	0,07	16,95	0,78	1,8 × 10¹⁵	×	⊚	×
2	10	68	0,27	0,09	17,30	1,48	8,5 × 10¹⁴	×	⊚	×
3	7	96	0,14	0,06	18,30	2,18	6,1 × 10¹⁴	×	⊚	×
4	5	98	0,23	0,06	17,92	1,10	5,8 × 10¹⁴	×	⊚	×
5	7	100	0,16	0,06	15,84	1,89	2,5 × 10¹³	×	⊚	×
6	2	108	0,14	0,05	21,72	2,33	1,4 × 10¹³	×	⊚	×
7	5	86	0,20	0,06	21,28	1,37	1,1 × 10¹³	×	⊚	×
8	4	119	0,11	0,04	15,11	1,95	9,1 × 10¹²	◯	⊚	◯
9	6	98	0,27	0,05	14,97	1,56	4,6 × 10¹²	◯	⊚	◯
10	5	100	0,13	0,04	13,61	1,11	6,1 × 10¹²	◯	⊚	◯
11	5	116	0,13	0,04	15,59	1,74	3,4 × 10¹²	◯	⊚	◯
12	12	86	0,11	0,05	54,30	3,12	1,8 × 10¹²	◯	⊚	◯
13	13	75	0,11	0,04	49,58	2,97	8,6 × 10¹¹	⊚	⊚	⊚
14	8	96	0,18	0,06	15,17	1,78	3,9 × 10¹¹	⊚	⊚	⊚
15	23	37	0,19	0,05	42,77	2,01	2,9 × 10¹¹	⊚	⊚	⊚
16	12	76	0,22	0,07	15,75	1,39	9,2 × 10¹⁰	⊚	⊚	⊚
17	14	70	0,25	0,07	15,09	1,03	3,1 × 10¹⁰	⊚	⊚	⊚
18	15	72	0,25	0,07	14,85	1,47	9,3 × 10⁹	⊚	◯	◯
19	24	52	0,31	0,08	13,63	1,32	6,0 × 10⁹	⊚	◯	◯
20	2	116	0,14	0,03	19,02	0,58	4,4 × 10¹⁴	×	⊚	×
21	3	108	0,16	0,04	16,51	0,71	3,9 × 10¹²	◯	⊚	◯
22	3	103	0,30	0,05	22,49	0,31	3,8 × 10¹¹	⊚	⊚	⊚

(Beispiele 23 bis 45) Beispiele, die dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm (B) entsprechen
Als Beispiele, die dem transparenten Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm (B) entsprechen, wurden transparente Substrate mit einem Antiverschmutzungsfilm (II)s der Beispiele 25 bis 40, 43 bis 45 mit derselben Stapelstruktur wie derjenigen des transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm 10Ba in der 3 mit dem folgenden Verfahren hergestellt. Als Vergleichsbeispiele wurden transparente Substrate mit einem Antiverschmutzungsfilm (IIcf)s der Beispiele 23, 24, 41, 42, die jeweils eine leitende Schicht aufweisen, welche die Bedingung der vorliegenden Erfindung nicht erfüllt, mit demselben Verfahren hergestellt.
(Herstellung von leitende Schicht-bildenden Zusammensetzungen für die Beispiele 23 bis 42)
Die Dispersion leitender feiner Teilchen V-4564 oder V3561, TEOS, Wasser und eine wässrige 60 Massen-% Salpetersäurelösung wurden unter Verwendung von AP-11 mit den Massen, die in den Vorstufenlösungen der leitende Schicht-bildenden Zusammensetzungen für die Beispiele 23 bis 42 in der Tabelle 3 angegeben sind, gemischt, und die Gemische wurden bei Raumtemperatur von 25 °C für eine Stunde gemischt und danach für 24 Stunden bei 5 °C stehengelassen. Als nächstes wurden Verdünnungslösungsmittel in den Massen in der Tabelle 3 und die jeweiligen Vorstufenlösungen gemischt, wodurch die leitende Schicht-bildenden Zusammensetzungen erhalten wurden.
(Herstellung von leitende Schicht-bildenden Zusammensetzungen für die Beispiele 43 bis 45)
Die Dispersion leitender feiner Teilchen V-4564 oder V3561, TEOS, Wasser und eine wässrige 10 Massen-% Salpetersäurelösung wurden unter Verwendung von AP-11 mit den Massen, die in den Vorstufenlösungen der leitende Schicht-bildenden Zusammensetzungen für die Beispiele 43 bis 45 in der Tabelle 3 angegeben sind, gemischt, und die Gemische wurden bei 60 °C für eine Stunde gemischt und danach für 24 Stunden bei 5 °C stehengelassen. Als nächstes wurden Verdünnungslösungsmittel in den Massen in der Tabelle 3 und die jeweiligen Vorstufenlösungen gemischt, wodurch die leitende Schicht-bildenden Zusammensetzungen erhalten wurden.
(Herstellung von Blendschutzschicht-bildenden flüssigen Zusammensetzungen und leitende Blendschutzschicht-bildenden flüssigen Zusammensetzungen)
Blendschutzschicht-bildende flüssige Zusammensetzungen oder leitende Blendschutzschicht-bildende flüssige Zusammensetzungen wurden unter Verwendung derselben Komponenten, die im Beispiel 1, Beispiel 2 oder Beispiel 20 in der Tabelle 1 angegeben sind, mit demselben Verfahren hergestellt.
(Herstellung eines transparenten Substrats mit einem Antiverschmutzungsfilm (II)s und (IIcf)s)
Die vorstehend beschriebenen leitende Schicht-bildenden Zusammensetzungen wurden auf gereinigte und getrocknete Glassubstrate (Natronkalkglas, das durch ein Floatverfahren gebildet worden ist, Dicke 1 mm) durch eine elektrostatische Beschichtungseinrichtung (eine elektrostatische Flüssigkeitsbeschichtungseinrichtung, hergestellt von Asahi Sunac Corporation) in der in der Tabelle 3 angegebenen Anzahl von Beschichtungsvorgängen aufgebracht, so dass aufgebrachte Filme gebildet wurden. Als elektrostatische Beschichtungspistole der elektrostatischen Beschichtungseinrichtung wurde eine rotierende automatische elektrostatische Zerstäubungspistole (Sunbell, ESA120, hergestellt von Asahi Sunac Corporation, Becherdurchmesser 70 mm) verwendet.
In einer Beschichtungskabine der elektrostatischen Beschichtungseinrichtung wurde die Temperatur innerhalb eines Bereichs von 25 ± 1,5 °C eingestellt und die Feuchtigkeit wurde innerhalb eines Bereichs von 50 % ± 10 % eingestellt. Die im Vorhinein auf 30 °C ± 3 °C erwärmten gereinigten Glassubstrate wurden jeweils auf einer Kettenfördereinrichtung der elektrostatischen Beschichtungseinrichtung mit einer dazwischen angeordneten Platte aus rostfreiem Stahl angeordnet. Während die Glassubstrate jeweils durch die Kettenfördereinrichtung bei einer gleichbleibenden Geschwindigkeit von 3,0 m/Minute gefördert wurden, wurden die leitende Schicht-bildenden Zusammensetzungen, deren Temperatur innerhalb eines Bereichs von 25 °C ± 1,5 °C lag, auf die oberen Oberflächen (Oberflächen gegenüber den Oberflächen, die während der Herstellung durch das Floatverfahren mit geschmolzenem Zinn in Kontakt sind) der Glassubstrate mit der vorgegebenen Anzahl von Wiederholungen, die in der Tabelle 1 angegeben sind, durch ein elektrostatisches Beschichtungsverfahren aufgebracht und danach für eine Minute bei 200 °C an der Luft gebrannt, so dass leitende Schicht-beschichtete Substrate erhalten wurden.
In den Beispielen 23 bis 42 wurden dieselben Blendschutzschicht-bildenden flüssigen Zusammensetzungen wie diejenigen des Beispiels 1 oder des Beispiels 2, die vorstehend erhalten worden sind, durch eine elektrostatische Beschichtungseinrichtung (eine elektrostatische Flüssigkeitsbeschichtungseinrichtung, hergestellt von Asahi Sunac Corporation) auf die leitenden Schichten der leitende Schicht-beschichteten Substrate aufgebracht, so dass aufgebrachte Filme gebildet wurden. Als elektrostatische Beschichtungspistole der elektrostatischen Beschichtungseinrichtung wurde eine rotierende automatische elektrostatische Zerstäubungspistole (Sunbell, ESA120, hergestellt von Asahi Sunac Corporation, Becherdurchmesser 70 mm) verwendet.
In einer Beschichtungskabine der elektrostatischen Beschichtungseinrichtung wurde die Temperatur innerhalb eines Bereichs von 25 ± 1,5 °C eingestellt und die Feuchtigkeit wurde innerhalb eines Bereichs von 50 % ± 10 % eingestellt. Die im Vorhinein auf 30 °C ± 3 °C erwärmten leitende Schicht-beschichteten Substrate wurden jeweils auf einer Kettenfördereinrichtung der elektrostatischen Beschichtungseinrichtung mit einer dazwischen angeordneten Platte aus rostfreiem Stahl angeordnet. Während die leitende Schicht-beschichteten Substrate jeweils durch die Kettenfördereinrichtung bei einer gleichbleibenden Geschwindigkeit von 3,0 m/Minute gefördert wurden, wurden die Blendschutzschicht-bildenden flüssigen Zusammensetzungen, deren Temperatur innerhalb eines Bereichs von 25 °C ± 1,5 °C lag, zweimal durch ein elektrostatisches Beschichtungsverfahren auf die leitenden Schichten der leitende Schicht-beschichteten Substrate der Glassubstrate aufgebracht und danach für sechzig Minuten bei 300 °C an der Luft gebrannt, so dass Blendschutzschichten gebildet wurden, wodurch leitende Schicht- und Blendschutzschicht-beschichtete Substrate erhalten wurden. Antiverschmutzungsfilme wurden auf den Blendschutzschichten der erhaltenen leitende Schicht- und Blendschutzschicht-beschichteten Substrate in derselben Weise wie in dem vorstehend genannten Beispiel 1 erhalten, wodurch das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm (II)s und (IIcf)s erhalten wurde.
In den Beispielen 43 bis 45 wurden die transparenten Substrate mit einem Antiverschmutzungsfilm (II)s in derselben Weise erhalten, mit der Ausnahme, dass dieselbe leitende Blendschutzschicht-bildende flüssige Zusammensetzung wie diejenige im Beispiel 20, die in der vorstehend beschriebenen Weise erhalten worden ist, anstelle der Blendschutzschicht-bildenden flüssigen Zusammensetzungen, die in den vorstehend beschriebenen Beispiele 23 bis 42 verwendet worden sind, verwendet wurde.
Die vorstehend genannte Bewertung wurde mit den transparenten Substraten mit einem Antiverschmutzungsfilm (II)s und (IIcf)s, die auf diese Weise erhalten worden sind, durchgeführt. Die Tabelle 4 zeigt die Ergebnisse.

[Tabelle 3]

Beispiel	Leitende Schicht-bildende Zusammensetzung									(Leitende) Blendschutzschicht-bildende flüssige Zusammensetzung
	Verdünnungslösungsmittel [g]		Mischmengen von Komponenten der Vorstufenlösung [g]						Anzahl der Aufbringvorgänge -fach
	AP-11	DAA	AP-11	TEOS	Wasser	Salpetersäure	Dispersion leitender feiner Teilchen
	AP-11	DAA	AP-11	TEOS	Wasser	Salpetersäure	Art	Menge
23	350,00	0,00	49,50	0,00	0,00	0,00	V-3561	0,50	2	Wie im Bespiel 2
24	350,00	0,00	49,50	0,00	0,00	0,00	V-3561	0,50	1	Wie im Beispiel 2
25	350,00	0,00	49,75	0,00	0,00	0,00	V-4564	0,25	5	Wie im Bespiel 2
26	350,00	0,00	49,75	0,00	0,00	0,00	V-4564	0,25	4	Wie im Beispiel 2
27	329,30	20,7	48,58	0,520	0,141	0,007	V-3561	0,75	2	Wie im Beispiel 1
28	350,00	0,00	49,50	0,00	0,00	0,00	V-3561	0,50	4	Wie im Beispiel 2
29	329,30	20,7	48,58	0,520	0,141	0,007	V-3561	0,75	4	Wie im Beispiel 1
30	329,60	20,4	48,61	0,694	0,189	0,009	V-4564	0,50	2	Wie im Beispiel 1
31	350,00	0,00	49,75	0,00	0,00	0,00	V-4564	0,25	6	Wie im Beispiel 2
32	329,30	20,7	48,58	0,520	0,141	0,007	V-3561	0,75	6	Wie im Beispiel 1
33	329,60	20,4	45,27	1,733	0,471	0,022	V-3561	2,50	2	Wie im Bespiel 1
34	350,00	0,00	45,00	0,00	0,00	0,00	V-3561	5,00	1	Wie im Beispiel 2
35	327,50	22,5	45,27	1,733	0,471	0,022	V-3561	2,50	4	Wie im Beispiel 1
36	329,00	21,0	46,52	1,734	0,471	0,023	V-4564	1,25	4	Wie im Beispiel 1
37	350,00	0,00	47,50	0,00	0,00	0,00	V-4564	2,50	6	Wie im Beispiel 2
38	329,00	21,0	46,52	1,734	0,471	0,023	V-4564	1,25	6	Wie im Beispiel 1
39	350,00	0,00	45,00	0,00	0,00	0,00	V-3561	5,00	2	Wie im Beispiel 2
40	350,00	0,00	45,00	0,00	0,00	0,00	V-3561	5,00	3	Wie im Beispiel 2
41	350,00	0,00	45,00	0,00	0,00	0,00	V-3561	5,00	4	Wie im Beispiel 2
42	350,00	0,00	45,00	0,00	0,00	0,00	V-3561	5,00	6	Wie im Beispiel 2
43	208,33	0,00	117,2	34,7	13,9	0,90	V-3561	25,0	2	Wie im Beispiel 20
44	208,33	0,00	117,2	34,7	13,9	0,90	V-3561	25,0	4	Wie im Beispiel 20
45	208,33	0,00	117,2	34,7	13,9	0,90	V-3561	25,0	6	Wie im Beispiel 20

[Tabelle 4]

Beispiel	Trübung	Glanz	Streuung	Ra	Rsm	Rsk	Oberflächenwiderstand [Ω/□]	Trübung der Anzeige	Berührungssensibilität	Gesamtbewertung
Beispiel	Trübung	60 Grad	Streuung	µm	µm	-	Oberflächenwiderstand [Ω/□]	Trübung der Anzeige	Berührungssensibilität	Gesamtbewertung
23	18	44	0,35	0,09	15,10	0,85	2,1 × 10¹³	×	⊚	×
24	18	43	0,41	0,11	17,91	1,27	1,8 × 10¹³	×	⊚	×
25	15	60	0,19	0,08	13,57	1,14	1,0 × 10¹³	◯	⊚	◯
26	15	59	0,21	0,08	14,14	1,23	7,4 × 10¹²	◯	⊚	◯
27	8	78	0,32	0,07	17,02	1,06	6,6 × 10¹²	◯	⊚	◯
28	21	40	0,34	0,10	14,98	1,11	5,8 × 10¹²	◯	⊚	◯
29	8	79	0,32	0,07	16,67	1,06	2,9 × 10¹²	◯	⊚	◯
30	9	76	0,34	0,07	17,33	0,88	2,3 × 10¹²	◯	⊚	◯
31	16	59	0,19	0,08	14,07	1,32	2,1 × 10¹²	◯	⊚	◯
32	8	79	0,32	0,07	17,80	1,09	9,7 × 10¹¹	⊚	⊚	⊚
33	9	75	0,36	0,08	17,37	0,99	6,1 × 10¹¹	⊚	⊚	⊚
34	25	42	0,22	0,11	14,67	1,59	5,7 × 10¹¹	⊚	⊚	⊚
35	9	74	0,40	0,09	17,20	0,92	1,5 × 10¹¹	⊚	⊚	⊚
36	9	73	0,55	0,09	20,14	0,77	8,1 × 10¹⁰	⊚	⊚	⊚
37	49	23	0,21	0,14	11,09	0,97	3,6 × 10¹⁰	⊚	⊚	⊚
38	9	70	0,77	0,14	46,74	1,06	2,6 × 10¹⁰	⊚	⊚	⊚
39	26	46	0,17	0,11	13,91	1,68	5,3 × 10⁹	⊚	◯	◯
40	30	41	0,18	0,12	12,99	1,75	1,3 × 10⁹	⊚	◯	◯
41	35	36	0,15	0,13	12,50	1,47	8,7 × 10⁸	⊚	×	×
42	40	34	0,14	0,14	12,43	1,27	5,1 × 10⁸	⊚	×	×
43	3	109	0,16	0,04	17,01	0,71	7,7 × 10¹¹	⊚	⊚	⊚
44	3	107	0,19	0,04	19,53	0,45	7,7 × 10¹⁰	⊚	⊚	⊚
45	4	103	0,22	0,05	19,32	0,63	3,5 × 10¹⁰	⊚	⊚	⊚

Claims

Transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm, umfassend: ein transparentes Substrat; und einen Antiverschmutzungsfilm, der als äußerste Schicht auf einer Hauptoberfläche des transparenten Substrats bereitgestellt ist, wobei eine Oberflächenform des Antiverschmutzungsfilms eine raue Form ist, deren arithmetischer Mittenrauwert Ra 0,01 µm oder mehr beträgt, und der Oberflächenwiderstand, der auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms gemessen wird, 1,0 × 10⁹ bis 1,0 × 10¹³ Ω/□ beträgt.
Transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm nach Anspruch 1, das ferner eine leitende Blendschutzschicht, die eine Leitfähigkeit aufweist, zwischen dem transparenten Substrat und dem Antiverschmutzungsfilm umfasst, wobei eine Hauptoberfläche der leitenden Blendschutzschicht, die auf den Antiverschmutzungsfilm gerichtet ist, einfallendes Licht diffus reflektiert.
Transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm nach Anspruch 1, das ferner eine leitende Schicht und eine Blendschutzschicht zwischen dem transparenten Substrat und dem Antiverschmutzungsfilm umfasst, wobei eine Hauptoberfläche der Blendschutzschicht, die auf den Antiverschmutzungsfilm gerichtet ist, einfallendes Licht diffus reflektiert.
Transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm nach Anspruch 3, wobei die Blendschutzschicht und die leitende Schicht in der genannten Reihenfolge von der Seite des transparenten Substrats bereitgestellt sind und eine Haftschicht zwischen der leitenden Schicht und dem Antiverschmutzungsfilm bereitgestellt ist.
Transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm nach Anspruch 1, das ferner eine leitende Schicht zwischen dem transparenten Substrat und dem Antiverschmutzungsfilm umfasst, wobei eine Hauptoberfläche des transparenten Substrats, die auf den Antiverschmutzungsfilm gerichtet ist, einfallendes Licht diffus reflektiert.
Transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm nach Anspruch 5, das ferner eine Haftschicht zwischen der leitenden Schicht und dem Antiverschmutzungsfilm umfasst.
Transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Schiefe Rsk einer Rauheitskurve der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms -1,5 bis 1,5 beträgt.
Transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das transparente Substrat ein Glassubstrat ist.
Flüssigkristallanzeigevorrichtung des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps, umfassend: ein Flüssigkristallanzeigeelement des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps; und ein transparentes Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm, wobei das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm umfasst: ein transparentes Substrat; und einen Antiverschmutzungsfilm, der als äußerste Schicht auf einer Hauptoberfläche des transparenten Substrats bereitgestellt ist, wobei eine Oberflächenform des Antiverschmutzungsfilms eine raue Form ist, deren arithmetischer Mittenrauwert Ra 0,01 µm oder mehr beträgt, und der Oberflächenwiderstand, der auf der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms gemessen wird, 1,0 × 10⁹ bis 1,0 × 10¹³ Ω/□ beträgt, und das transparente Substrat mit einem Antiverschmutzungsfilm auf einer Betrachtungsseite des Flüssigkristallanzeigeelements angeordnet ist, wobei sich das transparente Substrat auf einer Seite befindet, die auf das Flüssigkristallanzeigeelement gerichtet ist.
Flüssigkristallanzeigevorrichtung des zellinternen Kapazitätsberührungsfeldtyps nach Anspruch 9, wobei die Schiefe Rsk einer Rauheitskurve der Oberfläche des Antiverschmutzungsfilms -1,5 bis 1,5 beträgt.