TW484150B - Multilayer capacitor - Google Patents

Description

五、發明說明（1) 發明領域： 電感明係有關於一種積層電容’設計成減少等效串聯 立體安萝L )，且特別有關於一種積層陶瓷晶片電容，可 習知技術說明： 沂车I t ΐ在習知中被廣泛闬以做為一種電子設備。由於 ^門私Ϊ密度的安裝等要求，小型的積層陶曼晶片電容也 巳開始破使用。 容本體，、積層陶究晶片電容具有例如構成一矩形的一電 斟。=&且在本體内’内部電極交替地疊合以彼此面 對。内部雷極孫讯丄丄丄、 镍恭六旦。 、、叹^成由於位於其間的陶瓷層而可得到一 听电谷置。雷交士 i含此體在長方向的兩端係以端子電極形成。 w些端子電極传遠垃 Λ r，ΐλ „ ^ Ρ係遷接於父替地配置的内部電極。内部電極 直方向的方錢接於端子電極。 子通=则i 技術已知的是積層陶瓷晶片電容，例如三端 二與翻轉型（nip，pe)電容，以端子電極 ESL的積層陶£配日置減少〜寄生電感與ESL。然:而，即使減少 連接於端子 近年來，’中央處理單元（Cp 操作的高速化P錄立α ΐ (CPU )刼作頻率的增加伴隨 门k化已t思味者，即使到

之積層陶容曰w兩— 丨使則目刖所使用的減低ESL 晶片電容’，時仍具有太 I知的積層陶瓷晶片電容係全被 Έ a 具有桊罟+ „娘A t 及坪心於基板上，使得電容 之間知墊的電感最後變得更大

484150 五、發明說明（2) 另方面P思著CPU操作頻率的增加，當 等效串聯電阻（ESR )大日士 ^ # 田d 丁裝置的 且因此發熱造成問題…電子裝置的自體發熱變大， 值得注意的是在日本特開平6_2 75463 開平6-26779 0號公報，以男Q 4 & μ τ 日本特 说- s女、s 了！ φ · 及日本知*開平7 -1 6 9 6 4 9號公報φ 所不，具有逋孔電極妹错从扯ρ τ 山β在這些公報中所述的杂六陆以山 ^ ^ ^ 抑拉λα从加平α 的兒谷障列中，當揭露通孔型電極 鄰接的外部電極係為同極， 、$ π以7也从· u往、接地端子設於本體末端 |V ^ . N鳊千的电流亚不產生彼此相消的作 以致有ESL減；>、困難的問題。 又，具有通孔電極姝媒沾+〜 μ t % ^構的電容之ESR的強度係由因通 孔而成的圓柱狀内部雷極々官厗 ^ ^ ^ 55 ^ ^ μ t 。找〜克度、長度與數署，以及内部 電極與外部電極之間的$ # & ^ 工 a 幻遇接狀愍而決定。又，〆般而言， 圓柱狀電極容易因製造上的問 電極接合變得不穩定卿有變大傾向:缺：此 發明概述： 』旧缺點 本發明之一目的传接征—# # >1, . _ ^FQT B1A _ h 如 種積層電容，設計成減少更 多ESL，且可立體安裝。 Λ 為達此一目的，本發明之積層電容包括一不面第一内 部電極，配置於由堆疊誘電層形成之 二 ；一平 面第二内部電極，配置成面對前什始 电谷本你 日士_ 1风ej对刖述第一 ，且由前 述電容本體内之前述誘電層分籬· 峠電 乂吻电增刀離，一一極，連接 於前述第一内都雷；te，4f：：s：Ma*^、h klL 一 出 時 ) 用 於前述第一内部電極，並通過前逃第 非接觸孔，且延伸交又於前述第 ^

2030-3677-PF.ptd 第7頁 述第二内 内部電楼 内部電極與前

% 五、發明說明（3) 邰電極’一第二通孔電極，連接於 通過前述第一内部電極之一第—非拉^苐二内部電極，並 前述第一内部電極與前述與第二内邻孔，且延伸交又於 極’連接於前述第一通孔電極，且;第一外部電 本體之兩表面上；以及第二外韶由 成島狀於前述電容 孔電極，且配置成島狀於前述電許連接於前述第二通 根據本發明之積層電容，笑一 ^兩表面上。 極係配置於構成電容本體之表面的平;J極與第二外部電 兩型内部電極《兩型第一與第二㈣雷^。分別連接於 電極延伸於本體的厚度方向。又，4 ^極以圓柱狀從外部 時交替地變為正極與負極，且扮、、宫=拓型通孔電極在通電 此一電容中^型内部電極。"、ι卩代表平行配置於 根據本發明之積層電容係用以做 容。它被埋入立體蛀煃的夕@ 士 L书源的+滑電 fMPII、，日… 構的層基板中以做為微處理單元 - GND端子下連接。又，K電源具有-VCC端子以及 Λ率電流向相反方向流至立體地配置於基 板中的焊墊。 ^因此’由於高頻率電流流向相反方向，磁場彼此相 /肖，使知基板的環路電感減少。又，由於將基板做成立體 的’故有焊墊長度自然地變短的效應。 另一方面’同樣在積層電容内，兩型圓柱狀通孔電極 提供彼此相消的磁場之前述立體效應，甴於高頻率電流流 向相反方向。又’由於正負電流平面地交叉於兩型内部電 極之間，故積層電容本身的寄生電感激減。

2030-3677-PF.ptd 第8頁 由於上4原因，根據 形成圓柱狀，且夺接L1 電谷，网型通孔雷 .^ ^ ^ β父替地連接於兩型内邻I# 、钆電極係 地安裝於一基板上。二内。卩電極，以致可立 少基板本身的環 ：由磁场相消的效應，立體： 本身的寄生電感路電感’且平面地與立體地減少積 本毛明中，第一外部電極盘— 容本體的表面較佳，使得第“卜：：極係配置於電 彼此相鄰，且配置有這些外部電極的、〃勃=—外部電極係 複數第一外部電極與第二外部Hn·，”匕時，由於 於高頻率電流流向相 己置成彼此相鄰，由 更為加強。4反方向而產生磁場彼此相消的效應會 本發明中，電容本體係形 _ * 述第一内部電極之第一端子二從丁乂佳，連接於前 至少三侧面；且連i於前述電容本體的 c设π、刖迷第二内部電極繁— 係形成於前述電容本體的至少三側面。 一鳊子電極 此時，所面對内部電極的導引電極係交替地引出至g pi ::面°另夕卜’與具有端子電極配置於側面之習知電容 道^同的方式’端子電極係配置於本體 :導引至端子電極的内部電極。因此，外部電極心J 極=構成於做成直方體六面體之積層電容的所有;;電 且因此立體安裝與平面安裝都可以。由於此一原 應高頻率電流至端子電極使得側面的端子電 ^ :負，且供應=率電流至兩型外部電極以交替^為：當 、相反的電肌Μ至圓柱狀通孔電極。因此，電流交叉使

2030-3677-PF.ptd 胃9頁 484150

銲住第—内部電極以及第二内部電核係由錄或 由…系金屬做為通孔電極與内部電 和的材枓，通孔電極與内部電極之間的接合性 ESR可更為確實地保持於較低的狀態。 门 為使本發明之上述及其他目的、特徵 I::下文特舉數個較佳實施例，並配合所附圖ί做;": 圖式簡單說明： >13= 本發明第一實施例之積層陶曼晶片電容 第3圖的剖面線{ — I所取之剖面圖； =2 ®係根據本發明第—實施例的積層 之立體圖； 凡日日乃电合 。第3圖係顯示用於第一實施例之積層陶瓷晶 程的複數陶瓷綠薄片與電極形狀之分解立體圖·包 第4圖係根據第一實施例變形的積層’ 用狀態之剖面圖； 瓦日日片電合使 第5圖係根據本發明第二實施例之積層陶瓷晶片電容

2030-3677-PF.ptd 第10頁 484150 五、發明說明（6) 沿第7圖的剖面線V -V所取之剖面圖； 第6圖係根據本發明第二實施例的積層陶瓷晶片電容 之立體圖； 第7圖係顯示用於第二實施例之積層陶瓷晶片電容製 程的複數陶瓷綠薄片與電極形狀之分解立體圖； 第8圖係根據第二實施例變形的積層陶瓷晶片電容使 用狀態之剖面圖； 第9圖係顯示闬於第二實施例另一變形之積層陶瓷晶 片電容製程的複數陶瓷綠薄片與電極形狀之分解立體圖。 符號 說明 • 10〜 積層 陶瓷 晶 片 電容 ; 1 2〜 電容本 體 5 12A - -陶瓷層； 12B〜平 面部； 12C - ^側面； 14〜 第- 一内 部 電 極； 丨 16〜 第二 内部 電 極 > 14A， 、1 6 A 〜 導 引 部； 丨 18〜 第一 通孔 電 極 20〜 第二 二通 孔 電 極； 22〜 第一 外部 電 極 ， 24〜 第二 二外 部 電 極； 26〜 第一 線； 28〜 第二 二線 5 30A 、30B 、30C 、3 0 D 〜 陶瓷綠薄片 9 32〜 通孔 > 34〜 非接觸 孔 9 40〜 第一 端子 電 極 42〜 第二端 子 電 極； 44〜 接合 部； 5 0〜 積體電 路 ( 1C ); 52〜 球網 柵陣 列 (BGA ) 端子； 54〜 基板 > 56 ^ 5 8〜焊 墊 I 11 1 1 1 1 2030-3677-PF.ptd 第11頁 484150 發明說明（7) 6 0、6 2〜路程孔； 較佳實施例的詳細說明： 第一實施例 其次’請參見圖示，說明根據本發明之積層電容的第 一實施例。

根據本發明第一實施例的積層電容，亦即可立體地安 裝的積層陶瓷晶片電容1〇，係如第1圖以及第2圖所示。如 ®所τ ’ 一積層陶竟晶片電容丨〇包括由堆疊複數陶瓷綠薄 片以構成誘電層且燒結該堆疊而得到的一直方體六面體狀 燒結本體，即電容本體12。 一平面第一内部電極丨4係配置於電容本體丨2之一既定 高度（本體12的厚度方向）位置。同樣地，一平面第二内 部電極1^係配置於第一内部電極16下方，由電容本體12中 =一陶瓷層1 2 A分離。因此，第一内部電極丨4與第二内部 私極16係配置成以一距離經甴電容本體12中的誘電層彼此 第一内部電極14與第二 電容本體12的中央大體相同 1 4與第二内部電極1 6的縱橫 相關長度，使得第一内部電 不暴露於電容本體12的末端 在電容本體12中，通過 孔34且電性連接於第一内部 内部電極1 6的中央係配置於與 之位置。另外，第一内部電極 尺寸係小於電容本體1 2側邊的 極14與第二内部電極16的末端 〇 第二内部電極1 6的第二非接觸 電極14之第一通孔電極18與通

484150 五、發明說明（8) 過第一内部電極14的第一非接觸孔34且電性連接於第二内 部電極16之第二通孔電極20係設置成圓柱狀，且垂直地交 又於這些内部電極14與16。另外，内部電極14、16與通孔 電極1 8、2 0係以鎳系金屬形成。 如第2圖所示，在圖中一第一線由具有交替地二個接 二個配置於接近電容本體12的前面部分之第一通孔電極18 與第二通孔電極20構成。第一通孔電極18與第二通孔雷杯 20交替地二個接二個配置平行於第一線且以一相反配置之^ 一第二線係同樣地配置於接近電容本體丨2的後面部分鄰 於第一線。 這些第一通孔電極1 8係電性連接於配置成島狀於構成 電容本體12表面之上下平面部12B的第一外部電極22 \ _另 外’這些第二通孔電極20係電性連接於配置成島狀於構成 電容本體12表面的第二外部電極24。 也就是說，在圖中一第一線26係由具有交替地二個接 一個配置於接近電容本體12的前面部分之第一外部電極μ 與第二外部電極2 4構成。第一外部電極2 2與第二外部雷枵 24交替地二個接二個配置平行於第一線26且以與第一線^ 的相反配置之一第二線2 8係同樣地配置於接近電容本體1 2 的後面部分鄰接於第一線26。因此，這些外部電極22^24 的複數線係交替地以一之字形配置於電容丨2的表面，使得 第一外部電極22與第二外部電極24係配置成彼此鄰接。 其a，根據本貫施例以第3圖說明積層陶堯晶片兩六 1 〇之生產。 日日 a a

2030-3677-PF.ptd 第13頁 484150 五、發明說明（9) —首先’在積層陶瓷晶片電容1 0生產時，準備包括做為 電容的誘電材料之複數陶瓷綠薄片30A、30B、30C、30D。 如，3圖所示，陶瓷綠薄片3 0 B係位於陶瓷綠薄片3 0 A 下方’沒有電極印製或存放於其上表面。為構成第一内部 電極14於這個陶瓷綠薄片3〇6上，例如一導電黏土，係根 據第一内部電極14的圖樣印製或存放。 另卜 陶莞綠溥片3 0 C係位於陶竞綠薄片3 〇 B下方，沒 :電:虽印製或存放於其上表面。陶瓷綠薄片3〇d係位於陶 曼綠薄片30C下方。為構成第二内部電極16於陶瓷綠薄片 的上表面上，一導電黏土係同樣地根二 16的圖樣印製或存放。 1 這些陶瓷綠薄片3〇A、3〇B、3〇c與3〇D係在相同位置共 二淑二，ί孔32。另外，陶莞綠薄片30B與301)的内部電極 ” ί ΐ地没有非接觸孔34，以不接觸通孔32。 3 ^况，第一内部電極1 4前側之線上配置於通孔32 _ 左侧與從左侧㈣第三位置，構成有與通孔32同軸 極“：丨通孔32直徑大的非接觸孔34。另外，第-内部電 從左m線上配置於通孔32周圍在從左側的第二位置與 直和大沾第t四位置，構成有與通孔32同軸且具有比通孔32 相同的方:戈接觸另外，第二内部電極16係以與前述 另/卜，具有矩形平面狀的陶瓷綠薄片30A、30B、30C 與3〇D係積層且燒成—體以得到電容本體！2。然後，主要 Ιϋ·

2030-3677-PF.ptd 第14頁 觸孔34未1於第孔34構成於通孔32周圍對應於非接 賙札Μ禾δ又於第一内部電極"的位置。 484150

包括錄金屬的黏土被塗佈以將通孔32連接於内部電極14與 16沒有非接觸孔34的位置。 ” 最後’外部電極22與24係構成於電容本體12的兩平面 部12B。此時，可使兩電鍍或使用單一金屬，如鈒和銅‘。 另外，依照連接於基板的方法，可使用各型外部電極2 2與 其次，以前述實施例的變形之一例說明積層陶瓷晶片 包合* 1 0之生產。 一 ^變形實施例的電容係以各一對第一内部電極14與第 一内部，極16構成，即共四個内部電極14與16，交替地配 置於電谷本體12中。通過兩第二内部電極16的非接觸孔且 電性連接於兩第一内部電極14之第一通孔電極18，以及通 j兩第一内部電極14的非接觸孔且電性連接於兩第二内部 笔，16之第二通孔電極2〇係設置成圓柱狀，且垂直地延伸 而父又於内部電極14與1 6。

gί 一方面，第一通孔電極18以及第二通孔電極20的配 〃第一外部電極22以及第二外部電極24的配置係近似於 圖至第3圖所示的實施例，故在此省略其解釋。然而， 如第圖所不，本變形實施例之外部電極22與24之間的距 離係符合於MPU或其他積體電路（；[c)5〇之球網柵陣列 (BGA )端子52之間的距離。 、 本變形實施例之電容係一可立體安裝型，與如第工圖 至第3圖所示的積層陶瓷晶片電容1〇相同，且由其產品特 陘，可用以埋入如第4圖所示的—Mpu之立體結構的多層基

484150 五、發明說明（11) 板内，以做為1C電源的平滑電容。IC電源具有一未圖示之 與GND端子，且係設計成使得在立體地配置於基板 4中的焊墊5 6與58，高頻率電流係流向相反方向。 〇 口比V c c '"而子與第一外部電極2 2係經由焊墊5 6與路 程孔6 0連接，G N D端子鱼第-外邱雷％ 9 / 一 丁，、罘—外邻冤通24係經由焊熱58與 路程孔62連接，且一离痄去赍士 π , “ &二： 冋須τ電流從Vcc端子與GND端子流入 積層陶瓮晶片電容10。 其次，根據本實施例說明積層㈣晶片電容10的動 作0 在以陶瓷或其他誘電層積層而構成的電容太體中，平 面第-内部電極14與第二内部電極i 6係 面對且以陶瓷層12A分離。另外，通砰黛 己置成攸此 L r ^ r 通過弟一円部電極16之 非接觸孔且連接於第一内部電極1 4 M g ，Μ 电位i 4的弟一通孔電極1 8以及 通過第一内部電極14之非接觸孔且遠接 ，从 j礼且逑接於弟二内部電極16 的第二通孔電極20延伸交又於内部電極14與^。 另外，連接於第-通孔電極18的第一；電 接於第二通孔電極20的第二外部雷炻94在#座。p ^ π #冤極2 4係配置於雷衮大艚 12的兩平面部12Β成島狀。 ％。谷+篮 也就是，，四個第-外部電極22與第二外部電極24係 分別以一之字形配置於構成電容本體丨2表面的 ’、 12Β。另外，分別連接於兩型内部電極14與16之一 Η 面對的兩型通孔電極18與20以圓和妝你抓 圆仁狀攸外部電極2 2盥2 4延 伸於電容本體1 2的厚度方向。另外，巧ώ刑、s 力k兩型通孔雷；1¾ 1 8盥 20在通電時交替地變為正極與倉極，曰播炎b 电一H、 /、貝極，且做為與内部電極14

2030-3677-PF.ptd 第16頁 484150

與16平行配置於此一電容本體中的電極。 另外，在根據本實施例的積層陶瓷晶片電容丨〇中，舉 例而言，由於在以如第4圖所示的方式且立體地配置於基 板中的焊墊56與58，高頻率電流流向相反方向，故由&於 此高頻率電流，磁場彼此相消，且基板54的環路電感減 少。另外，也自然地產生立體基板54中焊墊56與“的長度 另一方面 同樣在積層陶瓷晶片電容1〇中 兩型圓，狀通孔電極18與20，產生上述磁場由於反 方向之兩頻率電流而彼此相消的立體效應。另外，由於正 負電流彼此平面地交叉於兩型内部電極14與16之間，積芦 陶瓷晶片電容10本身的寄生電感激減。 、曰 基於上述原因，在根據本實施例的積層陶瓷晶片電容 中，兩型通孔電極18與20係做成圓柱狀，且係交替地連批 於兩型内部電極14與16，使得電容可立體地安裝。因此， ί身的％路電感可立體地1減少、’且積層陶曼晶片電 谷、1，電感可由磁場相消效應平面與立體地減少。 注意習知中，圓柱狀電極由於製造上的問題，容易 =化使彳卞與外部電極的結合變得不穩定，且ESR容易變 ^由將如第1圖所示的通孔電極18與20之直徑D儘 1 ^ 、、，且增加通孔電極18與20的數量，可使結合更可 ^吉少讀。在此，下列表1顯示ESR的值與通孔電極 的直控D以及|吾μ M # 口。 ^ 曰>{雪θ 1 ΛΑ里的關係。另外，表1的資料係在積層陶-是 日日片電谷10的厚度為〇5_的場合所得。 艾

2030-3677-PF.ptd $ i7頁 484150 五、發明說明（13) 表1如下所示。 11札窀祛的盔徑 ESR («ιΩ ) 50 ^ 3 12 至 14 一— % 3至4 ICO 130 ---s Ί 13 至 1J5 200 ----8 0.71. ID 230 5〇 ] "^ 8 Ί 0.4 至 0j6 25 4 6 130 3 200 ^ 4 15 250 」 4 08 50 ^ 1 1 100 一^ 1 25 ___ 130 ^ 1 11 200 一 l δ 250 '1 4 在此，發熱程度係拫據積層陶曼晶片電容1 0的尺寸或 頻率而有所不同，但當積層電容在時脈頻率變局（例如1 仟兆赫（GHz)或更高）且電流變大（20安培或更大）時， 積層陶瓷電容10本身的ESR最好做成小於1 πιΩ。 因此，舉例而言，ESR由下列公式估計·· ESR = R + R(f) [ Ω] R= p*(L/S)*(l/N)[ Ω](1) 其中： R:内部電極的電阻（Ω) R(f):誘電損失（Ω )(依陶瓷材料） L :通孔電極的長度 S :通孔的截面積 P :内部電極的比電阻（Ω · m )

2030-3677-PF.ptd 第18頁 別4150 五、發明說明（14) 當積層陶兗晶片電容的厚度為0· 5mm時，由表1與前述 公式（1 )，若通孔18與20的直徑D做成1〇〇 或更小以使 ESR為1 m Ω或更小，則至少需要2 4個通孔電極i 8與2 〇。若 通孔1 8與2 0的直徑d做成1 5 0 // m或更小，至少需要十個通 孔電極18與20。若通孔18與2〇的直徑D做成2〇〇#ffi或更 小，至少需要八個通孔電極18與20。另外，若通孔18與2〇 的直徑D做成2 5 0 // m或更小，則四個就足夠了。然而，為 使ESL更低，通孔電極18與2〇的數量應該更多。另外，通 孔電極18與20之間的距離p可做成在imm以内。 ’ 當積層陶瓷晶片電容的厚度為薄的〇· 25_時，如公式 (1)所胃示，、電阻值也變為一半。在厚度〇5賴的場合，通孔 的數里或通孔電極直徑（截面積）可減半。 基於上述原因，由通孔電極18與2〇的數量以及直徑〇 與ESR之間的關係，考慮ESL的效應，通孔18與 ^ 至少為6。若產品厚度大於，則需要至少5〇H里直、 二另用ίϊ持ESL低，内部電極14與16以及通孔電極 “卞Ϊ:1ί 電阻與抗收縮的金屬材料較佳。例如 純鎳或鎳合金都很合適。 第二實施例 其次，請參見第5圖至第8圖，說明根據本發 電容的第二實施例。元件若與第一實施例中所曰 同，則使用相同的標號，且重複的說明將予以省略。 •如第5圖與第6圖所示，根據本發明第二實施例籍屏陶 瓷晶片電容1 〇係具有平面至立體地可安裝型的構造，^用

Hi 第19頁 484150 五、發明說明（15) 以平面地安裝或立體地安裝。 也就是說，如第7圖所示，構成導引部1 4 A，使得第一 内部電極1 4被引出至在陶瓷綠薄片3 0B左側面的一位置， 且被引出至分別在陶瓷綠薄片3 0 B前側面與後侧面的兩位 置。 另外，構成導引部1 6 A，使得第二内部電極1 6被引由 至在陶竟綠薄片3 0 D右側面的一位置，且被引出至分別在 陶免綠薄片3 0 D β側¢3與後側面的兩位置，在不鱼第一内 部電極14重疊的位置。

也就疋说，彼此面對的内部電極1 4盘1 6係由導I 14A與1 6A以彼此倒轉180度的方式^ ^^ 2弓^ 、谭成。這些導引部分別 被引出至六面體電容本體1 2的三側面〗2C。内部電極丨4的 =引部HA被引出之三側面12C以及内部電極16的導引部 重：。引出之二側面12C ’只在兩側面重疊，且在一側面不 另外，本實施例中，盘習知罝 極之電容陣列相同，引出势接於第有S內己^侧面的端子電 導引部m的第二端子電極42係配=匕= Γ2ΓΓ, 面1 2C。 i々、电谷本體1 2的四侧 由於上述原因’在本警絲>feil 24以及端子電極40與42，電極係配要由構成外部電極22與 積層陶瓷晶片電容10的所有六個面。於直方體六面體狀之 其次’根據第8圖，以前述實施例的變形之一例說明 五、發明說明（16) '一"' -------- 積層陶瓷晶片電容10之使用。 如第8圖所示，本變形實施例的電容僥以各一對第一 =電？14與第二内部電極1δ構成，”共四個内部電極i4 is偽铱^替地配置於電容本體12中。另外，第—通孔電極 邻：二Ϊ孔電極2〇的配置以及第一外部電極22與第二外 :Ρ:Ϊ24的配置係與如第5圖至第7圖所示的範例相同，故 -本瓷形貫施例的電容係與如第5圖至第7圖所示 型，、s陶是晶片電容1〇相同，為平面地與立體地可安裝 埜Q θ且由-產品特性係用以做為1C電源的平滑電容配置於如 ^ ^所不的多層基板之形態。也就是說，積層陶瓷晶片 〇係以將側面12C之端子電極4〇與42以焊接經由接合 連接於板54，且將下平面部12B之外部電極22與24 ;、一56與58的方式配置於基板54上。 法1C電源具有未圖示的Vcc端子與GNI)端子。高頻率電济 二:相反方向至立體地配置於基板54的焊墊56與58。另 第了外部電極22與第一端子電極40係經由焊墊56與銘 上二6^連接於VCC端子，而第二外部電極24與第二端子電 泣糸經由焊墊58與路程孔62連接於GND端子。高頻率電 抓攸』\端子與GND端子流向積層陶瓷晶片電容1 0的内部c ，、次’根據本實施例說明積層陶瓷晶片電容1 〇之作 用〇 Γ 例中本實施例係與第一實施例結構相似。然而，在本實施 構成六面體狀之電容本體丨2的四側面丨2C係分別具

第21頁 484150 五、發明說明（17) 有端子電極40盘4?。η αλ： .. ®19Γ^ ^ ^ 另外，第一内部電極14係連接於三側 、一端子電極40，而第二内部電極16係連接於包 括剩餘側：m之三侧面i 2C的第二端子電極42。 ' 也就是說，面對的内部電極14與16被引出至雷容本_ 12的側面12C，其中内部電極14與16係彼此倒轉例如 又另外，與具有配置於側面之端子電極的習知雷容鱼 相同，端子電極40與42係配置於電容本體12的側面&，，歹】 且被引出的内部電極14與16係連接於端子電極“與“。 ^由於上述原因，外部電極22與24以及端子電極4〇與42 係構成於直方形六面體之積層陶瓷晶片電容1〇的全部六個 ί: i:f體地與平面地安裝。因此，當提供高頻率電流 至1子電極40與42，使得側面12C的端子電極4〇與42交替 地變為正負，且提供高頻率電流至兩型外部電極Μ盥24， 使得他們交替地變為正負時，交互相反方向的電流：至圓 柱狀通孔電極18與20且交叉，而使得連接於端子電極4〇與 42以及通孔電極18與20的内部電極丨4與16變為正負極，且 寄生電感更因而減少。 因此，根據本實施例，由於端子電極4〇盥42係於 面12C ,ESL相對於根據第一實施例的積層陶竟晶片電容1〇 可更減少。， 力一方面，如前述實施例所述，由引出内部電極1 4與 16於積層陶究晶片電容1〇的側方向，也可使ESR更低。也 就是說’即使通孔電極1 8與20的數量在前述的六個以下， 且直徑不大於50 ，由引出内部電極14與16於側面12C，

2030-3677-PF.ptd 第22頁 '發明說明（18) $連接内部電極14與16至端子電極40與42，可使ESR不超 ^1 m Q。在此一場合，產品的厚度效應可忽略。 係另外，在第一實施例中，彼此面對的内部電極1 4與1 6 =構成引出至電容本體12的三側面12(：，但是，如第9圖所 第一内部電極14與第二内部電極16可連接成引出至四 另外，在第二實施例的配置中，甴於基板的 大，☆使用方法應該由基板的尺寸以及裝置的= 用以月已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非 發明’任何熟習此項技藝*，在不脫離本ίί 之保護矿2圍内，仍可作些許的更動與潤飾，因此太發明 建轨圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準^月

Claims (1)

1. 六、申請專利範圍 1 · 一種積層電容，包括： 電容本體=了 Θ部電極’配置於由堆疊誘電層形成之- 極，：：：ΐ: ί 電極，配置成面對前述第-内部電 一^刖述包今本體内之前述誘電層分離； 且延伸交叉於前述 内部電極，益通過 且延伸交叉於前述 前、第通孔電極，連接於前述第一内部雷極，並通逍 ^逃弟二㈣電極之—第二非衫孔- 亚通過 為一内部電極與前述第二内部電押； 一第二通孔電極，連# 前述第一内部電極之—=接於别述弟 第-内部電極與前述鱼c孔 第一外部電極遠i—内部電極， 島狀於前述電容本體=前述第一通孔電極，且配置成 第二外部電極，=表面上；以及 島狀於前述電容本，^砑述第二通孔電極，且配置成 9 l 士士 之兩表面上。 •如申‘專利範圍第i 第一外部電極與前述第二員所述之積層電容，其中前述 之前述表面上，使得前述=電極係配置於前述電容本體 極係彼此鄰接，且配 部電極與 3.如申請專利範圍第^外部電 % 前述電容本體#β項所逑+ 奴數線。 ^ _ 糸形成〜六而之積層電容，苴由· 連接於前述第一内部、面靉； 谷t · · 端子電極係形成於前 連接於前述第二内部電：及

   2030-3677-PF.ptd 述電容本體的至少三側面Γ極之第 端子電極係形成於育 484150 六、申請專利範圍 述電容本體的至少三側面。 4. 如申請專利範圍第1項所述之積層電容，其中前述 第一通孔電極以及前述第二通孔電極係甴鎳或鎳合金構 成。 5. 如申請專利範圍第4項所述之積層電容，其中前述 第一内部電極以及前述第二内部電極係由鎳或鎳合金構 成。 6. 如申請專利範圍第2項所述之積層電容，其中前述 電容本體的厚度係至少〇. 2mm，前述第一通孔電極與前述 第二通孔電極的直徑係至少50 /zm，且前述第一通孔電極 與前述第二通孔電極的總數係至少6個。

   2030-3677-PF.ptd 第25頁