Aus
der Druckschrift
JP03060148 ist
ein laminiertes LCR-Element bekannt, bei dem in einem Stapel von übereinandergelegten
Schichten eine Kapazität
zwischen zwei Elektrodenschichten vorgesehen ist. Zur Kontaktierung
der Elektrodenschichten sind diese bis an den Rand des Schichtstapels
geführt,
wobei an den Stirnflächen
des Bauelementekörpers
Außenkontakte
angeordnet sind.
Aus
der Druckschrift
JP2000226689A ist
ein Bauelement bekannt, bei dem in einem Vielschichtstapel innenliegende
Elektrodenschichten kontaktiert sind, sowohl durch seitliche Außenelektroden
als auch durch auf der Oberseite des Bauelements angebrachte Lotkugeln.
Es
ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein elektrisches Bauelement
anzugeben, das wenig Platz beansprucht.
Diese
Aufgabe wird gelöst
durch ein Bauelement nach Patentanspruch 1. Vorteilhafte Ausgestaltungen
des Bauelements sowie eine Schaltungsanordnung mit dem Bauelement
sind Gegenstand der weiteren Patentansprüche.
Es
wird ein elektrisches Bauelement angegeben, bei dem ein Stapel aus übereinanderliegenden
keramischen Schichten vorgesehen ist. Vorzugsweise sind zwischen
keramischen Schichten Elektrodenschichten vorgesehen. Die Elektrodenschichten können wenigstens
einen Kondensator bilden.
Des
weiteren ist es vorteilhaft, wenn die übereinanderliegenden keramischen
Schichten einen Grundkörper
bilden, wobei auf der äußeren Oberfläche des
Grundkörpers
Kontaktflächen
angeordnet sind.
Neben
dem mindestens einen Kondensator ist vorteilhafterweise in dem Bauelement
noch eine weitere elektrische Funktion in Form eines Phasenschiebers
integriert. Der Phasenschieber ist dabei auf einer keramischen Schicht
aufgebracht.
Die
Elektrodenschichten sind ferner mittels im Inneren des Grundkörpers verlaufender
Durchkontaktierungen mit den Kontaktflächen elektrisch leitend verbunden.
Das
hier angegebene Bauelement macht sich die Grundidee zunutze, wonach
in einem elektrokeramischen Vielschichtbauelement Kondensatoren
integriert sind. Indem die Kondensatoren mittels Durchkontaktierungen
nach außen
kontaktiert werden, können
zum einen parasitäre
Einflüsse,
die sich nachteilig auf die Funktion bzw. die Eigenschaften des
Bauelements auswirken, weitgehend eliminiert werden. Darüber hinaus
gelingt mittels der Durchkontaktierungen auch eine äußerst platzsparende Kontaktierung
des Bauelements.
Indem
neben den Kondensatoren noch wenigstens ein weiterer Phasenschieber
integriert ist, können
besonders vorteilhaft Filterbauelemente realisiert werden. Dabei
weist das Filter bauelement mit dem Kondensator und dem Phasenschieber
zwei elektrische Grundkomponenten auf, die in einander entgegengesetzte
Richtungen die Phase eines Wechselstromsignals wie drehen. Dadurch
können Filter
mit guten Eigenschaften z.B. hohe Einfügedämpfung bzw. breitbandiger Filtercharakteristik
aufgebaut werden. Der Phasenschieber dreht dabei die Phase zwischen
Spannung und Strom in eine entgegengesetzte Richtung als der Kondensator.
Beispielsweise dreht der Kondensator die Phase in die positive Richtung,
während
der Phasenschieber die Phase in die negative Richtung dreht.
Indem
der Phasenschieber auf eine keramische Schicht aufgebracht ist,
kann der Phasenschieber in das Bauelement so integriert werden,
dass wenig Platz verbraucht wird. Die Verbindung des Kondensators
mit Kontaktflächen
auf einer äußeren Oberfläche des
Grundkörpers
ermöglicht
die einfache und bequeme Kontaktierung des Bauelements, beispielsweise
auf einer Platine.
In
einer vorteilhaften Ausführungsform
des Bauelements kann der Phasenschieber durch einen Widerstand oder
durch eine Induktivität
repräsentiert sein.
Besonders vorteilhaft kommt es in Betracht, den Phasenschieber als
Schichtwiderstand auszuführen. Ein
solcher Schichtwiderstand kann besonders platzsparend durch Aufbringen
auf eine keramische Schicht in das Bauelement integriert werden.
In
einer besonders vorteilhaften Ausführungsform des Bauelements
bestehen alle keramischen Schichten aus dem gleichen Material. Dadurch kann
erreicht werden, dass das Bauelement besonders leicht durch gemeinsame
Sinterung keramischer Grünfolien
hergestellt werden kann. Auf eine eventuelle Anpassung im Schwundverhalten
muss in diesem Fall nicht geachtet werden.
In
einer anderen Ausführungsform
des Bauelements ist es vorgesehen, dass alle keramischen Schichten
eine elektrische Funktionskeramik enthalten. Unter dem Begriff „Elektrische
Funktionskeramiken" sind
Materialien zu verstehen, die z.B. bei der Realisierung von Kondensatoren
eine hohe Dielektrizitätskonstante
oder beispielsweise bei der Realisierung von Varistoren eine geeignete
Spannungsabhängigkeit
ihres Widerstandes zur Verfügung
stellen. Funktionskeramiken haben im Sinne des hier beschriebenen
Bauelements vor allem die Eigenschaft, dass sie neben der mechanischen
Trägerfunktion, die
dem Bauelement seine mechanische Stabilität verleiht und die darüber hinaus
Elektrodenschichten oder andere elektrisch leitfähige Elemente trägt, noch
wenigstens eine elektrische Funktion zur Verfügung stellen. Die Spannungsabhängigkeit
des elektrischen Widerstandes oder die Dielektrizitätskonstante
wurden bereits genannt.
Es
kommen aber auch andere Materialeigenschaften in Betracht, die aus
einem gewöhnlichen,
als Träger
verwendeten Keramikmaterial eine elektrische Funktionskeramik machen
können.
Insbesondere kommen in Betracht eine Temperaturabhängigkeit
des elektrischen Widerstands, eine Temperaturabhängigkeit der Dielektrizitätskonstante
oder weitere ähnliche
Eigenschaften. Insbesondere sind für die vorliegende Erfindung
Materialien interessant, die für
die Realisierung von Kondensatoren, Varistoren oder Induktivitäten benötigt werden.
Darüber hinaus
ist ein Bauelement vorteilhaft, bei dem die Kontaktierung der Elektrodenschichten
und der Phasenschieber ausschließlich über die Kontaktflächen erfolgt.
Die Kontakt flächen befinden
sich auf einer Außenseite
des Grundkörpers,
vorzugsweise auf der Ober- oder Unterseite des Grundkörpers, wobei
die Kontaktflächen über Durchkontaktierungen
kontaktiert werden. Diese Ausführungsform
des Bauelements hat den Vorteil, dass eine besonders platzsparende
Kontaktierung erfolgen kann. Darüber
hinaus hat diese Ausführungsform
den Vorteil, dass auf seitlich am Grundkörper aufzutragende Außenkontakte
verzichtet werden kann, wodurch die insgesamt für die Kontakte benötigte Fläche drastisch
reduziert wird, was die Störanfälligkeit
des Bauelements sowie parasitäre
Kapazitäten
und Induktivitäten
drastisch reduzierer kann.
In
einer anderen Ausführungsform
des Bauelements sind die Elektrodenschichten und die Phasenschieber
in verschiedenen Ebenen angeordnet. Vorteilhafterweise sind die
Elektrodenschichten und die Phasenschieber übereinander angeordnet. Dadurch
kann der Vorteil erreicht werden, dass nur relativ wenig Grundfläche für den Aufbau
des Bauelements verbraucht wird. Insbesondere bei sehr raumkritischen
Anwendungen sind solche Bauelemente vorteilhaft einzusetzen.
In
einer besonders vorteilhaften Ausführungsform kann das Bauelement
so gestaltet werden, dass der Bedarf an Grundfläche für den Grundkörper nur
noch begrenzt ist durch die erforderliche Kapazität bzw, durch
den erforderlichen elektrischen Widerstand oder die erforderliche
Induktivität.
Darüber
hinaus ist die Grundfläche
bei Integration mehrerer Kondensatoren, die nebeneinander im Bauelement
liegen, noch begrenzt durch die Anzahl der Kondensatoren.
Eine
Durchkontaktierung hat ganz allgemein die Eigenschaft, dass sie
die Oberseite einer keramischen Schicht mit deren Unterseite elektrisch
leitend verbindet und zu diesem Zweck durch die keramische Schicht
in Dickenrichtung durchläuft.
Eine Durchkontaktierung kann beispielsweise hergestellt werden,
indem die keramische Schicht mit einem Loch versehen wird, welches
mittels leitfähiger
Paste gefüllt
wird. Die Durchkontaktierung kann auch im Prozess der Gemeinsamsinterung
während
der Sinterung des Stapels von keramischen Schichten mitbearbeitet
werden.
In
einer anderen Ausführungsform
des Bauelements bilden die Kondensatoren und die Phasenschieber
eine Filterschaltung. Insbesondere ist es vorteilhaft, wenn die
Verschaltung der am Filter beteiligten Elemente im Inneren des Grundkörpers erfolgt. Hier
können
beispielsweise die Durchkontaktierungen besonders hilfreich eingesetzt
werden.
In
einer anderen Ausführungsform
des Bauelements ist im Zentralbereich der äußeren Oberfläche eine
gemeinsame Kontaktfläche
angeordnet, die mit einer oder mehreren Elektrodenschichten verbunden
ist. Die Verbindung der gemeinsamen Kontaktfläche mit der oder den Elektrodenschichten
erfolgt dabei vorzugsweise wieder durch eine Durchkontaktierung.
Die mit der gemeinsamen Kontaktfläche verbundenen Elektrodenschichten
bilden gemeinsame Elektroden für
mehrere Kondensatoren. Dies bedeutet, dass die gemeinsamen Elektroden die
Gegenelektroden für
verschiedene Kondensatoren bilden können.
In
einer anderen Ausführungsform
des Bauelements ist eine symmetrische Gestaltung vorgesehen. Dabei
ist das Bauelement symmetrisch zu einer Ebene gebildet, die durch
die gemeinsame Kontaktfläche
läuft.
In diesem Fall bildet die gemeinsame äußere Kontaktfläche einen
Symmetriepunkt, und das Bauelement kann um diesen Symmetriepunkt
herum symmetrisch aufgebaut werden, was den Vorteil einer besonders
einfach herzustellenden Gestaltung hat.
In
einer besonders vorteilhaften Ausführungsform des Bauelements
ist ein Phasenschieber als Schichtwiderstand oder als Schichtinduktivität ausgebildet.
Auch können
sämtliche
Phasenschieber als Schichtwiderstand ausgebildet sein. Es ist auch möglich, eine
Phasenschieber als Schichtwiderstand und andere Phasenschieber als
Schichtinduktivitäten auszubilden.
Die
Induktivität
kann dabei als mehrfach gekrümmte
elektrisch leitfähige
Bahn, z.B. in Form eines Mäanders
oder einer Spirale vorliegen.
In
einer anderen Ausführungsform
des Bauelements ist eine Vielzahl von Filtern integriert. Diese Ausführungsform
hat den Vorteil, dass sich der platzsparende Effekt noch vergrößert. Dies
kann beispielsweise realisiert werden, indem mehrere Kondensatoren
die gemeinsamen Elektroden nutzen.
In
einer anderen Ausführungsform
des Bauelements wird ein breitbandiges Filter für elektromagnetische Interferenzen
gebildet. Ein solches Filter kann beispielsweise Frequenzbereiche
zwischen 800 MHz und 2500 MHz filtern. Es ist jedoch auch möglich, mit
dem hier beschriebenen Bauelement Filter gegen elektromagnetische
Interferenzen (RFI-Filter) aufzubauen, die Frequenzen bis hinunter
in den kHz-Bereich filtern.
In
einer anderen Ausführungsform
des Bauelements können
ein oder mehrere Varistoren enthalten sein. Varistoren haben den
Vorteil, dass sie den Aufbau von ESD-Filtern ermöglichen (ESD = „Electro-Static
Discharge"). Varistoren
sind dadurch ausgezeichnet, dass sie einen spannungsabhängigen Widerstand
auf weisen. Sie können
im Rahmen des hier beschriebenen Bauelements beispielsweise dadurch
realisiert werden, dass zwischen zwei Elektrodenschichten eine keramische
Schicht angeordnet ist, die ein Varistormaterial enthält. Dadurch
erhält man
aus den beiden Elektrodenschichten ein Bauelement, das eine Parallelschaltung
aus einem Varistor und einem Kondensator darstellt.
In
einer anderen Ausführungsform
des Bauelements ist es vorgesehen, dass eine gemeinsame Elektrodenschicht
an vier verschiedenen Bereichen von weiteren Elektrodenschichaen über lappt
ist. Mit Hilfe einer solchen Ausführungsform können vier
verschiedene Kondensatoren besonders platzsparend in ein Bauelement
der hier beschriebenen Art und Weise integriert werden.
In
einer anderen Ausführungsform
des Bauelements können
mehrere gleiche Filter integriert sein.
In
einer anderen Ausführungsform
des Bauelements können
mehrere verschiedene Filter integriert sein.
Als
gleiche Filter werden in diesem Zusammenhang diejenigen Filter bezeichnet,
bei denen die Verschaltung der elektrischen Komponenten gleich ist
und bei denen die elektrischen Komponenten im wesentlichen dieselben
Kenndaten aufweisen.
In
einer anderen Ausführungsform
kann ein Schichtwiderstand zwischen zwei keramischen Schichten angeordnet
sein. Bei dieser Ausführungsform
wäre zu
beachten, dass als Material für
den Schichtwiderstand vorzugsweise ein Material in Betracht kommt,
das mit den beteiligten keramischen Schichten gemeinsam gesintert
(co-fired) werden kann. Insbesondere im Hin blick auf Varistorkeramiken
ist es in diesem Fall vorteilhaft, für den Schichtwiderstand eine
auch für
die Elektrodenschichten verwendete metallhaltige Paste zu verwenden.
Um relativ hohe Widerstandswerte zu erzielen, ist es dann vorteilhaft,
den Schichtwiderstand in Form einer mehrfach gekrümmten Bahn
auszuführen.
Mit Hilfe einer solchen mehrfach gekrümmten Bahn können Widerstände zwischen
0,1 und 50 Ω realisiert
werden. Ein solches Bauelement ist besonders dort vorteilhaft einzusetzen,
wo geringe Verlustleistungen und mithin geringe Widerstände gewünscht sind.
In
einer anderen Ausführungsform
ist der Schichtwiderstand auf einer Außenseite einer keramischen
Schicht angeordnet. In diesem Fall besteht eine größere Auswahlmöglichkeit
für die
Materialien des Schichtwiderstandes, da bei Anbringen des Schichtwiderstandes
auf einer Außenseite
einer keramischen Schicht eine gemeinsame Sinterung nicht mehr unbedingt
erforderlich ist. In diesem Fall kann auch besonders die bei Verwendung
von üblicherweise
für hohe
Widerstände
benutzten Materialien wie beispielsweise RuO2 bestehende
Gefahr von Schädigungen
der Keramik sehr stark vermindert werden. Eine solche Gefahr besteht
besonders bei Varistorkeramiken. In diesem Fall würde man
zuerst den Stapel von übereinanderliegenden
keramischen Schichten entbindern und anschließend sintern. Erst bei der
Durchführung
des letzten Temperaturschritts wird der Schichtwiderstand aufgetragen.
Eine Schädigung
der keramischen Schichten durch das Material des Schichtwiderstandes
ist aufgrund der im letzten Temperaturschritt auftretenden moderaten
Temperaturen nicht mehr möglich.
Mit Hilfe eines solchen auf einer Außenseite einer keramischen
Schicht bzw. auf einer Außenseite
des Grundkörpers
aufgetragenen Schichtwiderstandes lassen sich Widerstandswerte zwischen
0,05 und 100 kΩ oder
sogar noch darüber
realisieren. Diese Ausführung ist
insbesondere bei Filteranwendungen von Vorteil, bei denen eine Impedanzanpassung
erforderlich ist. Der an der Oberfläche aufgebrachte Schichtwiderstand
kann durch nachträglich
aufgebrachte isolierende Schutzschichten bedeckt sein.
In
einer anderen Ausführungsform
des Bauelements ist es vorgesehen, dass die Grundfläche des
Grundkörpers
kleiner als 2,5 mm2 beträgt. Die Grundfläche ist
dabei die Fläche
der Ober- bzw. Unterseite des Grundkörpers, die parallel zu den
keramischen Schichten liegen und von denen eine die Kontaktflächen trägt. In diesem
Fall sind wenigstens vier Kondensatoren und zwei Phasenschieber
integriert.
In
einer anderen Ausführungsform
des Bauelements beträgt
die Grundfläche
des Grundkörpers weniger
als 5,12 mm2. In diesem Fall sind mindestens
acht Kondensatoren und mindestens vier Phasenschieber integriert.
In
einer anderen Ausführungsform
des Bauelements beträgt
die Grundfläche
des Grundkörpers weniger
als 8 mm2. In diesem Fall sind acht, zehn, zwölf oder
sogar mehr Kondensatoren integriert. Ferner sind mindestens vier
Phasenschieber integriert.
In
einer anderen Ausführungsform
des Bauelements weisen sämtliche
im Grundkörper
integrierten Kondensatoren die gleiche Kapazität auf. Ferner weisen sämtliche
integrierte Phasenschieber die gleiche elektrische Kennzahl auf.
Beispielsweise würden sämtliche
integrierte Widerstände
den gleichen Widerstand aufweisen. Sämtliche integrierte Induktivitäten würden die
gleiche Induktivität
aufweisen.
In
einer anderen Ausführungsform
des Bauelements sind wenigstens zwei Kondensatoren integriert, die
unterschiedliche Kapazitäten
aufweisen. Darüber
hinaus sind wenigstens zwei Phasenschieber integriert, die unterschiedliche
Kennzahlen aufweisen. Beispielsweise sind zwei Widerstände integriert,
die unterschiedliche Widerstände
aufweisen. Darüber
hinaus können
auch zwei Induktivitäten
integriert sein, die unterschiedliche Induktivitäten aufweisen.
In
einer anderen Ausführungsform
des Bauelements ist als Material für die keramischen Schichten
ein Kondensatormaterialvorgesehen. Insbesondere kommen als Kondensatormaterialien
in Betracht: COG-, X7R-, Z5U-, Y5V- oder HQM-Materialien. Dabei
handelt es sich um ein- oder mehrphasige Oxidsysteme mit spezifischer
Charakteristik. Die Verwendung von Kondensatormaterialien kommt
insbesondere in Betracht, wenn ein EMI-Breitbandfilter realisiert
werden soll.
In
einer anderen Ausführungsform
des Bauelements ist als Material für die keramischen Schichten
eine Varistorkeramik vorgesehen. In diesem Fall kann insbesondere
ein ESD-Filter realisiert werden. Insbesondere kommen als Materialsysteme
in Betracht: ZnO-Bi sowie ZnO-Pr.
In
einer anderen Ausführungsform
des Bauelements ist als Material für die Elektrodenschichten ein
Material vorgesehen, das eines oder mehrere Materialien aus der
folgenden Menge von Materialien enthält: Silber, Palladium, Platin,
Silber-Palladium-Legierungen,
Silber-Platin-Legierungen, Kupfer, Nickel.
Diese
Materialien haben den Vorteil, dass sie eine gute elektrische Leitfähigkeit
aufweisen. Darüber
hinaus sind sie zusammen mit einer geeigneten Paste auch gemeinsam
mit den vorzugsweise hier verwendeten keramischen Schichten sinterbar.
In
einer anderen Ausführungsform
des Bauelements ist als Material für Schichtwiderstände ein Material
vorgesehen, das eines oder mehrere Elemente der folgenden Menge
von Materialien enthält: Silber,
Palladium, Platin, Silber-Palladium, Silber-Platin, Silber-Palladium-Platin.
Diese
Materialien haben den Vorteil, dass sie mit den vor- zugsweise hier
verwendeten Materialien für
die keramischen Schichten gemeinsam sinterbar sind, und dass sie
die hier beschriebenen Varistorkeramiken bei der gemeinsamen Sinterung
nicht schädigen.
In einer anderen Ausführungsform
des Bauelements ist als Material für den Schichtwiderstand, insbesondere
für einen
auf der Oberfläche
des Grundkörpers
liegenden Schichtwiderstand, ein Material vorgesehen, das eines
oder mehrere Elemente der folgenden Menge von Materialien enthält: RuO2, Bi2Ru2O7, C, Ti2N, LaB6, WO2, Al2O3 sowie diverse PbO-Verbindungen.
In
einer anderen Ausführungsform
des Bauelements bilden in das Bauelement integrierte Bestandteile
ein RC-Filter, ein T-Filter
oder ein Π-Filter.
In
einer anderen Ausführungsform
des Bauelements bilden in das Bauelement integrierte Bestandteile
ein ESD-Filter.
In
einer anderen Ausführungsform
des Bauelements sind sämtliche
keramischen Schichten aus einem einheitlichen Keramikmaterial aufgebaut.
Es
wird darüber
hinaus eine Schaltungsanordnung mit dem Bauelement angegeben, wobei
das Bauelement so ausgebildet ist, dass es zwei Filter enthält, und
wobei das Bauelement zwischen einen Verstärker und einen Lautsprecher
geschaltet ist.
Im
Folgenden werden das Bauelement und eine Schaltungsanordnung anhand
von Ausführungsbeispielen
und den dazugehörigen
Figuren näher
erläutert.
1 zeigt ein Bauelement in
einem schematischen Querschnitt.
2 zeigt eine Schnittansicht
des Bauelements aus 1 durch
die mit II-II bezeichnete Schnittebene.
3 zeigt eine Schnittansicht
des Bauelements aus 1 durch
die mit III-III bezeichnete Schnittebene.
4 zeigt eine Schnittansicht
des Bauelements aus 1 durch
die mit IV-IV bezeichnete Schnittebene.
5 zeigt eine Schnittansicht
des Bauelements aus 1 durch
die mit V-V bezeichnete Schnittebene.
6 zeigt eine perspektivische
Darstellung des Bauelements aus 1.
7 zeigt ein Ersatzschaltbild
der in den 1 bis 6 dargestellten Bauelemente.
8 zeigt ein weiteres Ersatzschaltbild
entsprechend einem Teil von 7.
9 zeigt ein weiteres Bauelement
in einem schematischen Querschnitt.
10 zeigt eine Draufsicht
auf ein weiteres Bauelement.
11 zeigt eine Schaltungsanordnung
mit dem Bauelement in einer schematischen Darstellung.
12 zeigt eine schematische
Schnittansicht eines weiteren Bauelements.
13 zeigt eine Schnittansicht
des Bauelements aus 12 durch
die mit XIII-XIII bezeichnete Ebene.
14 zeigt ein Ersatzschaltbild
für ein
Filter aus dem Bauelement nach 12.
15 zeigt ein Ersatzschaltbild
für das Bauelement
aus 12.
16 zeigt ein weiteres Bauelement
in einer schematischen Schnittansicht.
17 zeigt eine Draufsicht
auf das Bauelement nach 16.
18 zeigt eine Schnittansicht
eines weiteren Bauelements.
19 zeigt eine Draufsicht
auf das Bauelement aus 18.
20 zeigt ein Ersatzschaltbild
für einen Teil
des Bauelements aus 18.
21 zeigt eine schematische
Schnittansicht eines weiteren Bauelements.
22 zeigt ein Ersatzschaltbild
für das Bauelement
aus 21.
Dabei
sind gleiche Elemente oder Elemente mit den gleichen Funktionen
bzw. der gleichen Struktur durch gleiche Bezugszeichen bezeichnet.
1 zeigt ein Bauelement in
einem schematischen Querschnitt. Das Bauelement umfasst einen Grundkörper, der
gebildet ist aus keramischen Schichten 1, 11, 12.
Keramische Schichten 1 sind übereinandergestapelt und durch
einen gemeinsamen Sinterungsprozess miteinander verbunden bzw. miteinander
versintert. Ebenfalls mit den keramischen Schichten 1 durch
gemeinsames Sintern verbunden ist die oberste keramische Schicht 11 sowie die
unterste keramische Schicht 12 des Stapels. Zwischen keramischen
Schichten 1 sind Elektrodenschichten 21, 22, 23 angeordnet.
Die Elektrodenschichten 21 bilden einen Stapel von übereinanderliegenden
Elektrodenschichten 21. Sie sind durch eine Durchkontaktierung 71 gemeinsam
mit einer an der Oberseite des Bauelements liegenden Kontaktfläche 61 elektrisch
leitend verbunden.
Die
Durchkontaktierung 71 sowie die Kontaktfläche 61 und
der Masseanschluss GND, der in dem Beispiel aus 1 als Lotkugel ausgebildet ist, ist gestrichelt
dargestellt, d. h. dass sich diese Elemente nicht in der Schnittebene
sondern dahinter befinden. Sie sind lediglich zur Verdeutlichung
zu sätzlich
zu den Elementen, die im Schnitt sichtbar sind, dargestellt.
Die
Elektrodenschichten 21 bilden dabei zusammen mit den Elektrodenschichten 22 und
den Elektrodenschichten 23, die auf gegenüberliegenden Seiten
der Durchkontaktierung 71 angeordnet sind, jeweils einen
Kondensator 32, 33. Die dem Kondensator 32 zugehörenden Elektrodenschichten 22 sind mittels
der Durchkontaktierung 72 mit einer Kontaktfläche 62 verbunden,
die auf der Oberseite des Bauelements angeordnet ist.
In ähnlicher
Art und Weise sind die Elektrodenschichten 23 mittels der
Durchkontaktierung 73 mit einer Kontaktfläche 63 auf
der Oberseite des Bauelements verbunden.
Die
Kontaktflächen 61, 62, 63 können mit Lotkugeln
bestückt
sein, um Anschlüsse
A1, A3 und GND zu
bilden. Zu beachten ist in diesem Zusammenhang, dass die Elektrodenschichten
nicht bis zum Rand des Bauelements herausgeführt sind, da eine Kontaktierung
von den Seitenflächen
des Grundkörpers
her nicht erforderlich ist. Die Kontaktierung erfolgt vielmehr ausschließlich über Durchkontaktierungen 71, 72, 73.
Diese Durchkontaktierungen 71, 72, 73 verlaufen
senkrecht zu den keramischen Schichten 1, 11, 12.
Im
unteren Bereich des Grundkörpers,
in einer Ebene, die verschieden ist zu allen Ebenen, in denen eine
Elektrodenschicht 21, 22, 23 angeordnet ist,
ist ein Phasenschieber 41 angeordnet. In dem Beispiel aus 1 hat der Phasenschieber 41 die Form
eines Schichtwiderstands 81. Der Schichtwiderstand 81 ist,
wie in 5 zu erkennen
ist, in Form einer mehrfach gekrümmten
Bahn ausgeführt.
Kontaktiert ist der Schichtwiderstand 81 mit denselben Durchkontaktierungen 72, 73,
die auch die Elektrodenschichten 22, 23 kontaktieren.
Indem die Durchkontaktierungen 72, 73 sowohl zur
Kontaktierung der Elektrodenschichten 22, 23 als
auch zur Kontaktierung des Schichtwiderstands 81 benutzt
werden, kann der Platzbedarf des Bauelements vorteilhaft reduziert
werden, da für
den Schichtwiderstand 81 keine zusätzlichen Kontaktierungen erforderlich
sind. Der Schichtwiderstand 81 kann genauso gut auch im oberen
Bereich des Grundkörpers
angeordnet sein.
Der
in 1 gezeigte Schichtwiderstand 81 ist
angeordnet zwischen zwei keramischen Schichten 1. Daher
ist es besonders vorteilhaft, wenn der Schichtwiderstand 81 aus
einem Material besteht, das zusammen mit den keramischen Schichten 1, 11, 12 gemeinsam
gesintert werden kann. Hierfür
kommt es insbesondere in Betracht, ein Material zu verwenden, das
auch für
die Elektrodenschichten 22, 21, 23 verwendet
wird. Es kann beispielsweise Silber, Palladium oder auch ein anderes,
weiter oben beschriebenes geeignetes Material sein.
Die
Lotkugeln in 1 sind
nicht unbedingt erforderlich, man könnte sie auch weglassen und
die Kontaktierung lediglich mittels der Kontaktflächen 61, 62, 63 vornehmen.
Die
Schichten 21 und 22 bzw. 21 und 23 bilden
jeweils Vielschichtkondensatoren.
2 zeigt einen Querschnitt
durch ein Bauelement nach 1,
wobei durch die Fläche
des Quadrats die Grundfläche
a des Bauelements angezeigt wird. Diese Grundfläche a beträgt in dem Beispiel von 2 weniger als 2,5 mm2, typischerweise 1,37 mm2,
und entspricht damit der Bauform 0505.
In 2 ist noch ein Schnitt bezeichnet
mit I-I, was die Ebene des Schnitts von 1 anzeigt. Es sind dargestellt die Durchkontaktierungen 72, 73, 74, 75,
welche jeweils ein Bündel
von Elektrodenschichten mit einer Kontaktfläche auf der Oberseite des Bauelements
verbindet. Dabei kontaktiert die Durchkontaktierung 72 die
Elektrodenschichten 22, die Durchkontaktierung 73 die
Elektrodenschichten 23, die Durchkontaktierung 74 die
Elektrodenschichten 24 und die Durchkontaktierung 75 die
Elektrodenschichten 25. Zu beachten ist, dass auch in 2, wie in allen anderen
folgenden Figuren, Elemente, die nicht in der jeweiligen schnittebene
liegen, durch gestrichelte Konturen angedeutet sind. Es ist in 2 noch die Elektrodenschicht 21 dargestellt,
die gemäß 1 mit der gemeinsamen Kontaktfläche 61,
welche den GND-Anschluss
bildet, kontaktiert ist. 2 zeigt,
wie eine gemeinsame Elektrodenschicht 21 von vier zu unterschiedlichen
Kondensatoren gehörenden
Elektrodenschichten 22, 23, 24, 25 überlappt
wird. Diese Darstellung zeigt auch das sehr kompakte Konzept, mit
dessen Hilfe vier Kondensatoren platzsparend in ein einziges Bauelement
integriert werden können.
3 zeigt weitere Elektrodenschichten 22, 23, 24, 25,
welche mit den entsprechenden Durchkontaktierungen 72, 73, 74, 75 verbunden
sind. In der Mitte von 3 ist
auch die Durchkontaktierung 71 dargestellt. Aus 3 geht auch hervor, dass
die Elektrodenschichten, die jeweils zu einer anderen Durchkontaktierung
gehören,
einander nicht überlappen.
Sie überlappen
jeweils nur mit einer gemeinsamen Elektrodenschicht 21,
wie es aus 2 ersichtlich
ist.
4 zeigt eine gemeinsame
Elektrodenschicht 21, welche durch die gestrichelt dargestellten Elektrodenschichten 22, 23, 24, 25 überlappt
wird.
5 zeigt Schichtwiderstände 81, 82,
welche Phasenschieber 41, 42 bilden und welche
im unteren Bereich des Bauelements angeordnet sind. Jeder Schichtwiderstand 81, 82 weist
die Form einer mehrfach gekrümmten
Bahn auf, durch die auch bei Verwendung relativ gut leitender Materialien
noch ein brauchbarer elektrischer Widerstand erzeugt werden kann,
indem die Bahn durch die mehrfache Krümmung und die dadurch auch
bei beengten Platzverhältnissen
erzielbare große
elektrische Leitungslänge
und durch die gleichzeitige geringe Breite einen hohen Widerstand
aufweist.
6 zeigt das Bauelement aus 1 in einer perspektivischen
Darstellung, wo Außenanschlüsse A1, A2, A3,
A4 sowie ein Masseanschluss GND gezeigt
sind. Die Anschlüsse
befinden sich dabei auf der Oberfläche des Bauelements.
Beispielsweise
bildet die unterste keramische Schicht 12 mit ihrer Unterseite
die Grundfläche des
Grundkörpers.
Dann bildet die oberste keramische Schicht 11 mit ihrer
Oberseite die Deckfläche des
Grundkörpers.
Die übrigen
ebenen Oberflächen des
Grundkörpers
können
als Seitenflächen
bezeichnet werden. In diesem Fall sind die Anschlüsse A1, A2, A3,
A4 sowie ein Masseanschluss GND auf der Grundfläche oder
auf der Deckfläche
des Bauelements angeordnet, um die hier dargestellten besonderen
Vorteile des Bauelements zu erreichen.
8 zeigt ein einfaches Ersatzschaltbild
für einen
Teil des Bauelements, der in 1 zu
sehen ist. Zwischen den Anschlüssen
A1 und A3 sowie
dem Masseanschluss GND wird ein Π-Filter
gebildet. Dieses Π-Filter
wird gebildet durch einen Widerstand R1, welcher
repräsentiert
ist durch den Schichtwiderstand 81. Zwischen dem Anschluss
A1 und dem Masseanschluss GND ist ein erster
Kondensator C1 geschaltet. Dieser Kondensator
wird repräsentiert durch
den Kondensator 32. Zwischen dem Anschluss A3 und
dem Masseanschluss GND ist ein zweiter Kondensator C2 geschaltet.
Dieser Kondensator C2 wird repräsentiert
durch den Kondensator 33 in 1.
Insgesamt bilden die Bauelemente ein Π-Filter, wie es aus 8 hervorgeht. Ein solches Π-Filter kann
vorzugsweise dadurch gebildet werden, dass für die keramischen Schichten
eine Kondensatorkeramik verwendet wird.
7 zeigt eine weitere Variante
für das
Ersatzschaltbild der in 1 beteiligten
Komponenten. Der Hauptunterschied zu 8 besteht
darin, dass anstelle der Kondensatorkeramik eine Varistorkeramik
für die
keramischen Schichten 1, 11, 12 verwendet
ist. In diesem Fall erhält
man parallel zu jedem Kondensator C1, C2, C3, C4 noch
einen spannungsabhängigen
Widerstand VDRl, VDR2, VDR3, VDR4. Im übrigen ist in 7 im Unterschied zu 8 noch ein Schaltungsteil gezeigt, der
in 1 nicht zu sehen ist,
der jedoch in den 2 bis 5 zumindest teilweise zu
erkennen ist. Die Kondensatoren C3 und C4 werden dabei gebildet durch die gemeinsame
Elektrodenschicht 21 und die Elektrodenschichten 25 bzw. 24.
Der Widerstand R2, der zwischen den Anschlüssen A2 und A4 liegt, wird
gebildet durch den Schichtwiderstand 82.
Mit
den in 7 gezeigten Komponenten kann
ein ESD-Filter aufgebaut werden.
8 zeigt eine weitere Ausführungsform für ein Bauelement.
Ein wesentlicher Unterschied zu 1 besteht
darin, dass der Phasenschieber, der wieder die Form eines Schichtwiderstands 81 hat, nicht
zwischen zwei keramischen Schichten angeordnet ist. Vielmehr ist
der Schichtwiderstand 81 zwi schen der untersten keramischen
Schicht 12 und einer Verglasungsschicht 13 angeordnet.
Dies hat den Vorteil, dass für
den Schichtwiderstand 81 Materialien verwendet werden können, die
nicht gemeinsam mit den keramischen Schichten gesintert werden können. Problematisch
ist beispielsweise die gemeinsame Sinterung von für Schichtwiderstände vorzugsweise
verwendeten Materialien wie beispielsweise RuO2 und
die für
Varistoren bzw. ESD-Filter verwendeten Varistorkeramiken. Aus diesem
Grund wird das Bauelement nach 9 dergestalt
hergestellt, dass zunächst
die keramischen Schichten entbindert und gesintert werden und anschließend der Auftrag
des Schichtwiderstands 81 bzw. der den Schichtwiderstand
bildenden RuO2-Paste erfolgt. In dem darauffolgenden
Temperaturschritt wird dann der Schichtwiderstand fixiert und verfestigt,
ohne jedoch die Varistorkeramik noch in größerem Maße zu schädigen. Anschließend wird
die Verglasungsschicht 13 aufgebracht, die den Schichtwiderstand 81 nach
außen
abdeckt und so in das Bauelement bzw. in den Grundkörper integriert.
Abgesehen von diesem Unterschied gilt für das in 9 gezeigte Bauelement das für das in 1 gezeigte Bauelement Gesagte.
10 zeigt eine Draufsicht
auf ein weiteres Bauelement, das zehn verschiedene Kondensatoren enthält. Jeder
der zehn Kondensatoren ist nach außen hin kontaktiert durch Anschlüsse A1, A2, A3,
A4, A5, A6, A7, A8,
A9, A10, A11, A12. In einem
mittleren Bereich des Bauelements sind Masseanschlüsse GND vorgesehen.
Diese Masseanschlüsse
GND könnten auch
zu einem gemeinsamen einzigen zentralen Masseanschluss GND zusammengeführt werden. Gezeigt
ist in 10 eine Draufsicht
auf die Oberfläche 5 des
Bauelements. Man kann sich das Bauelement nach 10 zusammengesetzt denken aus drei Bauelementen
entsprechend 6, die
nebeneinandergelegt werden. Die einzelnen Elektrodenschichten der
Kondensatoren sind dabei unverändert und
unabhängig
voneinander. Lediglich die gemeinsamen Elektrodenschichten, die
den gemeinsamen Massenanschlüssen
zugeführt
werden, werden über die
gesamte Länge
des Bauelements aus 10 durchgeführt.
Die 10 zeigt also ein Bauelement,
das beispielsweise der Bauform 0612 entspricht und das zwölf Kondensatorflächen enthält. Die
Grundfläche des
Bauelements ist dabei kleiner als 8 mm2,
und beträgt
vorzugsweise 5,12 mm2.
11 zeigt eine Schaltungsanordnung
mit einem hier beschriebenen Bauelement, wobei ein Verstärker 91 an
einen Lautsprecher 92 angeschlossen ist. Eine solche Anordnung
ist beispielsweise denkbar in einem Mobiltelefon. Der Verstärker 91 ist mittels
zweier Leitungen mit dem Lautsprecher 92 verbunden. Zwischen
dem Verstärker 91 und
dem Lautsprecher 92 ist ein elektrisches Bauelement der hier
beschriebenen Art geschaltet. Die beiden Eingänge mit den Anschlüssen A1 und A2 sind mit
dem Lautsprecher 91 verbunden. Die beiden Ausgänge des
Bauelements 93 mit den Anschlüssen A4 und
A3 sind mit dem Lautsprecher verbunden.
Ferner ist an dem Bauelement 93 noch ein Masseanschluss
vorgesehen. Das Bauelement 93 kann beispielsweise ein EMI-Filter
sein. Dadurch können
elektromagnetische Interferenzen, die zwischen dem Verstärker 91 und
dem Lautsprecher 92 als Signal bzw. als Störsignal übertragen
werden, herausgefiltert werden.
Beispielsweise
kann das Bauelement 93 in 11 eine
Schaltungsanordnung nach 7 repräsentieren,
wo zwischen den Anschlüssen
A1 und A3 und zwischen
den Anschlüssen
A2 und A4 jeweils eine
Filterschaltung in Form eines Π-Filters
mit zusätzlich
integrierten Varistoren realisiert ist.
12 zeigt eine weitere Ausführungsform des
Bauelementes, wo als Phasenschieber Schichtwiderstände 81, 82 im
oberen Bereich des Bauelementes integriert sind. 12 zeigt einen Querschnitt entlang der
Linie XII-XII, die in 13 durch eine
gestrichelte Linie gezeigt ist. 13 wiederum zeigt
einen Querschnitt entlang der Ebene XIII-XIII, die in 12 gezeigt ist.
Die
in 12 gezeigten Schichtwiderstände 81, 82 sind
jeweils zwischen zwei keramischen Scheichten 1 angeordnet.
Jedem der Kondensatoren 32, 33 sind dabei drei
Schichtwiderstände 81 bzw. 82 zugeordnet,
die in unterschiedlichen Ebenen übereinandergestapelt
sind. Die Verbindung der Schichtwiderstände 81, 82 einerseits
mit den Kontaktflächen 62, 63 und
andererseits mit den Durchkontaktierungen 72, 73 erfolgt
mittels weiterer Durchkontaktierungen 76, die jeweils nur
eine keramische Schicht 1 durchqueren und im übrigen seitlich
zueinander versetzt sind, so dass ein mäanderförmiger Strompfad durch die
obersten keramischen Schichten 11, 1 entsteht.
Der jeweils oberste der Schichtwiderstände 81, 82 ist
in Form einer mehrfach gekrümmten,
mäanderförmig verlaufenden
elektrisch leitenden Bahn ausgebildet. Die darunterliegenden Schichtwiderstände 81, 82 verlaufen
als geradlinige Bahnen zwischen zwei weiteren Durchkontaktierungen 76.
Die Durchkontaktierungen dienen hier auch der Verschaltung von im
Grundkörper
enthaltenen Komponenten. Zwischen den jeweils untersten Schichtwiderständen 81, 82 ist
noch zur elektrischen Verbindung eine leitende Schicht 26 vorgesehen.
13 zeigt den schon weiter
oben beschriebenen Schnitt in einer Ebene der 12, wobei darauf hinzuweisen ist, dass
der untere Bereich des Bauelements aus 12 im wesentli chen genauso aussieht,
wie in den 1 und. 9, wobei insgesamt 4 äußere Anschlüsse A1, A2, A3,
A4 vorgesehen sind und jedem dieser Anschlüsse der
Anschluss einer Filterschaltung zugeordnet ist. 13 ist zu entnehmen, dass insgesamt vier
Gruppen von Schichtwiderständen 81, 82, 83, 84 in
dem Bauelement integriert sind. Dementsprechend kann eine Filterschaltung
realisiert werden, wie sie in 14 für zwei der
Anschlüsse
A1, A3 gezeigt ist. 14 zeigt ein T-Filter. Zwischen
den Anschlüssen
A1 und A3 sind zwei
ohmsche Widerstände
R1, R2 in Reihe
geschaltet. Diese ohmschen Widerstände sind ihrem Widerstandsvaert
nach festgelegt durch die jeweils übereinanderliegenden Schichtwiderstände 81 bzw. 82 aus 12. Sie sind also letztlich
eine Reihenschaltung mehrerer einzelner Widerstände.
Es
ist ferner zwischen den Widerständen
ein Mittelabgriff vorgesehen, der mit einem Masseanschluss GND verbunden
ist, wobei zwischen dem Mittelabgriff und dem Masseanschluss eine
Parallelschaltung zweier Kondensatoren C1,
C2 geschaltet ist. Diese Kondensatoren C1, C2 werden gebildet durch
die Kondensatoren 32, 33 aus 12.
15 zeigt eine weitere Variante
für eine mit
einem Bauelement nach 12 zu
realisierenden Filterschaltungen. 15 entspricht
dabei in der Zuordnung der äußeren Anschlüsse A1, A2, A3,
A4 der 7.
Dem Unterschied zur 7 handelt
es sich aber nicht um Π-Filter,
sondern um T-Filter.
Durch Verwenden eines Varistormaterials für die keramischen Schichten 1, 11, 12 kann
parallel zu jedem Kondensator, der seinerseits eine Parallelschaltung aus
zwei Kondensatoren ist (vgl. 14),
noch ein spannungsabhängiger
Widerstand realisiert werden. Somit entstehen zwei Filterschaltungen,
wobei zwischen den äußeren Anschlüssen A1, A3 ein erstes T-Filter
und zwischen den äußeren Anschlüssen A2, A4 ein zweites
T-Filter geschaltet ist. Jedes dieser T-Filter enthält zwei
ohmsche Widerstände,
die in Reihe geschaltet sind und ein gegen den Masseanschluss geschalteten,
mit dem Mittelabgriff verbundenen, kombinierten spannungsabhängigen Widerstand
VDR1, VDR2 und Kondensator C1, C2. Jeder Kondensator C1,
C2 ist seinerseits eine Parallelschaltung
von zwei Kondensatoren. C1 wird z.B. gebildet aus
einer Parallelschaltung der Kondensatoren 32 und 33 aus 12.
16 zeigt eine weitere Ausführungsform für ein Bauele-
ment der hier beschriebenen Art. Ein Schichtwiderstand 81 ist
auf der Oberfläche
des Grundkörpers
aufgebracht. Er wird mittels einer weiteren Durchkontaktierung 76 mit
inneren Elementen des Grundkörpers
verbunden. Insbesondere wird der Schichtwiderstand 81 mittels
der weiteren Durchkontaktierung 76 mit einer elektrisch
leitenden Schicht 26 verbunden, welche ihrerseits wieder
eine Verbindung zu einer Durchkontaktierung 72 und mithin
zu einem Kondensator 32 herstellt.
17 zeigt eine Draufsicht
von oben auf das Bauelement nach 16.
Es sind insgesamt 4 Schichtwiderstände 81, 82, 83, 84 gezeigt,
die jeweils von einem äußeren Anschluss
A1, A2, A3, A4 in Richtung
auf einen benachbarten äußeren Anschluss
verlaufen und anschließend
mittels einer weiteren Durchkontaktierung 76 mit weiteren
innenliegenden Elementen des Grundkörpers verbunden sind. Die Schichtwiderstände 81, 82, 83, 84 sind
im Unterschied zu 13 und 5 als geradlinige verlaufende
Bahnen ausgeführt.
Das Aufbringen von außen
auf die Oberfläche
des Grundkörpers
hat den Vorteil, dass eine breitere Materialvielfalt für das Material
des Schichtwiderstands 81, 82, 83, 84 zur
Verfügung
steht. Es muss nämlich
nicht darauf geachtet werden, dass das Material des Schichtwiderstands mit
dem Material der keramischen Schichten gemeinsam sinterbar ist.
Das nachträgliche
Aufbringen des Schichtwiderstands kann nämlich auch nach dem Sintern
und gegebenenfalls vor einem weiteren Temperaturschritt, der auf
den Stapel von übereinanderliegenden
keramischen Schichten 1, 11, 12 verwendet
wird, erfolgen.
Die
Filterschaltungen, die mit einem Bauelement nach 16 bzw. 17 realisiert
werden können,
entsprechen denen, die mit den Bauelementen nach 12 bzw. 13 realisiert
werden können, mit
dem Unterschied, dass größere ohmsche
Widerstände
realisiert werden können.
In diesem Fall entspricht der Schichtwiderstand 82 in 17 dem Widerstand R2 in 14 bzw. 15.
18 zeigt eine weitere Ausführungsform eines
elektrischen Bauelements, wobei gemäß 19 eine Vielzahl äußerer Anschlüsse I1,
I2, I3, I4, I5, I6, I7, I8, I9, I10 sowie fünf Masseanschlüsse GND
und weitere äußere Anschlüsse O1,
O2, O3, O4, O5, O6, O7, O8, O9, O10 vorgesehen sind. Die Anschlüsse I1 bis
I10 sind dabei als Signaleingänge vorgesehen.
Die Anschlüsse
O1 bis O10 sind als Signalausgänge
gedacht. Die Massenanschlüsse
GND sind dafür
gedacht, mit einer Masse verbunden zu werden.
Zur
Erläuterung
des inneren Aufbaus des Bauelements wird in 18 ein Schnitt entlang der Linie 18-18
in 19 gezeigt.
Auf
der Oberfläche 5 des
Bauelements sind wie in den anderen Beispielen gezeigt, Kontaktflächen angeordnet,
die wahlweise noch mit Lotkugeln bestückt sein können. Der Eingang I8 ist dabei
mittels Durchkontaktierungen mit Elektrodenschichten 22 verbunden,
die mit Elektrodenschichten 21 der Massenelektrode GND
einen Kondensator 32 bilden. Symmetrisch dazu ist für den Ausgang
O8 ein entsprechender Kondensator 33 gebildet. Die Durchkontaktierungen 72, 73 verlaufen
nicht geradlinig von oben nach unten durch den Grundkörper. Sie
sind vielmehr seitlich zueinander versetzt, um das Bauelement geometrisch
variantenreicher zu machen, womit eine höhere Kompaktheit erzielt werden
kann.
Mit
der Massenelektrode GND ist neben der Elektrodenschicht 21 die
die Kondensatoren 32, 33 bildet, nöch eine
weitere darunterliegende Elektrodenschicht 21 mittels der
Durchkontaktierung 71 verbunden. Die untere Elektrodenschicht 21 scheint
in drei unterschiedliche Teile zu zerfallen. Dies ist jedoch nur
in der Ebene des Querschnitts der Fall. In der Querschnittsebene
laufen nämlich
die Durchkontaktierungen 72, 73 durch die untere
Elektrodenfläche 21.
Die Durchkontaktierungen 72, 73 haben keinen elektrischen
Kontakt zur unteren Elektrodenschicht 21. Um anzudeuten,
dass die drei Teile der unteren Elektrodenschicht 21 elektrisch
leitend miteinander verbunden sind, sind Doppelpfeile eingezeichnet.
Die untere Elektrodenschicht 21 bildet mit Elektrodenschichten 24 bzw.
mit Elektrodenschichten 25 zwei weitere Kondensatoren 34, 35.
Diese Kondensatoren 34, 35 sind mittels Durchkontaktierungen 74, 75 mit
dem Ausgang I3 bzw. dem Ausgang O3 verbunden.
Im
unteren Teil des Grundkörpers
sind noch Verschaltungsstrukturen zur Integration von Widerständen zu
erkennen. Schichtwiderstände 82, 83, 81 sind
auf der Unterseite des Grundkörpers
aufgebracht. In einer beispielhaften Ausführungsform kann der Schichtwiderstand 81 den
Wert 100 Ω aufweisen, während die
Schichtwiderstände 82 und 83 den
Wert 50 Ω aufweisen.
Der Schichtwiderstand 81 wird dabei mittels der Durchkontaktierungen 72 und 73 mit
dem Eingang I8 und dem Ausgang O8 verbunden. Die Schichtwiderstände 82, 83 sind
durch ein innenliegendes Verschaltungselement, nämlich die leitende Schicht 26 miteinander
verbunden. Es wird eine Reihenschaltung zwischen dem Schichtwiderstand 82 und
dem Schichtwiderstand 83 gebildet. Die leitende Schicht 26 ist
ebenso wie die untere Elektrodenschicht 21 nicht, wie der
Zeichnung möglicherweise zu
entnehmen, unterbrochen in drei verschiedene Teile, sondern die
Teile der Schicht 26 sind leitend miteinander verbunden,
so wie es durch die gekrümmten
Doppelpfeile angedeutet ist. Die Ieitende Schicht 26 ist
mittels weiterer Durchkontaktierungen 76 mit den Schichtwiderständen 82, 83 verbunden. Über die
Durchkontaktierungen 74, 75 sind die Schichtwiderstände 82, 83 mit
dem Eingang I3 bzw. dem Ausgang O3 verbunden.
Die
Durchkontaktierungen 74 und 75 weisen einen Bereich
auf, in dem ein Versatz v vorgesehen ist. Mittels dieses Versatzes
wird erreicht, dass die massenseitige Elektrodenschicht 21 eine
ausreichende Isolationszone zur Durchführung 74 vorfindet,
um elektrische Überschläge zu vermeiden.
Vorteilhaft
ist dabei, wenn der Abschnitt der Durchkontaktierung 74,
der seitlich versetzt ist zu den übrigen Abschnitten der Durchkontaktierung 74,
eine Höhe
aufweist, die dem Abstand der beiden Elektrodenschichten 24 entspricht.
In diesem Fall ist der Versatz besonders leicht und einfach realisierbar.
20 zeigt ein Ersatzschaltbild
für das Bauelement
aus 18 für die Schaltung
zwischen dem Eingang I8 und dem Ausgang O8. Es handelt sich dabei
um ein Π-Filter,
wobei zwischen dem Eingang und dem Ausgang ein Widerstand R1 geschal tet ist, der durch den Schichtwiderstand 81 repräsentiert ist.
Die Kondensatoren C1 und C2 sind
gebildet durch die Kondensatoren 32, 33 aus 18.
Zwischen
dem Eingang I3 und dem Ausgang O3 ist ein weiteres Π-Filter geschaltet,
wobei der Widerstand R1 ersetzt ist durch
eine Reihenschaltung aus Widerständen
R2 und R3. Durch
geeignete Wahl der Widerstandswerte R2 und
R3 kann sichergestellt werden, dass das
Filter, das zwischen dem Eingang I3 und dem Ausgang O3 geschaltet
ist, dieselben elektrischen Kenndaten aufweist, wie das Filter,
das zwischen I8 und O6 geschaltet ist. Im einzelnen kann gelten:
R1 = R2 + R3. Im übrigen
können
auch die Werte für
die Kapazitäten
gleich sein. Dann würde gelten:
C1 = C2 = C3 = C4.
Insgesamt
kann mit einem Bauelement nach 19 also
eine Vielzahl von zehn Filtern in ein einziges Bauelement integriert
werden. Dies gelingt mit einer relativ kleinen Grundfläche a, die
kleiner als 5,12 mm2 sein kann.
21 zeigt ein Bauelement,
das ähnlich aufgebaut
ist, wie das Bauelement aus 16.
Im Unterschied zum Bauelement aus 16 ist
keine Kontaktierung zwischen der weiteren Durchkontaktierung 76 und
der Durchkontaktierung 73 vorgesehen. D.h., dass die leitende
Schicht 26 auf ihrer rechten Seite an der weiteren Durchkontaktierung 76 endet.
Darüber
hinaus ist zwischen der Durchkontaktierung 72 und der Durchkontaktierung 73 noch
ein Schichtwiderstand 82 vorgesehen, der die Form einer
mäanderförmigen Leiterbahn
hat und der die beiden Durchkontaktierungen 72, 73 miteinander
verbindet. Im übrigen
ist auch die Draufsicht von 17 für das Bauelement
aus 21 zutreffend.
22 zeigt als Ersatzschaltbild
für das Bauelement
nach. 21 ein Π -Filter,
das zusätzlich noch
zwei Matchingwiderstände
R1 und R3 aufweist, die
der Impedanzanpassung dienen und die typischerweise 50 Ω betragen.
Zur
weiteren Erläuterung
sind noch die Knotenpunkte x1, x2, die in 22 zwischen dem Widerstand R1 und
R2 bzw. zwischen dem Widerstand R3 und R2 liegen,
in 21 eingezeichnet.
Die
Kapazitäten
C1 und C2 werden
gebildet durch die Kapazitäten 32, 33 aus 21. Der Widerstand R1 wird gebildet aus dem Schichtwiderstand 81 auf
der Oberfläche
des Bauelements in 21.
Der Widerstand R2 wird gebildet durch den
Schichtwiderstand 82 aus 21.
Der Widerstand R3 ist nur in der Draufsicht
von 17 zu erkennen.
Er wird gebildet durch den Schichtwiderstand 85.
Die
beschriebene Erfindung ist nicht auf die dargestellten und beschriebenen
Ausführungsbeispiele
beschränkt.
Sie umfasst ferner auch alle fachmännischen Abwandlungen sowie
Teil- und Unterkombinationen der beschriebenen und/oder dargestellten
Merkmale und Maßnahmen.
Insbesondere kann das Bauelement noch weitere zusätzliche
Elemente enthalten.
Das
Bauelement kann insbesondere ein elektrokeramisches Vielschichtbauelement
sein, das hergestellt wird durch Übereinanderstapeln keramischer
Grünfolien,
welche durch Bedrucken mit Elektrodenschichten, enthaltend eine
Metallpaste sowie durch Austanzen von Löchern in den keramischen Schichten
und Einfüllen
einer geeigneten metallhaltigen Paste zur Herstellung der Durchkontaktierungen hergestellt
sein.