TW455867B - Optical information recording medium and optical recording method - Google Patents

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TW455867B
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Taiwan
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recording
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optical information
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linear velocity
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Application number
TW088115520A
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English (en)
Inventor
Hironobu Mizuno
Takashi Ohno
Michikazu Horie
Original Assignee
Mitsubishi Chem Corp
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4 b b8 6 7 A7 B7 五、發明說明（1 ) <請先闉讀背面之注意tTl項、寫本Ϊ) 本發明係關於，可改寫之D V D等，具有相變化型記 錄層之高密度記錄用之光記錄媒體，及光記錄方法，特別 是關於，罩光束蓋寫（overwrite )時之線速度依存性與記 錄功率依存性，及記錄標記之長時間穩定性獲得改善之光 記錄媒體及光記錄方法。 —般來講，CD或DVD係利用從凹坑之底部及鏡面 部反射之反射光之干擾所產生之反射率變化，以進行2値 信號之記錄及追縱信號之檢測。 近年來一種與C D有互換性之相變化型，可改寫之 C D — RW ( C D — Rewritable )正在被廣泛使用。而 D\'D也有各種相變化型之可改寫之DVD之提案。 此等可改寫之相變化型之C D及D V D，係利用非晶 質與結晶狀態之折射率差所產生之反射率差，及相位差變 化|檢出記錄資訊信號。普通之相變化媒體具有，在基板 上設下部保護層，相變化型記錄層，上部保護層，反射層 之構造，利用此等各層之多重干擾控制反射率差及相位差 ，便可以使其與C D或D V D具有互換性。 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 在CD-RW，使反射率降至1 5〜2 5%之範圍內 ，可以與C D —樣確保記錄信號及溝信號之互換性’附加 有補償反射率較低之放大系統之C D驅動器能夠再生。 再者，因爲相變化型記錄媒體能夠僅藉單束會聚光束 之強度調變進行抹除與再記錄過程，因此’在C R-RW 或可改寫之D V D等之相變化型記錄媒體’所謂記錄’係 包含同時進行記錄與抹除之蓋寫（overwrite )記錄。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -4- 455867 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（2 ) 利用相變化之資訊記錄，可以用結晶，非晶質，或該 寺之混合狀態’也可以用多數結晶相，但目前實用化之可 改寫之相變化型記錄媒體，一般都是以未記錄.抹除狀態 爲結晶狀態，而形成非晶質之標記進行記錄。記錄層之材 料均使用硫屬元素，亦即，多使用含S ，Se ，Te之硫 屬化物系合金。 例如，以G e T e — S b 2T e 3擬似二元合金爲主要 成分之Ge SbTe系，以I nTe — Sb2Te3擬似二 元合金爲主要成分之I n SbTe系，以 Sb〇 · :Te。. 3共晶系爲主要成分之Ag I n SbTe 系合金，Ge SnT e系等。 其中，主要之已實用化者爲，在GeTe— S b」T e 3擬似二元合金添加過剩之S b之合金系，尤其 是Ge ，Sb:Te4·或Ge^Sb」等之金屬間化合物近 傍組成等。 此等組成具有，金屬間化合物特有之不帶相分離之結 晶化爲其特徵之結晶成長速度較快，因此，初期化較容易 ，抹除時之再結晶化速度較快。因此，自過去以來，受到 注意之可顯示實用性之蓋寫特性之記錄層’有擬似二元合 金系或金屬間化合物近傍組成（文獻Jpn. J. Appl. Phys.， v〇l. 69( 1 99 U，p 2849 或 SPIE’Vol .2514 (1995 卜 pp294-301 等）。 惟在另一方面，此等組成會成長準穩定之正方晶系之 結晶粒。此結晶粒之粒界很明確’且大小不—’其不同方 !!! -裝·! I 訂.！--線 (請先閱讀背面之注意 、寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -5- 經湣部智慧时產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（3 ) 位之光學異方性顯著，S此含有容易產生光學性之白色雜 訊（white noise )之問題。 因這種粒徑及光學特性不相同之結晶粒較易成長在非 •晶質標記之周圍，因此，標記之顕動易增加，或因與周圍 之結晶之光學特性有異，而容易被檢出未抹除乾淨= 因此，在以高線速記錄時，或高密度之標記長度調變 記錄時，會有無法獲得良好之再生特性之問題。具體言之 ，可改寫型DVD之規格內，其最短標記之長度爲〇.6 ，但若縮短最短標記長度，顫動便會急激增加。 而要改善顫動，其對策有所謂吸收率補正。傳統之4 層結構，通常記錄層所吸收之光能是，在反射率高之結晶 狀態吸收之光能A c ，較在反射率低之非晶質狀態吸收之 光能A a爲小（A c< A a)。因此在蓋寫時，會因原先 是在結晶狀態或非晶質狀態，而使新的記錄標記之形狀等 改變，顫動會增加》 本發明之目的在使結晶狀態與非晶質狀態之光能之吸 收效率大致相同，使標記不依原來之狀態而改變，使標記 形狀穩定化，藉此降低顫動。並且，因爲結晶在溶融時需 要多餘之熱量，使結晶狀態吸收較多光能較佳（A c > A a )-- 爲了達成上述關係，有一種方法是至少增加一層光吸 收性之記錄層，使成5層以上之架構，以此吸收層來吸取 非晶質狀態時之光吸收之一部分。例如，在下部保護層與 基板之間，或在上部保護層上插入A u或S i等之吸收層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（2〗0 X 297 -6- -------------裝----I晒訂---------線 <請先《讀背面之注意¥*w 、寫本頁) 經濟部智婪財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4 ) (Jpn. J. Appl. Phys·，vol‘ 37( 1 998), pp3339-3342, Jpn. L-Appl. Phys., Vol. 37( 1 998),pp25 1 6-2520 )。 然而，這種層架構在吸收層之耐熱性或密接性有問題 •，返覆蓋寫時，細微之變形或剝離等之劣化很顯著。同時 1因容易產生剝離*其長時間之穩定性也受到不良影響。 亦即，要維持傳統之4層架構，同時達成高密度化’ 對G e T e _ S b2T e 3擬似二元合金記錄層是相當困難 而且，因GeTe-Sb2Te3擬似二元合金記錄層 之複折射率，有波長愈短，實部愈小虛部愈大之波長依存 性，因此，特別是光源使用短波長雷射光線時，很難達成 A c > A a之條件。 因之，近年來，記錄層材料已逐漸在使用 Ag I nSbT e四元系合金。Ag I nSbT e四元系 合金之特徵是可以獲得高達4 0 d B之高抹除比，能夠在 傳統之4層架構，不必施加吸收率補正，便可以高線速進 行高密度之標記長度調變記錄。 然而，能夠高速記錄，通常是意味著結晶化速度快， 容易抹除，因此常常是，非晶質標記也容易結晶化，記錄 後之標記之長時間穩定性不佳。 近年來因資訊量之增加，爲了縮短記錄時間或資訊轉 送之高速化，最近對可以高速記錄再生之媒體需求愈來愈 大。例如，C0之標準速度（1倍速）爲1 · 2〜1 . 4 m / s ，但已有能夠以4倍速記錄之C D - R W商品化’ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I I--I * I ----訂·---— II--線 C請先Μ讀背面之注意，事礒· V寫本I) 58 6 7 經濟部智慧財產局霣工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（5 ) 並且希望有能夠以8倍速，1 〇倍速記錄之C D_R\V。 另一方面，可改寫之DVD則已有DVD - RAM， DVD + RW，DVD_RW等各種被提案或已商品化。 _然而，容量相當於再生專用之DVD，4 . 7GB之可改 寫D V D卻尙未能實用化。 亦即，對能以短標記高速記錄，且標記之穩定性良好 之媒體有根大之需求。 惟在以往，高速記錄與標記穩定性被認爲是相反之性 質，要同時滿足雙方非常困難。 本發明人等對結晶化，非晶質化之原理進行硏究之結 果，發現能夠同時滿足此等特性之全部之畫時代之媒體。 亦即·本發明之目的在提供，能夠以高速良好記錄短 標記，且標記穩定性良好之光記錄媒體，及適合此媒體之 光記錄方法= 本發明之第1主旨，係在基板上至少有相變化型記錄 層c 結晶部爲未記錄•抹除狀態，非晶質部爲記錄狀態， 藉最短標記長度0 . 5 m以下之多數記錄標記長度記錄 資訊用之光學性資訊記錄用媒體，其特徵在於， 抹除係由非晶質部或溶融部，與周邊結晶部之境界起 之結晶成長實質上進行之再結晶化而爲之。 本發明之第二主旨，係基板上有，以Ge ，Sb， T e爲主要成分之薄膜所構成之相變化型記錄層， 該記錄層之結晶部爲未記錄•抹除狀態，非晶質部爲 本紙張尺度適用中國國家楳準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） -8 - — mill! — — — — illlm ^* — — 1 — I —ί^ (請先《讀背面之沒意箏成^寫本頁> A7 b 5 8 6 7 ____B7 五、發明說明（6 ) 記錄狀態，藉最短標記長度0 . 5 v m以下之多數記錄標 記長度記錄資訊用之光學性資訊記錄用媒體，其特徵在於 1 以一定線速度，連續照射足以使記錄層溶融之記錄功 率P W之記錄光線，.該媒體便大致上被結晶化， 以一定線速度，照射足以使記錄層溶融之記錄光線後 * 遮斷，該媒體便形成非晶質標記。 本發明之第三主旨，係在基板上，從記錄再生光之射 入方向依序配設第1保護層，相變化型記錄層，第2保護 層及反射層， 該記錄層之結晶部爲未記錄•抹除狀態•非晶質部爲 記錄狀態，藉最短標記長度0 . 5 v m以下之多數記錄標 記之長度記錄資訊之光學性資訊記錄用媒體•其特徵在於 相變化型記錄層係由，膜厚度在5 mm以上2 5 mm 以下，具有G e SbTe三元狀態圖上，由 連結（Sb〇 · tT e。. 3)與Ge之直線A， 連結（Ge。. 〇3Sb。.68丁 . 29)與（
Sb〇 , 95Ge〇 · os)之直線 B ’ 連結（Sbo-gGeo.])與（Te〇.gGe〇· i )之直線C ，及 連結（Sb〇.8Te。.：）與Ge之直線D， 之四根直線所圍之領域（但不含境界線）之組成之 G e S b T e合金爲其主要成分之薄膜所構成， ----------- --裝 - ----- 訂-----I I ·線 λ·—· (請先閱讀背面之注$項 V寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國S家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -9- 4 5 5 8 6 7 經濟部智慧財產局貝工消费合作杜印製 A7 B7 五、發明說明（7 ) 第2保護層之膜厚度在5 nm以上3 0 nm以下。 本發明之其他主旨，係關於適合配合上述媒體使弔之 光記錄方法。 本發明人等發現，以結晶狀態爲未記錄•抹除狀態， 非晶質狀態爲記錄狀態之相變化媒體，其抹除係由非晶質 部或溶融部，與周邊結晶部之境界起成長之結晶*而實質 進行之再結晶化而完成之媒體，能夠達成高密度而穩定之 記錄。亦即，能夠以高速蓋寫，可以達成高密度之標記長 度調變記錄，形成之標記之長時間穩定性非常良好。 一般來講，非晶質標記之抹除過程，係在將記錄層加 熱到結晶化溫度以上融點附近以下，使成非晶質固相狀態 或溶融狀態後，冷卻時再結晶化而完成抹除。 依據本發明人等之硏究結果，發現，非晶質標記之抹 除·即再結晶化，係依 (1 )非晶質領域內之結晶核生成，及（2 )以非晶 質部或溶融部之境界爲起點之結晶成長，之兩段程序而進 行，但，使前者之結晶核生成不要發生，實質上僅利用後 者之結晶成長程序，便能夠獲得上述效果。 通常’結晶化係在結晶化溫度以上溶點附近以下進行 ，而結晶核生成是在該溫度範圍內之比較低溫側，結晶成 長則在高溫例進行=並非不生成結晶核便無法抹除，而是 如果以圍繞非晶質部或溶融部之周邊結晶領域之境界點爲 核高速進行結晶成長，便能夠抹除。 尤其是，愈是微小之標記或短標記，愈容易產生這種 ^-----— II ^--------- <請先閱讀背面之注意^項、寫本頁> 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10-
4 5 5 8 S A7 B7 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 五、發明說明（8 ) 僅從周邊結晶部起之結晶成長使其瞬間結晶化到標記中心 ，因此能夠在極短時間內完全抹除5因之，在使用最短標 記長度0 . 5 # m以下之微小標記之高密度記錄媒體，這 種效果才顯著，可以在1 〇 〇 n s e c以下之短時間內抹 除，能夠以高速度蓋寫。 再者，一般來講，最短標記長度愈短愈能夠高密度記 錄，但從標記之安全面來講，1 〇 nm以上較佳。 而，標記之橫向寬度愈窄’同樣較容易僅由周邊結晶 部起之結晶成長使其瞬間結晶化到標記中心，因而較理想 :因之，記錄資訊之軌道之軌道間距小，例如0 . 8 V m 以下1使標記不致於向橫向擴大較佳。通常，標記寬度爲 軌道間距之一半前後。再者，軌道間距在一般來講是愈窄 愈適合高密度記錄，但從標記之穩定性言之，以0 . 1 e m以上較理想。軌道可以只是溝而己，也可以是溝與蘭 島（land )之雙方。 本發明媒體之非晶質標記之長時間穩定性也十分良好 亦即，從周邊結晶部起之結晶成長，僅是在結晶化溫 度以上融點附近以下時，也是僅在接近融點之比較高溫域 進行，低溫則幾乎不會進行1因此，一旦形成之非晶質標 記便不易結晶化，長時間之穩定性很好。結晶化溫度通常 是在1 0 0 °C〜2 0 0 °c之範圍，可維持此程度之溫度下 之熱穩定性。 尤其是在未滿1 〇 Ot之普通之使用範圍，記錄下來 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS)A4規^ (210 X 297公釐) -11 - — ill-----— I— - — — — — 111 I— (請先《讀背面之沒意事巩^寫本I) 4 5 5 8 b 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（9 ) 之非晶質標記極爲穩定，已記錄信號之波幅幾乎不會變化 。反之，也可以從這種長時間穩定性獲得1幾乎不會生成 結晶核之結論。 • 而且，本發明之媒體在標記長度記錄時，有能夠形成 很小扭擺，極爲順暢之標記邊緣之優點。 一般在記錄非晶質標記時，是先使記錄層溶融後再凝 固，使成非晶質，但因標記邊緣部之溫度較中心爲低，因 此，以往在標記邊緣部比較會因結晶核成長而再結晶化， 產生混有非晶質之粗大顆粒，成爲標記邊緣扭擺之原因。 本發明媒體之特徵是，抹除時，由非晶質部或溶融部 ，與結晶部之境界起之結晶成長具支配性，且高速，這在 記錄時也會有相同原理之作用，在溶融領域再凝固而非晶 質化時，也僅產生由周邊結晶部起之結晶成長，結晶核成 長形成之結晶化不易發生，標記邊緣不會有扭擺。 亦即1從周邊結晶部起之結晶成長在結晶化溫度以上 溶點附近以下時，也僅在接近融點之比較高溫領域進行， 低溫時幾乎不會有結晶成長，因此在從溶融狀態之再凝固 時溫度降低，而僅由通過融點時之冷卻溫度，決定非晶質 標記之境界形狀。 而以往成爲問題之，再凝固時發生之因結晶核成長造 成之混合非晶質之粗大顆粒則完全不會形成在非晶質標記 之周邊。而瞭解此對抑制因標記邊緣之扭擺造成之雜訊極 爲有效。 而標記邊緣之形狀在經過長時間後也不會變化，十分 — It!-----I — I ^ i I — — — — — ^ * I — I I I I --· (锖先Mit背面之注意事4、寫本1> 表紙張尺度適用中國國家標準（CNSM4規格（210x297公* ) - 12 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 5 5 8 b , A7 B7 五、發明說明（10) 穩定，因此1不僅初期顏動很小，經過長時間後顫動也不 會劣化。 在進一步詳述本發明之結晶化之原理。 在本媒體，非晶質標記與周邊結晶部之境界部成爲結 晶成長之核，非晶質標記內部則幾乎不會產生結晶核。因 此，結晶僅從標記境界部成長。 另一方面，傳統之G e T e — S bsT e 3系乏記錄層 ，則在非晶質標記內隨機生成結晶核，而成長進行結晶化
C 兩者之結晶化過程之差別可透過電子顯微鏡確認。若 在形成非晶質標記後之兩記錄層，以直流方式照射功率較 低之抹除光線時，GeTe-Sb2Te3系之記錄層可以 觀察到，結晶化由溫度昇高之非晶質標記中央部進行，而 本發明之記錄層，則觀察到結晶由非晶質標記周邊部開始 成長。尤其是，非晶質標記之前端及後端起之結晶成長十 分顯著^ 以這種原理進行抹除之記錄層組成，常見於在 S b 〇 . 7 T e。. 3共晶點附近組成添加過剩之s b與2原 子％程度之其他元素之合金系。亦即，以 My ( S b X T e 1 ^ ) 1 ：· ( Ο . 6 ^ x ^ 〇 . 9、Ο < yS〇.2、Iv^Ga，Zn，Ge，Sn-Si，Cu ，Au，Al ，Pd’Pt ，Pb，Cr，Co，0，S ，S e ’ Ta ; Nb ’ V中之至少一種）合金爲主要成分 之薄膜。 !!!·裝！ — —訂!1!!-線 (請先閱讀背面之注意事埤从寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 * 297公釐） •13- 4 5 5 8 6 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明說明（11 ) 在S bD.7T 6。.3含過剩之S t)之合金，其從非晶 質標記周邊部之結晶成長，較G e Te — Sb2T e 3擬似 二元合金系十分顯著，因此有能夠以高線速蓋寫之特徵。 過剩之S tD並非在促進非晶質標記內之隨機之結晶核生成 及結晶核成長，但可大幅度加大從周邊結晶部之結晶成長 速度。 但因S b T e二元合金也會生成不少之結晶核•因此 ，非晶質標記之長時間穩定性不佳，有必要添加適當之元 素。 依據本發明人等之檢討，添加G e對抑制結晶核生成 非常有效。 而非晶質標記之再結晶化是不是實質上僅受從周邊結 晶部之再結晶化之支配，可以由評估長時間之穩定性間接 獲知= 具體之評估方法有，高溫高濕下之加速環境試驗時， 測定再生信號之調變度之方法。 亦即*藉最短標記長度0 . 5 p m以下之多數記錄標 記長度記錄信號時，記錄後馬上再生之信號之調變度爲M〇 而在記錄後，在8 0 ΐ 8 0 % R Η之條件下，經過 1 0 0 0小時後再生之信號之調變度爲Μ !時，可以滿足下 列關係式， Μ ! / Μ 〇 ‘ 〇 . 9 標記長度調變方式不受限制，可以用E F Μ調變， -------------裝— (請先閱讀背面之注意W.JIV寫本頁) 訂. -線- 本紙張尺度適用中國困家標準（CNS)A4規格（210 X 297公a ) -14 - 4 5 58 6 7 A7 _B7____ 五、發明說明（12 ) E F M plus 調變，（1，7)RLL — NRZI ( run length limited-non return to zero inverted )調變等’但 是以最短標記長度爲0.5以下，記錄如第6圖所示 之隨機信號。進行本項評估時，最短標記長度以0 . 2 V m左右以上爲佳_。再者，不必在所有條件下滿足上式， 在一項評估條件下滿足上式即可。 舉一例爲，藉最短標記長度0.4之多數標記長 度，記錄EFM plus調變方式之隨機信號。 調變度係以最前頭之信號強度將該調變方式之最長標 記之信號波幅規格化者。第6圖表示記錄E F Μ ρ丨u s調變之隨機信號而再生時之DC再生信號（含直 流成分之再生信號）之波形。調變度爲1 4 T標記之最前 頭之信號強度I…μ與信號波幅I 1 4之比I I 4 / I h »， 加以定義。 若調變度不變，則可判斷非晶質標記尺寸十分穩定。 若加速試驗前所記錄之隨機信號之調變度在加速試驗後仍 保有初期之値之9 0 %以上，則可推測實質上不附帶有結 請 先 閱 讀 背 面 之 沒 意 項 訂 ♦ 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 融標成晶瞬 在質晶非在 係晶結成會 長非生化體 成成發固整 晶形部達乎 結了 晶到幾 之爲結不之 起，邊，域 部此周慢領 晶因從緩融 結 '，會度溶 邊生也速， 周發，卻時 從易時冷度 ， 容固之速 層較凝後卻 錄域再融冷 記領層溶界 之溫錄若臨 。 C 明高記，之化 成發之溶此要晶 生本下融因需結 核直而。所再 晶 點記長質間 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公爱） -15 - 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 4 5 5 8 6'/ Δ7 A/ B7 五、發明說明（13) 此可由以下之實驗加以確認。 在設有引導記錄再生光線之溝之0 . 6rnm厚度聚碳 酸酯基板上，依序配設膜厚度6 8 nm之 • (ZnS)8Q(Si〇2)2t)第1保護層，膜厚度18 nm 之 G eD.osS b〇.7iT e 0.24 記錄層，膜厚度 2 0 nm之（ZnS) B〇 (S i 〇2) 第2保護層’膜厚度 2 5 0 nm之A 1。.395丁 a。.。。5反射層，再設膜厚度 4 # m之紫外線硬化樹脂保護層。將此等之兩片’以記錄 層之一側爲內側，用熱溶性接合劑粘貼成光記錄媒體。本 記錄層之組成爲S b / T e与3 ，俾能以線速約7 m / s 以上進行蓋寫。對本媒體，在短軸方向掃描長徑約1 〇 0 以m，短徑約1 . 5义m之惰圓雷射，將其溶融再結晶化 而完成初期化。 對本媒體，沿著引導溝，以線速7 m / s ，照射波長 6 37nm，NA = 〇 . 63之會聚光。以直流式照射記 錄功率P w爲1 〇 m W之記錄光後，使功率急激下降成1 m W。亦即，實質上遮斷記錄光。再者，光束口徑爲約 〇.9 nm，係相當於高斯光束（Gaussian Beam )之能量 強度爲尖峰強度之1 / e 2以上之領域。 第2圖表示遮斷記錄光前後之反射率變化。如第2圖 之下段所示，隨著時間之經過遮斷記錄光。在第2圖下段 之左側連續性，即直流式照射記錄光，右側則加以遮斷。 以再生功率1·OmW之再生光掃描同一領域之結果’獲 得如第2圖上段之再生波形。以波形對應反射率之變化。 本紙張尺度適用中國S家標準（CNS)A4規格（210 X 297公芨) -16 - II---I) I I ----裝！--II 訂·！ιί !線 {請先《讀背面之注旁¥炎.4寫本I) 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（14 ) 在瞬間遮斷記錄光之附近反射率下降|其前後之反射 率大致上相同。經TEM觀察，確認反射率降低部分成爲 非晶質，其前後爲結晶。亦即，只要連續照射記錄光·溶 ’融部會再結晶化，僅遮斷記錄光之部分附近之溶融領域非 晶質化》 於是，在連禳照射記錄光時，後續部分之餘熱抑制言己 錄層之冷卻速度，無法獲得形成非晶質所需要之臨界冷卻 速度’但一旦遮斷記錄光，則可遮斷後續部分之餘熱*提 商冷卻速度之故。 再者，使記錄功率Pw爲7mW以上時，藉遮斷記錄 光而形成非晶質標記= 檢討結果獲知，本發明在以一定線速度，連續照射足 可使記錄層溶融之記錄功率p w之記錄光時，大體上會有 再結晶化，以一定線速度，接著在足可使記錄層溶融之記 錄功率P w之記錄光之後，照射記錄功率大致爲〇之記錄 光時’則形成非晶質標記。功率大致上爲〇的意思是，嚴 格_不必是〇，而是使其爲OSPbSO . 2Pw之偏壓 功率Pb ，更好是〇SPbS〇 . lPw之偏壓功率Pb 在本發明，溶融部之再凝固時之再結晶化，絕大部分 都是僅由周邊之固相結晶部之結晶成長而起。因此，再結 晶化部不形成在非晶質標記之中心部，因而可以形成圓滑 順暢而連續之標記邊緣。 以往，這種非常容易再結晶化之材料不適合標記長度 本紙張尺度適用中园國家標準（CNS)A4規格<210 χ 297公釐） -17- — — — — — — — — — —---裝 ill — 訂·！ ！·線 {請先閱讀背面之注意事項("寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作杜.印製 A7 B7 五、發明說明（15 ) 記錄用之記錄層。因爲，爲了形成長標記而照射較長時間 之記錄光時，所有溶融領域幾乎會全部結晶化。 惟，依據本發明人等之檢討時，在最短標記長度未滿 ’ 0 . 5 y m之高密度記錄時，積極利用溶融領域之非晶質 化，與從周邊之固相結晶部境界起之再結晶化之競爭過程 *比較可以獲得良好之顫動。 因此發現，如後述，爲了形成長度η T之標記，組合 施加記錄功率P w區間及其遮斷區間，即組合施加偏壓功 率P b區間之脈衝分割方式非常有效。 藉脈衝分割方式記錄時，則如第1圖，箭尾型（或上 弦月型）之非晶質部串聯形成非晶質標記。 該標記之起端之形狀僅依前頭之箭尾型非晶質部之起 端之形狀，該標記之後端之形狀則僅依最後端之箭尾型非 晶質部之後端之形狀而定。 通常，非晶質部之起端形狀很圓滑，因此標記起端形 狀也圓滑。因爲熱量之向前方逸散，可以維持充分高之冷 卻速度，因此可以大體上反映溶融領域前端之形狀，而由 記錄脈衝之上昇時間所支配。記錄脈衝，即施加p w區間 之上昇只要有2〜3 ns即可。 另一方面，非晶質部之後端形狀係由，記錄脈衝之下 降時間所定之冷卻速度，及從周邊開始進行，特別是從後 端之結晶部開始進行之再結晶化頜域之大小而定。爲了要 充分提高冷卻速度，施加Pw區間之下降，以2〜3 n s 以下爲佳。再結晶化領域之大小，可以藉遮斷脈衝，即施 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） -18- 1 !!11!· . I I I I I I 訂.------ <請先閲讀背面之注意事項 <寫本頁> A7 B7 五、發明說明（16) 加P b區間之長度正確加以控制。 而且，層架構應用上述之起急冷構造，儘量使記錄層 之冷卻速度急峻，同時使冷卻速度之空間分布在標記後端 •附近較急峻，使標記後端之位置不搖擺，也是很重要。 本發明人等曾對，能夠以高速記錄短標記，且記錄標 記之長時間穩定性優異之光記錄媒體加以銳意檢討之結果 ，發現在S ΐ)〇,τΤ e D.3共晶組成附近添加G e之特定 組成特別優異，同時適當選擇層架構，而獲得其他特性也 很優異之光記錄媒體。 亦即，著眼於在S bQ.7T〇.3添加過剩之S b及 G e之以往沒有之三元合金，檢討對高密度之標記長度調 變記錄之適應性。其結果發現，使用第3圖所示 G e S b T e三元狀態圖內，以四條直線A * B，C，D 所圍繞之十分限定性之G e - S b _ T e比之記錄層組成 之媒體，在高密度之標記長度調變記錄時，返覆蓋寫之耐 久性及長時間穩定性特別優異。 亦即，以具有G e S b T e三元狀態圖內，由 連結（Sb〇 . 7Te。.3)與Ge之直線A ’ 連結（Ge〇 . 03Sbc . 68 丁 e〇 . 29)與（
Sbo . 95Ge〇 . 05)之直線 B， 連結（Sbo.sGeo. i)與（TeD.sGeo. ! )之直線C，及 連結（3 13。.8丁6。.2)與66之直線〇， 之四條直線所圍之領域（但不含境界線）之組成之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 * 297公釐） --------------裝— (請先«讀背面之注意事項k寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消货合作社印製 -19- 4 5 5 3 A7 B7 五、發明說明（17) --------------裝—— <請先Μ讀背面之ii意?;項 V寫本I) G e S b 丁 e合金爲其主要成分之薄膜爲記錄層。在此記 錄層使用後述之架結構’則成爲非常適合最短標記長度 〇以下之高密度標記長度調變記錄之媒體。而獲 -得與DVD同等之記錄密度，及與DVD之優異之再生互 換性。 且可確保，返覆蓋寫耐久性，或對記錄功率，抹除功 率之變動，獲得良好之顫動之較大之限度。 在此組成範圍內，S bvT e 1-,.合金內之S b量較y =0 . 7愈多，過剩之S b量增加，結晶化速度較快，能 以高線速進行蓋寫。 •線. 更具體的是1在EFM p 1 u s調變記錄（8 -1 6調變之標記長度調變記錄），將最短標記長度之3 T 標記之長度縮短到04#m或〇.35#m前後時，仍 可獲得良好之顫動。並可獲得充分之伺服信號，可藉現用 之再生專用D V D驅動施以進追蹤伺服。而且，能夠以1 〜1 0 m / s之任意線速度進行蓋寫。 經濟部智慧財產局員Η消费合作社印製 藉此可以獲得，與再生專用DVD與同樣容量，大體 上有再生互換性之可改寫型D V D。 若能控制過剩之S b ，則能夠以8 m / s以上之高線 速，進行如上述之高品質，高密度之蓋寫。同時，如後述 依線速度將記錄脈衝分割方法（pulse strategy )改變’則 至少可以在3〜8 m/ s之廣大線速範圍，獲得良好之蓋 寫效果。 ‘ 以下再詳細說明本組成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -20 - 4 5 5 8 6 . 經濟部智慧財產局具工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（18 ) 在Ge添加量1 0原子％以下之Sb〇 _ 7丁 e〇 - 3共 晶點附近組成，S b / T e比愈大’有結晶化速度愈快之 傾向。這是，因爲，較Sb〇 . 7Te。· 3爲多之過剩之Sb .會成爲S b簇而析出，在再結晶化過程’成爲結晶核之故 。若沒有較S b 〇 .. τ T e 〇 . 3爲過剩之S b ’則抹除性能 不充分，無法蓋寫。又因初期化時幾乎不生成結晶核’初 期化困難，生產性非常差（直線A)。 另一方面，在Sb。. TTe〇 . 3共晶二元合金’增加 S b量時，結晶化速度增加’但結晶化溫度也降低*損及 非晶質標記之長時間穩定性。又不適合3 m / s前後之低 線速下之記錄*形成之非晶質標記會因短時間之再生光（ 雷射功率約1 m W前後）照射而消失，因此不應含有較連 續Ge與（SbD . sTe〇 · 2)之直線D爲過剩之Sb。 而在由直線A及D所劃定之過剩之S b量之範圍內’ SbTe二元之結晶化溫度低，同時存在有過剩Sb之結 晶核，非晶質標記會很不穩定’因此’過剩S b量愈多愈 要添加G e 。因G e之4配位結合，可大致上完全抑制結 晶核之生成。其結果是，結晶化溫度上昇，長時間穩定性 增加。連結（G e。，Q3St>。 6βΤ e。 29)與（ S b。. 95G e〇 .。5)之直線B規定此條件》更好是， 使其含有較連結（Ge。. Q3Sb〇 . 68Te。. 29)與 (Sb。. sGe。. ！）之之直線B’爲多之Ge。 而且，G e含量超過1 0原子％以上時，標記長度記 錄時之顫動會惡化，因蓋寫，高融點之G e化合物，特別 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210* 297公釐） -21 - -----------! I — I 訂 (請先閱讀背面之注*?-項V.寫本頁) 45 58 6 . A7 B7 五、發明說明（19 ) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 m 疋 G e T e 會容易偏析。 同時 ，成膜後之非晶質 膜之 結 晶 化 很 困 難 ， 因此不理想（ 直線 C )。若要減低顫 動， G e 最 好 在 7 • 5原子％以下 〇 再 者 » 要在線速3 m / S 以上蓋寫，記錄層 以使 用 > 以 G e X ( S b y T e 1 - y )1 - X合金爲主成分之薄膜1 0 • 0 4 x < 0 · 10 ，0 -7 2 ^ y < 0 . 8 ) 較 佳 S 亦 即 ， 對 線速度7 m / S以上之記錄*最好是再增加 S b 量 » 使 S b y T e l - y之Ύ 爲 2 〇 . 7 4。 适時 爲 了 提 高 非 晶 質標記之穩定 性， G e量採X 2 〇 . 0 4 5 Q 另 一 方 面 因高線速時顏 動容 易惡化，爲了補救 ,G e 童 採 X 0 0 7 5。 在 以 往 就有關於G e S b . 丁 e三元組成，或 以此 三 元 組 成 爲 母 體 而含有添加元 素之 記錄組成之報告（ 曰本 國 特 開 昭 6 1 — 2 5 8 7 8 7 號公 報，同6 2 — 5 3 8 8 6 號 公 報 同 6 2-1527 8Θ號公報，特開平1 - 6 3 1 9 5 號公報，同1 -2 1 1 2 4 9號公報 ，同 1 — 2 7 7 3 3 8號公報）。 妖 而 » 此等所記載之; 狙成‘ '其S b均較（ S b 0 丨. T e 〇 . 3 )與 G e之 連結直線A爲少， 與本 發 明 之 組 成 不 同 0 此 等 是 以 S b 2 T e 3 金屬 化合物組成爲其全體。而 G e T e S b 2 T e 3 擬 j似二 元合金係與本發明 相反 過 剩 之 S b 有 使結晶化速度; 緩慢下來之效果，因此， 以5 m / S 以 上 之高線速蓋寫 時，： 在 GeT e — Sb: ：T e 3 之 ---I------ - --裝 ---訂 i! ,ρ 線 (請先閲讀背面之注意事項V寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） -22- 45 586 經濟部智慧財產局員X消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（2〇 ) 直線上，尤其是，在G e 2 s b 2T e 5組成，含過剩之 S b反而是有害。 在含有過剩之S b之S bQ 2T e D.3附近選擇性加 •上含G e之第3元素之組成有記載於日本國特開平1 _ 100745號公報（第4圖（a)組成範圍a) *特開 平1 — 303643號公報（第4圖（a)組成範圍/3) 者。 然而，特開平1 一 1 0 0 7 4 5公報所揭示者之母體 組成之 Sbl xTex之 X 爲 〇 lOSxSO . 80，範 圍極廣，但未見有，僅利用較Sbc.7Tec.3之Sb爲 過剩之領域，而在高密度記錄時之返覆蓋寫之耐久性，及 長時間穩定性優異之本案思想。 特開平1 - 3 0 3 6 4 3號公報並未提及，在高密度 記錄時像本案超過直線D含有過剩之S b時，非晶質標記 之長時間穩定性會受損之弊害。而任何一件公報均未觸及 ，超過直線C包含過剩之G e時之弊案。 而部分與本發明之記錄層組成重複之組成有，如第4 圖（b)所示之日本國特開平1 一 1 1 5685號公報（ 組成範圍r)，同上之1-251342號公報（組成範 圍5)，同上之3-71887號公報（組成範圍£)及 同上之4 — 2 8 5 8 7號公報（組成範圍）所記載者。 特開平1 _ 1 1 5 6 8 5號公報，係以組成範圍r爲 母體而添加A u ，P d者，以低密度記錄爲其目的，與本 發明組成以直線A及直線B實質上加以區別。該公報之組 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -23- 11ί· · I ! I ! I I f I I II (請先Μ讀背面之注*事«<寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 _____ B7_____ 五、發明說明（21 ) 成係適合於，相當於標記長度約1.之底密度之記 錄（線速 4m/s ’ 頻率 1 75MH2 ，du ty50 %之方形波）與D C抹除’因此’與以含短標記之高密度 •記錄爲目的之本發明之組成，適合之組成不相同。 特開平1 _ 2 5 1 3 4 2號公報之組成範圍5係以’ 在S bo + τΤ e〇.3共晶添加G e約1 〇原子％以上之系 爲主體，極富Ge之Ge SbTe系，與本發明組成由直 線C實質上加以區別。組成範圍<5中之含有較1 0原子％ 爲多之G e之耝成，係如上述，結晶化速度緩慢，尤其是 使成膜後之記錄層結晶化之初期化操作困難，因此生產性 低，有不符實用之深刻之問題。在該公報*爲了克服此結 晶化速度之問題，而添加成爲結晶核之A u ，P d ，但在 本發明之G e較直線C爲少之領域，則無此必要》 又在該公報記載，G e量較1 〇原子％爲少時*在記 錄部與非記錄部無法獲得充分之光量變化，但在本發明， 則採包含保護層或反射層之適宜之層架構，而獲得調變度 6 0 %以上之非常大之反射光量變化。 特開平3 - 7 1 8 8 7號公報之組成範圍ε係以低密 度記錄爲目的，與本發明組成實質上由直線C加以區別。 特別是，不見有，利用本發明組成範圍，則可在高密度記 錄時獲得優異之返覆蓋寫時之耐久性及長時間之穩定性之 本發明思想。 特開平4 一 2 8 5 8 7號公報之組成範圍？？含有十分 豐富之S b及G e之組成，與本發明組成以直線D實質上 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格（210 X 297公釐） -24- — — — — —— — — — — It — — — — — — —II ^ ίιιιιιιί <請先朋讀背面之注意箏頊^寫本頁> 455867 A7 B7 五、發明說明（22) 加以區別。 如以上所述’在上述之任一公報，本發明目的之有關 於最短標記長度0 · 5 /im以上之高密度之標記長度調變 •記錄之技術課題均未有明確記載，對因此之最合適組成之 選擇，層架構或記錄方法之改善完全未揭示。 其次再對本發明之光學性資訊記錄用媒體之層架構， 說明如下。本發明之媒體因組合上述組成之記錄層與下述 之層架構，而後實現，進行最短標記長度0 . 5 下之 高密度標記長度調變記錄時，能以涵蓋至少3 m/ s至8 m/s ，最好lm/s至10m/s之廣大線速範圍蓋寫 之媒體。並可維持所謂之與D V D之再生互換。 相變化型記錄層之上下至少一方被覆有保護層。 並如第5圖（s)所示，具有基板1/第1保護層2 /記錄層3/第2保護層4/反射層5之架構，其上面被 覆有紫外線或熱硬化性之樹脂（保護用塗敷層6 )。如第 5圖（a )所示之各層之順序適合於，介由透明基板將記 錄再生用之會聚光束照射在記錄層。 也可以將上述各層之順序倒過來’如第5圖（b a ) 所示，以基板1/反射層5/第2保護層4/記錄層3/ 第1保護層2之順序堆疊之架構。此層架構適合從第1保 護層側射入會聚光束時。這種層架構在對物開口數N A在 0 . 7以上，縮短記錄層與物鏡之距離之需要度很高時有 用= · 若是採第5圖（a )所示之架構’基板可以使用聚碳 本紙張尺度適用中國固家標準（CNS)A4規格（210 * 297公茇） -25 - -------------裝--- <請先閲讀背面之注*^項、寫本頁) 訂· .線. 經濟部智慧財產局霣工湳f合作社印製 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 8 6 7 A7 ______B7________ 五、發明說明（23 ) 酸酯，丙烯，聚烯烴等之透明樹脂。其中，聚碳酸酯樹脂 在製造C D時最被廣泛使用，有使用實績，又廉價，最理 想。 第5圖（b)所示之架構也同樣可以使用樹脂或玻璃 ，但基板本身不必透明，有時爲了增加平坦性或剛性，而 使用玻璃或鋁合金較佳。 在基板要配設引導記錄再生光線之間距0 . 8 m以 下之溝，此溝不一定要呈幾何學上之台形狀之溝，可以藉 注入離子等，而形成折射率不同之如導波路者，形成光學 上之溝。 在第5圖（a )所示之層架構，爲了要防止記錄時之 高溫引起之變形，表面設有第1保護層2 ，在記錄 層3上設有第2保護層4。第2保護層.4.可防.ifcpe錄ΐ 3 與反射層5之相互擴散，抑制記錄層.之變形，同時一具 有使熱量散逸到反射層5 能. . . **•1 |· Ί. 「. ·_·ΜΜΓίί.η.Γ..|-ηΓ.Ί ι-ιι m Γιιπί,.ιι - 广.，. '' * 在第5圖（b )，從會聚光束射入側視之，第2保護 層4_也具有1防止記錄層3與反射層5間之相互擴散，散 熱，防止記錄層變形之功能。在第5圖（b )之第1保護 層有，防止記錄層變形，防止記錄層與空氣直接接觸（防 止氧化污染等），防止與光拾訊器直接接觸引起之損傷等 之功能。 也可以在反射層與基板之間進一步配設保護層。例如 可以防止樹脂製_板受到高溫之傷害。 在第5圖（b )所示之架構’鼂像護12- ! — — ！！ -裝------ 訂------線 <請先閱讀背面之注意事项^寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規輅（210 X 297公« ) -26- 5 5 8 6 7 B7 五、發明說明（24 ) 之外側’配設較爲硬質之介電體或非晶質碳保護層，或紫 、r»IN _|丨1*· ―111*"— 外線或者熱硬化性樹脂層。亦可粘貼厚度〇 . 05〜 0 6mm前後之透明薄板，經由此薄板射入會聚光束。 而且，在諸如DVD之媒體，係採，將第5圖（a ) 之媒體之記錄層作爲內側，以接合劑粘貼之構造。第5圖 (b )之媒體則相反地，以記錄層爲外側粘貼之構造。而 且1第5圖（b )之媒體也可以在一片基板之兩面，藉射 出成形，形成追蹤用之溝，在兩面藉濺射法形成多層膜。 記錄層3 ，保護層2，4，反射層5係利用濺射法成 - , _ _· __，------------ . . ^------ 使用同一直空腔內設置記錄用靶*保護層用靶，必要 時加上反射層材料用祀之線內（i η 1 i n e )裝置進 行膜之形成，對防止各層間之氧化及污染上較理想。 決定保護層2，4之材料時，要留意折射率，熱傳導 率，化學穩定性，機械強度，密接性等。一般可以使用透 明性高，高融點之金屬或半導體之氧化物，硫化物，氮化 物，碳化物或Ca ，Mg，L i.等之氟化物。 此等氧化物，硫化物，氮化物，碳化物，氟化物不一 定取化學量論的組成，爲了控制折射率等而控制組成，或 混合使用均有效。 保護層2 ，4可以在厚度方向改變組成比或混合比。 保護層2 ，4也可以分別多數薄膜構成。各膜可依被要求 之特性，使其材料或組成比，混合比各不相同。 若考慮反覆記錄特性’此等保護層之膜密度就機械強 -------------裝--- (請先閱讀背面之注意¥-項、寫本頁) 幻· 線· 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） -27 - 5 58 6 A7 B7 五、發明說明（25 ) 度之面來講，應以整體狀態之8 0%以上爲佳°使用混合 物介電體薄膜時，體密度使用下示邏輯密度β -------------裝--- (請先M1I背面之注意*>項^寫本頁) Ρ = Σ m t p , Cl) m /各成分i之莫耳濃度 P * :單獨之整體密度 本發明之媒體之記錄層3係相變化型之記錄層’其厚 度一般以5 mm至1 0 〇 n m之範圍較佳。 若記錄層3之厚度較5 nm爲薄，則很難獲得充分之 對比，又有結晶速度變慢之傾向，很容易使短時間之抹除 變困難。 另一方面，若超過1 0 0 nm，則同樣無法獲得光學 性之對比，並易發生龜裂。 -丨線- 而且，要獲得能與DVD等再生專用光碟有互換性之 對比，且最短標記長度0.5下之高密度記錄，最好 是以上25nm以下。未滿5nm，反射率會太低 ，而且膜成長初期之不均一之組成，容易顯現疏散之膜之 影響，因此不太理想。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 另一方面，若比2 5 nm厚，熱容量變大•記錄靈敏 度會變差，結晶成長會變成三度空間式，因此有非晶質標 記之邊緣零亂，顫動變高之傾向。而且，記錄層之相變化 引起之體積變化顯著，返覆蓋寫耐久性變差，因此不理想 。從標記端之顫動反返覆蓋寫耐久性之觀點來講，2 0 n m以不較爲理想。 而記錄層之密度爲整體密度之8 0%以上，更佳是 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇x29V公龙） -28- A7 455867 B7___ 五、發明說明（26 ) 9 0%以上。在此所稱之整體（b u 1 k)密度爲當然可 以製成合金塊加以實測，但在上述（1 )式，以各元素之 原子％取代各成分之莫耳濃度，以各元素之分子量取代整 •體密度，則可取得近似値。 在濺射成膜法，記錄層之密度必須，降低成膜時之濺 射氣體（A r等之稀有氣體）之壓力，將基板靠近配置在 靶正面等，以增加照射在記錄層之高能量之A r量。高能 量之A r係爲了濺射而照射在靶上之A r離子之一部跳回 到基板側，或電漿中之A r離子被基板全靣之護皮電壓（ sheath vciltoge )加速而到達基板之任一方。 這種高能量之稀有氣體之照射效果稱作atoirnc peening 效果^ —般所使用之A r氣體之濺射會因atomic peening效 果，使A r混進濺射膜。也可以由膜中之A r量1推測 atomic peening效果。亦即，A r量少，表示高能量A r照 射效果少，易形成密度較疏之膜。另一方面，若A r量多 ，則表示高能量Α τ之照射激烈，密度會較高，但取進膜 中之A r在返覆蓋寫時會成爲Vo i d析出，使返覆之耐 久性劣化。記錄層膜中之適當之Ar量爲0.1原子％以 上，1.5原子％以下。而且，使用高頻濺射時，可使膜 中A r量較使用直流濺射時爲少，可獲得高密度，因此較 佳。 在本發明，記錄層係由，以具有上述組成之 Ge SbTe合金爲主要成分之薄膜所構成。亦即，只要 記錄層中之Ge ，Sb ’ Te各元素量之比在上述組成範 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 * 297公龙） --------丨|丨丨_ *------—訂·！！！ •'^ (請先《讀背面之注意事項 V寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 -29- 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 455867 Α7 Β7 五、發明說明（27) 圍內即可，也可視需要在記錄層添加合計1 0原子％前後 之其他元素。 在記錄層再添加從〇，N及S中所選之至少一種元素 .0.1原子％以上5原子％以下，便可微調記錄層之光學 常數。惟添加量超過5原子％時，會使結晶化速度降低’ 使抹除性能惡化，因此不很理想。 而爲了不使蓋寫時之結晶化速度降低，增加長時間之 穩定性，最好添加8原子％以下之V，Nb，Ta ’ C r ，（：ο ，P t及Z r之至少一種。添加0 . 1原子％以上 5原子％以下更佳。對S b T e之此等添加元素與G e之 合計添加量最好是全部加起來1 5原子％以下。含量過剩 時，會引起Sb以外之相分離。尤其是，Ge含量在3原 子％以上，5原子％以下時，添加效果很大。 爲了長時間穩定性及折射率之微調，添加S 1 1 S η 及P b之至少一種5原子％以下較佳。此等添加元素與 G e之合計含量以1 5原子％以下爲佳。此等元素具有與 G e相同之四配位網路。 添加A 1 ’ G e ’ I η 8原子％以下，會使結晶化溫 度上昇，同時也有減低顫動，改善記錄靈敏度之效果，但 也容易發生偏析，因此以6原子％以下爲佳。同時，加上 G e之含量最好是1 5原子％以下，更好是1 3%以下。 添加A g 8原子％以下對改善記錄靈敏度同樣有效， 尤其是使用在G e原子量5原子％時，效果很顯著β惟， 超過8原子％之添加量會使顏動增加，或損及非晶質標記 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -30- -------— — — — — — -------1 訂·！--— — <請先《讀背面之ii意事項、寫本頁) 455867 A7 B7 五、發明說明（28) <請先《讀背面之注項、寫本頁) 之穩定性，因此不甚理想。加上Ge之添加量超過1 5原 子％使容易產生偏析，因此不很好。最理想之A g含量爲 5原子％以下β 本發明之記錄媒體之記錄層3之成膜後之狀態，通常 是非晶質。因此，在成膜後，有必要使記錄層全面結晶化 成爲初期化之狀態（未記錄狀態）。 至於初期化之方法，若是在Sb〇 · 7Te。· 3)含過 剩之S b之合金，則可以藉固相之退火而初期化，但若另 含有G e之組成，則採用先使記錄層溶融再凝固時緩慢冷 卻，使其結晶化之溶融再結晶化之初期化較佳。 本記錄層在成膜後幾乎不會有結晶成長之核，固相下 之結晶化很困難，但若依溶融再結晶化，則似乎是在形成 少數之結晶核後溶融，以結晶成長爲主體高速進行再結晶 it - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而本發明之記錄層因溶融再結晶化之結晶，與固相下 退火形成之結晶之反射率不相同，因此若混在一起，則會 成爲雜訊之原因。而在實際蓋寫記錄時，抹除部會成爲溶 融再結晶化形成之結晶，因此，初期化也是藉溶融再結晶 化較佳。 這時，溶融記錄層限定是局部性，且是限定在1 m s 程度之短時間。若溶融領域廣濶，溶融時間或冷卻時間太 長，則會因熱量而破壞各層或使塑膠基板變形。 施加這種熱履歷時，將波長6 0 0〜1 0 0 0 n m程 度之高輸出半導體雷射光線，會聚成長軸1 0 0〜3 0 0 本紙張尺度適用中國囷家標準（CNS)A4規格（210x297公* > - 31 - ί 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 5 4 8 6 7 A7 ____B7_______ 五、發明說明（29 ) ，短軸1〜3 而加以照射，並以短軸方向爲掃描 軸，以1〜1 〇m/s之線速度掃描較理想。同樣是會聚 光，但若接近圓形，則溶融領域會太大，容易產生再非晶 •質化•並且，對多層架構或基板之破壞相當大，不可取= 初期化是藉溶.融再結晶化達成，可依下述方式加以睹 認。亦即，對該初期化之媒體，直流方式，以一定線速， 照射會聚成直徑小於1 . 5 # m之小光點徑之足以溶融記 錄層之記錄功率P w之記錄光。若有引導溝，則以對該溝 或溝間構成之軌道施加追蹤伺服及集焦伺服之狀態下爲之 c 然後，若在同一軌道上直流方式照射抹除功率P e ( S Pw )之抹除光而獲得之抹除狀態之反射率|與完全未 記錄之初期狀態之反射率幾乎相同，則可確認該初期化狀 態是溶融再結晶狀態。 因爲，經過記錄光照射，記錄層已被溶融•而藉抹除 光照射完全再結晶化之狀態，係經過記錄光將共溶融及抹 除光使其再結晶化之過程，而成溶融再結晶化之狀態。 再者，初期化狀態之反射率R 與溶融再結晶化之 狀態R ::之反射率大致相同之意思，係指以（R > n , _ R…v ) / { ( R , η ,十R c f v ) / 2 }所定義之兩者之 反射率在2 0 %以下，通常，僅因退火等之因相結晶化時 ，其反射率較2 0%爲大。 其次說明記錄層以外之各層。 本發明之層架構屬於急冷構造之層架構之一種。急冷 - ----------I I -----— II ^> — — — —1 — {請先W讀背面之注意事項坟寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公龙） -32 - 經濟部智慧財產局霣工消費合作社印製 4 5 58 6 ； Α7 Β7 五、發明說明（) 構造可以促進散熱，因採用可提高記錄層再凝固時之層架 構，而迴避形成非晶質標記時之再結晶化之問題，同時實 現因高結晶化而達成之高抹除比。因此第2保護層之膜厚 •度爲5 nm以上3 0 nm以下•若較5 nm爲薄，記錄層 溶融時之變形等易被破壞，而散熱效果太大，記錄所需要 之功率會太大。 本發明之第2保護層之膜厚度對返覆蓋寫時之耐久性 有很大之影響，尤其在抑制顫動之惡化上也很重要。膜厚 度較3 0 nm大時，在記錄時第2保護層之記錄側與反射 層側之溫度差很大，保護層兩側之熱膨脹差使保護層本身 很容易成非對稱狀變形。這種變形之返覆發生，會在保護 層內累積細微的塑性變形，招致雜訊之增加，很不妥。 使用本發明之記錄層時，可在最短標記長度0 . 5 # m以下之高密度記錄時實現低顫動，但依照本發明人等 之檢討，爲了實現高密度記錄而使用短波長之雷射二極體 (例如波長7 0 0 n m以下）時，對上述急冷構造之層架 構仍需要有深一層之留意。特別是對使用波長5 0 0 nm 以下，開口數ΝΑΟ · 5 5以上之會聚光束之單一光束蓋 寫特性之檢討時，發現標記寬度方向之溫度分布之平坦化 ，對要取較寬之高抹除比及抹除功率邊際限度很重要。 适在使用波長630〜68〇nm，ΝΑ=0 · 6前 後之光學系統之對應D V D之光學系統也有同樣之傾向。 在使用這種光學系統之高密度標記長度調變記錄時，特別 使用熱傳導率低之材料當第2保護層。其膜厚度最好在 本紙張尺度適用中國圉家標準（CNS)A4規格（210 X 29Ϊ公爱） -33- — — — — —-----·1111111 ^« — 1— — — — — ·^ {請先閱讀背面之注意事項次寫本頁> 4 5 58 6 . A7 一 B7 五、發明說明（31 ) l〇nm以上25nm以下。 --------------裝—— (靖先閱讀背面之注意事4\寫本頁) 不論那一種場合，設在其上之反射層可使用熱傳導率 高之材料，以改善抹除比及抹除功率之邊際限度。 依據檢討之結果，在較大之抹除功率範圍，要使本發 明記錄層發揮其所具有之良好之抹除特性，最好能使用， 不僅膜厚度方向之溫度分布或時間變化，膜面方向（記錄 光束掃描方向之垂直方向）之溫度分布能儘量使其平坦化 之層架構。 本發明人等曾嚐試，藉適宜設計媒體之層架構，使媒 中之軌道橫截面方向之溫度分布平坦化，以加大不會溶融 後再非晶質化•而能再結晶化之寬度*以擴展抹除率及抹 除功率之邊際限度。 .線_ 另一方面也瞭解，從記錄層，經由熱傳導率低，十分 薄之第2保護層，促進其對極高傳導率之反射層散熱，則 可使記錄層之溫度分布平坦。提高第2保護層之熱傳導率 也可以促進散熱效果*但過度促進散熱，記錄所需之照射 功率會很高，亦即•記錄靈敏度會明顯下降。 經濟部智慧財產局BK工消费合作社印製 本發明最好是使用低熱傳導率之薄形第2保護層。 因爲使用低熱傳導率之薄形第2保護層*在開始照射 記錄功率時之數n s e c〜數十n s e c '使從記錄層至 反射層之熱傳導有時間上之延遲，然後再促進其對反射層 散熱，因此不會因爲散熱而使記錄靈敏度有非必要之下降 〇 以往所知之以S i 0 2，T a 2 〇 3，A 1 2 0 3， -34- 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4规格（210 * 297公釐） 經濟部智.€財產局員工消費合作社印製 58 6 . A7 _____B7 五、發明說明（32 ) A 1 N，S i N等爲主要成分之保護層材料，其本身之熱 傳導過高，當作本發明媒體之第2保護層4不太理想。如 此，金屬氧化物或氮化物之熱傳導率’與同樣之薄膜狀態 •相比，仍較本發明保護層所用之下述保護層’其熱傳導率 高上1位數以上。 另一方面，反射層之散熱’僅加厚反射層也可以達成 ，但若反射層之厚度超過3 0 0 nm，膜厚度方向之熱傳 導會較記錄層膜面方向爲顯著，無法獲得膜面方向之溫度 分布改善效果。同時，反射層本身之熱容量變大，反射層 ，同樣是記錄層之冷卻會花較長時間，致阻礙非晶質標記 之形成=最好是，配設較薄之高熱傳導率之反射層，選擇 性促進橫方向之散熱。 以往使用之急冷構造，係僅著眼於膜厚度方向之一度 空間式之熱的散逸，僅設法儘快從記錄層向反射層散熱， 而不太留意其平面方向之溫度分布之平坦化。 再者，本發明之所謂「考慮在第2保護層之熱傳導延 遲效果之起急冷構造」，若應用在本發明之記錄層，將較 以往之G e T e _ S b2T e 3記錄層更有效。因爲，本發 明記錄層在T m附近之再凝固時之結晶成長成爲再結_化 之律速。要使T m附近之冷卻速度大到極限，使非晶質標 記及其邊緣之形成確實且明確時，超急冷構造較有效，且 對膜面方向之溫度分布之平坦化·原來在Tm附近可以高 速抹除者，也能夠將藉再結晶化之抹除確實確保到高抹除 功率。 — — — — — I· i *!!1 晒 ^17·! — — — — — (靖先閱讀背面之沒意事項.寫本頁> 本纸張疋度適用中囷國家標準（CNS)A4規格（2〗0 * 297公釐） · 35 - 45 58 6 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（33) 在本發明，第2保護層之材料以使用低熱傳導率者較 佳’其大致上之目標爲1 xl〇_3P J / ( ^ m - κ · n s e c )。然而，要直接測量這種低熱傳導 ’率材料之薄膜狀態之熱傳導率很困難°可以利甩熱膜擬， 及從實際之記錄簠敏度之測量結果取得大致上之目標，以 取代之。 能夠有良好結果之低熱傳導率之第2保護層材料最好 是含有ZnS，ZnO，Ta S2或烯土類硫化物中之至少 —種50mo1%以上之9〇mo1%以下，且含有融點 或分解點在1 0 0 0 °C以上之耐熱性化合物之複合介電體 更具體是，含有La ，Ce ，Nd ’Y等之烯土類硫 化物60mo1%以上90mo1%以下之複合介電體較 佳s 或者使Z n S < Ζ η 0或烯土類硫化物之組成範圍爲 70〜9〇mo1%較佳。 與此等混合之融點或分解點在1 0 0 〇°C以上之耐熱 化合物材料可以使用，Mg，Ca ，Sr ，Y，La， C e 1 Η ο > E r，Yb，Ti ，Zr ，Hf ，V，Nb *Ta ，Zn，Al ，Si ，Ge ，Pb等之氧化物，氮 化物，碳化物或C a ，M g，L i等之氟化物。 特別是，與ZnO混合之材料以使用Y，La ，Ce ，N d等烯土類之硫化物或硫化物與氧化物之混合物較佳 本紙張尺度適用中國圉家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -36 - — — — — — ϊ — lllllt ——— — — — — ^ * — I---II (锖先'M讀背面之沒意»··項、寫本頁) 5 4 5 8 〇 ,· A7 ______B7______ 五、發明說明（34 ) 而因爲第2保護層之膜厚若較3 0 nm厚時，無法獲 得標記寬度方向之溫度分布之充分之平坦化效果，因此使 其爲3 0 nm以下。最好是2 5 nm以下。未滿5 n m時 •，第2保護層部之熱傳導之延遲效果不充分，記錄靈敏度 顯著下降，因此不妥當。 記錄雷射光之波長在6 0 0〜7 0 0 nm時，第2保 護層4之厚度以1 5 nm〜2 5 nm較佳，波長在3 5 0 nm〜6 0 0 nm時，以5〜2 0 nm較佳，最好是5〜 1 5 n m。 在本發明之特徵是，使用非常高熱傳導率，3 0 0 n m以下之薄反射層5，以促進橫方向之散熱效果。 ' —般來講，薄膜之熱傳導率與整體狀態之熱傳導率有 很大之不同，普通是很小。特別是在未滿4 0 n m之薄膜 ，成長初期之島狀構造之影響，有時使熱傳導率小1位數 以上，不甚理想。而且，因成膜條件其結晶性或雜質量不 同，就是同一組成，也成爲熱傳導率不相同之原因。 在本發明，爲了規定顯示良好特性之高熱傳導率之反 射層，反射層之熱傳導率可以直接測量，但也可以利用電 阻來估計其熱傳導之良否。因爲如金屬膜之由電子主導熱 或電導之材料，熱傳導率與電傳導率有良好之比例關係之 故s 薄膜之電阻以其膜厚度或測量領域之面積加以規格化 之電阻率値表未之。體積電阻率與面積電阻率能以普通之 4探針法測量，由J I S K 7 1 9 4規定之。藉平法 -------裝！ —訂·! •線 (請先閱讀背面之—項\寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 297公潘） -37- 5 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 A7 ____B7 五、發明說明（35 ) 測量時，較實測薄膜之熱傳導率簡便許多，且可以獲得重 現性良好之資料。 在本發明之可取之反射層，其體積電阻率爲2 Ο η Ω •m以上，1 50ηΩ ·ηι以下，若是2〇ηΩ ·πι以上 1 00 ηΩ * ιώ以下則更佳6體積電阻率未滿2 ΟηΩ · m之材料在薄膜狀態實質上很難獲得。體積電阻率較 1 5 0 η Ω · m爲大時，例如使厚度超過3 0 0 nm時， 便可降低體積電阻率，但依據本發明人等之檢討，用這種 高體積電阻率材料時，僅降低面積電阻率，仍無法獲得充 分之散熱效果。因爲厚膜時*可能是單位面積之熱容量會 增大。而這種厚膜之成膜要花時間，材料費也會增加，因 此，從製造成本之面來講是不太理想。而且，膜表面之細 微之平坦性也會變差》 最好是使用，能夠獲得膜厚度3 0 0 nm以下，面積 電阻率0 2以上，〇 . 9Ω/□以下之低體積電阻率材 料。0 . οΏ/1 _i 最好 適合本發明之材料如下。 例如’含有S i 〇 · 3重量％以上0 · 8重量％以下 ’ Mg 0 · 3重量％以上1 · 2重量％以下之A 1 -Mg —S 1系合金。 而在 A1 含有丁 a ，Ti ，Co，Cr ，Si ，Sc ，Hf ’Pd，Pt ，Mg，Zr ，Mo 或 Μη〇·2 原 子％以上2原子‘％以下之a 1合金’其體積電阻率會與添 加元素成比例增加，並可改善耐異常析出性，可以考慮耐 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公« ) - 38 - -----!裝 —1— 訂·！ I ·線 {請先閲讀背面之注意事項w寫本頁) 45 58 6 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（36 ) 久性，體積電阻率’成膜速度等加以採用。 關於A 1合金，雖因成膜條件而有不同’但若添加未 滿0 . 2原子％之雜質’耐異常析出性大多不足。但若超 .過2原子％，則很難獲得上述之低電阻率。 若重視長時間之穩定性，添加成分以T a爲佳。尤其 是對以Z n S爲其主要成分之上部保護層4 ’ & τ a 0 . 5原子％以上，〇 · 8原子％以下之A 1 T a合金爲 最可平衡滿足耐腐蝕性’密接性’高熱傳導率之全部之反 射層，最爲可取。而以T a時，僅添加0 . 5原子％ ’則 可使其濺射時之成膜率較純A 1或A 1 - i合金 提高3〜4成’製造上可獲得良好之效果。 以上述A 1合金當作反射層使用時，可取之膜厚度爲 1 5〇nm以上300nm以下。未滿1 5〇nm時’就 算純A 1時其散熱效果仍不充分。超過3 0 0 nm時’熱 量會從水平方向改向垂直方向逸散’與水平方向之熱分布 改善沒有助益’且因反射層本身之熱容量大’反而丨吏記錄 層之冷卻速度變慢。而膜表面之細微之平坦性也變差。 而在Ag含有Ti ’V，Ta ’Nb’W’Co， C r，Si ，Ge，Sn，Sc，Hf，Pd，Rh，
Au ，Pt ，Mg ，Zr ，Mo 或 MnO . 2 原子 ％ 以上 5原子％以下之A g合金也很好。十分重視長時間之穩定 性時，添加成分爲以T i ，M g較佳。 以上述A g合金當作反射層使用時，可取之膜厚度爲 4 0 nm以上1 5 0 nm以下。未滿4 0 nm時就是純 本紙張尺度適用中®國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t > -39- — I!——!— — » ^ * ------ -tlr*! (請先閱讀背面之注专^v寫本頁>
8 ---1 ;:o 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 LO 6 7 A7 _____B7 五、發明說明（37 )
Ag，其散熱效果仍不充分。超過I50nm時，熱量由 水平方向改向垂直方向逸散，對水平方向之熱分布改善沒 有助益，而不必要之膜厚度使生產性降低。同時，膜表面 之細微之平坦性也變差。 本發明人已確認，在A 1添加之元素及在A g添加之 元素，其體積電阻率與其添加元素濃度成比例增加。 而雜質之添加，一般被認爲是，使結晶粒徑較小，增 加粒界之電子散亂，而降低熱傳導率。調整添加之雜質量 在加大結晶粒徑，對獲得材料本來之高熱傳導率是有其必 要。 再者，反射層通常是藉濺射法或真空蒸著法形成，但 除了靶或蒸著材料本身之雜質含量以外*包括成膜時混入 之水分或氧氣量在內，所有之雜質量必須在2原子％以下 。爲此，處理室內之真空度最好在1 X 1 〇_3p a以下較 佳。 若以較1 0 dp a爲差之真空度成膜，最好使成膜率 爲1 n m /秒以上，更好是1 〇 n m /秒以上，以防止取 進雜質。 或者有意使添加元素較1原子％爲多時，最好使成膜 率爲1 0 n m /秒，儘可能防止附帶性混入雜質》 成膜條件有時與雜質量無關而影響到結晶粒徑。例如 在A 1混合T a 2原子％前後之合金膜，其結晶粒間會混 進非晶質相，但結晶相與非晶質相之比例係依存於成膜條 件。例如，愈是以低壓濺射，結晶部分之比例愈增加，體 本紙張尺度適用中國S家楳準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） - - - - - --- -- -----I I ! I 訂·!— I* *5^ <請先W讀背面之注$^項、\、寫本頁) -40· 455857 A7 B7 五、發明說明（38) 積電阻率下降，熱傳導率增加。 膜中之雜質組成或結晶性也會依存於濺射所使用之合 金靶之製法或濺射氣體（Ar，Ne，Xe等）。 如此，薄膜狀態之體積電阻率不會僅由金屬材料組成 而決定》 要獲得高熱傳導率，應如上述減少雜質量較佳•但在 另一方面，A 1或A g之純金屬有耐腐蝕性或耐異常析出 性較差之傾向，因此應考慮兩者間之平衡，來決定最合適 之組成。 要獲得更高之高熱傳導與高可靠性而將反射層多層化 也很有效。這時，要使其中之至少一層爲具有全反射層膜 厚度之5 0 %以上，以上述低體積電阻率材料製成而實質 上擔負有散熱效果，他層則擔負耐腐蝕性或與保護層間之 密接性，耐異常析出性之改善之作用。 更具體是，金屬中最具高熱傳導率及低體積電阻率之 A g與含有S之保護層之相容性很差，有返覆蓋寫時之劣 化稍快之傾向。 並有在高濕高溫下之P b速試驗環境下•容易腐蝕之 傾向。 因而，使用A g及A g合金作爲低體積電阻率材料， 在與上述保護層之間配設以A 1爲主要成分之合金層1 nm以上1 〇 〇 nm以下之界面層，也很有效。若厚度爲 5 nm以上，則層不會成爲島狀構造，易均勻形成。 A 1合金有如上述之，例如含T a ，T i * C 〇， -----------—裝.！ <靖先閱讀背面之注意事項ik寫本Ϊ 訂. --線- 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公发） -41 - 經濟部智慧财產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（39 )
Cr，Si ，Sc，Hf’Pd，Pt ，Mg，Zr，
Mo或Μη Ο . 2原子％以上2原子％以下之A 1合金。 界面層之厚度若未滿1 nm ·保護效果將不充分，若 •超過1 0 0 nm，則會犧牲散熱效果。 界面層之使用，特別是在反射層爲A g或A g合金時 有效。因爲，A g與本發明認爲可取之含硫化物之保護層 相接觸時，比較會因硫化而引起腐蝕。 而且，使用A g合金反射層及A 1合金界面層時，因 爲A g與A 1係比較容易相互擴散之組合，因此，使A 1 表面較1 nm厚，並使其氧化而配設界面氧化層會更爲理 想。若界面氧化層超過5 nm，尤其是超過1 〇 nm時， 則會成爲熱阻，會損及本來主旨之散熱性極高之反射層之 功能，因此不甚妥當。 反射層之多層化，對組合高體積電阻率材料與低體積 電阻材料，以所希望之膜厚度，獲得所希望之面積電阻率 時很有效。 藉合金化調節體積電阻率，可以藉使用合金靶’而簡 化濺射過程，但也會成爲使靶之製造成本，即媒體之原材 料比上昇之主要原因。因此，將純Ai ，純Ag膜與上述 添加元素本身之薄膜多層化，對獲得所希望之體積電阻率 也很有效= 若層數在3層前後，雖然初期之裝置成本會增加’但 個別之媒體成本有時反而可以抑制。 最好是，以多數金屬膜將反射層構成爲多層反射層， — — — — — — — — — — — — — > I I I I I 1 I « — — — — — — I — * (請先M讀背面之注#^項^寫本頁> 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公* ) -42- 45 58 6 7 A7 __ B7 五、發明說明（如） 使整個膜厚度爲4 0 nm以上3 0 0 nm以下，使多層反 射層之厚度之5 0%以上爲體積電阻率2 Ο η Ω * m以上 150ηΩ·ιη以下之金屬薄膜層（也可以是多層），較 爲理想。 選擇記錄層及保護層之厚度時，除了從上述熱特性， 機械強度，可靠性等各方面之限制之外，也應考慮多層構 造帶來之干擾效果，而選擇雷射光之吸收效率良好，記錄 信號之波幅，即記錄狀態與未記錄狀態之對比較大者。 例如，欲將本發明媒體應用在可改寫型DVD，確保 與再生專用型之D V D之互換性，則必須有高調變度。同 時需要能夠直接利用通常再生專用裝置所用之所謂D P D (Differential Phase Detection )法之追蹤伺服法。 第6圖表示記錄EFM plus調變之隨機信號而 再生時之D C再生信號（含直流成分之再生信號）之波形 。調變度以14丁標記之波峯之信號強度I1-。與信號波 幅I 1 1之比I 1 ! / I t υ μ加以定義。 I，。Ρ實際上是相當於未記錄部（結晶狀態）之溝內 之反射率。I i 4則，從相變化媒體之結晶部分與非晶質部 分之反射光之強度差及相位差成爲問題。 反射光之強度差基本上是由結晶狀態及非晶質狀態之 反射率差而定。若上述記錄後之調變度在大槪〇.5以上 時’則可實現低顫動，同時上述藉D P D法之追蹤伺服也 會良好動作》 ’ 第7圖表示典型之4層架構之反射率差之計算例。假 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -43 - --------------裝.1 — (請先«讀背面之注帝孝項 \寫本頁) 訂： 線. 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 455867 A7 B7 五、發明說明（41 ) 定是在聚碳酸酯基板上配設（Z n S ) so ( S 1 O2) :〇 保護層，Ge〇.D5St)Qi89TeQ.26 記錄層， (ZnS) 8。（S i 〇2) 2〇 保護層， 八1〇.995丁3。.。。5反射層。 各層之折射率.使用實測値。在波長6 5 ◦ n m之各材 料之複數折射率爲，上下保護層爲2 . 12 — 0 . 01 i ，反射層爲1 . 7 — 5 . 3 1 ，基板爲1 , 56 ，記錄層 在非晶質狀態（以成膜後之狀態測量）時爲3 . 5 — 2 . 6 1 ，初期化後之結晶狀態時爲2 . 3 — 4 . 1 1 。 而記錄層，第2保護層，反射層之膜厚度係分別爲 1 8nm，2〇nm，200nm，均爲一定値。 關於第1保護層之膜厚依存性，通常根據之變化很小 ，明顯依存於分母之I :。μ |即結晶狀態之反射率。因此 ，結晶狀態反射率是愈低愈好。 第7圖之計算例之第1保護層爲折射率n=2.12 之（ZnS) SD (S i〇2)膜。這時，第1極小値 膜厚度50〜70ηιη，第2極小値d2爲膜厚度 2 0 0〜2 2 0 n m。以後則週期性變化。 若是反射率高之記錄層*結晶狀態之反射率成爲極小 之第1保護層之膜厚度實質上僅由保護層之反射率而定。 在其他折射率η之極小點膜厚度則在d】，d 2乘以 2·Ι/n便可大致求出，但通常當作保護層使用之介電 體爲n=l . 8·〜2 . 3左右，61係6 0〜80nm左右 本紙張尺度適用中國固家標準（CNS>A4規袼<210 X 297公釐） -44 - •裝----11--訂--------線 <請先W讀背面之注意事項：从寫本頁} 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 4 5 5 8 〇 , Α7 ____ — Β7 五、發明說明（42 ) 若第1保護層之折射率η較1 . 8小，極小點之反射 率會增加’調變度顯著下降，成爲未滿〇 . 5，因此不理 想。反之，若是2 . 3以上，極小點之反射率會太低，無 ’法達成2 0 %，聚焦或追蹤伺服很困.難，因此不太好。 在本發明之記錄層之組成範圍，可發揮大致上類似第 7圖所示之光學特性。 從生產性之觀點，第1保護層之膜厚度應止於1 5 0 n m以下較佳。因爲，目前介電體保護層之以濺射法成膜 之速度只不過是1 5 0 nm/秒，在此項成膜花上1 0秒 以上會使成本上昇。同時，膜厚度變動上之允許値會變嚴 格，因此在生產上並不理想。亦即，從第7圖可以看出， 若從所希望之膜厚度d ◦偏移△ d，則第1極小値d !附近 ，與第2極小値d 2附近，均有相同之變動。 另一方面，對製造上之膜厚度分布，通常是對d。在 ±2〜3%爲均一性之限度。因此，d〇愈薄，膜厚度之變 動幅度△ d愈小，可以抑制光碟面內或光碟面間之反射率 變動，因此較有利。 因之，使用廉價之靜止對向型之濺射裝置，而不具有 基板之自公轉機構之裝置時，則採用第1極小値d 1附近之 膜厚度較佳。 另一方面，厚保護層因爲有可以抑制返覆蓋寫時之基 板表面變形之效果，若重視返覆蓋寫耐久性之改善，則採 用第2極小値d 2附近之膜厚度較佳。 再者，經由基板射入記錄再生光線進行記錄或再生之 - ------— — — ——— — —— — —— I— — — <請先《讀背面之沒惠事巩：>寫本頁> 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210* 297公« ) -45- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 5 5b t A7 __ B7 五、發明說明（43 ) 媒體，則必須加原第1保護層至某種程度，保護基板不受 記錄時產生之熱量之影響。記錄時，記錄層爲1 〇 〇 n s e c程度，但會到達500〜600 °C以上。因此， 使膜厚度爲5 0 nm以上較佳。未達5 0 nm時*返覆記 錄時會在基板累積細微之變形，易成爲雜訊或缺陷。尤其 是基板是聚碳酸酯等之熱可塑性塑膠製成時，這一點很重 要= 其次說明，適合與本媒體合併使用之光記錄方法。 可取之第1記錄方法，係藉多數記錄標記長度，在上 述記錄媒體記錄標記長度調變之資訊時， 在記錄標記間照射•足以使非晶質結晶化之抹除功率 P e之記錄光線，而一個記錄標記之時間長度爲η T時（ Τ係基準時脈週期，η係2以上之整數）* 將記錄標記之時間長度η Τ，依 τ?ιΤ 1 α \ Ύ ' β \ Ύ . a 2 Ύ ' β 2 T ' .......... a ^ T ’ β ( Τ ' ......... ’ α I» T ’ β m Τ ， η 2 Τ (其中，m係脈衝分割數，m = η - k，k係0 S k 芸2之整數。 而1】（α.十召 *) + η ι + η 2 = n > η i 爲 η i l Q 之實數，爲7?2g〇之實數，刍2 . 〇。 a: (ISiSm)爲 α,>0 之實數，/3. (l = i 客 m)爲 /3·>〇 之實數，Σα,<0 · 5n 。 α] = 0·1 〜1.5，/3i=〇.3 〜1· ◦’冷- =0 〜1 . 5 ’ α 1 — 0 . 1 〜0 · 8 (2 各 iSm)。 !!1* ^^ ! — 麵 I A (請先《請背面之沒$項i寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） -46- 45 45 經濟部智»?財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（44 ) 再者，3SiSm 之 i 時，0:: + /31-1 = 0 . 5 〜 1 · 5之範圍，且不依i ，恆爲一定値。） 之順序加以分割， ' 在a ^ T ( 1 S i ^ m )之時間內，照射足以溶融記錄 層之Pwgp e之記錄功率Pw之記錄光線，在万，T ( 1 Si客m)之時間內，照射〇<PbS〇 · 2Pe (但在 ，可能成爲0<Pb‘Pe)之偏壓功率Pb之記錄 光線。 在上述媒體一倂使用本記錄方法，即可正確控制記錄 罾再凝固時之冷卻速度，因而能夠至少在3m/s至8 m / s，而且，因設定記錄條件而在1 m/ s至1 5 m/s之廣大線速度範圍內，進行最短標記長度〇 . 5 βηι以下之高密度標記長度調變記錄，可達成1 〇〇〇次 以上之返覆蓋寫，實現未滿基準時脈週期丁之1 0 %之低 顥動。 首先，爲了要實現如上述之高密度標記長度調變記錄 ’須將波長3 5 0〜6 8 0 nm之雷射光束，通常開口數 Ν Α在〇 . 5 5以上0 · 9以下之物鏡，會聚在記錄層， 而獲得微小之含聚光束點。 更好是NA爲0.55以上0.65以下。NA超過 0 . 6 5時，因光軸傾斜造成之收差之影響變大’因此有 必須使物鏡與記錄面之距離極近。因此，經由D V D等厚 度0 . 6mm左右之基板射入會聚光束時，ΝΑ之上限爲 0 _ 6 5前後。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐〉 -47 - 裝！----訂·--------線 ί靖先閱讀背面之注寫本頁) 45 bb 經濟部智.€財產局具工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（45) 而如第8圖所示，至少以將記錄光功率調變成3値’ 則可擴大功率邊際限度及記錄時線速之邊際限度。 而在第8圖，前頭記錄脈衝tfiT之開始位置，最終截 -斷脈衝ySmT之終了位置不一定要與原來之開始位置，終了 位置一致。在0 - 0之範圍內，可以在前 頭配置？？，最後配置^^丁。對應該標記前後之標記長 度來標記間長度，微調々iT或？？2丁之長度，對正確形成 標記也很有效。 或者僅對應標記長度η T改變，有時亦可形成良好 之標記。最後之^<„=0也可以。例如在E FM調變之3 Τ 〜1 1Τ中之1 1Τ標記，或在EFM ρ I u s調變之 3 Τ〜1 4 Τ中之1 4 丁等，愈長之標記愈容易積存熱量 ’因此使最後之/3 m較長，俾使冷卻時間較長爲佳。 反之’ 3 T標記等之短標記時，使/3 „較短爲佳。其調 整幅度爲0 . 5前後。若是超過所謂ID V D程度之線記錄 密度之高密度記錄，則不一定要這種微調，便能夠獲得十 分好之記錄信號品質。 而改變偏壓功率P b之大小，也可以控制標記形狀。 第9圖表示照射兩個記錄脈衝時之記錄層之某一點之溫度 之時間變化例子。係對媒體使光束相對移動，同時連續照 射記錄脈衝Ρ 1 ，截斷脈衝，記錄脈衝P 2時之照射記錄 脈衝P1時之位置之溫度變化。（a)係Pb=Pe時， (b )係P b与0時。 在第9圖（b)，因爲截斷脈衝區間之偏壓功率Pb 1------1 — — — —— *11-----— — — — — — [I <請先閲讀背面之注意事項 V寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家楳準（CNS)A4規格（210 X 297公爱> -48 - 4 5 5 8 6 7 經濟部智慧財產局員工消賢合作社印製 A7 B7 五、發明說明（46) 幾乎等於0，因此TL’下降到較融點低很多之一點，且 中途之冷卻速度也很大。因之，非晶質標記在照射脈衝 P 1時溶解，由其後之截斷脈衝時之急冷而形成。 另一方面，第9圖（a )在截斷脈衝區間也在照射抹 除功率P e ，因此，照射第1個記錄脈衝P 1後之冷卻速 度很慢*在截斷脈衝區間之溫度下降而到達之最低溫度 T L滯留在融點Tm附近，而且因後續之記錄脈衝P 2而 加熱到融點T m附近，不容易形成非晶質標記。 對本發明之媒體，取第9圖（b )所示之急峻之外型 ，就抑制高溫領域之結晶化，獲得良好之非晶質標記上是 很重要的事。因爲，本發明媒體之記錄層僅在融點直下之 高溫領域亦很快之結晶化速度，因此取記錄層溫度幾乎不 會停留在高溫域之（b )之外型，則被認爲可抑制再結晶 化。 或者被認爲，在接近結晶化溫度T c之比較低溫領域 之結晶核生成在每次抹除處理過程並不具支配性，而因爲 上述之初期化時形成之可能成爲結晶核之S b簇會穩定存 在，因此僅高溫域之結晶成長具支配性質。 因之，控制冷卻速度及TL’便可大致上完全抑制再 結晶化，獲得具有與溶融領域大致一致之輪廓淸晰之非晶 質標記，可降低標記邊緣之顫動。 另一方面，在G e T e — S b2T e3擬以二元合金則 不論第9圖（a ) ( b )之那一溫度外型，其非晶質標記 形成程序均無大差別。因爲’此材料在相當大之溫度範圍 本纸張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公爱) -49 - - ---- --------— ml ^*1 —----I <請先ffl讀背面之注*#項\寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 455867 A7 __B7 五、發明說明（47) ，特別是在結晶化溫度T C附近之低溫領域，雖速度稍低 ，但仍會顯示再結晶化。或者被認爲，此材料之比較接近 T c之溫度領域之結晶核生成，與接近了 m之溫度領域之 ’結晶成長成爲律速，因此，整體來講，在較大之溫度領域 會發生比較低速之再結晶化。
GeTe-Sb2Te3有時也會以Pb<Pe而使用 截斷脈衝抑制粗大顆粒，但若P b / P e S 0 . 2，則在 T c附近之結晶化會受到過分之抑制，反而使抹降性能下 降。 惟，本發明之記錄層材料被認爲接近T c之比較低溫 之結晶化不太會產生，因此令Pb/PeS〇 . 2較佳》 或者更具體地，使OSPbSl·5(mW)，只要追蹤 伺服會穩定則儘量用較低之P b ，積極使用截斷脈衝使其 儘可能急速冷卻*較能夠明確形成非晶質標記之邊緣•比 較可取。 在第8圖之脈衝分割方法，特別是使最前端之記錄脈 衝α】T較後續之α : T稍長，並與其他截斷脈衝分開另外 設定最前端及最後端截斷脈衝寬度/3 ! Τ，η, Τ，對取得 長標記與短標記之特性平衡最爲有效。 因爲最前端之脈衝a : Τ沒有餘熱效果，爲了昇溫需要 長一點之時間。或者，將最前端之脈衝記錄功率設定成較 後續之脈衝爲高也有效。 若使脈衝之切換與時脈週期T同步，脈衝控制會較簡 單=第1 0圖表示，適合標記長度調變記錄，且脈衝控制 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4现格⑵ο X 297公« ) - 50 - — — — 111!· i I ! I I I 訂-111!! ^^ (請先閱讀背面之注类事礓：.¥寫本頁) 5 5 8 6 7 A7 _ B7 五、發明說明（48) 電路簡便之脈衝分割方法。記錄（a )之標記長度調變資 料時之脈衝分割方法中，（b)表示m = n- l時，（c )表示m=n—2時之情形。再者，爲了簡化圖示，（b • ) ， （c)省I未示T =其中，及泠， 均不依 i ，爲一定値，， a . * /5 . - 1 = 1 . Ο ( 3 ^ i ^ m )，而使 cr, C 2 ^ ι )之記錄脈衝之後端與脈衝同步。 而使P b與再生光功率P r相同，對簡化電路也有效 。使前頭脈衝aiT較後續脈衝爲長，對改善短標記與長標 記之平衡是必要的。也可以僅使前頭脈衝之功率較後續脈 衝爲高。 這種脈衝，可以藉決定第1 1圖所示之三種閘產生電 路及該等間之優先順位而達成。 第1 1圖係依本發明記錄方法之脈衝產生方法之一個 例子之說明圖。（a )係脈衝信號，（b )係資料信號， 記錄脈衝產生電路中之三種閘產生電路所產生之閘信號爲 (c)Gatel， ( d ) G a t e 2 ' ( e ) G a t e 3。決定這些三種閘信號之優先順位，即可達成本發明之 脈衝分割方法。 G a t e 1僅決定記錄脈衝產生區間α】T * G a t e 2決定產生一定數目之後續脈衝α,Τ ( 2S 1 gm)之定 時。在此，脈衝寬度《，在？‘ 1 時爲一定値。 G a t e 3產生截斷脈衝區間yS , T。G a t e 3在〇 N ( 高位準）時，產生Pb ，OFF (低位準）時，產生Pe 本紙張尺度適用中國回家標準（CNS)A4規格（210x297公爱） -51 - - - - ----I! I — II . I I {靖先閱讀背面之注寺爹項 >寫本頁) 訂，· .線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ^5586 ____B7 五、發明說明（49 )
D 獨立決定a 昇之定時與脈衝寬度’便可以使；S !與 /3 :不同値。 ' Ga t e 3與Ga t e 1之上昇最好同步。Ga t e 1 與 Ga t e2 分別產生 Pw’ 但 Ga t e 1 ，Ga t e 2在ON時，較Ga i e3優先。若指定Ga t e 1之延 遲時間7'1與01 ’ Ga t e2之延遲時間（T1+T2) 及a t，則可指定第1 0圖之策雪。 在此，若使T!爲1T以上’則成爲第1 0圖（b)之 m = n _〗時之脈衝，未滿1 T而減少後續脈衝數1個， 則成爲第1 〇圖（c )之m = η - 2時之脈衝。這時，使 α ιΤ及/3。 2丁較m = η - 1時長，藉此使形成之標記長 度爲m Τ。 在本發明之另一應用例如’欲以再生專用DVD之同 等以上之記錄密度’獲得再生時有再生專用DVD同等之 信號品質，則最好能使用下述之記錄方法。 即，係使波長3 5 0〜6 80 nm之光線，通過開口 數N A爲0 . 5 5〜0 . 9之物鏡，會聚在記錄層，進行 資料之記錄再生之光記錄方法’而其中’ m = η — 1或m =n — 2，OSPbSl 5 (mW) ，Pe/Pw 爲 0 3以上，0 . 6以下。而以 a i = 0 . 3 〜1 · 5 ’ α 1 θ ： - 1 = 1 .0 ( 3 ^ i ^ m )， 11--------1 — * i 11!訂-! 11! (請先閱讀背面之注意事項」i寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） -52- A7 45 58 b / ___B7 五、發明說明（5〇 ) jSm=〇〜1 . 5爲佳。 P e/Pw比保持一定値之理由是，發生功率變動時 ，高功率而記錄標記大時，也使抹除功率大，以擴大可抹 除之範圍。Pe/Pw未滿〇 . 3時1 Pe過低’常易成 抹除不充分。反之，較0 . 6大時，Pe會過剩，易招致 光束中心之再非晶質化，很難藉再結晶化以抹除。同時’ 照射在記錄層之能量會太大，易因返覆蓋寫而劣化。 本發明組成之記錄層，在a i特別小之範圍容易獲得 良好之顫動，因此，最好是使Σ α . < 〇 · 5 η，k愈小， 愈減少（Σ α , ) / η。亦即，在k = 〇或k = 1時，使（ 4n，k = 2 時使（Σα.) <〇 . 5n。 要將這種記錄脈衝分割方法應用在線速3 m / s以上 之蓋寫時，在本發明記錄層G e x ( S b T e : v ) ! * ，最好是特別使y爲0 . 7 2以上，線速7 m / s以上之 蓋寫時，最好是使y爲0 . 7 4以上。亦即，最好使 5匕/丁6比爲2.57以上，更好是2.85以上。 本發明在使記録層組成如此S b成分較重時，非晶質 標記之安定性仍然很好，保有穩定性也很好，是可取之特 徵之一。 在特開平8 - 2 2 6 4 4號公報記載有，&
SbD.7T eQ.3近傍組成，添加Ag及I η共計10原 子％之八叾InSbTe記錄層。惟，若便此 Ag I nSbTe記錄層之Sb/Te比爲2 · 57以上 ，非晶質標記會變得很不穩定，保存之穩定性有問題。 本紙張尺度適用中囤囷家標準（CNS)A4規格（210 X 297公* ) - - ---------! I — I I 訂·！ (請先《讀背面之注意事項寫本頁> 經濟部智慧財產局具工消费合作社印紫 -53- 4 3 6 A7 B7 五、發明說明（51 ) 以下使用實驗例進行比較說明。先假設在進行E FM P 1 u s調變之標記長度記錄時，要標記長度n T之標記 ’在線速2m/s〜5m/s之範圍內，使用波長6 3 0 •〜68〇NM，NA=〇.6之光學系，將記錄脈衝分割 成η-1個進行記錄之情形。 本發明記錄層之一個例子使用
Ag〇.〇5Ge〇.〇5Sb〇-67T eo.23 (Sb/T e 与 2.91)，上述AgInSbTe記錄層之一個例子使 用 Ag〇. 〇5 I n〇.〇5Sb〇.63 丁 e〇.27 ( Sb/T e 4 2.33)。 因爲本發明組成之記錄層與上述AgInSbTe記 錄層之光學常數均大致相同，因此，可使用相同架構，獲 得同等之反射率及調變度，因而在熱量上可適用相同之層 架構。 使第1保護層膜厚度爲1 OOnm ’記錄層爲20 nm，第2保護層爲20nm，反射層爲200nm，約 爲召，=0 . 5 左右（1‘iSn-l) ’ Pw=l〇 〜 14 ( m W ) ，Pe/P'v=0.5’Pb4〇。 這時，在傳統之
Ago.osl no.05Sbo.63Teo.27 記錄層’ αι = 0 . 8 〜1 · 2 ’ α I = 0 _ 4 〜0，6 ( 2 ^ i ^ η — 1 )較佳，尤其是使 αι=1 . 0 ’ a i ( 2 ^ i ^ η - 1 ) =〇 . 5 ，/5">=〇 . 5 時，不依 η ，成爲◦ · 5n 本紙張尺度適用t圉國家標準（CNS)A4規格<210 χ 297公« ) -54- --------------裝--- (請先閲讀背面之注意事艰：龟駕本頁》 訂·- .線· 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 5 5Q67 A7 _ B7 五、發明說明（52) 另一方面，本發明之
Ago'osG e〇'〇5Sb〇.67T e〇.23 記錄層’貝[j 以 α 1 = 0 . 3 〜0 . 5，〇：> = 〇 . 2 〜0，4 ( 2 S l ^ .η — 1 )爲可取之範圔。更具體是，α:可以是ai = 〇.6，£^,(2$1$^-1)=〇.35。這時，11 = 3 時，Σα!与 0 . 32n ’ n = 4 以上時，Σαΐι# 0·33η 〜0.34η。 亦即，以上係表示，在本發明媒體，可以減小記錄時 照射之平均照射功率，使實質上之脈衝照射時間縮短爲 Σ a ：< 0 . 4 η。 藉此可獲得以下之效果。 (1 )可以減低高功率記錄時之記錄信號品質之劣化 :晶功率記錄之問題點起因於’供給記錄層之光非太多’ 會積存在記錄層=因此冷卻速度變慢，致產生非晶質標記 之再結晶化|或使返覆蓋寫時之劣化顯著。 藉設置低功率之截斷脈衝區間，抑制平均輸入功率， 且藉高熱傳導率之反射層使熱量向平面方向逸散，則可以 在高功率記錄時，抑制標記後端部分，特別是長標記後端 部分，因積存熱量引起之不良影響，形成良好之長標記。 (2 )可以減輕返覆蓋寫時之各層之熱損壞，可改善 返覆蓋寫之耐久性。因爲減少每次發生之熱損壞，則可抑 制，例如不耐熱之塑膠基板之變形。同時可以將損壞範圍 限定在雷射光東截面之中心部分之較狹窄範圍內。 特別是容易積存熱量之η = 4以上之長標記’減少實 -----裝·！ I 訂·！ I!-線 (請先閲讀背面之注項iK寫本I) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） -55- 45 58 6 A7 B7 五、發明說明（53) 質之記錄能量照射比率（Σ α i ) / η之效果很大因此 在易受熱損傷之5 m / s以下之低線速下，可減輕對媒體 之不良影響。 ' 本發明可如此改善返覆蓋寫之耐久性，可以達成較傳 統者大1位數以上之蓋寫次數。 並且，使記錄層爲以G e X ( S b y T e ! -，）！ . X合 金爲主要成分之薄膜（0 . 045芸xSO . 075' 0.74^y^0.8)，依線速度使記錄脈衝分割方法 爲可變，便能夠在3m/s〜8m/s之廣大範圍之線速 度下進行蓋寫。 亦即，在第8圖之脈衝分割方法，使m = η - k之k 爲一定，蓋寫時之線速度愈低，單一地減少P b/P e或 α :之任一方： 再者，可以視需要，爲了保持一定之記錄線密度而依 線速度變更時脈週期，或以各該線速度變更Pw，P e使 其能保持最合適値。 本發明可進一步提供’能以D V D之標準再生線速度 之1倍速與2倍速之雙方，使最短標記長度爲〇 · 3 5〜 0 45//m之所謂EFM p 1 us調變信號之記錄方 法。再者，DVD之標準再生線速度爲3 . 49m/s。 亦即1係使波長6 0 0〜6 8 0 nm之光線’通過開 口數NA爲〇.55〜0.65之物鏡，經由基板’會聚 在記錄層上，在‘最短標記長度〇 . 35〜◦ · 45"m之 範圍內，進行資料之記錄再生之光記錄方法’即， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） -56 - -------------裝— (請先M讀背面之11¾事項：4寫本頁> 訂 經濟部智慧財產局具工消费合作社印製 4 5 58 6 Α7 Β7 五、發明說明（54 ) η爲1〜14之整數， m = η — 1 ， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 P b 在 ：0 έ P b ^ 1 * 5 ( m W ) 之 範 圍 內 y 不 依 線 速 > 恆 爲 一 定値， P e / ’ P w在 p . 4 0 6 之 範 圍 內 1 可 依 線 速 變 化 1 ( i ) 在記錄 線速 度 3 4 m / S 之 範 圍 內 基 準 時 脈 週 期 爲 τ 0 a 1 : = 0.3- 0 - 8 > a 1 α , = 0 .2 0 « 4 不 依 i 1 恒 爲 一 定 ( 2 < 1 m ) 1 a /3:^1 .0 a — . 1 = 1 . 0 ( 3 1 m ) β l：i 0.3- 1 . δ Τ 而 在 a ，丁（ 1 ^ 1 m ) 之 時 間 內 ， 照 射 記 錄 功率 P W i之記: 錄光線 1 c 1 i )在記: 錄線: 速. 度 6 8 m / S 之 範 圍 內 } 使 基 準 時 脈 週 期 爲丁 〇 / 2 ' 1 a 1 = 0-3 〜0 • 8 1 a 1 ^ a 1 =0 3 0 5 t 不 依 i 恒 爲 — 定 ( 2 1 m ) ! a 1 1 + β ’ , -! 1 • 0 ( 3 m ) β * Γ1Ι =0〜1 .0 ( 3 i m ) β III =0〜1 .0 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） ------I I ----- -----JI — 訂 ------ {請先閲讀背面之泫意事坩_4寫本頁) -57- 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 5 4 δ 6 / Α7 __________Β7_____ 五、發明說明（55 ) 而在α,Τ ( IS i彡m)之時間內，照射記錄功率 P w 2之記錄光時， a ' i>ai (2^i^m) > 〇 . SSPWi/PwzSl . 2之光記錄方法。依據 本發明人等之實驗時*只要是使用第1 0圖之脈衝分割方 法，以此設定可獲得特別良好之頭動。 在此，若使+ . 〇，則有關於脈衝寬度之 獨立參數將成爲，a,，之三個，可以進一步簡化 記錄信號源，甚爲可取。 再者，η不一定要取1到14之所有整數，在EFM Pius 調變係取 3 至 11 及 14。（1，7)RLL -X R Z I ( Run Length Limited-Non Return To Zero Inverted )符號等也可使用。 再者，要使記錄密度一定* 一般是將1倍速記錄時之 時脈週期設定成2倍速記錄時之兩倍。 再者，本發明不僅對上述一面維持一定線速度而在整 個記錄領域進行記錄之方式（Constant linear velocity * C L V方式），對以一定之轉動角速度在整個記錄領域進 行記錄之方式（Constant angular velocity 1 C A V 方式） 也有效。或者，將半徑方向分成多區，在同一區內以 C L V方式進行蓋寫之Z C L V ( Zoned CLV )方式也有 效。 光碟之直徑有 8 6 mm，9 〇mm ( Single CD size) 1 2 0 m m (CD size)或 13〇mm 之多種，記 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） 111!!!---I · I I---— 13·!!-- (請先閱讀背面之注項 >窝本頁> -58- 5 4 58 6 7 A7 _B7___ 五、發明說明（56 ) 錄領域從半徑2 0〜2 5mm達最大6 5mm附近。這時 之內外周之線速度差最大達3倍。 —般來講，在高密度之標記長度記錄時，相變化媒體 •顯示良好之蓋寫特性之線速範圍爲線速比1 . 5倍程度之 範圍。若線速度較快，記錄層之冷卻速度會加快，因此容 易形成非晶質標記，但維持在結晶化溫度以上之時間變短 ，抹除較困難。另一方面，若線速度較慢，抹除較容易， 坦記錄層之冷卻速度變慢，因此容易再結晶，很_形成良 好之非晶質標記。 爲了解決這個問題，能夠調節使內外周之反射層膜厚 度改變，使其在內周之反射層散熱效果增大。或者，也有 人提案，改變記錄層之組成，提高外周之結晶化速度，或 降低在內闺之形成非晶質所需要之臨界冷卻速度。惟，要 製成有這種分布之光碟並不容易。 另一方面，依據本發明媒體與光記錄方法之組合，若 光碟最外周之線速度，即最大線速度在大致1 Om/s以 下，則C A V方式或C L V方式均可達成良好之記錄。 要將本發明利用在如上述線速度因半徑而變化之媒體 時，最好是以半徑將記錄領域分割成多數區域，對各區域 切換資料之基準時脈週期及脈衝分割方法來使用較爲理想 c 亦即是，以一定之角速度使具有一定記錄領域之光學 資訊記錄用媒體轉動，用藉多數標記長度記錄資訊之方法 ，令該媒體轉動時，記錄領域最內周之線速度爲2〜4 本紙張尺度適用中困s家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — It----- I I I I I I I I I I I 1111111· {請先閲讀背面之注t事項'」.蜢寫本頁) 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 -59- 455867 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（57) m/ s ，記錄領域最外周之線速度爲6〜l〇m/s ，該 記錄領域係由半徑區分之多數區域構成，而改變基準時脈 週期T，使其對應各區內之平均線速度，記錄密度可大致 •保持一定値。 這時不依區域，而使脈衝分割數爲一定，由外周區域 內周區域，單純地使Pb/Pe比及/或a,(i係isi S ιώ之至少1個）減少。藉此，可在低線速度之內周部， 防止因冷卻速度不足*致使非晶質標記之形成不完全。再 者，所謂使a, ( i係IS i 中至少1個）單一減少， 意指，例如在αι，〇：2 ...........a™中僅使α 2減少。 更具體言之，以第1 〇圖所示之脈衝分割方法爲基本 ，使用依照線速之脈衝分割方法，因爲可以簡化可變脈衝 分割電路，較爲可取。這個時候，在半徑方向將記錄領域 分割成Ρ個區域，按各區域改變時脈週期與脈衝分割方法 ，較按半徑位置使其連續變化，較爲簡便。 本發明若假設，記錄領域由半徑分割成Ρ個區域，最 內周側爲第1區，最外周側爲第Ρ區，在第Q區（但q爲 lSqSp之整數）之角速度爲ωπ，平均線速度爲〈Vi > a ^，最大線速度爲< V q > m a x，最小線速度爲< V q > ,1; : „，基準時脈週期爲T Q ，最短標記之時間長度爲 η ·ι. ! n T q 時， < V ,; > a v , / < V : > a ^在 1 . 2 〜3 之範圍內， < V u > m a x / < v q > m i X在1 . 5以下較佳。同一區內 使用同一時脈週期與同一脈衝分割方法，但同一脈衝分割 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公爱) 「60 - ; 1 裝-------訂·--------線 (靖先閱讀背面之;1.$事項^寫本頁) 4 5 586 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（58) 方法能涵蓋之線速範圍大致上以1.5倍爲限。 * P b及 而在同一區內，Wq’Tq ’ ,召，’ Pe , P W爲一定，最短標記之物理長度n m i η 丁 β < V βd f •爲Ο . 5#m以下，而對1客之所 有之Q大致上爲一定値，且 m=n — 1 或 m=n — 2 ’ α 1 = Ο . 3 〜1 · 5 aiSo：i = 0.2〜0.8(2Si^ni) ’ a.-r/5i-i=l - Ο (3^i^ni) ’ O^Pb^l . 5 (mW) ’ 〇 · 4SPe/Pw 客 〇 · 6。 在此，m=n — 1 時 ’ αι = 0 · 3 〜1 · 5 ’ 0.2〜0.5，111=11-2時，〇：1=0.5〜1·5’ α:=〇.4〜0.8較佳。 重要的是，脈衝分割方法要依據下列法則來改變°各 區域之P b ，P w - P e / P w比，α , ，/3 1 ’石m爲可 變從外周區域向內周區域至少減少單一之a .( i爲2 $ 1 中之至少1個）。 各區之α,之變更以每0，1T或每0 . 0 1 丁較爲理 想。 在此，若對最外周區之基準時脈週期Τ ρ ’附加 1 / 1 0 0程度之週期之高頻基本時脈產生電路’則可使 各區產生之Tqk分割脈衝長度爲此基本時脈之倍數β 在DVD，1倍速之基準時脈頻率爲2 6MHz前後 -------1—1 — 1裝！1!— 訂 *1!1! *"^ (請先Μ讀背面之注會>事璆，&寫本頁) 本紙張尺度適用中國固家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） -61 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（59) ，因此，最高2 6 GHz前後之基準時脈頻率’通常爲少 一位數之2 6 ΟΜΗ z前後之基準時脈頻率便足夠。 而且，若該記錄領域之P w之最大値爲P w r. . a x，最 -小値爲 P W m i n 時，可使 P vr m a x / P w m i n S 1 . 2， Pe^PwsO ..4 〜0 . 6 * 0 ^ P b ^ 1 . 5 (m\V )。依據此，便可以限定三種功率之設定範圍’因此可以 簡化功率產生電路。 本發明可以進一步使Pw ’ P e/Pw比，P b爲一 定値，僅變更脈衝分割方法，便可以對應所有之線速。同 時也可以使/3 爲一定値，不依線速改變，僅使α ,與a: m 爲依存線速之參數。這在簡化驅動器之記錄脈衝控制電路 上極爲有用。 在本發明，可以在記錄時，從光學頭之半徑位置資訊 *在記錄媒體上設定虛擬之區域，以進行記錄，也可以依 據預先記載在光碟上之位址資訊或區域資訊，在光碟上物 理方式設區域構造。不論虛擬式或物理式，只要選擇對應 依區域所決定之線速度之記錄脈衝分割方法即可。 其次說明將本發明之光記錄方法應用在上C A V方式 之其他例子。 記錄領域由半徑分割成P個區域，最內周側爲第1區 ’最外周側爲第P區，第Q區（但Q爲S Q S P之整數） 角速度爲q ’平均線速度爲< V q〉a n ’最大線速度 爲< V « > :u a X 最小線速度爲< V 7 m i u，基準時脈週 期爲T q，最短標記之時間長度爲η π, , η T。》 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公« ) -62- lit —-----I I--* I I I I---— --- {請先閱讀背面之注意事"」"寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（60 ) 在Z C AV方式，愈移至外周部，必須使記錄資料之 基準時脈T Q愈小，俾使記錄線密度大致維持一定。 亦即，依區域使T q改變，俾使T q < V q > a Μ對所 ，有1 S Q S Ρ之Q大致上維持一定。在此之所謂一定’應 含有± 1 %前後之誤差。 又爲了使同一區內之最大線速與最小線速在一定範圍1 內，決定區域之寬度，使其能滿足下式， < \T q > m , π ) <10% ( 2 ) 亦即，使（< V q > m a x - < V q > πι , n )未滿（ < λ i > ：h ϋ ΐ T < V q > m i n )之1 0 %第Q區之寬度則允 許到平均半徑< Γ q > a v ,之未滿± 1 〇 %之半徑位置。更 好是，（< V 1 > m a X - < V a > m I ti )未滿（< V" η > m ϋ x -Τ' < \ ，! > ii-;)之 5 % 。 區域之寬度也可以按半徑以相同大小分割1但只要能 滿足此條件，則不一定要相同方式分割。雖因記錄領域之 寬度而異，但對3 0〜4 0mm寬度之記錄領域而言，大 體上是分成10個以上。 依據本發明人等之檢討，只要能滿足（2 )式，最短 標記長度0 . 4以m程度時，其顫動値仍在實用水平。 以上之兩個條件，係使記錄線密度，換言之，使標記 之物理長度，或使頻道位元長度爲一定之條件。再者，所 謂頻道位元長度，係指沿軌道之1個頻道位元之長度。 爲了要能更確實獲取與D V D之再生互換性，基準再 --I--------4 -裝------1— 訂---------線 (請先W讀背面之it意事'if 紙寫本頁) 本紙張尺度適用中國围家標準（CNS)A4規格（210*297公爱> -63- 455 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（61 ) 生速度V爲約3.5m/s ，基準時脈週期丁爲約 38.2nsec時，使頻道位元長度ντ之變動大致上 未滿士 1 %較佳。 要在Z CAV媒體滿足這個條件時，必須能滿足下式 〔〈Vq〉…/ (<Vq>maX + !)<]_% (3) 亦即，使（< V Q > m a x — < V q > „ , )未滿（ 之1%，而第Q區之寬度則 允許到平均半徑< r q > a、e之未滿± 1 %之半徑位置。因 此將記錄領域分割成2 0 〇個以上之區域。且使 T q < \" (ί > a V f = V T ( 4 ) 使T q < V q > a "對1各Q盔P之所有之q維持大致 —定値。在此所謂之一定値應包含± 1 %程度之誤差。 藉此，雖然是2 C A V方式，但仍能以虛擬方式，達 成不依半徑之等密度記錄，因此，C L V方式也可以再生 ，可提高與C L V方式之DVD再生裝置之互換性。 區域之寬度可視需要縮小。 以下說明，在上述條件之下，獲得與D V D同等之記 錄密度之光記錄方法。 使波長6 0 0〜6 8 0 nm之光線’通過開口數NA 爲0 . 5 5〜〇 _ 6 5之物鏡’經由基板’會聚在3己錄層 ，以進行資料之記錄再生時’若 上述記錄領域之最內周在半徑2 0〜2 5mm之範圍 內，最外周在半徑5 5〜6 Omm之範圍內’最內周側區 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 χ 297公« ) — IP--11---- - 裝 *!1 訂--------線 <請先Μ讀背面之注意事項「填寫本頁) 4558 經濟部智慧財產局肖工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（62 ) 域之平均線速度爲3〜4m/s ，第q區（但q係ISq 5?之整數）之角速度爲0,，平均線速度<\\>.1、1, 最大線速度爲< V q > <„ a X，最小線速度爲< V q >。i Π， •基準時脈週期爲Τ,，最短標記之時間長度爲η π, Τα時 η爲1〜1 4之整數， ω。，Pb及P e/Pw不依區域，恆爲一定値， 1^<\、>".*對1各q各p之所有之Q大致上維持 一定値，且滿足 (<V(j〉n丨 ax — < V q > τη 1 „ ) / ( < V q > ηι « χ + < v , > ：,： , „ ) < 1 ο % 之條件 (1 )在第1區 α'ι-Ο. 3-0.8' 0^1^0:^ = 0 · 2〜0 . 4，不依i ，垣爲—定値 (2 ^ : ^ m )， ύ! 1 2 + yS 1 1 ^ 1 . 〇 ’ 0^ + /3^=1 .〇 (3^i^m)， (i i )在第P區 α μ 1 = Ο . 3 〜Ο 8 ’ αμι2αρ; = 〇 . 3〜Ο . 5 ，不依i ’均爲—定値 (2 ^ i ^ m )， α'"ι + /3μι-ι=1 - 0 (2^i^ni) ’ (i i i )在其他各區， i ^ m ) ，a: q ,爲a 1 ^與a p，之間之値，而進行記錄。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱> -65- -------I I--------I I I I ---------^ <請先《讀背面之注意事5*-拉寫本頁) 4 5 586 A7 B7 烴濟部智慧財產局員工消費合作社印« 五、發明說明（63) 上述記錄領域之最內周在半徑2 0〜2 5 mm之範圍 內，最外周在半徑5 5〜6 Omm之範圍內時，記錄領域 之半徑寬度爲大約3 0〜4 0mm。而以等角速度轉動光 .碟，使其最內周之第1區爲〜4m/s = 對第1區，第P區以上述條件進行記錄，其他各區（ 2SQSP_1 之第 Q 區），則使 2 ^ 1 ^ m ) ，間之値。這時《、之 値以每隔0.1T或每隔0.01T之方式設定較佳》 最好是，(但 。 若使，P b ，P e / P w，沒i，/3 n:不依區域，均爲 一定値，僅使a i，α ,依區域而改變，則可獲得可以完全 涵蓋線速3〜8 m/ s之廣大線速範圍之良好之蓋寫特性 : 最好是預先藉預設坑洞列或溝變形，將此等P e / P \v - P b ' P w - β m ' (a 1 ι ' α μ i ) ’ ( a 1 c > a μ <：)之數値記載於基板上*使驅動器可以按各記錄媒體 ，各區域選擇最合適之脈衝分割方法及功率，則十分可取 =通常這一些是記錄在記錄領域之隣接最內周端或最外周 端之位置。若是要使偏壓功率P b與再生功率P r相同， 有時偏壓功率P b也不一定需要記載。溝變形具體上是溝 蛇行等。 或者，在溝預設坑洞列或溝變形，在基板上預先記錄 有位址資訊之光學性資訊記錄用媒體，連同該位址資訊， 於該位址包含有關適當之a 1及a ,之資訊。 張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公« ) -66 - -------------- -----111^. 11------^ (請先Mit背面之注意事璀^寫本頁) ^558 6 7 A7 B7 衝補r 脈之脈 該別之 出特域 讀作區 起必屬 I 不所 訊，址 資法位 址方該 位割及 同分體 連衝媒 以脈錄 可換記 ， 切該 時得合 >取而適 64擷，擇 < 在訊選 明，資以。 說此法可法 ^藉方便方 '#割，割 ^ #正分 如上述之按各區域變更記錄脈衝分割方式，而在光碟 整個周上進行記錄之方式，也可以應用在Z C L V方式（ Zoned C L V )。以下說明具體例子。 在半徑方向，將記錄領域分割成多數區域|在各區域 以一定之線速度進行記錄， 最內周區域之記錄線速度V ,,,與最外周區域之記錄線 速度Y .. u t之比V。u t / V , „爲1 . 2〜2 ， ¢^ = 0.3〜0.6(2Si盔m)及冷…=〇〜 1.5， 不依線速度，使 m，+ (3Si Sm)， α ： T . Pe/Pw，及Pb均爲一定値，按線速度改變 a ; ( 2 S 1 S m )及/或/3 ,,,之値，而進行記錄。 Z C LV方式與上Z CAV方式同樣，將記錄領域在 半徑方向分割成多數區域，但在同一區域內，係以C L V 模式即以一定線速度轉動光碟，而進行記錄》 因此，將本發明方法應用在Z C L V方式時，若最內 周區域與最外周區域之線速度分別爲V , „、V u >時，縮 小V , r，與V u u ,之差，例如V。u t / V . „爲1 . 2〜2， 以減輕媒體之線’速度依存性之負擔。 本發明媒體只要稍爲變更記錄脈衝分割方法，便能夠 本紙&尺度適用中g因家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) -67 - ----------I!裝 — II 訂1!!1線 {請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 經濟部智慧財產局具工消费合作社印製 455367 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（65) 在線速度3〜8m/ s之廣大範圍進行記錄’因此可應用 分割成比較少數區域之ZCLV方式。 這時，要使其記錄密度相等而不依區域所有不同’各 區域之線速度〜”。與各區域之記錄資料之基準時脈週期T。 ，應用T q < V Q > a ,. e不依Q而變，大致上維持一定値β 而在各區，使用最合適化之記錄脈衝分割方法。亦即 ，使 . 3 〜0 . 5 (2SiSm)及 /Sm=〇+ 〜 1 . 5 ，不論線速度如何，使m，α^ + 万，-! (3Sig m ) ，αιΤ * P e/P\v及P b保持一定値，並依線速度 改變α，及/或，而進行記錄。 在以上所述之CLY方式，ZCAV方式或ZCLV 方式，對應蓋寫時之線速度使記錄脈衝分割法爲可變之例 子，主要是3 m爲一定値不因線速而改變，以簡化脈衝產生 電路，但相反地，也可以積極改變；S〜，而簡化脈衝產生電 路。 亦即，使結晶部爲未記錄，抹除狀態，非晶質部爲記 錄狀態，藉最短標記長度0 . 5 y m以下之多數記錄標記 長度記錄資訊時 向記錄標記間照射能夠使非晶質結晶化之抹除功率 P e之記錄光線。 一個記錄標記之時間長度爲η T時（t係基準時脈週 期，η係2以上之整數） 將記錄標記之時間長度η Τ，以 ?7ιΤ · ctiT 1 β \ Ύ ! a 2 Ύ ' β 2 Ύ .......... - — — — . I I I I 1 訂·！！11· .^ ί請先閱讀背面之注意事項，：蟻寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210 X 297公芨） -68 - 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（66 ) a i T * β 1 Τ ........... 〇: πι Τ ， /3 π； Τ ， 7} 2 Τ (其中，m係脈衝分割數’m=n — k，k係 _ S 2之整數s 而！；： ( α . + ^ 1 ) + ?? 1 + 7? 2 = n ’ 7?i 係？？ ι2〇 之實數，J?2係？？2δ〇之實數，〇$卩1+?72客2 · 0 ° a. 之實數，泠：（lSi
Sm)係石^>0之實數。 .〇，/3m =0 〜15，在 2SiSm 之 i ’ <3：1在〇 · 1 〜〇 8 之 範圍內，且不依i ，恆爲一定値。 再者，在3S i 之狀態’ <^1 +冷，1在〇 . 5〜 1 _ 5之範圍內，且不依i ，均爲一定値。） 之順序加以分割， 在α , T ( 1 S 1 S m )之時間內，照射是以使記錄層 溶融之P w > P e之記錄功率P w之記錄光線，在点，T ( ISiSm)之時間內，照射0<PbS〇.2Pe (但 在Β,,,Τ，也可能成爲〇<PbSP e )之偏壓功率Pb之 記錄光線， 不依線速度，使m，+ ι (3S i Sm) * aiT及α,Τ(2SiSm)均爲一定値，使線速度愈小 点m愈可單一增加狀變化之光記錄方法。 首先，爲了將記錄密度保持一定値，應用上述 Z C A V方式或Z C L V方式，基準時脈週期T則與線速 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -69- I ------------裝--------訂·---！！ 線 <請先《讀背面之注意w·^., 寫本頁) 4 5 5 8 6 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印*1衣 五、發明說明（67) 度成反比例變化。 而至少在3‘ i Sm，最好是2客i Sm時，0^ + /3 ,-】爲一定値，不因線速度而改變，而得簡化脈衝產生 電路，且線速愈低，愈使〇： i單一減少，藉此得增加記錄 層之冷卻速度。通常《, + ^^-2=1 . 〇。 爲了要實現這種脈衝分割方法，在第1 1圖之閘產生 之定時說明圖，與基準時脈週期T同步（可能附加一定之 延遲），產生一個寬度〇^丁之固定長度脈衝（Ga t e 1 )*及後述之多數個寬度a.TCa.T)之固定長度脈衝 (Gate 2)，另一方面，僅使決定最終截斷脈衝長度 p 1:i 丁之G a t e 3依線速而變化即可。 在此，各記錄線速度之最大記錄功率爲P w a x *最 小記錄功率爲P w i :，時，使 P W „1 Λ K / P W m , I, ^ 1 . 2 '
Pe/P\'r=0 · 4 〜0 · 6， 〇<Pb^l . 5 CmW) 較爲理想。 又如上述，至少在蓋寫時之線速度在5m/s以下時 ，爲了防止返覆蓋寫時之熱破壞，最好是m = η - 1時， 使 Σα:<0 . 4n，m=n-2 時，使 Σα.<〇 · 5η c 而且，又可以適用在，蓋寫時之最高線速度之/3 ,,i爲 /5 H ，最低線速度時之万m爲/3 m，各蓋寫時之線速度之 卢ni爲彡H 與/5 L Π1間之値，不依線速度，P b ，P e / ----------- · ! 1 I I I 訂· I I ---- <請先《讀背面之注意事項丨"窝本頁》 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐) -70 - 455867 經濟部智慧財產局貝工消t合作社印製 A7 B7 五、發明說明（68 ) P w比爲一定之記錄方法。 這個時候，若預先藉預設坑洞列或溝變形，在基枝上 至少記載有 P e / P W 比，P b ’ P w ’ 0； i T，, T ’ •(，万％)之數値時，同樣可以自動選擇最合適之脈 衝分割方法，十分可取。 而且，如果最大線速度是最小線速度之兩倍前後，即 亦可能有，一面維持有充分實用性之信號品質，同時不依 線速度，保持一定値之光記錄方法。 C LV方式之再生專用DVD驅動器’有一種依據再 生標記所得之基準時脈週期，產生資料脈衝與轉動同步信 號，以進行轉動控制之方式。 如上述，以Z C A V方式記錄標記，其最短標記長度 或頻道位元長度不依記錄半徑，大致維持一定値之媒體* 可以用本方式之再生專用DVD驅動器，直接加以再生。 亦即，能夠藉P L L ( Phase Lock Loop )方式轉動同 步控制，使從記錄之標記生成之資料之基準時脈週期 Ta’ ，與該驅動器之基準資料脈衝Tr大致上一致，因 此，縱線速多少有搖擺或頻道位元長度有搖擺時，仍可以 藉再生電路直接解碼。
特別是，有所有區域以最短標記長度0 . 4 V m ’而 記錄成大致上一定之E F Μ ρ 1 u s調變資料’可以從 記錄之標記生成之轉動同步信號，達成藉P L L控制之 CVL轉動同步。同時產生頻率在2 5〜3 7MHz範圍 內之基準資料脈衝T r ，而可以依據此時脈，當作C L V — — — — ——--!1.裝.I ---I I 訂· ！ I I — II <請先閲讀貲面之注兔事巩寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公a > -71 - 455 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（69) 記錄媒體加以再生，而不會意識到區域間之遷移。 當然，若能達成轉動同步•使基準資料時脈成爲 Tr/2，則可進行2倍速之再生。如此之藉PLL方式 •之轉動同步信號之產生電路等，可以直接使用眾所周知之 DVD再生裝置或DVD - ROM驅動方式。 本發明媒體，可在反射率以外之所有信號特性’確保 與DVD之再生互換性。因此，溝內記錄較爲可取，而溝 之推挽式信號較小者爲理想。若溝之推挽信號很大’再生 時使用之D P D法之追蹤伺服信號會變小。因此有必要使 溝之深度較推挽信號成爲最大之λ/ ( 8 η )爲淺。再者 ，λ係空氣中之再生光波長，η係基板之折射率。然而， 記錄時，追蹤伺服信號通常都會利用推挽信號，因此太小 也不好。 而關於再生信號特性，則希望獲得高C Ν比時，調變 度Μ 〇 d以〇 . 5以上較佳。但Μ 〇 d係（D C再生信號 之波封之波幅）/ ( C D再生信號之波封之上端値）。 可取之溝深度爲d=A/(20n)〜λ/(10η )。較λ(20η)淺時，記錄時之推挽信號較小*追蹤 伺服無法作用，而較Λ ( 1 〇 η )深時，再生時之追蹤伺 服無法穩定。例如，記錄再生波長在6 30〜670nm 前後，物鏡之開口數ΝΑ爲〇.6〜0.65時，溝深度 在2 5〜4 0 nm之範圍內較佳。 而要確保與D V D同程度之容量時，溝之間距爲 0·6〜0.8以m。而溝間距爲〇.74pm時，較容 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） -72 - 裝·!--—訂- --------線 <請先閱讀背面之注意事項寫本5 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（7〇 ) 易與DVD有互換性。 溝寬度以0 . 25〜0 . 5#m較佳。較0 . 25 μ m窄時，推挽信號會變太小。較0 . 5以m寬時，溝間 •之寬度變窄，基板在射出成形時，樹脂不易進入，要將溝 形狀正確轉印至基板很難。 本發明媒體在記錄後反射率會降低。在這種媒體，要 使溝內之反射率降低，亦即，記錄後之溝內之平均反射率 RGa ，記錄後之溝間之平均反射率爲RLa ，而要使 RG a <RL a時，溝寬度較溝間寬度小時較佳。 例如要與D V D有互換性時，若溝間距爲0 · 7 4 /im時，寬度最好是較其一半之0 . 3 7pm窄。 另一方面，記錄前之溝內之平均反射率爲RG b，記 錄前之溝間之平均反射率爲RL b時，只要滿足RG a < RLa ，則RGb>RLb也可以時，使溝寬度爲〇.4 〜0 . 5 w m則有時可以擴大記錄在溝內之非晶質標記之 寬度1提高調變度，降低顫動。 在此等溝內，有時爲了要擷取未記錄之特別軌道，或 取得使基板以一定線速度轉動之同步信號，而配設週期性 之變形。一般是在軌道之橫切方向形成蛇行（wobble )。 亦即，若溝以一定頻率ί 蛇行，則可檢出其頻率，而藉 P L L方式取出轉動同步用之信號= 溝蛇行之波幅以4 0〜8 0 n m ( p e a k -1 〇 - p e a k値）較 佳。未滿4 0 n m時，波幅太小’ S N比會較差，超過 8 0 n m時，第6圖所示記錄信號之波封之上下端會含有 — lit--------裝 it--- - 訂-! •線 (請先閱讀背面之注意事一^螇寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -73- 4 5 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（71 ) 很多蛇行信號形成之低頻成分，再生信號之失真會變大。 蛇行之頻率接近記錄資料之頻帶時’其波幅在8 0 n m以下較佳。 而且，若以該蛇行頻率ί w。爲載波’依照特定之位址 資訊，形成頻率調變或相位調變飲蛇行時，則將其再生便 能獲得位址資訊。 以一定之蛇行頻率ί β。形成溝蛇行’則也可以從f 。 生成之溝蛇行信號之基準週期Ττ，或其倍數或其約數，產 生資料用之基準脈衝信號Τ。 通常，蛇行之週期係設定在較資料之頻率成分充分低 頻或充分高頻，以防止與資料信號成分相混合’並容易藉 頻帶濾波加以分別。尤其是•使f 。較資料之基準時脈週 期低1〜2位數程度，在可記錄CD等也已實用化。 在使用C L V方式之媒體，係在達成P L L轉動同步 後，將f ,，.，，加倍1〜2位數，而生成資料基準時脈6以這 種方法生成之資料基準時脈，一般因轉動同步之搖擺之影 響（f〜。之0 . 1〜1 %程度）•常帶有與資料基準時脈 (頻率）同一程度之搖擺。這會使資料之檢出劣化。 因此，在溝蛇行信號之外，按每一定之資料長度，插 入預設坑洞或振幅很大之特殊蛇行，對補正資料時脈之搖 擺也有效。另一方面，若f l在資料基準時脈（1 / T ) 或其1 0 0分之1至1 0 0倍之範圍，則在達成轉動同步 後，依據取出之’蛇行信號，直接產生資料基準時脈，亦可 確保充分之精確度。即，使成爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公t ) -74- I I I I I--mil ^ if — — — — — ^·ί--I I <請先《讀背面之注1事^^^寫本頁> 45586 •各區域變更頻率ί A7 B7 五、發明說明（72 ) 100/T2f“^l/(100T) (5) 又在已述之z C A V法，基準時脈週期丁，最好是各區 域之溝蛇行之基準週期τ « β之倍數或約數較佳。亦即，按 而以一定角速度形成溝蛇行，則可 將以f ».。生成之基.準時脈或其倍數頻率，當作資料用之基 準時脈T q而產生。 這個時候，若使溝之蛇行爲可以滿足（5 )式之比較 高之頻率，則各區域之資料基準時脈之生成會較容易。而 使每個區域之基準時脈Tq改變，使可變脈衝分割方法與此 信號同步，可減低分割之各脈衝之位置準確度或搖擺，十 分可取。 Z C A V方式之區域分割之一個例子可以考慮，以溝 一周作爲一個區域。這時，溝不依區域，其週期有一定之 蛇行 若溝間距爲T P，蛇行週期爲T w 〇時，使其近似方式 滿足 2 7Γ T P = a T w 〇 · V 〇 (其中，a係自然數）時，在全記錄領域形成週期 丁 w。一定之蛇行，每成爲外周一個軌道，則增加a個蛇行 而T W。成爲基準時脈週期T之整數倍，亦即，成爲 Tw〇 = mT (m係自然數）表示，從Tw〇產生基準時脈 時，單純地使其成整數分之1便可以，因此可以簡化基準 時脈產生電路，很理想。這時，m不一定要近似方式爲自 請 先 讀 背 之 注 意. 事. 4 1 I裝 頁 訂 經濟部智慧时產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公龙） -75- 58 6 A7 B7 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（π ) 然數，可以允許± 5%程度之偏差。 亦即，對 TP = 0 . 74jum，使 V〇=3 . 5m/s ，丁 = 38. 23nsec ，n=l 時，m 与 34.7 ， •近似方式使蛇行週期T w D = 3 5 丁，則每一周所含之蛇行 數會每1周增加1個。 這時，雖然是C LV方式而導入蛇行，但因鄰接軌道 之蛇行之相位恒一致，因此有，干擾造成之蛇行信號之再 生波幅之變動很小之優點。 以上係就本發明之應用例子進行說明，本發明對改善 相變化媒體一般之標記長度記錄之線速度依存性，及記錄 功率依存性有效，但並不限定爲可改寫型D V D。 例如•使用波長3 5 0〜5 0 0 nm之藍色雷射光與 NA=0.6以上之光學系統，進行最短標記長度0.3 以m以下之標記長度調變記錄時，本發明媒體及記錄方法 很有效，若考慮標記之穩定性，最短標記長度以1 〇 n m 程度較爲理想。 這個時候有必要留意軌道橫截面方向之溫度分布之平 坦化，而使第2保護層之膜厚度極薄之5〜15nm時很 有效。 使用波長3 5 0〜4 5 0 nm之雷射光時，_1 〇 nm 以下較佳= 而且，本發明媒體亦可應用，將溝與溝間之雙方當作 軌道進行記錄之所謂Land Groove記錄。雖然有在雙方滿足 同等之記錄特性之困難性，但可以在寬溝之狀態下縮小軌 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公芨） -76- ----------- -- ^ i — — — — — — — — — — — — <請先Μ讀背面之注寒事項/"寫本頁) -C 經濟部智慧財產局具工消費合作杜印製 5 4 6 7 a? ______B7______ 五、發明說明（74 ) 道間距’適合高密度記錄。若使溝寬度GW與溝間寬度 LW均爲0 · 2〜〇 . 4#m，便可以獲得高密度面穩定 之追蹤伺服性能。而若GW/LW比在〇.8以上1.2 以下，則可將溝及溝間雙方之信號品質保持在相同等位= 爲了減低串訊，溝.深度d以d = ；L / (7n)〜 λ/(5η)或 λ/(3 . 5n)〜λ/(2 . 5n)較 佳：. 實施例 以下說明實施例，但只要不超越其主旨，本發明不限 定爲下列實施例。 以下所示實施例，其基板係以射出成型形成。基板係 學度0 . 6 m m之射出成型之聚碳酸酯樹脂基板，除非特 別聲明，均使用螺旋狀形成之溝間距〇 . 7 4 // m，寬度 〇·34em，深度30nm之溝。 除非特別聲明，否則，溝之線速爲3 · 5 m / s ，有 頻率1 4 Ο Κ Η z之蛇行（wobble )，蛇行之波幅爲大約 6 0 n m ( peak-to-peak 値）。 再者，溝形狀係使用近似U溝之光學繞射法測量。也 可以使用掃描型電子顯微鏡或掃描型探測顯微鏡實測溝形 狀。這時是使用溝深度之一半位置之溝寬度。 除非特別聲明，否則，係在該基板上，如第5圖（a )所示，完成4層架構之成膜後’藉旋轉塗敷法’在其上 配設由紫外線硬化樹脂構成之保護層’再貼上另一片具有 本紙張尺度適用中困國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公* ) - 77 - I — — — —— — — — — — — — *-----II ^ *111——— — (請先閱讀背面之注惠事？^寫本頁) 4 5 586 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（75 ) 相同層架構之〇 · 6 mm厚基板。而在以下所述之實施例 及比較例，第5圖（a )之第1保護層稱作下部保護層， 第2保護層稱作上部保護層。 •成膜後之記錄層爲非晶質，藉會聚成長軸的9 Ο v m ，短軸約1 _ 3em之波長810〜83〇nm之雷射光 束，在線速3.0至6.〇m/s之範圍內選擇適當之線 速度，照射初期化功率5 0 0〜7 0 0 m W之光線，將整 面加以溶融’令其結晶化而成初期（未記錄）狀態。 各層組成係組合螢光X線分析，原子吸光分析，X線 激發光電子分光法等加以確認。 記錄層，保護層之膜密度係從成膜在基板上之數百 n m之膜之重量變化求出。膜厚度係藉觸針計測量螢光X 線強度加以校正使用。 反射層之面積電阻率係藉4探針法電阻計（Loresta F P (商品名稱）日本三菱油化公司製造）測量。 電阻測量，係絕緣物之玻璃或聚碳酸酯樹脂基板上成 膜之反射層，或第5圖之4層架構（塗敷紫外線硬化樹脂 保護膜前）成膜後，以最上層之反射層加以測量。 因爲上部保護層係介電體薄膜而是絕緣物，因此，縱 使4層架構1對保護層之面積電阻率之測量沒有影響。而 以實質上可以看作無限大面積之直徑1 2 0mm之光碟基 板形狀下加以測量。 以獲得之電阻値R爲基礎’以下式計算面積電阻率 p s及體積電阻率pv = 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -78 - ^-----------------^ {請先Mit背面之注意事項..，^寫本頁) 4^5867 A7 B7 五、發明說明（76 ) /〇 s = F · R P v = p s . t 其中1 t係膜厚度 '定之補正係數，取4 . (6 ) (7 ) F係因測量之薄膜領域之形狀而 〜45之値。在此是取4.4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 除非特別聲明，否則，記錄再生之評價係使用D D U 1000評價機（，少只亍7少公司製造）。光頭之波長 爲637nm，物鏡之開口數NA爲0 , 6或0 · 63。 光束徑分別爲約0 . 90#m及約0 . 87#m。再者· 光束徑係相當於高斯光束（Gaussian beam )之能量強度爲 峯値強度之1 / e 2以上之領域。 記錄係藉第1 0圖所示之脈衝分割方法，除非特別聲 明，以m=n-l ，α , + /3 . - 1 = 1 . 〇 ( 2 ^ i ^ m ) :Pb在所有線速度下與再生功率一樣之1 . 〇mW*保 持一定値。Pe/Pw也是以〇 · 5 —定値。以Pb在 ◦.8〜1·OmW之一定値，改變Pw，測量調變度及 顫動= 記錄之信號係使用DVD使用之8— 1 6調變（ EFM p 1 u s調變）之隨機信號。除非特別聲明，最 短標記長度爲0 · 4 。並以僅在單一軌道記錄之狀態 測量，因此不含串訊之影響。 記錄係以DVD之標準線速度3 · 5m/ s作爲1倍 速，而以1倍速，2倍速等各種線速進行記錄。 再生恒以線速3.5m/s爲主，顫動係將通過等化 請 先 閱 讀 背 面 之 ϋ 意 事. ，項I k 頁 訂 ▲ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格（210 X 297公;Ϊ ) . 79 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 4 5 5 8 6 7 A7 B7 五、發明說明（77) 器後之再生信號2値化後再測量。再者.’顏動係指edge-to clock jhter ，測量値以對基準時脈週期下之％表示之。等 化器之特性係依照再生專用D V D規格。能夠對基準時脈 週期 T = 38 2nsec (26 . 16MHz)，獲得 大槪未滿1 0% (最好是未滿8%)之顫動，5 0%以上 之調變度，最好是6 0%以上之調變度，較爲理想。而且 ，返覆蓋寫後之顫動增加很少，至少在1 0 0次後，最好 是在1 0 0 0次後，能夠對T維持未滿1 3%爲佳。 再者，從確保與再生專用DVD之互換性之立場來講 ，以6 5 0〜6 6 0 nm之再生光之測量很重要，但在本 發明，波長只是對會聚光束之形狀稍有影響而已，並已確 認，只要調整再生光學系統，在6 6 0 nm光學系統也可 以獲得與本發明所使用之6 3 7 n m光學系統同樣之顫動 (實施例1及比較例1 ) 爲了要比較本發明之I nGe SbTe系與傳統之 InAgSbTe四元素系，準備，其記錄層除了Ag與 G e之組成以外，組成及層架構大體上嚴密一致之媒體， 如表一 1所示 兩記錄層除了置換A g與G e以外，其組成大致上可 以在測量誤差範圍內視作同第之範圍。下部保護層之膜厚 度不相同之原因是，將媒體之反射率Rt。。調整爲一樣之 故。因爲記錄層之折射率有微妙之差異，因此需要這種補 — — — — — —--— — — ——— i I II I I I ^ ·111111 I · <請先閱讀背面之注1事項寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公* ) -80- 5 4 5 8 6 7 A7 __B7_______ 五、發明說明（78 ) 正，但這是因爲要使記錄層之光之吸收效率相同，使再生 光造成之熱破壞之影響相同而加以比較’所需要之補正。 因爲記錄層膜厚度及上部保護層膜厚度相同’因此散熱效 果及熱破壞可以看作是同等。 基板爲0.6mm厚度之聚碳酸酯樹脂，形成有溝間 距0 . 74μπι，溝寬度0 - 34#m，溝深度27nin ，蛇行頻率14〇KHz (線速度3.5m/s)，蛇行 波幅6 0 n m ( peak·to-peak値）之溝，而在設溝內進行記 錄。 對此兩種媒體，在記錄線速度3 · 5m/s ，丁 = 38 _ 2nsec ，以EFM plus調變進行記錄， 結果顯示良好之蓋寫特性。蓋寫記錄條件以各該光碟之特 性不一定是最佳之狀態，而是雙方之特性如表一 1所示差 不多是相同之共同之條件爲之。 亦即，在第1 0圖（a )所示之脈衝分割方法，m = η - 1 ’ a ! -i- /9 . 1 = 1 . 0 ( 2 ^ ^ m ) ’ a ^ = — 定（2 客 i Sm) ，= 〇 . 5 ，ac = 〇 . 3
> /5,,= 0 . 5 ' Pw=13 5mW' Pe = 6 . 5mW ，P b = 0 . 8 m W。 對如此記錄之信號，返覆照射再生光線，檢查再生光 穩定性。以一定之再生光功率P r照射一定次數後，使再 生光功率充分降低成0 . 5mW，以測量顏動等。其結果 示於第1 2圖。 實施例1之媒體以再生光功率1 m W照射時，照射到 -------------裝-------訂-------1·線 (請先Μ讀背面之注音孝項/寫本頁> 經濟部智慧时產局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國困家摞準（CNS)A4規格（210 X 297公轚） -81 - 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 ______B7___ 五、發明說明（79 ) 10 6次仍未顯示因再生光而產生之劣化。一次調高〇 .丄 ΙΏ W時，則可看出劣化慢慢加快。 另一方面，比較例1之媒體，則對再生光功率i m W •以上之所有再生光，在最初之1 0 〇〜1 0 〇 〇次之間， 急速增加顫動後，慢慢惡化。整體上顫動値很高，但初期 之顫動惡化是致命傷β 在比較例1 ，再生光使調變度下降，10 0次前後之 照射後降低至1 0%前後而穩定下來。初期顫動會急增， 因此被認爲調變度之下降在不均一之狀態下進行β 將實施例1及比較例1之已完成記錄媒體，放置在 8 Ot/8 0%RH之環境下，進行加速試驗的結果， 2 5 0小時後，實施例1之光碟之特性完全看不出有變化 ，但比較例1之光碟之記錄信號卻差不多完全消失。可以 看出1比較例1之組成之記錄層材料之非晶質標記非常不 穩定。 如此，在實施例1之光碟，初期之蓋寫記錄特性，以 及耐再生光穩定性，長時間穩定性均優異。這表示，在 513。 7丁6。 3含過剩之51:之合金系，66之適量添 加非常有效。 關於實施例1之媒體，在8 0°C/8 0%RH之環境 下進行加速試驗。加速試驗之時間爲2 0 0 0小時。加速 試驗前記錄之信號之顫動之惡化僅1 %而已。 而調變度在初期爲6 4%，但在2 0 0 0小時加速試 驗後是6 1 %，幾乎沒有惡化。反射率也幾乎完全沒有變 — II--1----7ί* * I I I 111 訂 11 I — II (請先閱讀背面之;£*事及^也寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱> -82- 55c 067 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（8〇) 化。在2 0 0 0小時後，於未記錄部進行新的記錄時，顫 動之惡化僅3%程度，這是實用上完全無影響之水準。 又在實施例1之媒體，就ιώ=π - 1及- 1時 -，詳細檢討顫動之記錄脈衝分割方法依存性。 第13圖係表示，在線速3 . 5m/s下分別以（a )m = n — 1，（b)m=n — 2記錄時之顫動之αι， α、依存性之等高線圖》 而弟1 4圖係表不’在線速7 . 〇πι / s下分別以（ a)m=n — 1，（b)m=n — 2記錄時之顫動之αι， α :依存性之等高線圖。各圖之測量所使用之P w，P e ， P b及/3 m示於各圖之上面。 在線速3 · 5m/s時，不論是m=n — 1 ，m=n 一2，可看出在 α：ι = 〇 . 7 〜Ο . 8，α<：=〇 35 〜 0 · 4 0附近，獲得最低之顫動（大槪7 %以下）。 在線速7.Om/s時，不論是m=n_l ，m=n -2，可看出在αι = 〇 . 5附近，= 〇 . 40附近， 獲得最低之顫動。獲得最小之顫動之附近之α ,，α。，均 可滿Σ α , < 〇 . 5 η之條件。 再者，本實施例在線速3 . 5m/s ，7 . Om/s 任一情況，均在m = η _ 2時獲得較低之顫動値，並較之 m = n— 1時，對較大之α，也可獲得較低之顫動。 而且，使用N A = 0 . 63之評價機，如表—2 ,改 變記錄脈衝分割方法，評價上述實施例1之媒體之顫動之 線速依存性。再者，基準時脈週期T係與線速成反比例。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） -83 - -----1!-裝---1!1 訂--I! ·線 {請先閱讀背面之注φίΫ項/4寫本頁) 6 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 A7 B7 五、發明說明（81 ) 脈衝分割方法爲，m=n — 1 ，ai + jSi — i=l . 0 (2 SiSm) ，（^二^!：:—定·Ρ''’’
Pb，Pe不依線速，恒爲一定。在此，在表一 2之脈衝 分割方法，全線速度均可滿足Σα,<〇 .5n = 從DVD之標準線速之1倍速至2.5倍速前後均獲 得良好之蓋寫特性。本媒體係將記錄領域分割成3〜4區 域，每一區域稍爲改變記錄脈衝策害，藉此，雖是C A V 方式，仍可在記錄領域之整個領域顯示良好之蓋寫特性。 而使用波長660nm，NA=0.65之評價機進 行記錄再生，均獲得相同之結果。 (實施例2 ) 在基板上配設各層之膜厚度不相同之下部保護層（ ZnS)8〇(Si〇2)2〇，記錄層 66〇.05513〇.73丁6〇. 22，上部保護層（
ZnS) 8。（S i〇2) 2D1 反射層 A 1。. 995T a。各層之膜厚度示於表—3。所 有之薄膜係藉濺射法，在不解除真空之狀態下作成。 反射層之成膜係在到達真空度2 X 1 0_4 P a以下 ，Ar壓〇.54Pa ，成膜率1.3nm/秒之條件下 爲之。 其體積電阻率爲5 5ιηΩ m，面積電阻率爲 0 . 2 8 Ω / □。 氧，氮等雜質在X線激發光電子分光之檢測靈敏度以 ---------1—--裝----— II 訂 *11!1 I ·線 {請先閱讀背面之注4-事寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐} -84 - A7 B7 五、發明說明（82) 下，可看作全部合起來未滿1原子％。( 2nS) (S i 〇2) 保護層之膜密度3 · 50 g/cm3,係邏輯上整體密度3·72g/cm3之94 %。而記錄層密度係整體密度之9 0 %。従熱模擬所估算 之保護層之熱傳導率爲3.5xlO_4pJ/(ym*K • nsec) ° 對如此製成之媒體，將第1 0圖（a )所示之脈衝分 割方法，分別以1倍速及2倍速，對各媒體之各層架構最 合適化後使用，進行記錄（蓋寫）。然後，測量，初次， 1 0次，1 0 0 0次蓋寫後之顫動=測童時，記錄再生均 使用波長6 3 7 n m，N A = 〇 . 6 3之光學系統。 在表-3綜合，各媒體之1倍速之最合適脈衝分割方 :去，顫動，R t ο p，調變度。 均以1倍速，完成最短標記長度0 . 4jum之標記長 度調變記錄，獲得很大之初期調變度》 若上述保護層膜厚度爲2 0 nm，初期顫動，蓋寫 1 0 0 0次後之顫動，均未滿1.0% 若上述保護層膜厚 度爲3 0 n m，則初期之顫動良好，但返覆蓋寫後顫動之 增加稍爲明顯，蓋寫1 000次後之顫動爲1 0〜1 2% 。若上述保護層厚度爲4 0 nm，初期顫動達1 3%以上 ，而返覆蓋寫時急激惡化而成2 〇%以上》 而使記錄層膜厚度爲30nm之實施例2 (k2) ’ 其初次記錄之顫動爲1 3 %以上，返覆蓋寫後之顫動之惡 化非常顯著。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -----------—裝— <請先間讀背面之注兔事項^^寫本頁) 訂.· --線- 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 -85- b 經濟部智.«財產局員工消f合作社印製 4 8 6 7 A7 _____B7 五、發明說明（83 ) 下部保護層膜厚度4 5 nm之實施例2 ( i 2 )之返 覆蓋寫耐久性不好。 而反射層之厚度2 5 0 nm者較2 0 0 nm者，獲得 更爲良好之顫動。亦即，在這種高密度之標記長度記錄時 ，很顯然地，「超急冷構造」較理想。 其次評價實施例2 (g1)之媒體之顫動之記錄功率 Pw依存性。脈衝分割方法在第1 〇圖爲m=n— 1,
Pw=14mW，Pe/Pw=〇 . 5 ，；Sm=0 . 5 而以 1倍速及2倍速進行記錄。然後，評價£^1及^(： = «1 ( 之顫動之依存性》 2 倍速時，= 0 · 5 ，. 4 ，泠…= ；3 “ 1 = 0 . 5 ’ Ρ \ν = 1 4 m W，1 倍速時，α 1 = 0 . 7 ’ α ^ = 0 . 3 ， β m = β „ \ = 〇 , 5 ， Ρ w = 14mW。這時，2 倍速爲 Σα, = 〇 . 3η (η = 3)- 0 . 3 3η ( η = 4 ) * 0 . 3 4 η t η = 5 )， 0 33η以下（η = 6〜14) 。1倍時爲Σα.。 0 . 3 3η ( η = 3 ) ，0.33η(η = 4)， 〇 . 3 2η ( η = 5 )，未滿 0 . 32η (η = 6 〜14 )° 第1 5圖表示其結果，表示初次及蓋寫1 0次後之顫 動之記錄功率P w依存性 > 以及，蓋寫1 〇次後之反射率 Rtop及調變度Mod之記錄功率Pw依存性。（a) 係2倍速記錄時‘，（b )係1倍速記錄時。再者’
Rt op係相當於第6圖之I t op。而圖中之DOW ( S — J—·1!·裝 i I I ! !訂· — I I ---線 ί請先閱讀背面之注意事項ί寫本I) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -86 - 45 58 6 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（84)
Direct Overwrite )係指蓋寫。 其次再評價蓋寫耐久性。第1 6圖表示其結果。對顫 動，反射率及調變度，分別表示蓋寫1 〇 〇 〇次後之値。 • ( a )係2倍速記錄，（b )係1倍速記錄時之値。兩種 情形時之顫動在1 0次前後均會漸增，但1 0次以後便穩 定下來，顫動，調變度，反射率在蓋寫到1 0 0 0次時， 幾乎沒有劣化。 並且以線速9m/s，基準時脈週期爲1 4 . 9 η s e c以外，與上述2倍速（線速7m/s )相同之脈 衝分割方法* Pw= 1 4mW *對本媒體進行蓋寫。抹除 比爲3 0 d B以上，獲得十分良好之値。而顫動也未滿 1 1 %，十分良好。 對實施例2 (gl)之媒體，在線速3〜8m/s範 圍內，P'v=14mW，Pb=lmW，Pe/Pw = 〇 . 5 ，/3^=0 . 5均爲一定値，而僅改變（^及^^， 而獲得良好之顫動。亦即，在線速3〜5m/s間，ai = 〇 - 7 ’ = 〇 . 35，在線速 5 〜7 時， 〇 . 65，= 〇 . 4，在線速7〜8m/s時，則使 = 〇 . 55，〇 . 45，分成至少3階段變化時 ’可以獲得大體上未滿9 %之良好之顫動5若分得更細， 以1 m / s之階段改變α ,與α t時，應可以在各線速度獲 得更好之顫動。
再者，在pw=l 1〜14mW時，以Pe/Pw爲 ◦ . 4〜〇 . 5獲得最佳之顫動。而Pb超過1 . 5mW 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -87- ---------— IJ* _!if — 訂·！ It· — — 線 (靖先閱讀背面之注意•事項W4寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 4 A7 ----B7_____ 五、發明說明（85) 後’顫動便急激惡化。以Pe/Pw=〇 . 5，而檢查 Pb依存性的結果，若Pb未滿1 . 〇niW，可獲得大致 良好之顫動=亦即’ Pb/Pe必須未滿〇 . 2。 其次比較上部保護層膜厚度20nm之實施例2( gl)，與40nm之實施例2(d2)。對兩媒體，以 1倍速，如下測量記錄層標記長度依存性^ 使用NA=〇.6之光學系統，評價EFM P丨u s調變時，將最短標記之3T標記之長度，從 0 · 5#πι縮短時之顫動之標記長度依存性。記錄線速爲 3.5m/s之一定値，脈衝分割方法亦與上述一樣而— 定不變’然後改變基準時脈週期以改變標記長度。惟，最 短標記長度爲0 _ 4 6 以上時，因爲受使用裝置所限 ’再生速3.5m/s時CLV控制很困難，因此再生速 度用5m/s 。再者，最短標記長度〇 . 對應再生 專用D V D規格。 第17圖表示其結果。（a)係實施例2 (gl)之 媒體，（b )係實施例2 ( d 2 )之媒體。 可以看出，實施例2 ( g 1 )之媒體之顫動1到最短 標記長度0 . 38//m前後仍未滿13%，可以使用。 若使用NA=〇.63之光學系統，可降低大約2% 前後之顫動。而如使再生時之等化器最合適化，也同樣可 以降低約2%之顫動。除此以外，若使用ΝΑ = 0 . 65 之光學系統，則0 . 3 5 時亦可獲得十分良好之顫動 -----— Ill —---裝.！----訂.--- - !線 (請先Mtt背面之注+?事項 寫本頁> 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格<210x297公釐） -88- ο δ 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ° * A7 ____B7 五、發明說明（86 ) 實施例2 (d2)之媒體在標記長度0 . 45pm以 上大致上沒有問題，但未滿0 . 4 5 β m時顫動會急激增 加’在標記長度0.40#111時，顫動變成13%以上， •無法使用。 其次，爲了要評價所謂傾斜限度（tilt margine )，在 實施例2 ( g 1 )之媒體之多條軌道，記錄E FM P 1 u s調變之隨機模式信號後，使基板對再生雷射光之 光軸成傾斜，以測量再生時之顫動之變化。記錄再生之光 學系統爲NA = 〇 . 6 ，記錄線速爲1倍速或2倍速，均 爲蓋寫後之再生。第1 8圖表示測量結果。傾斜限度在徑 方向爲±〇 . 7〜0 . 8度，圓周方向爲±〇 . 5〜 0 . 6度，在普通之驅動狀態，應沒有問題。 <加速試驗> 在實施例2 ( g 1 )之媒體之部分軌道，以Pw = 1 3 m W，使用上述最合適脈衝分割方法，記錄E F Μ ρ Γ u s調變之隨機模式信號，以測量顫動。然後，在 8 0 :C / 8 0 % R Η之高溫高濕環境下進行加速試驗。在 加速試驗5 0 0小時後，及1 0 0 0小時後，再度測量本 軌道之顫動的結果，在1 0 0 0小時後僅惡化1 %而已。 同時1在加速試驗1 0 0 0小時後，在其他軌道，與 上述之同一條件記錄隨機模式而測量顫動的結果，僅有2 %程度之惡化，這種情形在實用上並沒有問題。 同時，以1倍速及2倍速同樣進行記錄，在8 0°C/ 本紙張尺度適用中國园家標準（CNS)A4規格（210 X 297公笼） I II— --11 — * · I I ! I 訂1 — 1111 ·^ <請先閱讀背面之注意事項jr填寫本頁) -89- 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 58 6 7 A7 ___B7 五、發明說明（87 ) 8 0%RH之高溫高濕下評價1 〇 〇 〇小時之加速試驗前 後之調變度。1倍速之初期調變度爲6 1 %加速試驗後調 變度爲5 8%。2倍速時，初期調變度爲6 0%，加速試 驗後調變度爲5 8 %。 <對再生光之穩定性> 對實施例2 ( g 1 )之媒體，將功率提高到1 . 2 m W ’照射再生光，照射時間1 〇分鐘左右並未發生劣化 。然後將功率降至1 · OmW，返覆照射再生光1〇〇萬 次，但顫動之增加僅未滿2 %。 (實施例3 ) 除了組成爲G e。.。5 S b〇.7iT e〇.2.i以外，記錄 層之層架構與實施例2相同，而作成媒體。表- 4表示各 層之膜厚度及評價結果。測量使用NA=〇.63之光學 系統。 與表一 3同樣，以各層架構分別將α !，α =，沒l 最合適化，且Ρ〜ν ’ P e也設定成顫動爲最低，而評價顫 動。 對實施例3 ( a )係與實施例2 ( a 1 ) —樣，記錄 線速爲1倍速及2倍速時，可獲得良好之特性，但 9m/s時，顫動較實施例2 ( a 1 )高出1〜2%。 而上保護層膜厚度爲未滿3 0 nm之實施例3 ( a ) 〜（f )時，獲得未滿1 0 %之顫動，蓋寫1 0 0次後乃 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -90- mltll—ί----4^4·-------訂·！！！ 線 (請先閱讀背面之注t項i寫本頁) A7 A7 經濟部智慧財產局員工"費合作社印製 _______B7____ 五、發明說明（肪） 未滿1 3%。上保護層膜厚度爲4 0 nm之實施例3 C g )〜（i )，顫動則獲得較1 3 %大之値。 •(實施例4 ) 層架構採，下部保護層（ZnS) 8〇 (S i 〇2) 2〇 之膜厚度爲2 1 5 nm，記錄層
Ge〇 . 〇5St)〇 . 69丁 e〇 . 26 爲 1 8nm '上部保護 層（ZnS) (S i〇2) 2〇 爲 18nm，反射層 A 1。.995丁3〇.0〇5爲20〇11111。本記錄層組成在 線速度3〜5 m / s時之記錄會有良好之特性，係所謂之 1倍速。惟因過剩S b量較實施例2 ，3稍少，因此，長 時穩定性優異1若重視所記載資訊之保存穩定性或返覆再 生性所引起之劣化，即再生光耐久性時，本例很適合。 以下係以N A = 0 . 6之光學系統評價。最合適脈衝 分割方法係以下述方式爲之。在記錄線速3 . 5 m / s時 ' Pw2/3mW，Pe/Pw=〇 . 5，在第 10 圖， /3-=0 . 5爲一定，而改變α !，a ，選擇能產生最小 顫動之脈衝分割方法。在第19圖以顫動之等高線圖表示 10次蓋寫後之顫動之依存性。α1 = 〇 4〜 0 . 8 ’ α . = 〇 · 3〜0 . 3 5則可獲得最佳之顫動，因 此以此爲基本，選擇〇：,= 〇 . 6，ar = 〇 . 35。這時 ’ Σ α ! = 〇 . 3 2η ( η = 3 ) ’ 0 · 33η ( η = 4 ) '0 · 3η (η = 5)，未滿 0 35η (η = 6 〜14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公龙） -91 - --I I-----II----- I---- ^ *1 — - — — —— — Α請先閱讀背面之汶東事項寫本頁> Α7 Β7 五、發明說明（89) 調變度爲6 5%，較之再生專用dyd，毫不遜色。 R t 〇 P在2 3%前後，實際上有1 5%便應該能夠用現 有的再生專用驅動讓來再生。 因此’在本發明記錄媒體，以p w = 1 2 · 5 m W， 線速3 5m/s記錄影像資料，用市售之再生專用 D V D裝置嗜試再生，結果在聚焦伺服，追蹤伺服信號， 顫動獲得與普通之再生專用DVD同等之特性- <返覆蓋寫耐久性> 第20圖表示，在Pw=12 . 5mW之顫動， R t 〇 p調變度之返覆蓋寫次數依存性。1 〇 〇 〇次以上 之蓋寫後，仍顯示充分穩定之特性。 <加速試驗> 在本媒體之一部分軌道，使用上述最合適脈衝分割方 法，以P vr = 1 3 m W，記錄E F Μ ρ 1 u s調變之隨 機模式，而測量顫動。然後，在8 0 °C / 8 0 % R Η之高 溫高濕下，對本媒體進行加速試驗。在加速試驗5 0 0小 時後及1 0 0 0小時後，再度測量本軌道之顫動，在 1 0 0 0小時後僅惡化未滿5 %。同時，調變度在初期爲 6 5 %，加速試驗後爲6 3 %。 同時，在加速試驗1 0 0 0小時後，與上述同一條件 ，在其他軌道記錄隨機模式，測量顫動的結果，僅有1 % 程度之惡化，但這種結果在實用上已經沒有問題。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 χ 297公釐） *I---------;----裝 *丨| (請先閱讀背面之iit,事4寫本頁) ie ‘ ;線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -92 - η 〇 867 . ΚΙ __Β7_____ 五、發明說明（9〇) <對再生光之穩定性> 對本媒體，將功率提高到1 · 3 m W，以照射再生光 ，10分鐘左右後完全不見有劣化。然後將功率降至 1 . OmW，再返覆照射再生光1 0 0萬次*而顫動之增 加並未滿1 %。 (實施例5 ) 採用實施例2 (al)之層架構•而記錄層爲
Geo.cι5Sbo.了5Teo.2cι。評價是使用Na = 0.6 之光學系統。 以 a i = 0 4 ，a c = 0 . 3 ，召叫=0 . 5 ，P w =1 4 m W，P e / P w = Ο . 5 *而獲得最佳之顏動β 蓋寫1 0次後之顫動剛好是1 Ο %，1 Ο Ο 0次後仍未滿 13%。 <加速試驗> 在本媒體之部分軌道，使用上述最合適脈衝分割方法 ，以Pw=14mW，記錄EFM plus調變之隨機 模式，而測量顫動。然後，將本媒體置於8 0 °C / 8 0 % R Η之高溫高濕環境下進行加速試驗。加速試驗5 0 0小 時後，再度測量本軌道之顫動的結果，僅惡化2 %而已。 又在加速試驗5 0 0小時後，與上述同一條件，在其 他軌道記錄隨機模式，而測量顫動的結果，看出有3 %前 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公a ) --Ill — — — — — — — · · I! I 11 I 訂-1ΙΙΙΙ! (請先閱讀背面之ii*.事項寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -93- 45 58 6 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7___ 五、發明說明（91 ) 後之惡化，但實用上應該是沒有問題。 <對再生光之穩定性> 對本媒體，將功率提高到1 . 〇 m W，以照射再生光 ，10分鐘左右後完全不見有劣化。然後以功率1.〇 m W，再返覆照射再生光1 〇 〇萬次，但顫動之增加未滿 3%，仍可維持未滿13%。 (實施例6 ) 採實施例4之層架構*而記錄層爲
Ago.05Geo.05Sbo.GTT e〇.23。而以 NA = 0 . 6之光學系統加以評價。 在線速度3 · 5 m / s時，以P \v = 1 3 m W， P e / P 'v = 〇 . 5 ，m = η — 1 ，/3 m = 〇 5 ，測量顚 動之脈衝分割方法依存性（α !及a t )，結果如第2 1圖 (a )所示之等高線圖。αι=0 · 6 ，〇:： = 0 . 35大 體上是最爲合適。這時1 · 32η (n = 3) ’ 0 . 3 3η ( η = 4 ) - 0 . 3 3 η ( η = 5 )，未滿 0 · 35η (η = 6 〜14) 0 第21圖（b)表示，初次，10次，1000次蓋 寫後之顫動之功率依存性，在第2 1圖（c )表示’ 1 〇 次蓋寫後之R t 〇 p及調變度之功率依存性。到1 〇 〇 〇 次蓋寫後，仍岢在廣大之記錄功率之範圍內，維持良好之 顫動，並達成R t ο p 1 8%，調變度6 0%以上。 1!!1 — !·'11-裝 * ! 1 訂· I ! I I I - (請先閱讀背面之ii*.事寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -94-
0 D 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（92) 第2 2圖表示151=13111\^之顫動，只1；〇?，調 變度之1 0 0 0 0次蓋寫後之變化。除了在初期顫動增加 到1 %程度以外，完全沒有劣化。 同時，與實施例1同樣之方法測量顫動之最短標記依 存性，其結果亦於第23圖。最短標記長度〇 . 38em 時，顫動未滿10%，極爲良好。 再者，對本媒體也就m = η — 2之脈衝分割方法進行 評價，其結果，αι=1 . 〇 ’ 〇:。= 0 · 5 ，冷 m = 0 . 5時獲得與第2 1圖同樣之特性。n = 3時Σαι = ◦ .· 48η，η = 4 時，48η ' η25 時 Σ α ； = 0 . 46η 〜0 · 47η。 (比較例2 ) 層架構採實施例6之架構，記錄層爲
Ago.05Geo-05Sbo.63T e〇.2:。 在線速度3 · 5m/s時，以Pw=13mW，Pe / P w = 0 . 5 ，卢m = 〇 . 5，評價顫動之脈衝分割方法 依存性，結果獲得第2 4圖（a )所示之等高線圖。α. 1 = 1 · 0 ，· 5爲最合適’這時’ Σο:,不依η，而 是0 . 5η之一定値。 第2 4圖（b ) ， （ c )表示記錄功率依存性，及 1 0 0 0次後之返覆蓋寫特性。初次記錄之顫動及功率限 度較實施例良好，但因返覆蓋寫而劣化’ 1 0 0 0次後顫 動更爲惡化。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） -95- — — — — — —----^--- - 1 ! I ! I 訂- 1!! - {請先閱讀背面之注t事w"v4寫本頁) 4 5 5 8 6 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社.印製 五、發明說明（93) 再將再生光功率提高到ImW，則5分鐘左右顏動便 惡化，增加到1 0數％。這種差別無法以0 . 5〜1 m W 之記錄靈敏度差來說明。再生光劣化之主要原因是溫度上 ‘昇到5 0〜1 0 0 °C前後，可看出本發明之添加G e對改 善非晶質標記之熱穩定性有效果。 (比較例3 ) 層架構'採，（ZnS)8〇(Si〇2)2〇下部保護層 之厚度 9 Onm，Ge2Sb2Tedg 錄層爲 2 1 nm， (ZnS) 8〇 (S i 〇2) 上部保護層 23nm， A 1 Q.995T a〇.tiD5 反射層爲 2 Ο 0 nm β 記錄時，以第1 Ο圖（a )所示之脈衝分割方法爲基 本1再微調，使在各標記長度，線速時可獲得最良好之顫 動。 如第2 5圖所示，對此媒體採，α ! = α t α。= Ο . 3〜Ο . 4 —定値’ ；3m=l . 〇之策雪，而大致上獲 得良好之顫動=同時，Pw=13niW，pe/Pw = Ο . 4 (Pe = 5mW) ，Pb = 2 . OmW爲最合適記 錄功率，Pb/Pe = 〇 . 4稍高’但這是，本比較例之 記錄層有必要將第9圖之T L維持在稍爲高一點之故。 P b未滿1 m W時顫動也不佳，但p b在3 m W以上 時1顫動也惡化。 以此脈衝分割方法爲基礎，並且對應標記長度αυ進行 0 . 0 2程度之精密之脈衝寬度調整，而與實施例2 —樣 請 先 閱 讀 背 面 之 ΐ主 意， 事· I裝 訂 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210*297公芨） -96- 4 5 5 8 6 經;"部智慧財產局員工消費合作社印*'取 A7 B7 五、發明說明（94) ’測量標記長度依存性。其結果示於第2 6圖（a )。同 時測量蓋寫時之線速依存性。其結果示於第2 6圖（b ) 〇 線速依存性係依線速度變更基準時脈週期，使最短標 記長爲0 . 4vm，再生則恒以3 · 5m/s爲之。而關 @線速依存性，則記載蓋寫1 0次後之顫動，及此後D C $除後進行一次蓋寫記錄時之顫動》 如第26圖（a)所示，最短標記長度〇 . 4em而 顫動爲1 0%，更短時顫動便急激惡化。 又如第2 6圖（b )所示，在記錄線速5m/s以上 時顫動便惡化。惟在一旦D C抹除後之記錄時，顫動降低 2〜3 %以上。由此可以認爲是因爲結晶狀態與非晶質狀 態之吸收率差形成之溫度上昇之不均一，產生抹除不良或 非晶質標記形狀之失真，致顫動惡化。 再者，在線速7m/s時，蓋寫後之顫動爲2 0%以 上1但DC抹除後之記錄爲1 5%程度。因此，高線速時 之顫動變高•應該不是未選擇適切之脈衝分割方法。 本記錄層本來因爲是有粗大顆粒，因此顫動後高，除 此之外，在線速5 m / s以上時*蓋寫時以前之標記之抹 除不完全成爲與D C抹除後記錄之顫動之差，其影響會明 確顯現出來。 再者，在上述之實施例2 (gl)之媒體以7m/s 蓋寫時，與DC抹除後記錄時之顫動之差爲未滿0 . 5% I ---------- 裝！| 訂------II 線 (請先閱讀背面之注*-事^<4寫本頁) 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 97 - 45 5 A7 B7 五、發明說明（95) 使用如 Ge2Sb2Te5 之 GeTe — St)；：Tej 擬 似一兀合金錄層之記錄媒體時’若是由保護層/記錄層 /保護層/反射層構成之4層架構，如上述之5〜6 in / s以上之高線速，則如上述，D C抹除後記錄不會有 問題，但蓋寫時顫動會惡化。因此，爲了減輕顫動，必須 要有再追加光吸收層等，以補正吸收率等之對策。 (比較例4 ) 採實施例2 ( g 1 之層架構，而記錄層爲 G e 〇 ! 5 S b。. 6 4 T e。. 2 !。初期結晶化非常困難，照 射多次初期化光束始完成初期化，而進行蓋寫，測量顫動 ’但在第1 0圖之範圔內，則如何變更脈衝分割方法，均 未能獲得1 3 %以下之顫動。若返覆蓋寫，則在1 〇次至 1 0 0次之間，顫動便增加數％。 (比較例5 ) 採實施例2 ( g 1 )之層架構，記錄層爲 〇6〇.〇5513〇.8〇丁6〇.15。在7111/8時，Oil: 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 0 · 4 ' a c = 〇 · 3 ， /3 η, = 0 . 5，Ρ w = 1 4 m W *
Pe/Pw二〇 . 5 ，而獲得大致上最佳之顫動，但顫動 在蓋寫1 0次後差不多在1 1 %，1 0 0 〇次後則超過 13%。 <加速試驗> 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公《 > 「98- 4 5 d 8 b / 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7______ 五、發明說明（96) 在本媒體之部分軌道，使用上述最合適脈衝分割方法 ，以Pw=14mW，記錄EFM p 1 us調變之隨機 模式，而測置顫動。然後，在8 0 t / 8 0 % R Η之高溫 ‘高濕下對本媒體進行加速試驗。加速試驗5 0 0小時後， 再度測量本軌道之.顫動後，惡化3 %左右，而成1 3 %以 上。 並在加速試驗5 0 0小時後，與上述同樣之條件，在 其他軌道記錄隨機模式，而測量顫動之結果，可看出有5 %左右之惡化，劣化提昇。 <對再生光之穩定性> 對本媒體，將功率提高到1 . 0 m W照射再生光的結 果，1 0分鐘後顫動增加3 %，非常不穩定。又，調變度 下降，有標記消失之傾向。 (實施例7 ) 對實施例2 ( a 1 )之媒體，在1倍速（線速度 3 . 5m/s ，基準時脈週期T=38 _ 2nsec)至 2 . 25 倍速（7 · 9m/s ，T=17nsec)間， 使 aiT=ri=19nsec - α , T = r 〇 = 1 1 n s e c對所有線速保持一定値，僅使T與線速成反比例 ，以記錄EFM ρ 1 u s信號。並決定以£^, + /3,-! = 1 · 0而保持一定値之/3,。再者，僅使最終之截斷脈衝區 間/3〜改變或線速度愈慢時/3 m愈長。 -------丨！ |丨|·裝· — I!---訂------ I 線 (請先閱讀背面之注意事項厂"寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 * 297公釐> -99- b 4 58 6 7 A7 ___B7 五、發明說明（97) 這樣之脈衝分割方法，可如第1 1圖之閘產生之定時 說明圖所示，與基準時脈週期T同步（有可能附加一定之 延遲），使其產生^1=1 9 n s e c之固定長度脈衝一個 (Ga t e 1 )及1 n s e c之固定長度脈衝n- 2個（G a t e 2 )即可，並僅使決定最終截斷脈衝長度 之G a t e 3對應線速而變化即可，如此得簡化脈衝產生 電路*相當可取。而且在本實施例，因記錄功率= 13 . 5mW，Pe = 5mW，Pb = 0 . 5mW均爲一 定値，因此脈衝量產生電路可以相當簡單。在此，線速5 m/s以下因可滿足Σα:<〇 . 47 η ，因此熱破壞已受 到充分之抑制。 在表- 5綜合，在各線速改變/3 η,時之顫動之値。表中 ，'-表示基準速度3.5 111/5。拾訊器之波長爲6 3 7 n m，N A = 0 . 6 3。顫動之値本身係如實施例2所示 ，較之使脈衝分割方法成彈性可變者，會成爲稍差之値， 但從1倍速至2 . 2 5倍速間，獲得大體未滿1 0 %之値 0 在此，若使2倍速時/3 H ™ = 0 . 3 ，1倍速時/5 * m = Ο . 6 (以方形所圍之點），令/5 ,,,與線速成反比例變化時 ，可看出，從1倍速至2倍速之各線速獲得未滿1 0%之 顫動。而且在本實施例，雖然Θ m之限度很小，但使Θ m = 0 . 2爲一定値，仍可以在1倍速至2倍速間獲得未滿 1 0 %之顫動；如此，可以簡化按線速成爲可變之脈衝產 生電路。 -I I I I I--- II--φ I ---— I I 訂·11!1!· *5^ (請先《讀背面之ii*.事項寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210* 297公芨） -100- 5 4 58 6 7 A7 __B7 五、發明說明（98) 若預先在記錄媒體上，藉凹凸坑洞或調變之溝蛇行信 號，記載 Pb ，Pe/Pw，w，γ。，Γ<， ( β L m ' β、、，即可以對應蓋寫時之線速度，自動決定最合適之 記錄條件。 (實施例8 ) 層架構採，下部保護層（ZnS) 8。（S i 〇2) 2〇 之膜厚度爲215nm，記錄層 G e〇.〇sS bo.esT e〇.26 爲 1 9 nm，上部保護層（ ZnS) 8〇 (S i 〇2) 2〇 爲 2〇nm，反射層 A 1 〇.995丁 a〇.〇〇5 爲 2 0 0 n in 之架構。 線速3 * 5m/s，脈衝分割方法爲αι = 0 . 5， α , = 0 . 3 δ 1 β m = Q . 5 ' Pw=l lmW> Pe = 6 . OmW，Pb = 〇 . 5mW，改變基準時脈週期丁， 使最短標記長度（3T標記長度）從〇 . 4ym變化到 0 . 25#m，以進行記錄。3T標記之標記長度爲 0 ._4em 時之 T=38 . 2nsec ，0 . 2#m 時之 T=19 . Insec。記錄雷射波長爲637nm< N A = 〇 · 6 3。 因爲此會聚雷射光線具有高斯（Gaussian )分布，因 此可以只利用中心部之高溫部分，成光學分解能以上之高 密度進行記錄。 以波長 432nm，NA = 0 6，功率 0 . 5mW 之藍色雷射光再生記錄部分。此雷射光係從波長約8 6 ◦ — — — — — ——--— 1 — —、裝 I!—訂！1 -線 (請先閱讀背面之注*事項#'滅寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公; •101 - 4 58 6 7 A7 ____B7____ 五、發明說明（卯） nm之雷射光，藉非線形光學效果產生者。此項層架構在 4 3 2 nm時，也可獲得調變度5 0%以上之很大之調變 度。 並且在第2 8圖，以最短標記長度依存性，表示以記 錄時使用之637nm，NA=0.63之光學系統再生 時，與以4 32nm，ΝΑ = 0 . 6之光學系統再生之顫 動。測量時在各測量點儘量將等化器之測量値加以最合適 化。此記錄媒體以藍色雷射光再生時，最短標記長度 0 . 3//m時仍獲得未滿1 3%之良好之顫動。 (比較例6 ) 採實施例2 ( A 1 )之層架構，記錄層爲 G eo osS b〇.6jT e〇.3i。 以波長637nm，ΝΑ = 0 . 63之光學系統進行 記錄評價。在線速3 . 5m/s時，使m=n — 1 ，αι = 0 - 4 ’ a <· = 0 4 * /3 πι = 0 . 4 ’ P b = 〇 . 5 m W ，P e = 4 · 5 m W，均爲一定値，僅改變p w，進行到 第1 0次蓋寫。這時之顫動之記錄功率依存性亦於第2 7 圖（a )。圖中，1 write指未記載光碟之初次記錄， 1DOW指第1次蓋寫，10DOW指第1 ◦次蓋寫。 其次使P w = 8 . 5 m W —定値，僅改變p e ，進行 到第1 0次之蓋寫。這時之顫動之抹除功率依存性示於第 2 7 圖（b )。 兩次測童在初次記錄（1 w r i t e )時有良好之顫動，但 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） !||1!-|---裝-- ------訂—! I!線 (請先閱讀背面之注*-事項/永寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 -102- 58 58 5 4 A7 B7 五、發明說明（ 請 先 W 讀 背 S 之 注 意. 事 只要蓋寫一次，顫動係急激惡化β本比較例之記錄層組成 較第3圖之直線A，其丁 e含量較大，因結晶化速度較慢 ，因而不能獲得充分大之抹除比’因此無法獲得充分之蓋 •寫特性。 (實施例9及比較例7 ) 對實施例2 ( a 1 )之層架構，如表一 6所示、改變 其記錄層組成。係將G e D.Q5 S t)G.T3T e 0.26祀與 G e共嫌射（co-spattering )，以改變G e量者。 使用波長637nm，Na=〇.63之光學系統， 使m —1 * Pb = 〇 . 5niW' y3m = 〇 . 而改 P w，P e找出 次蓋寫後之顫動爲最小 經濟部智慧財產局員工消t合作社印製 ^ a 1 ' a c 之條件。 各記錄罾組成所獲得之最小顫動係如表一 6所示。隨 著G e添加量之增加，顫動也增加，G e爲1 〇原子％以 上時，2倍速之顫動變成1 4%，非常高。 再者，將本媒體置於8 0°C 8 0%RH之條件下進行 加速試驗的結果，實施例9 ( b ) ，（ c )較實施例9 ( a )稍爲良好。亦即，加速試驗2 0 0 0小時後，讀出加 速試驗前所記錄之信號結果，實施例9 ( a )〜（c )之 任一例，其顫動均惡化1 %前後而已。 而實施例9 (a)〜（c)之初期調變度爲61〜 6 3%，在2 0’0 0小時之加速試驗後仍獲得5 8〜5 9 %之調變度。反射率也幾乎完全沒有變化。尤其是實施例 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公* > 103 - 4 5 58 Α7 Β7 經濟部智慧財產局具工消費合作社印製 五、發明說明（ 9(b) ，( e )，僅增加0.5%以內。 其次，藉共濺射〇6。.。551)。.73丁6。.22$£與 Ta ，以添加Ta。其結果，對GeSbTe添加1〜2 原子％之丁 a時’獲得最佳之顫動。 (實施例1 0及比較例8 ) 採實施例2 ( g 1 )之層架構’而記錄層則是添加 In之GeSbTe " In係在GeSbTe靶共濺射 InSbTe而添加者。各記錄層組成爲，實施例10 ( a )爲 Geo.05Sbo.74T e〇.2i ’ 實施例 1 ◦ (b ) 爲 I no.o23Geo.d48Sbo.7i9T eo.21，實施例 10(c) I n0.053GeO.044S b〇. 68βΤ e〇.£I5 ’ 而比較 例 8 爲 I n〇'ii8Ge〇.〇4iSb〇.6iTT e〇.22-.i。 評價各該媒體之顫動之功率依存性之結果示於第2 9 圖（a) ，（b) ，（c) ，（d)。上段爲記錄線速 3 . 5 m / s時，下段爲記錄線速7 . 0 m / s時" 所用之光學系統均爲6 3 7 nm ’ NA=〇 . 63 11 線速 3 . 5m/s 時’使 al = 0 6 ’ 〇tc = 〇 . 35 ，/3·；ι=〇 . 5 ，7 - 〇m/s 時’使 tz = 〇 . 4 ’ ac = 〇 · 4 ，/3,:,= 0 . 5 。Pb = 0 . 5mW 爲一定値。Pe 用兩種値，亦爲一定値，僅使P w改變’以測量顫動之 P w依存性。添加2〜5原子％程度之I η量則可大幅度 改善Pw限度。惟若超過1 〇原子％，顫動反而比不添加 請 先 闉 讀 背 之 注 意· 事 % ' 5裝 本 頁 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210x297公ί ) -104- 厂) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 __B7_____ 五、發明說明（1闷 時惡化。 同時，蓋寫1 000次後之顫動在實施例10 (a) 〜（c )時，而線速均爲未滿1 0原子％，比較例8則兩 -線速均較13%爲高。 <加速試驗> 在8 0°C/8 0%RH之環境下對實施例10 (b) 之媒體進行2 0 0 0小時之加速試驗。加速試驗前所記錄 之信號之顫動之惡化不過1 %程度。 而初期調變度爲6 1%，2 0 0 0小時之加速試驗後 仍獲得5 7%之調變度。反射率也幾乎完全未變化。 2 0 0 0小時後在未記錄部重新記錄時之顫動之惡化 爲3 %左右，這對實用上完全沒有影響。 (實施例1 1 ) 在具有表一7之溝形狀之聚碳酸酯樹脂基板上成膜， 具有實施例2 ( g 1 )之層架構，記錄層爲 I nc.oaGeo.osSbo.TiT e〇.2!之光碟。其溝間 距爲 0 . 7 4 P m。 蛇行之調變方式採，載波之週期Tw爲基準資料時脈 週期T=38.2nsec之32倍之2値相位調變。在 此所稱之相位調變蛇行係如第3 0圖所示，對應數位資料 信號之0或1，將蛇行波之期位偏移位π。 亦即，頻率ί£=1/Τ«·=1/(32Τ)之無調變 — — — —— — — III—— — · I I I I---« — — — — — —I — (請先闓讀背面之;1意事項厂、寫本頁> 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A·}規格<210x297公釐） -105- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（1叫 載波（餘弦波或正弦波），因位址用之數位資料從0切換 至1，或從1切換至0，而剛好偏移相位；Γ。數位資料〇 ’ 1之切換週期Td較Tw爲低頻，丁，爲7^.之整數分之1 ' ，因此相位偏移^時，蛇行波形仍然呈連續變化。 本調變方法之可取點是，與AT I P ( Adsolule Time in Pregroove )所用之頻率（FM)調變不同，係以蛇行頻 率一定’且週期爲3 2 丁之高頻調變，因此可以參照蛇行 之時脈確立光碟之轉動同步，同時能與蛇行之時脈同步直 接生成資料時脈。 如此藉數位資料之調變使相位改變時，係使用，例如 第3 1圖之環形調變器。數位資料係對應0，1施加正負 之電壓± V。製作模子底盤時，依照以士 v w之電壓間2値 相位調變之蛇行波形，使抗蝕劑曝光用之雷射光在半徑方 向蛇行，而曝光。這時，將環形調變器輸出波加在E 0調 變器，藉此可使曝光用光束蛇行。 以下再詳細說明。在圖中之無調變載波輸入端子輸入 週期 cos (2；Tftt)之信號 V«. .cos ( 2 π f r t )時，在輸出變壓器之輸出會出現V w . c .〇 s (2 π f。t )與—V w · c o s ( 2 π f。t )之兩個載 波信號。若數位資料輸入是正（+ V) •導通 '載波V _ c 〇 s ( 2 7Γ f。t )直接通過D i，調變出 現在輸出端子。一 W . c 〇 s ( 2 α i ^ t )之載波則經 過D〆後，由_輸出側之變壓器加以反轉而成爲 V 'V · c 〇 s ( 2 π ί i t )，與通過D 1之輸出相加，而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） -106- I-----!! -裝·! Jil — 訂- -----線 <請先閱讀背面之注東事項厂JW寫本頁) 5 4 _ —· — -------------- *_ ... . - ·- 58 6 7 A7 __________B7_____ 五、發明說明（1〇今 得Vw.cos 之輸出。 若數位資料輸入是負（一 V)，即Dp D2’導通時 ，Vw_ cos (2TTfct)之信號將經由二極體D2至 -輸出側變壓器之下側，因此，調變會在輸出端子，將其反 轉，而成-Vw-.cos (2?ri>：t)。 另一方面，在輸入側變壓器之輸出爲 —V τ * c 〇 s ( 2 π ί。t )之載波，則經由二極體 D2’加在輸出側變壓器之同相輸入，因此保持其極性 (-V « · c 〇 s ( 2 jt i e t )之狀態）出現在調變載波 輸出端子。因此，通過二極體〇2及〇2 ’之路徑之載波， 便成爲-V'v· C 0 S (2π f : t )而合成，調變出現在 輸出端子。 環形調變器時，則由數位資料輸入是正或負，而在輸 出端子輸出V . C 0 S ( 2 7Γ f t t )或 —V w · cos ( 2 f c t )。 如此調變之蛇行波形被輸入E ◦調變器，而使曝光用 光束蛇行。 本實施例之蛇行波幅均爲6 0 nm ( p e a k - t 〇 —p e a k 値）。 僅在溝內記錄之媒體時，對記錄再生光波長λ = 637nm，基板之所射率n = l . 56 ，溝深度之可取 範圍爲，下限在A/(2〇nm) =20 . 5nm，上限 在 λ/(10η) = 40 · 8nm。 本媒體之評價，使用波長6 3 7 nm，NA = — — — — — — — — — — — 1111111 ^ — — — — — in (請先閱讀背面之注*.事項厂^寫本1> 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公龙） -107- 4 5 5 8 6 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（1〇9 0 . 6 3之光學系統- 使用與實施例2相同之m = n — 1 ’0：. + ^，！ = 1 * 0 (2^ίέη) ' α ι = 〇. ^ = 一 定 之記錄脈衝分割方法，在線速3 . 5m/s下，使= 0 . 5 1 ac=〇 . 3 1 ^m=0 . 5 ' P»=13mW' Pe = 6mW，在線速 7m/ s 下，使 αι=〇 . 4， =0 · 35 ' ^m=〇 . 5 * Pw=14mW> Pe = 7 n m ° 首先，在溝內以線速3 . 5 m / s進行記錄’測量 Rt op及調變度=同時以3 . 5m/s及7m/s測量 記錄信號之顫動。其結果示於表- 8。 首先，實施例1 1 ( k )有深度1 8 n m之非常淺之 溝，但完全無法檢出推挽信號，無法施加追蹤伺服。而要 均一形成這種淺的溝，模子製作上也非常困難，實際上在 追蹤伺服信號觀測到非常大之不均勻。 第32圖（a) ，（b)表示調變度與Rtop之溝 形狀依存性。實施例1 1 ( h )〜（j )之深度4 2 n m 之溝，但較之深度2 7 n m時，反射率大幅度降低，低到 5 %以上，因此不佳。調變度在溝特別細時降低，寬度 0 . 2 時，深度3 5 n m之調變度之下降仍然十分 顯著。 再者，本實施例之層架構是相同，但深度4 2 nm時 ，爲了補充反射‘率降低，採反射率高之層架構時，調變度 降低會更爲顯著。亦即，深度4 2 nm之溝不適合溝內用 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公* ) -108- -------I--I -裝 i!·! — 訂·！ 線 <請先W讀背面之注*.事項厂JW寫本I > 45 58 6 7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（1呻 記錄。 溝深度4 0 nm以上時’若溝寬度未滿0 . 3 pm ’ 蛇行信號會明顯滲漏到記錄資料信號。較之溝寬度〇 3 .μΐη以上者，線速3 . 5m/s時顫動惡化1〜2%以上 ，線速7m/s時會惡化2〜3%。 (實施例1 2 ) 採用，下部保護層（ZnS) 8。（ S i 〇2) 2。之膜 厚度 6 5 nm ’ 記錄層 Ge〇 . 〇sSb〇 . :3T e〇 . 22 爲1 6nm，上部保護層（ZnS) so (S i 〇2) 爲 2 0 nm，第1反射層A 1 〇 . 995 丁 a〇 . nos之膜厚度 4 0 nm，第2反射層Ag之膜厚度7 0 nm之層架構。 從下部保護層至第1反射層不解除真空，以濺射法製 成，第1反射層在成膜後開放在大氣中放置數分鐘後，再 度在真空中以濺射法成膜第2反射層。 第2反射層之成膜後，以旋轉塗敷法塗敷紫外線硬化 樹脂作爲覆蓋層，積層4 v m。作好之光碟則以覆蓋層面 對面，將兩片貼在一起。 第1反射層之成膜係以到達真空度4x 1 〇 4P a以 下’ Ar壓〇 _ 55Pa之條件下爲之。體積電阻率爲 5 5 η Ω * m。氧，氮等之雜質在X線激發光電子分光之 檢出靈敏度以下，全部加起來似乎也未滿i原子％。 使用波長6 37 nm ’ NA = 〇 . 6 0之光學系統， 以線速不 5m/s ，αι = 0 · 4 ，ac = 〇 . 35 ，i3m I I------- ^ — — — — — ^ (請先閱讀背面之注*-事項广扣寫本頁> 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） -109· A7 B7 五、發明說明（1〇3 =0 5之脈衝分割方法，測量蓋寫1 0次後之顫動，而 在 Pw=l lmW，Pe = 6 . OmW，Pb = 〇 . 5 m W時，獲得最小顫動6 . 5 %。 將此媒體放置在8 0°C/8 0%RH之高溫高溫下 5 0 0小時後，同樣進行記錄的結果，完全看不出有劣化 請 先 K 讀 背 面 之 注 項 (實施例1 3 ) 製作形成有溝間距0 . 74//m，溝寬度〇 . 3ym ，溝深度4 0 nm之有蛇行之螺旋狀溝之模子，依此爲基 本，藉射出成形，形成直徑1 2 Omm，厚度〇 . 6mm 之聚碳酸酯樹脂基板。 如表一 9所示*以半徑22 · 5mm至58 . 5 m |裝 頁 訂 經濟部智慧財產局霣工消費合作社印製 之3 6 m m作爲記錄領域，將記錄領域分割成2 5 5帶（ 區域）。各帶含有19 1軌道。 設定帶寬，使各帶之終端剛好爲1 9 1軌道，因此’ 各帶寬並非正確成3 6/2 5 5。同之，記錄領域之最外· 終端爲58 - 54mm。 頻道位元長度爲0.133pm，在線速3 .49 m/s時，獲得基準時脈26 . 16MHz (T = 3 8 . 2 3 η ε e c )。在各帶之中心半徑，蛇行之週期 設定成頻道位之長度之9倍。其物理週期爲1. 首先計算各帶之中心半徑之頻道位元長度總數’及蛇 行之總數，使用一帶內，每一周所含之頻道位元數’或蛇 ▲ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 * 297公爱） -110- 4 5 5 8 6 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（10今 行數爲一定。 如表- 9所示，在帶之起終端*頻道位元數或蛇行數 以± 1 %之準確度保持一定數，亦即，能以Z C A V方式 -而與C L V方式一樣進行線密度一定之記錄，可充分滿足 再生專用DVD之規格。 從以上之前提，在令光碟轉動，使各帶之中心半徑可 獲得3.49m/s之線速度時，蛇行週期將剛好是 DVD資料之基準時脈週期T=38 . 23n s e c之9 倍= 令此媒體轉動，使其表一 9之最內周帶之帶中心半徑 處之線速度爲3 . 49m/s »而當作ZCAV方式之媒 體使用。將從C A V轉動中之各帶之蛇行再生之載波之週 期加以1 / 9倍，生成各帶之資料基準時脈Τ η，依據該時 脈，進行E P M p i u s調變之資料之記錄。 再生時則如下述，使轉動週期能使從記錄之資料生成 之資料基準時脈頻道爲26.16MHz ，則各區域之頻 道位元之參差不一將會未滿± 1 %，實質上可以進行 C L V模式之再生，而毫無問題。 亦即，以水晶振盪器產生上述基準時脈2 6 . 1 6 MHz (丁 = 3 8 . 2 3 n s e c )，比較此相位與從記 錄之資料生成之資料基準時脈之相位，藉通常之P L L ( Phase Locked Loop )控制方式，微調轉速，使雙方同步。 這種藉P L L控制之轉動控制，在目前之PVD — ROM再生被採用，而可以直接應用此方式，很有用。 - -------裝！—訂---I — 11·線 <請先閱讀背面之注先事項寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -111 - 4 5 58 6 A7 B7 五、發明說明（ (實施例1 4 ) 採實施例2 (a 1)之層架構，而反射層爲 .A i。.975丁 a〇.Q25。體積電阻率爲 2 2 ΟηΩ · m。 使膜厚度從2 0 0 nm改變到4 0 0 nm，製成多數樣本 ’而與表_3之測量一樣，分別使用第1 〇圖（a )中之 最合適脈衝分割方法，進行顫動測量。在膜厚度3 0 0 n m前後獲得1 2 %之最佳之顫動。若反射層較此爲厚或 較此爲薄’均只能獲得較差之顫動。 (實施例1 5 ) 採實施例1 1 ( a )之層架構，而上部保護層之膜厚 度爲2 3 n m。 在本媒體進行溝內記錄。使用波長405nm，ΝΑ =0 . 6 5之光學系統，生成大體圓形之光點口徑約 0 . (高斯光束之Ι/e2強度之口徑）之光束，經 由0.6nm厚度之基板，進行記錄再生。 以線速度4 . 8 6 m / s ，記錄最短標記（3 T標記 )之長度爲0 . 25#m之EFM p 1 us調變信號。 以跟實施例2同樣之記錄脈衝分割方法，使m = η - 1 以 Pw=9 . 5mW，Pb = 0 . 5mW，Pe = 4 0 m W，蓋寫1 〇’次後，顫動爲1 0 % ° 以藍色雷射之記錄再生時，能夠以較實施例7時更爲 本纸張尺度適用中國囷家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） -112 - ----------：---裝--- (請先S3讀背面之注*-事項厂填寫本頁) 訂· -線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 455367 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印5衣 五、發明說明（119 高品質進行記錄。而配合現行之紅色雷射設計之媒體，也 可以直接以藍色雷射記錄再生，而達成高密度化》 .(實施例1 6 ) 採實施例2 (. a 1 )之層架構，記錄層爲 Ga。. 〇sGe。 QsSbo 6βΤ e。. 22 之媒體。初期 化亦與實施例2 ( a 1 )—樣實施。測量是使用波長 637nm，NA = 〇 . 63之光學系統。 以線速度3 . 5m/s記錄最短標記3T之長度爲 0 . 4"m之EFM p 1 u s調變信號。以跟實施例2 同樣之記錄脈衝策雪，使m=n — l 0 ，α, + θ! ι = 1 · 0 ( 2 ^ i ^ m ) ，〇:! = 〇:<： = — 定 ，ai=0-5，ac=〇.3，/S:‘>=〇.5，Pw = 13. 5mW，Pe = 6.0mW，Pb = 0.5mW’ 以評價其蓋寫特性。在初次記錄（非蓋寫）’蓋寫1 0次 ，蓋寫1 00次，蓋寫1 000次時’顫動分別爲 6 . 9%，6 . 7%* 7 , 0%’ 7 . 3%，十分良好。 再以線速度7 . 〇m/s ，同樣使= 0 . 4 ， = 0.35，^m=0.5，Pw=14.〇mW，Pe = 7 . 0 m W，P b = 0 _ 5 m W，以評價蓋寫特性。在初 次記錄（非蓋寫），蓋寫10次，蓋寫1〇〇次’蓋寫 1000次時，顫動分別爲7.4%’ 7 · 7%，8.0 %，8. 5%，十分良好。 調變度則均爲5 5〜6 0 % ° 請 先 闓 讀 背 面 之 注 意， 事 項 r 填 1i裝 頁 訂 線 本纸張尺度適用中囤國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -113- 4 5 58 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（119 1 · 0 (2^i^m) · α 1 = a e = 一 定（2 各 iSm) ，αι = 〇 · 9，α<： = 0 - 35 ’ y8m=〇 . 5，P''，= 12 . OmW* Pe = 6 · OmW· Pb = 〇 . 5mW> 以評價其蓋寫特性。1 0次之蓋寫後，顫動爲1 〇 . 5% ，調變度爲6 1 % _。 並以線速度7 . Om / s ，同樣使<21=0 . 55， “ =0 . 40，y5m=〇 . 5，Pw=13 . OmW，
Pe = 5 _ 5mW，Pb = 0 · 5mW*以評價蓋寫特性 。蓋寫10次後，顫動爲11.2%，調變度爲61%。 依據本發明，可以獲得，能夠以高速度蓋寫，標記邊 緣之顫動後小，能進行高密度之標記長度調變記錄，形成 之標記之長時間穩定性非常良好之光學性資訊記錄用媒體 並且，若選擇適當之記錄層組成及層架構，便可以獲 得1與再生專用媒體之再生互換性優異，且返覆蓋寫耐久 性很高之相變化型光記錄媒體。 進一步具體言之，可以提供，與所謂DVD光碟有再 生互換性，在包含其標準再生速度3.5m/s至倍速之 7m/s之廣大線速度範圍內，可以達成單一光束蓋寫， 且蓋寫1萬次以上後仍不顯示劣化，可使用在可改寫性 D V D光碟之光學性資訊記錄用媒體及光記錄方法。 同時，本發明之媒體之線速之邊際限度很大，因此以 CAV方式或Z CAV方式等，以一定角速度使媒體轉動 以進行記錄時，仍可克服媒體內外周之線速差造成之記錄 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210 X 297公釐） -115- --------- ----^ ilmll^ill — ιϊ — (請先閱讀背面之注*,事項广V寫本頁)
C 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 - ·· - --- - · —. -- — --. - - 1 — · - · 5 3 6 Γ Α7 __Β7 五、發明說明（ 將本媒體放置在8 0°C/8 0%RH之加速試驗環境 下，1 0 0 0小時後，加速試驗前記錄之信號之顫動之惡 化爲未滿1%。而調變度爲5 2〜5 7% = (實施例1 7 ) 與實施例2同樣，在0·6mm厚度之聚碳酸酯樹脂 基板形成間距0 . 7 4 w m之蛇形溝，而如第5圖（b ) 所示’依反射層，第2保護層，第1保護層之順序形成。 反射層A 1。.095丁3。.。〇5之膜厚度爲1 6 5 nm ，第2保護層（Zn S) 8。（ S i 02) 2Q之膜厚度爲 2 0 n m，記錄層 I n〇.〇3Ge〇.c)5St)〇.7〇Te〇.2：2 之膜厚度爲 1 6nm，第 1 保護層（ZnS) 8〇 (S i 〇2) 之膜 厚度爲6 8 n m，分別藉濺射法成膜。 然後’面向第1保護層密接〇.6mm厚之玻璃板。 初期化係經由玻璃基板’以線速度5 m / s照射5 0 0 m W前後之雷射光。 經由此玻璃基板，使用波長637nm，Na = 0 · 6之光學系統，將雷射光線照射在記錄層，進行記錄 再生。記錄係在從雷射光射入側所視之凹凸之較遠側。相 當於實施例2之溝內。 以線速度3.5m/s記錄，最短標記3T之長度爲 0 . 4 # m之ET F Μ Ρ 1 u s之調變信號。以跟實施例 2同樣之記錄脈衝策晷，使m=n — 1 ，¢(, + /5.-1 = 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） ------I I I I · I I -----訂- ------- <請先Μ讀背面之注兔事項G寫本頁> -114- 45 58 6 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（11$ 特性差之問題。若採用C A V方式，不必按半徑位置分別 變更光碟之轉速•可縮短擷取時間。 ‘圖式之簡單說明 第1圖係表示非晶質標記（ma r )形狀之例子之 圖。 第2圖係表示在本發明一個例子之媒體進行記錄時之 反射率變化之圖。 第3圇係表示本發明媒體之記錄層之組成範圍之 G e S b T e三元狀態圖 第4圖係表示傳統之G e S b T e組成範圍之 GeSbTe三元狀態圖。 第5圖係表示本發明媒體之層架構之一個例子之模式 圖c 第6圖係表示信號強度與信號波幅，調變度之關係之 信號波形圖。 第7圖係說明反射率之第1保護層膜厚度依存性用之 曲線圖。 第8圖係表示功率3値調變記錄方式之脈衝分割方法 之一個例子之圖0 第9圖係說明記錄層之溫度隨時間變化之模式圖。 第10圖係表示適合標記長度調變記錄之功率3値調 變記錄方式之脈衝分割方法之一個例子之圖。 第1 1圖係說明實現第1 0圖之脈衝分割方法用之三 本紙張尺度適用中囷國家標準（CNS)A4規格（210 X 237公s ) -116- — I — — — — — ' — — — In— — — — — — — I* <請先閱讀背面之注*事項广4寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 -----B7 _ 五、發明說明（114 種閘產生電路之定時之槪念圖。 第1 2圖係表示實施例1及比較例1之顫動之再生光 功率依存性之曲線圖》 第1 3圖係表示在實施例1之顫動之記錄脈衝分割方 法依存性之曲線圖。 第1 4圖係表示在實施例1之顫動之記錄脈衝分割方 :去依存性之曲線圖。 第1 5圖係表示在實施例2之顫動，反射率及調變度 之記錄功率依存性之曲線圖。 第1 6圖係表示在實施例2之顫動，反射率及調變度 之返覆蓋寫次數依存性之曲線圖。 第17圖係表示實施例2 (gl)及實施例2 (d2 )之顫動之標記長度依存性之曲線圖。 第18圖係表示在實施例2之顫動之基板之傾斜角依 存性之曲線圖。 第19圖係表示在實施例4之10次蓋寫後之顫動之 a !及α。依存性之曲線圖。 第2 0圖係表示在實施例4之顫動，R t ο ρ及調變 度之返覆蓋寫次數依存性之曲線圖。 第2 1圖（a )係表示在實施例6之顫動之脈衝分割 方法依存性，（b )係表示顫動之寫入功率依存性’ （c )係表示1 0次蓋寫後之R t ◦ ρ及調變度之寫入功率依 存性之曲線圖。 第2 2圖係表示在實施例6之顫動，R t ο ρ及調變 ----— It — —------------ ——— — ——— (請先閲讀背面之注t事項厂，、寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -117- 455bb A7 B7 五、發明說明（ 度之返覆蓋寫次數依存性之曲線圖。 第2 3圖係表示在實施例6之顗動之標記長度依存性 之曲線圖。 請 先 闇 讀 背 面 之 注 t. 事 項 第2 4圖（a )係表示在比較例2之顫動之脈衝分割 方法依存性1 (b)係表示顫動之寫入功率依存性，（c )係表示1 0次蓋寫後之R t ο p及調變度之寫入功率依 存性之曲線圖。 第2 5圖係表示在比較例3使用之記錄方法之脈衝分 割方法之圖。 第2 6圖係表示在比較例3之顫動之標記長度依存性 及線速度依存性之曲線圖。 訂 第2 7圖係表示在比較例6之顫動之Pw及P e依存 性之曲線圖。 第2 8圖係表示在比較例8之顫動之最短標記長度依 存性之曲線圖。 第2 9圖係表示在實施例1 〇及比較例8之顫動之 P w依存性之曲線圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第3 0圖係表不數位資料信號與蛇行（wobbling )波 形之關係之圖。 第3 1圖係說明以數位資料信號調變蛇行波形之機構 之圖。 第3 2圖係表示實施例1 1之調變度與R t ο p之溝 寬度依存性之曲線圖。 -118- 本紙張尺度適用中囤困家標準（CNS)A4規格（2〗0 * 297公鬌> 7 6 8 5 b 4 Α7Β7 五、發明說明（11今 表1 實施例1 比較例1 記錄層材料 In〇.〇：'5Ge〇.〇55Sb〇."〇Te〇.2i Ino.oiAgo.o^SboMTeo：： S b / ^ T e 3.3 3.1 膜厚 下保護層 68 7 4 (nra) 記錄層 16 16 上保護層 20 20 反射層 250 250 記錄光學系 637nm、 NA = 0.63 記錄功率等 Pw = l 3.5mW , Pe = 6.5mW、 Pb = 0.8Mw 記錄脈衝策雪 a i=0‘5、 a :二0.3、 β η = 0.5 R ： p (% ) 18.8 18.3 調變度（％) 64.6 6 5.4 顫動（ 96 ) 6.7-7.0% 6.9-7.2% ，— I I I I I---If I I · I I (請先閱讀背面之注東事項厂^寫本頁) δί! 線· 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 表2 線速度 a i / a J β n P w / P e (mW) 顫動 (%) 1.0 x (3.5ra/s) 0.6T/0.35T/0.5T 13.5mW/7.0mW 5.95 1.5 x (5.2m/s) 0.4T/0.35T/0.5T 13.5mW/7.0mW 6.3 1 2.0 x (7.0ra/s) 0.4T/0.4T/0.5T 1 3.5mW/7.0mW 7.57 2.4 x (8.4m/s) 0.5T/0.4T/0.5T 13.0mW/7.0mW 8.81 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公爱） -119- Α7 Β7 經濟部智慧財產局具工消f合作社印製 五、發明說明（1伪 £ —m !~H-1 > , 卜 c〇 1 i 〇i αό eo 03 o l〇 Ξ eo •-N CO IM^ ys CO A CO /S 〇) ΟΘ CO 〇0 as CO oo CO ««4 2 八 2 八 CO Λ <Λ CD 〇 eO 2 八 cd cd 09 lf> 2 « OT* A VO /V 逆’ ‘簡 1 <7» CO 〇0 oo ai <*3 cn 09 03 二 tr> >% CO A 2 Λ in QO 卜· 卜 〇6 O) oo oo CO 运 2 /N tn Λ CM QO o 卜 2 Λ ΟΛ 03 t- u? 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Γ' r·' o CN ν〇 ν〇 •^τ *^r un CN un 二 CvJ CN % vq G) m 'V* «•Ο o C^) 〇 ν〇 Ο VI Οί Ο ΓΜ Ο i ^r wn 〇 m m cn rn rn 1*— *4—, B C ο r5 g rs 〇 c^3 〇 S cs 8 rsj 8 Γ^ί 8 CN g CN Έζ >—V d "^― 异 异 沄 Ο Ο Ο ί!£ΐ i rj C： oo oo oo 00 ΟΟ V ε C sa>- s s s S s ττ \〇 S 对 \〇 CO w. 驾 3 e s Ο 3 --- -------,--* 裝--- (請先閱讀背面之注"事項尹填寫本頁) 訂·- 線 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2KW 297公釐> 6 8 5 5 4 A7B7 五、發明說明（1垮 表5 β m 顫動 % ) 2,25倍速 2.0倍速 1.5倍速 1倍速 0 10.2 11.9 14.8 18.4 0.1 9.7 10.6 11.4 12.5 0.2 9.8 8.9 9.0 10.0 0.3 11.2 9.5 8.4 8.9 0.4 12.5 10.3 8.2 8.7 0.5 13.7 11.1 8.3 8.7 0,6 >13 >13 8.7 8.7 0.7 >13 >13 >13 9.5 — —— — — — — — — —— -------I ^ ·11111111 (請先閱讀背面之注東事項厂、寫本頁) 經濟部智慧財產局具工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） -122- 5 5 4 A7 B7 五、發明說明（ 表6 記錄線 速（m/s) α ϊ a c Pw Pe 最小顫 動（7c) 實施例9(a) 3.5 0.7 0.35 13.5 6.0 6.0 G^r： 0 5Sb〇-73Te〇-2： 7.0 0.5 0.4 13.5 7.0 8.1 實施例9(b) 3.5 0.6 0.35 13.5 6.5 6.2 Ge‘.〇6-Sb〇，iTTe〇.;i6 7.0 0.4 0.4 13.0 6.5 8.2 實施例9(c) 3.5 0.4 0.3 13.5 6.5 6,6 Ge [i4^Sb〇.6^3Tc〇.2〇*j 7.0 0.3 0.3 14.0 6.5 9.9 比較例97 3.5 0.4 0.3 13.0 6.5 8.1 7.0 0.3 0.3 14.0 8.5 14.1 請 先 閱 讀 背 Φ 之 注 意· 事 項 ΓΪ裝 頁 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） -123- 6 8 5 LO 4 Α7Β7 五、發明說明（ 表7 溝深度 (n m ) 溝寬度 (fi m ) 實施例1 1 (a) 27 0.27 (b) 27 0.33 (c) 27 0.42 (d) 35 0.27 (e) 35 0.33 (f) 35 0.42 (g) 35 0.23 (h) 42 0.27 (1) 42 0.33 (J) 42 0.42 (k) 18 0.27 -------------1 裝 *-- (請先Μ讀背面之注*-?事項厂^寫本頁> 訂： -線 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210* 297公釐） -124- 6 cu 5 δ Α7Β7 五、發明說明（1勾 表8 顫動（％ ) 3 . 5 m / s 顫動（％ ) 7 m / s 實施例1 1 (a) 6.49 7.80 (b) 5.97 7.62 (c) 5.52 7.35 (d) 7.26 8.42 (e) 6.85 8.39 (f) 6.05 7.84 (g) 7.70 8.90 (h) 9.14 10.49 (i) 7.66 10.01 (J) 6.59 9.01 (k) 測定不可 -----------；---裝--- <請先閱讀背面之注免事項Γ,ί寫本頁) Ή •線 經濟郤智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 « 297公釐） -125- f\ ^ A' o d A7 B7 五、發明說明（12令 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 -6 1¾ .- 0嘗 »= ίί：Ίΐί ft! ,(Mill) 1 12.9067 l | Z 9249 1 12,9431 I 2.9G13 [2.97951 03 03 CJ σι in o m •4 •«r s tn e*3 CM s n in 〇 o CQ ΕΞ g ci ^^—-- =? >3!. s g皆: 4 iv 絜. CT 00 e〇 ir> C5 c〇 tr? 09 in -^r to « in CO 03 s s s -J«: ·&* I'J r? <j·^ :¾ £i m SS Ve e\ d« P»4 CM CO o CO Γ0 M o s 防 o Oi o S5 〇 S c〇 o S5 CO CO o »c eo CM o s CM 〇 S5 S o 03 in CO CJ 令 C3 eo 〇 to o c> eo CO 〇 r? g 〇 oo to CM 兮 〇 s "W o (0 tB CO o o eo eo N c〇 s CM in CM e EK § \H 逞这 S2N OO CO CO eo •-H Ξ oo ¢6 eo «0 o S e»5 CO g CvJ eo CO «σ 〇 卜 CO 2 〇 <〇 13 eo 2 s o eo CO s CO CO in 03 eo CO CO tn c〇 IT> t- c〇 eo V,1 s j>;-· i r. 入C | m v-^ in 另 o ς〇 CO w o 〇 寸 c-i M C3 S5 另 o OO cp 从 09 c〇 CM 〇 筇 C^l ers C9 «ο § o s oo C4 o i； 5 ci B tn 若 ο tn oo CO o CO s o O) « c» CO g o 09 oo CO d 1 03 OO ifi CO o CM eo 〇 s c> o CO CO c〇 〇 S CO eo 〇 i:l ii； S'^ ;',J 4^ -*.· 4» ·— oa to C^J 09 CVJ rt eo in 03 CSl ¢-5 •M4 LA to « CJ CO i eJ eo «4 CD CM 03 c^i 07 S σΐ CM* 一 5 ΟΪ —*4 C^J i ci — 5? CM 〇» 〇i s c4 eo s σ» c4 ¢0 η. !—· 'U -— 另 in CO g 2 〇 o o o p g o oo « o c〇 eg g 〇 ? 5 at o CsJ s «H o s s o co — «Η 〇 活 Oi S vN (UiUI) iiJvll^llTi； in eo p*H 守 H*4 r- CO CO »—i σι ΙΟ ci — o o^ Ξ c© 09 CO cn in 2 CO s in eg cd § 2 t-i 21 to Cs> s ed « CM S 09 09 CM OO s CO « c〇 σ» C0 0 Vj 卜 g ft CNJ —4 CM· CM in c〇 CO lO oo c4 03 eo ^i* C5 Ca c\i s to C*5 n CM 卜 <2 c^i c^i pv4 OO ri N in g to irt CO CM cn CQ — CO ca β*5 S s CO CM ε 兮 oo σ> eri C*J -te C-Λ ¢^¾ s csi CM OO e-i CM o c5 O) c4 CM g CO CM 1^- g eo CM o oo $ H CS) σ» GO 令 CO CM 卜 ς〇 c-ί C^l t— CO c»* 2 03 s S? s si C3 S CQ CM ^；§ Ml 0 1 cJ «Ν C3 cS eJ &Ϊ CO evi Cs4 s C^J C5 c^i CM g ή CNJ 5 CO 英 P〇 CM s eo H CM g c〇 CO CO CnJ « 04 IS ' CM 〇 \n ca 卜 eo a> 2 σ> CO CM Ig 卜 CO CO (〇 m CO 卜 σ> ο 卜 05 OO «〇 CO eo c〇 in oo tn eo t^· s CO σ> oo g CM Ξ CO Ξ c^a C0 〇» v>H eo <〇 eo ΟΪ — ^ί* in ο s in S a CNl <e> eo s CD s oo co s Oi s O s — CO oa C*3 σ» «Μ s CM 狄 CO CO s 濟 oo s Oi s eg g o ca CM ¢-¾ CM ςΜ ΛΛ CM S in CJ CM CO ¢0 CM o r— 寸 CM ¢0 〇> in CM c3 CO CM Csi Ϊ33.6145 ID C0 in e»i eo αο CO 若 Ο» in CO c〇 CO s CD CO CO •M 00 in tn CO CO ¢0 in c〇 2 s oo IT) « CO a> fvl cn IO en 2 to s CO C0 in in CO o C4 〇 s 03 Ο 1 苕 00 w^4 o o CM s oT § O cw _, _ o »*4 o d« oo CO o 1 s 〇 -0.2323 & o <〇 i ο o in CM ci in l〇 CO CM o C4 eo CM o JJ <£> o σ> CM in C4 e 1 in CO CO CM c> c*» CM o O o CM o 1 o PO eo CD 0-3 in o c^i eo in CO c〇 G) « CO CM CO oo o CQ CO oo g £J s CO n a» in g CO § o eo CO CO s o CO s; o ΓΟ CO CO rt o H CO 1729350 〇 s <〇 CO t— s C*D S 〇 § σ> o g § t— 〇 CO eo CO s s D3 σ» CO 另 c〇 CO o 00 C^J oo o Ci 03 cc t— o 09 ID C5 CTJ 36.70467 230.62224 rs o -i ¢0 CS) 卜 CP oo A rt CM CO C4 畔 tS to CO ΙΩ ^>4 CO CM 卜 ΙΟ C^J g IO en CM g in 03 i〇 eo CM oo CO oo cd CO CsJ t— CO OJ CN> CO CO od eo C^J C-l s 〇i ers CM o <D ^r* CO <0 CO Ln S5 σΐ cd CO a> to 00 CnJ s o CO ^J· ύ in IO ύ s Oi to 03 CO in en 00 eo CO 宕 R g eo αό CO 36.6340 136.7753 £ σ> U3 CO e eo |rt o e? cn os ^T1 CO ύ s oo ύ ^9* CO CM <〇 CO eo s -r o oo «Μ* ec CO co \r> cd CO CD S cd CO CO LT> o σ> ai cn g s' s 尝 **r CO C>l C0 s 卜 g 09 ^r t— g OO CO o o CM o CO o s w^4 s g s — s σ» 2 o I I I I 11!裝！| 訂·!--線<請先W讀背面之注*-事項寫本頁) 本紙張&度適用中關家標準（CNS)A4規格（210x297公爱〉 -126- 5 5 經濟郤智慧財產局員工消費合作社印製
t- S CO m o s CO i CO 〇> «〇 s eo CO tn <〇 in CO «33 CO § s gj to CO c? 0〇 eo m c^i s | s ΙΑ CQ in •^r tn CO a> m 05 C3 CJ irt ζό vs cd «£ϊ C0 <d «〇· CO ¢0 t-* 卜 t** 卜 ο ΓΓ3 CO « OO in CO cO CO E g§ -5f* tn a CO \n S 03 C3 «〇 IO 09 eo s i QO i P3 g 謹 GO 〇i <〇 jo ΪΞ 03 Ο eo ca CO CO eo CO ΙΛ eo ^r s t— QO CO CM 冰 in s 茗 CO 箬 « 1 < CO 专 s in s C^l 2 2 ca 1 •Η Η ⑦ CM I 0.135X 狄 CM ^•4 o o o o o 〇 o C9 o 0. 1707 CO § 2 O a a> o 茺 CO o 09 CJ eo rj C9 2 另 s ¢0 cd oo CM in n 妄 Oi <D s Ο S tn c〇 rt t- 邑 卜 o •^r g irt ?3 133-5325 1 ay CO s s in a 60 令 en in ΙΛ s s CO CO CO s ΙΩ £ ΪΛ S 寒 CO 00 ca <〇 in o ir> 〇» o OS „· e〇 CO CO 2 e»3 CO CO 2 c〇 2 CO «2 cri co CO ri 2 eo 2 C5 «2 e〇 CO «4 C〇 CO «4 CO CO CO CO ci CQ ^*4 eo CO in 狄 CvJ 1 <〇 s U) 孳 CO 2 X 0> w ¢3 «〇 s 2 给 CO S5 w 爸 CO | Ό. 1Z7X H o g M o 1 o o o o o 〇 o O O O ο o ci ep o 義 '«f a oo s lO 00 <〇 -0,2026 CJ CO CO ·+ PJ 5 ⑦ C0 eo ϋ ¢0 S ir> 寒 <Μ Oi ^>4 g t— Ml CO s CO in CO eo w ΪΖ 〇 o o 中 o o O o o c> o 〇 o Ο 〇 o o o ci tTi CO o CO 00 却 eo w* 4Λ to CO CO art CJ z CO 妄 «〇 C£> in ««I CO 2 CO ιΛ v·^ kf> s ΙΤ3 c〇 eo eo in »«4 匕 a〇 CO g 1 2 n n* c*> r> H 2 C9 2 CO CO CO CO ΣΞ cr5 CO er5 2 c6 r? ci CO «· 2 ¢0 2 « CO eri CO C5 t*5 c*? CO eo CQ CO 2395980 2402460 2408940 2415420 1 2422710 2429190 2435670 1 2442150 2448630 ：2455920 | 2462400 I 2695680 ! 2702160 2706G40 2715120 2722410 2728890 2735370 2741850 1 2748320 2755620 QO CO CM 320. 31685 Cft g CM CO cn C'J -§ S oo ΟΛ σ> s CO is 卜 Si CO CO eo CO trt CO C^J ^r 另 CO S CQ 03 «〇 oo 卜 a> If3 g C5 § C5 g i eo Cvl 卜 Ξ g CO in W CO σ> 节 « s CO ai CO 53 CO tN iM 〇*? cvi CM CQ in C4 CQ c〇 W CT5 eo ed CO σί tn eo cJ <〇 CQ to eo w to CO έ§ cri 另 ^· CO CO ΙΤΪ CO « CD <n C*5 ¢0 £ oo 〇 oo o ΙΛ CO 51.28260 g •^r K in s «-^ s ΙΛ CNJ OO 03 CO 05 CO 03 CO 〇 mm^ 5 ΙΛ 卜 c» QO 2 s *<r ra tn to eo 03 Οϊ <M CM CO 聋 5 S s MN o s 1ft 00 CD a> CO Oi <M eo S s g ir*3 •—1 ID s l-M ΙΛ s o4 ID CO m K K 这 κ 5 CO CO irj 〇6 in oo IO g g s s o CM C3 w« co t— g c2 K t— 这 CD OO o o Tf4 1 > oo £3 CJ M ZD σ3 ① CM 〇 CO CJ to ΙΛ CO σΐ CO S « E2 a> ^ g m CM o in s -i in ΙΛ s S cJ m ci in ΙΛ K K 它 K oa ad in CO in 00 m § C£ S S h_S s C5 -'ff* CO « c〇 s CO K t— 51.8987、 ◦ o 二 oo CO OO CJ _ »4 eo 〇 «3 C^i o cn CM ΙΛ IT) S s s CO ΐ£ Oi <->H o <35 lO CVJ o ^r S s ΙΛ LT3 ΙΛ w·^ ΙΛ to cJ U"9 CJ LO K K 5 ft Sri ir> QO 00 in od o s s C\J rs s g CM CO s t"" s CO ΟΪ s 2 CM in ^9* ca co oo 03 S! s ca in ca CM m eo in CM S CM {請先閲讀背面之注東事項一 /寫本頁) -裝--------訂_· 線 本纸張尺度柳帽賴料（CNS)A4規格（210 x 297公爱〉 127

Claims (1)

  1. 6 CQ 5 5 4 A8B8C8D8 修it本 41ί ί「：vi3所提之 p:f 予修也 ο 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第8 8 1 1 5 5 2 0號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國9 0年4月修正 1 種光學性資讯記錄用媒體’係在基板上至少有 相變化型記錄層’以該記錄層之結晶部爲未記錄’抹除狀 態，非晶質部爲記錄狀態’藉最短標記（m a r k)長度 Ο . 5 ^ m以下之多數記錄標記長度記錄資訊之光學性資 訊記錄用媒體’其特徵在於’ 其抹除係藉由’從非晶質部或溶融部，與周邊結晶部 之境界起之結晶生長’實質上進行之再結晶化爲之。 2 .如申請專利範圍第1項所述之光學性資訊記錄用 媒體，上述相變化型記錄層係由’以G e ，S b ，T e爲 -l i要成分之薄膜所構成ε 3 .如申請專利範圍第1項所述之光學性資訊記錄用 媒體，上述相變化型記錄層係由，以 Μ ·. ( S b X T e 1 χ ) 1 :. ( 0 6 ^ S Ο . 9、Ο < yg；〇.2'IVW^<Ga，Zn，Ge，Sn，In，Si ，Cu，Au，Ag，AI ，Pd，Pt，Pb，Cr’ Co ，0，S ，Se ，Ta ，Nb ，V 中之至少一種）合 金爲主要成分之薄膜所構成。 4 . 一種光學性資訊記錄用媒體，係在基板上具有以 G e ，S b ，T e爲主要成分之薄膜所構成之相變化型記 錄層，該記錄層之結晶層爲未記錄，抹除狀態，非晶質部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ----訂---------邊、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 G V錄吠態.而藉最短標記長度0 . 5 v m以下之多數冒己 錄標杞Μ度，记錄資訊之光學性資訊記錄用媒體’其特徵在 於， 以 定線速度，連續照射足以使記錄層溶融之記錄功 半P w之Μ錄光線，該媒體將大致上被結晶化， 以一定線速度，照射足以使記錄層溶融之記錄光線後 截斷，該媒體則形成非晶質楞記。 5 . _秘光學性资訊記錄用媒體，係申請專利範國第 1〜4项中仃-·项所述之光學性記錄用媒體， I紐通短標記畏度0 . 5 y m以下之多數標記長度言己 錄ί,丨號時，以記錄後所再生之信號之調變度爲Μ 〇， 以錄後1以8 0°C8 0%RH之條件下經過1 〇 〇 〇 小丨1ΐ後洱屯之佶號之調變度爲Μ !時， M . / Μ 〇 ή Ο . 9 6 · 一柿光學性資訊記錄用媒體 > 係申請專利範圍第 1〜4项中任一项所述之光學性資訊記錄用媒體， iV假設以胫短楞記Μ度0 . 4 ν m之多數標記長度， ,:l!錄1: F M i) 1 u s調變方式之隨機信號時， 錄後内：卞之ί,—ί號之調變度爲Μ 〇， ,记錄後，以8 0t8 0%RH之條件下經過1 〇 〇 〇 +時後丹1之i,:i號之調變度爲Μ !時1 Μ I /7 Μ 〇 ^ 〇 . 9 7 · 種光學性資訊記錄用媒體，係在基板上，從記 錄付卞.光之射人方向依序配設第1保護層，相變化型記錄 ------、---.-----------訂 ---------—^.vr (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -2- 4 5 58 6 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 丨[4，沿2保護！ii 1反射齒 '所構成， 錄纟彳之結品部爲未記錄’抹除狀態’非晶質部爲 Μ錄狀態，筇最短楞記長度0 . 5 β m以下之多數記錄標 2之Η度i錄資訊之光學性資訊記錄用媒體，其特徵在於 相變化型記錄層係[1i ，胶厚度在2 5 n m以上2 5 η ηι以F，貝存G e S b T e三元狀態圖中，由 处 iVi ( S b。. 了 T e。. ._!)與 G e 之直線 A ， 迚糸,fi ( C; e 。 . ；！ ；i S b 〇 “ T e 〇 . ”）與（ S b。ΰ G e U，ϋ 5 )之直線 B ， 迚 fc1; ( S b 〇 . ϋ G e 〇 . !)與（Τ e ο . 9 G e ()，！ )之卩Ϊ線C ，及 冲 ( S b 〇 - s Ί e 〇 . 2 )與 G e 之直線 D ， 之叫枳II〕：線所圍之領域（但不含境界線）之組成之 (」e S 1〕T e合金爲其主要成分之薄膜所構成， 笫2保護㈣之股厚度在5 η m以上3 0 n m以下。 8 .如ψ ,遗專利範障I第7項所述之光學性資訊記錄用 媒體’Μ錄Μ係由， U H; e S b T e ：；:_·.元狀態圖中，由 迪結（S b。. 7 T e 〇 . :i )與G e之直線A， .吐而fi ( G e π . η .1 S b d . 6 s T e 〇 . 2 〇 )與（ S b η . i, Cr e π . i ) Z __ 線 B ， 迎紀（s 1〕n - 。G e d . i )與（T e d . 9 G e 〇 . i .)之心線C ，及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐) ~ '~~~ -----------.--,--------訂--------''i%r (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) δ 6 A8 B8 C8 D8 六、 G 媒 用 金 0 述 中請專利範圍 連結（S b。· 8 T e ci · 2 )與G e之直線d， 之四根直線所圍之領域（惟不含境界線上）之組成之 e S b T e合金爲其主要成分之薄膜所構成。 9 ·如申請專利範圍第7項所述之光學性資訊記錄用 體’記錄層係由，以Ge, (SbvTei— y) 1…合金 土要成分之薄膜（◦ . 〇 4 S x < ◦ 1 〇 ，〇 . 7 2 y < Ο · 8 )所構成。 1 Ο .如申請專利範圍第7項所述之光學性資訊記錄 媒體，記錄層係由，以G e x ( S b y T e i - ) i . χ合 爲主成分之薄膜（Ο . 〇45Sx<0 . 075， • 7 4 S y < Ο . 8 )所構成。 1 1 .如申請專利範圍第7項〜第1 0項中任一項所 之光學性資訊記錄用媒體，上述記錄層進一步含有由〇 Ν '及S中選擇之至少一項元素， 此等元素之含量爲0 . 1原子％以上5原子％以下。 1 2 ·如申請專利範圍第7項〜第1 0項中任一項所 光學性資訊記錄用媒體，上述記錄層進一步含有由ν b ，T a ，C r ，C 〇 ，P t及Z r所選擇之至少一 ------------ --------訂11 — 1!綠 i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 述 A 之 此等元素之總含量在8原子％以下1且 此等元素與G e之總含量在1 5原子％以下。 1 3 .如申請專利範圍第7項〜第1 〇項中任一項所 光學性資訊記錄用媒體，上述記錄層進一步含有由 ，：[η及G e中選擇之至少一項元素’ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -4- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 「、申請專利範圍 此等元素之總含量在8原子％以下，且 此等元素與G e之總含量在1 5原子％以下。 1 4 .如申請專利範圍第7項〜第1 0項中任一項所 述之光學性資訊記錄用媒體，記錄層之膜厚度在1 0 n m 以h 2 0 n m以下。 1 5 .如申請專利範圍第7項〜第1 0項中任一項所 述之光學性資訊記錄用媒體，第2記錄層之膜厚度在1 0 n m以上2 Ο n m以下。 1 6 .如申請專利範圍第7項〜第1 0項中任一項所 述之光學性資訊記錄用媒體，係通過基板射入記錄再生光 •藉以記錄或再生資訊用之媒體1第1保護層之膜厚度在 5 Ο n m以上= 1 7 .如申請專利範圍第7項〜第1 0項中任一項所 述之光學性資訊記錄用媒體，其反射層之膜厚度在4 0 n m以上3 Ο Ο n m以下，體積電阻率在2 Ο η Ω · m以 上1 5 Ο η Ω · m以下。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項所述之光學性資訊記 錄用媒體·其反射層之膜厚度在1 5 Ο n m以上3 0 0 n m以下，由至少含有T a ，T 1 ，（： 〇 ，C r ，S i ， S c ，Hf ，Pd ，Pt 'Mg 1 Z r ，M ◦或 Mn 中之 至少一種元素0 . 2原子％以上2原子％以下之A 1合金 所構成3 1 9 .如申請專利範圍第1 7項所述之光學性資訊記 錄用媒體，其反射層之膜厚度在4 Ο n m以上，1 5 0 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---I I l·..---J I ------- I I -------!·'^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 455867 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 η η]以卜·，由含有 T i ，V，T a ，N b ，W，C 〇， C r ’Si ，Ge，Sn，Sc，Hf ’Pd’Rh， Au ，Pt ’Mg，Zr ，Mo及Mn中至少一種元素 〇 . 2原子％以上5原子％以下之A g合金所構成。 2 ◦·如申請專利範圍第7項〜第1 0項中任一項所 述之光學性資訊記錄用媒體，其反射層係由多數金屬膜構 成之多層反射層，該多層反射層整體之膜厚度之5 0 %以 上之體積電阻率爲2 Ο ηΩ · m以上/ 1 5 Ο ηΏ . m以 卜' „ 2 1 如申請專利範圍第1 7項所述之光學性資訊記 錄用媒體，在第2保護層與反射層之間，設有膜厚度5 n m以上1 Ο Ο n m以下之界面層。 2 2 .如申請專利範圍第1 7項所述之光學性資訊記 錄用媒體，在第2保護層與反射層之間，設有膜厚度1 n m以上1 Ο Ο n m以下之界面層· 該界面層係由含有Ta ，Ti ，Co ，Cr ’Si ， Sc ，I.If ，Pd ，P.t ，Mg ，Zr ，Mo 及 Μη 中之 至少...·種元素〇 . 2原子％以上2原子％以下之A 1合金 所構成， 該反射層係由含有T i ’ V ’ 丁 a ’ N b ’ W ’ C 〇 ，（：r，Si ，Ge，Sn，Sc’Hf ，Pd，Rh， Au，Pt ，Mg，Zr ’Mo及Μη中至少一種兀素 ◦ · 2原子％以上5原子％以下之A g合金或A g所構成 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ----訂------ - -線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -6- A8B8C8D8 夂、申請專利範圍 2 3 ·如申請專利範圍第2 2項所述之光學性資訊記 (請先聞讀背面之ii意事項再填寫本頁) 錄用媒體’在上述界面層與反射層之間’存在有上述A 1 合金及/或A g合金之氧化物構成之層，該氧化物層之厚 以在1 n m以上]_ 〇 n m以下。 2 4 如申請專利範圍第7項〜第1 0項中任一項所 述之光學性資訊記錄用媒體，記錄資訊之軌道之間距爲 〇 8 // m以下。 2 5 .如申請專利範圍第2 4項所述之光學性資訊記 錄用媒體，係僅以溝內當作軌道來記錄資訊之媒體，在基 板上有間距〇 . 8 # m以下之溝， 再生光波長爲λ ，在該波長時之基板之折射率爲η時 ’溝深度在λ / ( 2 0 ~ η )〜λ / ( 1 Ο η )之範圍內 0 2 6 ·如申請專利範圍第2 5項所述之光學性資訊記 録用媒體’係令波長6 3 0〜6 7 Ο n m之光線，通過開 口數N A爲〇 · 6〜0 . 6 5之物鏡，經由基板會聚在記 錄層，以進行資料之記錄再生用之媒體， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述溝之溝間距爲0 6〜0 . 8 // m，溝深度爲 2 5〜4 Ο n m，溝寬度爲0 . 2 5〜0 . 5 # m，且1 該溝有資料之基準時脈週期T之3 0〜4 0倍之週期之蛇 行’該蛇行之波幅（P e a k — t 〇 — p e a k値）爲 4 0 〜8 Ο n m。 2 7 ·如申請專利範圍第2 4項所述之光學性資訊記 錄用媒體，係以溝內與溝間之雙方當作軌道以記錄資訊之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 υ 5 8 b , A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 媒體，在基板上有溝， 以再生光波長爲λ ’在該波長時之基板之折射率爲η 時，溝深度爲λ / ( 7 η )〜；ί / ( 5 η )或λ / ( 3 · 5η)〜λ / (2. 5η)， 溝寬度G w與溝間寬度l W均爲Ο . 2 ν m以上 〇 . 4 e m以下，且’ G W / L W比在Ο · 8以上1 . 2 以T ° 2 8 . —種光學性資訊記錄用媒體，係申請專利範圍 第1 ，4，7項中任一項所述之光學性資訊記錄用媒體， 在記錄標記間照射可使非晶質結晶化之抹除功率P e 之記錄光線 一個記錄標記之時間長度爲η T時（T係基準時脈週 期，η係2以上之整數）， 將記錄標記之時間長度η Τ，依 η ί Τ - αιΤ' β \ Ύ . a 2 Ύ f β 2 Ύ j ......... ’ a i T 1 β i T ’ ......... ’ a m T ， /3 m T ’ v 2 T (其中，m係脈衝分割數’ m = n — k ，k係0 S k S 2之整數， 而 Σ, ( α + /3 . ) + η 1 + η 2 = η ’ 7/ι 爲 之實數，2爲r; 2会0之實數，◦‘ β ι + π 2 ‘ 2 · ◦。 a, (lSiSm)爲 之實數(ISi Sm)爲召，> ◦之實數，Σαί<〇 . 5n ’ α 1 = 〇 · 1 〜1 · 5 ，/5ι 二 Ο . 3 〜1 · 0 ’ β … (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) --- 裝---- 訂---------線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2扣x 297公笼） -8- 455867 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 再者，3SiSni 之 1 時，+ . 5 〜 1 , 5之範圍內，且不依1之大小，均爲一定値。） 之順序加以分割， 在α I T ( 1 S 1 S m )之時間內，照射足以溶融記錄 層溶融之P w 2 P e之記錄用功率P w之記錄光線，而在 冷，T ( 1 S 1 S m )之時間內，照射0 < P b S 〇 . 2 P e (但在沒⑴T，可能成爲〇 < P b S P e )之偏壓功率 P b之記錄光線，藉此進行記錄。 2 9 . —種光學性資訊記錄用媒體，係申請專利範圍 第2 8項所述之光學性資訊記錄用媒體| 令波長3 5 0〜6 8 0 n m之光線，通過開口數N A 爲0 . 5 5〜0 . 9之物鏡，會聚在記錄層，進行資料之 記錄再生時1以 m=n — 1 或 m=n — 2 ， α 1 = 0 . 3 〜1 · 5 α 1 S α . = 〇 . 2 〜0 . 8 ( 2 ^ i ^ m )， α 1 + yS , ι=1 ·0 (3^i^ni)， 0 ^ P b ^ 1 . 5 ( m W )， 0 . 3^Pe/Pw^〇 . 6 進行記錄。 3 0 . —種光學性資訊記錄用媒體，係申請專利範圍 第2 8項所述之光學性資訊記錄用媒體， 令波長6 0 0〜6 8 0 nm之光線 '通過開口數NA 爲0 . 5 5〜0 . 6 5之物鏡，經由基板會聚在記錄層， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.--------訂· I ------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -9- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 AS B8 CS D8 r、申請專利範圍 以最短標記長度爲Ο . 3 5〜Ο . 4 5 // ιώ之範圍，進行 資料之再生記錄時，以 η爲1〜1 4之整數， m = η — 1 P b則不論線速多少均保持一定， P e / P w在〇 . 4〜0 . 6之範圍內可依線速度而 變化， (1)在記錄線速度3〜4m/s之範圍內，基準時 脈週期T爲T 〇， α ί ^ 0 . 3 〜0 . 8 α 1 3 a i = 0 . 2〜0 . 4，不論i之大小保持一定 値（2 S 1 S m )， α 2 十 p 】2 1 . 0 ’ a 1 + β < ι = \ . 0 ( 3 ^ i ^ m )， /3 μ = 0 . 3 〜1 · 5， 迕α , T ( 1 S I S m )之時間內，照射記錄功率 P w ,之記錄光線， (1 1 )在記錄線速度6〜8 m / s之範圍內，以基 準時脈週期T爲了 0 / 2， a 1 = 0 . 3 〜0 . 8， α’ 1 S α ' : = 〇.3〜0.5，不依1，保持一定 値（2 S 1 S in )， a : + /3’ 1 ι=1 . 0 ’ β = 0 〜1 . 0 ， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂---------線 J. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10 -
    六、申請專利範圍 在α : Τ ( 1 S i S m )之時間內，照射記錄功率 P W 2之記錄光時，以 α ι > a \ ( 2 g ^ ηι ) ’且 〇 · 8 g P w i / P w 2 $ i , 2， 進行記錄。 3 1 . 種光學丨生資訊記錄用媒體’係申請專利範圍 第2 8項所述之光學性資訊記錄用媒體，具有一定之記錄 領域， 令該媒體以一定角速度轉動，使其記錄領域最內周之 線速度爲2〜4 m / s ，記錄領域最外周之線速度爲6〜 1 0 m / s， 該記錄領域由藉半徑區劃成多數區域構成，而在改變 基準時脈週期T ’使其依各區內之平均線速度，記錄密度 維持大致一定之狀態下進行記錄時， 不依區域使m爲一定， 從外周區域向內周區域，單一減少P Id/P e及/或 α，（丨係1 S 1 S m之至少1項），藉以進行記錄。 3 2..種光學性資訊記錄用媒體，係申請專利範圍 第3 1項所述之光學性資訊記錄用媒體，上述記錄領域由 半徑分割成p個區域，若以最內周側爲第1區，最外周側 爲第I)區，第Q區（Q係1 S έ P之整數）之角速度爲 ω .,，平均線速度爲< V u a 。，最大線速度爲 < V X，最小線速度爲< V (ι > η η，基準時脈週期 爲Τ :1，最短標記之時間長度爲η⑴1 η τ η時， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 裝 訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 455867 -T A A8 B8 C8 D8 r、申請專利範圍 < V Μ >，<· c / < V , > a v e ^ 1 . 2 〜3 之範圍， < V η〉X / < V (| > m ,,,在 1 . 5 以下 (1 )在同一區內，ω (, ，T I, ，α ,，爲，，P e ， ί3 1」及P w爲一定 > 最短標記之物理長度 Π u . II T li *C "V u〉a 。爲 0 5 Αί ΪΏ 下， Τ :, < W、。對1 S q S Ρ之所有之C1爲大致一定，且 1 m = η — 1 或 m 二 η — 2 ’ α ) = 0 . 3 〜1 . 5 a 1 ^ a ^ ^ 〇 . 2 〜0 · 8 ( 2 ^ i ^ m )， a i + β ^ i = 1 . Ο (3^i^m)， O^Pb^l . 5 (mW)， 0 . 4SPe/Pw^〇 . 6 1 (i i )各區之 P b ，P w，P e / P w，a i ( 1 S i ^ m ) ，/3 !，沒，,，爲可變，而從外周區向內周區，至少 單一減少a , ( 1係2 S 1 S m之至少一項），藉以進行雲己 錄 3 3 .如申請專利範園第3 2項所述之光學性資訊言己 錄用媒體，若該記錄領域之P W之最大値爲P W m a X，最 少値爲 P w …i η 時1 P w m a ·< / P w ω S 1 . 2。 :3 4 . —種光學性資訊記錄用媒體，係申請專利範圍 第3 1項所述之光學性資訊記錄用媒體， 在令波長6 0 0〜6 8 0 n m之光線，通過開口數 X A爲0 . 5 5〜0 . 6 5之物鏡，經由基板在記錄層會 --II — —----t I I * - ------- ^ ---- ---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -ΎΙ - 5 8 6 7 …_ .......... ” A8 ：. 乂. B8 :二.： C8 .厂' D8 六、申請專利範圍 聚，以進行記錄時， 上述記錄領域之最內周在半徑2 0〜2 5 m m之範圍 内，最外周在半徑5 5〜6 0 m m之範圍內，最內周側區 域之平均線速度爲3〜4 m / s ， 第ci區（Q係1 S q S p之整數）之角速度爲ω ，平 均線速度< V π >…。，最大線速度爲< V q > ™ u，最小 線速度爲< V „，基準時脈週期爲Τ (:，最短標記之 時間長度爲Π 111 1 II Τ π時’ η爲1〜1 4之整數， m = η — 1 1 ω u，P b及P e / P w不依區域，均爲一定値， T ; < V ,, > a v。對1客q S p之所有q均大致一定， ，且可滿足 (< V .| > 111 ；| \· — < V ||〉IU i 丨1 ) / ( < V (1 > 111 J X + < V , > , „ ) <10% (i )在第1區 a 1 ι — 0 3 〜0 . 8， α 1 ]^ 汀 1 ι =0 2 〜0 .4 ，不依i ，爲一定値（ 2 ^ 1 S m ) * « 1 2 + /3 1 , 1 . 〇， a '. + β 1 . ^ 1 . 〇 ， (i i )在％ 2區 « " 1 = 0 . 3 〜0 . 8， α ;1】2 α卜t = 〇 . 3〜◦ . 5 ，不依i ，爲一定値（ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --- ^ --------訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 455867 ' A8 \ . B8 CS D8 六、申請專利範圍 2 ^ 1 έ 1Ώ )， α ’ 1 + 厶 11 1 .. 1 二 1 . 0 ( 2 = i S m )時， (1 1 i )使其他各區，（2客 1客m ) ，〇： (|，取α 1 i與α ,中間之値，以進行記錄。 3 5 .如申請專利範圍第3 4項所述之光學性資訊記 錄用媒體，使 α 1 , g α ( $ α ,(但 α 1 1 > α % )，以 進行記錄。 3 6 .如申請專利範圍第3 4項所述之光學性資訊言己 錄用媒體’其中p b ，P e / P w，万！，β ™不依區域改 變’均爲一.定値’而令α 1及α t ( 2 S i S m )依區域而 改變’以進行記錄。 3 7 ·如申請專利範圍第3 4項所述之光學性資訊記 錄用媒體’預先在基板上，藉預設坑洞列或溝變形，至少 r」cl 載有 P e / P w ’ P b ，P \v，冷 in， ( α 1 1 * ol ν \ ) ，（α 1 α ' )之數値。 3 8 .如申請專利範圍第3 4項所述之光學性資訊記 録用媒體’係藉預設坑洞列或溝變形，將位址資訊預先記 錄在基板上之光學性資訊記錄用媒體，連同該位址資訊’ 也含有關於在該位址很適當2αι及αι ( a 2S 1 Sm) 之資訊9 3 9 . —種光學性資訊記錄用媒體，係申請專利範圍 第1 ’ 4 ’ 7項中任一項所述之光學性資訊記錄用媒體， 在記錄間照射可使非晶質結晶化之抹除功率P e之記 錄光線， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 裝--------訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -\Α· ~ 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 A8 B8 CS D8 τ、申請專利範圍 一個記錄標記之時間長度爲η T時（T係基準時脈週 期，η係2以上之整數）， 將記錄標記之時間長度η Τ，依 7] 1 Ύ 1 αιΤ 1 /5iT . a 2 Ύ β 2 Ύ > ......... ’ ci < Τ ， β ： Τ .......... ， a m Τ 1 β m Τ ’ ?7 2 Τ (其中，m係脈衝分割數，m = η — k ，k係〇 S k S 2之整數， 並使 Σι ( α ! + /3 1 ) +τ?ι+??2=η ，η \ 爲 η ι I Ο 之實數，？72 爲？？ 2g〇 之實數，. Ο 1 α, (ISiSm)爲 ai> ◦之實數，/3, (lSi Sin)爲/^>0之實數， α 1 = 〇 . 1 〜1 , 5 ， β \ ^ 0 · 3 〜1 - 0 ，召 m ----0〜1 · 5 ，在2 S i客m之1 ，α ,在〇· 1〜 0 . 8之範圍，且不依1 ，恆爲一定値， 再者，3 S 1 S m之1 ， α t - 1在◦ . 5〜 1 . 5之範圍內，且不依1 ，恒爲一定値） 之順序加以分割| 花a . T 〔 1 S 1 S m )之時間內，照射足以溶融記錄 晤之PwgPe之記憶功率Pw之記錄光線，在沒iT(1 S i S m )之時間內，照射〇 < P b S 0 . 2 P e (但在 β ,η Τ，有可能爲0 < Ρ b S Ρ e )之偏壓功率Ρ b之記錄 光線， 不依線速度，使 m，a , + /3 , - ! ( 3 S i S m )， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -Ίί> - ---III.---V---^. —------訂.-------線 (請先M讀背面之注意事項再填寫本1) LO π/Ί丨 5 8 6 . Α8 Β8 C8 DS τ、申請專利範圍 a t Τ，及α , Τ ( 2 S i S m )恆爲一定値，線速度愈小 ，愈使/3 -單一，增加之方式改變，以進行記錄。 4 0 .如申請專利範圍第3 9項所述之光學性資訊霞己 錄用媒體，各記錄線速度下之最大記錄功率爲P w ω d X， 最小記錄功率爲P w , „時，使 P W ,π ；1 X / Ρ Λ¥ 1,! ! η ^ 1 . 2 ， Ρ e / Ρ w = Ο . 4 〜Ο · 6 ， 〇 g ρ b 1 . 5 ( m W ) 而進行記錄。 4 1 .如申請專利範圍第4 Ο項所述之光學性資訊記 錄用媒體，在記錄線速度爲5 m / s以下之情況下，使 Σ α , < 0 . 5 η，以進行記錄。 4 2 .如申請專利範圍第4 0項所述之光學性資訊記 錄用媒體，最大記錄線速度時之Θ m爲A H -，最小記錄線 速度時之万〜爲石、i時， 其他之記錄線速度時之/3 m取/3 m與万H m間之値，而 不依記錄線速度，使P b ，P e / P w爲一定，以進行記 錄° 4 3 .如申請專利範圍第3 9項所述之光學性資訊記 錄用媒體，不依記錄線速度，使/3 ™爲一定，以進行記錄。 4 4 .如申請專利範圍第4 2項所述之光學性資訊記 錄用媒體，至少將P e / P w比，P b ，P w，a i T， « , T ( 2 ^ 1 < m )，（召 L m，/3 I[^ )之數値，藉預設 坑洞列或溝變形，預先記錄在基板上。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------· I I I Γ I I -----------1 I f ---1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -1b - 465867 A8 § 六、申請專利範圍 4 5 —種光學性資訊記錄用媒體，係申請專利範圍 第1 1 4，7項中任一項所述之光學性資訊記錄用媒體’ 具有一定之記錄領域，該記錄領域分割成在半徑方向 有相同寬度之P個區域，不依半徑位置，以一定之角速度 轉動，而藉多數標記長度記錄資訊之光學性資訊記錄用媒 體， 在基板上形成具有一定之溝蛇行信號之溝，該溝蛇行 信號之基準週期按各區域而變化，若第（1區（其中’ Q係 1 S Q S p之整數）之平均線速度爲< V a v。，最大線 速度爲< V “ X，最小線速度爲< V a > m ，溝蛇行 信號之基準週期爲Tw(1時， < V s T w «爲一定， 並可滿足， (〈V .丨 > :1_ X — < \’ 11 > m I 1丨）/ ( < V C丨〉m a X + < \· , > ：„ , „ ) < 1 % 4 6 .如申請專利範圍第4 5項所述之光學性資訊言己 錄用媒體，以上述溝之一個作爲1個區域’該溝不依區域 具有週期一定之蛇行’ 溝間距爲τ Ρ，蛇行週期爲τ w Q時1使其近似方式滿 足，2 π · T P = a . T w ◦ · V 〇 之關係。 (其中，a係自然數）。 4 7 · —種光學性資訊記錄用媒體’依申請專利範圍 第〗，4，7項中任一項所述之光學性資訊記錄用媒體， 14有一定之記錄領域’該記錄領域分割成在半怪方向 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（MO X 297公釐A (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ I I-----^ 11111 I I 1 ΙΊ 經濟邹智慧財產局員工消費合作社印製 4 7 6 8 5 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 六、申請專利範圍 有相同寬度之P個區域（P係2 〇 〇以上之整數）， 不依半徑位置，以一定之角速度轉動，而藉多數之標 E長度記錄資訊之光學性資訊記錄用媒體， 在基板上形成具有一定之溝蛇行信號之溝，該溝蛇行 fg號之基準週期按各區域而變化，若第Q區（其中，Q係 1 S q S ρ之整數）之平均路速度爲< V ,, > a…，溝蛇行 信號之基準週期T w 時，< V u u T w Q爲一定値。 4 8 .如申請專利範圍第4 7項所述之光學性資訊言己 錄用媒體，上述記錄領域之最內周在半徑2 0〜2 5 m m 之範圍內1最外周在半徑5 5〜6 Ο τη m之範圍內。 4 9 . 一種光學性資訊記錄用媒體之光記錄方法|係 在將資訊記錄於申請專利範圍第1 · 4，7項中任一項所 述之光學性資訊記錄用媒體時， 在記錄標記間照射可使非晶質結晶化之抹除功率P e 之記録光線， --個記錄標記之時間長度爲n T時（T係基準時脈週 期，η係2以上之整數）， 將記錄標記之時間長度η Τ，依 Tj } Ύ ' ctiT ' β ι Ύ , d 2 Ύ ! β 2 T ........... α . Τ > /3 . Τ ， .......... a ,« Τ ， β m Τ ， η 2 Τ (其中，m係脈衝分割數，ηι = η — k > k係〇 g k S 2之整數， 同時’使 Σ ! ( α 丄 + jS ! ) + " ι + β 2 = η ，7? ι 係 GigO之實數’ 爲？之實數，+ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) -- -----------I 哀.I I I I 1 I I ---------- t請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 係令波長6 Ο 0〜6 8 0 n m之光線，通過開口數N A爲 0 . 5 5〜0 . 6 5之物鏡，經由基板會聚在記錄層，以 最短標記長度爲0· 35〜0.45vm之範圍，進行資 料之記錄再生之光記錄方法，其 η爲i〜1 4之整數， m =n-l P b則不依線速，恒爲一定値> P e / P w在〇 . 4〜0 . 6之範圍內，可依線速產 生變化’ (1 )在記錄線速度3〜4 m / s之範圍內，基準時 脈週期T爲T 〇， a i = 0 . 3 〜0 . 8 αι2α: = 0 . 2〜0 . 8 ，不依1 ，恒爲一定値（ 2 ^ i S m )， a 2 + β ι ^ 1 . 0 ， a ' τ β ' ι=1 · 0 ， β .·.： = 0 . 3 〜1 5， 在α , Τ ( 1 S I S m )之時間內，照射記錄功率 P w ,之記錄光線， (ί 1 )在記錄線速度6〜8 m / s之範圍內，基準 時脈週期T爲T 0 / 2 ， a 1 =0.3 〜0.8， a \ ^ a ' 1 = 0.3〜0.5，不依1，恒爲一定 値（2 S i S m )， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -ΖΌ - -----------1Ϊ1 l--------訂---------’，. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 5,5-8 6. 六、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 . + β ' 1 1=1.0(3 ^ i m )， β ' m 二 0 〜1 0 ， 在Ci .T ( 1 s 1 g m )之時間 丨內， 照 射 記錄功 率 P W 2之記錄光線時， a ' i > a i ( 2 ^ i ^ m ) ，且0 . £ ! ^ P w 1 / P W 1.2° 5 2 .如申請專利範圍第4 9 項所 述 之 光記錄 方 法 J 係 以 一定 之角速度，使具有一定之 記錄 領 域 之光學 性 資 訊 ul! 錄 用媒 體轉動，藉多數標記長度記錄資訊之方法’ 令該 媒體轉動，使記錄領域最 內周 之 線 速度爲 2 4 m / s > 記錄領域最外周之線速度爲6 - -] _ C )m / s f 該記 錄領域係由半徑所區隔之 多數 區 域 構成， 而 改 變 基 準 時脈 週期T，使記錄密度依各 區內 之 平 均線速 度 保 持 人 致 _ - 1Ζ1~ί 値進行記錄時， 其Μ 不依依區域•恒爲一定値 從外 周區域至內周區域，單一 減少 P b / P e 及 / 或 a i (i係1 S 1 S m之至少1項） ，以 進 行 記錄。 5 3 .如申請專利範圍第5 2項所述之光記錄ΐ f法 ：Ϊ 上述 記錄領域由半徑分割成Ρ 個區 域 以最內 周 側 爲 λ-rfr- 弟 1 區， 最外周側爲第ρ區，若第 Q區 ( 其 中，q 係 1 Q P之 整數）之角速度爲ω U，平 均線 速 度 爲 < V :,> .. V ,,，最大線速度爲< V (1 〉111 * 1 X > 最小線 速 度 爲 < V “ > 11 ,i ,,，基準時脈週期爲T q ，最 短 標 記之時 間 長 度 爲 η ill i η T 時， ---I--------F--^ - -------訂 --------線 (請先閱tt背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) -- /1 b 5 8 5
    A8 B8 C8 D8 六 、申請專利範圍 -·；/< V 1 >….。在1 · 2〜3之範圍 < V t| > 111 i η 在 1 . 5 以下 i )同一區內 T a β Ρ ρ丨）及ρ w爲一定値1最短標記之物理長度 _ ^ 丁 H < V ‘I > a v c 爲 〇 . 5 v m 以下， < V n 。對1 S q S P之所有之Q爲大致一定値 η 丁 且 111 —1 或m=n — 2 α 1 二 U ύ 〜丄· j α ^ a i = 0 . 2 〜Ο . 8 ( 2 ^ i ^ m (X L + β ι i = 1 . Ο ( 3 = i = πί ) ’Q^Pb^l · 5 (mW)， 〇 . 4^Pe/Pw^〇 . 6 ' r i i )各區之 Pb ，Pw，Pe/Pw i ^ m 少使a 行記 ,/3 i，万m爲可變，而從外周區向內周區域，至 :i係2 S i S m之至少一項），單一減少，以進 ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> *衣---- 訂---------線 D 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使該 P W 係令 0 · 進行 .如申請專利範圍第5 3項所述之光記錄方法， 記錄領域之P w之最大値爲P w〜》X，最小値爲 .時，P W X / P W。丨 1 n S 1 . 2 。 in ί [· Μ J 5 5 .如申請專利範圍第5 2項所述之光記錄方法， 波長6 ◦ 〇〜6 8 Ο n m之光線’通過開口數N A爲 55〜〇.65之物鏡，經由基板會聚在記錄層，以 資料之記錄再生之光記錄方法， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -2. 2.- LO b 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 6 7 ， 5 BS !: C8 D8 ' —1 --- 六、申請專利範圍 上述記錄領域之最內周在半徑2 0〜2 5 m m之範圍 內，最外周在半徑5 5〜6 0 m m之範圍內，最內周側區 域之平均線速度爲3〜4 m / s ，第Q區（其中，q係1 S fl S p之整數）之角速度爲ω ，平均線速度 < V , > 〃 V。，最大線速度爲< V q > m ；H x，最小線速度爲 < V ,: > ,u ,。，基準時脈週期爲Τ π，最短標記之時間長度 爲 II m , u T q 時， η爲1〜14之整數， m = η — 1 ’ ω π，P b及P e / P w不依區域，值爲一定値， Τ π < V " >…1對1 S q S p之所有Q爲大致一定， ，且滿足 (<C V 1； > III ii μ 一 < V" (! > ill 1 η ) / ( < V" q > m a x + < \r i.i > ill 1 [1 ) <10% (i )在第1區時， ¢^1 = 0.3 〜0.8， ，2〜0 . 4，不依i ，恒爲一定値 (2 ^ 1 ^ m )， α 1 2 十 /3 1 ! 2 1 . 〇， a1, + /3^=1 . 〇 ， (1 1 )在第p區時， a ι=0 3 〜0 · 8 ’ α。1 2 α; ' = 0 · 3〜0 . 5，不依l· ，恒爲一定値 (2 ^ 1 ^ m )， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> 衣--------訂---------線 -Ζό - ο ύ B6Z— A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 + 点 μ 1 1 = 1 · ◦ ( 2 客 i S m )， (1 1 1 )使其他各區，α 1 , g a q ! S α ”，（ g m ) ’ α '取〇: 1 t與α μ i間之値。 5 6 .如申請專利範圍第5 5項所述之光記錄方法 a a £ a $ α IJ 1 (其中 1 α 1 1 > α： p 1 7 ·如申請專利範圍第5 5項所述之光記錄方法 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 P e / p w，万1 ，点⑴不依區域，恒爲一定値 ’ a . ( 2 S i s m )依區域而變化。 5 8，一種光記錄方法，其特徵在於， 在申請專利範圍第1 ，4 ，7項中任一項所述之光學 性資訊記錄用媒體記錄資訊時， 在記錄標記間照射可使非晶質結晶化之抹除功率 p e之記錄光線， 一個記錄標記之時間長度爲η T時（T係基準時脈週 期，η係2以上之整數）， 將記錄標s3之時間長度η Τ，依 ??】Τ ’ α 1 Τ ’ /5 .1 Τ · α 2 丁 ’ /3 2 Τ ’ .......... α 1 Τ ’ β i T ’ ......... ’ a in T ’ β η, Τ ’ 7] 2 Ύ (其中，m係脈衝分割數，m = η — k ，k係◦ S 1ί 芸2之整數， 而 ( α ： + /3 i ) + )?i+7/2 二 η ，η i 爲 η 1 2 〇 之實數’ 爲77·2έ〇之實數，Ο客？？ i+7/232 · 0。 α' (lgiSm)爲 α.>0 之實數，泠 i (ISi S m )爲/3 , > 〇之實數， P b 僅使β
    標準（CNS)A4規格（210 X 2叩公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〇8 6 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 αι = 0* 1 〜1 3 〜1 .0，泠„, =〇 〜1 . 5 ’ 在 2SiSm 之 i ，《1在0· 1 〜0.8 之範圍內’且不依i ，恆爲一定値， 再者’在3SiSm之ι ，α^ + 召^ 1在〇，5〜 1 . 5之範圍內，且不依丨，恒爲一定値^ ) 之順序加以分割， 在《 i T ( 1 s i s m )之時間內，照射足以使記錄層 溶融之P w έ P e之記錄功率P w之記錄光線，在沒i τ ( 1 ^ 1 S m )之時間內，照射〇 < p b S 〇 . 2 P e (但 在β⑴T，有可能爲〇<pbsPe)之偏壓功率pb之記 錄光線， 不依線速度，使 m，a i + /3 i - 1 ( 3 S i S ηι )， a i T ’及α , T ( 2 S i S m )爲一定値，而召則隨線 速度變化，線速度愈小，；S 單一地增加。 5 9 .如申請專利範圍第5 8項所述之光記錄方法， 若各記錄線速度之最大記錄功率爲p w a x，最小記錄功 率爲P w ......時， P 111 M P W 11) I II ^ X , 2 , P e / P W = 〇 . 4 .〜0 . 6， 0 ^ P b ^ 1 . 5 ( m W )。 6 0 .如申請專利範圍第5 9項所述之光記錄方法， 記錄線速度在5 m / s以下時，Σ α : < 〇 . 5 η。 6 1 .如申請專利範圍第5 9項所述之光記錄方法， 其最大記錄線速度時之万m爲/3 Π m，最小記錄線速度時之 (請先閱讀背面之ii意事項再填寫本頁) 衣·-------訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公麓+) -- 6 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 βU /3 1 > 其他之記錄線速度時之/3 U1取$ 11 m與Θ 11 m間之値， 而P b ’ P e / P w比則不依記錄線速度，恒爲一定 値。 6 2 .如申請專利範圍第5 8項所述之光記錄方法， 其沒，,,不依記錄線速度，恒爲一定値。 6 3 .如申請專利範圍第5 8項所述之光記錄方法， 係轉動具有一定之記錄領域之光學性資訊記錄用媒體，藉 多數之標記長度進行記錄之方法， 將記錄領域在半徑方向分割成多數區域，在各區域內 ，以一定之線速度進行記錄， 其最內周區域之記錄線速度V ,,,與最外周區域之記錄 線速度V…t之比V u u t / V : „爲1 . 2〜2 ，而依各區 域之線速度使/3 變化。 6 4 .如申請專利範圍第4 9項所述之光記錄方法， 係轉動具有一定之記錄領域之光學性資訊記錄用媒體，藉 多數之標記長度進行記錄之方法， 將記錄領域在半徑方向分割成多數區域，在各區域內 ，以一定之線速度進行記錄， 其最內周區域之記錄線速度V 與最外周區域之記錄 線速度V ,…：之比V ，/ V…爲1 ，2〜2 ， α I = 〇 3 〜◦ .6 (2 各 iSm)及 /3m=〇 〜 1.5> 使 ηι’α^ + 召1 1 ( 3 ^ i ^ m ) - α ι T - P e / 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · n It n 1« n n n I 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 5 5 8 6 7 as B8 CS D8六、申請專利範圍 p W及P 1) +依1 ，恒爲·定値1而依線速度，使α 1及/ i-|lC β ；|： Lix J 6 5 . —種光記錄方法，其特徵在於，對申請專利範 阅第4 5项所述之光學性資訊記錄用媒體進行記錄時，所 逄生之毯準時脈週期T ,，係各區之溝蛇行之基準時脈週期 T w u之倍數，或約數。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衷---- 線 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -Zf -
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