JP2652572B2 - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
- Publication number
- JP2652572B2 JP2652572B2 JP1206914A JP20691489A JP2652572B2 JP 2652572 B2 JP2652572 B2 JP 2652572B2 JP 1206914 A JP1206914 A JP 1206914A JP 20691489 A JP20691489 A JP 20691489A JP 2652572 B2 JP2652572 B2 JP 2652572B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- optical information
- recording medium
- information recording
- crystallization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はレーザ光の光パルスを照射することにより情
報信号を記録する光記録媒体に関するもので、特に情報
の保持耐久性が良好な光情報記録媒体に関する。
報信号を記録する光記録媒体に関するもので、特に情報
の保持耐久性が良好な光情報記録媒体に関する。
［従来の技術］ 非晶質状態と結晶質状態との相変化が可逆的に行われ
る記録材料は、その非晶質相と結晶相とのレーザ光の反
射率が異なることを利用して情報の記録を行う。すなわ
ち、初期状態として結晶状態となっている記録層にレー
ザ光を照射すると、該当する照射部は急熱急冷されるこ
とにより非晶質状態に変化し、非照射部とは反射率の異
なるドットが形成されることになる（記録）。さらに、
記録層に形成されたドットに記録時よりも弱いレーザ光
を照射すると、該当する照射部は緩やかに加熱冷却され
非晶質状態であるドット形成部は初期状態である結晶状
態に戻る（消去）。
る記録材料は、その非晶質相と結晶相とのレーザ光の反
射率が異なることを利用して情報の記録を行う。すなわ
ち、初期状態として結晶状態となっている記録層にレー
ザ光を照射すると、該当する照射部は急熱急冷されるこ
とにより非晶質状態に変化し、非照射部とは反射率の異
なるドットが形成されることになる（記録）。さらに、
記録層に形成されたドットに記録時よりも弱いレーザ光
を照射すると、該当する照射部は緩やかに加熱冷却され
非晶質状態であるドット形成部は初期状態である結晶状
態に戻る（消去）。
これらの、非晶質相と結晶相との間の相転移が可逆的
に行える、言い替えれば、記録と消去が可逆的に行える
書換え可能な記録材料としては、例えば、Ge−Sb−Te
（特開昭61−96536、特開昭63−228433号等）が報告さ
れている。これらの記録材料をプラスチック製の基板あ
るいはガラス製の基板上に所定の厚さの薄膜となるよう
に成膜し、その上にSiO2やZnS等の保護膜を成膜し光情
報記録媒体としている。ここで、記録材料の成膜方法と
しては、抵抗加熱真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパ
ッタリング法等が用いられている。
に行える、言い替えれば、記録と消去が可逆的に行える
書換え可能な記録材料としては、例えば、Ge−Sb−Te
（特開昭61−96536、特開昭63−228433号等）が報告さ
れている。これらの記録材料をプラスチック製の基板あ
るいはガラス製の基板上に所定の厚さの薄膜となるよう
に成膜し、その上にSiO2やZnS等の保護膜を成膜し光情
報記録媒体としている。ここで、記録材料の成膜方法と
しては、抵抗加熱真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパ
ッタリング法等が用いられている。
［発明が解決しようとする課題］ 情報社会の進展に伴い、これまで以上に情報伝達の高
速化と共に記録情報の長い保持耐久性が要求されるよう
になってきている。この記録媒体上の情報の保持耐久性
は、記録膜層の非晶質状態相の結晶化温度が高いほど保
持耐久性は良い。ここで、上述のSb−Ge−Te系非晶質膜
の結晶化開始温度はいずれも180℃以下であり必ずしも
十分であるとは言えない。
速化と共に記録情報の長い保持耐久性が要求されるよう
になってきている。この記録媒体上の情報の保持耐久性
は、記録膜層の非晶質状態相の結晶化温度が高いほど保
持耐久性は良い。ここで、上述のSb−Ge−Te系非晶質膜
の結晶化開始温度はいずれも180℃以下であり必ずしも
十分であるとは言えない。
［課題を解決するための手段］ 本発明の書換え可能な光情報記録媒体においては、S
b,Ge,Teの原子数比が第１図のＢ（Sb68,Ge5,Te27）,C
（Sb68,Ge18,Te15）,D（Sb55,Ge30,Te16）,H（Sb60,Ge2
0,Te20）の点で囲まれる領域内、好ましくはSb,Ge,Teの
原子数比が第１図のＦ（Sb65,Ge10,Te25）,G（Sb65,Ge1
5,Te20）,H（Sb60,Ge20,Te20）の点で囲まれる領域内に
ある記録薄膜を有することを特徴とする。
b,Ge,Teの原子数比が第１図のＢ（Sb68,Ge5,Te27）,C
（Sb68,Ge18,Te15）,D（Sb55,Ge30,Te16）,H（Sb60,Ge2
0,Te20）の点で囲まれる領域内、好ましくはSb,Ge,Teの
原子数比が第１図のＦ（Sb65,Ge10,Te25）,G（Sb65,Ge1
5,Te20）,H（Sb60,Ge20,Te20）の点で囲まれる領域内に
ある記録薄膜を有することを特徴とする。
［作 用］ Sb−Ge−Teを成分とする光情報記録膜において、Sbの
原子数比が大きくなると非晶質相の結晶化温度は高くな
る。一方、Sbの原子数比が大きくなると記録消去が困難
となる。本発明の記録情報媒体では、記録ドットの結晶
化時間が400ns以下と高速消去が可能で、かつ、非晶質
相の結晶化開始温度が190℃よりも高く、情報の保持耐
久性が良好である。
原子数比が大きくなると非晶質相の結晶化温度は高くな
る。一方、Sbの原子数比が大きくなると記録消去が困難
となる。本発明の記録情報媒体では、記録ドットの結晶
化時間が400ns以下と高速消去が可能で、かつ、非晶質
相の結晶化開始温度が190℃よりも高く、情報の保持耐
久性が良好である。
［実施例］ 以下に本発明の実施例を示す。記録膜の成膜は真空蒸
着および、スパッタリングによって行った。
着および、スパッタリングによって行った。
実施例１ 洗浄されたガラス片に、Ge−Sb−Teの光情報記録膜を
成膜した。この記録膜はSb,Ge,Teの原子数比を３角組成
で示した第１図のB,C,D,Hの点を結ぶ線で囲まれる領域
内の組成からなり、膜厚約100nmである。この試料を真
空度約１×10-1Torrの真空中、温度240℃で１時間加熱
し初期結晶化し、その上に膜厚約200nmのSiO2保護膜を
それぞれ積層成膜した。
成膜した。この記録膜はSb,Ge,Teの原子数比を３角組成
で示した第１図のB,C,D,Hの点を結ぶ線で囲まれる領域
内の組成からなり、膜厚約100nmである。この試料を真
空度約１×10-1Torrの真空中、温度240℃で１時間加熱
し初期結晶化し、その上に膜厚約200nmのSiO2保護膜を
それぞれ積層成膜した。
各試料について、パルス幅200ns,波長830nmのレーザ
光により直径約0.7μの記録ドットを作成し、その記録
ドットをパルス幅400nsのレーザ光で消去した。その結
果を第１表に示した。この結果より明らかなように本発
明の範囲内にあるSb−Ge−Te系の記録膜は400ns以下で
消去可能である。
光により直径約0.7μの記録ドットを作成し、その記録
ドットをパルス幅400nsのレーザ光で消去した。その結
果を第１表に示した。この結果より明らかなように本発
明の範囲内にあるSb−Ge−Te系の記録膜は400ns以下で
消去可能である。
実施例２ 実施例１と同様に、洗浄されたガラス片に、Sb,Ge,Te
をそれぞれ第１図のF,G,Hの点を結ぶ線で囲まれる領域
内の組成からなる膜厚約100nmの記録膜を成膜した。こ
の試料を真空度約１×10-1Torrの真空中、温度240℃で
１時間加熱し初期結晶化した。この試料上に膜厚約200n
mのSiO2保護膜を積層成膜した。各試料について、パル
ス幅200ns、波長830nmのレーザ光により直径約0.7μの
記録ドットを作成し、その記録ドットをパルス幅400ns
のレーザー光で消去した。その結果を第１表に示した。
この結果より明らかなように本発明の範囲内にあるSb−
Ge−Teの記録膜は400ns以下で消去可能であり、かつ、
記録の書き込みと消去の繰り返し回数が103回以上可能
である。
をそれぞれ第１図のF,G,Hの点を結ぶ線で囲まれる領域
内の組成からなる膜厚約100nmの記録膜を成膜した。こ
の試料を真空度約１×10-1Torrの真空中、温度240℃で
１時間加熱し初期結晶化した。この試料上に膜厚約200n
mのSiO2保護膜を積層成膜した。各試料について、パル
ス幅200ns、波長830nmのレーザ光により直径約0.7μの
記録ドットを作成し、その記録ドットをパルス幅400ns
のレーザー光で消去した。その結果を第１表に示した。
この結果より明らかなように本発明の範囲内にあるSb−
Ge−Teの記録膜は400ns以下で消去可能であり、かつ、
記録の書き込みと消去の繰り返し回数が103回以上可能
である。
実施例３ Sb−Ge−Te系の非晶質薄膜の結晶化開始温度を熱分析
によって調べた。熱分析の際の昇温速度は毎分10℃であ
る。
によって調べた。熱分析の際の昇温速度は毎分10℃であ
る。
その結果を第２表に示す。この結果より明らかなよう
に、第１図の点Ｋで代表されるように、B,C,D,Hの点で
囲まれた領域内の結晶化開始温度は190℃以上で情報の
保持耐久性が良好であった。さらに、第１図の点Ｌで代
表されるように、F,G,Hの点で囲まれた領域内の結晶化
開始温度は210℃を越えていた。
に、第１図の点Ｋで代表されるように、B,C,D,Hの点で
囲まれた領域内の結晶化開始温度は190℃以上で情報の
保持耐久性が良好であった。さらに、第１図の点Ｌで代
表されるように、F,G,Hの点で囲まれた領域内の結晶化
開始温度は210℃を越えていた。
第２表 試験 組 成 結晶化開始温度 No. （℃） Ｉ Sb22 Ge22 Te56 150 Ｊ Sb41 Ge18 Te41 185 Ｋ Sb55 Ge15 Te30 190 Ｌ Sb62 Ge17 Te21 210 Ｍ Sb100 220 比較例 結晶化温度の比較例として、Te含有量の多い第１図の
点Ｉ（Sb22Ge22Te56），点Ｊ（Sb41Ge18Te41）およびSb
のみの点Ｍ（Sb100）の結晶化開始温度を第２表に示
す。
点Ｉ（Sb22Ge22Te56），点Ｊ（Sb41Ge18Te41）およびSb
のみの点Ｍ（Sb100）の結晶化開始温度を第２表に示
す。
［発明の効果］ 以上のように、本発明によるSb−Ge−Teの記録膜を有
する光情報記録膜媒体は、記録ドットの結晶化時間が40
0ns以下で高速消去が可能であり、かつ非晶質相の結晶
化開始温度がきわめて高く、情報の保持耐久性が良好で
ある。
する光情報記録膜媒体は、記録ドットの結晶化時間が40
0ns以下で高速消去が可能であり、かつ非晶質相の結晶
化開始温度がきわめて高く、情報の保持耐久性が良好で
ある。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明による光情報記録媒体の組成範囲を示す
組成図である。
組成図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮園 泰 神奈川県小田原市曽比3220―１ サンハ イツ202号 (72)発明者 山岸 隆司 兵庫県伊丹市南野飛田1006―25 (56)参考文献 特開 平１−115685（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−211249（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−32438（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】Sb,Ge,Teの原子数比が第１図のＢ（Sb68,G
e5,Te27）,C（Sb67,Ge18,Te15）,D（Sb54,Ge30,Te16）,
H（Sb60,Ge20,Te20）の点で囲まれる領域内にある記録
薄膜を有することを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項２】Sb,Ge,Teの原子数比が第１図のＦ（Sb65,G
10,Te25）,G（Sb65,Ge15,Te20）,H（Sb60,Ge20,Te20）
の点で囲まれる領域内にある記録薄膜を有することを特
徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1206914A JP2652572B2 (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1206914A JP2652572B2 (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0371887A JPH0371887A (ja) | 1991-03-27 |
| JP2652572B2 true JP2652572B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=16531171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1206914A Expired - Lifetime JP2652572B2 (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2652572B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW455867B (en) | 1998-09-09 | 2001-09-21 | Mitsubishi Chem Corp | Optical information recording medium and optical recording method |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6432438A (en) * | 1987-07-28 | 1989-02-02 | Nippon Columbia | Optical information recording medium |
| JP2629746B2 (ja) * | 1987-10-29 | 1997-07-16 | 東レ株式会社 | 光記録媒体 |
| JP2746896B2 (ja) * | 1988-02-17 | 1998-05-06 | 旭化成工業株式会社 | 光学記録媒体 |
-
1989
- 1989-08-11 JP JP1206914A patent/JP2652572B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0371887A (ja) | 1991-03-27 |
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