TW201511926A - 製造膜之方法、製造光學組件之方法、製造電路板之方法、製造電子組件之方法、及光可固化組成物 - Google Patents

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Abstract

一種製造膜之方法，包括：配置光可固化組成物於基材上之配置步驟；將該光可固化組成物與模互相接觸之模接觸步驟；以光照射該光可固化組成物以形成經固化之產物之光照射步驟；以及將該經固化之產物與該模互相脫離之脫模步驟，其中該方法進一步包括在該光照射步驟之前將該模及該基材互相對準之對準步驟，其中該光可固化組成物含有至少作為組分(A)之可聚合之化合物，以及作為組分(B)之光聚合引發劑，且其中當在0.12mW/cm2的照度及11.0秒的曝露時間的條件下曝光時，該可聚合之化合物具有50%或更高的聚合轉化比。

Description

製造膜之方法、製造光學組件之方法、製造電路板之方法、製造電子組件之方法、及光可固化組成物
本發明係關於一種製造涉及使用光可固化組成物之膜的方法、一種製造光學組件之方法、一種製造電路板之方法、以及一種製造電子組件之方法，其各涉及使用製造膜之方法，以及一種光可固化組成物。
在半導體裝置、MEMS等等中，對小型化的需求增加。因此，在近年來，除了相關技藝的光微影技術之外，涉及使用形成在基材(晶圓)上、具有預定形狀的光阻劑(光可固化組成物)圖案以作為模的微處理技術已獲得關注。該微處理技術亦被稱為光奈米壓印技術，且能夠形成數奈米等級的微細結構於基材上(例如參見PTL1)。在光奈米壓印技術中，首先，光阻劑係施用至基材上的圖案形成區域(配置步驟)。之後，透過使用模 (其上已形成圖案)將該光阻劑成形(模接觸步驟)。接著，該光阻劑經光照射而被固化(光照射步驟)，並且脫釋(脫模步驟)。藉由進行上述步驟，具有預定形狀之樹脂圖案(經光固化之產物)形成於該基材上。進一步，藉由在該基材上的其他位置重覆所有該些步驟，精細結構可形成於整個基材上。
特定言之，在半導體裝置、MEMS等等的製造中，在一些情況中，透過使用光奈米壓印技術，進一步針對已處理之基材進行微處理。在此例子中，必須將模的位置正確對準已形成於該基材上的圖案。在此例子中要進行的該步驟被稱為對準步驟，且係介於模接觸步驟及光照射步驟之間進行。再者，在光奈米壓印技術中，於多數例子中，係在相同的基材上進行複數次的自配置步驟至脫模步驟的一連串步驟(製程操作(shot))。
引用列表 專利文獻
PTL 1：日本專利早期公開第2010-073811號
同時，在該光照射步驟中，部分照射光被基材所吸收，且因此在該基材中產生熱(曝露熱)。在該曝露熱產生的區域中，局部發生由該曝露熱所造成的該基材 之熱應變。又，由該曝露熱所造成的該基材之熱應變延伸至相鄰該經曝露之區域的部分及該經曝露之區域。因此，顯現了下列問題：在相鄰區域的製程操作中，對準準確度低。
作為增強對準準確度同時減少曝露熱之方法，考量涉及減少照射的曝露劑量的方法。然而，另一問題亦同時顯現：當使用涉及減少曝露劑量的方法時，光可固化組成物無法被充分固化(固化缺陷)，結果為在該脫模步驟中圖案傾塌。
本發明已完成以解決上述問題，且本發明之目的係在於提供一種製造在光奈米壓印方法中具有高對準準確度且具有較少圖案傾塌缺陷之膜的方法。
根據本發明的一個態樣，一種製造膜之方法包括：配置光可固化組成物於基材上之配置步驟；將該光可固化組成物與模互相接觸之模接觸步驟；以光照射該光可固化組成物以形成經固化之產物之光照射步驟；以及將該經固化之產物與該模互相脫離之脫模步驟，其中該方法進一步包括在該光照射步驟前將該模及該基材互相對準之對準步驟，其中該光可固化組成物至少含有作為組分(A)的可 聚合之化合物以及作為組分(B)的光聚合引發劑，且其中當在0.12mW/cm2的照度及11.0秒的曝露時間的條件下曝光時，該可聚合之化合物具有50%或更高的聚合轉化比。
根據本發明的另一態樣，可提供製造在光奈米壓印方法中具有高對準準確度且具有較少圖案傾塌缺陷之膜的方法。
依下列說明例示性實施態樣並參照所附圖式，將更清楚本發明的進一步特徵。
10‧‧‧衰減全反射紅外線分光測定裝置
11‧‧‧紅外線光
12‧‧‧偵檢器
13‧‧‧鑽石ATR晶體
14‧‧‧光可固化組成物
15‧‧‧石英玻璃
16‧‧‧漸逝波
17‧‧‧照射光
21‧‧‧光可固化組成物
22‧‧‧基材
23‧‧‧基材邊對準標示
24‧‧‧模
25‧‧‧模邊對準標示
26‧‧‧經施用之膜
27‧‧‧照射光
28‧‧‧經固化之膜
28a‧‧‧經固化之膜
22a‧‧‧區域
28(30)‧‧‧經固化之產物圖案
31‧‧‧電路結構
圖1係具有光照射機構的衰減全反射紅外線分光測量裝置之示意圖。
圖2A、2B、2C、2D、2E、2F、及2G係示意性橫剖面圖，其描繪包括於本發明之製造膜之方法的步驟。
圖3係描繪包括於本發明之製造膜之方法的步驟流程的流程圖。
下面將參照圖式來詳細描述本發明之實施態樣。但，本發明並不限於下文所述之實施態樣。換言之，本發明包含例如基於熟悉本技術領域者的通常知識適當改變或修飾下面所述的實施態樣至此改變或修飾不悖離本發 明要義的程度所獲得的實施態樣。本發明製造膜之方法包括下列步驟[1]至[5]：[1]配置光可固化組成物於基材(待加工處理之基材)上之步驟(配置步驟)；[2]將該光可固化組成物與模互相接觸之步驟(模接觸步驟)；[3]將該模及該基材互相對準之步驟(對準步驟)；[4]以光照射該光可固化組成物以形成經固化之產物之步驟(光照射步驟)；以及[5]在光照射步驟後將該經固化之產物與該模互相脫離之步驟(脫模步驟)。
在本發明中，該光可固化組成物至少含有作為組分(A)的可聚合之化合物以及作為組分(B)的光聚合引發劑。又，在本發明中，當在0.12mW/cm2的照度及11.0秒的曝露時間的條件下曝光時，該可聚合之化合物具有50%或更高的聚合轉化比。
[光可固化組成物]
首先，說明該光可固化組成物。在本發明中所使用之該光可固化組成物係含有下列組分(A)及組分(B)的光可固化組成物。
(A)可聚合之化合物
(B)光聚合引發劑
下文將詳述各組分。
<組分(A)：可聚合之化合物>
該組分(A)係可聚合之化合物。如用於此實施態樣及本發明中，該可聚合之化合物係會與自光聚合引發劑(組分(B))所產生之聚合因子(例如自由基等等)反應、以藉由鏈鎖反應(聚合反應)形成聚合物化合物所製成之膜的化合物。
作為該上述之可聚合之化合物，舉例而言，可考慮的有可自由基聚合之化合物。作為組分(A)之該可聚合之化合物可係由一種可聚合之化合物或由複數種可聚合之化合物所形成。在此，較佳的是，該可自由基聚合之化合物為具有一或多個丙烯醯基或甲基丙烯醯基的化合物。即，在本發明中，該光可固化組成物的該組分(A)(可聚合之化合物)較佳為包括(甲基)丙烯酸系化合物。在本發明中，更佳的是，該組分(A)的90重量%或更多係(甲基)丙烯酸系化合物。
具有一個丙烯醯基或甲基丙烯醯基之單官能(甲基)丙烯酸系化合物的實例包括但不限於：(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸苯氧基-2-甲基乙酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸3-苯氧基-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-苯基苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸4-苯基苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸3-(2-聯苯)-2-羥基丙酯、EO-改質之(甲基)丙烯酸對異丙苯基苯酯、(甲基)丙烯酸2-溴苯氧基乙酯、(甲 基)丙烯酸2,4-二溴苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2,4,6-三溴苯氧基乙酯、EO-改質之(甲基)丙烯酸苯氧酯、PO-改質之(甲基)丙烯酸苯氧酯、(甲基)丙烯酸聚氧伸乙基壬基苯基醚酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸1-金剛烷酯、(甲基)丙烯酸2-甲基-2-金剛烷酯、(甲基)丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯、(甲基)丙烯酸莰酯、(甲基)丙烯酸三環癸烷酯、(甲基)丙烯酸二環戊烷酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸4-丁基環己酯、丙烯醯基啉、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一酯、(甲基)丙烯酸十二酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十八酯、(甲基)丙烯酸異十八酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸四氫糠酯、(甲基)丙烯酸丁氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基二乙二醇酯、單(甲基)丙烯酸聚(乙二醇)酯、單(甲基)丙烯酸聚(丙二醇)酯、(甲 基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚(乙二醇)酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚(丙二醇)酯、(甲基)丙烯酸1-萘基甲酯、(甲基)丙烯酸2-萘基甲酯、二丙酮(甲基)丙烯醯胺、異丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、三級辛基(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯酸二甲胺基乙酯、(甲基)丙烯酸二乙胺基乙酯、(甲基)丙烯酸7-胺基-3,7-二甲基辛酯、N,N-二乙基(甲基)丙烯醯胺、及N,N-二甲胺基丙基(甲基)丙烯醯胺。
對應該單官能(甲基)丙烯酸系化合物之商 業上可獲得產品的實例包括但不限於：Aronix系列M101、M102、M110、M111、M113、M117、M5700、TO-1317、M120、M150、及M156(上述均由TOAGOSEI CO.,LTD所產製)；MEDOL10、MIBDOL10、CHDOL10、MMDOL30、MEDOL30、MIBDOL30、CHDOL30、LA、IBXA、2-MTA、HPA、和Viscoat #150、#155、#158、#190、#192、#193、#220、#2000、#2100、及#2150(上述均由OSAKA ORGANIC CHEMICAL INDUSTRY LTD.所產製)；Light Acrylate BO-A、EC-A、DMP-A、THF-A、HOP-A、HOA-MPE、HOA-MPL、PO-A、P-200A、NP-4EA、及NP-8EA、和Epoxy Ester M-600A(上述均由KYOEISHA CHEMICAL CO.,LTD.所產製)；KAYARAD TC110S、R-564、及R-128H(上述均由NIPPON KAYAKU Co.,Ltd.所產製)； NK Ester AMP-10G及AMP-20G(上述兩者均由Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.所產製)；FA-511A、512A、及513A(上述均由Hitachi Chemical Co.,Ltd.所產製)；PHE、CEA、PHE-2、PHE-4、BR-31、BR-31M、及BR-32(上述均由Dai-ichi Kogyo Seiyaku Co.,Ltd.所產製)；VP(BASF所產製)；以及ACMO、DMAA、及DMAPAA(上述均由KOHJIN Co.,Ltd.所產製)。具有二或更多個丙烯醯基或甲基丙烯醯基之多官能(甲基)丙烯酸系化合物的實例包括但不限於：二(甲基)丙烯酸三羥甲基丙烷酯、三(甲基)丙烯酸三羥甲基丙烷酯、EO-改質之三(甲基)丙烯酸三羥甲基丙烷酯、PO-改質之三(甲基)丙烯酸三羥甲基丙烷酯、EO,PO-改質之三(甲基)丙烯酸三羥甲基丙烷酯、三(甲基)丙烯酸新戊四酯、四(甲基)丙烯酸新戊四酯、二(甲基)丙烯酸乙二醇酯、二(甲基)丙烯酸四乙二醇酯、二(甲基)丙烯酸聚(乙二醇)酯、二(甲基)丙烯酸聚(丙二醇)酯、二(甲基)丙烯酸1,4-丁二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,6-己二醇酯、二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯、參(2-羥基乙基)異三聚氰酸酯三(甲基)丙烯酸酯、參(丙烯醯氧基)異三聚氰酸酯、二(甲基)丙烯酸雙(羥基甲基)三環癸烷酯、五(甲基)丙烯酸二新戊四酯、六(甲基)丙烯酸二新戊四酯、EO-改質之2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基)苯基)丙烷、PO-改質之2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基)苯基)丙烷、EO,PO-改質之2,2-雙(4- ((甲基)丙烯醯氧基)苯基)丙烷、二(甲基)丙烯酸苯基乙二醇酯、二(甲基)丙烯酸鄰伸茬酯、二(甲基)丙烯酸間伸茬酯、以及二(甲基)丙烯酸對伸茬酯。
對應該多官能(甲基)丙烯酸系化合物之商業上可獲得產品的實例包括但不限於：Upimer UV SA1002及SA2007(上述兩者均由Mitsubishi Chemical Corporation所產製)；Viscoat #195、#230、#215、#260、#335HP、#295、#300、#360、及#700、GPT、及3PA(上述均由OSAKA ORGANIC CHEMICAL INDUSTRY LTD.所產製)，Light Acrylate 4EG-A、9EG-A、NP-A、DCP-A、BP-4EA、BP-4PA、TMP-A、PE-3A、PE-4A、及DPE-6A(上述均由KYOEISHA CHEMICAL CO.,LTD.所產製)；KAYARAD PET-30、TMPTA、R-604、DPHA、DPCA-20、-30、-60、及-120、以及HX-620、D-310、及D-330(上述均由NIPPON KAYAKU Co.,Ltd.所產製)；Aronix M208、M210、M215、M220、M240、M305、M309、M310、M315、M325、及M400(上述均由TOAGOSEI CO.,LTD所產製)；以及Lipoxy VR-77、VR-60、及VR-90(上述均由SHOWA DENKO K.K.所產製)。
應注意的是，在上述化合物群組中，用語"(甲基)丙烯酸酯"意指丙烯酸酯及等同於該丙烯酸酯而具有醇殘基之甲基丙烯酸酯。用語"(甲基)丙烯醯基"意指丙烯醯基及等同於該丙烯酸酯而具有醇殘基之甲基丙烯 醯基。縮寫"EO"意指環氧乙烷，而用語"EO-改質之化合物A"係指其中該化合物(A)的(甲基)丙烯酸殘基及醇殘基經由環氧乙烷基團之嵌段結構互相結合之化合物。又，縮寫"PO"意指環氧丙烷，而用語"PO-改質之化合物B"意指其中該化合物(B)的(甲基)丙烯酸殘基及醇殘基經由環氧丙烷基團之嵌段結構互相結合之化合物。
在這些化合物中，較佳的是，該組分(A)包括丙烯酸異莰酯、丙烯酸苄酯、丙烯酸2-萘基甲酯、二丙烯酸間伸茬酯、二丙烯酸二羥甲基三環癸烷酯、二丙烯酸苯基乙二醇酯、及二丙烯酸新戊二醇酯中的至少一或多者，且更佳的是該組分(A)包括至少彼等之二或多者。又更佳的是，該組分(A)係由下列組成：丙烯酸異莰酯、丙烯酸苄酯、及二丙烯酸新戊二醇酯；丙烯酸苄酯及二丙烯酸間伸茬酯；丙烯酸苄酯、丙烯酸2-萘基甲酯、及二丙烯酸間伸茬酯；丙烯酸苄酯及二丙烯酸二羥甲基三環癸烷酯；或丙烯酸苄酯及二丙烯酸苯基乙二醇酯。
<組分(B)：光聚合引發劑>
該組分(B)係光聚合引發劑。用在此實施態樣及本發明中的光聚合引發劑係偵測具有預定波長之光以產生上述之聚合因子(自由基)的化合物。特定言之，該光聚合引發劑係以光(紅外光、可見光、紫外線、遠紫外線、以及輻射，例如X-射線及例如電子束之帶電粒子射線)產生自由基的聚合引發劑(自由基產生劑)。從該光可固化 組成物所照射之光波長的觀點，特定言之，該光聚合引發劑係藉由具有波長200nm至500nm、典型為300nm至450nm的光產生自由基的聚合引發劑。
作為組分(B)之該光聚合引發劑可係由一種光聚合引發劑或由複數種光聚合引發劑所形成。
該自由基產生劑的實例包括但不限於：可具有取代基之2,4,5-三芳基咪唑二聚體，諸如2-(鄰氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體、2-(鄰氯苯基)-4,5-二(甲氧基苯基)咪唑二聚體、2-(鄰氟苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體、及2-(鄰或對甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體；二苯甲酮衍生物，諸如二苯甲酮、N,N,N',N'-四甲基-4,4'-二胺基二苯甲酮(米其勒酮(Michler’s ketone))、N,N,N',N'-四乙基-4,4'-二胺基二苯甲酮、4-甲氧基-4'-二甲胺基二苯甲酮、4-氯二苯甲酮、4,4'-二甲氧基二苯甲酮、及4,4'-二胺基二苯甲酮；芳族酮衍生物，諸如2-苄基-2-二甲胺基-1-(4-啉基苯基)-1-丁酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-啉基-丙-1-酮；醌類，諸如2-乙基蒽醌、菲醌、2-三級丁基蒽醌、八甲基蒽醌、1,2-苯并蒽醌、2,3-苯并蒽醌、2-苯基蒽醌、2,3-二苯基蒽醌、1-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、1,4-萘醌、9,10-菲醌、2-甲基-1,4-萘醌、及2,3-二甲基蒽醌；苯偶姻醚衍生物，諸如苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、及苯偶姻苯基醚；苯偶姻衍生物，諸如苯偶姻、甲基苯偶姻、乙基苯偶姻、及丙基苯偶姻；苄基衍生物，諸如苄基二甲基縮酮；吖啶衍生物，諸如9- 苯基吖啶及1,7-雙(9,9'-吖啶基)庚烷；N-苯基甘胺酸衍生物，諸如N-苯基甘胺酸；苯乙酮衍生物，諸如苯乙酮、3-甲基苯乙酮、苯乙酮苄基縮酮、1-羥基環己基苯基酮、及2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮；硫代酮(thioxanthone)衍生物，諸如硫代酮、二乙基硫代酮、2-異丙基硫代酮、及2-氯硫代酮；酮類(xanthones)；茀酮類；苯甲醛類；茀類；蒽醌類；三苯基胺類；咔唑類；1-(4-異丙基苯基)-2-羥基-2-甲基丙-1-酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮；及膦氧化物衍生物，諸如2,4,6-三甲基苄醯基二苯基膦氧化物、及雙(2,6-二甲氧基苄醯基)-2,4,4-三甲基戊基膦氧化物。該光可固化組成物的該組分(B)較佳為芳族酮衍生物或膦氧化物衍生物。在使用該芳族酮衍生物作為該光可固化組成物的該組分(B)的例子中，2-苄基-2-二甲胺基-1-(4-啉基苯基)-1-丁酮係特佳者。在使用該膦氧化物衍生物作為該光可固化組成物的該組分(B)的例子中，2,4,6-三甲基苄醯基二苯基膦氧化物係特佳者。特定言之，這些衍生物為較佳的理由在於它們具有高光聚合引發能力。應注意的是，如在此處說明時，用語"衍生物"係指具有共通骨架之化合物。特定言之，該芳族酮衍生物係指具有羰基基團(>C=O)及結合至含在該羰基基團中的碳原子的二種取代基(惟該二種取代基中的任一者係芳族基團)之化合物。又，該膦氧化物衍生物係指包括部分結構P=O之化合物。
對應該光自由基產生劑之商業上可獲得的產 品的實例包括但不限於：Irgacure 184、369、651、500、819、907、784、及2959、CGI-1700、-1750、及-1850、CG24-61、Darocur 1116及1173，Lucirin TPO、LR8893、及LR8970(上述均由BASF所產製)，及Ubecryl P36(UCB所產製)。
就作為該組分(A)的該可聚合之化合物之總 量，作為該組分(B)的該聚合引發劑於該可固化組成物中的摻合比例係0.01重量%或更高及10重量%或更低，較佳為0.1重量%或更高及7重量%或更低，理由如下。 當該聚合引發劑的摻合比例就該組分(A)之總量而言係0.01重量%或更高時，可更容易地預防由固化速度下降所造成的反應效率下降。當該聚合引發劑的摻合比例就該組分(A)之總量而言係10.0重量%或更低時，在多數情況中可預防該光可固化組成物的經固化之產物的機械特性劣化。
<其他添加劑組分>
此實施態樣的光可固化組成物除了上述之組分(A)及(B)之外，可根據各種目的，在不損害本發明之功效的範圍內，進一步含有添加劑組分。該添加劑組分的實例包括界面活性劑、敏化劑、氫予體、抗氧化劑、溶劑、以及聚合物組分。在本發明中，較佳的是，該光可固化組成物含有敏化劑。
該敏化劑係為加速聚合反應或增強反應轉化 比之目的而適當加入的化合物。作為該敏化劑，舉例而言，可考慮的有感光染料。
該感光染料係藉由吸收具有特定波長的光而 被激發以與作為該組分(B)的該聚合引發劑交互作用的化合物。應注意的是，該用語"交互作用"如用於本文中，係指例如從激發態感光染料的能量或電子轉移至作為該組分(B)的該聚合引發劑。
該感光染料的特定實例包括但不限於：蒽衍 生物、蒽醌衍生物、芘衍生物、苝衍生物、咔唑衍生物、二苯甲酮衍生物、硫代酮衍生物、酮衍生物、香豆素衍生物、啡噻衍生物、樟腦醌衍生物、吖啶系染料、硫代哌喃鎓鹽系染料、部花青素系染料、喹啉系染料、苯乙烯基喹啉系染料、酮香豆素系染料、硫代系染料、系染料、氧雜菁(oxonol)系染料、花青系染料、玫瑰紅系染料、及哌喃鎓鹽系染料。
該等敏化劑的一種可單獨使用，或彼等之二或更多種可以混合物使用。
該氫予體係能夠與從作為該組分(B)的該聚合引發劑所產生之起始自由基或聚合作用生長端的自由基反應之化合物，以產生更具反應性之自由基。較佳的是，當作為該組分(B)的該聚合引發劑係光自由基產生劑時，該氫予體可被加入。
該氫予體的特定實例包括但不限於：正丁 胺、二正丁胺、三正丁基膦、烯丙基硫脲、對甲苯亞磺酸S-苄基異硫脲鎓(S-benzylisothiuronium-p-toluenesulfinate)、三乙胺、甲基丙烯酸二乙胺基乙酯、三伸乙四胺、4,4'-雙(二烷胺基)二苯甲酮、N,N-二甲胺基苄酸乙酯、N,N-二甲胺基苄酸異戊酯、苄酸戊基-4-二甲基胺酯、三乙醇胺、N-苯基甘胺酸、以及其他胺化合物、2-巰基-N-苯基苯并咪唑、巰基丙酸酯、以及其他巰基化合物。
該等氫予體的一種可單獨使用，或彼等之二 或更多種可以混合物使用。在此實施態樣的該光可固化組成物含有該敏化劑及該氫予體作為該添加物組分的情況中，就作為該組分(A)的該可聚合之化合物之總量而言，該添加物組分的添加量較佳為0重量%或更高及20重量%或更低，更佳為0.1重量%或更高及5.0重量%或更低，且又更佳為0.2重量%或更高及2.0重量%或更低。當該敏化劑的含量係0.1重量%或更高時，加速聚合作用的效果可更有效率地表現。又，當含量設定為5.0重量%或更低時，形成欲製造的經光固化之產物的聚合物化合物之分子量可變得夠高，且溶解缺陷及儲存安定性的劣化可更容易地被抑止。
又，該組分(A)及該組分(B)之間的比例 可藉由紅外線光譜術、紫外線-可見光光譜術、熱裂解氣相層析質譜術等等來分析經由固化此實施態樣的該光可固化組成物所獲得的經光固化之產物來測定。又，咸認定含 於該光可固化組成物中的該組分(A)及該組分(B)之間的比例係幾乎與含於該經光固化之產物中的該組分(A)及該組分(B)之間的比例相同。因此，若測得含於該經光固化之產物的該組分(A)及該組分(B)之間的比例，則含於該經該光可固化組成物的該組分(A)及該組分(B)之間的比例可因此測得。
<摻合光可固化組成物時的溫度>
當製備此實施態樣的該光可固化組成物時，至少該組分(A)及該組分(B)係於預定溫度條件下混合及溶解。特定言之，製備係在0℃或更高至100℃或更低的範圍中進行。
<光可固化組成物的黏度>
有關此實施態樣的該光可固化組成物之黏度，排除溶劑的組分混合物於23℃下之黏度較佳為1cP或更高及100cP或更低、更佳為5cP或更高及50cP或更低、又更佳為6cP或更高及20cP或更低。當該光可固化組成物的黏度係高於100cP時，其在將該光可固化組成物與該模接觸時，會需要長時間期間來將該光可固化組成物填充至該模上的微細圖案中的凹處，或由於填充不足而發生圖案缺陷。另一方面，當黏度少於1cP時，於施用該光可固化組成物時會發生施用不均勻，或在將該光可固化組成物與該模接觸時，該光可固化組成物在該模的末端部分流 出。
<光可固化組成物的表面張力>
有關此實施態樣的該光可固化組成物之表面張力，排除溶劑的組分混合物於23℃下之表面張力較佳為5mN/m或更高及70mN/m或更低、更佳為7mN/m或更高及35mN/m或更低、又更佳為10mN/m或更高及32mN/m或更低。在此，當表面張力設定在5mN/m或更高時，該光可固化組成物可更容易地在將該光可固化組成物與該模接觸時於短時間期間中將該光可固化組成物填充至該模上的微細圖案中的凹處。又，當該表面張力設定在70mN/m或更低時，較可能獲得使人滿意的表面平滑度。
<包括於光可固化組成物中之雜質>
較佳的是，用於本發明中的該光可固化組成物儘可能避免含有雜質。如此處所述之雜質意指上述之該組分(A)、該組分(B)、以及該添加劑組分以外者。因此，較佳的是，該光可固化組成物係經由純化步驟獲得。有關該純化步驟，使用濾器等等的過濾為較佳者。
當進行使用濾器的過濾時，特定言之，較佳的是，該上述之組分(A)及(B)以及依需要加入的添加劑組分混合，且接著將該混合物以例如具有0.001μm或更高及5.0μm或更低的孔洞直徑的濾器來過濾。更佳的是，使用濾器的過濾以複數個階段進行或重覆複數次。 此外，該過濾液體可再度過濾。以例如聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、氟樹脂、或尼龍樹脂所製之濾器可用作為用於過濾之濾器。然而，該濾器未特別予以限制。
諸如包括於該光可固化組成物中的粒子之雜 質可藉由進行上述之純化步驟來移除。由此，在該光可固化組成物經固化後，可避免諸如粒子之雜質於該欲獲得之經光固化之產物中形成非所欲之不均勻性而造成圖案缺陷。
應注意的是，在使用在本發明中的光可固化 組成物以供製造半導體積體電路時，較佳為儘可能減少包括於該光可固化組成物中的含有金屬原子之雜質(金屬雜質)量，以便產品的操作不會受抑制。在此情況中，該光可固化組成物中的金屬雜質濃度較佳為10ppm或更低、更佳為100ppb或更低。
<評估光可固化組成物的聚合轉化比(藉由光照射)>
在本發明中，該光可固化組成物藉由光照射的聚合轉化比可例如經由使用具有如圖1所描繪之光照射機制的衰減全反射紅外線分光測定裝置來測量。在此，該聚合轉化比可被定義為藉由光照射該組分(A)的該可聚合官能基之消光比。應注意的是，此比例與該可聚合之官能基經聚合化的比例同義。
在圖1的衰減全反射紅外線分光測定裝置10中，光可固化組成物14係置於提供在圖1的該衰減全反 射紅外線分光測定裝置10中的鑽石ATR晶體13及石英玻璃15之間。藉由以來自石英玻璃15的照射光17照射該光可固化組成物14來固化該光可固化組成物14。在此，以紅外線光11照射該鑽石ATR(減弱全反射)晶體13。接著，以偵檢器12偵測於鑽石ATR晶體13上產生的數μm範圍內之漸逝波(evanescent wave)16，且獲得每秒數個或更多及數十個或更少的該光可固化組成物14的衰減全反射紅外線光譜。因此，可即時獲得於光固化期間的該光可固化組成物之紅外線光譜。應注意的是，於任何曝露劑量下的該光可固化組成物的聚合轉化比(%)可藉由下列方程式(1)計算。
[聚合轉化比(%)]=100×(1-P2/P1) (1)
(在該方程式(1)中，P1代表開始光照射後立即源自該組分(A)的可聚合之官能基峰的尖峰強度(初始強度)，而P2代表曝露後的任何時間期間源自該組分(A)的可聚合之官能基峰的尖峰強度(初始強度)。)
[製造膜之方法]
接著，說明本發明的製造膜之方法。圖2A至2G係描繪本發明的製造膜之方法中所包括的步驟之示意剖面圖。本發明的製造膜之方法包括下列步驟[1]至[5]：[1]配置上述之此實施態樣的光可固化組成物於基材(待加工處理之基材)上之步驟(配置步驟，圖2A)；[2]將該光可固化組成物與模互相接觸之步驟(模接 觸步驟，圖2B)；[3]將該模及該基材互相對準之步驟(對準步驟，圖2C)；[4]以光照射該光可固化組成物以形成經固化之產物之步驟(光照射步驟，圖2D)；以及[5]將步驟[4]中所獲得之該經固化之產物與該模互相脫離之步驟(脫模步驟，圖2E)。
應注意的是，本發明的製造膜之方法係涉及使用光奈米壓印方法的製造膜之方法。藉由本發明的製造方法所獲得的膜較佳為具有1nm或更高及10mm或更低、更佳為10nm或更高及100μm或更低之尺寸的圖案。應注意的是，一般而言，透過使用光以供製造具有奈米尺寸(1nm或更高及100nm或更低)圖案(非均一結構)之膜的圖案形成技術被稱為光奈米壓印方法，且此實施態樣的製造膜方法使用該光奈米壓印方法。
下文將說明各步驟。
<配置步驟(步驟[1]，圖2A)>
在此步驟(配置步驟)中，如圖2A所描繪，上述之光可固化組成物21係置於基材22上以形成經施用之膜。
該基材22，其上置有該光可固化組成物21，係待加工處理之基材，且通常使用矽晶圓。然而，在本發明中，該基材22不限於矽晶圓，且可使用的材料，係任意選自任何已知用於半導體裝置之基材的材料，例如鋁、 鈦鎢合金、鋁矽合金、鋁銅矽合金、氧化矽、及氮化矽。應注意的是，作為欲使用之基材22(待加工處理之基材)，可使用的基材，其與該光可固化組成物的貼附性質可經由例如矽烷偶合處理、矽氮烷處理、或形成有機薄膜的表面處理來改善。
在本發明中，作為將該光可固化組成物配置(施用)於該待處理加工之基材上之方法，可使用的有例如噴墨法、浸塗法、氣刀塗覆法、簾塗法、線棒塗覆(wire bar coating)法、凹版塗覆法、擠壓塗覆法、旋塗法、或縫隙掃描(slit scan)法。在該光奈米壓印方法中，噴墨法係特佳者。
應注意的是，形狀轉移層(經施用之膜)厚度取決於應用而各異，且例如為0.01μm或更高及100.0μm或更低。
<模接觸步驟(步驟[2]，圖2B)>
接著，如圖2B中所描繪，具有用於轉移圖案形狀的原始圖案之模24，與形成於先前步驟(配置步驟)中之該光可固化組成物21所形成的經施用之膜接觸。在此步驟中，當該模24表面上之非均一結構與該光可固化組成物21(形狀轉移層)(圖2B中的(b-1))接觸時，形成於該模24表面上的微細圖案的凹處填以(一部分)由該光可固化組成物21所形成的經施用之膜，結果獲得填至該模24的微細圖案中的經施用之膜26(圖2B中的 (b-2))。
較佳的是，考量到之後步驟(光照射步 驟)，該模24係由光學透明材料所構成。用於該模24之光學透明組成分材料的較佳特定實例包括該下列光學透明材料：玻璃、石英、光學透明樹脂，諸如PMMA或聚碳酸酯樹脂、透明金屬沈積膜、由聚二甲基矽氧烷等等所製之可撓性膜、經光固化之膜、以及金屬膜。在使用光學透明樹脂作為用於該模24之組成分材料的情況中，必須選擇不溶於含於該光可固化組成物21中的溶劑之樹脂。石英係特佳者，因為其具有小的熱膨脹係數。
在此步驟(該光可固化組成物及該模互相接觸之步驟)之前，該模24可予以表面處理，以增強該光可固化組成物21及該模24表面之間的可脫離性。有關用於表面處理之方法，可考慮涉及藉由施用脫離劑至該模24表面上而形成脫離劑層之方法。在此，施用至該模24表面上之該脫離劑的實例包括矽系脫離劑、氟系脫離劑、聚乙烯系脫離劑、聚丙烯系脫離劑、石蠟系脫離劑、褐煤(montan)系脫離劑、及卡拿巴(carnauba)系脫離劑。舉例而言，較佳的是，可使用諸如Daikin Industries,Ltd.所產製的OPTOOL DSX之商業上可獲得施用型脫離劑。應注意的是，該等脫離劑的一種可單獨使用，或彼等之二或更多種可以併用。其中，氟系脫離劑係特佳者。
在此步驟(模接觸步驟)中，如圖2B中的(b-1)所描繪，當該模24與該光可固化組成物21互相 接觸時，施用至該光可固化組成物21的壓力未特別限制，且典型上為0MPa或更高及100MPa或更低。在此範圍中，0MPa或更高及50MPa或更低的壓力為較佳者，0MPa或更高及30MPa或更低的壓力為更佳者，且0MPa或更高及20MPa或更低的壓力為又更佳者。
此外，在此步驟中，該模24與該光可固化組 成物21接觸的時間期間未特別受限，典型上為0.1秒或更高及600秒或更低、較佳為0.1秒或更高及300秒或更低、更佳為0.1秒或更高及180秒或更低、特佳為0.1秒或更高及120秒或更低。
此步驟可於空氣氣氛、減壓氣氛、及惰性氣 體氣氛的任何條件下進行。在該些氣氛中，減壓氣氛或惰性氣體氣氛係較佳者，因為氧或水分對光固化反應的影響可以預防。當此步驟係於惰性氣體氣氛下進行時，使用的該惰性氣體的特定實例包括氮、二氧化碳、氦、氬、各種氟碳化物氣體，以及彼等之混合氣體。當此步驟係在包括空氣氣氛的特別氣體氣氛下進行時，較佳的壓力為0.0001atm或更高及10atm或更低。
又，此步驟可在含有可冷凝氣體的氣體之氣 氛下進行。在此，該可冷凝氣體所指的氣體，係在此步驟中該光可固化組成物21(形狀轉移層)及該模24(圖2B中的(b-1))之間接觸前的階段於氣氛中為氣態的氣體，且當該光可固化組成物21及該模24互相接觸時液化。同時，當該光可固化組成物21及該模24互相接觸 時，該氣氛中的氣體連同(部分)經施用之膜26填於該模24表面上的微細圖案之凹處以及該模24及該基材22之間的空隙。在此時，該凹處及該空隙填以(部分)該經施用之膜26及該氣氛中的氣體，且含在該氣氛中的氣體的可冷凝氣體由於經由填充之時的壓力所產生的毛細管壓力而冷凝以液化。
當該模接觸步驟係在含有可冷凝氣體的氣體 之氣氛下進行時，填至該模24的微細圖案之凹處的氣體液化，且因此氣泡不可能形成。因此，填充性質變得令人滿意。應注意的是，(至少一部分的)該可冷凝氣體可溶於此步驟中的光可固化組成物。
雖然此步驟中的可冷凝氣體沸點未特別受 限，只要該沸點等同於或少於該模接觸步驟(步驟[2])的周圍溫度，但該沸點較佳為-10℃或更高及23℃或更低、更佳為10℃或更高及23℃或更低。當該可冷凝氣體的沸點落入該範圍時，該光可固化組成物21至該模表面上的該微細圖案之凹處中的填充性質更為優異。
雖然在此步驟中當進行將該模24的下壓時只 要蒸氣壓等同於或少於該模24的壓力，則此步驟中含有該可冷凝氣體的氣體之蒸氣壓不特別受限，但該蒸氣壓較佳為0.1MPa或更高及0.4MPa或更低。當該含有可冷凝氣體的氣體之蒸氣壓落入該範圍時，該光可固化組成物21至該模表面上的該微細圖案之凹處中的填充性質更為優異。在此，當該含有該可冷凝氣體的氣體之蒸氣壓設定 至0.4MPa或更低時，氣泡可消失。又，當該含有該可冷凝氣體的氣體之蒸氣壓設定至0.1MPa或更高時，則不必要進行用於進行此步驟的儀器中之減壓操作或獨立提供減壓裝置，且因此在多數情況中，儀器不會變得複雜。
此步驟中的周圍溫度未特別受限，較佳為20℃至25℃。
該可冷凝氣體的特定實例包括氟碳化物類，諸如：氟氯碳化物(CFC)，像是三氯氟甲烷；氟碳化物(FC)；氫氟氯碳化物(HCFC)；氫氟碳化物(HFC)，諸如1,1,1,3,3-五氟丙烷(CHF2CH2CF3、HFC-245fa、PFP)；以及氫氟醚(HFE)，諸如五氟乙基甲基醚(CF3CF2OCH3、HFE-245mc)。
在該些可冷凝氣體中，從該模接觸步驟中的周圍溫度為20℃至25℃的觀點，1,1,1,3,3-五氟丙烷(在23℃的蒸氣壓：0.14MPa，沸點：15℃)、三氯氟甲烷(在23℃的蒸氣壓：0.1056MPa，沸點：24℃)、以及五氟甲基乙醚為較佳者，該填充性質優異。又，從優異安全性的觀點，1,1,1,3,3-五氟丙烷係特佳者。
該等可冷凝氣體的一種可單獨使用，或彼等之二或更多種可以混合物使用。此外，該含有該可冷凝氣體的氣體可為單一可冷凝氣體，或可為該可冷凝氣體及非可冷凝氣體的混合氣體。該非可冷凝氣體的實例包括空氣、氮、二氧化碳、氦、以及氬。其中，從該光可固化組成物21至該模表面上微細圖案的凹處之填充性質令人滿 意的觀點，氦為較佳者。在該非可冷凝氣體係氦的情況中，當該可冷凝氣體及氦的混合氣體於該模接觸步驟中連同(部分)經施用之膜26填至該模24表面上的微細圖案之凹處中時，該可冷凝氣體液化且氦可滲穿該模24。
<對準步驟(步驟[3]，圖2C)>
在該模接觸步驟(圖2B)後，如圖2C所描繪，驅動該模24而使模邊對準標示25及基材(待加工處理之基材)邊對準標示23置於相同位置。
作為用於在此步驟中對準的特定方法，可考慮涉及使用不會固化該光可固化組成物21的光(可見光等等)之方法。舉例而言，該模邊對準標示25及該基材邊對準標示23係以來自光源(未顯示)的光照射(入射光A，未顯示)，且來自該模邊對準標示25的光及來自該基材邊對準標示23的光(輸出光B，未顯示)係以對準攝相機偵測。接著，藉由移動該基材22來調整該基材22的位置，而使入射光A及輸出光B之間的位移減少。應注意的是，在此情況中，較佳的是，該入射光A及該輸出光B為經反射光或經繞射光，只要它們為經反射光及經繞射光。又，該模邊對準標示25及該基材邊對準標示23較佳為具有非均一結構，且更佳為具有具有週期性之非均一結構。
<光照射步驟(步驟[4]，圖2D)>
接著，如圖2D所描繪，介於該光可固化組成物21及該模24之間的接觸部分，更特定言之，填至該模24的該微細圖案中之該經施用之膜26，係以光穿透該模24來照射(圖2D)。因此，填至該模24的該微細圖案中之該經施用之膜26係以該照射光而固化，以形成經固化之膜28(圖2D)。
在此，照射組構成填至該模24的該微細圖案中的該經施用之膜26之該光可固化組成物21的光，係依照該光可固化組成物21的敏感波長來選擇。特定言之，較佳的是，適當選擇並使用具有波長為150奈米或更高及400奈米或更低的紫外光、X-射線、電子束或類似者。
在該些光中，照射該光可固化組成物21的光(照射光27)特佳為紫外光。這是因為許多商業上可獲得以作為固化助劑(光聚合引發劑)的化合物對紫外光具敏感性。在此，紫外光之光源的實例包括高壓汞燈、超高壓汞燈、低壓汞燈、深UV燈、碳弧燈、化學燈、金屬鹵化物燈、氙燈、KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、及F2準分子雷射。其中，超高壓汞燈係特佳者。此外，所使用的光源數目可為一或多個。又，填至該模24的微細圖案的該經施用之膜26的整個表面可以光照射，或其表面的一部分可以光照射。
又，該光照射可在整個區域中間歇進行複數次，或可在整個區域中連續進行。
在本發明中，在此步驟中，該光可固化組成 物21的曝露劑量較佳為30mJ/cm2或更低。
限制曝露劑量的理由說明如下。在本發明的 製造膜之方法中，一連串包括步驟[1]至[5]的該步驟，亦包括後面說明的步驟[5]，係對相同基材(待加工處理之基材)重覆複數次。包括一連串該步驟(步驟[1]至[5])的重覆單元被稱為"製程操作(shot)"。
在此步驟中若當照射該光可固化組成物21的 光量(曝露劑量)高時，經由該基材22吸收的照射光在基材22中產生熱(曝露熱)。接著，由產生的熱所造成的該基材22之熱應變延伸至經光照射的區域以及相鄰於該區域(經光照射)的區域。在此，熱膨脹量係以下列來計算：矽基材(線性熱膨脹係數：2.6ppm/K)係用作為該基材22(待加工處理之基材)，曝露區域係設定為26mm×33mm的長方形，且紫外光曝露劑量係設定為90mJ/cm2。接著，在該曝露區域的末端部分發生最大2.9nm的熱膨脹。因此，在用於曝露該光可固化組成物21的光的曝露劑量高的情況中，下一個製程操作通常對該基材22上相鄰位點進行，且因此在下一個製程操作，上述之熱膨脹仍留存在該曝露區域末端部分中，結果為下一個製程操作的對準準確度劣化。在此情況中，當照射該光可固化組成物21的光(紫外光)的曝露劑量設定至以30mJ/cm2，就計算而言，該熱膨脹可被減少至1nm或更低。
<脫模步驟(步驟[5]，圖2E)>
接著，該經固化之膜28及該模24互相脫離(圖2E)。在此時，具有預定圖案形狀之經固化之膜28a形成於該基材上22。在此步驟(脫模步驟)中，如圖2E中所描繪，當該經固化之膜28及該模24互相脫離，獲得經固化之膜28a，其具有在步驟[4](光照射步驟)中該模24上形成的微細圖案的顛倒圖案之圖案形狀。
將該經固化之膜28及該模24互相脫離的方法未特別受限，只要該經固化之膜28的部分於脫離期間不會物理性破裂，且用於該脫離的各種條件等等也未特別受限。舉例而言，該脫離可如下述來進行。將該基材22(待加工處理之基材)固定，且移動該模24，使得該模24可自該基材22遠離。或者，該脫離可如下述來進行。將該模24固定，且移動該基材22，使得該基材22可自該模24遠離。或者，該脫離可藉由將該基材22與該模24兩者以互相完全相反的方向拉離來進行。
透過上述包括步驟[1]至[5]的一連串步驟(製造程序)，可獲得具有在所欲之位置的所欲之非均一圖案形狀(由該模24的非均一形狀所提供之圖案形狀)的經固化之膜。所得的經固化之膜28a亦可被利用作為光學構件，例如夫瑞奈(Fresnel)透鏡或繞射光柵(包括該產物係用作為該光學構件的一個部件之情況)。在此種情況中，該經固化之膜28a可提供作為光學組件，其至少包括該基材22以及具有圖案形狀置於該基材22上之該經固化 之膜28a。
此外，當該模接觸步驟係於含有該可冷凝氣 體的氣體之氣氛下進行時，會觀察到該下列趨勢：於該脫模步驟中該經固化之膜28及該模24互相脫離時，該可冷凝氣體隨該經固化之膜28及該模24互相接觸的界面處壓力下降而蒸發，且因此展現脫離力減少效果。
<重覆步驟[1]至[5]>
圖3係描繪包括於本發明之製造膜之方法的步驟流程的流程圖。在本發明的製造膜之方法中，如該步驟[4]中所述，該重覆單元(製程操作)包括該步驟[1](墨液噴注)、該步驟[2](下壓)、該步驟[3](對準)、該步驟[4](光照射)、以及該步驟[5](脫模)，可進行複數次(圖3)。即，一段製程操作涉及進行一次該步驟[1]至[5]。具有複數個在所欲位置的所欲之非均一圖案形狀(該模24的非均一形狀所提供之圖案形狀)於該基材22(待加工處理之基材)上的經固化之膜，可藉由對該相同的基材22(待加工處理之基材)重覆該製程操作複數次而獲得。應注意的是，不同於圖3中所繪示之製程操作的數目限於四個(製程操作1至製程操作4)的情況，本發明的製造膜之方法中，製程操作的數目未限定。
從一個製程操作中的脫模步驟至下一個製程操作中的對準步驟的所需時間較佳為設定至1.2秒或更低。此所需時間為圖3中的△t所代表之時間，且特定言 之，係指從先前製程操作中的光照射步驟結束至下一個製程操作中的對準步驟開始之時間。應注意的是，如用於此處，該下一個製程操作係指先前製程操作的下一個製程操作。舉例而言，在該先前製程操作為圖3的製程操作1的情況中，下一個製程操作對應圖3的製程操作2。
<移除部分經固化之膜的剩餘膜移除步驟(步驟[6]，圖2F)>
雖然在該步驟[5](脫模步驟)中獲得之經固化之膜28a具有特定圖案形狀，該膜的一部分可以剩餘膜存在，即使是在該圖案形狀被形成區以外的區域(此種膜部分在下列說明中被稱為"剩餘膜")。在此種情況中，如圖2F中所描繪，具有所欲之非均一圖案形狀(該模24的非均一形狀所提供之圖案形狀)的經固化之產物圖案30，可藉由移除仍留在具有圖案形狀的該所獲得之經固化之膜28a的待移除區域中的該經固化之膜(剩餘膜)而獲得。
在此，移除該剩餘膜的方法係例如涉及藉由例如蝕刻該經固化之膜28a的圖案之凹處以曝露該基材22表面，移除仍殘留在該經固化之膜28a的凹處中的膜(剩餘膜)之方法。
當仍留在該經固化之膜28a的凹處中之膜藉由蝕刻來移除時，用於彼之特定方法未特別受限，且可使用諸如乾式蝕刻的習知方法。習知的乾式蝕刻儀器可用於乾式蝕刻中。此外，在乾式蝕刻時，來源氣體係取決於作 為待蝕刻之膜的該經固化之膜的元素組成而適當地選擇。舉例而言，可以使用例如CF4、C2F6、C3F8、CCl2F2、CCl4、CBrF3、BCl3、PCl3、SF6、或Cl2的鹵素系氣體、例如O2、CO、或CO2的含有氧原子之氣體、諸如He、N2、或Ar的惰性氣體、或H2或NH3的氣體。應注意的是，該些氣體可被用作為混合物。
具有所欲之非均一圖案形狀(該模24的非均一形狀所提供的圖案形狀)在所欲位置的該經固化之產物圖案30，可藉由包括該步驟[1]至[6]的生產製程來獲得。此外，同時以此，可獲得具有該經固化之產物圖案30的物件。又，在透過使用該獲得之經固化之產物圖案30來加工處理該基材22的情況中，進行後述之基材加工處理步驟(步驟[7])。
另一方面，光學組件亦可透過使用該獲得之經固化之產物圖案30作為例如繞射光柵或偏光板的光學構件來獲得(包括該產物用作為該光學構件的一個部件之例子)。在此種情況中，該經固化之產物圖案30可被提供作為光學組件，其至少包括該基材22以及配置於該基材22上之該經固化之產物圖案30。
<基材處理步驟(步驟[7]，圖2G)>
本實施態樣具有藉由製造具有圖案形狀之膜之方法所獲得之非均一圖案形狀的經固化之產物圖案30，可被利用作為例如典型為半導體元件(諸如LSI、系統LSI、 DRAM、SDRAM、RDRAM、或D-RDRAM)的電子組件之層間絕緣膜，且亦可被利用作為製造半導體元件時的光阻膜。
在使用該經固化之產物圖案30作為光阻膜之 情況中，電子構件係藉由例如對部分於該蝕刻步驟期間對應步驟[5]表面曝露的基材(圖2F的區域22a)蝕刻或離子植入來提供。因此，可獲得欲用於半導體等等之電路板，其中基於該經固化之產物圖案30的圖案形狀的電路結構31(圖2G)係形成於該基材22上。應注意的是，該經固化之產物圖案30作為遮罩。又，諸如顯示器、攝相機、或醫療配備的電子組件可例如藉由形成用於控制該電路板之控制機構以及藉由連接該控制機構至該電路板來形成。又，同樣地，光學組件亦可藉由進行例如透過使用該經固化之產物圖案30作為光阻膜來蝕刻或離子植入而獲得。
應注意的是，當製造該具有電路或該電子組 件的基材時，該經固化之產物圖案30可最終從該經加工處理之基材移除，但亦可採用該經固化之產物圖案30留下作為元件組成構件的此種架構。
實施例
下文將藉由實施例詳細說明本發明，但本發明的技術範圍並不限於下文所述之實施例。
[實施例1] (1)製備光可固化組成物(a-1)
首先，將示於下列的組分(A)及組分(B)摻合。該生成混合物以具有孔洞直徑為0.2μm的超高分子量聚乙烯所製之濾器過濾，以製備此實施例之光可固化組成物(a-1)(實施例1)。
(1-1)組分(A)：總共94重量分
<A-1>丙烯酸異莰酯(Kyoeisha Chemical Co.,Ltd.所產製，商標名：IB-XA)：9.0重量分
<A-2>丙烯酸苄酯(Osaka Organic Chemical Industry Ltd.所產製，商標名：V#160)：38.0重量分
<A-3>二丙烯酸新戊二醇酯(Kyoeisha Chemical Co.,Ltd.所產製，商標名：NP-A)：47.0重量分
(1-2)組分(B)：總共3重量分
<B-1>由下列式(2)所示之2-苄基-2-二甲胺基-1-(4-啉基苯基)-1-丁酮(商標名：Irgacure369，BASF所產製)：3重量分
(2)藉由衰減全反射紅外線光譜術評估聚合轉化比
取約10μL的該經製備之光可固化組成物(a-1)並滴至衰減全反射紅外線分光測定裝置上的鑽石ATR晶體上，以形成經施用之膜。接著，將該光可固化組成物(a-1)的經施用之膜以具有厚度為1mm的石英玻璃覆蓋。
接著，將該經施用之膜自超高壓汞燈的UV光源發出的光從石英玻璃上照射10秒。應注意的是，發自該UV光源的光於到達該經施用之膜之前，依所提之順序穿過於之後說明的干擾濾光片及石英玻璃。又，VPF-25C-10-15-31300(SIGMAKOKI CO.,LTD.所產製)係用作為供光照射之用的該干涉濾光片。在此時，該作為照射光的紫外光之波長設定至313±5nm的單一波長光，且照度設定至0.12mW/cm2。又，在光照射期間，形成該光可固化組成物(a-1)的組分(A)含有的丙烯酸基團之減少速度(該組分(A)的聚合反應之反應速度)以下列方法評估。
衰減全反射紅外線光譜的測量與開始光照射該經施用之膜之時同時開始，且該測量係每秒進行2.7次同時持續該光照射，以獲得數據。在此，測量源自組分(A)的丙烯酸基團的810cm-1的峰面積強度達到光照射剛開始後起始值的50%或更低所需的最小曝露劑量(半衰曝露量(half decay exposure))，即，該聚合轉化比達到50%或更高所需的最小曝露劑量(半衰曝露劑量)。因此，該半衰曝露劑量為0.49mJ/cm2(照度：0.12 mW/cm2，曝露時間：4.1秒)。即，證實在0.12mW/cm2的照度及11.0秒的曝露時間的條件下，該聚合轉化比達到50%或更高。又，此值小於後述之比較例1的光可固化組成物(b-1)的值。即，經查該光可固化組成物(a-1)經充分固化，即使當曝露時間短於該光可固化組成物(b-1)的時間亦然。
(3)觀察奈米壓印圖案
接著，藉由下述之方法形成該光可固化組成物(a-1)的奈米壓印圖案，且以電子顯微鏡觀察奈米壓印圖案。
(3-1)配置步驟
將總共1440小滴之光可固化組成物(a-1)(每小滴為11pL)藉由噴墨法滴至300-mm矽晶圓上，該矽晶圓上已形成具有厚度為3nm的貼附促進層作為貼附層。應注意的是，各小滴經滴下，以使各小滴於尺寸寬26mm且長33mm的區域中為實質上相同間隔下來配置。
(3-2)模接觸步驟及光照射步驟
接著，將其上形成有28-nm線與間隙(L/S)圖案且未予以表面處理的石英模(尺寸為寬26mm，長33mm)與在該矽晶圓上的該光可固化組成物(a-1)接觸。
接著，與該石英模接觸30秒後，將該光可固 化組成物以藉由使用具備200-W汞氙燈(EXECURE 3000，HOYA CANDEO OPTRONICS CORPORATION所產製)的UV光源的UV光透過該石英模來照射。應注意的是，在以UV光照射中，將能夠選擇性透射具有波長為313±5nm的光的干擾濾光片(VPF-50C-10-25-31300，SIGMAKOKI CO.,LTD.所產製)置於UV光源及該石英模之間。此外，在波長為313nm下，UV光直接在該石英模下的照度設為40mW/cm2。UV光的照射係在0.75秒(曝露量：30mJ/cm2)條件下進行。
(3-3)脫模步驟
接著，藉由將該石英模於0.5mm/s的條件下拉起，將該石英模自該經光固化之膜脫離。
(3-4)以電子顯微鏡觀察奈米壓印圖案
以電子顯微鏡觀察距該奈米壓印圖案的四邊為6.75μm的區域，判定形成未有例如圖案傾塌之缺陷的令人滿意之圖案。應注意的是，該圖案傾塌係指其中至少部分28nm線與間隙(L/S)圖案的相鄰線係互相接觸的狀態。
如上所述，該光可固化組成物(a-1)以30 mJ/cm2的曝露劑量可形成令人滿意之圖案，且因此在下一個製程操作中餘留的熱應變為1nm或更低，因此，預期獲得了高對準準確度。
[實施例2] (1)製備光可固化組成物(a-2)
光可固化組成物(a-2)的製備與實施例1的方法相同，惟實施例1中的組分(B)改為3重量分由下列式(3)所代表的<B-2>2,4,6-三甲基苄醯基二苯基膦氧化物(商標名：Lucirin TPO(BASF所產製)及0.5重量分的<B-3>N,N,N',N'-四乙基-4,4'-二胺基二苯甲酮。
(2)藉由衰減全反射紅外線光譜術評估聚合轉化比
該光可固化組成物(a-2)的半衰曝露劑量以如同實施例1的方式測量，為1.03mJ/cm2(照度：0.12mW/cm2，曝露時間：8.6秒)。即，證實在0.12mW/cm2的照度及11.0秒的曝露時間的條件下，該聚合轉化比達到50%或更高。又，此值小於後述之比較例1的光可固化組成物(b-1)的值。即，經查該光可固化組成物(a-2)經充分固化，即使當曝露時間短於該光可固化組成物(b-1)的時間亦然。
(3)觀察奈米壓印圖案
該光可固化組成物(a-2)的奈米壓印圖案係以如同實施例1中的方式形成，且以電子顯微鏡觀察該奈米壓印圖案，判定形成未有例如圖案傾塌之缺陷的令人滿意之圖案。
如上所述，該光可固化組成物(a-2)以30mJ/cm2的曝露劑量可形成令人滿意之圖案，且因此在下一個製程操作中餘留的熱應變為1nm或更低，因此，預期獲得了高對準準確度。
[實施例3] (1)製備光可固化組成物(a-3)
將下述的組分(A)、組分(B)、及添加劑組分(C)摻合。該生成混合物以具有孔洞直徑為0.2μm的超高分子量聚乙烯所製之濾器過濾，以製備光可固化組成物(a-3)。
(1-1)組分(A)：總共100重量分
<A-2>丙烯酸苄酯(Osaka Organic Chemical Industry Ltd.所產製，商標名：V#160)：50重量分
<A-4>二丙烯酸二羥甲基三環癸烷酯(Kyoeisha Chemical Co.,Ltd.所產製，商標名：DCP-A)：50重量分
(1-2)組分(B)：總共3.5重量分
<B-2>Lucirin TPO(BASF所產製)：3重量分
<B-3>4,4'-雙(二乙胺基)二苯甲酮(Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.所產製)：0.5重量分
(1-3)組分(A)及組分(B)以外的添加劑組分(C)：總共1.6重量分
<C-1>聚氧伸乙基硬脂基醚SR-730(AOKI OIL INDUSTRIAL CO.,LTD.所產製)：1.6重量分
(2)藉由衰減全反射紅外線光譜術評估聚合轉化比
該光可固化組成物(a-3)的半衰曝露劑量以如同實施例1的方式測量，為1.32mJ/cm2(照度：0.12mW/cm2，曝露時間：11.0秒)。即，證實在0.12mW/cm2的照度及11.0秒的曝露時間的條件下，該聚合轉化比達到50%或更高。又，此值小於後述之比較例1的光可固化組成物(b-1)的值。即，經查該光可固化組成物(a-3)經充分固化，即使當曝露時間短於該光可固化組成物(b-1)的時間亦然。
在涉及使用該光可固化組成物(a-3)的奈米壓印方法中，預期會如同實施例1及2的方法，未有諸如圖案傾塌之缺陷，且獲得高對準準確度。
[實施例4] (1)製備光可固化組成物(a-4)
將下述的組分(A)、組分(B)、及添加劑組分(C)摻合。該生成混合物以具有孔洞直徑為0.2μm的超高分子量聚乙烯所製之濾器過濾，以製備光可固化組成物(a-4)。
(1-1)組分(A)：總共100重量分
<A-2>丙烯酸苄酯(Osaka Organic Chemical Industry Ltd.所產製，商標名：V#160)：60重量分
<A-4>二丙烯酸二羥甲基三環癸烷酯(Kyoeisha Chemical Co.,Ltd.所產製，商標名：DCP-A)：40重量分
(1-2)組分(B)：總共3.5重量分
<B-2>Lucirin TPO(BASF所產製)：3重量分
<B-3>4,4'-雙(二乙胺基)二苯甲酮(Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.所產製)：0.5重量分
(1-3)組分(A)及組分(B)以外的添加劑組分(C)：總共1.6重量分 <C-1>聚氧伸乙基硬脂基醚SR-730(AOKI OIL INDUSTRIAL CO.,LTD.所產製)：1.6重量分 (2)藉由衰減全反射紅外線光譜術評估聚合轉化比
該光可固化組成物(a-4)的半衰曝露劑量以如同實 施例1的方式測量，為1.28mJ/cm2(照度：0.12mW/cm2，曝露時間：10.7秒)。即，證實在0.12mW/cm2的照度及11.0秒的曝露時間的條件下，該聚合轉化比達到50%或更高。又，此值小於後述之比較例1的光可固化組成物(b-1)的值。即，經查該光可固化組成物(a-4)經充分固化，即使當曝露時間短於該光可固化組成物(b-1)的時間亦然。
在涉及使用該光可固化組成物(a-4)的奈米壓印方法中，預期會如同實施例1及2的方法，未有諸如圖案傾塌之缺陷，且獲得高對準準確度。
[實施例5] (1)製備光可固化組成物(a-5)
將下述的組分(A)、組分(B)、及添加劑組分(C)摻合。該生成混合物以具有孔洞直徑為0.2μm的超高分子量聚乙烯所製之濾器過濾，以製備光可固化組成物(a-5)。
(1-1)組分(A)：總共100重量分
<A-2>丙烯酸苄酯(Osaka Organic Chemical Industry Ltd.所產製，商標名：V#160)：50重量分
<A-5>由下列式(4)所示之二丙烯酸苯基乙二醇酯：50重量分
(1-2)組分(B)：總共3.5重量分
<B-2>Lucirin TPO(BASF所產製)：3重量分<B-3>4,4'-雙(二乙胺基)二苯甲酮(Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.所產製)：0.5重量分
(1-3)組分(A)及組分(B)以外的添加劑組分(C)：總共0.8重量分 <C-3>聚氧伸乙基硬脂基醚EMULGEN 320P(Kao Corporation所產製)：0.8重量分 (2)藉由衰減全反射紅外線光譜術評估聚合轉化比
該光可固化組成物(a-5)的半衰曝露劑量以如同實施例1的方式測量，為1.12mJ/cm2(照度：0.12mW/cm2，曝露時間：9.3秒)。即，證實在0.12mW/cm2的照度及11.0秒的曝露時間的條件下，該聚合轉化比達到50%或更高。又，此值小於後述之比較例1的光可固化組成物(b-1)的值。即，經查該光可固化組成物(a-5)經充分固化，即使當曝露時間短於該光可固化組成物(b-1)的時間亦然。
在涉及使用該光可固化組成物(a-5)的奈米壓印方法中，預期會如同實施例1及2的方法，未有諸如圖案傾塌之缺陷，且獲得高對準準確度。
[實施例6] (1)製備光可固化組成物(a-6)
將下述的組分(A)、組分(B)、及添加劑組分(C)摻合。該生成混合物以具有孔洞直徑為0.2μm的超高分子量聚乙烯所製之濾器過濾，以製備光可固化組成物(a-6)。
(1-1)組分(A)：總共100重量分
<A-2>丙烯酸苄酯(Osaka Organic Chemical Industry Ltd.所產製，商標名：V#160)：50重量分
<A-6>由下列式(5)所示之二丙烯酸間伸茬酯：50重量分
(1-2)組分(B)：總共3.5重量分
<B-2>Lucirin TPO(BASF所產製)：3重量分
<B-3>4,4'-雙(二乙胺基)二苯甲酮(Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.所產製)：0.5重量分
(1-3)組分(A)及組分(B)以外的添加劑組分(C)：總共0.8重量分 <C-3>聚氧伸乙基硬脂基醚EMULGEN 320P(Kao Corporation所產製)：0.8重量分 (2)藉由衰減全反射紅外線光譜術評估聚合轉化比
該光可固化組成物(a-6)的半衰曝露劑量以如同實施例1的方式測量，為0.79mJ/cm2(照度：0.12mW/cm2，曝露時間：6.6秒)。即，證實在0.12mW/cm2的照度及11.0秒的曝露時間的條件下，該聚合轉化比達到50%或更高。又，此值小於後述之比較例1的光可固化組成物(b-1)的值。即，經查該光可固化組成物(a-6)經充分固化，即使當曝露時間短於該光可固化組成物(b-1)的時間亦然。
在涉及使用該光可固化組成物(a-6)的奈米壓印方法中，預期會如同實施例1及2的方法，未有諸如圖案傾塌之缺陷，且獲得高對準準確度。
[比較例1] (1)製備光可固化組成物(b-1)
光可固化組成物(b-1)的製備與實施例1的方法相同，惟實施例1中的組分(B)改為3重量分的<B-4> Irgacure 651(BASF所產製)。
(2)藉由衰減全反射紅外線光譜術評估光聚合速度
該光可固化組成物(b-1)的半衰曝露量以如同實施例1的方式測量，為6.3mJ/cm2(照度：0.12mW/cm2，曝露時間：52.5秒)。即，證實在0.12mW/cm2的照度及11.0秒的曝露時間的條件下，該聚合轉化比低於50%。又，該半衰曝露量的值大於上述之實施例1的該光可固化組成物(a-1)及上述之實施例2的該光可固化組成物(a-2)的值。即，經查該光可固化組成物(b-1)需要曝露劑量大於該光可固化組成物(a-1)及(a-2)的各者的曝露劑量以充分固化。
(3)觀察奈米壓印圖案
該光可固化組成物(b-1)的奈米壓印圖案係以如同實施例1中的方式形成，且以電子顯微鏡觀察該奈米壓印圖案，判定約50%或更高的圖案具有例如傾塌之缺陷。
又，調查該光可固化組成物(b-1)形成令人滿意之圖案而未有例如圖案傾塌之缺陷所需的最小曝露劑量，發現為190mJ/cm2或更高。可預測的是，以此曝露劑量，在下一個製程操作餘留的熱應變係2.9nm或更高，且對準準確度低於實施例1及2之各者的對準準確度。
[比較例2] (1)製備光可固化組成物(b-2)
光可固化組成物(b-2)的製備與實施例1的方法相同，惟實施例1中的組分(B)改為4重量分的<B-2>Lucirin TPO(BASF所產製)。
(2)藉由衰減全反射紅外線光譜術評估光聚合速度
該光可固化組成物(b-2)的半衰曝露劑量以如同實施例1的方式測量，為1.33mJ/cm2(照度：0.12mW/cm2，曝露時間：11.1秒)。即，證實在0.12mW/cm2的照度及11.0秒的曝露時間的條件下，該聚合轉化比低於50%。又，該半衰曝露劑量的值大於上述之實施例1的該光可固化組成物(a-1)及上述之實施例2的該光可固化組成物(a-2)的值。即，經查該光可固化組成物(b-2)需要曝露劑量大於該光可固化組成物(a-1)及(a-2)的各者的曝露劑量以充分固化。
(3)觀察奈米壓印圖案
該光可固化組成物(b-2)的奈米壓印圖案係以如同實施例1中的方式形成，且以電子顯微鏡觀察該奈米壓印圖案，判定約50%或更高的圖案具有例如傾塌之缺陷。
又，調查該光可固化組成物(b-2)形成令人滿意之圖案而未有例如圖案傾塌之缺陷所需的最小曝露劑量，發現為60mJ/cm2或更高。可預測的是，以此曝露劑 量，在下一個製程操作餘留的熱應變係2.9nm或更高，且對準準確度低於實施例1及2之各者的對準準確度。
如上所述，本發明之製造膜之方法可製造具有高對準準確度且具有較少圖案傾塌缺陷之膜。又，本發明之製造膜之方法可用於製造光學組件、電路板、電子組件等等。
雖然已參照例示性實施態樣來說明本發明，但應瞭解的是本發明並不限於所揭示之該等例示性實施態樣。後附請求項之範圍應予最廣義之解釋，以涵括所有此類修改以及等效的結構與功能。
27‧‧‧照射光
28‧‧‧經固化之膜

Claims (20)

  1. 一種製造膜之方法，其包含：配置光可固化組成物於基材上之配置步驟；將該光可固化組成物與模互相接觸之模接觸步驟；以光照射該光可固化組成物以形成經固化之產物之光照射步驟；以及將該經固化之產物與該模互相脫離之脫模步驟，其中該方法進一步包含在該光照射步驟前將該模及該基材互相對準之對準步驟，其中該光可固化組成物至少含有作為組分(A)的可聚合之化合物以及作為組分(B)的光聚合引發劑，且其中，當在0.12mW/cm2的照度及11.0秒的曝露時間的條件下曝光時，該可聚合之化合物具有50%或更高的聚合轉化比。
  2. 如請求項1之製造膜之方法，其包含介於該模接觸步驟及該光照射步驟之間的該對準步驟。
  3. 如請求項1之製造膜之方法，其中在該光照射步驟中，該光可固化組成物的曝露劑量係30mJ/cm2或更低。
  4. 如請求項2之製造膜之方法，其中當該配置步驟、該模接觸步驟、該對準步驟、該光照射步驟、以及該脫模步驟係被定義為一個製程操作時，從製程操作中的該脫模步驟至接續的製程操作中的該對準步驟之所需時間係1.2秒或更低。
  5. 如請求項1之製造膜之方法，其中該光可固化組成物含有作為該組分(A)之(甲基)丙烯酸系化合物。
  6. 如請求項1之製造膜之方法，其中含於該光可固化組成物中的該組分(A)包含90重量%或更高的(甲基)丙烯酸系化合物。
  7. 如請求項1之製造膜之方法，其中該組分(A)包括至少下列任一者：丙烯酸異莰酯、丙烯酸苄酯、二丙烯酸新戊二醇酯、二丙烯酸1,6-己二醇酯、二丙烯酸二羥甲基三環癸烷酯、二丙烯酸苯基乙二醇酯、二丙烯酸間伸茬酯、及丙烯酸2-萘基甲酯。
  8. 如請求項1之製造膜之方法，其中該光可固化組成物含有下列中之一者作為該組分(B)：芳族酮衍生物及膦氧化物衍生物。
  9. 如請求項1之製造膜之方法，其中該光可固化組成物含有作為該組分(B)之2-苄基-2-二甲胺基-1-(4-啉基苯基)-1-丁酮。
  10. 如請求項1之製造膜之方法，其中該光可固化組成物含有作為該組分(B)之2,4,6-三甲基苄醯基二苯基膦氧化物。
  11. 如請求項1之製造膜之方法，其中該光可固化組成物含有作為該組分(B)之N,N,N',N'-四乙基-4,4'-二胺基二苯甲酮。
  12. 如請求項1之製造膜之方法，其中該模接觸步驟係於含有可冷凝氣體之氣體的氣氛中進行。
  13. 如請求項12之製造膜之方法，其中該可冷凝氣體包含1,1,1,3,3-五氟丙烷。
  14. 如請求項12之製造膜之方法，其中該含有該可冷凝氣體之氣體包含1,1,1,3,3-五氟丙烷及氦的混合氣體。
  15. 一種製造光學組件之方法，其包含藉由如請求項1之製造膜之方法來獲得具有預定圖案形狀之膜。
  16. 一種製造光學組件之方法，其包含：藉由如請求項1之製造膜之方法來獲得具有預定圖案形狀之膜之膜形成步驟；以及透過使用該膜的該圖案形狀作為遮罩對基材進行蝕刻及離子植入之一者的基材加工處理步驟。
  17. 一種製造電路板之方法，其包含：藉由如請求項1之製造膜之方法來獲得具有預定圖案形狀之膜之膜形成步驟；透過使用該膜的該圖案形狀作為遮罩對基材進行蝕刻及離子植入之一者的基材加工處理步驟；以及形成電子構件於該基材上之步驟。
  18. 一種製造電子組件之方法，其包含：藉由如請求項17之製造電路板之方法來獲得電路板；以及將該電路板及用於控制該電路板之控制機構互相連接。
  19. 一種光可固化組成物，其至少包含： 作為組分(A)之可聚合之化合物；以及作為組分(B)之光聚合引發劑，其中，當在0.12mW/cm2的照度及11.0秒的曝露時間的條件下曝光時，該可聚合之化合物具有50%或更高的聚合轉化比。
  20. 如請求項19之光可固化組成物，其係用於光奈米壓印。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI728108B (zh) * 2016-05-11 2021-05-21 日商迪愛生股份有限公司 光壓印用硬化性組成物及使用其之圖案轉印方法

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6643802B2 (ja) * 2014-05-09 2020-02-12 キヤノン株式会社 硬化性組成物、その硬化物、硬化物の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、および電子部品の製造方法
JP6624808B2 (ja) * 2014-07-25 2019-12-25 キヤノン株式会社 光硬化性組成物、これを用いた硬化物パターンの製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法
JP6324363B2 (ja) 2014-12-19 2018-05-16 キヤノン株式会社 インプリント用光硬化性組成物、これを用いた膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法
WO2017130853A1 (ja) * 2016-01-25 2017-08-03 キヤノン株式会社 パターン形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法、インプリントモールドの製造方法
US10845700B2 (en) 2016-03-31 2020-11-24 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10883006B2 (en) 2016-03-31 2021-01-05 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10829644B2 (en) 2016-03-31 2020-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10754243B2 (en) 2016-03-31 2020-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10578965B2 (en) 2016-03-31 2020-03-03 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method
US10754245B2 (en) 2016-03-31 2020-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10754244B2 (en) 2016-03-31 2020-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
WO2017175668A1 (ja) 2016-04-08 2017-10-12 キヤノン株式会社 硬化物パターンの形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法、インプリントモールドの製造方法、およびインプリント前処理コート用材料
WO2018164015A1 (ja) * 2017-03-08 2018-09-13 キヤノン株式会社 パターン形成方法、インプリント前処理コーティング材料、及び基板の前処理方法
KR102256347B1 (ko) * 2017-03-08 2021-05-27 캐논 가부시끼가이샤 패턴 형성 방법, 및 가공 기판, 광학 부품 및 석영 몰드 레플리카의 제조 방법, 및 임프린트 전처리 코팅 재료 및 그와 임프린트 레지스트와의 세트
JP7175092B2 (ja) * 2018-03-16 2022-11-18 東京応化工業株式会社 光硬化性組成物及びパターン形成方法
KR101989533B1 (ko) 2018-06-12 2019-06-14 주식회사 엘지화학 분리막을 포함하는 리튬 이차 전지 및 이의 제조방법
JP7077178B2 (ja) * 2018-08-09 2022-05-30 キヤノン株式会社 パターン形成方法
TW202146466A (zh) * 2020-02-20 2021-12-16 南韓商東進世美肯股份有限公司 光聚合性組成物、由此形成之光學部件和顯示裝置
US11752519B2 (en) 2020-06-19 2023-09-12 Canon Kabushiki Kaisha Planarization method and photocurable composition
JP2023553373A (ja) * 2020-11-27 2023-12-21 ドンジン セミケム カンパニー リミテッド 光重合性組成物、それから形成された光学部材および表示装置

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4825050B1 (zh) * 1968-11-07 1973-07-26
US4144156A (en) * 1976-04-14 1979-03-13 Basf Aktiengesellschaft Manufacture of unsymmetric monoacetals of aromatic 1,2-diketones employable as photoiniatiators
DE3879278D1 (zh) * 1987-06-05 1993-04-22 Ciba-Geigy Ag, Basel, Ch
US4917977A (en) * 1988-12-23 1990-04-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Visible sensitizers for photopolymerizable compositions
US6020093A (en) * 1998-05-13 2000-02-01 Toyo Gosei Kogyo, Ltd. Photosensitive compounds, photosensitive resin compositions, and pattern formation method making use of the compounds or compositions
US6839885B2 (en) * 2002-08-22 2005-01-04 Agilent Technologies, Inc. Determining via placement in the printed circuit board of a wireless test fixture
US20060081557A1 (en) * 2004-10-18 2006-04-20 Molecular Imprints, Inc. Low-k dielectric functional imprinting materials
JP4749760B2 (ja) * 2005-05-12 2011-08-17 東京応化工業株式会社 三次元微小成形体の製造方法
JP4290177B2 (ja) 2005-06-08 2009-07-01 キヤノン株式会社 モールド、アライメント方法、パターン形成装置、パターン転写装置、及びチップの製造方法
JP5117002B2 (ja) * 2006-07-10 2013-01-09 富士フイルム株式会社 光硬化性組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP5196933B2 (ja) * 2006-09-27 2013-05-15 富士フイルム株式会社 光ナノインプリントリソグラフィ用硬化性組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP2008155344A (ja) * 2006-12-26 2008-07-10 Hitachi Chem Co Ltd 液状光重合性組成物、それを用いたナノ構造物およびその製造方法
JP4922774B2 (ja) * 2007-01-26 2012-04-25 株式会社東芝 パターン形成方法及びパターン形成用モールド
JP5065101B2 (ja) * 2008-03-05 2012-10-31 東洋合成工業株式会社 パターン形成方法
JP2009209337A (ja) 2008-03-06 2009-09-17 Fujifilm Corp ナノインプリント用硬化性組成物、これを用いた硬化物およびその製造方法、並びに、液晶表示装置用部材
JP2010073811A (ja) 2008-09-17 2010-04-02 Fujifilm Corp ナノインプリント用硬化性組成物、これを用いた硬化物、並びに、液晶表示装置用部材
JP2010100785A (ja) 2008-10-27 2010-05-06 Fujifilm Corp 感光性組成物および加工基板の製造方法
JP2010114209A (ja) 2008-11-05 2010-05-20 Fujifilm Corp 光ナノインプリント用硬化性組成物、硬化物およびその製造方法
KR101509765B1 (ko) 2008-12-23 2015-04-06 엘지이노텍 주식회사 태양전지
DE102009014276A1 (de) * 2009-03-20 2010-09-23 Schaeffler Technologies Gmbh & Co. Kg Käfig für ein Wälzlager
JP2010245130A (ja) * 2009-04-01 2010-10-28 Jsr Corp スタンパ及びこれを用いた光インプリントリソグラフィ方法
JP2011111553A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Fujifilm Corp インプリント用硬化性組成物、硬化物および硬化物の製造方法
JP2011146447A (ja) 2010-01-12 2011-07-28 Canon Inc インプリント装置及び物品の製造方法
JP2011157482A (ja) * 2010-02-01 2011-08-18 Maruzen Petrochem Co Ltd 光インプリント用樹脂組成物、パターン形成方法、及びエッチングマスク
JP5599648B2 (ja) * 2010-05-12 2014-10-01 富士フイルム株式会社 微細パターン製造方法および微細パターン付き基板
JP2012031240A (ja) 2010-07-29 2012-02-16 Hitachi High-Technologies Corp 微細構造転写用の光重合性樹脂組成物
JP5751055B2 (ja) * 2010-11-30 2015-07-22 Jnc株式会社 光ナノインプリント用硬化性組成物および硬化性組成物から得られた硬化膜
TWI430310B (zh) 2010-12-20 2014-03-11 Primax Electronics Ltd 發光鍵盤
JP5537400B2 (ja) * 2010-12-22 2014-07-02 株式会社東芝 パターン形成方法及び装置
JP2012156357A (ja) * 2011-01-27 2012-08-16 Asahi Glass Co Ltd 表面に微細パターンを有する成型体の製造方法
JP5754965B2 (ja) * 2011-02-07 2015-07-29 キヤノン株式会社 インプリント装置、および、物品の製造方法
US20140037900A1 (en) 2011-04-15 2014-02-06 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Active-Energy-Curable Resin Composition, Molding, Microrelief Structure, Water-Repellent Article, Mold, and Method for Producing Microrelief Structure
JP5710553B2 (ja) 2011-08-25 2015-04-30 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン
JP2013089939A (ja) * 2011-10-24 2013-05-13 Dainippon Printing Co Ltd インプリント用テンプレート、インプリント用テンプレートの製造方法、およびインプリント方法
JP6012344B2 (ja) * 2011-10-24 2016-10-25 キヤノン株式会社 膜の形成方法
TWI471693B (zh) 2011-11-10 2015-02-01 Canon Kk 光可固化組成物，及使用彼之圖案化方法
JP2013110196A (ja) * 2011-11-18 2013-06-06 Bridgestone Corp 樹脂フィルムと基板とのアライメント方法
JP6108765B2 (ja) 2011-12-19 2017-04-05 キヤノン株式会社 光硬化性組成物およびパターン形成方法
JP5882922B2 (ja) 2012-01-19 2016-03-09 キヤノン株式会社 インプリント方法、およびインプリント装置
JP5959865B2 (ja) 2012-02-09 2016-08-02 キヤノン株式会社 光硬化物及びその製造方法
JP2013175684A (ja) * 2012-02-27 2013-09-05 Canon Inc 検出器、インプリント装置及び物品を製造する方法
JP5846974B2 (ja) 2012-03-13 2016-01-20 富士フイルム株式会社 光インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン
JP5930832B2 (ja) 2012-04-27 2016-06-08 キヤノン株式会社 光硬化物の製造方法
JP6000712B2 (ja) 2012-07-24 2016-10-05 キヤノン株式会社 樹脂の製造方法及び樹脂の製造装置
JP6176937B2 (ja) 2012-09-19 2017-08-09 キヤノン株式会社 インプリント用光硬化性組成物及び膜の製造方法
JP6278645B2 (ja) 2012-09-24 2018-02-14 キヤノン株式会社 光硬化性組成物及びこれを用いた膜の製造方法
JP6083895B2 (ja) 2013-02-12 2017-02-22 株式会社日立メタルプレシジョン 穿孔装置
JP6305058B2 (ja) 2013-03-05 2018-04-04 キヤノン株式会社 感光性ガス発生剤、光硬化性組成物
JP6328001B2 (ja) 2013-08-30 2018-05-23 キヤノン株式会社 インプリント用硬化性組成物、膜、膜の製造方法
JP6080813B2 (ja) 2013-08-30 2017-02-15 キヤノン株式会社 光インプリント用組成物、これを用いた、膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI728108B (zh) * 2016-05-11 2021-05-21 日商迪愛生股份有限公司 光壓印用硬化性組成物及使用其之圖案轉印方法
US11226553B2 (en) 2016-05-11 2022-01-18 Dic Corporation Photo-imprinting curable composition and pattern transferring method using the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP6482591B2 (ja) 2019-03-13
US10338467B2 (en) 2019-07-02
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