TW201218346A - Conductive pads defined by embedded traces - Google Patents

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Belgacem Haba
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Description

201218346 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於微電子裝置之形成，尤其是半導體墊之形 成。 本申請案請求於2010年丨丨月15日提出申請之韓國申請案 第10-2010-0113272號之優先權，本申請案之揭示内容以引 用之方式藉此併入本文中。 【先前技術】 微電子裝置一般包含通常稱作一晶粒或一半導體晶片之 一半導體材料（諸如矽或砷化鎵）之一薄板。半導體晶片通 常係以個別的預封裝單元形式提供。在一些單元設計中， 半導體晶片安裝至一基板或晶片載體，該基板或晶片載體 又安裝於一電路面板（諸如一印刷電路板）上。 主動電路製造於半導體晶片之一第一面（例如，一前表 面）中。為促進至主動電路的電連接，晶片在同一面上具 備接。墊接合塾-般係由厚約〇 5㈣之一導電金屬（諸 如銅或IS )製成。該等接合塾可包括—單個金屬層或多個 金屬層。接合塾之大小將隨裝置類型而變化但通常將在一 側上量測為數十或數百微米。 微電子裝置通常安裝於包括—介電it件之封裝中，該介 電元件上具有一組導電元件(諸如端子或其他導電墊)。一 經封裝晶片或在一些情形中一裸晶片可安裝至-電路面板 之導電墊並與其電互連。傳統上，此介電元件或電路面板 上之導電墊可係藉由光柵掃描或光微影而形成。此等製程 I55226.doc 201218346 可涉及缺點。藉由光柵掃描雷射形成導電塾可產生具有不 均勻平面之墊，此乃因每一連續經光栅掃描之段與先前段 部分地重疊。特別係對於小生產數量而言，光微影可效率 低下，此乃因設計、測試並校正針對一特定應用或系統最 佳化之一遮罩可係繁重的。 尺寸在任何晶片實體配置中皆係一重要考慮因素。對於 更緊湊的實體晶片配置之需求已隨著可攜式電子裝置之迅 速發展而變得更加強烈。僅藉助實例方式，通常稱作「智 能電話」之裝置將-蜂巢式電話之功能與強大的資料處理 器、記憶體及輔助裝置（諸如全球定位系統接收器、電子 相機及局域網路連接）以及高解析度顯示器及相關聯之影 像處理晶片整合在一起。此等裝置可將諸如全網際網路連 接性、包括全解析度視訊之娱樂、導航、電子銀行業務及 更多之能力全部提供於—袖珍型裝置中。複雜的可攜式裝 置需要將眾多晶片封裝至一小空間中。此外，肖等晶片中、 之一些晶片具有許多通常稱作「I/O」之輸入及輸出連 接。此等1/0須與其他晶片之&quot;ο互連。該等互連應較短且 應具有低阻抗以最小化信號傳播延遲。形成該等互連之組 件不應』著〜加该總成之尺寸。類似需要出現在其他應用 中’。如（例如）出現在諸如用於網際網路搜索引擎之資料飼 服器之資料@服器中。舉例而言’在複雜晶片之間提供眾 多車 彳&amp;阻抗互連之結構增加搜索引擎之頻寬並減小其 功率消耗。 儘管已在具有導 等电墊之組件之製造中做出或提出改進 155226.doc 201218346 但仍可做出進一步改良。 【發明内容】 本發明之一第一態樣係一種總成’其包括：一第一級 件，其包括具有一經曝露表面之—介電區；一導電墊，其 在該表面處從而准許該第一組件與—第二組件之電互連了 該導電塾係由-導電元件界定，科t元件具有在沿該表 面之一振盪或螺旋路徑中之至少—者中延伸之至少一部分 以使一理論直線與該路徑之至少三個段相交且該導電元二 之至少兩個晚鄰段係由不被該導電元件覆蓋之該表面之一 部分分離，該導電元件自該表面延伸至該表面上方之一高 度處之-頂部表面且沿該表面具有至少十倍於該高度之: 長度；及具有30(TC以下的一熔化溫度之一導電結合材 料，其接合至該導電墊且橋接該等至少兩個毗鄰二的 該表面之該經曝露部分，其中該導電元件具有延伸_該 頂部表面之邊緣表面且該導電結合材料接觸該導電元件之 s亥專頂部及邊緣表面。 根據此第一態樣之某些實施例’該總成可進—步包括具 有透過導電結合材料接合至導電墊的一端子之第二組件。' 該導電元件之路徑可不自身重疊或交又。該導電元件之路 徑可至少自身重疊或交叉。該導電元件可佔用小於由該墊 之最外邊緣界定之一圓形邊界内之介電區 〜衣面之一面積 的75%。該第-組件可進—步包括具有—基板表面之一基 板，該介電區至少部分地上覆於該基板表面上。該其板表 面可係該基板之一頂部表面，該基板進—步 乂昇有遠離該頂 155226.doc • 6 - 201218346 部表面之-底部表面，延伸於該頂部與底部表面之間之一 開口及安置於該底部表面處之一第二導電元件該整透過 該基板中之開口及該介電區中之一開口而電連接至該第二 導電元件。 該介電區之表面可曝露於該第一組件之經曝露表面處， 該第-組件進-步具有遠離該經曝露表面之一底部表面、 延伸於該頂部與底部表面之間之一開口及安置於該底部表 面處之-第二導電元件，該墊透過該第一組件中之開口及 該介電區中之-開口而電連接至該第二導電元件。該經曝 露表面可係-背面，且該第一組件可具有遠離該背面之一 正面及延伸於正面與背面之間之—開口，且其令該導電元 件曝露於該背面處且該導電元件之至少一部分沿該開口之 -内表面延伸。該第一組件可在該正面處具有至少一個觸 點，該至少—個觸點與該導電元件之間的電連接係透過該 開口進仃的。§亥第一組件可係具有毗鄰該正面之複數個主 動半導體裝置之一微電子元件。 6亥第一組件可係具有表面處的複數個觸點之一微電子元 件’且該總成可進一步包括電連接該導電墊與該複數個觸 財之至少—者之—跡線。該第一組件可係其上具有複數 個跡線之-介電元件，其中該導電塾與該等跡線中之至少 -者電連接。該表面可係一第一表面，該第一組件可係具 有遠 帛纟面之-第二表面處的複數個觸點之一微電 子几件2 5亥導電塾可與該複數個觸點中之至少一者電連 接。該導電結合材料可係谭料。該墊可包括-表面層，該 155226.doc 201218346 表面層包括錄或金中之至少二去 ^ 者’且導電結合材料接觸該 表面層。一系統可包括如上 又所闡述之一總成及電連接至 該總成之一個或多個其他電子組件。該系統可進一步包括 一外殼，該總成及該等其他電子組件安裝至該外殼。 本發明之一第二態樣係一種總成，其包括：一第—組 件，其包括具有一經曝露表面之一介電區；一連續凹槽， /、/CI «玄表面延伸且具有沿该表面於—彎曲路徑中延伸之至 少一部分，該凹槽具有安置於該表面下面之一底面；一導 電墊，其曝露於該表面處從而准許該第一組件與一第二組 件的電互連，該導電墊係由一導電元件界定，該導電元件 具有由6亥凹槽至少部分地界定之剖面尺寸，自該凹槽之該 底面延伸至該底面上方之一高度，且具有在沿該表面之一 振盪或螺旋路徑中之至少一者中延伸之至少一部分以使 理論直線與該路徑之至少三個段相交，該導電元件具有由 該介電區之該表面之一經曝露部分分離之至少兩個毗鄰 段，且該導電元件具有沿該表面至少十倍於該高度之一長 度；及具有300°C以下的一熔化溫度之一導電結合材料， 其接合至該導電墊且橋接該等至少兩個毗鄰段之間的該表 面之該經曝露部分。 根據此第二態樣之某些實施例，該第一組件可係具有其 表面處的複數個觸點及毗鄰該表面之複數個主動半導體裝 置之一微電子元件，且該總成可進一步包括電連接該導電 墊與該複數個觸點中之至少一者之一跡線。該第一組件可 係其上具有複數個跡線之一介電元件’其中該導電墊可與 155226.doc 201218346 該等跡線中之至少一者電連接。該表面可係一第一表面， 該第一組件可係在遠離該第一表面之一第二表面處具有複 數個觸點及毗鄰該第二表面之複數個主動半導體裝置之一 微電子元件，且該導電藝可與該複數個觸點中之至少一者 電連接。 該總成可進一步包括兮笛_ &amp; 栝°亥第一組件，導電結合材料將該導 電墊與該第二組件之-端子接合在一起。該導電結合材料 可係焊料。該第一組件可包括延伸於該正面與該背面之間 之一開口及沿該開口之-内表面延伸之導電元件之至少一 部分’凹槽之至少-部分沿該内表面延伸，導電元件在該 凹槽之該部分内延伸。該至少一個觸點與該導電元件之間 的電連接係透過該開口進行的。該導電元件之高度可大於 該介電區之底面與表面之間的一距離。該導電元件之高度 可等於或小於該介電區之底面與表面之間的一距離。 該塾之最外邊緣可相對於該表面界定一圓形或正方形形 狀的邊界。該導電元件之路徑可不自身重叠或交叉。該導 電元件之路徑可至少白身舌晶 自身重疊或交又。該導電元件可佔用 小於該邊界内之表面夕主 之表面積的75。/。。該導電元件之高度 可大於該底面盥該矣品4日日仏 、表面之間的一距離以使得該導電元件具 有曝露於該介電區之矣；老 表面處之頂部表面及遠離該頂部表面 而L伸之邊緣表面，導電結合材料接觸該導電元件之頂部 及邊緣表面。錢可包括一表面層，該表面層包括錄或金 中之至少一者。 該介電區之表面可溫讲 &gt; @ +露於该第一組件之經曝露表面處， 155226.doc 201218346 β第組件可進_步包括與該經曝露表面對置之—底部表 面、延伸於該經曝露表面與底部表面之間之一開口及上覆 於該底部表面上之-第二導電元件，該墊透過該第一組件 中之開π及該介電區中之—開σ而電連接至該第二導電元 件。該介電區可包括—焊料遮罩。該介電區可係、-聚合材 料該J電區可係一無機材料。該介電區可包括兩個或兩 個以j介電材料堆叠層，其至少兩㈣鄰層包括不同材 料° 一系統可包括如上文賴述之—總成及電連接至該總 =之一個或多個其他電子組件。該系統可進一步包括一外 叙，該總成及該等其⑽電子組件安裝i該外殼。 本發明之-第三態樣係—種在—第—組件上形成一導電 結構之方法，其包括⑷藉由移除一第一組件之—介電區之 口P刀而形成沿该介電區之一經曝露纟面延伸之一連續凹 槽，該凹槽具有在一彎曲路徑中延伸之至少一部分，該凹 槽具有安置於該表面下面之一庙 ^展面’（b)形成曝露於該表面 處從而准許該第-組件與—第二組件的電互連之一導電 墊’該導電塾係由具有由該凹槽之該路徑至少部分地界定 之』面尺寸及-路輕且自該凹槽之該底面延伸至該底面上 方之-高度之-導電元件界定，該導電元件具有在沿該表 面之一振盪或螺旋路徑中之至少一者中延伸之至少一部分 以使一理論直線與該路裡之至少三個段相交，該導電元件 具有由該表面之一部分公 刀刀離之至少兩個毗鄰段，該導電元 件具有沿該表面至少十倍於該高度之一長度，該導電元件 至少部分地嵌人於該凹槽中；及⑷執行以下操作中之一 155226.doc 201218346 者：將具有低於300°C之一熔化溫度之一導電結合材料施 加至该導電塾，該導電結合材料橋接該至少兩個毗鄰段之 間的該表面之該經曝露部分；或藉助將該導電墊接合至該 第二組件之一導電墊之具有低於3〇(rc之一熔化溫度之一 導電結合材料來組裝該組件與該第二組件，該導電結合材 料橋接該至少兩個毗鄰段之間的該介電區之該表面之該經 曝露部分。 根據此第三態樣之某些實施例，該導電元件之該高度可 大於該底面與該表面之間的一距離。該導電元件可包括平 行於該介電區之表面之一經曝露頂部表面及延伸於其頂部 表面與該介電區之該表面之間之經曝露垂直表面，導電結 合材料與該導電元件之該等頂部及垂直表面接觸。該導電 疋件之高度可等於或小於該底面與該表面之間的一距離。 該底面與該表面之間的一距離可大於該導電元件之一寬 度。 步驟（b)可包括形成該導電元件以使其不自身重疊或交 叉。步驟（b)可包括形成該導電元件以使其至少自身重疊或 交又步驟(c)可包括形成上覆於該凹槽之至少該底面上之 -觸媒層，且然後將一金屬選擇性地沈積至其中可存在該 觸媒層之-區域上以形成該導電元件。該導電結合材料可 至少延伸於該第一組件之該墊之最外邊緣之間。步驟⑻可 包括鑛敷包括曝露於該第—組件之該塾之—表面處之錄或 金中之至少一者之一表面層。 該第組件可包括一第二區，當執行步驟⑷及步驟⑻ 155226.doc 201218346 2電^上覆於該第二區上。該基板可具有與該頂部表面 、之一底部表面、延伸於該等頂部與底部表面之間之— 開口及上覆於該下部表面上之一導電元件，該第一組件之 塾透過該基板中之該開口及該介電區中之1轉開口電連 接至導電元件。 可藉由包括以下各項中之至少一者之處理來執行步驟 ⑷.朝向至少該表卑引導一雷射以燒蝕該介電區之該部 分、機械銑削（mechanical milHng)或喷砂。步驟⑻可包括 將一金屬模板定位成上覆於該介電區上，該金屬模板且有 至^個開π ;且藉由喷砂來移除透過該至少_個開口而 曝露之介電區之該部分。步驟⑻可包括藉由機械銑削來移 除該介電區之一部分。步驟(b)可包括沈積上覆於該介電區 之表面及該凹槽之至少一部分上之一導電材料，且移除上 覆於該表面之至少一部分上之該導電材料以曝露該介電區 之該表面。 步驟⑷可包括將該導電結合材料施加至該導電墊，該導 電結合材料橋接該至少兩個眺鄰段之間的該表面之該經曝 露部分。步驟⑷可包括藉助將該導電墊接合至該第二組件 之導電墊之一導電結合材料來組裝該組件與該第二組 件，該導電結合材料橋接該至少兩個毗鄰段之間的該介電 區之該表面之該經曝露部分。 本發明之一第四態樣係一種形成一第一組件總成之方 法，該方法包括（a)將一導電墊鍍敷至一心軸之一平坦表面 上’該導電塾係由沿該表面延伸且具有在沿該表面之一彎 155226.doc -12- 201218346 曲路徑中延伸之至少一部分之一導電元件界定；（b)將該導 電墊至少部分地嵌入至一介電材料中；⑷移除該心軸以形 成具有—介電區及曝露於該介電區之一表面處以用於准許 該組件與-第二組件的電互連之該導電墊之該第一組件， 該導電墊之該導電元件具有在沿該介電區之該表面之一振 盪或螺旋路徑中之至少一者中延伸之至少一部分以使一理 二直線…玄路徑之至少三個段相交，該導電元件具有由該 介電區，該表面之一部分分離之其至少兩個晚鄰段，該介 電區之該表面之至少一部分曝露於該至少兩個段之間，該 導電元件具有沿該介電區之該表面至少十倍於該高度之一 =度；=⑷執行以下操作中之—* :將具有低於賣〔之 一熔化恤度之一導電結合材料施加至該導電墊，該導電妗 T材料橋接該至少兩個她鄰段之間的該表面之該經曝露： 刀▲或藉助具有低於30(rc之一溶化溫度將該導電塾接合 至二第—組件之-導電墊之具有低於3〇〇 °c之一熔化溫度 2-导電結合材料來組裳該組件與該第二組件，該導電結 合材枓橋接該至少兩㈣鄰段之間的該介電區之該表面之 該經曝露部分。 根據此第四態樣之某些實施例，該心轴可包括—金屬 片且步驟⑷可包括钮刻該金屬片以曝露該第一組件之今 墊。步驟⑻可包括將該第—組件之該導電墊嵌 = ”材料之-至少部分固化之介電區中。步驟(b)可二 電材料沈積為接觸該第一組件之該導電塾之至少—部 步驟（d)可包括將該導電結合材料施加至該導電塾，該 i55226.doc •13- 201218346 導^结合材料橋接該至少兩㈣鄰段之間的該表面之該經 曝露部分。步驟(d)可包括將該組件與具有 之該第二組件組裝在-起，該導電結合材料將 合至該第二組件之—導電墊’該導電結合材料橋接該至少 兩個她鄰段之間的該介電區之該表面之該經曝露部分。 本發明之一第五態樣係一種形成一組件總成之方法，該 方法包括⑷提供具有―導電势之—引線框架，該導電塾係 由沿該表面延伸且具有在沿該表面之—f曲路徑中延伸之 至少-部分之一導電元件界定；(b)將該引線框架至少部分 地嵌入於一介電材料中’其中該導電墊可曝露於該介電材 料之一表面處以用於准許該組件與一第二組件的電互連， &quot;玄導電墊之該導電元件具有在沿該介電區之該表面之一振 盪或螺旋路徑中之至少一者中延伸之至少一部分以使一理 冊直線與路;^之至少二個段相交，該導電元件具有由該 介電區之該表面之-部&amp;分離之其至少兩個田比鄰段，該介 電區之該表面之至少一部分曝露於該至少兩個段之間，該 導電元件具有沿該介電區之該表面至少十倍於該高度之一 長度；及（C)執行以下操作中之一者：將具有低於3〇〇^之 一熔化溫度之一導電結合材料施加至該導電墊，該導電結 合材料橋接該至少兩㈣鄰段之間的該表面之該經曝露部 刀，藉助具有低於300C之一熔化溫度將該導電墊接合至 該第二組件之一導電墊之具有低於300。(：之一熔化溫度之 一導電結合材料來組裝該組件與該第二組件，該一導電結 合材料橋接該至少兩個4鄰段t間的該介電區之該表面之 155226.doc 201218346 該經曝露部分。 根據此第五態樣之某些實施例，步驟（(：）可包括將該導電 結合材料施加至該導電墊，該導電結合材料橋接該至少兩 個毗鄰段之間的該表面之該經曝露部分。步驟（C)可包括藉 助將該導電墊接合至該第二組件之一導電墊之一導電結人 材料來組裝該組件與該第二組件，該導電結合材料橋接該 至少兩個毗鄰段之間的該介電區之該表面之該經曝露部 分。 【實施方式】 如在本發明中所使用，一導電元件「曝露於」一介電元 件之一表面處之一陳述指示該導電元件可供用於與一理論 點接觸，該理論點在垂直於該介電元件之表面之—方向上 自該介電元件外側朝該介電元件之該表面移動。因此，曝 路於&quot;電元件之一表面處之一端子或其他導電元件可自 此表面凸出；可與此表面齊平；或可相對於此表面凹入且 透過該電介質中之一孔或凹坑而曝露。 將根據圖8及圖9中所展示之一總成1〇〇之一第一實施例 之構建方法對其進行闡述。總成100包括（例如）圖1及圖2中 展示之第組件105。該組件包括至少一介電區^ 20且 亦可包括下伏於介電區12〇之一支撐元件（例如，一基板）。 °亥第一組件可係（例如）欲製造至一晶片載體中之一介電元 件 封裝之其他組件或一電路面板。基板110可係組件 105之一額外介電層或可係其他結構，如下文所進一步闡 Y 士圖1至2中所參見。具有一底面126之一連續凹槽124 155226.doc -15· 201218346 =形成以沿該介電區之表面122延伸。底面126财義為凹 槽124之最低部分。凹槽]24之至少一部分相對於表面⑵ 在一彎曲路徑f延伸。 —可藉由移除介電區12〇之一部分來形成凹槽124，在―個 錢中這可由藉由在表面122處指引—雷射之雷射燒钱來 元成。舉例而言，—备试^ 丨丄 系統（例如，一電腦）可用以將雷射所 …-照明斑點移動至表面122之不同位置。雷射燒敍 或八他方式移除-犧牲層（若存在）之一部分及介電區12〇之 Ρ刀 '、會不凹槽124具有彎曲或圓形底面126，但可有意 地或由於使用一雷射之約束條件而形成其他剖面，諸如 形。 雖然未繪示’但可在藉助雷射燒银之步驟之前上覆於介 電區120之表面122上而提供該犧牲層。該犧牲層通常可係 -聚合：料且具有符合表面122之一輪廓之一經曝露表 面可猎由喷塗、旋塗、浸潰或其他方法來施加該犧牲 層。在一特定實施例中’可藉由化學手段（諸如藉由使用 一钮刻劑）來移除該犧牲層。在一項實施例中，可藉由剝 洛來移除該犧牲層。儘管可使用-犧牲層，但形成凹槽 124不需要使用一犧牲層。 在形成凹槽之後，形成在沿表面122之凹槽之一方向上 延伸之-導電元件。在—項實施例中，可上覆於介電區 120之經曝露部分及/或犧牲層（若存在）上來形成觸媒層。 該觸媒層至少上覆於凹槽124之底面US上且通常係由可催 化一後續金屬沈積製程(例如用以於其上錄敷金屬層之一 155226.doc 201218346 後續水/尤積製程）之一金屬粒子薄層構成。在一個實例 中，該觸媒層可包括鉑粒子。在一個實例中，可藉由將含 有觸媒粒子之一液體提供至該犧牲層之經曝露表面（例 如，藉由將該基板浸潰於含有觸媒粒子之浴盆中）來形成 該觸媒層。該觸媒層通常均勻地塗佈第一組件1〇5。自第 組件105移除該犧牲層（若存在）從而亦移除安置於該犧牲 層上之该觸媒層。以此方式，在已移除該犧牲層之後僅 該觸媒層安置於凹槽124中。若不存在任何犧牲層，則可 僅在欲經鍍敷以形成一導電元件之第一組件1〇5之區域（例 如，其僅可係凹槽124中之區域）中或沿該區域沈積該觸媒 層0 然後可將一晶 程可繼續沈積一 種層選擇性地沈積至該觸媒層上，且該製 個或多個金屬層（其可包括一黏合層、一 障壁金屬層及一初級金屬層中之任一者或全部广通常， 藉由鍍敷來沈積此晶種層、黏合層、障壁金屬層或初級金 屬層…金屬選擇性地沈積至其中存在觸媒層之—區域上 之此製程之結果係形成於凹槽124中之一導電元件M2(如 圖3及圖4中所參見）之形成。圖4令更清晰地展示，導電元 件134之剖面尺寸（亦即，凹槽124之底面126上方之導電元 件132之一寬度及一高度或厚度）至少告P分地由凹槽124界 定。將導電元件132繪示為具有一平坦頂部表面135，但實 際上可出現某-程度之—「u」形狀之表面。導電元件 之高度可因此界定為自其最低點(亦即，凹槽m之最低點) 延伸至其最高點。圖2中所展示之凹槽124之對應剖面尺 155226.doc 17- 201218346 寸··一深度128及一寬度130幫助界定導電元件132。在介 電區120之底面126與表面122之間量測深度128。該深度可 大於該凹槽之寬度130，如在沿表面130之一垂直方向（其 垂直於凹槽124之深度128及一縱向方向125)上所量測。此 外，深度128可大於導電元件132之一寬度（其對應於寬度 130)。以此方式，導電元件132可具有符合凹槽124之内表 面之一輪廓且至少部分地嵌入於介電區12〇中之凹槽124 内。在一項實施例中，導電元件132之高度可在沿該導電 元件之段之其整個路徑中至少大致相同。 在上文所闡述之實施例之一變型中，可在沈積構成導電 元件132之金屬層中之一者或多者之後移除犧牲層。舉例 而言，在一項實施例中，可在沈積一晶種層、一黏合層、 一障壁金屬層或在初級金屬層沈積之前所提供之其他金屬 層中之任一者或全部之後移除該犧牲層。在此情形中，可 (諸如）藉由蝕刻、剝落或其他方法在一「剝離」製程中自 該介電區移除該犧牲層。然後，在移除該犧牲層之後，該 金屬沈積可繼續沈積一個或多個後續金屬層（包括初級金 屬層）以形成導電元件132。 如圖3至圖4中所參見，㈣元件132形成曝露於介電區 120之表面122處之一塾134。塾134可連接至一個或多個其 他導電元件（未展示）（諸如一導電跡線）、其他導電墊或A 他電路組件或以與其整合在-起之方式而形成。此里他導 電元件可自導電元件134之—個或多個位置（諸如端139或 路徑位置⑷)延伸或連接至該一個或多個位置。 155226.doc 201218346 墊134准許第一組件i〇5與一第二組件i〇7之電互連，如 圖1〇中所展示。墊134係由導電元件132界定，該導電元件 具有剖面尺寸及至少部分地由凹槽124之路徑界定之一路 控。導電元件132自凹槽124之底面126延伸至底面126上方 之一高度。如圖4中所展示’導電元件132之高度大於底面 126與表面122之間的一距離。然而，在圖5及圖6中所展示 之本發明之替代性實施例中，該底面上方之導電元件之高 度可分別等於或小於此距離。在圖5中，一導電元件232延 伸至--底面226上方之等於一介電區22〇之底面226與一表 面222之間的距離之一高度。在此情形中，導電元件2之 頂部表面244可與介電區之表面222共面。圖6展示延伸至 一底面326上方之小於一介電區32〇之底面326與一表面322 之間的距離之一高度的一導電元件332。因此該導電元件 之頂部表面344安置於介電區之表面322下面。 如圖3中所展示，導電元件132包括由介電區120之一部 分137分離之至少兩個毗鄰段136、138。因此可認為一 里响直線199與導電元件132之至少三個段136、138及15〇 相又導電元件132其整體上具有沿表面122至少十倍於如 (例如）自底面126至頂部表面135而量測之其高度133之一長 度塾1 34可經構建以使導電元件132佔用小於一般由墊 134之最外邊緣界定之一般係圓形形狀之一邊界如圖 2中所展示）内之介電區12〇之表面Η?之一面積的約乃％。 在幸乂佳實施例中’根據本發明之一導電元件佔用此邊界 内之面積的至75。/。，且在某些實施例中，一導電元 155226.doc •19· 201218346 件可佔用此邊界内之一面積的約2 5 0/〇。 以一種組態展示並闡述第一組件1〇5，但可藉由本發明 實現總成100及第一組件105之其他組態且下文將對其進行 更全面闡述。舉例而言，第一組件1〇5包括具有一螺旋路 徑之導電元件！32(如圖！及圖3中所展示）。在其他實例中， 一第一組件505可包括在一表面522上具有一正弦曲線路徑 之一導電元件532(如圖13中所展示），或一第一組件6〇5可 包括在一表面622上具有一振盪路徑之—導電元件632(如 圖14中所展示）。一正弦曲線路徑一般係波形狀，且一振 盪路徑係沿自導電元件之開始至結束的方向一般以一左右 搖擺方式延伸之路徑。一「振盪路徑」寬泛地闡述一導電 元件之組態之一陣列，包括一正弦曲線路徑。此外，一振 盪路徑無需如圖丨4中所展示而均勻。導電元件632可形成 形成一墊之一部分的一振盪路徑，其中一個或多個部分以 其他方式組態。舉例而言’一墊可包括形成一振盪路徑之 一部分及與該振盪路徑交又但不可特徵化為任一特定類型 之形狀的另一部分。一振盪路徑可（例如）係三角波形狀、 一「2」字形圖案或任一其他類似圖案。沒必要使振盪路 咎具有均勻長度之段636或使路徑反轉方向在段之間具有 :同角634。該路徑之至少一些毗鄰段可不在其兩端處接 合在-起。而是在一些情形中，㈣元件可具有在為一導 電墊所设定之一預定區域内「蜿蜒」之一振盪路徑，其中 亥路徑之段可具有變化的長度且可在段之間具有變化的 角。在導電元件532及632之情形中，每一者可佔用小於一 155226.doc 201218346 般分別由導電元件532及632之最外、息这田 y 敢外邊緣界定之一般係圓形 形狀之一邊界内之其各別表 〜衣甶522、622之一面積的約 75%。根據本發明，可實現一邕Φ — a J貝兄導電凡件之任一其他期望形 狀或組態以形成一墊。本發明 奴Θ &lt; 個優點係藉助安置於一 般外邊界内之一導電元件之任— 圖案界疋一墊之該邊界之 能力。因此，導電元件不需要—掉 *受精確圖案，但由於其作為 一塾之整體結構而有效。如圖3中所展示，導電元件132不 沿其路徑自身重疊或交又。在替代性實施例（諸如圖^ 所綠示）中，—第—組件405之-導電S件432可在-表面 422上於一個或多個區域中自身重疊或交叉。 在形成塾134之另-方法中，可沈積上覆於介電區12〇之 表面m及凹槽124之至少一部分上之一導電材料'然後可 移除上覆於表面122之至少一部分上之某些導電材料以曝 露介電區120之表面122。 在形成墊134之後，可沈積至少部分地上覆於墊134上之 一導電結合材料140，如圖8及圖9中所展示。較佳地具有 低於30(TC之一熔化溫度且可係一焊料材料之導電結合材 料140可至少在墊134之最外邊緣之間延伸以便當自正交於 表面122之一方向觀察時整體覆蓋墊134，如圖8中所展 不。導電結合材料140接合至導電墊134以橋接導電元件 132之段136、138之間的介電區12〇之部分137，如圖3中更 清晰地展不。圖1 0中所展示之第二組件丨〇7包括透過結合 材料140接合至墊134之一端子1〇8 ^儘管可在將第一組件 105與第二組件1〇7組裝在一起之前將結合材料14〇直接施 155226.doc 201218346 加至墊132 ’但可將結合材料14〇替代性地僅施加至第二組 件1〇7之端子108或可在將該等組件組裝在一起之前將其單 獨施加至墊132及端子1〇8中之每一者。 如圖9中所展不，在導電元件132延伸至表面上方之 n度之情形下，導電元件132包括曝露於介電區12〇之表 面12 2上方之一經曝露頂部表面14 4及延伸於頂部表面丨4 4 與表面122之間之經曝露「垂直表面」142。「垂直表面」 M2仏遠離頂部表面144而延伸之邊緣表面，但其可或可不 在相對於頂部表面144及介電區表面122之一垂直或正交方 向上”、°合材料140與頂部表面144及垂直表面142接觸。 在替代性實施例（諸如圖5及圖6中所繪示之彼等實施例） 中，結合材料以一不同方式接觸導電元件及表面。在圖5 中，一頂部表面144與介電區220之表面222基本上齊平。 因此，結合材料將具有與導電元件232之頂部表面244及表 面222接觸之一基本上平坦表面。在圖ό中，在導電元件 332之一頂部表面344安置於表面322下面之情形下，結合 材料亦接觸曝露於導電元件332之頂部表面344與介電區 表面322之間的凹槽324之垂直表面348。將瞭解，可 與、’Ό合材料接觸之表面積越多，結合材料與該第一組件之 間的黏合就越大。此外，可鍍敷包括鎳、金或另一金屬之 一表面層或使其以其他方式曝露於墊134之一個或多個表 面處’諸如頂部及邊緣表面142、144處。 根據本發明，第一組件之實施例可係由一單個介電區構 成，可包括下伏於一介電區之一基板或可包含以一堆疊構 155226.doc •22· 201218346 : 之多於一個之介電區或層。該介電區可包含介電 兩個或多個經堆疊層，Α 其中其至少兩個毗鄰層包括不同材 利·。該介電區通當. ^ Α 通*包括—個或多個介電材料（諸如以任— 形式之二氧切)、其他石夕介電化合物、一聚合材料或其 他無機介電材料(諸如—陶瓷材料)以及其他材料。根據 發明之—基板通常基本上由-單晶質半導體材料(諸如， 例如石夕）、石夕與另一材料之—合金、—個或多個m_v半導 體化合物(諸如碎化鎵等材料)或一個或多修料導體化 合物組成。在_特定實施例中’該基板可係—絕緣體上石夕 基板’其包括使-正面處之一主動半導體裝置與一背面處 之一塊狀半導體區分離之—掩埋式氧化物（「ΒΟΧ」）層。 在圖7中所展示之-實施例中，基板11〇包括延伸於背面 112與正面114之間之一開口 116，及安置於正面ιΐ4處之複 數個導電元件118。導電元件132藉由延伸透過基板11〇上 之開口 116及介電區120中之一毗鄰開口而將墊134電連接 至導電元件118中之至少一者。凹槽124之至少一部分可沿 開口 116之一内表面延伸，且導電元件丨32可在凹槽124之 該部分内延伸。 一第一組件705之另一實施例展示於圖丨5至圖丨8中，且 包括一晶片710及上覆於晶片710之一上表面上之一鈍化層 703。一結合塑*750安置於鈍化層703之一經曝露表面704 上’ 3¾純化層係具有一經曝露表面之—介電區。一導電塾 734亦以上文所闡述之一方式形成於表面704上。一跡線 752與晶片750電連接且沿表面704延伸以與墊734之一部分 155226.doc •23· 201218346 電連接。跡線7 5 2可在如上文所概述之一製程期間結合塾 734 —起形成，或可在墊734已形成之後經形成以使晶片 7 5 0與塾7 3 4電連接。複數個跡線亦可或替代性地定位於跡 線752所安置之位置中，如圖1 5中所展示。 墊734允許晶片750與可接合至其的一外部組件之間的電 連接，如（例如）上文參照圖10所闡述。在彼方面，如圖17 中所展示’可（諸如）藉由使用一光微影方法沈積上覆於鈍 化層703及跡線752上之一焊料遮罩756。墊132因此可保持 曝路且可被一導電結合材料7 4 0覆蓋（圖18)。然後另一組件 可以與圖10中所繪示之方式類似之一方式透過結合材料 740電連接至晶片750。另一選擇為，具有其上有結合材料 之一端子的一第二組件可接合至墊734以形成電連接。 圖19至圖22中繪示一進一步實施例，該等圖中展示形成 根據本發明之一第一組件805之另一方法。在一心軸86〇或 其他類型之引線框架之一平坦表面862上形成一導電塾 834(圖19至圖20)。墊834形成為以如上文所論述之一類似 組態之一經鍍敷導電元件。然後毗鄰—介電區82〇來定位 心軸860以使墊834毗鄰介電區820之一表面822(圖21)。對 心軸860施加力以使墊834嵌入至可至少部分地固化之介電 區820中。然後移除心轴860，其中所得的第一組件8〇5(圖 22)類似於上文所闡述之實施例中之彼等第一組件。 在某些實施例中，心軸860可係由一個或多個金屬片構 成，且可藉由蝕刻掉每一金屬片以曝露墊834來進行移除 心軸860之步驟。在其他實施例中’可不預形成介電區 155226.doc •24· 201218346 820 ’而是可使一介電材料沈積至心軸86〇之表面862上， 且然後移除心軸860以形成第一組件805。 在本文所闡述之實施例中之任一或全部實施例中，如上 文所闡述而具有一心軸或振盪路徑導電墊或根據上文所闡 述之一技術而形成之一第一組件可接合或電連接至具有一 導電結合材料之一第二組件，該導電結合材料以上文所闡 述之一方式接觸該導電墊之表面且接觸該第二組件之一端 子。该結合材料橋接該導電塾之至少兩個眺鄰段之間的介 電區之表面之部分。可在將第一組件與第二組件組裝在一 起之則將該結合材料施加至此導電墊，在此情形中該導電 墊上之s玄結合材料將形成該第一與第二組件之間的接合或 導電性連接之部分。另一選擇為，在將該第一與第二組件 組裝在一起之前可將該結合材料施加至該第二組件之一端 子而不施加至此導電墊。在該組裝步驟期間，來自該第二 組件之端子的該結合材料將流動至該導電墊之表面上且然 後將橋接該至少兩個毗鄰段之間的該介電區之表面之部 分。在一個實例中，可藉由將一結合金屬（諸如焊料）加熱 至足以致使該結合金屬流動之一溫度而形成一導電接合， 然後該結合金屬接觸此墊之表面及與其並列之第二組件之 一端子。然後該結合金屬再一次重新固化以形成該導電接 合。在另-實例巾，可將—結合材料單獨施加至此導電塾 及一第二組件之一端子，這之後可將第一與第二組件拼在 一起並如上文所闡述而接合。 根據本發明之一第一組件可係具有毗鄰該介電區之表面 155226.doc •25- 201218346 的複數個主動半導體裝置之一微電子元件。在替代性實施 例中，該第一組件可係具有其表面處的複數個觸點之一微 電子7L件，且可進一步包括使導電墊與該複數個觸點中之 至少一者電連接之一跡線。在另外其他實施例中，該第一 組件可係具有表面處的複數個觸點之一微電子元件，且該 導電墊與該複數個觸點中之至少一者電連接。 在本發明之某些實施例中，一基板基本上係由單晶質半 導體材料組成，且上覆於該基板上之一介電區包括符合該 基板之一傾斜表面之一輪廓的一介電材料層。在替代性實 施例中，該基板可基本上係由介電材料組成，或可包括基 本上係由導電材料組成之一區，其中一介電區上覆於該導 電材料區上。 作為光微影之一替代性方案而使用一雷射來形成導電元 件可准許更輕易地改變該等元件之佈局。藉助目前方法， 改變該佈局可僅需要對控制雷射之移動的一電腦程式進行 改變，此乃因雷射之移動決定導電元件之形狀及尺寸。這 與產生並驗6_a用以藉由光微影形成跡線之一光遮罩所需之 時間及花費形成對比。 上文所闡述之實施例可包括（諸如）藉由（例如）使用一雷 射之一直接寫入方法而形成之凹槽及孔口以界定一路徑。 然而，可使用其他方法來形成根據本發明之此等特徵。可 利用機械銑削，其中可稱作一錘子之一小直徑元件反覆擊 打犧牲層（若存在）及介電區以鬆動並移除此材料以形成一 凹槽或孔口。可利用之另一方法係與一金屬模板一起之— 155226.doc -26- 201218346 喷砂技術，該金屬模板經定位以上覆於犧牲層及/或介電 區上且包括根據導電元件之一期望最終圖案而成形之開 口。藉由在一方向上於介電區處指引一基於砂之材料以使 該基於砂之材料將在透過該等開口而曝露之區域中擊打犧 牲層/或介電區而運用一喷砂技術。一個或多個凹槽藉此 形成於該；|電區中。可認為機械銑削及喷砂之此等特定技 術係「非光微影技術」，此乃因其並非主要依賴使用一光 阻劑透過一光遮罩之曝光而圖案化。在於2010年7月η曰 提出申請之共同擁有之美國申請案第12/842,669號中找到 對此等圖案化技術及可隨其形成之其他結構之說明，該美 國申請案之揭示内容以引用方式併人本文中。構建根據本 發明之一結構之方法之剩餘步驟係如上文所陳述。 在一項實施例中’本文所揭示之方法可達成具有比藉由 現有方法（諸如光柵掃描）而形成之彼等墊大的平面度之一 墊之一頂部表面。由於根據本發明之墊通常包括由空隙分 離之段，因此該頂部表面之平面度可係藉由共面或大致界 定一單個平面之毗鄰段之頂部表面達成。 注思，移除犧牲層之某些方法需要該犧牲層生性較易 碎。舉例而έ，在一較易碎犧牲層之情形下更有效實施上 文所闡述之噴砂技術，以便基於砂之材料不會嵌入於該犧 牲層中而是破壞並移除該犧牲層。 在上文所論述之特定實施例中，所得總成可係或包括具 有主動電路元件（例如，電晶體、二極體或其中的其他微 電子或微電機裝置以及其他主動電路元件）之一微電子單 155226.doc -27· 201218346 元，且可具有#由如±文所闡述之該等技術中之一者或多 者（例如，甚至非光微影技術）而形成之跡線。而且在上文 所》W述之某些貫施例中，所得總成可係或包括具有半導體 或&quot;電材料中之至少一者之一基板的一插入物結構，該插 入物結構具有如上文所闡述而形成之跡線但沒有其中的主 動電路元件。根據此等實施例之—插人物結構或組件可具 有曝露於i面及中之一者或多者處之導電元件以用於 與個或多個外部組件（諸如，例如一微電子元件、基板 或電路面板）互連。 在上文所論述之特定實施例中，所得總成可係或包括具 有主動電路元件（例如，電晶體、二極體或其中的其他微 電子或微電機裝置以及其他主動電路元件）之一微電子單 元，且可具有藉由如上文所闡述之該等方法中之一者或多 者而形成之跡線。而且在上文所論述之某些實施例中，所 得總成可係或包括具有半導體或介電材料中之至少一者之 一基板的一插入物結構，該插入物結構具有藉由上文所闡 述之方法中之一者或多者而形成之跡線但沒有其中的主動 電路元件。根據此等實施例之一插入物結構或組件可具有 曝露於正面及背面中之一者或多者處之導電元件以用於與 一個或多個外部組件（諸如，例如_微電子元件、基板或 電路面板）互連。 上文所論述之結構提供傑出的三維互連能力。此等能力 可用於任一類型之晶片。僅僅藉助實例方式，以下晶片纽 合可包括於如上文所論述之結構中：（i)_處理器及用於該 155226.doc -28- 201218346 處理器之記憶體；（ii)同一類型之多數個記憶體晶片；（iU) 不同類型（諸如DRAM及SRAM)之多數個記憶體晶片；（iv) 影像感測器及用於處理來自該感測器之影像之一影像處 理器；（v)—專用積體電路（「ASIC」）及記憶體。上文所論 述之結構可用於構建不同電子系統。舉例而言，根據本發 明之一另外實施例之一系統900包括如上文結合其他電子 組件908及910所闡述之一結構906。在所繪示之實例中， 組件908係一半導體晶片而組件910係一顯示螢幕，但可使 用任何其他組件。當然，雖然為清楚說明起見圖23中僅繪 示兩個額外組件’但該系統可包括任一數目個此類組件。 如上文所論述之結構906可係（例如）一複合晶片或併入多個 晶片之一結構。在一另外變體中’可提供該兩者，且可使 用任一數目個此等結構。結構906和組件908及91 0安裝於 以虛線示意性地繪示之一共同外殼901中，且視需要彼此 電互連以形成期望電路。在所展示之實例性系統中，該系 統包括諸如一撓性印刷電路板之一電路面板9〇2，且該電 路面板包括將該等組件彼此互連之眾多導體9〇4(其中圖23 中僅繪示一者）。然而，此僅係實例性的；可使用任一適 合結構來進行電連接。外殼901繪示為（例如）可用於一蜂巢 式電話或個人數位助理之類型之一可攜式外殼，且勞幕 910曝露於該外殼之表面處。在結構9〇6包括諸如—成像晶 片之一感光元件之情形下，亦可提供一透鏡911或其他光 學裝置以將光路由至該結構。再次，圖23中所尽示之簡化 系統僅係實例性的；可使用上文所論述之結構來製作其他 155226.doc -29- 201218346 系統’包括通常被視為固定結構之系统，諸如桌上 腦、路由器及諸如此類。 雖然本文已參照特定實施例闡述了本發明，但應理解， 此等實施例僅騎說明本發明之原理及制。因此應理 解，可對說明性實施例進行幕多改變並可設想出其:配 置，而不背離隨附申請專利範圍所界定之本發明之精神及 範疇。 【圖式簡單說明】 圖1係根據本發明之具有一凹槽之一基板之一俯視平面 圖； 圖2係沿線A-A截取之圖1之基板之一剖面側視圖； 圖3係具有一墊之圖丨之該基板之一俯視平面圖； 圖4係沿線B-B截取之圖3之該基板之一剖面側視圖； 圖5至圖7係圖3之該基板及墊之替代性實施例之剖面側 視圖； 圖8奋具有一結合材料之圖3之該基板及塾之一俯視平面 圖， 圖9係沿線C-C截取之圖8之該基板及結合材料之一剖面 側視圖； 圖1 〇係附接至一第二組件之圖8之該基板 '墊及結合材 料之一剖面側視圖； 圖11係具有一墊之圖1之該基板之一俯視平面圖； 圖12係展示為定位於一邊界内之圖3之該塾之一俯視平 面圖； 155226.doc -30· 201218346 圖13及圖14係根據本發明之具有一墊之一基板之替代性 實施例之俯視平面圖； 圖15係根據本發明之具有與一晶片電連接之一墊之一基 板之一俯視透視圖； 圖16係沿線E-E截取之圖15之該基板之一剖面側視圖； 圖1 7係圖1 5之該基板及墊之一替代性實施例之一剖面側 視圖； 圖1 8係具有一結合材料之圖丨7之該基板及墊之一剖面側 視圖； 圖19係根據本發明之其上形成有一墊之一心軸之一俯視 透視圖； 圖20係沿線F-F戴取之圖1 5之該心軸及墊之一剖面側視 圖； 圖21及圖22係展示嵌入至一介電區中之圖19之該墊之刳 面側視圖；及 圖23係對根據本發明之一項實施例之一系統之一示意性 繪示。 【主要元件符號說明】 100 總成 105 第一組件 107 第二組件 108 端子 110 基板 112 背面 I55226.doc 201218346 114 正面 116 開口 118 導電元件 120 介電區 122 表面 124 凹槽 125 縱向方向 126 底面 128 深度 130 寬度 132 導電元件 133 南度 134 墊 135 頂部表面 136 段 137 部分 138 段 139 端 140 結合材料 141 路徑位置 142 垂直表面 144 頂部表面 146 邊界 150 段 155226.doc •32 201218346 199 直線 220 介電區 222 表面 226 底面 232 導電元件 244 頂部表面 320 介電區 322 表面 324 凹槽 326 底面 332 導電元件 3 44 頂部表面 348 垂直表面 405 第一組件 422 表面 432 導電元件 505 第一組件 522 表面 532 導電元件 605 第一組件 622 表面 632 導電元件 634 角 636 段 155226.doc -33 201218346 703 鈍化層 704 經曝露表面 705 第一組件 710 晶片 734 導電墊 740 導電結合材料 750 結合墊 752 跡線 756 焊料遮罩 805 第一組件 820 介電區 822 表面 834 塾 860 心轴 862 表面 900 系統 901 共同外殼 902 電路面板 904 導體 906 結構 908 電子組件 910 電子組件 911 透鏡 •34 155226.doc

Claims (1)

  1. 201218346 七、申請專利範園： 1. 一種總成’其包含： 第，，且件’其包括具有—經曝露表面之—介電區； -導電塾，其在該表面處從而准許該第—組件盘：第 t組件之電互連，該導電塾由-導電元件該導電 兀件具有如忒表面以一振盪或螺旋路徑中之至少一者中 延伸之至少—部分，以使得―理論直線與該路徑之至少 =個段相交且料電元件之至少兩㈣鄰段藉由未被該 導電凡件覆蓋的該表面之—部分分離，該導電元件自該 表面延伸至該表面上方一离声卢 取®上万间度處之一頂部表面且具有沿 該表面至少十倍於該高度之一長度；及 —導電結合材料’其具有低於則。C之—熔化溫度， 接合至該導電墊且橋接該至少兩個毗鄰段之間的該表面 之經曝露部分， 其中該導電元件具有延伸遠離該頂部表面之邊緣表面 且該導電結合材料接觸該導電元件之該頂部表面及該等 邊緣表面。 2.如明求項1之總成，其進一步包含具有透過該結合材料 接合至該導電墊之一端子的該第二組件。 3·如請求項丨之總成，其中該導電元件之該路徑不自身重 疊或交又。 4·如請求項1之總成’其中該導電元件之該路徑確實係以 下情形中之至少一者：自身重疊或交又。 5·如請求項1之總成，其中該導電元件佔用小於由該墊之 155226.doc 201218346 最外邊緣界定之一圓形邊界内的該介電區之該表面之一 面積的75%。 6.如請求項1之總成，其中該第一組件進一步包括具有一 基板表面之一基板，該介電區至少部分地上覆於該基板 表面上。 士凊求項6之總成，其中該基板表面係該基板之一頂部 表面，該基板進一步具有遠離該頂部表面之一底部表 面延伸於該頂部表面與底部表面之間的一開口及安置 玄底。p表面處之—第二導電元件，該墊透過該基板中 之該開口及該介電區中之一開口而電連接至該第二導電 元件。 «求項1之總成’其中該介電區之該表面曝露於該第 、且件之忒經曝露表面處，該第一組件進一步具有遠離 該經曝露表面之-底部表面、延伸於該頂部表面與底部 表面之間的一開口及安置於該底部表面處之一第二導電 ^件’該塾透過該[組件中之該開口及該介電區中之 一開口而電連接至該第二導電元件。 9·如請求項1之總成’其中該經曝露表面係一背面，且該 牛具有遠離該背面之一正面及延伸於正面與背面 的—開口 ’且其中該導電元件係曝露於該背面處且 該導電元件之至少一部分沿該開口之一内表面延伸處且 W青求項9之總成，其中該第 '组件具有該正面處之至 ^、個觸點’其中該至少-個觸點與該導電元件之間的 電連接係透過該開口進行的。 155226.doc 201218346 11. 12. 13. 14. 15. 16. 17. 18. 19. 如請求項Η)之總成，其中該第-組件係具有眺鄰該正面 之複數個主動半導體裝置之一微電子元件。 如請求項丨之總成，其中該第一組件係具有該表面處之 複數個觸點之一微電子元件，該總成進一步包含電連接 該導電墊與該複數個觸點中之至少_者之一跡線。 如請求項丨之總成，其中該第一組件係其上具有複數個 跡線之一介電元件，其中該導電墊與該等跡線中之至少 一者電連接。 士叫求項1之總成，其中該表面係—第一表面，該第— 組件係在遠離該第一表面之一第二表面處具有複數個觸 點之一微電子元件，且該導電墊與該複數個觸點中之至 少一者電連接。 如請求項1之總成’其中該結合材料係焊料。 如明求項1之總成，其中該墊包括一表面層，該表面層 包括鎳或金中之至少一者，且該結合材料接觸該表面 層0. 種包含如請求項1之一總成及電連接至該總成之一個 或多個其他電子組件之系統。 如明求項1 7之系統’其進一步包含一外殼，該總成及該 等其他電子组件係安裝至該外殼。 一種總成，其包含： 第組件’其包括具有一經曝露表面之一介電區； 連續凹槽，其沿該表面延伸且具有沿該表面以一彎 曲路k延伸之至少—部分’該凹槽具有安置於該表面下 155226.doc 201218346 面之一底面； 一導電塾’其曝露於該表面處從而准許該第一組件與 第一組件的電互連，該導電墊由一導電元件界定，該 導電件具有由該凹槽至少部分地界定之剖面尺寸、自 該凹槽之該底面延伸至該底面上方之—高度，且具有沿 該表面以—振盪或螺旋路徑中之至少一者延伸之至少一 P刀以使得一理論直線與該路徑之至少三個段相交， '•玄導電7L件具有藉由該介電區之該表面之一經曝露部分 刀離之至少兩個毗鄰段，且該導電元件具有沿該表面至 少十倍於該高度之一長度；及 一導電結合材料，其具有低於3〇〇°C之一熔化溫度， 接〇至該導電墊且橋接該至少兩個毗鄰段之間的該表面 之該經曝露部分。 2〇·如請求項19之總成，其中該第一組件係具有該，第一組件 表面處之複數個觸點及她鄰該表面之複數個主動半 «裝置之_微電子元件’該總成進—步包含電連接該 導電墊與該複數個觸點中之至少一者之一跡線。 1如請求項19之總成，其中該第—組件係其上具有複數個 跡線之一介電元件，其中該導電墊與該等跡線中之至少 一者電連接。 22.如請求項19之總成，其中該表面係一第一表面，該第一 組件係具有遠離該第-表面之一第二表面處之複數個觸 點及毗鄰該第二表面之複數個主動半導體裝置之一微電 子元件，且該導電墊與該複數個觸點中之至少一者電連 155226.doc 201218346 接。 23. 如請求項19、20、21或22之總成，其進—步包含該第二 組件，該結合材料接合該導電墊與該第二組件之一端 子。 24. 如請求項19之總成，其中該結合材料係焊料。 25. 如請求項19之總成，其中該第一組件包括延伸於該正面 與該背面之間的-開口及沿該開口之—内表面延伸的該 導電元件之至少-部分，該凹槽之至少—部分沿該内表 面延伸’該導電元件在該凹槽之該部分内延伸。 %如請求項25之總成，其中該至少一個觸點與該導電元件 之間的電連接係透過該開口進行的β Α如請求項19之總成’其中該導電元件之該高度大於該底 面與該介電區之該表面之間的一距離。 28. 如請求項19之總成，其中該導電元件之該高度等於或小 於該底面與該介電區之該表面之間的—距離。 29. 如請求項〖9之總成，其中該墊之最外蠢 取外遭緣相對於該表面 界定一圓形或正方形形狀的邊界。 30. 如請求項29之總成’其中該導電元桦夕兮μ 包兀1千之该路徑不自身重 疊或交又。 3!•如請求項29之總成，其中該導電元件之該路徑確實係自 身重疊或交叉中之至少一者。 32. 如請求項29之總成’其中該導電元株让， 电兀件佔用小於該邊界内 的該表面之表面積的75%。 33. 如請求項19之總成’其中該導電元侔 _ 电兀件之該南度大於該底 155226.doc 201218346 面與該表面之間的一距離，以使得該導電元件具右nS 1曝露 於該介電區之該表面處之頂部表面及延伸遠離該了貞部表 面之邊緣表面’該結合材料接觸該導電元件之該頂部表 面及該等邊緣表面。 34. 35. 36. 37. 38. 39. 40. 41. 42. 如請求項丨9之總成，其中該墊包括一表面層，該表 β向層 包括鎳或金中之至少一者。 如請求項19之總成，其中該介電區之該表面係曝露於該 苐一組件之該經曝露表面處，該第一組件進一步具有與 該經曝露表面對置之一底部表面、延伸於該經曝露表面 與底部表面之間的一開口及上覆於該底部表面上之—第 二導電元件，該墊透過該第一組件中之該開口及該介電 區中之一開口而電連接至該第二導電元件。 如請求項19之總成，其中該介電區包括一焊料遮罩。 如請求項19之總成’其中該介電區係一聚合材料。 如請求項19之總成，其中該介電區係一無機材料。 如請求項19之總成，其中該介電區包含兩個或兩個以上 介電材料堆疊層，其中的至少兩個毗鄰層包括不同材 料。 種包含如請求項19之一總成及電連接至該總成之一個 或多個其他電子組件之系統。 ，請求項40之系統’其進一步包含—外殼該總成及該 等其他電子組件係安裝至該外殼。 一種在—第一組件上形成一導電結構之方法，其包含： ()藉由移第-組件之一彳電區《一部分而形成 155226.doc 201218346 連續凹槽，該凹槽 ，該凹槽具有安置 沿該介電區之一經曝露表面延伸之一 具有以一彎曲路徑延伸之至少一部分 於該表面下面之一底面； 第一組件與_第 由一導電元件界 至少部分地界定 面延伸至該底面 面以一振盪或螺 ，以使得一理論 電元件具有藉由 ’該導電元件具 ’該導電元件至 (b)形成曝露於該表面處從而准許該 二組件的電互連之一導電墊，該導電墊 疋，该導電元件具有由該凹槽之該路徑 之剖面尺寸及一路徑且自該凹槽之該底 上方之一高度，該導電元件具有沿該表 旋路徑中之至少一者延伸之至少一部分 直線與該路徑之至少三個段相交，該導 該表面之一部分分離之至少兩個毗鄰段 有沿該表面至少十倍於該高度之一長度 少部分地後入於該凹槽中；及 (c)執行以下操作中之一者： 將具有低於300〇C之一熔化溫度之—導電結合材料 施加至該導電墊，該導電結合材料橋接該至少兩個毗 鄰段之間的該表面之經曝露部分； 藉助將該導電塾接合至該第二組件之一導電塾之具 有低於3 0 0 °C之一熔化溫度之一導電結合材料來組裝 該組件與該第二組件，該導電結合材料橋接該至少兩 個晚鄰段之間的該介電區之該表面之該經曝露部分。 43. 44. 如請求項42之方法，其中該導電元件之該高度大於該底 面與該表面之間的一距離。 如請求項43之方法，其中該導電元件包括平行於該介電 155226.doc 201218346 區之該表面之一經曝露頂部表面及延伸於該導電元件之 該頂部表面與該介電區之該表面之間的經曝露垂直表 面’該結合材料與該導電元件之該頂部表面及垂直表面 接觸。 45. 如請求項42之方法，其中該導電元件之該高度等於或小 於該底面與該表面之間的一距離。 46. 如請求項42之方法，其中該底面與該表面之間的一距離 大於該導電元件之一寬度。 47·如請求項42之方法，其中步驟（b)包括形成該導電元件以 使得其不自身重疊或交叉。 48, 如請求項42之方法，其中步驟（b)包括形成該導電元件以 使得其確實係自身重疊或交叉中之至少一者。 49. 如請求項42之方法’其中步驟（c)包括形成上覆於該凹槽 之至少該底面上之一觸媒層，且然後將一金屬選擇性地 沈積至其中存在該觸媒層之一區域上以形成該導電元 件0 50. 如請求項42之方法，其中該結合材料至少延伸於該第一 組件之該墊之最外邊緣之間。 51. 如請求項42之方法，其中步驟（b)包括鍍敷曝露於該第一 組件之該墊之一表面處包括鎳或金中之至少—者之一表 面層。 52. 如請求項42之方法，其中該第一組件包括—第二區，當 執行步驟（a)及步驟（b)時該介電區上覆於該第二區上。 53. 如請求項52之方法，其中該基板具有與該頂部表面對置 155226.doc 201218346 之一底部表面、延伸於該頂部表面與底部表面之間的一 開口及上覆於該下部表面上之—導電元件該第一組件 之該墊透過該基板中之該開口及該介電區中之一毗鄰開 口而電連接至該導電元件。 54·如請求項42之方法，其中藉由包括以下各項中之至少— 者之處理來執行步驟（a):朝向至少該表面引導一雷射以 燒姑該介電區之該部分、機械銑削或喷砂。 55. 如請求項42之方法，其中步驟（…包括將一金屬模板定位 成上覆於該介電區上，該金屬模板具有至少一個開口， 且藉由喷砂來移除透過該i少一㈣口而曝露的該介電 區之該部分。 56. 如請求項42之方法’其中步驟⑻包括藉由機械銑削來移 除該介電區之一部分。 57. 如請求項42之方法，其中步驟(b)包括沈積上覆於該介電 區之該表面及該凹槽&lt;至少一部》上之一導電材料，且 移除上覆於該表面之至少—部分上之該導電材料以曝露 该介電區之該表面。 58·如請求項42之方法’其中步驟⑷包括將該結合材料施加 .至該導電墊，該結合材料橋接該至少兩個眺鄰段之間的 該表面之該經曝露部分。 59.如請求項42之方法’其中步驟⑷包括藉助將該導電塾接 合至該第二組件之該導電塾之該結合材料來組裝該組件 與該第二組件’該結合材料橋接該至少兩舰鄰段之間 的該介電區之該表面之該經曝露部分。 155226.doc 201218346 60. —種形成一第一組件總成之方法，該方法包含： ⑷將-導電墊鍍敷至一心軸之一平坦表面上，該導 電墊由沿該表面延伸且具有沿該表面以一f曲路徑延伸 之至少一部分之一導電元件界定； (b)將該導電墊至少部分地嵌入至一介電材料中； ⑷移除該心轴以形纟具有—介電區及曝露於該介電 區之一表面處以用於准許該組件與一第二組件的電互連 之該導電墊之該第一組件，該導電墊之該導電元件具有 沿該介電區之該表面以一振盪或螺旋路徑中之至少一者 L伸之至 &gt;、一部分，以使得一理論直線與該路徑之至少 三個段相交，該導電元件具有藉由該介電區之該表面之 一部分分離之至少兩個毗鄰段，該介電區之該表面之至 少一部分曝露於該至少兩個段之間，該導電元件具有沿 該介電區之該表面至少十倍於該高度之一長度；及 (d)執行以下操作中之一者： 將具有低於300°C之一熔化溫度之一導電結合材料 施加至該導電墊，該導電結合材料橋接該至少兩個毗 鄰段之間的該表面之該經曝露部分；或 藉助具有低於300°C之一熔化溫度將該導電墊接合 至该第二組件之一導電墊之具有低於3〇〇c&gt;c之一熔化 «a度之導電結合材料來組裝該組件與該第二組件， °亥導電結合材料橋接該至少兩個她鄰段之間的該介電 區之該表面之該經曝露部分。 61.如明求項6〇之方法，其中該心軸包括一金屬片，且步驟 155226.doc 201218346 (C)包括餘刻該金屬片以曝露該第一組件之該墊。 62·如請求項60之方法，其中步驟（b)包括將該第一組件之該 導電墊嵌入至包括該介電材料之一經至少部分固化之介 電區中。 63.如請求項6〇之方法，其中步驟（b)包括將該介電材料沈積 為接觸該第一組件之該導電墊之至少一部分。 64_如請求項6〇之方法，其中步驟（d)包括將該結合材料施加 至該導電墊，該結合材料橋接該至少兩個毗鄰段之間的 該表面之該經曝露部分。 65. 如請求項6〇之方法，其中步驟（d)包括藉助將該導電墊接 合至該第二組件之一導電墊之該結合材料來組裝該組件 亥第一組件，该結合材料橋接該至少兩個峨鄰段之間 的該介電區之該表面之該經曝露部分。 66. —種形成一組件總成之方法，該方法包含： ⑷提供具有一導電塾之一引線框架，該導電墊由沿 該表面延伸且具有沿該表面以一彎曲路徑延伸之至少一 部分之一導電元件界定； (b)將該引線框架至少部分地嵌入於一介電材料中， 、其中該導電墊係曝露於該介電材料之—表面處以用於 准許該組件虚一筮-^ 一 弟一、，且件的電互連，該導電墊之該導電 凡件具有/。該&quot;電區之該表面以一振盪或螺旋路徑中之 ，ν者延伸之至少一部分，以使得一理論直線與該路 仏之至夕一個奴相父’該導電元件具有藉由該介電區之 該表面之-部分分離之至少兩㈣鄰段，該介電區之該 155226.doc -11 · 201218346 表面之至少-部分係曝露於該至少兩個段^，該㈣ 兀件具有沿該介電區之該表面至少十倍長 度；及 (C)執行以下操作中之一者： 將具有低於峨之一炼化溫度之—導電接合材料 施加至該導電塾，該導電接合材料橋接該至少兩個田比 鄰段之間的該表面之該部分；或 藉助將該導電墊接合至該第二組件之一導電墊之具 有低於300°C之一溶化潘碎夕 «ί ^ ^ 化/皿度之一導電接合材料來組裝 3亥組件與該第二組件，該莫雷妓人以丨， 孑導電接合材料橋接該至少兩 個田比鄰段之間的該介電區之該表面之該經曝露部分。 67·如請求項66之方法，其巾牛顿(,、a &gt; a 兵干v驟（c)包括將該結合材料施加 至該導電塾，該結合材料橋接該至少兩個视鄰段之間的 該表面之該經曝露部分。 々β求項66之方法’其中步驟⑷包括藉助將該導電墊接 合至該第二組件之一導電墊之該結合材料來組裝該組件 與忒第一組件，該結合材料橋接該至少兩個毗鄰段之間 的該介電區之該表面之該經曝露部分。 155226.doc •12·
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