TW201215888A - Stacked lateral overlap transducer (SLOT) based three-axis accelerometer - Google Patents

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201215888 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於機電系統，且更特定而言，係關於多軸迴 轉儀及加速計。 本申請案主張2010年4月30日提出申請、標題為 「MICROMACHINED PIEZOELECTRIC X-AXIS GYROSCOPE」 (代理檔案號為QUALP030P/101702P1)且受讓給本發明受 讓人之美國臨時專利申請案第61/343,598號之優先權。本 申請案亦主張2010年4月30日提出申請、標題為 「MICROMACHINED PIEZOELECTRIC Z-AXIS GYROSCOPE」

(代理檔案號為QUALP031P/101703P1)且受讓給本發明受 讓人之美國臨時專利申請案第61/343,599號之優先權。本 申請案亦主張2010年4月30日提出申請、標題為 「STACKED LATERAL OVERLAP TRANSDUCER (SLOT) BASED 3-AXIS MEMS ACCELEROMETER」（代理檔案號 為QUALP032P/101704P1)且受讓給本發明受讓人之美國臨 時專利申請案第61/343,601號之優先權。本申請案亦主張 2010年4月30日提出申請、標題為「MICROMACHINED PIEZOELECTRIC X-AXIS & Z-AXIS GYROSCOPE AND STACKED LATERAL OVERLAP TRANSDUCER (SLOT) BASED 3-AXIS MEMS ACCELEROMETER」（代理檔案號 為QUALP034P/101704P2)且受讓給本發明受讓人之美國臨 時專利申請案第61/343,600號之優先權。本申請案亦主張 2010年12月30日提出申請、標題為「STACKED LATERAL 155811.doc 201215888 OVERLAP TRANSDUCER (SLOT) BASED 3-AXIS MEMS ACCELEROMETER」（代理檔案號為 QUALP032/101704U1) 且受讓給本發明受讓人之美國專利申請案第12/930,187號 之優先權。此等先前申請案之揭示内容被視為本發明之一 部分且以引用方式併入本發明中。 【先前技術】 機電系統包含具有電及機械元件、致動器、轉換器、感 測器、光學組件（例如’鏡）及電子器件之裝置。可以各種 各樣之級別製造機電系統，包含但不限於微米級及奈米 級。舉例而言，微機電系統（MEMS)裝置可包含具有介於 自約一微米至數百微米或更多之範圍内之大小之結構。奈 米機電系統（NEMS)裝置可包含具有小於一微米之大小（包 含（舉例而言）小於數百奈米之大小）之結構。機電元件可係 使用沈積、蝕刻、微影及/或蝕刻掉基板及/或所沈積材料 層之若干部分或添加若干層以形成電裝置及機電裝置之其 他微加工製程形成。 一種類型之機電系統裝置稱作一干涉調變器（IM0D)。 如本文中所用，術語干涉調變器或干涉光調變器係指使用 光學干涉原理選擇性地吸收及/或反射光之一裝置。在某 些實施方案中，一干涉調變器可包含一對導電板，該對導 電板中之一者或兩者可係完全或部分透明的及/或反射 的，且能夠在施加一適當電信號後相對運動。在一實施方 案中’一個板可包含沈積於一基板上之一靜止層且另一板 可包含與該靜止層分離一空氣間隙之一反射膜。一個板相 155811.doc 201215888 對於另一個板之位置可改變入射於該干涉調變器上之光之 光學干涉。干涉調變器裝置具有一寬範圍之應用，且預期 將其用於改良現有產品及形成新產品’尤其係具有顯示器 能力之產品。 近年來，已增加了對製作小規模迴轉儀及加速計的關注 度。舉例而言’已將某些迴轉儀及/或加速計併入至諸如 行動顯示器裝置等行動裝置中。雖然此等迴轉儀及加速計 在某些方面係令人滿意的，但將期望提供改良之小規模迴 轉儀及加速計。 【發明内容】 本發明之系統、方法及裝置各自具有數個創新性態樣， 該等態樣中之任一單個態樣皆不單獨地決定本文中所揭示 之期望屬性。 本發明中所闡述之標的物之一個創新性態樣可實施於以 下之一加速計中：包含一基板、第一複數個電極、第二複 數個電極、附接至該基板之一第一錨定件、一框架及一驗 證質量塊。該基板可大致在一第一平面中延伸。該第一複 數個電極可係大致沿一第一軸形成於該基板上且該第二複 數個電極可係大致沿一第二軸形成於該基板上。 該框架可附接至該第一錨定件且可大致在一第二平面中 延伸。該框架可係大致約束為沿該第二轴運動。 該驗證質量塊可附接至該框架且可大致在該第二平面中 延伸。該驗證質量塊可具有沿該第一軸延伸之第—複數個 槽及沿該第二軸延伸之第二複數個槽。該驗證質量塊可係 155811.doc 201215888 大致約束為沿該第一及第二軸運動。 該驗證質量塊回應於沿該 之一橫向移動可導致該第二 變°該驗證質量塊回應於沿 度之一橫向移動可導致該第 改變。 第一軸之一所施加橫向加速度 複數個電極處之—第一電容改 該第二軸之一所施加橫向加速 一複數個電極處之一第二電容 該加速度亦可包含將該驗證質量塊耦合至該框架之若干 第挽曲部。該等第一挽曲部可允許該驗證質量塊在不致 使該框架沿該第一軸移動之情況下沿該第一軸移動。該加 速汁亦可包含將該框架耦合至該第一錨定件之若干第二撓 曲部。該等第二撓曲部可允許該驗證質量塊及該框架一起 沿該第二軸移動。 忙架"7 ί衣繞該第一第一錯定件。該驗證質量塊可環繞 該框架。該等槽中之一者或多者可完全延伸穿過該驗證質 量塊。另一選擇係或另外，該等槽中之一者或多者可僅部 分地延伸穿過該驗證質量塊。該框架可包含沿該第一軸延 伸之第二複數個槽。該驗證質量塊及/或該框架可至少部 分地由金屬形成。 §亥框架可包含耦合至該第一錨定件之一第一部分。該第 一部分可具有接近於該第一錨定件之應力隔離狹縫。 該加速計亦可包含耦合至該驗證質量塊之一附加質量塊 及位於該基板上之一第三電極及一第四電極。該附加質量 塊與該第三電極及第四電極之間的一電容可回應於施加至 該驗證質量塊之一正常加速度而改變。 155811.doc 201215888 該加速計亦可包含形成於該基板上之一第二錯定件及附 接至該第二錨定件之一撓曲部。該撓曲部及該第二錨定件 可形成一樞軸。該加速計亦可包含形成於該基板上之—第 二電極、形成於該基板上之一第四電極以及一第二驗證質 量塊。該第二驗證質量塊可具有接近於該第三電極之一第 一側及接近於該第四電極之一第二側β該第二驗證質量塊 可安置成毗鄰該樞軸》該第二驗證質量塊可耦合至該樞軸 且經組態以圍繞該樞軸旋轉。此旋轉可導致該第三電極處 之一第二電谷改變及該第四電極處之一第四電容改變。 該驗證質量塊之一質心可係大致自該樞轴偏移。該第二 驗證質量塊可包含耦合至該第二錨定件之一第一部分。該 第一部分可具有接近於該第二錨定件之應力隔離狹縫。該 第二驗證質量塊可包含經由扭轉撓曲部耦合至該第一部分 之一第二部分。該等扭轉撓曲部可係大致垂直於該等應力 隔離狹縫。 本文中亦提供製作加速計之方法。某些此等方法涉及於 大致在一第一平面中延伸之一基板上形成第一複數個電 極、第二複數個電極及一第一錨定件。該第一複數個電極 可係大致沿一第一軸形成且該第二複數個電極可係大致沿 一第二軸形成。在該基板上形成該第一複數個電極及第二 複數個電極可涉及在該基板上沈積該第一複數個電極及第 二複數個電極^ 此等方法亦可涉及形成大致在一第二平面中延伸之一框 架及一驗證質量塊。形成該驗證質量塊之製程可包含在該 15581 l.doc 201215888 驗證質量塊中形成大致沿該第-轴延伸之第—複數個槽及 在該驗證質量塊中形成大致沿該第：軸延伸之第二複數個 槽。形成該框架之製程可涉及形成若干第一撓曲部，其經 組態以用於將該驗證質量塊附接至該框架且用於允許該驗 證質量塊在不致使該框架沿該第_轴移動之情況下大致沿 該第一軸移動《形成該框架之製程亦可涉及形成若干第二 撓曲部，其經組態以用於將該框架附接至該第一錨定件、 用於大致將該框架約束為沿該第二轴運動且用力允許該驗 證質量塊及該框架-起沿該第二軸移動。％成該驗證質 量塊可涉及-電艘製程。該方法亦可涉及在該基板上部分 地形成複數個加速計之特徵及在部分地形成該等結構之後 將該基板分割成若干子面板。可使用該等子面板來執行該 電鍵製程。部分地形成該等特徵可涉及沈積製程、圖案化 製程及/或蝕刻製程。 形成該框架《製程可涉及在㈣一冑定件關形成該框 架。形成該冑證質量塊之製程可涉及在該框架關形成該 驗證質量塊。形成該驗證質量塊之製程可涉及形成至少部 分地穿過該驗證質量塊之一個或多個槽。 形成該框架之製程亦可涉及形成位於該框架中且沿該第 一轴延伸之第二複數個槽。此外，形成該框架之製程可涉 及形成耦合至該第一錨定件之一第一部分及在該第一部分 中形成接近於該第一錨定件之應力隔離狹縫。 在某些實施方案中，該設備亦可包含一顯示器、一處理 器及一 s己憶體裝置。該處理器可經組態以與該顯示器及該 155811.doc -9- 201215888 加速計通信。該處理器可經組態以處理影像資料及加速計 資料。該記憶體裝置可經組態以與該處理器通信。該設備 亦可包含一輸入裝置，其經組態以接收輸入資料且將該輸 入資料傳遞至該處理器。該設備亦可包含一驅動器電路， 其經組態以將至少一個信號發送至該顯示器。該設備亦可 包含一控制器，其經組態以將該影像資料之至少一部分發 送至該驅動器電路。該設備亦可包含一影像源模組，其經 組態以將該影像資料發送至該處理器。該影像源模組可包 含一接收器、收發器及發射器中之至少一者。 在隨附圖式及以下說明中陳述本說明書中所闡述之標的 物之一個或多個實施方案之細節。根據該說明、圖式及申 請專利範圍將明瞭其他特徵、態樣及優點。注意，以下圖 之相對尺寸可並非按比例繪製。 【實施方式】 依據37 C.F.R. § l.84(a)(2)(iii)之陳述：本專利或申請案 檔案含有至少一個彩圖。可根據要求並在支付必需費用之 後由專利事務局提供帶彩圖之本專利或專利申請公開案。 在各個圖式中，相同參考編號及名稱指示相同元件。 以下詳細說明係關於用於闡述創新性態樣之目的之某些 實施方案。然而’本文中之教示可以多種不同方式實施。 所闡述之實施方案可實施於經組態以顯示一影像（無論是 運動影像（例如，視訊）還是靜止（stationary)影像（例如，靜 止（StlU)影像），且無論是文字影像、圖形影像還是圖片影 像）之任一裝置中。更特定而言，本發明涵蓋該等實施方 155811.doc 201215888 案可實施於各種各樣之電子裝置令或與各種各樣之電子裝 置相關聯’該等電子裝置係諸如但不限於，行動電話、具 有多媒體網際網路功能之蜂巢式電話、行動電視接收器、 無線裝置、智慧電話、藍芽裝置、個人資料助理（PDA)、 無線電子郵件接收器、手持式或可攜式電腦、上網本、筆 §己本、智慧本、列印機、複印機、掃瞄器、傳真裝置、 GPS接收器/導航器、相機、Μρ3播放器、攝錄影機、遊戲 控制臺、手錶、鐘錶、計算器、電視監視器 '平板顯示 益、電子讀取裝置（例如，電子讀取器）、電腦監視器、汽 車顯示器（例如，里程表顯示器等等）、駕駛艙控制器及/或 顯示器、相機景物顯示器（例如’一車輛之後視相機顯示 器）、電子照片、電子告示牌或標牌、投影器、建築結 構、微波爐、冰箱、立體音響系統、盒式錄音器或播放 器、DVD播放器、CD播放器、VCR、無線電廣播裝置、 可攜式記憶體晶片、洗滌器、乾燥器、洗滌器/乾燥器、 停車計時器、封裝（例如，MEMS及非MEMS)、美學結構 (例如，-件珠寶之影狀顯㈣）及純錄之機^統 裝置。本文中之教示亦可用於非顯示器應用中，諸如但不 限於’電子切換裝i、射頻濾波器、感測器、加速計、迴 轉儀、運動感測裝置、磁力言十、消費性電子器件之慣性租 件、消費性電子器件產品之零件、變容器、液晶裝置、電 泳裝置、驅動方案、製造製程及電子測試裝備。因此，兮 荨教示並非意欲限於僅繪示於該等圖中之實施方案，而是 具有熟習此項技術者將易於明瞭之寬適用性。 155811.doc 201215888 本發明闡述各種類型之慣性感測器、可如何製作此等感 測器及可如何使用此等感測器。舉例而言，本文中所闡述 之某些貫施方案&供具有低正交及偏移誤差之一 X轴迴轉 儀。該迴轉儀極適合於製造於平板顯示器玻璃上。某些此 等實施方案包含一驗證質量塊，其可於驅動模式中在平面 中以扭轉方式振盪（圍繞2軸）且於感測模式中在平面外以扭 轉方式振盪。藉由改變迴轉儀在平面内之定向，該迴轉儀 可充當一 y軸迴轉儀。另外，藉由將迴轉儀安置於一正交 平面中’該迴轉儀可充當一 z轴迴轉儀。 然而’本文中所闡述之某些實施方案提供可與χ軸迴轉 儀及y軸迴轉儀製作或安置於同一平面中之一 z軸迴轉儀。 本文中所閱述之各種z軸迴轉儀亦可具有低正交及偏移誤 差。某些實施方案包含可在一大致線性、χ方向之運動中 (在平面中）以壓電方式驅動之一驅動驗證質量塊。該驅動 驗證質量塊可機械地耦合至一感測驗證質量塊，其於存在 圍繞Ζ軸之角旋轉時以扭轉方式振動。該感測驗證質量塊 之運動可誘發將該感測質量塊連接至一基板錨定件之樑上 之壓電膜中之電荷。可以電方式讀出及處理該電荷。 該等驗證質量塊可由各種各樣之材料製成，諸如，厚鍍 敷金屬合金（例如，鎳-猛（Ni-Mn))、來自一絕緣體上矽 (SOI)晶圓之裝置層之單晶矽、玻璃及其他材料。該壓電 膜可係氮化鋁（A1N)、氧化鋅（Zn0)、錯鈦酸鉛（ρζτ)或其 他薄膜或諸如石英、鈮酸鋰、鈕酸鋰及其他材料等單晶材 料。某些實施方案極適合於製造於平板顯示器玻璃上。 155811.doc •12· 201215888 本文中所闡述之各種實施方案提供新穎三抽加速計以及 其.，且件！ϋ等二軸加速計具有適於用於諸如可攜式導航裝 置及日慧電話等消費性電子應用中之大小、效能位準及成 本某些此等實施方案提供一以電容性堆疊橫向重疊轉換 器（slj)T)為基礎之三軸加速計。某些實施方案使用兩個驗 a質里塊來提供二軸感測’而其他實施方案僅使用一個驗 也資量塊來提供二軸感測。不同撓曲部類型可經最佳化而 用於每一轴。 可實施本發明十所闡述之標的物之特定實施方案以實現 以下潛在優點中之—者或多纟。舉例而言’在某些此等實 施方案中’ X轴迴轉儀、z軸迴轉儀及/或以化的為基礎之 二軸加速計可共用在一製作製程期間沈積之層。組合此等 製程可使得能夠將六個慣性感測軸單體地整合於一單個基 板（諸如，一單個玻璃基板）上。本文中所闡述之諸多實施 方案可製作於大面積玻璃面板上。可用於在大面積玻璃面 板上形成以SLOT為基礎之三軸加速計中之製作製程係可 與用於在鍍敷金屬多軸MEMS迴轉儀（諸如，本文中所闡述 之X軸、y軸及z軸迴轉儀）上製作壓電氮化鋁MINK或其他 壓電材料）之製程一致。因此，本文中所闡述之某些實施 方案涉及在同一玻璃基板上製作x軸迴轉儀、y軸迴轉儀、 z軸迴轉儀及以SLOT為基礎之三軸加速計。 所闡述實施方案可適用之一適合MEMS裝置之一個實例 係一反射顯示器裝置。反射顯示器裝置可併入有用以使用 光學干涉原理選擇性地吸收及/或反射入射於其上之光之 15581I.doc -13- 201215888 干涉調變器（IMOD)。IMOD可包含一吸收器、可相對於該 吸收器移動之一反射器、界定於該吸收器與該反射器之間 的一光學諧振腔《該反射器可移動至兩個或更多個不同位 置’此可改變該光學諧振腔之大小且藉此影響該干涉調變 器之反射率^ IMOD之反射光譜可形成可移位跨越可見波 長以產生不同色彩之相當寬之光譜帶。可藉由改變光學諧 振腔之厚度（亦即’藉由改變反射器之位置）來調整該光譜 帶之位置。 圖1展示繪示一干涉調變器（IMOD)顯示器裝置之一系列 像素中之兩個她鄰像素之一等軸視圖之一實例。該imOD 顯示器裝置包含一個或多個干涉MEMS顯示器元件。在此 等裝置中，MEMS顯示器元件之像素可處於一亮狀態或暗 狀態中。在亮（「鬆弛」或「打開」或「接通」）狀態中， 該顯示器元件將入射可見光之一大部分反射（例如）至一使 用者。相反，在暗（「致動」、「關閉」或「關斷」）狀態 中’該顯示器元件幾乎不反射入射可見光。在某些實施方 案中’可顛倒接通狀態與關斷狀態之光反射性質。MEMS 像素可經組態以主要以特定波長反射’從而允許除黑色及 白色之外的一色彩顯示。 IMOD顯示器裝置可包含一列/行jm〇d陣列。每一 IMOD 可包含一對反射層，亦即，一可移動反射層及一固定部分 反射層，該等層經定位而彼此相距一可變化且可控制距離 以形成一空氣間隙（亦稱為一光學間隙或腔）。該可移動反 射層可在至少兩個位置之間移動。在一第一位置（亦即， 155811.doc -14 201215888 一鬆弛位置）中，該可移動反射層可經定位而與該固定部 分反射層相距.一相對大距離.在一第二位置（亦即，一致 動位置）中，該可移動反射層可經定位而更接近於該部分 反射層。相依於該可移動反射層之位置，自該兩個層反射 之入射光可相長地或相消地干涉，從而產生每一像素之全 反射或無反射狀態。在某些實施方案中，該IM〇D可在不 被致動時處於一反射狀態中，從而反射在可見光譜内之 光，且可在不被致動時處於一暗狀態中，從而反射在可見 範圍之外的光（例如，紅外光）。然而，在某些其他實施方 案中，一 IMOD可在不被致動時處於一暗狀態中且在被致 動時處於一反射狀態中。在某些實施方案中，一所施加電 壓之引入可驅動像素改變狀態。在某些其他實施方案中， 一所施加電荷可驅動像素改變狀態。 圖1中所繪示之像素陣列之部分包含兩個她鄰干涉調變 器12。在左側之IMOD 12(如所圖解說明）中，一可移動反 射層14圖解說明為處於與一光學堆疊16相距一預定距離處 之一鬆弛位置，光學堆疊16包含一部分反射層。跨越左側 之IMOD 12施加之電壓V()不足以致使可移動反射層14之致 動。在右側之IMOD 12中，可移動反射層14圖解說明為處 於接近或毗鄰光學堆疊16之一致動位置中。跨越右側之 IMOD 12施加之電壓Vbias足以維持可移動反射層14處於致 動位置中。 在圖1中’使用指示入射於像素12上之光13及自左側之 IMOD 12反射之光15之箭頭大致圖解說明像素12之反射性 155811.doc -15- 201215888 質。雖然未詳細地圖解說明’但熟習此項技術者應理解， 入射於像素12上之光13之大部分將透射穿過透明基板2〇朝 向光學堆疊16。入射於光學堆疊16上之光之一部分將透射 穿過光學堆疊16之部分反射層，且一部分將向回反射穿過 透明基板20。光13之透射穿過光學堆疊16之部分將在可移 動反射層14處向回反射朝向（且穿過）透明基板2〇。自光學 堆疊16之部分反射層反射之光與自可移動反射層14反射之 光之間的干涉（相長性的或相消性的）將確定自IM〇d 12反 射之光15之波長。 光學堆疊16可包含一單個層或數個層。該（等）層可包含 一電極層、一部分反射與部分透射層及一透明電介質層中 之一者或多者。在某些實施方案中，光學堆疊16係導電 的，部分透明且部分反射的，且可係（舉例而言）藉由將上 述層中之一者或多者沈積至一透明基板2〇上而製作。該電 極層可由各種各樣之材料形成，諸如各種金屬（舉例而 吕，氧化銦錫（ITO))。該部分反射層可由部分反射之各種 各樣之材料形成，諸如各種金屬，例如，鉻（Cr)、半導體 及電介質。該部分反射層可由一個或多個材料層形成，且 該等層令之每一者可由一單個材料或一材料組合形成。在 某些實施方案中，光學堆疊16可包含一單個半透明厚度之 金屬或半導體，其充當一光學吸收器及導體兩者，同時 (例如’ IMOD之光學堆疊16或其他結構之）不同更多導電 層或部分可用於在IMOD像素之間運送（bus)信號。光學堆 疊16亦可包含一個或多個絕緣或電介質層，其涵蓋一個或 1558ll.doc •16· 201215888 多個導電層或一導電/吸收層β 在某些實施方案中，光學堆疊16之層可圖案化為若干平 订條帶，且可如下文進一步闡述形成一顯示器裝置中之列 電極。如熟習此項技術者應理解，術語「圖案化」在本文 中用於指遮罩以及蝕刻製程。在某些實施方案中，可將一 间導電及尚反射材料（諸如，鋁（Α1))用於可移動反射層 14’且此等條帶可形成一顯示器裝置中之行電極。可移動 反射層14可形成為一（多個）所沈積金屬層之一系列平行條 帶（正交於光學堆疊16之列電極）以形成沈積於柱“之頂部 上之行及沈積於柱18之間的一介入犧牲材料。當蝕刻掉該 犧牲材料時’可在可移動反射層14與光學堆疊此間形成 -經界定間隙19或光學腔。在某些實施方案中，柱18之間 的間隔可約為⑴嶋um，而間隙19可約為<1〇〇〇〇埃 (A) 〇 在某二貫施方案巾，IMOD之每-像素（無論處於致動狀 態還是鬆㈣態中）實質上係由固定反射層及移動反射層 形成之-電容ϋ。當不施加電壓時，可移動反射㈣保持 H機械鬆Μ態中’如圖^左側之m〇D 12所圖解 說明’其中在可移動反射層14與光學堆疊16之間存在間隙 心然而’當將-電位差（例如’電M)施加至__選定列及 卜 至>、者時，在對應像素處形成於列電極及行電極 之交叉處之電容器變為帶電’且靜電力將該等電極拉到一 起。若所施加之電壓超過—臨限值，則可移動反射層㈣ 變形且移動而接近或緊靠著光學堆疊16。光學堆疊16内之 1558Il.doc •17· 201215888 一電介質層（未展示）可防止短路且控制層14與16之間的分 離距離，如圖i中右側之致動im〇d 12所圖解說明。不管 所施加電位差之極性如何，行為皆相同。雖然在某些例項 中可將一陣列中之-系列像素稱為「列」4「行」，但熟 習此項技術者應易於理解，將一個方向稱為一「列」且將 另方向稱為一「行」係任意的。重申地，在某些定向 中’可將列視為行，且將行視為列。此外，該等顯示器元 件可均勻地配置成正交之列與行（―「陣列」），或配置成 非線性組態（舉例而言）從而相對於彼此具有-定的位置偏 糾一「馬赛克」）。術語「陣列」及「馬赛克」可係指任 -組態。因此，雖然將顯示器稱為包含一「陣列」或「馬 賽fw旦在任—例财’元件本身無需彼此正交地配置 或t置成-均句分佈’而是可包含具有不對稱形狀及不均 勻分佈式元件之配置。 圖2展不圖解說明併入有一 3χ3干涉調變器顯示器之一電 子裝置之一系統方塊圖之一實例。該電子裝置包含可經組 態以執行一個或多個軟體模組之一處理器21。除執行一作 業系統之外，處理器21可經組態以執行一個或多個軟體應 用程式’包含一網頁瀏覽器、一電話應用程式、一電子郵 件程式或其他軟體應用程式。 處理器21可經組態以與一陣列驅動器2 2通信、陣列驅動 器22可包含將信號提供至（例如）一顯示器陣列或面板“之 一列驅動器電路24及一行驅動器電路26。圖2中之線卜1展 示圖1中所圖解說明之IMOD顯示器裝置之剖面圖。雖然出 155811.doc 201215888 於清晰起見’圖2圖解說明一 3x3 IM〇D陣列，但顯示器陣 列可含有極大數目個IM〇D且可在列中具有與在行中不 同數目之IMOD，且反之亦然。 圖3展示圖解說明圖1 與所施加電壓之關係曲 涉調變器，列/行（亦即 之干涉調變器之可移動反射層位置 線之一圖之一實例。對於MEMS干 ，共同/分段）寫入程序可利用圖3中 所圖解說明之此等裝置之一 要（舉例而言）約1 〇伏電位差 弛狀態改變為致動狀態。當 滯後性質。一干涉調變器可需 致使可移動反射層（或鏡）自鬆 電壓自彼值減小時，該可移動 反射層在電壓降回至（例如）1〇伏以下時維持其狀態 然 而，該可移動反射層在電壓降至2伏以下之前不完全鬆 弛。因此，如圖3中所展示，存在約3至7伏之一電壓範 圍’在該電壓範圍内存在—施加電壓窗，在該窗内該震置 穩定地處於鬆弛狀態或致動狀態中。該窗在本文中稱為 「滯後窗」或「穩定窗」。對於具有圖3之滯後特性之一顯 示器陣列30，列/行寫入程序可經設計以一次定址一個或 多個列，以使得在對一給定列之定址期間，所定址列中之 欲被致動之像素曝露於約1〇伏之一電壓差，且欲被鬆弛之 像素曝露於接近0伏之一電壓差。在定址之後，該等像素 曝露於一穩定狀態或約5伏之偏壓電壓差，以使得其保持 處於先前選通狀態中。在此實例中，在被定址之後，每一 像素皆經受在約3至7伏之「穩定窗」内之一電位差。此滯 後性質特徵使（例如）圖1中所圖解說明之像素設計能夠在相 同所施加電壓條件下保持穩定在既有之致動狀態或鬆弛狀 155811.doc 19 201215888 態中。由於每一imod像素（無論是處於致動狀態還是鬆弛 狀態中）實質上係由固定反射層及移動反射層形成之一電 容器’因此可在該滯後窗内之一穩定電壓下保持此穩定狀 態而大致不消耗或損失功率。此外，實質上，若所施加電 壓電位保持大致固定，則有很少或沒有電流流動至 像素中。 在某些實施方案中’可藉由根據一給定 態之所期望改變（若存在），沿該組行電極以「分段」電廢 之形式施加資料信號來形成一影像之一圖框。可依次定起 該陣列之每一列，以使得一次一個列地寫入該圖框。為將 該期望資料寫入至一第—歹中之像素，可將對應於該第一 列中像素之所期望狀態之分段電壓施加於行電極上，且可 將呈-特定「共同」電壓或信號之形式之一第一列脈衝施 加至第一列電極K臭，可使該組分段電壓改變以對應於 第二列中像素之狀態之所期望改變（若存在），且可將一第 二共同電―至第二列電極。在某些實施方，第一 列中之像素不受沿行電極施加之分段電a改變之影響，且 在第-共同電壓列脈衝期間保持處於其已被設定之二雖。 可按-順序方式對整個列系列或另一選擇係對整個行系列 重複此過程以產生該影像圖框。可藉由以某一所期望數目 =/秒之速度連續重複此過程來用新影像資料再新及/ 或更新該等圖框。 跨越每一像素（亦即’跨越每一 分m “ 垮越#像素之電位差)所施加之 刀奴k旎與共同信號之組合 可诼京之所得狀態。圖 155811.doc -20- 201215888 4展不圖解說明當施加各種共同電壓及分段電壓時一干涉 調變盗之各種狀態之一表之一實例。如熟習此項技術者易 於理解’可將「分段」電壓施加至行電極或列電極，且可 將共同」電壓施加至行電極或列電極中之另一者。 如在圖4中（以及在圖5B中所展示之時序圖中）所圖解說 明’當沿一共同線施加一釋放電壓VCrel時，將使沿該共 同線之所有干涉調變器元件置於一鬆弛狀態（另一選擇 係’稱為一釋放狀態或不致動狀態）中，而不管沿分段線 所施加之電壓（亦即，高分段電壓VSH及低分段電壓VSl)如 何。特定而言，當沿一共同線施加釋放電壓VCREiJf，在 沿彼像素之對應分段線施加高分段電壓VSH及低分段電壓 VSL之兩種情況下，跨越該調變器之電位電壓（或者稱為一 像素電壓）皆在鬆弛窗（參見圖3,亦稱為一釋放窗）内。 當將一保持電壓（諸如一高保持電壓VCh〇ld_h4一低保 持電壓VCH0LD L)施加於一共同線上時，干涉調變器之狀 態將保持恆定。舉例而言，一鬆弛1厘0]0將保持處於一鬆 弛位置中，且一致動IMOD將保持處於一致動位置中。可 選擇該等保持電壓以使得在沿對應分段線施加高分段電壓 VSH及低分段電麗VSl之兩種情況下，該像素電壓將保持 在一穩定窗内。因此，分段電壓擺幅（亦即，高％與低分 段電壓VSL之間的差）小於正穩定窗或負穩定窗之寬度。 當將一定址電壓或致動電壓（諸如一高定址電壓vCadd η 或一低定住電壓VCADD L)施加於一共同線上時，可藉由沿 各別分段線施加分段電壓選擇性地將資料寫入至沿^線2 155811.doc -21. 201215888 調變器。可選擇分段電壓以使得該致動相依於所施加之分 段電壓。當沿一共同線施加一定址電壓時，施加一個分段 電壓將導致一像素電壓在一穩定窗内，從而致使該像素保 持不致動。相比之下，施加另一個分段電壓將導致一像素 電壓超出該穩定窗，從而導致該像素致動。致使致動之特 定分段電壓可相依於使用了哪一個定址電壓而變化。在某 些實施方案中，當沿共同線施加高定址電壓VCadd h時， 施加高分段電壓VSh可致使一調變器保持處於其當前位置 中，而施加低分段電壓VSl可致使該調變器致動。作為一 推論，當施加一低定址電壓乂^⑽二時，分段電壓之效應 可係相反的，其中，高分段電壓VSh致使該調變器致動， 且低分段電壓VSL對該調變器之狀態無影響（亦即，保持穩 定）。 在某些實施方案中，可使用跨越該等調變器產生相同極 性電位差之保持電壓、位址電壓及分段電壓。在某些其他 實施方案中，可使用更改調變器之電位差之極性之信號。 更改跨越調變器之極性（即，更改寫入程序之極性）可減小 或抑制在一單個極性之重複寫入操作之後可能發生之電荷 累積。 圖5A展示圖解說明在圖2之3x3干涉調變器顯示器中之一 顯示資料圖框之一圖之一實例》圖5B展示可用於寫入圖 5A中所圖解說明之該顯示資料圖框之共同信號及分段信號 之一時序圖之一實例。可將該等信號施加至（例如）圖2之 3x3陣列，此將最終導致圖5A中所圖解說明之線時間6〇e之 I558Il.doc •22· 201215888 顯示配置。圖5ΑΦ夕 , 致動調變器係處於一暗狀態中，亦 ，其中所反射光之一大 σ 丨分係在可見光譜之外，從而導 致呈現給（例如）一觀看去 解說明之圖維夕^ —暗外觀。在寫入圖5Α中所圖 〇 1冑’該等像素可處於任-狀態中，但圖5Β 之料圖中所圖解說明之寫入程序假設，在第一線時間 之月1每調變窃皆被釋放且處於-不致動狀態中。 在第一線時間6〇a坜ρ卩 必 肩4，將一釋放電壓70施加於共同線 ’一知加於共同線2上之電壓以—高保持電壓训始且移動 至一釋放電墨7〇 ;且沿共同線3施加-低保持電壓76。因 =’沿共同線1之調變器（共同卜分段Ό(1，2)及（1，3)保持 :鬆弛或不致動狀態中達第一線時間⑼a之持續時 間’沿共同線2之調變器（2，1)(2,2)及（2,3)將移動至一鬆他 u同線3之調變器（3，丨）、（3,2)及⑽將保持處 於其先前狀態中。參考圖4’沿分段線1、2及3施加之分段 電屋將對干涉調變器之狀態無影響，75因在線時間_期 間共同線1、2或3中全部不曝露於致使致動之電壓位準 (亦即，vcREL-鬆弛與VCh〇ld l_穩定）。 在第一線時間60b期間，共同線i上之電麼移動至一高保 持電壓72’且由於無定址電壓或致動電壓施加於共同線1 因此不S所知加之分段電壓如何，沿共同線丨之所有 調變态皆保持處於一鬆弛狀態中。沿共同線2之調變器因 施加釋放㈣7〇而保持處於—鬆㈣態_，且#沿共同線 之電壓移動至—釋放電壓70時，沿共同線3之調變器 (3，1)、（3,2)及（3,3)將鬆弛。 15581 丨.doc -23- 201215888 藉由將一高定址電壓74施加於 由於在施加此位址電塵期間沿 在第二線時間6 0 c期間， 共同線1上來定址共同線1。 分段線1及2施加—低分段㈣64，因此跨越調變器（U)及 ⑽之像素電Μ大於調變器之正穩定窗之高端（亦即，電 塵差超過-預界定臨限值），且使調變器〇山及（U)致 動相反，由於沿分段線3施加一高分段電壓62，因此跨 ㈣變HU’3)之像素電壓小於調變器（^)及（1，2)之像素電 壓:且保持在該調變ϋ之正穩定窗内；調變器⑽因此保 持#Α弛；^外，在線時間6〇c期間，沿共同線2之電壓減小 至一低保持電㈣，且沿共同線3之電壓保持處於一釋放 電壓70 ’從而使沿共同線2及3之調變器處於一鬆弛位置 中0 在第四線時間60d期間，共同線丨上之電壓返回至一高保 持電壓72，從而使沿共同線丨上之觀^處於其各別經定 址狀態中。將共同線2上之電壓減小至一低定址電壓 由於沿分段線2施加一高分段電壓62，因此跨越調變器 (2,2)之像素—低於該調變器之負穩定窗之低端，從而致 使調變器（2,2)致動。相反，由於沿分段線⑴施加一低分 段電壓64，因此調變器⑵^及^”保持處於一鬆弛位置 中。共同線3上之電壓增加至一高保持電壓72，從而使沿 共同線3之調變器處於一鬆弛狀態中。 最終，在第五線時間6〇e期間，共同線丨上之電壓保持處 於向保持電壓72，且共同線2上之電壓保持處於一低保持 電壓76，從而使沿共同線1及2之調變器處於其各別經定址 155811.doc -24· 201215888 狀態中。共同線3上之電壓增加至一高定址電壓74以定址 沿共同線3之調變器。由於將一低分段電壓64施加於分段 線2及3上，因此調變器（3,2)及（3,3)致動，而沿分段線丄所 施加之高分段電壓62致使調變器（3，丨）保持處於一鬆弛位 置。因此，在第五線時間60e結束時，3x3像素陣列處於圖 5A中所展示之狀態中，且只要沿該等共同線施加保持電 壓，該像素陣列即將保持處於彼狀態中，而不管在正定址 沿其他共同線（未展示）之調變器時可發生之分段電壓之變 化如何。 在圖5B之時序圖中，一給定寫入程序（亦即’線時間 至60e)可包含高保持及定址電壓或低保持及定址電壓之使 用。一旦針對一給定共同線之寫入程序已完成（且將該共 同電壓設定至具有與致動電壓相同之極性之保持電壓）， 該像素電壓即保持在一給定穩定窗内，且不穿過該鬆弛 窗，直至將一釋放電壓施加於彼共同線上。此外，由於每 一調變器係作為該寫入程序之在定址調變器之前的部分而 被釋放，因此一調變器之致動時間而非釋放時間可確定必 需線時間。特定而言，在一調變器之釋放時間大於致動時 間之實施方案中，可將釋放電壓施加達長於一單個線時間 之時間，如在圖5B中所繪示。在某些其他實施方案中，沿 共同線或分段線所施加之電壓可變化以考量到不同調變器 (諸如不同色彩之調變器）之致動電壓及釋放電壓之變化。 根據上文所陳述之原理操作之干涉調變器之結構之細節 可大大地變化。舉例而言，圖6A至圖犯展示包含可移動 155811.doc -25· 201215888 反射層14及其支撐結構之干涉調變器之不同實施方案之剖 面圖之實例》圖6A展示圖干涉調變器顯示器之一部分 剖面圖之一實例，其中一金屬材料條帶（亦即，可移動反 射層14)沈積於自基板2〇正交延伸之支撐件18上。在圖6b 中，每一 IMOD之可移動反射層14在形狀上係大致正方形 或矩形且在拐角處或接近拐角處依附於系鏈32附接至支撐 件。在圖6C中，可移動反射層14之形狀係大致正方形或矩 形且自一可變形層34懸吊，可變形層34可包含一撓性金 屬。可變形層34可在可移動反射層14之週邊周圍直接或間 接連接至基板20。此等連接在本文中稱為支撐柱。圖6(：中 所展示之實施方案具有源自將可移動反射層14之光學功能 與其機械功能（由可變形層34實施）解耦之額外益處。此解 耦允許用於可移動反射層14之結構設計及材料與用於可變 形層34之結構設計及材料彼此獨立地最佳化。 圖6D展示其中可移動反射層14包含一反射子層14a之一 IMOD之另-實例。可移動反射層14倚靠於—支擇結構（諸 如，支撑柱18)上。支撐柱18提供可移動反射層14與下部 靜止電極（亦即’所圖解說明JMOD中之光學堆疊16之部 分）之分離，以使得（舉例而言）當可移動反射層14處於一鬆 弛位置中時，在可移動反射層14與光學堆疊16之間形成一 間隙19。可移動反射層14亦可包含一導電層及一支撐 層14b，導電層14c可經組態以充當一電極。在此實例中， 導電層14c安置於支撐層ub之遠離基板2〇之一個側上且反 射子層14a安置於支撐層14b之接近於基板20之另一側上。 155811.doc •26- 201215888 在某些實施方案中，反射子層14a可係導電的且可安置於 支撐層14b與光學堆疊16之間。支撐層14b可包含一電介質 材料（舉例而言，氧氮化矽（Si〇N)或二氧化矽（si〇…之一 個或多個層。在某些實施方案中，支撐層丨仆可係一層堆 疊，諸如（舉例而言）Si〇2/Si〇N/Si〇2三層堆疊。反射子層 14a及導電層14c中之# 一者或兩者可包含(例具有約 0.5% Cu之A1合金或另一反射金屬材料。在電介質支撐層 14b上面及下面採用導電層14&、Mc可平衡應力且提供增 強之導電性。在某些實施方案中’出於各種各樣之設計目 的，諸如達成可移動反射層14内之特定應力分佈，可由不 同材料形成反射子層14a及導電層i4c。 如圖6D中所圖解說明，某些實施方案亦可包含一黑色遮 罩結構23。黑色遮罩結構23可形成於光學不作用區（例 如，在像素之間或在柱18下方）中以吸收環境光或雜散 光。黑色遮罩結構23亦可藉由抑制光自一顯示器之不作用 部分反射或透射穿過-顯示器之不作用部分來改良該顯示 器裝置之光學性質’藉此增加對比率。另外，，專、色遮罩結 構23可係導電的且經組態以充當一電運送層。在某些實施 方案中，可將列電極連接至黑色遮罩結構23以減小經連接 列電極之電阻。可使用各種各樣之方法來形成黑色遮罩結 構23，包含沈積及圖案化技術。黑色遮罩結構23可包含一 個或多個層。舉例而言，在某些實施方案中，黑色遮罩結 構23包含充當一光學吸收器之鉬_鉻（]^〇(^)層、Si〇2層及 充當一反射器及一運送層之鋁合金，其分別具有介於約3〇 1558ll.doc •27· 201215888 至80 A、500至1000 A及5 00至6000 A之範圍内之一厚度。 可使用各種各樣之技術來圖案化該一個或多個層，包含光 微影及乾式蝕刻，包含（舉例而言）用於MoCr及Si02層之 CF4及/或〇2 ’及用於鋁合金層之Cl2及/或BC13。在某些實 施方案中，黑色遮罩23可係一標準具或干涉堆疊結構。在 此干涉堆疊黑色遮罩結構23中，導電吸收器可用於在每一 列或行之光學堆疊16中之下部靜止電極之間傳輸或運送信 號。在某些實施方案中，一間隔件層35可用於將吸收器層 16a與黑色遮罩23中之導電層大致電隔離》 圖6Ε展示其中可移動反射層14係自支撐之一 IMOD之另 一實例。與圖6D相比，圖6E之實施方案不包含支撐柱 18。而是，可移動反射層14在多個位置處接觸下伏之光學 堆疊16,且可移動反射層14之曲率提供足夠之支撐以使得 可移動反射層14在跨越該干涉調變器之電壓不足以致使致 動時返回至圖6E之不致動位置。出於清晰起見，此處展示 包含一光學吸收器16a及一電介質16b之光學堆疊16，其可 含有複數個若干不同層。在某些實施方案中，光學吸收器 16a可既充當一固定電極又充當一部分反射層。 在諸如圖6A至圖6E中所展示之彼等實施方案等實施方 案中’ m〇D充當直視式裝置’其中自透明基板2〇之前側 (亦即，與其上配置有調變器之側相對之側）觀看影像。在 此等實施方案中’可對該裝置之背部部分（即，該顯示器 裝置之在可移動反射層14後面之任—部分，包含（舉例而 言）圖6C中所圖解說明之可變形層34)進行組態及操作而不 155811.doc -28- 201215888 對顯不器裝置之影像品質造成衝擊或負面影響，此乃因反 射層14在光學上遮擋該裝置之彼等部分。舉例而言，在某 些實施方案中，可在可移動反射層14後面包含一匯流排結 構（未圖解說明），此提供將調變器之光學性質與調變器之 機電性質（諸如’電壓定址與由此定址所引起之移動）㈣ 之能力。另外，圖6A至圖佔之實施方案可簡化處理（諸 如，（例如）圖案化）。 圖7展示圖解說明一干涉調變器之一製造製程8〇之—流 程圖之-實例’且圖8A至圖8E展示此一製造製程8〇之： 應階段之剖面示意性圖解之實例。在某些實施方案中，除 圖7中未展不之其他方塊之外’製造製程8〇可經實施以製 造（例如）圖1及6中所圖解說明之一般類型之干涉調變器。 參考圖1、圖6及圖7’製⑽在方塊82處開始以在基板2〇 上方形成光學堆疊16<3圖8關解說明在基板2()上方形成之 此一光學堆疊16。基板20可係一透明基板（諸如，玻璃或 塑膠）’其可係撓性的或相對剛性且不易彎曲的，且可已 經歷先則準備製程（例如，清潔）以促進光學堆疊16之有效 形成。如上文所論述，光學堆疊16可係導電的，部分透明 且4刀反射的且可係（舉例而言）藉由將具有所期望性質之 一個或多個層沈積至透明基板2〇上而製作。在圖^入中，光 學堆疊16包含具有子層—及说之一多層結構，但在某些 其他實施方案令可包含更多或更少之子層。在某些實施^ 案令’子層16a、16b中之一者可經組態而具有光學吸收及 導電性質兩者，諸 >，組合式導體/吸收器子層16a。另 1558JI.doc -29- 201215888 外，可將子層16a、16b中之一者或多者圖案化成若干平行 條帶’且可形成一顯示器裝置中之列電極。可藉由一遮罩 及飯刻製程或此項技術中已知之另一適合製程來執行此圖 案化。在某些實施方案中，子層16a、16b中之一者可係一 絕緣或電介質層，諸如沈積於一個或多個金屬層（例如， 一個或多個反射及/或導電層）上方之子層16b。另外，可將 光學堆疊16圖案化成形成顯示器之列之個別且平行條帶。 製程80在方塊84處繼續以在光學堆疊μ上方形成一犧牲 層25。稍後移除犧牲層25(例如，在方塊9〇處）以形成腔19 且因此在圖1中所圖解說明之所得干涉調變器12中未展示 犧牲層25。圖8B圖解說明包含形成於光學堆疊16上方之一 犧牲層25之一經部分製作之裝置。在光學堆疊16上方形成 犧牲層25可包含以選定之一厚度沈積二氟化氙（XeF2)可蝕 刻材料（諸如，鉬（Mo)或非晶矽（a-Si)))以在隨後移除之後 提供具有一所期望設計大小之一間隙或腔19(亦參見圖1及 8E)。可使用諸如物理氣相沈積（PVD，例如，濺鍵）、電漿 增強型化學氣相沈積（PECVD)、熱化學氣相沈積（熱CVD) 或旋塗等沈積技術來實施犧牲材料之沈積。 製程80在方塊86處繼續以形成一支撐結構（例如，圖j、 圖6及圖8C中所圖解說明之一柱18)。形成支撐柱18可包含 以下步驟：圖案化犧牲層25以形成一支撐結構孔口，然後 使用諸如PVD、PECVD、熱CVD或旋塗之一沈積方法來將 材料（例如，一聚合物或一無機材料，例如，氧化石夕）沈 積至該孔口中以形成柱18。在某些實施方案中，形成於犧 155811.doc •30· 201215888 牲層中之支撐結構孔口可延伸穿過犧牲層25及光學堆疊i6 兩者到達下伏之基板20，以使得柱1 8之下部端接觸基板 20，如圖6A中所圖解說明。另一選擇係，如圖8(：中所繪 示，形成於犧牲層25中之孔口可延伸穿過犧牲層25，但不 穿過光學堆疊16。舉例而言，圖8E圖解說明支撐柱18之下 部端與光學堆疊16之上部表面接觸，可藉由將一支撐結構 材料層沈積於犧牲層25上方且圖案化該支撐結構材料之位 於遠離犧牲層25令之孔口處之部分來形成柱18或其他支撐 結構。該等支撐結構可位於該等孔口内（如圖8C中所圖解 說明），但亦可至少部分地延伸於犧牲層25之一部分上 方。如上文所提及，對犧牲層25及/或支撐柱18之圖案化 可藉由一圖案化及蝕刻製程來執行，但亦可藉由替代蝕刻 方法來執行。 製程80在方塊88處繼續以形成一可移動反射層或膜，諸 如圖1、圖6及圖8D中所圖解說明之可移動反射層14。可藉 由採用一個或多個沈積製程（例如，反射層（例如，鋁、鋁 合金）沈積）連同一個或多個圖案化、遮罩及/或蝕刻製程來 形成可移動反射層14。可移動反射層14可係導電的且稱為 導電層。在某些實施方案中，可移動反射層14可包含如 圖8D中所展示之複數個子層14a ' i4b、i4c。在某些實施 方案中，該等子層中之一者或多者（諸如，子層14a、14c) 可包含針對其光學性質選擇之高反射子層，且另一子層 14b可包含針對其機械性質選擇之一機械子層。由於犧牲 層25仍存在於在方塊88處所形成之經部分製作之干涉調變 155811.doc • 31 - 201215888 器中，因此可移動反射層14在此階段處通常係不可移動 的。含有一犧牲層25之一經部分製作之IMOD在本文中亦 可稱為一「不釋放」IMOD。如上文結合圖1所闡述，可將 可移動反射層14圖案化成形成顯示器之行之個別且平行條 帶。 製程8 0在方塊9 0處繼續以形成一腔（例如，圖1、圖6及 圖8E中所圖解說明之腔19)。可藉由將犧牲材料25(在方塊 84處沈積）曝露於一姓刻劑來形成腔丨9。舉例而言，可藉 由乾式化學蝕刻，例如’藉由將犧牲層25曝露於一氣態或 蒸氣蝕刻劑（諸如，由固態XeF2得到之蒸氣）達有效地移除 所期望之材料量（通常係相對於環繞腔丨9之結構選擇性地 移除）之一時間週期來移除一可蝕刻犧牲材料，諸如 非晶矽Si。亦可使用可其他可蝕刻犧牲材料組合及蝕刻方 法例如，濕式触刻及/或電漿姓刻。由於在方塊9〇期間 移除犧牲層25，因此在此階段之後可移動反射層14通常係 了移動的。在移除犧牲層25之後，所得經完全或部分製作 之IMOD在本文中可稱為一「釋放」im〇d。 微機械壓電X軸及γ轴迴轉儀實施方案之說明 某些所揭示之微機械壓電迴轉儀結構提供克服習用壓電 曰叉式迴轉儀之某些效能相關限制之一經改良機械感測元 件。 先前技術迴轉儀 習用壓電迴轉儀利用-單端音又結構或一雙端音又結 構。圖9A及圖9B展示—單端音又式迴轉儀之驅動模式及 155811.doc -32- 201215888 感測模式之實例。如圖9A及圖9B中所展示，單端音叉由 用於驅動功能及感測功能兩者之兩個齒組成。在圖9A及圖 9B中，暗區域指示一迴轉儀900之處於靜止狀態之部分且 亮區域指示迴轉儀900之處於運動狀態之部分。齒910a及 910b通常係在如圖9A中所展示之在平面中以壓電方式反相 驅動。回應於一所施加旋轉，柯若利斯（Coriolis)力致使齒 910a及910b在平面外且沿相反方向振盪（參見圖9B)。所得 感測模式振盪在迴轉儀900之壓電材料上產生一感測電 荷’該壓電材料可係塊狀材料或沈積於迴轉儀9〇〇之結構 材料上之一壓電層。 此等音又系統之主要限制係用於感測拾取之齒9丨〇a及 91〇b可經歷驅動運動’該驅動運動可係大於感測運動之量 級。因此’齒910a及910b之機械不完善及不對稱可導致對 感測信號之一顯著水平之驅動干涉，其可造成正交及偏移 誤差。 此等音叉系統之另一缺點係低於操作頻率之寄生諧振模 式係不可避免的。平面中平移模式通常低於反相操作模式 且可容易用振動激發。 在雙端音又系統（未展示）中，將單獨之齒用於驅動功能 及感測功能。兩個齒係反相驅動。驅動齒上誘發之柯若利 斯力激發—共同扭轉感測模式，其又造成感測齒上之振 動》雙端音又❹對感測齒之驅動干涉，但降低—給定裝 置大小之效率。此外’出現低於及高於操作頻率之諸多不 期望之寄生模式，甚至多於在單端音叉下出現之寄生模 155811.doc -33 - 201215888 式。 壓電x軸迴轉儀結構 本文中所揭示之某些微機械壓電迴轉儀 證質量塊，其可在以一驅動模式操作時在 式振盈（圍繞z轴）且在以一感測槿式 之架構包含一驗

量塊1020藉由附接至一 j判儿固.兜y种迴轉儀之乂軸）。 ί接至一中心錨定件之驅動樑懸吊 專儀1000之一實例。此處，驗證質 中心錨定件1005之撓曲部1010a及 1010b懸吊。驅動電極1015&至1015(1圖案化於該等撓曲部 之頂部側及/或底部侧上《驗證質量塊1020、撓曲部1010a 及1010b以及中心錨定件1005可由各種各樣之材料製成， 諸如，厚的鍍敷金屬合金（例如，諸如Ni_c〇或Ni_Mn等鎳 合金）、單晶矽、多晶矽等。在此實例中，迴轉儀丨〇〇〇之 總的X尺寸及y尺寸約為數毫米或更少。舉例而言，在某些 實施方案中’寬度可介於〇·25 mm至1 mm之範圍内且長度 可介於1 mm至4 mm之範圍内。厚度可介於自少於一微米 至五十微米或更多之範圍内。 在此所圖解說明之實例中，驅動電極1〇15&至1〇15d係對 稱地配置於一中心線1017a之每一側上。在此實例中，中 心線1017a與X轴對應。此處，驅動電極ιοί 5包含壓電膜， 其安置於撓曲部1010a及101 〇b上，從而允許撓曲部ιοί〇a 及1010b充當驅動樑。該壓電膜可係氮化鋁（A1N)、氧化辞 (ZnO)、锆鈦酸鉛（PZT)或其他薄膜。在某些實施方案中， 155811.doc -34- 201215888 驅動電極1015(以及本文中所闡述之其他驅動電極）可包含 一壓電膜，其安置於用以跨越該壓電膜提供一電壓之兩個 金屬層之間。舉例而言，該壓電膜可係一非導電壓電膜。 跨越該等金屬層提供一電壓可致使該等驅動電極移動。另 一選擇係，該壓電材料可係諸如石英、鈮酸鋰、鈕酸鋰等 单晶材料。 在圖10A中所繪示之實施方案中’感測電極i〇25a及 1025b係沿中心線1017a形成之壓電膜。在替代實施方案 中，感測電極1025a及1025b可形成於驗證質量塊1〇2〇上^ 另一選擇係，感測電極1025a及1025b可在與其上形成驅動 電極1015之側相同之側上但在驅動電極1〇15上面或下面之 一層中形成於撓曲部1010a及1010b上《在某些其他實施方 案中’感測電極1025a及1025b可形成於撓曲部1〇1〇&及 1010b之對置側上。在某些實施方案中，感測電極1〇25&及 1025b(以及本文中所闡述之其他感測電極）可包含一壓電 膜，其安置於用以跨越該壓電膜提供一電壓之兩個金屬層 之間。舉例而言，該壓電膜可係一非導電壓電膜。該等感 測電極之移動可造成跨越該等金屬層之一電壓改變。 圖10B展示類似於圖10A之迴轉儀實施方案但在驅動電 極之間具有一間隙之一迴轉儀實施方案之一實例。在此實 例中’迴轉儀1 〇〇〇a包含在撓曲部1 〇 i 〇c及丨〇丨〇d中之槽 10 12a及1 〇 12b。此處，槽1 〇 12a及1 〇 12b係相對於中心線 1017b對稱。包含槽i〇i2a及i〇i2b可使得撓曲部ioioc及 1010d對平面中力相對更具順從性。 155811.doc -35· 201215888 當將反相信號施加至驅動電極1015a至l〇15d時，在撓曲 部1010a至1010d中產生一彎曲力矩。舉例而言，參考圖 10A’若將一正驅動電壓施加至電極1〇 15a且將一負驅動電 壓施加至電極1015b，則一個電極將膨脹且另一電極將收 縮。將在撓曲部1010a中產生一彎曲力矩。類似地，若將 一正驅動電壓施加至電極l〇15d且將一負驅動電壓施加至 電極1015c’則一個電極將膨脹且另一電極將收縮，且將 在撓曲部101 Ob中產生一彎曲力矩。當沿相反方向致動撓 曲部1010a及101 〇b時，激發一扭轉平面中驅動模式。感測 電極1025a及102 5b回應於圍繞X軸之一所施加旋轉而偵測 驗s登質量塊1 〇2〇之平面外扭轉移動。類似地，安置於圖 10B之驗證質量塊1〇2〇上之感測電極1〇25(1及i〇25d可用於 偵測圍繞X軸之所施加角旋轉。 在圖11A及圖11B中，最暗區域指示迴轉儀1000之大致 處於靜止狀態之部分且亮區域指示迴轉儀1〇〇〇之處於運動 狀態之部分。圖11A展示諸如圖1〇A中所展示之實施方案 之一實施方案之一驅動模式之一實例。在圖11A中，沿箭 頭1110a指示之方向驅動迴轉儀1〇〇〇之側u〇5a而沿箭頭 111013指示之方向驅動迴轉儀1000之側1105b。當顛倒驅動 電壓之極性時’沿與所展示之方向相反之方向驅動側 U〇5a及ii〇5b。以此方式，可在標稱地等於驅動電壓之頻 率之一頻率下以一振盪扭轉模式驅動驗證質量塊1020。 圖UB展示如圖11A中所展示地驅動之一實施方案之— 感測模式之一實例《當存在圍繞乂軸之一所施加旋轉時， 155811.doc •36- 201215888 可在驗證質量塊1020上誘發圍繞y軸之一淨柯若利斯力 矩。如圖11B十所展示，該柯若利斯力矩激發平面外感測 模式，其使側1105a及1105b沿相反方向在平面外彎曲。此 感測運動可在如圖10A及圖l〇B中所繪示之感測電極1〇25& 至l〇25d上產生一壓電電荷。 諸如圖10A及圖10B中所繪示之彼等實施方案等實施方 案可大致消除一習用音又系統中固有之平面中模式。某些 此等實施方案可藉由利用一大驗證質量塊1〇2〇來進一步增 強效能。 驅動與感測解耦 在上文所闡述之樣品實施方案中，感測電極i 〇25a至 l〇25d可經歷驅動運動。即使驅動運動之效應可係排斥共 同模式，不對稱及不完善亦可致使將驅動運動耦合至感測 信號路徑中。在某些高效能應用中，所得誤差可造成不太 理想之效能》 為減少感測時之驅動干涉，可藉由利用一框架結構來分 離驅動樑及感測樑《下文闡述用於將驅動模式與感測模式 解柄之兩個-般方法。下文中所闡述之迴轉儀具有約為數 毫米或更少之總長度及寬度。舉例而言，某些實施方案具 有介於0.5 mm至3 mm之範圍内之長度及介於〇 3 111〇1至1 5 mm之範圍内之寬度，與介於約一微米與五十微米或更多 之間的厚度。 驅動框架實施方案 某些驅動框架迴轉儀實施方案包含僅在驅動模式中振盪 155811.doc -37- 201215888 之一驅動框架。該驅動框架可安置於一中心錨定件與一驗 證質量塊之間。與圖1〇A及圖10B中所展示之實施方案相 比’此等實施方案可更有效地將驅動運動與感測運動解 耦。 圖12展示其中—驅動框架經由驅動樑附接至一中心錫定 件之一驅動框架迴轉儀實施方案之一實例：此處，迴轉儀 1200之一驅動框架丨2 1 〇環繞一中心錨定件丨205且經由驅動 樑1215a至1215d附接至中心|苗定件1205。在此實例中，槽 1207分離驅動框架1210與中心錨定件1205之大部分。 一驗證質量塊1220環繞驅動框架1210。驗證質量塊1220 藉由感測樑1225a至1225d耦合至驅動框架1210 ^在此實例 中’驗證質量塊1220僅在感測樑1225a至1225d之遠離一中 心軸1218之遠端1226處耦合至驅動框架121〇，在此實例 中’該中心轴與7轴對應》槽1217及1229分離感測樑i225a 至1225d之其他部分與驗證質量塊1220。槽12 17亦分離驅 動框架1210與驗證質量塊1220。 驅動標1215a至1215d對稱地安置於一中心線1231周圍， 在此實例中，該中心線與X軸對應。為產生驅動振盤，可 使用一差動驅動。在此專貫施方案中，可用反相信號沿___ 個方向致動在錨定件1205之一個側上之兩個驅動樑，且可 沿相反方向致動在錨定件1205之另一側上之另兩個樑以產 生圍繞z轴之一淨旋轉。此處’在將一正電壓施加至驅動 襟1215 b及1215 c之驅動電極（未展不）之同時將_ __負電壓施 加至驅動樑1215a及1215d之驅動電極。 155811.doc • 38 - 201215888 在此實例中，驅動及感測電極包含在圖13 A及圖13B中 可更清楚地看到之壓電膜。圖13A展示諸如圖12中所展示 之迴轉儀實施方案之一迴轉儀實施方案之一剖面圖之一實 例。在迴轉儀1200之此視圖中，可清楚地看到感測樑 1225a之壓電感測電極1305a及感測樑1225b之壓電感測電 極1305b。亦可分別看到感測樑1225c及1225d之壓電感測 電極13〇5c及1305d。圖13B展示圖13A中所展示之迪轉儀 實施方案之一對放大驅動樑之一實例。在圖丨3B中，可分 別看到在驅動樑1215a及1215b上之壓電驅動電極13〇56及 1305f。如下文參考圖41及以下圖所詳細論述，在某些實 施方案中，一單個層可經沈積及圖案化以形成電極i3〇5a 至1305f之壓電膜。 雖然本文中所闡述之壓電驅動及感測電極通常圖解說明 於迴轉儀驅動及感測框架、驗證質量塊等之頂部上，但此 等圖解說明主要係出於清晰之目的而做出的。在替代實施 方案中，此等驅動及感測電極可定位於該等驅動及感測框 架、驗證質量塊等t「下方」（比該等驅動及感測框架、 驗證質量塊等更接近於基板）。如下文參考圖41至備所閣 述其可有利於在形成該等驅動框帛、感測框架、驗證質 量塊等之前形成該等驅動及感測電極。此等製作方法可產 生其中該等驅動及感測電極係安置於該等驅動框架、感測 框架、驗證質量塊等下方之迴轉儀。 圖展示諸如圖12中戶斤展示之迴轉儀實施方案之一迴 轉儀實施方案之-驅動模式之-實例H4A及圖Μ 】5581 l.doc •39· 201215888 中，迴轉儀1200之冷色部分正比暖色部分相對少地移動： 迴轉儀1200之藍色部分大致處於靜止狀態，而紅色及橙色 部分正比迴轉儀1200之其他部分更多地移動。此處，正經 由一差動壓電驅動來驅動驅動樑1215，如上文所闡述。 驅動樑12 15對平面中運動相對具順從性，此允許迴轉儀 1200圍繞z軸旋轉。可使驅動樑1215沿所有其他方向相對 剛性，因此將驅動框架大致約束為僅在驅動模式（亦即，χ_ y平面）中旋轉。此處，舉例而言，驅動樑1215係沿χ軸相 對剛性，以抑制不期望之振盪模式。舉例而言，槽1207之 平行於中心線1218之部分沿驅動框架12 10之y軸形成穿 孔。在無額外剛性之情況下，彼等穿孔將往往沿y軸形成 一順從鉸鏈’從而允許驅動框架1210圍繞該鉸鏈弯曲。 圖14B展示如圖14A中所展示之正被驅動之一迴轉儀實 施方案之一感測模式之一實例。在該感測模式中，驗證質 量塊1220圍繞y軸振盪，此在感測樑1225a至1225d上誘發 一應力。此處，在驗證質量塊側1220b正向下移動之同時 驗證質罝塊側12 2 0 a正向上移動。此平面外感測運動致使 感測樑1225a至1225d在平面外彎*曲且致使由對應感測電極 1305a至1305d產生一壓電電荷。在圖14B之實例中所繪示 之時刻處，感測樑1225c及1225d向下彎曲，而感測樑 1225a及1225b向上彎曲。因此，感測樑1225c及1225d之頂 部表面膨脹且感測樑1225a及1225b之頂部表面收縮。當驅 動運動係沿相反方向時，感測樑1225c及1225d向上彎曲， 而感測樑1225a及1225b向下彎曲。此等實施方案可提供一 155811.doc -40- 201215888 差動偵測機構，其中感測器輸出係感測樑1225&及12251)之 電極之總數減去感測樑1225c及I225d之電極之總數，或反 之亦然，此相依於定向。 在迴轉儀1200之此組態中，驗證質量塊122〇之感測運動 大致與驅動框架1210解耦。將驅動運動與感測運動解耦有 助於保持感測電極更安靜，部分乃因感測電極不經歷大振 幅驅動運動。在某些此等實施方案中，該等感測樑可由於 驅動運動而僅被軸向加負載。 在圖12至14B中所繪示之組態中，感測樑1225&至1225(1 在χ-y平面中大致係矩形。然而，在替代實施方案中，感 測樑1225 a至1225 d具有其他形狀。在某些此等實施方案 中’感測樑1225a至1225d係錐形，例如如圖17中所展示。 感測框架實施方案 本文中所闡述之各種感測框架迴轉儀實施方案包含在感 測模式中振盪但在驅動模式中係大致靜止之一感測框架。 圖15展示一感測框架迴轉儀實施方案之一實例。感測框架 1510可經由驅動樑1515a至1515d連接至驗證質量塊1530。 此處，驅動樑1515a至1515d將感測框架1510之一中心部分 1510a連接至驗證質量塊1530。中心部分15l〇a安置於一對 錨定件1505a及1505b之間。此處，藉由槽1522來分離錨定 件1505a及1505b與中心部分i51〇a。 迴轉儀1500以經由感測樑1520&至i52〇d連接至錨定件 15053及15051)之一感測框架1510為特徵。在此實例中，感 測框架15 10包含若干錐形部分1512，其各自在接近錨定件 155811.doc -41 · 201215888 1505a或1505b中之一者之一第一端15 13處較寬且在遠離錨 定件1505a或1505b之一第二端1514處較窄。感測樑丨^^ 至l520d中之每一者自錨定件^❶“或ls〇5b中之一者延伸 至第二端1514中之一者。此處，感測樑152〇3至152(^僅在 第二端1514處連接至感測框架151〇0藉由槽1522來分離感 測樑1520a至1520d與第一端1513。 藉由槽1 524來分離驗證質量塊153〇與感測樑152〇且分離 驗證質量塊1530與感測框架151〇。此外，藉由槽1517來分 離驗證質量塊1530與感測框架1510。因此，感測框架ΐ5ι〇 大致與驗證質量塊1530之驅動運動解耦。 圖16A展示圖15中所展示之迴轉儀實施方案之一驅動模 式之一實例《在圖16A中，擴大驗證質量塊153〇相對於感 測框架15 10之位移以更清楚地看到其相對運動。迴轉儀 1500之深藍色部分係大致處於靜止狀態，而紅色及橙色部 分正比迴轉儀1500之其他部分更多地移動。此處，以一均 勻深藍色陰影展示感測框架15 1 〇，從而指示感測框架丨5丄〇 大致處於不運動狀態。驗證質量塊丨53〇之位移隨距錨定件 15 05之距離的增加而增加，如自淡藍色至紅色之色彩進展 所指示》 感測框架1 5 1 0不僅藉由驅動樑〗5丨5而且藉由鏈接樑丨525 來耦合至驗證質量塊1530。驅動樑15 15及鏈接樑1525對平 面中變形係順從性且允許驗證質量塊153〇在驅動模式中相 對於感測框架進行平面中旋轉。然而，感測框架15 1 〇大致 與驗證質量塊1530之驅動運動解耦。 155811.doc •42· 201215888 圖16B展示如圖16A中所展示之正被驅動之迴轉儀實施 方案之一感測模式之一實例。在感測模式操作期間，驗證 質量塊1530及感測框架1510可一起在平面外以扭轉方式振 盪。在圖16B中所繪示之時刻處，驗證質量塊153〇之一端 16〇5正向上彎曲且驗證質量塊153〇之一端161〇正向下彎 曲。此處，鏈接樑1525相對於平面外力係剛性。因此，鏈 接樑1525增加驗證質量塊1530之感測運動向感測框架151〇 之傳遞。 錐形感測樑 可藉由改良感測樑上之應力均勻性來增加壓電迴轉儀系 統之電敏感度。對於一矩形感測樑之某些實施方案，感測 樑上之最大彎曲應力在錨定件連接處且隨著距錨定件之距 離而線性地減小。此組態可在感測電極處產生減少之總壓 電電荷。 藉由使用一錐形感測樑輪廓，可藉由由於一逐漸減小樑 寬度所致之應力增加來補償彎曲應力之減小。因此，可沿 感測樑達成一均勻應力分佈且可最大化在整個感測電極上 產生之電荷。 圖1 7展不具有錐形感測樑之一替代感測框架迴轉儀實施 方案之一實例。迴轉儀17〇〇之諸多特徵類似於迴轉儀15〇〇 之對應特徵。舉例而言，驅動樑1715將感測框架171〇之一 中心部分連接至驗證質量塊173〇。感測樑172〇&至172〇d自 錯定件1705a及1705b延伸至感測框架171〇之遠離錨定件 1705a及 1705b之遠端 1714。 155811.doc -43- 201215888 藉由槽1724來分離驗證質量塊1730與感測樑1720a至 1720d。此外’藉由槽171 7來分離驗證質量塊1730與感測 框架1710之大部分。如同迴轉儀1500之感測框架1510，感 測框架1710大致與驗證質量塊173 0之驅動運動解麵。 然而，在圖17中所展示之實例中，將一錐形感測樑設計 併入至解耦之感測框架實施方案中。在迴轉儀丨7〇〇中，感 測襟1720a至1720d具有隨距錫定件1705a及1705b之距離的 增加而減小之寬度。舉例而言，錐形感測樑〗72〇c包含附 接至錨定件1705b之一較寬端1722及附接至感測框架171〇 之一較窄端1723。 當根據一有限元分析（FEA)將感測運動期間的感測樑上 之應力模型化時，可觀察到，該錐形感測樑設計之某些實 施方案沿該感測樑提供更均勻之應力。圖丨8展示疊加於諸 如圖17之迴轉儀實施方案之一迴轉儀實施方案上之一有限 το分析之一實例，其展示當以一感測模式操作時之錐形感 測樑上之大致均勻應力。錐形感測樑i 72〇&及i 72〇c上之大 致均勻淡陰影指示大致均勻壓縮力，而錐形感測樑172〇b 及1720d上之大致均勻深陰影指示大致均勻張力。 圖19展示諸如圖17之迴轉儀實施方案之一迴轉儀實施方 案之錐形感測樑上之應力位準與距中心&軸）之距離之曲線 關係之一標繪圖之一實例。在圖19中，相對於沿χ軸之距 離私繪沿感測樑1720c及1720d之應力。自圖19可觀察到， 在此實施方案中，應力位準保持相對恆定且大致不隨著沿 每一感測樑之位置而降低。區19〇5與錐形感測樑172〇<1之 155811.doc • 44· 201215888 大致均勻張力對應’而區1910與錐形感測樑i72〇c之大致 均勻壓縮力對應。對於一最佳錐角，可達成跨越每一感測 樑1720a至1720d之一大致恆定應力位準。該最佳錐角將根 據迴轉儀設計而變化且可藉由重複的FEa模型化來確定。 該最佳錐角將對應於區域1905及191〇中之「最平坦」或變 化最小之曲線。 雖然本文已在感測框架迴轉儀實施方案之背景中展示了 錐形感測樑，但在其他實施方案中，錐形感測樑亦可用於 改良敏感度。舉例而言，錐形感測樑可用於諸如上文參考 (例如）圖15所闡述之彼等驅動框架迴轉儀實施方案等驅動 框架迴轉儀實施方案中。 除錐形感測樑1720之外，在迴轉儀1500與迴轉儀17〇〇之 間還存在某些額外差異。再次參考圖17，可觀察到，鏈接 樑1725係蛇形撓曲部且連接至感測框架丨71 〇之比在迴轉儀 1500中相對較遠離於y軸之遠端部分。此係在耗合驗證質 量塊1730之感測運動方面稍微優於迴轉儀丨5〇〇之組態之一 改良’此乃因正在較遠離於y軸、較接近於驗證質量塊 17 3 0之感測運動之最大振幅點處施加力。將所施加力移動 為較接近於翼形感測框架1710之尖端將相對更大的力自驗 證質量塊1730傳達至感測框架1710。 此外，在迴轉儀1700中，槽1726(.其分離i705a&17〇5b 與感測框架1710)之部分大致半行於槽1717(其分離感測框 架1710與驗證質量塊1730)之對應部分。此修改可有助於 提供感測框架1710之對應部分中之充足剛性。 155811.doc •45· 201215888 微機械磨電z轴迴轉儀實施方案之說明 本文中所聞述之某些實施方案提供具有低正交及偏移誤 差之-z軸迴轉儀。某些實施方案包含在—大致線性、X方 向之運動中(在平面中)以壓電方式驅動之-驅動驗證質量 塊。驅動驗證質量塊可機械地耦合至一感測驗證質量塊， 其於存在圍繞z軸之一角旋轉時以扭轉方式振動。感測驗 證質量塊之運動可在安置於將感測質量塊連接至基板鐘定 件之感測樑上面或下面之一壓電膜中誘發電荷。所誘發電 荷可致使壓電感測電極之電壓改變’可以電方式記錄並處 理此改變。 該等驗證質量塊可由各種各樣之材料製成，諸如，厚的 鍍敷金屬合金（例如，諸如Ni_c〇、州_河11等鎳合金）、來自 - SOI晶圓之裝置層之單晶石夕、玻璃及其他材料。該壓電 膜可係氮化鋁（A1N)、氧化鋅（Zn0)、鍅鈦酸鉛（ρζτ)或其 他薄膜或諸如石英、鈮酸鋰、钽酸鋰及其他材料等單晶材 料。某些實施方案極適合於製造於平板顯示器玻璃上。 某些實施方案亦涉及使用一靜電致動器陣列來調諧驅動 運動之機械模式形狀以抑制至感測框架中之正交耦合。舉 例而言，在某些實施方案中，靜電致動器包含一梳指狀電 極陣列以微調驗證質量塊之一平面中運動及/或基板與驗 證質量塊之間的一靜電間隙以抑制不期望之垂直運動，如 下文參考圖23更全面地闡述。 Ί轴迴轉儀架構 圖20Α展示一 ζ軸迴轉儀2〇〇〇實施方案之一平面圖之一實 155811.doc -46- 201215888 例。迴轉儀2000包含安置於一中心錨定件2〇〇5周圍之一感 測框架2010。感測框架2〇1〇經由感測樑2〇2〇3至2〇2〇d連接 至中心錨定件2005。 一驅動框架2030安置於感測框架2〇 1 〇周圍且連接至感測 框架2010〇在此實例中’驅動樑2〇15a至2〇15d在一大致線 性、X方向之運動中（在平面中）以壓電方式驅動驅動框架 2030。此處’驅動框架2030係由驅動框架部分2〇3〇a及 2030b構成。可藉由將反相電壓施加至每一對毗鄰驅動樑 來致動驅動框架2030 ’例如’將一正電壓施加至驅動樑 2015a且將一負電壓施加至驅動樑2〇15b。 圖20B展示圖20A中所展示之z軸迴轉儀實施方案之驅動 樑2015c及2015d之一放大視圖之一實例。在此放大視圖 中’可更清楚地看到驅動樑2015c及2015d。驅動樑2015c 及2015d藉由安置於槽2035c内之撓曲部2045b來結合至驅 動框架部分2030b。電極2050a及2050b(其每一者包含一壓 電膜）分別安置於驅動樑201 5c及201 5<!上》在此實例中， 在正將一負電壓施加至電極2050a之同時將一正電壓施加 至電極2050b。所施加電壓致使將壓縮應力施加至驅動樑 2015d且將一張力應力施加至驅動樑2〇 15C。由壓電材料誘 發之對置軸向應變造成沿一正X方向移動驅動框架部分 2030b之一淨力矩。 圖21A展示諸如圖20A中所繪示之z軸迴轉儀實施方案之 一 z軸迴轉儀實施方案之一驅動模式之一實例。在圖21A及 圖21B中’擴大位移以使得易於觀看。在圖2ia中，驅動 155811.doc • 47· 201215888 框架部分2030b已沿一正χ方向移動且驅動框架部分2〇30a 已沿一負X方向移動。然而’驅動運動大致與感測框架 2010解耦。因此，感測框架2010不沿χ軸平移。而是，感 測框架2010於不存在圍繞z軸之旋轉時大致保持靜止。 間隙2035a至2035e及安置於其中之撓曲部之功能性在圖 21A中係顯而易見的。間隙2〇35&至20356大致平行於丫軸。 大致沿y軸延伸之間隙2035b已打開。橫跨間隙2035b且連 接驅動框架部分2030a及2030b之撓曲部2047a及2047b亦已 打開。沿間隙2035d及2035e延伸之撓曲部2040a及2040b對 平面中彎曲係順從性且允許感測框架2030在驅動驅動框架 部分2030a及2030b時保持於大致同一位置中。類似地，沿 間隙2035a及2035b延伸之撓曲部2045a及2045b亦允許感測 框架2010在驅動驅動框架2〇3〇時保持於大致同一位置中。 圖21B展示如圖21A中所繪示之驅動之一 z轴迴轉儀實施 方案之一感測模式之一實例。感測樑2〇2〇對圍繞z軸之旋 轉係順從性。因此，感測框架2〇 1〇可於存在一角旋轉時以 扭轉方式振動。感測框架2〇1〇之此等扭轉感測運動可在安 置於感測樑2020上之壓電膜中誘發應變及電荷。可自圖 21B觀察到，撓曲部2〇47&及2〇4713亦可因感測框架2〇1〇之 感測運動而變形。然而，撓曲部2〇4〇a、2〇4〇b、2〇45&及 2045b大致不變形。 在本文中所揭示之z軸迴轉儀實施方案中，驅動框架及 感測框架可經設計而具有機械正交振動模式。如圖21A中 所展不，在某些實施方案中，驅動懸架可將驅動運動限制 155811.doc -48- 201215888 於沿X軸之一大致線性位移之驅動運動。 相比之下，感測框架懸架可對圍繞z軸之扭轉旋轉係順 從性，但與沿X或y方向之平移運動相比可係剛性。可使連 接驅動框架2030及感測框架201 〇之撓曲部對χ方向（正交）力 係順從性，但與y方向之柯若利斯耦合扭轉力相比係剛 性。此等組態可大致減小自驅動運動耦合至感測運動之驅 動運動正交。 此外，在某些實施方案中，迴轉儀差動驅動框架之元件 可機械地耦合以減小寄生諧振之量且將對稱模式及不對稱 模式之頻率分離開。因此，此等實施方案抵抗正交誘發之 寄生諸振。 感測樑最佳化 可藉由改良感測樑上之應力均勻性來增加壓電迴轉儀系 統之電敏感度》對於具有一均勻矩形剖面之一感測樑，感 測樑上之考曲應力在錫定件鏈接處係一最大值且依據距錯 疋件之距離而線性地減小。此導致感測電極上之一不太理 想之综合壓電電荷且因此電壓。 圖22展示來自一 2軸迴轉儀之一錐形感測樑之一個實施 方案之一近視圖之一實例。如圖22中所展示，藉由利用一 錐形感測樑輪廓，可沿感測樑2020c及2020d達成一大致均 勻應力分佈。因此’可增強在感測電極上產生之總電荷。 製作於平板顯示器玻璃上 本文中所揭示之某些X軸、y軸及Z轴迴轉儀極適合於製 造於大面積之平板顯示器上。在使用鍍敷金屬合金驗證質 155811.doc -49· 201215888 量塊及一濺鍍壓電A1N膜之某些實施方案中，可在低於 400〇C下發生處理。一鍍敷金屬驗證質量塊可具有高質量 密度（與石夕相比）且不存在為基於石夕之靜電設計所共用之深 反應性離子敍刻（DRIE)側壁斜率且誘發正交。下文參考圖 41及以下圖闞述某些製作製程之細節。 在某些實施方案中’玻璃可充當基板及封裝兩者，從而 導致組件成本減低。一z轴迴轉儀可與若干其他感測器及 致動器整合在一起’諸如加速計、χ軸及心軸迴轉儀、 磁力計、麥克風、壓力感測器、譜振器、致動器及/或其 他裝置。 利用靜電致動器進行正交調諧 本文中所闡述之某些實施方案涉及使用—靜電致動器陣 列^有效微調驅動及/或感測框架之機械模式形狀以抑制 正交及偏移誤差。可由耗合至感測框架之驅動框架之不期 望偏轉導致正交。 圖23展示可經組態以施加校正靜電力以微調一驗證質量 塊之振動模式形狀之-電極陣列之一實例。圖23繪示一驗 證質量塊2305,其可係—迴轉儀或—加速計驗證質量塊。 驗證質量塊2305之所期望運動係在平面中，如所展示。缺 而，驗證質量塊2305之振動模式可具有平面外分量。圖 中顯示疊加於主要平面中平移驅動模式上之此一平面外分 量、一小㈣直不期望偏轉之一個實例（顯示為驗證質= 塊2305之虛線略圖）。電極陣列231〇可經組態以用於將一 靜電校正力施加至驗證質量塊23〇5。藉由控制電極陣列 155811.doc -50- 201215888 23 10以有效施加取消驗證質量塊23〇5之運動之不期望垂直 分量之一靜電力，可降低耦合至感測框架之正交誘發之加 速度。 该概念亦可適用於若干其他實施方案。舉例而言，靜電 致動器可係由經組態以施加一靜電力從而取消一不期望之 y方向運動之梳指狀件構成。 加速計實施方案之說明 本文中所闞述之各種實施方案提供新穎三軸加速計以及 其組件。此等三轴加速計具有適於用於諸如可攜式導航裝 置及智慧電話等各種各樣之消費性電子應用中之大小、效 能位準及成本等實施方案提供—以電容性堆疊橫 向重疊轉換器（SLOT)為基礎之三軸加速計。某些實施方案 使用兩個驗證質量塊來提供三轴感測，而其他實施方案僅 使用-個驗證質量塊來提供三轴感測。不同撓曲部類型可 經最佳化而用於每一轴β 該加速計之實施方案可製作於大面積基板（諸如，大面 積玻璃面板)上。如下文詳細闡冑’用於在大面積基板上 形成以SLGT為基礎之三轴加速計巾之製作製程可係可與 用於在大面積基板上製作迴轉儀之製程—致。組合此等製 程可使得能夠將六個慣性感測軸單體地整合於—μ 基板上。 、早玻璃 對於x-y轴平面中感測’某些實施方案提供—導電驗證 質量塊及在-犧牲間隙之任一側上之經圖案化電極。平面 中施加加速度使該驗證質量塊橫向平移， W小第一電極 155811.doc -51- 201215888 與驗證質量塊之間的重疊且增加第二電極與驗證質量塊之 間的重疊。平面中彎曲撓曲部可為一懸吊驗證質量塊提供 結構支撐。 對於Z軸平面外感測，可藉由使驗證質量塊之一個側之 質量比驗證質量塊之另一側相對較大（或較小）來形成一枢 軸之任一側上之力矩不平衡。舉例而言，可藉由將驗證質 量塊之一個側穿孔及/或藉由形成在任一側上具有一不同 寬度及/或長度之驗證質量塊來形成該樞軸之任一側上之 力矩不平衡。在某些實施方案中，一負Z加速度使驗證質 量塊順時針旋轉，此增加第一電極與驗證質量塊之間的間 隙且減小第二電極與驗證質量塊之間的間隙。該Z軸加速 計可包含扭轉撓曲部。在某些實施方案中，可使用一個或 兩個驗證質量塊來達成三軸感測。下文闡述某些實例。 圖2 4展示用於量測平面中加速度之一加速計之一實例。 加速計2400包含形成於基板2401上之電極2405a及2405b。 電極2405a及2405b可由任一方便導電材料（諸如，金屬）形 成。加速計2400包含藉由一間隙2415而與電極2405a及 2405b分離之一導電驗證質量塊2410。舉例而言，間隙 2415可約為數微米（例如，0.5或2微米）或可相當小或相當 大。 導電驗證質量塊2410包含一槽2420。在此實例中，當加 速計2400處於靜止狀態時，槽2420之邊緣2425懸吊於電極 2405a及2405b上方。相依於實施方案，槽2420可部分地或 完全地延伸穿過導電驗證質量塊2410。具有不同槽深度之 155811.doc -52- 201215888 各種導電驗證質量塊2410之電容展示於下文所闡述之圖32 中。具有加速計2400之一般組態之加速計在文中可稱為以 堆疊橫向重疊轉換器（SLOT)為基礎之加速計。 一正X加速度使導電驗證質量塊2410橫向平移，此使槽 2420之位置移位。槽2420之大部分定位於電極24〇5&上 方，此致使較多空氣及較少導電材料定位於接近電極 2405a處。此使電極24〇5a處之電容減小ac。相反，槽2420 之小部分定位於電極2405b上方，此致使較少空氣及較多 導電材料定位於接近電極2405b處。此使電極2405b處之電 谷增加AC。由導電驗證質量塊24·1〇之平移所導致之重疊之 改變產生與2AC成比例之一對應平面中加速度差動輸出信 號。 圖2 5展示用於量測平面外加速度之一加速計之一實例。 在此實例中’加速計2500包含藉由一支撐件25 15及一扭轉 撓曲部2525附接至一基板2401之一導電驗證質量塊2510。 支撐件25 15及扭曲撓曲部2525形成一樞軸2530 ^可（例如） 藉由將導電驗證質量塊25 10之一個側穿孔、藉由使導電驗 證質:S塊2510在支撑件2515之任一側上具有一不同寬度及/ 或長度或者藉由此兩者之組合來在支撐件2515之任一側上 形成一力矩不平衡。亦可藉由使用以下材料製成導電驗證 質量塊2510之一個側來形成一力矩不平衡：密度比用以形 成導電驗證質量塊2 5 1 0之另一側之材料相對較大或較小。 然而’此等實施方案在製作起來可係相對更複雜。在此實 例中’已藉由在側2510b中製成穿孔2520來形成一力矩不 155811.doc -53- 201215888 平衡。 一負z加速度使導電驗證質量塊25 10順時針旋轉，此增 加電極2405c與導電驗證質量塊25 10之間的一間隙且減小 電極2405d與導電驗證質量塊25 10之間的一間隙。此使電 極24〇5c處之電容減小△(：且使電極2405d處之電容增加 △ C。產生與2Δ(：成比例之一對應平面外加速度輸出信號。 圖26Α展示用於量測平面中加速度之一加速計之一實 例。加速計2400a可具有約為幾毫米之總的χ尺寸及y尺 寸。在某些實施方案中，加速計2400a可具有小於一毫米 之X尺寸及y尺寸。 在此實例中，加速計2400a包含安置於一内部框架261〇a 周圍之一導電驗證質量塊2410a。導電驗證質量塊241〇a包 含大致沿一第一軸（其在此實例中係χ轴）延伸之槽2420a。 導電驗證質量塊241 Oa亦包含大致沿一第二轴（其在此實例 中係y軸）延伸之槽2420b。如下文更詳細地闡述，將導電 驗證質量塊2410a約束為大致沿x軸、y軸或x&y軸之一組 合移動。 内部框架2610a包含一大致靜止部分2612a，其經由一錨 疋件2605連接至一基板。錨定件2605安置於圖26A中所繪 示之平面下方。此處，靜止部分2612a亦包含一對應力隔 離狹縫2625，其在此實例中大致沿y軸延伸。應力隔離狹 縫2625可使加速度量測對膜、基板及/或封裝中之應力不 敏感。内部框架2610a亦包含一可移動部分2614a ^撓曲部 2615a將可移動部分2614a連接至導電驗證質量塊241〇a。 1558ll.doc •54· 201215888 撓曲部2620a將可移動部分26 14a連接至靜止部分2612a。 該等撓曲部可係摺疊撓曲部，其可增加彎曲順從性。在某 些實施方案中’該等撓曲部可係蛇形撓曲部在此實例中， 内部框架2610a包含複數個槽2420a。如圖26A中所展示， 可在驗證質量塊2410a中形成額外槽2420a。 圖26B展示圖26A之加速計對沿一第一軸之加速度之回 應之一實例。此處’加速計2400a之導電驗證質量塊2410a 正X轴移動。將槽2 4 2 0 b沿X抽移位，此致使由對應電極 2405偵測一電容改變，如上文參考圖24所闡述。電極24〇5 安置於下伏於圖26B中所圖解說明之平面下之一基板 2401(未展示）上。加速計2400a、基板2401與電極2405之間 的特殊關係圖解說明於圖28中且闡述於下文中。撓曲部 2615a(其在圖26B中係變形的）允許導電驗證質量塊241 〇a 在内部框架261 0a大致保持靜止之同時沿X軸移動。在此實 施方案中，撓曲部2,620a係大致不變形的。與槽242〇a相關 聯之電容在驗證質量塊之X平移期間係大致不變的。 圖26C展示圖26A之加速計對沿一第二軸之加速度之回 應之一實例。此處，導電驗證質量塊2410a及内部框架 2610a之可移動部分2614a正沿y軸移動。將槽242〇&沿7軸 移位，此致使由對應電極2405偵測一電容改變，如上文所 闡述。撓曲部2620a(其在圖26C中係變形的）允許可移動部 分2614a隨著導電驗證質量塊24 l〇a沿y軸移動。在此實施 方案中，撓曲部2615a係大致不變形的。與槽2420b相關聯 之電容在驗證質量塊2410a及可移動部分2614&之丫平移期 155811.doc -55- 201215888 間係大致不變的。 圖26D展示用於量測平面中及平面外加速度之一加速計 之一實例。在此實例中，加速計2400b包含具有一延伸部 2670之一導電驗證質量塊2410b。延伸部2670致使導電驗 證質量塊2410b之位於延伸部2670之側上之部分之質量多 於導電驗證質量塊2410b之位於錨定件2605之另一側上之 部分。延伸部2670之額外質量形成上文參考圖25所闡述之 類型之一力矩不平衡，從而允許加速計2400b對沿z軸之加 速度敏感。 在加速計2400b與先前圖式中所闡述之加速計2400a之間 存在其他差異。在圖26D中所繪示之實施方案中，内部框 架2610b之靜止部分2612b相對小於在（例如）圖26A中所繪 示之實施方案中之内部框架2610a之靜止部分2612a。此組 態允許槽2420a佔據内部框架2610b之相對多之面積，此可 導致對量測沿y軸之加速度之較高敏感度。此外，在圖26D 中所繪示之實施方案中，撓曲部2615b及2620b係蛇形撓曲 部。 圖2 7展示用於量測平面外加速度之一加速計之一實例。 Z軸加速計2500a經組態以根據上文參考圖25所闡述之加速 計2500之一般原理而操作。此處，導電驗證質量塊25 10藉 由一錨定件25 15a及形成一枢軸2530a之一對扭轉撓曲部 2525a來附接至一基板2401(未展示）。已藉由使導電驗證質 量塊25 10之側25 10b相對小於另一側25 10a來在樞軸2530a 之任一側上形成一力矩不平衡。 155811.doc •56- 201215888 電極2405 c及2405 d在加速計2500a下面之一平面中安置 於基板2401上，如圖25及28中所展示。在此實例中，自導 電驗證質量塊2510之側251 Ob之一邊緣將電極2405c插入一 距離27 10。沿z軸之一加速度致使導電驗證質量塊25 1 0圍 繞y軸且圍繞柩軸2530a旋轉，如上文參考圖25所闡述。舉 例而言，沿z軸之一加速度使導電驗證質量塊2 5 10之側 25 10a沿一負z方向（朝向電極2405d)旋轉且使側251 Ob沿一 正z方向（遠離電極2405c)旋轉。導電驗證質量塊2510圍繞 樞軸253 0a之此旋轉使電極2405c處之電容減小AC且使電極 2405d處之電容增加AC，如上文參考圖25所闡述。產生與 2AC成比例之一對應平面外加速度輸出信號。電極2405c及 2405d處之電容改變可相依於各種因素，諸如電極2405c及 2405 d之大小、沿z軸之加速度之量值等。在某些實施方案 中，電極2405c及2405d處之電容改變可介於數毫微微法拉 之範圍内。 圖2 8展示用於量測平面中及平面外加速度之一替代加速 計實施方案之一實例。在此實例中，三軸加速計2800組合 z軸加速計2500a(圖27)與x-y軸加速計2400a(圖26A至圖 26C)。在某些實施方案中，加速計2800可具有約為幾毫米 或更少之一長度2805及一寬度2810。舉例而言，長度2805 可介於0.5至5 mm之範圍内，而寬度可介於0.25至3 mm之 範圍内。 電極2405c至2405f安置於基板2401之將緊鄰其製作加速 計2500a及加速計2600a之區域上。電極2405c及2405d可經 155811.doc -57- 201215888 組態以量測加速計2500a對z軸加速度之回應。電極24〇5e 可經組態以偵測加速計2600a之沿X軸之加速度，而電極 2405f可經組態以偵測加速計2600a之y軸之加速度。 圖2 9展示用於量測平面中及平面外加速度之另一替代加 速計實施方案之一實例。在此實例中，加速計2400c包含 安置於一解耦框架2910内之一導電驗證質量塊241〇Ce撓 曲部2615c將導電驗證質量塊2410c連接至解耦框架291〇且 允許導電驗證質量塊2410c沿X軸平移。安置於一毗鄰基板 (未展示）上之電極可根據由一個或多個槽2420b之移動所導 致之電容改變而偵測沿X軸之加速度。 解耦框架2910可安置於一錨定框架2915内。撓曲部 2620c將解耦框架2910連接至錨定框架2915且允許解麵框 架2910及導電驗證質量塊2410c沿y軸移動。安置於一础鄰 基板（未展示）上之電極可根據由一個或多個槽242〇a之移動 所導致之電容改變而偵測沿y軸之加速度。 一樞軸2515b可將錨定框架2915連接至一基板2401(圖29 中未展示）。已藉由將加速計2600c之大部分製作於樞軸 25 15b之一個側上來形成一力矩不平衡。沿2軸之一加速度 使加速計2600c朝向或遠離基板2401上之一電極2405g旋 轉。此旋轉使電極2405g處之電容增加或減小ac，如上文 參考圖25及27所闡述。由於該旋轉，產生與ac成比例之一 對應平面外加速度輸出信號。應力隔離狹缝272〇a可有助 於使加速度量測對膜、基板及/或封裝中之應力不敏感。 某些加速計實施方案以鍵敷停止件為特徵，該等鐘敷停 155811.doc • 58· 201215888 止件對驗證質量塊及/或換曲部之運動施加約束以保護驗 證質量塊及毗鄰結構使其不受潛在損壞性超程及靜摩擦之 影響。舉例而言，參考圖28 ’可在加速計24〇〇a之邊緣周 圍將柱製作於基板2401上，以限制加速計2400a之X及/或乂 位移。可在加速計2500a下方形成類似結構，以防止加速 計2500a接觸電極2405c、電極2405d及基板2101»此等實 施方案藉此改良可靠性及震動抗毀性。可在用於製作驗證 質量塊及撓曲部之相同光微影及鍍敷製程期間製作此等特 徵。 圖30展示繪示由可用於形成一加速計或一迴轉儀之各種 材料達成之相對敏感度之一圖表。圖表3000中所指示之相 對敏感度係基於具有相同拓撲但不同材料之感測器之理論 比較、被正規化至由石夕製成之一感測器之敏感度。曲線 3005指示’假定兩個裝置之尺寸相同，則對於具有同一設 計之一裝置而言，使用一鍍敷鎳合金作為一結構材料可產 生大約比使用矽作為一結構材料大三倍之敏感度。圖表 3000之資料點係基於假定將同一材料用於驗證質量塊及撓 曲部。波速界定為（楊氏模數/質量密度）之平方根。對於一 給疋慣性力’ 一低揚氏模數提供一大位移，而對於一給定 加速度，一高質量密度提供一大慣性力。 圖3 1A展示一梳指狀加速計之一實例。梳指狀加速計亦 稱為交叉狀電容器加速計或梳狀驅動加速計。梳指狀加速 計3100包含部件3102a及3102b，其上分別安置有電極「指 狀件（finger)」3 105a及3 105b。在此實例中，部件3 i〇2a係 155811.doc •59· 201215888 約束為大致沿x軸移動之一可移動部件。當部件3 1 〇2a朝向 靜止部件3102b移動時，指狀件3105a與3105b之間的一重 疊增加。因此，部件3 102a沿一正X方向之運動導致指狀件 3105a與3105b之間的電容增加。 圖3 1B係繪示梳狀驅動加速計及以slot為基礎之加速計 之效能之一圖表。可在圖3 1B中觀察到改變犧牲間隙高度 及驗證質量塊厚度對以電容性SLOT及梳指狀件為基礎之 加速計之敏感度之相對效應。曲線3115對應於插圖3155之 以梳指狀件為基礎之加速計，而曲線3丨2〇對應於插圖3丨6〇 之以梳齒為基礎之加速計。插圖3 1 55及3 160繪示以梳指狀 件為基礎之加速計之剖視圖，其中展示該等指狀件在一基 板上面。插圖3155及3160亦展示指狀件3l〇5a及3105b之尺 寸及間隔。曲線3 125對應於插圖3 1 65之以SLOT為基礎之 加速計且曲線3130對應於插圖3 17〇之以SL〇T為基礎之加 速計。 所得圖表3110指示所揭示之SL〇T轉換器拓撲可在不需 要尚縱橫比結構特徵之情況下達成高敏感度。此外，以 SLOT為基礎之加速計實施方案取得優於具有增加之特徵 大小之梳狀驅動裝置之效率。水平軸上所指示之最小橫向 特徵大小係指在梳指型加速計之情況下的指狀件寬度及間 隔及在以SLOT為基礎之加速計之情況下的槽寬度。垂直 軸上之特疋比例因子係指一加速計回應於驗證質量塊之 100 rnn橫向平移之電容改變/單位面積。對於相對較大之 最小橫向特徵大小(此處，冑小橫向特徵大小大於6微米）， 1558ll.doc 201215888 以SLOT為基礎之加速計之兩個實例皆提供大於梳指狀加 速計之電容改變/單位面積《具有1微米間隙之以SL〇T為基 礎之加速計提供全部所繪示最小橫向特徵大小之較大電容 改變/單位面積。 圖32展示繪示具有各種深度之槽（包含其中槽完全延伸 穿過驗證質量塊之一貫通槽）之以SLOT為基礎之加速計之 效能之一圖表。曲線3205、3210、3215及3220對應於插圖 3250，在插圖3250中驗證質量塊包含一盲槽，其中該槽部 分地延伸至驗證質量塊中。曲線3205、3210、3215及3220 對應於此一盲槽之增加之深度。曲線3225對應於插圖 3260，在插圖3260中驗證質量塊包含一貫通槽。 如圖32中所圖解說明，可藉由用盲槽替換驗證質量塊中 之貫通槽來增強以SLOT為基礎之平面中加速計中之某些 加速計之效能。用不完全延伸穿過驗證質量塊之一槽替換 完全延伸穿過驗證質量塊之一槽可減小所需鍍敷縱橫比 (槽之高度對寬度比）。對於一給定感測器區域，增加驗證 質量塊面密度可改良敏感度。因此，對於一給定區域，具 有相對較淺槽亦可改良加速計敏感度。依據模擬，已確 定，實質上，若一填充空氣之溝槽係至少兩倍於驗證質量 塊與下伏電極之間的間隙之深度，則不損失敏感度 (△C/Δχ)。敏感度隨著增加選用之溝槽填充電介質之介電 常數而減小。 圖33展示概述涉及在一行動裝置中使用一個或多個迴轉 儀或加速計之一方法3300之階段之一流程圖之一實例。下 155811.doc -61· 201215888 一處理器及經組態以與該處理器 處理器可經組態以處理影像資料 文參考圖47A及圖47B闡述某 專行動裝置可包含一顯示器、 些此等行動裝置之組件。此 經組態以與該顯示器通信之 通信之一記憶體裝置。該 然而，該處理器（及/或另一此組件或裝置）亦可經組態以 用於與-個或多個加速計及/或迴轉儀通信。該處理器可 經組態以處理且分析迴轉儀資料及/或加速計資料。在某 些實施方案中，該行動裝置可包含共同地提供一慣性感測 器之加速計及迴轉儀，該慣性感測器回應於對應於六個自 由度（包含三個線性自由度及三個旋轉自由度）之移動。 在方塊3301中，該處理器可控制該顯示器以用於正常顯 示器操作。當偵測角旋轉或線性加速度（方塊33〇5)時，可 將迴轉儀資料及/或加速計資料提供至處 ^在方塊仙中，該處理器確定是否回應== 儀資料及/或加速計資料。舉例而言，該處理器可決定， 除非該迴轉儀資料及/或加速計資料指示一角旋轉加速度 或一線性加速度大於一預定臨限值加速度位準，否則將不 做出回應》若該迴轉儀資料及/或加速計資料不指示大於 一預定臨限值之一值，則該處理器可根據正常顯示器搡作 之程序而控制該顯示器，例如，如上文參考圖2至$ b所闡 述0 然而，若該迴轉儀資料及/或加速計資料確實指示大於 該預定臨限值之一值（或若該處理器確定需要根據另一準 則之一回應），則該處理器將至少部分地根據該迴轉儀資 155811.doc -62- 201215888 料及/或加速計資料而控制該顯示器（方塊332〇)。舉例而 5，5玄處理器可根據加速計資料而控制該顯示器之一狀 態。該處理器可經組態以破定該加速計資料是否指示（例 如）該行動裝置已被中斷或正被中斷。該處理器可進一步 經組態以在該加速計資料指示該顯示器已被中斷或正被中 斷時控制該顯示器之一狀態以防止或減低損壞。 若該加速計資料指示該行動裝置已被中斷，則該處理器 亦可將此加速計資料保存於該記憶體中。該處理器亦可經 組態以在該加速計資料指示該行動裝置已被中斷時保存與 該加速計資料相關聯之時間資料。舉例而言，該行動裝置 亦可包含一網路介面。該處理器可經組態以經由該網路介 面自一時間伺服器獲得該時間資料。另一選擇係，該行動 裝置可包含一内部時鐘。 另一選擇係或另外’該處理器可經組態以根據加速計及/ 或迴轉儀資料而控制一遊戲之顯示器。舉例而言，該加速 計及/或迴轉儀資料可由在玩軸期間—使用者與該行動 農置之互動產生。舉例而言’該使用者之互動可回應於正 呈現於該顯示器上之遊戲影像。 加係或另夕卜’該處理器可經組態以根據迴轉儀或 被二二’而控制該顯示器之定向。舉例而言，該處理器 可確疋一使用者已將該行動 麻^… 4勤裝置紅轉至-新裝置定向且可 。該處理器可確定當該 ==不同部分正面向上方時，應根據該行動裝置 之旋轉或方向而重定向所顯示影像。 155811.doc •63- 201215888 然後’該處理器可確定過程33〇〇是否將繼續（方塊 3325)。舉例而言，該處理器可確定使用者是否已將該裝 置斷電、該裝置是否應由於缺乏使用者輸入達一預定時間 週期而進入一「睡眠模式」等等。若過程33〇〇確實繼續， 則然後過程3300可返回至方塊33〇1。否則，該過程將結束 (方塊 3330) 〇 現將參考圖34至4〇C闡述用於製作加速計及相關設備之 一製程之一貫例。圖34展示提供用於製作加速計之一方法 之一綜述之一流程圖之一實例。圖35八至圖3 9B展示在製 作製程期間的各個階段處之穿過一基板、一加速計之一部 分及用於封裝該加速計且達成與該加速計之電連接之結構 之部分之剖面之實例。圖40A至圖40C展示形成包含一 MEMS晶粒及一積體電路之一裝置之一製程中之各個區塊 之剖視圖之實例。 參考圖34’將闡述一方法3 400之某些操作。方法3400之 製红流程允許在（例如）具有在大面積基板（諸如，大面積玻 璃面板）上創建MEMS裝置（或類似裝置）之能力之一設施處 執行一第一組操作。舉例而言，此一設施可係具有在丨丨〇〇 mmx 13 00 mm基板上製作裝置之能力之一第5代「製造廠」 或具有在1500 mm xl 8 50 mm基板上製作裝置之能力之一第 6代製造廠。 因此，在方塊3401中，在一大面積基板（其在此實例中 係一大面積玻璃基板）上形成穿通敷金屬及加速計電極β 在方塊3405中，在該大面積基板上形成複數個加速計特徵 155811.doc -64- 201215888 及相關結構《在某些實施方案中，可在一單個大面積基板 上形成數十萬或更多此等裝置之特徵。在某些實施方案 中，該等加速計及迴轉儀可具有少於在一侧上約丨mm至在 側上約3 mm或更多之一晶粒大小。舉例而言，該等相關 結構可包含電極、電墊、用於囊封之結構（諸如，密封環 結構）等。下文將參考圖35A至圖38D闡述此等製程之實 例。 在圖34之方塊3410中，準備經部分製作之加速計及其他 裝置以用於一隨後電錢製程。如下文參考圖38A所闡述， 方塊3410可涉及沈積一晶種層（諸如，鎳、鎳合金、銅或 鉻/金）且形成高縱橫比微影材料厚層以供隨後鑛敷。 根據方法3400，該等加速計及其他結構僅部分地製作於 大面積玻璃基板上。此部分製作之一個原因係當前存在極 少可處理甚至第4代或第5代基板大小之鍍敷設施。然而， 存在諸多可處置諸如第2代基板（350 mmx450 mm)等較小 基板之鍵敷設施。因此，在方塊3415中，將加速計及其他 結構已部分地製作於其上之大面積玻璃基板分割成用於電 鍍製程之子面板。 在方塊3420中，執行電鍍製程。下文參考圖38B闡述此 等製程。在某些實施方案中，該電鍍製程可涉及沈積每一 加速計之驗證質量塊、框架、錨定件及其他結構之金屬之 大邛为。然後，可移除向縱橫比微影材料且可移除犧牲材 料以釋放每一加速計之驗證質量塊及框架（方塊3425)。下 文參考圖38C及3 8D闡述此等操作之實例。 155811.doc -65- 201215888 方塊3430涉及選用之加速計囊封以及單粒化 (singulation)(例如，藉由切分（dicing))及其他製程。在某 些實施方案中，方法3400可涉及將一積體電路附接至一經 囊封加速計、與另一基板形成電連接、模製及單粒化。下 文參考圖39A至圖40C闡述此等製程。 現參考圖35A ’將更詳細地闡述用於製作加速計之一製 程。圖35 A繪示穿過一大面積基板3 505(其在此實例中係一 玻璃基板）之一個小部分（例如，約為幾毫米）之一剖面圖。 在此階段處’已在大面積基板3505上沈積一敷金屬層 35 10 ’諸如絡（Cr)/金（Au)層。替代Cr及/或Au，可使用其 他導電材料’諸如鋁（A1)、鈦（Ti)、鈕（Ta)、氮化钽 (TaN)、鉑（Pt)、銀（Ag)、鎳（Ni)、經摻雜之矽或TiW中之 一者或多者。 然後’圖案化且姓刻敷金屬層35 10，例如，如圖35B中 所展示。在此實例中，已圖案化且蝕刻敷金屬層351〇之中 心部分以形成電極區域3510b，其將形成一加速計之部 分。舉例而言，可將加速計及/或其他裝置密封於形成於 敷金屬區域3510a之間的一腔内部。敷金屬區域351〇a可形 成自此封裝内部至該封裝外部之「穿過」電連接。敷金屬 區域3510a亦可允許達成此等裝置與該封裝外部之其他裝 置之間的電連接。 圖35C繪示沈積於敷金屬層3510上方之一電介質層 3515 ^然後’可圖案化且蝕刻電介質層3515(其可係“〇2 SiON、SbN4或另一適合電介質）以形成穿過電介質層3515 155811.doc •66· 201215888 到達敷金屬區域3510a之開口 3605a、3605b、3605c及 3605d(參見圖 36A)。 在圖36B中所繪示之階段處，可已將一敷金屬層3610沈 積於電介質層3515上且沈積至開口 3605 a、3605b、3605c 及3605d中。敷金屬層3610可由任一適當導電材料形成， 諸如 Cr、Au、Al、Ti、Ta、TaN、Pt、Ag、Ni、經推雜之 矽或TiW。 然後，圖案化且蝕刻敷金屬層3610，如圖36C中所展 示。因此，引線區域3615a及3615b曝露於電介質層3515之 表面上面且經組態以用於與敷金屬區域3510a電連接。類 似地，加速計基底區域3625a及3625b(其在某些實施方案 中可係錨定件區域）亦保持於電介質層3515之表面上面且 經組態以與敷金屬區域35 10a電連接。密封環區域3620a及 3620b亦可位於電介質層35 15之表面上面，但不電連接至 敷金屬區域35 10a。在圖36D中所展示之階段處，已自電極 區域35 10b移除電介質層3515。 圖37A圖解說明已沈積一犧牲層3705之後的一階段。在 此實例中’犧牲層3705由MoCr形成，但可將其他材料（諸 如Cu)用於犧牲層3705。圖37B圖解說明該製程在已圖案化 且蝕刻犧牲層3705之後的一階段。在此階段處，曝露引線 區域3615 a及3615b、密封環區域3620a及3620b以及加速計 基底區域3625a及3625b。犧牲層3705之一部分保持於電極 區域3510b上方。 然後’準備經部分製作之加速計及相關結構以用於電 155811.doc •67- 201215888 鐘。在某些實施方案中’可在電鍍製程之前沈積一鍍敷晶 種層’如上文所闡述《舉例而言，該晶種層可係藉由一減 鍍製程而形成且可由鎳、鎳合金（諸如，鎳離子、鎳鈷或 鎳錳）、銅或鉻/金形成。如圖38At}7所展示，高縱橫比微 影材料3805(諸如，光阻劑）厚層形成於隨後將不在其上電 鍍金屬之區域上方。高縱橫比微影材料38〇5可透過一光遮 罩而被選擇性地曝露且經顯影以形成一模，該模將界定隨 後在電鍍製程期間透過該模鍍敷成之金屬結構之形狀。根 據某些貫施方案，高縱橫比微影材料3 8〇5層係數十微米 厚，例如，10至5 0微米厚或更多。在其他實施方案中，相 依於（例如）加速計之所期望組態，高縱橫比微影材料38〇5 層可係更厚或更薄。高縱橫比微影材料38〇5可係各種市售 高縱橫比微影材料中之任一者，諸如*Micr〇_Chem提供之 KMPR®光阻劑或由DuPont®提供之MTF™ WBR2050光阻 劑。 南縱橫比微影材料38 05厚層可形成於引線區域3615a及 3615b、密封環區域362〇a及3620b上方，且形成於犧牲層 3705之仍保持之部分之選定區域上方。選定區域係犧牲層 3705之將不被電鍍之區域。間隙3810曝露加速計基底區域 3625a及3625b以及犧牲層3705上方之其他區域。 可在電鍍製程之前將上述結構已部分地形成於其上之大 面積基板分割成較小子面板。在此實例中，將大面積玻璃 基板劃線且分開，但可以任一適當方式（諸如，藉由切割 或切分）分割該大面積玻璃面板。 155811.doc • 68. 201215888 圖38B繪示已在由高縱橫比微影材料38〇5形成之結構之 間的區域中電鍍一厚金屬層3815之後的設備。在某些實施 方案中，厚金屬層3815可係數十微米厚，例如，5至5〇微 米厚。在其他實施方案中，相依於（例如）加速計之所期望 組態，厚金屬層381 5可係更厚或更薄。在此實例中，厚金 屬層3815由鎳合金形成，但在其他實施方案令，厚金屬層 3815可由鍍敷鎳、無電鍍鎳、coFe、基於以之合金、 NiW、NiRe、PdNi、PdCo或其他電鍍材料形成。在某些實 施方案中，可將一薄金層沈積於厚金屬層3815上主要用以 抵抗腐钮。 圖38C繪示厚金屬層3815之沈積及高縱橫比微影材料 3805之移除。移除高縱橫比微影材料38〇5曝露引線區域 3615a及3615b、密封環區域3620a及3620b以及犧牲層3705 之選定區域。然後，可使用（舉例而言）針對鉬或鉬鉻犧牲 層之XeF2或針對銅犧牲層之銅蝕刻劑、（例如）藉由一濕式 蝕刻製程或一電漿蝕刻製程來蝕刻犧牲層37〇5以釋放加速 計3850之可移動區域384〇(參見圖381))。。舉例而言，可 藉由使用過氧化氫與醋酸之一組合物或藉由使用通常用於 . 印刷電路板行業中之含氨的Cu蝕刻劑來達成用以在不蝕刻 ’ 鎳合金、（：1*或八11之情況下選擇性地蝕刻Cu之對Cu之濕式 钮刻。舉例而言，可移動區域3 840可包含一驗證質量塊及/ 或框架’諸如上文所闡述之驗證質量塊及/或框架。在加 速計3850之操作期間，間隙386〇之運動可誘發由電極 3 5 1 Ob偵測之電容改變。 155811.doc -69· 201215888 圖39A圖解說明根據一個實例之一隨後囊封製程之結 果。此處，已將一蓋3905附接至密封環區域362〇a&362〇b 以囊封加速計3850。在某些實施方案中，蓋39〇5可係一玻 璃蓋、一金屬蓋等。蓋3905可係形成於另一基板上之複數 個蓋中之一者。在此實例中，該蓋包含可在加速計385〇周 圍形成一外殼之複數個蓋部分3905ae在此實例中，蓋部 分3905a由蓋區域3905b連接。舉例而言，可藉由一焊接或 共晶接合製程或者藉由一黏合劑（諸如，環氧樹脂）來將蓋 部分3905a附接至密封環區域362〇a& 362〇b。在某些實施 方案中，蓋部分3905a可完全包封加速計385〇，而在其他 實施方案中蓋部分3905a可僅部分地包封加速計385(^在 此實例中，引線區域3615a及3615b保持於由蓋3905囊封之 區域外部，從而允許方便地電連接至加速計385〇。 在某些實施方案中，可移除蓋39〇5之部分。舉例而言， 可移除蓋部分3905b之至少一部分(藉由一切分製程，舉例 而言）以允許更方便地接近引線區域3615a&36i5b(參見圖 39B)。若期望，則亦可減小所得經囊封加速計3910之厚 度。在此實财，使用一化學-機械平坦化（CMP)製程來使 基板3505變薄。在某些實施方案中，可使經囊封加速計 3910變薄為少於！麵之一總厚度，且更特定而言變薄為 或更少。可（例如）藉由切分來將所得經囊封加速計 圖40A繪示藉由組合經囊封 4005且將兩個裝置附接至另一 加速計3910與一積體電路 基板4015(其在此實例中係 155811.doc 201215888 一印刷電路板）而形成之一設備。在此圖解說明中，藉由 一焊接製程來將積體電路4005附接至經囊封加速計 3910(參見焊料層4010)。類似地’藉由一焊接製程來將經 囊封加速計3910附接至基板4015(參見焊料層4020)。另一 選擇係，藉由一黏合劑（諸如，環氧樹脂）來將積體電路 4005附接至加速計3910。 圖40B繪示導線結合物4025，其用於達成積體電路4〇〇5 與經囊封加速計3910之間及經囊封加速計39丨〇與基板4〇 i 5 之間的電連接。在替代實施方案中，經囊封加速計39丨〇可 包含穿過基板3905之通孔，其經組態以藉由表面安裝形成 電連接。 在圖40C中所繪示之階段處，已用一保護材料4〇3〇囊封 積體電路4005及經囊封加速計3910，該保護材料可係一電 介質材料，諸如一聚合物、一注入模製材料（諸如液晶聚 合物（LCP)、Si〇2或SiONp在此實例中，基板4〇15包含經 組態以用於安裝至一印刷電路板或其他設備上之電連接器 4035。因此，所得封裝4〇4〇經組態以用於表面安裝技術。 現將參考圖41至46B闡述用於製作一迴轉儀及相關設備 之一製程之一實例。圖41展示提供用於製作迴轉儀及相關 釔構之製程之一综述之一流程圖之一實例。圖42A至圖 46B展示在圖41中概述之製程期間的各個階段處之穿過一 基板、一迴轉儀之一部分及用於封裝該迴轉儀且達成與該 迴轉儀之電連接之結構之部分之剖視圖之實例。 參考圖41 ’將㈣—方法4⑽之某些操作。方法41〇〇之 155811.doc -71 · 201215888 製程流程允許在具有在大面積基板（諸如，大面積玻璃面 板）上創建MEMS裝置及類似裝置之能力之—設施處執行一 第一組操作。舉例而言，此一設施可係一第5代製造廠或 一第6代製造廠。因此，在方塊41〇5申，在一大面積基板 上形成大量迴轉儀特徵及相關結構。舉例而言，可在一大 面積基板上製作數十萬或更多此等結構。舉例而言，該等 相關結構可包含電極、電墊、用於囊封之結構（諸如，密 封環結構）等。下文將參考圖42A至圖44B闡述此等製程之 實例。 在圖41之方塊4110中，準備經部分製作之迴轉儀及其他 裝置以用於一隨後電鍍製程。如下文參考圖44b及44c所 闡述，方塊4110可涉及沈積錄敷晶種層及形成高縱橫比微 影材料（諸如，光阻劑）厚層。 根據方法4100，迴轉儀及其他結構僅部分地製作於大面 積玻璃基板上。此部分製作之一個原因係當前存在極少可 處理第4代或第5代基板大小之㈣設施。然而，存在諸多 可處置諸如第2代基板等較小基板之鍍敷設施。因此，在 方塊4U5中，將迴轉儀及其他結構已部分地製作於其上之 大面積玻璃基板分割成用於钱程序之子面板。 在方塊412G中，將執行電錢製程。下文參考圖閣述 某些實施方案中’該電鑛製程可涉及沈積每 一迴轉儀之驗證質量塊、框架及其他結構之金屬之大部 分。然後’可移除高縱橫比微影材料且可移除犧牲材料以 釋放每-迴轉儀之驗證質量塊及框架(方塊4125)。下文參 155811.doc -72- 201215888 考圖45B及46A闞述此等操作之實例β 方塊4130可涉及迴轉儀囊封以及單粒化（例如，藉由切 分）及其他製程。下文參考圖46Β闡述此等製程。 圖42Α繪不穿過一大面積基板4200(其在此實例中係一玻 璃基板）之一剖面圖。大面積玻璃基板42〇〇具有沈積於其 上之一敷金屬層4205 ’其在此實例中係Cr/Au層。替代鉻 及/或金’可使用其他導電材料，諸如Al、TiW、Pt、Ag、 Ni、Co中之鎳合金、以或施、Ti/Au、Ta/Au或經摻雜之 石夕。可圖案化且餘刻敷金屬層4205，例如，如圖42A中所 展示。敷金屬層4205可用於形成自密封環内部至密封環外 部之「穿過」電連接。舉例而言，可將迴轉儀及/或其他 裝置密封於封裝内部之一腔内部。敷金屬區域42〇5可允許 達成此等裝置與該封裝外部之其他裝置之間的電連接。 圖42B繪示一電介質層4215，諸如Si02、SiON或沈積於 敷金屬層4205上方之其他電介質材料。然後，可蝕刻電介 質層4215以形成穿過電介質層4215到達敷金屬層4205之開 口 4220a、4220b及4220c。 圖42C圖解說明已沈積一犧牲層4225之後的一階段。在 此實例中，犧牲層4225由MoCr形成，但可將其他材料（諸 如’銅或者經沈積非晶或多晶矽）用於犧牲層4225。圖42D 圖解說明犧牲層4225在已圖案化且蝕刻犧牲層4225之後保 持之區域。 圖43 A圖解說明在已將一電介質層4305沈積於犧牲層 4225上之後的一階段。此外，已圖案化且蝕刻電介質層 155811.doc -73- 201215888 4305 »在圖43B中，然後沈積、圖案化且蝕刻一敷金屬層 43 10。在此實例中，敷金屬層43 10在一錨定件區域43 15中 與敷金屬層4205接觸。 在圖43 C中展示已沈積、圖案化且蝕刻之一壓電膜4320 之一實例。在此實例中’壓電膜4320由氮化鋁形成，但可 使用其他壓電材料’諸如ZnO或锆鈦酸鉛（PZT)。在圖43D 中’沈積、圖案化且蝕刻一敷金屬層4325。此處，敷金屬 層4325形成電極4330之一頂部層’相依於實施方案，該電 極可係一壓電驅動電極或一壓電感測電極。 圖44 A展示已沈積、圖案化且蝕刻之一電介質層44〇5之 一貫例。在此階段期間，除錨定件區域43丨5及毗鄰於電極 4330之區域以外，自圖44A中所展示之大部分區域栘除電 介質層4405。 在此階段處，可準備經部分製作之迴轉儀組件及相關結 構以用於一個或多個電鍍製程。圖44B展示可在電鍍製程 之前沈積之一鍍敷晶種層4405(諸如，鎳、鎳合金、銅或 鉻/金)之-實例。如圖44C中所繪示，在沈積鍍敷晶種層 4405之後可在一驗證質量塊區域4415與一框架區域442〇 之間形成一高縱橫比微影材料441〇厚層（諸如，厚光阻 劑）。根據某些實施方案，高縱橫比微影材料441〇層係數 十微米厚，例如’ 40至5〇微米厚。在其他實施方案中，相 依於（例如）迴轉儀之所期望組態，高縱橫比微影材料4410 層可係更厚或更薄。高縱橫比微影材料4410可係各種市售 高縱橫比微影材料中之任_者，諸如由Μ—提供之 155811.doc •74- 201215888 KMPR®光阻劑或由DuPont®提供之MTFTM WBR2050光阻 劑。亦可在框架區域4420與密封環區域4425之間以及在密 封環區域4425與電墊區域4430之間形成高縱橫比微影材料 4410厚層。高縱橫比微影材料4410可藉助一適合光遮罩而 被曝露且經顯影以界定隨後形成之電鍍金屬結構之形狀。 如上文所提及，可在電鍍製程之前將上述結構已部分地 I成於其上之大面積基板分割成較小子面板。在此實例 中’將大面積玻璃基板劃線且分開’但可以任一適當方式 (諸如’藉由切分）分割該大面積玻璃面板。 如圖45A中所展示，可在高縱橫比微影材料441〇之間的 區域中電鍍一厚金屬層45〇5。在此實例中，厚金屬層45〇5 由錄δ金开y成，但在其他實施方案中，厚金屬層可由 鎳或諸如鈷離子、鎳_鎢、鈀_鎳或鈀_鈷等其他鍍敷金屬合 金形成。此處，將一薄金層451〇沈積於厚金屬層45〇5上主 要用以抵擋對厚金屬層45〇5之腐蝕。亦可藉由一電鍍製程 來形成金層4510。 如圖45B中所繪示，在已沈積此等金屬層之後，可自其 中已沈積厚金屬層4505之區之間移除高縱橫比微影材料 4410。移除高縱橫比微影材料料⑺曝露晶種層44〇5之部 71然後可將該等部分蝕刻掉以曝露犧牲材料4225。圖 46A、’S不（例如）藉由一濕式蝕刻製程或一電漿蝕刻製程來 蝕J掉犧牲材料4225以釋放驗證質量塊46〇5及框架461〇。 圖46B圖解說明根據—個實例之—囊封製程之結構。此 處已將蓋4615附接至密封環4620以囊封迴轉儀4625。 155811.doc -75- 201215888 在某些實施方案中，蓋4615可係一玻璃蓋、一金屬蓋等。 舉例而言，可藉由一焊接製程或藉由一黏合劑（諸如，環 氧樹脂）來將蓋4615附接至密封環4620。一電墊4630保持 於由蓋4615囊封之區域外部，從而允許經由敷金屬層42〇5 方便地電連接至迴轉儀4625。 舉例而言，由一製作製程之此實例所產生之迴轉儀4625 可與圖12中所展示且上文所闡述之驅動框架X軸迴轉儀 1200對應。迴轉儀4625之錫定件4635可與圖12中所展示之 中心錨定件1205對應。電極4330可與圖12中所展示之一驅 動電極1215對應。驗證質量塊46〇5可與圖12之驅動框架 1210對應，而框架4610可與圖12之驗證質量塊1220對應》 作為另一實例’迴轉儀4625可與圖20Α及以下圖中所展 示之ζ軸迴轉儀2〇〇〇對應。迴轉儀4625之錯定件4635可與 圖20Α及以下圖中所展示之中心錨定件2〇〇5對應。電極 4330可與感測電極2〇20a至2020d中之一者對應。驗證質量 塊4605可與圖20A之感測框架2010對應，而框架4610可與 圖20A之驅動框架2030對應。 雖然已單獨地闡述了製作迴轉儀及加速計之製程，但若 期望’則可在同一大面積基板上形成大量此兩種類型之裝 置。舉例而言，可藉由使用一子組之用於製作迴轉儀之製 程來形成本文中所闡述之加速計。舉例而言，本文中所闡 述之加速計不需要壓電驅動電極或壓電感測電極。因此， 當製作此等加速計時不需要壓電層。若正在同一大面積基 板上製作加速計及迴轉儀，則可在正沈積、圖案化且蝕刻 155811.doc -76- 201215888 壓電層時將加速計部分遮罩起來。 在某些實施方案中，本文中所闡述之迴轉儀及加速計可 針對其製作使料同厚度之犧牲㈣。舉例而言，在某些 實施方案中，加速計電極與驗證質量塊之間的間隙大於驗 證質量塊與-迴轉儀之敷金屬層之間㈣隙。在使用銅作 為一犧牲材料之某些實施方案中，可藉由僅在其中正製作 加速计之彼等區域中將銅鍍敷於銅晶種層上來產生此犧牲 層厚度差。 在某些迴轉儀實施方案中，迴轉儀可囊封於一真空中， 而加速計不需囊封於-真空中。在某些實施方案中，實際 上，在經囊封加速計t具有氣體可係有益的，此乃因盆提 供阻尼。因此，在某些實施方案中，可在於一 上製作迴轉儀及加速計兩者時使用兩個不同囊封製程:一 個囊封製程可大致在-真空中執行，而另一者將不在一真 ^執行。在其他實施方案中，可大致在—真空中執行一 早個囊封製程。可在此製程期間將經囊封加速計保持 開放’以使得氣體隨後可進人經囊封加速計之封裝。若: 料在-隨後製程期間將加速計之封裝完 例

如，糟助焊料P 一圖47A及圖47B展示圖解說明包含複數個干涉調變器之 一顯示器裝置4G之系統方塊圖之實例。舉例而言 裝置啊係-蜂巢式或行動電話。然而，顯示Μ置做 =件或其稍微變化形式亦圖解說明諸如電視：電子閱 。賣器及可攜式媒體播放器等各種類型之顯示器裝置。 155811.doc -77- 201215888 一顯示器30、一天線43、 顯示器裝置40包含一殼體41 一揚聲器45、-輸人裝置48及-麥克風46。殼體41可由各 種各樣之製造製程（包含注人模製及真空形成>巾之任4 形成。另外，殼體41可由各種各樣之材料中之任一者製 成，該等材料包含但不限於：塑膠、金屬、玻璃、橡膠及 陶莞或其-組合。殼體4i可包含可與具有不同色彩或含有 不同標誌、、圖片或符號之其他可移動部分互換之可移動部 分0 顯不器30可係各種各樣之顯示器中之任一者，包含一雙 穩態顯不器或類比顯示器，如本文中所闡述。顯示器3〇亦 可經組態以包含一平板顯示器（諸如，電漿、EL、〇led、 STN LCD或TFT LCD)或一非平板顯示器（諸如，一 crt或 其他電子管裝置卜另外，顯示器3〇可包含一干涉調變器 顯示器，如本文中所闡述。 在圖47B中示意性地圖解說明顯示器裝置4〇之組件。顯 示器裝置40包含一殼體41且可包含至少部分地包封於其中 之額外組件。舉例而言，顯示器裝置4〇包含一網路介面 27，該網路介面包含耦合至一收發器47之一天線43。收發 器47連接至一處理器21，該處理器連接至調節硬體52。調 郎硬體5 2可經組態以調節一信號（例如，過遽一信號）^調 卽硬體52連接至一揚聲器45及一麥克風46。處理器21亦連 接至一輸入裝置48及一驅動器控制器29»驅動器控制器29 輕合至一圖框緩衝器28且耦合至一陣列驅動器22，該陣列 驅動器又耦合至一顯示器陣列3〇。一電源50可按照特定顯 155811.doc • 78 · 201215888 示器裝置40設計之需要將電力提供至所有組件。 網路介面27包含天線43及收發器47以使得顯示器裝置40 可經由一網路而與一個或多個裝置通信。網路介面27亦可 具有某些處理能力以減輕（例如）處理器21之資料處理要 求。天線43可發射及接收信號。在某些實施方案中，天線 43 根據 IEEE 16.11標準（包含 IEEE 16.11(a)、（b)或（g))或 IEEE 802.11標準（包含IEEE 802.11a、b、g或η)發射及接收 RF信號。在某些其他實施方案中，天線43根據藍芽 (BLUETOOTH)標準發射及接收RF信號。在一蜂巢式電話 之情形下，天線43經設計以接收分碼多重存取（CDMA)、 分頻多重存取（FDMA)、分時多重存取（TDMA)、全球行動 通信系統（GSM)、GSM/通用封包無線電服務（GPRS)、增 強型資料GSM環境（EDGE)、地面中繼式無線電（TETRA)、 寬頻-CDMA(W-CDMA)、演進資料最佳化（EV-DO)、 lxEV-DO、EV-DO修訂版A、EV-DO修訂版B、高速封包存 取（HSPA)、高速下行鏈路封包存取（HSDPA)、高速上行鏈 路封包存取（HSUPA)、經演進之高速封包存取（HSPA+)、 長期演進（LTE)、AMPS或用以在一無線網路内（諸如，利 用3G或4G技術之一系統）通信之其他已知信號。收發器47 可預處理自天線43接收之信號，以使得其可由處理器21接 收並進一步處置。收發器47亦可處理自處理器21接收之信 號，以使得可經由天線43自顯示器裝置40發射該等信號。 處理器21可經組態以（例如）經由網路介面27自一時間伺服 器接收時間資料。 155811.doc •79· 201215888 在某些實施方案中’可由一接收器替換收發器47。另 外’可由-影像源來替換網路介面27，該影像源可儲存或 產生欲發送至處理器21之影像資料。處理器21可控制顯示 器裝置40之整個操作。處理器21自網路介面27或—影像源 =收資料（諸如，經壓縮影像資料）且將該f料處理成原始 影像資料或處理成容易被處理成原始影像f料之—格式。 處理器21可將經處理資料發送至驅動器控制器29或發送至 圖框緩衝器28以供儲存。原始資料通常係指在—影像内之 每-位置處識別影像特性之資訊。舉例而言，此等影像特 性可包含色彩、飽和度及灰度階。 處理器21可包含一微控制器、咖或用以控制顯示器裝 置之操作之邏輯單元。調節硬體52可包含用於將信號傳 輸至揚聲器45及用於自麥克風46接收信號之放大器及滤波 器。調節硬體52可係顯示器裝置侧之離散組件，或可併 入於處理器21或其他組件内。 在某些實施方案中，顯示器裝置4〇可包含一個或多個迴 轉儀及/或加速計75。舉例而言，&等迴轉儀及/或加速計 75可係大致如本文中所述且可根據本文中所闡述之製程來 製成。迴轉儀及/或加速計75可經組態以用於與處理器2 ^ 通信以將迴轉儀資料或加速計資料提供至處理器21。因 此’顯示器裝置40可能夠執行上述方法中與迴轉儀資料及， 或加速計資料之使用相關之某些方法。此外，可將此資料 儲存於顯示器裝置40之一記憶體中。 驅動器控制器29可直接自處理器21或自圖框緩衝器“獲 155811.doc •80· 201215888 取由處理器21產生之原始影像資料， 化眉私&你A 且可適當地重新格式 =;ΓΤ於高速傳輸至陣列―在某些

Ur 器控制器29可將原始影像資料重新格式 化成具有—光柵樣格式之一資 终扨翻以使得其具有適合於 2顯W陣列30進行掃描之-時間次序1後，驅動器 =29將經格式化資訊發送至陣列驅動器22。雖然一驅 =控制器29(諸如’一 LCD控制器)通常作為一獨立式積 = :(IC)與系統處理器21相關聯，但此等控制器可實施 成二夕形式。舉例而言’控制器可作為硬體嵌入於處理器 :、作為軟❹人於處理器21中或以硬體形式與陣列驅 動器22完全整合在一起。 陣列驅動器22可自驅動器控制器29接收經格式化資訊且 I將視訊請重新格式化[組平行波形，該組平行波形 秒多次地施加至來自顯示器之x_y像素矩陣之數百條且 有時數千條（或更多）引線。 在某些實施方案中，驅動器控制器29、陣列驅動器以 顯示器陣列30適用於本文中所闡述之顯示器類型中之任一 者。舉例而言，驅動器控制器29可係一習用顯示器控制器 或雙穩態顯不器控制器（例如，一 im〇D控制器）。另 外’陣列驅動器22可係一習用驅動器或一雙穩態顯示器驅 動器（例如，一1M0D顯示器驅動器）。此外，顯示器陣列 30可係一習用顯示器陣列或一雙穩態顯示器陣列（例如， 匕3 IM〇D陣列之一顯示器）。在某些實施方案中，驅動 器控制器29可與陣列驅動器22整合在一起。此一實施方案 1558J I.doc -81 - 201215888 :諸如蜂巢式電話、手錶及其他小面積顯示器等高度整 系統中係常見的。 在某些實施方案中，輸入裝置48可經組態以允許（例如） 一使用者控制顯示器裝置4〇之操作。輸人裝置辦包含一 小鍵盤（諸如，—QWERTY鍵盤或-電話小鍵盤）、一按 = ' 一開關、-搖桿、-觸敏式勞幕或—壓力敏感或熱敏 膜。麥克風46可經組態為顯示器裝置4〇之一輸入裝置。 在某些實施方案中，可使用透過麥克風“之語音命令來控 制顯示器裝置4 〇之操作。 電源5〇可包含此項技術中習知之各種各樣之能量儲存裝 置。舉例而言’電源5〇可係一可再充電式蓄電池，諸如 銻-録蓄電池或鐘離子蓄電池。電源5〇亦可係一可再生能 源、-電容器或一太陽能電池’包含一塑膠太陽能電池及 太陽能電池塗料。電源5G亦可經組態以自—^式插座接收 電力。 抑在某些實施方案中，控制可程式化性駐存於驅動器控制 器29中’該驅動器控制器可位於電子顯示器系統中之數個 地方中°在某些其他實施方案中’控制可程式化性駐存於 陣列驅動器22中。上述最佳化可以任一數目 軟體組件實施且可以各種組態實施。 之硬體及/或 可將結合本文中所揭示之實施方㈣述之各種說明性邏 輯、邏輯區塊、模組、電路及演算法過程實施為電子硬 體、電腦軟體或兩者之組合》已就功能性大體闡述了硬體 與軟體之可互換性且在上文所闡述之各種說明性組件、區 155811.doc -82- 201215888 塊、模組、電路及過程中圖解說明了硬體與軟體之可互換 性。此功能性係實施成硬體還是軟體相依於特定應用及強 加於整個系統之設計約束。 可藉助-通用單晶片或多晶片處理器、—數位信號處理 器（DSP)、—專用積體電路（ASIC)、一現場可程式化間陣 列或其他可程式化邏輯震置、離散閉或電晶體邏 輯、離散硬體組件或經設計以執行本文中所閣述功能之其 任-組合來實施或執行用於實施結合本文中所揭示之離樣 闡述之各種說明性邏輯、邏輯區塊、模組及電路之硬體及 資料處理設備。一通用處理器可係一微處理器或任一習用 處理器、控制器、微控制器或狀態機。一處理器亦可實施 為計算裝置之一組合，例如，一⑽與一微處理器、複數 錢處理 '、結合—Dsp核心之—個或多個微處理器或任 =他此㈣之—組合。在某些實施方案中，可藉由特定 於n力能之電路來執行特定難及方法。 二-個或多個態樣中，可以硬體、數位電子電路、電腦 物V其實= 令所闡、f神 功能。亦可將本說明書 中斤闊返之標的物之 式，亦即铯 I方案貫細為一個或多個電腦程 ’料於-電腦儲存媒體上以供資料處 盯或用以控制資科處理設備之操作之備執 指令模組。 wA多個電腦程式 σ 、 σ口本文_所揭示之實施方案 輯、邏輯區塊、馑， 之之各種說明性邏 、”’且、電路及演算法過程實施為電子硬 I558li.doc -83- 201215888 體、電腦軟體或兩者之組合。已就功能性大體闡述了硬體 與軟體之可互換性且在上文所闡述之各種說明性組件、區 塊、模組、電路及過程中圖解說明了硬體與軟體之可互換 性。此功能性儀實施成硬體還是軟體相依於特定應用及強 加於整個系統之設計約束。 可藉助一通用單晶片或多晶片處理器、一數位信號處理 器（DSP)、一專用積體電路（ASIC)、一現場可程式化閘陣 列（FPGA)或其他可程式化邏輯裝置、離散閘或電晶體邏 輯、離散硬體組件或經設計以執行本文中所闡述功能之其 任一組合來實施或執行用於實施結合本文中所揭示之態樣 闡述之各種說明性邏輯、邏輯區塊、模組及電路之硬體及 資料處理設備。一通用處理器可係一微處理器或任一習用 處理器、控制器、微控制器或狀態機。一處理器亦可實施 為叶算裝置之—組合，例如，一 DSp與一微處理器、複數 個微處理器、結合一 Dsp核心之一個或多個微處理器或任 :其他此組態之一組合。在某些實施方案中，可藉由特定 於’ 疋功能之電路來執行特定過程及方法。 在一個或多個態樣中，可以硬體、數位電子電路、電腦 :體、、韌體(包含本說明書中所揭示之結構及其結構等效 物）或其任一組合來實施所闡述之功能。亦可將本說明書 中所閣述之標的物之實施方案實施為一個或多個電腦程 》亦即，編碼於一電腦儲存媒體上以供資料處 行岑用k 一 工制資料處理設備之操作之一個或多個電 指令模組。 电钿程式 155811.doc -84 - 201215888 若實施於軟财，則該等功能可作為—個 碼儲存於一電腦可讀媒體上 1 €腩可讀媒體傳輸。 本^中所揭示之-方法或演算法之過程可實施於可駐存於 電版可讀媒體上之一處理器可執行軟體模組令。 讀媒體包含電腦儲存媒體及包含可經達成以將—電腦 自個地方傳遞至另一地方之任一媒體之通信媒體。一二 存媒體可係可由-電腦存取之任何可㈣體。藉助㈣而 非限制之方式’此等電腦可讀媒體可包含ram、⑽Μ、 EEPROM、CD.R0M或者其他光碟储存裝置磁碟储存裝 置或其他磁性儲存裝置或者可用於以指令或資料結構之形 式儲存所期望程式碼且可由一電腦存取之任一其他媒體。 此外’任-連接皆可適當地稱為一電腦可讀媒體。如本中 所用，磁碟（disk)及光碟（disc)包含緊致碟（CD)、雷射碟、 光碟、數位多功能碟（DVD)、軟碟及藍光光碟，其中磁碟 通常磁性地再現資料而光碟藉助雷射光學地再現資料。上 述内容之組合亦應包含於電腦可讀媒體之範脅内。另外， 一方法或演算法之操作可作為一個或任一組合或一組碼及 指令駐存於可併入至-電腦帛式產中之一機器可讀媒體 及電腦可讀媒體上。 熟習此項技術者可易於明瞭對本發明中所闡述之實施方 案之各種修改，且本文中所界定之一般原理可適用於其他 實施方案而不背離本發明之精神或範疇。因此，本發明並 非意欲限於本文中所展示之實施方案，而被授予與本文中 所揭示之申請專利範圍、原理及新穎特徵相一致之最寬廣 155811.doc •85- 201215888 範可。措辭「例示性」在本文中專用於意指「充當一實 2、例項或圖解說明」。在本文中闡述為「例示性」之任 -貫施方案未必解釋為比其他實施方案更佳或更有利。另 外’熟習此項技術者應易於瞭解，術語「上部」及「下 部」$時係用於便於闡述該等圖，且指示對應於該圖在一 適當疋向之頁面上之定向之相對位置，且可不反應如所實 施之IMOD(或任一其他裝置）之適當定向。 亦可將在本說明書中以單獨實施方案之背景闡述之某些 特徵馳合形式實施於—單個實施方案中。相反，亦可將 以-單個實施方案之背景闡述之各種特徵單獨地或以任一 適合子組合之形式實施於多個實施方案中。此外，雖然上 文可將特徵闡料以某些組合之形式仙且甚至最初係如 此主張的，但在某些情形下，可自_所主張之組合去除來 自該組合之-個或多個特徵，且所主張之組合可係關於一 子組合或一子組合之變化形式。 類似地’雖然在該等圖式中以m序繪示操作，但 不應將此理解為需要以所展示之特定次序或以順序次序執 行此等操作或執行所有所圖解說明之操作以達成期望之結 果。此外，該等圖式可以一流程圖之形式示意性地繪示一 個或多個實例性過程。然而，可將未繪示之其他操作併入 於示意性地圖解說明之實例性過程中。舉例而言，可在所 圖解說明操作中之任一者之前、之後、同時或：間執行— 個或多個額外操作4某些情況下，多任務及平行處理可 係有利的。此外，上文所闌述之實施方案中之各種系統組 155811.doc -86- 201215888 :刀：不應被理解為需要在所有實施方案中進行此分 Γ而應理解為所闡述之程式組件及“通常可-起整合 於—單個軟體產品中或封裝至多個軟體產品中。另外，其 他實施方案亦屬於以下申請專利範圍之範嗨内。在某些情 形下’中請專㈣圍中所陳述之動作可以—㈣次序執行 且仍達成期望之結果。 【圖式簡單說明】 圖1展不繪不一干涉調變器（IMOD)顯示器裝置之一系列 像素中之兩個毗鄰像素之一等軸視圖之一實例。 圖展示圖解說明併入有一 3χ3干涉調變器顯示器之一電 子裝置之一系統方塊圖之一實例。 圖3展不圖解說明圖丨之干涉調變器之可移動反射層位置 與所施加電壓之關係曲線之一圖之一實例。 圖4展示圖解說明當施加各種共同電壓及分段電壓時一 干涉調變器之各種狀態之一表之一實例。 圖5Α展不圖解說明在圖2之3x3干涉調變器顯示器中之一 顯示資料圖框之一圖之一實例。 圖5Β展不可用於寫入圖5Α中所圖解說明之顯示資料圖 框之共同信號及分段信號之一時序圖之一實例。 圖6Α展不圖1之干涉調變器顯示器之一部分剖面圖之一 實例。 圖6Β至6Ε展示干涉調變器之不同實施方案之剖面圖之 實例。 圖7展不圖解說明—干涉調變器之一製造製程之一流程 155811.doc -87 - 201215888 圖之一實例。 圖8A至圖8E展示製成一干涉調變器之一方法中之各個 階段之剖面示意性圖解之實例。 圖9A及圖9B展示一單端音叉式迴轉儀之驅動模式及感 測模式之實例。 圖10A展示具有藉由附接至一中心錨定件之驅動樑懸吊 之一驗證質量塊之一迴轉儀之一實例。 圖10B展示類似於圖1〇A之迴轉儀實施方案但在驅動電 極之間具有一間隙之一迴轉儀實施方案之一實例。 圖11A展示諸如圖10A中所展示之迴轉儀實施方案之一 迴轉儀實施方案之一驅動模式之一實例。 圖11B展示如圖11A甲所展示之正被驅動之一迴轉儀實 施方案之一感測模式之一實例。 圖12展示其中一驅動框架經由驅動樑附接至一中心錨定 件之一驅動框架迴轉儀實施方案之一實例。 圖13A展示諸如圓12中所展示之迴轉儀實施方案之一迴 轉儀實施方案之一剖面圖之一實例。 圖13B展示圖13A中所展示之迴轉儀實施方案之一對放 大驅動樑之一實例。 圖14A展示諸如圖12中所展示之迴轉儀實施方案之一迴 轉儀實施方案之一驅動模式之一實例。 圖展示如圖14A令所展示之正被驅動之—迴轉儀實 施方案之一感測模式之一實例。 圖15展示一感測框架迴轉儀實施方案之一實例。 1558Il.doc -88- 201215888 圖16A展示圖15令所展示之迴轉儀實施方案之—驅動模 式之一貫例。 圖16B展示如圖16A中所展示之正被驅動之迴轉儀實施 方案之一感測模式之一實例。 圖17展不具有錐形感測樑之一替代感測框架迴轉儀實施 方案之 '--貫例。 圖18展不疊加於諸如圖17之迴轉儀實施方案之—迴轉儀 實施方案上之一有限元分析之一實例’其展示當以一感測 模式操作時之錐形感測樑上之大致均勻應力。 圖19展示諸如圖17之迴轉儀實施方案之一迴轉儀實施方 案之錐瓜感測樑上之應力位準與距中心、（y軸）之距離之曲線 關係之一標繪圖之一實例。 圖20A展示一 z軸迴轉儀實施方案之一平面圖之一實例。 圖20B展示圖20A中所展示之z軸迴轉儀實施方案之驅動 樑一放大視圖之一實例。 圖21A展示諸如圖2〇A中所繪示之z軸迴轉儀實施方案之 一z轴迴轉儀實施方案之一驅動模式之一實例。 圖21B展示如圖20A中所繪示之驅動之一 z轴迴轉儀實施 方案之一感測模式之一實例。 圖22展示來自一 2軸迴轉儀之一錐形感測樑之一個實施 方案之一近視圖之一實例。 圖23展示可經組態以施加校正靜電力以微調一驗證質量 塊之振動模式形狀之一電極陣列之一實例。 圖24展示用於量測平面中加速度之一加速計之一實例。 155811.doc •89· 201215888 圖2 5展示用於量測平面外加速度之—加速計之一實例之 組件。 圖26A展示用於量測平面中加速度之一加速計之一實例 之組件。 圖26B展示圖26A之加速計對沿一第一軸之加速度之回 應之一實例。 圖26C展示圖26A之加速計對沿一第二軸之加速度之回 應之一實例。 圖26D展示用於量測平面中及平面外加速度之一加速計 之一實例。 圖27展示用於量測平面外加速度之一加速計之一實例。 圖28展示用於量測平面中及平面外加速度之一替代加速 計實施方案之一實例。 圖29展示用於量測平面中及平面外加速度之另一替代加 速計實施方案之一實例》 圖30展示繪示由可用於形成一加速計或一迴轉儀之各種 材料達成之相對敏感度之一圖表。 圖3 1Α展示一梳指狀加速計之一實例。 圖3 1B展示繪示梳狀驅動加速計及以slot為基礎之加速 計之效能之一圖表。 圖32展示繪示具有各種深度之槽（包含一貫通槽）之以 SLOT為基礎之加速計之效能之一圖表。 圖33展示概述涉及在一行動裝置中使用一個或多個迴轉 儀或加速計之一方法之階段之一流程圖之一實例。 155811.doc •90- 201215888 圖34展示提供用於製作加速計之一方法之一综述之一流 程圖之一實例。 圖35A至圖39B展示製作加速計之一製程中之各個區塊 之剖視圖之實例。 圖40A至圖40C展示形成包含一 MEMS晶粒及一積體電路 之裝置之一製程中之各個區塊之剖視圖之實例。 圖41展示提供用於製作迴轉儀及相關結構之一製程之一 概述之一流程圖之一實例。 圖42A至圖46B展示在圖41中概述之製程期間的各個階 段處之穿過一基板、一迴轉儀之一部分及用於封裝該迴轉 儀且達成與該迴轉儀之電連接之結構之部分之剖視圖之實 例。 圖47A及圖47B展示圖解說明包含複數個干涉調變器、 迴轉儀及/或加速計之一顯示器裝置之系統方塊圖之實 例。 【主要元件符號說明】 12 干涉調變器 14 可移動反射層 14a 反射子層 14b 支撐層 14c 導電層 16 光學堆疊 16a 吸收器層/光學吸收器 16b 電介質 155811.doc • 91· 201215888 18 柱 19 間隙 20 基板 21 處理器 22 陣列驅動器 24 列驅動器電路 25 犧牲層 26 行驅動器電路 27 網路介面 28 圖框緩衝器 29 驅動器控制器 30 顯示器陣列/顯示器 35 間隔件層 40 顯示器裝置 41 殼體 43 天線 45 揚聲器 46 麥克風 47 收發器 48 輸入裝置 50 電源 52 調節硬體 75 迴轉儀及/或加速計 1015d 驅動電極 155811.doc -92- 201215888 1020 驗證質量塊 1025a 感測電極 1025b 感測電極 1025c 感測電極 1025d 感測電極 1105a 側 1105b 側 1200 迴轉儀 1205 中心描定件 1207 槽 1210 驅動框架 1215a 驅動樑 1215b 驅動樑 1215c 驅動樑 1215d 驅動樑 1217 槽 1220 驗證質量塊 1220a 驗證質量塊側 1220b 驗證質量塊側 1225a 感測樑 1225b 感測樑 1225c 感測樑 1225d 感測樑 1226 遠端 155811.doc -93- 201215888 1229 槽 1305a 壓電感測電極 1305b 壓電感測電極 1305c 壓電感測電極 1305d 壓電感測電極 1305c 壓電感測電極 1305d 壓電感測電極 1500 迴轉儀 1505a 錨定件 1505b 錯定件 1510 感測框架 1510a 中心部分 1512 錐形部分 1513 第一端 1514 第二端 1515 驅動樑 1515a 驅動樑 1515b 驅動樑 1515c 驅動樑 1515d 驅動樑 1517 槽 1520a 感測樑 1520b 感測樑 1520c 感測樑 155811.doc -94· 201215888 1520d 感測樑 1522 槽 1524 槽 1525 鏈接樑 1530 驗證質量塊 1605 端 1610 端 1700 迴轉儀 1705a 錯定件 1705b 錯定件 1710 感測框架 1714 遠端 1715 驅動樑 1717 槽 1720a 感測樑 1720b 感測樑 1720c 感測樑 1720d 感測樑 1722 較寬端 1723 較窄端 1724 槽 1725 鏈接樑 1726 槽 1730 驗證質量塊 155811.doc -95- 201215888 2000 z軸迴轉儀 2005 中心錨定件 2010 感測框架 2015a 驅動樑 2015b 驅動樑 2015c 驅動樑 2015d 驅動樑 2020 感測樑 2020a 感測樑 2020b 感測樑 2020c 感測樑. 2020d 感測樑 2030 驅動框架 2030a 驅動框架部分 3030b 驅動框架部分 2035a 間隙 2035b 間隙 2035c 間隙 2035d 間隙 2035e 間隙 2040a 撓曲部 2040b 撓曲部 2045a 撓曲部 2045b 撓曲部 155811.doc •96- 201215888 2047a 撓曲部 2047b 撓曲部 2050a 電極 2050b 電極 2305 驗證質量塊 2310 電極陣列 2400 加速計 2400a 加速計 2400b 加速計 2400c 加速計 2405a 電極 2405b 電極 2405c 電極 2405d 電極 2405g 電極 2410 導電驗證質量塊 2415 間隙 2420 槽 2425 邊緣 2500 加速計 2500a Z軸加速計 2510 導電驗證質量塊 2510a 側 2510b 側 155811.doc •97 · 201215888 2515 支撐件 2515a 錨定件 2520 穿孔 2525 扭轉撓曲部 2525a 扭轉撓曲部 2530 樞軸 2530a 樞軸 2400a 加速計 2410a 導電驗證質量塊 2410b 導電驗證質量塊 2410c 導電驗證質量塊 2420a 槽 2420b 槽 2605 錨定件 2612a 靜止部分 2612b 靜止部分 2610a 内部框架 2610b 内部框架 2614a 可移動部分 2615a 撓曲部 2615b 撓曲部 2615c 撓曲部 2620a 撓曲部 2620b 撓曲部 -98- 155811.doc 201215888 2620c 撓曲部 2625 應力隔離狹縫 2670 延伸部 2720a 應力隔離狹縫 2800 三轴加速計 2910 解耦框架 2915 錨定框架 3100 梳指狀加速計 3102a 部件 3102b 部件 3105a 電極「指狀件 3105b 電極「指狀件 3505 大面積基板 3510 敷金屬層 3510a 敷金屬區域 3510b 電極區域 3515 電介質層 3605a 開口 3605b 開口 3605c 開口 3605d 開口 3610 敷金屬層 3615a 引線區域 3615b 引線區域 155811.doc -99- 201215888 3620a 密封環區域 3620b 密封環區域 3625a 加速計基底區域 3625b 加速計基底區域 3705 犧牲層 3805 南縱橫比微影材料 3810 間隙 3815 厚金屬層 3840 可移動區域 3850 加速計 3860 間隙 3905 蓋 3905a 蓋部分 3905b 蓋區域 3910 經囊封加速計 4005 積體電路 4010 焊料層 4015 基板 4020 焊料層 4025 導線結合物 4030 保護材料 4035 電連接器 4040 封裝 4200 大面積基板 -100- 155811.doc 201215888 4205 敷金屬層 4215 電介質層 4220a 開口 4220b 開口 4220c 開口 4225 犧牲層 4305 電介質層 4310 敷金屬層 4315 在苗定件區域 4320 壓電膜 4325 敷金屬層 4330 電極 4405 電介質層/鍍敷晶種層 4410 南縱橫比微影材料 4415 驗證質量塊區域 4420 框架區域 4425 密封環區域 4430 電塾區域 4505 厚金屬層 4510 薄金層 4605 驗證質量塊 4610 框架 4615 蓋 4620 密封環 -101 - 155811.doc 201215888 4625 4630 4635 迴轉儀 電墊 錨定件 155811.doc

Claims (1)

1. 201215888 七、申請專利範園： 1. 一種加速計，其包括： 一基板，其大致在一第一平面令延伸； 第""""複數個電極，直·大鼓、VL 墙 . % f Χ蚁石一第一軸形成於該基板 上； 其大致沿一第二軸形成於該基板 第二複數個電極， 上； 一第一錨定件，其附接至該基板； 一框架，其附接至該第一錨定件且大致在一第二平面 中延伸，該框架係大致約束為沿該第二軸運動；及 -驗證質量《，其附接至該框架i大致在該第二平面 中延伸，該驗證質量塊具有沿該第一軸延伸之第一複數 個槽及沿該第二轴延伸之第二複數個槽，該驗證質量塊 係大致約束為沿該第一軸及沿該第二軸運動， 其中該驗證質量塊回應於沿該第一軸之一所施加橫向 加速度之一橫向移動導致該第二複數個電極處之一第一 電容改變，且 其中該驗證質量塊回應於沿該第二軸之一所施加橫向 加速度之一橫向移動導致該第一複數個電極處之一第二 電容改變。 I如β求項1之加速計，其進一步包括將該驗證質量塊耦 5乂杧.之方干弟一撓曲部，該等第一挽曲部允許該 驗證質量塊在不致使該框架沿該第一軸移動之情況下沿 該第一軸移動。 155811.doc 201215888 3. 如請求们之加速計，其進—步 第-錨定件之若干第二撓曲部，：：架：合至該 驗：質量塊及該框架一起沿該第二軸移動-/部允許該 4. 如请求項1之加速計，其φ姑 兮驗味 、王架環繞該第一錨定件且 該驗證質量塊環繞該框架。 _疋旰且 5. 如請求項1之加速計，其中一 該驗證質量塊。 、 或夕個槽完全延伸穿過 6. 如請求項1之加速計，其中— 穿過該驗證質量塊。 個或多個槽僅部分地延伸 其中該框架包含沿該第一軸延伸 如請求項1之加速計 之第三複數個槽。 8. 9. 如：：項1之加速計，其中該驗證質量塊及該框架中之 至父一者係至少部分地由金屬形成。 :請求们之加速計，其中該框架包含輕合至該第一錄 疋件之1 —部分，該第—部分具有接近於該第一錫定 件之應力隔離狹縫。 1 〇.如明求項1之加速計，其進一步包括： 附加質量塊，其耦合至該驗證質量塊；及 第二電極及一第四電極，其位於該基板上， 其中該附加質量塊與該第三電極及第四電極之間的— 電容回應於施加至該驗證質量塊之一正常加速度而改 變。 u.如請求項1之加速計，其進一步包含： 第二錨定件，其形成於該基板上； 155811.doc 201215888 一撓曲部，其附接至該第二錨定件，該撓曲部及該第 二錨定件形成一樞軸； 一第三電極，其形成於該基板上； 一第四電極，其形成於該基板上； 一第二驗證質量塊，其具有接近於該第三電極之一第 一側及接近於該第四電極之一第二側，該第二驗證質量 塊安置成毗鄰該樞軸，該第二驗證質量塊耦合至該枢軸 且經組態以圍繞該樞軸旋轉，該旋轉導致該第三電極處 之一第二電容改變及該第四電極處之一第四電容改變。 12.如請求項11之加速計’其中該驗證質量塊之一質心係大 致自該框轴偏移。 13 ·如請求項11之加速計，其中該第二驗證質量塊包含耦合 至该第二錯定件之一第一部分，該第一部分具有接近於 該第二錯定件之應力隔離狹缝。 14. 如請求項13之加速計，其中該第二驗證質量塊包含經由 扭轉撓曲部耦合至該第一部分之一第二部分。 15. 如請求項14之加速計，其中該等扭轉撓曲部係大致垂直 於該等應力隔離狹縫。 16. —種加速計，其包括： 基板構件，其大致在一第一平面中延伸； 第電極構件，其大致沿一第一軸形成於該基板上； 第二電極構件，其大致沿一第二轴形成於該基板上； 第一錨定件構件，其附接至該基板構件； 框架構件，其附接至該第一錯定件構件且大致在一第 155811.doc 201215888 、’中ι _該框架構件係大致約束為沿該第二軸運 動；及 一驗也質量塊構件，其附接至該框架構件且大致在該第 二平面中延伸’該驗證質量塊構件係大致約束為沿該第 一軸及沿該第二軸運動， 其中該驗證質量堍π & & 里鬼構件回應於沿該第一軸之一所施加 橫向加速度之-橫向移動導致該等第：電極構件處之一 第一電容改變，且 其中該驗證質量塊構件回應於沿該第二轴之一所施加 橫向加速度之—橫向移動導致該等第-電極構件處之一 第二電容改變。 17·如請求項16之加速計，其進—步包括Ρ撓曲部構件， 其用於允許該驗證質量塊構件在不致使該框架構件沿該 第一軸移動之情況下沿該第一軸移動。 18.如請求項16之加速計，其進一步包括第二撓曲部構件， 其用於允許該驗t登質量塊構件及該框架構件一起沿該第 二軸移動。 19_ 一種製作一加速計之方法，其包括： 於大致在-第-平面中延伸之一基板上形成以下各 項： 第一複數個電極’其大致沿一第—轴； 第二複數個電極’其大致沿一第二轴；及 第一錨定件； 形成大致在一第一平面中延伸之—框架及 驗證質量 155811.doc -4- 201215888 塊，其中該形成該驗證質量塊之製程包含. 在該驗證質量塊中形成大致沿該第—轴延伸 複數個槽；及 在該驗證質量塊中形成大致沿該第二 複數個槽，且 f 其中該形成該框架之製程涉及： 形成若干第-撓曲部，其經組態以用於將該驗證質 量塊附接至該框架且用於允許該驗證質量塊在不致使 該框架沿該第一軸移動之情況下大致沿該第一軸移 動，及 形成若干第二撓曲部，其經組態以用於將該框架附 接至該第-錯定件、用於大致將該框架約束為沿該第 二軸運動且用於允許該驗證質量塊及該框架一起沿該 第二軸移動。 20 21. 22. 23. 24. .如凊求項19之方法，其中該在該基板上形成該第一複數 個電極及第：複數個電極之製程包含在該基板上沈積該 第一複數個電極及第二複數個電極。 如凊求項19之方法，其中該形成該驗證質量塊之製程涉 及一電鍍製程。 如明求項19之方法，其中該形成該框架之製程涉及在該 第一錯定件周圍形成該框架。 月长項19之方法’其中該形成該驗證質量塊之製程涉 及在該框架周圍形成該驗證質量塊。 月长項19之方法’其中該形成該驗證質量塊之製程涉 155811.doc 201215888 少部分地穿過該驗證質量塊之—個或多個槽。 如明求項19之方法’其中該形成該框架之製程涉及形成 位於该框架中且沿該第一軸延伸之第三複數個槽。 26.如請求項19之方法，其中該形成該框架之製程^及·· 形成耦合至該第一錨定件之一第一部分；及 在該第-部分中形成接近於該第m牛之應力隔離 狹縫。 27. 如請求項21之方法，其進一步包括： 在該基板上部分地形成複數個加速計之特徵；及 在部分地形成該等結構之後將該基板分割成若干子面 板， 其中使用該等子面板來執行該電鍵製程。 28. 如請求項27之方法，其中部分地形成該等特徵涉及沈積 製程、圖案化製程及蝕刻製程。 155811.doc -6 -