JP2000046558A - 外力検知センサ - Google Patents

外力検知センサ

Info

Publication number
JP2000046558A
JP2000046558A JP10209516A JP20951698A JP2000046558A JP 2000046558 A JP2000046558 A JP 2000046558A JP 10209516 A JP10209516 A JP 10209516A JP 20951698 A JP20951698 A JP 20951698A JP 2000046558 A JP2000046558 A JP 2000046558A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
external force
detection sensor
angular velocity
force detection
beams
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10209516A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Konaka
義宏 小中
Hidekazu Takada
英一 高田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP10209516A priority Critical patent/JP2000046558A/ja
Publication of JP2000046558A publication Critical patent/JP2000046558A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Gyroscopes (AREA)
  • Navigation (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】角速度、加速度などの外力の検出感度および角
度分解能を向上させた外力検知センサを提供する。 【解決手段】 枠型支持部1に結合している複数個の梁
2〜5が中心部で共通結合し、この共通結合部6には振
動重り8が設けられている。梁2〜5の梁幅を先端側か
ら根元側に向けて広くし、それに応じて、駆動電極d
1、d2の面積も大きくし、特に、外部応力の大きい根
元部にその面積に相当する検出電極s1、s2を設けた
外力検知センサ。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、カーナビゲーショ
ン装置、手振れ防止カメラなどに使用される角速度セン
サ、また自動車に搭載されるエアバック装置などに使用
される加速度センサに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の外力検知センサとして、図16と
図17を参照して、特開平6−174739号公報に開
示されている角速度センサ50について説明する。同図
において、51は半導体基板を加工して形成した正方形
状の枠体で、この枠体51の4つの内壁から直角に伸び
る梁52a〜52dが枠体51の中心部で結合してい
る。そして、この中心部の下部には振動重り53が形成
される。これらの梁52a〜52dおよび振動重り53
は、枠体51と同様の半導体基板によりフォトエッチン
グなどの半導体微細加工技術を用いて一体に形成され
る。
【0003】また、梁52a、52cの上面には駆動用
圧電素子54a、54cがそれぞれ形成され、また梁5
2b、52dの上面には検出用圧電素子54b、54d
がそれぞれ形成される。
【0004】つぎに、角速度センサ50の動作について
説明する。駆動用圧電素子54aと54cとに、180
゜位相の異なる駆動信号を加える。すると、梁52a、
52cは反転位相のために破線と2点鎖線で示すように
屈曲振動を行う。
【0005】このように、角速度センサ50が振動して
慣性状態にあるときに、振動重り53を通るZ軸回りに
角速度が加わると、Y軸方向にコリオリ力に基づく振動
が発生する。この発生した振動を検出用圧電素子54
b、54dで電圧変換して角速度を求める。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の角
速度センサにおいて一般的にコリオリ力に基づく変位は
極微小であり、この変位による発生電荷も極微少とな
る。したがって、コリオリ力を利用して角速度を検出す
る場合、発生応力の最も大きい部位に検出電極を設ける
必要がある。しかしながら、従来の角速度センサ50
は、梁が均等幅に形成されており、コリオリ力に基づく
応力の発生する領域の電極面積も小さく発生電荷を効率
よく取り出すことができず、検出感度が低く、角度分解
能が劣っていた。このことは、外力検知センサとしての
圧電型の加速度センサについても同様であった。
【0007】そこで、本発明は、角速度、加速度などの
外力の検出感度および角度分解能を向上させた外力検知
センサを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、支持部と、この支持部に根元側が固定されると共に
圧電素子が設けられた梁と、この梁の先端側に設けられ
た重りと、からなる外力検知センサにおいて、前記梁が
先端側から根元側に向けて梁幅が広くなっていることを
特徴とするものである。
【0009】この発明は、外力検知センサとしての加速
度センサに係り、梁幅の広い面に垂直方向の加速度が加
わると、重りの慣性により梁が撓み、この梁に設けられ
ている圧電素子に圧電効果により電圧が発生する。この
発生電圧により加速度を検出することができる。
【0010】また、梁は先端側よりも根元側が広く形成
されているので、先端側の梁幅と同じ梁幅で形成した梁
に比べて梁の表面積が広くなり、その分、圧電素子の面
積も大きく形成することができ、発生する電荷量を多く
することが可能となる。更に、支持部で支持する梁の機
械的強度も大きくなる。
【0011】請求項2に記載の発明は、支持部と、この
支持部に根元側が固定されると共に圧電素子が設けられ
た梁と、この梁の先端側に設けられた重りと、からなる
外力検知センサにおいて、前記梁が先端側から根元側に
向けて梁幅が広くなり、この根元部にその面積に相当す
る広さの圧電素子を設けたものである。
【0012】この発明は、外力検知センサとしての加速
度センサに係り、応力の大きい梁の根元部にその面積に
相当する広さの圧電素子を設けているので、加速度を受
けたとき、発生する電荷量が多くなり、加速度の検出感
度を向上することができる。請求項3に記載の発明は、
支持部と、この支持部に根元側が異なる位置で支持さ
れ、先端側が共通結合部で結合し、圧電素子が設けられ
た少なくとも3本の梁と、前記共通結合部に形成した振
動重りと、からなる外力検知センサにおいて、前記少な
くとも検出用梁の梁幅が、前記先端側から前記根元側に
向けて広くなっていることを特徴とするものである。
【0013】この発明は、外力検知センサとしての角速
度センサまたは加速度センサに係り、圧電素子の設けら
れている検出用梁の根元側の梁幅を先端側よりも相対的
に広く形成している。梁の根元側は角速度または加速度
に基づいて発生する応力が大きくなる領域で、この部分
に設けられる圧電素子の検出電極の面積を大きくするこ
とによって、発生する電荷量を多くすることができる。
これにより、検出感度を高く、角速度センサにあっては
角度分解能を向上させることができる。また、駆動用梁
についても、先端側の梁幅よりも根元側の梁幅を広く形
成してもよい。駆動電極は駆動用梁のほぼ全面に設ける
ことにより、駆動変位を大きくすることができる。
【0014】請求項4に記載の発明は、支持部と、この
支持部に根元側が異なる位置で支持され、先端側が共通
結合部で結合し、圧電素子が設けられた少なくとも3本
の梁と、前記共通結合部に形成した振動重りと、からな
る外力検知センサにおいて、前記少なくとも検出用梁の
梁幅が前記先端側から前記根元側に向けて広くなり、こ
の根元部にその面積に相当する広さの圧電素子の検出電
極を設けたものである。
【0015】この発明は、外力検知センサとしての角速
度センサまたは加速度センサに係り、検出用梁の根元側
の梁幅を先端側よりも相対的に広く形成し、且つ、この
根元部に設けられる圧電素子の検出電極の面積も広く形
成する。梁の根元側は角速度または加速度に基づいて発
生する応力が大きくなる領域で、この部分に設けられる
圧電素子の検出電極の面積を大きくすることによって、
発生する電荷量を多くすることができる。これにより、
検出感度を高く、角速度センサにあっては角度分解能を
向上させることができる。また、駆動用梁についても先
端側の梁幅よりも根元側の梁幅を広く形成してもよい。
駆動電極は駆動用梁のほぼ全面に設けることにより、駆
動変位を大きくすることができる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下に、図1および図2を参照し
て、本発明の第1実施例の角速度センサ10について説
明する。1はSOI(Silicon On Insulator)基板を加
工して形成した枠型支持部で、シリコン基板1a、酸化
膜1bおよび活性層1cの3層構造よりなる。2〜5は
平面形状が三角形状をしている梁で、SOI基板の活性
層1cを加工して形成され、それらの根元側は枠型支持
部1に結合し、先端側は矩形状の共通結合部6に結合し
ている。
【0017】これらの梁2〜5は、三角形状をしている
ので、それらの梁幅が先端側から根元側にかけて次第に
広くなっている。
【0018】これらの梁2〜5と共通結合部6と枠型支
持部1の上面には酸化膜7が形成される。共通結合部6
の下部には、前記SOI基板の酸化膜1bおよびシリコ
ン基板1aを加工して振動重り8が形成される。
【0019】梁2〜5と枠型支持部1の上側の酸化膜7
の上には、グランドに接続される下部電極9とその引出
電極9aとがそれぞれ形成される。梁2〜5の上側の下
部電極9の上には、酸化亜鉛膜11が形成される。駆動
用となる梁3、5の上側の酸化亜鉛膜11の上には、ほ
ぼ全面にわたって駆動電極d1、d2がそれぞれ形成さ
れる。また、検出用となる梁2、4の上側の酸化亜鉛膜
11の上には、中央部から根元側にかけて台形状の検出
電極s1、s2がそれぞれ形成される。
【0020】なお、これらの駆動電極d1、d2および
検出電極s1、s2からは、図示しないが、引出電極が
導出される。そして、下部電極9と駆動電極d1、d2
とは、酸化亜鉛膜11を介在させて、それぞれ駆動用圧
電梁3、5を形成する。また、下部電極9と検出電極s
1、s2とは、酸化亜鉛膜11を介在させて、それぞれ
検出用圧電梁2、4を形成する。
【0021】つぎに、本実施例の角速度センサ10の動
作について説明する。グランドに接続される引出電極9
aと駆動電極d1との間、および引出電極9aと駆動電
極d2との間に、それぞれ梁2〜5の機械共振周波数で
180゜位相の異なる交流電圧を印加する。すると、梁
3と5とは屈曲振動を行い、振動重り8の下部中心点は
Y軸方向に振り子運動を行うようになる。
【0022】このように、振動重り8が振動して慣性状
態にあるときに、振動重り8の中心を通るZ軸の回りに
角速度が加わると、コリオリ力に基づく振動がX軸方向
に発生する。この振動を圧電効果により検出電極s1と
s2で電圧として検出し、これらの検出電圧を差動増幅
してコリオリ力を利用して回転角速度を求める。
【0023】なお、図1、2に示す角速度センサ10
は、Z軸方向を加速度を検出する方向とすると、加速度
センサとしても用いることができる。
【0024】つぎに、図3を参照して、本発明の第2実
施例の角速度センサ20について説明する。本実施例の
角速度センサ20は、図1に示す第1実施例の角速度セ
ンサ10と同様に、SOI基板を加工して形成される。
【0025】21はSOI基板を加工して形成した支持
部である。22〜24は三角形状の梁で、それらの根元
側は支持部21に結合し、先端側は共通結合部25で1
20゜の角度をもって結合している。
【0026】これらの梁22〜24と共通結合部25と
支持部21との上面には酸化膜26が形成される。共通
結合部25の下部には、前記SOI基板の酸化膜および
シリコン基板を加工して振動重り27が形成される。
【0027】梁22〜24と支持部21との上側の酸化
膜26の上には、下部電極28とその引出電極28aと
がそれぞれ形成される。梁22〜24の上側の下部電極
28の上には、酸化亜鉛膜29が形成される。そして、
梁22および23の上側の酸化亜鉛膜29の上には、ほ
ぼ全面にわたって駆動電極d3(兼検出電極s3)およ
び駆動電極d4(兼検出電極s4)が形成されて、駆動
用兼検出用圧電梁22、23が構成される。また、梁2
4の上側の酸化亜鉛膜29の上には、中央部から根元側
にかけて台形状の帰還電極k1が形成されて、帰還用圧
電梁24が構成される。
【0028】この帰還用圧電梁24は、図示しない発振
増幅回路および駆動用圧電梁22、23と自励発振回路
を構成し、駆動信号の一部を発振増幅回路に帰還して角
速度センサ20に継続発振を行わせる。
【0029】つぎに、本実施例の加速度センサ20の動
作について説明する。前述の角速度センサ20の自励発
振は、振動重り27の中心点が二つの駆動用圧電梁2
2、23の合成力を受けてY軸方向に屈曲振動すること
により行われる。このように、振動重り27が振動して
慣性状態にあるときに、振動重り27の中心を通るZ軸
回りに角速度が加わると、コリオリ力に基づく振動がX
軸方向に発生する。この振動を圧電効果により検出電極
s3とs4で電圧として検出し、これらの検出電圧を差
動増幅してコリオリ力を利用して回転角速度を求める。
【0030】なお、図1、2に示す角速度センサ10
は、Z軸方向を加速度を検出する方向とすると、加速度
センサとしても用いることができる。
【0031】つぎに、図4を参照して、本発明の第3実
施例の角速度センサ30について説明する。この角速度
センサ30は、図1に示す角速度センサ10において、
三角形状の駆動用梁3、5を均等幅の長方形状の駆動用
梁3a、5aとし、また三角形状の駆動電極d1、d2
を長方形状の駆動電極d11、d22としたものであ
る。その他の構成は、角速度センサ10と同様なので同
一番号を付してその説明を援用する。この場合、駆動用
梁3a、5aおよび検出用梁2、4は、それらの機械共
振周波数をほぼ等しく形成される。なお、角速度センサ
30の動作についても、角速度センサ10とほぼ同様で
ある。
【0032】本実施例は、駆動用梁3a、5aは従来例
と同様の形状であるが、検出用梁2、4の梁幅が先端側
から根元側に向けて次第に広くなっており、広い根元部
に台形状の大きい面積の圧電素子が設けられているの
で、発生電荷量が多くなり検出感度が高くなる。
【0033】なお、図4に示す角速度センサ30は、Z
軸方向を加速度を検出する方向とすると、加速度センサ
としても用いることができる。
【0034】つぎに、図5を参照して、本発明の第4実
施例の加速度センサ40について説明する。この加速度
センサ40は、図1に示す角速度センサ10において、
枠型支持部1を縮小して枠型支持部1dとなし、それに
検出用梁2、共通結合部6および振動重り8を残し、そ
の他の梁3〜5などを削除したものである。
【0035】加速度センサ40の動作は、紙面に垂直な
方向を加速度の加わる方向にして配置し、加速度が振動
重り8に加わると、振動重り8の慣性により検出用梁2
および酸化亜鉛膜11が撓み、検出電極s1から加速度
に比例した電圧が検出される。この加速度センサ40
は、検出用梁2の応力の大きい領域に検出電極s1を設
けているので、加速度に対する検出電圧が大きくなる。
【0036】つぎに、図1および図2に示す本発明の第
1実施例に係る角速度センサ10の製造方法について、
図6〜図15を参照して説明する。
【0037】図6において、厚みが500μmのシリコ
ン基板1a、同じく2μmの酸化膜1b、同じく5μm
の活性層1cよりなるSOI基板1kを用意する。
【0038】図7において、SOI基板1kを熱酸化し
て、SOI基板1kの表面と裏面に厚みが300nmの
酸化膜7、7aを形成する。
【0039】図8において、蒸着装置を用いて、金(A
u)/クロム(Cr)を酸化膜7の上に堆積した後、フ
ォトエッチングにより梁2〜5の下部電極9とその引出
電極9aにパターニングする。
【0040】図9において、スパッタリング装置を用い
て、下部電極9などを含む露出している酸化膜7上に酸
化亜鉛(ZnO)膜11aを堆積する。
【0041】図10において、酢酸、燐酸および水から
なる混合液を用いたウエットエッチングまたはRIE
(反応性イオンエッチング)により酸化亜鉛膜11aを
パターニングして酸化亜鉛膜11を形成する。
【0042】ついで、蒸着装置を用いて、金(Au)/
クロム(Cr)を酸化亜鉛膜11を含む酸化膜7上に堆
積した後、フォトエッチングにより駆動電極d1、d
2、検出電極s1、s2および図示しないがこれらの引
出電極をパターニングする。
【0043】図11において、フォトリソグラフィ法を
用いて、駆動電極d1、d2、検出電極s1、s2など
を含む酸化膜7上にフォトレジスト31を塗布する。
【0044】図12において、フォトレジスト31を図
1に示す角速度センサ10の平面形状、即ち、枠型支持
部1、梁2〜5の形状および共通結合部6の形状にパタ
ーニングしてレジストマスク31aを形成する。
【0045】図13において、レジストマスク31aを
用いて、RIE装置により酸化膜7と活性層1cをエッ
チングする。また、SOI基板1kの裏面側に、フォト
レジストを塗布して、枠型支持部1と振動重り8の形状
にレジストマスク32を形成する。その後、酸化膜1b
をRIEによりドライエッチングする。図14におい
て、レジストマスク32を用いて、RIE装置により酸
化膜7aとシリコン基板1aをドライエッチングして、
振動重り8と梁2〜5を形成する。
【0046】図15において、アッシャーを用いて、フ
ォトレジストマスク31a、32を除去して、図1に示
す角速度センサ10を作製する。
【0047】上記角速度センサ10の製造においては、
圧電素子材料として酸化亜鉛を使用したが、チタン酸ジ
ルコン酸鉛(PZT)なども使用できる。また、電極材
料としては、Au/Crを例示したが、その他アルムニ
ュウム(Al)、ニッケル(Ni)、Ti(チタン)な
どの導電性金属も使用可能である。
【0048】
【発明の効果】本発明の外力検知センサは、少なくとも
検出用梁が先端側から根元側に向けて広く形成され、か
つ、この広くなった根元部、即ち外部応力の大きい領域
に面積の大きい圧電素子を設けているので、発生電荷量
も多くなり、加速度センサにおいては検出感度が高くな
り、また角速度センサにおいては検出感度および角度分
解能が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施例の角速度センサの平面図
【図2】 図1のX1−X1線断面形態図
【図3】 本発明の第2実施例の角速度センサの平面図
【図4】 本発明の第3実施例の角速度センサの平面図
【図5】 本発明の第4実施例の加速度センサの平面図
【図6】 図1に示す角速度センサの製造方法をX1−
X1線断面にて示すもので、SOI基板を用意する工程
【図7】 同じく、SOI基板の表面と裏面に酸化膜を
形成する工程図
【図8】 同じく、駆動用圧電素子と検出用圧電素子の
下部電極を形成する工程図
【図9】 同じく、酸化亜鉛膜を堆積する工程図
【図10】 同じく、酸化亜鉛膜をパターニングし、上
部電極を形成して、駆動用圧電素子と検出用圧電素子を
形成する工程図
【図11】 図1に示す角速度センサの製造方法をX2
−X2線断面にて示すもので、フォトレジストを塗布す
る工程図
【図12】 同じく、図1に示す角速度センサの平面形
状にレジストマスクを形成する工程図
【図13】 同じく、酸化膜と活性層をエッチングし、
裏面に枠型支持部および振動重りの形状にレジストマス
クを形成する工程図
【図14】 同じく、酸化膜とシリコン基板をエッチン
グして枠型支持部および振動重りを形成する工程図
【図15】 同じく、レジストマスクをアッシングする
工程図
【図16】 従来の角速度センサの平面図
【図17】 図16のX3−X3線断面形態図
【符号の説明】
1、21、1d 支持部 1a シリコン
基板 1b、7、26 酸化膜 1c 活性層 2〜5、3a、5a、22〜24 梁 6、25 共通結合
部 8、27 振動重り 9、28 下部電極 9a、28a 引出電極 10、20、30 角速度セ
ンサ 11、1k、29 酸化亜鉛
膜 d1、d2、d3、d4、d11、d22 駆動電極 s1、s2、s3、s4 検出電極 k1 帰還電極 40 加速度セ
ンサ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 支持部と、この支持部に根元側が固定さ
    れると共に圧電素子が設けられた梁と、この梁の先端側
    に設けられた重りと、からなる外力検知センサにおい
    て、 前記梁が先端側から根元側に向けて梁幅が広くなってい
    ることを特徴とする外力検知センサ。
  2. 【請求項2】 支持部と、この支持部に根元側が固定さ
    れると共に圧電素子が設けられた梁と、この梁の先端側
    に設けられた重りと、からなる外力検知センサにおい
    て、 前記梁が先端側から根元側に向けて梁幅が広くなり、こ
    の根元部にその面積に相当する広さの圧電素子を設けた
    外力検知センサ。この発明は、外力検知センサとしての
    加速度センサに係り、応力の大きい梁の根元部にその面
    積に相当する広さの圧電素子を設けているので、加速度
    を受けたとき、発生する電荷量が多くなり、加速度の検
    出感度を向上することができる。
  3. 【請求項3】 支持部と、この支持部に根元側が異なる
    位置で支持され、先端側が共通結合部で結合し、圧電素
    子が設けられた少なくとも3本の梁と、前記共通結合部
    に形成した振動重りと、からなる外力検知センサにおい
    て、 前記少なくとも検出用梁の梁幅が、前記先端側から前記
    根元側に向けて広くなっていることを特徴とする角速度
    センサ。
  4. 【請求項4】 支持部と、この支持部に根元側が異なる
    位置で支持され、先端側が共通結合部で結合し、圧電素
    子が設けられた少なくとも3本の梁と、前記共通結合部
    に形成した振動重りと、からなる外力検知センサにおい
    て、 前記少なくとも検出用梁の梁幅が前記先端側から前記根
    元側に向けて広くなり、この根元部にその面積に相当す
    る広さの圧電素子の検出電極を設けた外力検知センサ。
JP10209516A 1998-07-24 1998-07-24 外力検知センサ Pending JP2000046558A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10209516A JP2000046558A (ja) 1998-07-24 1998-07-24 外力検知センサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10209516A JP2000046558A (ja) 1998-07-24 1998-07-24 外力検知センサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000046558A true JP2000046558A (ja) 2000-02-18

Family

ID=16574095

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10209516A Pending JP2000046558A (ja) 1998-07-24 1998-07-24 外力検知センサ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000046558A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000199714A (ja) * 1999-01-06 2000-07-18 Murata Mfg Co Ltd 角速度センサ
JP2002329899A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Sony Corp 圧電薄膜素子およびその製造方法
JP2013532272A (ja) * 2010-04-30 2013-08-15 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 微細加工された圧電性3軸ジャイロスコープおよび積層横方向オーバーラップトランスデューサ(slot)ベースの3軸加速度計

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000199714A (ja) * 1999-01-06 2000-07-18 Murata Mfg Co Ltd 角速度センサ
JP2002329899A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Sony Corp 圧電薄膜素子およびその製造方法
JP2013532272A (ja) * 2010-04-30 2013-08-15 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 微細加工された圧電性3軸ジャイロスコープおよび積層横方向オーバーラップトランスデューサ(slot)ベースの3軸加速度計
JP2013532273A (ja) * 2010-04-30 2013-08-15 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 微細加工された圧電性x軸ジャイロスコープ
US9021880B2 (en) 2010-04-30 2015-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Micromachined piezoelectric three-axis gyroscope and stacked lateral overlap transducer (slot) based three-axis accelerometer
US9032796B2 (en) 2010-04-30 2015-05-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Stacked lateral overlap transducer (SLOT) based three-axis accelerometer
US9410805B2 (en) 2010-04-30 2016-08-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Micromachined piezoelectric z-axis gyroscope
US9459099B2 (en) 2010-04-30 2016-10-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Micromachined piezoelectric x-axis gyroscope
US9605965B2 (en) 2010-04-30 2017-03-28 Snaptrack, Inc. Micromachined piezoelectric x-axis gyroscope
US10209072B2 (en) 2010-04-30 2019-02-19 Snaptrack Inc. Stacked lateral overlap transducer (SLOT) based three-axis accelerometer

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3972790B2 (ja) 薄膜微小機械式共振子および薄膜微小機械式共振子ジャイロ
JP5724817B2 (ja) 角速度センサ及び電子機器
US7188525B2 (en) Angular velocity sensor
US6378369B1 (en) Angular velocity sensor
US5796000A (en) Vibration angular-velocity sensor and process for producing it
JP4415997B2 (ja) 角速度センサおよび電子機器
JP3807437B2 (ja) 角速度センサ
JPH1089968A (ja) 角速度センサ
JP4631329B2 (ja) 角速度センサ及びその製造方法
JP3212804B2 (ja) 角速度センサおよび角速度検出装置
JP5724672B2 (ja) 屈曲振動片、その製造方法、及び電子機器
JP2006201118A (ja) 圧電振動ジャイロ素子およびジャイロセンサ
JP2005249395A (ja) 角速度センサ
JP2001194153A (ja) 角速度センサ、加速度センサおよび製造方法
JPH0791958A (ja) 角速度センサ
JP4010218B2 (ja) 圧電振動片の製造方法
JP2010122141A (ja) Memsセンサ
JP2000046558A (ja) 外力検知センサ
JPH09105634A (ja) 角速度センサ
JPH09159460A (ja) 角速度センサ
JP2007240540A (ja) 薄膜微小機械式共振子ジャイロ
JP5421651B2 (ja) 3軸角速度検出振動子、3軸角速度検出装置および3軸角速度検出システム
JP2000055668A (ja) 角速度検出センサ
JPH10339638A (ja) 角速度センサ
JP2001241952A (ja) 角速度センサ