JP2010122141A - Memsセンサ - Google Patents
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Abstract
【課題】可撓部の固有振動数を調整できる簡素な構造のMEMSセンサを提供する。
【解決手段】可撓性を有する可撓部と、前記可撓部に設けられ調整電圧に応じて撓むことによって前記可撓部の固有振動数を設定する設定手段と、前記可撓部の固有振動数を目標周波数に調整するための直流の前記調整電圧を前記設定手段に印加する制御回路と、前記可撓部を前記目標周波数において振動させる励振手段と、前記可撓部の歪みを検出する検出手段と、を備え、前記設定手段、前記励振手段および前記検出手段は前記可撓部の表面上に積層された共通の膜からなる圧電素子である、MSMSセンサ。
【選択図】図1
【解決手段】可撓性を有する可撓部と、前記可撓部に設けられ調整電圧に応じて撓むことによって前記可撓部の固有振動数を設定する設定手段と、前記可撓部の固有振動数を目標周波数に調整するための直流の前記調整電圧を前記設定手段に印加する制御回路と、前記可撓部を前記目標周波数において振動させる励振手段と、前記可撓部の歪みを検出する検出手段と、を備え、前記設定手段、前記励振手段および前記検出手段は前記可撓部の表面上に積層された共通の膜からなる圧電素子である、MSMSセンサ。
【選択図】図1
Description
本発明はMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)センサに関し、特に振動ジャイロスコープ、振動型圧力センサ、振動型マイクロフォン、振動型加速度センサ等として機能するMEMSセンサに関する。
従来、振動ジャイロスコープ、振動型圧力センサ、振動型マイクロフォン、振動型加速度センサ等として機能するMEMSセンサにおける励振対象である可撓部の固有振動数を調整する技術が知られている。
例えば特許文献1〜6には、可撓部あるいはその周辺をトリミングすることによって可撓部の固有振動数を調整する方法が記載されている。
また特許文献7には、可撓部を支持している枠の一部をアクチュエータによって伸張または収縮させることによって可撓部の張力を変化させる方法が記載されている。可撓部の張力が変化すると可撓部の固有振動数が変化する。
例えば特許文献1〜6には、可撓部あるいはその周辺をトリミングすることによって可撓部の固有振動数を調整する方法が記載されている。
また特許文献7には、可撓部を支持している枠の一部をアクチュエータによって伸張または収縮させることによって可撓部の張力を変化させる方法が記載されている。可撓部の張力が変化すると可撓部の固有振動数が変化する。
しかし、特許文献1〜6に記載されているようにトリミングによって固有振動数を調整すると製造コストが増大するという問題がある。
一方、特許文献7に記載されている方法では、トリミングによる固有振動数の調整は不要であるが、励振手段とも検出手段とも異なる構造を有するアクチュエータを枠の一部として形成する必要があるため、製造プロセスが複雑化し、その結果、製造コストが増大するという問題がある。
一方、特許文献7に記載されている方法では、トリミングによる固有振動数の調整は不要であるが、励振手段とも検出手段とも異なる構造を有するアクチュエータを枠の一部として形成する必要があるため、製造プロセスが複雑化し、その結果、製造コストが増大するという問題がある。
本発明はこのような問題を解決するために創作されたものであって、可撓部の固有振動数を調整できる簡素な構造のMEMSセンサを提供することを目的とする。
(1)上記目的を達成するためのMEMSセンサは、可撓性を有する可撓部と、前記可撓部に設けられ調整電圧に応じて撓むことによって前記可撓部の固有振動数を設定する設定手段と、前記可撓部の固有振動数を目標周波数に調整するための直流の前記調整電圧を前記設定手段に印加する制御回路と、前記可撓部を前記目標周波数において振動させる励振手段と、前記可撓部の歪みを検出する検出手段と、を備え、前記設定手段、前記励振手段および前記検出手段は前記可撓部の表面上に積層された共通の膜からなる圧電素子である。
本発明によると、設定手段としての圧電素子と励振手段としての圧電素子と検出手段としての圧電素子とが可撓部に積層された共通の膜からなるため、可撓部の固有振動数を調整できるMEMSセンサの構造が簡素になる。したがって本発明によると可撓部の固有振動数を調整できるMEMSセンサの製造コストを低減できる。
本発明によると、設定手段としての圧電素子と励振手段としての圧電素子と検出手段としての圧電素子とが可撓部に積層された共通の膜からなるため、可撓部の固有振動数を調整できるMEMSセンサの構造が簡素になる。したがって本発明によると可撓部の固有振動数を調整できるMEMSセンサの製造コストを低減できる。
(2)上記目的を達成するためのMEMSセンサにおいて、前記設定手段の長手方向が前記可撓部としての梁の撓み方向または前記可撓部としてのダイヤフラムの径方向に一致してもよい。
本発明によると、可撓部としての梁またはダイヤフラムの主に張力が調整されることによって可撓部の固有振動数が調整される。設定手段の長手方向を梁の撓み方向またはダイヤフラムの径方向に一致させることにより、張力を効率よく調整することができる。
本発明によると、可撓部としての梁またはダイヤフラムの主に張力が調整されることによって可撓部の固有振動数が調整される。設定手段の長手方向を梁の撓み方向またはダイヤフラムの径方向に一致させることにより、張力を効率よく調整することができる。
(3)上記目的を達成するためのMEMSセンサにおいて、前記撓み方向に直交する方向に近接して配列された複数の前記設定手段が前記梁に設けられていてもよい。
本発明によると、張力を梁の撓み方向と直交する方向においても調整することができる。
本発明によると、張力を梁の撓み方向と直交する方向においても調整することができる。
(4)上記目的を達成するためのMEMSセンサにおいて、前記設定手段の長手方向は前記可撓部としての梁の前記撓み方向に直交する方向または前記可撓部としてのダイヤフラムの周方向に一致し、前記設定手段は前記撓み方向に直交する方向または前記ダイヤフラムの周方向に前記可撓部を曲げてもよい。
本発明によると、可撓部としての梁またはダイヤフラムの主に撓み剛性が調整されることによって可撓部の固有振動数が調整される。設定手段の長手方向を梁の撓み方向に直交する方向またはダイヤフラムの周方向に一致させることにより、撓み剛性を効率よく調整することができる。
本発明によると、可撓部としての梁またはダイヤフラムの主に撓み剛性が調整されることによって可撓部の固有振動数が調整される。設定手段の長手方向を梁の撓み方向に直交する方向またはダイヤフラムの周方向に一致させることにより、撓み剛性を効率よく調整することができる。
(5)上記目的を達成するためのMEMSセンサにおいて、前記励振手段から前記可撓部の振動端までの距離および前記検出手段から前記可撓部の振動端までの距離はいずれも前記設定手段から前記可撓部の振動端までの距離より短くてもよい。
本発明によると、励振手段よりも設定手段を可撓部の振動端に近い位置に設ける場合に比べて可撓部を振動させる効率を高めることができ、検出手段よりも設定手段を可撓部の振動端に近い位置に設ける場合に比べて可撓部の歪みを感度良く検出できる。
本発明によると、励振手段よりも設定手段を可撓部の振動端に近い位置に設ける場合に比べて可撓部を振動させる効率を高めることができ、検出手段よりも設定手段を可撓部の振動端に近い位置に設ける場合に比べて可撓部の歪みを感度良く検出できる。
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照しながら以下の順に説明する。尚、各図において対応する構成要素には同一の符号が付され、重複する説明は省略される。
1.第一実施形態
(構成)
本発明のMEMSセンサの第一実施形態としての振動ジャイロスコープを図1から図3に示す。振動ジャイロスコープ1は互いに直交する2軸または3軸の角速度成分を検出するためのMEMSセンサである。図1A、図1Bおよび図2Bにおいて、センサダイ1Aを構成する層の界面は破線で示し、センサダイ1Aを構成する機械的構成要素の境界は実線で示している。また図3Aにおいては可撓部Fの振動端を破線で示している。
1.第一実施形態
(構成)
本発明のMEMSセンサの第一実施形態としての振動ジャイロスコープを図1から図3に示す。振動ジャイロスコープ1は互いに直交する2軸または3軸の角速度成分を検出するためのMEMSセンサである。図1A、図1Bおよび図2Bにおいて、センサダイ1Aを構成する層の界面は破線で示し、センサダイ1Aを構成する機械的構成要素の境界は実線で示している。また図3Aにおいては可撓部Fの振動端を破線で示している。
振動ジャイロスコープ1は、図2Bに示すパッケージ1Bと、パッケージ1Bに収容されたセンサダイ1Aと、図3Bに示す制御回路1Cとを備える。センサダイ1Aは、図1Aおよび図1Bに示すように、厚いシリコン(Si)層11と、エッチストッパ層12と、薄いシリコン層13と、絶縁層20と、電極層31、33と、圧電層32と、表面絶縁層40と、表面配線層50とからなる積層構造体である。厚いシリコン層11の厚さは625μmである。エッチストッパ層12はシリコン酸化膜(SiO2)からなる。エッチストッパ層12の厚さは1μmである。薄いシリコン層13の厚さは10μmである。絶縁層20はシリコン酸化膜からなる。絶縁層20の厚さは0.5μmである。電極層31、33はいずれも白金(Pt)からなる。電極層31、33の厚さはいずれも0.1μmである。圧電層32はPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)からなる。圧電層32の厚さは3μmである。表面絶縁層40は感光性ポリイミドからなる。表面絶縁層40の厚さは10μmである。表面配線層50はアルミニウム(Al)からなる。表面配線層50の厚さは0.5μmである。
振動ジャイロスコープ1は、枠形の支持部Sと、支持部Sの内側に十文字形に配置された4つの可撓部Fと、4つの可撓部Fのそれぞれの自由端に結合している錘部Mと、4つの可撓部Fのそれぞれに設けられた励振用圧電素子30cと検出用圧電素子30aと設定用圧電素子30bとを備える。
支持部Sは矩形枠の形態を有する。支持部Sは厚いシリコン層11、エッチストッパ層12、薄いシリコン層13および絶縁層20を含む。支持部Sは厚いシリコン層11を含み、パッケージ1Bに固定されるため、実質的に剛体として振る舞う。
4つの可撓部Fはそれぞれ片持ち梁の形態を有する。可撓部Fは薄いシリコン層13と絶縁層20とを含む。可撓部Fは厚いシリコン層11を含まないため、可撓性を有する膜として振る舞う。可撓部Fの固有振動数は、可撓部Fの形状と張力とに相関する。4つの可撓部Fのそれぞれの一端は支持部Sの内側の4辺に結合している。支持部Sは剛体として振る舞うため、振動ジャイロスコープ1に固定された座標系において可撓部Fの一端は固定端となる。4つの可撓部Fは支持部Sの内側の4辺から支持部Sの内側の空間の中央に向かって延びている。4つの可撓部Fのそれぞれの突端は錘部Mの中央部に結合している。錘部Mは可撓部Fにのみ結合し、図2Bに示すようにパッケージ1Bの底面90aから浮いているため、振動ジャイロスコープ1に固定された座標系において可撓部Fの他端は自由端として振る舞う。4つの可撓部Fは錘部Mの運動にともなってそれぞれ変形する。
錘部Mは、図2Aに示すように可撓部Fの厚さ方向から見て中央の矩形の4つの角のそれぞれに矩形が接続された形態を有する。錘部Mの中央部以外は、可撓部Fにも支持部Sにも重なっていない。錘部Mの中央部以外はC字形の4つのスリットによって可撓部Fおよび支持部Sから切り離されている。錘部Mは厚いシリコン層11とエッチストッパ層12と薄いシリコン層13とを含む。錘部Mは厚いシリコン層11を含むため実質的に剛体として振る舞う。錘部Mの重心は4つの可撓部Fが含まれる平面から離れた位置にある。したがってコリオリ力が作用すると、錘部Mはその重心の変位にともなって回転し、錘部Mの回転に伴って4つの可撓部Fがそれぞれ変形する。
励振用圧電素子30c、検出用圧電素子30aおよび設定用圧電素子30bはいずれも、支持部S、可撓部Fおよび錘部Mの表層を構成している絶縁層20の表面に接合されている。可撓部Fの変形にともなう応力と歪みは可撓部Fの表面において絶対値が最大となり可撓部Fの内部にある特定の面で絶対値がゼロになる。すなわち励振用圧電素子30c、検出用圧電素子30aおよび設定用圧電素子30bを支持部S、可撓部Fおよび錘部Mの表層を構成している絶縁層20の表面に接合するのは、効率よく可撓部Fを変形させるとともに、効率よく可撓部Fの変形を検出するためである。励振用圧電素子30c、検出用圧電素子30aおよび設定用圧電素子30bはいずれも電極層31、33と電極層31、33に挟まれた圧電層32とからなる。すなわち励振用圧電素子30c、検出用圧電素子30aおよび設定用圧電素子30bは可撓部Fの表面上に積層された共通の膜からなり、同時に形成することが可能である。絶縁層20に接合されている電極層31の一部は配線31bを構成し、ボンディングパッド50aに接続されている。電極層33は表面配線50bに接続されている。表面配線50bとボンディングパッド50aとは表面配線層50によって構成されている。電極層31、33に電圧を印加すると圧電層32が4つの可撓部Fを含む平面と平行な方向に伸縮する。圧電層32が4つの可撓部Fを含む平面と平行な方向に伸縮すると、圧電層32に接合されている電極層31が撓む。
励振手段としての励振用圧電素子30cは可撓部Fを振動させるための圧電素子である。図3Aに示すように励振用圧電素子30cは支持部Sと4つの可撓部Fとのそれぞれの境界上に設けられている。なお、図3Aは絶縁層20の表面と圧電素子とだけを示した平面図である。励振用圧電素子30cを支持部Sと可撓部Fとの境界上に設けることにより、効率よく可撓部Fを振動させることができる。すなわち励振用圧電素子30cを支持部Sと可撓部Fとの境界上に設けることにより、効率よく錘部Mを駆動することができる。
検出手段としての検出用圧電素子30aは錘部Mの運動に応じた可撓部Fの歪みを検出するための圧電素子である。検出用圧電素子30aは錘部Mと4つの可撓部Fとのそれぞれの境界上に設けられている。実質的に剛体として振る舞う錘部Mと可撓性を有する可撓部Fとの境界には、可撓部Fの変形に伴う応力と歪みが集中する。このため、検出用圧電素子30aを錘部Mと可撓部Fとの境界上に設けることにより、効率よく可撓部Fの変形にともなう歪みを検出することができる。また検出手段として圧電素子を用いると、検出手段としてピエゾ抵抗素子を用いる場合に比べ、高い周波数の歪みを検出することができる。
なお、励振用圧電素子30cを錘部Mと4つの可撓部Fとのそれぞれの境界上に設けてもよい。また検出用圧電素子30aを支持部Sと4つの可撓部Fとのそれぞれの境界上に設けてもよい。いずれにしても、可撓部Fとそれに結合している実質的な剛体との境界(振動端)近傍に励振用圧電素子30cと検出用圧電素子30aとを設けることが望ましい。
設定用圧電素子30bは可撓部Fの固有振動数を設定するための圧電素子である。設定用圧電素子30bは4つの可撓部Fのそれぞれの撓み方向(固定端と自由端とを結ぶ方向)において励振用圧電素子30cと検出用圧電素子30aとの間に設けられている。設定用圧電素子30bの圧電層32が可撓部Fを含む平面と平行な方向に伸縮すると、設定用圧電素子30bに接合されている可撓部Fの部分が湾曲するため、可撓部Fの張力が増大するとともに、湾曲した部分の撓み剛性が高まる。その結果、可撓部Fの固有振動数が高くなる。設定用圧電素子30bに電圧を印加することによってこのように可撓部Fの固有振動数を調整するにあたり、設定用圧電素子30bの位置が可撓部Fの振動端近傍であるか中央近傍であるかによる電力効率の違いは小さい。したがって、可撓部Fと錘部Mとの境界近傍あるいは可撓部Fと支持部Sとの境界近傍に設けることによって錘部Mの駆動効率あるいは可撓部Fの変形の検出効率が増大する励振用圧電素子30cおよび検出用圧電素子30aから可撓部Fの振動端までの距離が、設定用圧電素子30bから可撓部Fの振動端までの距離よりも短くなるように各圧電素子を配列することが望ましい。
図1Aに示すように励振用圧電素子30c、検出用圧電素子30aおよび設定用圧電素子30bは表面絶縁層40によって覆われている。表面絶縁層40には電極層31、33と表面配線層50とを接合するためのコンタクトホールが形成されている。
図2Bに示すパッケージ1Bは、無蓋箱型のベース90とベース90の内部空間を閉塞するカバー94とを備える。ベース90とカバー94とは接着層93を介して接合されている。ベース90には複数の貫通電極91が設けられている。ワイヤ95は一端がセンサダイ1Aのボンディングパッド50aに接合され他端がパッケージ1Bの貫通電極91に接合される。センサダイ1Aの支持部Sはベース90の内側の底面90aに接着層92を介して接合される。底面90aの凹部や接着層92の厚さによってセンサダイ1Aの錘部Mとベース90の内側の底面90aとの間に空隙が形成されている。
次に図3Bを参照しながら制御回路1Cの構成とモーションセンサ1の作動について説明する。制御回路1Cはパッケージ1Bとは別のパッケージに収容されるダイに形成しても良いし、センサダイ1Aとともにパッケージ1Bに収容されるダイに形成しても良いし、センサダイ1Aに形成しても良い。図3Bには、十字形に配置されている4つの可撓部Fのうち同一直線上に並ぶ2つの可撓部Fが示されている。ここで、図3Bに示されている2つの可撓部Fが並ぶ方向にx軸を定義し、図3Bに示されていない2つの可撓部Fが並ぶ方向にy軸を定義し、x軸およびy軸に直交するz軸を定義する。これらのx軸、y軸およびz軸はセンサダイ1Aに固定された座標系を定義する。モーションセンサ1によって検出される角速度はこの座標系において表現される。
制御回路1Cは、駆動部60、検出部70および応力設定部80を含む。
駆動部60は、加算回路64と増幅回路63と位相回路62とAGC(Auto Gain Controller)61とを含む。加算回路64は、4つの可撓部Fに設けられている4つの検出用圧電素子30aに接続されている。増幅回路63は、加算回路64の出力端に接続されている。位相回路62は、増幅回路63の出力端に接続されている。AGC61は位相回路62の出力端に接続されている。AGC61の出力端は、4つの可撓部Fに設けられている4つの励振用圧電素子30cに接続されている。励振用圧電素子30cと可撓部Fと検出用圧電素子30aと駆動部60とによって発振回路が構成されている。この発振回路の発振周波数は後述する目標周波数と等しくなる。
駆動部60は、加算回路64と増幅回路63と位相回路62とAGC(Auto Gain Controller)61とを含む。加算回路64は、4つの可撓部Fに設けられている4つの検出用圧電素子30aに接続されている。増幅回路63は、加算回路64の出力端に接続されている。位相回路62は、増幅回路63の出力端に接続されている。AGC61は位相回路62の出力端に接続されている。AGC61の出力端は、4つの可撓部Fに設けられている4つの励振用圧電素子30cに接続されている。励振用圧電素子30cと可撓部Fと検出用圧電素子30aと駆動部60とによって発振回路が構成されている。この発振回路の発振周波数は後述する目標周波数と等しくなる。
検出部70は、差動増幅回路71と同期検波回路72と平滑化回路73とを含む。差動増幅回路71はx軸方向に並ぶ2つの可撓部Fに設けられている1対の検出用圧電素子30aに接続されている。同期検波回路72は、差動増幅回路71の出力端と加算回路64の出力端とに接続されている。平滑化回路73は同期検波回路72の出力端に接続されている。差動増幅回路71、同期検波回路72および平滑化回路73は角速度のy軸周り成分を検出するための回路要素である。検出部70は、角速度のx軸周り成分を検出するための図示しない回路要素をも含んでいる。すなわち検出部70には、y軸方向に2つの可撓部Fに設けられている1対の検出用圧電素子30aに接続されている図示しない他の差動増幅回路と、この差動増幅回路の出力端と加算回路64の出力端とに接続された図示しない他の同期検波回路と、この同期検波回路の出力端に接続された図示しない他の平滑化回路とが含まれている。
4つの可撓部Fに設けられている励振用圧電素子30cに目標周波数において振動する駆動電圧が駆動部60によって印加されると、錘部Mの重心のz軸方向の位置は可撓部Fの目標周波数において振動する。可撓部Fの固有振動数が目標周波数に一致するとき錘部Mの重心のz軸方向の振幅は極大となる。センサダイ1Aがy軸周りに回転すると、錘部Mの重心にはx軸方向のコリオリ力が作用する。するとx軸方向に直線的に並ぶ2つの可撓部Fに設けられている2つの検出用圧電素子30aの一方にはコリオリ力に応じた圧縮方向の歪みが生じ、その他方にはコリオリ力に応じた伸張方向の歪みが生ずる。したがってx軸方向に直線的に並ぶ2つの可撓部Fに設けられている2つの検出用圧電素子30aに接続された差動増幅回路71からは、その2つの検出用圧電素子30aの歪みに応じた電圧の絶対値の和に比例する信号が出力される。この信号の極性はコリオリ力がx軸の正方向に作用している場合と負方向に作用している場合とで逆転する。従って、この信号を同期検波回路72に入力し、同期検波回路72の出力を平滑化回路73によって平滑化すると、センサダイ1Aの角速度のy軸周りの成分に相当する出力が得られる。またセンサダイ1Aがx軸周りに回転する場合には、y軸方向に直線的に並ぶ2つの可撓部Fに設けられている2つの検出用圧電素子30aに接続された図示しない他の差動増幅回路と他の同期検波回路と他の平滑回路とを通じてセンサダイ1Aの角速度のx軸周りの成分に相当する出力が得られる。
なお、角速度の3軸の成分を検出する場合、例えばx軸方向とy軸方向とに錘部Mの重心が振動するように励振用圧電素子30cに電圧を印加すればよい。この場合、x軸方向に直線的に並ぶ2つの可撓部Fに設けられている2つの励振用圧電素子30cに印加すれる電圧の位相はずらす。
応力設定部80は、可撓部Fの振幅が予め決められた目標周波数において極大となる直流の電圧である調整電圧を設定用圧電素子30bに印加する回路である。補正電圧発生回路81には平滑化回路73の出力端と補正テーブル82が接続される。補正電圧発生回路81の出力端は4つの可撓部Fに設けられた設定用圧電素子30bに接続される。補正テーブル82は調整電圧の大きさが書き込まれた不揮発性メモリによって構成されている。補正電圧発生回路81は、補正テーブル82に書き込まれた大きさの直流電圧である調整電圧をそれぞれの設定用圧電素子30bに印加する。調整電圧の電圧の大きさに応じて設定用圧電素子30bが撓み、その結果、可撓部Fの張力と撓み剛性が変わる。可撓部Fの張力または撓み剛性が変わると、可撓部Fの固有振動数が変わる。可撓部Fの固有振動数が目標周波数になる調整電圧の電圧の大きさが補正テーブル82に書き込まれていれば、調整電圧が印加された設定用圧電素子30bの撓み量は、可撓部Fの固有振動数が目標周波数になる撓み量になる。すなわち、適当な調整電圧の大きさを補正テーブル82に書き込むことにより、可撓部Fの固有振動数は予め決められた目標周波数に設定される。
補正テーブル82には、工場出荷前に調整電圧の電圧の大きさを書き込むこともできるし、工場出荷後の使用状態において調整電圧の大きさを書き込むこともできる。調整電圧の大きさを補正テーブル82に書き込む場合、予め決められた一定の角速度でセンサダイ1Aを回転させる。そして、その状態において制御回路1Cの平滑化回路73から出力される信号が極大になるように設定用圧電素子30bに印加する直流電圧を調整する。そして制御回路1Cの平滑化回路73から出力される信号が極大になる直流電圧の大きさを調整電圧の大きさとして補正テーブル82に書き込めば良い。またこのとき、複数の温度条件において、制御回路1Cの平滑化回路73から出力される信号が極大になるように設定用圧電素子30bに印加する直流電圧を調整し、温度に応じた複数の直流電圧の大きさをそれぞれが異なる温度に対応する調整電圧の大きさとして補正テーブル82に書き込んでもよい。そして補正電圧発生回路81に温度センサを接続する。この場合、補正電圧発生回路81は、温度センサから取得する温度に応じた調整電圧の大きさを補正テーブル82から取得し、取得した大きさの調整電圧を設定用圧電素子30bに印加することができる。工場出荷後の使用状態において調整電圧の大きさを書き込む場合、補正電圧発生回路81はマイクロコンピュータとして構成される。
(製造方法)
以下、図4から図11に基づいて振動ジャイロスコープ1の製造方法の一例を説明する。図4から図6、図7A、図8、図10および図11は図1に示すAA線に対応する断面図である。図9Aは図1に示すBB線に対応する断面図である。
以下、図4から図11に基づいて振動ジャイロスコープ1の製造方法の一例を説明する。図4から図6、図7A、図8、図10および図11は図1に示すAA線に対応する断面図である。図9Aは図1に示すBB線に対応する断面図である。
はじめに図4に示すように、厚いシリコン層11、エッチストッパ層12、薄いシリコン層13、絶縁層20、電極層31、圧電層32および電極層33がこの順で積層された積層構造体を形成する。具体的にはまず厚いシリコン層11、エッチストッパ層12および薄いシリコン層13となるSOIウエハ10を用意する。なお、厚いシリコン層11となる単結晶シリコンウエハの表面に、熱酸化、CVD(Chemical Vapor Deposition)等によって酸化シリコンからなるエッチストッパ層12を形成し、エッチストッパ層12の表面にCVD等によって多結晶シリコンからなる薄いシリコン層13を形成してもよい。次に薄いシリコン層13の表面を熱酸化することにより酸化シリコンからなる絶縁層20を形成する。次に絶縁層20の表面にスパッタリング等によって白金からなる電極層31を形成する。白金と多結晶シリコンの密着層として30nmのチタン(Ti)を成膜してもよい。また電極層31の材料には酸化イリジウム(IrO2)を用いても良い。次に電極層31の表面にスパッタリング、ゾルゲル法等によってPZTからなる圧電層32を形成する。次に圧電層32の表面にスパッタリング等によって白金からなる電極層33を形成する。白金とPZTの密着層として30nmのチタンを成膜しても良い。電極層33の材料にはイリジウム(Ir)、酸化イリジウム、金(Au)などを用いても良い。
次に図5に示すように電極層33と圧電層32とをフォトレジストマスクR1を用いてエッチングすることにより、電極層33と圧電層32とを所定形状にパターニングする。具体的には、白金からなる電極層33はアルゴン(Ar)イオンを用いたイオンミリングによってパターニングする。次にPZTからなる圧電層32は塩素(Cl2)ガスをエッチングガスとして用いた反応性イオンエッチングによってパターニングする。なお、フッ酸と硝酸の混合液にてPZTからなる圧電層32をエッチングしても良い。次にフォトレジストマスクR1を除去する。
次に図6に示すように電極層31をフォトレジストマスクR2を用いてエッチングすることにより、電極層31を所定形状にパターニングする。具体的には、白金からなる電極層33はアルゴン(Ar)イオンを用いたイオンミリングによってパターニングする。反応性イオンエッチングにより電極層31をパターニングしても良い。次にフォトレジストマスクR2を除去する。
次に図7Aおよび図7Bに示すように絶縁層20、電極層31および電極層33の表面に表面絶縁層40を形成する。具体的には感光性ポリイミドを塗布し、露光と現像とによってコンタクトホール40aとエッチング開口部40bを形成することによって所定パターンの表面絶縁層40を形成する。なお、表面絶縁層40の材料としてシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミナ等の無機材料を用いても良い。
次に図8に示すように表面絶縁層40の表面に表面配線層50を形成する。具体的にはスパッタリング等を用いてアルミニウムからなる表面配線層50を形成し、図示しないフォトレジストマスクを用いて表面配線層50をエッチングすることにより、表面配線50bおよびボンディングパッド50aをパターニングする。表面絶縁層40とアルミニウムの密着層として厚さ30nmのチタンを成膜しても良い。また表面配線層50の材料としてAlSi、AlSiCu等を用いても良い。アルミニウムからなる表面配線層50は、塩素ガスをエッチングガスとして用いた反応性イオンエッチング、アルゴンイオンを用いたイオンミリング、燐酸・硝酸・酢酸の混合液を用いたウェットエッチング等によってパターニングしても良い。
次に図示しないフォトレジストマスクを用いて図9Aおよび図9Bに示すように絶縁層20および薄いシリコン層13をエッチングすることによって可撓部Fをパターニングする。シリコン酸化膜からなる絶縁層20はCF4ガスを用いた反応性イオンエッチング、フッ酸(HF)や緩衝フッ酸を用いたウェットエッチング等によってパターニングする。
次に図示しないフォトレジストマスクを用いて図9Aおよび図9Bに示すように絶縁層20および薄いシリコン層13をエッチングすることによって可撓部Fをパターニングする。シリコン酸化膜からなる絶縁層20はCF4ガスを用いた反応性イオンエッチング、フッ酸(HF)や緩衝フッ酸を用いたウェットエッチング等によってパターニングする。
次に図10に示すようにフォトレジストマスクR3を用いたエッチングにより厚いシリコン層11を所定形状にパターニングする。具体的には、図9Aおよび図9Bに示す積層構造体の表面絶縁層40側の面を犠牲基板99に接着層Bを介して仮接着する。接着層Bとしてはワックス、フォトレジスト、両面粘着テープ等を用いる。次に厚いシリコン層11の表面に所定形状のフォトレジストマスクR3を形成する。次にフォトレジストマスクR3から露出している厚いシリコン層11をDeep−RIE(Reactive Ion Etching)によってパターニングする。ここでいうDeep−RIEは、C4F8プラズマによるパッシベーションのステップとSF6プラズマによるエッチングのステップとを短い時間間隔で交互に繰り返す所謂ボッシュプロセスである。
次に図11に示すようにエッチストッパ層12をエッチングし、犠牲基板99の除去、ダイシング等の後工程を実施するとセンサダイ1Aが完成する。シリコン酸化膜からなるエッチストッパ層12は緩衝フッ酸を用いたウエットエッチングによりパターニングする。
次に図11に示すようにエッチストッパ層12をエッチングし、犠牲基板99の除去、ダイシング等の後工程を実施するとセンサダイ1Aが完成する。シリコン酸化膜からなるエッチストッパ層12は緩衝フッ酸を用いたウエットエッチングによりパターニングする。
2.第二実施形態
図12は本発明のMEMSセンサの第二実施形態としての振動ジャイロスコープのセンサダイ2Aにおいて絶縁層20の表面に形成される励振用圧電素子30c、検出用圧電素子30aおよび設定用圧電素子30bの配置の他の形態を示す平面図である。図12において可撓部Fの振動端は破線によって示されている。図12に示すように設定用圧電素子30bを配置しても良い。すなわち、設定用圧電素子30bを各可撓部Fの撓み方向と直交する方向に近接して複数配置する。そして設定用圧電素子30bを可撓部Fの撓み方向に長く形成する。これにより設定用圧電素子30bの撓み量が可撓部Fの撓み方向において大きく、可撓部Fの撓み方向と直交する方向に小さくなる。なお、可撓部Fの撓み方向とは、可撓部Fと支持部Sとの境界から可撓部Fと錘部Fとの境界に向かう方向である。このように撓み量に異方性がある設定用圧電素子30bを可撓部Fに複数配置すると、設定用圧電素子30bによって可撓部Fの張力を効率よく制御できるようになる。また可撓部Fの撓み方向と直交する方向に並ぶ複数の設定用圧電素子30bに印加する調整電圧の大きさを異ならせることによって、撓み方向と直交する方向において可撓部Fの張力を調整し、錘部Mの振動方向を調整することも可能である。また本実施形態のように設定用圧電素子30bを配置する場合には、可撓部Fの張力が増しても可撓部Fが撓み方向と直交する方向に撓みにくくなる。
図12は本発明のMEMSセンサの第二実施形態としての振動ジャイロスコープのセンサダイ2Aにおいて絶縁層20の表面に形成される励振用圧電素子30c、検出用圧電素子30aおよび設定用圧電素子30bの配置の他の形態を示す平面図である。図12において可撓部Fの振動端は破線によって示されている。図12に示すように設定用圧電素子30bを配置しても良い。すなわち、設定用圧電素子30bを各可撓部Fの撓み方向と直交する方向に近接して複数配置する。そして設定用圧電素子30bを可撓部Fの撓み方向に長く形成する。これにより設定用圧電素子30bの撓み量が可撓部Fの撓み方向において大きく、可撓部Fの撓み方向と直交する方向に小さくなる。なお、可撓部Fの撓み方向とは、可撓部Fと支持部Sとの境界から可撓部Fと錘部Fとの境界に向かう方向である。このように撓み量に異方性がある設定用圧電素子30bを可撓部Fに複数配置すると、設定用圧電素子30bによって可撓部Fの張力を効率よく制御できるようになる。また可撓部Fの撓み方向と直交する方向に並ぶ複数の設定用圧電素子30bに印加する調整電圧の大きさを異ならせることによって、撓み方向と直交する方向において可撓部Fの張力を調整し、錘部Mの振動方向を調整することも可能である。また本実施形態のように設定用圧電素子30bを配置する場合には、可撓部Fの張力が増しても可撓部Fが撓み方向と直交する方向に撓みにくくなる。
3.第三実施形態
図13は本発明のMEMSセンサの第三実施形態としての振動ジャイロスコープのセンサダイ3Aにおいて絶縁層20の表面に形成される励振用圧電素子30c、検出用圧電素子30aおよび設定用圧電素子30bの配置の他の形態を示す平面図である。図13において可撓部Fの振動端は破線によって示されている。図13に示すように設定用圧電素子30bを配置しても良い。すなわち、設定用圧電素子30bを各可撓部Fの撓み方向に近接して複数配置する。そして設定用圧電素子30bを可撓部Fの撓み方向と直交する方向に長く形成する。これにより設定用圧電素子30bの撓み量が可撓部Fの撓み方向と直交する方向において大きく、可撓部Fの撓み方向に小さくなる。このように撓み量に異方性がある設定用圧電素子30bを可撓部Fに配置すると、設定用圧電素子30bによって可撓部Fの撓み剛性を効率よく制御できるようになる。また本実施形態のように設定用圧電素子30bを配置する場合には、可撓部Fの撓み剛性が増しても可撓部Fの張力が増しにくくなる。
図13は本発明のMEMSセンサの第三実施形態としての振動ジャイロスコープのセンサダイ3Aにおいて絶縁層20の表面に形成される励振用圧電素子30c、検出用圧電素子30aおよび設定用圧電素子30bの配置の他の形態を示す平面図である。図13において可撓部Fの振動端は破線によって示されている。図13に示すように設定用圧電素子30bを配置しても良い。すなわち、設定用圧電素子30bを各可撓部Fの撓み方向に近接して複数配置する。そして設定用圧電素子30bを可撓部Fの撓み方向と直交する方向に長く形成する。これにより設定用圧電素子30bの撓み量が可撓部Fの撓み方向と直交する方向において大きく、可撓部Fの撓み方向に小さくなる。このように撓み量に異方性がある設定用圧電素子30bを可撓部Fに配置すると、設定用圧電素子30bによって可撓部Fの撓み剛性を効率よく制御できるようになる。また本実施形態のように設定用圧電素子30bを配置する場合には、可撓部Fの撓み剛性が増しても可撓部Fの張力が増しにくくなる。
4.第四実施形態
本発明のMEMSセンサの第四実施形態としての振動ジャイロスコープのセンサダイ4Aを図14A、図14Bおよび図15に示す。図14Aにおいてセンサダイ1Aを構成する層の界面は破線で示し、センサダイ4Aを構成する機械的構成要素の境界は実線で示している。また図14Bにおいては可撓部Fの振動端を破線で示している。
可撓部Fは円環状のダイヤフラムとして構成してもよい。
錘部Mは可撓部Fの内周に外周が結合した略円柱形である。
本発明のMEMSセンサの第四実施形態としての振動ジャイロスコープのセンサダイ4Aを図14A、図14Bおよび図15に示す。図14Aにおいてセンサダイ1Aを構成する層の界面は破線で示し、センサダイ4Aを構成する機械的構成要素の境界は実線で示している。また図14Bにおいては可撓部Fの振動端を破線で示している。
可撓部Fは円環状のダイヤフラムとして構成してもよい。
錘部Mは可撓部Fの内周に外周が結合した略円柱形である。
励振用圧電素子30cは円環状の可撓部Fと支持部Sとの境界上に複数設けられる。励振用圧電素子30cのそれぞれは可撓部Fと支持部Sとの境界に沿って円弧状に形成される。励振用圧電素子30cは可撓部Fの周方向に長く、可撓部Fの径方向に短い。
検出用圧電素子30aは可撓部Fと錘部Mとの境界上に複数設けられる。検出用圧電素子30aのそれぞれは可撓部Fと錘部Mとの境界に沿って円弧状に形成される。検出用圧電素子30aは可撓部Fの周方向に長く、可撓部Fの径方向に短い。
検出用圧電素子30aは可撓部Fと錘部Mとの境界上に複数設けられる。検出用圧電素子30aのそれぞれは可撓部Fと錘部Mとの境界に沿って円弧状に形成される。検出用圧電素子30aは可撓部Fの周方向に長く、可撓部Fの径方向に短い。
複数の設定用圧電素子30bは円環状に複数設けられる。設定用圧電素子30bは励振用圧電素子30cと検出用圧電素子30aとの間において円弧状に形成される。設定用圧電素子30bは可撓部Fの周方向に長く、可撓部Fの径方向に短く形成されている。このため設定用圧電素子30bに直流電圧である調整電圧が印加されると、可撓部Fにはその径方向にのびる襞状のうねりが形成される。その結果、可撓部Fの撓み剛性が高まり、可撓部Fの固有振動数が高くなる。また本実施形態のように設定用圧電素子30bを配置すると、可撓部Fの撓み剛性を効率よく調整することができる。
表面絶縁層と表面配線層は本実施形態のように省略することもできる。この場合、電極層31、電極層33のそれぞれが表面配線とボンディングパッドを構成する。
表面絶縁層と表面配線層は本実施形態のように省略することもできる。この場合、電極層31、電極層33のそれぞれが表面配線とボンディングパッドを構成する。
5.第五実施形態
図16は本発明のMEMSセンサの第五実施形態としての振動ジャイロスコープのセンサダイ5Aにおいて絶縁層20の表面に形成される励振用圧電素子30c、検出用圧電素子30aおよび設定用圧電素子30bの配置を示す平面図である。図16において可撓部Fの端は破線によって示されている。
図16は本発明のMEMSセンサの第五実施形態としての振動ジャイロスコープのセンサダイ5Aにおいて絶縁層20の表面に形成される励振用圧電素子30c、検出用圧電素子30aおよび設定用圧電素子30bの配置を示す平面図である。図16において可撓部Fの端は破線によって示されている。
円環形のダイヤフラムとして構成されている可撓部Fに対し、設定用圧電素子30bを可撓部Fの径方向に長く可撓部Fの周方向に短く形成し、可撓部Fの周方向に複数配列しても良い。このような設定用圧電素子30bに直流電圧である調整用信号を印加すると、図17および図18に示すように、可撓部Fには可撓部Fの周方向に伸びる襞状のうねりが形成される。その結果、可撓部Fの張力が高まり、可撓部Fの固有振動数が高くなる。またこのように設定用圧電素子30bを配列することにより、可撓部Fの張力を効率よく調整できる。なお、図17は図16に示すAA線に対応する模式的な断面図である。図18は可撓部Fに襞状のうねりが形成される領域をハッチングによって示した模式図である。
6.効果
上述した本発明の複数の実施形態では、圧力設定手段としての圧電素子と励振手段としての圧電素子と検出手段としての圧電素子とが可撓部に積層された共通の膜からなるため、可撓部の固有振動数を調整できる振動ジャイロスコープの構造が簡素になる。したがって上述した本発明の複数の実施形態では、可撓部の固有振動数を調整できる振動ジャイロスコープの製造コストを低減できる。
上述した本発明の複数の実施形態では、圧力設定手段としての圧電素子と励振手段としての圧電素子と検出手段としての圧電素子とが可撓部に積層された共通の膜からなるため、可撓部の固有振動数を調整できる振動ジャイロスコープの構造が簡素になる。したがって上述した本発明の複数の実施形態では、可撓部の固有振動数を調整できる振動ジャイロスコープの製造コストを低減できる。
7.他の実施形態
尚、本発明の技術的範囲は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、本発明は振動型圧力センサ、振動型マイクロホン、振動型加速度センサなど固有振動数において振動させる可撓部を備える様々なMEMSに適用できる。また上記実施形態で示した材質や寸法や成膜方法やパターン転写方法はあくまで例示であるし、当業者であれば自明である工程の追加や削除や工程順序の入れ替えについては説明が省略されている。
尚、本発明の技術的範囲は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、本発明は振動型圧力センサ、振動型マイクロホン、振動型加速度センサなど固有振動数において振動させる可撓部を備える様々なMEMSに適用できる。また上記実施形態で示した材質や寸法や成膜方法やパターン転写方法はあくまで例示であるし、当業者であれば自明である工程の追加や削除や工程順序の入れ替えについては説明が省略されている。
1:振動ジャイロスコープ、1A:センサダイ、1B:パッケージ、1C:制御回路、2A:センサダイ、3A:センサダイ、4A:センサダイ、5A:センサダイ、11:厚いシリコン層、12:エッチストッパ層、13:薄いシリコン層、20:絶縁層、30a:検出用圧電素子、30b:設定用圧電素子、30c:励振用圧電素子、31:電極層、31b:配線、32:圧電層、33:電極層、40:表面絶縁層、40a:コンタクトホール、40b:エッチング開口部、50:表面配線層、50a:ボンディングパッド、50b:表面配線、60:駆動部、62:位相回路、63:増幅回路、64:加算回路、70:検出部、71:差動増幅回路、72:同期検波回路、73:平滑化回路、80:応力設定部、81:補正電圧発生回路、82:補正テーブル、90:ベース、90a:底面、91:貫通電極、92:接着層、93:接着層、94:カバー、95:ワイヤ、99:犠牲基板、B:接着層、F:可撓部、M:錘部、R1:フォトレジストマスク、R2:フォトレジストマスク、R3:フォトレジストマスク、S:支持部
Claims (5)
- 可撓性を有する可撓部と、
前記可撓部に設けられ調整電圧に応じて撓むことによって前記可撓部の固有振動数を設定する設定手段と、
前記可撓部の固有振動数を目標周波数に調整するための直流の前記調整電圧を前記設定手段に印加する制御回路と、
前記可撓部を前記目標周波数において振動させる励振手段と、
前記可撓部の歪みを検出する検出手段と、
を備え、
前記設定手段、前記励振手段および前記検出手段は前記可撓部の表面上に積層された共通の膜からなる圧電素子である、
MSMSセンサ。 - 前記設定手段の長手方向が前記可撓部としての梁の撓み方向または前記可撓部としてのダイヤフラムの径方向に一致する、
請求項1に記載のMSMSセンサ。 - 前記撓み方向に直交する方向に近接して配列された複数の前記設定手段が前記梁に設けられている、
請求項2に記載のMEMSセンサ。 - 前記設定手段の長手方向は前記可撓部としての梁の撓み方向に直交する方向または前記可撓部としてのダイヤフラムの周方向に一致し、
前記設定手段は前記撓み方向に直交する方向または前記ダイヤフラムの周方向に前記可撓部を曲げる、
請求項1に記載のMEMSセンサ。 - 前記励振手段から前記可撓部の振動端までの距離および前記検出手段から前記可撓部の振動端までの距離はいずれも前記設定手段から前記可撓部の振動端までの距離より短い、
請求項1〜4のいずれか一項に記載のMSMSセンサ。
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