JP5451396B2 - 角速度検出装置 - Google Patents

Description

本発明は、圧電体膜を含む振動子を備えた角速度検出装置に関する。

ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）構造を有し、圧電体膜を含む梁型の振動子を備えた角速度検出装置及びその製造方法が知られている。特許文献１には、シリコンからなる基板と、振動子とを有するジャイロセンサ素子と、ＩＣ基板とを備えた角速度検出装置が開示されている。振動子の一部は、基板の一部がエッチングされたシリコンからなる。振動子は、順に積層された下部電極、圧電体膜及び上部電極を備えている。ＩＣ基板は、上部電極及び下部電極と接続され、振動子を制御するＩＣ回路を備えている。

この角速度検出装置では、ＩＣ基板からの駆動信号によって所定の方向に振動する振動子に角速度が加わると、振動子にコリオリ力が作用する。このコリオリ力による振動及び駆動信号による振動に基づいて、振動子の圧電体膜から上部電極を介して振動信号が出力される。この振動信号が制御回路に入力された後、角速度に基づく出力信号に変換されることによって角速度が検出される。
特開２００５−２２７１１０号公報

しかしながら、上述した角速度検出装置では、振動子と、振動子を制御するＩＣ回路を有するＩＣ基板とを別部品により構成している。このため、角速度検出装置の厚みを１ｍｍ以下にすることが難しく、角速度検出装置の小型化が困難という問題がある。

上記問題点を鑑み、本発明は、小型化を可能な角速度検出装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、半導体基板と、半導体基板上に形成され、その内部に圧電体膜を含む振動子と、半導体基板上に形成され、振動子を制御する制御回路とを備え、振動子上に駆動電極と検出電極とが形成され、検出電極は、駆動電極と所定の間隔で形成され、駆動電極と検出電極との間の圧電体膜上に形成された凹部に、絶縁体からなる保護膜が埋設されている角速度検出装置が提供される。

本発明によれば、小型化を可能な角速度検出装置を提供できる。

本発明の第１の実施形態に係る角速度検出装置の全体構成図である。 図１のＩＩ−ＩＩ方向に沿った断面図である。 図１に示した振動子の斜視図である。 本発明の第１の実施形態に係る角速度検出装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その１）。 本発明の第１の実施形態に係る角速度検出装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その２）。 本発明の第１の実施形態に係る角速度検出装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その３）。 本発明の第１の実施形態に係る角速度検出装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その４）。 本発明の第２の実施形態に係る角速度検出装置の全体構成図である。 本発明の第３の実施形態に係る角速度検出装置の振動子の構成を示す模式的な上面図である。 図９に示した振動子のＸ−Ｘ方向に沿った断面図である。 図９に示した振動子のＸＩ−ＸＩ方向に沿った断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る角速度検出装置の構成を示す模式図である。 本発明の第３の実施形態に係る圧電体膜のエッチング量を説明するための振動子の断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る圧電体膜のエッチング量を説明するためのグラフである。 材料のエッチレートを記載した表である。 本発明の第３の実施形態に係る角速度検出装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その１）。 本発明の第３の実施形態に係る角速度検出装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その２）。 本発明の第３の実施形態に係る角速度検出装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その３）。 本発明の第３の実施形態に係る角速度検出装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その４）。 本発明の第３の実施形態に係る角速度検出装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その５）。 本発明の第３の実施形態に係る角速度検出装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その６）。 本発明の第３の実施形態に係る角速度検出装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その７）。 本発明の第３の実施形態に係る角速度検出装置の製造方法の他の例を説明するための工程断面図である（その１）。 本発明の第３の実施形態に係る角速度検出装置の製造方法の他の例を説明するための工程断面図である（その２）。

次に、図面を参照して、本発明の第１乃至第３の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。

又、以下に示す第１乃至第３の実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る角速度検出装置（ジャイロセンサ）１は、図１に示すように、半導体基板２と、半導体基板２上に形成された振動子３と、半導体基板２上に形成され、振動子３を制御する制御回路４とを備える。振動子３と制御回路４は、アルミニウム（Ａｌ）等からなる複数の配線６により接続される。

図２に示すように、制御回路４は保護膜５により保護される。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ方向に沿った断面図である。保護膜５は、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）膜であり、半導体基板２及び制御回路４の上面を覆うように形成されている。尚、振動子３の下部保護膜１１と保護膜５とは、連続して形成されている。

図３に、振動子３の斜視図を示す。以下では、図３の矢印に示すＸＹＺをＸＹＺ方向と示す。

半導体基板２は、約３００μｍの厚みを有するシリコン（Ｓｉ）基板である。半導体基板２の厚みは、実装時等に保持可能な程度の厚みを有すればよく、適宜変更可能である。平面視にて、半導体基板２は、Ｘ方向に約４．０ｍｍの長さを有し、Ｙ方向に約４．５ｍｍの長さを有する。振動子３の下方に対応する半導体基板２の一部は、約５０μｍの深さでエッチングされている。これにより、半導体基板２と振動子３の下面との間には、約５０μｍの間隔ｔｇの空洞７が形成されている。尚、空洞７の間隔ｔｇは、振動時に振動子３が半導体基板２との間に生じる気圧の変化等の影響を受けない程度の厚みであればよく、特に限定されるものではない。

振動子３は、ＸＺ方向に振動可能な梁型に構成されている。振動子３は、半導体基板２上に形成されている。振動子３は、約２μｍ〜約６μｍのＺ方向の厚みｔ及び約５μｍ〜約６μｍのＸ方向の幅を有する。振動子３の厚みｔは、Ｚ方向の所望の共振周波数ｆにより適宜変更される。出力感度を高めるためには、断面形状が正方形になるように、厚みｔと振動子３の幅は同じ長さであることが好ましい。

図２に示すように、振動子３は、下部保護膜１１と、下部電極１２と、圧電体膜１３と、上部電極１４と、上部保護膜１５とを備えている。

下部保護膜１１は、下部電極１２の下面を保護するとともに、共振周波数ｆを調整するためのものである。下部保護膜１１は、下部電極１２の下面に形成されている。下部保護膜１１の下面と半導体基板２との間には、所定の間隔ｔｇ（例えば、５０μｍ）を有する空洞７が形成されている。尚、間隔ｔｇの大きさは特に限定されるものではなく、振動子３のＺ方向の振幅に合わせて適宜変更可能である。下部保護膜１１は、約１μｍ〜約４μｍの厚みｔ１を有するＳｉＯ₂膜である。以下に示す表１に基づいて、下部保護膜１１の厚みｔ１を設定することにより、振動子３の共振周波数ｆの大まかな調整がされる。下部保護膜１１と共振周波数ｆとの具体的な関係を表１に示す。

下部電極１２は、約２００ｎｍの厚みを有する白金（Ｐｔ）からなり、圧電体膜１３の下面を覆うように形成される。下部電極１２は、ビアホール８内の配線６を介して駆動回路３１に接続される。

圧電体膜１３は、振動子３のＹ軸周りの回転運動による角速度に基づいて電圧を変化させる。圧電体膜１３は、約１μｍの厚みを有するチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）膜であり、下部電極１２の上面を覆うように形成される。

上部電極１４は、約２００ｎｍの厚みを有する酸化イリジウム（ＩｒＯ₂）／イリジウム（Ｉｒ）の積層膜からなる。上部電極１４は、圧電体膜１３の上面に、Ｙ方向に延びるように形成されている。上部電極１４は、駆動電極２１と、一対の検出電極２２、２３とを備えている。駆動電極２１は、配線６を介して駆動回路３１に接続されている。駆動電極２１には、制御回路４から振動子３をＺ方向に振動させるための駆動信号Ｓ_Mが入力される。検出電極２２、２３は、駆動電極２１を挟み対向する位置に形成されている。検出電極２２、２３は、配線６を介して検出回路３２に接続されている。検出電極２２、２３は、振動子３がＹ軸の周りに回転運動した場合に生じる角速度に基づく圧電体膜１３の電圧の変化を含む振動信号Ｓ_V1、Ｓ_V2を制御回路４へと出力する。

上部保護膜１５は、下部電極１２、圧電体膜１３及び上部電極１４を保護する。上部保護膜１５は、下部電極１２の側面、圧電体膜１３の上面と側面及び上部電極１４の上面を覆うように形成されている。上部保護膜１５は、約０．５μｍ〜約１．０μｍの厚みｔ２を有するＳｉＯ₂膜である。上部保護膜１５の厚みｔ２を調整することによって共振周波数ｆが微調整される。

制御回路４は、振動子３を制御する。制御回路４は、半導体基板２上に振動子３とモノシリックに形成されている。制御回路４は、駆動回路３１と、検出回路３２と、検波回路３３とを有する。

駆動回路３１は、駆動電極２１に駆動信号Ｓ_Mを入力して、振動子３を所定の共振周波数ｆでＺ方向に振動させる。また、駆動回路３１は、検波回路３３に同期信号Ｓ_Sを出力する。検出回路３２は、振動子３の検出電極２２、２３から出力される振動子３の振動に基づく振動信号Ｓ_V1、Ｓ_V2のうち振動子３の角速度に基づく検出信号Ｓ_Dを検出して検波回路３３に出力する。検波回路３３は、検出回路３２から入力される検出信号Ｓ_Dを検波する。また、検波回路３３は、駆動回路３１から入力される同期信号Ｓ_Sに基づいて、検波された信号を同期して、振動子３に作用する角速度に基づく出力信号Ｓ_Oを出力する。駆動回路３１、検出回路３２及び検波回路３３は、半導体基板２上にモノシリックに形成されたトランジスタ等により構成されている。

次に、上述した角速度検出装置１の動作説明を行う。

まず、駆動回路３１から駆動電極２１に約５Ｖの駆動信号Ｓ_Mが入力される。これにより、振動子３がＺ方向に振動する。振動子３の振動により、検出電極２２及び検出電極２３のそれぞれから正負が逆転した振動信号Ｓ_V1、Ｓ_V2が検出回路３２に出力される。ここで、外力により振動子３がＹ軸周りに回転すると、圧電体膜１３を含む振動子３はＸ方向にも振動する。これにより、Ｘ方向に振動する圧電体膜１３に回転運動の角速度に基づく電圧の変化が生じる。この結果、検出電極２２、２３から出力される振動信号Ｓ_V1、Ｓ_V2に角速度に基づく電圧の変化が含まれることになる。

検出回路３２では、正負が逆転した振動信号Ｓ_V1及び振動信号Ｓ_V2の差をとって、駆動信号Ｓ_Mによる振動子３のＺ方向の振動に基づく信号が除去された検出信号Ｓ_Dを検波回路３３へと出力する。検波回路３３では、駆動回路３１の信号を角速度信号と同期させ、検出信号Ｓ_Dを検波する。この結果、振動子３に作用する角速度による出力信号Ｓ_Oが出力されて、角速度が検出される。

次に、上述した角速度検出装置１の製造方法について説明する。図４〜図７は、角速度検出装置の各製造工程における断面図である。尚、図６に関しては、他の図と異なり、配線６が形成された個所における断面図である。

まず、図４に示すように、既知の半導体製造技術により、駆動回路３１、検出回路３２及び検波回路３３を含む制御回路４を半導体基板２上に形成する。その後、半導体基板２及び制御回路４を覆うように、保護膜５及び下部保護膜１１を形成するためのＳｉＯ₂からなる絶縁膜５１をＣＶＤ法等により形成する。

次に、スパッタ法により下部電極１２を形成するためのＰｔ膜５２を形成する。その後、Ｐｔ膜５２上にゾルゲル法により圧電体膜１３を形成するためのＰＺＴ膜５３を形成する。更に、スパッタ法によりＰＺＴ膜５３上に上部電極１４を形成するためのＩｒＯ₂膜５４を形成する。

次に、図５に示すように、レジスト膜（図示略）を形成した後、塩素（Ｃｌ₂）ガス等のハロゲン系ガスとＡｒガスによりＩｒＯ₂／Ｉｒ膜５４をドライエッチングして上部電極１４を形成する。その後、新たなレジスト膜（図示略）を形成した後、フッ素系ガス及びＡｒガスによりＰＺＴ膜５３をドライエッチングして圧電体膜１３を形成する。次に、Ｃｌ₂ガス等のハロゲン系ガスとＡｒガスによりＰｔ膜５２をドライエッチングして下部電極１２を形成する。

次に、ＣＶＤ法によりＳｉＯ₂膜からなる絶縁膜を上面に形成する。その後、図６に示すように、フォトリソグラフィ技術法及びＳＦ₆等のフッ素系ガスによるドライエッチングにより、絶縁膜をパターニングして上部保護膜１５を形成する。そして、各電極２１〜２３と制御回路４とを接続する配線６を形成する。

次に、図７に示すように、ＳＦ₆等のフッ素系ガスにより絶縁膜５１をドライエッチングすることによって、下部保護膜１１及び制御回路４を覆う保護膜５をパターニングする。その後、シリコンからなる半導体基板２の一部をＳＦ₆等のフッ素系ガスにより等方性ドライエッチングすることによって振動子３の下に空洞７を形成する。ここで、ドライエッチングを採用することにより、ウェットエッチングの場合とは異なり、圧電体膜１３の側面の露出が抑制される。これにより、圧電体膜１３のエッチングが抑制される。

これにより、角速度検出装置１が完成する。

上述したように第１の実施形態による角速度検出装置１では、振動子３が形成される半導体基板２に制御回路４をモノシリックに形成しているので、角速度検出装置１の厚みを小さくすることができる。また、平面視における角速度検出装置１の縦横の寸法を小さくすることができる。これらにより、角速度検出装置１の小型化を実現することができる。具体的には、携帯電話等に搭載可能な１ｍｍ以下の厚みを実現することができる。

また、振動子３と制御回路４とを半導体基板２上に一体に形成することにより、振動子と制御回路とを別部品にした場合に必要な互いを接続するためのボンディングや位置合わせ等の工程を省略できる。

また、振動子のみを一部品とした場合、保持するための保持部が必要となり振動子自体が大型化するが、振動子３と制御回路４とを一体に形成することによって、保持部等を形成することなく容易に保持することができる。これにより、振動子３の破損をより抑制できる。

また、ドライエッチングにより絶縁膜５１及び半導体基板２をパターニングして振動子３の下に空洞７を形成しているので、圧電体膜１３の側面が露出することを抑制できる。これにより、圧電体膜１３がエッチングされることを抑制できるとともに、使用中における圧電体膜１３の物理的な破損をも抑制できる。

また、振動子３の上面及び下面を下部保護膜１１及び上部保護膜１５により覆うことによって、下部保護膜１１の厚みｔ１と上部保護膜１５の厚みｔ２により振動子３の共振周波数ｆを容易に所望の周波数に設定することができる。

尚、角速度検出装置１を構成する材料は適宜変更可能である。具体的には、保護膜をＳｉＯ₂以外の絶縁膜（ポリシリコン、ＳｉＮ等）により構成してもよい。また、半導体基板２をシリコン以外の半導体からなる基板を適用してもよい。

また、上記では駆動回路３１により振動子３がＺ方向に振動する例に上げたが、駆動回路３１により振動子３をＸ方向に振動させてもよい。

（第２の実施形態）
次に、本発明を２軸の角速度検出装置に適用した第２の実施形態について、図面を参照して説明する。図８は、第２の実施形態に係る角速度検出装置の全体構成図である。尚、第１の実施形態と同様の構成には、同じ符号を付けて説明を省略する。図８に示すＸＹをＸＹ方向とし、紙面垂直上方向をＺ方向とする。

図８に示すように、第２の実施形態による角速度検出装置１Ａは、半導体基板２と、第１振動子３Ａと、第２振動子３Ｂと、第１制御回路４Ａと、第２制御回路４Ｂとを備える。

第１振動子３Ａは、Ｘ方向に延びるように半導体基板２上に形成されている。第２振動子３Ｂは、Ｙ方向に延びるように半導体基板２上に形成されている。即ち、第１振動子３Ａ及び第２振動子３Ｂは、互いに直交する方向に延びるように形成されている。これにより、第１振動子３Ａ及び第２振動子３Ｂは、それぞれ直交する方向の角速度を検出する。具体的には、振動子３Ａは、Ｘ軸周りの角速度を検出し、振動子３Ｂは、Ｙ軸周りの角速度を検出する。振動子３Ａ、３Ｂは、第１の実施形態の振動子３と同様の構成である。

第１制御回路４Ａは、第１振動子３Ａを制御してＸ軸周りの角速度を検出する。第２制御回路４Ｂは、第２振動子３Ｂを制御してＹ軸周りの角速度を検出する。制御回路４Ａ、４Ｂは、半導体基板２上にモノシリックに形成されている。制御回路４Ａ、４Ｂは、第１の実施形態の制御回路４と同様の構成である。

上述したように図８に示した角速度検出装置１Ａでは、２つの振動子３Ａ、３Ｂを備えることによって、異なる２つの方向を回転軸とする角速度を検出できる。フォトリソグラフィ技術やドライエッチング等の精度が高い半導体製造技術を用いて振動子３Ａ、３Ｂを半導体基板２上に形成することにより、振動子３Ａ、３Ｂの位置合わせの精度が向上する。

また、２つの振動子３Ａ、３Ｂを同時に形成できるため、容易に２軸の角速度検出装置１Ａを製造できる。更に、２つの制御回路４Ａ、４Ｂを同時に形成できるため、容易に２軸の角速度検出装置１Ａを製造できる。

以上の説明では、２つの振動子を備えた角速度検出装置を例として上げたが、３つ以上の振動子を備えた角速度検出装置に本発明を適用してもよい。

（第３の実施形態）
第１及び第２の実施形態に示したように、半導体基板２上に圧電材料を薄膜で形成することにより、圧電材料の加工精度を向上できる。しかしながら、振動子３の小型化、薄膜化が進みにつれ、振動子３の形状の対称性が角速度検出装置１の性能に影響を与えるようになる。例えば、コリオリ力により生じる振動の方向（検出方向）で振動子の形状が非対称であると、角速度印加前に検出方向に振動が発生する。この振動を「不正振動」という。つまり、小型化することによって振動子の出力が微小になり、特に検出方向の振動子の非対称性によって生じる不正振動によって、コリオリ力による微小な変化を正確に検出できない。

以下に説明するように、第３の実施形態に係る角速度検出装置は、振動子の形状の非対称性に起因する不正振動を抑制できる。本発明の第３の実施形態に係る角速度検出装置は、図９、１０に示すように、同一方向に延伸する第１の梁型電極１４１、第２の梁型電極１４２及び第３の梁型電極１４３を有する振動子３を備える。図１０は、図９のＸ−Ｘ方向に沿った断面図である。

図９〜図１０に示した振動子３の製造方法は、半導体基板２上に、下部保護膜１１、下部電極１２、圧電体膜１３、上部電極膜及びマスク材をこの順で積層するステップと、ドライエッチングによって圧電体膜１３が膜厚方向にすべてエッチングされない間隔に、第１の梁型電極１４１と第２の梁型電極１４２との間隔ｄ１２及び第１の梁型電極１４１と第３の梁型電極１４３との間隔ｄ１３が設定された電極パターンで、マスク材をパターニングするステップと、パターニングされたマスク材をマスクにした１回のドライエッチングによって、振動子３の外側の上部電極膜、圧電体膜１３、下部電極１２及び下部保護膜１１と、第１の梁型電極１４１と第２の梁型電極１４２間及び第１の梁型電極１４１と第３の梁型電極１４３間の上部電極膜とを同時にエッチングするステップとを含む。

上部電極膜を電源パターンに従ってドライエッチングすることにより、第１の梁型電極１４１、第２の梁型電極１４２及び第３の梁型電極１４３を含む電極領域１４Ａが形成される。電極領域１４Ａは、第１の梁型電極１４１を挟んで第２の梁型電極１４２の外側から第３の梁型電極１４３の外側までの領域を含む。ここで、第１の梁型電極１４１と対面する側を第２の梁型電極１４２及び第３の梁型電極１４３の内側とし、この内側と対向する側を外側とする。電極領域１４Ａの外側の下部保護膜１１、下部電極１２、圧電体膜１３及び上部電極膜を１回のドライエッチングで連続的にエッチングすることにより、下部保護膜１１、下部電極１２及び圧電体膜１３の端面は、第２の梁型電極１４２及び第３の梁型電極１４３の外側の端面と一致して形成される。

また、ドライエッチングによって圧電体膜１３が膜厚方向にすべてエッチングされない間隔に間隔ｄ１２及び間隔ｄ１３が設定されているため、第１の梁型電極１４１と第２の梁型電極１４２との間、及び第１の梁型電極１４１と第３の梁型電極１４３との間では、上部電極膜のみが完全エッチングされ、圧電体膜１３は残る。ドライエッチングによって圧電体膜１３が膜厚方向にすべてエッチングされない間隔の詳細については後述する。

１回のドライエッチングによって第１の梁型電極１４１、第２の梁型電極１４２及び第３の梁型電極１４３が形成されるため、複数のエッチング用マスクを使用して電極領域１４Ａを形成する場合のようなマスクパターンの位置合わせズレが生じない。したがって、振動子３の形状の非対称性が発生せず、設計通りに第２の梁型電極１４２の幅Ｗ２と第３の梁型電極１４３の幅Ｗ３を同一に、且つ間隔ｄ１２と間隔ｄ１３を同一に形成できる。

図１１に、図９のＸＩ−ＸＩ方向に沿った断面を示す。図１１に示すように、本発明の第３の実施形態に係る角速度検出装置の振動子３は、下部保護膜１１の下方の半導体基板２が除去され、空洞７が形成される。つまり、振動子３は、第１の梁型電極１４１、第２の梁型電極１４２、及び第３の梁型電極１４３のそれぞれの一端が支持された片持ち梁の振動子である。空洞７の高さ、即ち下部保護膜１１の下面と半導体基板２の上面との距離は、例えば５０μｍ程度である。

図９〜図１１に示す角速度検出装置は、振動子３の駆動用電極を所定の周波数で一定の方向（駆動方向）に振動（駆動振動）させておき、角速度の加わることによって発生するコリオリ力により駆動振動と垂直方向（検出方向）に駆動用電極に生じる振動を検出用電極が検出することによって、角速度を算出する角速度検出装置である。

例えば、駆動用電極として第１の梁型電極１４１を縦方向に振動させた状態で、コリオリ力により第１の梁型電極１４１に生じる横方向の変動を検出用電極である第２の梁型電極１４２及び第３の梁型電極１４３によって検出する。或いは、駆動用電極として第２の梁型電極１４２及び第３の梁型電極１４３を横方向に振動させた状態で、コリオリ力により第２の梁型電極１４２及び第３の梁型電極１４３に生じる縦方向の変動を検出用電極である第１の梁型電極１４１によって検出する。具体的には、駆動用電極に印加された電圧に応じて圧電体膜１３が変動し、駆動用電極が駆動方向に振動する。そして、コリオリ力により駆動用電極に検出方向の変動が生じた場合に、この変動が圧電体膜１３によって電圧に変換され、変換された電圧を検出用電極が検出信号として出力する。

図１２に、第１の梁型電極１４１を縦方向（第１の梁型電極１４１の積層方向）に振動させ、コリオリ力による第１の梁型電極１４１の横方向（積層方向に対して垂直方向）の変動を第２の梁型電極１４２及び第３の梁型電極１４３によって検出する角速度検出装置の回路図の例を示す。図１２に示した制御回路４は、振動子３の駆動用電極（第１の梁型電極１４１）を所定の駆動振動周波数で振動させ、コリオリ力により駆動用電極に生じた変動を検出用電極（第２の梁型電極１４２及び第３の梁型電極１４３）により電圧として取り出す。制御回路４は、駆動回路３１、検出回路３２及び検波回路３３を備える。

駆動回路３１は、第１の梁型電極１４１を縦方向に振動させる回路である。具体的には、駆動回路３１から第１の梁型電極１４１に、第１の梁型電極１４１を縦方向に振動させる駆動信号が送信される。

検出回路３２は、第１の梁型電極１４１の変動を検出する回路である。具体的には、第１の梁型電極１４１の振動に応じて第２の梁型電極１４２及び第３の梁型電極１４３が電圧として生成する検出振動信号を受信する。

検波回路３３は、検出回路３２から送信される検出振動信号を、駆動回路３１から送信される駆動振動周波数で同期検波することにより、角速度信号を出力する。角速度信号は、出力端子ＯＵＴから制御回路４の外部に出力される。

半導体基板２上に振動子３と制御回路４を形成して１チップ化することにより、角速度検出装置の小型化及び薄膜化を実現できる。

以下に、ドライエッチングによって圧電体膜１３が膜厚方向にすべてエッチングされない間隔に第１の梁型電極１４１と第２の梁型電極１４２との間隔ｄ１２、及び第１の梁型電極１４１と第３の梁型電極１４３との間隔ｄ１３を設定する方法の例を、図１３及び図１４を参照して説明する。図１３に示したエッチング量ｄＥは、マスク材１６の間隔を電極間隔ｄとした場合に、マスク材１６をマスクにして上部電極１４をドライエッチングした後に、圧電体膜１３がドライエッチングによってエッチングされる量である。ここで、圧電体膜１３は膜厚Ｗｐが４００ｎｍのチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）である。

図１４は、横軸を電極間隔ｄ、縦軸をエッチング量ｄＥとしたグラフである。図１４に示すように、電極間隔ｄが広くなるほど圧電体膜１３のエッチング量ｄＥは大きくなる。一方、電極間隔ｄが狭くなるほど圧電体膜１３のエッチング量ｄＥは小さくなり、圧電体膜１３の途中でエッチングは停止する。図１４に示すように、電極間隔ｄが８μｍ以上の場合にエッチング量ｄＥは４００ｎｍ以上になり、圧電体膜１３は上面から底面まで膜厚方向にすべてエッチングされる。したがって、電極間隔ｄは、ドライエッチングによって第１の梁型電極１４１、第２の梁型電極１４２及び第３の梁型電極１４３の各電極間が分離され、且つ各電極間に圧電素子として機能する程度の膜厚で圧電体膜１３が残るように、圧電体膜１３の膜厚や材料等を考慮して設定される。例えば、圧電体膜１３が膜厚４００ｎｍのＰＺＴ膜である場合、間隔ｄ１２及び間隔ｄ１３は、０．３〜０．５μｍ程度であることが好ましく、より好ましくは０．４μｍである。

次に、マスク材１６について説明する。マスク材１６は、ＰＺＴ膜等の圧電体膜１３に対して、フォトレジスト膜よりエッチングの選択比が高い材料が好ましい。具体的には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）膜やアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃)膜等が採用可能である。アルミナは成膜レートが低いため、ＩＴＯがより好ましい。図１５に、ＩＴＯ、ＰＺＴ及び酸化シリコン（ＳｉＯ₂）のドライエッチングでのエッチレートを示す。ドライエッチング条件は、フッ素系及びアルゴン（Ａｒ）ガスを使用した場合である。

以下に、図１６〜図２４を用いて、本発明の第３の実施形態に係る角速度検出装置の製造方法を説明する。なお、以下に述べる角速度検出装置の製造方法は一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の製造方法により実現可能であることは勿論である。

（イ）先ず、例えばシリコン基板等の半導体基板２上に、下部保護膜１１、下部電極１２、圧電体膜１３、上部電極膜１４０及びマスク材１６をこの順で積層して、図１６に示す構造断面を得る。下部保護膜１１には、例えばＳｉＯ₂膜が採用可能である。下部電極１２には、スパッタ法等により形成される膜厚２００ｎｍ程度の白金（Ｐｔ）等が採用可能である。圧電体膜１３には、膜厚１μｍ程度のＰＺＴ膜が採用可能である。ＰＺＴ膜は、ゾルゲル法等により形成される。上部電極膜１４０には、スパッタ法等により形成される膜厚２００ｎｍ程度の酸化イリジウム（ＩｒＯ₂）／イリジウム（Ｉｒ）の積層膜等が採用可能である。マスク材１６には、ＩＴＯ等が採用可能である。

（ロ）次に、フォトレジスト膜１７をマスク材１６上に塗布し、図１７に示すように、フォトリソグラフィ技術により所望の電源パターンにフォトレジスト膜１７をパターニングする。例えば、図９に示した幅Ｗ１の第１の梁型電極１４１、幅Ｗ２の第２の梁型電極１４２、及び幅Ｗ３の第３の梁型電極１４３が、間隔ｄ１２及び間隔ｄ１３で形成される電源パターンを形成する。このとき、ドライエッチングによって圧電体膜１３が膜厚方向にすべてエッチングされない間隔に間隔ｄ１２及び間隔ｄ１３が設定される。

（ハ）次に、フォトレジスト膜１７をマスクにして、マスク材１６をドライエッチングにより選択的に除去する。例えばマスク材１６にＩＴＯ膜を採用した場合、フッ素系及びＡｒガスを使用して、マスク材１６をエッチングする。その後フォトレジスト膜１７を除去し、図１８に示す構造断面が得られる。

（ニ）マスク材１６をマスクにして、第２の梁型電極１４２及び第３の梁型電極１４３の外側、即ち電極領域１４Ａの外側の上部電極膜１４０、圧電体膜１３、下部電極１２及び下部保護膜１１をエッチングする。同時に、第１の梁型電極１４１と第２の梁型電極１４２間の上部電極膜１４０、及び第１の梁型電極１４１と第３の梁型電極１４３間の上部電極膜１４０をエッチングする。その結果、図１９に示すように、上部電極膜１４０が第１の梁型電極１４１、第２の梁型電極１４２及び第３の梁型電極１４３に分離される。上部電極膜１４０にＩｒＯ₂／Ｉｒの積層膜を採用した場合は、上部電極膜１４０は塩素（Ｃｌ₂）ガス等のハロゲン系ガスとＡｒガスによりエッチングされる。圧電体膜１３にＰＺＴ膜を採用した場合には、圧電体膜１３は、フッ素系ガスとＡｒガスによりエッチングされる。このとき、間隔ｄ１２及び間隔ｄ１３が、圧電体膜１３がすべてエッチングされる間隔より狭いため、第１の梁型電極１４１と第２の梁型電極１４２間、及び第１の梁型電極１４１と第３の梁型電極１４３間に圧電体膜１３が残る。下部電極１２にＰｔ膜を採用した場合は、下部電極１２はハロゲン系ガスとＡｒガスによりエッチングされる。下部保護膜１１にＳｉＯ₂膜を採用した場合は、下部保護膜１１はフッ素系ガスによりエッチングされる。

（ホ）スパッタ法等により上部保護膜１５を振動子３の全面に形成する。上部保護膜１５には、ＳｉＯ₂膜等が採用可能である。このとき、図２０に示すように、第１の梁型電極１４１と第２の梁型電極１４２間、及び第１の梁型電極１４１と第３の梁型電極１４３間は上部保護膜１５で埋め込まれ、第１の梁型電極１４１、第２の梁型電極１４２及び第３の梁型電極１４３の側面に上部保護膜１５が形成される。また、圧電体膜１３及び下部電極１２の側面にも上部保護膜１５が形成される。

（ヘ）半導体基板２の裏面をウェットエッチングにより選択的にエッチングし、図２１に示すように、振動子３の下に空洞７を形成する。このとき、圧電体膜１３の側面に上部保護膜１５が形成されているため、ウェットエッチングによる圧電体膜１３のエッチングが抑制される。

（ト）上部保護膜１５を全面エッチバックして、図２２に示すように、マスク材１６の上面を露出させる。同時に半導体基板２の上面も露出する。

半導体基板２の裏面を選択的にエッチングして空洞７を形成する方法の他の例を以下に説明する。

（イ）図２０に示した構造断面が得られた後、上部保護膜１５を全面エッチバックして、図２３に示すように、マスク材１６の上面及び半導体基板２の上面を露出させる。

（ロ）図２４に示すように、半導体基板２の一部をフッ素系ガスにより等方性ドライエッチングすることにより、振動子３の下に空洞７を形成する。

上記の製造方法の例で製造される角速度検出装置では、第１の梁型電極１４１、第２の梁型電極１４２及び第３の梁型電極１４３の上部にマスク材１６が配置された構造である。マスク材１６を除去して、図９〜図１１に示した構造にしてもよい。

以上に説明したように、本発明の第３の実施形態に係る角速度検出装置の製造方法によれば、ドライエッチングによって圧電体膜１３が膜厚方向にすべてエッチングされない間隔に間隔ｄ１２及び間隔ｄ１３を設定することにより、１回のドライエッチングで第１の梁型電極１４１、第２の梁型電極１４２及び第３の梁型電極１４３が形成される。

一方、振動子３を構成する各膜をそれぞれエッチングする場合には、各層のエッチング用のマスクパターンを用意し、マスクパターンの位置合わせを行いながら、第１の梁型電極１４１、第２の梁型電極１４２及び第３の梁型電極１４３が形成される。例えば振動子３の厚さが１００μｍ以上あるような素子サイズの大きな角速度検出装置の場合には、振動子の形状に０．１μｍ程度のわずかな非対称性があっても角速度を検出する精度に問題がない。しかし、振動子３の厚さが１０μｍ程度の角速度検出装置の場合には、振動子３の出力が微小になり、マスクパターンの位置合わせズレ等に起因する振動子３の形状の０．１μｍ程度のわずかな非対称性によって不正振動が生じ、角速度の検出精度が低下する。

例えば、図９に示した振動子３が、第１の梁型電極１４１を縦方向（駆動方向）に振動させ、コリオリ力による第１の梁型電極１４１の横方向（検出方向）の変動を第２の梁型電極１４２及び第３の梁型電極１４３によって検出する場合を考える。ここで、下部保護膜１１、下部電極１２、圧電体膜１３及び上部電極１４がそれぞれ異なるエッチング用マスクによって形成される場合、各マスクパターンの位置合わせが必要になる。このとき、マスクパターンの位置合わせズレによって、第２の梁型電極１４２の端面と下部保護膜１１の端面との横方向の距離が０．９μｍであり、且つ第３の梁型電極１４３の端面と下部保護膜１１の端面との横方向の距離が１．０μｍであると、コリオリ力により生じる振動の方向（検出方向）に、角速度印加前に不正振動が発生する。また、第１の梁型電極１４１の中心から下部保護膜１１の端面までの距離が、下部保護膜１１の左右の端面で０．１μｍ程度異なる場合にも、不正振動が発生する。つまり、振動子３の形状に０．１μｍ程度のわずかな非対称性がある場合に、不正振動が生じてコリオリ力による微小な変化を正確に検出できない。

しかし、図１６〜図２４を用いて上記に説明したように、本発明の第３の実施形態に係る角速度検出装置の製造方法では、振動子３の電極領域１４Ａの形成においてフォトリソグラフィ技術によってパターンが形成されるのは１回であり、複数のエッチング用マスクを使用する場合のようなマスクパターンの位置合わせズレが生じない。そのため、振動子３の形状の非対称性が発生せず、設計通りに第２の梁型電極１４２の幅Ｗ２と第３の梁型電極１４３の幅Ｗ３が同じで、且つ間隔ｄ１２と間隔ｄ１３を同じに形成できる。つまり、振動子３は対称に形成され、振動子３の形状の非対称性に起因する不正振動を抑制できる。その結果、コリオリ力による微小な変化が正確に検出され、角速度を高精度に検出することができる。

（その他の実施形態）
上記のように、本発明は第１乃至第３の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。

既に述べた第１乃至第３の実施形態の説明においては、振動子３が片持ち梁構造の振動子である場合を示したが、駆動用電極及び検出用電極が中央で支持された両持ち梁構造の振動子であってもよい。また、電極数が３である例を示したが、電極数が３に限定されないことは勿論である。

このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。

産業上の利用の可能性

本発明の角速度検出装置は、角速度検出装置を製造する製造業を含む電子機器産業に利用可能である。

Claims (8)

1. 半導体基板と、
   前記半導体基板上に形成され、その内部に圧電体膜を含む振動子と、
   前記半導体基板上に形成され、前記振動子を制御する制御回路と
   を備え、
   前記振動子上に駆動電極と検出電極とが形成され、前記検出電極は、前記駆動電極と所定の間隔で形成され、
   前記駆動電極と前記検出電極との間の前記圧電体膜上に形成された凹部に、絶縁体からなる保護膜が埋設されていることを特徴とする角速度検出装置。
2. 前記振動子が梁型であることを特徴とする請求項１に記載の角速度検出装置。
3. 前記所定の間隔が０．３乃至０．５μｍであることを特徴とする請求項１に記載の角速度検出装置。
4. 前記制御回路が、
   前記駆動電極に、前記振動子を所定の方向に振動させる信号を出力する駆動回路と、
   前記検出電極から出力される前記振動子の角速度に基づく信号から検出信号を検出する検出回路と、
   前記検出信号を検波して出力信号を出力する検波回路と
   を備えることを特徴とする請求項１に記載の角速度検出装置。
5. 前記振動子の圧電体膜の側面が絶縁体からなる保護膜で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の角速度検出装置。
6. 前記振動子は上面または下面が絶縁体からなる保護膜で覆われていることを特徴とする請求項５に記載の角速度検出装置。
7. 前記制御回路は、絶縁膜からなる保護膜で覆われ、
   前記振動子を覆う保護膜の少なくとも一部は、前記制御回路を覆う保護膜と連続して形成されることを特徴とする請求項６に記載の角速度検出装置。
8. 前記圧電体膜が、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）膜であることを特徴とする請求項１に記載の角速度検出装置。

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