JP2009231484A - 圧電型memsおよび圧電型memsの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】圧電型MEMSの製造コストを低減する。
【解決手段】本発明による圧電型MEMSの製造方法は、それぞれの圧電膜が導電膜の間に挟まれるように複数の圧電膜と複数の導電膜とを基板上に積層し、積層された複数の導電膜と複数の圧電膜とを下層に向かって広がるパターンに表層から順にエッチングする、ことを含む。
【選択図】図15
【解決手段】本発明による圧電型MEMSの製造方法は、それぞれの圧電膜が導電膜の間に挟まれるように複数の圧電膜と複数の導電膜とを基板上に積層し、積層された複数の導電膜と複数の圧電膜とを下層に向かって広がるパターンに表層から順にエッチングする、ことを含む。
【選択図】図15
Description
本発明は圧電型MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)およびその製造方法に関する。
微小なマイクロホン、スピーカ、加速度センサ、角速度センサなどに用いられる圧電型MEMSが知られている。特許文献1には電極となる導電膜と圧電膜とを交互に積層することにより出力を高めた圧電型MEMSが記載されている。特許文献1によると、圧電セラミックペーストの塗布とベーキングとによる圧電膜の形成と、レジストマスクのパターニングと、エッチングと、レジストマスクの除去とを圧電膜毎に実施することにより複数の圧電膜を積層する。
特開2001−24248号公報
しかし、圧電セラミックペーストの塗布とベーキングという成膜のプロセスと、いわゆるフォトリソグラフィのプロセスとを繰り返すと、プロセス間でおこる時間的なロスが大きくなり、製造コストが増大するという問題がある。
本発明は圧電型MEMSの製造コストを低減することを目的の1つとする。
(1)上記目的を達成するための圧電型MEMSの製造方法は、それぞれの圧電膜が導電膜の間に挟まれるように複数の圧電膜と複数の導電膜とを基板上に積層し、積層された複数の導電膜と複数の圧電膜とを基部に向かって広がるパターンに表層から順にエッチングする、ことを含む。
本発明によると、それぞれの導電膜と圧電膜とをエッチングする前に、複数の導電膜と複数の圧電膜との成膜を済ませておくため、圧電型MEMSの製造コストを低減することが出来る。
本発明によると、それぞれの導電膜と圧電膜とをエッチングする前に、複数の導電膜と複数の圧電膜との成膜を済ませておくため、圧電型MEMSの製造コストを低減することが出来る。
(2)上記目的を達成するための圧電型MEMSの製造方法において、圧電膜および導電膜をスパッタリングによって形成することが望ましい。スパッタリングでは成膜と同時に加熱による結晶性の整形が可能であり、また、圧電膜、導電膜の両方を同じ方法で成膜することにより同一装置による連続成膜が可能になるため、製造コストを低減できるからである。
(3)上記目的を達成するための圧電型MEMSの製造方法において、圧電膜および導電膜の少なくともいずれかの端面を斜面に形成することが望ましい。電極となる導電膜の上に配線などを形成するときに下地層の段差がなだらかになり、歩留まりが向上するからである。
(4)上記目的を達成するための圧電型MEMSの製造方法において、端面が斜面であるレジストマスクもろともに異方的にエッチングすることにより圧電膜および導電膜の少なくともいずれかの端面を斜面に形成してもよい。
(5)上記目的を達成するための圧電型MEMSの製造方法において、レジストマスクの端面をベーキングにより斜面に形成してもよい。
(6)上記目的を達成するための圧電型MEMSの製造方法において、多階調マスクを用いた露光によりレジストマスクの端面を斜面に形成してもよい。
(7)上記目的を達成するための圧電型MEMSの製造方法において、圧電膜および導電膜の少なくともいずれかを自己整合により形成してもよい。レジストマスクの数を減らして製造コストを低減できるとともに微細化に有利だからである。
(8)上記目的を達成するための圧電型MEMSは、基部と、下層に向かって広がるパターンを有する複数の導電膜と複数の圧電膜を備え、それぞれの圧電膜が導電膜の間に挟まれるように複数の圧電膜と複数の導電膜とが基部の上に積層されている。
本発明の圧電型MEMSによると、複数の圧電膜を備えるため可撓部の振幅を大きくすることができ、また、慣性力によって生ずる電圧を大きくすることが出来る。すなわち、本発明によると圧電型MEMSの感度を高めることが出来る。また、積層された複数の導電膜と複数の圧電膜とは基部に向かって広がるパターンを有するため、圧電型MEMSの製造コストを低減することが出来る。
本発明の圧電型MEMSによると、複数の圧電膜を備えるため可撓部の振幅を大きくすることができ、また、慣性力によって生ずる電圧を大きくすることが出来る。すなわち、本発明によると圧電型MEMSの感度を高めることが出来る。また、積層された複数の導電膜と複数の圧電膜とは基部に向かって広がるパターンを有するため、圧電型MEMSの製造コストを低減することが出来る。
(9)上記目的を達成するための圧電型MEMSにおいて、圧電膜および導電膜の少なくともいずれかの端面が斜面であることが望ましい。電極となる導電膜の上に配線などを形成するときに下地層の段差がなだらかになり、歩留まりが向上するからである。
(10)上記目的を達成するための複数の圧電膜と複数の導電膜とが基部に形成されているキャビティの上に積層されていてもよい。
尚、請求項において「〜上に」というときは、技術的な阻害要因がない限りにおいて「上に中間物を介在させずに」と「〜上に中間物を介在させて」の両方を意味する。また、請求項に記載された動作の順序は、技術的な阻害要因がない限りにおいて記載順に限定されず、同時に実行されても良いし、記載順の逆順に実行されても良いし、連続した順序で実行されなくても良い。
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照しながら以下の順に説明する。尚、各図において対応する構成要素には同一の符号が付され、重複する説明は省略される。
(第一実施形態)
1.圧電型MEMSの構成
図15A、図15B、図15Cに本発明の第一実施形態としての圧電型MEMS1を示す。図15A、図15Bの切断面は図15Cに示すAA線、BB線にそれぞれ対応している。
(第一実施形態)
1.圧電型MEMSの構成
図15A、図15B、図15Cに本発明の第一実施形態としての圧電型MEMS1を示す。図15A、図15Bの切断面は図15Cに示すAA線、BB線にそれぞれ対応している。
支持部100は基部101と絶縁層102とからなり、バルク材料であるSOIウェハを加工して形成された枠型の構造体である。支持部100が囲むキャビティCの輪郭は円形であっても矩形であってもよい。支持部100の裏面には矩形の補強基板60が接合されている。
可撓部は半導体層103、絶縁膜20、下層電極である導電膜31、圧電膜41、中層電極である導電膜32、圧電膜42、表層電極である導電膜33、絶縁膜Sが下からこの順に積層されている構造体である。圧電膜41は下層電極31と中層電極32との間に挟まれている。圧電膜42は中層電極32と表層電極33との間に挟まれている。半導体層103および絶縁膜20は同一のパターンを有する。下層電極31のパターンは絶縁膜20のパターンよりも小さい。中層電極32と圧電膜41は、下層電極31よりも小さい同一のパターンを有する。表層電極33と圧電膜42は、中層電極32のパターンよりも小さい同一のパターンを有する。すなわち、積層された複数の導電膜31、32、33と複数の圧電膜41、42とは基部に向かって広がるパターンを有する。下層電極である導電膜31、中層電極である導電膜32、表層電極である導電膜33の表面にそれぞれ配線50c、配線50a、配線50bが接合されている。配線50a、50bの基端部は絶縁膜20の基部101の上方領域に接合されている。配線50a、50bの中間部は絶縁膜Sに接合されている。
加速度に応じた慣性力や圧力によって可撓部が変形すると、圧電膜41、42の内部に電荷の偏りが生じ、その結果、下層電極31、中層電極32、表層電極33の間に電圧を生ずる。この電圧を検出することによって加速度や圧力を検出することができる。
本実施形態の圧電型MEMS1によると、可撓部の変形によって生ずる電圧を大きくすることが出来る。すなわち、本実施形態によるとセンサとしての圧電型MEMSの感度を高めることが出来る。また、積層された複数の導電膜31、32、33と複数の圧電膜41、42とは基部に向かって広がるパターンを有するため、次に説明する製造方法によって製造コストを低減することが出来る。
2.圧電型MEMSの製造方法
図1から図14は圧電型MEMS1の製造方法を示す断面図である。図1から図11、図12A、図13A、図14Aは図15Cに示すAA線の断面を示している。図11、図12B、図13B、図14Bは図15Cに示すBB線の断面を示している。
図1から図14は圧電型MEMS1の製造方法を示す断面図である。図1から図11、図12A、図13A、図14Aは図15Cに示すAA線の断面を示している。図11、図12B、図13B、図14Bは図15Cに示すBB線の断面を示している。
はじめに、図1に示すように、基板10の上に絶縁膜20、導電膜31、圧電膜41、導電膜32、圧電膜42、導電膜33を下からこの順に積層する。基板10としては例えばケイ素からなる厚さ625μmの基部101と酸化ケイ素からなる厚さ1μmの絶縁層102とケイ素からなる厚さ10μmの半導体層103とからなるSOI基板を用いる。絶縁膜20としては、例えば厚さ0.5μmの酸化ケイ素を形成する。導電膜31、32、33としては、例えば厚さ0.1μmの白金、イリジウムまたは二酸化イリジウムをスパッタリングなどによって堆積する。白金からなる導電膜31、32、33の密着層として厚さ30nmのチタンを堆積してもよい。圧電膜41、42として、例えば厚さ3μmのPZTをスパッタリング、ゾルゲル法などによって堆積する。導電膜31、32、33と圧電膜41、42とをともにスパッタリングによって形成することにより、同一装置を用いて連続してこれらの膜を形成することができ、また別工程でのベーキングによる結晶性の整形処理が不要となる。
次に、図2に示すように基板10にキャビティCを形成する。キャビティCは図示しないレジストマスクを用いた裏面側からの基板10のDeep−RIEによって形成される。キャビティCを形成することにより、キャビティCの上方が振動可能な可撓部(ビームやダイヤフラム)となる。
次に、図3に示すように補強基板60を基板10の裏面に接合する。補強基板60としては例えば厚さ500μmのパイレックス(パイレックスは登録商標)などの耐熱ガラスを用いる。補強基板60と基板10との接合には例えば陽極接合を用いる。
次に、図4に示すように所定パターンのレジストマスクR1を表層の導電膜33の上に形成する。続いてレジストマスクR1を用いたアルゴンイオンによるミリングなどの異方性エッチングにより導電膜33を所定のパターンにエッチングする。
次に、図5および図6に示すように、所定のパターンの導電膜33をレジストマスクとして用いることにより圧電膜42を自己整合により形成する。圧電膜42は例えば塩素ガスをエッチングガスとして用いた反応性イオンエッチング(RIE)によってパターニングされる。このとき先に用いたレジストマスクR1が残存していてもよい。
次に、図7に示すように、先に用いたレジストマスクR1よりも広く導電膜33を完全に覆い導電膜32の一部が露出するパターンのレジストマスクR2を導電膜33および導電膜32の上に形成する。続いてレジストマスクR2を用いたアルゴンイオンによるミリングなどの異方性エッチングにより導電膜32を所定のパターンにエッチングする。
次に、図8および図9に示すように所定のパターンの導電膜32をレジストマスクとして用いることにより圧電膜41を自己整合的に形成する。圧電膜41は例えば塩素ガスをエッチングガスとして用いた反応性イオンエッチングによってパターニングされる。このとき先に用いたレジストマスクR2が残存していてもよい。
次に、図10に示すように、導電膜33および導電膜32を完全に覆い導電膜31の一部が露出するパターンのレジストマスクR3を導電膜33、導電膜32および導電膜31の上に形成する。
次に、レジストマスクR3を用いたアルゴンイオンによるミリングなどの異方性エッチングにより導電膜31を図11に示すように所定のパターンにエッチングする。
次に、図12に示すように、導電膜33が露出するコンタクトホールH1と導電膜32が露出するコンタクトホールH2とを有する絶縁膜Sを導電膜31、32、33、絶縁膜20の上に形成する。絶縁膜Sとしては、例えば厚さ10μmのポジ型フォトレジスト、感光性ポリイミド、ポリベンザオキサゾールまたはベンゾジクロブテン(BCB)を形成する。
次に、図13に示すように、絶縁膜Sの下から露出している導電膜31、32、33と絶縁膜20と絶縁膜Sとの上にシード層51を形成する。シード層51としてはスパッタリングまたは無電解メッキによって厚さ0.3μmの金、ニッケル、ニッケル鉄合金または銅を形成する。
次に、図14Aおよび図14Bに示すように、所定パターンのレジストマスクR4を用いてシード層51の上に導電膜52を形成する。導電膜52として例えば電解メッキにより金を形成する。
次に、レジストマスクR4を除去し、シード層51のレジストマスクR4によって覆われていた部分を例えばアルゴンイオンを用いたミリングによりエッチングし、ダイシングすると、図15Aおよび図15Bに示す圧電型MEMS1が完成する。
以上説明した製造方法によると、積層された複数の導電膜31、32、33と複数の圧電膜41、42のパターンをエッチングにより形成する前に、これらの膜の形成を全て終えておくため、同一装置によって複数膜を連続して堆積することが可能になり、その結果、圧電型MEMSの製造コストが低減される。また積層された複数の導電膜31、32、33と複数の圧電膜41、42とを下層に向かって広がるパターンに形成するため、自己整合によるパターニングが可能となり、その結果、圧電型MEMSの製造コストがさらに低減されるとともに、各膜の位置ずれが小さくなり微細化に有利である。
(第二実施形態)
図16A、図16B、図16Cに本発明の第二実施形態としての圧電型MEMS2を示す。図16A、図16Bの切断面は図16Cに示すAA線、BB線にそれぞれ対応している。圧電型MEMS2においては、圧電膜41は中層電極である導電膜32よりも広いパターンを有する。また、圧電膜42は表層電極である導電膜33よりも広いパターンを有する。すなわち、下層電極である導電膜31、圧電膜41、中層電極である導電膜32、圧電膜42、表層電極である導電膜33のパターンは、全て異なり、下層に向かって広がっている。このため、これらの膜によって構成される可撓部の側面の段差は1層の膜厚となり、第一実施形態に比べて小さくなる。したがって本実施形態では配線50a、50b、50cの下地が第一実施形態に比べてなだらかになり、配線50a、50b、50cにボイドなどの欠陥が生じにくい。
図16A、図16B、図16Cに本発明の第二実施形態としての圧電型MEMS2を示す。図16A、図16Bの切断面は図16Cに示すAA線、BB線にそれぞれ対応している。圧電型MEMS2においては、圧電膜41は中層電極である導電膜32よりも広いパターンを有する。また、圧電膜42は表層電極である導電膜33よりも広いパターンを有する。すなわち、下層電極である導電膜31、圧電膜41、中層電極である導電膜32、圧電膜42、表層電極である導電膜33のパターンは、全て異なり、下層に向かって広がっている。このため、これらの膜によって構成される可撓部の側面の段差は1層の膜厚となり、第一実施形態に比べて小さくなる。したがって本実施形態では配線50a、50b、50cの下地が第一実施形態に比べてなだらかになり、配線50a、50b、50cにボイドなどの欠陥が生じにくい。
本実施形態の圧電膜41、42のパターンは、これらの上層を構成する導電膜33、32よりも広いパターンを有するレジストマスクを用いてエッチングすることにより形成することができる。
(第三実施形態)
図17A、図17B、図17Cに本発明の第三実施形態としての圧電型MEMS3を示す。図17A、図17Bの切断面は図17Cに示すAA線、BB線にそれぞれ対応している。圧電型MEMS3においては、圧電膜41は中層電極である導電膜32よりも広いパターンを有する。また、圧電膜42は表層電極である導電膜33よりも広いパターンを有する。すなわち、下層電極である導電膜31、圧電膜41、中層電極である導電膜32、圧電膜42、表層電極である導電膜33のパターンは、全て異なり、基部に向かって広がっている。そして下層電極である導電膜31、圧電膜41、中層電極である導電膜32、圧電膜42、表層電極である導電膜33の端面は全て斜度が90度未満の斜面に形成されている。このため、これらの膜によって構成される可撓部の側面の段差の角は、第一実施形態および第二実施形態に比べて鈍くなる。つまり、本実施形態では、下層電極である導電膜31、圧電膜41、中層電極である導電膜32、圧電膜42、表層電極である導電膜33によって構成されている可撓部の側面は、第一実施形態および第二実施形態に比べてなだらかである。したがって、配線50a、50b、50cにボイドなどの欠陥が生じにくい。
図17A、図17B、図17Cに本発明の第三実施形態としての圧電型MEMS3を示す。図17A、図17Bの切断面は図17Cに示すAA線、BB線にそれぞれ対応している。圧電型MEMS3においては、圧電膜41は中層電極である導電膜32よりも広いパターンを有する。また、圧電膜42は表層電極である導電膜33よりも広いパターンを有する。すなわち、下層電極である導電膜31、圧電膜41、中層電極である導電膜32、圧電膜42、表層電極である導電膜33のパターンは、全て異なり、基部に向かって広がっている。そして下層電極である導電膜31、圧電膜41、中層電極である導電膜32、圧電膜42、表層電極である導電膜33の端面は全て斜度が90度未満の斜面に形成されている。このため、これらの膜によって構成される可撓部の側面の段差の角は、第一実施形態および第二実施形態に比べて鈍くなる。つまり、本実施形態では、下層電極である導電膜31、圧電膜41、中層電極である導電膜32、圧電膜42、表層電極である導電膜33によって構成されている可撓部の側面は、第一実施形態および第二実施形態に比べてなだらかである。したがって、配線50a、50b、50cにボイドなどの欠陥が生じにくい。
各膜の端面を斜面にするには各膜をエッチングするためのレジストマスクの端面を斜面に形成し、端面が斜面であるレジストマスクもろともに各膜を異方的にエッチングすればよい。具体的には、図18から図22に示すとおりである。
図18、図21に示すように端面が斜面であるレジストマスクR5、R6はレジスト材料を塗布、露光および現像した後にベーキングによって溶融することによって形成できる。また、端面が斜面であるレジストマスクR5、R6は、レジスト材料を部分的に露光するためのマスクとしてハーフトーンマスクやグレートーンマスクなどの多階調マスクを用いることによっても形成できる。
図19、図20、図22に示すようにレジストマスクR5、R6もろともに導電膜や圧電膜を異方的にエッチングするには、例えばアルゴンイオンを用いて白金からなる導電膜をミリングすればよい。
(他の実施形態)
尚、本発明の技術的範囲は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記実施形態で示した材質や寸法や成膜方法やパターン転写方法はあくまで例示であるし、当業者であれば自明である工程の追加や削除や工程順序の入れ替えについては説明が省略されている。例えば、上述した製造工程において、膜の組成、成膜方法、膜の輪郭形成方法、工程順序などは、圧電型MEMSを構成しうる物性を持つ膜材料の組み合わせや、膜厚や、要求される輪郭形状精度などに応じて適宜選択されるものであって、特に限定されない。
尚、本発明の技術的範囲は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記実施形態で示した材質や寸法や成膜方法やパターン転写方法はあくまで例示であるし、当業者であれば自明である工程の追加や削除や工程順序の入れ替えについては説明が省略されている。例えば、上述した製造工程において、膜の組成、成膜方法、膜の輪郭形成方法、工程順序などは、圧電型MEMSを構成しうる物性を持つ膜材料の組み合わせや、膜厚や、要求される輪郭形状精度などに応じて適宜選択されるものであって、特に限定されない。
また例えば、キャビティCは導電膜31、32、33、圧電膜41、42を積層した後に形成してもよいし、これらを積層する前に形成してもよい。
また例えば、配線50a、50b、50cには、アルミニウムや、アルミニウムにケイ素や銅を混入した材料を用いてもよい。また配線50a、50b、50cの成膜法にスパッタリングなどを用いることによりシード層51を省略してもよいし、シード層としてチタンなどを用いてもよい。
また例えば絶縁膜Sを酸素アッシングなどで除去して可撓部の剛性を下げてもよい。
さらに圧電型MEMS1はモーションセンサの駆動手段として用いることができる。例えば振動ジャイロスコープの駆動手段として圧電型MEMS1を用いる場合、下層電極31、中層電極32、表層電極33の間に振動電圧を印加するとこれらに挟まれた圧電膜41、42に周期的な歪みが生じ、その結果、可撓部が振動する。可撓部が振動している状態で振動軸に対して垂直な軸の周りに圧電型MEMS1が回転するとコリオリ力が生ずる。コリオリ力による可撓部の変形を複数のピエゾ抵抗素子などで検出することにより、角速度の検出が可能となる。また圧電型MEMS1は例えばインクジェットヘッドの駆動手段としての圧電アクチュエータとしても用いることもできる。この場合、インク液を押し出す可撓部と可撓部を支持する支持部とが圧電型MEMS1によって構成される。圧電型MEMS1を駆動手段として用いる場合には、複数の圧電膜41、42を備えるため可撓部の振幅を大きくすることができる。
尚、加速度センサや振動ジャイロスコープの検出手段としてMEMS1を用いる場合には、慣性力を増大させるために錘を追加したり、可撓部の平面形状を最適化したり、可撓部と圧電膜との位置関係を最適化することにより感度を上げることが望ましい。
また例えば、配線50a、50b、50cには、アルミニウムや、アルミニウムにケイ素や銅を混入した材料を用いてもよい。また配線50a、50b、50cの成膜法にスパッタリングなどを用いることによりシード層51を省略してもよいし、シード層としてチタンなどを用いてもよい。
また例えば絶縁膜Sを酸素アッシングなどで除去して可撓部の剛性を下げてもよい。
さらに圧電型MEMS1はモーションセンサの駆動手段として用いることができる。例えば振動ジャイロスコープの駆動手段として圧電型MEMS1を用いる場合、下層電極31、中層電極32、表層電極33の間に振動電圧を印加するとこれらに挟まれた圧電膜41、42に周期的な歪みが生じ、その結果、可撓部が振動する。可撓部が振動している状態で振動軸に対して垂直な軸の周りに圧電型MEMS1が回転するとコリオリ力が生ずる。コリオリ力による可撓部の変形を複数のピエゾ抵抗素子などで検出することにより、角速度の検出が可能となる。また圧電型MEMS1は例えばインクジェットヘッドの駆動手段としての圧電アクチュエータとしても用いることもできる。この場合、インク液を押し出す可撓部と可撓部を支持する支持部とが圧電型MEMS1によって構成される。圧電型MEMS1を駆動手段として用いる場合には、複数の圧電膜41、42を備えるため可撓部の振幅を大きくすることができる。
尚、加速度センサや振動ジャイロスコープの検出手段としてMEMS1を用いる場合には、慣性力を増大させるために錘を追加したり、可撓部の平面形状を最適化したり、可撓部と圧電膜との位置関係を最適化することにより感度を上げることが望ましい。
1:圧電型MEMS、2:圧電型MEMS、3:圧電型MEMS、10:基板、20:絶縁膜、31:導電膜(下層電極)、32:導電膜(中層電極)、33:導電膜(表層電極)、41:圧電膜、42:圧電膜、50a:配線、50b:配線、50c:配線、51:シード層、52:導電膜、60:補強基板、100:支持部、101:基部、102:絶縁層、103:半導体層、C:キャビティ、H1:コンタクトホール、H2:コンタクトホール、R1:レジストマスク、R2:レジストマスク、R3:レジストマスク、R4:レジストマスク、R5:レジストマスク、S:絶縁膜
Claims (10)
- それぞれの圧電膜が導電膜の間に挟まれるように複数の前記圧電膜と複数の前記導電膜とを基板上に積層し、
積層された複数の前記導電膜と複数の前記圧電膜とを下層に向かって広がるパターンに表層から順にエッチングする、
ことを含む圧電型MEMSの製造方法。 - 前記圧電膜および前記導電膜をスパッタリングによって形成する、
ことを含む請求項1に記載の圧電型MEMSの製造方法。 - 前記圧電膜および前記導電膜の少なくともいずれかの端面を斜面に形成する、
ことを含む請求項1または2に記載の圧電型MEMS。 - 端面が斜面であるレジストマスクもろともに異方的にエッチングすることにより前記圧電膜および前記導電膜の少なくともいずれかの端面を斜面に形成する、
ことを含む請求項3に記載の圧電型MEMSの製造方法。 - 前記レジストマスクの端面をベーキングにより斜面に形成する、
ことを含む請求項4に記載の圧電型MEMSの製造方法。 - 多階調マスクを用いた露光により前記レジストマスクの端面を斜面に形成する、
ことを含む請求項4に記載の圧電型MEMSの製造方法。 - 前記圧電膜および前記導電膜の少なくともいずれかを自己整合により形成する、
ことを含む請求項1から6のいずれか一項に記載の圧電型MEMSの製造方法。 - 基部と、
下層に向かって広がるパターンを有する複数の導電膜と複数の圧電膜とを備え、
それぞれの前記圧電膜が前記導電膜の間に挟まれるように複数の前記圧電膜と複数の前記導電膜とが前記基部の上に積層されている、
圧電型MEMS。 - 前記圧電膜および前記導電膜の少なくともいずれかの端面が斜面である、
請求項8に記載の圧電型MEMS。 - 複数の前記圧電膜と複数の前記導電膜とが前記基部に形成されているキャビティの上に積層されている、
請求項8または9に記載の圧電型MEMS。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008074135A JP2009231484A (ja) | 2008-03-21 | 2008-03-21 | 圧電型memsおよび圧電型memsの製造方法 |
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JP2014078906A (ja) * | 2012-10-12 | 2014-05-01 | Seiko Epson Corp | 超音波トランスデューサーデバイス、プローブヘッド、超音波プローブ、電子機器及び超音波診断装置 |
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2008
- 2008-03-21 JP JP2008074135A patent/JP2009231484A/ja not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US9554775B2 (en) | 2012-03-30 | 2017-01-31 | Seiko Epson Corporation | Ultrasonic transducer element chip, probe, electronic instrument, and ultrasonic diagnostic device |
US10040098B2 (en) | 2012-03-30 | 2018-08-07 | Seiko Epson Corporation | Ultrasonic transducer element chip, probe, electronic instrument, and ultrasonic diagnostic device |
JP2014078906A (ja) * | 2012-10-12 | 2014-05-01 | Seiko Epson Corp | 超音波トランスデューサーデバイス、プローブヘッド、超音波プローブ、電子機器及び超音波診断装置 |
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