JP2008137123A - マイクロマシンの製造方法及びマイクロマシン - Google Patents
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Abstract
【課題】製造プロセス及び製造コストを低減した上で、高精度に形成することができるマイクロマシンの製造方法及びマイクロマシンを提供する。
【解決手段】基板1上に機能素子50が離間配置されたマイクロマシンの製造方法であって、基板1上に第一薄膜20を形成する工程と、第一薄膜20上に第二薄膜30を形成する工程と、第二薄膜30上に機能素子50を形成する工程と、第一薄膜20と第二薄膜30との間で選択比を有するエッチャントにより、機能素子50下層の第一薄膜20をエッチングすることで、基板1上に機能素子50を離間配置する工程と、を有することを特徴とする。
【選択図】図3
【解決手段】基板1上に機能素子50が離間配置されたマイクロマシンの製造方法であって、基板1上に第一薄膜20を形成する工程と、第一薄膜20上に第二薄膜30を形成する工程と、第二薄膜30上に機能素子50を形成する工程と、第一薄膜20と第二薄膜30との間で選択比を有するエッチャントにより、機能素子50下層の第一薄膜20をエッチングすることで、基板1上に機能素子50を離間配置する工程と、を有することを特徴とする。
【選択図】図3
Description
この発明は、マイクロマシンの製造方法及びマイクロマシンに関するものである。
近年、電子機器や通信機器の小型、かつ高性能な高周波フィルタとして、基板上に薄膜バルク音波共振子(FBAR:Film Bulk Acoustic Resonator)等の機能素子が形成された、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)構造体(以下、マイクロマシンという。)が知られている。
FBAR等の機能素子を備えたマイクロマシンは、高周波の信号を電気的に振動させて得られる機械的振動を利用するため、基板上に機能素子の振動空間としてキャビティが設けられている。そして、このキャビティに機能素子が架設されているものである。このようなマイクロマシンの構造及び製造方法として、基板裏面Via方式やエアブリッジ方式等が知られている。
まず、基板裏面Via方式とは、機能素子が形成された基板裏面から異方性エッチングを行うことで、機能素子の下層を除去して機能素子の振動空間となるキャビティを形成する方法である。
また、エアブリッジ方式とは、まず基板上にキャビティを形成した後、このキャビティ内に犠牲材料を充填し、この犠牲材料上に機能素子を形成する。そして、犠牲材料のエッチャントを供給して犠牲材料を選択的にエッチングすることで振動空間となるキャビティを形成する方法である(例えば、特許文献1参照)。
特開2002−140075号公報
また、エアブリッジ方式とは、まず基板上にキャビティを形成した後、このキャビティ内に犠牲材料を充填し、この犠牲材料上に機能素子を形成する。そして、犠牲材料のエッチャントを供給して犠牲材料を選択的にエッチングすることで振動空間となるキャビティを形成する方法である(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、前者の基板裏面Via方式においては、基板の裏面からエッチングを行うため、エッチング時間が長くかかり、スループットが悪く、また基板が非常に脆くなってしまうという問題がある。さらに、機能素子とキャビティの位置合わせが難しく、パターン精度が悪いという問題がある。
また、後者のエアブリッジ方式においては、犠牲材料の形成工程及び除去工程を必要とするため、製造プロセスが増加するとともに、製造コストの増加に繋がってしまうという問題がある。
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、製造プロセス及び製造コストを低減した上で、高精度に形成することができるマイクロマシンの製造方法及びマイクロマシンを提供するものである。
上記目的を達成するため、本発明に係るマイクロマシンの製造方法は、基板上に機能素子が離間配置されたマイクロマシンの製造方法であって、基板上に第一薄膜を形成する工程と、前記第一薄膜上に第二薄膜を形成する工程と、前記第二薄膜上に前記機能素子を形成する工程と、前記第一薄膜と前記第二薄膜との間で選択比を有するエッチャントにより、前記機能素子下層の前記第一薄膜をエッチングすることで、前記基板上に前記機能素子を離間配置する工程と、を有することを特徴とする。
また、前記機能素子下層の前記第一薄膜をエッチングする工程では、前記機能素子の側方において前記第二薄膜を貫通するエッチャント供給孔に前記エッチャントを供給して行うことが望ましい。
このように構成することで、基板上に機能素子まで形成した後に、選択比を有するエッチャントにより第一薄膜のみをエッチングすることができる。そのため、予めキャビティを形成し、このキャビティに犠牲材料を形成及び除去する必要がなく、製造プロセス及び製造コストを低減した上で機能素子を離間配置することができる。また、基板の裏面からエッチングを行い、キャビティを形成する場合と比べ、位置合わせを容易に行うことができるとともに、基板の剛性を維持した上で、高精度なマイクロマシンを製造することができる。
また、前記機能素子下層の前記第一薄膜をエッチングする工程では、前記機能素子の側方において前記第二薄膜を貫通するエッチャント供給孔に前記エッチャントを供給して行うことが望ましい。
このように構成することで、基板上に機能素子まで形成した後に、選択比を有するエッチャントにより第一薄膜のみをエッチングすることができる。そのため、予めキャビティを形成し、このキャビティに犠牲材料を形成及び除去する必要がなく、製造プロセス及び製造コストを低減した上で機能素子を離間配置することができる。また、基板の裏面からエッチングを行い、キャビティを形成する場合と比べ、位置合わせを容易に行うことができるとともに、基板の剛性を維持した上で、高精度なマイクロマシンを製造することができる。
また、前記第一薄膜をエッチングする工程の前に、前記第一薄膜にエッチングストップ層を形成する工程を有することを特徴とする。
このように構成することで、エッチャントによるサイドエッチングを所定位置で停止させることができるため、キャビティの形成領域を制限して機能素子の特性を安定させることができる。
このように構成することで、エッチャントによるサイドエッチングを所定位置で停止させることができるため、キャビティの形成領域を制限して機能素子の特性を安定させることができる。
また、前記第一薄膜は酸化ケイ素膜であり、前記第二薄膜は酸化ジルコニウム膜または酸化チタン膜であり、前記エッチャントはバッファードフッ酸であることを特徴とする。
このように構成することで、第一薄膜と第二薄膜との間で選択比を有するため、第一薄膜のみを選択的にエッチングすることができる。
このように構成することで、第一薄膜と第二薄膜との間で選択比を有するため、第一薄膜のみを選択的にエッチングすることができる。
一方、本発明に係る電子機器は、上述したマイクロマシンの製造方法を用いて製造したことを特徴とする。
このように構成することで、製造プロセス及び製造コストを低減した上で、基板上に機能素子が離間配置されたマイクロマシンを製造することができる。
このように構成することで、製造プロセス及び製造コストを低減した上で、基板上に機能素子が離間配置されたマイクロマシンを製造することができる。
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。 (第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係るマイクロマシンの平面図である。また図2,3は、マイクロマシンの製造方法の工程図であり、図1のA−A線に相当する部分における断面図である。特に図3(c)は、図1のA−A線における断面図である。なお、本実施形態では、基板上に形成される機能素子としてFBARを備えたマイクロマシンを例にして説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係るマイクロマシンの平面図である。また図2,3は、マイクロマシンの製造方法の工程図であり、図1のA−A線に相当する部分における断面図である。特に図3(c)は、図1のA−A線における断面図である。なお、本実施形態では、基板上に形成される機能素子としてFBARを備えたマイクロマシンを例にして説明する。
図1および図3(c)に示すように、シリコン単結晶からなる基板1上に第一薄膜20が形成されている。この第一薄膜20は、二酸化シリコン等からなり、厚さが例えば100〜10000Åに形成されている。第一薄膜20には、後述する機能素子50の振動空間となるキャビティ21が形成されている。このキャビティ21は、機能素子50の振動部54の下層の第一薄膜20を除去することにより、2つの略楕円の一部を重ねた形状で形成されている。
第一薄膜20上には、ジルコニア(ZrO2)からなる第二薄膜30が形成されている。この第二薄膜30は、厚さが例えば100〜500Åで、キャビティ21を覆うように形成されている。また、第二薄膜30には2つのエッチャント供給孔31,31が形成されており、これら2つのエッチャント供給孔31,31は、キャビティ21を形作る2つの楕円の中央部に、それぞれ配置されている。また、エッチャント供給孔31はキャビティ21内に連通しているものである(図3(c)参照)。なお、第二薄膜30は、チタニア(TiO2)等で形成してもよい。
第二薄膜30上には、白金(Pt)等からなる下電極膜51が形成されている。この下電極膜51は、第二薄膜30を介してキャビティ21の中央部から第一薄膜20の上方にかけて形成されている。また、第二薄膜30上には、PZT(Pb(ZrxTi1−x)O3)等からなる圧電膜53が、第二薄膜30を介してキャビティ21の中央部から第一薄膜20の上方にかけて形成されている。なお本実施形態では、下電極膜51および圧電膜53が、キャビティ21の中央部から互いに逆方向に延設されている。さらに、この圧電膜53上には、圧電膜53と略同形状の白金(Pt)等からなる上電極膜52が重ね合わされ、これら下電極膜51と上電極膜52と圧電膜53によって機能素子50を構成している。なお、圧電膜53の材料に、その他チタン酸バリウム(BaTiO3)やニオブ酸リチウム(LiNbO3)等の圧電セラミックや酸化亜鉛(ZnO)、窒化アルミニウム(AlN)等を用いてもよい。
この機能素子50は、キャビティ21に架設された可撓性を有する第二薄膜30の表面に形成されている。また、下電極膜51と上電極膜52とで圧電膜53を挟持している領域は、機能素子50の振動部54として構成されており、厚さが例えば1.5μmで形成されている(図3(c)参照)。なお、本実施形態において、機能素子50とキャビティ21との間に第二薄膜30が存在するが、この第二薄膜30は機能素子50の電気的特性に影響はない。
(マイクロマシンの製造方法)
次に、図2,3に基づいて、本実施形態におけるマイクロマシンの製造方法について説明する。
まず、図2(a)に示すように、基板1表面に第一薄膜20を形成する。具体的には、シリコン基板1表面を熱酸化して、二酸化シリコンからなる第一薄膜20を形成する。
次に,第一薄膜20上に第二薄膜30を形成する。具体的には、スパッタ法や蒸着法等により、第一薄膜20表面全体に、厚さが例えば100〜500Åのジルコニアからなる第二薄膜30を形成する。なお、第二薄膜30は、第一薄膜20上にジルコニウム(Zr)を成膜し、熱酸化によって形成してもよい。
次に、図2,3に基づいて、本実施形態におけるマイクロマシンの製造方法について説明する。
まず、図2(a)に示すように、基板1表面に第一薄膜20を形成する。具体的には、シリコン基板1表面を熱酸化して、二酸化シリコンからなる第一薄膜20を形成する。
次に,第一薄膜20上に第二薄膜30を形成する。具体的には、スパッタ法や蒸着法等により、第一薄膜20表面全体に、厚さが例えば100〜500Åのジルコニアからなる第二薄膜30を形成する。なお、第二薄膜30は、第一薄膜20上にジルコニウム(Zr)を成膜し、熱酸化によって形成してもよい。
次に、図2(b)に示すように、第二薄膜30上に機能素子50を形成する。具体的には、まずスパッタ法等により、第二薄膜30表面全体に下電極膜51となる白金(Pt)を成膜する。その後、フォトリソグラフィ技術により露光、現像した図示しないレジストマスクを介して白金(Pt)膜をエッチングし、下電極膜51をパターニングする。次に、第二薄膜30上にスパッタ法等により、圧電膜53となるPZT(Pb(ZrxTi1−x)O3)を成膜し、その後、上電極膜52となる白金(Pt)もしくはイリジウム(Ir)を、同様にスパッタ法等により成膜する。そして、フォトリソグラフィ技術により露光、現像した図示しないレジストマスクを介して、白金(Pt)膜とPZT(Pb(ZrxTi1−x)O3)を同時にエッチングし、圧電膜53と上電極膜52をパターニングする。ここで、圧電膜53および上電極膜52と下電極膜51とが、平面視においてキャビティ21形成領域上で重なるように、各膜51,52,53をパターニングする。これにより、下電極膜51と上電極膜52とにより圧電膜53を挟持した振動部54を備えた機能素子50を形成することができる。
次に、図2(c)に示すように、基板1表面にレジストマスク40を形成する。具体的には、まずスピンコート法等により基板1表面全体にレジストを塗布する。そして、フォトリソグラフィ技術により露光、現像し、エッチャント供給孔31,31を形成すべき領域のレジストを除去する。
次に、図3(a)に示すように、第二薄膜30にエッチャント供給孔31,31を形成する。具体的には、レジストマスク40を介して第二薄膜30の異方性ドライエッチングを行い、第二薄膜30を貫通させる。
次に、図3(b)に示すように、機能素子50の振動部54の下層にキャビティ21を形成する。具体的には、エッチャント供給孔31,31からエッチャントを供給してウェットエッチングを行う。このエッチャントとして、フッ化水素(HF)に硝酸(HNO3)を加えて生成されるバッファードフッ酸(BHF)を用いる。バッファードフッ酸は、第一薄膜20を形成している二酸化シリコンと、第二薄膜30を形成しているジルコニアとの間で選択比を有する。すなわち、バッファードフッ酸による第一薄膜20のエッチングレートは、第二薄膜30のエッチングレートより格段に大きくなる。そのため、第一薄膜20のみを選択的にエッチングすることができる。
エッチャント供給孔31から供給したエッチャントは、エッチャント供給孔31の内面に露出している第一薄膜20内に浸透し、等方的にエッチングが行われる。そのため、エッチャント供給孔31,31から所定距離内の第一薄膜20が除去され、エッチャント供給孔31,31の長手方向を長軸として2つの略楕円の一部を重ねた形状のキャビティ21が形成される(図1参照)。なお、フッ化水素とフッ化アンモニウム(NH4F)の混合液等をエッチャントとして用いても、第一薄膜20のみを選択的にエッチングすることができる。
次に、図3(c)に示すように、基板1上に形成されたレジストマスク40を剥離する。
以上により、キャビティ21に架設された可撓性を有する第二薄膜30の表面に機能素子50を備えたマイクロマシンを製造することができる。
以上により、キャビティ21に架設された可撓性を有する第二薄膜30の表面に機能素子50を備えたマイクロマシンを製造することができる。
したがって、上述の実施形態によれば、基板1上に第一薄膜20と第二薄膜30と機能素子50を形成した後に、第一薄膜20と第二薄膜30の間で選択比を有するエッチャントにより、第一薄膜20のみを選択的にエッチングしてキャビティ21を形成する構成とした。
この構成により、犠牲材料上に機能素子を形成した後、犠牲材料のみを選択的にエッチングを行う場合と比べ、予めキャビティを形成し、このキャビティ内に犠牲材料を充填して平坦化する工程を必要としないため、製造プロセスを簡略化できるとともに製造コストを低減することができる。
この構成により、犠牲材料上に機能素子を形成した後、犠牲材料のみを選択的にエッチングを行う場合と比べ、予めキャビティを形成し、このキャビティ内に犠牲材料を充填して平坦化する工程を必要としないため、製造プロセスを簡略化できるとともに製造コストを低減することができる。
また、基板裏面Via方式のように、基板裏面からエッチングを行い、キャビティを形成する場合と比べ、機能素子50とキャビティ21との位置合わせを容易に行うことができるとともに、基板1の剛性を維持した上で、高精度なマイクロマシンを製造することができる。
なお、基板1の表面全体に機能素子50の構成薄膜を連続形成し、その後に上電極膜52、圧電膜53および下電極膜51を順にパターニングしてマイクロマシンを形成することも可能である。
この場合、基板1の表面全体に第一薄膜20、第二薄膜30および機能素子50の構成薄膜を連続形成した後に各薄膜をパターニングすることが可能であり、各薄膜の間に異物等が付着する恐れがないため、界面汚染を防ぐことができる。
この場合、基板1の表面全体に第一薄膜20、第二薄膜30および機能素子50の構成薄膜を連続形成した後に各薄膜をパターニングすることが可能であり、各薄膜の間に異物等が付着する恐れがないため、界面汚染を防ぐことができる。
(第2実施形態)
次に、図4に基づいて、本発明の第2実施形態を説明する。なお、第1実施形態と同様となる部分については、同一符号を付してその詳細な説明を省略する。図4は、本発明の第2実施形態に係るマイクロマシンの平面図である。
第二実施形態では、基板1上の第一薄膜20にエッチングストップ層60,60を形成している点で、第1実施形態と相違している。
次に、図4に基づいて、本発明の第2実施形態を説明する。なお、第1実施形態と同様となる部分については、同一符号を付してその詳細な説明を省略する。図4は、本発明の第2実施形態に係るマイクロマシンの平面図である。
第二実施形態では、基板1上の第一薄膜20にエッチングストップ層60,60を形成している点で、第1実施形態と相違している。
図4に示すように、基板1上の第一薄膜20には、エッチングストップ層60が形成されている(図5,6参照)。このエッチングストップ層60は、機能素子50の下層であって、振動部54形成領域の周囲全体に形成されている。このエッチングストップ層60は、二酸化シリコン等からなる第一薄膜20に例えば窒素イオン(N+)や炭素イオン(C+)等の注入により改質したものであり、エッチャント供給孔31から供給されるエッチャントに強い耐性を示す。そして、エッチングストップ層60より内側には、振動部54形成領域の下層に矩形のキャビティ70が形成されている。
(マイクロマシンの製造方法)
次に、図5,6に基づいて、第2実施形態に係るマイクロマシンの製造方法について説明する。図5,6は、第二実施形態に係るマイクロマシンの製造方法の工程図であり、図4のB−B線に相当する部分における断面図である。
図5(a)に示すように、第二薄膜30が形成された基板1上にエッチングストップ層60を形成するためのレジストマスク80を形成する。具体的には、スピンコート法等により第二薄膜30表面にレジストを塗布した後、フォトリソグラフィ技術により、露光、現像し、エッチングストップ層60を形成すべき領域のレジストを除去する。
次に、図5,6に基づいて、第2実施形態に係るマイクロマシンの製造方法について説明する。図5,6は、第二実施形態に係るマイクロマシンの製造方法の工程図であり、図4のB−B線に相当する部分における断面図である。
図5(a)に示すように、第二薄膜30が形成された基板1上にエッチングストップ層60を形成するためのレジストマスク80を形成する。具体的には、スピンコート法等により第二薄膜30表面にレジストを塗布した後、フォトリソグラフィ技術により、露光、現像し、エッチングストップ層60を形成すべき領域のレジストを除去する。
次に、図5(b)に示すように、エッチングストップ層60を形成する。具体的には、レジストマスク80を介してイオンを注入すると、イオンは第二薄膜30内を通過して第一薄膜内20に注入される。そして、第一薄膜20上のイオン注入された箇所が、改質してエッチングストップ層60,60として形成される。なお、エッチングストップ層60は、第一薄膜20形成後に形成してもよい。
次に、図5(c)に示すように、基板1上に形成されたレジストマスク80を剥離する。
そして、第二薄膜30上に機能素子50を形成する。具体的には、第1実施形態と同等の材料により、第1実施形態と同様の方法で、エッチングストップ層60形成領域の内側に機能素子50の振動部54が配置されるように形成する。
そして、第二薄膜30上に機能素子50を形成する。具体的には、第1実施形態と同等の材料により、第1実施形態と同様の方法で、エッチングストップ層60形成領域の内側に機能素子50の振動部54が配置されるように形成する。
次に、図6(a)に示すように、エッチャント供給孔31を形成する。まず第1実施形態と同様に、エッチャント供給孔31を形成するためのレジストマスク40を形成する。そして、レジストマスク40を介して第二薄膜30の異方性ドライエッチングを行い、第二薄膜30を貫通させて、エッチャント供給孔31,31を形成する。
次に、機能素子50の下層にキャビティ70を形成する。具体的には、第一実施形態と同様の形成方法を用いてエッチングを行う。この時、エッチングストップ層60はイオン注入によりエッチャントに強い耐性を示す材質に改質しているため、エッチングは行われない。つまり、エッチャント供給孔31から供給したエッチャントは、エッチングストップ層60で塞き止められるため、エッチングストップ層60の外側はエッチングが行われない。したがって、エッチングストップ層60より内側であって、振動部54形成領域の下層に矩形のキャビティ70を形成することができる(図4参照)。
したがって、上述の第2実施形態によれば、基板1上の第一薄膜20にエッチングストップ層60が形成される構成とした。この構成により、第1実施形態と同様の効果を奏するとともに、第一薄膜20をエッチングしてキャビティ70を形成する際、第一薄膜20のサイドエッチングを所定位置で停止させることができる。そのため、機能素子50の振動部54形成領域の下層部分のみにキャビティ70を形成して、機能素子50の特性を安定させることができる。
なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。例えば本実施形態では、機能素子としてFBARを形成する構成について説明したが、係るマイクロマシンの製造方法をジャイロセンサー、アクチュエータ、スイッチ素子等の機械的動作が必要な機能素子にも適用することができる。
また、下電極膜を上電極膜に直交する方向に帯状に形成して共通電極とし、圧電膜と上電極膜のみをパターニングして、複数の機能素子を形成してもよい。さらに、機能素子はキャビティ形成後に形成してもよい。
1…基板 20…第一薄膜 21,70…キャビティ 30…第二薄膜 50…機能素子 60…エッチングストップ層
Claims (5)
- 基板上に機能素子が離間配置されたマイクロマシンの製造方法であって、
基板上に第一薄膜を形成する工程と、
前記第一薄膜上に第二薄膜を形成する工程と、
前記第二薄膜上に前記機能素子を形成する工程と、
前記第一薄膜と前記第二薄膜との間で選択比を有するエッチャントにより、前記機能素子下層の前記第一薄膜をエッチングすることで、前記基板上に前記機能素子を離間配置する工程と、を有することを特徴とするマイクロマシンの製造方法。 - 前記機能素子下層の前記第一薄膜をエッチングする工程は、前記機能素子の側方において前記第二薄膜を貫通するエッチャント供給孔に前記エッチャントを供給して行うことを特徴とする請求項1記載のマイクロマシンの製造方法。
- 前記第一薄膜をエッチングする工程の前に、前記第一薄膜にエッチングストップ層を形成する工程を有することを特徴とする請求項1又は請求項2記載のマイクロマシンの製造方法。
- 前記第一薄膜は酸化ケイ素膜であり、前記第二薄膜は酸化ジルコニウム膜または酸化チタン膜であり、前記エッチャントはバッファードフッ酸であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のマイクロマシンの製造方法。
- 請求項1ないし4のいずれか1項に記載のマイクロマシンの製造方法を用いて製造したことを特徴とするマイクロマシン。
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US9924924B2 (en) | 2014-07-31 | 2018-03-27 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric device, and ultrasonic device, as well as probe, and electronic apparatus |
WO2022211096A1 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法 |
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