JP2018083316A - ノズルプレートの製造方法およびインクジェットヘッドの製造方法 - Google Patents
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図1は、本実施形態のインクジェットプリンタ1の概略の構成を示す説明図である。インクジェットプリンタ1は、インクジェットヘッド部2において、インクジェットヘッド21が記録媒体の幅方向にライン状に設けられた、いわゆるラインヘッド方式のインクジェット記録装置である。
次に、上記したインクジェットヘッド21の構成について説明する。図2Aは、インクジェットヘッド21のアクチュエータ21a(圧電アクチュエータ)の概略の構成を示す平面図であり、図2Bは、図2AにおけるA−A’線矢視断面図である。インクジェットヘッド21は、基板22上に、熱酸化膜23、下部電極24、圧電薄膜25、上部電極26をこの順で有している。
次に、本実施形態のインクジェットヘッド21の製造方法について以下に説明する。図4は、インクジェットヘッド21の製造時の処理の流れを示すフローチャートである。本実施形態では、基板準備工程(S1)、熱酸化膜成膜工程(S2)、下部電極形成工程(S3)、圧電薄膜成膜工程(S4)、上部電極形成工程(S5)、圧力室形成工程(S6)、ノズルプレート接合工程(S7)が順に行われることで、インクジェットヘッド21が作製される。以下、各工程の詳細について説明する。図5は、インクジェットヘッド21の製造工程を示す断面図である。
まず、基板22を用意する。基板22としては、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)に多く利用されている結晶シリコン(Si)を用いることができ、ここでは、酸化膜22eを介して2枚のSi基板22c・22dが接合されたSOI構造のものを用いている。
基板22を加熱炉に入れ、1500℃程度に所定時間保持して、Si基板22c・22dの表面にSiO2からなる熱酸化膜23a・23bをそれぞれ形成する。
次に、一方の熱酸化膜23a上に、TiおよびPtの各層をスパッタ法で順に成膜し、下部電極24を形成する。これにより、基板22、熱酸化膜23aおよび下部電極24からなる下地層が形成される。つまり、下部電極24は、上記の下地層において、基板22とは反対側の最表層に位置している。
続いて、下部電極24上に、PZTなどのペロブスカイト型構造を有する圧電薄膜25を成膜する。より具体的には、基板22を600℃程度に再加熱し、変位膜となるPZTの層25aをスパッタ法で成膜する。次に、層25a上に感光性樹脂35をスピンコート法で塗布し、マスクを介して露光、エッチングすることによって感光性樹脂35の不要な部分を除去し、形成する圧電薄膜25の形状を転写する。その後、感光性樹脂35をマスクとして、反応性イオンエッチング法を用いて層25aの形状を加工し、圧電薄膜25とする。
次に、圧電薄膜25を覆うように、下部電極24上に、TiおよびPtの各層をスパッタ法で順に成膜し、層26aを形成する。続いて、層26a上に感光性樹脂36をスピンコート法で塗布し、マスクを介して露光、エッチングすることによって感光性樹脂36の不要な部分を除去し、形成する上部電極26の形状を転写する。その後、感光性樹脂36をマスクとして、反応性イオンエッチング法を用いて層26aの形状を加工し、上部電極26を形成する。
次に、基板22の裏面(熱酸化膜23b側)に感光性樹脂37をスピンコート法で塗布し、マスクを介して露光、エッチングすることによって、感光性樹脂37の不要な部分を除去し、形成しようとする圧力室22aの形状を転写する。そして、感光性樹脂37をマスクとして、反応性イオンエッチング法を用いて基板22の除去加工を行い、圧力室22aを形成してアクチュエータ21aとする。
その後、アクチュエータ21aの基板22と、ノズル32を有するノズルプレート31とを、基板22に形成された圧力室22aと、ノズルプレート31のノズル32とが連通するように、接着剤等を用いて接合する。これにより、インクジェットヘッド21が完成する。なお、図5では、基板22の裏面の熱酸化膜23bを残したまま、基板22とノズルプレート31とを熱酸化膜23bを介して接合しているが、熱酸化膜23bを除去した後、基板22とノズルプレート31とを接着剤等で直接接合してもよい。
次に、上述したノズルプレート31のノズル32の詳細について説明する。図6は、ノズルプレート31を拡大して示す断面図である。ノズルプレート31のノズル32は、テーパー部32aおよびストレート部32bを有している。テーパー部32aおよびストレート部32bは互いに連通しており、基板22の圧力室22a(図3参照)から供給されるインクを外部に吐出するための吐出孔を構成している。
次に、上記したノズルプレート31の製造方法について説明する。図7は、ノズルプレート31の製造時の流れを示すフローチャートである。同図のように、本実施形態では、第1のマスク材形成工程(S11)、エッチングストッパー層形成工程(S12)、レジストパターン形成工程(S13)、第1のマスクパターン形成工程(S14)、レジストパターン除去工程(S15)、第2のマスク材形成工程(S16)、第2のマスクパターン形成工程(S17)、テーパー部形成工程(S18)、第2のマスクパターン除去工程(S19)、ストレート部形成工程(S20)、第1のマスクパターン除去工程(S21)、エッチングストッパー層除去工程(S22)が行われることで、ノズルプレート31が作製される。以下、図8および図9も参照しながら、各工程の詳細について説明する。図8および図9は、ノズルプレート31の製造工程を示す断面図である。
(S12;エッチングストッパー層形成工程)
まず、シリコンウェハをノズル形成用基板31aとして用意し、このノズル形成用基板31aを熱酸化炉にセットし、酸素ガス、または水蒸気雰囲気中で加熱することにより、ノズル形成用基板31aの両面に熱酸化膜を形成する。ここでは、一方の熱酸化膜を、後述するテーパー部32aの形成の際のマスクとして用いるため、第1のマスク材41aと称する。また、他方の熱酸化膜を、テーパー部32aのエッチングの進行を止めるエッチングストッパーとして用いるため、エッチングストッパー層42と称する。したがって、ノズル形成用基板31aの両面に熱酸化膜を形成する工程は、ノズル形成用基板31aの一方の表面全体に、第1のマスク材41aを形成する工程(S11)と、ノズル形成用基板31aの他方の表面上に、エッチングストッパー層42を形成する工程(S12)とを含むと言うことができる。このとき、第1のマスク材41aおよびエッチングストッパー層42は、シリコンウェハの熱酸化によって形成されるため、酸化シリコン膜(SiO2膜)で構成される。
次に、ウェハの表面を疎水性にするため、HMDS処理を行う。HDMS処理とは、ヘキサメチルジシラザン(HMDS;hexamethyldisilazane)を用いて基板表面を疎水化する処理である。このHMDS処理は、第1のマスク材41a上に、例えば東京応化製の「OAP」を、スピンコーターを用いて例えば2500rpm、15secの条件で塗布して行うことができる。
次に、レジストパターン43をマスクとして、第1のマスク材41aをパターニングすることにより、開口部43aと同形状の開口部41a1(第1の開口部)を有する第1のマスクパターン41(第1パターンとも称する)を形成する。このときの第1のマスク材41aのパターニングは、CHF3(トリフルオロメタン)ガスまたはCH4(メタン)ガスを用いたドライエッチングによって行うことができる。例えば、サムコ製RIE−100Cを使用し、CHF3ガス流量;80sccm、圧力;3Pa、RFパワー;90W、エッチング時間;1時間程度、のドライエッチング条件で第1のマスク材41aをパターニングすることにより、開口部41a1を有する第1のマスクパターン41を形成することができる。開口部41a1の開口径は、開口部43aの開口径と同じ(例えば15〜30μm)である。
続いて、S14で用いたレジストパターン43を除去する。例えばアセトンやアルカリ溶液などを用いたウェットプロセスや、酸素プラズマなどを用いたドライプロセスにより、レジストパターン43を除去することができる。
次に、ウェハの表面を疎水性にするため、S13と同様のHMDS処理を行う。その後、第1のマスクパターン41における開口部41a1の内側および第1のマスク材41a上に、感光性樹脂であるポジ型レジスト(東京応化工業製 OFPR−800LB)を、スピンコーターを用いて例えば3000rpm、30secの条件で塗布し、上記感光性樹脂からなる第2のマスク材44aを形成する。
続いて、110℃、90secのプリベークを行い、コンタクトアライナーで約50mJ/cm2の光量で第2のマスク材44aを露光する。そして、ウェハを25℃の現像液(東京応化製 NMD−3)に60〜90秒浸漬させて第2のマスク材44aの感光部を除去する。より詳しくは、第2のマスク材44aの露光および現像により、第1のマスクパターン41の開口部41a1の内側に形成された第2のマスク材44aの一部を除去する。これにより、開口部41a1の内側に開口部44a1(第2の開口部)を有する第2のマスクパターン44(第2パターンとも称する)を、第1のマスク材41aを覆うように形成する。
次に、第2のマスクパターン44の開口部44a1を介して、ノズル形成用基板31aを一方の表面側(第2のマスクパターン44側)からドライエッチングすることにより、ノズル形成用基板31aにテーパー部32aを形成する。このテーパー部32aの形状は、ノズル形成用基板31aの一方の表面側からその厚さ方向に進むにつれて(エッチングストッパー層42に向かうにつれて)、開口幅が広がる逆テーパー形状である。逆テーパーの加工は、RIE(Reactive Ion Etching)装置や、放電形式に誘導結合方式(Inductively Coupled Plasma)を採用したドライエッチング装置であるICP−RIEエッチング装置等のドライエッチング装置を用いて行うことができる。また、プロセスガスには、SF6(六フッ化硫黄)ガスやC4F8(オクタフルオロシクロブタン)ガスなどを用いることができる。エッチングストッパー層42までエッチングが進むと、そこでエッチングが停止される。このようなエッチングにより、ノズル形成用基板31aの厚さ方向に沿ったテーパー部32aの長さとして、10μm以上が確保される。なお、逆テーパー形状のテーパー部32aの形成方法の詳細については後述する。
続いて、S18で用いた第2のマスクパターン44を除去する。これにより、第2のマスクパターン44の下地の第1のマスクパターン41が露出する。例えば、S15と同様に、アセトンやアルカリ溶液などを用いたウェットプロセスや、酸素プラズマなどを用いたドライプロセスにより、第2のマスクパターン44を除去することができる。なお、S19の工程は、ノズル形成用基板31aにテーパー部32aを形成した後、第2のマスクパターン44を除去して、第1のマスクパターン41を露出させる第2パターン除去工程に対応する。
次に、露出した第1のマスクパターン41の開口部41a1を介して、ノズル形成用基板31aを一方の表面側からノズル形成用基板31aの厚さ方向にストレートにドライエッチングする。これにより、テーパー部32aと連通するストレート部32bをノズル形成用基板31aに形成する。このときのストレート部32bの加工は、例えばICP装置を用いたボッシュプロセスによって行うことができる。なお、ボッシュプロセスとは、厚さ方向のエッチングと、保護膜による側壁の保護とを繰り返しながらエッチングを行う手法である。例えばSF6ガスを用いたエッチングと、C4F8ガスなどを用いた側壁の保護とを繰り返すことにより、細くて深い穴を掘ることができる。ストレート部32bの開口径は、開口部41a1の開口径と同じ(例えば15〜30μm)である。また、ストレート部32bは、ノズル形成用基板31aの厚さ方向に沿った長さが10μm以下となるように形成される。このようにして、テーパー部32aおよびストレート部32bからなるノズル32が得られる。
(S22;エッチングストッパー層除去工程)
最後に、ノズル形成用基板31aの両面の熱酸化膜、すなわち、第1のマスクパターン41およびエッチングストッパー層42を除去する(S21、S22)。これにより、ノズルプレート31が完成する。熱酸化膜の除去方法としては、HF(フッ酸)などの薬品を使ったウェットプロセスや、CF4(四フッ化炭素)ガスまたはCHF3ガスを使ったドライプロセスを採用することができる。
次に、S18のテーパー部形成工程の詳細について説明する。上述したように、逆テーパー形状のテーパー部32aの加工は、ICPを用いたRIE(反応性イオンエッチング)プロセスによって行うことができる。ここでは、加工精度を向上させるため、後にテーパー部32aとなる凹部32c(図11参照)の側壁を保護する保護膜形成ステップ、凹部32cの底面の保護膜を選択的に除去する異方性エッチングステップ、シリコン(ノズル形成用基板31a)を等方的にエッチングする等方性エッチングステップ、の3つのステップを繰り返すことにより、シリコンの深堀り加工を行うボッシュプロセスを利用した。また、ICP装置としては、サムコ製エッチング装置(RIE−800iPB)を使用した。以下、より具体的に説明する。
図14は、本実施形態のノズルプレート31の他の構成を示す断面図である。ノズルプレート31のノズル形成用基板31aは、SOI基板50であってもよい。SOI基板50は、酸化膜53を介して2枚のシリコン基板51・52を接合した基板である。一方のシリコン基板51は、厚みが10〜30μm程度の活性層である。他方のシリコン基板52は、厚みが50〜500μm程度(好ましくは100〜200μm程度)の支持層である。酸化膜53は、厚みが0.2〜1μmのSiO2膜からなるBOX(Buried Oxide)層である。テーパー部32aおよびストレート部32bからなるノズル32は、例えば活性層(シリコン基板51)に形成される。
22 基板(支持基板)
22a 圧力室
27 圧電素子
31 ノズルプレート
31a ノズル形成用基板
32 ノズル
32a テーパー部
32b ストレート部
41 第1のマスクパターン
41a 第1のマスク材
41a1 開口部(第1の開口部)
42 エッチングストッパー層
43 レジストパターン
44 第2のマスクパターン
44a 第2のマスク材
44a1 開口部(第2の開口部)
45 保護膜
50 SOI基板(ノズル形成用基板)
51 シリコン基板
52 シリコン基板
53 酸化膜
54 連通路部
O1 開口中心
O2 開口中心
Claims (14)
- ノズル形成用基板の一方の表面上に、第1の開口部を有する第1のマスクパターンを形成する第1パターン形成工程と、
前記第1のマスクパターンの前記第1の開口部よりも開口径の小さい第2の開口部を有し、前記第1の開口部の内側に前記第2の開口部が位置するように、前記第1のマスクパターンのマスク材を覆う第2のマスクパターンを形成する第2パターン形成工程と、
前記第2のマスクパターンの前記第2の開口部を介して、前記ノズル形成用基板を前記一方の表面側からドライエッチングすることにより、前記一方の表面側から前記ノズル形成用基板の厚さ方向に進むにつれて開口幅が広がる逆テーパー形状のテーパー部を前記ノズル形成用基板に形成するテーパー部形成工程と、
前記テーパー部の形成後、前記第2のマスクパターンを除去して、前記第1のマスクパターンを露出させる第2パターン除去工程と、
露出した前記第1のマスクパターンの前記第1の開口部を介して、前記ノズル形成用基板を前記一方の表面側から前記ノズル形成用基板の厚さ方向にストレートにドライエッチングすることにより、前記テーパー部と連通するストレート部を前記ノズル形成用基板に形成するストレート部形成工程とを含むことを特徴とするノズルプレートの製造方法。 - 前記テーパー部形成工程では、前記第2の開口部の内側を介して露出する前記ノズル形成用基板の面を覆うように保護膜を形成する工程(a)と、前記保護膜を、前記ノズル形成用基板の厚さ方向への異方性エッチングによって選択的に除去する工程(b)と、前記保護膜の選択的な除去によって露出する前記ノズル形成用基板を等方性エッチングする工程(c)とを繰り返して行うとともに、前記工程(a)から前記工程(c)の繰り返しごとに、前記工程(c)のエッチング条件を変更することにより、前記テーパー部を前記ノズル形成用基板に形成することを特徴とする請求項1に記載のノズルプレートの製造方法。
- 前記テーパー部形成工程では、前記工程(a)から前記工程(c)の繰り返しごとに、前記工程(c)でのエッチング時間を長くすることにより、前記テーパー部を前記ノズル形成用基板に形成することを特徴とする請求項2に記載のノズルプレートの製造方法。
- 前記第1パターン形成工程は、
前記ノズル形成用基板の前記一方の表面全体に、前記マスク材を形成する工程と、
前記マスク材上に、前記第1の開口部に対応する開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記マスク材をパターニングすることにより、前記第1の開口部を有する前記第1のマスクパターンを形成する工程とを含むことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のノズルプレートの製造方法。 - 前記マスク材は、酸化シリコン膜であることを特徴とする請求項4に記載のノズルプレートの製造方法。
- 前記第1のマスクパターンの前記マスク材を、第1のマスク材としたとき、
前記第2パターン形成工程は、
前記第1のマスクパターンにおける前記第1の開口部の内側および前記第1のマスク材上に、前記第1のマスク材とは材質の異なる第2のマスク材を塗布する工程と、
前記第1の開口部の内側に塗布された前記第2のマスク材の一部を除去することにより、前記第1の開口部の内側に前記第2の開口部を有する前記第2のマスクパターンを、前記第1のマスク材を覆うように形成する工程とを含むことを特徴とする請求項4または5に記載のノズルプレートの製造方法。 - 前記ノズル形成用基板の厚み方向に垂直な面内で、前記第1の開口部の開口中心と前記第2の開口部の開口中心とは一致していることを特徴とする請求項6に記載のノズルプレートの製造方法。
- 前記第2のマスク材は、感光性樹脂であることを特徴とする請求項6または7に記載のノズルプレートの製造方法。
- 前記第1パターン形成工程は、
前記ノズル形成用基板の他方の表面上に、エッチングストッパー層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項4から8のいずれかに記載のノズルプレートの製造方法。 - 前記ノズル形成用基板は、酸化膜を介して2枚のシリコン基板を接合したSOI基板であり、
前記テーパー部形成工程では、前記ノズル形成基板の一方のシリコン基板に前記テーパー部を形成し、
前記ストレート部形成工程では、前記ノズル形成基板の前記一方のシリコン基板に前記ストレート部を形成し、
該製造方法は、前記ストレート部形成工程の後、前記他方のシリコン基板および前記酸化膜を、前記一方のシリコン基板とは反対側からドライエッチングすることにより、前記テーパー部と連通する連通路部を前記ノズル形成用基板に形成する連通路部形成工程をさらに含むことを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載のノズルプレートの製造方法。 - 前記ストレート部形成工程の後、前記第1のマスクパターンを除去する第1パターン除去工程をさらに含むことを特徴とする請求項1から10のいずれかに記載のノズルプレートの製造方法。
- 前記ノズル形成用基板の厚さ方向に沿った前記ストレート部の長さは、10μm以下であることを特徴とする請求項1から11のいずれかに記載のノズルプレートの製造方法。
- 前記ノズル形成用基板の厚さ方向に沿った前記テーパー部の長さは、10μm以上であることを特徴とする請求項1から12のいずれかに記載のノズルプレートの製造方法。
- 請求項1から13のいずれかに記載のノズルプレートの製造方法を用いてインクジェットヘッドを製造するインクジェットヘッドの製造方法であって、
前記テーパー部および前記ストレート部を前記ノズル形成用基板に形成して構成されるノズルプレートと、圧電素子を支持するとともに圧力室が形成された支持基板とを、前記圧力室と前記テーパー部とが連通するように接合する工程を含むことを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
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