JPH11142157A

JPH11142157A - ジャイロセンサ

Info

Publication number: JPH11142157A
Application number: JP9310193A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Hosogane; 敦細金; Teruhisa Akashi; 照久明石; Tsutomu Nozaki; 務野崎; Kanji Tsunoda; 莞爾角田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1997-11-12
Filing date: 1997-11-12
Publication date: 1999-05-28

Abstract

(57)【要約】【課題】ビデオカメラに利用されるジャイロセンサはハ
イブリッド構造であるが、これはマイクロマシニング技
術を応用したセンサに比べてセンサの高さが高く、占有
面積が大きい。【解決手段】溝がある振動梁を設けた基板と振動梁を厚
み方向に振動させる静電駆動基板を用意し、それらを貼
り合わせて積層構造を形成する。さらに、圧電薄膜等の
歪検出手段を溝の対向する内側面に設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は角速度を検出するジ
ャイロセンサ及びそれを用いた機器に関し、特に梁を振
動させて角速度に応じたコリオリ力を検出する振動式ジ
ャイロセンサ及びそのセンサを用いた手ぶれ防止機能付
きのビデオカメラ，カメラ機器に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来実用化されている角速度を検出する
ための振動式のジャイロセンサは、特開昭61−118612号
公報（図示せず）に開示された音叉構造ハイブリッド式
のセンサや特開平2−223817 号公報（図示せず）に開示
された音片構造ハイブリッド式のセンサであった。これ
らのジャイロセンサは手ぶれ防止機能付きのビデオカメ
ラのセンサとして利用されている。これらのセンサを２
個カメラに内蔵することで２軸の角速度を検出し手ぶれ
によるずれを補正している。

【０００３】このような状況の中で、ハイブリッドタイ
プに替わるジャイロセンサとして、マイクロマシニング
技術を応用し小型化，低価格化を目的とした特開平7−2
94262号に示された振動式ジャイロセンサが示されてい
る。この振動式ジャイロセンサを図１４に示す。中央に
配置された固定電極１４１と、これを挟んで二つの振動
板１４２が左右に設けられている。固定電極１４１の側
面１４１Ａと振動板１４２の側面１４２Ａに振動駆動信
号を与えることによりこれらの間に静電力を発生させ、
この静電力より振動板１４２は音叉振動を発生する。

【０００４】この状態にあるとき、音叉軸（Ｙ軸）回り
に角速度ωの回転力が作用すると、各振動板１４２には
音叉軸及び音叉振動方向に直交するコリオリ力Ｆ１，Ｆ
２が発生する。このコリオリ力Ｆ１，Ｆ２により音叉軸
（Ｙ軸）回りのトルクが検出用捩れ振動子１４３に作用
し、捩れ振動が発生する。この捩れ振動の振幅変化を各
検出用電極（図示せず）により静電容量の変化として検
出し、角速度に対応した検出信号として外部に導出する
構成となっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前述のように、ビデオ
カメラに利用されている振動式のジャイロセンサはハイ
ブリッド構造のジャイロセンサが主流で、マイクロマシ
ニング技術を応用したセンサに比べてかなり大きく、セ
ンサ自身の高さが高く、センサの占有面積が大きいとい
う欠点がある。特に高機能小型カメラ機器の場合、予め
センサスペースを考慮して設計しなければならない。

【０００６】さらに手ぶれ防止用には２軸の角速度を検
出しなければならないために２個のセンサが必要とな
る。またハイブリッドタイプのセンサは構成が極めて複
雑で量産性が低く、製造工程にかなりのノウハウが要求
される。さらにはセンサの形状ばらつきが大きいため、
製品化されたセンサにはセンサ同士で２０％程度の出力
ばらつきが生じ、ユーザ側でこのばらつきを補正する回
路または制御用ソフトウエアを付加しなければセンサを
利用することができず、大きな欠点となっている。

【０００７】このような問題点を解決するために上記従
来例に見られるマイクロマシニング技術を応用した振動
式ジャイロセンサが開示されているが、このセンサはコ
リオリ力の検出方法として振動板と二つの電極間の静電
容量変化を読み取る方式であるため、電極部の加工精度
及び電極間の静電容量が検出感度に大きく影響するとい
う問題がある。この方式でセンサ感度を上げるために
は、電極間の狭小ギャップを均一で再現性よく高精度で
加工し、さらに配線周辺の浮遊容量の影響で静電容量変
化の割合が小さくならないように電極部の面積を大きく
し静電容量を増やさなければならない。

【０００８】しかし、図１４のような電極部を形成する
にはシリコンを貫通エッチングしなければならない。シ
リコンの異方性エッチングを用いてもギャップ間隔を５
μｍ以下という非常に微小間隔の構造をウエハ面内で均
一にかつ再現性よく加工することは難しい。また電極部
の面積を大きくするために振動板１４２を長細い構造に
しなければならない。しかし振動板１４２を長細い構造
にすれば振動子の共振周波数が低下し検出感度の低下を
招くこととなる。

【０００９】本発明の目的は、マイクロマシニング技術
を応用し、上記従来の課題を解決し検出感度の高い振動
式ジャイロセンサ及びそれを用いたビデオカメラを提供
することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】以上のような問題点を解
決するために、以下のような手段を用いる。面方位｛１
００｝のシリコン基板等を用いて表裏面からそれぞれ加
工を行い、溝が設けてある振動梁を形成する。さらに、
この振動梁にコリオリ力検出用の例えば圧電素子や圧電
薄膜等の歪検出手段を対向するように設ける。特にこの
歪検出手段を溝の対向する内側面に設ける。このような
振動梁が形成された基板と、振動梁を厚み方向に振動さ
せる絶縁薄膜を形成した静電駆動基板を用意し、それら
を接合して積層構造を形成する。

【００１１】本発明では、２枚の基板を接合してあるの
で、静電駆動基板に電圧を印加することで振動梁が形成
された基板を厚み方向に振動させることができる。基板
が厚み方向に振動しているときに角速度が梁の長手方向
軸中心に加えられると、それら２方向と垂直な方向にコ
リオリ力が生じ振動梁がたわみ、振動する。この振動梁
に溝が設けてあり、特に溝の内側面に対向するように圧
電薄膜等の歪検出手段が設けてあるので、センサの出力
感度のばらつきを抑えることができると同時に安価に製
造することができる。この対向する歪検出手段の出力電
圧を差動検出することで角速度を得ることができる。

【００１２】本発明はマイクロマシニング技術を応用し
ているので、構成が簡単で量産性に富み、厚みが薄く占
有面積が小さく、さらにはセンサ出力のばらつきが小さ
い小型のジャイロセンサを形成することが可能である。
そのため本センサをビデオカメラに実装すれば、実装後
の後工程でセンサ感度を調整するための補正回路の付加
や、制御用ソフトウエアの書き換えが必要なくなる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図を参照して本発明の一実
施例を詳細に説明する。図１は本発明におけるセンサ素
子の外観図である。ただしパッケージ部や増幅回路部は
この図では省略してある。大きく分類して静電駆動基板
１，振動梁を設けるシリコン基板２の二種類の基板から
構成されており、それぞれが接合されて振動式ジャイロ
センサを形成している。大きさは約８×１６mmで厚さ約
１mmである。この場合、シリコン基板２の面方位は｛１
００｝を用いている。

【００１４】シリコン基板２には、シリコンの異方性エ
ッチングによりシリコン開口部８、つまり貫通部が形成
されており、両持ち梁の一部に異方性エッチング溝４を
有する溝付きＳｉ両持ち梁の振動子３が支持された構造
となっている。ここで、シリコンの異方性エッチングと
は、水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ）やテトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイト（ＴＭＡＨ）等のアルカ
リ系エッチング液を用いて行うシリコンのエッチングの
ことである。

【００１５】さらに、異方性エッチング溝４の溝の内側
面及び底面にそれぞれ歪検出手段として検出用ＺｎＯ圧
電薄膜５，帰還用ＺｎＯ圧電薄膜６が形成されている。
これらは、角速度を検出，センシングするための圧電薄
膜である。この圧電薄膜に生じた電圧を検出するための
電極として薄膜電極７と検出用ＺｎＯ圧電薄膜５と帰還
用ＺｎＯ圧電薄膜６に共通の電極としてＧＮＤ電極９が
圧電薄膜を挟み込む構造で積層パターニングされてい
る。

【００１６】図２は、図１の積層センサ素子を各基板ご
とに分離した時の外観図である。静電駆動基板１には、
電圧を印加するためのための薄膜電極（図示せず）が形
成されている。この電極にある周波数の電圧を印加する
と、シリコン基板２に形成された溝付きＳｉ両持ち梁の
振動子３が静電力により基板の厚み方向に振動する。静
電駆動基板１には、シリコン基板２と静電駆動基板１の
薄膜電極が短絡しない役割をする絶縁膜１０が形成され
ている。

【００１７】図３は、図１のＡＡ断面を示す断面模式図
である。図１で説明したように、静電駆動基板１の上に
シリコン基板２が積層接合されている。図のように溝付
きＳｉ両持ち梁の振動子３が浮遊している状態となって
いる。また、振動子３は静電駆動基板と接触することが
ない。シリコンの異方性エッチングを利用してセンサ部
を形成するので、シリコン開口部８の断面形状は逆テー
パ形状で、振動子３の断面形状は左右対称構造で逆テー
パのＶ字型形状となっている。

【００１８】この実施例での振動子断面寸法は、およそ
ａ：３５０μｍ，ｂ：２００μｍ，ｃ：１１００μｍ，
ｄ：１５００μｍで、溝４は横に長く幅広い構造であ
る。振動子３の異方性エッチング溝４の向かい合う斜面
に検出用ＺｎＯ圧電薄膜５が形成され、溝５の底面に帰
還用ＺｎＯ圧電薄膜６が形成されている。これらの圧電
薄膜は、互いにつながることなくパターニングされてい
る。ただしこの図では薄膜電極７とＧＮＤ電極９は省略
してある。

【００１９】図４は、図１のＢＢ断面を示す断面模式図
である。図２と同様に、シリコン開口部８は異方性エッ
チングを利用して形成するので、断面形状は逆テーパ形
状になっている。また、異方性エッチング溝４の断面形
状は図のようになっており、この溝４の底面に帰還用Ｚ
ｎＯ圧電薄膜６が形成されている。ここでは、図２と同
様に薄膜電極７とＧＮＤ電極９は省略してある。

【００２０】ジャイロセンサのセンサ素子は、以上のよ
うな構成の構造体である。

【００２１】次に図１，図５，図６を用いて、この実施
例における振動式ジャイロセンサの角速度センシング方
法を説明する。圧電基板１によって質量ｍの振動子３が
Ｘ方向に速度ｖで振動している時にＺ軸回りに角速度ω
が加わったとき角速度に応じたコリオリ力Ｆ（＝２ｍｖ
ω）が発生する。この発生するコリオリ力はＹ方向に加
わるので、振動子３はＹ方向にたわみ、Ｘ方向とＹ方向
の合成振動になる。このたわみ量を異方性エッチング溝
４に形成された検出用ＺｎＯ圧電薄膜５と帰還用ＺｎＯ
圧電薄膜６を用いて電圧変化として検出する。

【００２２】図５は、図１のＡＡ断面の振動子３の断面
図で、角速度が加わっていない無回転時と角速度が加わ
った回転時の動作説明図である。速度ｖ，力ｆでＸ方向
に振動子３が振動しているときに振動子３はＸ方向にた
わみ振動するので、二つの検出用ＺｎＯ圧電薄膜５には
ｆによる歪みが励振方向と同じ方向に生じる。検出用Ｚ
ｎＯ圧電薄膜５の膜厚方向に力ｆの分解成分が加えられ
たときに圧電薄膜に発生した出力電圧値をＡ１とする。

【００２３】次に角速度がＺ軸回りに加わってコリオリ
力Ｆが図の方向に加えられたとき（回転時）、振動子３
はｆとＦの合力方向に振動する。このとき検出用ＺｎＯ
圧電薄膜５の膜厚方向に合力の分解成分が加えられるこ
とで、各検出用ＺｎＯ圧電薄膜５に発生する出力電圧値
は、それぞれＡ１−Ａ２，Ａ１＋Ａ２となる。電圧値Ａ
２はコリオリ力Ｆによって生じた電圧値である。これら
の差動出力電圧値の絶対値はＡ２×２となり、コリオリ
力Ｆによる２倍の出力電圧値を得ることができる。

【００２４】力ｆとコリオリ力Ｆとの合成振動によって
得られた各検出用ＺｎＯ圧電薄膜５からの出力は、図６
に示すようにフィルタ内蔵の差動増幅回路１１に入力さ
れ、センサの外乱成分をカットしてコリオリ力Ｆによる
電圧値を取り出す。それと同時に、発振回路１２で圧電
基板１を振動させると共に、振動子３に形成された帰還
用ＺｎＯ圧電薄膜６によって振動周波数をモニタし発振
回路１２へとフィードバックし周波数を調整する。この
周波数を基準として差動増幅回路１１を経て得られた信
号を同期検波回路１３によって検波する。

【００２５】さらにこの電圧値を直流増幅回路１４によ
って増幅しコリオリ力による信号として取り出す。以上
のような方法を用いて角速度の検出を行う。ただし、図
６の回路は一実施例でこれらの回路構成を様々に組み合
わせることで角速度の検出を行うこともできる。

【００２６】次に振動子４の断面構造例について説明す
る。図７は、振動子３の断面構造例を示した図である。
実施例の説明においては、（ａ）を用いて説明を行っ
た。シリコンの異方性エッチングを用いれば、(ｂ)，
(ｃ)，(ｄ)も考えられる。（ａ）の場合、シリコン基板
２の表側から異方性エッチングを行って溝４を形成し、
その後、裏面から異方性エッチングを行い開口部８を形
成することで振動子４のＶ字型構造を加工する。

【００２７】（ｂ）の場合、表側から異方性エッチング
を行い溝４を形成するときに予め貫通させる部分をある
程度エッチングしておき、その後、裏面から異方性エッ
チングを行って貫通させることで、振動子３を形成する
ことができる。このときの裏面からのエッチング量は、
（ａ）に比べて少ない。

【００２８】（ａ)，(ｂ）の場合、検出用ＺｎＯ圧電薄
膜５と帰還用ＺｎＯ圧電薄膜６がそれぞれ図のように形
成されている。ここで、帰還用ＺｎＯ圧電薄膜６は必ず
しも必要ではなく、ない場合でも角速度は検出すること
ができる。しかし、図６において説明したように、帰還
用ＺｎＯ圧電薄膜６があるほうが、発振回路１２にフィ
ードバックすることができるので、高精度高感度なジャ
イロセンサを構成できる。

【００２９】次に（ｃ）は完全に振動梁３の断面構造を
Ｖ字型にしたタイプである。このタイプでは、帰還用Ｚ
ｎＯ圧電薄膜６を形成しない。（ｄ）は（ａ）のタイプ
を拡張したもので、エッチング溝４を二つ形成したタイ
プである。各溝４に検出用ＺｎＯ圧電薄膜６が形成され
ており、（ａ）に比べて検出感度を上げることが可能で
ある。ここでは、帰還用ＺｎＯ圧電薄膜６をエッチング
溝４の底面に形成していないが、形成しても良い。な
お、図７ではＺｎＯ圧電薄膜５，６を挟み込む薄膜電極
７及びＧＮＤ電極９を省略してある。

【００３０】さらに、振動梁３の他の実施例を説明す
る。振動梁３の断面形状が図７の(ａ)の場合のシリコン
基板３の表裏面の形状外観図を図８に示す。（ａ）はシ
リコン基板２の表面形状を示し、（ｂ）はシリコン基板
２の裏面形状を示している。シリコン基板２は面方位が
｛１００｝であるので、異方性エッチングを行うと、
（ｂ）に示すように｛１１１｝シリコン結晶面１５のテ
ーパ斜面が形成される。先に示したように振動体の質量
が大きいほど、振動体の速度が速いほどコリオリ力Ｆが
大きい。

【００３１】次に、図９を用いて検出用ＺｎＯ圧電薄膜
５，帰還用ＺｎＯ圧電薄膜６が形成された振動梁３の製
造プロセスを（ａ）から順に説明する。（ａ）：面方位
｛１００｝のシリコン基板２の表面に異方性エッチング
溝４を最初に形成する。異方性エッチングは、アルカリ
系エッチャント、例えば水酸化カリウム水溶液（ＫＯ
Ｈ）やテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイト
（ＴＭＡＨ）を用いて行う。ここでは、ＫＯＨを用いて
行う例である。

【００３２】次に熱酸化を行いシリコン基板２にＳｉＯ
２膜１６を形成する。さらに表側のＳｉＯ₂ 膜をパター
ニングしＳｉＯ₂ パターン１７を形成する。（ｂ）：蒸
着法またはスパッタ法により、クロム，金の２層薄膜で
形成された下層電極１８をシリコン基板２の表側に成膜
する。（ｃ）：電気泳動によってコーティングされる電
着感光性レジストを用い、基板にレジストを塗布する。

【００３３】さらに、ホトリソプロセスを経て下層電極
１８をパターニングし、下層電極パターン１９を得る。
（ｄ）：下層電極パターン１９を覆うようにスパッタ法
によりＺｎＯ圧電薄膜２０，上層電極２１を順次成膜す
る。ここでの上層電極２１は、下層電極１８と同じクロ
ム，金の２層薄膜で形成される。その他、アルミニウム
薄膜等の導電性の薄膜を使用することもできる。

【００３４】（ｅ）：先に述べた電着感光性レジストを
用い、基板表面にレジストを塗布する。その後、同様に
ホトリソプロセスを経て上層電極薄膜２１，ＺｎＯ薄膜
２０をパターニングし、上層電極パターン２３，ＺｎＯ
薄膜パターン２２を得る。図のように、ＺｎＯ薄膜パタ
ーン２２，上層電極パターン２３は、異方性エッチング
溝４の斜面に形成される。

【００３５】工程（ｃ)，(ｅ）で電着レジストを用いた
理由は、溝４が１００μｍを超える深溝の場合でも溝４
の側面及び底面をレジストでカバーすることができるか
らである。（ｆ）：裏面のＳｉＯ₂ 膜１６をパターニン
グし、裏面Ｓｉ開口部２４を形成する。（ｇ）：基板２
の表面を治具を用いてエッチャントが染み込まないよう
にカバーして、ＫＯＨによる異方性エッチングを裏面か
ら行い貫通部を形成する。この際、先に表面にＳｉＯ₂
薄膜を成膜してエッチングを行っても良い。

【００３６】以上のような工程を経ることで、検出用Ｚ
ｎＯ圧電薄膜５，帰還用ＺｎＯ圧電薄膜６が形成された
振動梁４の製造することができる。以上述べたプロセス
は代表的な一例である。

【００３７】図１１は、本発明のセンサを２個実装して
いるビデオカメラの一部分をカットしたカットモデルを
示す外観図である。大きく分類して、ビデオテープ装着
部１１１，カメラ部１１１，音声入力部１１３，ファイ
ンダー部１１４から構成されている。図のように、カメ
ラ部１１２を一部カットしてあり、レンズ部１１５とジ
ャイロセンサ搭載基板１１６が配置されているのを示し
ている。

【００３８】図１２は、取り出したレンズ部１１５を示
す外観模式図である。ジャイロセンサ搭載基板１１６上
に、水平方向手ぶれ検出用のジャイロセンサ１２１と垂
直方向手ぶれ検出用のジャイロセンサ１２２が実装され
ている。搭載基板１２６はネジ止めによりレンズ部１２
５に固定され一体となっている（図示せず）。このため
レンズ部１１５が水平方向及び垂直方向に動いたときに
搭載基板１１６も同時に動くので、各方向の角加速度を
センサ１２１，１２２によって検出することができる。

【００３９】図１３は搭載基板１１６の上面模式図であ
る。センサ１２１，１２２はレンズ外径位置１３１のレ
ンズ光軸１３２にできるだけ近い位置に配置される。た
だし、センサ１２１とセンサ１２２は共に振動式のジャ
イロセンサなので、共振周波数は互いに共振しないよう
に５００Ｈｚ程度ずらしてある。

【００４０】次に、実施例のさらなる応用として一つの
素子で２軸の角速度を検出することが可能な振動式ジャ
イロセンサについて、図１０を用い説明する。これを用
いれば、図１１，図１２において説明したように、２軸
の角速度を検出するため２個配置したセンサを１個にす
ることができる。図１０の振動式ジャイロセンサは、Ｙ
軸及びＺ軸の角速度を検出することができる。このセン
サの基本的な構成は、図１と同じである。圧電基板１上
に絶縁用ガラス基板２を介して振動梁が互いに直角に交
わるように二つ形成されている。一つはＺ軸回り角速度
検出用振動子２５でもう一つは、Ｙ軸回り角速度検出用
振動子２６である。

【００４１】これらの振動子の共振周波数は、互いに干
渉しないように前もってずらした構造とする。それぞれ
に、帰還用ＺｎＯ薄膜２７，２９，検出用ＺｎＯ薄膜２
８，３０が形成されており、Ｙ軸，Ｚ軸の角速度検出
は、先に説明したように、図１の場合と同様な原理を用
いて行う。このような構成とすることで、一つの素子で
２軸の角速度を検出することができる。以上説明してき
たような振動式ジャイロセンサを形成することで、厚み
の薄い小型で量産に適した素子を作ることができる。

【００４２】

【発明の効果】本発明は次のような優れた効果を発揮す
る。

【００４３】（１）マイクロマシニング技術を応用して
いるので、ハイブリッドタイプのセンサに比べ構成が簡
単で量産性に富んでいる。

【００４４】（２）静電駆動基板，振動梁付属基板の２
層接合基板でジャイロセンサが構成されているので、厚
みが薄く、センサの占有面積が小さく、小型化が可能で
あり、ビデオカメラに複数個設置してもスペースを大き
く取られることがない。

【００４５】（３）振動梁に溝を設け、その溝の対向す
る内側面に歪検出手段である圧電薄膜を設けてあるの
で、センサのコストを抑えることができると同時に素子
間の形状ばらつきも抑えることができる。さらに、セン
サの出力感度のばらつきを抑えることができる。

【００４６】（４）センサ間の出力ばらつきを抑えるこ
とができるので、本センサをビデオカメラに実装すれ
ば、実装後の後工程でセンサ感度を調整するための補正
回路や制御用ソフトウエアの付加が不必要となる。

【００４７】（５）圧電薄膜を利用してコリオリ力を検
出するので、アスペクト比の高い深溝加工や複雑な加工
法が不要となり、センサの製造コストを安価にすること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における振動式ジャイロセンサを示す斜
視図である。

【図２】本発明における振動式ジャイロセンサの構造分
解図である。

【図３】図１のＡＡ断面を示す断面図である。

【図４】図１のＢＢ断面を示す断面図である。

【図５】本発明における振動梁の断面図でコリオリ力検
出方法を説明する模式側断面図である。

【図６】本発明の振動式ジャイロセンサにおけるブロッ
ク回路構成図である。

【図７】本発明における振動梁の断面構造例を示す模式
側断面図である。

【図８】振動梁が形成されたシリコン基板の表裏面構造
を示す模式平面図である。

【図９】本発明における振動梁を形成する製造プロセス
を表す側断面図である。

【図１０】本発明を利用した２軸検出用振動式ジャイロ
センサを示す模式平面図である。

【図１１】ビデオカメラの一部をカットした外観図であ
る。

【図１２】ビデオカメラから取り出したレンズ部を示す
模式外観図である。

【図１３】ジャイロセンサ搭載基板の模式上面図であ
る。

【図１４】マイクロマシニング技術を応用した振動式ジ
ャイロセンサの従来例を示す斜視図である。

【符号の説明】１…静電駆動基板、２…シリコン基板、３…振動子、４
…異方性エッチング溝、５…検出用ＺｎＯ圧電薄膜、６
…帰還用ＺｎＯ圧電薄膜、７…薄膜電極、８…シリコン
開口部、９…ＧＮＤ電極、１０…絶縁膜、１１…差動増
幅回路、１２…発振回路、１３…同期検波回路、１４…
直流増幅回路、１５…｛１１１｝シリコン結晶面、１６
…ＳｉＯ₂ 膜、１７…ＳｉＯ₂ パターン、１８…下層電
極、１９…下層電極パターン、２０…ＺｎＯ薄膜、２１
…上層電極、２２…ＺｎＯ薄膜パターン、２３…上層電
極パターン、２４…裏面Ｓｉ開口部、２５…Ｚ軸回り角
速度検出用振動子、２６…Ｙ軸回り角速度検出用振動
子、２７…帰還用ＺｎＯ薄膜（Ｚ軸角速度検出用）、２
８…検出用ＺｎＯ薄膜（Ｚ軸角速度検出用）、２９…帰
還用ＺｎＯ薄膜（Ｙ軸角速度検出用）、３０…検出用Ｚ
ｎＯ薄膜（Ｙ軸角速度検出用）、１１１…ビデオテープ
装着部、１１２…カメラ部、１１３…音声入力部、１１
４…ファインダー部、１１３…レンズ部、１１６…ジャ
イロセンサ搭載基板、１２１…水平方向手ぶれ検出用の
ジャイロセンサ、１２２…垂直方向手ぶれ検出用のジャ
イロセンサ、１３１…レンズ外径位置、１３２…レンズ
光軸、１４１…固定電極、１４１Ａ，１４２Ａ…側面、
１４２…振動板、１４３…音叉振動子。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者角田莞爾神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所映像情報メディア事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】両端が支持部に振動自在な状態で支持され
るように支持部と同一基板に形成された振動子と、前記
振動子を厚み方向に振動させる手段を備えた構造のジャ
イロセンサにおいて、前記振動子に溝が設けてあり、前
記振動子に歪検出手段が設けてあることを特徴とするジ
ャイロセンサ。