TW200914117A - Cleaning apparatus for exhaust gas - Google Patents

Description

200914117 1 九、發明說明： '【發明所屬之技術領域】 .本發明係有關一種用以去除排氣所含有的微小粉塵之 t洗淨裝置’尤其有關-種適合應用於處理從半導體裝 置或液晶面板的製造裝置所排出的献今从泰 洗淨農置。㈣出的排乳的處理系統之排氣 【先前技術】 從半.導體裝置或液晶面板的製造裳置會排放出含㈣ =uane ;s爾之排氣。由於石夕燒為有害可燃氣體， 因此不能將這些製造裝置的排氣直接排放至大氣中。因 一般會將排氣引導至處理系統，將排氣所含有的石夕烧 予以氧化分解而無害化。 =為此種處理㈣者，如日本專利公開公報第2003_ 25歸號所示’已知有—種構成，係具有將排氣予以燃燒 处理之燃燒處理部、以及從排氣去除該燃燒處理部所產生 生成物之洗淨部。首先，排氣會㈣導至燃燒處理部， 並藉由燃燒處理部内所形成的火焰將排氣令的矽烷 化分解。當將石夕燒予以氧化分解時，會產生Si〇2(二氧化 為射絲m氣會则導至氣體洗淨部，在 2去除排氣巾的料絲。在上料社獻所揭示的系統 部。’=戶用Γ扇洗氣器（ian s_er)來作為氣體洗淨 e d羽洗U係—邊將水供給至罩殼内 轉，藉此進行氣液接觸而從排氣去除副生成物。某輪凝 曰本專利公開公報細-293335號係揭示一種處理系 320399 5 200914117 * 統，係使用觸媒層來處理從半導體裝置製造裝置（尤其是乾 蝕刻裝置）排放出的排氣中所含有的氟化合物（NF3、c1F3、 .Sh、CHF3、GF6、CFJ。在該處理系統中，於觸媒層的上游 側配置噴灑式的氣體洗淨裝置（水噴灑塔），藉由水噴灑塔 來洗淨排氣，以去除排氣中的矽烷等細微的粉塵。 存在於上述排氣中的粉塵非常微小，直徑未滿i ^。 已知風扇洗氣器係一種能高效率地去除微小粉塵的氣體洗 矿淨裝置。然而，風扇洗氣器與喷灑式的氣體洗淨裝置相比 f構造複雜而昂貴。此外，風扇洗氣器係使用馬達作為 葉輪的驅動源，因此需要電力，故運轉費用合。 方面，在喷灑式的氣體洗淨裝置中，因難以絲:微米： (Subm 1 cr〇n order)的微小粉塵，故有粉塵的去除率低之問 題。 【發明内容】 /本發明乃爲解決上述習知的問題點而研創者，其目 係提供-種能高效率地錯排氣所含有的微小粉 式的排氣洗淨裝置。 貝〆鹿 為了達成上述目的，本發明一態樣的排氣洗淨 具備有.壁部構件，係形成供排氣流通的氣體流通路〆:、 =少：Γΐ喷嘴與水膜嗔嘴，係配置於前述氣體流 ，· ί中’則述霧氣喷嘴係於前述氣體流通路徑㈣ 成㈣，别逑水膜㈣係於前述氣體流通路徑㈣开: 膜，别述霧氣噴嘴係配置成比前述水膜喷嘴還關成水 氣的流通方向的上游側。 關於排 320399 200914117 * 在本發明的較佳態樣中，前述霧氣 、複數組的霧氣喷嘴及水膜喷嘴，複=膜嘴嘴係 ，噴嘴係沿著前述氣體流通路徑配置/的務氣嘴嘴及水膜 在^明的較佳態樣中，於前述至少—組的霧氣喷嘴 構;的上游側配置有將排氣的氣流予以整流之整流 f 严本發明的另-態樣的排氣處理系統係具傷有、上述 淨裝置以及連結至前述排氣洗淨裝置的排氣處理裳 =明的較佳態樣中’前述排氣處理震置鄉 式、觸媒式、以及加熱器式中的任一種。 “、、几 依據本發明，排氣中的微小粉塵會 （ 亂)運動)而容易附著於霧氣，此^ 的:觸（慣性衝突）而從排氣去除。亦即’微小粉塵會^ 乳捕捉，故外觀尺寸會變大。因此，容易接觸藉由水 膜。結果，能高效率地從排氣去除微小粉塵: 以下參照圖式說明本發明的實施形態。並且， 中，對具有相同作用或功能的構件 / 來進行說明。附上相同的符號 第1圖係顯示包含有本蘇明从& ^ ^ 啕尽毛明的弟一實施形態的排翕夺 =置的排氣處理系統的示意圖。如第1圖所示，排· 糸統係具備有··燃燒式的加熱處理部（排氣理 置)10,係將排氣予以燃燒而氧化分解;以及排氣洗淨部 320399 7 200914117 發明-實施形態的排氣洗淨裝置）3G，係配置於加熱處理部 • 10的後段。加熱處理部10係具有：燃燒室12，係燃燒排 •氣；以及燃燒器（burner)u，係在燃燒室12形成盤旋的火 焰。排氣係通過旁路閥（三方閥）15而供給至加熱處理部 10。當排氣處㈣統有異常時，操作該旁路閥15使排氣不 會導入至排氣處理系統，而會導入至未圖示的旁路管。 燃料與氧氣會預先在預混合器16予以混合而形成混 合燃料，該混合燃料會被供給至燃燒器11。此外，成為使 排氣燃燒（氧化）的氧氣源之空氣會被供給至燃燒器U。燃 燒器11會燃燒混合燃料而於燃燒室12形成盤旋火焰，藉 由該盤旋火焰使排氣燃燒。於燃燒器11的内部配置有未圖 示的UV感測器、。藉自uv感測器來監視盤旋火焰是否正常 心成在uv m的周圍供給有空氣及氮氣作為沖洗氣 (purge gas)於燃燒室1.2的上部供給有水们。水们會. 沿著燃燒室12的内面流下，而在燃燒室12的内面形成水 臈F言由該水膜F來保護燃燒室12不受盤旋火焰之熱的 影響。在燃燒器U與燃燒室12之間設置有未圖示的冷卻 水路’其係流通有用以冷卻燃燒器11的冷卻水W2。 通㈣燒器u❿導入至燃燒室12的排氣係藉由盤旋 火焰而燃燒。藉此，將排氣中所含有的石夕烧或雙石夕烧等可 :f生^肽予以氧化分解。此時，隨著可然性氣體的燃燒會. f生二氧切（SiQ2)做為副生成物。該二氧切會以微小 粉塵存在於排氣中。 此種副生成物的一部分會堆積在燃燒器U或燃燒室 320399 8 200914117 ψ 12的内面。因此，加熱處理部1〇係構成為以定期地操作 未圖示的刮削器（scraper)來刮除堆積在燃燒器丨丨或燃燒 .室丨2内面的副生成物。在燃燒室12的下方配置有循環槽 2〇。循環槽20的内部設置有堤21，藉由堤21來區劃上游 側的第槽2〇a與下游側的第二槽2〇B。藉由刮削器所刮 落的副生成物會堆積在第一槽20A的底部。此外，從燃燒 室12的内面流下的水膜F會流入第一槽20A。第一槽20A ^的水係溢流過堤21而流入第二槽20B。 M k至12係經由冷卻部2 5而與排氣洗淨部3 〇連通。 冷卻部25係具有：配管26，係朝燃燒室12延伸；以及喷 灑噴嘴27,係配置於配管26内。噴灑噴嘴27係以與流通 配管26的排氣相對向的方式來喷射水。因此，藉由加熱處 理部10處理後的排氣會藉由喷灑噴嘴27所噴射的水而被 冷卻。水會通過配管.26而回收至循環槽2〇。 接著’已冷卻的排氣會導入至排氣洗淨部3〇。該排氣 洗淨部30係為藉由水來洗淨排氣以去除排氣中所含有的 微I 4塵之裝置。粉塵主要是藉由在加熱處理部進行氧 化分解（燃燒處理）時所產生的副生成物。 /第2圖係第！圖所示的排氣洗淨部3〇的側面圖，第3 圖係第1圖所示的排氣洗淨部3〇的正面圖。如第2圖及第 固所示’排軋洗淨部30係具備有形成氣體流通路徑32 -土。卩構件31、以及配置在氣體流通路徑3 2内的第一霧 ，噴嘴33A、第一水膜喷嘴33B、第二霧氣喷嘴34A、以及 第二水膜噴嘴34B。這些霧氣喷嘴33A、34A與水膜喷嘴 320399 9 200914117 33B、34B係位於氣體流通路徑32的中 成直線狀。第一霧氣喷喈 大略排列 第-喷嘴單元33,第一水臈噴嘴咖係構成 ㈣^鳴34A與第二水膜嘴嘴⑽ '、鳥早兀34。因此，在本實施形態中，設置有 兩組喷嘴單元33、34。此外 $ °又置有 置三組以上。 贺…亦可設置-組或設 第-霧氣喷嘴咖係配置成比第 近排氣的流通方向的上游、角J兆遇接 Π旳上游側。同樣地，第二霧氣 亦配置成比第二水膜噴嘴⑽還接近上游側。亦即，霧氣 Μ與水膜喷嘴係交互配置。霧氣喷嘴咖、34a、水膜嘴 嘴33B、34B、以及壁部構件31係由耐腐蝕 例如 pvc :聚氯乙烯）所構成。 第-霧氣喷嘴33A與第二霧氣喷嘴34A係彼此具有相 同的構成及尺寸，而第—水膜喷嘴33β與第二水膜喷嘴 34B係彼此具有相同的構成及尺寸。因此，以下僅針對第 一霧氣喷嘴33A及第一水膜噴嘴33B來詳細說明。

第4A圖係霧氣噴嘴的側面圖，第㈣係霧氣喷嘴的 底面圖。如第4A圖及第4B圖所示，霧氣噴嘴33A係具有 複數個（在本實施形態中為七個）噴霧喷嘴35。在第#圖 及第4B圖中僅顯示一部分的噴霧喷嘴35。噴霧喷嘴犯係 朝下方配置成放射狀。將配置在中央部的喷霧喷嘴％作為 中心而對稱配置的任兩個喷霧噴嘴35的角度為12〇度。霧 乳係從各贺霧喷嘴35的前端被喷霧出。霧氣係由已微粒子 化的水粒所構成，各水粒的直徑約1〇〇//m。從霧氣喷嘴33A 320399 10 200914117 » 所噴霧出的霧氣會滞留於氣體流通路手 .通，32内與朝上方流通的排氣接觸：’亚在讀流 • ® 5A @係水膜嘴嘴的側面圖 底面圖。如第5A圖及第5B__ ㈣水膜贺鳴的 外喑喈、R傲由+ 圖所不，水膜噴嘴33B係具有 卜寊嘴36與中央喷嘴37。水 喈 的間隙進行噴射。中央喷嘴36與中央喷嘴37 、I角d 7的上面3 7 a係呈蠻曲匕备 =二Μ嘴射，藉此於全周方向形成水膜。水膜係 來形ί Γ:隱件31的内面而堵塞氣體流通路徑3 2的方式 來形成（麥照第1圖）。 八 =第:霧氣噴嘴33Α的上游側配置有將排氣的 =整>现之整流構件4〇。整流構件4〇會產生排氣的壓力損 失’而將氣體流通路徑32中的排氣流通予以均勻化 ::酸造成的腐蝕，整流構件4。較佳為由金屬以外的材料 構成。作為整流構件4〇的例子，可列舉由樹輯構成的 不織材或形成有複數個開孔的樹脂板。 ^於整流構件40的上游側配置有霧氣噴嘴41。第6Α圖 係霧氣喷嘴41白勺側面圖，帛6Β圖係霧氣嘴嘴41的底: 圖。如第6Α圖及第6Β圖所示，霧氣喷嘴41基本上係與第 4Α圖及帛4Β圖所示的霧氣喷嘴33Α為相同的構成。然而， 將配置在中央部的喷霧喷嘴42作為中心而對稱配置的任 兩個喷霧喷嘴42的角度係變成60度。 霧氣噴嘴33Α、34Α、41以及水膜噴嘴33Β、34Β係經 由凸緣（flange)44而安裝至壁部構件31。在保養霧氣噴嘴 33A、34A、41以及水膜喷嘴33B、34B時，係將凸緣從壁 320399 11 200914117 ♦ 彳氣噴嘴或水膜喷嘴從氣體流通路徑 • 4Γ 亦可從氣體流通路徑32取出整流構件 曾如第=所示’排氣係從設置在排氣洗淨部利下 ¥入口 45導入至排氣洗淨部3〇的内部 地流通於排氣洗淨部30内。詳細而言，首而上 :5所導入的排氣係藉由設置在排氣洗淨部3。内：= 板46而朝向霧氣噴嘴41 〇接 丨引 (嘴排亂會通過#由霧氣噴 零、並藉由整流構件4〇予以整流。通過 “構件40的排氣會形成均句的氣流，並低速地於氣體产 f路控32中上升。在氣體流通路徑Μ中依序形成霧氣 水膜、霧氣、水膜（參照第1圖）。 、 排孔中所含有之直徑未滿1/zm的微小粉 散作用·(布勞恩運動）而容易附著於構成霧氣的水粒因= ，捕捉於霧氣。直徑i"以上的粉塵，大多數亦同樣會被 I水粒捕捉。由於水粒的直徑約為1〇〇㈣，因此外觀上附著 於該水粒的粉塵的尺寸（直徑）會變大。因此，含有粉塵的 水粒會因為慣性衝突而容易碰撞下游側的水膜，因此水粒 與粉塵會從排氣被去除。未被霧氣捕捉之直徑較大的粉塵 ^同樣會被水膜捕捉而被去除。以如此方式被水洗淨的排 氣會從排出口 47排出。 已知當粉塵的直徑未滿1時，會難以產生與水膜的 慣性衝突。依據本實施形態，由於直徑未滿1//〇]的粉塵會 因為擴散作用（布勞恩運動）而容易附著於水粒，因此大部 320399 12 200914117 » =微小粉塵會被水粒捕捉。由於捕捉到粉塵的水粒且有

Am還大的直徑，因此容易產生與水膜的慣性衝突。從 ’水粒容易被水膜捕捉。 a流通於氣體流通路徑32的排氣流速較佳為緩慢者 ^•日1會髮長，因此粉塵的去除率會變高之故。依據 點’氣姻料徑32的❹積以較大為宜。在氣體流 路U2内’水膜係形成於霧氣的上方。因此，水膜係且 =為霧氣的保護膜或傘般的作用，以保護霧氣不受上方 ：；：：：：：^ 第^所示’上述循環槽2G係位於排氣洗淨部30 所似。從霧氣喷嘴33A、3M、41以及水膜嗔嘴33β、34Β 斤t、'、、5的水會回收至循環槽2〇的第二槽2〇β 一 槽_水，由循環W供至霧氣噴嘴咖 :乂及水胰噴嘴33Β、34Β。在循環泵ρ與排氣洗淨部3〇 ^間配置有熱交換器49。在熱交換器49令，會在冷卻水 ^環水（來自循環槽2G的水）之間騎熱交換，使猶環水 :皮冷部。冷卻後的循環水會被供給至霧氣噴嘴及水膜噴 嘴：同時，循環水會作為水W1而導入至加熱處理部、 =室12的上部’並如上所述在燃燒室12的内面形成水 如上所述，供給至霧氣嘖喈^ q 務虱贸為33A、34A以及水膜喷嘴 編B的水為回收至循環槽2〇的水，且水中含有粉塵:副 320399 13 200914117 生成物等）。因此，為了洗淨_流通師 -從配置在排出口 47(參照第2圖 二 係構成為 -5 0將自來水供給至氣體流通 ^上方的淋浴喷嘴 設置有霧氣捕獲部51。霧氣捕獲部嘴5。上方 個阻擔板，以捕捉通過排出口仏二的内部係具有複數 無害化的排氣最後會排放至大氣中 如此’經處理而 在循環槽20設置有水位咸測哭ς 龄視第…nR 水位感測器55係 ::第一槽m的水位’且當第二槽20β的水位預定 開啟闕Π使第二槽20β的水排出。此外，藉由循環 泵Ρ所移送的水的一部分會從循 丨刀㈢攸循％槽20的侧部流入第一槽 20Ail入的水會將堆積在第— * 至堤以之侧1此，防止二陶生成物沖刷 ^然垸至12的下端開口部因為副 在循環槽2。的下方配置有崎測器56, 係廉視循環槽2〇是否漏水。.. 一立第目係貝示本發明第二實施形態的排氣洗淨裝置的 不:各圖。由於未說明的本實施形態的構成與上述第一實施 形同’因此省略重複的說明。如第7圖所示，在本實 施!! Γ的排氣洗淨裝置中’係沿著氣體流通路徑3 2依序配 置務氣嘴嘴36、水膜喷嘴37、霧氣喷嘴36、水膜噴嘴37、 以及水膜貝嘴37。在此排氣洗淨裝置中未設置整流構件。· 此外第7圖所示的霧氣喷嘴36及水膜喷嘴37係分別與 第4Α圖與第4β圖所示的霧氣噴嘴以及第5Α圖與第5Β圖 所示的水膜噴嘴為相同的構成。 接著，參照第8圖說明使用上述第一及第二實施形態 320399 14 200914117 的排氣洗淨裝置所進行的實驗結果。 s圖係顯示使用上述各實施形態的排氣洗淨裝置來 去除排氣中㈣塵之實驗結果表，該實驗結果表包含有做 ，施形態的比較例而進行的實驗結果。第9圖係顯示 使用於弟8圖所示的比較例的實驗之排氣洗淨裝置的示音、 二如圖所示，在該拼氣洗淨裝置中，係沿著讓 62配置三個水膜喷嘴⑽，但未設置霧氣喷嘴及整 流構件。 第8圖所示的各實驗結果係分別使用第3圖、第7圖、 =及第9圖所示的排氣洗淨裝置作為第1圖所示的排氣處 奉統的排氣洗㈣置而進行者。實驗條件為··被處理氣 為= :(s瓜):0.2slm、以及稀釋氮氣：，·做 為處理火W成用燃料者係供給都市氣體（i3A)饥/ 及氧氣·· 21L/min。以此條件進行粉塵去除，並調 j 率。當將假設流人至排氣洗淨裝置㈣烧全 部變成Si 〇2時的粉應，、t _ a 一 濃度WL)所淨裝置所排出的粉塵 刚來表示。\ δ^χ時’粉塵的去除率係以（H)x 粉塵!9圖所_紐淨裝置來進行 去除只鲂。結果如第8圖所示去 73.0%。在實_ 2 〕去除羊為 來進行粉塵去除、 ：：：弟圖所示的排氣洗淨裝置 排氣洗淨裝置來進行去二;:”圖及第3圖所示的 适仃杨塵去除貧驗。.結果如第8圖所示， 320399 15 200914117 粉塵的去除率為87.3%。在實驗例1所獲得的數值係與使 用風扇洗氣器時的粉塵去除率87. 4%大致相等。從這些實 驗結果可知，藉由交互配置霧氣喷嘴與水膜喷嘴，可在排 氣先淨裝置中獲得咼粉塵去除率。再者，可知藉由設置整 L構件將排氣的流速予以均勻化及低速化，能進一步提高 粉塵去除率。 在上述貝施形態中，成為處理對象的排氣會從半導體 ^置或液晶顯示器等之製造裝置排出、且為含有矽烷或雙 矽烷之排氣。然而，成為本發明處理對象的排氣並未限定 ; 亦可將本發明的排氣洗淨裝置配置於加熱處理部的 、字側以下，參照第1 〇圖說明將上述排氣洗淨裝置配置 在加熱處理部的上游側之例。 在半導體裝置的烟製程中，一般使用含有氣的氣體 祕SFe、CHF3、C2p6、CF4)。含有氟的氣體係難分 的孔體’而成為地球溫暖化的原目。因此，無法將蝕 =置所排出的排氣直接排放至大氣中。第10圖所示的排 乳處；系統係處理含有_體的排氣之系統。 1G圖所？的排氣處理系統係具備有本發明第-實 的力乂 排H㈣3G、連結至排氣洗淨部30之觸媒式 70 理部（排氣處理裝置）7〇、以及連結至加熱處理部 之k性氣體處理部（水嘖 4貝/鹿b)8〇。排氣洗淨部30係配 理部7。的上游側，而加熱處理部7。係配 酉夂性軋體處理部80的上飧彳日，丨tL , 的第- ~ ^ 游側。此外，亦可使用第7圖所示 弟㈣的排氣洗淨裝置來取代第—實施形態的排 320399 16 200914117 氣洗淨裝置。 ' 加熱處理部70係佶用鈣上甘十士 ., 使用觸媒來處理排氣之排氣處理裝 ° 處理部70係具有圓筒狀的管柱Ή、 配置在管柱71内的觸姐爲7〇 圆π㈣吕柱71 的加熱器73。加^ 以及安裝在管柱71外周面 73係將觸媒層72加熱至600t至9〇〇 c的服度纟讀71内供給有H”Q2 以作為分解辅助氣體。 r妁至夕種 2猎此使上述含㈣的氣體被分解成酸性氣體與⑽。 ，、中，r-氧化鋁係適用於作為觸媒層72的觸媒。 箄由於藉由㈣去除絕緣膜（例如Si〇2) 裝置所排出的排氣中除了含有上述含氣的 :體之外，亦,有二氧化矽(Si〇2)等微小的粉塵。當將含 m 79, 至觸媒層72 w，粉塵會被觸媒 捕捉，一段時間後會將觸媒層72閉塞。因此，在以 部^進行處理之前’先將排氣導入至排氣洗淨部 猎排乱洗#部30將微小粉塵從排氣中去除。藉此， 在下游側的加熱處理部7G中，防止粉塵造成之閉塞。已通 過觸媒層72的錢會被來自喷㈣嘴乃的冷卻水冷卻， 並導入至酸性氣體處理部8〇。 酸性I體處理部（水噴灑塔）δ()係具有將水喷灑至排 喷嘴81。藉由來自喷灑嘴嘴81的水’將酸性氣 攸排乳中去除。經此處理後的排氣會成為完成益宝化 理的氣體而排放至大氣中。從喷灑喷嘴81所供給的ς在藉 由粟Ρ供給至加熱處理部7G及排氣洗淨部30後，會被排 320399 17 200914117 c 出。

此外， 式的排氣處. 熱管柱内對 置。 以上雖已說明本發明的實施形態， 於上述實施形態，在申請專利範圍、說明書、 但本發明並未限定 明書、以及附圖所 記載的技術思想的範圍内可進行各種的變形。 (產業上的可利用性） 本發明的排氣洗淨裝置係可應用於處理半導體裝置戋 液晶顯示器的製造裝置所排出的排氣之處理系統。 【圖式簡單說明】 ，第1圖係顯示包含有本發明的第—實施形態的排氣洗 淨震覃的排氣處理系統之示意圖。 第2圖係顯示第丨圖所示的排氣洗淨部的側面圖。 第3圖係顯示第丨圖所示的排氣洗淨部的正面圖。 第4A圖係霧氣喷嘴的侧面圖。 第4B圖係霧氣喷嘴的底面圖。 第5 Α圖係水膜喷嘴的側面圖。 第5B圖係水膜喷嘴的底面圖。 第6 Α圖係霧.氣喷嘴的側面圖。 第6B圖係霧氣喷嘴的底面圖。 第7圖係顯示本發明的第二實施形態的排氣洗淨裝置 的示意圖。 18 320399 200914117 第8圖係顯示使用包含有本發 態的排氣洗淨裳置的排氣處理I 及弟二實施形 實驗結果表。去除排氣中的粉塵之 第9圖係顯示使用第7圖所 洗淨裝置的示意圖。 軏例的貫驗之排氧 第10圖係顯示包含有本發明的第—實尸 夺羞置之其他的排氣處理系統的示意圖。 【主要元件符號說明】 燃燒器 12 燃燒室 旁路閥（三方閥） 16 預混合器 循環槽 20A 第一槽 第二槽 21 堤 冷卻部 26 配管- 10、70加熱處理部（排氣處理 11 15 20

20B 25 30 31 33 第一喷嘴單 33β 第一水膜喷嘴 Μα 第二霧氣喷嘴 35、42喷霧噴嘴 37 中央喷嘴 40 整流構件 44 凸緣 排氣洗淨部（排氣洗淨裝置） 壁部構件 32、62氣體流通路徑 元 33Α 34 34Β 36 37 a 41 45 第一霧氣嘴嘴 弟一喷嘴單元 第二水膜嘴嘴 外喷嘴 中央喷嘴的上靣 霧氣喷嘴 導入口 320399 19 200914117 46 導引板 47 排出口 -49 熱交換器 50 淋浴喷嘴 .51 霧氣捕獲部 55 水位感測器 60 水膜喷嘴 71 管柱 72 觸媒層 73 加熱器 80 酸性氣體處理部（水喷灑塔） F 水膜 P 循環泵 W1 水 W2 冷卻水 20 320399

Claims (1)

1. 200914117 十、申請專利範園·· .1. 一種排氣洗淨裝置，係具備有： 流通路徑；以 及 壁部構件，係形成供排氣流通的氣 流通=7=氣嫩水膜喷嘴’係配置於前糊 别述霧氣嘴嘴係於前述氣體流通路徑内开κ. ΐ述水膜喷嘴係於前述氣體流通路徑内形成：：: 别迷霧氣喷嘴係配置成比前述 接關 於排氣流通方向的上游側。 货島還接近關 2. 如申請專利範圍第1項之排氣洗淨裳置，其中 水膜^霧氣嗔嘴及水膜喷嘴係複數組的霧氣噴嘴及 氣體流通霧氣噴嘴及水膜㈣係沿著前述 3. : 了:專利範圍第丨項之排氣洗淨裝置，其中，於前述 嘴嘴及水膜噴嘴的上游側配置有將排氣 之乳/玑予以整流之整流構件。 4 · 種排氣處理系統，係具備有： 申請專利範圍第i i3項中任一項之排氣洗淨裝 Μ及連結至前述排氣洗淨襄置的排氣處理裝置。 .，申請專利範圍第4項之排氣處理系統，其中，前㈣ 乳處理裝置係燃燒式、觸媒式、以及加熱器式中的任一 種〇 . . 320399 21