JP2009018290A - 排ガス洗浄装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】排ガスに含まれる微小な粉塵を高効率で除去することができるスプレータイプの排ガス洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明の排ガス洗浄装置は、排ガスが流れるガス流路32を形成する壁部材31と、ガス流路32に配置されたミストノズル33A及び水膜ノズル33Bとを備える。ミストノズル33Aは、ガス流路32内にミストを形成し、水膜ノズル33Bは、ガス流路32内に水膜を形成する。ミストノズル33Aは水膜ノズル33Bよりも、排ガスの流れ方向に関して上流側に配置されている。複数組のミストノズルおよび水膜ノズルを備えてもよい。
【選択図】図2

Description

本発明は、排ガスに含まれる微小な粉塵を除去する排ガス洗浄装置に関し、特に半導体デバイスや液晶パネルの製造装置から排出される排ガスを処理する処理システムに好適に用いられる排ガス洗浄装置に関するものである。
半導体デバイスや液晶パネルの製造装置からは、シラン(SiH)等を含む排ガスが排出される。シランは有害可燃ガスであるため、これら製造装置からの排ガスをそのまま大気に放出することはできない。そこで、排ガスを処理システムに導いて、排ガスに含まれるシランを酸化分解して無害化することが一般に行われている。
この種の処理システムとしては、排ガスを燃焼処理する燃焼処理部と、この燃焼処理部で生成された副生成物を排ガスから除去するガス洗浄部とを備えた構成が知られている(特許文献1参照)。排ガスは、まず燃焼処理部に導かれ、燃焼処理部内に形成された火炎により排ガス中のシランが酸化分解される。シランを酸化分解すると、副生成物としてSiO(シリカ)が生成される。排ガスは次にガス洗浄部に導かれ、ここで排ガス中の副生成物が除去される。特許文献1に開示されているシステムでは、ガス洗浄部としてファンスクラバが用いられている。このファンスクラバは、ケーシング内に水を供給しつつ羽根車を回転させることにより、気液接触させ、排ガスから副生成物を除去する。
特許文献2は、半導体デバイス製造装置(特に、ドライエッチング装置)から排出される排ガスに含まれるフッ素化合物(NF,ClF,SF,CHF,C,CF)を触媒層を用いて処理する処理システムを開示する。この処理システムでは、触媒層の上流側にスプレータイプのガス洗浄装置(水スプレー塔)が配置され、この水スプレー塔により排ガスを洗浄し、排ガス中のシリカなどの微細な粉塵を除去する。
特開2003−251130号公報 特開2001−293335号公報
上記排ガス中に存在する粉塵は極めて微小であり、その直径が1μm未満のものもある。ファンスクラバは、微小な粉塵を高効率で除去することができるガス洗浄装置として知られている。しかしながら、ファンスクラバは、スプレータイプのガス洗浄装置に比べて構造が複雑で高価である。また、ファンスクラバは、羽根車の駆動源としてモータを使用するため電力を必要とし、ランニングコストが高くなる。一方、スプレータイプのガス洗浄装置では、サブミクロンオーダーの微小な粉塵を除去することが難しく、粉塵の除去率が低いという問題があった。
本発明は、上述した従来の問題点に鑑みてなされたもので、排ガスに含まれる微小な粉塵を高効率で除去することができるスプレータイプの排ガス洗浄装置を提供することを目的とする。
上述した目的を達成するために、本発明の一態様は、排ガスが流れるガス流路を形成する壁部材と、前記ガス流路に配置された少なくとも1組のミストノズル及び水膜ノズルとを備え、前記ミストノズルは、前記ガス流路内にミストを形成し、前記水膜ノズルは、前記ガス流路内に水膜を形成し、前記ミストノズルは前記水膜ノズルよりも、排ガスの流れ方向に関して上流側に配置されていることを特徴とする排ガス洗浄装置である。
本発明の好ましい態様は、前記ミストノズル及び水膜ノズルは、複数組のミストノズル及び水膜ノズルであり、複数組のミストノズル及び水膜ノズルは、前記ガス流路に沿って配置されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記少なくとも1組のミストノズル及び水膜ノズルの上流側に、排ガスの流れを整流する整流部材を配置したことを特徴とする。
本発明の他の態様は、上記排ガス洗浄装置と、前記排ガス洗浄装置に連結された排ガス処理装置とを備えたことを特徴とする排ガス処理システムである。
本発明の好ましい態様は、前記排ガス処理装置は、燃焼式、触媒式、ヒーター式のいずれかであることを特徴とする。
本発明によれば、排ガス中の微小な粉塵は、拡散作用(ブラウン運動)によりミストに容易に付着し、このミストは水膜との接触(慣性衝突)により排ガスから除去される。すなわち、微小な粉塵はミストに捕捉されることにより、見かけ上のサイズが大きくなる。したがって、水膜ノズルにより形成された水膜に接触しやすくなる。その結果、微小な粉塵を高効率で排ガスから除去することができる。
以下、本発明の実施形態について、添付図面を参照して説明する。なお、各図中、同一の作用または機能を有する部材または要素には、同一の符号を付して説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る排ガス洗浄装置を含む排ガス処理システムを示す模式図である。図1に示すように、排ガス処理システムは、排ガスを燃焼して酸化分解する燃焼式の加熱処理部(排ガス処理装置)10と、この加熱処理部10の後段に配置された排ガス洗浄部(本発明の一実施形態に係る排ガス洗浄装置)30とを備えている。加熱処理部10は、排ガスを燃焼する燃焼室12と、燃焼室12に旋回する火炎を形成するバーナー11とを有している。排ガスは、バイパス弁(三方弁)15を通じて加熱処理部10に供給される。排ガス処理システムに不具合がある場合には、このバイパス弁15が操作され、排ガスが排ガス処理システムに導入されずに、図示しないバイパス管に送られるようになっている。
燃料と酸素とは予め予混合器16で混合されて混合燃料が形成され、この混合燃料がバーナー11に供給されるようになっている。また、排ガスを燃焼(酸化)させるための酸素源となる空気がバーナー11に供給される。バーナー11は混合燃料を燃やして燃焼室12に旋回炎を形成し、この旋回炎により排ガスを燃焼させる。バーナー11の内部には図示しないUVセンサが配置されており、このUVセンサにより旋回炎が正常に形成されているかどうかが監視されている。UVセンサの周囲には空気および窒素がパージガスとして供給されている。燃焼室12の上部には水W1が供給されている。この水W1は燃焼室12の内面に沿って流下し、燃焼室12の内面に水膜Fを形成する。この水膜Fにより、旋回炎の熱から燃焼室12が保護される。また、バーナー11と燃焼室12との間には、バーナー11を冷却するための冷却水W2が流れる図示しない冷却水路が設けられている。
バーナー11を通って燃焼室12に導入された排ガスは、旋回炎により燃焼される。これにより、排ガスに含まれるシランやジシランなど可燃性ガスが酸化分解される。このとき、可燃性ガスの燃焼に伴い、副生成物としてシリカ(SiO)が生成される。このシリカは微小な粉塵として排ガス中に存在する。
このような副生成物の一部は、バーナー11や燃焼室12の内面に堆積する。そこで、加熱処理部10は、図示しないスクレーパを定期的に操作して、バーナー11や燃焼室12の内面に堆積した副生成物を掻き落とすように構成されている。燃焼室12の下方には循環タンク20が配置されている。循環タンク20の内部には堰21が設けられており、この堰21によって上流側の第1の槽20Aと下流側の第2の槽20Bとに区画されている。スクレーパにより掻き落とされた副生成物は、第1の槽20Aの底部に堆積する。また、燃焼室12の内面を流下した水膜Fは第1の槽20Aに流入する。第1の槽20Aの水は、堰21をオーバーフローして第2の槽20Bに流れ込むようになっている。
燃焼室12は冷却部25を介して排ガス洗浄部30と連通している。この冷却部25は、燃焼室12に向かって延びる配管26と、この配管26内に配置されたスプレーノズル27とを有している。スプレーノズル27は、配管26を流れる排ガスに対向するように水を噴射する。したがって、加熱処理部10により処理された排ガスは、スプレーノズル27から噴射される水によって冷却される。水は、配管26を通って循環タンク20に回収されるようになっている。
冷却された排ガスは、次に排ガス洗浄部30に導入される。この排ガス洗浄部30は、水により排ガスを洗浄し、排ガスに含まれる微小な粉塵を除去する装置である。この粉塵は、主として、加熱処理部10での酸化分解(燃焼処理)により生成された副生成物である。
図2は図1に示す排ガス洗浄部30の側面図であり、図3は図1に示す排ガス洗浄部30の正面図である。図2および図3に示すように、排ガス洗浄部30は、ガス流路32を形成する壁部材31と、ガス流路32内に配置される第1のミストノズル33A、第1の水膜ノズル33B、第2のミストノズル34A、および第2の水膜ノズル34Bとを備えている。これらミストノズル33A,34A及び水膜ノズル33B,34Bは、ガス流路32の中心部に位置し、略直線状に配列されている。第1のミストノズル33Aおよび第1の水膜ノズル33Bは第1のノズルユニット33を構成し、第2のミストノズル34Aおよび第2の水膜ノズル34Bは第2のノズルユニット34を構成する。したがって、本実施形態では、2組のノズルユニット33,34が設けられている。なお、ノズルユニットは1組でもよく、3組以上のノズルユニットを設けてもよい。
第1のミストノズル33Aは、第1の水膜ノズル33Bよりも、排ガスの流れ方向において上流側に配置されている。同様に、第2のミストノズル34Aは、第2の水膜ノズル34Bよりも上流側に配置されている。すなわち、ミストノズルと水膜ノズルとが交互に配置されている。ミストノズル33A,34A、水膜ノズル33B,34B、壁部材31は、耐腐食性のある樹脂(例えばPVC:ポリ塩化ビニル)から構成されている。
第1のミストノズル33Aおよび第2のミストノズル34Aは、互いに同一の構成およびサイズを有しており、第1の水膜ノズル33Bおよび第2の水膜ノズル34Bは、互いに同一の構成およびサイズを有している。したがって、以下、第1のミストノズル33Aおよび第1の水膜ノズル33Bについてのみ詳細に説明する。
図4(a)はミストノズルの側面図であり、図4(b)はミストノズルの底面図である。図4(a)及び図4(b)に示すように、ミストノズル33Aは複数の(本実施形態では7つの)噴霧ノズル35を有している。なお、図4(a)及び図4(b)では、一部の噴霧ノズル35のみを示している。噴霧ノズル35は放射状に配列され、下方を向いている。中央部に配置される噴霧ノズル35を中心として対称に配置されるいずれか2つの噴霧ノズル35のなす角度は120度である。ミストは各噴霧ノズル35の先端から噴霧される。ミストは微粒子化した水粒から構成されており、各水粒の直径は約100μmである。ミストノズル33Aから噴霧されたミストは、ガス流路32内に滞留し、ガス流路32内を上方に流れる排ガスと接触する。
図5(a)は水膜ノズルの側面図であり、図5(b)は水膜ノズルの底面図である。図5(a)及び図5(b)に示すように、水膜ノズル33Bは、アウターノズル36とセンターノズル37とを有している。水はアウターノズル36とセンターノズル37とのすき間から噴射される。センターノズル37の上面37aは湾曲しており、この上面37aに沿って水が噴射されることで、全周方向に水膜が形成される。水膜は壁部材31の内面に到達し、ガス流路32を塞ぐように形成される(図1参照)。
第1のミストノズル33Aの上流側には、排ガスの流れを整流する整流部材40が配置されている。この整流部材40は、排ガスの圧力損失を生じさせて、ガス流路32中の排ガスの流れを均一にする。整流部材40は、酸による腐食を防ぐために、金属以外の材料で構成されていることが望ましい。整流部材40の例として、樹脂で構成された不織材や、複数の開孔が形成された樹脂プレートが挙げられる。
整流部材40の上流側には、ミストノズル41が配置されている。図6(a)はミストノズル41の側面図であり、図6(b)はミストノズル41の底面図である。図6(a)及び図6(b)に示すように、このミストノズル41は、図4(a)及び図4(b)に示すミストノズル33Aと基本的に同一の構成である。ただし、中央部に配置される噴霧ノズル42を中心として対称に配置されるいずれか2つの噴霧ノズル42のなす角度は60度となっている。
ミストノズル33A,34A,41および水膜ノズル33B,34Bは、フランジ44を介して壁部材31に取り付けられている。ミストノズル33A,34A,41および水膜ノズル33B,34Bをメンテナンスするときは、フランジ44を壁部材31から取り外し、ミストノズルまたは水膜ノズルをガス流路32から取り出す。同様に、整流部材40も、ガス流路32から取り出すことが可能となっている。
図3に示すように、排ガスは、排ガス洗浄部30の下部に設けられた導入ポート45から排ガス洗浄部30の内部に導入される。排ガスは、排ガス洗浄部30内を下から上に流れる。より詳しくは、導入ポート45から導入された排ガスは、まず、排ガス洗浄部30の内部に設けられた案内板46によりミストノズル41に向かう。そして、排ガスは、ミストノズル41により形成されたミストを通過し、整流部材40により整流される。整流部材40を通過した排ガスは均一な流れを形成し、ガス流路32を低速で上昇する。ガス流路32には、ミスト、水膜、ミスト、及び水膜がこの順に形成されている(図1参照)。
排ガスに含まれている直径1μm未満の微小な粉塵は、拡散作用(ブラウン運動)により、ミストを構成する水粒に容易に付着し、これによりミストに捕捉される。直径1μm以上の粉塵も、その多くは同様に水粒に捕捉される。水粒の径は約100μmであるので、この水粒に付着した粉塵のサイズ(径)は見かけ上大きくなる。したがって、粉塵を含む水粒は、下流側の水膜に慣性衝突により容易にぶつかり、水粒とともに粉塵は排ガスから除去される。ミスト捕捉されなかった比較的径の大きい粉塵も、同様にして水膜に捕捉され、除去される。このようにして水により洗浄された排ガスは、排出ポート47から排出される。
水膜との慣性衝突は、粉塵の径が1μm未満であると起こりにくいことが分かっている。本実施形態によれば、径が1μm未満の粉塵は、拡散作用(ブラウン運動)により水粒に付着しやすいので、微小な粉塵の多くは水粒に捕捉される。粉塵を捕捉した水粒は1μmよりも大きな径を有するので、水膜との慣性衝突が起こりやすくなる。したがって、水粒は水膜に容易に捕捉される。
ガス流路32を流れる排ガスの流速は遅いほうが好ましい。これは、排ガスの流速が遅いと、排ガス中に含まれる粉塵とミストとの接触時間が長くなり、結果として粉塵の除去率が高くなるからである。このような観点から、ガス流路32の断面積は大きい方が好ましい。ガス流路32内では、水膜はミストの上方に形成されている。したがって、水膜は、ミストの保護膜または傘のような役割を担い、上方から落ちてくる水滴からミストを保護する。その結果、水滴によるミストの崩壊が防止され、粉塵の除去率が向上する。
図1に示すように、排ガス洗浄部30の下方には、上述した循環タンク20が位置している。ミストノズル33A,34A,41および水膜ノズル33B,34Bから供給された水は、循環タンク20の第2の槽20Bに回収される。第2の槽20Bに貯留された水は、循環ポンプPによりミストノズル33A,34A,41および水膜ノズル33B,34Bに供給される。循環ポンプPと排ガス洗浄部30との間には熱交換器49が配置されている。この熱交換器49では、冷却水と循環水(循環タンク20からの水)との間で熱交換が行われ、循環水が冷却される。冷却された循環水は、ミストノズルおよび水膜ノズルに供給される。同時に、循環水は、水W1として加熱処理部10の燃焼室12の上部に送られ、上述したように、燃焼室12の内面に水膜Fを形成する。
上述のように、ミストノズル33A,34Aおよび水膜ノズル33B,34Bに供給される水は、循環タンク20に回収された水であり、粉塵(副生成物など)を含んでいる。したがって、ガス流路32を洗浄するために、排出ポート47(図2および図3参照)の上方に配置されたシャワーノズル50から市水がガス流路32に供給されるようになっている。シャワーノズル50の上方には、ミストトラップ51が設けられている。このミストトラップ51は、その内部に複数の邪魔板を有しており、排出ポート47を通り抜けたミストを捕捉する。このようにして、処理されて無害化された排ガスは、最終的に大気に放出される。
循環タンク20には水位センサ55が設けられている。この水位センサ55は第2の槽20Bの水位を監視し、第2の槽20Bの水位が所定の値を超えたときに、バルブV1を開いて第2の槽20Bの水を排出させる。また、循環ポンプPによって移送される水の一部は、循環タンク20の側部から第1の槽20Aに流入するようになっている。流入した水は、第1の槽20Aの底部に堆積した副生成物を堰21の方に押し流す。これにより、燃焼室12の下端開口部が副生成物によって閉塞してしまうことが防止される。循環タンク20の下方には漏洩センサ56が配置され、循環タンク20からの水漏れが監視されている。
図7は、本発明の第2の実施形態に係る排ガス洗浄装置を示す模式図である。なお、特に説明しない本実施形態の構成は上述した第1の実施形態と同様であるので、その重複する説明を省略する。本実施形態に係る排ガス洗浄装置では、図7に示すように、ミストノズル36、水膜ノズル37、ミストノズル36、水膜ノズル37、および水膜ノズル37が、この順にガス流路32に沿って配置されている。この排ガス洗浄装置には、整流部材は設けられていない。なお、図7に示すミストノズル36および水膜ノズル37は、図4(a)及び図4(b)に示すミストノズル、図5(a)及び図5(b)に示す水膜ノズルとそれぞれ同一の構成である。
次に、上述した第1及び第2の実施形態に係る排ガス洗浄装置を用いて行った実験結果について図8を参照して説明する。
図8は、上述した各実施形態に係る排ガス洗浄装置を用いて排ガス中の粉塵を除去した実験結果を示す表であり、本実施形態の比較例として行った実験結果を含んでいる。図9は、図8に示す比較例の実験に用いた排ガス洗浄装置を示す模式図である。この排ガス洗浄装置では、図8に示すように、ミストノズルおよび整流部材は設けられていなく、3つの水膜ノズル60がガス流路62に沿って配置されている。
図8に示す各実験結果は、図1に示す排ガス処理システムの排ガス洗浄装置として、それぞれ図3、図7、図9に示す排ガス洗浄装置を用いて行ったものである。実験条件としては、被処理ガスとして、シラン(SiH):0.2slm、および希釈窒素:170L/min、処理火炎形成用燃料として都市ガス(13A):13L/min、および酸素:21L/minを供給した。この条件のもとで粉塵除去を行い、粉塵の除去率を調べた。粉塵の除去率は、排ガス洗浄装置から排出される粉塵濃度(g/L)を、排ガス洗浄装置に流入したシランがすべてSiOになったと仮定したときの粉塵濃度で割った値をxとすると、(1−x)×100で表される。
比較例では、図9に示す排ガス洗浄装置を用いて粉塵除去実験を行った。その結果、図8に示すように、粉塵の除去率は73.0%であった。実験例2では、図7に示す排ガス洗浄装置を用いて粉塵除去実験を行った。その結果、図8に示すように、粉塵の除去率は83.4%であった。実験例1では、図2および図3に示す排ガス洗浄装置を用いて粉塵除去実験を行った。その結果、図8に示すように、粉塵の除去率は87.3%であった。この実験例1で得られた数値は、ファンスクラバを用いたときの粉塵除去率87.4%とほぼ同等である。これらの実験結果から、ミストノズルと水膜ノズルを交互に配置することにより、排ガス洗浄装置において、高い粉塵除去率が得られることが分かる。さらに、整流部材を設けて排ガスの流速を均一かつ低速にすることにより、粉塵除去率をより高めることができることが分かる。
上述した実施形態においては、処理対象となる排ガスは、半導体デバイスや液晶パネルなどの製造装置から排出される、シランやジシランを含む排ガスである。しかしながら、本発明の処理対象となる排ガスはこれに限られない。また、本発明に係る排ガス洗浄装置を加熱処理部の上流側に配置することもできる。以下、上述した排ガス洗浄装置を加熱処理部の上流側に配置した例について図10を参照して説明する。
半導体デバイスのエッチングプロセスでは、フッ素含有ガス(NF,ClF,SF,CHF,C,CF)が一般に使用されている。このフッ素含有ガスは難分解性のガスであり、地球温暖化の原因になるとされている。このため、エッチング装置から排出される排ガスを、そのまま大気に放出することができない。図10に示す排ガス処理システムは、このフッ素含有ガスを含んだ排ガスを処理するシステムである。
図10に示す排ガス処理システムは、本発明の第1の実施形態に係る排ガス洗浄部30と、この排ガス洗浄部30に連結される触媒式の加熱処理部(排ガス処理装置)70と、この加熱処理部70に連結される酸性ガス処理部(水スプレー塔)80とを備えている。排ガス洗浄部30は加熱処理部70の上流側に配置されており、加熱処理部70は酸性ガス処理部80の上流側に配置されている。なお、第1の実施形態に係る排ガス洗浄装置に代えて、図7に示す第2の実施形態に係る排ガス洗浄装置を用いることも可能である。
加熱処理部70は、触媒を用いて排ガスを処理する排ガス処理装置である。より詳しくは、加熱処理部70は、円筒状のカラム71と、カラム71内に配置された触媒層72と、カラム71の外周面に取り付けられたヒーター73とを有している。ヒーター73は触媒層72を600〜900℃の温度に加熱する。カラム71内には、分解補助ガスとして、H、O、HOの少なくとも1つが供給される。この状態で、排ガスを触媒層72に通過させることで、上述したフッ素含有ガスが酸性ガスとCOとに分解される。なお、触媒層72に用いられる触媒としては、γ−アルミナが好適である。
エッチングプロセスでは、絶縁膜(例えばSiO)などをエッチングにより除去するため、エッチング装置から排出される排ガスには、上述したフッ素含有ガスのほかに、シリカ(SiO)などの微小な粉塵が含まれている。このような粉塵を含む排ガスを直接触媒層72に導入すると、粉塵が触媒層72に捕捉され、やがて触媒層72を閉塞させてしまう。そこで、加熱処理部70で処理する前に、排ガスを排ガス洗浄部30に導入し、排ガス洗浄部30により微小な粉塵を排ガスから除去する。これにより、下流側の加熱処理部70では、粉塵による閉塞が防止される。触媒層72を通過した排ガスは、スプレーノズル75からの冷却水により冷却され、酸性ガス処理部80に導入される。
酸性ガス処理部(水スプレー塔)80は、排ガスに水をスプレーするスプレーノズル81を有している。このスプレーノズル81からの水により、排ガスから酸性ガスが除去される。このようにして処理された排ガスは、無害化された処理済みのガスとして大気に放出される。スプレーノズル81から供給された水は、ポンプPにより加熱処理部70および排ガス洗浄部30に供給された後、排出される。
なお、本発明の排ガス洗浄装置は、上述した燃焼式、触媒式の排ガス処理装置以外にも、電熱式ヒーターにより加熱カラム内で排ガスを加熱処理するヒーター式の排ガス処理装置と組み合わせることもできる。
以上本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲、及び明細書と図面に記載された技術的思想の範囲内において種々の変形が可能である。
本発明の第1の実施形態に係る排ガス洗浄装置を含む排ガス処理システムを示す模式図である。 図1に示す排ガス洗浄部の側面図である。 図1に示す排ガス洗浄部の正面図である。 図4(a)はミストノズルの側面図であり、図4(b)はミストノズルの底面図である。 図5(a)は水膜ノズルの側面図であり、図5(b)は水膜ノズルの底面図である。 図6(a)はミストノズルの側面図であり、図6(b)はミストノズルの底面図である。 本発明の第2の実施形態に係る排ガス洗浄装置を示す模式図である。 本発明の第1および第2の実施形態に係る排ガス洗浄装置を含む排ガス処理装置を用いて排ガス中の粉塵を除去した実験結果を示す表である。 図7に示す比較例の実験に用いた排ガス洗浄装置を示す模式図である。 本発明の第1の実施形態に係る排ガス洗浄装置を含む他の排ガス処理システムを示す模式図である。
符号の説明
10 燃焼式加熱処理部
11 バーナー
12 燃焼室
15 バイパス弁
16 予混合器
20 循環タンク
21 堰
25 冷却部
26 配管
27 スプレーノズル
30 排ガス洗浄部(排ガス洗浄装置)
31 壁部材
32 ガス流路
33A,34A,36 ミストノズル
33B,34B,37 水膜ノズル
35 噴霧ノズル
36 アウターノズル
37 センターノズル
40 整流部材
41 ミストノズル
42 噴霧ノズル
44 フランジ
45 導入ポート
46 案内板
47 排出ポート
49 熱交換器
50 シャワーノズル
51 ミストトラップ
55 水位センサ
56 漏洩センサ
70 触媒式加熱処理部
71 カラム
72 触媒層
73 ヒーター
75 スプレーノズル
80 酸性ガス処理部
81 スプレーノズル

Claims (5)

  1. 排ガスが流れるガス流路を形成する壁部材と、
    前記ガス流路に配置された少なくとも1組のミストノズル及び水膜ノズルとを備え、
    前記ミストノズルは、前記ガス流路内にミストを形成し、
    前記水膜ノズルは、前記ガス流路内に水膜を形成し、
    前記ミストノズルは前記水膜ノズルよりも、排ガスの流れ方向に関して上流側に配置されていることを特徴とする排ガス洗浄装置。
  2. 前記ミストノズル及び水膜ノズルは、複数組のミストノズル及び水膜ノズルであり、
    複数組のミストノズル及び水膜ノズルは、前記ガス流路に沿って配置されていることを特徴とする請求項1に記載の排ガス洗浄装置。
  3. 前記少なくとも1組のミストノズル及び水膜ノズルの上流側に、排ガスの流れを整流する整流部材を配置したことを特徴とする請求項1に記載の排ガス洗浄装置。
  4. 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の排ガス洗浄装置と、
    前記排ガス洗浄装置に連結された排ガス処理装置とを備えたことを特徴とする排ガス処理システム。
  5. 前記排ガス処理装置は、燃焼式、触媒式、ヒーター式のいずれかであることを特徴とする請求項4に記載の排ガス処理システム。
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