SG146534A1 - Method for the simultaneous grinding of a plurality of semiconductor wafers - Google Patents

Method for the simultaneous grinding of a plurality of semiconductor wafers

Info

Publication number
SG146534A1
SG146534A1 SG200801643-8A SG2008016438A SG146534A1 SG 146534 A1 SG146534 A1 SG 146534A1 SG 2008016438 A SG2008016438 A SG 2008016438A SG 146534 A1 SG146534 A1 SG 146534A1
Authority
SG
Singapore
Prior art keywords
working
semiconductor wafers
grinding
relates
gap
Prior art date
Application number
SG200801643-8A
Other languages
English (en)
Inventor
Georg Pietsch
Michael Kerstan
Heiko Aus Dem Spring
Original Assignee
Siltronic Ag
Wolters Peter Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE102007013058.0A external-priority patent/DE102007013058B4/de
Application filed by Siltronic Ag, Wolters Peter Gmbh filed Critical Siltronic Ag
Publication of SG146534A1 publication Critical patent/SG146534A1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/28—Work carriers for double side lapping of plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/12—Lapping plates for working plane surfaces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
SG200801643-8A 2007-03-19 2008-02-27 Method for the simultaneous grinding of a plurality of semiconductor wafers SG146534A1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007013058.0A DE102007013058B4 (de) 2007-03-19 2007-03-19 Verfahren zum gleichzeitigen Schleifen mehrerer Halbleiterscheiben

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SG146534A1 true SG146534A1 (en) 2008-10-30

Family

ID=39720334

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SG200801643-8A SG146534A1 (en) 2007-03-19 2008-02-27 Method for the simultaneous grinding of a plurality of semiconductor wafers

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8113913B2 (zh)
JP (1) JP5561910B2 (zh)
KR (3) KR100945755B1 (zh)
CN (3) CN101829948A (zh)
DE (2) DE102007056627B4 (zh)
SG (1) SG146534A1 (zh)
TW (1) TWI390619B (zh)

Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7930058B2 (en) * 2006-01-30 2011-04-19 Memc Electronic Materials, Inc. Nanotopography control and optimization using feedback from warp data
US7662023B2 (en) * 2006-01-30 2010-02-16 Memc Electronic Materials, Inc. Double side wafer grinder and methods for assessing workpiece nanotopology
JP2009039825A (ja) * 2007-08-09 2009-02-26 Fujitsu Ltd 研磨方法、基板及び電子機器の製造方法
DE102009038942B4 (de) * 2008-10-22 2022-06-23 Peter Wolters Gmbh Vorrichtung zur beidseitigen Bearbeitung von flachen Werkstücken sowie Verfahren zur gleichzeitigen beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung mehrerer Halbleiterscheiben
DE102008059044B4 (de) * 2008-11-26 2013-08-22 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe mit einer verspannt-relaxierten Si1-xGex-Schicht
DE102008063228A1 (de) * 2008-12-22 2010-06-24 Peter Wolters Gmbh Vorrichtung zur beidseitigen schleifenden Bearbeitung flacher Werkstücke
DE102008063227A1 (de) * 2008-12-22 2010-06-24 Peter Wolters Gmbh Verfahren zum Bearbeiten von Werkstücken in einer Doppelseitenbearbeitungsmaschine sowie Doppelseitenbearbeitungsmaschine
DE102009015878A1 (de) * 2009-04-01 2010-10-07 Peter Wolters Gmbh Verfahren zum materialabtragenden Bearbeiten von flachen Werkstücken
DE102009024125B4 (de) 2009-06-06 2023-07-27 Lapmaster Wolters Gmbh Verfahren zum Bearbeiten von flachen Werkstücken
DE102009025242B4 (de) * 2009-06-17 2013-05-23 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen chemischen Schleifen einer Halbleiterscheibe
DE102009051008B4 (de) * 2009-10-28 2013-05-23 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
KR101409738B1 (ko) * 2009-12-01 2014-07-02 가부시키가이샤 사무코 웨이퍼의 연마 방법
JP5424864B2 (ja) * 2009-12-28 2014-02-26 株式会社ディスコ 加工装置
DE102010005032B4 (de) * 2010-01-15 2012-03-29 Peter Wolters Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Position einer Arbeitsfläche einer Arbeitsscheibe
JP5056961B2 (ja) * 2010-02-01 2012-10-24 旭硝子株式会社 磁気記録媒体用ガラス基板及びその製造方法
JP5454180B2 (ja) * 2010-02-02 2014-03-26 旭硝子株式会社 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法及び磁気記録媒体用ガラス基板
DE102010032501B4 (de) 2010-07-28 2019-03-28 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abrichten der Arbeitsschichten einer Doppelseiten-Schleifvorrichtung
DE102010063179B4 (de) * 2010-12-15 2012-10-04 Siltronic Ag Verfahren zur gleichzeitigen Material abtragenden Bearbeitung beider Seiten mindestens dreier Halbleiterscheiben
US9707659B2 (en) * 2010-12-27 2017-07-18 Sumco Corporation Method and apparatus for polishing workpiece
DE102011003006B4 (de) * 2011-01-21 2013-02-07 Siltronic Ag Verfahren zur Bereitstellung jeweils einer ebenen Arbeitsschicht auf jeder der zwei Arbeitsscheiben einer Doppelseiten-Bearbeitungsvorrichtung
DE102011003008B4 (de) 2011-01-21 2018-07-12 Siltronic Ag Führungskäfig und Verfahren zur gleichzeitig beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung von Halbleiterscheiben
CN102172885B (zh) * 2011-01-31 2013-05-15 北京通美晶体技术有限公司 衬底的抛光装置及其抛光的衬底
US8545289B2 (en) * 2011-04-13 2013-10-01 Nanya Technology Corporation Distance monitoring device
JP5699783B2 (ja) * 2011-04-28 2015-04-15 株式会社Sumco ワークの研磨方法及び研磨装置
US20130017765A1 (en) * 2011-07-11 2013-01-17 3M Innovative Properties Company Lapping carrier and method of using the same
KR20140059776A (ko) 2011-07-12 2014-05-16 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 세라믹 형상화된 연마 입자의 제조 방법, 졸-겔 조성물, 및 세라믹 형상화된 연마 입자
KR101238839B1 (ko) 2011-08-16 2013-03-04 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 연마 장치
DE102011082857B4 (de) 2011-09-16 2020-02-20 Siltronic Ag Verfahren zur gleichzeitigen beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung wenigstens dreier Werkstücke
JP5333563B2 (ja) * 2011-11-10 2013-11-06 旭硝子株式会社 磁気記録媒体用ガラス基板および磁気記録媒体
JP2012033265A (ja) * 2011-11-14 2012-02-16 Asahi Glass Co Ltd 磁気記録媒体用ガラス基板及びその製造方法
DE102011089570A1 (de) * 2011-12-22 2013-06-27 Siltronic Ag Führungskäfig zum beidseitigen Schleifen von mindestens einem scheibenförmigen Werkstück zwischen zwei rotierenden Arbeitsscheiben einer Schleifvorrichtung, Verfahren zur Herstellung des Führungskäfigs und Verfahren zum gleichzeitigen beidseitigen Schleifen von scheibenförmigen Werkstücken unter Verwendung des Führungskäfigs
DE102012201465B4 (de) * 2012-02-01 2018-01-18 Wafios Ag Verfahren zum Schleifen von Federenden und Federendenschleifmaschine
CN103295593B (zh) * 2012-02-29 2019-03-26 新科实业有限公司 磁头滑块的制造方法及其制造装置
JP6196858B2 (ja) * 2012-09-24 2017-09-13 株式会社荏原製作所 研磨方法および研磨装置
DE102013201663B4 (de) * 2012-12-04 2020-04-23 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe
DE112013006059B4 (de) * 2012-12-18 2023-02-23 Globalwafers Co., Ltd. Doppelseiten-Poliermaschine mit einer Trägerplattenparallelitätssteuerung
DE102013202488B4 (de) 2013-02-15 2015-01-22 Siltronic Ag Verfahren zum Abrichten von Poliertüchern zur gleichzeitig beidseitigen Politur von Halbleiterscheiben
KR101458035B1 (ko) * 2013-02-25 2014-11-04 주식회사 엘지실트론 웨이퍼의 가공 장치 및 가공 방법
CN103847032B (zh) * 2014-03-20 2016-01-06 德清晶辉光电科技有限公司 一种大直径超薄石英晶片的生产工艺
KR101597209B1 (ko) * 2014-07-30 2016-02-24 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 연마 장치
JP6346833B2 (ja) * 2014-09-17 2018-06-20 株式会社ディスコ 被加工物の研削方法
CN104493684B (zh) * 2014-12-16 2016-10-05 天津大学 一种圆柱形零件研磨设备及其工件推进装置和研磨方法
CN104493689B (zh) * 2014-12-16 2017-01-11 天津大学 双盘直槽圆柱形零件表面研磨盘
JP6313251B2 (ja) * 2015-03-12 2018-04-18 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法
JP6304132B2 (ja) * 2015-06-12 2018-04-04 信越半導体株式会社 ワークの加工装置
CN105171536B (zh) * 2015-08-11 2017-10-17 上海华虹宏力半导体制造有限公司 化学机械研磨方法
JP6707831B2 (ja) * 2015-10-09 2020-06-10 株式会社Sumco 研削装置および研削方法
CN105514015B (zh) * 2015-12-23 2018-03-30 北京中电科电子装备有限公司 一种回转工作台装置及晶圆减薄机
DE102016102223A1 (de) * 2016-02-09 2017-08-10 Lapmaster Wolters Gmbh Doppel- oder Einseiten-Bearbeitungsmaschine und Verfahren zum Betreiben einer Doppel- oder Einseiten-Bearbeitungsmaschine
DE102016116012A1 (de) * 2016-08-29 2018-03-01 Lapmaster Wolters Gmbh Verfahren zum Messen der Dicke von flachen Werkstücken
KR101876838B1 (ko) * 2016-11-18 2018-08-09 일진디스플레이(주) 사파이어 웨이퍼 및 이를 제조하는 방법
US11453098B2 (en) * 2016-12-09 2022-09-27 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Carrier for double-side polishing apparatus, double-side polishing apparatus, and double-side polishing method
CN106739007B (zh) * 2017-01-12 2019-04-26 张彤 一种纤维缠绕铺层的工艺设备
CN106625237B (zh) * 2017-03-14 2019-03-08 重庆国际复合材料股份有限公司 一种棒料端面打磨抛光辅助装置
CN107097121B (zh) * 2017-07-04 2023-06-30 大连桑姆泰克工业部件有限公司 光学抛光装置及系统
CN109517385B (zh) * 2017-09-20 2021-03-12 江苏澳盛复合材料科技有限公司 一种碳纤维复合材料
DE102018202059A1 (de) * 2018-02-09 2019-08-14 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe
CN108857684B (zh) * 2018-08-10 2021-03-23 张新泉 一种轮毂表面精加工用去毛刺装置
CN109571232B (zh) * 2018-12-28 2020-05-19 西安奕斯伟硅片技术有限公司 晶圆研磨方法及其研磨系统
JP2020171996A (ja) * 2019-04-11 2020-10-22 信越半導体株式会社 両面研磨方法
CN110385632A (zh) * 2019-07-19 2019-10-29 南开大学 磁吸式抛光夹具和抛光装置
CN110315421B (zh) * 2019-08-20 2023-12-26 江苏集萃精凯高端装备技术有限公司 一种晶体材料均一化抛光装置及使用方法
CN110509132A (zh) * 2019-09-19 2019-11-29 福建北电新材料科技有限公司 晶棒治具及晶棒研磨方法
CN110802503A (zh) * 2019-11-06 2020-02-18 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种研磨装置
CN111761505B (zh) * 2020-07-10 2021-07-27 浙江中晶科技股份有限公司 一种硅片双面磨削设备及其生产工艺
CN111962191A (zh) * 2020-09-02 2020-11-20 常胜男 一种阻燃耐高温纺织线、其制备方法及面料
CN112917359A (zh) * 2021-01-21 2021-06-08 合肥范平塑胶科技有限公司 一种芯片制作硅晶圆成型抛光设备及其抛光方法
CN112872921B (zh) * 2021-03-17 2022-08-23 天津中环领先材料技术有限公司 一种提高晶圆片边缘平坦度的抛光方法
CN113352228B (zh) * 2021-07-16 2022-06-24 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种晶圆研磨设备
CN116460667B (zh) * 2022-12-30 2023-11-07 北京创思工贸有限公司 氟化钙光学零件的加工方法
CN115673909B (zh) * 2023-01-03 2023-03-10 北京特思迪半导体设备有限公司 一种半导体基材双面抛光中的平面控制方法及系统
CN117086774B (zh) * 2023-10-19 2024-01-05 新乡市斯凯夫机械有限公司 一种陶瓷件专用研磨机及研磨工艺

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1015942B (de) 1953-12-01 1957-09-19 Philips Nv Verfahren zur Erhoehung der Austrittsarbeit von Metallteilen, z.B. fuer elektrische Entladungsroehren
GB891409A (en) 1959-06-26 1962-03-14 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to lapping or polishing machines
JPS59107854A (ja) 1982-12-08 1984-06-22 Hitachi Ltd ウエハの両面同時研磨方法
JPS6067070A (ja) 1983-09-21 1985-04-17 Hitachi Ltd 両面研磨装置
FR2564360B1 (fr) * 1984-05-21 1986-10-17 Crismatec Machine d'usinage double face et dispositif de transmission de courant et de fluide entre une structure tournante et une structure non tournante
KR860008003A (ko) 1985-04-08 1986-11-10 제이·로렌스 킨 양면 포리싱 작업용 캐리어 조립체
DE3524978A1 (de) 1985-07-12 1987-01-22 Wacker Chemitronic Verfahren zum beidseitigen abtragenden bearbeiten von scheibenfoermigen werkstuecken, insbesondere halbleiterscheiben
US4621458A (en) 1985-10-08 1986-11-11 Smith Robert S Flat disk polishing apparatus
JP3923107B2 (ja) 1995-07-03 2007-05-30 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコンウェーハの製造方法およびその装置
CN2253268Y (zh) * 1995-09-12 1997-04-30 郝振亚 高精度双面立式研磨机
JPH09262759A (ja) 1996-03-28 1997-10-07 Naoetsu Seimitsu Kako Kk 面加工装置
US5692950A (en) 1996-08-08 1997-12-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive construction for semiconductor wafer modification
US5882245A (en) * 1997-02-28 1999-03-16 Advanced Ceramics Research, Inc. Polymer carrier gears for polishing of flat objects
JPH1110530A (ja) 1997-06-25 1999-01-19 Shin Etsu Handotai Co Ltd 両面研磨用キャリア
JP2984263B1 (ja) 1998-10-23 1999-11-29 システム精工株式会社 研磨方法および研磨装置
DE10007390B4 (de) 1999-03-13 2008-11-13 Peter Wolters Gmbh Zweischeiben-Poliermaschine, insbesondere zur Bearbeitung von Halbleiterwafern
US6299514B1 (en) * 1999-03-13 2001-10-09 Peter Wolters Werkzeugmachinen Gmbh Double-disk polishing machine, particularly for tooling semiconductor wafers
JP2000271857A (ja) 1999-03-25 2000-10-03 Super Silicon Kenkyusho:Kk 大口径ウェーハの両面加工方法及び装置
JP4294162B2 (ja) 1999-05-17 2009-07-08 株式会社住友金属ファインテック 両面研摩装置
US6419555B1 (en) 1999-06-03 2002-07-16 Brian D. Goers Process and apparatus for polishing a workpiece
DE19937784B4 (de) 1999-08-10 2006-02-16 Peter Wolters Werkzeugmaschinen Gmbh Zweischeiben-Feinschleifmaschine
DE19954355A1 (de) 1999-11-11 2001-05-23 Wacker Siltronic Halbleitermat Polierteller und Verfahren zur Einstellung und Regelung der Planarität eines Poliertellers
DE10023002B4 (de) * 2000-05-11 2006-10-26 Siltronic Ag Satz von Läuferscheiben sowie dessen Verwendung
JP3617665B2 (ja) 2001-01-29 2005-02-09 三菱住友シリコン株式会社 半導体ウェーハ用研磨布
DE10132504C1 (de) 2001-07-05 2002-10-10 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung von Halbleiterscheiben und seine Verwendung
US7364495B2 (en) * 2002-03-28 2008-04-29 Etsu Handotai Co., Ltd. Wafer double-side polishing apparatus and double-side polishing method
JP4636485B2 (ja) 2002-09-30 2011-02-23 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 ラップ盤
US7008308B2 (en) 2003-05-20 2006-03-07 Memc Electronic Materials, Inc. Wafer carrier
DE10344602A1 (de) 2003-09-25 2005-05-19 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben
DE102004005702A1 (de) * 2004-02-05 2005-09-01 Siltronic Ag Halbleiterscheibe, Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Halbleiterscheibe
DE102004011996B4 (de) * 2004-03-11 2007-12-06 Siltronic Ag Vorrichtung zum simultanen beidseitigen Schleifen von scheibenförmigen Werkstücken
KR101141474B1 (ko) * 2004-03-19 2012-05-07 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈, 인크. 양면 연삭기용 웨이퍼 클램핑 장치
FR2869823B1 (fr) 2004-05-07 2007-08-03 Europ De Systemes Optiques Sa Procede et element de polissage de surface
DE102004040429B4 (de) * 2004-08-20 2009-12-17 Peter Wolters Gmbh Doppelseiten-Poliermaschine
JP4860192B2 (ja) 2004-09-03 2012-01-25 株式会社ディスコ ウェハの製造方法
JP4614851B2 (ja) 2005-09-21 2011-01-19 スピードファム株式会社 平面研磨装置
US7930058B2 (en) * 2006-01-30 2011-04-19 Memc Electronic Materials, Inc. Nanotopography control and optimization using feedback from warp data
US7601049B2 (en) * 2006-01-30 2009-10-13 Memc Electronic Materials, Inc. Double side wafer grinder and methods for assessing workpiece nanotopology
US7662023B2 (en) * 2006-01-30 2010-02-16 Memc Electronic Materials, Inc. Double side wafer grinder and methods for assessing workpiece nanotopology
DE102006032455A1 (de) 2006-07-13 2008-04-10 Siltronic Ag Verfahren zum gleichzeitigen beidseitigen Schleifen mehrerer Halbleiterscheiben sowie Halbleierscheibe mit hervorragender Ebenheit

Also Published As

Publication number Publication date
DE102007056627B4 (de) 2023-12-21
KR101019447B1 (ko) 2011-03-07
CN101870085B (zh) 2016-08-03
JP5561910B2 (ja) 2014-07-30
JP2008235899A (ja) 2008-10-02
CN101870085A (zh) 2010-10-27
TWI390619B (zh) 2013-03-21
CN101829948A (zh) 2010-09-15
KR20090094061A (ko) 2009-09-03
US20080233840A1 (en) 2008-09-25
CN101269476B (zh) 2010-12-08
US8113913B2 (en) 2012-02-14
DE102007056627A1 (de) 2008-09-25
CN101269476A (zh) 2008-09-24
KR20080085684A (ko) 2008-09-24
DE102007056628A1 (de) 2008-09-25
KR20090094060A (ko) 2009-09-03
KR101019446B1 (ko) 2011-03-07
DE102007056628B4 (de) 2019-03-14
KR100945755B1 (ko) 2010-03-08
TW200849368A (en) 2008-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SG146534A1 (en) Method for the simultaneous grinding of a plurality of semiconductor wafers
SG139623A1 (en) Method for the simultaneous double-side grinding of a plurality of semiconductor wafers, and semiconductor wafer having outstanding flatness
KR100457718B1 (ko) 실리콘웨이퍼의제조방법과그장치
US9415479B2 (en) Conductive chemical mechanical planarization polishing pad
JP6366614B2 (ja) 研磨パッドをドレッシングするための方法
KR101604076B1 (ko) 동시 양면 연마를 이용하여 반도체 웨이퍼를 연마하기 위한 방법
MY155449A (en) Method and apparatus for trimming the working layers of a double-side grinding apparatus
SG152121A1 (en) Carrier, method for coating a carrier, and method for the simultaneous double-side material-removing machining of semiconductor wafers
JPH0950975A (ja) ウェーハ研磨装置
SG170662A1 (en) Method for producing a semiconductor wafer
CN108262678B (zh) 一种硅片研磨装置及其研磨方法
US10322492B2 (en) Retaining ring for CMP
US20140024299A1 (en) Polishing Pad and Multi-Head Polishing System
KR102115010B1 (ko) 화학적 기계적 연마층 사전 텍스쳐링 방법
US10464184B2 (en) Modifying substrate thickness profiles
KR20150005672A (ko) 화학적 기계적 폴리싱 동안의 능동적 기판 프리세션을 위한 방법 및 장치
KR20160008550A (ko) 워크의 연마장치
KR20180064398A (ko) 연마패드의 컨디셔닝방법 및 연마장치
KR20150114408A (ko) 연마 방법 및 보유 지지구
TW200611784A (en) Manufacturing method of perpendicular magnetic recording disk
KR102410366B1 (ko) 접합 웨이퍼의 제조 방법
JP6338946B2 (ja) 研磨装置、及び研磨方法
US20140227945A1 (en) Chemical mechanical planarization platen
JP6337602B2 (ja) 研磨基板を製造する方法
CN212095894U (zh) 用于半导体晶片的盘式磨削的改进装置