CN115673909B - 一种半导体基材双面抛光中的平面控制方法及系统 - Google Patents

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CN115673909B CN202310000465.6A CN202310000465A CN115673909B CN 115673909 B CN115673909 B CN 115673909B CN 202310000465 A CN202310000465 A CN 202310000465A CN 115673909 B CN115673909 B CN 115673909B
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Abstract

本发明涉及一种半导体基材双面抛光中的平面控制方法及系统，其包括：根据压盘的变形来源将压盘的变形分为加载前变形和加载后变形；分别获取加载前变形的压盘的变形量以及加载后变形的压盘的变形量，并将获取的变形量叠加，得到压盘的总变形量，以对压盘进行修整。本发明能减少变形，提高半导体基材的加工精度。本发明能在半导体基材抛光领域中应用。

Description

一种半导体基材双面抛光中的平面控制方法及系统
技术领域
本发明涉及一种半导体基材抛光技术领域，特别是关于一种半导体基材双面抛光中的平面控制方法及系统。
背景技术
在半导体基材的双面抛光设备中，同时具备上压盘和下压盘，上、下压盘共同挤压材料，实现抛磨加工。由于加工过程中上、下压盘与基材紧密贴合，因此在实际加工时上、下压盘的面型直接影响被抛磨材料的表面加工质量。而上、下压盘一般由金属材料制成，且体积较大，导致压盘本身的重量极大，在重力的作用下即会产生变形，导致自身的面型产生变化。
此外，在抛磨加工过程中，为了给半导体基材提供压力，会将加载力施加在上、下压盘上，使得上、下压盘在加载力的作用下产生额外的形变，进一步改变半导体基材加工面的面型，从而影响半导体基材的加工精度，因此实现面型的精确控制十分关键。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的是提供一种半导体基材双面抛光中的平面控制方法及系统，其能减少变形，提高半导体基材的加工精度。
为实现上述目的，第一方面，本发明采取的技术方案为：一种半导体基材双面抛光中的平面控制方法，其包括：根据压盘的变形来源将压盘的变形分为加载前变形和加载后变形；分别获取加载前变形的压盘的变形量以及加载后变形的压盘的变形量，并将获取的变形量叠加，得到压盘的总变形量，以对压盘进行修整。
进一步，所述加载前变形为加工压盘时引起的变形；所述加载后变形为压盘的重力变形和在加载力的作用下而产生的变形。
进一步，所述压盘包括上压盘和/或下压盘，所述加载后变形的压盘的变形量，包括：
计算上压盘和/或下压盘的重力变形量和加载变形量；
根据下压盘的支撑方式，确定各种支撑方式下的下压盘的重力变形量和加载变形量。
进一步，所述上压盘的重力变形量为：
Figure DEST_PATH_IMAGE001
，
所述上压盘的加载变形量为：
Figure 822658DEST_PATH_IMAGE002
，
式中，
Figure DEST_PATH_IMAGE003
，
Figure 253640DEST_PATH_IMAGE004
为压盘材料剪切强度，
Figure DEST_PATH_IMAGE005
为压盘名义厚度，
Figure 819750DEST_PATH_IMAGE006
为压盘材料泊松比，
Figure 511632DEST_PATH_IMAGE007
为压盘材料密度，
Figure 137785DEST_PATH_IMAGE008
为压盘名义半径，q为名义工作压强，x为以压盘表面中心为原点的横坐标，ω1(x)为对应横坐标下的上压盘的重力变形量，ω2(x)为对应横坐标下的上压盘的加载变形量。
进一步，所述下压盘的支撑方式采用下压盘两端固定，中心为自由端时，所述下压盘的重力变形量为：
Figure DEST_PATH_IMAGE009
所述下压盘的加载变形量为：
Figure 56063DEST_PATH_IMAGE010
式中，
Figure DEST_PATH_IMAGE011
，
Figure 160285DEST_PATH_IMAGE012
为压盘材料剪切强度，
Figure DEST_PATH_IMAGE013
为压盘名义厚度，
Figure 722984DEST_PATH_IMAGE014
为压盘材料泊松比，
Figure DEST_PATH_IMAGE015
为压盘材料密度，
Figure 520039DEST_PATH_IMAGE016
为压盘名义半径，q为名义工作压强，x为以压盘表面中心为原点的横坐标，ω3(x)为对应横坐标下的下压盘的重力变形量，ω4(x)为对应横坐标下的下压盘的加载变形量。
进一步，所述下压盘的支撑方式采用下压盘中心固定，两端为自由端时，所述下压盘的重力变形量为：
Figure DEST_PATH_IMAGE017
所述下压盘的加载变形量为：
Figure 660033DEST_PATH_IMAGE018
式中，
Figure 833526DEST_PATH_IMAGE011
，
Figure 844207DEST_PATH_IMAGE012
为压盘材料剪切强度，
Figure 812163DEST_PATH_IMAGE013
为压盘名义厚度，
Figure 564087DEST_PATH_IMAGE014
为压盘材料泊松比，
Figure 10112DEST_PATH_IMAGE015
为压盘材料密度，
Figure 140879DEST_PATH_IMAGE016
为压盘名义半径，q为名义工作压强，x为以压盘表面中心为原点的横坐标，ω5(x)为对应横坐标下的下压盘的重力变形量，ω6(x)为对应横坐标下的下压盘的加载变形量。
进一步，所述对压盘进行修整，包括：
根据压盘的总变形量，从中心向边缘去除的厚度为上压盘的总变形量。
第二方面，本发明提供的技术方案为：一种半导体基材双面抛光中的平面控制系统，其包括：变形分类模块，根据压盘的变形来源将压盘的变形分为加载前变形和加载后变形；压盘修整模块，分别获取加载前变形的压盘的变形量以及加载后变形的压盘的变形量，并将获取的变形量叠加，得到压盘的总变形量，以对压盘进行修整。
第三方面，本发明提供的技术方案为：一种存储一个或多个程序的计算机可读存储介质，所述一个或多个程序包括指令，所述指令当由计算设备执行时，使得所述计算设备执行如上述方法中的任一方法。
第四方面，本发明提供的技术方案为：一种计算设备，其包括：一个或多个处理器、存储器及一个或多个程序，其中一个或多个程序存储在所述存储器中并被配置为所述一个或多个处理器执行，所述一个或多个程序包括用于执行上述方法中的任一方法的指令。
本发明由于采取以上技术方案，其具有以下优点：
1、本发明系统地分析了上、下压盘的受力情况，并结合上、下压盘的变形进行了综合计算，根据变形量对上、下压盘的表面予以修整，从而减少了因重力和压力产生的形变，提高了半导体基材的精度。
2、本发明根据上、下压盘现有的机械结构，分别对两种形式的下压盘结构受力进行了计算，满足大部分情况下的实际需求。
3、本发明中的下压力为恒定值，适合一定工艺条件下、一定尺寸的半导体基材加工。为了满足不同工艺条件、不同尺寸的半导体基材，可以根据实际需求对多个工况条件下的上、下压盘分别进行修整，在不同工况下进行替换，从而满足不同的需求。
附图说明
图1是本发明一实施例中平面控制方法整体流程图；
图2是本发明一实施例中平面控制方法详细流程图；
图3是本发明一实施例中半导体基材双面抛光示意图；
图4a是本发明一实施例中上压盘的加工变形示意图；
图4b是本发明一实施例中下压盘的加工变形示意图；
图5是本发明一实施例中上压盘重力变形示意图；
图6是本发明一实施例中上压盘加载变形示意图；
图7是本发明一实施例中情形一时下压盘重力变形示意图；
图8是本发明一实施例中情形一时下压盘加载变形示意图；
图9是本发明一实施例中情形二时下压盘重力变形示意图；
图10是本发明一实施例中情形二时下压盘加载变形示意图；
附图标记：1上压盘，2下压盘，3半导体基材，4上主轴。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
在本发明一实施例中，提供一种半导体基材双面抛光中的平面控制方法。本实施例中，以上、下盘受力情况为出发点，建立平面控制方法，如图1、图2所示，该平面控制方法包括以下步骤：
1）根据压盘的变形来源将压盘的变形分为加载前变形和加载后变形；
2）分别获取加载前变形的压盘的变形量以及加载后变形的压盘的变形量，并将获取的变形量叠加，得到压盘的总变形量，以对压盘进行修整。
在本实施例中，如图3所示，压盘包括上压盘1和/或下压盘2；半导体基材3位于上压盘1和下压盘2之间，上压盘1通过上主轴4带动向下缓缓移动，与半导体基材3开始接触并逐渐施加压力至一定值，然后上压盘1和下压盘2相对转动开始对半导体基材3实施抛磨工作。
上述步骤1）中，上压盘1和下压盘2的名义直径均为2a，采用相同或不同的材料制成。
在本实施例中，压盘的变形来源为加载情形，包括压盘的加工和压盘的重力及承受加载力。变形情况按照加载情形可分为加载前变形和加载后变形两个阶段。加载前变形为加工压盘时引起的变形；加载后变形为压盘的重力变形和在加载力的作用下而产生的变形，其中，压盘可以为上压盘，也可以为下压盘，或上压盘和下压盘。
其中，加载前的加工变形可通过工艺方式进行处理和测量，重力变形和加载力变形可通过计算得出。
上述步骤2）中，压盘包括上压盘1和/或下压盘2。加载前变形的压盘变形量获取方法为：
加载前由于加工引起的变形可通过热处理、失效等方式进行去应力处理，然后对已处理好上压盘1和/或下压盘2的面型进行实际的表面形位公差测量，将测量公差与面型位置坐标分别记作ω0上（x）和ω0下（x），作为加载前变形的上压盘1的变形量和下压盘2的变形量，如图4a、图4b所示。其中，x为以压盘中心位置建立的坐标系中的横坐标位置。
上述步骤2）中，加载后变形的压盘的变形量，包括：
2.1）计算上压盘1和/或下压盘2的重力变形量和加载变形量；
2.2）根据下压盘2的支撑方式，确定各种支撑方式下的下压盘2的重力变形量和加载变形量。
上述步骤2.1）中，以上压盘1为例，上压盘1的中心与上主轴4连接，而边缘处于自由状态，则在重力作用下，上压盘1的边缘会产生自然的下垂。如图5所示，上压盘1为中心固定，两端自由的受力方式，则可以计算出上压盘1的重力变形量
Figure 279736DEST_PATH_IMAGE019
为：
Figure 863164DEST_PATH_IMAGE020
式中，
Figure 644039DEST_PATH_IMAGE021
Figure 629312DEST_PATH_IMAGE004
为压盘材料剪切强度，
Figure 939071DEST_PATH_IMAGE005
为压盘名义厚度，
Figure 416320DEST_PATH_IMAGE022
为压盘材料泊松比，
Figure 469726DEST_PATH_IMAGE023
为压盘材料密度，a为压盘名义半径，q为名义工作压强，x为以压盘表面中心为原点的横坐标，ω1(x)为对应横坐标下的上压盘1的重力变形量，ω2(x)为对应横坐标下的上压盘1的加载变形量。
加载力通过上主轴4对上压盘1不断施加压力，上压盘1的盘面作用在半导体基材3的上方，受到半导体基材3所提供的反向的压力，该压力分布均匀。如图6所示，由于上压盘1中心固定，两端自由，使得上压盘1的中心位置不变，而两端位置发生翘曲，则可以计算出上压盘1的加载变形量
Figure 309506DEST_PATH_IMAGE024
为：
Figure DEST_PATH_IMAGE025
。
上述步骤2.2）中，下压盘2在实际工作过程中的支撑方式具有两种形式，第一种情形为下压盘2的外圈与一环状部件固定，由环状部件的旋转带动下压盘2进行旋转。此时，下压盘2两端固定，中心为自由端。第二种情形为与上压盘1一样，下压盘2的中心与下主轴连接，由下主轴的旋转带动下压盘2旋转。此时，下压盘2中心固定，两端为自由端。
2.2.1）如图7所示，当下压盘2的支撑方式采用两端固定，中心为自由端时，则在重力的作用下，中心位置下沉，导致下压盘2的上表面产生内凹的曲线，则可以计算出下压盘2的重力变形量
Figure 321325DEST_PATH_IMAGE026
为：
Figure DEST_PATH_IMAGE027
如图8所示，在受到上方产生的均匀的下压力时，由于两端固定不动，会使得下压盘2的中心向下凹陷，则可以计算出下压盘2的加载变形量
Figure 613766DEST_PATH_IMAGE028
为：
Figure DEST_PATH_IMAGE029
式中，
Figure 470863DEST_PATH_IMAGE011
，
Figure 820942DEST_PATH_IMAGE012
为压盘材料剪切强度，
Figure 472503DEST_PATH_IMAGE013
为压盘名义厚度，
Figure 517820DEST_PATH_IMAGE014
为压盘材料泊松比，
Figure 913029DEST_PATH_IMAGE015
为压盘材料密度，
Figure 992980DEST_PATH_IMAGE016
为压盘名义半径，q为名义工作压强，x为以压盘表面中心为原点的横坐标，ω3(x)为对应横坐标下的下压盘的重力变形量，ω4(x)为对应横坐标下的下压盘的加载变形量。
2.2.2）如图9所示，当下压盘2的支撑方式采用下压盘中心固定，两端为自由端时，则在重力作用下，下压盘2的边缘会产生自然的下垂。中心固定、两端自由的受力方式，在重力的作用下，则可以计算出下压盘2的重力变形量
Figure 81022DEST_PATH_IMAGE030
为：
Figure DEST_PATH_IMAGE031
如图10所示，在受到上方的下压力作用下，中心固定不动，而两端受到下压力而产生弯曲，则可以计算出下压盘2的加载变形量
Figure 348055DEST_PATH_IMAGE032
为：
Figure DEST_PATH_IMAGE033
式中，ω5(x)为对应横坐标下的下压盘的重力变形量，ω6(x)为对应横坐标下的下压盘的加载变形量。
上述步骤2）中，压盘的总变形量为加工变形、重力变形和加载变形的叠加，上压盘1的总变形量ω上(x)为：
ω上(x)= ω0上（x）+ω1(x)+ω2(x)；
第一种情形下下压盘2的总变形量为：
ω下(x)= ω0下（x）+ω3(x)+ω4(x)；
第二种情形下下压盘2的总变形量为：
ω下(x)= ω0下（x）+ω5（x）+ω6（x）。
上述步骤2）中，对压盘进行修整，包括：根据压盘的总变形量，从中心向边缘去除的厚度为上压盘的总变形量。
具体的，为了使半导体基材在双面抛光加工结束后，获得较为理想的平面效果和加工精度，根据压盘的总变形量，对上压盘1和/或下压盘2进行修整。例如，去除掉上压盘1加工表面的部分材料，或去掉下压盘2加工表面的部分材料，或去掉上压盘1和下压盘2加工表面的部分材料，使得上压盘1和/或下压盘2在实际加载过程中产生了变形后的加工表面具有较好的精度，从而保证半导体基材3的加工质量。
具体的，上压盘1从中心向边缘去除的厚度为上压盘的总变形量ω上(x)，和/或下压盘2根据采用的支撑方式从中心向边缘去除的厚度为下压盘的总变形量ω下(x)，进而在名义工作压强q下获得好的名义平面度控制。
总的来说，本发明实施例中在对半导体基材抛光前，先执行步骤1）根据压盘的变形来源将压盘的变形分为加载前变形和加载后变形；以及在执行步骤2）分别获取加载前变形的压盘的变形量以及加载后变形的压盘的变形量，并将获取的变形量叠加，得到压盘的总变形量，以对压盘进行修整，进而实现在后续对半导体基材进行更精确地抛光，使得抛光后的半导体型材具有更精确的面型，从而提高良率。
上述各实施例中，从理论上来说，计算出变形尺寸并进行修整去除后，仍然存在上、下压盘的自重变形，但本发明中上、下压盘的尺寸为毫米级，通过计算后得到的修整量为微米级，若再次考虑自重变形后的修整量为纳米级，纳米级尺寸的修整较难加工，且对目前半导体基材精度的提升有限，因此认为一次修整后的精度能够满足实际工作时的需求。
在本发明的一个实施例中，提供一种半导体基材双面抛光中的平面控制系统，其包括：
变形分类模块，根据压盘的变形来源将压盘的变形分为加载前变形和加载后变形；
压盘修整模块，分别获取加载前变形的压盘的变形量以及加载后变形的压盘的变形量，并将获取的变形量叠加，得到压盘的总变形量，以对压盘进行修整。
上述实施例中，加载前变形为加工压盘时引起的变形；加载后变形为压盘的重力变形和在加载力的作用下而产生的变形。
上述实施例中，压盘包括上压盘和/或下压盘，加载后变形的压盘的变形量，包括：
计算上压盘和/或下压盘的重力变形量和加载变形量；
根据下压盘的支撑方式，确定各种支撑方式下的下压盘的重力变形量和加载变形量。
其中，上压盘的重力变形量为：
Figure 687901DEST_PATH_IMAGE034
上压盘的加载变形量为：
Figure DEST_PATH_IMAGE035
式中，
Figure 680083DEST_PATH_IMAGE036
Figure 939026DEST_PATH_IMAGE004
为压盘材料剪切强度，
Figure 427776DEST_PATH_IMAGE005
为压盘名义厚度，
Figure DEST_PATH_IMAGE037
为压盘材料泊松比，
Figure 961526DEST_PATH_IMAGE007
为压盘材料密度，
Figure 484911DEST_PATH_IMAGE008
为压盘名义半径，q为名义工作压强，x为以压盘表面中心为原点的横坐标，ω1(x)为对应横坐标下的上压盘的重力变形量，ω2(x)为对应横坐标下的上压盘的加载变形量。
上述实施例中，下压盘的支撑方式采用下压盘两端固定，中心为自由端时，下压盘的重力变形量为：
Figure 649176DEST_PATH_IMAGE038
下压盘的加载变形量为：
Figure DEST_PATH_IMAGE039
式中，
Figure 297326DEST_PATH_IMAGE011
，
Figure 838029DEST_PATH_IMAGE012
为压盘材料剪切强度，
Figure 215921DEST_PATH_IMAGE013
为压盘名义厚度，
Figure 816666DEST_PATH_IMAGE014
为压盘材料泊松比，
Figure 811167DEST_PATH_IMAGE015
为压盘材料密度，
Figure 155561DEST_PATH_IMAGE016
为压盘名义半径，q为名义工作压强，x为以压盘表面中心为原点的横坐标，ω3(x)为对应横坐标下的下压盘的重力变形量，ω4(x)为对应横坐标下的下压盘的加载变形量。
上述实施例中，下压盘的支撑方式采用下压盘中心固定，两端为自由端时，下压盘的重力变形量为：
Figure 653538DEST_PATH_IMAGE040
下压盘的加载变形量为：
Figure DEST_PATH_IMAGE041
式中，
Figure 815398DEST_PATH_IMAGE011
，
Figure 31616DEST_PATH_IMAGE012
为压盘材料剪切强度，
Figure 914121DEST_PATH_IMAGE013
为压盘名义厚度，
Figure 266605DEST_PATH_IMAGE014
为压盘材料泊松比，
Figure 474733DEST_PATH_IMAGE015
为压盘材料密度，
Figure 99618DEST_PATH_IMAGE016
为压盘名义半径，q为名义工作压强，x为以压盘表面中心为原点的横坐标，ω5(x)为对应横坐标下的下压盘的重力变形量，ω6(x)为对应横坐标下的下压盘的加载变形量。
上述实施例中，对压盘进行修整，具体为：根据压盘的总变形量，从中心向边缘去除的厚度为上压盘的总变形量。
本实施例提供的系统是用于执行上述各方法实施例的，具体流程和详细内容请参照上述实施例，此处不再赘述。
在本发明一实施例中提供的计算设备，该计算设备可以是终端，其可以包括：处理器(processor)、通信接口(Communications Interface)、存储器(memory)、显示屏和输入装置。其中，处理器、通信接口、存储器通过通信总线完成相互间的通信。该处理器用于提供计算和控制能力。该存储器包括非易失性存储介质、内存储器，该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序，该计算机程序被处理器执行时以实现一种半导体基材双面抛光中的平面控制方法；该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该通信接口用于与外部的终端进行有线或无线方式的通信，无线方式可通过WIFI、管理商网络、NFC(近场通信)或其他技术实现。该显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，该输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是计算设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。处理器可以调用存储器中的逻辑指令，以执行如下方法：根据压盘的变形来源将压盘的变形分为加载前变形和加载后变形；分别获取加载前变形的压盘的变形量以及加载后变形的压盘的变形量，并将获取的变形量叠加，得到压盘的总变形量，以对压盘进行修整。
此外，上述的存储器中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
本领域技术人员可以理解，上述计算设备的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算设备的限定，具体的计算设备可以包括更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
上述实施例提供的一种计算机可读存储介质，其实现原理和技术效果与上述方法实施例类似，在此不再赘述。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (7)

1.一种半导体基材双面抛光中的平面控制方法，其特征在于，包括：
根据压盘的变形来源将压盘的变形分为加载前变形和加载后变形；
分别获取加载前变形的压盘的变形量以及加载后变形的压盘的变形量，并将获取的变形量叠加，得到压盘的总变形量，以对压盘进行修整；
所述加载前变形为加工压盘时引起的变形；所述加载后变形为压盘的重力变形和在加载力的作用下而产生的变形；
所述压盘包括上压盘和/或下压盘，所述加载后变形的压盘的变形量，包括：
计算上压盘和/或下压盘的重力变形量和加载变形量；
根据下压盘的支撑方式，确定各种支撑方式下的下压盘的重力变形量和加载变形量；
所述上压盘的重力变形量为：
Figure QLYQS_1
，
所述上压盘的加载变形量为：
Figure QLYQS_2
，
式中，
Figure QLYQS_3
，
Figure QLYQS_4
为压盘材料剪切强度，
Figure QLYQS_5
为压盘名义厚度，
Figure QLYQS_6
为压盘材料泊松比，
Figure QLYQS_7
为压盘材料密度，
Figure QLYQS_8
为压盘名义半径，q为名义工作压强，x为以压盘表面中心为原点的横坐标，ω1(x)为对应横坐标下的上压盘的重力变形量，ω2(x)为对应横坐标下的上压盘的加载变形量。
2.如权利要求1所述半导体基材双面抛光中的平面控制方法，其特征在于，所述下压盘的支撑方式采用下压盘两端固定，中心为自由端时，所述下压盘的重力变形量为：
Figure QLYQS_9
，
所述下压盘的加载变形量为：
Figure QLYQS_10
，
式中，
Figure QLYQS_11
，
Figure QLYQS_12
为压盘材料剪切强度，
Figure QLYQS_13
为压盘名义厚度，
Figure QLYQS_14
为压盘材料泊松比，
Figure QLYQS_15
为压盘材料密度，
Figure QLYQS_16
为压盘名义半径，q为名义工作压强，x为以压盘表面中心为原点的横坐标，ω3(x)为对应横坐标下的下压盘的重力变形量，ω4(x)为对应横坐标下的下压盘的加载变形量。
3.如权利要求1所述半导体基材双面抛光中的平面控制方法，其特征在于，所述下压盘的支撑方式采用下压盘中心固定，两端为自由端时，所述下压盘的重力变形量为：
Figure QLYQS_17
，
所述下压盘的加载变形量为：
Figure QLYQS_18
，
式中，
Figure QLYQS_19
，
Figure QLYQS_20
为压盘材料剪切强度，
Figure QLYQS_21
为压盘名义厚度，
Figure QLYQS_22
为压盘材料泊松比，
Figure QLYQS_23
为压盘材料密度，
Figure QLYQS_24
为压盘名义半径，q为名义工作压强，x为以压盘表面中心为原点的横坐标，ω5(x)为对应横坐标下的下压盘的重力变形量，ω6(x)为对应横坐标下的下压盘的加载变形量。
4.如权利要求1所述半导体基材双面抛光中的平面控制方法，其特征在于，所述对压盘进行修整，包括：
根据压盘的总变形量，从中心向边缘去除的厚度为上压盘的总变形量。
5.一种实施如权利要求1所述半导体基材双面抛光中的平面控制方法的平面控制系统，其特征在于，包括：
变形分类模块，根据压盘的变形来源将压盘的变形分为加载前变形和加载后变形；
压盘修整模块，分别获取加载前变形的压盘的变形量以及加载后变形的压盘的变形量，并将获取的变形量叠加，得到压盘的总变形量，以对压盘进行修整。
6.一种存储一个或多个程序的计算机可读存储介质，其特征在于，所述一个或多个程序包括指令，所述指令当由计算设备执行时，使得所述计算设备执行如权利要求1至4所述方法中的任一方法。
7.一种计算设备，其特征在于，包括：一个或多个处理器、存储器及一个或多个程序，其中一个或多个程序存储在所述存储器中并被配置为所述一个或多个处理器执行，所述一个或多个程序包括用于执行如权利要求1至4所述方法中的任一方法的指令。
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