CN109475996A - 晶片的双面研磨方法 - Google Patents

Abstract

本发明的课题在于，在双面研磨中抑制晶片外周部的滚降而减小平坦度的偏差。解决方案为：提供一种晶片的双面研磨方法，用上压盘和下压盘将配置于载体的晶片装填孔内的晶片连同载体一起进行夹压保持，一边将浆料供给到晶片，一边使上压盘和下压盘旋转，从而对晶片进行双面研磨，所述晶片的双面研磨方法具备：预先测定多个载体的晶片装填孔的边缘附近的主表面的斜率值的工序（S1）；根据斜率值的测定结果，从多个载体中筛选斜率值为阈值以下的工序（S2Y、S3）；及使用被筛选的载体对晶片进行双面研磨的工序（S4）。

Description

晶片的双面研磨方法

技术领域

本发明涉及一种晶片的双面研磨方法，尤其涉及一种使用了特定的形状的双面研磨用载体的晶片的双面研磨方法。

背景技术

成为半导体器件的基板材料的硅晶片通过对根据提拉法生长的单晶硅锭依次进行外周磨削、切片、研磨（lapping）、蚀刻、双面研磨、单面研磨及清洗等工序而被制造。其中，双面研磨工序是为了将晶片加工成规定的厚度且提高晶片的平坦度而需要的工序，该工序使用对晶片的双面同时进行研磨的双面研磨装置而进行。

作为有关双面研磨的技术，例如在专利文献1中记载有：为了抑制如外周塌边（边缘滚降（Edge roll off））那样的研磨后晶片平坦度的恶化，一边将保持晶片的载体的树脂嵌件的内周表面的平面度维持在100μm以下，且将内周表面的垂直度维持在5°以下，一边对晶片的双面进行研磨。并且，在专利文献2中记载有：为了减少双面研磨后晶片的外周塌边而提高平坦度，作为双面研磨装置用载体而使用钛制载体，并且将其表面粗糙度Ra设为0.14μm以上。

并且，在专利文献3中记载有如下双面研磨方法：在双面研磨装置的载板的开口中收纳比晶片（被加工物）厚的框体，将晶片容纳于该框体内而进行研磨。即，在隔着研磨布夹持在一体被旋转驱动的上压盘与下压盘之间的载板的开口中收纳有晶片，在对该晶片进行双面研磨时，将晶片收纳于比其厚的框体内，将晶片连同框体一起装配于载板的开口。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-50913号公报

专利文献2：日本特开2008-23617号公报

专利文献3：日本特开2003-19660号公报。

发明内容

发明所要解决的技术问题

在双面研磨装置中，对多个载体的每一个载体装填1张或多张晶片而实施双面研磨，但存在晶片的外周形状因受到载体的厚度剖面的影响而大幅变化的问题。因此，以往测量各载体的厚度，按厚度进行载体的排序，在尽量减小一次装填于双面研磨装置的1套载体之间的厚度偏差的状态下实施双面研磨加工，从而抑制研磨后晶片的偏差。

然而，即使使用以载体的厚度进行排序而抑制了厚度偏差的1套载体来进行双面研磨，研磨后晶片的外周形状也各不相同，仍会导致存在平坦度差的晶片，期待得到改善。

从而，本发明的目的在于提供一种抑制晶片的边缘滚降而能够减小平坦度的偏差的晶片的双面研磨方法。

用于解决技术问题的方案

为了解决上述技术问题，根据本发明的晶片的双面研磨方法，其用上压盘和下压盘将配置于载体的晶片装填孔内的晶片连同所述载体一起进行夹压保持，一边将浆料供给到所述晶片，一边使所述上压盘和所述下压盘旋转，从而对所述晶片进行双面研磨，所述晶片的双面研磨方法的特征在于，具备：预先测定多个载体的晶片装填孔的边缘附近的主表面的斜率值的工序；根据所述斜率值的测定结果，从所述多个载体中筛选所述斜率值为阈值以下的载体的工序；及使用被筛选的载体对所述晶片进行双面研磨的工序。

根据本发明，计算从晶片装填孔的内周边缘朝向外侧的一定范围内的斜率值，通过将实际使用于双面研磨工序中的载体的斜率值限制在阈值以下，能够抑制研磨后晶片的边缘滚降，并能够改善晶片的外周形状分布。

在本发明中，所述阈值优选为0.25×10^-3，进一步优选为0.2×10^-3。若从所述晶片装填孔的内周边缘在一定范围内的斜率值为0.25×10^-3以下，则能够可靠地抑制晶片的边缘滚降。并且，通过使用斜率值为0.2×10^-3以下的载体，能够制造ESFQRmax为25nm以下的外周平坦度更好的晶片。

在本发明中，所述斜率值的测定范围优选在从所述载体的内周边缘向内侧到2mm为止的范围内。从载体的内周边缘向内侧到2mm为止的范围内的主表面的倾斜形状对晶片的外周形状造成很大的影响，因此通过管理该范围内的载体的倾斜形状而能够充分地提高晶片的外周部的平坦度。

在本发明中，所述载体的晶片装填孔的边缘附近的主表面的斜率值优选为所述晶片装填孔的内周边缘的一个部位的斜率值或多个部位的斜率值的平均值，尤其优选为沿所述晶片装填孔的内周边缘以等间隔设定的多个部位的斜率的平均值。如此，通过测定多个部位的斜率值而能够提高斜率值的可靠性。

在本发明中，所述载体的晶片装填孔的边缘附近的主表面的斜率值优选为从所述内周边缘在一定范围内的所述载体的厚度分布的回归直线的斜率。载体的晶片装填孔的边缘滚降分别形成于该载体的上下两个主表面上，因此求出载体的斜率值作为载体的边缘附近的厚度变化率，由此能够考虑载体的表里双面的斜率值，并且能够容易求出载体的斜率值。而且，通过将这种载体的斜率值限制在阈值以下，能够抑制研磨后晶片的边缘滚降，并能够改善晶片的外周形状分布。

在本发明中，所述载体的主要材料优选由除了不锈钢以外的其他金属或除了玻璃环氧树脂以外的其他树脂构成。并且，所述载体由具有圆形开口的金属制载体主体和沿所述载体主体的所述开口的内周设置的环状树脂嵌件的组合构成，所述树脂嵌件的宽度优选为2mm以上。

根据本发明的晶片的双面研磨方法，其使用多个载体对多个晶片同时进行双面研磨，在所述晶片的双面研磨方法中，优选所述多个载体的各自的晶片装填孔的边缘附近的主表面的斜率值均为阈值以下，且所述多个载体之间的厚度偏差在±4μm以内。如此，在一次间歇工序中使用的多个载体全部满足本条件，由此能够充分地提高各晶片的外周部的平坦度。

并且，根据本发明的晶片的双面研磨方法，其用上压盘和下压盘将配置于载体的晶片装填孔内的晶片连同所述载体一起进行夹压保持，一边将浆料供给到所述晶片，一边使所述上压盘和所述下压盘旋转，从而对所述晶片进行研磨，所述晶片的双面研磨方法的特征在于，作为所述载体，仅使用从所述晶片装填孔的内周边缘在一定范围内的斜率值为0.25×10^-3以下的载体。

根据本发明，计算从晶片装填孔的内周边缘朝向外侧的一定范围内的斜率值，并将实际使用于双面研磨工序中的载体的斜率值限制在0.25×10^-3以下，由此能够抑制研磨后晶片的边缘滚降，并能够改善晶片的外周形状分布。

发明效果

根据本发明，能够提供一种能够抑制晶片的边缘滚降而减小平坦度的偏差的晶片的双面研磨方法。

附图说明

图1是表示根据本发明的实施方式的双面研磨装置的结构的示意性侧视剖视图。

图2是图1中所示的双面研磨装置的俯视图。

图3是表示载体的结构的图，图3（a）是俯视图，图3（b）是侧视剖视图，图3（c）是载体的晶片装填孔的内周边缘附近（树脂嵌件）的局部放大图。

图4是对包括载体的筛选工序的晶片的双面研磨方法进行说明的流程图。

图5是用于说明载体10的晶片装填孔10a的边缘附近的主表面的倾斜形状与研磨后晶片的边缘形状的关系的示意图，尤其，图5（a）表示以往的倾斜形状，图5（b）表示本发明的倾斜形状。

图6是用于说明载体的斜率值的测定方法的图，图6（a）是用于说明载体的线扫描测定部位的俯视图，图6（b）是用于说明所测定的载体的图像及斜率计算部位的侧视剖视图。

图7是表示载体的斜率值与ESFQDmean的关系的散布图。

图8是表示载体的斜率值与ESFQRmax的关系的散布图。

图9是对载体的晶片装填孔的边缘附近（载体孔部）的每一个斜率值示出“间隙”与研磨后的晶片的ESFQDmean及ESFQRmax的关系的表。

图10是表示载体寿命为0min（使用前）的载体的斜率值与载体寿命为40,000min（使用后）的载体的斜率值的关系的散布图。

具体实施方式

以下，参考附图对本发明的优选实施方式详细地进行说明。

图1是表示根据本发明的实施方式的双面研磨装置的结构的示意性侧视剖视图。并且，图2是图1中所示的双面研磨装置的俯视图，所述图1是沿图2的R-R'线的剖视图。

如图1及图2所示，双面研磨装置1具备在上下方向上对置设置的上压盘2和下压盘3，在上压盘2的下表面及下压盘3的上表面分别粘贴有研磨布4、5。在上压盘2与下压盘3之间的中心部设置有太阳齿轮6，并且，在周缘部设置有内齿轮7。晶片W例如为硅晶片，其在配置于载体10的晶片装填孔10a内的状态下被夹入上压盘2与下压盘3之间。

如图2所示，太阳齿轮6的周围设置有5个载体10，各载体10的外周齿10b啮合于太阳齿轮6及内齿轮7的各齿部，上压盘2及下压盘3通过未图示的驱动源而被旋转驱动，因此各载体10进行自转且围绕太阳齿轮6进行公转。此时，配置于载体10的晶片装填孔10a内的晶片W保持在载体10上，并通过与上下研磨布4、5的接触，其双面同时被研磨。研磨时从未图示的喷嘴供给研磨液。作为研磨液，例如能够使用分散有胶体二氧化硅的碱性溶液。

图3是表示载体10的结构的图，图3（a）是俯视图，图3（b）是侧视剖视图，图3（c）是载体10的晶片装填孔10a的内周边缘附近（树脂嵌件12）的局部放大图。

如图3（a）及图3（b）所示，载体10具备：金属制载体主体11，具有比晶片W大的圆形开口11a；及环状树脂嵌件12，沿载体主体11的开口11a的内周边缘而配置。

载体主体11为圆盘状部件，在外周部设置有外周齿11b。载体主体11的代表性材料为SUS，但也可以使用钛等其他金属材料。载体主体11的厚度D是根据双面研磨后晶片W的目标厚度而设定的，例如直径为300mm的晶片用载体10的厚度被设定为约0.8mm，对加工前的厚度为1mm左右的晶片W进行定尺寸研磨，直至成为与载体10相同程度的厚度为止进行减薄。由于开口11a的中心位置偏离载体主体11的中心位置，因此配置在开口11a内的晶片W以载体主体11的中心为旋转轴进行偏心运动，由此研磨效率及研磨的均匀性得到提高。

树脂嵌件12介于晶片W的外周表面与载体主体11的开口11a的内周表面之间而发挥着阻止两者接触的作用。树脂嵌件12的内侧开口12a构成载体10的晶片装填孔10a（参考图2），晶片W的外周表面与树脂嵌件12的内周表面接触。树脂嵌件12的横宽（环宽）例如为2mm以上，其考虑到载体主体11的开口11a的尺寸及晶片W的尺寸而被确定。优选树脂嵌件12的厚度与载体主体11的厚度D相同。

如图3（c）所示，树脂嵌件12的内侧开口12a的内周部的上下拐角部并不是直角，而是具有滚降形状。如上所述，若将加工前的厚度为1mm左右的晶片W研磨得较薄，直至成为与载体10相同程度的厚度，则载体10也与晶片W一同被研磨，因此在材质上柔软的树脂嵌件12的内周边缘上一定产生滚降。

在本实施方式中，载体10的晶片装填孔10a的边缘附近的主表面的斜率值（以下，简称为“载体的斜率值”）为从树脂嵌件12的内周边缘朝向外周的上升倾斜面的斜率值，但由于边缘滚降分别形成于树脂嵌件12的上下两个主表面上，因此求出从内周边缘朝向外周的树脂嵌件12的厚度分布，并根据从内周边缘在一定范围内的厚度分布的回归直线的斜率而求出载体的斜率值。即，载体的斜率值能够作为载体的边缘附近的厚度的变化率而求出。

将根据树脂嵌件12的厚度分布的回归直线求出的树脂嵌件12的内周边缘的厚度设为y₁，且将从内周边缘仅分离距离x的位置上的树脂嵌件12的外周侧厚度设为y₂时，载体的斜率值tanθ=（y₂-y₁）/x。即，载体的斜率值tanθ作为表面侧斜率值tanθ₁=h₁/L和背面侧斜率值tanθ₂=h₂/x的合计值而求出。另外，角度θ=θ₁+θ₂，通常为θ₁≈θ₂。

为了改善双面研磨加工后晶片W的外周形状，该载体10的斜率值tanθ需要为0.25×10^-3以下。即，在根据本实施方式的晶片的双面研磨工序中不使用斜率值超过0.25×10^-3的载体。为了提高载体10的斜率值的可靠性，优选使用晶片装填孔周围的多个部位的斜率值的平均值。

图4是对包括载体的筛选工序的晶片的双面研磨方法进行说明的流程图。

如图4所示，根据本实施方式的晶片的双面研磨方法具有：预先测定在双面研磨装置中使用的载体10的斜率值的工序（S1）；在斜率值为阈值（0.25×10^-3）以下的情况下，作为在双面研磨工序中能够使用的载体进行筛选的工序（S2Y、S3）；及使用被筛选的载体对晶片进行双面研磨的工序（S4）。另外，斜率值超过阈值的载体从使用对象中被排除（S2N、S5）。

如此，将在晶片的双面研磨中使用的载体10的斜率值限定为0.25×10^-3以下，由此能够改善研磨后晶片的外周形状分布。

图5是用于说明载体10的晶片装填孔10a的边缘附近的主表面的倾斜形状与研磨后晶片的边缘形状的关系的示意图，尤其，图5（a）表示以往的倾斜形状，图5（b）表示本发明的倾斜形状。

如图5（a）所示，在双面研磨中，在上压盘2与下压盘3之间夹入晶片W，一边施加压力，一边进行研磨，但由于厚度为1mm左右的研磨布4、5分别介于上压盘2及下压盘3各个压盘与晶片W之间，因此在载体10的斜率值大的情况下，在载体10与晶片W之间形成大的凹陷，研磨布4、5沉入到该凹陷中，由此晶片W的边缘的研磨量增多。即，对晶片W的边缘施加的应力（研磨压力）变大，因此研磨后晶片W的边缘滚降增大。

然而，如图5（b）所示，在载体10的斜率值小的情况下，在载体10与晶片W之间形成的凹陷也变小，晶片W的边缘的研磨量也减少。即，对晶片W的边缘施加的应力（研磨压力）变小，因此研磨后晶片W的边缘滚降减小。

若进行研磨工序而晶片W变薄，则与载体10的厚度之差（间隙）变小，但在晶片装填孔周边的厚度变薄的情况下，即使进行研磨也会导致晶片W的外周形状滚降。然而，在本实施方式中测量载体10的晶片装填孔周边的厚度，并根据其测量结果而计算载体10的晶片装填孔周边的斜率值，并以所使用的载体10的斜率值成为阈值以下的方式进行管理，因此能够改善研磨后晶片W的外周形状。

晶片W的边缘滚降的主导因素为晶片装填孔周边的厚度剖面，假设即使载体的厚度发生变化，若晶片装填孔周边的斜率值小则也可以获得良好的结果。相反地，由于晶片装填孔周边的斜率值的影响大，因此，即使将晶片研磨得较薄直到为载体的厚度，由此研磨后晶片的厚度相对于载体的厚度发生了变化，也无法消除晶片的边缘滚降。

如以上说明，根据本实施方式的晶片的双面研磨方法中，用上压盘2和下压盘3将配置于载体10的晶片装填孔10a内的晶片W连同载体10一起进行夹压保持，并一边将浆料供给到晶片W，一边使上压盘2和下压盘3旋转，从而对所述晶片W进行双面研磨，在所述晶片的双面研磨方法中，仅使用从载体10的晶片装填孔10a的内周边缘在一定范围内的斜率值为0.25×10^-3以下的载体，因此能够抑制晶片外周部的滚降形状，并能够减小晶片外周部的平坦度的偏差。

以上，对本发明的优选实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内能够进行各种变更，当然，这些也包括在本发明的范围内。

例如，在上述实施方式中例举出载体10由金属制载体主体11和树脂嵌件12构成的情况，但也可以将整个载体设为树脂制载体，并将载体主体11和树脂嵌件12设为一体。或者也能够将整个载体10设为金属制载体。

并且，在上述实施方式中1个载体10具有1张晶片装填孔10a，并保持1张晶片W，但1个载体10也可以具有多个晶片装填孔10a。该情况下，多个晶片装填孔10a的各自的边缘附近的主表面的斜率值需要为0.25×10^-3以下，进而，多个载体之间的厚度偏差优选为±4μm以下。

并且，根据本实施方式的双面研磨装置1的结构为一个例子，能够采用各种类型的结构。而且，作为研磨加工对象的晶片并不限定于硅晶片，而能够将各种晶片设为对象。

实施例

使用在载体的斜率值上存在偏差的多个载体的样品，评价了对直径为300mm的硅晶片进行了双面研磨之后的该硅晶片的边缘平坦度。在评价试验中，首先准备150个载体，使用激光位移计对这些载体进行了线扫描测定，算出了各载体的晶片装填孔的边缘附近的主表面的斜率值。

图6是用于说明载体的斜率值的测定方法的图，图6（a）是用于说明载体的线扫描测定部位的俯视图，图6（b）是用于说明所测定的载体的图像及斜率计算部位的侧视剖视图。

如图6（a）及图6（b）所示，线扫描测定部位设为晶片装填孔周围的8个部位，在各测定部位计算斜率值，将其平均值设为载体的斜率值。载体的各测定部位上的斜率值的计算中所使用的测定长度x设为树脂嵌件所存在区域内的宽度即2mm。

从晶片装填孔的内侧朝向载体的外侧，如图示实施线扫描测定，算出了将测定长度设为x、将载体厚度设为y时的回归直线的斜率（回归系数）。

回归直线的斜率a=相关系数×（y的标准偏差/x的标准偏差），若将x、y的平均值分别设为m_x、m_y，则成为如下式。

[数式1]

由此，在进行了各载体的斜率值测定之后，使用这些载体进行了硅晶片的双面研磨。在评价试验中使用的双面研磨装置为图2所示的一次能够配置5个载体的装置，将5个载体作为1套实施了研磨工序。作为研磨条件，使用厚度为1.0mm的发泡聚氨酯垫和作为研磨磨粒而包含胶体二氧化硅的碱性浆料，将压盘转速设为20～30rpm，将加工表面压力设为300g/cm²。研磨加工前的硅晶片的厚度为790μm，将载体的厚度设为778μm，将研磨后硅晶片的目标厚度设为778～782μm。在硅晶片的厚度测定中使用了激光位移计。

接着，测定双面研磨后晶片的ESFQD及ESFQR，确认到载体的斜率值对晶片的外周形状造成的影响。ESFQD（Edge Site flatness Front reference least sQuareDeviation：边缘格点平坦度前参考最小平方偏差）及ESFQR（Edge Site flatness Frontreference least sQuare Range：边缘格点平坦度前参考最小平方范围）为侧重于平坦度容易变差的晶片的边缘的平坦度的评价指标（格点平坦度），表示边缘滚降的大小。对每一个单位区域（格点）求出晶片的边缘的平坦度，所述单位区域是将从晶片的最外周例如在2～32mm的范围（扇区长度30mm）内设定的环状外周区域在圆周方向上进而均等地进行分割而得到的。在晶片的平坦度测定中使用了平坦度测定装置（KLA-Tencor Corporation制造WaferSight2）。作为测定条件，将测定范围设为296mm（排除最外周2mm），在边缘格点测定中将扇区数量（格点数量）设为72，将扇区长度设为30mm。

图7是表示载体的斜率值与ESFQDmean的关系的散布图，并且，图8是表示载体的斜率值与ESFQRmax的关系的散布图。

ESFQDmean是所有格点的ESFQD的平均值，ESFQD是指在距离根据格点内的厚度分布并通过最小二乘法而求出的基准面（格点最佳拟合表面）的最大位移（α）或最小位移（-β）中绝对值大的位移。例如若α＞β，则ESFQD=α，若α＜β，则ESFQD=-β。ESFQD是具有正负值的指标，ESFQD在负侧越大意味着晶片的边缘滚降就越大。

并且，ESFQRmax是所有格点的ESFQR的最大值，ESFQR是指距离格点内的最佳拟合面的最大位移（α）与最小位移（β）之差（α-（-β））。ESFQR变得越大，晶片的边缘滚降就变得越大，相反地，ESFQR越接近0，外周平坦度就越好。

如图7及图8所示，可知：载体的斜率值变得越大，ESFQDmean在负侧就变得越大，尤其，若斜率值成为0.25×10^-3以上，则ESFQDmean的分布的偏差变大，并且ESFQRmax的偏差很大。进而，能够确认到若载体的斜率值变小，则ESFQDmean从负侧成为正侧，晶片的边缘滚降变小，并且ESFQRmax得到改善。由此得知为了改善ESFQR且稳定地进行生产，优选斜率值为0.25×10^-3以下。并且，根据图8的曲线图明确了：在将ESFQRmax为25nm以下作为目标时，通过使用斜率值为0.2×10^-3以下的载体，能够维持更好的外周平坦度。

接着，将载体的晶片装填孔的边缘附近（Carrier Hole，周边）的厚度的计算部位的平均值（平均厚度）与研磨后晶片厚度的差（研磨后晶片厚度-载体厚度）设为“间隙”时，评价了“间隙”和载体的斜率值对晶片的平坦度造成的影响。

图9是对载体的晶片装填孔的边缘附近（载体孔部）的每一个斜率值示出“间隙”与研磨后晶片的ESFQDmean及ESFQRmax的关系的表。

如图9所示，关于“间隙”，在此次评价试验的范围即0μm～+4μm内进行了确认，但在评价试验的范围内，通过将载体的斜率值设为0.25×10^-3以下，能够将任一晶片的ESFQRmax均设为25μm以下。相反地，也能够确认到在斜率值为0.3×10^-3以上的情况下无法达到25μm以下的ESFQRmax。此时，若通常不存在树脂嵌件的区域（载体的大部分）的厚度在斜率值的计算部位（边缘附近）的厚度±4μm的范围内被管理和使用，则未确认到对平坦度的影响。由此，认为此次的斜率值的计算部位即晶片装填孔的边缘附近的厚度剖面决定晶片的边缘滚降的形状，并确认到晶片装填孔的边缘附近的形状管理是重要的。

图10是表示载体寿命为0min（使用前）的载体的斜率值与载体寿命为40,000min（使用后）的载体的斜率值的关系的散布图。

如图10所示，能够确认到与使用前相比使用后载体的斜率值的变化少时为0%，最大减少30%左右。这是因为整个载体的厚度因载体寿命的进度而变薄，因此斜率值变小。由此，确认到在初始投入时通过限制斜率值而能够持续加工高平坦的晶片。

附图标记说明

1-双面研磨装置，2-上压盘，3-下压盘，4、5-研磨布，6-太阳齿轮，7-内齿轮，10-载体，10a-晶片装填孔，10b-外周齿，11-载体主体，11a-载体主体的开口，11b-载体主体的外周齿，12-树脂嵌件，12a-树脂嵌件的内侧开口，W-晶片。

Claims (7)

1.一种晶片的双面研磨方法，用上压盘和下压盘将配置于载体的晶片装填孔内的晶片连同所述载体一起进行夹压保持，一边将浆料供给到所述晶片，一边使所述上压盘和所述下压盘旋转，从而对所述晶片进行双面研磨，所述晶片的双面研磨方法的特征在于，具备：

预先测定多个载体的晶片装填孔的边缘附近的主表面的斜率值的工序；

根据所述斜率值的测定结果，从所述多个载体中筛选所述斜率值为阈值以下的载体的工序；及

使用被筛选的载体对所述晶片进行双面研磨的工序。

2.根据权利要求1所述的晶片的双面研磨方法，其中，

所述阈值为0.25×10^-3。

3.根据权利要求1或2所述的晶片的双面研磨方法，其中，

所述斜率值的测定范围在从所述载体的晶片装填孔的内周边缘向内侧到2mm为止的范围内。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶片的双面研磨方法，其中，

所述载体的晶片装填孔的边缘附近的主表面的斜率值为所述晶片装填孔的内周边缘的一个部位的斜率值或多个部位的斜率值的平均值。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶片的双面研磨方法，其中，

所述载体的晶片装填孔的边缘附近的主表面的斜率值为距所述内周边缘一定范围内的所述载体的厚度分布的回归直线的斜率。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的晶片的双面研磨方法，其中，

所述载体由具有圆形开口的金属制载体主体和沿所述载体主体的所述开口的内周设置的环状树脂嵌件的组合构成，

所述树脂嵌件的宽度为2mm以上。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的晶片的双面研磨方法，使用多个载体对多个晶片同时进行双面研磨，

在所述晶片的双面研磨方法中，

所述多个载体的各自的晶片装填孔的边缘附近的主表面的斜率值均为阈值以下，且所述多个载体之间的厚度偏差在±4μm以内。