KR102122841B1 - 웨이퍼의 양면 연마 방법 - Google Patents

웨이퍼의 양면 연마 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102122841B1
KR102122841B1 KR1020187036027A KR20187036027A KR102122841B1 KR 102122841 B1 KR102122841 B1 KR 102122841B1 KR 1020187036027 A KR1020187036027 A KR 1020187036027A KR 20187036027 A KR20187036027 A KR 20187036027A KR 102122841 B1 KR102122841 B1 KR 102122841B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
carrier
polishing
edge
value
Prior art date
Application number
KR1020187036027A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190002701A (ko
Inventor
슌스케 미쿠리야
šœ스케 미쿠리야
토모노리 미우라
Original Assignee
가부시키가이샤 사무코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 사무코 filed Critical 가부시키가이샤 사무코
Publication of KR20190002701A publication Critical patent/KR20190002701A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102122841B1 publication Critical patent/KR102122841B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/28—Work carriers for double side lapping of plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

양면 연마에 있어서 웨이퍼 외주부의 롤 오프를 억제하여 평탄도의 편차를 저감한다. 캐리어의 웨이퍼 장전공 내에 세트된 웨이퍼를 상 정반과 하 정반으로 캐리어마다 끼워눌러 보유 지지하고, 웨이퍼에 슬러리를 공급하면서 상 정반과 하 정반을 회전시켜 웨이퍼를 양면 연마하는 방법으로서, 복수의 캐리어의 웨이퍼 장전공의 엣지 근방에 있어서의 주면의 기울기값을 미리 측정하는 공정(S1)과, 기울기값의 측정 결과에 기초하여, 복수의 캐리어 중에서 기울기값이 문턱값 이하인 것을 선별하는 공정(S2Y, S3)과, 선별된 캐리어를 이용하여 웨이퍼를 양면 연마하는 공정(S4)을 구비한다.

Description

웨이퍼의 양면 연마 방법
본 발명은, 웨이퍼의 양면 연마 방법에 관한 것으로, 특히, 특정의 형상의 양면 연마용 캐리어를 이용한 웨이퍼의 양면 연마 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 기판 재료가 되는 실리콘 웨이퍼는, 초크랄스키법에 의해 육성된 실리콘 단결정 잉곳에 외주 연삭, 슬라이스, 랩핑, 에칭, 양면 연마, 편면 연마, 세정 등의 공정을 순차적으로 행함으로써 제조된다. 이 중, 양면 연마 공정은, 웨이퍼를 소정의 두께로 가공함과 함께 웨이퍼의 평탄도를 높이기 위해 필요한 공정이고, 웨이퍼의 양면을 동시에 연마하는 양면 연마 장치를 이용하여 행해진다.
양면 연마에 관한 기술로서, 예를 들면 특허문헌 1에는, 외주 처짐(엣지 롤 오프)과 같은 연마 후의 웨이퍼의 평탄도의 악화를 억제하기 위해, 웨이퍼를 보유 지지하는 캐리어의 수지 인서터의 내주면의 평면도를 100㎛ 이하 또한 내주면의 수직도를 5°이하로 유지하면서 웨이퍼의 양면을 연마하는 것이 기재되어 있다. 또한 특허문헌 2에는, 양면 연마 후의 웨이퍼의 외주 처짐을 저감하여 평탄도를 높이기 위해, 양면 연마 장치용 캐리어로서 티탄제의 것을 이용함과 함께 그 표면 거칠기 Ra를 0.14㎛ 이상으로 하는 것이 기재되어 있다.
또한 특허문헌 3에는, 양면 연마 장치의 캐리어 플레이트의 개구에 웨이퍼(피가공물)보다도 두꺼운 프레임체를 수용하고, 그 프레임체 내에 웨이퍼를 수납하여 연마하는 양면 연마 방법이 기재되어 있다. 즉, 일체로 회전 구동되는 상 정반과 하 정반에 연마포를 개재하여 끼워 지지되는 캐리어 플레이트의 개구에 수납된 웨이퍼의 양면 연마를 행할 때에, 웨이퍼를 그보다도 두꺼운 프레임체 내에 수용하고, 웨이퍼를 프레임체마다 캐리어 플레이트의 개구에 장착하는 것이 기재되어 있다.
일본공개특허공보 2014-50913호 일본공개특허공보 2008-23617호 일본공개특허공보 2003-19660호
양면 연마 장치에서는, 복수의 캐리어의 각각에 대하여 1매 혹은 복수매의 웨이퍼를 장전하여 양면 연마를 실시하는데, 캐리어의 두께 프로파일의 영향을 받아 웨이퍼의 외주 형상이 크게 변화한다는 문제가 있다. 그 때문에 종래는 각 캐리어의 두께를 계측하고, 두께마다 캐리어의 소팅을 행하여, 양면 연마 장치에 한번에 장전하는 1세트의 캐리어간의 두께 편차를 최대한 작게 한 상태에서 양면 연마 가공을 실시하여, 연마 후의 웨이퍼의 편차를 억제해 왔다.
그러나, 캐리어의 두께로 소팅을 행하여 두께 편차를 억제한 1세트의 캐리어를 이용하여 양면 연마를 행했다고 해도, 연마 후의 웨이퍼의 외주 형상은 여러가지이고, 평탄도가 열위(劣位)한 웨이퍼가 존재해 버리는 것에 변함은 없어, 개선이 요망되고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 웨이퍼의 엣지 롤 오프를 억제하여 평탄도의 편차를 저감하는 것이 가능한 웨이퍼의 양면 연마 방법을 제공하는 것에 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 의한 웨이퍼의 양면 연마 방법은, 캐리어의 웨이퍼 장전공(裝塡孔) 내에 세트된 웨이퍼를 상 정반과 하 정반으로 상기 캐리어마다 끼워눌러 보유 지지하고, 상기 웨이퍼에 슬러리를 공급하면서 상기 상 정반과 상기 하 정반을 회전시켜 상기 웨이퍼를 양면 연마하는 방법으로서, 복수의 캐리어의 웨이퍼 장전공의 엣지 근방에 있어서의 주면(主面)의 기울기값을 미리 측정하는 공정과, 상기 기울기값의 측정 결과에 기초하여, 상기 복수의 캐리어 중에서 상기 기울기값이 문턱값 이하인 것을 선별하는 공정과, 선별된 캐리어를 이용하여 상기 웨이퍼를 양면 연마하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼 장전공의 내주 엣지로부터 외측을 향하는 일정 범위 내의 기울기값을 산출하고, 실제로 양면 연마 공정에 사용하는 캐리어의 기울기값을 문턱값 이하로 제한함으로써, 연마 후의 웨이퍼의 엣지 롤 오프를 억제할 수 있어, 웨이퍼의 외주 형상 분포를 양호하게 할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 문턱값은 0.25×10－3인 것이 바람직하고, 0.2×10－3인 것이 더욱 바람직하다. 상기 웨이퍼 장전공의 내주 엣지로부터 일정 범위 내의 기울기값이 0.25×10－3 이하이면, 웨이퍼의 엣지 롤 오프를 확실하게 억제할 수 있다. 또한 기울기값이 0.2×10－3 이하인 캐리어를 사용함으로써, ESFQRmax가 25㎚ 이하가 되는 외주 평탄도가 더욱 양호한 웨이퍼를 제조할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 기울기값의 측정 범위는, 상기 캐리어의 내주 엣지에서 내측으로 2㎜까지의 범위 내인 것이 바람직하다. 캐리어의 내주 엣지에서 내측으로 2㎜까지의 범위 내의 주면의 기울기 형상은, 웨이퍼의 외주 형상에 큰 영향을 주는 점에서, 이 범위 내의 캐리어의 기울기 형상을 관리함으로써, 웨이퍼의 외주부의 평탄도를 충분히 높이는 것이 가능해진다.
본 발명에 있어서, 상기 캐리어의 웨이퍼 장전공의 엣지 근방에 있어서의 주면의 기울기값은, 상기 웨이퍼 장전공의 내주 엣지의 1개소의 기울기값 또는 복수 개소의 기울기값의 평균값인 것이 바람직하고, 상기 웨이퍼 장전공의 내주 엣지를 따라 등간격으로 설정한 복수 개소의 기울기의 평균값인 것이 특히 바람직하다. 이와 같이 복수 개소의 기울기값을 측정함으로써, 기울기값의 신뢰성을 높일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 캐리어의 웨이퍼 장전공의 엣지 근방에 있어서의 주면의 기울기값은, 상기 내주 엣지로부터 일정 범위 내의 상기 캐리어의 두께 분포의 회귀 직선의 기울기인 것이 바람직하다. 캐리어의 웨이퍼 장전공의 엣지 롤 오프는 당해 캐리어의 상하 양쪽의 주면에 각각 형성되기 때문에, 캐리어의 기울기값을 캐리어의 엣지 근방의 두께의 변화율로서 구함으로써, 캐리어의 표리 양면의 기울기값을 고려할 수 있고, 또한 캐리어의 기울기값을 용이하게 구할 수 있다. 그리고 이러한 캐리어의 기울기값을 문턱값 이하로 제한함으로써, 연마 후의 웨이퍼의 엣지 롤 오프를 억제할 수 있어, 웨이퍼의 외주 형상 분포를 양호하게 할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 캐리어의 주재료는 스테인리스 그 외의 금속 또는 유리 에폭시 수지 그 외의 수지로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 상기 캐리어는, 원형의 개구를 갖는 금속제의 캐리어 본체와, 상기 캐리어 본체의 상기 개구의 내주를 따라 형성된 링 형상의 수지 인서터의 조합으로 이루어지고, 상기 수지 인서터의 폭은 2㎜ 이상인 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 웨이퍼의 양면 연마 방법은, 복수의 캐리어를 이용하여 복수의 웨이퍼를 동시에 양면 연마하는 방법에 있어서, 상기 복수의 캐리어의 각각의 웨이퍼 장전공의 엣지 근방에 있어서의 주면의 기울기값이 모두 문턱값 이하이고, 또한, 상기 복수의 캐리어간의 두께 편차가 ±4㎛ 이내인 것이 바람직하다. 이와 같이 1회의 배치 공정에서 사용하는 복수의 캐리어의 전체가 본 조건을 충족함으로써, 개개의 웨이퍼의 외주부의 평탄도를 충분히 높이는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명에 의한 웨이퍼의 양면 연마 방법은, 캐리어의 웨이퍼 장전공 내에 세트된 웨이퍼를 상 정반과 하 정반으로 상기 캐리어마다 끼워눌러 보유 지지하고, 상기 웨이퍼에 슬러리를 공급하면서 상기 상 정반과 상기 하 정반을 회전시켜 상기 웨이퍼를 연마하는 양면 연마 방법으로서, 상기 캐리어로서 상기 웨이퍼 장전공의 내주 엣지로부터 일정 범위 내의 기울기값이 0.25×10－3 이하인 것만을 사용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼 장전공의 내주 엣지로부터 외측을 향하는 일정 범위 내의 기울기값을 산출하고, 실제로 양면 연마 공정에 사용하는 캐리어의 기울기값을 0.25×10－3 이하로 제한함으로써, 연마 후의 웨이퍼의 엣지 롤 오프를 억제할 수 있어, 웨이퍼의 외주 형상 분포를 양호하게 할 수 있다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼의 엣지 롤 오프를 억제하여 평탄도의 편차를 저감 하는 것이 가능한 웨이퍼의 양면 연마 방법을 제공할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 의한 양면 연마 장치의 구성을 나타내는 개략 측면 단면도이다.
도 2는, 도 1에 나타내는 양면 연마 장치의 평면도이다.
도 3은, 캐리어의 구성을 나타내는 도면으로서, (a)는 평면도, (b)는 측면 단면도, (c)는 캐리어의 웨이퍼 장전공의 내주 엣지 근방(수지 인서터)의 부분 확대도이다.
도 4는, 캐리어의 선별 공정을 포함한 웨이퍼의 양면 연마 방법을 설명하는 플로우차트이다.
도 5는, 캐리어(10)의 웨이퍼 장전공(10a)의 엣지 근방에 있어서의 주면의 기울기 형상과 연마 후의 웨이퍼의 엣지 형상의 관계를 설명하기 위한 개략도이고, 특히 (a)는 종래의 기울기 형상, (b)는 본 발명의 기울기 형상을 각각 나타내고 있다.
도 6은, 캐리어의 기울기값의 측정 방법을 설명하기 위한 도면으로서, (a)는 캐리어의 라인 스캔 측정 개소를 설명하기 위한 평면도이고, (b)는 측정할 캐리어의 이미지 및 기울기 산출 개소를 설명하기 위한 측면 단면도이다.
도 7은, 캐리어의 기울기값과 ESFQDmean의 관계를 나타내는 산포도이다.
도 8은, 캐리어의 기울기값과 ESFQRmax의 관계를 나타내는 산포도이다.
도 9는, Gap와 연마 후의 웨이퍼의 ESFQDmean 및 ESFQRmax의 관계를 캐리어의 웨이퍼 장전공의 엣지 근방(캐리어 홀부)의 기울기값마다 나타내는 표이다.
도 10은, 캐리어 라이프가 0min(사용 전)인 캐리어의 기울기값과 캐리어 라이프가 40,000min(사용 후)인 캐리어의 기울기값의 관계를 나타내는 산포도이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
이하, 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 상세하게 설명한다.
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 의한 양면 연마 장치의 구성을 나타내는 개략 측면 단면도이다. 또한, 도 2는, 도 1에 나타내는 양면 연마 장치의 평면도이고, 상기 도 1은 도 2의 R－R'선을 따른 단면도이다.
도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 양면 연마 장치(1)는, 상하 방향으로 대향하여 형성된 상 정반(2)과 하 정반(3)을 구비하고 있고, 상 정반(2)의 하면 및 하 정반(3)의 상면에는 연마포(4, 5)가 각각 접착되어 있다. 상 정반(2)과 하 정반(3)의 사이의 중심부에는 선 기어(6)가 형성됨과 함께, 주연부에는 인터널 기어(7)가 형성되어 있다. 웨이퍼(W)는 예를 들면 실리콘 웨이퍼이고, 캐리어(10)의 웨이퍼 장전공(10a) 내에 세트된 상태로 상 정반(2)과 하 정반(3)의 사이에 끼워넣어져 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 선 기어(6)의 주위에는 5개의 캐리어(10)가 형성되어 있고, 각 캐리어(10)의 외주톱니(10b)는 선 기어(6) 및 인터널 기어(7)의 각 톱니부에 서로 맞물려 있고, 상 정반(2) 및 하 정반(3)이 도시하지 않은 구동원에 의해 회전 구동됨으로써, 각 캐리어(10)는 자전하면서 선 기어(6)의 주위를 공전한다. 이 때 캐리어(10)의 웨이퍼 장전공(10a) 내에 세트된 웨이퍼(W)는 캐리어(10)에 보유 지지되어 있고, 상하의 연마포(4, 5)와의 접촉에 의해 그 양면이 동시에 연마된다. 연마시에는 도시하지 않은 노즐로부터 연마액이 공급된다. 연마액으로서는 예를 들면 콜로이달 실리카를 분산시킨 알칼리 용액을 이용할 수 있다.
도 3은, 캐리어(10)의 구성을 나타내는 도면으로서, (a)는 평면도, (b)는 측면 단면도, (c)는 캐리어(10)의 웨이퍼 장전공(10a)의 내주 엣지 근방(수지 인서터(12)의 부분 확대도이다.
도 3(a) 및 (b)에 나타내는 바와 같이, 캐리어(10)는, 웨이퍼(W)보다도 큰 원형의 개구(11a)를 갖는 금속제의 캐리어 본체(11)와, 캐리어 본체(11)의 개구(11a)의 내주 엣지를 따라 배치된 링 형상의 수지 인서터(12)를 구비하고 있다.
캐리어 본체(11)는 원반상의 부재이고, 외주부에는 외주톱니(11b)가 형성되어 있다. 캐리어 본체(11)의 대표적인 재료는 SUS이지만, 티탄 등의 다른 금속 재료를 이용해도 좋다. 캐리어 본체(11)의 두께(D)는 양면 연마 후의 웨이퍼(W)의 목표 두께에 기초하여 설정되고, 예를 들면 직경 300㎜ 웨이퍼용의 캐리어(10)의 두께는 약 0.8㎜로 설정되고, 가공전의 두께가 1㎜ 정도인 웨이퍼(W)를 캐리어(10)와 동일한 정도의 두께가 될 때까지 얇게 하는 표준 치수 연마가 행해진다. 개구(11a)의 중심 위치는 캐리어 본체(11)의 중심 위치에서 오프셋되어 있기 때문에, 개구(11a) 내에 세트된 웨이퍼(W)는 캐리어 본체(11)의 중심을 회전축으로 하여 편심 운동하고, 이에 따라 연마 효율 및 연마의 균일성이 높여진다.
수지 인서터(12)는, 웨이퍼(W)의 외주면과 캐리어 본체(11)의 개구(11a)의 내주면의 사이에 개재하여 양자의 접촉을 저지하는 역할을 다한다. 수지 인서터(12)의 내측 개구(12a)가 캐리어(10)의 웨이퍼 장전공(10a)(도 2 참조)을 구성하고 있고, 웨이퍼(W)의 외주면은 수지 인서터(12)의 내주면에 접촉한다. 수지 인서터(12)의 가로폭(링폭)은 예를 들면 2㎜ 이상이고, 캐리어 본체(11)의 개구(11a)의 사이즈 및 웨이퍼(W)의 사이즈를 고려하여 결정된다. 수지 인서터(12)의 두께는 캐리어 본체(11)의 두께(D)와 동일한 것이 바람직하다.
도 3(c)에 나타내는 바와 같이, 수지 인서터(12)의 내측 개구(12a)의 내주부의 상하의 코너부는 직각이 아니고, 롤 오프 형상을 갖고 있다. 상기와 같이, 가공 전의 두께가 1㎜ 정도인 웨이퍼(W)를 캐리어(10)와 동일한 정도의 두께가 될 때까지 얇게 연마하면, 웨이퍼(W)와 함께 캐리어(10)도 연마되기 때문에, 재질적으로 무른 수지 인서터(12)의 내주 엣지에는 반드시 롤 오프가 발생한다.
본 실시 형태에 있어서, 캐리어(10)의 웨이퍼 장전공(10a)의 엣지 근방에 있어서의 주면의 기울기값(이하, 간단히 「캐리어의 기울기값」이라고 함)은, 수지 인서터(12)의 내주 엣지로부터 외주를 향하는 오름 경사면의 기울기값이지만, 엣지 롤 오프는 수지 인서터(12)의 상하 양방의 주면에 각각 형성되기 때문에, 캐리어의 기울기값은, 내주 엣지로부터 외주를 향하는 수지 인서터(12)의 두께 분포를 구하고, 내주 엣지로부터 일정 범위 내의 두께 분포의 회귀 직선의 기울기로부터 구해진다. 즉, 캐리어의 기울기값은, 캐리어의 엣지 근방의 두께의 변화율로서 구할 수 있다.
수지 인서터(12)의 두께 분포의 회귀 직선으로부터 구한 수지 인서터(12)의 내주 엣지의 두께를 y1로 하고, 내주 엣지로부터 거리 x만큼 떨어진 위치에 있어서의 수지 인서터(12)의 외주측의 두께를 y2로 할 때, 캐리어의 기울기값 tanθ＝(y2－y1)/x가 된다. 즉, 캐리어의 기울기값 tanθ는, 표면측의 기울기값 tanθ1＝h1/x과 이면측의 기울기값 tanθ2＝h2/x의 합계값으로서 구해진다. 또한, 각도 θ＝θ1＋θ2이고, 통상은 θ1≒θ2이다.
양면 연마 가공 후의 웨이퍼(W)의 외주 형상을 양호하게 하기 위해서는, 이 캐리어(10)의 기울기값 tanθ＝0.25×10－3 이하인 것이 필요하다. 즉, 본 실시 형태에 의한 웨이퍼의 양면 연마 공정에 있어서, 기울기값이 0.25×10－3을 초과하는 캐리어는 사용되지 않는다. 캐리어(10)의 기울기값의 신뢰성을 높이기 위해, 웨이퍼 장전공의 주위의 복수 개소의 기울기값의 평균값을 이용하는 것이 바람직하다.
도 4는, 캐리어의 선별 공정을 포함한 웨이퍼의 양면 연마 방법을 설명하는 플로우차트이다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 의한 웨이퍼의 양면 연마 방법은, 양면 연마 장치에서 사용하는 캐리어(10)의 기울기값을 미리 측정하는 공정(S1)과, 기울기값이 문턱값(0.25×10－3) 이하인 경우에, 양면 연마 공정에서 사용 가능한 캐리어로서 선별하는 공정(S2Y, S3)과, 선별된 캐리어를 이용하여 웨이퍼를 양면 연마하는 공정(S4)을 갖고 있다. 또한 기울기값이 문턱값을 초과하는 캐리어는 사용 대상으로부터 제외된다(S2N, S5).
이와 같이, 웨이퍼의 양면 연마에 사용하는 캐리어(10)의 기울기값을 0.25×10－3 이하로 한정함으로써, 연마 후의 웨이퍼의 외주 형상 분포를 양호하게 할 수 있다.
도 5는, 캐리어(10)의 웨이퍼 장전공(10a)의 엣지 근방에 있어서의 주면의 기울기 형상과 연마 후의 웨이퍼의 엣지 형상의 관계를 설명하기 위한 개략도이고, 특히 (a)는 종래의 기울기 형상, (b)는 본 발명의 기울기 형상을 각각 나타내고 있다.
도 5(a)에 나타내는 바와 같이, 양면 연마에서는 상 정반(2)과 하 정반(3)의 사이에 웨이퍼(W)를 끼워넣고 압력을 가하면서 연마하는데, 상 정반(2) 및 하 정반(3)의 각각과 웨이퍼(W)의 사이에 두께 1㎜ 정도의 연마포(4, 5)가 각각 개재하고 있기 때문에, 캐리어(10)의 기울기값이 큰 경우에는, 캐리어(10)와 웨이퍼(W)의 사이에 큰 오목부가 형성되고, 이 오목부에 연마포(4, 5)가 침입함으로써 웨이퍼(W)의 엣지의 연마량이 많아진다. 즉, 웨이퍼(W)의 엣지에 걸리는 응력(연마 압력)이 커지기 때문에, 연마 후의 웨이퍼(W)의 엣지 롤 오프는 커진다.
그러나 도 5(b)에 나타내는 바와 같이, 캐리어(10)의 기울기값이 작은 경우에는, 캐리어(10)와 웨이퍼(W)의 사이에 형성되는 오목부도 작아지고, 웨이퍼(W)의 엣지의 연마량도 적어진다. 즉, 웨이퍼(W)의 엣지에 걸리는 응력(연마 압력)이 작아지기 때문에, 연마 후의 웨이퍼(W)의 엣지 롤 오프는 작아진다.
연마 공정이 진행되어 웨이퍼(W)가 얇아지면 캐리어(10)의 두께와의 차(갭)가 작아지는데, 웨이퍼 장전공 주변의 두께가 얇아져 있는 경우에는, 비록 연마를 진행해도, 웨이퍼(W)의 외주 형상은 롤 오프되어 버린다. 그러나, 본 실시 형태에 있어서는, 캐리어(10)의 웨이퍼 장전공 주변의 두께를 계측하고, 그 계측 결과로부터 캐리어(10)의 웨이퍼 장전공 주변의 기울기값을 산출하고, 사용하는 캐리어(10)의 기울기값이 문턱값 이하가 되도록 관리하기 때문에, 연마 후의 웨이퍼(W)의 외주 형상을 양화(良化)시킬 수 있다.
웨이퍼(W)의 엣지 롤 오프의 지배적 요인은 웨이퍼 장전공 주변의 두께 프로파일이고, 만일 캐리어의 두께가 변동해도, 웨이퍼 장전공 주변의 기울기값이 작으면 좋은 결과가 얻어진다. 반대로, 웨이퍼 장전공 주변의 기울기값의 영향이 크기 때문에, 만일 캐리어의 두께까지 웨이퍼를 얇게 연마하고, 이에 따라 캐리어에 두께에 대하여 연마 후의 웨이퍼의 두께가 변동했다고 해도, 웨이퍼의 엣지 롤 오프를 해소할 수는 없다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 의한 웨이퍼의 양면 연마 방법은, 캐리어(10)의 웨이퍼 장전공(10a) 내에 세트된 웨이퍼(W)를 상 정반(2)과 하 정반(3)으로 캐리어(10)마다 끼워눌러 보유 지지하고, 웨이퍼(W)에 슬러리를 공급하면서 상 정반(2)과 하 정반(3)을 회전시켜 상기 웨이퍼(W)를 양면 연마하는 방법에 있어서, 캐리어(10)의 웨이퍼 장전공(10a)의 내주 엣지로부터 일정 범위 내의 기울기값이 0.25×10－3 이하인 것만을 사용하기 때문에, 웨이퍼 외주부의 롤 오프 형상을 억제할 수 있고, 웨이퍼 외주부의 평탄도의 편차를 저감할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은, 상기의 실시 형태에 한정되는 일 없이, 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지의 변경이 가능하고, 그들도 본 발명의 범위 내에 포함되는 것인 것은 말할 필요도 없다.
예를 들면, 상기 실시 형태에 있어서는, 캐리어(10)가 금속제의 캐리어 본체(11)와 수지 인서터(12)로 구성되는 경우를 예로 들었지만, 캐리어 전체를 수지제로 하여 수지 인서터(12)를 캐리어 본체(11)와 수지 인서터(12)를 일체화해도 좋다. 혹은, 캐리어(10)의 전체를 금속제로 하는 것도 가능하다.
또한 상기 실시 형태에 있어서는, 1개의 캐리어(10)가 1개의 웨이퍼 장전공(10a)을 갖고, 1매의 웨이퍼(W)를 보유 지지하는데, 1개의 캐리어(10)가 복수의 웨이퍼 장전공(10a)을 갖고 있어도 좋다. 이 경우, 복수의 웨이퍼 장전공(10a)의 각각의 엣지 근방에 있어서의 주면의 기울기값이 0.25×10－3 이하인 것이 필요하고, 또한 복수의 캐리어간의 두께 편차가 ±4㎛ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 본 실시 형태에 의한 양면 연마 장치(1)의 구성은 일 예로서, 여러 가지의 타입의 것을 채용할 수 있다. 또한 연마 가공 대상의 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼에 한정되지 않고, 여러 가지의 웨이퍼를 대상으로 할 수 있다.
실시예
캐리어의 기울기값에 편차가 있는 다수의 캐리어의 샘플을 사용하여 직경 300㎜의 실리콘 웨이퍼를 양면 연마한 후의 당해 실리콘 웨이퍼의 엣지의 평탄도를 평가했다. 평가 시험에서는 우선 150매의 캐리어를 준비하고, 레이저 변위계를 이용하여 이들 라인 스캔 측정을 행하고, 각 캐리어의 웨이퍼 장전공의 엣지 근방에 있어서의 주면의 기울기값을 산출했다.
도 6은, 캐리어의 기울기값의 측정 방법을 설명하기 위한 도면으로서, (a)는 캐리어의 라인 스캔 측정 개소를 설명하기 위한 평면도이고, (b)는 측정할 캐리어의 이미지 및 기울기 산출 개소를 설명하기 위한 측면 단면도이다.
도 6(a) 및 (b)에 나타내는 바와 같이, 라인 스캔 측정 개소는 웨이퍼 장전공의 주위 8개소로 하고, 각 측정 개소에 있어서 기울기값을 산출하고, 그 평균값을 캐리어의 기울기값으로 했다. 캐리어의 각 측정 개소에 있어서의 기울기값의 산출에 이용하는 측정 길이 x는, 수지 인서터가 존재하는 영역 내의 폭인 2㎜로 했다.
웨이퍼 장전공의 내측으로부터 캐리어의 외측을 향하여 도시와 같이 라인 스캔 측정을 실시하고, 측정 길이를 x, 캐리어 두께를 y로 했을 때의 회귀 직선의 기울기(회귀 계수)를 산출했다.
회귀 직선의 기울기 a＝상관 계수×(y의 표준 편차/x의 표준 편차)이고, x, y의 평균값을 각각 mx, my로 하면, 다음식과 같이 된다.
[수 1]
Figure 112018124533371-pct00001
이와 같이 하여 각 캐리어의 기울기값의 측정을 행한 후, 이들 캐리어를 이용하여 실리콘 웨이퍼의 양면 연마를 행했다. 평가 시험에 이용한 양면 연마 장치는 도 2에 나타낸 한번에 5매의 캐리어를 세트할 수 있는 것이기 때문에, 5매의 캐리어를 1세트로 하여 연마 공정을 실시했다. 연마 조건으로서는, 두께가 1.0㎜인 발포 우레탄 패드와 연마 지립으로서 콜로이달 실리카를 포함하는 알칼리성의 슬러리를 사용하고, 정반 회전수를 20∼30rpm으로 하고, 가공 면압을 300g/㎠로 했다. 연마 가공 전의 실리콘 웨이퍼의 두께는 790㎛이고, 캐리어의 두께를 778㎛로 하고, 연마 후의 실리콘 웨이퍼의 목표 두께를 778∼782㎛로 했다. 실리콘 웨이퍼의 두께 측정에는 레이저 변위계를 이용했다.
다음으로, 양면 연마 후의 웨이퍼의 ESFQD 및 ESFQR을 측정하고, 캐리어의 기울기값이 웨이퍼의 외주 형상에 주는 영향을 확인했다. ESFQD(Edge Site flatness Front reference least sQuare Deviation) 및 ESFQR(Edge Site flatness Front reference least sQuare Range)은, 평탄도가 악화되기 쉬운 웨이퍼의 엣지에 주목한 평탄도의 평가 지표(사이트 플랫니스)이고, 엣지 롤 오프의 크기를 나타내는 것이다. 웨이퍼의 엣지의 평탄도는, 웨이퍼의 최외주로부터 예를 들면 2∼32㎜의 범위(섹터 길이 30㎜)로 설정된 링 형상의 외주 영역을 주방향으로 더욱 균등하게 분할하여 얻어지는 단위 영역(사이트)마다 구해진다. 웨이퍼의 평탄도 측정에는 평탄도 측정 장치(KLA Tencor사 제조 WaferSight2)를 이용했다. 측정 조건으로서는, 측정 범위를 296㎜(최외주 2㎜ 제외)로 하고, 엣지 사이트 측정에서는 섹터수(사이트수)를 72로 하고, 섹터 길이를 30㎜로 했다.
도 7은, 캐리어의 기울기값과 ESFQDmean의 관계를 나타내는 산포도이고, 또한 도 8은, 캐리어의 기울기값과 ESFQRmax의 관계를 나타내는 산포도이다.
ESFQDmean는 전체 사이트의 ESFQD의 평균값이고, ESFQD는 사이트 내의 두께 분포로부터 최소 제곱법에 의해 구해진 기준면(사이트 베스트 피트면)으로부터의 최대 변위(α) 또는 최소 변위(－β) 중 절대값이 큰 쪽의 변위를 말한다. 예를 들면 α＞β이면 ESFQD＝α가 되고, α＜β이면 ESFQD＝－β가 된다. ESFQD는 정부의 값을 갖는 지표이고, ESFQD가 마이너스측으로 클수록 웨이퍼의 엣지 롤 오프가 큰 것을 의미하고 있다.
또한 ESFQRmax는 전체 사이트의 ESFQR의 최대값이고, ESFQR은, 사이트 내의 베스트 피트면으로부터의 최대 변위(α)와 최소 변위(β)의 차(α－(－β))인 것을 말한다. ESFQR이 커질수록 웨이퍼의 엣지 롤 오프가 커지고, 반대로 0에 가까워질수록 외주 평탄도가 양호한 것을 의미하고 있다.
도 7 및 도 8에 나타내는 바와 같이, 캐리어의 기울기값이 커질수록 ESFQDmean이 마이너스측으로 커지고, 특히 기울기값이 0.25×10－3 이상이 되면 ESFQDmean의 분포의 편차가 커짐과 함께 ESFQRmax가 크게 편차가 나는 것을 알았다. 또한 캐리어의 기울기값이 작아지면 ESFQDmean이 마이너스측으로부터 플러스 측으로 되고, 웨이퍼의 엣지 롤 오프가 작아짐과 함께 ESFQRmax는 양화하고 있는 것을 확인할 수 있었다. 이로부터, ESFQR을 양화시키고, 또한 안정적으로 생산하기 위해서는, 기울기값이 0.25×10－3 이하인 것이 바람직한 것을 알았다. 또한, ESFQRmax가 25㎚ 이하를 목표로 했을 때에는, 기울기값이 0.2×10－3 이하인 캐리어를 사용함으로써 한층 더 양호한 외주 평탄도를 유지할 수 있는 것이 도 8의 그래프로부터 명백해졌다.
다음으로, 캐리어의 웨이퍼 장전공의 엣지 근방(Carrier Hole 주변)의 두께의 산출 개소의 평균값(평균 두께)과 연마 후의 웨이퍼 두께의 차분(연마 후 웨이퍼 두께－캐리어 두께)을 「Gap」로 했을 때에, Gap과 캐리어의 기울기값이 웨이퍼의 평탄도에 주는 영향에 대해서 평가했다.
도 9는, Gap과 연마 후의 웨이퍼의 ESFQDmean 및 ESFQRmax의 관계를 캐리어의 웨이퍼 장전공의 엣지 근방(캐리어 홀부)의 기울기값마다 나타내는 표이다.
도 9에 나타내는 바와 같이, Gap에 관해서는 금회 평가 시험의 범위인 0㎛∼＋4㎛로 확인했는데, 평가 시험의 범위에 있어서는, 캐리어의 기울기값을 0.25×10－3 이하로 함으로써 어떠한 웨이퍼의 ESFQRmax나 25㎛ 이하로 할 수 있었다. 반대로, 기울기값이 0.3×10－3 이상인 경우에는 25㎛ 이하의 ESFQRmax를 달성할 수 없는 것도 확인할 수 있었다. 이 때, 일반적으로 수지 인서터가 존재하지 않는 영역(캐리어의 대부분)의 두께가, 기울기값의 산출 개소(엣지 근방)의 두께 ±4㎛의 범위 내에서 관리·사용되고 있으면, 평탄도로의 영향은 확인되지 않았다. 이로부터도, 금회의 기울기값의 산출 개소인, 웨이퍼 장전공의 엣지 근방의 두께 프로파일이 웨이퍼의 엣지 롤 오프의 형상을 결정짓는 것으로 생각되고, 웨이퍼 장전공의 엣지 근방의 형상 관리가 중요한 것이 확인되었다.
도 10은, 캐리어 라이프가 0min(사용 전)인 캐리어의 기울기값과 캐리어 라이프가 40,000min(사용 후)인 캐리어의 기울기값의 관계를 나타내는 산포도이다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 사용 전과 비교한 사용 후의 캐리어의 기울기값은, 변화가 적은 것으로 0％, 최대로 30％ 정도 작아져 있는 것을 확인할 수 있었다. 이는 캐리어 전체의 두께가 캐리어 라이프의 진행에 의해 얇아짐으로써 기울기값이 작아졌기 때문이다. 이로부터, 초기 투입시에 기울기값을 제한함으로써 고평탄인 웨이퍼를 계속하여 가공하는 것이 가능한 것이 확인되었다.
1 : 양면 연마 장치
2 : 상 정반
3 : 하 정반
4, 5 : 연마포
6 : 선 기어
7 : 인터널 기어
10 : 캐리어
10a : 웨이퍼 장전공
10b : 외주톱니
11 : 캐리어 본체
11a : 캐리어 본체의 개구
11b : 캐리어 본체의 외주톱니
12 : 수지 인서터
12a : 수지 인서터의 내측 개구
W : 웨이퍼

Claims (7)

  1. 캐리어의 웨이퍼 장전공(裝塡孔) 내에 세트된 웨이퍼를 상 정반과 하 정반으로 상기 캐리어마다 끼워눌러 보유 지지하고, 상기 웨이퍼에 슬러리를 공급하면서 상기 상 정반과 상기 하 정반을 회전시켜 상기 웨이퍼를 양면 연마하는 방법으로서,
    복수의 캐리어의 웨이퍼 장전공의 엣지 근방에 있어서의 주면의 기울기값을 미리 측정하는 공정(단, 상기 기울기값의 측정 범위인 상기 엣지 근방은, 상기 캐리어의 웨이퍼 장전공의 내주 엣지에서 내측으로 2㎜까지의 범위 내임)과,
    상기 기울기값의 측정 결과에 기초하여, 상기 복수의 캐리어 중에서 상기 기울기값이 문턱값 이하인 것을 선별하는 공정과,
    선별된 캐리어를 이용하여 상기 웨이퍼를 양면 연마하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 양면 연마 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 문턱값이 0.25×10－3인, 웨이퍼의 양면 연마 방법.
  3. 삭제
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 캐리어의 웨이퍼 장전공의 엣지 근방에 있어서의 주면의 기울기값은, 상기 웨이퍼 장전공의 내주 엣지의 1개소의 기울기값 또는 복수 개소의 기울기값의 평균값인, 웨이퍼의 양면 연마 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 캐리어의 웨이퍼 장전공의 엣지 근방에 있어서의 주면의 기울기값은, 상기 내주 엣지로부터 일정 범위 내의 상기 캐리어의 두께 분포의 회귀 직선의 기울기인, 웨이퍼의 양면 연마 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 캐리어는, 원형의 개구를 갖는 금속제의 캐리어 본체와, 상기 캐리어 본체의 상기 개구의 내주를 따라 형성된 링 형상의 수지 인서터의 조합으로 이루어지고,
    상기 수지 인서터의 폭이 2㎜ 이상인, 웨이퍼의 양면 연마 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    복수의 캐리어를 이용하여 복수의 웨이퍼를 동시에 양면 연마하는 방법에 있어서, 상기 복수의 캐리어의 각각의 웨이퍼 장전공의 엣지 근방에 있어서의 주면의 기울기값이 모두 문턱값 이하이고, 또한, 상기 복수의 캐리어간의 두께 편차가 ±4㎛ 이내인, 웨이퍼의 양면 연마 방법.
KR1020187036027A 2016-07-29 2017-05-23 웨이퍼의 양면 연마 방법 KR102122841B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-150449 2016-07-29
JP2016150449A JP6579056B2 (ja) 2016-07-29 2016-07-29 ウェーハの両面研磨方法
PCT/JP2017/019129 WO2018020798A1 (ja) 2016-07-29 2017-05-23 ウェーハの両面研磨方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190002701A KR20190002701A (ko) 2019-01-08
KR102122841B1 true KR102122841B1 (ko) 2020-06-15

Family

ID=61017464

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187036027A KR102122841B1 (ko) 2016-07-29 2017-05-23 웨이퍼의 양면 연마 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11772231B2 (ko)
JP (1) JP6579056B2 (ko)
KR (1) KR102122841B1 (ko)
CN (1) CN109475996B (ko)
DE (1) DE112017003816T5 (ko)
TW (1) TWI697383B (ko)
WO (1) WO2018020798A1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6635003B2 (ja) 2016-11-02 2020-01-22 株式会社Sumco 半導体ウェーハの両面研磨方法
JP6431560B2 (ja) * 2017-03-08 2018-11-28 日清工業株式会社 両頭平面研削盤および研削方法
JP6822432B2 (ja) * 2018-02-23 2021-01-27 株式会社Sumco ウェーハの片面研磨方法
JP7070010B2 (ja) * 2018-04-16 2022-05-18 株式会社Sumco キャリアの製造方法および半導体ウェーハの研磨方法
JP7200898B2 (ja) * 2019-09-27 2023-01-10 株式会社Sumco ワークの両面研磨方法
CN112405326B (zh) * 2020-10-20 2021-09-24 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 一种检测研磨载体厚度及保证研磨载体厚度均匀的方法
CN114227421B (zh) * 2022-01-12 2022-09-20 江苏益芯半导体有限公司 一种晶圆片表面加工用抛光机
CN115673909B (zh) * 2023-01-03 2023-03-10 北京特思迪半导体设备有限公司 一种半导体基材双面抛光中的平面控制方法及系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003019660A (ja) 2001-07-04 2003-01-21 Toshiba Corp 両面研磨方法および両面研磨装置
JP2010179375A (ja) 2009-02-03 2010-08-19 Sumco Corp 被研磨物キャリア及び研磨製品の製造方法
JP2014188668A (ja) 2013-03-28 2014-10-06 Hoya Corp ガラス基板の製造方法
JP2015104771A (ja) 2013-11-29 2015-06-08 Hoya株式会社 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び研磨処理用キャリア

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54107228A (en) 1978-02-09 1979-08-22 Nec Corp Memory circuit
JPH09283474A (ja) * 1996-04-18 1997-10-31 Hitachi Cable Ltd 半導体ウエハの両面研磨方法
JPH10329013A (ja) * 1997-05-30 1998-12-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd 両面研磨及び両面ラッピング用キャリア
US6179950B1 (en) * 1999-02-18 2001-01-30 Memc Electronic Materials, Inc. Polishing pad and process for forming same
US7364495B2 (en) * 2002-03-28 2008-04-29 Etsu Handotai Co., Ltd. Wafer double-side polishing apparatus and double-side polishing method
JPWO2006090661A1 (ja) * 2005-02-25 2008-07-24 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリアおよびこれを用いた両面研磨装置、両面研磨方法
JP4904960B2 (ja) 2006-07-18 2012-03-28 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
JP4605233B2 (ja) * 2008-02-27 2011-01-05 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
JP5748717B2 (ja) 2012-09-06 2015-07-15 信越半導体株式会社 両面研磨方法
JP5847789B2 (ja) * 2013-02-13 2016-01-27 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリアの製造方法およびウエーハの両面研磨方法
JP6146213B2 (ja) 2013-08-30 2017-06-14 株式会社Sumco ワークの両面研磨装置及び両面研磨方法
JP6128198B1 (ja) * 2015-12-22 2017-05-17 株式会社Sumco ウェーハの両面研磨方法及びこれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003019660A (ja) 2001-07-04 2003-01-21 Toshiba Corp 両面研磨方法および両面研磨装置
JP2010179375A (ja) 2009-02-03 2010-08-19 Sumco Corp 被研磨物キャリア及び研磨製品の製造方法
JP2014188668A (ja) 2013-03-28 2014-10-06 Hoya Corp ガラス基板の製造方法
JP2015104771A (ja) 2013-11-29 2015-06-08 Hoya株式会社 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び研磨処理用キャリア

Also Published As

Publication number Publication date
US20190160627A1 (en) 2019-05-30
US11772231B2 (en) 2023-10-03
CN109475996B (zh) 2021-03-09
JP2018015877A (ja) 2018-02-01
KR20190002701A (ko) 2019-01-08
WO2018020798A1 (ja) 2018-02-01
TWI697383B (zh) 2020-07-01
JP6579056B2 (ja) 2019-09-25
TW201815519A (zh) 2018-05-01
CN109475996A (zh) 2019-03-15
DE112017003816T5 (de) 2019-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102122841B1 (ko) 웨이퍼의 양면 연마 방법
TWI390616B (zh) Semiconductor wafer manufacturing method
KR101587226B1 (ko) 웨이퍼의 연마 방법 및 양면 연마 장치
KR102090588B1 (ko) 웨이퍼의 양면 연마 방법 및 이것을 이용한 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 그리고 에피택셜 웨이퍼
KR102047814B1 (ko) 웨이퍼 연마 방법
KR101846926B1 (ko) 웨이퍼의 양면 연마방법
JP2000235941A (ja) 半導体ウェハ、半導体ウェハの製造方法および該製造方法の使用
KR20070110033A (ko) 양면 연마 장치용 캐리어 및 이를 이용한 양면 연마 장치,양면 연마 방법
JP2006303136A (ja) 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
JP2010030019A (ja) 両面研磨装置
JP2012129416A (ja) 半導体ウェーハ及びその製造方法
TW201321133A (zh) 加工裕度的評價方法及晶圓的製造方法
TW202103844A (zh) 雙面研磨方法
TW201743374A (zh) 雙面研磨方法及雙面研磨裝置
TWI749749B (zh) 晶圓的研磨方法及矽晶圓
TWI740606B (zh) 工件的兩面研磨方法
KR102477930B1 (ko) 웨이퍼의 양면연마방법 및 양면연마장치
TWI739627B (zh) 晶圓的單面研磨方法、晶圓的製造方法及晶圓的單面研磨裝置
KR20190005916A (ko) 양면 연마 장치
KR102457698B1 (ko) 웨이퍼 연마 장치와 방법
JP2007331034A (ja) ワークキャリア及び両面研磨機
KR101292224B1 (ko) 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치 및 방법
JPS632655A (ja) ウエハ研磨用プレ−ト

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant