JPH09283474A - 半導体ウエハの両面研磨方法 - Google Patents
半導体ウエハの両面研磨方法Info
- Publication number
- JPH09283474A JPH09283474A JP11957596A JP11957596A JPH09283474A JP H09283474 A JPH09283474 A JP H09283474A JP 11957596 A JP11957596 A JP 11957596A JP 11957596 A JP11957596 A JP 11957596A JP H09283474 A JPH09283474 A JP H09283474A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- carrier
- wafer
- surface plate
- rotation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 多数回処理においても安定的に高平坦度ウエ
ハが得ることができる両面研磨方法を提供する。 【解決手段】 上定盤１、下定盤２間にキャリア４およ
び該キャリアに設けた穴に収納した半導体ウエハ３をセ
ットして、上記上、下定盤の回転により上記半導体ウエ
ハの両面を研磨する方法において、研磨途中でキャリア
４の自転方向を反転させる半導体ウエハの両面研磨方法
である。
ハが得ることができる両面研磨方法を提供する。 【解決手段】 上定盤１、下定盤２間にキャリア４およ
び該キャリアに設けた穴に収納した半導体ウエハ３をセ
ットして、上記上、下定盤の回転により上記半導体ウエ
ハの両面を研磨する方法において、研磨途中でキャリア
４の自転方向を反転させる半導体ウエハの両面研磨方法
である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハの
両面研磨方法に関するものである。
両面研磨方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】集積回路用半導体ウエハには、その集積
度の向上に伴いウエハ平坦度の益々の向上が求められて
いる。高平坦度ウエハの製造のためには、図１に示すよ
うな両面研磨方法が広く採用されている。
度の向上に伴いウエハ平坦度の益々の向上が求められて
いる。高平坦度ウエハの製造のためには、図１に示すよ
うな両面研磨方法が広く採用されている。
【０００３】上、下定盤１，２の間にウエハ３とウエハ
３を保持するキャリア４を介在させる。上，下定盤１，
２は互いに逆回転し、この上、下定盤１，２にウエハ３
の両面が面接触し、キャリア４は太陽車５とインターナ
ルギア６の回転数の差により自公転を行っている。ま
た、キャリア４内ではウエハ３が自転を行っている。こ
れらの回転比は適正値に設定されており、このような遊
星運転によりウエハは平坦に研磨される。
３を保持するキャリア４を介在させる。上，下定盤１，
２は互いに逆回転し、この上、下定盤１，２にウエハ３
の両面が面接触し、キャリア４は太陽車５とインターナ
ルギア６の回転数の差により自公転を行っている。ま
た、キャリア４内ではウエハ３が自転を行っている。こ
れらの回転比は適正値に設定されており、このような遊
星運転によりウエハは平坦に研磨される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した半導体ウエハ
の両面研磨方法は、ウエハの高平坦度化を達成すること
ができるものの、次のような課題を有していた。即ち、
多数回処理を行った場合、１０バッチに１バッチまたは
２バッチ程度、バッチ内の殆どのウエハの形状がいわゆ
るテーパ状となる場合がある。図２に高平坦度に研磨さ
れたウエハ形状の拡大図を示し、図３ににテーパ状に研
磨されたウエハ形状の拡大図を示す。
の両面研磨方法は、ウエハの高平坦度化を達成すること
ができるものの、次のような課題を有していた。即ち、
多数回処理を行った場合、１０バッチに１バッチまたは
２バッチ程度、バッチ内の殆どのウエハの形状がいわゆ
るテーパ状となる場合がある。図２に高平坦度に研磨さ
れたウエハ形状の拡大図を示し、図３ににテーパ状に研
磨されたウエハ形状の拡大図を示す。
【０００５】このような現象はラッピングよりもポリシ
ングで見られることが多い。この原因として、ポリシン
グにおける研磨布が多数回処理していくことにより偏摩
耗を起こすことが考えられる。キャリアの自公転および
キャリア内でのウエハ自転でウエハの自由度が確保され
ているように考えられるが、従来の方法では適正値とさ
れた上定盤１，下定盤２，太陽車５，インターナルギア
６の回転比に固定して研磨されるため、理想的な状態で
はよいが、研磨布が偏摩耗を起こしている状態では、逆
に一度テーパ状に研磨され始めたウエハ形状を保存、増
長させてしまう場合があると考えられる。
ングで見られることが多い。この原因として、ポリシン
グにおける研磨布が多数回処理していくことにより偏摩
耗を起こすことが考えられる。キャリアの自公転および
キャリア内でのウエハ自転でウエハの自由度が確保され
ているように考えられるが、従来の方法では適正値とさ
れた上定盤１，下定盤２，太陽車５，インターナルギア
６の回転比に固定して研磨されるため、理想的な状態で
はよいが、研磨布が偏摩耗を起こしている状態では、逆
に一度テーパ状に研磨され始めたウエハ形状を保存、増
長させてしまう場合があると考えられる。
【０００６】多数回処理における定盤，研磨布修正方法
として、ラッピングでの定盤修正，ポリシングでの研磨
布ドレシングがあるが、ラッピングでの定盤修正では効
果が見られるものの、ポリシングでの研磨布ドレシング
では必ずしも効果が見られない場合があった。
として、ラッピングでの定盤修正，ポリシングでの研磨
布ドレシングがあるが、ラッピングでの定盤修正では効
果が見られるものの、ポリシングでの研磨布ドレシング
では必ずしも効果が見られない場合があった。
【０００７】この発明の目的は、上述した従来技術の問
題点を解消し、多数回処理においても安定的に高平坦度
ウエハが得ることができる両面研磨方法を提供すること
にある。
題点を解消し、多数回処理においても安定的に高平坦度
ウエハが得ることができる両面研磨方法を提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、上、下定盤
間にキャリアおよび該キャリアに設けた穴に収納した半
導体ウエハをセットして、上記上、下定盤の回転により
上記半導体ウエハの両面を研磨する方法において、研磨
途中でキャリアの自転方向を反転させることを特徴とす
る半導体ウエハの両面研磨方法である。即ち、両面研磨
の途中でキャリアの自転方向を反転させることにある。
つまり、例えば研磨初期の段階においてキャリアの自転
方向が時計方向であるとした場合、研磨途中の段階でキ
ャリアの自転方向を反時計方向とするのである。また、
キャリア自転方向の反転は、研磨中１回（１サイクル）
のみならず、複数回実施することもできる。
間にキャリアおよび該キャリアに設けた穴に収納した半
導体ウエハをセットして、上記上、下定盤の回転により
上記半導体ウエハの両面を研磨する方法において、研磨
途中でキャリアの自転方向を反転させることを特徴とす
る半導体ウエハの両面研磨方法である。即ち、両面研磨
の途中でキャリアの自転方向を反転させることにある。
つまり、例えば研磨初期の段階においてキャリアの自転
方向が時計方向であるとした場合、研磨途中の段階でキ
ャリアの自転方向を反時計方向とするのである。また、
キャリア自転方向の反転は、研磨中１回（１サイクル）
のみならず、複数回実施することもできる。
【０００９】従って、上，下定盤の互いの逆回転、太陽
車とインターナルギアの回転数差による自公転、キャリ
ア内でのウエハの自転に加え、研磨中にキャリアの自転
方向の反転を行うことにより、仮にウエハの片削り（テ
ーパ形状）が発生しかけても研磨途中でその修正が可能
となる。その結果、ウエハの片削り（テーパ形状）の発
生を抑制することができる。
車とインターナルギアの回転数差による自公転、キャリ
ア内でのウエハの自転に加え、研磨中にキャリアの自転
方向の反転を行うことにより、仮にウエハの片削り（テ
ーパ形状）が発生しかけても研磨途中でその修正が可能
となる。その結果、ウエハの片削り（テーパ形状）の発
生を抑制することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいてこの発明の
実施の形態を説明する。図１は本発明の半導体ウエハの
両面研磨方法を説明するための研磨装置の側断面図であ
る。即ち、使用した研磨装置はいわゆる１２Ｂタイプ
（定盤径φ８６３ｍｍ，キャリア径φ２８３．６ｍｍ）
である。半導体ウエハ３は予め単結晶インゴットから８
００μｍの厚さにスライスし、その後面取りを行い、７
００μｍまで両面をラッピングした後、６００μｍの厚
さに両面ポリシングを行ったものを使用した。上記研磨
装置は上定盤１と下定盤２の間にキャリア４が設けら
れ、このキャリア４には太陽車５とインターナルギア６
が配設されている。この間に載置される半導体ウエハ３
は、大きさがφ１００ｍｍのＧａＡｓウエハを用いた。
実施の形態を説明する。図１は本発明の半導体ウエハの
両面研磨方法を説明するための研磨装置の側断面図であ
る。即ち、使用した研磨装置はいわゆる１２Ｂタイプ
（定盤径φ８６３ｍｍ，キャリア径φ２８３．６ｍｍ）
である。半導体ウエハ３は予め単結晶インゴットから８
００μｍの厚さにスライスし、その後面取りを行い、７
００μｍまで両面をラッピングした後、６００μｍの厚
さに両面ポリシングを行ったものを使用した。上記研磨
装置は上定盤１と下定盤２の間にキャリア４が設けら
れ、このキャリア４には太陽車５とインターナルギア６
が配設されている。この間に載置される半導体ウエハ３
は、大きさがφ１００ｍｍのＧａＡｓウエハを用いた。
【００１１】上記両面ラッピング，両面ポリシングでの
各部での回転比は、時計方向を正として、研磨初期段階
では上定盤１：下定盤２：キャリア４の公転：キャリア
４の自転の比を−２：６：２：１とし、研磨の途中より
−２：６：２：−１の比として研磨を行った。そして、
このキャリア４の自転方向の反転を１回の研磨当たり２
サイクル実施した。
各部での回転比は、時計方向を正として、研磨初期段階
では上定盤１：下定盤２：キャリア４の公転：キャリア
４の自転の比を−２：６：２：１とし、研磨の途中より
−２：６：２：−１の比として研磨を行った。そして、
このキャリア４の自転方向の反転を１回の研磨当たり２
サイクル実施した。
【００１２】この両面研磨を１０回実施した結果、ウエ
ハ形状のテーパ状の発生を従来における１〜２回からゼ
ロ回に減ずることができ、安定的な高平坦度研磨を達成
することができた。
ハ形状のテーパ状の発生を従来における１〜２回からゼ
ロ回に減ずることができ、安定的な高平坦度研磨を達成
することができた。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明の半導体
ウエハの両面研磨方法によれば、研磨途中においてキャ
リアの自転方向を反転させるだけの簡単な方法で、多数
回処理においても安定的に高平坦度ウエハを得ることが
できた。
ウエハの両面研磨方法によれば、研磨途中においてキャ
リアの自転方向を反転させるだけの簡単な方法で、多数
回処理においても安定的に高平坦度ウエハを得ることが
できた。
【図１】本発明の半導体ウエハの両面研磨方法を説明す
るための研磨装置の側断面図、
るための研磨装置の側断面図、
【図２】高平坦度に研磨されたウエハ形状を示す側面
図、
図、
【図３】テーパ状に研磨されたウエハ形状を示す側面図
である。
である。
１ 上定盤 ２ 下定盤 ３ ウエハ ４ キャリア ５ 太陽車 ６ インターナルギア
Claims (1)
- 【請求項１】 上、下定盤間にキャリアおよび該キャリ
アに設けた穴に収納した半導体ウエハをセットして、上
記上、下定盤の回転により上記半導体ウエハの両面を研
磨する方法において、研磨途中でキャリアの自転方向を
反転させることを特徴とする半導体ウエハの両面研磨方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11957596A JPH09283474A (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 半導体ウエハの両面研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11957596A JPH09283474A (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 半導体ウエハの両面研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283474A true JPH09283474A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14764751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11957596A Pending JPH09283474A (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 半導体ウエハの両面研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09283474A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100583942B1 (ko) * | 1999-08-26 | 2006-05-26 | 삼성전자주식회사 | 양면 가공용 웨이퍼의 고정 장치 |
| CN109475996A (zh) * | 2016-07-29 | 2019-03-15 | 胜高股份有限公司 | 晶片的双面研磨方法 |
-
1996
- 1996-04-18 JP JP11957596A patent/JPH09283474A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100583942B1 (ko) * | 1999-08-26 | 2006-05-26 | 삼성전자주식회사 | 양면 가공용 웨이퍼의 고정 장치 |
| CN109475996A (zh) * | 2016-07-29 | 2019-03-15 | 胜高股份有限公司 | 晶片的双面研磨方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4343020B2 (ja) | 両面研磨方法及び装置 | |
| JP3271658B2 (ja) | 半導体シリコン単結晶ウェーハのラップ又は研磨方法 | |
| JP2002217149A (ja) | ウエーハの研磨装置及び研磨方法 | |
| JPH09283474A (ja) | 半導体ウエハの両面研磨方法 | |
| WO2018168426A1 (ja) | ウェーハの製造方法 | |
| JP3872967B2 (ja) | 両面研磨装置、両面研磨方法および両面研磨用支持部材 | |
| JP2001121412A (ja) | 両面研磨装置 | |
| JP3779104B2 (ja) | ウェーハ研磨装置 | |
| JP4280397B2 (ja) | ワークの研磨方法 | |
| JPH07201789A (ja) | 化合物半導体ウェハの両面ラッピング方法 | |
| JP4154526B2 (ja) | ラップ加工用キャリアの厚み加工方法 | |
| JP2000198057A (ja) | 半導体ウェハの面取り加工面の鏡面研磨装置 | |
| JPH0547723A (ja) | 両面研磨用キヤリア | |
| JPH11333707A (ja) | キャリア | |
| JP3689824B2 (ja) | 板状部材の研磨方法 | |
| JPH06226618A (ja) | 半導体ウエハの研磨方法 | |
| JPH02294032A (ja) | ウエハー研磨方法及び研磨装置 | |
| JPH02301135A (ja) | ウェハ面取り部の研磨方法 | |
| JPS6190870A (ja) | 両面研摩装置 | |
| JP2010023167A (ja) | 砥粒加工装置およびそれを用いた砥粒加工方法 | |
| JPH03196965A (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
| JP5309892B2 (ja) | 両面鏡面シリコンウェーハの研磨方法 | |
| JP3962452B2 (ja) | 半導体ウェハのラッピング装置およびこれを用いたラッピング方法 | |
| JP5549763B2 (ja) | 両面鏡面シリコンウェーハの研磨方法 | |
| KR101571953B1 (ko) | 웨이퍼 랩핑 장치 |