JPH0547723A - 両面研磨用キヤリア - Google Patents
両面研磨用キヤリアInfo
- Publication number
- JPH0547723A JPH0547723A JP3229775A JP22977591A JPH0547723A JP H0547723 A JPH0547723 A JP H0547723A JP 3229775 A JP3229775 A JP 3229775A JP 22977591 A JP22977591 A JP 22977591A JP H0547723 A JPH0547723 A JP H0547723A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- carrier
- hole
- plate
- ring plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】サンギアにより遊星運動をするキャリア板面に
円形孔を設けて、これより若干小径のリング板を装入す
る。このリング板の内部に、オリエンテーションフラッ
トを有するウエハ形状と同一形状で寸法が若干小さいウ
エハ装着孔を設ける。このキャリアに半導体ウエハを装
着して両面研磨する。 【効果】両面同時ラッピング、ポリッシング時に生じる
ウエハのチッピングの発生を低減できる。
円形孔を設けて、これより若干小径のリング板を装入す
る。このリング板の内部に、オリエンテーションフラッ
トを有するウエハ形状と同一形状で寸法が若干小さいウ
エハ装着孔を設ける。このキャリアに半導体ウエハを装
着して両面研磨する。 【効果】両面同時ラッピング、ポリッシング時に生じる
ウエハのチッピングの発生を低減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハなどの両面
同時ラッピングもしくは両面同時ポリッシングを行うの
に好適な両面研磨用キャリアに関する。
同時ラッピングもしくは両面同時ポリッシングを行うの
に好適な両面研磨用キャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】通常の半導体ウエハの両面同時ラッピン
グは例えば図２に示されるようなギア回転装置を用いて
行われる。図２において１はキャリア２をくり抜いて形
成した孔に装着したウエハ、３は研磨布などから形成し
た研磨表面を有する下定盤であり、この下定盤と、これ
に対応する上定盤で、ウエハを装着したキャリアを間に
保持する状態でウエハの両面ラッピングを行うが、図２
では、説明のため上定盤を省略して示してある。図中４
はキャリア３と噛合して回転させるサンギアであり、５
はキャリア２と噛み合うインターナルギアである。この
ようにしてサンギア４の回転により、キャリア２が上下
定盤により挟まれて回転され、ウエハ１の両面が下定
盤、上定盤により研磨される。サンギア、キャリアの回
転はそれぞれ矢印ｓ、ｔに示される。
グは例えば図２に示されるようなギア回転装置を用いて
行われる。図２において１はキャリア２をくり抜いて形
成した孔に装着したウエハ、３は研磨布などから形成し
た研磨表面を有する下定盤であり、この下定盤と、これ
に対応する上定盤で、ウエハを装着したキャリアを間に
保持する状態でウエハの両面ラッピングを行うが、図２
では、説明のため上定盤を省略して示してある。図中４
はキャリア３と噛合して回転させるサンギアであり、５
はキャリア２と噛み合うインターナルギアである。この
ようにしてサンギア４の回転により、キャリア２が上下
定盤により挟まれて回転され、ウエハ１の両面が下定
盤、上定盤により研磨される。サンギア、キャリアの回
転はそれぞれ矢印ｓ、ｔに示される。
【０００３】この両面同時研磨に用いられる従来のキャ
リアは平面図として図３に示される。図３は半導体ウエ
ハ１を装着した状態であり、ウエハ１はキャリア２をく
り抜いた孔２ａに装入されている。６はキャリアの外周
縁に設けたギアであり、前記のサンギア４と噛み合う。
リアは平面図として図３に示される。図３は半導体ウエ
ハ１を装着した状態であり、ウエハ１はキャリア２をく
り抜いた孔２ａに装入されている。６はキャリアの外周
縁に設けたギアであり、前記のサンギア４と噛み合う。
【０００４】このように従来のキャリア２はウエハ１が
セットされる位置に、ウエハ径よりも若干大き目（０．
５〜１ｍｍ程度大きい）の孔があいているだけのもので
ある。キャリアの材質として一般的なものは、エポキシ
ガラスである。
セットされる位置に、ウエハ径よりも若干大き目（０．
５〜１ｍｍ程度大きい）の孔があいているだけのもので
ある。キャリアの材質として一般的なものは、エポキシ
ガラスである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のキャリアでは、
両面同時ラッピング時にウエハの上面と上定盤との摩擦
によるトルクとウエハの下面と下定盤との摩擦によるト
ルクの差によって、キャリアの孔で加工中、不規則な自
転を行う。この自転は図３の矢印ｒで示される。ウエハ
が加工中にキャリア内で自転することは、ウエハの平坦
性を向上させるために、有利である。しかし、これによ
ってウエハ外周と、キャリア孔の端縁とは、衝突をくり
返し、もろいウエハはチッピングを生じやすい。
両面同時ラッピング時にウエハの上面と上定盤との摩擦
によるトルクとウエハの下面と下定盤との摩擦によるト
ルクの差によって、キャリアの孔で加工中、不規則な自
転を行う。この自転は図３の矢印ｒで示される。ウエハ
が加工中にキャリア内で自転することは、ウエハの平坦
性を向上させるために、有利である。しかし、これによ
ってウエハ外周と、キャリア孔の端縁とは、衝突をくり
返し、もろいウエハはチッピングを生じやすい。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、このよう
な従来の両面同時ラッピングに用いられるキャリアの難
点に鑑みなされたものであり、遊星運動をするキャリア
に半導体ウエハ等を配置し、回転する上下定盤で該ウエ
ハを挟んでウエハの両面を同時にラッピングあるいはポ
リッシングする加工に用いるキャリアであって、このキ
ャリアに円形孔を設けて、その孔径より若干小径のリン
グ板を装入し、該リング板の内部に、オリエンテーショ
ンフラットを有するウエハ形状と同一形状で寸法が若干
小さいウエハ装着孔を設けたことを特徴とするキャリア
を提供するものである。
な従来の両面同時ラッピングに用いられるキャリアの難
点に鑑みなされたものであり、遊星運動をするキャリア
に半導体ウエハ等を配置し、回転する上下定盤で該ウエ
ハを挟んでウエハの両面を同時にラッピングあるいはポ
リッシングする加工に用いるキャリアであって、このキ
ャリアに円形孔を設けて、その孔径より若干小径のリン
グ板を装入し、該リング板の内部に、オリエンテーショ
ンフラットを有するウエハ形状と同一形状で寸法が若干
小さいウエハ装着孔を設けたことを特徴とするキャリア
を提供するものである。
【０００７】
【実施例】次に本発明を図示の１実施例に基づきさらに
詳細に説明する。図１は本発明のキャリアの１実施例を
示す平面図であり、図中７はキャリア、８はそれに設け
た円形孔９に回転自在に装着したリング板、１０はリン
グ板８の内側に形成したウエハ装着孔１１内に装着した
半導体ウエハである。１２はキャリア７の外周縁部のギ
アを示す。
詳細に説明する。図１は本発明のキャリアの１実施例を
示す平面図であり、図中７はキャリア、８はそれに設け
た円形孔９に回転自在に装着したリング板、１０はリン
グ板８の内側に形成したウエハ装着孔１１内に装着した
半導体ウエハである。１２はキャリア７の外周縁部のギ
アを示す。
【０００８】ウエハ装着孔１１の形状は、オリエンテー
ションフラット１０ａを有する半導体ウエハの外郭形状
と同じとしてある。ここでウエハ装着孔１１は、オリエ
ンテーションフラットのあるウエハ１０より若干、好ま
しくは０．１〜０．３ｍｍ大きめに形成され、円形孔９
はリング板８の外径よりも若干、好ましくは０．１〜１
ｍｍ大き目としてある。
ションフラット１０ａを有する半導体ウエハの外郭形状
と同じとしてある。ここでウエハ装着孔１１は、オリエ
ンテーションフラットのあるウエハ１０より若干、好ま
しくは０．１〜０．３ｍｍ大きめに形成され、円形孔９
はリング板８の外径よりも若干、好ましくは０．１〜１
ｍｍ大き目としてある。
【０００９】
【作用】本発明のキャリアはウエハ１０の固定にウエハ
に加工されているオリエンテーションフラット１０ａを
利用する。すなわち、ウエハ外径より少し大き目にくり
抜いたリング板８を作り、加工中、ウエハ１０が自転し
ようとしても、このオリエンテーションフラット１０ａ
の部分がひっかかって、ウエハ１０とリング板８がすべ
らないようにする。これによって研磨加工中のチッピン
グはなくなる。一方、ウエハ１０とリング板８のすべり
を止めただけでは、加工中のウエハ１０が自転できない
ため、ウエハの平坦度は悪くなってしまう。本発明で
は、ウエハ１０が自転できるように、リング板８自体が
自転できるようにする。そのために、リング板外径よ
り、若干大き目の孔９を形成したキャリア７を用いてい
る。
に加工されているオリエンテーションフラット１０ａを
利用する。すなわち、ウエハ外径より少し大き目にくり
抜いたリング板８を作り、加工中、ウエハ１０が自転し
ようとしても、このオリエンテーションフラット１０ａ
の部分がひっかかって、ウエハ１０とリング板８がすべ
らないようにする。これによって研磨加工中のチッピン
グはなくなる。一方、ウエハ１０とリング板８のすべり
を止めただけでは、加工中のウエハ１０が自転できない
ため、ウエハの平坦度は悪くなってしまう。本発明で
は、ウエハ１０が自転できるように、リング板８自体が
自転できるようにする。そのために、リング板外径よ
り、若干大き目の孔９を形成したキャリア７を用いてい
る。
【００１０】図２の装置において、キャリアとして図１
の本発明のもの、又は図３の従来のものを用い、下記の
寸法のキャリア、リング板でウエハの両面同時ラッピン
グ及び両面同時ポリッシング試験を行い、チッピング発
生率を調べた。その結果を下記表１に示した。 キャリア外径 φ２３３ｍｍ （図１、３中の７、２） キャリア孔径 φ１１０．２ｍｍ （ 〃 ９、２ａ） リング板外径 φ１１０．０ｍｍ （図１の８） リング板内径 φ１００．５ｍｍ （ 〃 １１） オリエンテーション 部のすき間 φ０．２ｍｍ （図１の１０ａと８の間隙） ウエハ外径 φ１００．０ｍｍ（ＧａＡｓ単結晶）（図１の１０） キャリア材質 エポキシガラス キャリア・リング板の厚さ ０．５ｍｍ ウエハの厚さ ０．７ｍｍ
の本発明のもの、又は図３の従来のものを用い、下記の
寸法のキャリア、リング板でウエハの両面同時ラッピン
グ及び両面同時ポリッシング試験を行い、チッピング発
生率を調べた。その結果を下記表１に示した。 キャリア外径 φ２３３ｍｍ （図１、３中の７、２） キャリア孔径 φ１１０．２ｍｍ （ 〃 ９、２ａ） リング板外径 φ１１０．０ｍｍ （図１の８） リング板内径 φ１００．５ｍｍ （ 〃 １１） オリエンテーション 部のすき間 φ０．２ｍｍ （図１の１０ａと８の間隙） ウエハ外径 φ１００．０ｍｍ（ＧａＡｓ単結晶）（図１の１０） キャリア材質 エポキシガラス キャリア・リング板の厚さ ０．５ｍｍ ウエハの厚さ ０．７ｍｍ
【００１１】
【表１】
【００１２】以上のように、本発明のキャリアでは、チ
ッピング発生率が大幅に減少し、かつ、平坦度の悪化も
みられない。
ッピング発生率が大幅に減少し、かつ、平坦度の悪化も
みられない。
【００１３】
【発明の効果】本発明のキャリアによれば、両面同時ラ
ッピング、ポリッシング時に生じるウエハのチッピング
を減少できるという優れた効果を奏する。
ッピング、ポリッシング時に生じるウエハのチッピング
を減少できるという優れた効果を奏する。
【図１】本発明のキャリアの１実施例を示す平面図であ
る。
る。
【図２】両面同時ラッピング装置を概略的に示す斜視図
である。
である。
【図３】従来のキャリアの１実施例を示す平面図であ
る。
る。
７ キャリア ８ リング板 ９ 円形孔 １０ 半導体ウエハ １０ａ オリエンテーションフラット １１ ウエハ装着孔 １２ ギア
Claims (1)
- 【請求項１】 サンギアにより遊星運動をするキャリア
に円形孔を設けて、その孔径より若干小径のリング板を
装入し、該リング板の内部に、オリエンテーションフラ
ットを有するウエハ形状と同一形状で寸法が若干小さい
ウエハ装着孔を設けたことを特徴とするキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3229775A JPH0547723A (ja) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | 両面研磨用キヤリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3229775A JPH0547723A (ja) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | 両面研磨用キヤリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547723A true JPH0547723A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16897483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3229775A Pending JPH0547723A (ja) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | 両面研磨用キヤリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547723A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100474030B1 (ko) * | 1997-04-02 | 2005-07-25 | 가부시기가이샤 니페이 토야마 | 연마방법, 표면연마기 및 작업편지지기구 |
| JP2008275036A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Hino Motors Ltd | 車両の駆動装置およびクラッチ特性の学習方法 |
| CN106363500A (zh) * | 2015-07-24 | 2017-02-01 | 蓝思科技（长沙）有限公司 | 一种陶瓷产品的平面抛光方法及陶瓷面板 |
| CN108987539A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-12-11 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种适用于发光二极管外延片生长的石墨基座 |
| CN113561052A (zh) * | 2021-07-19 | 2021-10-29 | 山西汇智博科科技发展有限公司 | 一种具有除尘结构的半导体加工研磨抛光机及其工作方法 |
-
1991
- 1991-08-16 JP JP3229775A patent/JPH0547723A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100474030B1 (ko) * | 1997-04-02 | 2005-07-25 | 가부시기가이샤 니페이 토야마 | 연마방법, 표면연마기 및 작업편지지기구 |
| JP2008275036A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Hino Motors Ltd | 車両の駆動装置およびクラッチ特性の学習方法 |
| CN106363500A (zh) * | 2015-07-24 | 2017-02-01 | 蓝思科技（长沙）有限公司 | 一种陶瓷产品的平面抛光方法及陶瓷面板 |
| CN108987539A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-12-11 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种适用于发光二极管外延片生长的石墨基座 |
| CN113561052A (zh) * | 2021-07-19 | 2021-10-29 | 山西汇智博科科技发展有限公司 | 一种具有除尘结构的半导体加工研磨抛光机及其工作方法 |
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