TW201815519A - 晶圓之兩面研磨方法 - Google Patents
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Abstract
抑制兩面研磨中晶圓外周部的滾降並降低平坦度的不均。
用上定盤和下定盤將組裝在載具的晶圓裝填孔內的晶圓連同載具一起夾壓固持，將研磨漿供給至晶圓，同時使上定盤和下定盤回轉以將晶圓兩面研磨的方法，其包括：事先測定複數載具的晶圓裝填孔之邊緣附近中的主面的傾斜值的程序(S1)；基於傾斜值的測定結果，從複數載具中挑選傾斜值為閾值以下者的程序(S2Y,S3)；使用已被挑選的載具對晶圓進行兩面研磨的程序(S4)。
Description
本發明係關於晶圓之兩面研磨方法，尤其是關於使用特定形狀的兩面研磨用載具的晶圓之兩面研磨方法。
作為半導體元件之基板材料的矽晶圓係由後述方式製造：對於用丘克拉斯基法育成的矽單結晶鑄錠(ingot)依序施以外周研削、切片、粗磨、蝕刻、兩面研磨、單面研磨、清洗等的程序。其中，兩面研磨程序係為將晶圓加工為特定厚度並提高晶圓的平坦度所必須的程序，其係使用同時研磨晶圓兩面的兩面研磨裝置來進行。
例如專利文獻1中記載了如下述之關於兩面研磨加工的技術，為了抑制如外周滾降(edge roll-off)的研磨後晶圓之平坦度的惡化，使固持晶圓的載具的樹脂隔片的內周面之平面度為100μm以下並將內周面的垂直度維持在5°以下，同時研磨晶圓之兩面。另外在專利文獻2中記載了，為了降低兩面研磨後的晶圓之外周滾降並提高其平坦度，使用鈦製的兩面研磨裝置用載具，並使其表面粗度Ra為0.14μm以上。
另外在專利文獻3中，記載後述的兩面研磨方法：在兩面研磨裝置的載具板的開口置有較晶圓(被加工物)厚的框 體，將晶圓收納在該框體內進行研磨。亦即，進行置於透過研磨布夾持在一體回轉驅動的上定盤和下定盤的載具板的開口的晶圓之兩面研磨時，將晶圓收在較其厚的框體內，將晶圓連同框體安裝在載具板的開口。
先行技術文獻
專利文獻：專利文獻1：特開2014-50913號公報
專利文獻2：特開2008-23617號公報
專利文獻3：特開2003-19660號公報
兩面研磨裝置中，對於複數載具中的各個分別裝填1枚或者複數枚的晶圓以實施兩面研磨，但存有後述問題：晶圓之外周形狀受到載具的厚度輪廓的影響而大幅變化。因此，過去會計測各載具的厚度，就各厚度進行載具的排序，在極力降低一次裝填在兩面研磨裝置的1組載具間的厚度不均的狀態下，實施兩面研磨加工，抑制研磨後的晶圓之不均。
但是，即使使用以載具的厚度排序以抑制厚度不均的1組載具來進行兩面研磨，仍會有各式各樣的研磨後的晶圓之外周形狀，仍然有平坦度低劣的晶圓存在，因此亟需改善。
因此，本發明之目的為提供晶圓之兩面研磨方法，其能抑制夠晶圓之邊緣滾降並降低平坦度的不均。
為了解決上述課題，本發明的晶圓之兩面研磨方 法，係為用上定盤和下定盤將組裝在載具的晶圓裝填孔內的晶圓連同上述載具一起夾壓固持，將研磨漿供給至上述晶圓，同時使上述上定盤和上述下定盤回轉以將上述晶圓兩面研磨的方法，該方法包括：事先測定複數載具的晶圓裝填孔之邊緣附近中的主面的傾斜值的程序；基於上述傾斜值的測定結果，從上述複數載具當中挑選上述傾斜值為閾值以下者的程序；使用已被挑選的載具對上述晶圓進行兩面研磨的程序。
依據本發明，算出從晶圓裝填孔的內周邊緣朝向外側的一定範圍內的傾斜值，將實際用於兩面研磨程序的載具的傾斜值限制在閾值以下，藉此能夠抑制研磨後的晶圓之邊緣滾降，使得晶圓之外周形狀分布良好。
在本發明中，上述閾值為0.25×10-3為佳，為0.2×10-3尤佳。若從上述晶圓裝填孔的內周邊緣起算的一定範圍內的傾斜值在0.25×10-3以下，能夠確實抑制晶圓之邊緣滾降。另外，藉由使用傾斜值為0.2×10-3以下的載具，能夠製造ESFQRmax為25nm以下的外周平坦度更為良好的晶圓。
在本發明中，上述傾斜值的測定範圍為，從上述載具的內周邊緣向內側2mm為止的範圍內為佳。載具的內周邊緣向內側2mm為止的範圍內的主面的傾斜度形狀，對於晶圓之外周形狀造成較大的影響，所以，藉由管理此範圍內的載具的傾斜度形狀，能夠充分提高晶圓之外周部的平坦度。
在本發明中，上述載具的晶圓裝填孔的邊緣附近中的主面的傾斜值為，上述晶圓裝填孔的內周邊緣的一位置的傾斜值或複數位置的傾斜值的平均值為佳，為沿著上述晶圓裝 填孔的內周邊緣等間隔設定的複數位置的傾斜度之平均值尤佳。藉由如此測定複數位置的傾斜值，能夠提高傾斜值的可靠性。
在本發明中，上述載具的晶圓裝填孔的邊緣附近中的主面的傾斜值為，從上述內周邊緣起一定範圍內的上述載具的厚度分布之回歸直線的傾斜度為佳。載具的晶圓裝填孔的邊緣滾降分別形成於該載具的上下兩方的主面，所以，以載具的邊緣附近的厚度的變化率求出載具的傾斜值，藉此能夠考慮載具的表裏兩面的傾斜值，並且可以容易地求出載具的傾斜值。並且，藉由將此載具的傾斜值限制在閾值以下，能夠抑制研磨後的晶圓之邊緣滾降，並能夠使得晶圓之外周形狀分布良好。
在本發明中，上述載具的主材料為不鏽鋼或其他金屬或者玻璃環氧樹脂或其他樹脂構成為佳。另外，上述載具由下列組合構成：具有圓形開口的金屬製之載具本體、和沿著上述載具本體的上述開口的內周設置的環狀之樹脂隔片，上述樹脂隔片的寬幅為2mm以上為佳。
本發明的晶圓之兩面研磨方法，在使用複數載具同時對複數晶圓進行兩面研磨的方法中，上述複數載具中每一者的晶圓裝填孔的邊緣附近中的主面的傾斜值均為閾值以下，且上述複數載具間的厚度不均為±4μm以內為佳。像這樣一次的批次程序中使用的複數載具都滿足本條件，藉此能夠充分提高各個晶圓之外周部的平坦度。
另外，本發明的晶圓之兩面研磨方法係為用上定 盤和下定盤將組裝在載具的晶圓裝填孔內的晶圓連同上述載具一起夾壓固持，將研磨漿供給至上述晶圓，同時使上述上定盤和上述下定盤回轉以將上述晶圓兩面研磨的方法，僅使用從上述晶圓裝填孔的內周邊緣起算的一定範圍內的傾斜值為0.25×10-3以下的作為上述載具。
依據本發明，算出從晶圓裝填孔的內周邊緣朝向外側的一定範圍內的傾斜值，將實際用於兩面研磨程序的載具的傾斜值限制在0.25×10-3以下，藉此能夠抑制研磨後的晶圓之邊緣滾降，使得晶圓之外周形狀分布良好。
依據本發明，能夠提供晶圓之兩面研磨方法，期能夠抑制晶圓之邊緣滾降並降低平坦度的不均。
1‧‧‧兩面研磨裝置
2‧‧‧上定盤
3‧‧‧下定盤
4、5‧‧‧研磨布
6‧‧‧中心齒輪
7‧‧‧內齒輪
10‧‧‧載具
10a‧‧‧晶圓裝填孔
10b‧‧‧外周齒
11‧‧‧載具本體
11a‧‧‧載具本體的開口
11b‧‧‧載具本體的外周齒
12‧‧‧樹脂隔片
12a‧‧‧樹脂隔片的內側開口
W‧‧‧晶圓
第1圖為顯示本發明的實施形態之兩面研磨裝置的構成的略側面剖面圖。
第2圖為第1圖所示兩面研磨裝置的平面圖，上述第1圖為沿著第2圖的R-R’線的剖面圖。
第3圖為顯示載具之構成的圖，(a)為平面圖、(b)為側面剖面圖、(c)為載具的晶圓裝填孔之內周邊緣附近(樹脂隔片)的部分放大圖。
第4圖為說明包含載具的挑選程序的晶圓之兩面研磨方法的流程圖。
第5圖為用以說明載具10的晶圓裝填孔10a的邊緣附近 中的主面的傾斜度形狀和研磨後的晶圓之邊緣形狀的關係的模式圖，其中(a)顯示過去的傾斜度形狀、(b)顯示本發明的傾斜度形狀。
第6圖為用以說明載具的傾斜值的測定方法的圖，(a)為用以說明載具的線掃描測定位置的平面圖，(b)為用以說明測定的載具之影像及傾斜度算出位置的側面剖面圖。
第7圖為顯示載具的傾斜值和ESFQDmean的關係的散布圖。
第8圖為顯示載具的傾斜值和ESFQRmax的關係的散布圖。
第9圖為顯示間隙和載具的傾斜值對於平坦度的影響之表。
第10圖為顯示載具使用時間為0min(使用前)的載具的傾斜值和載具使用時間為40,000min(使用後)的載具的傾斜值的關係之散布圖。
以下，參照附圖，詳細說明本發明的較佳實施形態。
第1圖為顯示本發明的實施形態之兩面研磨裝置的構成的略側面剖面圖。另外，第2圖為第1圖所示兩面研磨裝置的平面圖，上述第1圖為沿著第2圖的R-R’線的剖面圖。
如第1圖及第2圖所示，兩面研磨裝置1具有設置為在上下方向相對的上定盤2和下定盤3，在上定盤2的下面及下定盤3的上面分別貼附了研磨布4、5。在上定盤2和下定盤3之間的中心部設置了中心齒輪6，在周緣部則設置了內齒輪7。例如，晶圓W為矽晶圓，在被安裝在兩面研磨用載具10的保持孔10a內的狀態下，被夾入上定盤2和下定盤3之間。
如第2圖所示，在中心齒輪6的周圍設置了5個載具10，各載具10的外周齒10b與中心齒輪6及內齒輪7的各齒部咬合，上定盤2及下定盤3藉由未圖示的驅動源而被旋轉驅動，藉此，各載具10一邊自轉一邊繞著中心齒輪6的周圍公轉。此時被安裝在載具10的保持孔10a內的矽晶圓W被載具10所固持，藉由其與上下的研磨布4、5之接觸而使其兩面同時被研磨。在研磨時從未圖示的噴嘴供給研磨液。可以使用例如使膠體二氧化矽分散的鹼性溶液作為研磨液。
第3圖為表示載具10之構成的圖，(a)為平面圖，(b)為側面剖面圖，(c)為載具10的晶圓裝填孔10a的內周邊緣附近(樹脂隔片12)的部分放大圖。
如第3圖(a)及(b)所示，載具10具備：具有較矽晶圓W大的圓形開口11a之金屬製的載具本體11、以及沿著載具本體11的開口11a之內周配置的環狀之樹脂隔片12。
載具本體11為圓盤狀的構件，在其外周部設有外周齒11b。載具本體11的代表性材料為SUS，但也可以採用鈦等的其他的金屬材料。載具本體11的厚度D係基於兩面研磨後的晶圓W之目標厚度而設定，例如直徑300mm晶圓用的載具10之厚度設定為0.8mm，進行定寸研磨以將加工前的厚度為1mm左右的晶圓W研磨到和載具10相同程度的厚度。開口11a的中心位置從載具本體11的中心位置偏移，因此，安裝在開口11a內的晶圓W以載具本體11的中心為旋轉軸進行偏心運動，藉此提高研磨效率及研磨的均一性。
樹脂隔片12介於晶圓W的外周面和載具本體11 之開口11a的內周面之間，發揮阻止兩者接觸之效果。樹脂隔片12的內側開口12a構成載具10的保持孔10a(參照第2圖)，晶圓W的外周面與樹脂隔片12的內周面接觸。樹脂隔片12的橫寬(環寬)為例如2mm以上，其係考慮載具本體11的開口11a之尺寸及晶圓W的尺寸而決定。樹脂隔片12的厚度與載具本體11的厚度D相同為佳。
如第3圖(c)所示，在樹脂隔片12的內側開口12a之內周部的上下的角部並非直角，而具有滾降形狀。如上述，將加工前的厚度為1mm左右的晶圓W研磨變薄，使其成為與載具10相同程度的厚度時，載具10也和晶圓W一起被研磨，所以材質較柔軟的樹脂隔片12的內周邊緣必然會產生滾降。
在本實施形態中，載具10的晶圓裝填孔10a的邊緣附近中的主面的傾斜值(以下僅稱之為「載具的傾斜值」)為，從樹脂隔片12的內周邊緣朝向外周向上的傾斜面的傾斜值，但因為邊緣滾降係分別形成於樹脂隔片12的上下兩方的主面，所以，載具的傾斜值為，求出從內周邊緣朝向外周的樹脂隔片12的厚度分布，由從內周邊緣起算一定範圍內的厚度分布的回歸直線的傾斜度求出。亦即，求出載具的傾斜值為載具的邊緣附近的厚度之變化率。
從樹脂隔片12的厚度分布的回歸直線求出的樹脂隔片12的內周邊緣之厚度為y1，與內周邊緣相距距離x的位置的樹脂隔片12的外周側的厚度為y2時，載具的傾斜值為tanθ=(y2-y1)/x。亦即，求出載具的傾斜值tanθ為表面側的傾斜值tanθ1=h1/L和裏面側的傾斜值tanθ2=h2/x的合計值。另外， 角度θ=θ1+θ2，通常θ1≒θ2。
為了使得兩面研磨加工後的晶圓W的外周形狀良好，必須使此載具10的傾斜值tanθ=0.25×10-3以下。亦即，在本實施形態的晶圓之兩面研磨程序中，不使用傾斜值超過0.25×10-3的載具。為了提高載具10的傾斜值的可靠性，使用晶圓裝填孔周圍的複數位置的傾斜值的平均值為佳。
第4圖為說明包含載具的挑選程序的晶圓之兩面研磨方法的流程圖。
如第4圖所示，本實施形態的晶圓之兩面研磨方法包括：事先測定兩面研磨裝置中使用的載具10的傾斜值的程序(S1)；當傾斜值在閾值(0.25×10-3)以下時，挑選兩面研磨程序中能使用的載具的程序(S2Y,S3)；以及使用已被挑選的載具將晶圓兩面研磨的程序(S4)。另外，傾斜值超過閾值的載具從使用對象中排除(S2N,S5)。
像這樣，將晶圓之兩面研磨所使用的載具10的傾斜值限定在0.25×10-3以下，藉此能夠使得研磨後的晶圓之外周形狀分布良好。
第5圖為用以說明載具10的晶圓裝填孔10a的邊緣附近中的主面的傾斜度形狀和研磨後的晶圓之邊緣形狀的關係的模式圖，其中(a)顯示過去的傾斜度形狀、(b)顯示本發明的傾斜度形狀。
如第5圖(a)所示，在兩面研磨中，將晶圓W夾在上定盤2和下定盤3之間，一邊施以壓力一邊進行研磨，但因為在上定盤2及下定盤3各自與晶圓W之間分別存在了厚度 1mm左右的研磨布4,5，所以當載具10的傾斜值大的情況下，在載具10和晶圓W之間形成大的凹陷，研磨布4,5陷入此凹陷中使得晶圓W的邊緣的研磨量變多。亦即，施加於晶圓W的邊緣的應力(研磨壓力)變大，研磨後的晶圓W的邊緣滾降變大。
但是，如第5圖(b)所示，當載具10的傾斜值小的情況下，形成於載具10和晶圓W之間的凹陷也變小，晶圓W的邊緣的研磨量也變少。亦即，因為施加於晶圓W的邊緣的應力(研磨壓力)變小，所以研磨後的晶圓W的邊緣滾降變小。
隨著研磨程序進行，晶圓W變薄時，其與載具10的厚度之差異(間隙)變小，但是在晶圓裝填孔周邊的厚度變薄的情況下，即使繼續研磨，晶圓W的外周形狀還是會發生滾降。但是，在本實施形態中，計測載具10的晶圓裝填孔周邊的厚度，從該計測結果算出載具10的晶圓裝填孔周邊的傾斜值，並管理使得使用的載具10的傾斜值為閾值以下，所以能夠優化研磨後的晶圓W的外周形狀。
晶圓W的邊緣滾降的決定因素在於晶圓裝填孔周邊的厚度輪廓，即使載具的厚度改變，若晶圓裝填孔周邊的傾斜值小就能夠得到良好的結果。相反地，由於晶圓裝填孔周邊的傾斜值的影響大，所以，假使將晶圓研磨到和載具的厚度一樣薄，使得研磨後的晶圓之厚度相對於載具厚度改變，也無法消除晶圓之邊緣滾降。
如以上說明，本實施形態的晶圓之兩面研磨方法，係為用上定盤2和下定盤3將組裝在載具10的晶圓裝填 孔10a內的晶圓W連同載具10一起夾壓固持，將研磨漿供給至晶圓W，同時使上定盤2和下定盤3回轉以將上述晶圓W兩面研磨的方法，在該方法中僅使用載具10的晶圓裝填孔10a的內周邊緣起算一定範圍內的傾斜值為0.25×10-3以下的，所以能夠抑制晶圓外周部的滾降形狀，並能夠降低晶圓外周部的平坦度的不均。
以上，已說明本發明的較佳實施形態，本發明不限定於上述實施形態，在不脫離本發明主旨的範圍內可以進行種種變更，其當然也包含在本發明的範圍內。
例如，上述實施形態中，以載具10由金屬製的載具本體11和樹脂隔片12構成的情況為例，但也可以使載具全體為樹脂製並使樹脂隔片12為將載具本體11和樹脂隔片12一體化。或者，亦可使載具10的全體為金屬製。
另外在上述實施形態中，1個載具10具有1個晶圓裝填孔10a，固持1枚晶圓W，不過，1個載具10也可以具有複數晶圓裝填孔10a。在此情況下，複數晶圓裝填孔10a中每個的邊緣附近的主面的傾斜值必須在0.25×10-3以下，而且複數載具間的厚度不均為±4μm以下為佳。
另外，本實施形態的兩面研磨裝置1的構成係為一例，可以採用各種類型的裝置。而且研磨加工對象的晶圓不限定於矽晶圓，可以各種晶圓為對象。
評價使用載具的傾斜值有不均的多數載具的樣品以將直徑300mm的矽晶圓進行兩面研磨後的該矽晶圓之邊緣 的平坦度。評價試驗中首先準備150枚的載具，使用雷射變位計對其進行線掃描測定，算出各載具的晶圓裝填孔的邊緣附近的主面的傾斜值。
第6圖為用以說明載具的傾斜值的測定方法的圖，(a)為用以說明載具的線掃描測定位置的平面圖，(b)為用以說明測定的載具之影像及傾斜度算出位置的側面剖面圖。
如第6圖(a)及(b)所示，晶圓裝填孔的周圍的8個位置作為線掃描測定位置，算出在各測定位置的傾斜值，將其平均值作為載具的傾斜值。用於算出載具的各測定位置的傾斜值的測定長x為2mm，其係為有樹脂隔片存在的區域內的寬幅。
如圖示般，從晶圓裝填孔的內側朝向載具的外側實施線掃描測定，算出測定長為x、載具厚度為y時的回歸直線的傾斜度(回歸係數)。
回歸直線的傾斜度a=相關係數×(y的標準偏差/x的標準偏差)、x,y的平均值分別為mx,my時，如次式所示。
像這樣進行各載具的傾斜值的測定後，使用這些載具進行矽晶圓之兩面研磨。評價試驗所用的兩面研磨裝置為如第2圖所示的一次可以組裝5枚載具的裝置，因此，將5枚載具為1組實施研磨程序。研磨條件為，使用厚度為1.0mm的發泡聚氨基甲酸酯墊和含有作為研磨砥粒的膠體二氧化矽的 鹼性的研磨漿，定盤回轉數為20~30rpm，加工面壓為300g/cm2。研磨加工前的矽晶圓之厚度為790μm，載具的厚度為778μm，研磨後的矽晶圓之目標厚度為778~782μm。矽晶圓之厚度測定使用雷射變位計。
繼之，測定兩面研磨後的晶圓之ESFQD及ESFQR，確認載具的傾斜值對於晶圓之外周形狀造成的影響。ESFQD(Edge Site flatness Front reference least sQuare Deviation)及ESFQR(Edge Site flatness Front reference least sQuare Range)為，關注平坦度容易惡化的晶圓之邊緣的平坦度的評價指標(站點平坦度)，表示邊緣滾降的大小。晶圓之邊緣的平坦度，係就將設定於晶圓之最外周起算例如2~32mm的範圍(區段長30mm)的環狀的外周區域在周方向均等分割而得到的單位區域(站點)算出。晶圓之平坦度測定使用平坦度測定裝置(KLA Tencor公司製WaferSight2)。測定條件為，測定範圍為296mm(最外周2mm除外)，邊緣站點測定中區段數(站點數)為72，區段長為30mm。
第7圖為顯示載具的傾斜值和ESFQDmean的關係的散布圖，另外，第8圖為顯示載具的傾斜值和ESFQRmax的關係的散布圖。
ESFQDmean為全站點之ESFQD的平均值，ESFQD為，從站點內的厚度分布以最小平方法求出的基準面(站點最適面)起算的最大變位(α)或最小變位(-β)當中的絕對值較大的變位。例如，若α>β，則ESFQD=α，若α<β，則ESFQD=-β。ESFQD為具有正負值的指標，ESFQD在負值側越大， 表示晶圓之邊緣滾降越大。
另外，ESFQRmax為全站點的ESFQR之最大值，ESFQR為，站點內的最適面起算的最大變位(α)和最小變位(β)的差(α-(-β))。ESFQR越大，則晶圓之邊緣滾降越大，相反地，越靠近0則表示外周平坦度良好。
如第7圖及第8圖所示，載具的傾斜值越大，則ESFQDmean在負值側越大，尤其是當傾斜值為0.25×10-3以上時，可以得知ESFQDmean的分布不均變大且ESFQRmax大幅偏差。而且，載具的傾斜值變小，則ESFQDmean由負值側變成正值側，可以確認到，晶圓之邊緣滾降變小，而且ESFQRmax優化。由此可知，為了使ESFQR優化以及穩定的生產，傾斜值為0.25×10-3以下為佳。另外，從第8圖的圖表可知，以ESFQRmax為25nm以下作為目標實，藉由使用傾斜值為0.2×10-3以下的載具，能夠維持更良好的外周平坦度。
繼之，以載具的晶圓裝填孔的邊緣附近的厚度之算出位置的平均值(平均厚度)和研磨後的晶圓厚度的差分(研磨後晶圓厚度-載具厚度)為「Gap」時，針對Gap和載具的傾斜值對於晶圓之平坦度造成的影響進行評價。
第9圖為表格，就載具的晶圓裝填孔的邊緣附近(載具孔部)的傾斜值，表示研磨後的晶圓之ESFQDmean及ESFQRmax與Gap和晶圓之載具的晶圓裝填孔的邊緣附近(Carrier Hole周邊)的厚度、和間隙的關係。
如第9圖所示，關於Gap，係就本次評價試驗的範圍之0μm~+4μm進行確認，但在評價試驗的範圍中，藉由使 載具的傾斜值為0.25×10-3以下，能夠使得任一個晶圓之ESFQRmax都在25μm以下。相反地，也確認得知，當傾斜值為0.3×10-3以上時，無法達成25μm以下的ESFQRmax。此時，若一般沒有存在樹脂隔片的區域(載具的大部分)的厚度被管理及使用於傾斜值得算出位置(邊緣附近)的厚度±4μm的範圍內，則未確認對於平坦度的影響。由此亦可確認，作為本次傾斜值的算出位置的晶圓裝填孔的邊緣附近的厚度輪廓決定了晶圓之邊緣滾降的形狀，晶圓裝填孔的邊緣附近的形狀管理是重要的。
第10圖為顯示載具使用時間為0min(使用前)的載具的傾斜值和載具使用時間為40,000min(使用後)的載具的傾斜值的關係之散布圖。
如第10圖所示，可以確認得知，相較於使用前，使用後的載具的傾斜值，變化少的為0%、最多變小30%左右。此係因為，載具全體的厚度隨著載具使用時間的進行而變薄，因此使得傾斜值變小。由此亦可確認，藉由在初期投入時限制傾斜值，能夠持續加工高平坦的晶圓。
Claims (11)
- 晶圓之兩面研磨方法，其係為用上定盤和下定盤將組裝在載具的晶圓裝填孔內的晶圓連同上述載具一起夾壓固持，將研磨漿供給至上述晶圓，同時使上述上定盤和上述下定盤回轉以將上述晶圓兩面研磨的方法，該方法包括：事先測定複數載具的晶圓裝填孔之邊緣附近中的主面的傾斜值的程序；基於上述傾斜值的測定結果，從上述複數載具當中挑選上述傾斜值為閾值以下者的程序；使用已被挑選的載具對上述晶圓進行兩面研磨的程序。
- 如申請專利範圍第1項所記載的晶圓之兩面研磨方法，上述閾值為0.25×10 -3。
- 如申請專利範圍第1項所記載的晶圓之兩面研磨方法，上述傾斜值的測定範圍為，從上述載具的晶圓裝填孔的內周邊緣向內側2mm為止的範圍內。
- 如申請專利範圍第2項所記載的晶圓之兩面研磨方法，上述傾斜值的測定範圍為，從上述載具的晶圓裝填孔的內周邊緣向內側2mm為止的範圍內。
- 如申請專利範圍第1項所記載的晶圓之兩面研磨方法，上述載具的晶圓裝填孔的邊緣附近中的主面的傾斜值為，上述晶圓裝填孔的內周邊緣的一位置的傾斜值或複數位置的傾斜值的平均值。
- 如申請專利範圍第2項所記載的晶圓之兩面研磨方法，上述載具的晶圓裝填孔的邊緣附近中的主面的傾斜值為，上 述晶圓裝填孔的內周邊緣的一位置的傾斜值或複數位置的傾斜值的平均值。
- 如申請專利範圍第3項所記載的晶圓之兩面研磨方法，上述載具的晶圓裝填孔的邊緣附近中的主面的傾斜值為，上述晶圓裝填孔的內周邊緣的一位置的傾斜值或複數位置的傾斜值的平均值。
- 如申請專利範圍第4項所記載的晶圓之兩面研磨方法，上述載具的晶圓裝填孔的邊緣附近中的主面的傾斜值為，上述晶圓裝填孔的內周邊緣的一位置的傾斜值或複數位置的傾斜值的平均值。
- 如申請專利範圍第1至8項任一項所記載的晶圓之兩面研磨方法，上述載具的晶圓裝填孔的邊緣附近中的主面的傾斜值為，從上述內周邊緣起一定範圍內的上述載具的厚度分布之回歸直線的傾斜度。
- 如申請專利範圍第1至8項任一項所記載的晶圓之兩面研磨方法，上述載具由下列組合構成：具有圓形開口的金屬製之載具本體、和沿著上述載具本體的上述開口的內周設置的環狀之樹脂隔片；上述樹脂隔片的寬幅為2mm以上。
- 如申請專利範圍第1至8項任一項所記載的晶圓之兩面研磨方法，在使用複數載具同時對複數晶圓進行兩面研磨的方法中，上述複數載具中每一者的晶圓裝填孔的邊緣附近中的主面的傾斜值均為閉值以下，且上述複數載具間的厚度不均為±4 μm以內。
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