TW201321133A - 加工裕度的評價方法及晶圓的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明是一種加工裕度的評價方法，是在對外周經倒角後的晶圓的表面和背面雙面進行加工而去除特定量的加工製程中，評價加工後的前述晶圓的加工裕度，所述加工裕度的評價方法的特徵在於：基於加工前後的前述晶圓的表面和背面各自的倒角寬度的變化量，算出並評價前述晶圓的表面和背面各自的加工裕度。藉此，提供一種加工裕度的評價方法，在同時對晶圓的表面和背面雙面進行加工而去除特定量的加工製程中，可使用產品晶圓，分別在短時間內簡單評價表面和背面雙面各自的加工裕度，藉此可製造一種表面和背面各自的加工裕度被調整的晶圓。

Description

加工裕度的評價方法及晶圓的製造方法
本發明是關於一種在加工半導體晶圓的雙面的製程中，評價在該製程中的表面和背面雙面的加工裕度之評價方法、及利用該評價方法以穩定的質量進行加工之晶圓的製造方法。
先前，矽鏡面晶圓等半導體晶圓的製造方法，通常包括：切片步驟，其對藉由單晶製造裝置製造而成的單晶棒進行切片而獲得薄圓板狀晶圓；倒角步驟，其對該晶圓的外周的邊緣部進行倒角，以防止在該切片步驟中所獲得的晶圓發生碎裂；研光步驟，其對經倒角後的晶圓進行研光，使其平坦化；蝕刻步驟，其去除殘留於經倒角和研光後的晶圓表面上的加工變形；拋光步驟，其將經蝕刻後的晶圓的表面加工成鏡面狀；及，清洗步驟，其清洗經拋光後的晶圓。
又，在平坦化步驟中，除了研光以外，亦使用利用磨石同時磨削雙面之技術，被稱為雙面磨削。進而，拋光步驟亦存在同時研磨雙面之雙面研磨、及研磨單面之單面研磨。
另外，研光步驟的目的在於，例如使經切片後的晶圓統一為特定厚度，並且獲得晶圓的平坦度、平行度等所需的形狀精度。已知該研光加工後的晶圓的形狀精度通常最 佳，亦可謂決定了晶圓的最終形狀，因此研光步驟中的形狀精度極為重要。
又，作為研光技術，先前以來已知有一種研光裝置，其將同心圓狀平板(圓盤)的自轉運動、圓形晶圓保持用載具相對於裝置本體的公轉運動、及圓形晶圓保持用載具的自轉運動這三個運動組合起來，使平板與晶圓相對運動，藉此來進行研光(請參照例如，專利文獻1)。該研光裝置的結構，例如第8圖(A)、(B)所示。
如第8圖(A)、(B)所示，研光裝置10具有於上下方向上相對向設置的下平板(下圓盤)12和上平板(上圓盤)11。這二個上下平板11、12是利用未圖示的驅動手段，彼此反向旋轉。在下平板12的中心部上表面，具有太陽齒輪13，於該下平板12的周邊部，設置有環狀內齒輪14。
又，於晶圓保持用載具15的外周面，形成有與上述太陽齒輪13和內齒輪14嚙合的齒輪部16，整體形成齒輪結構。於該晶圓保持用載具15上，設置有複數個保持孔17。要被研光的晶圓W，被配置並保持於該保持孔17內。
保持晶圓之載具15，被夾持於上下平板11、12之間，並於一邊對向一邊旋轉的上下平板11、12之間，進行行星齒輪運動，亦即進行自轉及公轉。當實行研光時，由噴嘴經由已設置於上平板11上的貫通孔18，使水等液體的渾濁液(被稱為漿料(slurry)，含有氧化鋁(Al2O3)、碳化矽(SiC)等研磨粒與界面活性劑)，流入上下平板11、12的間隙中，將磨粒送入晶圓W與上下平板11、12之間，而使上下平 板11、12的形狀轉印至晶圓W上。
此處，為了獲得高平坦度，需要將上下平板的形狀正確地轉印至晶圓上，且不可忽視在進行相對運動的晶圓與上下平板之間的漿料的動向。由於漿料中的磨粒不斷磨損，直徑和銳度發生變化，因此在漿料的動向發生偏差且漿料的流動較差處，將產生會利用磨粒直徑較小且銳度較差的磨粒來進行研光的部分，導致該部分變厚。因此於上下平板上，以一定間隔設置方格狀溝槽，並由該處排出不要的漿料和碎屑等。
又，由於上下平板和載具隨著使用而磨損，因此使用一段時間後需要更換。
[先行技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1：日本特開平10-180624號公報
於上述研光裝置等的同時對雙面進行加工之加工裝置中，即便整體的加工裕度(或磨削裕度)固定，但表面和背面(上下)的加工裕度的平衡亦可能不知不覺地發生偏離。例如，由於上下平板和載具的磨損等，表面和背面雙面的加工裕度可能發生經時變化。
一般而言，在研光步驟等的同時加工雙面之步驟中的 加工裕度的管理，是先測量加工前後的晶圓的中心厚度，並以該厚度的變化等來進行評價。但是，利用該評價方法，雖可把握整體的加工裕度，但無法辨別表面和背面各自的加工裕度來進行評價。
因此，先前以來，例如，如第9圖所示，準備擋片(dummy wafer)，在雙面打出雷射標記等，利用雷射顯微鏡，確認加工前後記號(dot)的深度如何變化，並評價表面和背面加工裕度。
利用該先前的評價方法，由於需要在晶圓的雙面，尤其是在表面(通常形成有元件之面)側打上雷射標記，因此無法直接評價產品晶圓，而需要以擋片確認。
又，由於該方法的打出雷射標記或測量記號深度等，比較費工，因此難以簡單地評價。導致，難以增加測量頻率。又，當記號中混有漿料時等，記號深度的測量精度會變差。進而，在晶圓於加工前亦為比較不平坦的狀態的情況下，當利用雷射顯微鏡來確認記號深度時，測量精度較差，偏差變大。例如，在加工前的切片晶圓中，存在被稱作鋸痕(saw mark)的凹凸，測量精度受到該凹凸的影響而變差。
再者，在提高生產率或降低消耗比(specific consumption)的情況下，由於較佳為加工裕度較小，因此期望設定為剛好可維持質量的加工裕度。
如此一來，當加工裕度較小時，尤其加工的表面和背面加工裕度的差(差異)等成為問題。其原因在於，例如， 若表面和背面加工裕度的差變動較大，則可能導致前一步驟的痕跡(切片步驟的鋸痕等)因加工裕度不足而殘留。又，若並未注意到因經時變化而導致表面和背面加工裕度差變動，則可能出現大量不良。因此，當加工裕度較小時，亦需要增加表面和背面加工裕度差的管理頻率。
又，當原料的晶圓形狀不平坦時，需要確認晶圓面內(尤其外周部)的加工裕度差、和面內是否被加工成錐狀等。
本發明是鑒於上述問題而完成，其目的在於提供一種加工裕度的評價方法及晶圓的製造方法，在同時以特定的加工裕度來對矽晶圓等晶圓的表面和背面雙面進行去除的加工製程中，例如，於研光等加工製程中，可使用產品晶圓，分別在短時間內簡單評價表面和背面雙面各自的加工裕度，藉此可製造一種表面和背面各自的加工裕度被調整的晶圓。
為了達成上述目的，根據本發明，提供一種加工裕度的評價方法，是在以特定的加工裕度來對外周經倒角後的晶圓的表面和背面雙面進行去除的加工製程中，評價加工後的前述晶圓的加工裕度，其中，所述加工裕度的評價方法的特徵在於：基於加工前後的前述晶圓的表面和背面各自的倒角寬度的變化量，算出並評價前述晶圓的表面和背面各自的加工裕度。
若為此種評價方法，可直接評價產品晶圓，並可分別在短時間內簡單評價表面和背面雙面各自的加工裕度。並且，可易於增加測量頻率，並可易於提高測量精度而無需增加測量時間。
此時，將加工前的前述晶圓的表面的倒角角度設為θ 1、背面的倒角角度設為θ 2，此時可根據以下公式，算出前述晶圓的表面和背面各自的加工裕度：表面加工裕度=(加工前的晶圓表面的倒角寬度-加工後的晶圓表面的倒角寬度)×tan θ 1；背面加工裕度=(加工前的晶圓背面的倒角寬度-加工後的晶圓背面的倒角寬度)×tan θ 2。
如此一來，可易於評價表面和背面雙面各自的加工裕度。
並且此時，前述加工製程可為雙面研光(lapping)、雙面磨削及雙面研磨中的任一種。
如此一來，本發明的評價方法可適合於同時加工並以特定的加工裕度來對晶圓的表面和背面雙面進行去除的各種加工製程。
又，根據本發明，提供一種晶圓的製造方法，其至少具有以下步驟：將晶圓的外周倒角；實施以特定的加工裕度來對前述晶圓的表面和背面雙面進行去除的加工；及，評價加工後的上述晶圓的加工裕度；其中，所述晶圓的製造方法的特徵在於：進而，具有在前述晶圓的表面和背面雙面的加工步驟 的前後，測量前述晶圓的表面和背面各自的倒角寬度的步驟，且在評價上述晶圓的加工裕度的步驟中，基於前述晶圓的表面和背面的加工前後所測量得到的前述晶圓的表面和背面各自的倒角寬度的變化量，算出並評價前述晶圓的表面和背面各自的加工裕度。
若為此種製造方法，可使用產品晶圓，分別在短時間內簡單評價表面和背面雙面各自的加工裕度，並可基於該評價結果，製造一種表面和背面各自的加工裕度被調整的晶圓。
此時，將加工前的前述晶圓的表面的倒角角度設為θ 1、背面的倒角角度設為θ 2，此時根據以下公式，算出前述晶圓的表面和背面各自的加工裕度，並評價表面和背面雙面各自的加工裕度：表面加工裕度=(加工前的晶圓表面的倒角寬度-加工後的晶圓表面的倒角寬度)×tan θ 1；背面加工裕度=(加工前的晶圓背面的倒角寬度-加工後的晶圓背面的倒角寬度)×tan θ 2。
並且此時，較佳為具有一步驟，該步驟調整下一次的前述晶圓的表面和背面的加工步驟中的加工條件，以基於前述晶圓的加工裕度的評價步驟中的評價結果，來調整前述晶圓的表面和背面各自的加工裕度。
若為此種方法，可管理晶圓的表面和背面的加工裕度差，並製造質量穩定的晶圓。
並且此時，前述晶圓的表面和背面雙面的加工，可藉 由雙面研光、雙面磨削及雙面研磨中的任一種來進行。
如此一來，本發明的製造方法可適合於同時加工並以特定的加工裕度來對晶圓的表面和背面雙面進行去除的各種加工製程。
利用本發明，在以特定的加工裕度來對外周經倒角後的晶圓的表面和背面雙面進行去除的加工製程中，由於是基於加工前後的晶圓的表面和背面各自的倒角寬度的變化量，算出並評價晶圓的表面和背面各自的加工裕度，因此可直接評價產品晶圓，並可分別在短時間內簡單評價表面和背面雙面各自的加工裕度。
以下，說明本發明的實施形態，但本發明並不限定於此。
於以特定的加工裕度來去除晶圓雙面之加工製程中，例如，於研光步驟中，以一定加工裕度加工，以便去除前一步驟亦即切片步驟中所產生的加工變質層(變形、損壞)。考慮到生產率或原材料的成本等，較佳為該加工裕度較小。
於加工裕度充足的加工的情形下，即便多少存在些許表面和背面的加工裕度差，但由於對加工後的質量並無影響，因此可使用先前方法，根據加工前後的厚度變化，算 出整體的加工裕度。
但是，近年來，大多開始以較少的加工裕度來進行加工，此時，整體的加工裕度自不必說，亦需要確保例如所需加工裕度量，以便使要形成元件之表面的質量穩定。亦即，需要以確保表面和背面雙面各自的預想加工裕度並去除鋸痕等前一步驟的痕跡的方式，來實行控制。因此，管理表面和背面的加工裕度差，十分重要。
但是，利用根據加工前後的晶圓的厚度的變化來管理加工裕度的先前方法，難以簡單評價表面和背面加工裕度差(平衡)等。
因此，本發明人為解決該問題而反復努力研究。結果想到，可基於晶圓的表面和背面各自的倒角寬度的變化量，簡單算出晶圓的表面和背面各自的加工裕度，而完成本發明。
以下說明本發明的加工裕度的評價方法。
第1圖是說明本發明的加工裕度的評價方法之說明圖。
如第1圖所示，所評價的晶圓的外周經倒角。此處，表面側的倒角寬度為X1，倒角角度為θ 1；背面側的倒角寬度為X2，倒角角度為θ 2。
本發明的加工裕度的評價方法，是在實施以特定的加工裕度來對此種外周經倒角後的晶圓的表面和背面雙面進行加工的加工製程中，評價加工後的晶圓的加工裕度。
首先，利用倒角形狀測量裝置，測量加工前的晶圓的 倒角寬度X1、X2及倒角角度θ 1、θ 2。
繼而，對晶圓的表面和背面雙面進行加工而去除特定量。然後，利用倒角形狀測量裝置，再次測量加工後的晶圓的倒角寬度X1、X2。
之後，基於加工前後的晶圓的表面和背面雙面的倒角寬度的變化量，算出並評價晶圓的表面和背面各自的加工裕度。
具體而言，是根據以下公式，算出加工裕度：表面加工裕度=(加工前的晶圓表面的倒角寬度X1-加工後的晶圓表面的倒角寬度X1)×tan θ 1；背面加工裕度=(加工前的晶圓背面的倒角寬度X2-加工後的晶圓背面的倒角寬度X2)×tan θ 2。
若為此種評價方法，由於可直接評價產品晶圓，而無需使用擋片，因此可提高評價精度，降低成本。並且，可分別在短時間內簡單評價表面和背面雙面各自的加工裕度。又，易於測量複數個晶圓，以提高測量精度，或基於晶圓面內的複數個位置的倒角寬度來評價加工裕度以增加測量頻率，亦不會因此而耗費較多的評價時間。
此處，上述加工製程可為雙面研光、雙面磨削及雙面研磨中的任一種。
如此一來，本發明的評價方法可適合於同時加工並以特定的加工裕度來去除晶圓的表面和背面雙面之各種加工製程中。
繼而，說明本發明的晶圓的製造方法。
第2圖是表示本發明的晶圓的製造方法的一例的流程圖。
如第1圖所示，首先，對晶圓的外周進行倒角(第2圖的A)。該步驟無特別限定，可與先前方法相同地進行倒角。
繼而，利用倒角形狀測量裝置，測量加工前的晶圓的倒角寬度X1、X2及倒角角度θ 1、θ 2(第2圖的B)。該測量通常可利用倒角後所進行的先前方法來進行，以評價倒角質量。
繼而，進行例如雙面研光等加工，以特定的加工裕度來對晶圓的表面和背面雙面進行去除(第2圖的C)。該步驟亦無特別限定，可與先前方法相同地進行加工。以下說明例如當進行雙面研光時的示例。
第3圖是表示本發明的晶圓的製造方法中可用之研光裝置的一例之概略圖。如第3圖所示，研光裝置1具有於上下方向上相對向設置之下平板12和上平板11。上平板11保持停止，下平板12利用未圖示的驅動手段而旋轉。下平板12的中心部上表面具有太陽齒輪13，於其周邊部上設置有環狀內齒輪14。
又，於晶圓保持用載具15的外周面上，形成有與上述太陽齒輪13和內齒輪14嚙合之齒輪部16，整體形成齒輪結構。於該晶圓保持用載具15上，設置有複數個保持孔17。要被研光之晶圓W，是被配置並保持於該保持孔17內。
保持晶圓之載具15，被夾持於上下平板11、12之間， 並於旋轉的下平板12與保持停止的上平板11之間，進行行星齒輪運動，亦即進行自轉及公轉。當進行研光時，由噴嘴經由設置於上平板11上的貫通孔，使水等液體的渾濁液(被稱作漿料，含有氧化鋁(Al2O3)、碳化矽(SiC)等研磨粒與界面活性劑)，流入上下平板11、12的間隙中，將磨粒送入晶圓W與上下平板11、12之間，而研光晶圓W的雙面。
利用倒角形狀測量裝置，測量如此去除表面和背面雙面的特定量之加工後的晶圓的倒角寬度X1、X2(第2圖的D)。
繼而，評價加工後的晶圓的加工裕度(第2圖的E)。
於該步驟中，與上述本發明的加工裕度的評價方法相同地，基於加工前後的晶圓的表面和背面雙面的倒角寬度的變化量，算出並評價晶圓的表面和背面各自的加工裕度。
具體而言，與上述本發明的加工裕度的評價方法相同地，根據以下公式，算出加工裕度：表面加工裕度=(加工前的晶圓表面的倒角寬度-加工後的晶圓表面的倒角寬度)×tan θ 1
背面加工裕度=(加工前的晶圓背面的倒角寬度一加工後的晶圓背面的倒角寬度)×tan θ 2。
若為此種製造方法，可直接評價產品晶圓，而無需使用擋片，因此可提高測量精度，並可降低成本。可基於該評價結果，分別管理、調整表面和背面各自的加工裕度來製造晶圓。
並且此時，較佳為具有一步驟，該步驟調整下一次晶圓的表面和背面的加工步驟中的加工條件(第2圖的F)，以基於晶圓的加工裕度的評價步驟中的評價結果，來調整晶圓的表面和背面各自的加工裕度。
例如，以使用如第3圖所示的研光裝置來實行研光的情形為例，進行說明。如上所述，在研光裝置中，於上平板保持停止的狀態下，下平板作自轉，而載具作自轉並公轉。
自晶圓來看，下平板的自轉速度與載具的公轉速度之差，即為對晶圓的下表面進行研光的能力。又，由於上平板保持停止，因此載具的公轉速度，即為對晶圓的上表面進行研光的能力。因此，藉由調整該等旋轉速度，尤其載具的公轉速度，可任意調整研光中的表面和背面的加工裕度差。又，亦可組合除了轉速以外的加工條件，例如漿料流量等條件，來進行調整。
若為此種方法，可管理晶圓的表面和背面的加工裕度差，並製造質量穩定的晶圓。
又，藉由事前利用本發明的評價方法，評價各種加工條件下的表面和背面加工裕度的變化等，可在由例如平板的磨損等所引起經時變化等而導致表面和背面加工裕度的差偏離管理值得情況下，調整表面和背面加工裕度的差。如此增加對表面和背面加工裕度的差的事前評價(日常檢查)的頻率及實施反饋(調整)，藉此，該晶圓製造方法可供給質量穩定的晶圓。
又，除了雙面研光以外，上述晶圓的表面和背面雙面的加工，亦可利用雙面磨削、雙面研磨來進行。
如此一來，本發明的製造方法可適合於同時加工並以特定的加工裕度來對晶圓的表面和背面雙面進行去除的各種加工製程。
[實施例]
以下，示出本發明的實施例及比較例，更具體地說明本發明，但本發明並不限定於這些例子。
(實施例1)
根據如第2圖所示之本發明的晶圓的製造方法，製造1片矽晶圓，並利用本發明的加工裕度的評價方法，評價所述晶圓的加工裕度。
首先，對晶圓實施倒角加工，然後使用倒角形狀測量裝置(日本神戶鋼鐵(KOBELCO)公司(Kobe Steel,Ltd.)製造LEP2200)，測量表面側和背面側的倒角寬度和倒角角度。評價加工裕度之晶圓的位置，是評價第4圖所示之90°的位置。
其結果為，表面側的倒角寬度X1為326.0 μm，倒角角度θ 1為26.2°，背面側的倒角寬度X2為352.8 μm，倒角角度θ 2為25.19°。
繼而，使用如第3圖所示之研光裝置，對晶圓進行研光加工。此時，將預想加工裕度設為單面25 μm，並調整加工條件，使表面和背面雙面的加工裕度均勻。
繼而，使用倒角形狀測量裝置，測量加工後的晶圓的表面側及背面側的倒角寬度。
其結果為，表面側的倒角寬度X1為276.4 μm，背面側的倒角寬度X2為299.4 μm。
使用所測量之加工前後的倒角寬度，根據以下公式算出加工裕度：表面加工裕度=(326.0-276.4)×tan(26.2°)=24.4 μm
背面加工裕度=(352.8-299.4)×tan(25.19°)=25.1 μm。
又，可如下所述地評價表面和背面加工裕度差：表面和背面加工裕度差=(表面加工裕度-背面加工裕度)=(24.4-25.1)=-0.7 μm。
可知利用此次所用的研光裝置，表面和背面加工裕度大致均勻，與預想一致。相較於下述比較例中的先前方法，可在短時間內進行上述評價。
如此一來，可確認：本發明的加工裕度的評價方法，可使用產品晶圓，分別在短時間內簡單評價表面和背面雙面各自的加工裕度。
(實施例2)
與實施例1相同地，利用本發明的加工裕度的評價方法，評價4片矽晶圓的加工裕度。其中，將評價加工裕度之晶圓的位置設為以下8處。即，評價如第4圖所示之晶圓面內的9.1°、45°、90°、135°、180°、225°、270°及315°的位置。
將結果示於表1。又，將整體加工裕度、加工裕度差、加工裕度差的平均值及偏差(標準差σ)示於第5圖。
如此一來，可知本發明可易於基於複數個位置的倒角寬度，評價複數個晶圓的加工裕度，可藉由例如求平均值等，而進行更可靠的評價。藉由如此增加測量頻率進行評價，亦可易於推測加工前的晶圓的切片形狀的影響或晶圓面內的加工裕度差的分佈(σ)等。根據例如加工裕度差的平均值，可確認所使用之研光裝置會引起何種程度的表面和背面加工裕度差，根據加工裕度差的偏差，可評價晶圓是否傾斜而未經研光等。根據第5圖的加工裕度差的平均值的結果，可知於所使用的研光裝置中，相較於背面的加工裕度，表面的加工裕度多出1~2 μm左右。
相對於此，於後述的比較例中，將耗費較多的測量時間，難以增加所評價的晶圓數目。
(實施例3)
與實施例1相同地，根據本發明的晶圓的製造方法，製造矽晶圓，並與實施例2相同地，利用本發明的加工裕度的評價方法，於8處位置處評價矽晶圓的加工裕度。其中，使用的研光裝置，其加工條件為表面的加工裕度比背面大2 μm左右。然後，求出加工裕度差的平均值及分佈(σ)。對該平均值及分佈(σ)設定管理值，反復製造及評價晶圓，並確認其變化。此處，將平均值的管理值設定為3.5 μm，分佈(σ)的管理值設定為2.5 μm。
將其結果示於第6圖。如第6圖(A)、(B)所示，可知平均值與分佈(σ)雖然多少存在偏差，但均在管理值以下。藉此，可確認所進行的加工較為穩定。
(實施例4)
與實施例1相同地，根據本發明的晶圓的製造方法，製造矽晶圓，並與實施例2相同地，利用本發明的加工裕度的評價方法，於8處位置處評價矽晶圓的加工裕度。然後，管理加工裕度差的平均值，並反復製造並評價矽晶圓。此處，將加工裕度差的平均值的管理值設定為3.5 μm。
在反復進行該等步驟的期間，如第7圖所示，由於存在平均值超過管理值3.5 μm的情形，因此如下所述地調整加工條件，以基於該評價結果，調整晶圓的表面和背面各自的加工裕度。具體而言，調整所使用的研光裝置的太陽齒輪與內齒輪的轉速，並調整載具的公轉數。
其結果為，如第7圖的後半部分所示，可將加工裕度差的平均值抑制在管理值3.5 μm以下來製造晶圓。
如此一來，利用本發明的晶圓的製造方法，可分別評價表面和背面雙面各自的加工裕度，並製造一種基於該評價結果，表面和背面各自的加工裕度分別得以被調整的晶圓。並且，可管理晶圓的表面和背面的加工裕度差，並製造質量穩定的晶圓。
(比較例)
除了加工裕度的評價步驟以外，在與實施例1相同的 條件下，製造1片矽晶圓，利用先前方法來評價加工裕度，即在如第9圖所示的晶圓上，打出雷射標記並進行評價。
首先，從所製造的晶圓中，準備擋片，在該晶圓的雙面上標示出雷射標記。此處，標示是使用硬質雷射標示器(hard laser marker)，以50 μm左右的記號深度來進行。
於標示出雷射標記後，利用雷射顯微鏡，確認任意位置的記號深度。其結果為，標示在表面側的記號為53.5 μm，標示在背面側的記號為54.5 μm。
繼而，使用與實施例1相同的研光裝置，在與實施例1相同的條件下，對晶圓實施研光加工。
繼而，確認加工後的晶圓的雷射標記的記號深度。此處，確認位置與加工前確認時的位置相同。其結果為，雷射標記內混有推測為漿料的異物，因而無法確認正確的深度。因此，清洗晶圓以去除該異物，然後再次確認記號深度。
其結果為，標示在表面側的記號為29.2 μm，標示在背面側的記號為29.6 μm。由這些記號深度的變化可知，表面側的加工裕度為24.3 μm，背面側的加工裕度為24.9 μm。並且，表面和背面加工裕度差為-0.6 μm。
如此一來，根據使用雷射標記的先前方法，可確認以與實施例1大致相同的加工裕度來進行加工，但利用該先前方法，無法直接評價產品晶圓，並且，需要標示出雷射標記，並進行清洗以去除加工後混入雷射標記內的漿料等異物，因此評價非常耗費時間。
又，僅在標示出記號之處才能測量，因此為提高評價精度，需要標示出很多雷射標記，此時需要很長時間。尤其，當要正確評價外周部的加工裕度的平均值時，由於需要測量更多的記號深度，因此需要極長的時間。如此一來，先前的評價方法不易於實施。
再者，本發明並不限定於上述實施形態。上述實施形態為例示，凡是具有與本發明的申請專利範圍所記載的技術思想實質相同的結構，並發揮相同作用效果的所有發明，均包含在本發明的技術範圍內。
1‧‧‧研光裝置
10‧‧‧研光裝置
11‧‧‧上平板
12‧‧‧下平板
13‧‧‧太陽齒輪
14‧‧‧內齒輪
15‧‧‧載具
16‧‧‧齒輪部
17‧‧‧保持孔
18‧‧‧貫通孔
W‧‧‧晶圓
第1圖是說明本發明的加工裕度的評價方法之說明圖。
第2圖是表示本發明的晶圓的製造方法的一例之流程圖。
第3圖是表示本發明的晶圓的製造方法中可用的研光裝置的一例之概略圖。
第4圖是說明實施例2至實施例4中的晶圓的加工裕度評價位置之說明圖。
第5圖是表示實施例2的結果之圖。
第6圖是表示實施例3的結果之圖。
第7圖是表示實施例4的結果之圖。
第8圖(A)是通常所使用之研光裝置的概略圖。
第8圖(B)是通常所使用之研光裝置的俯視的概略圖。
第9圖是說明先前的表面和背面加工裕度的評價方法之說明圖。

Claims (8)

  1. 一種加工裕度的評價方法，是在以特定的加工裕度來對外周經倒角後的晶圓的表面和背面雙面進行去除的加工製程中，評價加工後的前述晶圓的加工裕度，其中，所述加工裕度的評價方法的特徵在於：基於加工前後的前述晶圓的表面和背面各自的倒角寬度的變化量，算出並評價前述晶圓的表面和背面各自的加工裕度。
  2. 如請求項1所述之加工裕度的評價方法，其中，將加工前的前述晶圓的表面的倒角角度設為θ 1、背面的倒角角度設為θ 2，此時根據以下公式，算出前述晶圓的表面和背面各自的加工裕度：表面加工裕度=(加工前的晶圓表面的倒角寬度-加工後的晶圓表面的倒角寬度)×tan θ 1；背面加工裕度=(加工前的晶圓背面的倒角寬度-加工後的晶圓背面的倒角寬度)×tan θ 2。
  3. 如請求項1或2所述之加工裕度的評價方法，其中，前述加工製程為雙面研光、雙面磨削及雙面研磨中的任一種。
  4. 一種晶圓的製造方法，其至少具有以下步驟：將晶圓 的外周倒角；實施以特定的加工裕度來對前述晶圓的表面和背面雙面進行去除的加工；及，評價加工後的前述晶圓的加工裕度；其中，所述晶圓的製造方法的特徵在於：進而，具有在前述晶圓的表面和背面雙面的加工步驟的前後，測量前述晶圓的表面和背面各自的倒角寬度的步驟，且在評價前述晶圓的加工裕度的步驟中，基於在前述晶圓的表面和背面的加工前後所測量得到的前述晶圓的表面和背面各自的倒角寬度的變化量，算出並評價前述晶圓的表面和背面各自的加工裕度。
  5. 如請求項4所述之晶圓的製造方法，其中，將加工前的前述晶圓的表面的倒角角度設為θ 1、背面的倒角角度設為θ 2，此時根據以下公式，算出前述晶圓的表面和背面各自的加工裕度：表面加工裕度=(加工前的晶圓表面的倒角寬度-加工後的晶圓表面的倒角寬度)×tan θ 1；背面加工裕度=(加工前的晶圓背面的倒角寬度-加工後的晶圓背面的倒角寬度)×tan θ 2。
  6. 如請求項4所述之晶圓的製造方法，其中，具有一步驟，該步驟調整下一次的前述晶圓的表面和背面的加工步驟中的加工條件，以基於前述晶圓的加工裕度的評價步驟中的評價結果，來調整前述晶圓的表面和背面各自的加工裕度。
  7. 如請求項5所述之晶圓的製造方法，其中，具有一步驟，該步驟調整下一次的前述晶圓的表面和背面的加工步驟中的加工條件，以基於前述晶圓的加工裕度的評價步驟中的評價結果，來調整前述晶圓的表面和背面各自的加工裕度。
  8. 如請求項4至7中的任一項所述之晶圓的製造方法，其中，前述晶圓的表面和背面雙面的加工，是藉由雙面研光、雙面磨削及雙面研磨中的任一種來進行。
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