TWI614118B - 奈米壓印用模具用基板及模具用基板之檢查方法 - Google Patents

Abstract

表面形成有凹凸圖案之直徑125~300mm的圓形模具用基板，該基板之直徑125mm以下的圓內之厚度偏差為2μm以下。

表面形成有凹凸圖案之圓形模具用基板，上述基板中心之直徑125mm以下的圓內之厚度偏差為2μm以下，藉由使用該模具用基板，可防止在模具用基板上形成圖案時和轉印時發生圖案位置不一致或圖案誤差，而能進行高精細且複雜圖案的轉印。

Description

奈米壓印用模具用基板及模具用基板之檢查方法

本發明係關於在用來製造電子裝置、光學零件、記憶元件、生物元件等的步驟中，作為用來在表面形成凹凸形狀之母板的模具用基板及模具用基板之檢查方法。

近幾年在電子裝置、光學零件、記憶元件、生物元件等的製造方面，要求更加高性能化、高精細化，同時也要求製造的低成本化。在這種趨勢中，比起習知的微影技術，可更便宜地進行微細加工之奈米壓印技術受到注目。奈米壓印技術，是採用機械方法來形成凹凸圖案。亦即，將在表面作成期望的凹凸圖案之模具按壓於具有既定厚度樹脂層之基板，藉此轉印模具的凹凸圖案。藉由按壓而轉印凹凸圖案後之樹脂層，經由硬化而維持其形狀，主要可分成藉由紫外線硬化的方式、和加熱硬化的方式，不管是哪個方式，保持模具和基板的平行度，將待按壓的面內以均一的壓力予以緊壓都是非常重要的。

又作為與本發明有關之習知技術文獻，可列舉以下文獻。

[專利文獻1]日本特開2002-318450號公報

奈米壓印所使用之模具的外形，例如包含65mm見方 、152mm見方之方形，50Φmm、100Φmm、150Φmm、200Φmm之圓形等，按照用途可使用各種形狀。另一方面，實質上發揮模具的作用而作成凹凸圖案的區域，大多具有比外形小的面積(約4000mm²以內)，該區域通常形成在基板的中心附近。一般而言，要轉印的圖案越微細，形成圖案的面積有越小的傾向。

這是因為，當圖案越微細時，對於上述模具和基板的平行度、按壓均一性要求的精度越高，形成有圖案的面積越小，越能提高其等的精度。另一方面，模具外形有比形成有圖案的區域更大的傾向，其理由在於製作奈米壓印用模具的製程。奈米壓印用模具，是經由：藉由濺鍍之金屬膜塗布步驟、使用EB微影裝置之微影步驟、轉印期望的微細圖案後之金屬層和基板表面的乾蝕刻步驟等而製作出，該等步驟所使用的裝置，基於經濟性、方便性的觀點大多與傳統微影技術所使用的裝置共用。因此，對應於該等裝置之基板尺寸，必然成為傳統微影技術所使用的基板尺寸，因此奈米壓印用模具的外形尺寸有比形成有圖案的區域更大的傾向。

近年來，使用紫外線之奈米壓印等將更精細的圖案、更複雜的圖案形成在模具上而進行轉印的要求越來越高。基於這樣的背景和上述理由，模具用基板的平坦度，特別是形成有圖案而實質發揮模具作用之區域的平坦度非常重要，當要轉印的圖案變得更精細、複雜時，如果表面不夠平坦的話，製作模具時和轉印時會發生圖案位置不一致或 圖案誤差，而造成問題。

本發明是有鑑於上述事情而開發完成的，其目的是為了提供一種模具用基板及模具用基板之檢查方法，可保持模具和基板的平行度而能將待按壓的面內以均一的壓力予以緊壓。

本發明人等為了達成上述目的而深入探討的結果發現，藉由使用圓形模具用基板且是凹凸圖案的形成範圍之中心區域的厚度偏差((厚度最大值)-(厚度最小值))減少之模具用基板，可解決前述課題而完成本發明。

亦即，本發明是提供以下的模具用基板及模具用基板之檢查方法。

請求項1：

一種模具用基板，是在表面形成有凹凸圖案之直徑125~300mm的圓形模具用基板，其特徵在於：該基板之直徑125mm以下的圓內之厚度偏差為2μm以下。

請求項2：

如請求項1所述之模具用基板，其直徑為300mm以下，全面的厚度偏差為10μm以下。

請求項3：

如請求項1或2所述之模具用基板，其中，在前述直徑125mm以下的圓內，當板厚最厚的點t之 板厚為T、中心c之板厚為C、連結t與c之直線和上述直徑125mm的圓之圓周的交點當中離t最遠的點e之板厚為E時，各個的板厚滿足T≧C≧E的關係。

請求項4：

如請求項3所述之模具用基板，其中，前述直徑125mm以下的圓內之板厚T和板厚E滿足0.6μm≧T-E≧0.3μm的關係。

請求項5：

如請求項1~4中任一項所述之模具用基板，其為石英玻璃基板。

請求項6：

如請求項1~4中任一項所述之模具用基板，其為具有用來形成轉印圖案的金屬薄膜或光阻膜之石英玻璃基板。

請求項7：

如請求項1~6中任一項所述之模具用基板，其中，存在於前述直徑125mm以下的圓內之表面缺陷尺寸為0.5μm以下。

請求項8：

如請求項1~7中任一項所述之模具用基板，其為奈米 壓印用。

請求項9：

一種模具用基板之檢查方法，其特徵在於：是根據是否為符合請求項1~8中任一項所述的條件之模具用基板來判定良窳。

依據本發明，藉由使用在表面形成有凹凸圖案之圓形模具用基板且為上述基板中心之直徑125mm以下的圓內之厚度偏差為2μm以下之模具用基板，可防止在模具用基板上製作圖案時和轉印時發生圖案位置不一致或圖案誤差，而能進行高精細且複雜圖案的轉印。

本發明之模具用基板，是在表面形成有凹凸圖案之直徑125~300mm的圓形基板，該基板之直徑125mm以下的圓內之厚度偏差為2μm以下，特別是屬於奈米壓印模具用的基板。

第1圖係顯示本發明的模具用基板。如第1(A)圖所示般，基板1是圓形的模具用基板，如第1(B)圖所示般是由上表面2、下表面3及側面4所構成。通常，在側面4和上表面2及下表面3的邊界分別形成有去角部5。此外，雖未圖示出，在本發明之模具用基板的表面，亦可將用來形成凹凸圖案之金屬薄膜或光阻膜予以事先成膜。

本發明之模具用基板，以基板中心為中心之直徑125mm以下的圓內之厚度偏差為2μm以下，較佳為1μm以下，特佳為0.6μm以下。在超過2μm偏差(平坦度)的情況，要在模具用的基板上製作圖案時和要將形成有圖案之模具轉印時會發生圖案位置不一致或圖案誤差。例如在轉印步驟，當按壓於具有既定厚度的樹脂層之被轉印用基板時，模具和被轉印用基板之平行度變差，待按壓之面內的壓力變得不均一。在此情況，將模具剝離後之樹脂層的剩餘膜厚變得不均一，即使通過後步驟之乾蝕刻步驟、金屬膜除去步驟等所有的步驟後，仍無法形成期望的圖案。又模具用基板之厚度偏差的下限值雖沒有特別的限制，但越小的話直徑125mm以下之圓內的厚度偏差也變得越小。此外，模具用基板的厚度通常為0.1~30mm，特佳為0.5~10mm。將上述偏差的規定範圍設定在直徑125mm以下的理由在於，在奈米壓印用基板，基於通過步驟全體之精度和效率的觀點，一般的圖案形成範圍大致為125mm以下。又厚度偏差(平坦度)可採用藉由接觸式的厚度測定器來測定基板內數點的方法，也能藉由光學干涉計或雷射位移計等進行更高精度的測定。在本發明，是採用藉由光學干涉式的平坦度測定裝置((株)NIDEK製FT90)所測定的值。

模具用基板的直徑，基於操作容易的考量為300mm以下，大多為125~200mm，在此情況，當基板全體的厚度偏差較大時，很難使125mm以下之圓內的厚度偏差變小 ，更者，即使是圖案形成部外的區域，當厚度偏差較大時仍會影響轉印精度，因此基板全面的厚度偏差較佳為10μm以下，特佳為5μm以下。下限值並沒有特別的限制，是越小越好。如果將全面的厚度偏差之範圍嚴格規定的話，是實質上可高精度地測定之範圍，亦即比從周緣起算3mm更內側的圓形範圍。在從周緣至3mm的範圍因為接近去角部，由於接觸式的厚度測定器之厚度測定部位的面積較大，會測定到一部分的去角部，而有無法正確測定厚度的情況。即使是光學干涉計或雷射位移計，在從周邊至3mm的範圍因為接近端面和去角部，受到散射光的影響而有無法正確測定的情況。

再者，如第2(A),(B)圖所示般，在本發明之模具用基板的中心之直徑125mm以下的圓內，當板厚最厚的點t之板厚為T、中心c之板厚為C、連結t與c之直線和直徑125mm的圓之圓周的交點當中離t最遠的點e之板厚為E時，將各板厚比較時宜滿足T≧C≧E的關係。又在圖中，虛線6表示直徑125mm的圓之圓周位置，虛線7表示基板(及直徑125mm的圓)的中心。

在模具的轉印步驟，由於要轉印的圖案很微細，可能在圖案間混入氣泡而在轉印後的圖案發生缺陷。為了避免發生此問題，在裝置側雖能設法讓轉印步驟在接近真空的雰圍下進行，但由於並非完全的真空雰圍，因此無法完全避免氣泡所造成的缺陷。只要是模具用基板的板厚滿足T≧C≧E的關係的形狀，即可減輕在轉印步驟時發生的氣 泡所造成的缺陷。亦即，在滿足T≧C≧E的關係的情況，當轉印時，模具表面當中最先與基板樹脂層接觸的部位是板厚最厚之T部分，最後與基板樹脂層接觸的部位是E部分。由於E是圖案形成區域之端部，即使樹脂中存在氣泡、異物，其等仍可朝圖案形成區域的外側離開，對轉印後圖案不造成影響的可能性高。另一方面，假使是像第2(C)圖那樣滿足T>E>C關係的形狀的情況，在模具表面當中最後與基板樹脂層接觸的部位為C。在此情況，當在樹脂層中存在氣泡、異物時，其等會集中在圖案形成區域的中心附近，而有在轉印後圖案發生缺陷之虞。

滿足前述T≧C≧E關係的形狀之基板，當T的板厚和E的板厚有某種程度差異的情況，更容易使氣泡和異物脫離，其防止圖案上發生缺陷的效果是可期待的。具體而言，較佳為滿足0.6μm≧T-E≧0.3μm的關係。更佳為0.4μm≧T-E≧0.3μm。比0.6μm更大時，板厚偏差變得比0.6μm更大，在模具用基板上製作圖案時和轉印時容易發生圖案位置不一致或圖案誤差。當比0.3μm更小時，讓氣泡和異物朝外側脫離之板厚差不足，其等會集中在圖案形成區域的中心附近，即使滿足T≧C≧E的關係，轉印後的圖案仍可能發生缺陷。

在此，本發明之模具用基板宜為石英玻璃基板。石英玻璃基板具有紫外線可透過的性質，大多利用於藉由紫外線來讓樹脂層硬化之奈米壓印。也是有利用熱來讓樹脂層硬化之奈米壓印方式，該方式會受熱膨脹的影響，因此利 用紫外線的方式更適於進行微細圖案的轉印。此外，石英玻璃在可見光區域也是透明的，因此也具有轉印時容易進行對準的優點。石英玻璃以外之奈米壓印用的模具用基板，可列舉矽(Si)、矽氧化膜、聚二甲基矽氧烷(PDMS)、鎳(Ni)、藍寶石、其等的混成材料等。

本發明之模具用基板，亦可具有用來形成轉印圖案之金屬薄膜或光阻膜。在模具基板形成圖案時，較佳為在使用EB微影裝置之前先塗布金屬薄膜或光阻膜。金屬薄膜或光阻膜，可依據通常方法而形成5nm~5μm厚度的膜。在此情況，是以形成有這種膜後的狀態測定板厚，如上述般較佳為中心之直徑125mm以下的圓的範圍之厚度偏差為2μm以下。

在本發明之模具用基板，直徑125mm以下的圓內之表面缺陷尺寸較佳為0.5μm以下，更佳為0.25μm以下，特佳為0.1μm以下。這是因為，在模具用基板之表面形成有次微米~奈米級的微細圖案，若在模具用基板的表面存在缺陷的話，缺陷會保持其大小而轉印到被轉印側的基板上。又在本發明，表面缺陷尺寸是藉由原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope：AFM)所測定的值。

本發明的模具用基板，可將基板的表背面實施研磨而使中心之直徑125mm以內的範圍之厚度偏差成為2μm以下。此情況的研磨方法，能在供應含有研磨磨粒之研磨液的狀態下，使用雙面研磨機將表背面同時研磨，亦可使用單面研磨機而將單面逐一研磨。此外，在單面研磨，可使 用比基板大的研磨定盤，也能使用比基板小的定盤。在合成石英玻璃基板的情況，可使用將合成石英原料依據通常方法實施切片、研削(lapping)而得者。

在此，為了使模具用基板的表面形狀成為期望的厚度偏差範圍內，最終精密研磨步驟前之粗研磨步驟是重要的。例如，在粗研磨步驟會有使用雙面研磨機將基板表背面同時加工的方法，這時較佳為將分別貼附有研磨布之上定盤和下定盤的平坦度提高。作為研磨布，可使用硬質發泡聚氨基甲酸酯等，為了始終保持研磨布表面的高平坦度，每幾批次進行精磨錠修正是有效的。精磨錠修正，是使用具有鑽石精磨錠之修正載具等的修正載具，一邊供應水或磨粒一邊從平衡壓施加30gf/cm²的荷重而進行數分鐘~數十分鐘左右，較佳為依據與通常研磨相同的要領，裝上設計成與既定研磨機的齒輪嚙合之修正載具而實施研磨布表面平坦度修正。

關於在粗研磨步驟一般所使用之硬質發泡聚氨基甲酸酯研磨布，較佳為以讓研磨液遍及基板全體的方式形成有溝槽。藉由使研磨液遍及基板全體，可減少面內的研磨不均，而獲得厚度偏差少的基板。研磨布之溝槽形狀，可採用具有互相隔著既定間隔且呈平行的多數個凸條或凹槽之條紋狀等。

作為粗研磨所使用之研磨液，可列舉含有：二氧化矽、氧化鈰、鋼鋁石、白鋼鋁石(WA)、FO、氧化鋯、SiC、鑽石、氧化鈦、氧化鍺等的研磨磨粒者，磨粒的粒度宜 為0.1~10μm，特佳為0.5~3μm。作為研磨液，可適當地使用其等的水漿體等。

在最終精密研磨後，在中心之直徑125mm以內的範圍，當板厚最厚的點t之板厚為T、中心c之板厚為C、連結t與c之直線和中心之直徑125mm的圓之圓周的交點當中離t最遠的點e之板厚為E時，在以滿足T≧C≧E之板厚關係的形狀為目標的情況，粗研磨步驟中之表面形狀控制是重要的。然而，除了上述手法以外，例如可控制雙面研磨機之自公轉比，或藉由適當地選定用來裝設研磨載具的工件之孔洞位置、亦即載具中心與孔洞中心的位移來控制基板表面形狀。為了進行如此般的形狀控制，較佳為在研削加工後和粗研磨後確認厚度偏差、形狀。作為確認的方法，可使用光學干涉計或雷射位移計進行測定，在本發明是使用光學干涉計進行測定。

關於粗研磨步驟結束時的形狀較佳為，能藉由之後的最終精密研磨在既定的厚度偏差範圍內成為滿足T≧C≧E之板厚關係的形狀。具體而言，在粗研磨步驟結束時之C，E的關係，當C≧E的情況，中心之直徑125mm以內的範圍之厚度偏差宜為1.5μm以下，特佳為0~1.0μm。若該厚度偏差過大，在最終研磨步驟有基板端部的研磨量比基板中心更多的傾向，在此情況，當最終研磨步驟後會有直徑125mm以內的範圍之厚度偏差無法抑制在2μm以內的情況。此外，當E和C之厚度差為0.1μm左右且大致相同或是E>C的情況，中心之直徑125mm以內的範圍之厚度 偏差宜為2μm以下，特佳為0~1.5μm。若該厚度偏差過大，在最終研磨步驟有基板端部的研磨量比基板中心更多的傾向，因此藉由最終研磨基本上厚度偏差幾乎不改變或有縮小的傾向。因此，關於粗研磨加工的形狀，比起C>E的情況其厚度偏差容許值較大，但當過大時在最終研磨步驟後會有直徑125mm以內的範圍之厚度偏差無法抑制在2μm以內的情況。如前述般，在最終精密研磨步驟，由於有基板端部的研磨量比基板中心更多的傾向，為了在最終研磨步驟後縮小厚度偏差，在粗研磨結束時使C之厚度與E之厚度大致相同或是滿足E>C的關係是有利的。

當粗研磨步驟結束後，在最終精密研磨步驟所使用的研磨布，可按照所需的表面品質而任意地選擇，例如可使用麂皮、聚氨基甲酸酯含浸不織布、軟質的發泡聚氨基甲酸酯等的材質。當無法遍及基板全體將研磨液均一供應、或無法使研削屑迅速排出而堵塞在研磨布內時，基板內會發生研磨速度不均一，結果可能使厚度偏差變大。為了避免此情況，可在研磨布的全面形成溝槽。藉由該溝槽將研磨液均一地供應而使研磨液充分地遍及基板內部，而且研削屑可通過該溝槽迅速排出，因此能控制研磨速度而改善厚度偏差。溝槽的形狀可形成條紋狀等。

作為研磨液所含之研磨磨粒，可列舉二氧化矽、氧化鈰、鋼鋁石(alundum)、白鋼鋁石(WA)、FO、氧化鋯、SiC、鑽石、氧化鈦、氧化鍺等，其粒度宜為5~1,000nm，特佳為10~150nm；作為研磨液可適當地使用其等的 水漿體等。

即使如此板厚偏差仍無法進入期望範圍內的情況、或要形成的圖案很微細而要求特別小的板厚偏差的情況，可採用以板厚高的部分為目標而予以平坦化之電漿蝕刻技術、或利用局部小型研磨工具等之研磨技術而將板厚偏差縮小。該局部研磨方法例如記載於日本特開2002-318450號公報。

本發明的模具用基板之檢查方法，是藉由例如光學干涉式的平坦度測定裝置來測定厚度偏差以判斷是否為符合上述條件的模具用基板，可藉此判定基板的良窳。

[實施例]

以下，使用實施例及比較例來具體說明本發明，但本發明並不限定於下述實施例。

[實施例1]

將合成石英原料進行切片、研削加工，獲得直徑約6吋、板厚1.0mm之毛玻璃面的晶圓中間原料。將其放入粗研磨步驟，該粗研磨步驟是由粒度較粗的化鈰系研磨劑(平均粒徑1.4μm；商品名SHOROX，昭和電工(株)製)和硬質發泡聚氨基甲酸酯所組合成。粗研磨是使用雙面研磨機來進行，在硬質發泡聚氨基甲酸酯之研磨布表面形成條紋狀的溝槽(溝槽節距3cm，溝槽寬度2mm)，每既定批次進行鑽石精磨錠修正等，為了使晶圓成為期望的厚度 偏差和形狀而進行研磨布面的控制。

結果，藉由粗研磨加工可加工成厚度約0.5mm之如同所設定般之大致凸形的晶圓基板。使用光學干涉式的平坦度測定裝置(NIDEK社製FT90)，在基板中心部之直徑125mm以內的範圍，當板厚最厚的點t之板厚為T、中心c之板厚為C、連結t與c之直線和中心之直徑125mm的圓之圓周的交點當中離t最遠的點e之板厚為E時，粗研磨加工後的狀態之板厚關係滿足C>E，在中心之直徑125mm以內的範圍之厚度偏差「(基板厚度最大值)-(基板厚度最小值)」為0.3μm。

接著，藉由該將基板實施精密研磨而予以平滑鏡面化。在雙面研磨機上貼附形成有條紋狀的溝槽(溝槽節距3cm)之麂皮製研磨布，一邊供應含有氧化鈰系研磨磨粒之研磨液(平均粒徑0.8μm；商品名MIREK，三井金屬礦業(株)製)一邊進行研磨。研磨結束後將基板予以精密洗淨，乾燥後測定基板的厚度偏差。使用光學干涉式的平坦度測定裝置(NIDEK社製FT90)測定中心部直徑125mm區域之厚度偏差的結果，「(基板厚度最大值)-(基板厚度最小值)」為0.6μm而顯示非常小的數值。測定全面的板厚偏差之結果為2.1μm。其形狀為中心板厚最厚之大致凸形。調查T、C、E關係的結果，T-E=0.6μm而滿足T≧C≧E的關係，因此判定該基板為合格品。又中心部直徑125mm的區域之表面缺陷尺寸為0.25μm以下。

[實施例2]

以與實施例1同樣的方法準備原料基板並進行粗研磨。調查C，E關係的結果，粗研磨加工後的狀態之板厚關係滿足C>E，中心之直徑125mm以內的範圍之厚度偏差為1.2μm。然後與實施例1同樣地進行精密研磨，進一步使用小型研磨工具，以凸形之中心附近為目標進行研磨以減少中心的板厚。

將如此般製作出的基板測定厚度偏差的結果，中心部直徑125mm區域之厚度偏差為0.3μm而顯示非常小的數值。此外，全面的板厚偏差之測定結果為1.8μm。其形狀為台形，中心附近一帶的板厚大致均一而比外周厚。調查T、C、E的關係之結果，T-E=0.3μm而滿足T≧C≧E，因此判定該基板為合格品。又中心部直徑125mm的區域之表面缺陷尺寸為0.25μm以下。

[實施例3]

以與實施例1同樣的方法準備原料基板並進行粗研磨。調查C，E關係的結果，粗研磨加工後的狀態之板厚關係滿足C>E，中心之直徑125mm以內的範圍之厚度偏差為1.2μm。然後與實施例1同樣地進行精密研磨。但精密研磨時所使用的麂皮製研磨布和氧化鈰系研磨磨粒是已進行數十批次研磨後之使用過的。

結果，全面之板厚偏差為12.5μm雖不太良好，但中心部直徑125mm區域之厚度偏差為1.8μm而較良好。調 查T、C、E關係的結果為滿足T≧C≧E，因此判定該基板為合格品。

[比較例1]

將合成石英原料進行切片、研削、粗研磨。但粗研磨時所使用的硬質發泡聚氨基甲酸酯之研磨布為已進行數十批次研磨後之使用過的，中途並未使用鑽石精磨錠進行修正，成為研磨布表面的平坦度差的狀態(平坦度：50μm)。調查C，E關係的結果，粗研磨加工後的狀態之板厚關係為E>C，中心之直徑125mm以內的範圍之厚度偏差為6.3μm。

將該基板藉由精密研磨予以平滑鏡面化。在雙面研磨機貼附形成有條紋狀的溝槽(溝槽節距3cm)之麂皮製研磨布，一邊供應含有氧化鈰系研磨磨粒之研磨液(平均粒徑0.8μm；商品名MIREK，三井金屬礦業(株)製)一邊進行研磨。

研磨結束後將基板予以精密洗淨，乾燥後測定基板的厚度偏差。使用光學干涉式的平坦度測定裝置(NIDEK社製FT90)測定中心部直徑125mm區域之厚度偏差的結果，「(基板厚度最大值)-(基板厚度最小值)」為8.7μm而顯示較大數值。全面之板厚偏差的測定結果為24.2μm，將該基板判定為不合格。

1‧‧‧模具用基板

2‧‧‧模具用基板之上表面

3‧‧‧模具用基板之下表面

4‧‧‧模具用基板之側面

5‧‧‧模具用基板之去角部

6‧‧‧表示以基板中心為中心之直徑125mm位置的線

7‧‧‧表示基板中心的線

c‧‧‧基板中心

t‧‧‧在以c為中心之直徑125mm以下的圓內板厚最厚的點

e‧‧‧連結t與c之直線和以c為中心之直徑125mm以下的圓的圓周之交點當中離t最遠的點

C‧‧‧c點之板厚

T‧‧‧t點之板厚

E‧‧‧e點之板厚

第1圖係顯示本發明的模具用基板，(A)為俯視圖，(B)為側視圖。

第2圖係具有各種厚度偏差之模具用基板的截面圖，(A),(B)顯示t,c,e點的厚度滿足T≧C≧E的關係之本發明基板的形狀，(C)顯示滿足T>E>C的關係之基板形狀。

Claims (4)

1. 一種奈米壓印用模具用基板，是在表面形成有凹凸圖案之直徑125~300mm的圓形模具用基板，其是由石英玻璃基板、或是在該石英玻璃基板上具有用來形成轉印圖案的金屬薄膜或光阻膜之石英玻璃基板所構成，比從周緣起算3mm更內側的圓形範圍之全面的厚度偏差為10μm以下，該基板之直徑125mm以下的圓內之凹凸圖案形成區域之厚度偏差為1μm以下；在前述直徑125mm以下的圓內，當最先與受方基板樹脂層接觸的部位且板厚最厚的點t之板厚為T、中心c之板厚為C、最後與受方基板樹脂層接觸的部位且連結t與c之直線和上述直徑125mm以下的圓之圓周的交點當中離t最遠的點e之板厚為E時，各個的板厚滿足T≧C≧E的關係，並滿足0.6μm≧T-E≧0.3μm的關係。
2. 如申請專利範圍第1項所述之奈米壓印用模具用基板，其厚度為0.1~0.5mm。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之奈米壓印用模具用基板，其中，存在於前述直徑125mm以下的圓內之表面缺陷尺寸為0.5μm以下。
4. 一種模具用基板之檢查方法，其特徵在於：是根據是否為符合申請專利範圍第1~3項中任一項所述的條件之模具用基板來判定良窳。