JP2003048148A - 角形基板の研磨方法 - Google Patents
角形基板の研磨方法Info
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 被研磨基板の形状が角形である角形基板
を研磨する方法において、ガイドリングを有する基板保
持ヘッドの該ガイドリング内に保持された前記基板の被
研磨面を研磨布に押圧すると共に、この研磨布に前記ガ
イドリングを押圧し、上記研磨布、並びに前記基板保持
ヘッドと前記基板をそれぞれ回転させて、前記ガイドリ
ングの研磨ヘッド押圧面にて研磨布を押圧しつつ、前記
基板の被研磨面を研磨するようにしたことを特徴とする
角形基板の研磨方法。 【効果】 本発明によれば、研磨時にガイドリング全体
を被研磨基板と別に押圧荷重をかけることで、基板の平
坦性を向上させ、更に平坦基板を安定的に得ることを可
能にした。
を研磨する方法において、ガイドリングを有する基板保
持ヘッドの該ガイドリング内に保持された前記基板の被
研磨面を研磨布に押圧すると共に、この研磨布に前記ガ
イドリングを押圧し、上記研磨布、並びに前記基板保持
ヘッドと前記基板をそれぞれ回転させて、前記ガイドリ
ングの研磨ヘッド押圧面にて研磨布を押圧しつつ、前記
基板の被研磨面を研磨するようにしたことを特徴とする
角形基板の研磨方法。 【効果】 本発明によれば、研磨時にガイドリング全体
を被研磨基板と別に押圧荷重をかけることで、基板の平
坦性を向上させ、更に平坦基板を安定的に得ることを可
能にした。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、角形基板を平坦化
するための研磨方法に関し、被研磨基板が特にはホトマ
スク基板、液晶基板、ディスク基板などの四角形の基板
に対する研磨方法に関するものである。また、本発明
は、該研磨により平坦化された基板を用いて得られるホ
トマスクブランクス及びホトマスクに関する。
するための研磨方法に関し、被研磨基板が特にはホトマ
スク基板、液晶基板、ディスク基板などの四角形の基板
に対する研磨方法に関するものである。また、本発明
は、該研磨により平坦化された基板を用いて得られるホ
トマスクブランクス及びホトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＤＲＡＭの高集積化に伴い、微細化の要
求は年々高くなっており、それに伴い露光光も短波長化
している。短波長化は解像度が向上する反面、焦点深度
が浅くなるため、焦点深度の改良は重要な課題となり、
リソグラフィ工程で使用するホトマスク基板の平坦度も
焦点深度に関わる要因の一つであるため、ホトマスクの
原料であるホトマスク基板においては、平坦性の向上が
求められるようになっており、例えば、１５２ｍｍ×１
５２ｍｍのホトマスクにおいて、平坦度は０．５μｍ以
下、更には０．３μｍ以下が望まれるようになってきて
いる。
求は年々高くなっており、それに伴い露光光も短波長化
している。短波長化は解像度が向上する反面、焦点深度
が浅くなるため、焦点深度の改良は重要な課題となり、
リソグラフィ工程で使用するホトマスク基板の平坦度も
焦点深度に関わる要因の一つであるため、ホトマスクの
原料であるホトマスク基板においては、平坦性の向上が
求められるようになっており、例えば、１５２ｍｍ×１
５２ｍｍのホトマスクにおいて、平坦度は０．５μｍ以
下、更には０．３μｍ以下が望まれるようになってきて
いる。
【０００３】ホトマスク基板には、主に合成石英ガラス
基板が使用されている。合成石英ガラス基板の製造工程
を簡単に説明すると、まず四塩化珪素などを原料とする
ガスと酸水素炎による火炎加水分解によりガラスインゴ
ットを形成し、それを熱溶融させて角形に成型し、更に
それをスライス、粗研磨から精密な研磨と精度をあげる
ため数回の研磨を行うことで、ホトマスク基板を得る。
基板が使用されている。合成石英ガラス基板の製造工程
を簡単に説明すると、まず四塩化珪素などを原料とする
ガスと酸水素炎による火炎加水分解によりガラスインゴ
ットを形成し、それを熱溶融させて角形に成型し、更に
それをスライス、粗研磨から精密な研磨と精度をあげる
ため数回の研磨を行うことで、ホトマスク基板を得る。
【０００４】この研磨としては、複数枚を両面研磨機に
て研磨するのが一般的に行われてきたが、それは、量産
に有利である点と、ホトマスクは露光光を透過させるた
め、ホトマスク基板の両面にスクラッチ等の欠陥がない
ことが要求されるが、両面研磨はスクラッチ対策に有効
である点が主な理由として挙げられる。
て研磨するのが一般的に行われてきたが、それは、量産
に有利である点と、ホトマスクは露光光を透過させるた
め、ホトマスク基板の両面にスクラッチ等の欠陥がない
ことが要求されるが、両面研磨はスクラッチ対策に有効
である点が主な理由として挙げられる。
【０００５】図１を用いて両面研磨について説明する
と、研磨布２がそれぞれ貼られた下定盤１ａ、上定盤１
ｂからなる研磨定盤３，３がキャリア（図省略）に挿入
された被研磨基板１１を挟みこんで押圧し、これら研磨
定盤３，３それぞれを回転させることにより研磨を行う
ことで、被研磨基板１１両面を同時に研磨でき、これは
スクラッチ対策に有効である。図２に研磨定盤３と被研
磨基板１１のみの模式図を示しているが、被研磨基板１
１は中心で回転することより、表面が同心円状の形状に
研磨される。
と、研磨布２がそれぞれ貼られた下定盤１ａ、上定盤１
ｂからなる研磨定盤３，３がキャリア（図省略）に挿入
された被研磨基板１１を挟みこんで押圧し、これら研磨
定盤３，３それぞれを回転させることにより研磨を行う
ことで、被研磨基板１１両面を同時に研磨でき、これは
スクラッチ対策に有効である。図２に研磨定盤３と被研
磨基板１１のみの模式図を示しているが、被研磨基板１
１は中心で回転することより、表面が同心円状の形状に
研磨される。
【０００６】研磨時に被研磨基板１１が研磨布２に押圧
される際、図３に示すように、押圧荷重により被研磨基
板１１が研磨布２に沈む。沈み込む当初は弾性力が大き
く働くことから、図２に示す基板１１の内接円の外側に
相当するところ（斜線部）１１ａの箇所において、研磨
布２からの摩擦が大きくなる。また、被研磨基板１１は
角形基板であるため、被研磨基板１１が回転することに
より、斜線部１１ａは、押圧と押圧の解放が連続して起
こるため、円形基板よりはるかに研磨布２の弾性力を多
くうける機会が多く、過研磨されると同時に、その部分
における研磨布２の劣化が早くなり、研磨布２内で弾性
などの特性にむらが発生する。この研磨布２の特性むら
が原因で、研磨速度が基板１１内で均一にならず、基板
１１表面が非同心円状に研磨されるという問題があっ
た。なお、図３において、矢印の大小は、研磨布２の弾
性による復元力の働きの大小を示す。
される際、図３に示すように、押圧荷重により被研磨基
板１１が研磨布２に沈む。沈み込む当初は弾性力が大き
く働くことから、図２に示す基板１１の内接円の外側に
相当するところ（斜線部）１１ａの箇所において、研磨
布２からの摩擦が大きくなる。また、被研磨基板１１は
角形基板であるため、被研磨基板１１が回転することに
より、斜線部１１ａは、押圧と押圧の解放が連続して起
こるため、円形基板よりはるかに研磨布２の弾性力を多
くうける機会が多く、過研磨されると同時に、その部分
における研磨布２の劣化が早くなり、研磨布２内で弾性
などの特性にむらが発生する。この研磨布２の特性むら
が原因で、研磨速度が基板１１内で均一にならず、基板
１１表面が非同心円状に研磨されるという問題があっ
た。なお、図３において、矢印の大小は、研磨布２の弾
性による復元力の働きの大小を示す。
【０００７】更に、複数枚を研磨する際、被研磨基板の
厚さにばらつきがあると、基板に荷重が均一にかからな
いため、基板内の研磨速度が均一にならず、基板表面が
非同心円状に研磨され易い傾向にある。このため、角形
基板においては、外周部の研磨速度が速すぎるため、平
坦な基板を安定的に製造することが難しく、歩留まりを
大きく落とす原因であった。また、基板表面が非同心円
状に研磨された場合、その後の修正は難しく、平坦度の
高い基板を得ることは実質上不可能であり、その点にお
いても歩留まりを大きく低下させるものであった。
厚さにばらつきがあると、基板に荷重が均一にかからな
いため、基板内の研磨速度が均一にならず、基板表面が
非同心円状に研磨され易い傾向にある。このため、角形
基板においては、外周部の研磨速度が速すぎるため、平
坦な基板を安定的に製造することが難しく、歩留まりを
大きく落とす原因であった。また、基板表面が非同心円
状に研磨された場合、その後の修正は難しく、平坦度の
高い基板を得ることは実質上不可能であり、その点にお
いても歩留まりを大きく低下させるものであった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って、角形基板を研
磨する場合、外周部の過研磨を防止し、面内の研磨速度
を制御することで、平坦度の高い基板を安定的に製造す
ることが要求される。また、両面研磨機などで発生した
非同心円状研磨状態から平坦化した基板を得るため、基
板内の任意の箇所を選択的に研磨することにより、研磨
前形状に起因せずに平坦化した基板を得ることも望まれ
る。更に、研磨に際しては、常に基板にスクラッチなど
の欠陥を発生させないことが重要である。
磨する場合、外周部の過研磨を防止し、面内の研磨速度
を制御することで、平坦度の高い基板を安定的に製造す
ることが要求される。また、両面研磨機などで発生した
非同心円状研磨状態から平坦化した基板を得るため、基
板内の任意の箇所を選択的に研磨することにより、研磨
前形状に起因せずに平坦化した基板を得ることも望まれ
る。更に、研磨に際しては、常に基板にスクラッチなど
の欠陥を発生させないことが重要である。
【０００９】そこで、本発明は、角形基板の表面を平坦
度よく仕上げることができ、かつ、スクラッチなどの欠
陥を発生させない研磨方法、特に基板の角部の過研磨を
軽減することのできる研磨方法を提供することを目的と
する。
度よく仕上げることができ、かつ、スクラッチなどの欠
陥を発生させない研磨方法、特に基板の角部の過研磨を
軽減することのできる研磨方法を提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明においては、上記課題を解決するため、研磨機にお
いてガイドリングを被研磨基板と同様に研磨布に押圧し
ながら基板を研磨するようにしたものである。
発明においては、上記課題を解決するため、研磨機にお
いてガイドリングを被研磨基板と同様に研磨布に押圧し
ながら基板を研磨するようにしたものである。
【００１１】即ち、本発明は、下記研磨方法を提供す
る。 請求項１：被研磨基板の形状が角形である角形基板を研
磨する方法において、ガイドリングを有する基板保持ヘ
ッドの該ガイドリング内に保持された前記基板の被研磨
面を研磨布に押圧すると共に、この研磨布に前記ガイド
リングを押圧し、上記研磨布、並びに前記基板保持ヘッ
ドと前記基板をそれぞれ回転させて、前記ガイドリング
の研磨ヘッド押圧面にて研磨布を押圧しつつ、前記基板
の被研磨面を研磨するようにしたことを特徴とする角形
基板の研磨方法。 請求項２：前記基板保持ヘッドは、前記被研磨基板の裏
面側を保持する保持面を有し、前記保持面には、前記被
研磨基板裏面の主として外周部のみと接するように配置
された弾性体を有する請求項１記載の角形基板の研磨方
法。 請求項３：前記ガイドリングの大きさは、前記被研磨基
板の対角線を直径とする円を包含する大きさである請求
項１又は２記載の角形基板の研磨方法。 請求項４：前記ガイドリングに押圧荷重をかける機構
は、前記被研磨基板に押圧荷重をかける機構とは異なる
独立した機構である請求項１乃至３のいずれか１項に記
載の角形基板の研磨方法。 請求項５：前記ガイドリングは、一体型又は分割型であ
る請求項１乃至４のいずれか１項に記載の角形基板の研
磨方法。 請求項６：前記ガイドリングの分割型は、各々独立して
押圧荷重がかけられるように構成された請求項５記載の
角形基板の研磨方法。 請求項７：前記ガイドリングにかける押圧荷重（Ａ）と
前記被研磨基板にかける押圧荷重（Ｂ）との比は、０＜
（Ａ）／（Ｂ）≦５である請求項１乃至６のいずれか１
項に記載の角形基板の研磨方法。 請求項８：前記研磨布と接触する前記ガイドリング表面
の材質は、前記被研磨基板の主成分と同じ材質である請
求項１乃至７のいずれか１項に記載の角形基板の研磨方
法。 請求項９：被研磨基板が合成石英ガラスから形成され、
前記研磨布と接触する前記ガイドリング表面の材質は、
合成石英ガラスである請求項８記載の角形基板の研磨方
法。 請求項１０：被研磨基板がホトマスク基板である請求項
１乃至９のいずれか１項に記載の角形基板の研磨方法。
る。 請求項１：被研磨基板の形状が角形である角形基板を研
磨する方法において、ガイドリングを有する基板保持ヘ
ッドの該ガイドリング内に保持された前記基板の被研磨
面を研磨布に押圧すると共に、この研磨布に前記ガイド
リングを押圧し、上記研磨布、並びに前記基板保持ヘッ
ドと前記基板をそれぞれ回転させて、前記ガイドリング
の研磨ヘッド押圧面にて研磨布を押圧しつつ、前記基板
の被研磨面を研磨するようにしたことを特徴とする角形
基板の研磨方法。 請求項２：前記基板保持ヘッドは、前記被研磨基板の裏
面側を保持する保持面を有し、前記保持面には、前記被
研磨基板裏面の主として外周部のみと接するように配置
された弾性体を有する請求項１記載の角形基板の研磨方
法。 請求項３：前記ガイドリングの大きさは、前記被研磨基
板の対角線を直径とする円を包含する大きさである請求
項１又は２記載の角形基板の研磨方法。 請求項４：前記ガイドリングに押圧荷重をかける機構
は、前記被研磨基板に押圧荷重をかける機構とは異なる
独立した機構である請求項１乃至３のいずれか１項に記
載の角形基板の研磨方法。 請求項５：前記ガイドリングは、一体型又は分割型であ
る請求項１乃至４のいずれか１項に記載の角形基板の研
磨方法。 請求項６：前記ガイドリングの分割型は、各々独立して
押圧荷重がかけられるように構成された請求項５記載の
角形基板の研磨方法。 請求項７：前記ガイドリングにかける押圧荷重（Ａ）と
前記被研磨基板にかける押圧荷重（Ｂ）との比は、０＜
（Ａ）／（Ｂ）≦５である請求項１乃至６のいずれか１
項に記載の角形基板の研磨方法。 請求項８：前記研磨布と接触する前記ガイドリング表面
の材質は、前記被研磨基板の主成分と同じ材質である請
求項１乃至７のいずれか１項に記載の角形基板の研磨方
法。 請求項９：被研磨基板が合成石英ガラスから形成され、
前記研磨布と接触する前記ガイドリング表面の材質は、
合成石英ガラスである請求項８記載の角形基板の研磨方
法。 請求項１０：被研磨基板がホトマスク基板である請求項
１乃至９のいずれか１項に記載の角形基板の研磨方法。
【００１２】また、本発明は、下記ホトマスク基板、ホ
トマスクブランクス及びホトマスクを提供する。 請求項１１：請求項１０に記載の研磨方法で得られたホ
トマスク基板。 請求項１２：請求項１１に記載のホトマスク基板を用い
たホトマスクブランクス。 請求項１３：請求項１２に記載のホトマスクブランクス
より得られるホトマスク。
トマスクブランクス及びホトマスクを提供する。 請求項１１：請求項１０に記載の研磨方法で得られたホ
トマスク基板。 請求項１２：請求項１１に記載のホトマスク基板を用い
たホトマスクブランクス。 請求項１３：請求項１２に記載のホトマスクブランクス
より得られるホトマスク。
【００１３】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明に係る研磨方法は、上述した通り、被研磨基板の
形状が角形である角形基板を研磨する方法において、ガ
イドリングを有する基板保持ヘッドの該ガイドリング内
に保持された前記基板の被研磨面を研磨布に押圧すると
共に、前記ガイドリングを押圧し、上記研磨布、並びに
前記基板保持ヘッドと前記基板をそれぞれ回転させて、
前記ガイドリングの研磨ヘッド押圧面にて押圧しつつ、
前記基板の被研磨面を研磨するようにしたものである。
本発明に係る研磨方法は、上述した通り、被研磨基板の
形状が角形である角形基板を研磨する方法において、ガ
イドリングを有する基板保持ヘッドの該ガイドリング内
に保持された前記基板の被研磨面を研磨布に押圧すると
共に、前記ガイドリングを押圧し、上記研磨布、並びに
前記基板保持ヘッドと前記基板をそれぞれ回転させて、
前記ガイドリングの研磨ヘッド押圧面にて押圧しつつ、
前記基板の被研磨面を研磨するようにしたものである。
【００１４】ここで、角形基板としては、正方形、長方
形等の四角形状のほか、多角形の基板を適用可能な基板
として挙げることができるが、特には、ホトマスク基
板、液晶基板、ディスク基板などの四角形基板が好適で
ある。
形等の四角形状のほか、多角形の基板を適用可能な基板
として挙げることができるが、特には、ホトマスク基
板、液晶基板、ディスク基板などの四角形基板が好適で
ある。
【００１５】本発明においては、このような角形基板の
片面（被研磨面）を研磨するものであり、この場合、基
板は基板保持ヘッドのガイドリング内に吸着保持され、
図４に示すような片面研磨機の定盤上に貼られた研磨布
上に搬送、載置されて、研磨される。
片面（被研磨面）を研磨するものであり、この場合、基
板は基板保持ヘッドのガイドリング内に吸着保持され、
図４に示すような片面研磨機の定盤上に貼られた研磨布
上に搬送、載置されて、研磨される。
【００１６】即ち、研磨布２が貼られた定盤１の中心部
に研磨剤４を研磨剤供給配管５により供給する。定盤１
と研磨布２とからなる研磨定盤３上に被研磨基板（図で
は省略）をこれを保持した基板保持ヘッド６にて押圧
し、研磨定盤３と基板保持ヘッド６を回転させることで
基板の研磨を実施する。
に研磨剤４を研磨剤供給配管５により供給する。定盤１
と研磨布２とからなる研磨定盤３上に被研磨基板（図で
は省略）をこれを保持した基板保持ヘッド６にて押圧
し、研磨定盤３と基板保持ヘッド６を回転させることで
基板の研磨を実施する。
【００１７】この場合、基板保持ヘッド６は、図５に示
したように、円形状、四角形状等の平板状トップリング
７の外周部にガイドリング８が設けられていると共に、
上記トップリング７の外面中央部に柱体９が突設され、
かつ、この柱体９及びトップリング７に流体流通孔１０
が穿設された構成とされ、この流体流通孔１０よりガイ
ドリング８内を真空吸引することで、被研磨基板（角形
基板）１１がガイドリング８内に存して、上記トップリ
ング７の内面（保持面）に吸着保持される。なお、図５
においては、基板１１はトップリング７の内面にバッキ
ングフィルム１２を介して吸着されている。
したように、円形状、四角形状等の平板状トップリング
７の外周部にガイドリング８が設けられていると共に、
上記トップリング７の外面中央部に柱体９が突設され、
かつ、この柱体９及びトップリング７に流体流通孔１０
が穿設された構成とされ、この流体流通孔１０よりガイ
ドリング８内を真空吸引することで、被研磨基板（角形
基板）１１がガイドリング８内に存して、上記トップリ
ング７の内面（保持面）に吸着保持される。なお、図５
においては、基板１１はトップリング７の内面にバッキ
ングフィルム１２を介して吸着されている。
【００１８】このように、流体流通孔１０より真空吸着
することで基板保持ヘッド６にて被研磨基板１１を保
持、搬送し、研磨布２上に載置させて、研磨を行う。こ
の場合、研磨時には基板１１を基板保持ヘッド６により
研磨布２に押圧する目的で、被研磨基板１１に荷重をか
けることができ、この時に流体流通孔１０より空気や窒
素等の加圧用気体を用いて加圧して研磨を実施すること
もでき、そして、被研磨基板１１の位置がずれないよう
に基板保持ヘッド６にはガイドリング８が設けられてい
る。
することで基板保持ヘッド６にて被研磨基板１１を保
持、搬送し、研磨布２上に載置させて、研磨を行う。こ
の場合、研磨時には基板１１を基板保持ヘッド６により
研磨布２に押圧する目的で、被研磨基板１１に荷重をか
けることができ、この時に流体流通孔１０より空気や窒
素等の加圧用気体を用いて加圧して研磨を実施すること
もでき、そして、被研磨基板１１の位置がずれないよう
に基板保持ヘッド６にはガイドリング８が設けられてい
る。
【００１９】ところで、上記のようにバッキングフィル
ム１２を用いた場合、バッキングフィルム１２と被研磨
基板１１の裏面（研磨面の反対側の面）が接触し研磨中
にこすれることによりキズが発生するおそれがある。こ
のようなキズは、ホトマスク基板では露光光が透過する
ため問題であり、その修正として、被研磨基板１１を反
対にして研磨する必要が生じる場合がある。このような
場合、図６に示したように、バッキングフィルム１２の
代りに、弾性体又は合成樹脂１３を用いることが推奨さ
れる。即ち、この弾性体又は合成樹脂１３は、基板１１
裏面の露光に特に関与しない外周縁部と、基板保持ヘッ
ド６のトップリング７内面（保持面）の外周縁部との間
に介在させるもので、基板１１の研磨時にトップリング
７からの押圧を基板１１に伝達する。これにより、基板
１１の研磨しない側の面（裏面）にキズが生じることを
なくすことができる。なお、このように基板１１の外周
縁部に弾性体又は合成樹脂１３を当接し、これを介して
トップリング７により押圧を与えた場合、被研磨基板１
１の外周部に直接的に押圧が伝達することから、外周部
が研磨され易くなるが、かかる場合には、流体流通孔１
０から空気や窒素などを用いて加圧することで、被研磨
基板１１内の研磨荷重を均一にすることができる。弾性
体又は合成樹脂１３としては、シリコーンゴム、ニトリ
ルゴム、スチレンブタジエンゴム、フッ素ゴム、ポリア
セタール樹脂、フッ素系樹脂等が挙げられる。
ム１２を用いた場合、バッキングフィルム１２と被研磨
基板１１の裏面（研磨面の反対側の面）が接触し研磨中
にこすれることによりキズが発生するおそれがある。こ
のようなキズは、ホトマスク基板では露光光が透過する
ため問題であり、その修正として、被研磨基板１１を反
対にして研磨する必要が生じる場合がある。このような
場合、図６に示したように、バッキングフィルム１２の
代りに、弾性体又は合成樹脂１３を用いることが推奨さ
れる。即ち、この弾性体又は合成樹脂１３は、基板１１
裏面の露光に特に関与しない外周縁部と、基板保持ヘッ
ド６のトップリング７内面（保持面）の外周縁部との間
に介在させるもので、基板１１の研磨時にトップリング
７からの押圧を基板１１に伝達する。これにより、基板
１１の研磨しない側の面（裏面）にキズが生じることを
なくすことができる。なお、このように基板１１の外周
縁部に弾性体又は合成樹脂１３を当接し、これを介して
トップリング７により押圧を与えた場合、被研磨基板１
１の外周部に直接的に押圧が伝達することから、外周部
が研磨され易くなるが、かかる場合には、流体流通孔１
０から空気や窒素などを用いて加圧することで、被研磨
基板１１内の研磨荷重を均一にすることができる。弾性
体又は合成樹脂１３としては、シリコーンゴム、ニトリ
ルゴム、スチレンブタジエンゴム、フッ素ゴム、ポリア
セタール樹脂、フッ素系樹脂等が挙げられる。
【００２０】一方、片面研磨の場合でも、図２に示した
ように被研磨基板１１の内接円より外側は基板が削れ易
い。図３に研磨布２と被研磨基板１１のみの模式図を示
しているが、被研磨基板１１内での研磨定盤３との相対
速度差にも起因するが、主な原因は、この被研磨基板１
１の斜線部１１ａが過研磨され易いことにある。また、
研磨時に被研磨基板１１を研磨布２に押圧する際、図３
に示したように、押圧荷重により基板１１が研磨布２内
に沈み込む。沈み込む当初は研磨布２の弾性力が働くこ
とから、研磨布２からの摩擦が大きくなり、より外周部
が削れ易くなる。更に、被研磨基板１１は角形基板であ
るため、斜線部１１ａの部分を研磨する研磨布２は、被
研磨基板１１からの押圧とその解放が連続的に発生する
ため、研磨速度が過度に速くなること及び研磨布２の特
性を早く劣化させる原因になり、研磨布２の交換サイク
ルが早くなり、その交換作業などにより研磨全体の生産
性を悪くすることにも繋がる。
ように被研磨基板１１の内接円より外側は基板が削れ易
い。図３に研磨布２と被研磨基板１１のみの模式図を示
しているが、被研磨基板１１内での研磨定盤３との相対
速度差にも起因するが、主な原因は、この被研磨基板１
１の斜線部１１ａが過研磨され易いことにある。また、
研磨時に被研磨基板１１を研磨布２に押圧する際、図３
に示したように、押圧荷重により基板１１が研磨布２内
に沈み込む。沈み込む当初は研磨布２の弾性力が働くこ
とから、研磨布２からの摩擦が大きくなり、より外周部
が削れ易くなる。更に、被研磨基板１１は角形基板であ
るため、斜線部１１ａの部分を研磨する研磨布２は、被
研磨基板１１からの押圧とその解放が連続的に発生する
ため、研磨速度が過度に速くなること及び研磨布２の特
性を早く劣化させる原因になり、研磨布２の交換サイク
ルが早くなり、その交換作業などにより研磨全体の生産
性を悪くすることにも繋がる。
【００２１】そのため、例えば凹状の基板を用いて研磨
することにより、全体を平坦化しようとしても、外周部
の研磨速度が速く、安定的に平坦化した基板を製造する
ことは難しかった。
することにより、全体を平坦化しようとしても、外周部
の研磨速度が速く、安定的に平坦化した基板を製造する
ことは難しかった。
【００２２】本発明においては、この対策として、基板
外周部の過研磨を防止するため、ガイドリング８を被研
磨基板１１と同様に研磨布２に押圧しながら基板１１を
研磨する。
外周部の過研磨を防止するため、ガイドリング８を被研
磨基板１１と同様に研磨布２に押圧しながら基板１１を
研磨する。
【００２３】この場合、図６においては、トップリング
７にガイドリング８が一体に設けられ、トップリング７
からの押圧力により基板１１を研磨布２に押しつける
際、基板１１の被研磨面とガイドリング８の先端面（押
圧面）とが同一水平面とし、ガイドリング８を押圧しな
がら基板１１を研磨するようにしてもよいが、ガイドリ
ング８は、図７に示す通り、被研磨基板１１と別々の機
構で押圧することができ、更にその押圧は可変であるこ
とが望ましい。
７にガイドリング８が一体に設けられ、トップリング７
からの押圧力により基板１１を研磨布２に押しつける
際、基板１１の被研磨面とガイドリング８の先端面（押
圧面）とが同一水平面とし、ガイドリング８を押圧しな
がら基板１１を研磨するようにしてもよいが、ガイドリ
ング８は、図７に示す通り、被研磨基板１１と別々の機
構で押圧することができ、更にその押圧は可変であるこ
とが望ましい。
【００２４】従って、被研磨基板１１が凹状の場合、ガ
イドリング８の押圧荷重を被研磨基板１１のそれより若
干小さくすることによりガイドリング８を押圧しないの
と比較してゆっくりと外周が研磨されるようになるた
め、平坦度の高い基板を安定して製造することが可能と
なる。
イドリング８の押圧荷重を被研磨基板１１のそれより若
干小さくすることによりガイドリング８を押圧しないの
と比較してゆっくりと外周が研磨されるようになるた
め、平坦度の高い基板を安定して製造することが可能と
なる。
【００２５】ガイドリング８の押圧荷重が被研磨基板１
１の押圧荷重と同じ場合、被研磨基板１１が研磨布２か
ら受ける弾性力は均等となり、従って面内の押圧荷重は
均等になり、面内の研磨速度はほぼ一定になる。
１の押圧荷重と同じ場合、被研磨基板１１が研磨布２か
ら受ける弾性力は均等となり、従って面内の押圧荷重は
均等になり、面内の研磨速度はほぼ一定になる。
【００２６】被研磨基板１１の研磨前形状が凸状の場
合、ガイドリング８の押圧を被研磨基板１１より大きく
する。その時、研磨布２の沈み込みが被研磨基板１１部
分よりも大きいため、外周部では研磨布２の弾性力をあ
まり受けず、内部側の研磨速度を若干速くすることがで
きることにより、基板１１をより平坦化させることがで
きる。
合、ガイドリング８の押圧を被研磨基板１１より大きく
する。その時、研磨布２の沈み込みが被研磨基板１１部
分よりも大きいため、外周部では研磨布２の弾性力をあ
まり受けず、内部側の研磨速度を若干速くすることがで
きることにより、基板１１をより平坦化させることがで
きる。
【００２７】なお、基板保持ヘッドのトップリングとガ
イドリングとが一体型の場合、基板とガイドリングの高
さが常に一定になるように設定するが、製作時の精度、
連続使用によるガイドリングの研磨布との接触面の削
れ、更には、被研磨基板の研磨前の形状に応じて、所定
の押圧荷重をかけられなくなるおそれがあるため、ガイ
ドリングは被研磨基板の押圧とは独立した機構にて、か
つ、可変で押圧できることが好適である。
イドリングとが一体型の場合、基板とガイドリングの高
さが常に一定になるように設定するが、製作時の精度、
連続使用によるガイドリングの研磨布との接触面の削
れ、更には、被研磨基板の研磨前の形状に応じて、所定
の押圧荷重をかけられなくなるおそれがあるため、ガイ
ドリングは被研磨基板の押圧とは独立した機構にて、か
つ、可変で押圧できることが好適である。
【００２８】被研磨基板は基板の中心を軸として自転
し、同心円状に削れるため、被研磨基板面内の研磨速度
を制御するには、ガイドリングは基板を対角線とする直
径を包含する大きさであることがよく、形状は、例えば
図８に示す円形や図９に示すように角が丸形状の四角形
などでもよく、特に制限はない。
し、同心円状に削れるため、被研磨基板面内の研磨速度
を制御するには、ガイドリングは基板を対角線とする直
径を包含する大きさであることがよく、形状は、例えば
図８に示す円形や図９に示すように角が丸形状の四角形
などでもよく、特に制限はない。
【００２９】また、ガイドリング８の材質は特に制限さ
れず、塩化ビニル樹脂、ＰＰＳ、ＰＥＥＫなどが用いら
れるが、ガイドリング８の研磨布２と接触する部分８ａ
の材質については、被研磨基板１１の主成分と同一、特
に好ましくは、全く同じ材質が望まれ、基板が合成石英
ガラスの場合は、同じ合成石英ガラスがよい。材質が異
なる場合、ガイドリングや研磨布からでる研磨屑がスク
ラッチを発生させるおそれがあるからである。
れず、塩化ビニル樹脂、ＰＰＳ、ＰＥＥＫなどが用いら
れるが、ガイドリング８の研磨布２と接触する部分８ａ
の材質については、被研磨基板１１の主成分と同一、特
に好ましくは、全く同じ材質が望まれ、基板が合成石英
ガラスの場合は、同じ合成石英ガラスがよい。材質が異
なる場合、ガイドリングや研磨布からでる研磨屑がスク
ラッチを発生させるおそれがあるからである。
【００３０】なお、ガイドリングの押圧荷重が、被研磨
基板の押圧荷重より著しく大きい場合は、研磨布の劣化
が進み、特に研磨布の弾性が失われること、また、研磨
布の表面が削れ荒れすることで、研磨布起因によるスク
ラッチの発生が認められるようになるため、ガイドリン
グの押圧荷重（Ａ）と前記被研磨基板にかける押圧荷重
（Ｂ）との比は０＜（Ａ）／（Ｂ）≦５、特に０＜
（Ａ）／（Ｂ）≦２であることが好ましい。
基板の押圧荷重より著しく大きい場合は、研磨布の劣化
が進み、特に研磨布の弾性が失われること、また、研磨
布の表面が削れ荒れすることで、研磨布起因によるスク
ラッチの発生が認められるようになるため、ガイドリン
グの押圧荷重（Ａ）と前記被研磨基板にかける押圧荷重
（Ｂ）との比は０＜（Ａ）／（Ｂ）≦５、特に０＜
（Ａ）／（Ｂ）≦２であることが好ましい。
【００３１】本発明においては、上述したように基板の
研磨に際し、基板と共にガイドリングをも押圧しなが
ら、基板研磨するものであるが、複数枚の両面研磨等で
発生することのある基板表面が非同心円状の基板につい
ては、これを単にガイドリングにて押圧しても、平坦度
の高い基板を得ることは難しい場合がある。
研磨に際し、基板と共にガイドリングをも押圧しなが
ら、基板研磨するものであるが、複数枚の両面研磨等で
発生することのある基板表面が非同心円状の基板につい
ては、これを単にガイドリングにて押圧しても、平坦度
の高い基板を得ることは難しい場合がある。
【００３２】この対策としては、図７に示す基板保持ヘ
ッド６を用い、押圧荷重するガイドリング８を分割機構
とすることで目的を達成することができる。即ち、凸部
のところにガイドリング８の押圧荷重をかけないか、或
いは被研磨基板１１の押圧荷重より小さくすることで、
その箇所を選択的に研磨できることがわかった。なお、
分割するサイズ等の規定は特にないが、例としては、図
１０に示すように、４分割機構とし、各々を各辺に相当
する箇所で断片を作製して独立して押圧荷重を
かけられるようにする。また、図１１に示すように、８
分割機構とし、うち４つは、基板１１の角を有する断片
、残り４つは辺の中央部を有する断片
を作製して押圧荷重をかけられるようにする。
ッド６を用い、押圧荷重するガイドリング８を分割機構
とすることで目的を達成することができる。即ち、凸部
のところにガイドリング８の押圧荷重をかけないか、或
いは被研磨基板１１の押圧荷重より小さくすることで、
その箇所を選択的に研磨できることがわかった。なお、
分割するサイズ等の規定は特にないが、例としては、図
１０に示すように、４分割機構とし、各々を各辺に相当
する箇所で断片を作製して独立して押圧荷重を
かけられるようにする。また、図１１に示すように、８
分割機構とし、うち４つは、基板１１の角を有する断片
、残り４つは辺の中央部を有する断片
を作製して押圧荷重をかけられるようにする。
【００３３】例えば、蒲鉾型タイプの基板の場合には、
凸部の箇所には分割したガイドリングの押圧荷重をかけ
ずに、或いは被研磨基板の押圧荷重よりガイドリングの
押圧荷重を弱くすることで、凸部以外の箇所にガイドリ
ングにて押圧荷重をかけることによって、凸部を選択的
に研磨することができ、平坦度の高い基板を得ることが
可能になる。
凸部の箇所には分割したガイドリングの押圧荷重をかけ
ずに、或いは被研磨基板の押圧荷重よりガイドリングの
押圧荷重を弱くすることで、凸部以外の箇所にガイドリ
ングにて押圧荷重をかけることによって、凸部を選択的
に研磨することができ、平坦度の高い基板を得ることが
可能になる。
【００３４】これは、被研磨基板の形状に応じて分割し
たガイドリングの押圧荷重を場所によって変えたりする
ことで、ある箇所は、被研磨基板にかける荷重と同等、
或いは少なく、多くするということで制御することも可
能である。
たガイドリングの押圧荷重を場所によって変えたりする
ことで、ある箇所は、被研磨基板にかける荷重と同等、
或いは少なく、多くするということで制御することも可
能である。
【００３５】なお、いままで説明してきた実施の形態に
おいて、角形基板は正方形としたが、長方形又は多角形
の場合にも、ガイドリングの形状及び／又は数を実用上
任意に変えて基板の周囲を囲うように構成すれば、前述
の実施の形態と同様の効果が得られる。
おいて、角形基板は正方形としたが、長方形又は多角形
の場合にも、ガイドリングの形状及び／又は数を実用上
任意に変えて基板の周囲を囲うように構成すれば、前述
の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００３６】本発明の研磨方法によって得られた角形基
板、特にホトマスク基板は、該角形基板の外周を含め平
坦度が高く、それを用いて作成されたホトマスクブラン
クス及びこれを常法によってパターニングすることによ
り得られるホトマスクも高精度なものであり、所望とす
る微細パターンを正確に形成することができる。
板、特にホトマスク基板は、該角形基板の外周を含め平
坦度が高く、それを用いて作成されたホトマスクブラン
クス及びこれを常法によってパターニングすることによ
り得られるホトマスクも高精度なものであり、所望とす
る微細パターンを正確に形成することができる。
【００３７】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００３８】［実施例１］図４，７に示す態様の研磨機
に、ホトマスク基板１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３５
ｍｍｔをセットした。研磨布はスエード状、砥液はシリ
カを使用した。ガイドリングの形状は、図９に示すもの
を用い、材質は塩化ビニル樹脂製であるが、研磨布と接
触する部分にはホトマスク基板と同一材質である合成石
英ガラスを使用した。研磨前基板の形状は凹状で、面内
の平坦度は、１４６ｍｍ×１４６ｍｍ内で０．５μｍの
ものを使用した。基板の押圧荷重は３０ｋＰａ、ガイド
リングの押圧荷重は１５ｋＰａとし、ヘッド回転数は３
０ｒｐｍで定盤回転数を３３ｒｐｍとした。研磨時間は
１０〜１００秒とした。なお、基板の平坦性はニデック
社のＦＴ−９００にて測定した。結果を図１２に示す。
に、ホトマスク基板１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３５
ｍｍｔをセットした。研磨布はスエード状、砥液はシリ
カを使用した。ガイドリングの形状は、図９に示すもの
を用い、材質は塩化ビニル樹脂製であるが、研磨布と接
触する部分にはホトマスク基板と同一材質である合成石
英ガラスを使用した。研磨前基板の形状は凹状で、面内
の平坦度は、１４６ｍｍ×１４６ｍｍ内で０．５μｍの
ものを使用した。基板の押圧荷重は３０ｋＰａ、ガイド
リングの押圧荷重は１５ｋＰａとし、ヘッド回転数は３
０ｒｐｍで定盤回転数を３３ｒｐｍとした。研磨時間は
１０〜１００秒とした。なお、基板の平坦性はニデック
社のＦＴ−９００にて測定した。結果を図１２に示す。
【００３９】［比較例１］実施例１と同様に研磨を行っ
た。なお、ガイドリングでの荷重は実施しなかった。研
磨時間は１０〜６０秒とした。なお、基板の平坦性の測
定は実施例１と同様に行った。結果を図１３に示す。図
１２，１３を比較すると、ガイドリングによる押圧荷重
を実施した方が、よりよい平坦性が得られること、更
に、平坦基板を容易に得ることが可能であることがわか
る。例えば平坦度０．３μｍ以下を取得する場合、ガイ
ドリングによる荷重を実施しなかった場合、研磨時間１
８〜３０秒の約１０秒間であるが、ガイドリングによる
荷重を実施した場合、研磨時間３０〜７０秒の約４０秒
間であり、研磨時間の許容度が大きい。
た。なお、ガイドリングでの荷重は実施しなかった。研
磨時間は１０〜６０秒とした。なお、基板の平坦性の測
定は実施例１と同様に行った。結果を図１３に示す。図
１２，１３を比較すると、ガイドリングによる押圧荷重
を実施した方が、よりよい平坦性が得られること、更
に、平坦基板を容易に得ることが可能であることがわか
る。例えば平坦度０．３μｍ以下を取得する場合、ガイ
ドリングによる荷重を実施しなかった場合、研磨時間１
８〜３０秒の約１０秒間であるが、ガイドリングによる
荷重を実施した場合、研磨時間３０〜７０秒の約４０秒
間であり、研磨時間の許容度が大きい。
【００４０】［実施例２］研磨前基板は凸状基板で、１
４６ｍｍ×１４６ｍｍ内にて平坦度０．４μｍのものを
使用し、基板の荷重は３０ｋＰａ、ガイドリング荷重は
６０ｋＰａで、研磨時間は９００秒とした以外は、実施
例１と同様に研磨を実施した。
４６ｍｍ×１４６ｍｍ内にて平坦度０．４μｍのものを
使用し、基板の荷重は３０ｋＰａ、ガイドリング荷重は
６０ｋＰａで、研磨時間は９００秒とした以外は、実施
例１と同様に研磨を実施した。
【００４１】［比較例２］ガイドリングによる押圧荷重
をかけない以外は、実施例２と同様に研磨を実施した。
実施例２と比較例２を比較すると、実施例２は、平坦度
が０．３５μｍまで向上したが、比較例２は、外周削れ
が進むため平坦度が悪化し、基板の平坦度が悪くなる方
へ推移した。
をかけない以外は、実施例２と同様に研磨を実施した。
実施例２と比較例２を比較すると、実施例２は、平坦度
が０．３５μｍまで向上したが、比較例２は、外周削れ
が進むため平坦度が悪化し、基板の平坦度が悪くなる方
へ推移した。
【００４２】［実施例３］研磨前基板として蒲鉾型タイ
プのものを用い、ガイドリングは図１０に示す分割型を
用い、ガイドリング荷重は断片及びに研磨基板と同
様に３０ｋＰａの荷重をかけ、断片及びは荷重をか
けなかった以外は実施例１と同様に研磨を行った。研磨
前後の結果を図１４に示す。平坦度は、研磨前０．５２
μｍから研磨後０．２８μｍと向上した。凸部を選択的
に研磨するように分割型ガイドリングを設けてガイドリ
ング押圧荷重を凸部分に荷重をかけなかったところ、凸
部が選択的に研磨され、平坦基板を得ることができた。
プのものを用い、ガイドリングは図１０に示す分割型を
用い、ガイドリング荷重は断片及びに研磨基板と同
様に３０ｋＰａの荷重をかけ、断片及びは荷重をか
けなかった以外は実施例１と同様に研磨を行った。研磨
前後の結果を図１４に示す。平坦度は、研磨前０．５２
μｍから研磨後０．２８μｍと向上した。凸部を選択的
に研磨するように分割型ガイドリングを設けてガイドリ
ング押圧荷重を凸部分に荷重をかけなかったところ、凸
部が選択的に研磨され、平坦基板を得ることができた。
【００４３】［実施例４］研磨前基板には外周辺中央部
が高い基板を用いた。ガイドリングは図１１に示す分割
型を用い、ガイドリング荷重は断片に研磨基板
と同様に３０ｋＰａの荷重をかけ、断片には荷
重をかけなかった以外は、実施例１と同様に研磨を行っ
た。研磨前後の結果を図１５に示す。平坦度は、研磨前
０．４８μｍから研磨後０．２０μｍと向上した。凸部
を選択的に研磨するように分割型ガイドリングを設けて
ガイドリング押圧荷重を凸部分に荷重をかけなかったと
ころ、凸部が選択的に研磨され、平坦基板を得ることが
できた。
が高い基板を用いた。ガイドリングは図１１に示す分割
型を用い、ガイドリング荷重は断片に研磨基板
と同様に３０ｋＰａの荷重をかけ、断片には荷
重をかけなかった以外は、実施例１と同様に研磨を行っ
た。研磨前後の結果を図１５に示す。平坦度は、研磨前
０．４８μｍから研磨後０．２０μｍと向上した。凸部
を選択的に研磨するように分割型ガイドリングを設けて
ガイドリング押圧荷重を凸部分に荷重をかけなかったと
ころ、凸部が選択的に研磨され、平坦基板を得ることが
できた。
【００４４】［実験例］実施例１と同様な研磨機及び研
磨方法で、研磨時間は５分にて、研磨枚数は１００枚研
磨した。研磨終了後スクラッチ数をカウントした。な
お、スクラッチ検査は実体顕微鏡を用いて欠陥検査を行
い、その輝点をノマルスキー顕微鏡にて観察し、凹形状
のものをスクラッチと判定した。結果を表１に示した。
また、上記と同様な研磨方法で、ガイドリングの研磨布
の接触部位は塩化ビニル樹脂製にて実施した。研磨終了
後、スクラッチ数をカウントした。結果を表１に示し
た。
磨方法で、研磨時間は５分にて、研磨枚数は１００枚研
磨した。研磨終了後スクラッチ数をカウントした。な
お、スクラッチ検査は実体顕微鏡を用いて欠陥検査を行
い、その輝点をノマルスキー顕微鏡にて観察し、凹形状
のものをスクラッチと判定した。結果を表１に示した。
また、上記と同様な研磨方法で、ガイドリングの研磨布
の接触部位は塩化ビニル樹脂製にて実施した。研磨終了
後、スクラッチ数をカウントした。結果を表１に示し
た。
【００４５】
【表１】
【００４６】ガイドリングの研磨布の接触部位が研磨基
板と同じ材料である合成石英ガラスの場合、スクラッチ
は特に発生しなかったが、ガイドリングの研磨布との接
触部位が塩化ビニル樹脂で研磨基板と異なる場合、スク
ラッチ数が増大した。これは、研磨剤がガイドリングを
削った際に発生する研磨屑或いは研磨布の削れ荒れに起
因するものである。
板と同じ材料である合成石英ガラスの場合、スクラッチ
は特に発生しなかったが、ガイドリングの研磨布との接
触部位が塩化ビニル樹脂で研磨基板と異なる場合、スク
ラッチ数が増大した。これは、研磨剤がガイドリングを
削った際に発生する研磨屑或いは研磨布の削れ荒れに起
因するものである。
【００４７】
【発明の効果】本発明によれば、研磨時にガイドリング
全体を被研磨基板と別に押圧荷重をかけることで、基板
の平坦性を向上させ、更に平坦基板を安定的に得ること
を可能にした。また、ガイドリングの材質を基板と同一
材料とすることでスクラッチの発生を抑制することも併
せて達成することができた。また、ガイドリングを分割
型にし、基板形状に応じて、ガイドリングの任意箇所を
研磨布に押圧することで、研磨前の被研磨基板の形状に
かかわらず、平坦性の高い角形基板を得ることを可能に
した。
全体を被研磨基板と別に押圧荷重をかけることで、基板
の平坦性を向上させ、更に平坦基板を安定的に得ること
を可能にした。また、ガイドリングの材質を基板と同一
材料とすることでスクラッチの発生を抑制することも併
せて達成することができた。また、ガイドリングを分割
型にし、基板形状に応じて、ガイドリングの任意箇所を
研磨布に押圧することで、研磨前の被研磨基板の形状に
かかわらず、平坦性の高い角形基板を得ることを可能に
した。
【図１】両面研磨機の斜視図である。
【図２】角形基板を研磨した場合の従来の問題点を説明
する説明図である。
する説明図である。
【図３】研磨時の研磨布の状態を示す断面図である。
【図４】片面研磨機の斜視図である。
【図５】基板研磨保持ヘッドの一例を示す断面図であ
る。
る。
【図６】基板研磨保持ヘッドの他の例を示す断面図であ
る。
る。
【図７】基板研磨保持ヘッドの別の例を示す断面図であ
る。
る。
【図８】本発明のガイドリングの一例を示す概念図であ
る。
る。
【図９】本発明のガイドリングの他の例を示す概念図で
ある。
ある。
【図１０】本発明の分割型ガイドリングの一例を示す概
念図である。
念図である。
【図１１】本発明の分割型ガイドリングの他の例を示す
概念図である。
概念図である。
【図１２】実施例１における研磨時間と面内平坦性の変
化量を示したグラフである。
化量を示したグラフである。
【図１３】比較例１における研磨時間と面内平坦性の変
化量を示したグラフである。
化量を示したグラフである。
【図１４】実施例３における研磨前後の基板の表面形状
を示した図である。
を示した図である。
【図１５】実施例４における研磨前後の基板の表面形状
を示した図である。
を示した図である。
１ａ 下定盤
１ｂ 上定盤
２ 研磨布
３ 研磨定盤
４ 砥液
５ 砥液供給配管
６ 基板保持ヘッド
７ トップリング
８ ガイドリング
８ａ ガイドリングの研磨布との接触部
９ 柱体
１０ 流体流通孔
１１ 被研磨基板
１１ａ 被研磨基板内の内接円の外側
１２ バッキングフィルム
１３ 弾性体又は合成樹脂
フロントページの続き
(72)発明者 渡辺 政孝
新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28―１
信越化学工業株式会社新機能材料技術研究
所内
(72)発明者 岡崎 智
新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28―１
信越化学工業株式会社新機能材料技術研究
所内
(72)発明者 小澤 秀和
東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社
荏原製作所内
(72)発明者 石井 遊
東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社
荏原製作所内
(72)発明者 兒嶋 俊市朗
東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社
荏原製作所内
Ｆターム(参考） 3C043 BB07 CC04
3C058 AA07 AA12 AB04 AB06 BA05
BC01 BC02 CA01 CB01 CB03
Claims (13)
- 【請求項１】 被研磨基板の形状が角形である角形基板
を研磨する方法において、ガイドリングを有する基板保
持ヘッドの該ガイドリング内に保持された前記基板の被
研磨面を研磨布に押圧すると共に、この研磨布に前記ガ
イドリングを押圧し、上記研磨布、並びに前記基板保持
ヘッドと前記基板をそれぞれ回転させて、前記ガイドリ
ングの研磨ヘッド押圧面にて研磨布を押圧しつつ、前記
基板の被研磨面を研磨するようにしたことを特徴とする
角形基板の研磨方法。 - 【請求項２】 前記基板保持ヘッドは、前記被研磨基板
の裏面側を保持する保持面を有し、前記保持面には、前
記被研磨基板裏面の主として外周部のみと接するように
配置された弾性体を有する請求項１記載の角形基板の研
磨方法。 - 【請求項３】 前記ガイドリングの大きさは、前記被研
磨基板の対角線を直径とする円を包含する大きさである
請求項１又は２記載の角形基板の研磨方法。 - 【請求項４】 前記ガイドリングに押圧荷重をかける機
構は、前記被研磨基板に押圧荷重をかける機構とは異な
る独立した機構である請求項１乃至３のいずれか１項に
記載の角形基板の研磨方法。 - 【請求項５】 前記ガイドリングは、一体型又は分割型
である請求項１乃至４のいずれか１項に記載の角形基板
の研磨方法。 - 【請求項６】 前記ガイドリングの分割型は、各々独立
して押圧荷重がかけられるように構成された請求項５記
載の角形基板の研磨方法。 - 【請求項７】 前記ガイドリングにかける押圧荷重
（Ａ）と前記被研磨基板にかける押圧荷重（Ｂ）との比
は、０＜（Ａ）／（Ｂ）≦５である請求項１乃至６のい
ずれか１項に記載の角形基板の研磨方法。 - 【請求項８】 前記研磨布と接触する前記ガイドリング
表面の材質は、前記被研磨基板の主成分と同じ材質であ
る請求項１乃至７のいずれか１項に記載の角形基板の研
磨方法。 - 【請求項９】 被研磨基板が合成石英ガラスから形成さ
れ、前記研磨布と接触する前記ガイドリング表面の材質
は、合成石英ガラスである請求項８記載の角形基板の研
磨方法。 - 【請求項１０】 被研磨基板がホトマスク基板である請
求項１乃至９のいずれか１項に記載の角形基板の研磨方
法。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の研磨方法で得られ
たホトマスク基板。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載のホトマスク基板を
用いたホトマスクブランクス。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載のホトマスクブラン
クスより得られるホトマスク。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP2001240027A JP4025960B2 (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | 角形ホトマスク基板の研磨方法、角形ホトマスク基板、ホトマスクブランクス及びホトマスク |
| US10/214,114 US6790129B2 (en) | 2001-08-08 | 2002-08-08 | Method for polishing angular substrates |
| EP02255563A EP1283090B1 (en) | 2001-08-08 | 2002-08-08 | Method for polishing angular substrates |
| DE60227617T DE60227617D1 (ja) | 2001-08-08 | 2002-08-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001240027A JP4025960B2 (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | 角形ホトマスク基板の研磨方法、角形ホトマスク基板、ホトマスクブランクス及びホトマスク |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family
ID=19070696
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (4)
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| EP (1) | EP1283090B1 (ja) |
| JP (1) | JP4025960B2 (ja) |
| DE (1) | DE60227617D1 (ja) |
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| JP2006297523A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 角型基板研磨用ガイドリング及び研磨ヘッド並びに角型基板の研磨方法 |
| JP2006297524A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 角型基板研磨用ガイドリング及び研磨ヘッド並びに角型基板の研磨方法 |
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| US20070036489A1 (en) * | 2005-08-15 | 2007-02-15 | Barbara Grzegorzewska | Industrial interconnect system incorporating transceiver module cage |
| US8110321B2 (en) | 2007-05-16 | 2012-02-07 | International Business Machines Corporation | Method of manufacture of damascene reticle |
| WO2009150938A1 (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-17 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板用研磨剤 |
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-
2001
- 2001-08-08 JP JP2001240027A patent/JP4025960B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-08-08 US US10/214,114 patent/US6790129B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-08 DE DE60227617T patent/DE60227617D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-08 EP EP02255563A patent/EP1283090B1/en not_active Expired - Lifetime
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| JP4025960B2 (ja) | 2007-12-26 |
| US6790129B2 (en) | 2004-09-14 |
| EP1283090A2 (en) | 2003-02-12 |
| DE60227617D1 (ja) | 2008-08-28 |
| EP1283090A3 (en) | 2004-03-10 |
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