JP2000271857A - 大口径ウェーハの両面加工方法及び装置 - Google Patents
大口径ウェーハの両面加工方法及び装置Info
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- JP2000271857A JP2000271857A JP8125899A JP8125899A JP2000271857A JP 2000271857 A JP2000271857 A JP 2000271857A JP 8125899 A JP8125899 A JP 8125899A JP 8125899 A JP8125899 A JP 8125899A JP 2000271857 A JP2000271857 A JP 2000271857A
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 加工中にウェーハが局部的に昇温することを
抑制し、平坦度の高いウェーハを得る。 【構成】 各キャリア１ごとに収容された１枚のウェー
ハ２を下定盤３と上定盤４との間に挟んでスラリー１５
を供給しながらウェーハ２を両面加工する際、加工中の
ウェーハ２の中心が通過する部分に当たる個所で上定盤
４に非接触式温度計９を差し込み、ウェーハ２の表面温
度を測定する。測定値が設定値を超えたとき又は測定値
から得られた表面温度の変動幅が設定温度差を越えたと
き、ウェーハ２の中心が通過する部分に当たる個所で上
定盤４に穿設したスラリー供給孔１２から低温スラリー
１４を供給し、ウェーハの中心部を優先的に冷却する。
抑制し、平坦度の高いウェーハを得る。 【構成】 各キャリア１ごとに収容された１枚のウェー
ハ２を下定盤３と上定盤４との間に挟んでスラリー１５
を供給しながらウェーハ２を両面加工する際、加工中の
ウェーハ２の中心が通過する部分に当たる個所で上定盤
４に非接触式温度計９を差し込み、ウェーハ２の表面温
度を測定する。測定値が設定値を超えたとき又は測定値
から得られた表面温度の変動幅が設定温度差を越えたと
き、ウェーハ２の中心が通過する部分に当たる個所で上
定盤４に穿設したスラリー供給孔１２から低温スラリー
１４を供給し、ウェーハの中心部を優先的に冷却する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、加工中の昇温による影
響を抑制し、平坦度が高いウェーハを製造する両面加工
方法及び装置に関する。
響を抑制し、平坦度が高いウェーハを製造する両面加工
方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】インゴットから切り出されたシリコンウ
ェーハは、スライシング時に発生した切断ウネリをラッ
ピングにより除去した後、研磨工程に送られる。ラッピ
ングや研磨等の表面加工には、代表的な両面加工装置と
してホフマン型加工装置が使用されている。この両面加
工装置は、複数枚のウェーハを仕込んだキャリアを下定
盤に載置し、上定盤を押し付けて公転，自転させること
によりウエーハの両面を同時に加工している。最近の傾
向として、ウェーハの口径に応じて一枚のウェーハから
切り出されるチップの個数が多くなることから、大口径
ウェーハの製造及び開発が進められている。具体的に
は、３００ｍｍウェーハが一部で市販されており、４０
０ｍｍウェーハも開発段階にある。
ェーハは、スライシング時に発生した切断ウネリをラッ
ピングにより除去した後、研磨工程に送られる。ラッピ
ングや研磨等の表面加工には、代表的な両面加工装置と
してホフマン型加工装置が使用されている。この両面加
工装置は、複数枚のウェーハを仕込んだキャリアを下定
盤に載置し、上定盤を押し付けて公転，自転させること
によりウエーハの両面を同時に加工している。最近の傾
向として、ウェーハの口径に応じて一枚のウェーハから
切り出されるチップの個数が多くなることから、大口径
ウェーハの製造及び開発が進められている。具体的に
は、３００ｍｍウェーハが一部で市販されており、４０
０ｍｍウェーハも開発段階にある。
【０００３】ウェーハの大口径化に伴って、複数のウェ
ーハを仕込むキャリアでは、両面加工装置が極端に大型
化し、設備設計や保守が困難になる。そのため、図１に
示すように各キャリア１ごとに１枚のウェーハ２を収容
し、ウェーハ２を下定盤３と上定盤４との間に挟み、キ
ャリア１の外周に形成しているギアをインターナルギア
５及びサンギア６に噛み合わせて回転させることによ
り、ウェーハ２を公転及び自転させながら下定盤３及び
上定盤４で加工している。
ーハを仕込むキャリアでは、両面加工装置が極端に大型
化し、設備設計や保守が困難になる。そのため、図１に
示すように各キャリア１ごとに１枚のウェーハ２を収容
し、ウェーハ２を下定盤３と上定盤４との間に挟み、キ
ャリア１の外周に形成しているギアをインターナルギア
５及びサンギア６に噛み合わせて回転させることによ
り、ウェーハ２を公転及び自転させながら下定盤３及び
上定盤４で加工している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】キャリア１に一枚のウ
ェーハ２を収容して両面加工するとき、キャリア１に複
数枚のウェーハを仕込んだ従来の小口径ウェーハの加工
ではみられなかった形状不良が生じることがある。なか
でも、ウェーハ２の中心部が窪んだ中凹状のウェーハが
生じ易くなる。ウェーハ２の中心部に窪みが発生する原
因を調査・研究した結果、加工中にウェーハ２の中心部
に当たる部分で下定盤３及び上定盤４が局部的に昇温す
ることに原因があることを解明した。
ェーハ２を収容して両面加工するとき、キャリア１に複
数枚のウェーハを仕込んだ従来の小口径ウェーハの加工
ではみられなかった形状不良が生じることがある。なか
でも、ウェーハ２の中心部が窪んだ中凹状のウェーハが
生じ易くなる。ウェーハ２の中心部に窪みが発生する原
因を調査・研究した結果、加工中にウェーハ２の中心部
に当たる部分で下定盤３及び上定盤４が局部的に昇温す
ることに原因があることを解明した。
【０００５】すなわち、各キャリア１ごとに１枚のウェ
ーハ２を収容して加工する際、ウェーハ２は矢印ａ方向
に自転し、且つキャリア１と共に矢印ｂ方向に公転す
る。自転及び公転するウェーハ２と下定盤３及び上定盤
４の接触頻度は、ウェーハ２の中心部で高く、周辺部で
低くなる。その結果、摩擦熱で昇温する下定盤３及び上
定盤４の最高温度域７は、図２に示すようにウェーハ２
の中心を通る同心円状になる。ウェーハ２の中心と周辺
で異なる温度差は、スラリーを用いて加工しているとき
のエッチング作用に影響を与え、温度が高いウェーハ２
の中心部ほどエッチングされ易くなるため、ウェーハ２
の中心部に窪みが発生する。窪みの発生は、ウェーハ２
の直径が大きくなるほど顕著になり、高精度な平坦度を
もつウェーハの作製を困難にする。
ーハ２を収容して加工する際、ウェーハ２は矢印ａ方向
に自転し、且つキャリア１と共に矢印ｂ方向に公転す
る。自転及び公転するウェーハ２と下定盤３及び上定盤
４の接触頻度は、ウェーハ２の中心部で高く、周辺部で
低くなる。その結果、摩擦熱で昇温する下定盤３及び上
定盤４の最高温度域７は、図２に示すようにウェーハ２
の中心を通る同心円状になる。ウェーハ２の中心と周辺
で異なる温度差は、スラリーを用いて加工しているとき
のエッチング作用に影響を与え、温度が高いウェーハ２
の中心部ほどエッチングされ易くなるため、ウェーハ２
の中心部に窪みが発生する。窪みの発生は、ウェーハ２
の直径が大きくなるほど顕著になり、高精度な平坦度を
もつウェーハの作製を困難にする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような問
題を解消すべく案出されたものであり、加工中に昇温し
がちなウェーハ中心部を通る最高温度域を冷却すること
により、ウェーハ全面に渡ってエッチング作用を均一化
し、平坦度の高いウェーハを製造することを目的とす
る。
題を解消すべく案出されたものであり、加工中に昇温し
がちなウェーハ中心部を通る最高温度域を冷却すること
により、ウェーハ全面に渡ってエッチング作用を均一化
し、平坦度の高いウェーハを製造することを目的とす
る。
【０００７】本発明は、その目的を達成するため、各キ
ャリアごとに収容された１枚のウェーハを下定盤と上定
盤との間に挟み、上定盤に形成した第１スラリー供給孔
を介してスラリーを供給しながらウェーハを両面加工す
る際、加工中のウェーハの中心が通過する部分に当たる
個所で上定盤に非接触式温度計を差し込み、非接触式温
度計でウェーハの表面温度を測定し、測定値が設定値を
超えたとき又は測定値から得られた表面温度の変動幅が
設定温度差を越えたとき、加工中のウェーハの中心が通
過する部分に当たる個所で上定盤に穿設した第２スラリ
ー供給孔から低温スラリーを供給し、ウェーハの中心部
を優先的に冷却することを特徴とする。
ャリアごとに収容された１枚のウェーハを下定盤と上定
盤との間に挟み、上定盤に形成した第１スラリー供給孔
を介してスラリーを供給しながらウェーハを両面加工す
る際、加工中のウェーハの中心が通過する部分に当たる
個所で上定盤に非接触式温度計を差し込み、非接触式温
度計でウェーハの表面温度を測定し、測定値が設定値を
超えたとき又は測定値から得られた表面温度の変動幅が
設定温度差を越えたとき、加工中のウェーハの中心が通
過する部分に当たる個所で上定盤に穿設した第２スラリ
ー供給孔から低温スラリーを供給し、ウェーハの中心部
を優先的に冷却することを特徴とする。
【０００８】この方法で使用する両面加工装置は、それ
ぞれ１枚のウェーハを収容した複数のキャリアを上下か
ら挟み込む下定盤及び上定盤と、上定盤に穿設した第１
スラリー供給孔と、加工中のウェーハの中心が通過する
部分に当たる個所で上定盤に穿設された第２スラリー供
給孔と、加工中のウェーハの中心が通過する部分に当た
る個所で上定盤に穿設された測温用孔部に挿し込まれた
非接触式温度計とを備えている。
ぞれ１枚のウェーハを収容した複数のキャリアを上下か
ら挟み込む下定盤及び上定盤と、上定盤に穿設した第１
スラリー供給孔と、加工中のウェーハの中心が通過する
部分に当たる個所で上定盤に穿設された第２スラリー供
給孔と、加工中のウェーハの中心が通過する部分に当た
る個所で上定盤に穿設された測温用孔部に挿し込まれた
非接触式温度計とを備えている。
【０００９】
【実施の形態】大口径ウェーハを加工したとき中凹状に
なり易いのは、前述したように摩擦頻度の高いウェーハ
中心部を通る円周部が部分的に昇温し、スラリーのエッ
チング反応を促進させることに原因がある。そこで、本
発明においては、ラッピング，研磨等の加工中にウェー
ハの表面温度を測定し、測定結果に応じてウェーハ中心
部に比較的低温のスラリーを供給し、昇温したウェーハ
中心部を冷却する方法を採用している。加工中にウェー
ハ２の表面温度を測定するため、図３に示すようにウェ
ーハ２の中心を通る部分で上定盤４に測温用孔部８を穿
設し、測温用孔部８に赤外線センサ，焦電型温度センサ
等の非接触式温度計９を挿し込む。非接触式温度計９
は、必要に応じて最高温度域７（図２）の円周状に等間
隔で複数個配置される。非接触式温度計９は、加工中の
ウェーハ２の表面に対向し、ウェーハ２の表面温度を検
出する。検出値は、非接触式温度計９から制御回路１０
に出力され、ウェーハ２の加工領域に送り込まれるスラ
リーの供給制御に利用される。
なり易いのは、前述したように摩擦頻度の高いウェーハ
中心部を通る円周部が部分的に昇温し、スラリーのエッ
チング反応を促進させることに原因がある。そこで、本
発明においては、ラッピング，研磨等の加工中にウェー
ハの表面温度を測定し、測定結果に応じてウェーハ中心
部に比較的低温のスラリーを供給し、昇温したウェーハ
中心部を冷却する方法を採用している。加工中にウェー
ハ２の表面温度を測定するため、図３に示すようにウェ
ーハ２の中心を通る部分で上定盤４に測温用孔部８を穿
設し、測温用孔部８に赤外線センサ，焦電型温度センサ
等の非接触式温度計９を挿し込む。非接触式温度計９
は、必要に応じて最高温度域７（図２）の円周状に等間
隔で複数個配置される。非接触式温度計９は、加工中の
ウェーハ２の表面に対向し、ウェーハ２の表面温度を検
出する。検出値は、非接触式温度計９から制御回路１０
に出力され、ウェーハ２の加工領域に送り込まれるスラ
リーの供給制御に利用される。
【００１０】上定盤４には、図４に示すように複数の第
１スラリー供給孔１１及び第２スラリー供給孔１２が穿
設されている。ウェーハ２の中心部に当たる第２スラリ
ー供給孔１２にはスラリー分配器１３を介して比較的低
温（具体的には、１０〜１５℃）のスラリー１４を供給
する配管が接続され、残りの第１スラリー供給孔１１に
は温度２５〜４０℃に維持された通常のスラリー１５を
供給する配管が接続されている。第２スラリー供給孔１
２に低温スラリー１４を送り込むタイミング及び供給量
は、非接触式温度計９で検出されたウェーハ２の表面温
度に基づいて定められる。
１スラリー供給孔１１及び第２スラリー供給孔１２が穿
設されている。ウェーハ２の中心部に当たる第２スラリ
ー供給孔１２にはスラリー分配器１３を介して比較的低
温（具体的には、１０〜１５℃）のスラリー１４を供給
する配管が接続され、残りの第１スラリー供給孔１１に
は温度２５〜４０℃に維持された通常のスラリー１５を
供給する配管が接続されている。第２スラリー供給孔１
２に低温スラリー１４を送り込むタイミング及び供給量
は、非接触式温度計９で検出されたウェーハ２の表面温
度に基づいて定められる。
【００１１】たとえば、ラッピング中にウェーハ２の表
面温度を連続的に測定しておき、ウェーハ２の表面温度
が設定値を超えて高くなると、低温スラリー１４を供給
する制御信号を制御回路１０から出力する。低温スラリ
ー１４の供給によってウェーハ２の中心部が優先的に冷
却される。低温スラリー１４の供給は、非接触式温度計
９で検出されるウェーハ２中心の表面温度が設定値を下
回るまで継続される。冷却で低下したウェーハ２中心の
表面温度が設定値を下回ったとき、低温スラリー１４の
供給を停止する制御信号を制御回路１０から出力する。
図５は、このときのフローを示す。
面温度を連続的に測定しておき、ウェーハ２の表面温度
が設定値を超えて高くなると、低温スラリー１４を供給
する制御信号を制御回路１０から出力する。低温スラリ
ー１４の供給によってウェーハ２の中心部が優先的に冷
却される。低温スラリー１４の供給は、非接触式温度計
９で検出されるウェーハ２中心の表面温度が設定値を下
回るまで継続される。冷却で低下したウェーハ２中心の
表面温度が設定値を下回ったとき、低温スラリー１４の
供給を停止する制御信号を制御回路１０から出力する。
図５は、このときのフローを示す。
【００１２】図５における低温スラリー１４の供給及び
供給停止は、ウェーハ２中心の表面温度が設定値を超え
たか否かによって制御している。しかし、これに拘束さ
れることなく、非接触式温度計９で測定したウェーハ２
の表面温度に所定範囲を設定し、温度の最小値と最大値
との間の温度差が設定範囲を超えたときに低温スラリー
１４を供給するようにしても良い。このようにインライ
ンで加工中のウェーハ２の表面温度を測定し、表面温度
が設定値を超えたときに低温スラリー１４をウェーハ２
の中心部に供給して中心部を選択的に冷却している。そ
のため、低温スラリー１４による冷却効果が早く現れ、
同時に冷却によってウェーハ２中心の表面温度が低下し
たことも確認される。また、最高温度域７に当たる部分
の上定盤４も低温スラリー１４によって冷却され、部分
的な熱膨張による面圧の上昇も抑制される。そのため、
加工条件がウェーハ２の全面にわたって均一化され、平
坦度の高い高精度ウェーハが製造される。
供給停止は、ウェーハ２中心の表面温度が設定値を超え
たか否かによって制御している。しかし、これに拘束さ
れることなく、非接触式温度計９で測定したウェーハ２
の表面温度に所定範囲を設定し、温度の最小値と最大値
との間の温度差が設定範囲を超えたときに低温スラリー
１４を供給するようにしても良い。このようにインライ
ンで加工中のウェーハ２の表面温度を測定し、表面温度
が設定値を超えたときに低温スラリー１４をウェーハ２
の中心部に供給して中心部を選択的に冷却している。そ
のため、低温スラリー１４による冷却効果が早く現れ、
同時に冷却によってウェーハ２中心の表面温度が低下し
たことも確認される。また、最高温度域７に当たる部分
の上定盤４も低温スラリー１４によって冷却され、部分
的な熱膨張による面圧の上昇も抑制される。そのため、
加工条件がウェーハ２の全面にわたって均一化され、平
坦度の高い高精度ウェーハが製造される。
【００１３】本発明に従ったウェーハとしては、半導体
デバイスの製造に使用されるシリコンウェーハの外に、
高い平坦度が要求される光ディスク，磁気ディスク等の
基板材料として使用されるガラス基板，セラミックス基
板，金属基板等がある。
デバイスの製造に使用されるシリコンウェーハの外に、
高い平坦度が要求される光ディスク，磁気ディスク等の
基板材料として使用されるガラス基板，セラミックス基
板，金属基板等がある。
【００１４】
【実施例】直径３００ｍｍのインゴットから切り出され
た厚み８００μｍのシリコンウェーハの両面研磨に適用
した例で本発明を具体的に説明する。ウェーハ２をキャ
リア１に収容して下定盤３と上定盤４との間に挟み、ウ
ェーハ２に面圧０．０１５ＭＰａを加えながら第１スラ
リー供給孔１１から温度３０℃の通常スラリー１５を供
給し、ウェーハ２を両面研磨した。研磨中に最高温度域
７に沿って同心円状に配置した非接触式温度計９でウェ
ーハ２の表面温度を測定した。測定された表面温度は、
図６に示すようにウェーハ２中心部に非接触式温度計９
が対向したときとウェーハ２の周辺部又はウェーハ２が
存在していない個所に非接触式温度計９が対向したとき
とで、非接触式温度計９で測定された温度が周期的に変
化した。
た厚み８００μｍのシリコンウェーハの両面研磨に適用
した例で本発明を具体的に説明する。ウェーハ２をキャ
リア１に収容して下定盤３と上定盤４との間に挟み、ウ
ェーハ２に面圧０．０１５ＭＰａを加えながら第１スラ
リー供給孔１１から温度３０℃の通常スラリー１５を供
給し、ウェーハ２を両面研磨した。研磨中に最高温度域
７に沿って同心円状に配置した非接触式温度計９でウェ
ーハ２の表面温度を測定した。測定された表面温度は、
図６に示すようにウェーハ２中心部に非接触式温度計９
が対向したときとウェーハ２の周辺部又はウェーハ２が
存在していない個所に非接触式温度計９が対向したとき
とで、非接触式温度計９で測定された温度が周期的に変
化した。
【００１５】低温スラリー１４を供給することなく、通
常スラリー１５のみを供給してウェーハ２を研磨したと
ころ、ウェーハ２中心の表面温度は最高５５℃までに達
したが、平均温度は４５℃であった。このように中心部
と周辺部とで大きな温度差が生じたため、研磨されたウ
ェーハ２の厚み偏差は３μｍと平坦度の低いものであっ
た。そこで、研磨中のウェーハ２の表面温度に設定値
Ｔ：４５℃を設け、非接触式温度計９で測定された温度
が設定値Ｔを超えたとき、第２スラリー供給孔１２から
温度１５℃の低温スラリー１４を供給した。低温スラリ
ー１４の供給開始から１分経過した時点でウェーハ２中
心の表面温度が設定値Ｔを下回ったので、低温スラリー
１４の供給を停止し、通常スラリー１５のみを供給しな
がらウェーハ２の両面研磨した。以下、非接触式温度計
９でウェーハ２の表面温度を測定し、必要に応じて低温
スラリー１４の供給及び供給停止を繰り返しながらウェ
ーハ２を両面研磨した。両面研磨されたウェーハ２の平
坦度を測定したところ、厚み偏差０．５μｍと平坦度が
極めて高いウェーハに加工されていた。
常スラリー１５のみを供給してウェーハ２を研磨したと
ころ、ウェーハ２中心の表面温度は最高５５℃までに達
したが、平均温度は４５℃であった。このように中心部
と周辺部とで大きな温度差が生じたため、研磨されたウ
ェーハ２の厚み偏差は３μｍと平坦度の低いものであっ
た。そこで、研磨中のウェーハ２の表面温度に設定値
Ｔ：４５℃を設け、非接触式温度計９で測定された温度
が設定値Ｔを超えたとき、第２スラリー供給孔１２から
温度１５℃の低温スラリー１４を供給した。低温スラリ
ー１４の供給開始から１分経過した時点でウェーハ２中
心の表面温度が設定値Ｔを下回ったので、低温スラリー
１４の供給を停止し、通常スラリー１５のみを供給しな
がらウェーハ２の両面研磨した。以下、非接触式温度計
９でウェーハ２の表面温度を測定し、必要に応じて低温
スラリー１４の供給及び供給停止を繰り返しながらウェ
ーハ２を両面研磨した。両面研磨されたウェーハ２の平
坦度を測定したところ、厚み偏差０．５μｍと平坦度が
極めて高いウェーハに加工されていた。
【００１６】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、大口径のウェーハを両面加工する際、定盤との摩擦
頻度が高いため局部的に高温になり易いウェーハの中心
部に低温スラリーを供給し、ウェーハの中心部を優先的
に冷却することにより、ラッピング，研磨等の加工中の
ウェーハ全面にわたって表面温度を所定範囲に収めてい
る。このようにウェーハの表面温度を管理しながら表面
加工するため、スラリーによるエッチング作用が均一化
され、ウェーハの中心部のみが高度に加工されることが
無くなり、平坦度の高いウェーハに加工される。
は、大口径のウェーハを両面加工する際、定盤との摩擦
頻度が高いため局部的に高温になり易いウェーハの中心
部に低温スラリーを供給し、ウェーハの中心部を優先的
に冷却することにより、ラッピング，研磨等の加工中の
ウェーハ全面にわたって表面温度を所定範囲に収めてい
る。このようにウェーハの表面温度を管理しながら表面
加工するため、スラリーによるエッチング作用が均一化
され、ウェーハの中心部のみが高度に加工されることが
無くなり、平坦度の高いウェーハに加工される。
【図１】 各キャリアごとに１枚のウェーハを入れて両
面加工する装置の要部斜視図
面加工する装置の要部斜視図
【図２】 加工中にウェーハ２中心に当たる部分が最高
温度域になることを説明する図
温度域になることを説明する図
【図３】 本発明に従って非接触式温度計を上定盤に組
み込んだ両面加工装置の要部断面図
み込んだ両面加工装置の要部断面図
【図４】 本発明に従ってウェーハ中心部に低温スラリ
ーを供給する配管を組み込んだ両面加工装置の要部断面
図
ーを供給する配管を組み込んだ両面加工装置の要部断面
図
【図５】 本発明に従った低温スラリーの供給及び供給
停止によりウェーハの表面温度を管理するときの制御フ
ロー
停止によりウェーハの表面温度を管理するときの制御フ
ロー
【図６】 加工中に非接触式温度計で測定されたウェー
ハの表面温度の変動を示すグラフ
ハの表面温度の変動を示すグラフ
１：キャリア ２：ウェーハ ３：下定盤 ４：
上定盤 ５：インターナルギア ６：サンギア
７：最高温度域 ８：測温用孔部 ９：非接触式温
度計 １０：制御回路 １１：第１スラリー供給孔
１２：第２スラリー供給孔 １３：スラリー分配
器 １４：低温スラリー １５：通常スラリー
上定盤 ５：インターナルギア ６：サンギア
７：最高温度域 ８：測温用孔部 ９：非接触式温
度計 １０：制御回路 １１：第１スラリー供給孔
１２：第２スラリー供給孔 １３：スラリー分配
器 １４：低温スラリー １５：通常スラリー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２Ｄ
Claims (2)
- 【請求項１】 各キャリアごとに収容された１枚のウェ
ーハを下定盤と上定盤との間に挟み、上定盤に形成した
第１スラリー供給孔を介してスラリーを供給しながらウ
ェーハを両面加工する際、加工中のウェーハの中心が通
過する部分に当たる個所で上定盤に非接触式温度計を差
し込み、非接触式温度計でウェーハの表面温度を測定
し、測定値が設定値を超えたとき又は測定値から得られ
た表面温度の変動幅が設定温度差を越えたとき、加工中
のウェーハの中心が通過する部分に当たる個所で上定盤
に穿設した第２スラリー供給孔から低温スラリーを供給
し、ウェーハの中心部を優先的に冷却することを特徴と
する大口径ウェーハの両面加工方法。 - 【請求項２】 それぞれ１枚のウェーハを収容した複数
のキャリアを上下から挟み込む下定盤及び上定盤と、上
定盤に穿設した第１スラリー供給孔と、加工中のウェー
ハの中心が通過する部分に当たる個所で上定盤に穿設さ
れた第２スラリー供給孔と、加工中のウェーハの中心が
通過する部分に当たる個所で上定盤に穿設された測温用
孔部に挿し込まれた非接触式温度計とを備え、非接触式
温度計で測定されたウェーハ中心の表面温度が測定値が
設定値を超えたとき又は測定値から得られた表面温度の
変動幅が設定温度差を越えたとき、第２スラリー供給孔
から低温スラリーを供給する大口径ウェーハの両面加工
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8125899A JP2000271857A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 大口径ウェーハの両面加工方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8125899A JP2000271857A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 大口径ウェーハの両面加工方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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