WO2007010717A1 - ウエーハの両面研磨方法 - Google Patents

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Junichi Ueno
Syuichi Kobayashi
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Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
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Definitions

  • Wafer double-side polishing method Wafer double-side polishing method
  • the present invention relates to a method for double-side polishing a wafer, and more particularly, to a double-side polishing method capable of suppressing the peripheral sag of a wafer by improving the method of supplying slurry to the wafer.
  • FIG. 8 is a schematic explanatory view showing an example of a conventional double-side polishing apparatus.
  • the double-side polishing apparatus 201 rotates and revolves the carrier 208 coupled to the sun gear 206 and the internal gear 207 by the driving rotation of the sun gear 206, so that the lower surface plate 202 and the upper surface plate 203 are It is an apparatus that polishes both sides of WUENO and W at the same time with polishing cloth 204 affixed to the upper and lower surface plates by rotating them in reverse.
  • the double-side polishing apparatus 201 is provided with a slurry supply mechanism that increases the polishing efficiency of the wafer W and supplies slurry to the wafer W for cooling the heat generated in the upper and lower surface plates 202 and 203 during polishing. ing.
  • This slurry supply mechanism supplies slurry from a slurry tank 209 to a slurry supply hole 205 provided in an upper surface plate 203 through a slurry supply pipe 210, a nodal ring 212, and a slurry supply tube 213, and the lower end of the slurry supply hole 205 This is a mechanism that flows toward the opening force W.
  • JP-A-2004-142040 and JP-A-11-262862 disclose a double-side polishing method using a double-side polishing apparatus having another configuration adopting, for example, a pressure-feeding system as a slurry supply system.
  • the present invention has been made in view of such problems, and a double-side polishing method capable of suppressing the occurrence of outer peripheral sag in a wafer when the wafer to be processed is subjected to double-side polishing.
  • the purpose is to provide.
  • the present invention provides a plurality of slurry supply hole covers provided on the upper surface plate by sandwiching a wafer held by a carrier between upper and lower surface plates to which a polishing cloth is attached.
  • a wafer double-side polishing method that simultaneously polishes both sides of a wafer while supplying slurry between the upper and lower surface plates, and is provided outside the center of rotation of the upper surface plate during the double-side polishing of the wafer.
  • Slurry supply hole force The amount of slurry to be supplied is adjusted to be larger than the amount of slurry supply hole force supplied inside the slurry supply hole, thereby adjusting the polishing amount of the outer periphery of the wafer to be polished.
  • a double-side polishing method for a wafer is provided, wherein the wafer is prevented from sagging around the outer periphery.
  • the slurry supply pore force provided outside the center of rotation of the upper surface plate is supplied to the slurry supply pore force supply provided inside the slurry supply pore force supply. If the amount of the slurry to be supplied is larger than that of the slurry to be polished, it is possible to adjust the polishing amount of the outer peripheral portion of the wafer to be polished to suppress the outer peripheral sagging of the wafer.
  • the polishing amount at the outer periphery of the wafer can be arbitrarily controlled by changing the ratio of the slurry supply amount between the outside and inside. Can do.
  • the amount of slurry supplied from the supply hole provided on the outer side of the upper surface plate is at least twice the amount of slurry supplied to the slurry supply hole force provided on the inner side.
  • the wafer to be processed can be double-side polished to a high-quality wafer in which peripheral sagging is suppressed.
  • the slurry can be appropriately adjusted between the upper and lower surface plates during polishing in terms of the supply position and amount, so that the sagging of the wafer outer periphery can be controlled arbitrarily, improving wafer productivity. Is possible. Brief Description of Drawings
  • FIG. 1 is a schematic explanatory view showing an example of a double-side polishing apparatus used in the present invention.
  • FIG. 2 is a measurement diagram of the wafer shape in Comparative Example 1.
  • FIG. 3 is a measurement diagram of the wafer shape in Comparative Example 2.
  • FIG. 4 is a measurement diagram of wafer shape in Comparative Example 3.
  • FIG. 5 is a measurement diagram of the wafer shape in Example 1.
  • FIG. 6 is a measurement diagram of wafer shape in Example 2.
  • FIG. 7 is a graph showing the relationship between the supply ratio of slurry in the inner and outer supply hole caps of the upper surface plate and the outer peripheral sag amount of the wafer.
  • FIG. 8 is a schematic explanatory view showing an example of a conventional double-side polishing apparatus.
  • the inventors of the present invention when performing double-side polishing of the wafer, the slurry supply hole force provided on the outer side with respect to the center of rotation of the upper surface plate.
  • Supply hole force By supplying the slurry so as to be larger than the amount of slurry to be supplied, the polishing amount of the outer peripheral portion of the wafer can be adjusted, and a high-quality wafer with suppressed sagging of the outer peripheral portion can be obtained. Efficient polishing of wafers on both sides for proper slurry supply As a result, the present invention has been completed.
  • FIG. 1 is a schematic explanatory view showing an example of a double-side polishing apparatus that can be used when carrying out the double-side polishing method of the present invention.
  • This double-side polishing machine 1 is provided with a lower surface plate 2 and an upper surface plate 3 that are provided opposite to each other on the upper and lower sides.
  • a polishing cloth 4 is affixed to the opposite surface side of each surface plate 2 and 3 respectively.
  • the upper surface plate 3 is provided with a plurality of slurry supply holes 5 and 5 ′ for supplying the polishing slurry on the inner side and the outer side with respect to the center of rotation of the upper surface plate 3.
  • a sun gear 6 is provided at the center between the upper surface plate 3 and the lower surface plate 2, and an internal gear 7 is provided at the peripheral portion, and the wafer W to be processed is held in the holding hole of the carrier 8. It is sandwiched between surface plate 3 and lower surface plate 2.
  • a planetary double-side polishing apparatus is used.
  • the planetary-type double-side polishing apparatus is not limited to the planetary type and may be, for example, a rocking-type double-side polishing apparatus.
  • a slurry supply mechanism will be described.
  • Slurry supplied between the upper and lower surface plates during double-side polishing is stored in a slurry tank 9, and a slurry supply pipe 10 for supplying the slurry extends from the slurry tank 9.
  • the supply pipe 10 branches into two toward the supply hole 5 provided on the inner side and the supply hole 5 ′ provided on the outer side with respect to the center of rotation of the upper surface plate 3. ing.
  • Each branched supply pipe is provided with a valve 11 and 11 'for adjusting the flow rate of the slurry.
  • Each branched supply pipe 10 is connected to three slurry supply tubes 13 with a powder ring 12 in between, and the other end of each supply tube 13 is connected to the supply hole 5 of the upper platen 3, Connected to 5 '.
  • valves 11, 11, and the powder ring 12 a mechanism capable of appropriately controlling the flow rate of the slurry, or a flow that can be branched to each supply tube 13 without causing the slurry to be caught.
  • the supply pipe 10 is first branched into two from the slurry tank 9, for example, the number of supply holes 5 and 5 ′ provided in the upper surface plate 3 is branched and branched.
  • Each supply pipe 10 may be provided with a valve, connected to the supply tube 13 and connected to the supply hole so that the supply amount of slurry can be individually adjusted for each supply hole.
  • the double-side polishing apparatus that can be used in the present invention is not limited to the above, and the amount of slurry supplied from the slurry supply hole 5 'provided on the outer side with respect to the center of rotation of the upper surface plate 3 is adjusted to the inner side. Any configuration can be used as long as it can be supplied so as to be larger than the amount of slurry supplied from the slurry supply hole 5 provided in the above.
  • the wafer W to be treated is held by the carrier 8, and the carrier 8 is sandwiched between the upper surface plate 3 and the lower surface plate 2.
  • the teeth of the sun gear 6 and the internal gear 7 are meshed with the outer peripheral teeth of the carrier 8, and as the upper surface plate 3 and the lower surface plate 2 are rotated by a drive source (not shown), the carrier 8 rotates. While revolving around the sun gear 6.
  • both surfaces of the wafer W held by the carrier 8 are simultaneously polished by the polishing cloth 4 attached to the upper and lower surface plates 2 and 3.
  • slurry is supplied from the supply holes 5 and 5 ′.
  • the present invention is not limited to such a planetary type.
  • the supply of slurry during polishing will be described.
  • the slurry stored in the slurry tank 9 is poured into the supply pipe 10 and divided into two hands.
  • One is a flow path connected to the supply hole 5 provided on the inner side with respect to the center of rotation of the upper platen 3, and the other is a flow path connected to the supply hole 5 ′ provided on the outer side.
  • the flow rate of the slurry flowing through each flow path is independently controlled by the valves 11 and 11 ′ provided in the respective supply pipes 10 after the branching. Thereafter, the flow path is further branched by the powder ring 12, and the slurry is supplied to the wafer W between the upper and lower surface plates 2, 3 from the supply holes 5, 5 ′ through the supply tubes 13.
  • the supply amount of the slurry to the inner supply hole 5 of the upper surface plate 3 and the supply amount to the outer supply hole 5 ′ are adjusted independently, for example, and
  • the method for adjusting the flow rate of the slurry, the flow path, and the like are not particularly limited as long as more slurry can be supplied to the supply holes 5 ′ outside the supply holes 5.
  • the wafer W is polished on both sides while supplying the slurry.
  • the double-side polishing method as described above it is possible to obtain a high-quality wafer in which the outer peripheral sagging of the wafer is suppressed by adjusting the polishing amount of the outer peripheral portion of the wafer to be processed. Can be improved. And by this method, by changing the ratio of the slurry supply amount supplied to the inside and the outside, it is possible to control the sagging amount of the outer peripheral portion, and to obtain a wafer having a desired shape. Can be polished on both sides. Therefore, it is possible to obtain a high-quality wafer with no peripheral sag and improve the productivity of the wafer.
  • the amount of slurry supplied also to the supply hole cap provided on the outer side of the upper surface plate is at least twice the amount of slurry supplied to the slurry supply hole force provided on the inner side.
  • the supply amount of slurry in the supply hole caps provided on the inside and outside of the center of rotation of the upper surface plate is set and adjusted separately, and both sides of the sample wafer are adjusted. Polishing was performed.
  • the amount flowing from the slurry tank is 3.5 lZmin, and the total amount supplied from the supply hole 5 provided inside the upper surface plate and the total amount supplied from the supply hole 5 'provided outside is set.
  • the ratio is 3: 1 (Comparative Example 1), 2: 1 (Comparative Example 2), 1: 1 (Comparative Example 3), 1: 2 (Example 1), 1: 3 (Example 2). Prepared.
  • the sample wafer is 300 mm in diameter, P-type, oriented 100>, resistivity 0.01
  • a highly doped product of ⁇ cm was prepared.
  • a polyurethane foam foam foam was used for the polishing cloth, and colloidal silica was used for the slurry. Then, hold the sample wafer on the carrier, sandwich it with the upper and lower surface plates, and rotate the upper and lower surface plates counterclockwise at a rotation speed of 35 rpm while supplying the slurry with a polishing pressure of 140 g / cm 2 , and the above 5 patterns
  • the sample wafer was polished on both sides by each of the slurry supply methods, and the shape of the sample wafer after polishing was measured to determine the outer sag.
  • FIG. 7 is a graph showing the amount of outer sag in each example, and shows the relationship between the slurry supply ratio of the inner and outer supply holes provided on the upper surface plate and the amount of outer sag.
  • the total amount of slurry supplied is the same in each example, but by changing the supply ratio from the supply holes on the inside and outside of the upper surface plate, the amount of peripheral sag can be changed. It can be seen that the amount of wafer sag after polishing on both sides can be controlled.

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Abstract

　キャリアに保持されたウエーハを研磨布が貼付された上下の定盤で挟み込み、前記上定盤に設けた複数のスラリー供給孔から上下定盤間にスラリーを供給しつつ、ウエーハの両面を同時に研磨するウエーハの両面研磨方法であって、前記ウエーハの両面研磨時に、前記上定盤の回転の中心に対して外側に設けたスラリー供給孔から供給するスラリーの量を、これより内側に設けたスラリー供給孔から供給するスラリーの量よりも多くなるように供給することにより、前記研磨するウエーハの外周部の研磨量を調整して、該ウエーハの外周ダレを抑制するウエーハの両面研磨方法。これにより、ウエーハに両面研磨加工を施した際に、ウエーハに外周ダレが発生するのを抑制することのできる両面研磨方法が提供される。 　

Description

明 細 書
ゥエーハの両面研磨方法
技術分野
[0001] 本発明は、ゥエーハを両面研磨する方法に関し、詳しくは、ゥエーハへのスラリーの 供給方法を改善することによりゥエーハの外周ダレを抑制することができる両面研磨 方法に関する。 背景技術
[0002] 図 8は、従来の両面研磨装置の一例を示す概略説明図である。図 8に示すように、 両面研磨装置 201は、サンギヤ 206とインターナルギヤ 207とに嚙合されたキャリア 2 08を、サンギヤ 206の駆動回転によって自転公転させ、下定盤 202と上定盤 203と を互いに逆回転させることにより、上下定盤に貼付された研磨布 204でゥエーノ、 Wの 両面を同時に研磨する装置である。
[0003] また、両面研磨装置 201には、ゥエーハ Wの研磨効率を高めると共に研磨時に上 下定盤 202、 203に生じる熱を冷却するためのスラリーをゥエーハ Wに供給するスラ リー供給機構が設けられている。このスラリー供給機構は、スラリータンク 209より、ス ラリー供給管 210、ノ ゥダーリング 212、スラリー供給チューブ 213を通じて、スラリー を上定盤 203に設けたスラリー供給孔 205に供給し、スラリー供給孔 205の下端開口 力 ゥエーハ Wに向けて流出する機構である。
[0004] 従来は、このような両面研磨装置を用いて各供給孔力 同量のスラリーを均等に供 給しつつ、ゥエーハの両面研磨を行っていた。また、特開 2004— 142040ゃ特開平 11— 262862には、スラリーの供給方式に関して、例えば圧送方式を採用した別の 構成の両面研磨装置を用いた両面研磨方法が開示されて ヽる。
[0005] し力しながら、従来の方法や、上記に開示されている両面研磨方法では、ゥエーハ に両面研磨を行った場合、研磨後のゥエーハの外周部にダレが頻繁に生じて、ゥェ ーハ表面の形状が平坦でなくなり、品質面で問題が生じていた。 発明の開示
[0006] 本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、被処理ゥエーハに両面研磨 加工を施した際に、ゥエーハに外周ダレが発生するのを抑制することのできる両面研 磨方法を提供することを目的とする。
[0007] 上記目的を達成するため、本発明は、キャリアに保持されたゥエーハを研磨布が貼 付された上下の定盤で挟み込み、前記上定盤に設けた複数のスラリー供給孔カゝら上 下定盤間にスラリーを供給しつつ、ゥエーハの両面を同時に研磨するゥエーハの両 面研磨方法であって、前記ゥエーハの両面研磨時に、前記上定盤の回転の中心に 対して外側に設けたスラリー供給孔力 供給するスラリーの量を、これより内側に設け たスラリー供給孔力 供給するスラリーの量よりも多くなるように供給することにより、前 記研磨するゥエーハの外周部の研磨量を調整して、該ゥエーハの外周ダレを抑制す ることを特徴とするゥエーハの両面研磨方法を提供する。
[0008] このように、ゥエーハを両面研磨する時に、上定盤の回転の中心に対して外側に設 けたスラリー供給孔力 供給するスラリーの量を、これより内側に設けたスラリー供給 孔力 供給するスラリーの量よりも多くなるように供給すれば、前記研磨するゥエーハ の外周部の研磨量を調整して、該ゥエーハの外周ダレを抑制することが可能である。 このため、外周部のダレが抑制された高品質のゥエーハに両面研磨することができる 特に外側と内側のスラリー供給量の比率を変更することによって、ゥエーハ外周部 の研磨量を任意に制御することができる。
[0009] このとき、前記上定盤の外側に設けた供給孔から供給するスラリーの量を、前記内 側に設けたスラリー供給孔力 供給するスラリーの量の 2倍以上とするのが望ましい。
[0010] このように、前記上定盤の外側に設けた供給孔力 供給するスラリーの量を、前記 内側に設けたスラリー供給孔力 供給するスラリーの量の 2倍以上とすれば、ゥエー ハの外周ダレをより確実に抑制することが可能であり、平坦度の高い、高品質のゥェ ーハを提供することができる。そして、上定盤の内側と外側の供給孔から、より適切な 割合でスラリーを供給することができるため、ゥエーハの生産性もさらに改善すること が可能である。 [0011] 本発明の両面研磨方法であれば、被処理ゥエーハを外周ダレが抑制された高品 質のゥエーハに両面研磨することができる。また、研磨時に上下定盤間にスラリーを 供給位置と量の面で適切に調整して供給することができるため、ゥエーハ外周部の ダレを任意に制御でき、ゥエーハの生産性を向上することが可能である。 図面の簡単な説明
[0012] [図 1]本発明で使用する両面研磨装置の一例を示す概略説明図である。
[図 2]比較例 1におけるゥエーハ形状の測定図である。
[図 3]比較例 2におけるゥエーハ形状の測定図である。
[図 4]比較例 3におけるゥエーハ形状の測定図である。
[図 5]実施例 1におけるゥエーハ形状の測定図である。
[図 6]実施例 2におけるゥエーハ形状の測定図である。
[図 7]上定盤の内側と外側の供給孔カ のスラリーの供給比率と、ゥエーハの外周ダ レ量との関係を示すグラフである。
[図 8]従来の両面研磨装置の一例を示す概略説明図である。
発明を実施するための最良の形態
[0013] 以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれらに限定されるも のではない。
従来の両面研磨方法によりゥエーハに両面研磨加工を行った場合、ゥエーハの外 周部にダレが生じるという問題があった。
[0014] 本発明者らが、両面研磨カ卩ェにおけるゥエーハの外周部のダレの発生について鋭 意調査をした結果、両面研磨時に上下定盤間のゥエーハに供給するスラリーの供給 法と、被処理ゥエーハに発生する外周ダレとに相関性があることを発見した。
[0015] そして、本発明者らは、ゥエーハの両面研磨時に、上定盤の回転の中心に対して 外側に設けたスラリー供給孔力 供給するスラリーの量を、これより内側に設けたスラ リー供給孔力 供給するスラリーの量よりも多くなるように供給することにより、ゥエー ハの外周部の研磨量を調整し、外周部のダレが抑制された高品質のゥエーハを得る ことができるとともに、適切にスラリーを供給するため、効率良くゥエーハを両面研磨 することが可能であることを見出し、本発明を完成させた。
[0016] 以下では、本発明の実施の形態について図を参照して具体的に説明をする。
まず、図 1は本発明の両面研磨方法を実施する際に用 ヽることができる両面研磨 装置の一例を示す概略説明図である。この両面研磨装置 1は、上下に相対向して設 けられた下定盤 2と上定盤 3を備えており、各定盤 2、 3の対向面側には、それぞれ研 磨布 4が貼付されている。また、上定盤 3には研磨スラリーを供給するためのスラリー 供給孔 5及び 5 'が、上定盤 3の回転の中心に対して内側及び外側にそれぞれ複数 設けられている。そして、上定盤 3と下定盤 2の間の中心部にはサンギヤ 6が、周縁部 にはインターナルギヤ 7が設けられており、被処理ゥエーハ Wはキャリア 8の保持孔に 保持され、上定盤 3と下定盤 2の間に挟まれている。なお、本例では遊星式の両面研 磨装置を用いたが、遊星式のものに限定されず、例えば揺動式の両面研磨装置で あっても良い。
[0017] ここで、スラリーの供給機構について述べる。両面研磨の際に上下定盤間に供給さ れるスラリーはスラリータンク 9に貯められており、このスラリータンク 9からは、スラリー を供給するためのスラリー供給管 10がのびている。そして、この供給管 10は、図 1に 示す例では、上定盤 3の回転の中心に対して内側に設けた供給孔 5と外側に設けた 供給孔 5'へ向けて 2つに分岐している。分岐した各供給管にはスラリーの流量を調 整するための弁 11、 11 'がそれぞれ配設されている。分岐したそれぞれの供給管 10 はパウダーリング 12を挟んで 3本のスラリー供給チューブ 13と連結されており、それ ぞれの供給チューブ 13のもう一方の端部は上定盤 3の供給孔 5、 5'につながってい る。
[0018] 従って、弁 11、 11 'により、分岐したそれぞれのスラリー供給管 10を流れるスラリー の流量を変えることにより、内側に位置する供給孔 5から供給されるスラリーの量より、 外側に位置する供給孔 5'から供給されるスラリーの量を多くなるように調整すること ができる。
[0019] この弁 11、 11，やパウダーリング 12については、スラリーの流量を適切に制御でき る機構や、スラリーをつまらせることなく各供給チューブ 13へ分岐させて流すことがで きるものであればよぐ特に限定されない。 そして、本例では供給管 10はスラリータンク 9から、まず 2つに分岐している力 例え ば、上定盤 3に設けられた供給孔 5及び 5'の数の分だけ分岐し、分岐したそれぞれ の供給管 10に弁を設け、供給チューブ 13と連結して供給孔へつなぎ、各供給孔ごと にスラリーの供給量を個別に調整できるような構成であっても良い。
[0020] 上記に限らず、本発明において用いることができる両面研磨装置は、上定盤 3の回 転の中心に対して外側に設けたスラリー供給孔 5'から供給するスラリーの量を、内側 に設けたスラリー供給孔 5から供給するスラリーの量よりも多くなるように供給すること ができる構成であれば構わな 、。
[0021] 次に、本発明の両面研磨方法によって、ゥエーハ Wに両面研磨加工を施す方法を 、図 1の両面研磨装置 1を用いる場合について説明する。
まず、被処理ゥエーハ Wをキャリア 8に保持し、該キャリア 8を上定盤 3と下定盤 2の 間に挟み込む。サンギヤ 6及びインターナルギヤ 7の各歯部にはキャリア 8の外周歯 が嚙合しており、上定盤 3及び下定盤 2が不図示の駆動源によって回転されるのに 伴い、キャリア 8は自転しつつサンギヤ 6の周りを公転する。これによつてキャリア 8に 保持されたゥエーハ Wを上下定盤 2、 3に貼付した研磨布 4により両面を同時に研磨 する。この研磨の際には、供給孔 5、 5'からスラリーを供給する。なお、上述のように、 本発明はこのような遊星式に限定されるものではない。
[0022] ここで、研磨時のスラリーの供給について述べる。図 1の両面研磨装置 1において、 スラリータンク 9に貯められたスラリーを供給管 10に流し、二手に分ける。一方は上定 盤 3の回転の中心に対して内側に設けた供給孔 5へとつながる流路であり、他方は 外側に設けた供給孔 5'へとつながる流路である。上記分岐後のそれぞれの供給管 1 0に設けた弁 11、 11 'によって、各流路を流れるスラリーの流量を独立して制御する。 その後、パウダーリング 12によって流路をさらに分岐し、各供給チューブ 13を通して 各供給孔 5、 5'から上下定盤 2、 3間のゥエーハ Wにスラリーを供給する。
[0023] この時、上記弁 11、 11 'を用いて内側 ·外側の供給孔 5、 5'へと向力う各供給管 10 内を流れるスラリーの流量を調整し、上記外側に設けた供給孔 5'から上下定盤 2、 3 内に供給する量を、これより内側に設けた供給孔 5から供給する量よりも多くする。 従来では、各供給孔から同量のスラリーを供給していたが、外側の供給孔 5'の少 なくとも 1つの供給孔力 他の供給孔よりも多くスラリーを供給し、これよりも内側の供 給孔 5から供給するスラリーの量よりも前記外側の供給孔 5'からの供給量を多くする とよい。上記内側と外側の供給孔 5、 5'は、例えば、上定盤 3の半径の 1Z2を境とし て分けることができる。
上記したように、スラリーの供給にあたっては、上定盤 3の内側の供給孔 5へのスラリ 一の供給量と外側の供給孔 5'への供給量を、例えば各々独立に調整し、内側の供 給孔 5よりも外側の供給孔 5'へより多くスラリーを供給できれば良ぐスラリーの流量 の調整方法や、流路等は特に限定されない。
このようにスラリーを供給しつつ、ゥエーハ Wを両面研磨する。
[0024] 上記のような両面研磨方法であれば、被処理ゥエーハの外周部の研磨量を調整し 、ゥエーハの外周ダレが抑制された高品質のゥエーハを得ることが可能であり、歩留 りを向上することができる。そして、本方法によって、内側と外側に供給されるスラリー 供給量の比率を変更することによって、外周部のダレの量を制御することができ、所 望の形状を有するゥエーハを得ることができるように両面研磨を施すことができる。従 つて、外周ダレのない高品質のゥエーハを得ることができるとともに、ゥエーハの生産 性を向上することが可能である。
[0025] このとき、上定盤の外側に設けた供給孔カも供給するスラリーの量を、内側に設け たスラリー供給孔力 供給するスラリーの量の 2倍以上とすると尚良い。
このようにして両面研磨力卩ェを施せば、ゥエーハの外周ダレをより確実に抑制する ことが可能であり、外周部のダレがより小さぐ平坦度の高い良質のゥエーハを得るこ とができ、生産効率の面でさらに向上することができる。
[0026] 以下、本発明を実施例及び比較例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれ に限定されない。
(実施例 1 · 2、比較例 1〜3)
図 1に示す両面研磨装置を用 、、上定盤の回転の中心に対して内側と外側に設け た供給孔カ のスラリーの供給量をそれぞれ別に設定'調整し、サンプルゥエーハに 対して両面研磨加工を行った。 [0027] スラリーの供給については、スラリータンクより流す量を 3. 5lZminとし、上定盤の 内側に設けた供給孔 5から供給する総量と外側に設けた供給孔 5'から供給する総 量の比が、 3： 1 (比較例 1)、 2 : 1 (比較例 2)、 1 : 1 (比較例 3)、 1 : 2 (実施例 1)、 1： 3 ( 実施例 2)の 5パターンを用意した。
[0028] なお、サンプルゥエーハとしては直径 300mm、 P型、方位く 100 >、抵抗率 0. 01
Ω cmの高ドープ品を用意した。
研磨布には発泡ポリウレタンのものを用い、スラリーにはコロイダルシリカを用いた。 そして、サンプルゥエーハをキャリアに保持し、上下定盤で挟み込み、 140g/cm2 の研磨圧力で、スラリーを供給しながら上下定盤を共に 35rpmの回転速度で互いに 逆回転させて、上記 5パターンのスラリー供給方式それぞれでサンプルゥエーハを両 面研磨し、研磨後のサンプルゥエーハの形状を計測して外周ダレを求めた。
[0029] 実施例 1 · 2、比較例 1〜3の測定結果を図 2 (比較例 1)、図 3 (比較例 2)、図 4 (比 較例 3)、図 5 (実施例 1)、図 6 (実施例 2)及び図 7に示す。
図 2〜6に、研磨後のサンプルゥエーハの形状を示す (等高線図と断面形状)。また 、図 7は各例の外周ダレ量をグラフ化したものであり、上定盤に設けられた内側と外 側の供給孔カ のスラリー供給比率と外周ダレ量の関係を示す。
[0030] これらの図より、各比較例では、サンプルゥエーハに大きな外周ダレが発生してい ることが確認できる。一方、実施例 1 · 2では、外周部のダレがほとんど見られず、各比 較例と比べて外周ダレが大幅に抑制されていることが判る。このように、本発明の両 面研磨方法を実施することによって、外周部のダレが抑制された高品質のゥエーハ を得ることができる。
[0031] そして、スラリーの供給総量は各例とも同量であるが、上定盤の内側と外側の供給 孔からの供給比を変えることにより、外周ダレ量を変えることができ、 目的に応じて両 面研磨後のゥエーハの外周ダレ量を制御することができることが判る。
[0032] なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例 示であり本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成 を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範 囲に包含される。

Claims

請求の範囲
[1] キャリアに保持されたゥエーハを研磨布が貼付された上下の定盤で挟み込み、前 記上定盤に設けた複数のスラリー供給孔カも上下定盤間にスラリーを供給しつつ、ゥ エーハの両面を同時に研磨するゥエーハの両面研磨方法であって、前記ゥエーハ の両面研磨時に、前記上定盤の回転の中心に対して外側に設けたスラリー供給孔 力 供給するスラリーの量を、これより内側に設けたスラリー供給孔力 供給するスラ リーの量よりも多くなるように供給することにより、前記研磨するゥエーハの外周部の 研磨量を調整して、該ゥエーハの外周ダレを抑制することを特徴とするゥエーハの両 面研磨方法。
[2] 前記上定盤の外側に設けた供給孔カも供給するスラリーの量を、前記内側に設け たスラリー供給孔力 供給するスラリーの量の 2倍以上とすることを特徴とする請求項 1に記載のゥエーハの両面研磨方法。
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