KR20080085684A - 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
약어 | 캐리어 재료 | ||||
유형 | 도포 | 캐리어하중 | |||
층 | 필름 | 고체 재료 | [kg] | ||
a | EP-GFP | X | 2 | ||
b | EP-GFP | X | 4 | ||
c | PVC 필름 | X | 2 | ||
d | PVC 필름 | X | 4 | ||
e | PET (콜드) | X | 2 | ||
f | PET (핫) | X | 4 | ||
g | EP-CFP | X | 4 | ||
h | PP-GFP | X | 4 | ||
i | PP-PPFP | X | 4 | ||
j | 경질 종이 | X | 4 | ||
k | PTFE II | X | 4 | ||
l | PA 필름 | X | 4 | ||
m | PE (I) | X | 4 | ||
n | PE (II) | X | 4 | ||
o | PU | X | 4 | ||
p | EP/세라믹 | X | 4 | ||
q | EP (프라이머) | X | 4 | ||
r | 미끄럼 피복재 ZSV216 | X | 4 |
Claims (37)
- 각각의 반도체 웨이퍼가 롤링 장치에 의해 회전하도록 구성되어 있는 복수 개의 캐리어 중 하나의 컷아웃 내에 자유롭게 이동 가능하도록 배치되어 사이클로이드 궤도 상에서 이동하도록 되어 있으며,상기 반도체 웨이퍼는 두 개의 회전하는 링 형상의 작업 디스크 사이에서 재료 제거 방식으로 가공되고,각각의 상기 작업 디스크는 접합 연마재를 내포한 작업 층을 포함하며,상기 작업 층의 사이에 형성되는 작업 간극의 형태가 연마 공정 동안 결정되고, 적어도 하나의 작업 디스크의 작업 영역의 형태는 상기 작업 간극이 예정된 형태를 갖도록 하는 방식으로 작업 간극의 측정된 기하학적 형상에 따라 기계적으로 또는 열적으로 변경되는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 작업 간극은, 적어도 마지막 10%의 재료 제거 동안 작업 간극의 최대 폭과 최소 폭의 차이 대 작업 디스크의 폭의 비율의 크기가 최대 50ppm이 되도록 제어되는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 작업 간극의 외부 가장자리에서의 폭과 내부 가장자리에서의 폭의 차이 대 상기 작업 디스크의 폭의 비율이 0ppm 내지 50ppm 사이인 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 작업 디스크 중 적어도 하나는 작업 디스크의 온도를 변경하기 위한 장치를 포함하며, 상기 작업 간극의 형태는 상기 작업 디스크의 온도에 의해 제어되어 그 결과, 작업 디스크의 작업 영역의 형태가 변경되는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 작업 디스크의 온도는 가공 동안 작업 간극 내로 유입되는 냉각 윤활제의 온도 및/또는 체적 유량에 의해 변경되는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 작업 디스크 중 적어도 하나는 그 작업 영역이 유압식 조절 장치에 의해 기계적으로 변형되며, 상기 작업 간극의 형태가 상기 유압식 조절 장치의 압력에 의해 제어되는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 작업 디스크 중 적어도 하나는 그 작업 영역이 압전 작동 요소나 자기 변형 작동 요소 또는 전기 역학적 작동 요소에 의해 변형되며, 상기 작업 간극의 형태가 작동 요소의 전압 또는 전류에 의해 제어되는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 작업 간극의 형태는, 적어도 하나의 작업 디스크에 제공된, 적어도 하나는 작업 디스크의 내부 가장자리 부근에 그리고 적어도 하나는 작업 디스크의 외부 가장자리 부근에 배치되어 있는, 무접촉 거리 측정 센서를 이용하여, 연마 공정 동안 적어도 두 개의 지점에서 작업 간극의 폭을 측정함으로써 결정되는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제1항에 있어서, 연마 공정 동안 상기 작업 간극의 온도가 적어도 두 개의 지점에서 측정되며, 이렇게 측정된 작업 간극의 온도 프로파일과 연마 공정을 시작하기 전에 측정한 온도 프로파일을 비교하고 상기 온도 프로파일에 대해 각각 측정된 작업 간극의 형태를 비교함으로써, 연마 공정 동안 작업 간극의 형태가 결정되는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제8항에 있어서, 연마 공정 동안 상기 작업 간극의 온도가 적어도 두 개의 지점에서 측정되며, 이렇게 측정된 작업 간극의 온도 프로파일과 연마 공정을 시작하기 전에 측정한 온도 프로파일을 비교하고 상기 온도 프로파일에 대해 각각 측정된 작업 간극의 형태를 비교함으로써, 작업 간극의 형태 변화가 예고되어 작업 간극 형태의 신속한 제어에 사용되고, 작업 간극의 실제 형태를 통제하기 위해 그리고 완만한 속도의 제어를 위한 작업 간극 형태의 가능한 드리프트(drift)를 보상하기 위해 적어도 두 개의 지점에서의 작업 간극의 폭의 측정에 사용되는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 작업 디스크 중 적어도 하나는 작업 디스크의 온도를 변경하기 위한 장치를 포함하며, 상기 작업 간극의 형태는 제어 루프 방식으로 제어되고, 상기 작업 디스크의 외부 가장자리 및 내부 가장자리에서의 작업 간극의 폭 차이는 제어 변수를 구성하며, 작업 디스크의 온도는 조절 변수를 구성하고, 작업 간극에서 측정된 온도는 외란 변수를 구성하는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 작업 디스크의 온도는 가공 동안 작업 간극 내로 유입되는 냉각 윤활제의 온도 또는 체적 유량에 의해 영향을 받는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 작업 디스크 중 적어도 하나는 유압식 조절 장치를 포함하며, 상기 작업 간극의 형태는 제어 루프 방식으로 제어되고, 상기 작업 디스크의 외부 가장자리 및 내부 가장자리에서의 작업 간극의 폭의 차이는 제어 변수를 구성하며, 상기 유압식 조절 장치의 압력은 조절 변수를 구성하고, 상기 작업 간극에서 측정된 온도는 외란 변수를 구성하는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 작업 디스크 중 적어도 하나는 압전 작동 요소나 자 기 변형 작동 요소 또는 전기 역학적 작동 요소를 포함하며, 상기 작업 간극의 형태는 제어 루프 방식으로 제어되고, 상기 작업 디스크의 외부 가장자리 및 내부 가장자리에서의 작업 간극의 폭의 차이는 제어 변수를 구성하며, 상기 작동 요소의 전압 또는 전류는 조절 변수를 구성하고, 상기 작업 간극에서 측정된 온도는 외란 변수를 구성하는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 각각의 반도체 웨이퍼가 롤링 장치에 의해 회전하도록 구성되어 있는 복수 개의 캐리어 중 하나의 컷아웃 내에 자유롭게 이동 가능하도록 배치되어 사이클로이드 궤도 상에서 이동하도록 되어 있으며, 상기 반도체 웨이퍼는 두 개의 회전하는 링 형상의 작업 디스크 사이에서 재료 제거 방식으로 가공되고, 각각의 상기 작업 디스크는 접합 연마재를 내포한 작업 층을 포함하며, 가공 동안 상기 반도체 웨이퍼의 일부 영역이 일시적으로 상기 작업 층에 의해 범위가 한정되는 작업 간극을 떠나게 되며, 반경 방향에서의 최대 오버런(overrun)은 반도체 웨이퍼 직경의 0% 초과 최대 20%의 범위 이내이고, 상기 오버런은 반경 방향으로 측정한, 작업 디스크에 대한 상대적인 길이로서 정의되며, 이 오버런에 의해 반도체 웨이퍼가 연마 공정 동안 적시에 특정 지점에서 작업 간극의 내부 또는 외부 가장자리를 초과하여 돌출되는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼는, 그 일부 영역이 일시적으로 작업 간극을 떠나게 되는 경우, 작업 층의 전체 가장자리 영역을 완전하게 그리고 흔히 는 실질적으로 균일하게 점진적으로 쓸고 지나가는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼는, 일시적으로 작업 간극의 내부 가장자리를 통과하여 그리고 일시적으로 작업 간극의 외부 가장자리를 통과하여 작업 간극을 떠나게 되는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 각각의 반도체 웨이퍼가 롤링 장치에 의해 회전하도록 구성되어 있는 복수 개의 캐리어 중 하나의 컷아웃 내에 자유롭게 이동 가능하도록 배치되어 사이클로이드 궤도 상에서 이동하도록 되어 있으며, 상기 반도체 웨이퍼는 두 개의 회전하는 링 형상의 작업 디스크 사이에서 재료 제거 방식으로 가공되고, 각각의 상기 작업 디스크는 접합 연마재를 내포한 작업 층을 포함하며, 상기 캐리어는 완전히 제1 재료로 이루어지거나, 이 제1 재료로 이루어진 피복재가 제2 재료로 이루어진 캐리어 전체에 또는 일부에 피복되어, 연마 공정 동안 상기 제1 재료만이 작업 층과 기계적으로 접촉하도록 하며 연마재의 예리성을 감소시키는 작업 층과 상호 작용하지 않도록 하는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제18항에 있어서, 상기 제1 재료는 높은 연마 저항성을 갖는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제18항 또는 제19항에 있어서, 상기 제1 재료는 유리 섬유, 탄소 섬유 및 세라믹 섬유를 포함하지 않는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제18항 또는 제19항에 있어서, 상기 제1 재료는 폴리우레탄(PU), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 실리콘, 고무, 폴리염화비닐(PVC), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리아미드(PA), 폴리비닐 부티랄(PVB), 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA), 폴리에테르 에테르 케톤 (PEK), 폴리옥시메틸렌/폴리아세틸(PON), 폴리설폰(PSU), 폴리페닐렌 설폰(PPS) 및 폴리에틸렌 설폰(PES) 중 하나 이상을 포함하는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제18항 또는 제19항에 있어서, 상기 제1 재료는 열가소성 탄성중합체(TPE-U) 형태의 폴리우레탄, 실리콘 고무, 실리콘 수지, 가황 고무, 부타디엔-스티렌 고무(SBR), 아크릴로니트릴 고무(NBR), 에틸렌-프로필렌-디엔 고무(EPDM), 플루오르고무, 부분적으로 결정형이거나 비결정질의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PEP), 폴리에스테르계 또는 코폴리에스테르계 열가소성 탄성중합체(TPE-E), 폴리아미드, 폴리올레핀 및 폴리염화 비닐(PVC) 중 하나 이상을 포함하는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제18항 또는 제19항에 있어서, 상기 캐리어는 제1 재료로 이루어진 피복재와 제2 재료로 이루어진 코어를 포함하며, 상기 제2 재료는 제1 재료보다 높은 탄성률을 갖는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제23항에 있어서, 상기 제2 재료는 금속인 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제24항에 있어서, 상기 제2 재료는 강인 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제23항에 있어서, 상기 제2 재료는 플라스틱인 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제26항에 있어서, 상기 플라스틱은 섬유 강화 처리되어 있는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제23항에 있어서, 상기 제1 재료는 비강화 플라스틱인 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제23항에 있어서, 상기 피복재는 증착, 침지, 분무, 침수, 중온 또는 고온 접착제 접합, 화학 접착제 접합, 소결 또는 포지티브 록킹에 의해 코어에 도포되는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제23항에 있어서, 상기 피복재는 개개의 점 또는 스트립을 포함하며, 상기 점 또는 스트립은 이음 또는 가압, 사출 성형 또는 접착제 접합에 의해 코어의 짝을 이루는 홀 내로 삽입되는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제23항에 있어서, 상기 피복재는 마모 후 코어로부터 벗겨 내어지며, 제1 재료로 이루어진 새로운 피복재가 도포되고, 상기 코어는 재사용되는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제23항에 있어서, 상기 제2 재료로 이루어진 코어는 캐리어의 박형 외부 링으로만 구성되며, 상기 링은 롤링 장치에 의해 구동되는 캐리어의 치형부를 포함하고, 상기 제1 재료는 포지티브 록킹, 접착제 접합 또는 사출 성형에 의해 상기 코어에 연결되며, 상기 제1 재료는 개개의 반도체 웨이퍼용의 하나 이상의 컷아웃을 포함하는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제18항에 있어서, 상기 제1 재료는 작업 층에 포함된 연마재의 드레싱 처리를 야기하는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제33항에 있어서, 상기 드레싱 처리는 캐리어의 제1 재료로부터의 경질 물질의 해제에 의해 영향을 받는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제34항에 있어서, 상기 캐리어의 제1 재료로부터 해제된 경질 물질은 상기 작업 층의 연마재보다 연성인 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제35항에 있어서, 상기 해제된 경질 물질은 코런덤(corundum)(Al2O3), 탄화 규소(SiC), 산화 세륨(CeO2) 또는 산화 지르코늄(ZrO2)이며, 상기 작업 층 내의 연마재는 다이아몬드를 포함하는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
- 제34항 또는 제35항에 있어서, 상기 캐리어의 제1 재료로부터 해제된 경질 물질은 연성이거나 입자의 크기가 작아, 작업 층의 연마재를 이용한 가공에 의해 결정되는 반도체 웨이퍼의 표면 거칠기 및 표면 손상 깊이를 증가시키지 않는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법.
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