JPH09262759A - 面加工装置 - Google Patents
面加工装置Info
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- JPH09262759A JPH09262759A JP7450196A JP7450196A JPH09262759A JP H09262759 A JPH09262759 A JP H09262759A JP 7450196 A JP7450196 A JP 7450196A JP 7450196 A JP7450196 A JP 7450196A JP H09262759 A JPH09262759 A JP H09262759A
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- plate
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- surface processing
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄板の高平坦化に好適な面加工装置を提供す
る。 【解決手段】 薄板を定盤に押し付けて、該薄板に研削
や研磨などの面加工を施す面加工装置において、前記定
盤の半径方向位置に応じて該定盤の硬度を変えたり、前
記定盤の摩耗状態に応じて作動して、前記定盤の表面を
ほぼ平坦に維持させる平坦化手段を有したりするもので
ある。
る。 【解決手段】 薄板を定盤に押し付けて、該薄板に研削
や研磨などの面加工を施す面加工装置において、前記定
盤の半径方向位置に応じて該定盤の硬度を変えたり、前
記定盤の摩耗状態に応じて作動して、前記定盤の表面を
ほぼ平坦に維持させる平坦化手段を有したりするもので
ある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄板の研削（軟研
削を含む）や研磨などを行なうために用いられる面加工
装置に関するものである。
削を含む）や研磨などを行なうために用いられる面加工
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウェーハの面を研削つまり
ラップ加工するにあたっては、例えば、半導体ウェーハ
の片面（第１面）を保持板（保持装置）に真空吸着さ
せ、前記保持板により半導体ウェーハの他面（第２面）
を定盤に押し付けて、その第２面を平坦に研削してい
る。また、半導体ウェーハの片面のみならず、両面をラ
ップ加工する場合には、第２面の研削後、半導体ウェー
ハの第２面を保持板（保持装置）に真空吸着させ、前記
保持板により半導体ウェーハの第１面を定盤に押し付け
て、その第１面を平坦に研削している。
ラップ加工するにあたっては、例えば、半導体ウェーハ
の片面（第１面）を保持板（保持装置）に真空吸着さ
せ、前記保持板により半導体ウェーハの他面（第２面）
を定盤に押し付けて、その第２面を平坦に研削してい
る。また、半導体ウェーハの片面のみならず、両面をラ
ップ加工する場合には、第２面の研削後、半導体ウェー
ハの第２面を保持板（保持装置）に真空吸着させ、前記
保持板により半導体ウェーハの第１面を定盤に押し付け
て、その第１面を平坦に研削している。
【０００３】また他の方法として、半導体ウェーハの両
面を一度機にラップ加工する方法も知られている。この
方法は、半導体ウェーハをその半導体ウェーハよりも薄
肉のキャリアに保持させると共に、下定盤と上定盤との
間で半導体ウェーハを挟み込み、半導体ウェーハと下定
盤および上定盤との間に相対運動を与えて、両面を一度
機に研削するものである。
面を一度機にラップ加工する方法も知られている。この
方法は、半導体ウェーハをその半導体ウェーハよりも薄
肉のキャリアに保持させると共に、下定盤と上定盤との
間で半導体ウェーハを挟み込み、半導体ウェーハと下定
盤および上定盤との間に相対運動を与えて、両面を一度
機に研削するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ようにして、半導体ウェーハを研削する場合、下記のよ
うな問題が生じる。すなわち、同じ研削装置で多数の半
導体ウェーハを研削していると、定盤の表面の特定の箇
所の摩耗が進み、定盤の表面が平坦でなくなる。このよ
うな問題は片面研削や両面研削（軟研削を含む）の場合
だけでなく、片面研磨や両面研磨の場合にも生じる。ま
た、半導体ウェーハの加工の場合だけでなく、石英基板
その他の薄板を面加工する場合一般に生じる。
ようにして、半導体ウェーハを研削する場合、下記のよ
うな問題が生じる。すなわち、同じ研削装置で多数の半
導体ウェーハを研削していると、定盤の表面の特定の箇
所の摩耗が進み、定盤の表面が平坦でなくなる。このよ
うな問題は片面研削や両面研削（軟研削を含む）の場合
だけでなく、片面研磨や両面研磨の場合にも生じる。ま
た、半導体ウェーハの加工の場合だけでなく、石英基板
その他の薄板を面加工する場合一般に生じる。
【０００５】この問題を図９を用いて説明する。なお、
以下では、片面研削装置、両面研削装置、片面研磨装置
および両面研磨装置を総称して「面加工装置」として説
明する。同図（ａ），（ｂ）において符号１０は面加工
装置を示している。この面加工装置１０は半導体ウェー
ハ２０の両面を面加工するものであって、この面加工装
置１０は下定盤１１と上定盤１２を有し、この下定盤１
１と上定盤１２との間で、キャリア１３に保持された半
導体ウェーハ２０を面加工するようになっている。この
面加工が研磨である場合には、下定盤１１と上定盤１２
の表面にはそれぞれ研磨布が貼られる。ここで、下定盤
１１は下定盤駆動モータ（図示せず）によって回転駆動
されるようになっており、また、上定盤１２は上定盤駆
動モータ（図示せず）によって回転駆動されるようにな
っている。さらに、上定盤１２はシリンダ装置１４によ
って、被加工物である半導体ウェーハ２０を所定の圧力
で下定盤１１に押し付けることができるようになってい
る。また、キャリア１３は円板状に構成され、その外周
には歯１６が形成され、この歯１６は、中央に存する平
歯車１７と、下定盤１１の外側に存する内歯歯車１８に
噛合している。平歯車１７および内歯歯車１８のいずれ
か一方はキャリア駆動装置（図示せず）に連結され、こ
のキャリア駆動装置によってキャリア１３が回転駆動さ
れるようになっている。そして、この両面加工装置１０
においては、下定盤１１、上定盤１２およびキャリア１
３を回転駆動させて、半導体ウェーハ２０を公転させつ
つ自転させることにより、半導体ウェーハ２０の両面を
一度機に面加工するようになっている。
以下では、片面研削装置、両面研削装置、片面研磨装置
および両面研磨装置を総称して「面加工装置」として説
明する。同図（ａ），（ｂ）において符号１０は面加工
装置を示している。この面加工装置１０は半導体ウェー
ハ２０の両面を面加工するものであって、この面加工装
置１０は下定盤１１と上定盤１２を有し、この下定盤１
１と上定盤１２との間で、キャリア１３に保持された半
導体ウェーハ２０を面加工するようになっている。この
面加工が研磨である場合には、下定盤１１と上定盤１２
の表面にはそれぞれ研磨布が貼られる。ここで、下定盤
１１は下定盤駆動モータ（図示せず）によって回転駆動
されるようになっており、また、上定盤１２は上定盤駆
動モータ（図示せず）によって回転駆動されるようにな
っている。さらに、上定盤１２はシリンダ装置１４によ
って、被加工物である半導体ウェーハ２０を所定の圧力
で下定盤１１に押し付けることができるようになってい
る。また、キャリア１３は円板状に構成され、その外周
には歯１６が形成され、この歯１６は、中央に存する平
歯車１７と、下定盤１１の外側に存する内歯歯車１８に
噛合している。平歯車１７および内歯歯車１８のいずれ
か一方はキャリア駆動装置（図示せず）に連結され、こ
のキャリア駆動装置によってキャリア１３が回転駆動さ
れるようになっている。そして、この両面加工装置１０
においては、下定盤１１、上定盤１２およびキャリア１
３を回転駆動させて、半導体ウェーハ２０を公転させつ
つ自転させることにより、半導体ウェーハ２０の両面を
一度機に面加工するようになっている。
【０００６】ところが、キャリア１３に対して比較的大
きな半導体ウェーハ２０（図１０（ａ））を面加工する
と、半導体ウェーハ２の中央部分が下定盤１１および上
定盤１２に摺接する時間の方が、周辺部分が下定盤１１
および上定盤１２に摺接する時間よりも長いため、図１
１（ａ）の断面図（図９のＸ−Ｘ線に沿った断面図）に
示すように、下定盤１１の半径方向の中間部分がその内
周部分および外周部分に比べて大きく摩耗してしまう。
一方、図１０（ｂ）に示すようにキャリア１３に対して
比較的小さな半導体ウェーハ２０を該キャリア１３の外
周部に配して面加工すると、逆に、図１１（ｂ）の断面
図（図９のＸ−Ｘ線に沿った箇所の断面図）に示すよう
に、下定盤１１の内周部分および外周部分が下定盤１１
の中間部分に比べて大きく摩耗してしまう。なお、ここ
では下定盤１１だけを示しているが、上定盤１２も同様
に摩耗する。また、両面加工装置ではなく、片面加工装
置の場合には、下側の定盤だけに、このような問題が生
じる。以上のように、下定盤１１の表面が平坦でなくな
ると、被加工物である半導体ウェーハ２０の平坦度が劣
化する。したがって、定期的に定盤をドレスする必要が
あるが、そのドレスの間、面加工装置を休ませておく必
要があり、稼働率の点で問題があった。
きな半導体ウェーハ２０（図１０（ａ））を面加工する
と、半導体ウェーハ２の中央部分が下定盤１１および上
定盤１２に摺接する時間の方が、周辺部分が下定盤１１
および上定盤１２に摺接する時間よりも長いため、図１
１（ａ）の断面図（図９のＸ−Ｘ線に沿った断面図）に
示すように、下定盤１１の半径方向の中間部分がその内
周部分および外周部分に比べて大きく摩耗してしまう。
一方、図１０（ｂ）に示すようにキャリア１３に対して
比較的小さな半導体ウェーハ２０を該キャリア１３の外
周部に配して面加工すると、逆に、図１１（ｂ）の断面
図（図９のＸ−Ｘ線に沿った箇所の断面図）に示すよう
に、下定盤１１の内周部分および外周部分が下定盤１１
の中間部分に比べて大きく摩耗してしまう。なお、ここ
では下定盤１１だけを示しているが、上定盤１２も同様
に摩耗する。また、両面加工装置ではなく、片面加工装
置の場合には、下側の定盤だけに、このような問題が生
じる。以上のように、下定盤１１の表面が平坦でなくな
ると、被加工物である半導体ウェーハ２０の平坦度が劣
化する。したがって、定期的に定盤をドレスする必要が
あるが、そのドレスの間、面加工装置を休ませておく必
要があり、稼働率の点で問題があった。
【０００７】本発明は、かかる問題点に鑑みなされたも
ので、薄板の高平坦化に好適な面加工装置を提供するこ
とを目的としている。
ので、薄板の高平坦化に好適な面加工装置を提供するこ
とを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の面加工装
置は、薄板を定盤に押し付けて、該薄板に研削や研磨な
どの面加工を施す面加工装置において、前記定盤の半径
方向位置に応じて該定盤の硬度を変えて、該定盤の表面
をほぼ平坦に維持させるようにしたことを特徴とするも
のである。この場合、半径方向外方にゆくに従って、徐
々に硬度を変えても良いし、半径方向外方にゆくに従っ
て、段階的に硬度を変えても良い。この面加工装置によ
れば、定盤の摩耗が均一化され、薄板が常時に定盤に均
一圧力で押圧されることになり、薄板の被加工面を高平
坦度とすることができる。
置は、薄板を定盤に押し付けて、該薄板に研削や研磨な
どの面加工を施す面加工装置において、前記定盤の半径
方向位置に応じて該定盤の硬度を変えて、該定盤の表面
をほぼ平坦に維持させるようにしたことを特徴とするも
のである。この場合、半径方向外方にゆくに従って、徐
々に硬度を変えても良いし、半径方向外方にゆくに従っ
て、段階的に硬度を変えても良い。この面加工装置によ
れば、定盤の摩耗が均一化され、薄板が常時に定盤に均
一圧力で押圧されることになり、薄板の被加工面を高平
坦度とすることができる。
【０００９】請求項２記載の面加工装置は、薄板を定盤
に押し付けて、該薄板に研削や研磨などの面加工を施す
面加工装置において、前記定盤の摩耗状態に応じて作動
して、前記定盤の表面をほぼ平坦に維持させる平坦化手
段を有していることを特徴とするものである。この面加
工装置によれば、定盤が局部的に摩耗してしまった場合
でも、平坦化手段の作動によって、定盤の表面をほぼ平
坦に回復させることができる。その結果、薄板を定盤に
常時に均一圧力で押圧することができ、薄板の被加工面
を高平坦度とすることができる。
に押し付けて、該薄板に研削や研磨などの面加工を施す
面加工装置において、前記定盤の摩耗状態に応じて作動
して、前記定盤の表面をほぼ平坦に維持させる平坦化手
段を有していることを特徴とするものである。この面加
工装置によれば、定盤が局部的に摩耗してしまった場合
でも、平坦化手段の作動によって、定盤の表面をほぼ平
坦に回復させることができる。その結果、薄板を定盤に
常時に均一圧力で押圧することができ、薄板の被加工面
を高平坦度とすることができる。
【００１０】請求項３記載の面加工装置は、請求項２記
載の面加工装置において、前記定盤は複数の分割ブロッ
クによって構成され、この複数の分割ブロックのうちの
少なくとも１つは上下方向に移動可能な可動ブロックと
なっており、前記平坦化手段は、この可動ブロックを移
動させることによって、前記定盤の表面をほぼ平坦に維
持させるように構成されていることを特徴とするもので
ある。この面加工装置によれば、定盤が局部的に摩耗し
てしまった場合でも、可動ブロックの移動によって、定
盤の表面をほぼ平坦に回復させることができる。その結
果、薄板を定盤に常時に均一圧力で押圧することがで
き、薄板の被加工面を高平坦度とすることができる。
載の面加工装置において、前記定盤は複数の分割ブロッ
クによって構成され、この複数の分割ブロックのうちの
少なくとも１つは上下方向に移動可能な可動ブロックと
なっており、前記平坦化手段は、この可動ブロックを移
動させることによって、前記定盤の表面をほぼ平坦に維
持させるように構成されていることを特徴とするもので
ある。この面加工装置によれば、定盤が局部的に摩耗し
てしまった場合でも、可動ブロックの移動によって、定
盤の表面をほぼ平坦に回復させることができる。その結
果、薄板を定盤に常時に均一圧力で押圧することがで
き、薄板の被加工面を高平坦度とすることができる。
【００１１】請求項４記載の面加工装置は、請求項２記
載の面加工装置において、前記定盤の表面板は膨縮自在
に構成され、この表面板の背後には流体溜が設けられて
おり、前記平坦化手段は、この流体溜に対して圧力流体
を給排して、前記表面板を膨縮させることによって、前
記定盤の表面をほぼ平坦に維持させるように構成されて
いることを特徴とするものである。この面加工装置によ
れば、定盤が局部的に摩耗してしまった場合でも、圧力
流体の給排による表面板の膨縮によって、定盤の表面を
ほぼ平坦に回復させることができる。その結果、薄板を
定盤に常時に均一圧力で押圧することができ、薄板の被
加工面を高平坦度とすることができる。
載の面加工装置において、前記定盤の表面板は膨縮自在
に構成され、この表面板の背後には流体溜が設けられて
おり、前記平坦化手段は、この流体溜に対して圧力流体
を給排して、前記表面板を膨縮させることによって、前
記定盤の表面をほぼ平坦に維持させるように構成されて
いることを特徴とするものである。この面加工装置によ
れば、定盤が局部的に摩耗してしまった場合でも、圧力
流体の給排による表面板の膨縮によって、定盤の表面を
ほぼ平坦に回復させることができる。その結果、薄板を
定盤に常時に均一圧力で押圧することができ、薄板の被
加工面を高平坦度とすることができる。
【００１２】請求項５記載の面加工装置は、請求項２記
載の面加工装置において、前記定盤の表面板は熱膨張係
数の異なる複数の金属を重畳して構成されており、前記
平坦化手段は、前記定盤の温度コントロールによって、
前記定盤の表面をほぼ平坦に維持させるように構成され
ていることを特徴とするものである。この面加工装置に
よれば、定盤が局部的に摩耗してしまった場合でも、定
盤の温度コントロールによる表面板の膨縮によって、定
盤の表面をほぼ平坦に回復させることができる。その結
果、薄板を定盤に常時に均一圧力で押圧することがで
き、薄板の被加工面を高平坦度とすることができる。
載の面加工装置において、前記定盤の表面板は熱膨張係
数の異なる複数の金属を重畳して構成されており、前記
平坦化手段は、前記定盤の温度コントロールによって、
前記定盤の表面をほぼ平坦に維持させるように構成され
ていることを特徴とするものである。この面加工装置に
よれば、定盤が局部的に摩耗してしまった場合でも、定
盤の温度コントロールによる表面板の膨縮によって、定
盤の表面をほぼ平坦に回復させることができる。その結
果、薄板を定盤に常時に均一圧力で押圧することがで
き、薄板の被加工面を高平坦度とすることができる。
【００１３】請求項６記載の面加工装置は、請求項２記
載の面加工装置において、前記定盤の表面板は膨縮自在
に構成され、前記平坦化手段は、前記表面板を圧電体に
より膨縮させることによって、前記定盤の表面をほぼ平
坦に維持させるように構成されていることを特徴とする
ものである。この面加工装置によれば、定盤が局部的に
摩耗してしまった場合でも、圧電体の動作による表面板
の膨縮によって、定盤の表面をほぼ平坦に回復させるこ
とができる。その結果、薄板を定盤に常時に均一圧力で
押圧することができ、薄板の被加工面を高平坦度とする
ことができる。
載の面加工装置において、前記定盤の表面板は膨縮自在
に構成され、前記平坦化手段は、前記表面板を圧電体に
より膨縮させることによって、前記定盤の表面をほぼ平
坦に維持させるように構成されていることを特徴とする
ものである。この面加工装置によれば、定盤が局部的に
摩耗してしまった場合でも、圧電体の動作による表面板
の膨縮によって、定盤の表面をほぼ平坦に回復させるこ
とができる。その結果、薄板を定盤に常時に均一圧力で
押圧することができ、薄板の被加工面を高平坦度とする
ことができる。
【００１４】請求項７記載の面加工装置は、請求項２記
載の面加工装置において、前記定盤の表面板は膨縮自在
に構成され、前記平坦化手段は、前記表面板を電磁石に
より膨縮させることによって、前記定盤の表面をほぼ平
坦に維持させるように構成されていることを特徴とする
ものである。この面加工装置によれば、定盤が局部的に
摩耗してしまった場合でも、電磁石による表面板の膨縮
によって、定盤の表面をほぼ平坦に回復させることがで
きる。その結果、薄板を定盤に常時に均一圧力で押圧す
ることができ、薄板の被加工面を高平坦度とすることが
できる。
載の面加工装置において、前記定盤の表面板は膨縮自在
に構成され、前記平坦化手段は、前記表面板を電磁石に
より膨縮させることによって、前記定盤の表面をほぼ平
坦に維持させるように構成されていることを特徴とする
ものである。この面加工装置によれば、定盤が局部的に
摩耗してしまった場合でも、電磁石による表面板の膨縮
によって、定盤の表面をほぼ平坦に回復させることがで
きる。その結果、薄板を定盤に常時に均一圧力で押圧す
ることができ、薄板の被加工面を高平坦度とすることが
できる。
【００１５】請求項８記載の面加工装置は、薄板を上定
盤と下定盤との間で挟み込んで、該薄板の両面に研削や
研磨などの面加工を施す面加工装置において、前記上定
盤および前記下定盤のいずれか一方の表面が他方の表面
の摩耗状態に応じて変形して、前記上定盤および前記下
定盤の表面同士が相補的形状となるように構成されてい
るものである。この面加工装置によれば、上定盤および
下定盤のいずれか一方の表面が他方の表面の摩耗状態に
応じて変形して、上定盤および下定盤の表面同士が相補
的形状となるように構成されているので、薄板を定盤に
常時に均一圧力で押圧することができ、薄板の両面を平
行に面加工することができる。この場合、薄板に弾性が
ある場合には、薄板の被加工面を高平坦度とすることが
できる。
盤と下定盤との間で挟み込んで、該薄板の両面に研削や
研磨などの面加工を施す面加工装置において、前記上定
盤および前記下定盤のいずれか一方の表面が他方の表面
の摩耗状態に応じて変形して、前記上定盤および前記下
定盤の表面同士が相補的形状となるように構成されてい
るものである。この面加工装置によれば、上定盤および
下定盤のいずれか一方の表面が他方の表面の摩耗状態に
応じて変形して、上定盤および下定盤の表面同士が相補
的形状となるように構成されているので、薄板を定盤に
常時に均一圧力で押圧することができ、薄板の両面を平
行に面加工することができる。この場合、薄板に弾性が
ある場合には、薄板の被加工面を高平坦度とすることが
できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１（ａ）には第１実施形態の面
加工装置の主要部の半径方向に沿った断面図（図９のＸ
−Ｘ線に沿った断面図と同様のもの）が示されている。
同図において符号１は定盤を示しており、この定盤１は
内周部分１ａが硬度の小さいつまり柔らかい材質で構成
され、中間部分１ｂが硬い材質で、外周部分１ｃが柔ら
かい材質で構成されている。なお、同図（ａ）では段階
的に硬度が変化しているものを示しているが、同図
（ｂ）に示すように半径方向位置に応じて連続的に硬度
を変化させるようにしても良い。なお、ここでは、定盤
１の中間部分１ｂが内周部分１ａおよび外周部分１ｃに
比べて、より摩耗される場合を想定しているが、定盤１
の内周部分１ａおよび外周部分１ｃが中間部分１ｂに比
べて、より摩耗される場合にも適用できる。その場合に
は、図２（ａ）に示すように内周部分１ａおよび外周部
分１ｃを硬い材質で、中間部分１ｂを比較的に柔らかい
材質で構成するようにすれば良い。また、同図（ａ）で
は段階的に硬度が変化しているものを示しているが、同
図（ｂ）に示すように半径方向位置に応じて連続的に硬
度を変化させるようにしても良い。また、前記のように
半径方向の位置により定盤１の硬度を変化させる場合、
定盤１の表面板あるいは表層だけの硬度を変化させるよ
うにしても良い。
加工装置の主要部の半径方向に沿った断面図（図９のＸ
−Ｘ線に沿った断面図と同様のもの）が示されている。
同図において符号１は定盤を示しており、この定盤１は
内周部分１ａが硬度の小さいつまり柔らかい材質で構成
され、中間部分１ｂが硬い材質で、外周部分１ｃが柔ら
かい材質で構成されている。なお、同図（ａ）では段階
的に硬度が変化しているものを示しているが、同図
（ｂ）に示すように半径方向位置に応じて連続的に硬度
を変化させるようにしても良い。なお、ここでは、定盤
１の中間部分１ｂが内周部分１ａおよび外周部分１ｃに
比べて、より摩耗される場合を想定しているが、定盤１
の内周部分１ａおよび外周部分１ｃが中間部分１ｂに比
べて、より摩耗される場合にも適用できる。その場合に
は、図２（ａ）に示すように内周部分１ａおよび外周部
分１ｃを硬い材質で、中間部分１ｂを比較的に柔らかい
材質で構成するようにすれば良い。また、同図（ａ）で
は段階的に硬度が変化しているものを示しているが、同
図（ｂ）に示すように半径方向位置に応じて連続的に硬
度を変化させるようにしても良い。また、前記のように
半径方向の位置により定盤１の硬度を変化させる場合、
定盤１の表面板あるいは表層だけの硬度を変化させるよ
うにしても良い。
【００１７】図３には第２実施形態の面加工装置の主要
部が示されている。この面加工装置では、定盤１の表面
板２が膨縮自在に構成されて、基板３に対するボルト４
の締め付けによって表面板２が膨出するようになってい
る。ここでは、定盤１の中間部分が内周部分および外周
部分に比べて、より摩耗される場合を想定しているが、
内周部分および外周部分が中間部分に比べて、より多く
摩耗される場合にも適用できる。その場合には、ボルト
４の先端を表面板２の下側に適宜な手段にて結合させて
おき、ボルト４が基板３に対して緩まる方向にボルト４
を回転させることによって、中央部分を下動させ、定盤
１の表面をほぼ平坦に維持させるようにすれば良い。
部が示されている。この面加工装置では、定盤１の表面
板２が膨縮自在に構成されて、基板３に対するボルト４
の締め付けによって表面板２が膨出するようになってい
る。ここでは、定盤１の中間部分が内周部分および外周
部分に比べて、より摩耗される場合を想定しているが、
内周部分および外周部分が中間部分に比べて、より多く
摩耗される場合にも適用できる。その場合には、ボルト
４の先端を表面板２の下側に適宜な手段にて結合させて
おき、ボルト４が基板３に対して緩まる方向にボルト４
を回転させることによって、中央部分を下動させ、定盤
１の表面をほぼ平坦に維持させるようにすれば良い。
【００１８】図４には第３実施形態の面加工装置の主要
部が示されている。この面加工装置では、定盤１の表面
板２が膨縮自在に構成されて、基板３と表面板２との間
の空間に供給される流体（液体あるいは気体）の圧力に
よって膨縮するようになっている。そのため、この面加
工装置では、前記空間に流体を供給するための流体供給
装置（図示せず）を備えている。ここでは、定盤１の中
間部分が内周部分および外周部分に比べて、より摩耗さ
れる場合を想定しているが、内周部分および外周部分が
中間部分に比べて、より多く摩耗される場合にも適用で
きる。その場合には、真空ポンプ等により、基板３と表
面板２との間の空間に供給される流体の圧力を大気圧よ
りも低くし、中間部分をへこませるようにすれば良い。
部が示されている。この面加工装置では、定盤１の表面
板２が膨縮自在に構成されて、基板３と表面板２との間
の空間に供給される流体（液体あるいは気体）の圧力に
よって膨縮するようになっている。そのため、この面加
工装置では、前記空間に流体を供給するための流体供給
装置（図示せず）を備えている。ここでは、定盤１の中
間部分が内周部分および外周部分に比べて、より摩耗さ
れる場合を想定しているが、内周部分および外周部分が
中間部分に比べて、より多く摩耗される場合にも適用で
きる。その場合には、真空ポンプ等により、基板３と表
面板２との間の空間に供給される流体の圧力を大気圧よ
りも低くし、中間部分をへこませるようにすれば良い。
【００１９】図５には第３実施形態の変形例が示されて
いる。この面加工装置では、定盤１の表面板２が、表面
溝２ａに区切られる多数の可動ブロック２ｂによって構
成されている。各可動ブロック２ｂは上下動自在に構成
されていて、各可動ブロック２ｂの下面に作用する流体
（液体あるいは気体）の圧力によって上下動するように
なっている。この変形例では、各可動ブロック２ｂの上
下動作を個別に制御するため、各可動ブロック２ｂに対
応して圧力調整器５が設けられている。この変形例によ
れば、各可動ブロック２ｂの下面に作用する流体の圧力
を高めることにより、各可動ブロック２ｂが上昇し、逆
に、流体の圧力を大気圧よりも低めることによって、各
可動ブロック２ｂが下降する。
いる。この面加工装置では、定盤１の表面板２が、表面
溝２ａに区切られる多数の可動ブロック２ｂによって構
成されている。各可動ブロック２ｂは上下動自在に構成
されていて、各可動ブロック２ｂの下面に作用する流体
（液体あるいは気体）の圧力によって上下動するように
なっている。この変形例では、各可動ブロック２ｂの上
下動作を個別に制御するため、各可動ブロック２ｂに対
応して圧力調整器５が設けられている。この変形例によ
れば、各可動ブロック２ｂの下面に作用する流体の圧力
を高めることにより、各可動ブロック２ｂが上昇し、逆
に、流体の圧力を大気圧よりも低めることによって、各
可動ブロック２ｂが下降する。
【００２０】図６には第４実施形態の面加工装置の主要
部が示されている。この面加工装置では、定盤１の表面
板２が膨縮自在に構成されている。そして、基板３上に
設置される電磁石６の作動によって、表面板２下に設置
される永久磁石７に斥力を作用させ、定盤１の表面板２
の中間部分を膨出させるようになっている。そのため、
この面加工装置では、前記電磁石６に給電を行なう給電
装置（図示せず）を備えている。ここでは、定盤１の中
間部分が内周部分および外周部分に比べて、より摩耗さ
れる場合を想定しているが、内周部分および外周部分が
中間部分に比べて、より多く摩耗される場合にも適用で
きる。その場合には、電磁石６の作動によって、永久磁
石７に引力を作用させ、中間部分をへこませるようにす
れば良い。
部が示されている。この面加工装置では、定盤１の表面
板２が膨縮自在に構成されている。そして、基板３上に
設置される電磁石６の作動によって、表面板２下に設置
される永久磁石７に斥力を作用させ、定盤１の表面板２
の中間部分を膨出させるようになっている。そのため、
この面加工装置では、前記電磁石６に給電を行なう給電
装置（図示せず）を備えている。ここでは、定盤１の中
間部分が内周部分および外周部分に比べて、より摩耗さ
れる場合を想定しているが、内周部分および外周部分が
中間部分に比べて、より多く摩耗される場合にも適用で
きる。その場合には、電磁石６の作動によって、永久磁
石７に引力を作用させ、中間部分をへこませるようにす
れば良い。
【００２１】図７には第５実施形態の面加工装置の主要
部が示されている。この面加工装置では、定盤１の表面
板２が膨縮自在に構成されている。そして、基板３と表
面板２の間に設置される圧電体８の作用によって、定盤
１の表面板２の中間部分を膨出させるようになってい
る。そのため、この面加工装置では、前記圧電体８に給
電を行なう給電装置（図示せず）を備えている。ここで
は、定盤１の中間部分が内周部分および外周部分に比べ
て、より摩耗される場合を想定しているが、内周部分お
よび外周部分が中間部分に比べて、より多く摩耗される
場合にも適用できる。その場合には、圧電体８の作動に
よって、中間部分をへこませるようにすれば良い。
部が示されている。この面加工装置では、定盤１の表面
板２が膨縮自在に構成されている。そして、基板３と表
面板２の間に設置される圧電体８の作用によって、定盤
１の表面板２の中間部分を膨出させるようになってい
る。そのため、この面加工装置では、前記圧電体８に給
電を行なう給電装置（図示せず）を備えている。ここで
は、定盤１の中間部分が内周部分および外周部分に比べ
て、より摩耗される場合を想定しているが、内周部分お
よび外周部分が中間部分に比べて、より多く摩耗される
場合にも適用できる。その場合には、圧電体８の作動に
よって、中間部分をへこませるようにすれば良い。
【００２２】図８（ａ）には第６実施形態の面加工装置
の主要部が示されている。この面加工装置では、定盤１
の表面板２とその下に位置する基板３が互いに熱膨張係
数が異なる金属によって構成されている。この表面板２
と基板３は重畳状態に構成されている。この基板３の下
側にはヒータ９ａが設置され、このヒータ９ａには図示
しない給電装置によって給電がされるようになってい
る。また、ヒータ９ａの下側には冷却水管９ｂが設置さ
れ、この水管９ｂには図示しない冷却水供給装置によっ
て冷却水が供給されるようになっている。なお、このよ
うにして定盤１を構成する場合には、定盤１を円周方向
によって複数個に分割しておくことが必要である。この
面加工装置によれば、ヒータ９ａによって定盤１を暖め
た際に定盤１の中間部分が内周部分および外周部分に対
して相対的にへこみ（同図（ｂ））、水管９ｂによって
定盤１を冷却した際に定盤１の中間部分が内周部分およ
び外周部分に対して相対的荷膨縮する（同図（ｃ））。
その結果、定盤１の中間部分が内周部分および外周部分
に比べて、より摩耗される場合、逆に、内周部分および
外周部分が中間部分に比べて、より多く摩耗される場合
双方に利用できる。
の主要部が示されている。この面加工装置では、定盤１
の表面板２とその下に位置する基板３が互いに熱膨張係
数が異なる金属によって構成されている。この表面板２
と基板３は重畳状態に構成されている。この基板３の下
側にはヒータ９ａが設置され、このヒータ９ａには図示
しない給電装置によって給電がされるようになってい
る。また、ヒータ９ａの下側には冷却水管９ｂが設置さ
れ、この水管９ｂには図示しない冷却水供給装置によっ
て冷却水が供給されるようになっている。なお、このよ
うにして定盤１を構成する場合には、定盤１を円周方向
によって複数個に分割しておくことが必要である。この
面加工装置によれば、ヒータ９ａによって定盤１を暖め
た際に定盤１の中間部分が内周部分および外周部分に対
して相対的にへこみ（同図（ｂ））、水管９ｂによって
定盤１を冷却した際に定盤１の中間部分が内周部分およ
び外周部分に対して相対的荷膨縮する（同図（ｃ））。
その結果、定盤１の中間部分が内周部分および外周部分
に比べて、より摩耗される場合、逆に、内周部分および
外周部分が中間部分に比べて、より多く摩耗される場合
双方に利用できる。
【００２３】以上、本発明者がなした実施形態について
説明したが、本発明は、かかる実施形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変
形が可能である。
説明したが、本発明は、かかる実施形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変
形が可能である。
【００２４】例えば、前記実施形態では、下側の定盤１
を説明したが、両面加工機の場合には、上側の定盤も同
様に構成することが必要である。
を説明したが、両面加工機の場合には、上側の定盤も同
様に構成することが必要である。
【００２５】また、前記実施形態では、「面加工装置」
として研削装置と研磨装置を同時に説明してきたが、研
削装置では定盤１の表面に研削液を排出させるための溝
が格子状に形成されているので、表面板２を膨出させた
場合、その溝で区切られた部分の角部によって、被加工
物に傷がついてしまうおそれがあるので、その場合に
は、比較的硬いダミーの被加工物を研削することによっ
て、その角部を落とすようにすることが必要となる。
として研削装置と研磨装置を同時に説明してきたが、研
削装置では定盤１の表面に研削液を排出させるための溝
が格子状に形成されているので、表面板２を膨出させた
場合、その溝で区切られた部分の角部によって、被加工
物に傷がついてしまうおそれがあるので、その場合に
は、比較的硬いダミーの被加工物を研削することによっ
て、その角部を落とすようにすることが必要となる。
【００２６】さらに、前記実施形態では、第２実施形態
〜第６実施形態において、定盤を平坦化させる手段につ
いて説明してきたが、薄板を上定盤と下定盤との間で挟
み込んで、該薄板の両面に研削や研磨などの面加工を施
す面加工装置において、前記上定盤および前記下定盤の
いずれか一方の表面が他方の表面の摩耗状態に応じて変
形して、前記上定盤および前記下定盤の表面同士が相補
的形状となるように構成されていても良い。この面加工
装置によれば、上定盤および下定盤のいずれか一方の表
面が他方の表面の摩耗状態に応じて変形して、上定盤お
よび下定盤の表面同士が相補的形状となるように構成さ
れているので、薄板の押付け力は均一となり、薄板の両
面を平行に加工することができる。この場合、薄板に弾
性がある場合には、薄板の被加工面が高平坦度となる。
〜第６実施形態において、定盤を平坦化させる手段につ
いて説明してきたが、薄板を上定盤と下定盤との間で挟
み込んで、該薄板の両面に研削や研磨などの面加工を施
す面加工装置において、前記上定盤および前記下定盤の
いずれか一方の表面が他方の表面の摩耗状態に応じて変
形して、前記上定盤および前記下定盤の表面同士が相補
的形状となるように構成されていても良い。この面加工
装置によれば、上定盤および下定盤のいずれか一方の表
面が他方の表面の摩耗状態に応じて変形して、上定盤お
よび下定盤の表面同士が相補的形状となるように構成さ
れているので、薄板の押付け力は均一となり、薄板の両
面を平行に加工することができる。この場合、薄板に弾
性がある場合には、薄板の被加工面が高平坦度となる。
【発明の効果】本発明によれば、薄板を定盤に押し付け
て、該薄板に研削や研磨などの面加工を施す面加工装置
において、前記定盤の半径方向位置に応じて該定盤の硬
度を変えたり、前記定盤の摩耗状態に応じて作動して、
前記定盤の表面をほぼ平坦に維持させる平坦化手段を有
しているので、薄板の高平坦化に好適なものとなる。
て、該薄板に研削や研磨などの面加工を施す面加工装置
において、前記定盤の半径方向位置に応じて該定盤の硬
度を変えたり、前記定盤の摩耗状態に応じて作動して、
前記定盤の表面をほぼ平坦に維持させる平坦化手段を有
しているので、薄板の高平坦化に好適なものとなる。
【図１】第１実施形態およびその変形例の概念図であ
る。
る。
【図２】第１実施形態およびその変形例の概念図であ
る。
る。
【図３】第２実施形態の概念図である。
【図４】第３実施形態の概念図である。
【図５】第３実施形態の変形例の概念図である。
【図６】第４実施形態の概念図である。
【図７】第５実施形態の概念図である。
【図８】第６実施形態の概念図である。
【図９】面加工装置の主要部を示す図である。
【図１０】半導体ウェーハを保持したキャリアの平面図
である。
である。
【図１１】従来の問題点を説明するための図である。
１ 定盤 ２ 表面板 ３ 基板 ４ ボルト ５ 圧力調整器 ６ 電磁石 ７ 永久磁石 ８ 圧電体 ９ａ ヒータ ９ｂ 水管
Claims (8)
- 【請求項１】 薄板を定盤に押し付けて、該薄板に研削
や研磨などの面加工を施す面加工装置において、前記定
盤の半径方向位置に応じて該定盤の硬度を変えて、該定
盤の表面をほぼ平坦に維持させるようにしたことを特徴
とする面加工装置。 - 【請求項２】 薄板を定盤に押し付けて、該薄板に研削
や研磨などの面加工を施す面加工装置において、前記定
盤の摩耗状態に応じて作動して、前記定盤の表面をほぼ
平坦に維持させる平坦化手段を有していることを特徴と
する面加工装置。 - 【請求項３】 前記定盤は複数の分割ブロックによって
構成され、この複数の分割ブロックのうちの少なくとも
１つは上下方向に移動可能な可動ブロックとなってお
り、前記平坦化手段は、この可動ブロックを移動させる
ことによって、前記定盤の表面をほぼ平坦に維持させる
ように構成されていることを特徴とする請求項２記載の
面加工装置。 - 【請求項４】 前記定盤の表面板は膨縮自在に構成さ
れ、この表面板の背後には流体溜が設けられており、前
記平坦化手段は、この流体溜に対して圧力流体を給排し
て、前記表面板を膨縮させることによって、前記定盤の
表面をほぼ平坦に維持させるように構成されていること
を特徴とする請求項２記載の面加工装置。 - 【請求項５】 前記定盤の表面板は熱膨張係数の異なる
複数の金属を重畳して構成されており、前記平坦化手段
は、前記定盤の温度コントロールによって、前記定盤の
表面をほぼ平坦に維持させるように構成されていること
を特徴とする請求項２記載の面加工装置。 - 【請求項６】 前記定盤の表面板は膨縮自在に構成さ
れ、前記平坦化手段は、前記表面板を圧電体により膨縮
させることによって、前記定盤の表面をほぼ平坦に維持
させるように構成されていることを特徴とする請求項２
記載の面加工装置。 - 【請求項７】 前記定盤の表面板は膨縮自在に構成さ
れ、前記平坦化手段は、前記表面板を電磁石により膨縮
させることによって、前記定盤の表面をほぼ平坦に維持
させるように構成されていることを特徴とする請求項２
記載の面加工装置。 - 【請求項８】 薄板を上定盤と下定盤との間で挟み込ん
で、該薄板の両面に研削や研磨などの面加工を施す面加
工装置において、前記上定盤および前記下定盤のいずれ
か一方の表面が他方の表面の摩耗状態に応じて変形し
て、前記上定盤および前記下定盤の表面同士が相補的形
状となるように構成されていることを特徴とする面加工
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7450196A JPH09262759A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 面加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7450196A JPH09262759A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 面加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09262759A true JPH09262759A (ja) | 1997-10-07 |
Family
ID=13549136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7450196A Pending JPH09262759A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 面加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09262759A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003083917A1 (fr) * | 2002-03-28 | 2003-10-09 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Dispositif et procede de polissage a double face pour plaquette |
| JP2006526902A (ja) * | 2003-06-03 | 2006-11-24 | ネオパッド テクノロジーズ コーポレイション | 化学機械的平坦化のための機能的に漸次的変化されたパッドの組み立て |
| JP2008235899A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Siltronic Ag | 複数の半導体ウェハを同時に研削するための方法 |
| JP2009023088A (ja) * | 2008-10-30 | 2009-02-05 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | ラップ盤 |
| US7806033B2 (en) | 2000-12-20 | 2010-10-05 | Scintilla Ag | Saw blade |
| US20200376700A1 (en) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing platens and polishing platen manufacturing methods |
-
1996
- 1996-03-28 JP JP7450196A patent/JPH09262759A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7806033B2 (en) | 2000-12-20 | 2010-10-05 | Scintilla Ag | Saw blade |
| WO2003083917A1 (fr) * | 2002-03-28 | 2003-10-09 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Dispositif et procede de polissage a double face pour plaquette |
| CN100380600C (zh) * | 2002-03-28 | 2008-04-09 | 信越半导体株式会社 | 晶片的两面研磨装置及两面研磨方法 |
| US7364495B2 (en) | 2002-03-28 | 2008-04-29 | Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer double-side polishing apparatus and double-side polishing method |
| JP2006526902A (ja) * | 2003-06-03 | 2006-11-24 | ネオパッド テクノロジーズ コーポレイション | 化学機械的平坦化のための機能的に漸次的変化されたパッドの組み立て |
| JP4746540B2 (ja) * | 2003-06-03 | 2011-08-10 | ネクスプラナー コーポレイション | 化学機械的平坦化のための機能的に漸次的変化されたパッドの組み立て |
| JP2008235899A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Siltronic Ag | 複数の半導体ウェハを同時に研削するための方法 |
| US8113913B2 (en) | 2007-03-19 | 2012-02-14 | Siltronic Ag | Method for the simultaneous grinding of a plurality of semiconductor wafers |
| JP2009023088A (ja) * | 2008-10-30 | 2009-02-05 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | ラップ盤 |
| US20200376700A1 (en) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing platens and polishing platen manufacturing methods |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050222 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050823 |