TWI824493B - 表面處理裝置及方法 - Google Patents

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特查寇 林德哲
米歇爾 迪傑斯特拉
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Abstract

本發明揭示一種用於處理一基板支撐件之一表面的表面處理裝置，其中該表面處理裝置包含一接觸表面，該接觸表面經組態以接觸該基板支撐件之該表面。該接觸表面經組態至少有具有一第一曲率中心之一第一輪廓及具有一第二曲率中心之一第二輪廓，其中該第一曲率中心及該第二曲率中心係非重合點。

Description

表面處理裝置及方法
本發明係關於一種表面處理裝置及一種使用該表面處理裝置修整一基板支撐件之一表面的方法。
微影設備係經構造以將所要圖案施加至基板上之一機器。舉例而言，微影設備可用於製造積體電路(IC)。舉例而言，微影設備可將圖案化裝置(例如，遮罩)之圖案(通常亦被稱為「設計佈局」或「設計」)投影至設置於基板(例如，晶圓)上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。圖案之轉印通常經由成像至設置於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。通常，單個基板將含有連續圖案化之毗鄰目標部分的網路。習知微影設備包括所謂的步進器，其中藉由一次將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分，及所謂的掃描器，其中藉由沿給定方向(「掃描」方向)藉由輻射光束掃描圖案來照射每一目標部分，同時平行或反平行於此方向同步掃描基板。亦可能藉由將圖案壓印至基板上來將圖案自圖案化裝置轉移至基板。
積體電路及其他微型裝置通常使用光學微影製造，但其他製造技術，諸如壓印微影、電子束微影及奈米級自組裝亦係已知的。通常，基板將由基板固持器支撐，同時基板設置有所要圖案。當基板定位於基板固持器上時，基板與基板固持器之間的摩擦可防止基板在基板固持器 之表面上方變平。為了解決此問題，基板固持器可設置有使基板與基板固持器之間的接觸區最小化的支撐元件。基板固持器之表面上之支撐元件可另外被稱為瘤節或突起。支撐元件通常規則地間隔開(例如，以均勻的陣列)並且具有均勻的高度，並且界定可將基板定位在其上之極其扁平的整體支撐表面。支撐元件減少了基板固持器與基板之間的接觸區，因此減少了摩擦，並允許基板移動至基板固持器上之較扁平位置。
支撐元件通常自基板固持器之表面沿第一方向大體上垂直地延伸。在操作中，基板之背面經支撐在支撐元件上，在與基板固持器之主體表面相距一較小距離處。因此，支撐元件之頂部(亦即，支撐表面)，而非基板固持器之主體表面，界定基板之有效支撐表面。
為了避免例如在基板上投射經圖案化輻射光束期間的疊對誤差，期望基板頂表面係扁平的。基板支撐件之支撐表面的不平整可能導致基板之頂表面不平整。因此，期望避免基板支撐件中之不平整。
若在支撐元件之頂表面與基板之間存在污染物，則基板之扁平度會減小。支撐元件的磨損亦可導致不平整。
通常藉由使處理工具(或處理裝置)在支撐元件之頂表面上方(沿與第一方向正交的方向)移動來定期清潔基板支撐件，從而自基板支撐件上移除污染物。此類處理工具之實例在WO 2016/081951及WO 2018/224303中揭示。處理工具可在其在基板支撐件上方相對移動的同時旋轉(及/或傾斜)。舉例而言，治療工具可經配置使得與支撐元件之頂表面接觸的表面(相對)在平行於支撐元件之頂表面所位於之平面的平面中旋轉。處理工具之佔用面積通常小於基板支撐件之佔用面積，以使得基板支撐件及處理工具在處理期間相對於彼此移動。處理工具可由例如花崗岩或 Si/SiC製成。
治療工具亦可經組態以修改支撐元件之遠端。亦即，藉由應用此等工具與基板支撐件相互作用，遠端之表面粗糙度經改變，且因此基板支撐件經修整。此等處理工具通常係圓形的且具有扁平且連續的接觸表面區，如在WO 2019/154630中所揭示，或具有由複數個突起形成的接觸表面，如在WO 2020/020568中所揭示。另一已知的處理工具設置有具有環形形狀之接觸表面，由此與欲處理之表面形成閉環線接觸，WO 2016/081951。
已知的處理裝置在邊緣區域處及/或在中心區域處引入基板支撐件之非等材料移除(修整)。此意味著處理裝置缺乏修理基板支撐件之中心區域及/或邊緣區域。非最佳修整基板支撐件最終可導致生產期間之疊對誤差。
本發明之目的係提供表面處理裝置，該表面處理裝置實現組件表面(例如，邊緣區域及中心區域處之基板支撐件之表面)之修整的改良。
根據本發明之態樣，提供一種用於處理基板支撐件之表面的表面處理裝置。表面處理裝置包含接觸表面，該接觸表面經組態以接觸基板支撐件之表面。接觸表面至少包含具有第一曲率中心之第一輪廓及具有第二曲率中心之第二輪廓，其中第一曲率中心及第二曲率中心係非重合點。換言之，接觸表面包含第一圓弧形輪廓及第二圓弧形輪廓，其中第一圓弧形輪廓係具有第一曲率中心之第一輪廓且第二圓弧形輪廓係具有第二曲率中心之第二輪廓。第二輪廓相對於第一輪廓配置在表面處理裝置之相 對側處。因此，接觸表面至少以兩個圓弧為界。與習知表面處理裝置相比，上述情形使得接觸表面能夠相對減少，例如，同時第一輪廓的半徑大體上等於基板支撐件之外半徑，此有利於表面處理裝置之修整效能。特別地，改良邊緣區域及中心區域處之基板支撐件之表面的修整。
根據本發明之另一態樣，表面處理裝置經組態有第二輪廓，第二輪廓具有大體上等於第一半徑之第二半徑。在減小的接觸區旁邊，第二輪廓可用於與基板支撐件之周邊對準，類似於第一輪廓。
根據本發明之又一態樣，表面處理裝置可在接觸表面處包含一或多個凹陷區域。因此，可最佳化表面處理裝置對基板支撐件(或工件)的表面負載。因此，此可導致裝置之修整效能的改良。
此外，藉由在表面處理裝置之接觸表面處提供倒角邊緣，當表面處理裝置在修整動作期間經過不平整表面時，可獲得更平緩過渡。
根據本發明之另一態樣，表面處理裝置可為模組化表面處理裝置，其包含載體元件、接合層及表面處理薄片。接合層經配置以將表面處理薄片接合至載體元件，且表面處理薄片包含接觸表面。因此，例如，當表面處理薄片磨損時或當修整動作需要具有不同表面性質的薄片時，可用不同薄片替換表面處理薄片。
根據本發明之另一態樣，表面處理裝置具有接觸表面，該接觸表面包含花崗岩、矽、碳化矽、類金剛石碳、球纖金剛石及金剛石中之至少一者。材料的選擇可取決於需要處理(或修整)之表面的材料性質。
根據本發明之另一態樣，接觸表面包含第一表面區及第二表面區，其中第一表面區及第二表面區具有不同的接觸表面特性。基於第一表面區與第二表面區之間的面積比，可最佳化由表面處理裝置向工件 (或基板支撐件)提供的有效負載。面積比亦可有利於調諧及最佳化表面處理裝置之修整效能。
根據本發明之另一態樣，表面處理裝置可包含在接觸表面處之突起。此等突起可設置在第一表面區及/或第二表面區處。
根據本發明之態樣，提供一種使用表面處理裝置對基板支撐件之支撐表面進行修整的方法。該方法包含：(a)將一第一表面處理裝置之一第一輪廓與該基板支撐件之一周邊同心對準；(b)使該第一表面處理裝置與該支撐表面接觸；(c)在該第一表面處理裝置與該支撐表面接觸的同時使該第一表面處理裝置及該基板支撐件相對於彼此移動；及(d)在相對移動期間維持第一輪廓與基板支撐件之周邊之間的同心對準。
根據本發明之態樣，提供一種使用表面處理裝置修整基板支撐件之支撐表面的方法，包含以下步驟：使表面處理裝置以預定負載與支撐表面接觸；在表面處理裝置與支撐表面接觸的同時，使表面處理裝置及基板支撐件相對於彼此移動；及控制表面處理裝置與基板支撐件之間的接觸壓力，其中控制接觸壓力包含調節表面處理裝置與基板支撐件之間的流體壓力。
10:基板支撐件
12:支撐表面
14:突起/瘤節
20:表面處理裝置
22:半徑
24:中心軸線
30:表面處理裝置
30A:第一表面處理裝置
30B:第二表面處理裝置
30C:第三表面處理裝置
32:第一輪廓
32A:第一輪廓
32B:第一輪廓
33:第一曲率中心
33A:第一曲率中心
33B:第一曲率中心
34:第二輪廓
35:第二曲率中心
40:突起
42:凹槽
50:載體元件
52:接合層
54:表面處理薄片
60:表面處理系統
70:表面處理系統
80:表面處理系統
81:表面處理裝置
82:固持部件
83:中空的管狀部分
84:流體供應通口/流體提取通口
85:腔室
86:流體通道
87:第二通口
88:受限空間
89:流體控制模組
I:回縮模式
II:第一模式
III:第二模式
IV:第三模式
現在將僅藉由實例的方式參考隨附示意圖描述本發明之實施例，在附圖中：
- 圖1A描繪在基板支撐件上的習知表面處理裝置的示意性平面圖。
- 圖1B描繪在基板支撐件上之習知表面處理裝置的示意性剖面圖。
- 圖1C說明習知表面處理裝置之修整效能隨基板支撐件上之位置而變。
- 圖2描繪根據本發明之實施例的表面處理裝置在基板支撐件上的示意性平面圖。
- 圖3A、圖3B及圖3C描繪在三個位置處之基板支撐件上的根據本發明之實施例的表面處理裝置的示意圖。
- 圖4A、圖4B、圖4C及圖4D描繪根據本發明之實施例的表面處理裝置的示意圖。
- 圖5A、圖5B及圖5C描繪根據本發明之實施例的表面處理裝置的示意圖。
- 圖6以接觸表面之特寫視圖描繪根據本發明之實施例的表面處理裝置的示意性底視圖。
- 圖7描繪根據本發明之實施例的表面處理裝置的示意性剖面圖。
- 圖8A描繪根據本發明之實施例的表面處理系統的示意性平面圖。
- 圖8B描繪在基板支撐件之修整過程期間如圖8A中所描繪的表面處理系統的示意性剖面圖。
- 圖9A描繪根據本發明之實施例的表面處理系統的示意性平面圖。
- 圖9B描繪在基板支撐件之修整過程期間如圖9A中所描繪的表面處理系統的示意性剖面圖。
- 圖10描繪根據本發明之實施例的表面處理系統的示意性平面圖。
- 圖11描繪根據本發明之實施例的表面處理系統的示意性剖面圖。
在微影程序期間，安置在基板支撐件上之基板藉由位於微影系統內之曝光系統曝露於投影至基板之表面上的影像。微影設備可為一種類型，其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間，此亦被稱為浸潤式微影。關於浸潤技術之較多資訊在US6952253(其以引用的方式併入本文)中給出。
微影設備亦可為具有兩個基板支撐件(亦被稱為「雙載物台」)或更多基板支撐件的類型。在此類「多載物台」機器中，基板支撐件可並行使用，及/或可對位於基板支撐件中之一者上之基板實施準備基板之後續曝光的步驟，而另一基板支撐件上之另一基板用於曝露其他基板上之圖案。
基板支撐件，例如晶圓台，係由主體材料構成之工件，該主體材料通常設置有複數個突起，亦被稱為瘤節。基板支撐件及瘤節的主要功能係支撐基板(例如，晶圓)。通常，瘤節之頂表面經組態有奈米粗糙度以最小化基板與瘤節之間的摩擦影響，此在用於微影設備時有利於疊對效能。在使用期間，基板支撐件可曝露於流體，例如沖洗及/或浸沒液體，並與裝載至基板支撐件上之基板的背面相互作用。因此，隨著每一晶圓裝載及卸載，瘤節頂部上之奈米粗糙度緩慢平滑化，且明顯地縮短基板支撐件的使用壽命。
隨著基板支撐件之表面隨時間劣化，該表面可藉助於修整裝置修整(或處理)以便延長基板支撐件的使用壽命。圖1A及圖1B描繪經構造以將基板固持在支撐表面12處的基板支撐件10的說明。基板支撐件10包含複數個突起14(例如，瘤節)以支撐基板。習知表面處理裝置20經配 置以與複數個突起14之頂表面相互作用，以便修整頂表面。習知表面處理裝置20通常為圓形或環形，具有中心軸線24及半徑22小於基板支撐件10之半徑(亦即，外半徑)的輪廓。
在典型的修整程序期間，習知表面處理裝置20與基板支撐件10之支撐表面12接觸，同時以大體上平面運動(在xy平面內)相對於彼此移動。此可為在由基板支撐件界定的平面中之軌道運動。在邊緣區域處，裝置20沿循基板支撐件10之邊緣輪廓。通常，習知表面處理裝置20在修整程序期間不會超出基板支撐件10之邊緣(或邊沿)，此係因為此超出可導致習知表面處理裝置20與基板支撐件10之間的接觸壓力之改變。此改變又可導致在邊緣區域(或周邊區域)處對支撐表面12進行不受控制的修整。
隨著習知表面處理裝置20及基板支撐表面12相對於彼此的相對移動，習知表面處理裝置20可沿循表面12上方由基板支撐件10之周邊限制的軌跡。舉例而言，軌跡可沿著基板支撐件10之周邊。發明人注意到，由於習知表面處理裝置20的形狀及其相對運動，習知表面處理裝置20與邊緣瘤節(或邊緣區域處之瘤節)(該等邊緣瘤節在周邊處以寬度大約為習知表面處理裝置20之半徑22的環形分佈)的接觸時間少於裝置20與較遠離基板支撐件10之邊緣的瘤節的接觸時間。此意味著習知表面處理裝置20對於配置在距基板支撐件10之外邊緣(如圖1C之插圖中之黑環所說明)小於習知表面處理裝置20之半徑22的距離內的瘤節的修整效能低於對較遠離邊緣之彼等瘤節的修整效能。因此，習知表面處理裝置20之修整效能在正被修整的工件之表面上方並非恆定。如由圖1C所說明，在基板支撐件10之邊緣處以及在中心區處，修整效能下降。
發明人認識到習知表面處理裝置20的形狀及大小係習知表 面處理裝置20之效能的限制因素。為了在周邊修整支撐表面12，表面處理裝置應具有與基板支撐件10之外輪廓匹配的輪廓。此將意味著習知表面處理裝置20在大小上將與基板支撐件10相似，此並非較佳解決方案。在彼狀況下，由於大小，平面內橫向移動受到限制，且因此，表面12之修整亦受到限制。隨著裝置12之速度沿著徑向方向增加，繞中心軸線旋轉大小與基板支撐件10相似的習知表面處理裝置20將導致表面12之不平整修整。因此，中心區處之修整最小，而周邊區域處之修整最大。
圖2描繪根據本發明之表面處理裝置30的實施例的說明。表面處理裝置30包含接觸表面，該接觸表面經組態以接觸工件之表面，例如基板支撐件10之支撐表面12，以便修整支撐表面12。接觸表面至少分別包含具有第一曲率中心33之第一輪廓32及具有第二曲率中心35之第二輪廓34。其中第一曲率中心33與第二曲率中心35係非重合點。因此，表面處理裝置30包含至少由兩個圓弧(第一圓弧及第二圓弧)界定的接觸表面，其中第一圓弧係具有第一曲率中心33之第一輪廓32且第二圓弧係具有第二曲率中心35之第二輪廓34。
習知表面處理裝置20通常係具有單個輪廓及單個曲率中心的圓形，或係具有由單個及共同曲率中心(亦即，重合點)界定的外輪廓及內輪廓的環形(WO 2016/081951)。
為了相對於習知表面處理裝置20改良表面處理裝置30之修整效能，至少第一輪廓32可具有與欲由表面處理裝置30修整之基板支撐件10之表面處的周邊的曲率大體上相似的第一曲率。因此，第一輪廓32的半徑大體上等於基板支撐件10之外半徑，亦即，表面處理裝置30包含與基板支撐件10之外輪廓匹配的第一輪廓32。
當表面處理裝置30(具有第一輪廓32，該第一輪廓與基板支撐件10之表面處周邊之曲率大體上相似)與基板支撐件10接觸時，且第一輪廓32與基板支撐件10之外輪廓對準，第一曲率中心33與基板支架10之中心軸線重合。換言之，表面處理裝置32及基板支撐件10同軸對準(同心)。
鑒於製造公差，第一輪廓32可具有在0.94 Rs至1.06 Rs的範圍內的半徑，其中Rs係基板支撐件10的外半徑，以確保在基板支撐件10之周邊區域處之修整效能。典型的基板支撐件10經組態以支撐具有直徑為150mm、200mm或300mm的基板並且具有相當的外徑。
舉例而言，經配置以修整具有300mm外徑、因此具有150mm外半徑的基板支撐件10之表面的表面處理裝置30包含對應於大約150mm的半徑的第一輪廓32。因此，表面處理裝置30在周邊處實現對支撐表面12進行修整。
如由圖2所說明，表面處理裝置30具有與工件重疊區部分，該區部分小於工件之表面區(例如，基板支撐件10)。因此，表面處理裝置30直接覆蓋的區係工件表面之區的區段。
第二輪廓34相對於第一輪廓32配置在表面處理裝置30之相對側處，亦即，在接觸表面之相對側處。藉助於第二輪廓34，可界定表面處理裝置30之接觸表面的面積。此有利於在處理步驟期間減少表面處理裝置30與經配置離基板支撐件10之邊緣稍遠一些的瘤節14的接觸時間。因此，在基板支撐件10之邊緣區域處之支撐表面12可經修整，而對遠離邊緣區域之支撐表面12沒有或受到有限的影響，從而允許在包括中心區域的整個表面上方具有均勻的修整效能。
為了確保支撐表面12之最佳修整，表面處理裝置30之定向需要適應支撐表面12處的位置。亦即，表面處理裝置30經配置以隨著其(相對地)沿著基板支撐件10之周邊移動而旋轉，使得第一輪廓32保持與基板支撐件10之周邊對準，亦即保持同軸或同心對準，如在圖3中所說明。因此，表面處理裝置30的旋轉與基板支撐件10的相對移動及/或表面處理裝置30在基板支撐件10之表面12處的位置同步。注意，相對移動係表面處理裝置30及基板支撐件10相對於彼此的移動。
表面處理裝置30與工件(例如，基板支撐件10)的同步(亦即，裝置與工件的同心對準)可藉助於控制器來完成。控制器可接收表面處理裝置30的資訊，例如表面處理裝置30相對於基板支撐件10的位置及定向的資訊，並且可接收基板支撐件10的資訊，例如基板支撐件10相對於表面處理裝置30的位置及速度的資訊。基於所接收的資訊，可包含用以計算及界定表面處理裝置30之相對位置及定向的控制軟體的控制器可經配置以向表面處理裝置30及基板支撐件提供控制信號10。因此，在修整程序期間控制表面處理裝置30及/或基板支撐件10。例如，當表面處理裝置經配置在微影設備中時，控制器可為微影設備之一部分。
為了支援表面處理裝置30相對於基板支撐件10之定向及位置的同步(同心對準)及控制，表面處理裝置30可包含角位置指示器。包含偵測器的感測器系統可經配置在表面處理裝置30處(例如，在微影設備中)，其中偵測器經組態以藉助於光學偵測或藉由電或磁構件來偵測角位置指示器。感測器系統可提供對應於表面處理裝置30之角位置的輸出值。此輸出值可作為表面處理裝置30相對於基板支撐件10之位置及定向的資訊發送至控制器並由控制器使用。
圖4A至圖4D以及圖5A至圖5C說明根據本發明之表面處理裝置30。如上文所解釋，具有第一曲率中心33之第一輪廓32將與基板支撐件10之表面處的周邊的曲率大體上相似，亦即，第一輪廓32與基板支撐件10之外輪廓匹配。因此，第一輪廓32係經定向為凸面輪廓的圓弧(參見圖2至圖5)。為了使表面處理裝置30相對於基板支撐件10保持相對較小，裝置30之實際大小及接觸區受第二輪廓34的限制。否則，表面處理裝置將具有與工件大體上相同的尺寸，此在例如微影設備中配置及使用該裝置時係不實用的。
具有第二曲率中心35之第二輪廓34(其中第二曲率中心35及第一曲率中心33係非重合點)可為形成凸凸形接觸表面的凸面輪廓(如在圖4A、圖5A、圖5B中所說明)、形成凸凹形接觸表面的凹面輪廓(如在圖4B、圖4C、圖5C中所說明)或形成凸平面形接觸表面的扁平輪廓(如在圖4D中所說明)。第二輪廓34可具有與第一輪廓的半徑相同的半徑，如在圖5B中所說明。因此，第二輪廓34可用於與基板支撐件10之周邊對準。
表面處理裝置可具有新月形狀，如由圖4B所說明。因此，接觸表面由兩個相交的圓弧(亦即，第一輪廓32及第二輪廓34)界定。
根據本發明之實施例，表面處理裝置30可形成為具有連續接觸表面的單件。連續接觸表面(其係大體上扁平表面)可有利於使支撐表面12之表面變平及/或清潔。此類變平或清潔裝置可用於移除支撐表面12處之污染物。藉助根據本發明之表面處理裝置30，可局部地以及在整個表面上方進行污染物移除。因此，允許對包括中心區域之支撐表面12進行局部及全局修整。
根據本發明之另一實施例，表面處理裝置30包含具有突起 之接觸表面。圖6說明表面處理裝置30及包含突起40之接觸表面的特寫。如所說明，突起40可具有例如三角形或正方形。突起40之形狀不限於所說明形狀，但可具有任何形狀。可在毗鄰突起40之間提供間隙或凹槽42。凹槽42可收集在修整過程期間自支撐表面12(尤其自瘤節14)移除的碎屑。另外，藉助配置突起40及凹槽42，表面處理裝置30與支撐表面12的標稱接觸區減小，且因此可增加突起在支撐面12處的有效接觸壓力。此可影響修整效能。
在另一實施例中，表面處理裝置30可具有包含第一表面區及第二表面區的接觸表面，其中第一表面區及第二表面區具有不同的接觸表面特性。舉例而言，第一表面區可包含連續的接觸表面並且第二表面區可包含具有突起的接觸表面。或者，舉例而言，第一及第二表面區兩者皆可包含突起，每一突起具有不同的突起區密度及/或突起形狀。基於第一表面區與第二表面區之間的面積比，可最佳化表面處理裝置對工件提供的有效負載。面積比亦可有利於調諧及最佳化表面處理裝置30之修整效能。表面特性的差異亦可為材料(組合物)、硬度及/或粗糙度的差異。
流體供應通口及流體提取通口可配置在表面處理裝置30之內部部分處及/或表面處理裝置之外部部分處(在外邊緣處)。因此，可提供支援修整動作的流體，及/或可提取及移除由修整動作產生的碎屑。流體通口可為(外部)供應通口及提取通口。
在另一實施例中，表面處理裝置30可包含熱調節構件。此等熱構件可為嵌入在表面處理裝置30中之冷卻線及/或加熱線。因此，表面處理裝置30可保持在所定義的或較佳的工作溫度。相對於其環境冷卻或加熱表面處理裝置30以提高修整效能可能係有利的。亦即，在設備之溫度 (例如，淨室溫度)下，碎屑的移除可並非最佳的，但升高(或降低)的溫度可導致修整動作的效率提高。
圖7描繪根據本發明之實施例的表面處理裝置30的說明剖面圖。表面處理裝置30可為模組化裝置，其包含載體元件50、接合層52及表面處理薄片54，其中接合層經配置以將表面處理薄片54接合至載體元件50。表面處理薄片54具有接觸表面以修整工件之表面，例如支撐表面12，並且在相對側提供接合表面，使得表面處理薄片54可藉助於接合層52接合至載體元件50。
根據本發明，表面處理薄片54具有至少包含具有第一曲率中心33的第一輪廓32及具有第二曲率中心35的第二輪廓34的接觸表面，其中第一曲率中心33及第二曲率中心35係非重合點。表面處理薄片54的形狀可與如圖4及圖5中所說明之表面處理裝置30相似，但形狀不限於此等實例。載體元件50及接合層52可具有與表面處理薄片54相同的形狀，以便具有關於表面處理裝置30與工件之間的表面壓力控制以及工作體積的最佳功能。
熟習此項技術者可瞭解，壓力均勻性藉由引入邊界層52而得到改良。亦即，接合層52減小表面處理裝置的剛度。因此，減小的剛度導致接觸區上方的壓力的較小變化。
接合層52可為黏合層。接合層52可包含接觸緊固件，包括鉤環及鉤毛圈緊固件。
表面處理薄片54可為可移除薄片。因此，表面處理薄片54可自載體元件50移除並且可用新的表面處理薄片54替換。舉例而言，當接觸表面磨損時，且當薄片54的修整效能降低時，替換表面處理薄片係較 佳的。表面處理薄片54亦可用具有不同表面性質的薄片替換，該等表面性質對於特定的修整動作係必需的。因此，模組化表面處理裝置的載體元件54可保持在適當位置(或安裝)，而修整表面(表面處理裝置之接觸表面)經替換。
表面處理薄片54可包含與如圖6中所說明之表面處理裝置30之接觸表面相似的複數個突起及/或凹槽。
圖8A描繪根據本發明之實施例的表面處理系統60的俯視圖。表面處理系統60包含習知表面處理裝置20及根據本發明之實施例的表面處理裝置30。舉例而言，表面處理系統60包含如在圖4及圖5中所說明之表面處理裝置30，但不限於此等例示性實施例。表面處理系統經組態以適應及控制具有一或多個(習知)表面處理裝置20、30的修整程序。
在該配置中，如由圖8A所描繪，表面處理裝置30經配置以在周邊區域處修整基板支撐件10(工件)之表面，且習知表面處理裝置20經配置以修整該表面之其餘部分。
如圖8A中所說明之表面處理系統在圖8B中以剖面圖描繪。表面處理系統分三種情況說明：
I：回縮模式-習知表面處理裝置20及表面處理裝置30兩者均位於向上位置中。在此情況下，該等裝置中之無一者與基板支撐件10之表面接觸。因此，不執行支撐表面的修整。
II：邊緣模式-習知表面處理裝置20處於向上位置中，且表面處理裝置30處於修整位置中並與基板支撐件10之表面接觸。特別地，表面處理裝置30經定位且與支撐表面之邊緣(或周邊)區域接觸。表面處理裝置30與基板支撐件10同心對準。
III：中心模式-習知表面處理裝置20處於修整位置中且與基板支撐件10之表面接觸，且表面處理裝置30處於向上位置中。在此模式期間，支撐表面之中心區域由習知表面處理裝置20修整。
可藉助於利用如由圖8A及圖8B所說明之表面處理系統60的修整方法來執行基板支撐件10之支撐表面12的修整。在根據本發明之修整方法的實施中，提供基板支撐件10並將其定位在表面處理系統60的下面。使表面處理裝置30在支撐表面12之邊緣區域處之接觸區中與支撐表面12接觸，其中第一輪廓32與基板支撐件10之周邊對準(同軸對準或同心)。使表面處理裝置30與支撐表面12接觸可藉由降低裝置30來完成。舉例而言，表面處理系統60經設定(經組態)處於邊緣模式(II)中，如在圖8B中所說明。表面處理裝置30及基板支撐件10在表面處理裝置30與支撐表面12接觸的同時相對於彼此移動。相對移動可包含由基板支撐件12或基板處理裝置30進行的旋轉運動，以維持第一輪廓32與周邊之間的對準。因此，在如在圖3中所說明之相對移動期間，第一輪廓32與基板支撐件10之外輪廓(亦即，匹配定向)保持對準及匹配(同軸或同心對準)。在修整支撐表面12之邊緣區域(之一部分)之後，表面處理裝置30經重新定位或回縮，例如，置放在向上位置中，使得接觸表面不與支撐表面12接觸。可使習知表面處理裝置20在支撐表面12之邊緣區域之外的接觸區中與支撐表面12接觸。因此，使習知表面處理裝置20與尚未由表面處理裝置30修整的區接觸。舉例而言，表面處理系統60經設定(經組態)處於中心模式(III)中，如在圖8B中所說明。習知表面處理裝置20與支撐表面12之間的相對運動在裝置20與支撐表面12接觸時啟動。相對運動可為軌道運動。在修整支撐表面12之後，習知表面處理裝置20經重新定位或回縮，例如，置 放在向上位置中，使得習知表面處理裝置20不與支撐表面12接觸。舉例而言，表面處理系統60經設定(經組態)處於回縮模式(I)中，如在圖8B中所說明。
在修整程序期間的操作模式的次序不限於如上文所揭示之次序。為了修整支撐表面12，修整程序可以習知表面處理裝置20開始，然後係表面處理裝置30。
熟習此項技術者將瞭解整個支撐表面12可藉助於表面處理系統60之表面處理裝置30進行修整。
習知表面處理裝置20及表面處理裝置30兩者可在同一時刻(同時)接觸支撐表面12，以便修整支撐表面12。因此，相對於連續修整步驟，支撐表面12可在減少的時間段內經修整。
圖9A及圖10描繪根據本發明之另一實施例的表面處理系統70的俯視圖。如上文所揭示，表面處理系統70包含根據本發明之實施例的複數個表面處理裝置30。複數個表面處理裝置30可經配置成群組。表面處理系統70可包含例如第一表面處理裝置30A、第二表面處理裝置30B及第三表面處理裝置30C。在此配置中，複數個表面處理裝置30A、30B、30C中之每一者經配置以修整工件(例如基板支撐件10)之表面。
在根據圖10之配置中，表面處理裝置30A、30B之第一輪廓32A、32B皆與基板支撐件10之外輪廓匹配，其中第一曲率中心33A、33B重合(當投影至xy平面上時)。此外，在此實例中，第一曲率中心33A、33B兩者皆與基板支撐件10之中心軸線重合。儘管圖10描繪兩個表面處理裝置30A、30B，但表面處理系統70可包含多於兩個的表面處理裝置30。
儘管圖9A(及圖10)描繪具有相同形狀及相同大小的表面處理裝置30A、30B、30C之表面處理系統70，但表面處理系統70可包含複數個具有不同形狀及不同大小的表面處理裝置30。個別裝置30A、30B、30C的形狀可與如圖4及圖5中所說明之表面處理裝置30相似，但形狀不限於此等實例。
可藉助於利用如由圖9A及圖9B以及圖10所說明之表面處理系統70的修整方法來執行基板支撐件10之支撐表面12的修整。在根據本發明之修整方法的實施中，提供基板支撐件10並將其定位在表面處理系統70的下面。此可被稱為回縮模式(I)，其中所有表面處理裝置30A、30B、30C相對於基板支撐件10處於向上位置中。使第一表面處理裝置30A在支撐表面12之邊緣區域處之接觸區中與支撐表面12接觸，其中第一表面處理裝置30A之第一輪廓與基板支撐件10之周邊同心對準及匹配。使第一表面處理裝置30A與支撐表面12接觸可藉由降低第一裝置30A來完成。舉例而言，表面處理系統70處於如在圖9B中所說明之第一模式(II)。第一表面處理裝置30A及基板支撐件10在第一表面處理裝置30A與支撐表面12接觸的同時相對於彼此移動。相對移動可包含由基板支撐件12或第一基板處理裝置30A進行的旋轉運動，以維持第一表面處理裝置30A之第一輪廓與周邊之間的同心對準。藉由表面處理裝置30A相對於周邊之定向(或輪廓)的同步旋轉來維持同心對準(具有匹配的輪廓)。因此，第一基板處理裝置30A之第一曲率中心在相對移動期間與基板支撐件10之中心軸線重合。在修整支撐表面12之邊緣區域(之一部分)之後，第一表面處理裝置30A經重新定位或回縮，例如，置放在向上位置中，使得第一表面處理裝置30A之接觸表面不與支撐表面12接觸。修整程序之後可為由第二表面處 理裝置30B及/或另外由第三表面處理裝置30C執行的類似修整動作。對於此等接下來的步驟，第二表面處理裝置30B及第三表面處理裝置30C的第一輪廓與基板支撐件10之周邊同心對準，如分別由圖9B之第二模式(III)及第三模式(IV)所說明。因此，在此等接下來的步驟期間，第二表面處理裝置30B及第三表面處理裝置30C經定位成使得對於每一裝置30B、30C，當使用個別裝置時，第一曲率中心與基板支撐件之中心軸線重合。藉助於第二表面處理裝置30B及第三表面處理裝置30C對支撐表面12的修整可類似於針對第一表面處理裝置30A所描述。
根據本發明之表面修整方法可涉及一系列表面修整步驟。修整方法可針對支撐表面12的邊緣區域的修整。步驟系列可包含用第一表面處理裝置30A對邊緣區域進行修整，後續接著用第二表面處理裝置30B對邊緣區域進行修整。另外，邊緣區域之修整可藉助第三表面處理裝置30C繼續。
表面處理系統70之複數個表面處理裝置30(30A、30B、30C)可單獨(個別修整動作)或組合使用。亦即，可同時使用兩個或多於兩個的表面處理裝置30A、30B、30C。
配置在表面處理系統70中之每一表面處理裝置30A、30B、30C可具有專用的修整功能。亦即，每一表面處理裝置30A、30B、30C的修整功能(或修整特性)可彼此之間不同。差異可由材料(組合物)、材料硬度、接觸表面扁平度及粗糙度，以及突起的存在管控。舉例而言，第一表面處理裝置30A可用於清潔表面，第二表面處理裝置30B可用於粗糙化表面，且第三表面處理裝置30C可以用於使表面變平。
複數個表面處理裝置30A、30B、30C可與習知表面處理裝 置20組合使用，類似於上文參考圖8A及圖8B所揭示。因此，表面處理裝置30A、30B、30C可用於修整支撐表面12之邊緣區域，而習知表面處理裝置20可用於修整支撐表面12之剩餘部分(中心部分)。
表面處理裝置30之接觸表面的大小可為5mm至50mm，如在裝置與工件的接觸平面中量測。較佳地，表面處理裝置30具有在25mm至35mm範圍內的長度及在10mm至30mm範圍內的寬度。舉例而言，表面處理裝置30具有30mm的長度及15mm的寬度。
經配置以與工件(例如，基板支撐件10)接觸的表面處理裝置30的材料可為至少與需要修整的工件的材料一樣硬或更硬的材料。由於基板支撐件通常由硬材料製成，諸如陶瓷(例如，碳化矽(SiC)或在矽基質(Si/SiC)中具有SiC晶粒的材料)，因此表面處理裝置30以及習知表面處理裝置20當使用如由圖8A所說明之系統60時應至少一樣硬。期望此硬度以使得能夠修整支撐表面12。表面處理裝置30可包含花崗岩、矽、氮化矽、碳化矽、類金剛石碳(DLC)、球纖金剛石、金剛石或嵌入基質介質中之金剛石晶粒。舉例而言，可使用基於花崗岩的裝置來清潔基板支撐件10之支撐表面12。舉例而言，可使用基於碳化矽(例如，Si/SiC組合物)的裝置來移除支撐表面12處之氧化層，以便使支撐表面12變平。包含金剛石(例如包含金剛石晶粒)之表面處理裝置30可適用於粗糙化支撐表面12處之瘤節14的上表面。因此，在上表面處產生劃痕。當基板設置在基板支撐件10處時，此導致粗糙的上表面，並由此改良基板與基板支撐件12之間的相互作用。
根據本發明之又一實施例，表面處理裝置30可在接觸表面處包含凹陷區。此凹陷區經配置為不接觸工件。因此，表面處理裝置30的 有效接觸區減小，此在基板支撐件10之邊緣區域處的瘤節的修整動作期間可為有益的，因為位於較遠離邊緣的瘤節在此修整動作期間未由裝置30修整。
此外，表面處理裝置30可具有倒角邊緣。當表面處理裝置30在修整動作期間經過不平整表面時，倒角提供平緩過渡。
可為固持器的結構可經組態以固持一或多個表面處理裝置30。附接構件可經配置以將表面處理裝置30附接至結構。附接裝置可為夾具組態，以便夾緊及固持表面處理裝置30。該結構可包含允許替換表面處理裝置30的釋放機構。
驅動系統可經配置且經組態以在裝置30之接觸表面與基板支撐件之支撐表面12接觸時移動表面處理裝置30。驅動系統可經配置以使表面處理裝置30相對於支撐表面12以平面運動方式移動。驅動系統可經配置以使表面處理裝置30大體上在支撐表面12之平面中旋轉。因此，使表面處理裝置30之定向(尤其第一輪廓32)與基板支撐件10的周邊同步。
圖11說明本發明的又一實施例，其中表面處理系統80包含表面處理裝置81，該表面處理裝置經配置以接觸例如基板支撐件10之工件之表面，該基板支撐件在其上表面處包含瘤節14。表面處理裝置81可為根據一或多個上述實施例的表面處理裝置20、30，且裝置81可經配置在表面處理系統60、70中，如上文所揭示。根據本發明，表面處理系統80包含固持部件82，該固持構件經組態以藉助於至少部分中空的管狀部分83定位並控制表面處理裝置81的定向。在實例中，表面處理裝置81連接至管狀部分83之一端。可在固持部件82中設置軸承單元以支撐中空的管狀部分83。如上文所揭示，驅動系統可經配置且經組態以移動及/或旋 轉表面處理裝置81。驅動系統可連接至管狀部分83之另一端。
一或多個流體供應通口及流體提取通口84可經配置在固持部件82處，其中流體通口84與配置在固持部件82內的腔室85流體連通，以便自腔室85提供或提取流體。中空的管狀部分83設置有流體通道86，該流體通道在腔室85處包含開口。流體通道86延伸穿過表面處理裝置81，使得腔室85與配置在表面處理裝置81之內部部分處之一或多個第二通口87流體連通。因此，在一或多個流體供應通口及流體提取通口84與一或多個第二通口87之間形成流動通道。藉助於一或多個流體供應通口及流體提取通口84，流體可經提供至受限空間88或自該受限空間提取，該受限空間係在表面處理裝置81與基板支撐件10接觸時，例如在與瘤節14接觸時形成於表面處理裝置81與基板支撐件10之間。腔室85可設置有密封件以防止流體洩漏。一或多個流體供應通口及流體提取通口84可連接至經配置以控制流體供應及/或流體提取之一或多個流體控制模組89。
藉由經由一或多個供應通口84及一或多個第二通口87提供流體，可增加受限空間88中之局部流體壓力。此意味著受限空間88中之局部流體壓力可高於表面處理系統80周圍環境(尤其在表面處理裝置81周圍及上方的環境空間)中之壓力。由於受限空間88與環境之間的此壓力差，表面處理裝置81與基板支撐件之間的接觸壓力(其最初可由機械負載提供)減小。因此，表面處理裝置81與基板支撐件10之間的相互作用力降低。
藉由經由一或多個提取通口84及一或多個第二通口87提取流體，受限空間88中之局部流體壓力可減小。此意味著受限空間88中之局部流體壓力可低於表面處理系統80周圍環境(尤其在表面處理裝置81周 圍及上面的環境空間)中之壓力。由於受限空間88與其環境之間的此壓力差，表面處理裝置81與基板支撐件10之間的接觸壓力(其最初可由機械負載提供)增加。因此，表面處理裝置81與基板支撐件10之間的相互作用力增加。
熟習此項技術者將瞭解，表面處理裝置81與基板支撐件10之間的接觸壓力或相互作用力可由一或多個流體控制模組89控制。在實例中，當表面處理裝置81與基板支撐件10接觸且流體控制模組89經設定以提取流體時，在表面處理裝置81下面產生局部真空。因此，表面處理裝置81經更重地按壓至基板支撐件10及瘤節14上。當表面處理裝置81及基板支撐件10相對於彼此移動並產生局部真空時，以此兩者之間的較大相互作用力來執行修整動作。在另一實例中，當表面處理裝置81與基板支撐件10接觸且流體控制模組89經設定以供應流體時，在表面處理裝置81下面產生局部超壓。因此，表面處理裝置81自基板支撐件10及瘤節14(輕微地)壓離(或抬離)。當表面處理裝置81及基板支撐件10相對於彼此移動並產生局部超壓時，以較小相互作用力來執行修整動作。因此，藉由調節受限空間88中之局部流體壓力，調節表面處理裝置81與基板支撐件10之間的相互作用力的量。
作為說明性實例，當以25到35Lpm的速率經由一或多個第二通口87提供流體時，具有大約650mm2的有效面積的表面處理裝置可經受由流體引起的1.4至1.9N的力。此力可足以抬升表面處理裝置，且因此顯著減小(或甚至消除)預定義的機械負載。當以相似速率經由一或多個第二通口87提取流體時，表面處理裝置所經受的力可加倍。因此，藉由藉助於一或多個流體控制模組89調節流動供應及提取，可控制由表面處理裝置 81提供至基板支撐件10的有效負載。
基板支撐件10之表面性質可在啟動修整動作之前量測。量測可藉助於原位計量或檢測工具或插入以執行表面檢測的專用工具來完成。基於量測結果，可形成基板支撐表面的缺陷映圖。由於缺陷映圖可揭示需要(可能)修整操作的區，因此缺陷映圖可用於定義修整映圖。修整映圖或該映圖之至少一部分可繼而用作修整動作的輸入。舉例而言，修整映圖可定義將經受藉助於根據本發明的表面處理系統60、70、80進行的修整步驟的區。
在基板支撐件10的修整動作期間，可提供預定義的機械負載(或偏置負載)以在表面處理裝置81與基板支撐件10之間產生所需的相互作用力。在相對於預定義的機械負載需要更高負載或更低負載的區處，如由修整映圖所反映，可藉由調節及控制受限空間88中之局部流體壓力來設定相互作用力。舉例而言，受限空間88中之真空可由一或多個流體控制模組89產生以增加表面處理裝置81與基板支撐件10之間的接觸壓力。因此，啟動更徹底的清潔或重工步驟。另一實例，受限空間88中之超壓可由一或多個流體控制模組89產生，以降低表面處理裝置81與基板支撐件10之間的接觸壓力。在將使用預定義負載的狀況下，此類局部減小接觸壓力可有利於避免由於修整步驟而損壞基板支撐表面。因此，由表面處理裝置81引起的有效接觸壓力及相互作用力可藉助於流體控制模組89進行局部控制。
熟習此項技術者將瞭解，接觸壓力或相互作用力的控制可由受限空間88中之(局部)流體壓力來控制。此控制允許對接觸壓力進行微調，此在基板支撐件的邊緣(或周邊)區域經修整時可為有益的。舉例而 言，當使用表面處理裝置30(例如，在上文所揭示之表面處理系統60、70中)時，藉助於表面處理裝置30下面的受限空間88中之流體壓力控制接觸壓力可導致裝置30之修整效能改良。
根據本發明之實施例，提供一種使用表面處理裝置81修整基板支撐件10之支撐表面12的方法。方法包含以下步驟：使表面處理裝置81以預定負載與基板支撐表面12接觸；在表面處理裝置81與支撐表面12接觸的同時，使表面處理裝置81及基板支撐件10相對於彼此移動；及藉由調節表面處理裝置81與基板支撐件10之間的流體壓力來控制表面處理裝置81與基板支撐件10之間的接觸壓力。
該方法可包含將表面處理裝置81與基板支撐件10之周邊對準以獲得同心對準的步驟。在使表面處理裝置81及基板支撐件10相對於彼此移動的步驟期間，可保留兩者之間的同心對準。
由流體控制模組提供的流體可為清洗流體、清潔乾燥空氣或促進修整程序的流體。
表面處理裝置81可在接觸表面處包含一或多個凹陷區域。凹陷區域可經組態以調節表面處理裝置81下面的流體流動。
表面處理裝置81可包含花崗岩、矽、氮化矽、碳化矽、類金剛石碳(DLC)、球纖金剛石、金剛石或嵌入基質介質中之金剛石晶粒。
如上文所述，表面處理裝置可包含熱調節構件。此等熱調節構件亦可用於控制經由流體通道86及一或多個第二通口87朝向受限空間88提供的流體的溫度。因此，建立對基板支撐表面12及表面處理裝置81之接觸表面的經改良熱控制。
如上文所揭示之本發明之實施例不僅可單獨實施，而且可 組合實施。
根據本發明之表面處理裝置30以及表面處理系統60、70、80可在微影設備中用於原位修整基板支撐件，以及在獨立設備中用於翻新或修整基板支撐件。因此，提供高效移除配置在微影設備中之基板支撐件之污染物及顆粒的構件。
儘管本文中可對在製造IC中使用微影設備進行特定提及，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用。其他可能應用包括整合式光學系統的製造、磁域記憶體之導引及偵測型樣、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。
儘管在本文中可在微影設備的上下文中具體參考本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備中。本發明之實施例可形成遮罩檢測設備、計量設備、光學處理機器(例如，支持添加劑層製造的系統)或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或遮罩(或其他圖案化裝置)的物件的任何設備。此等設備通常可被稱作微影工具。此類微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。
儘管上文已對本發明之實施例在微影的上下文中之使用進行了具體參考，但應瞭解，在上下文允許的情況下，本發明不限於光學微影，且可在壓印微影或其他應用中使用。
本發明之態樣在以下條項中闡述。
1.一種用於處理一基板支撐件之一表面的表面處理裝置，該表面處理裝置包含一接觸表面，該接觸表面經組態以接觸該基板支撐件之該表面，該接觸表面至少具有具有一第一曲率中心的一第一輪廓及具有一第二曲率中心的一第二輪廓，其中該第一曲率中心及該第二曲率中心係非重合點。
2.如條項1之表面處理裝置，其中該第一輪廓具有大體上等於該基板支撐件之一外半徑的一第一半徑。
3.如條項2之表面處理裝置，其中該第二輪廓具有大體上等於該第一半徑的一第二半徑。
4.如條項1至3中任一項之表面處理裝置，其中該接觸表面包含一或多個凹陷區域。
5.如條項1至4中任一項之表面處理裝置，其中該接觸表面包含一倒角邊緣。
6.如條項1至3中任一項之表面處理裝置，其為一模組化表面處理裝置，包含一載體元件、一接合層及一表面處理薄片，其中該接合層經配置以將該表面處理薄片接合至該載體元件，且該表面處理薄片包含該接觸表面。
7.如條項1至6中任一項之表面處理裝置，其進一步包含嵌入在一基質介質中之花崗岩、矽、氮化矽、碳化矽、類金剛石碳、球纖金剛石、金剛石及金剛石晶粒中之至少一者。
8.如前述條項中任一項之表面處理裝置，其中該接觸表面包含突起。
9.如前述條項中任一項之表面處理裝置，其中該接觸表面包含一第一表面區及一第二表面區，其中該第一表面區及該第二表面區具有不同的接觸表面特性。
10.根據前述條項中任一項之表面處理裝置，其進一步包含熱調節構件。
11.一種表面處理系統，其包含一或多個如前述條項中任一項之表面處理裝置。
12.如條項11之表面處理系統，其具有一第一表面處理裝置及一第二表面處理裝置，其中該第一表面處理裝置及該第二表面處理裝置在材料組合物、材料硬度、一接觸表面粗糙度中之至少一者方面不同。
13.一種微影設備，其包含一或多個如前述條項中任一項之表面處理裝置。
14.如條項13之微影設備，其進一步包含一控制器，該控制器經配置以使該一或多個表面處理裝置之一定向與該基板支撐件之一周邊同步。
15.一種用於使用一表面處理裝置對一基板支撐件之一支撐表面進行修整的方法，其包含：(a)將一第一表面處理裝置之一第一輪廓與該基板支撐件之一周邊同心對準；(b)使該第一表面處理裝置與該支撐表面接觸；(c)在該第一表面處理裝置與該支撐表面接觸的同時使該第一表面處理裝置及該基板支撐件相對於彼此移動；及(d)在該相對移動期間維持該第一輪廓與該基板支撐件之該周邊之間的同心對準。
16.如條項15之方法，其進一步包含：使用一第二表面處理裝置重複該等步驟(a)至(d)。
17.如條項15或16之方法，其中該同心對準藉由該表面處理裝置與該基板支撐件之該周邊的一同步旋轉來維持。
18.如條項1至5中任一項之表面處理裝置，其包含至少與該基板支撐件之該表面之該材料一樣硬或更硬的一材料。
19.如條項9之表面處理裝置，其中接觸表面特性的差異係材料、硬 度及粗糙度中之至少一者的一差異。
20.一種使用一表面處理裝置修整一基板支撐件之一支撐表面的方法，其包含以下步驟：使該表面處理裝置以一預定負載與該支撐表面接觸；在該表面處理裝置與該支撐表面接觸的同時，使該表面處理裝置及該基板支撐件相對於彼此移動；及控制該表面處理裝置與該基板支撐件之間的一接觸壓力，其中控制該接觸壓力包含調節該表面處理裝置與該基板支撐件之間的一流體壓力。
21.如條項20之方法，其中該表面處理裝置係如條項1至10中任一項之一裝置。
22.一種用於處理一基板支撐件之一表面的表面處理裝置，該表面處理裝置包含一接觸表面，該接觸表面經組態以接觸該基板支撐件之該表面，該接觸表面包含一第一圓弧形輪廓及一第二圓弧形輪廓，該第一圓弧形輪廓係具有一第一曲率中心的一第一輪廓且該第二圓弧形輪廓係具有一第二曲率中心的一第二輪廓，該第二輪廓相對於該第一輪廓配置在該表面處理裝置之一相對側處，其中該第一曲率中心及該第二曲率中心係非重合點。
23.如條項1至10、18、19及22中任一項之表面處理裝置，其中該第一輪廓具有在0.94 Rs至1.06 Rs範圍內的一半徑，其中Rs係該基板支撐件之該外半徑。
24.如條項1至10、18、19、22及23中任一項之表面處理裝置，其中該表面處理裝置包含一或多個角位置指示器。
25.一種感測器系統，其包含一偵測器，該偵測器經組態以藉助於光 學偵測或藉由電或磁構件偵測設置在如條項24之該表面處理裝置處的一或多個角位置指示器。
26.如條項13或14之微影設備，其進一步包含如條項25之該感測器系統。
27.如條項1至10、18、19、22至24中任一項之表面處理裝置，其中該第一輪廓及該第二輪廓經配置以形成一凸凸形接觸表面、一凸凹形接觸表面，或一凸平面形接觸表面。
雖然本發明之具體實施例已在上文進行描述，但將瞭解，本發明可除所描述外的方式進行實踐。上述描述意欲為說明性，而非限制性。因此，對熟習此項技術者將顯而易見，可如所描述對本發明進行修改，而不會脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇。
10:基板支撐件
12:支撐表面
30:表面處理裝置
32:第一輪廓
34:第二輪廓

Claims (15)

  1. 一種表面處理裝置(surface treatment device)，該表面處理裝置用於處理一基板支撐件之一表面，該表面處理裝置包含一接觸表面，該接觸表面經組態以接觸該基板支撐件之該表面，該接觸表面包含一第一圓弧形輪廓(circular-arc shaped contour)及一第二圓弧形輪廓，該第一圓弧形輪廓係具有一第一曲率中心(centre of curvature)的一第一輪廓且該第二圓弧形輪廓係具有一第二曲率中心的一第二輪廓，該第二輪廓相對於該第一輪廓配置在該表面處理裝置之一相對側處，其中該第一曲率中心及該第二曲率中心係非重合點(non-coincident points)。
  2. 如請求項1之表面處理裝置，其中該第一輪廓及該第二輪廓經配置以形成一凸凸形接觸表面(convex-convex shaped contacting surface)、一凸凹形接觸表面(convex-concave shaped contacting surface)，或一凸平面形接觸表面(convex-plano shaped contacting surface)。
  3. 如請求項1或2之表面處理裝置，其中該第一輪廓具有大體上等於該基板支撐件之一外半徑的一第一半徑。
  4. 如請求項3之表面處理裝置，其中該第二輪廓具有大體上等於該第一半徑的一第二半徑。
  5. 如請求項1或2之表面處理裝置，其中該接觸表面包含一或多個凹陷 區域。
  6. 如請求項1或2之表面處理裝置，其中該接觸表面包含一倒角邊緣(chamfered edge)。
  7. 如請求項1或2之表面處理裝置，其為一模組化表面處理裝置，包含一載體元件、一接合層及一表面處理薄片，其中該接合層經配置以將該表面處理薄片接合至該載體元件，且該表面處理薄片包含該接觸表面。
  8. 如請求項1或2之表面處理裝置，其進一步包含花崗岩、矽、碳化矽、氮化矽、類金剛石碳、球纖金剛石及金剛石中之至少一者。
  9. 一種微影設備，其包含一或多個如請求項1至8中任一項之表面處理裝置。
  10. 如請求項9之微影設備，其進一步包含一控制器，該控制器經配置以使該一或多個表面處理裝置之一定向與該基板支撐件之一周邊同步。
  11. 一種用於使用一表面處理裝置對一基板支撐件之一支撐表面進行修整(reconditioning)的方法，其包含：(a)將一第一表面處理裝置之一第一輪廓與該基板支撐件之一周邊同心對準；(b)使該第一表面處理裝置與該支撐表面接觸； (c)在該第一表面處理裝置與該支撐表面接觸的同時使該第一表面處理裝置及該基板支撐件相對於彼此移動；及(d)在相對移動期間維持該第一輪廓與該基板支撐件之該周邊之間的同心對準。
  12. 如請求項11之方法，其進一步包含：使用一第二表面處理裝置重複步驟(a)至(d)。
  13. 如請求項11或12之方法，其中該同心對準係藉由該表面處理裝置與該基板支撐件之該周邊的一同步旋轉來維持。
  14. 一種使用一表面處理裝置修整一基板支撐件之一支撐表面的方法，其包含以下步驟：使該表面處理裝置以一預定負載(predefined load)與該支撐表面接觸；在該表面處理裝置與該支撐表面接觸的同時，使該表面處理裝置及該基板支撐件相對於彼此移動；及控制該表面處理裝置與該基板支撐件之間的一接觸壓力，其中控制該接觸壓力包含調節該表面處理裝置與該基板支撐件之間的一流體壓力。
  15. 如請求項14之方法，其中該表面處理裝置係如請求項1至8中任一項之一裝置。
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