RU2417472C2 - Способ получения электролитических конденсаторов - Google Patents
Способ получения электролитических конденсаторов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2417472C2 RU2417472C2 RU2008113845/07A RU2008113845A RU2417472C2 RU 2417472 C2 RU2417472 C2 RU 2417472C2 RU 2008113845/07 A RU2008113845/07 A RU 2008113845/07A RU 2008113845 A RU2008113845 A RU 2008113845A RU 2417472 C2 RU2417472 C2 RU 2417472C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- dispersion
- particles
- niobium
- dielectric
- electrically conductive
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims abstract description 105
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 51
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims abstract description 20
- -1 alkylene radical Chemical class 0.000 claims description 60
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 47
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 38
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 31
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 26
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 25
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 23
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 23
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 22
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 claims description 16
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 claims description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 11
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 6
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 4
- 150000005846 sugar alcohols Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- TUJKJAMUKRIRHC-UHFFFAOYSA-N hydroxyl Chemical compound [OH] TUJKJAMUKRIRHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 3
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 claims description 2
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000002240 furans Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000003951 lactams Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000686 lactone group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 45
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 26
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 19
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 17
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 16
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 14
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 12
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 10
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 10
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 9
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 9
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical class O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 8
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 8
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 8
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 7
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical group C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 4
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 4
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 108010009736 Protein Hydrolysates Proteins 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 150000007933 aliphatic carboxylic acids Chemical class 0.000 description 3
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H iron(3+) sulfate Chemical compound [Fe+3].[Fe+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 3
- 229910000360 iron(III) sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 3
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 2
- SMNDYUVBFMFKNZ-UHFFFAOYSA-N 2-furoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CO1 SMNDYUVBFMFKNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-M 2-methylbenzenesulfonate Chemical compound CC1=CC=CC=C1S([O-])(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- IHCCAYCGZOLTEU-UHFFFAOYSA-N 3-furoic acid Chemical compound OC(=O)C=1C=COC=1 IHCCAYCGZOLTEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical group O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N Acrylic acid Chemical class OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 2
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 2
- VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N Fe3+ Chemical class [Fe+3] VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 2
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 2
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N epsilon-caprolactam Chemical group O=C1CCCCCN1 JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 2
- GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N gamma-valerolactone Chemical group CC1CCC(=O)O1 GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 2
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000005199 ultracentrifugation Methods 0.000 description 2
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 2
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical group CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDMOEFOXLIZJOW-UHFFFAOYSA-N 1-dodecanesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCS(O)(=O)=O LDMOEFOXLIZJOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNJOEUSYAMPBAK-UHFFFAOYSA-N 2-methylbenzenesulfonic acid;hydrate Chemical compound O.CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O VNJOEUSYAMPBAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004493 2-methylbut-1-yl group Chemical group CC(C*)CC 0.000 description 1
- MCLMZMISZCYBBG-UHFFFAOYSA-N 3-ethylheptanoic acid Chemical compound CCCCC(CC)CC(O)=O MCLMZMISZCYBBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003542 3-methylbutan-2-yl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQRONKZLYKUEMO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-(2,4,6-trimethylphenyl)pent-4-en-2-one Chemical group CC(=C)CC(=O)Cc1c(C)cc(C)cc1C UQRONKZLYKUEMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUBGYTABKSRVRQ-XLOQQCSPSA-N Alpha-Lactose Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1O[C@@H]1[C@@H](CO)O[C@H](O)[C@H](O)[C@H]1O GUBGYTABKSRVRQ-XLOQQCSPSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M Butyrate Chemical compound CCCC([O-])=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Natural products CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001634 Copolyester Polymers 0.000 description 1
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-KVTDHHQDSA-N D-Mannitol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-KVTDHHQDSA-N 0.000 description 1
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical class [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930091371 Fructose Natural products 0.000 description 1
- RFSUNEUAIZKAJO-ARQDHWQXSA-N Fructose Chemical compound OC[C@H]1O[C@](O)(CO)[C@@H](O)[C@@H]1O RFSUNEUAIZKAJO-ARQDHWQXSA-N 0.000 description 1
- 239000005715 Fructose Substances 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- GUBGYTABKSRVRQ-QKKXKWKRSA-N Lactose Natural products OC[C@H]1O[C@@H](O[C@H]2[C@H](O)[C@@H](O)C(O)O[C@@H]2CO)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H]1O GUBGYTABKSRVRQ-QKKXKWKRSA-N 0.000 description 1
- SPAGIJMPHSUYSE-UHFFFAOYSA-N Magnesium peroxide Chemical compound [Mg+2].[O-][O-] SPAGIJMPHSUYSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195725 Mannitol Natural products 0.000 description 1
- WPPOGHDFAVQKLN-UHFFFAOYSA-N N-Octyl-2-pyrrolidone Chemical compound CCCCCCCCN1CCCC1=O WPPOGHDFAVQKLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWXPDGCFMMFNRW-UHFFFAOYSA-N N-methylcaprolactam Chemical compound CN1CCCCCC1=O ZWXPDGCFMMFNRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N Sucrose Chemical compound O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@@]1(CO)O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N 0.000 description 1
- 229930006000 Sucrose Natural products 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 1
- IYABWNGZIDDRAK-UHFFFAOYSA-N allene Chemical group C=C=C IYABWNGZIDDRAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000001449 anionic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005840 aryl radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 229920006317 cationic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 1
- 150000008280 chlorinated hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006547 cyclononyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010612 desalination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- UQSQSQZYBQSBJZ-UHFFFAOYSA-N fluorosulfonic acid Chemical class OS(F)(=O)=O UQSQSQZYBQSBJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006158 high molecular weight polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 239000002563 ionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 159000000014 iron salts Chemical class 0.000 description 1
- FYMCOOOLDFPFPN-UHFFFAOYSA-K iron(3+);4-methylbenzenesulfonate Chemical compound [Fe+3].CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 FYMCOOOLDFPFPN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- XNCMOUSLNOHBKY-UHFFFAOYSA-H iron(3+);trisulfate;heptahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.[Fe+3].[Fe+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O XNCMOUSLNOHBKY-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000008101 lactose Substances 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000000594 mannitol Substances 0.000 description 1
- 235000010355 mannitol Nutrition 0.000 description 1
- 150000007974 melamines Chemical class 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- JIKUXBYRTXDNIY-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-phenylformamide Chemical compound O=CN(C)C1=CC=CC=C1 JIKUXBYRTXDNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N octyltriethoxysilane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003493 octyltriethoxysilane Drugs 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007649 pad printing Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000003538 pentan-3-yl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical class OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-N perfluorobutanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-N perfluorooctane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNGREZUHAYWORS-UHFFFAOYSA-N perfluorooctanoic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F SNGREZUHAYWORS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920000447 polyanionic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 229920001444 polymaleic acid Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 239000003586 protic polar solvent Substances 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000005720 sucrose Substances 0.000 description 1
- 125000001273 sulfonato group Chemical group [O-]S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-N vinylsulfonic acid Chemical class OS(=O)(=O)C=C NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003232 water-soluble binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0032—Processes of manufacture formation of the dielectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0036—Formation of the solid electrolyte layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способу изготовления электролитических конденсаторов, к электролитическим конденсаторам, изготовленным этим способом, а также к применению таких электролитических конденсаторов. Согласно изобретению способ получения электролитического конденсатора включает по меньшей мере а) нанесение на пористое тело, включающее, по меньшей мере, пористое электродное тело (2) электродного материала и диэлектрик (3), покрывающий поверхность этого электродного материала, дисперсии А), содержащей, по меньшей мере, частицы В) электропроводного полимера и диспергатор D), b) по меньшей мере, частичное удаление и/или отверждение диспергатора D) для образования твердого электролита (4), полностью или частично покрывающего поверхность диэлектрика, при этом частицы В) электропроводного полимера в дисперсии А) имеют средний диаметр от 1 до 100 нм, и пленка, полученная из частиц В), имеет в сухом состоянии удельную электрическую проводимость более 10 См/см. Техническим результатом является простота изготовления электролитических конденсаторов с низким эквивалентным последовательным сопротивлением и низким током утечки. 4 н. и 24 з.п. ф-лы, 2 ил.
Description
Изобретение относится к способу изготовления электролитических конденсаторов с низким эквивалентным последовательным сопротивлением и низким током утечки (послезарядным током), к изготовленным этим способом электролитическим конденсаторам, а также к применению таких электролитических конденсаторов.
Стандартный коммерческий электролитический конденсатор с твердым электролитом, как правило, состоит из пористого металлического электрода, находящегося на металлической поверхности окисного слоя, электропроводного твердого вещества, введенного в пористую структуру, внешнего электрода (контактного электрода), такого, например, как слой серебра, а также других электрических контактов и капсулы.
Примерами электролитических конденсаторов с твердым электролитом являются танталовые, алюминиевые, ниобиевые, ниобийоксидные конденсаторы с переносящими заряд комплексами, пиролюзитными или полимерными твердыми электролитами. Использование пористого тела имеет то преимущество, что благодаря большой поверхности может достигаться очень высокая удельная объемная емкость, т.е. высокая электрическая емкость в малом пространстве.
Особенно пригодными твердыми электролитами являются π-конъюгированные (сопряженные) полимеры благодаря их высокой электрической проводимости. π-конъюгированные полимеры называют также электропроводными полимерами или синтетическими металлами. Они приобретают все большее хозяйственное значение, так как по сравнению с металлами имеют преимущества в отношении способности к переработке, массы и целенаправленного регулирования свойств посредством химической модификации. Примерами известных π-конъюгированных полимеров являются полипирролы, политиофены, полианилины, полиацетилены, полифенилены и поли(п-фениленвинилены), причем особенно важным и технически востребованным политиофеном является поли-3,4(этилен-1,2-диокси)тиофен, часто называемый также поли(3,4-этилендиокситиофеном), так как в своей оксидированной форме он обладает очень высокой проводимостью.
Техническое развитие электроники требует все больше электролитических конденсаторов с твердым электролитом с очень низким эквивалентным последовательным сопротивлением (ESR). Причиной этого являются, например, падающее логическое напряжение, повышенная интегрирующая плотность и возрастающая тактовая частота в интегрирующих переключающих (коммутируемых) схемах. Кроме того, низкое ESR снижает также потребление энергии, что особенно полезно при мобильном использовании с батарейным питанием. Поэтому желательно еще как можно больше снизить ESR электролитических конденсаторов с твердым электролитом.
В европейском патенте ЕР-А-340512 описывается получение твердых электролитов из 3,4-этилен-1,2-диокситиофена и применение их катионных полимеров, полученных посредством окислительной полимеризации, в качестве твердого электролита в электролитических конденсаторах. Вследствие повышенной электрической проводимости поли(3,4-этилендиокситиофен) как заменитель двуокиси магния или переносящих заряд комплексов в твердоэлектролитических конденсаторах снижает эквивалентное последовательное сопротивление конденсатора и улучшает частотные свойства.
Недостатком этого и подобных способов является то, что электропроводный полимер образуется in situ при полимеризации в электролитическом конденсаторе. Для этого в пористое металлическое тело одновременно или последовательно нужно ввести мономер, такой, например, как 3,4-этилен-1,2-диокситиофен, и окислитель в присутствии растворителей и непосредственно после этого осуществить полимеризацию. Однако такая химическая реакция является нежелательной при изготовлении электронных структурных элементов, так как очень трудно обеспечить всегда идентичное протекание химической реакции в миллионах мелких пористых структурных элементов, чтобы изготовить конденсаторы одинаковой спецификации.
Кроме того, недостатком полимеризации in situ при получении твердых электролитов для конденсаторов является то, что окислитель может повредить диэлектрик (оксидный слой) на металлическом электроде. В качестве окислителя, как правило, используют соли переходных металлов, такие, например, как соли трехвалентного железа Fe (III). В качестве продукта реакции полимеризации в теле электродов после полимеризации остается не только электропроводный полимер, но также и восстановленные соли металлов, такие как соли двухвалентного железа Fe (II). Конечно можно попытаться удалить эти соли посредством последующей стадии промывки. Однако это приводит к затратам и удается не полностью, т.е. всегда опять остаются остатки солей металлов в теле электродов. Как известно, в особенности, переходные металлы могут повредить диэлектрик, в результате чего возникающие при этом возросшие токи утечки явно снижают срок службы конденсаторов или даже делают невозможным использование конденсаторов в жестких условиях, таких как высокая температура и/или высокая влажность воздуха.
Кроме того, процесс изготовления электролитических конденсаторов с твердым электролитом при использовании полимеризации in situ требует очень больших затрат. Процесс полимеризации (пропитка, полимеризация, промывка) длится, как правило, несколько часов. При этом, смотря по обстоятельствам, нужно использовать взрывоопасный или токсичный растворитель и потребуется очень много полимеризационных процессов для получения твердых электролитов.
Другим недостатком химического in situ способа изготовления конденсаторов с твердым электролитом является то, что, как правило, противоионами для электропроводного полимера служат анионы окислителя или, при необходимости, другие мономерные анионы. Однако вследствие их малых размеров они недостаточно устойчиво связываются с полимером. В результате это может привести, в особенности при повышенных температурах использования конденсатора, к диффузии противоионов и, следовательно, к росту эквивалентного последовательного сопротивления (ESR) конденсатора. Альтернативное использование высокомолекулярных полимерных противоионов в химической in situ полимеризации приводит также к получению недостаточно электропроводных пленок и, таким образом, к недостаточно низким показателям ESR.
В заявке Японии на патент JP-A 2001-102255 для защиты оксидной пленки и улучшения адгезии твердых электролитов к оксидной пленке непосредственно на оксидную пленку наносят слой полиэтилендиокситиофен/полистиролсульфокислоты. Затем на этот слой наносят твердый электролит посредством полимеризации твердого электролита in situ. Однако этот способ также обладает таким недостатком, что для изготовления конденсатора с низким ESR необходима полимеризация in situ.
Полимеризацию мономеров можно также осуществлять в отсутствие окислителей электрохимически. Электрохимическую полимеризацию осуществляют, однако, таким образом, что сначала осаждают электропроводную пленку на изолированном оксидном слое металлических электродов. Для этого опять необходима полимеризация in situ со всеми вышеприведенными недостатками. Наконец, этот слой необходимо привести в электрический контакт с каждым отдельным металлическим электродом. Это контактирование в массовом производстве связано с очень большими затратами и может повредить оксидный слой. Кроме того, электрохимическое осаждение в порах пористых металлических электродов является очень сложным, так как осаждение происходит первоначально на наружной стороне тела электродов согласно изменению электрического потенциала.
Следовательно, существует еще потребность в новом и простом способе изготовления электролитических конденсаторов с твердым электролитом с низким эквивалентным последовательным сопротивлением (ESR) и низким током утечки (послезарядным током), при котором не требуется никакой полимеризации in situ, диэлектрик не повреждается ионами металлов и образуется термостабильный твердый электролит.
Следовательно, задача заключается в том, чтобы создать такой способ и усовершенствованные при этом конденсаторы.
Благодаря лучшей доступности по сравнению с танталом в последние годы явно возрос экономический интерес к ниобиевым и ниобийоксидным конденсаторам.
Кроме того, недостатком химического in situ способа получения твердых электролитов является то, что он не позволяет изготовить электролитические конденсаторы с твердым электролитом на основе материалов электродов из ниобия и оксида ниобия, которые характеризуются низким током утечки.
Следовательно, кроме того, существует потребность в способе изготовления электролитических конденсаторов с полимерным твердым электролитом, электродные материалы которых основаны на ниобии и оксиде ниобия и которые обладают низким током утечки и низким ESR.
Следующая задача заключается в том, чтобы создать такой способ изготовления таких электролитических конденсаторов с полимерным твердым электролитом, электродные материалы которых основаны на ниобии и оксиде ниобия, и создать соответствующие конденсаторы.
Неожиданно было обнаружено, что этим требованиям удовлетворяют конденсаторы, твердый электролит которых получен с дисперсиями, содержащими частицы электропроводного полимера со средним диаметром от 1 до 100 нм и электропроводностью выше 10 См/см (S/cm).
Поэтому объектом настоящего изобретения является способ получения электролитического конденсатора, включающий, по меньшей мере, следующее:
а) нанесение на пористое тело, включающее, по меньшей мере, пористое электродное тело (2) электродного материала и диэлектрик (3), покрывающий поверхность этого электродного материала, дисперсии А), содержащей, по меньшей мере, частицы В) электропроводного полимера и диспергатор D),
b) по меньшей мере, частичное удаление и/или отверждение диспергатора D) для образования твердого электролита (4), полностью или частично покрывающего поверхность диэлектрика,
отличающийся тем, что частицы В) электропроводного полимера в дисперсии А) имеют средний диаметр от 1 до 100 нм, а полученная из частиц В) пленка имеет удельную электропроводность выше 10 См/см.
Под удельной электропроводностью пленки, изготовленной из частиц В), подразумевают удельную электропроводность пленки в высушенном состоянии.
Неожиданным оказалось то, что частицы В) должны быть менее 100 нм, чтобы проникнуть в пористое тело электродов, диаметр пор которого более 500 нм и, следовательно, в 5 раз больше, чем частицы В). Кроме того, неожиданным явилось и то, что такие мелкие частицы В) в теле электродов образуют достаточно электропроводную пленку, поскольку доминирует сопротивление контактных сопротивлений между частицами и, как правило, сопротивление возрастает с падением размера частиц.
Определение диаметра частиц В) осуществляют методом ультрацентрифугирования. Общий принцип действия описан в Colloid Polym. Sci. 267, 1113-1116 (1989). У частиц В), которые набухают в дисперсии, определяют их размеры в набухшем состоянии. Распределение частиц В) по диаметру относится к распределению частиц по массе в дисперсии в зависимости от диаметра частиц.
Частицы В) электропроводного полимера в дисперсии А) имеют в способе, предпочтительно, средний диаметр от 1 до 80 нм, особенно предпочтительно, от 1 до 50 нм и, наиболее предпочтительно, средний диаметр от 5 до 40 нм.
Частицы В) электропроводного полимера в дисперсии А) имеют в способе, предпочтительно, показатель распределения частиц по диаметру d90 менее 150 нм, особенно предпочтительно, менее 100 нм, наиболее предпочтительно, менее 80 нм и, предпочтительнее всего, менее 50 нм.
Частицы В) электропроводного полимера в дисперсии А) имеют в способе, предпочтительно, показатель распределения частиц по диаметру d10 более 1 нм, особенно предпочтительно, более 3 нм и, наиболее предпочтительно, более 5 нм.
При этом показатель распределения частиц по диаметру d10 означает, что от общей массы всех частиц В) электропроводного полимера в дисперсии А) 10% таких частиц В) может быть классифицировано как имеющие диаметр менее или равный показателю d10. Показатель d90 распределения частиц по диаметру означает, что от общей массы всех частиц В) электропроводного полимера в дисперсии А) 90% таких частиц В) может быть классифицировано как имеющие диаметр менее или равный показателю d90.
Предпочтительно, используют такие дисперсии А), пленки которых в высушенном состоянии обладают удельной электропроводностью выше 10 См/см, особенно предпочтительно, выше 20 См/см, наиболее предпочтительно, выше 50 См/см и, предпочтительнее всего, выше 100 См/см, а в особенно предпочтительном варианте осуществления изобретения - выше 200 См/см.
Дисперсия А) в способе, предпочтительно, имеет содержание катионов металла менее 5000 мг/кг, особенно предпочтительно, менее 1000 мг/кг и, наиболее предпочтительно, менее 200 мг/кг.
Дисперсия А) в способе, предпочтительно, имеет содержание ионов переходных металлов менее 1000 мг/кг, особенно предпочтительно, менее 100 мг/кг и, наиболее предпочтительно, менее 20 мг/кг.
Дисперсия А) в способе, предпочтительно, имеет содержание железа менее 1000 мг/кг, особенно предпочтительно, менее 100 мг/кг и, наиболее предпочтительно, менее 20 мг/кг.
Низкие концентрации металлов в дисперсиях создают большое преимущество, так как диэлектрик при образовании твердых электролитов и при последующем производстве конденсаторов не повреждается.
Материал электродов образует в полученном способом по изобретению электролитическом конденсаторе пористое тело с большой поверхностью и находится, например, в форме пористого тела из спекшегося агломерированного порошкового материала или шероховатой пленки. В последующем это пористое тело кратко называется электродным телом.
Покрытое диэлектриком электродное тело в последующем кратко называется также оксидированным (окисленным) телом электродов (оксидированным электродным телом). Наименование «оксидированное (окисленное) тело электродов» включает также такое электродное тело, которое покрыто диэлектриком, полученным без окисления электродного тела.
Покрытое диэлектриком, а также частично или полностью покрытое твердыми электролитами электродное тело в последующем кратко называется телом конденсатора.
Под внешней поверхностью тела конденсатора подразумевают наружные поверхности тела конденсатора.
Термин «полимеры» согласно изобретению включает все соединения с более чем одним одинаковыми или разными повторяющимися звеньями.
Под электропроводными полимерами здесь подразумевают, в особенности, классы соединений π-конъюгированных (π-сопряженных) полимеров, обладающих после окисления или восстановления электропроводностью. Предпочтительно, под электропроводными полимерами подразумевают такие π-конъюгированные полимеры, которые после их окисления имеют электропроводность, по меньшей мере, порядка величин 1 мкСм/см.
Частицы В) электропроводного полимера в дисперсии А), предпочтительно, содержат, по меньшей мере, один политиофен, полипиррол или полианилин, являющиеся, при необходимости, замещенными.
Особенно предпочтительно, частицы В) электропроводного полимера содержат, по меньшей мере, один политиофен с повторяющимися звеньями общей формулы (I) или общей формулы (II) или с повторяющимися звеньями общих формул (I) и (II):
где
А означает при необходимости замещенный алкиленовый радикал, содержащий 1-5 атомов углерода;
R означает линейный или разветвленный, возможно, замещенный алкильный радикал, содержащий 1-18 атомов углерода; возможно, замещенный циклоалкильный радикал с 5-12 атомами углерода; возможно, замещенный арильный радикал с 6-14 атомами углерода; возможно, замещенный аралкильный радикал с 7-18 атомами углерода; возможно, замещенный гидроксиалкильный радикал с 1-4 атомами углерода; или гидроксильный радикал;
х означает целое число от 0 до 8 и
в том случае когда несколько радикалов R являются связанными с А, то они могут быть одинаковыми или разными.
Общие формулы (I) и (II) следует понимать так, что х заместителей R у алкиленового радикала А могут быть связаны.
Особенно предпочтительными являются политиофены с повторяющимися звеньями общей формулы (I) или (II) или с повторяющимися звеньями общих формул (I) и (II), где А означает, возможно, замещенный алкиленовый радикал, содержащий 2-3 атома углерода, а х означает 0 или 1.
Наиболее предпочтительным электропроводным полимером твердых электролитов является, при необходимости, замещенный поли(3,4-этилендиокси-тиофен).
Под приставкой «поли» в рамках изобретения подразумевают, что в полимерах или политиофенах содержится более одного одинаковых или различных повторяющихся звеньев. Политиофены суммарно содержат «n» повторяющихся звеньев общей формулы (I) или общей формулы (II) либо общих формул (I) и (II), причем n означает целое число от 2 до 2000, предпочтительно, от 2 до 100. Повторяющиеся звенья общей формулы (I) и/или (II) в политиофене, в зависимости от конкретного случая, могут быть одинаковыми или разными. Предпочтительными являются политиофены с одинаковыми повторяющимися, смотря по обстоятельствам, звеньями общей формулы (формул) (I) или (II) либо (I) и (II).
В концевых группах политиофены, предпочтительно, содержат в каждом случае атом водорода.
Алкиленовыми радикалами А, содержащими 1-5 атомов углерода, в рамках настоящего изобретения, предпочтительно, являются метилен, этилен, н-пропилен, н-бутилен или н-пентилен. Алкильным радикалом R, содержащим 1-18 атомов углерода, предпочтительно, являются прямоцепочечные или разветвленные алкильные радикалы с 1-18 атомами углерода, такие как метил, этил, н- или изопропил, н-, изо-, втор.- или трет.бутил, н-пентил, 1-метилбутил, 2-метилбутил, 3-метилбутил, 1-этилпропил, 1,1-диметилпропил, 1,2-диметилпропил, 2,2-диметилпропил, н-гексил, н-гептил, н-октил, 2-этилгексил, н-нонил, н-децил, н-ундецил, н-додецил, н-тридецил, н-тетрадецил, н-гексадецил или н-октадецил. Циклоалкильные радикалы R, содержащие 5-12 атомов углерода, означают, например, циклопентил, циклогексил, циклогептил, циклооктил, циклононил или циклодецил. Арильные радикалы R, содержащие 5-14 атомов углерода, означают, например, фенил, или нафтил, а аралкильные радикалы R, содержащие 7-18 атомов углерода, означают, например, бензил, о-, м-, п-толуол, 2,3-, 2,4-, 2,5-, 2,6-, 3,4- и 3,5-ксилил или мезитил. Вышеприведенное перечисление служит примером для пояснения изобретения и должно рассматриваться в качестве окончательного.
Возможными другими заместителями радикалов А и/или радикалов R в рамках настоящего изобретения могут являться многочисленные органические группы, например алкильные, циклоалкильные, арильные, аралкильные, алкоксильные, галогеновые, простые эфирные, тиоэфирные, дисульфидные, сульфоксидные, сульфоновые, сульфонатные, аминовые, альдегидные, кетоновые, сложноэфирные группы карбоновых кислот, карбоксильные, карбонатные, карбоксилатные, циановые, алкилсилановые и алкоксисилановые группы, а также амидные группы карбоновых кислот.
Заместителями полианилина или полипиррола могут являться, например, вышеприведенные радикалы А и R и/или другие заместители радикалов А и R. Предпочтительными являются незамещенные полианилины.
Изобретение охватывает все вышеприведенные и приведенные в последующем общие или названные в качестве предпочтительных определения радикалов, параметры и пояснения между собой, а также в конкретных пределах и в преимущественных пределах в любой комбинации.
Используемые в качестве твердого электролита в предпочтительном способе политиофены могут быть нейтральными или катионоактивными. В предпочтительном варианте осуществления изобретения они являются катионоактивными, причем термин «катионоактивный» относится лишь к зарядам в главной цепи политиофена. Что касается заместителя радикалов R, то политиофены могут нести в структурном звене положительные и отрицательные заряды, причем положительные заряды в главной цепи политиофена и отрицательные заряды, факультативно, могут находиться в радикалах R, замещенных сульфонатными или карбоксильными группами. При этом положительные заряды в главной цепи политиофена могут частично или полностью нейтрализоваться, возможно, имеющимися анионными группами у радикалов R. В совокупности в этих случаях политиофены могут рассматриваться как катионные нейтральные или даже анионные соединения. И все же в рамках изобретения все они рассматриваются как катионные политиофены, поскольку определяющими являются положительные заряды в главной цепи политиофена. Положительные заряды в формулах не изображены, так как их точное число и расположение не может быть установлено безоговорочно. Однако число положительных зарядов составляет, по меньшей мере, 1 и максимум n, причем n является общим числом всех повторяющихся звеньев (одинаковых или разных) в политиофене.
Для компенсации положительного заряда (если это уже не происходит посредством возможных сульфонатных или карбоксилатных заместителей и, таким образом, отрицательно заряженных радикалов R) в качестве противоионов катионным политиофенам требуются анионы.
Противоанионами могут являться мономерные или полимерные анионы, последние называются также полианионами.
Полимерные анионы имеют преимущество по сравнению с мономерными анионами, так как они способствуют пленкообразованию и благодаря их величине приводят к получению термостойких электропроводных пленок.
Полимерными анионами могут при этом являться, например, анионы полимерных карбоновых кислот, таких как полиакриловые кислоты, полиметакриловая кислота или полималеиновые кислоты либо полимерные сульфокислоты, такие как полистиролсульфокислоты и поливинилсульфокислоты. Этими поликарбоновыми и полисульфокислотами могут являться также сополимеры винилкарбоновых кислот и винилсульфокислот с другими полимеризующимися мономерами, такими как сложные эфиры акриловой кислоты и стирол.
Предпочтительным полимерным анионом в названных частицах В) является анион полимерной карбоновой кислоты или сульфокислоты.
Особенно предпочтительным анионом является анион полистиролсульфокислоты (PSS).
Молекулярная масса поставляющих полианионы поликислот составляет, предпочтительно, от 1000 до 2000000, особенно предпочтительно, от 2000 до 500000. Поликислоты или их соли щелочных металлов имеются на рынке, например полистиролсульфокислоты и полиакриловые кислоты, либо они могут быть получены известными способами (см., например, Houben Weyl, Methoden der organischen Chemie, Bd. E 20 Makromoleculare Stoffe, Teil 2 (1987), s.1141 u.f.).
Полимерный анион (полимерные анионы) и электропроводные полимеры могут содержаться в дисперсии А), особенно, в массовом соотношении от 0,5:1 до 50:1, предпочтительно, от 1:1 до 30:1, наиболее предпочтительно, от 2:1 до 20:1. При этом масса электропроводных полимеров соответствует навеске используемых мономеров при предположении, что при полимеризации осуществляется полная конверсия мономеров.
Мономерными анионами служат, например, алкансульфокислоты, содержащие от 1 до 20 атомов углерода, такие как метан-, этан-, пропан-, бутан- или более высшие сульфокислоты, такие как додекансульфокислота; перфторсульфокислоты, такие как трифторметансульфокислота, перфторбутансульфокислота или перфтороктансульфокислота; алифатические карбоновые кислоты, содержащие 1-20 атомов углерода, такие как 2-этилгексилкарбоновая кислота; алифатические перфтор-карбоновые кислоты, такие как трифторуксусная кислота или перфтороктановая кислота; и ароматические сульфокислоты, возможно, замещенные алкильными группами с 1-20 атомами углерода, такие как бензолсульфокислота, о-толуолсульфокислота, п-толуолсульфокислота или додецилбензолсульфокислота; и циклоалкансульфокислоты, такие как камфарная сульфокислота или тетрафторбораты, гексафторфосфаты, перхлораты, гексафторантимонаты, гексафторарсенаты или гексахлорантимонаты.
Предпочтительными мономерными анионами являются п-толуолсульфокислота, метансульфокислота или камфорсульфокислота.
Катионные политиофены, содержащие в качестве противоионов для компенсации заряда анионы, специалисты называют также политиофен/(поли)анионовыми комплексами.
Дисперсии А) могут содержать один или несколько диспергаторов D). В качестве диспергатора D) можно назвать, например, следующие растворители: алифатические спирты, такие как метанол, этанол, изопропанол и бутанол; алифатические кетоны, такие как ацетон и метилэтилкетон; алифатические эфиры карбоновой кислоты, такие как этиловый эфир уксусной кислоты и бутиловый эфир уксусной кислоты; ароматические углеводороды, такие как толуол и ксилол; алифатические углеводороды, такие как гексан, гептан и циклогесан; хлорсодержащие углеводороды, такие как дихлорметан и дихлорэтан; алифатические нитрилы, такие как ацетонитрил; алифатические сульфоксиды и сульфоны, такие как диметилсульфоксид и сульфолан; амиды алифатических карбоновых кислот, такие как метилацетамид, диметилацетамид и диметилформамид; алифатические и аралифатические простые эфиры, такие как диэтиловый эфир и анизол. Кроме того, в качестве диспергатора D) могут использоваться также вода или смесь воды с названными выше органическими растворителями.
Предпочтительным диспергатором D) является вода или другие протонные растворители, такие как спирты, например метанол, этанол, изопропанол и бутанол, а также смеси воды с этими спиртами. Особенно предпочтительным растворителем является вода.
Кроме того, дисперсия А) может содержать другие компоненты, такие как: поверхностно-активные вещества, например ионогенные или неионогенные поверхностно-активные вещества или вещества, повышающие адгезию, такие, например, как органофункциональные силаны или их гидролизаты, например 3-глицидоксипропилтриалкокси-силан, 3-аминопропилтриэтоксисилан, 3-меркаптопропилтриметоксисилан, 3-метакрилоксипропилтриметоксисилан, винилтриметоксисилан или октилтриэтоксисилан; сшивающие агенты, такие как соединения меламина, блокированные изоцианаты, функциональные силаны, например тетраэтоксисилан, алкоксисилановые гидролизаты, например, на основе тетраэтоксисилана, эпоксисиланы, такие как 3-глицидоксипропилтриалкоксисилан, полиуретаны, полиакрилаты или полиолефиновые дисперсии.
Дисперсия А), предпочтительно, содержит другие добавки, повышающие электропроводность, например соединения, содержащие простые эфирные группы, такие как тетрагидрофуран; соединения, содержащие лактоновые группы, такие как γ-бутиролактон, γ-валеролактон; соединения, содержащие амидные или лактамовые группы, такие как капролактам, N-метилкапролактам, N,N-диметилацетамид, N-метилацетамид, N,N-диметилформамид (ДМФ), N-метилформамид, N-метилформанилид, N-метилпирролидон (NМП), N-октилпирролидон, пирролидон, сульфоны и сульфоксиды, такие, например, как сульфолан(тетраметиленсульфон), диметилсульфоксид (ДМСО), сахар или производные сахара, такие как, например, сахароза, глюкоза, фруктоза, лактоза, сахарные спирты, такие, например, как сорбит, маннит, производные фурана, такие, например, как 2-фуранкарбоновая кислота, 3-фуранкарбоновая кислота и/или ди- или полиспирты, например этиленгликоль, глицерин, ди- или триэтиленгликоль. Особенно предпочтительными повышающими электропроводность добавками являются тетрагидрофуран, N-метилформамид, N-метилпирролидон, этиленгликоль, диметилсульфоксид или сорбит.
Кроме того, дисперсии А) могут содержать одно или несколько растворимых в органических растворителях органических связующих, таких как поливинилацетат, поликарбонат, поливинилбутират, полиакрилаты, полиметакрилаты, полистирол, полиакрилонитрил, поливинилхлорид, полибутадиен, полиизопрен, простой полиэфир, сложный полиэфир, силиконы, сополимеризаты стирол/акрилат, винилацетат/акрилат и этилен/винилацетат, или водорастворимое связующее, такое как поливиниловый спирт.
Дисперсии А) могут иметь рН от 1 до 14, предпочтительно, от 1 до 8. Для коррозионно-чувствительных диэлектриков, таких, например, как окись алюминия или окись ниобия, предпочтительно, используют дисперсии с рН от 4 до 8, чтобы не повредить диэлектрик.
Для регулирования рН в дисперсии могут добавляться, например, основания или кислоты. Предпочтительными являются такие добавки, которые не вредят пленкообразованию дисперсии и не являются летучими при повышенной температуре, например при температуре спайки, а остаются при этих условиях в твердых электролитах, такие, например, как основания 2-диметиламиноэтанол, 2,2'-иминодиэтанол или 2,2',2''-нитрилотриэтанол и полистиролсульфокислота.
Вязкость дисперсии А) в зависимости от способа нанесения может составлять между 0,1 и 500 мПа·с (измеренная при 20°С и скорости сдвига 100 с-1). Предпочтительно, вязкость составляет от 1 до 200 мПа·с, особенно предпочтительно от 1 до 100 мПа·с и, наиболее предпочтительно от 3 до 50 мПа·с.
На Фиг.1 схематически изображена структура электролитического конденсатора с твердым электролитом на примере танталового конденсатора, где:
1 | тело конденсатора |
5 | при необходимости, имеющийся электропроводный внешний слой |
6 | слой графит/серебро |
7 | проволочный контакт для электродного тела 2 |
8 | внешние контакты |
9 | капсула |
10 | изображение в разрезе |
На Фиг.2 показано увеличенное изображение в разрезе 10 по Фиг.1, передающее схематическую структуру слоя танталового конденсатора, где:
10 | изображение в разрезе |
2 | пористое электродное тело (анод) |
3 | диэлектрик |
4 | твердый электролит |
5 | при необходимости, имеющийся электропроводный внешний слой |
6 | слой графит/серебро |
Принципиально такой электролитический конденсатор по изобретению может быть изготовлен следующим образом. Сначала прессуют, например, порошок вентильного металла с большой поверхностью и спекают с пористым электродным телом. При этом электрический проволочный контакт, предпочтительно, из вентильного металла, такого как, например, тантал, спрессовывается с электродным телом. Альтернативно, можно также подвергнуть травлению металлические пленки, чтобы получить пористую пленку.
Затем электродное тело покрывают диэлектриком, т.е. окисным слоем, например, электрохимическим окислением. После этого на окисленное электродное тело наносят согласно изобретению дисперсию А), содержащую, по меньшей мере, частицы В) электропроводного полимера и диспергатор D), и для образования твердых электролитов удаляют, по меньшей мере, частично диспергатор D) и/или отверждают. При необходимости, на внешнюю поверхность тела конденсатора наносят другие слои (обозначенные на Фиг.1 и Фиг.2 электропроводным внешним слоем (5)). Покрытие сильно электропроводными слоями, такими как графит и серебро, или металлическое катодное тело служит электродом для отвода тока. В заключение конденсатор приводят в контакт и капсулируют.
Кроме того, предпочтительным является способ для изготовления электролитических конденсаторов, характеризующийся тем, что относительно электродного материала речь идет о вентильном металле или о соединении с электрическими свойствами, сопоставимыми со свойствами вентильного металла.
Под вентильным металлом в рамках настоящего изобретения подразумевают такие металлы, оксидные (окисные) слои которых не в обоих направлениях способствуют соразмерному прохождению тока. При подаче анодного напряжения оксидные слои вентильного металла блокируют прохождение тока, в то время как приложение катодного напряжения приводит к усилению токов, которые могут разрушить оксидный слой. К вентильным металлам относятся бериллий, магний, алюминий, германий, кремний, олово, сурьма, висмут, титан, цирконий, гафний, ванадий, ниобий, тантал и вольфрам, а также сплавы и соединения, по меньшей мере, одного такого металла с другими элементами. Наиболее известными представителями вентильных металлов являются алюминий, тантал и ниобий. Соединениями с электрическими свойствами, сопоставимыми со свойствами вентильного металла, являются такие их соединения с металлической электропроводимостью, которые способны окисляться и у которых их оксидные слои имеют описанные выше свойства. Например, окись ниобия имеет металлическую электропроводимость, но вообще не рассматривается как вентильный металл. Однако слои из оксидированной окиси ниобия обладают типичными свойствами оксидных слоев вентильного металла, в результате чего окись ниобия, или сплав, или соединение окиси ниобия с другими элементами являются типичными примерами таких соединений со свойствами, сопоставимыми со свойствами вентильного металла.
Предпочтительными являются электродные материалы из тантала, алюминия и также электродные материалы на основе ниобия и оксида ниобия.
Под электродными материалами, основанными на ниобии и оксиде ниобия, подразумевают такие материалы, у которых ниобий или оксид ниобия представляют компоненты с наибольшим количественным содержанием вещества.
Под электродным материалом, основанным на ниобии и оксиде ниобия, предпочтительно, подразумевают ниобий, окись ниобия или оксид ниобия NbOx, где x может означать коэффициент от 0,8 до 1,2, нитрид ниобия, оксинитрид ниобия или смеси этих веществ или сплав либо соединение, по меньшей мере, одного такого вещества с другими элементами.
Предпочтительными сплавами являются сплавы, по меньшей мере, с одним вентильным металлом, таким как, например, бериллий, магний, алюминий, германий, кремний, олово, сурьма, висмут, титан, цирконий, гафний, ванадий, ниобий, тантал и вольфрам.
Следовательно, под термином «окисляющийся металл» подразумевают не только металлы, но также и сплавы или соединения металла с другими элементами, поскольку они обладают металлической электропроводимостью и способны окисляться.
Окисляющиеся металлы спекают, например, в форме порошка с пористым электродным телом или набивают металлическое тело на пористую структуру. Последнее можно осуществлять, например, травлением пленки.
Пористое электродное тело окисляют, например, в соответствующих электролитах, таких как фосфорная кислота, посредством приложения напряжения. Величина этого формирующего напряжения зависит от заданной толщины оксидного слоя или от напряжения при последующем использовании конденсатора. Предпочтительно, формирующее напряжение составляет от 1 до 300 В, наиболее предпочтительно, от 1 до 80 В.
Для изготовления электродного тела, предпочтительно, используют металлический порошок с удельным зарядом от 1000 до 1000000 мкКл/г, особенно предпочтительно, от 5000 до 300000 мкКл/г, наиболее предпочтительно, от 5000 до 150000 мкКл/г и, предпочтительнее всего от 10000 до 100000 мкКл/г.
При этом удельный заряд рассчитывают следующим образом:
удельный заряд = (емкость · напряжение анодирования)/масса оксидированного электродного тела.
При этом емкость определяется по емкости оксидированного электродного тела, измеренной при 120 Гц в водных электролитах. При этом электропроводность электролитов достаточно высока, в результате чего при 120 Гц еще не происходит падения емкости вследствие электрического сопротивления электролитов. Для измерения в качестве электролита используют, например, 18%-ный водный раствор серной кислоты.
Используемые электродные тела имеют пористость от 10 до 90%, предпочтительно, от 30 до 80% и, наиболее предпочтительно, от 50 до 80%.
Пористые электродные тела имеют средний диаметр пор от 10 до 10000 нм, предпочтительно, от 50 до 5000 нм и, наиболее предпочтительно, от 100 до 3000 нм.
Соответственно этому объектом настоящего изобретения является способ изготовления электролитических конденсаторов, характеризующийся тем, что под вентильным металлом или соединением с электрическими свойствами, сопоставимыми со свойствами вентильного металла, подразумевают тантал, ниобий, алюминий, титан, цирконий, гафний, ванадий, сплав или соединение, по меньшей мере, одного такого металла с другими элементами, окисью ниобия или сплав или соединение окиси ниобия с другими элементами.
Диэлектрик, предпочтительно, состоит из окисла электродного вещества. При необходимости, он содержит другие элементы и/или соединения.
Емкость окисленного тела электрода зависит помимо вида диэлектрика от поверхности и толщины диэлектрика. Удельный заряд является мерой величины заряда, способного приниматься на единицу массы окисленного электродного тела. Удельный заряд рассчитывают следующим образом:
удельный заряд = (емкость · номинальное напряжение)/масса оксидированного электродного тела.
При этом емкость определяется емкостью готового конденсатора, измеренной при 120 Гц, а номинальным напряжением является удельное входное напряжение конденсатора (в вольтах). Масса оксидированного электродного тела определяется по чистой массе покрытого диэлектриком пористого электродного материала без учета полимера, контактов и капсулирования.
Полученные новым способом по изобретению электролитические конденсаторы, предпочтительно, имеют удельный заряд от 500 до 500000 мкКл/г, особенно предпочтительно, от 2000 до 150000 мкКл/г, наиболее предпочтительно, от 2000 до 100000 мкКл/г и, предпочтительнее всего, от 5000 до 50000 мкКл/г.
Под полупродуктами (промежуточными продуктами) частиц В) в дисперсии для получения электропроводных полимеров, в последующем называемыми также полупродуктами, подразумевают также соответствующие мономеры или их производные. Могут использоваться также смеси различных полупродуктов. Пригодными мономерными полупродуктами являются, например, возможно замещенные тиофены, пирролы или анилины, предпочтительно, замещенные тиофены, наиболее предпочтительно, при необходимости, замещенные 3,4-алкилендиокси-тиофены.
Замещенными 3,4-алкилендиокситиофенами являются, например, соединения общей формулы (III) или (IV) либо смесь тиофенов общих формул (III) и (IV):
где
А означает при необходимости замещенный алкиленовый радикал, содержащий 1-5 атомов углерода, предпочтительно, возможно, замещенный алкиленовый радикал, содержащий 2-3 атома углерода;
R означает линейный или разветвленный, при необходимости замещенный алкильный радикал, содержащий 1-18 атомов углерода, предпочтительно, прямоцепочечный или разветвленный, при необходимости замещенный алкильный радикал, содержащий 1-14 атомов углерода; возможно, замещенный циклоалкильный радикал с 5-12 атомами углерода; при необходимости, замещенный арильный радикал с 6-14 атомами углерода; при необходимости замещенный аралкильный радикал с 7-18 атомами углерода; при необходимости замещенный гидроксиалкильный радикал с 1-4 атомами углерода, предпочтительно, при необходимости замещенный гидроксиалкильный радикал с 1-2 атомами углерода; или гидроксильный радикал;
x означает целое число от 0 до 8, предпочтительно, от 0 до 6 и, наиболее предпочтительно, 0 или 1; и
в том случае когда несколько радикалов R являются связанными с А, то они могут быть одинаковыми или разными.
Особенно предпочтительными мономерными полупродуктами являются возможно замещенные 3,4-этилендиокситиофены.
В качестве 3,4-этилендиокситиофенов можно назвать, например, соединения общей формулы (V):
где R и x имеют значения, указанные для общих формул (III) и (IV).
Под производными этих мономерных полупродуктов в настоящем изобретении подразумевают, например, димеры или тримеры этих мономерных полупродуктов. Однако в качестве производных возможны также высокомолекулярные производные, то есть терамеры, пентамеры и т.д., мономерных полупродуктов.
В качестве замещенных 3,4-алкилендиокситиофенов можно назвать, например, соединения общей формулы (VI):
где
n означает целое число от 2 до 20, предпочтительно, от 2 до 6 и, особенно предпочтительно, 2 или 3, и
A, R и x имеют значения, указанные для общих формул (III) и (IV).
Производные могут состоять как из одинаковых, так и из разных мономерных звеньев и могут использоваться как в чистом виде, так и в смеси друг с другом и/или с мономерными полупродуктами (промежуточными продуктами). Термин «полупродукт» включает также окисленные или восстановленные формы этих полупродуктов, так как при их полимеризации образуются такие же электропроводные полимеры, как и у приведенных выше полупродуктов.
Заместителями вышеназванных полупродуктов, особенно тиофенов, предпочтительно, 3,4-алкилендиокситиофенов, являются заместители, названные для радикалов в общих формулах (III) и (IV).
Заместителями пирролов и анилинов являются, например, вышеприведенные радикалы А и R и/или другие заместители радикалов А и R.
Другими возможными заместителями радикалов А и/или R являются органические группы, названные в общих формулах (I) и (II).
Способ получения мономерных полупродуктов для получения электропроводных полимеров, а также их производных известен специалисту и описан, например, в L.Groenendaal, F.Jonas, D.Freitag, H.Pielartzik & J.R.Reynolds, Adv. Mater. 12 (2000) 481-494 и в цитируемой там литературе.
Необходимые для получения используемых политиофенов 3,4-алкилен-окситиатиофены формулы (III) известны специалисту и могут быть получены известным способом (например, согласно Р.Bblanchard, A.Саppon, Е.Levillain, Y.Nicolaus, Р.Frere und J.Roncali, Org. Lett. 4 (4), 2002, s.607-609).
Получение дисперсий осуществляют из вышеописанных полупродуктов, например, аналогично условиям, названным в европейском патенте ЕР-А 440957 (патент США US 5300575). Усовершенствованный вариант приготовления дисперсий представляет собой использование ионообменника для удаления содержащихся неорганических солей или их части. Такой вариант описан, например, в патенте Германии DE А 19627071 (патент США US 6376105). Ионообменник может, например, перемешиваться с продуктом, или можно пропустить продукт через ионообменную колонну. Посредством использования ионообменника можно, например, достигнуть описанного выше низкого содержания металлов.
Величину частиц В) в дисперсии А) можно уменьшить обессоливанием, например, посредством гомогенизатора высокого давления. Этот процесс можно также повторить для увеличения эффекта. Эффективным для значительного уменьшения величины частиц оказалось, в особенности, высокое давление величиной между 100 и 2000 бар.
Возможно также получение полианилин/полианионных или политиофен/полианионных комплексов и последующее диспергирование или редиспергирование в одном или нескольких растворителях.
Содержание твердого вещества частиц В) электропроводного полимера в дисперсии А) составляет от 0,1 до 90 мас.%, предпочтительно, от 0,5 до 30 мас.% и, наиболее предпочтительно, от 0,5 до 10 мас.%.
Частицы В) электропроводного полимера образуют, предпочтительно, стабильную дисперсию. Однако можно использовать и нестабильные дисперсии, если их перед употреблением, например, перемешивать, вальцевать или взбалтывать, чтобы обеспечить равномерное распределение частиц В).
Дисперсии А) можно наносить на диэлектрик электродного тела известным способом, например центрифугированием, пропиткой, поливом, капельным нанесением, распылением, шприцеванием, ракельным нанесением, нанесением кистью или печатанием, например методом струйной печати Ink-jet, трафаретной печати шаблонами или тампонной печати.
Проникновение дисперсии в пористое тело электродов можно облегчить, например, повышением или понижением давления, вибрацией, ультразвуком или повышением температуры.
Нанесение дисперсий А) можно осуществлять непосредственно или при использовании средства, повышающего адгезию, например, силанов, таких как органофункциональные силаны или их гидролизаты, например 3-глицидоксипропилтриалкоксисилан, 3-аминопропилтриэтоксисилан, 3-меркаптопропилтриэтоксисилан, 3-метакрилоксипропилтриметоксисилан, винилметоксисилан или оксилтриэтоксисилан, и/или нанесением одного или нескольких других функциональных слоев на диэлектрик тела электродов.
После нанесения дисперсии А) диспергатор D), предпочтительно, удаляют, чтобы можно было получить в дисперсии из частиц В) и, при необходимости, других добавок твердый электролит. Однако можно также оставить, по меньшей мере, часть диспергатора D) в твердых электролитах. В зависимости от вида диспергатора D) его можно также отвердить как полностью, так и лишь оставшуюся его часть после частичного его удаления.
Удаление диспергатора D) после нанесения дисперсии можно осуществить простым испарением при комнатной температуре. Однако для достижения более высокой скорости обработки целесообразно удалять диспергатор D) при повышенной температуре, например при температуре от 20 до 300°С, предпочтительно, от 40 до 250°С. Последующую термическую обработку можно проводить непосредственно с удалением растворителя или также через некоторый период времени после образования готового покрытия.
Продолжительность термообработки в зависимости от вида используемой для покрытия дисперсии составляет от 5 секунд до нескольких часов. Для термической обработки могут использоваться температурные профили с различной температурой и временем выдержки.
Термообработку можно проводить, например, таким образом, что окисленное электродное тело с нанесенным покрытием пропускают через термокамеру с желаемой температурой с такой скоростью, что достигается требуемое время выдержки при выбранной температуре, или его приводят в контакт с нагретой до желаемой температуры нагревательной плитой в течение требуемого времени выдержки. Кроме того, можно осуществлять термообработку, например, в нагревательной печи или в нескольких нагревательных печах с различной температурой.
Для металлоксидного диэлектрика, например, такого как окислы вентильных металлов, может быть целесообразным после образования твердых электролитов дополнительно получить электрохимически оксидную пленку, чтобы исправить случайные дефекты в окисной пленке и благодаря этому уменьшить ток утечки готового конденсатора. При этом так называемом риформинге тело конденсатора погружают в электролиты и к электродному телу прикладывают положительное напряжение. Протекающий ток образует затем окисел на дефектных местах окисной пленки или разрушает электропроводный полимер в дефектных местах, через которые протекает высокий ток.
В зависимости от вида окисленного электродного тела может быть целесообразным еще раз пропитать окисленное электродное тело дисперсиями для достижения более толстых полимерных слоев и/или увеличения покрытия на поверхности диэлектрика.
Нанесение дисперсии А) и, по меньшей мере, частичное удаление и/или отверждение диспергатора D), предпочтительно, осуществляют несколько раз.
Между а) нанесением дисперсии и b), по меньшей мере, частичным удалением и/или отверждением диспергатора D), при необходимости, можно проводить другие стадии.
В качестве возможных других стадий можно, например, опять удалить часть дисперсии с окисленного электродного тела, осуществить дополнительную пропитку той же или другой дисперсией, провести промывку теми же или другими растворителями, при необходимости, содержащими добавки, или осуществить вылеживание.
Неожиданно было обнаружено, что удаление дисперсии с внешней поверхности окисленного электродного тела после нанесения или перед сушкой, особенно, при многократных циклах пропитка - сушка приводит к увеличению покрытия и понижению эквивалентного последовательного сопротивления (ESR).
Следовательно, предпочтительным является такой способ, при котором после нанесения дисперсии А) частицы В) электропроводного полимера, находящегося на внешней поверхности электродного тела, по меньшей мере, частично, особенно предпочтительно, как можно полнее, удаляют. Это можно осуществить, например, промывкой, тампонированием, обдуванием, центрифугированием и тому подобное. Для удаления внешней полимерной пленки возможно также использование, например, ультразвука, термообработки или облучения. Предпочтительной является промывка органическим растворителем, предпочтительно, растворителем, используемым в качестве диспергатора.
Однако частицы В) электропроводного полимера могут также быть удалены с внешней поверхности электродного тела после, по меньшей мере, частичного удаления и/или отверждения диспергатора D), например, ультразвуком, лазерным облучением, растворителем или механическим отслаиванием.
Степень покрытия диэлектрика твердым электролитом можно определить следующим образом. Измеряют емкость конденсатора в сухом и влажном состоянии при 120 Гц. Степень покрытия определяют по выраженному в процентах отношению емкости в сухом состоянии к емкости во влажном состоянии при 120 Гц. Сухое состояние означает, что перед измерением конденсатор сушили в течение нескольких часов при повышенной температуре (80-120°С). Влажное состояние означает, что конденсатор подвергали в течение нескольких часов воздействию насыщенного влагой воздуха при повышенном давлении, например, в паровом автоклаве. При этом влага проникает в поры, которые непокрыты твердым электролитом, и действует там как жидкий электролит.
Покрытие диэлектрика твердыми электролитами, предпочтительно, составляет более 50%, особенно предпочтительно, более 70% и, наиболее предпочтительно, более 80%.
После получения твердых электролитов на тело конденсатора могут быть нанесены другие электропроводные слои, такие, например, как электропроводный внешний слой. Предпочтительно, наносят полимерный внешний слой, например, такой как описан в европейском патенте ЕР-А 1524678 (патент США US 6987663). Дополнительно хорошо электропроводящие слои, такие как графитовый и/или серебряный слой, служат коллектором тока. В заключение у конденсатора замыкают контакт и капсулируют его.
Следовательно, способ по изобретению обеспечивает изготовление электролитических конденсаторов с твердым электролитом с низким эквивалентным последовательным сопротивлением ESR и низким током утечки (послезарядным током), при котором не требуется никакой полимеризации in situ, диэлектрик не повреждается ионами металлов и образуется термостабильный твердый электролит, как и в известном способе. Кроме того, способ по изобретению обеспечивает изготовление электролитических конденсаторов с полимерным твердым электролитом, электродные материалы которых базируются на ниобии или окисле ниобия и которые обладают низким током утечки и низким эквивалентным последовательным сопротивлением (ESR), изготовление которых посредством полимеризации in situ твердых электролитов до сих пор было невозможно.
Изготовленные по изобретению электролитические конденсаторы благодаря их низкому току утечки и низкому эквивалентному последовательному сопротивлению (ESR) превосходно подходят для использования в качестве конструктивных элементов в электронных схемах, например, в качестве сглаживающего конденсатора (конденсатора фильтра) или помехоподавляющего конденсатора (развязывающего конденсатора). Их применение также является объектом изобретения. Предпочтительными являются электронные схемы, например, такие как существуют в компьютерах (настольном компьютере, портативном компьютере, сервере), в компьютерах для управления периферийными приборами (например, PC перфокарты), в портативных электронных приборах, таких как мобильные телефоны, цифровые камеры или электроника технического обслуживания, в приборах электроники технического обслуживания, таких как в CD/DVD проигрыватели, и пультах компьютерных игр, в навигационных системах, в технических коммуникационных устройствах, в бытовых приборах, в напряжении питания и в автомобильной электронике.
Нижеследующие примеры служат пояснению изобретения и не должны восприниматься в качестве его ограничения.
Примеры
Пример 1
В 2 л трехгорлую колбу с мешалкой и внутренним термометром загружали 868 г деионизированной воды, 330 г водного раствора полистиролсульфокислоты со средней молекулярной массой 70000 и содержанием твердого вещества 3,8 мас.%. Температуру реакции поддерживали между 20 и 25°С. При перемешивании добавляли 5,1 г 3,4-этилендиокситиофена. Раствор перемешивали в течение 30 мин. В заключение добавляли 0,03 г сульфата трехвалентного железа и 9,5 г персульфата натрия и раствор перемешивали еще 24 часа.
По окончании реакции для удаления неорганических солей добавляли 100 мл сильнокислого катионита и 250 мл слабоосновного анионита и раствор перемешивали еще 2 часа. Иониты отфильтровывали. Дисперсию поли(3,4-этилендиокситиофен)/полистиролсульфата гомогенизировали десятикратно при давлении 700 бар посредством гомогенизатора высокого давления. В заключение дисперсию концентрировали до содержания твердого вещества 1,6%.
Полученная таким образом дисперсия А)-1 имела следующее распределение частиц по размеру:
d10 | 19 нм |
d50 | 26 нм |
d90 | 40 нм |
Диаметр частиц В) электропроводного полимера относится к распределению частиц В) по массе в дисперсии в зависимости от диаметра частиц. Определение осуществляли измерением методом ультрацентрифугирования. Размер частиц определяли в их набухшем состоянии.
Вязкость дисперсии при скорости сдвига 100 Гц и 20°С составила 26 мПа·с. ICP-анализ содержания металла в дисперсии А)-1 дал следующие значения:
Натрий (NA) | 110 мг/кг |
Магний (Mg) | 0,58 мг/кг |
Алюминий (Al) | 1,0 мг/кг |
Кремний (Si) | 1,2 мг/кг |
Фосфор (Р) | 5,9 мг/кг |
Калий (К) | 0,53 мг/кг |
Кальций (Ca) | 3,9 мг/кг |
Хром (Cr) | 0,16 мг/кг |
Железо (Fe) | 0,89 мг/кг |
Цинк (Zn) | <0,01 мг/кг |
Пример 2
К 100 г дисперсии А)-1 из Примера 1 добавляли 5 г диметилсульфоксида (DMSO) и примешивали к суспензии А)-2. Одну часть дисперсии А)-2 наносили на предметное стекло размером 26 мм × 26 мм × 1 мм в течение 5 секунд посредством быстро вращающегося устройства для нанесения покрытия Spincoater (Chemat Technology KW-4A) при скорости 1000 об/мин. Образец сушили при 120°С в течение 10 минут. В заключение два противоположно расположенных предметных стекла покрывали электропроводящим серебром. После высушивания электропроводящего серебра обе серебряные полоски приводили в контакт и определяли поверхностное сопротивление посредством измерителя Keithley 199 Multimeter. Толщину слоя определяли посредством поверхностного профилометра Tencor Alpha Step 500 Surface Profiler. По поверхностному сопротивлению и толщине слоя d определяли удельную электропроводность σ по уравнению σ=1/(R0·d). Толщина слоя составляла 120 нм, а удельная электропроводность 483 См/см.
Пример 3
3.1. Изготовление окисленных электродных тел
Порошок тантала с удельной электрической емкостью 50000 мкФВ/г прессовали в таблетки с включением танталовой проволоки 7 и спекали, чтобы получить тело размером 4,2 мм × 3 мм × 1 мм. Пористые электродные тела (2) имели средний диаметр пор 580 нм, и для образования диэлектрика их анодировали в электролите фосфорной кислоты до 30 В.
3.2. Получение твердых электролитов способом по изобретению
100 г дисперсии А)-1 из Примера 1, 4 г диметилсульфоксида (DMSO) и 0,5 г 3-глицидоксипропилтриметоксисилана (Silquest A-187, OSi Specialties) интенсивно примешивали к дисперсии А)-3 в химическом стакане с мешалкой.
Окисленные электродные тела пропитывали в этой дисперсии А)-3 в течение 1 мин. В заключение пропитанные электродные тела промывали проточной водой для удаления дисперсии А)-3 с внешней стороны электродного тела. Затем проводили сушку при температуре 120°С в течение 10 мин. Еще раз снова пропитывали, промывали и сушили.
3.3. Получение полимерного внешнего слоя
а) Приготовление дисперсии А)-4
В 2 л трехгорлую колбу с мешалкой и внутренним термометром загружали 868 г деионизированной воды, 330 г водного раствора полистиролсульфокислоты со средней молекулярной массой 70000 и содержанием твердого вещества 3,8 мас.%. Температуру реакции поддерживали между 20 и 25°С. При перемешивании добавляли 5,1 г 3,4-этилендиокситиофена. Раствор перемешивали в течение 30 мин. В заключение добавляли 0,03 г сульфата трехвалентного железа и 9,5 г персульфата натрия и раствор перемешивали еще 24 часа.
По окончании реакции для удаления неорганических солей добавляли 100 мл сильнокислого катионита и 250 мл слабоосновного анионита и раствор перемешивали еще 2 часа. Иониты отфильтровывали.
b) Получение порошка полиэтилендиокситиофен (РЕDТ)/толуолсульфат
В 5 л стеклянный реактор с мешалкой и термометром помещали 2,5 л деминерализованной воды. При перемешивании загружали 214,2 г моногидрата толуолсульфокислоты и 2,25 г гептагидрата трехвалентного сульфата железа. После того как все растворилось, добавляли 85,8 г 3,4-этилендиокситиофена и перемешивали в течение 30 мин. Непосредственно после этого загружали 192,9 г натрийперхлордисульфата при перемешивании и смесь перемешивали еще в течение 24 часов при комнатной температуре. По окончании реакции образованный порошок PEDT/толуолсульфат отфильтровывали на фарфоровом нутч-фильтре, промывали 3 л деминерализованной воды и в заключение сушили при 100°С в течение 6 часов. Получили 89 г сине-черного порошка PEDT/толуолсульфонат.
В химическом стакане с мешалкой интенсивно перемешивали в течение одного часа 180 г PEDT/PSS дисперсии А)-4, 10 г сложного сульфополиэфира (Eastek 1100, Eastman), 8 г диметилсульфоксида, 1 г 3-глицидоксипропилтриметоксисилана (Silquest A-187, OSi Specialties) и 0,4 г смачивателя (Dynol 604, Air Products). Затем диспергировали 2 г порошка PEDT/толуолсульфонат посредством устройства бисерная мельница - растворитель. К этому прибавляли 300 г шариков окиси циркония (⌀ 1 мм) и смесь перемешивали в течение одного часа при охлаждении водой со скоростью 7000 об/мин. В заключение измельченные частицы отделяли через сито 0,8 мкм. Эта полученная дисперсия А)-5 имела содержание твердого вещества 4,7%.
Тело конденсатора из 3.2 пропитывали в этой дисперсии А)-5 и непосредственно после этого сушили при 120°С в течение 10 мин.
Непосредственно после этого электродные тела покрывали слоем графита и серебра.
Полученные вышеописанным способом 18 готовых конденсаторов имели в среднем следующие электрические характеристики:
Электрическая емкость | 84,3 мкФ |
ESR | 22,4 мОм |
Ток утечки | 0,16 мкА |
Определяли электрическую емкость при 120 Гц и эквивалентное последовательное сопротивление (ESR) при 100 кГц посредством измерителя LCR Meters (Agilent 4284A). Ток утечки определяли в течение 3 минут после приложения напряжения 10 В Keithley 199 Multimeter.
Сравнительный пример 1
Готовили дисперсию аналогично Примеру 1, однако без заключительной гомогенизации.
Полученная таким образом дисперсия А)-6 имела следующее распределение частиц по размеру:
d10 | 60 нм |
d50 | 147 нм |
d90 | 244 нм |
Аналогично Примеру 3 были изготовлены 9 конденсаторов, однако для образования твердых электролитов использовали следующую дисперсию А)-7.
100 г дисперсии А)-6, 4 г диметилсульфоксида (DMSO) и 0,5 г 3-глицид-оксипропилтриметоксисилана (Silquest A-187, OSi Specialties) интенсивно примешивали в химическом стакане с мешалкой к дисперсии А)-7.
9 изготовленных конденсаторов имели в среднем следующие электрические характеристики:
Электрическая емкость | 2,8 мкФ |
ESR | 123,6 мОм |
Ток утечки | 0,24 мкА |
Определяли электрическую емкость при 120 Гц и эквивалентное последовательное сопротивление (ESR) при 100 кГц посредством измерителя LCR Meters (Agilent 4284A). Ток утечки определяли в течение 3 минут после приложения напряжения 10 В посредством измерителя Keithley 199 Multimeter.
Электрическая емкость конденсаторов составляла лишь около 3% от емкости в Примере 3. Из этого можно сделать вывод, что электропроводные частицы из дисперсии А)-7 в сравнительном примере недостаточно проникают в поры электродного тела, несмотря на то что средний диаметр частиц (147 нм) явно меньше, чем средний диаметр пор (580 нм) электродного тела.
Сравнительный пример 2
18 анодированных электродных тел получали аналогично Примеру 3.1. Эти электродные тела снабжали твердыми электролитами посредством химической полимеризации in situ.
Для этого готовили раствор, состоящий из 1 мас.ч. 3,4-этилендиокси-тиофена (BAYTRON® М, Н.С.Stark GmbH) и 20 мас.ч. 40%-ного раствора в этаноле п-толуолсульфоната трехвалентного железа (BAYTRON® C-E, Н.С.Stark GmbH).
Раствор использовали для пропитки 18 анодированных электродных тел (2). Электродные тела пропитывали в этом растворе и непосредственно после этого сушили при комнатной температуре (20°С) в течение 30 мин. После этого их термообрабатывали при 50°С в сушильном шкафу в течение 30 мин. Непосредственно после этого электродные тела промывали в 2 мас.%-ном растворе п-толуолсульфокислоты в течение 60 мин. Непосредственно после этого электродные тела подвергали риформингу в 0,25 мас.%-ном водном растворе п-толуолсульфокислоты. Непосредственно после этого промывали в дистиллированной воде и сушили. Описанные операции пропитки, сушки, термообработки и риформинга с теми же самыми электродными телами проводили еще два раза.
После этого тело конденсатора снабжали внешним полимерным слоем аналогично Примеру 3.3. Затем электродные тела покрывали слоем графита и серебра.
18 готовых конденсаторов в среднем имели следующие электрические характеристики:
Электрическая емкость | 83,0 мкФ |
ESR | 23,1 мОм |
Ток утечки | 4,85 мкА |
Электрическую емкость определяли при 120 Гц, а эквивалентное последовательное сопротивление (ESR) - при 100 кГц посредством измерителя LCR Meters (Agilent 4284A). Ток утечки определяли в течение 3 минут после приложения напряжения 10 В посредством измерителя Keithley 199 Multimeter.
Способом по изобретению (Пример 3) достигнуты одинаковые значения емкости и эквивалентного последовательного сопротивления (ESR). Однако в способе по изобретению образование твердых электролитов длится только 2 часа, не требуется никакой химической реакции и он базируется на водных дисперсиях. Напротив, способ in situ длится около 9 часов, и в нем должны использоваться взрывоопасные растворители. Несмотря на интенсивную промывку в способе in situ можно удалить не все соли железа. В противоположность почти свободному от металлов способу по изобретению это приводит к явно более высокому току утечки в сравнительном примере.
Пример 4
4.1. Изготовление окисленных электродных тел
Порошок тантала с удельной электрической емкостью 150000 мкФ/г прессовали в таблетки с включением танталовой проволоки 7 и спекали, чтобы получить тело размером 1,7 мм × 1,1 мм × 1,1 мм. Пористые электродные тела (2) имели средний диаметр пор 190 нм, и для образования диэлектрика их анодировали в электролитах фосфорной кислоты до 12 В.
4.2. Получение твердых электролитов способом по изобретению
100 г дисперсии А)-1 из Примера 1, 4 г диметилсульфоксида (DMSO) и 0,5 г 3-глицидоксипропилтриметоксисилана (Silquest A-187, OSi Specialties) интенсивно примешивали к дисперсии А)-8 в химическом стакане с мешалкой.
Окисленные электродные тела пропитывали в этой дисперсии А)-8 в течение 1 мин. В заключение пропитанные электродные тела промывали проточной водой для удаления дисперсии А)-8 с внешней стороны электродного тела. Затем проводили сушку при температуре 120°С в течение 10 мин. Еще раз снова пропитывали, промывали и сушили.
4.3. Получение полимерного внешнего слоя
В 2 л трехгорлую колбу с мешалкой и внутренним термометром загружали 868 г деионизированной воды, 330 г водного раствора полистиролсульфокислоты со средней молекулярной массой 70000 и содержанием твердого вещества 3,8 мас.%. Температуру реакции поддерживали между 20 и 25°С.
Добавляли при перемешивании 5,1 г 3,4-этилендиокситиофена. Раствор перемешивали в течение 30 мин. В заключение добавляли 0,03 г сульфата трехвалентного железа и 9,5 г персульфата натрия и раствор перемешивали еще 24 часа.
По окончании реакции для удаления неорганических солей добавляли 100 мл сильнокислого катионита и 250 мл слабоосновного анионита и раствор перемешивали еще 2 часа. Иониты отфильтровывали.
В химическом стакане с мешалкой к дисперсии А)-9 интенсивно примешивали в течение одного часа 180 г дисперсии PEDT/PSS, 5 г сульфополиэфира (Eastek 1100, Eastman), 8 г диметилсульфоксида, 1 г 3-глицидоксипропилтриметоксисилана (Silquest A-187, OSi Specialties) и 0,4 г смачивателя (Dynol 604, Air Products).
Тело конденсатора пропитывали в этой дисперсии А)-9 и непосредственно после этого сушили при 120°С в течение 10 мин.
В заключение электродные тела покрывали слоем графита и серебра.
Девять изготовленных конденсаторов в среднем имели следующие электрические характеристики:
Электрическая емкость | 64,2 мкФ |
ESR | 63,3 мОм |
Ток утечки | 2,6 мкА |
Электрическую емкость определяли при 120 Гц, а эквивалентное последовательное сопротивление (ESR) - при 100 кГц посредством измерителя LCR Meters (Agilent 4284A). Ток утечки определяли в течение 3 минут после приложения напряжения 4 В посредством измерителя Keithley 199 Multimeter.
Пример 5
100 г дисперсии А)-1 из Примера 1, 4 г диметилсульфоксида (DMSO) и 0,5 г 3-глицидоксипропилтриметоксисилана (Silquest A-187, OSi Specialties) интенсивно примешивали к дисперсии в химическом стакане с мешалкой. Непосредственно после этого показатель pH этой дисперсии доводили до значения 6 добавлением 2-диметиламиноэтанола.
В этой дисперсии в течение 1 мин пропитывали анодированные при 20 В пористые алюминиевые пленки размером 4 мм × 4 мм. Затем пропитанные электродные тела промывали проточной водой для удаления дисперсии с внешней стороны электродного тела. После этого осуществляли сушку при 120°С в течение 10 мин. Пропитку, промывку и сушку повторяли снова еще девять раз.
Получение внешнего полимерного слоя осуществляли аналогично Примеру 4.3.
В заключение электродные тела покрывали слоем графита и серебра.
Девять изготовленных конденсаторов имели в среднем следующие электрические характеристики:
Электрическая емкость | 14 мкФ |
ESR | 15 мОм |
Ток утечки | 0,26 мкА |
Электрическую емкость определяли при 120 Гц, а эквивалентное последовательное сопротивление (ESR) - при 100 кГц посредством измерителя LCR Meters (Agilent 4284A). Ток утечки определяли в течение 3 минут после приложения напряжения 6,3 В посредством измерителя Keithley 199 Multimeter.
Пример 6
6.1. Изготовление окисленных электродных тел
Порошок окиси ниобия с удельной электрической емкостью 80000 мкФВ/г прессовали в таблетки с включением танталовой проволоки 7 и спекали для получения тела размером 5 мм × 3,5 мм × 1 мм. Для образования диэлектрика пористые электродные тела (2) анодировали в электролитах фосфорной кислоты до 30 В.
6.2. Получение твердых электролитов способом по изобретению
Оксидированные электродные тела пропитывали в дисперсии А)-3 из Примера 3.2 в течение 1 мин. Непосредственно после этого пропитанные электродные тела промывали проточной водой для удаления дисперсии А)-3 с внешней стороны электродного тела. Затем осуществляли сушку при температуре 120°С в течение 10 мин. Пропитку, промывку и сушку проводили еще девять раз.
6.3. Получение полимерного внешнего слоя
Тело конденсатора из Примера 3.2 пропитывали в этой дисперсии А)-5 из Примера 3.3 и непосредственно после этого сушили при 120°С в течение 10 мин. Пропитку и сушку проводили дважды.
После этого электродные тела покрывали слоем графита и серебра и подвергали старению в течение 1 часа при напряжении 15 В.
18 изготовленных конденсаторов в среднем имели следующие электрические характеристики:
Электрическая емкость | 114 мкФ |
ESR | 43 мОм |
Ток утечки | 3,5 мкА |
Электрическую емкость определяли при 120 Гц, а эквивалентное последовательное сопротивление (ESR) - при 100 кГц посредством измерителя LCR Meters (Agilent 4284A) при напряжении (einer Biasspannung) 10 В. Ток утечки определяли в течение 3 минут после приложения напряжения 10 В посредством измерителя Keithley 199 Multimeter.
Сравнительный пример 3
18 анодированных электродных тел получали аналогично Примеру 6.1. Эти электродные тела снабжали твердыми электролитами посредством химической полимеризации in situ.
Для этого готовили раствор, состоящий из 1 мас.ч. 3,4-этилендиокси-тиофена (BAYTRON® М, Н.С.Stark GmbH) и 20 мас.ч. 40%-ного раствора в этаноле п-толуолсульфата трехвалентного железа (BAYTRON® С-Е, Н.С.Stark GmbH).
Раствор использовали для пропитки анодированных электродных тел 2. Электродные тела пропитывали в этом растворе и непосредственно после этого сушили при комнатной температуре (20°С) в течение 30 мин. После этого их термообрабатывали при 50°С в сушильном шкафу в течение 30 мин. Непосредственно после этого электродные тела промывали в 2 мас.%-ном растворе п-толуолсульфокислоты в течение 60 мин. Непосредственно после этого электродные тела подвергали риформингу в 0,25 мас.%-ном водном растворе п-толуолсульфокислоты. Непосредственно после этого промывали в дистиллированной воде и сушили. Описанные операции пропитки, сушки, термообработки и риформинга с теми же самыми электродными телами проводили еще два раза.
После этого тело конденсатора снабжали внешним полимерным слоем аналогично Примеру 6.3. Затем электродные тела покрывали слоем графита и серебра и подвергали старению в течение 1 ч при напряжении 15 В.
Все конденсаторы после их изготовления подвергались электрическому замыканию.
Способом по изобретению можно изготовить из электродных материалов на основе ниобия и окиси ниобия конденсаторы с полимерным твердым электролитом и с низким эквивалентным последовательным сопротивлением (ESR) и низким током утечки (Пример 6). Напротив, традиционным химическим способом полимеризации in situ невозможно достигнуть низких токов утечки (сравнительный пример 3).
Claims (28)
1. Способ получения электролитического конденсатора, включающий, по меньшей мере,
a) нанесение на пористое тело, включающее, по меньшей мере, пористое электродное тело (2) электродного материала и диэлектрик (3), покрывающий поверхность этого электродного материала, дисперсии (А), содержащей, по меньшей мере, частицы В) электропроводного полимера и диспергатор D),
b) и, по меньшей мере, частичное удаление и/или отверждение диспергатора D) для образования твердого электролита (4), полностью или частично покрывающего поверхность диэлектрика,
отличающийся тем, что частицы В) электропроводного полимера в дисперсии А) имеют средний диаметр от 1 до 100 нм, и пленка, полученная из частиц В), имеет в сухом состоянии удельную электрическую проводимость более 10 См/см.
a) нанесение на пористое тело, включающее, по меньшей мере, пористое электродное тело (2) электродного материала и диэлектрик (3), покрывающий поверхность этого электродного материала, дисперсии (А), содержащей, по меньшей мере, частицы В) электропроводного полимера и диспергатор D),
b) и, по меньшей мере, частичное удаление и/или отверждение диспергатора D) для образования твердого электролита (4), полностью или частично покрывающего поверхность диэлектрика,
отличающийся тем, что частицы В) электропроводного полимера в дисперсии А) имеют средний диаметр от 1 до 100 нм, и пленка, полученная из частиц В), имеет в сухом состоянии удельную электрическую проводимость более 10 См/см.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что частицы В) электропроводного полимера в дисперсии А) имеют показатель d90 распределения частиц по диаметру менее 150 нм.
3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что частицы В) электропроводного полимера в дисперсии А) имеют показатель d10 распределения частиц по диаметру более 1 нм.
4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что дисперсия А) имеет содержание катионов металла менее 5000 мг/кг.
5. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что дисперсия А) имеет содержание переходных металлов менее 1000 мг/кг.
6. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что дисперсия А) имеет содержание железа менее 1000 мг/кг.
7. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что частицы В) электропроводного полимера содержат, по меньшей мере, один политиофен, полипиррол или полианилин, которые при необходимости могут быть замещены.
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что частицы В) электропроводного полимера содержат, по меньшей мере, один политиофен с повторяющимися звеньями общей формулы (I) или общей формулы (II) или с повторяющимися звеньями общих формул (I) и (II):
где А означает при необходимости замещенный алкиленовый радикал, содержащий 1-5 атомов углерода;
R означает линейный или разветвленный, при необходимости замещенный алкильный радикал, содержащий 1-18 атомов углерода, при необходимости замещенный циклоалкильный радикал с 5-12 атомами углерода, при необходимости замещенный арильный радикал с 6-14 атомами углерода, при необходимости замещенный аралкильный радикал с 7-18 атомами углерода, при необходимости замещенный гидроксиалкильный радикал с 1-4 атомами углерода или гидроксильный радикал;
х означает целое число от 0 до 8 и
в том случае, когда несколько радикалов R являются связанными с А, они могут быть одинаковыми или разными.
где А означает при необходимости замещенный алкиленовый радикал, содержащий 1-5 атомов углерода;
R означает линейный или разветвленный, при необходимости замещенный алкильный радикал, содержащий 1-18 атомов углерода, при необходимости замещенный циклоалкильный радикал с 5-12 атомами углерода, при необходимости замещенный арильный радикал с 6-14 атомами углерода, при необходимости замещенный аралкильный радикал с 7-18 атомами углерода, при необходимости замещенный гидроксиалкильный радикал с 1-4 атомами углерода или гидроксильный радикал;
х означает целое число от 0 до 8 и
в том случае, когда несколько радикалов R являются связанными с А, они могут быть одинаковыми или разными.
9. Способ по п.8, отличающийся тем, что содержащийся в частицах В) электропроводный полимер является поли(3,4-этилен-диокситиофеном).
10. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что частицы В) содержат дополнительно, по меньшей мере, один полимерный анион.
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что полимерный анион является анионом полимерной карбоновой или сульфокислоты, предпочтительно, полистиролсульфокислоты.
12. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что дисперсия А) содержит в качестве диспергатора D) органический растворитель, воду или смесь из органического растворителя и воды.
13. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что дисперсия А) содержит дополнительно сшивающий агент, и/или поверхностно-активные вещества, и/или другие добавки.
14. Способ по п.13, отличающийся тем, что в качестве других добавок дисперсия А) включает соединения, содержащие простую эфирную группу, лактоновую группу, амидную группу или лактамовую группу, сульфоны, сульфоксиды, сахар, производные сахара, сахарные спирты, производные фурана и/или ди- или полиспирты.
15. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что дисперсию А) при рН чувствительном диэлектрике доводят до значения рН от 4 до 8.
16. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что вязкость дисперсии А) составляет от 1 до 200 мПа·с (измеренная при 20°С и скорости сдвига 100 с-1).
17. Способ по п.1, отличающийся тем, что под электродным материалом электродного тела (2) подразумевают вентильный металл или соединение с электрическими свойствами, сравнимыми с электрическими свойствами вентильного металла.
18. Способ по п.17, отличающийся тем, что под вентильным металлом или под соединением с электрическими свойствами, сравнимыми с электрическими свойствами вентильного металла, подразумевают тантал, ниобий, алюминий, титан, цирконий, гафний, ванадий, сплав или соединение, по меньшей мере, одного из этих металлов с другими элементами, или оксид ниобия, или сплав, или соединение оксида ниобия с другими элементами.
19. Способ по п.17 или 18, отличающийся тем, что электродный материал основан на ниобии или оксиде ниобия.
20. Способ по п.19, отличающийся тем, что под электродным материалом, который основан на ниобии или оксиде ниобия, подразумевают ниобий, окись ниобия, оксид ниобия NbOx, где х имеет значения от 0,8 до 1,2, нитрид ниобия, оксинитрид ниобия, или смесь этих материалов, или сплав, или соединение, по меньшей мере, одного из этих материалов с другими элементами.
21. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что под диэлектриком подразумевают оксид вентильного металла или оксид соединения с электрическими свойствами, сравнимыми с электрическими свойствами вентильного металла.
22. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что нанесение дисперсии А) и, по меньшей мере, частичное удаление и/или отверждение диспергатора осуществляют многократно.
23. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что после нанесения дисперсии А), по меньшей мере, частично удаляют частицы В) электропроводного полимера, находящиеся на внешней поверхности покрытого диэлектриком электродного тела.
24. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что после нанесения дисперсии А) и образования твердых электролитов конденсатор, при необходимости, снабжают другими проводящими электрический ток внешними контактами (5, 6, 8), при необходимости, замыкают контакты и капсулируют.
25. Электролитический конденсатор, полученный способом по одному из пп.1-24.
26. Электролитический конденсатор по п.25, отличающийся тем, что он имеет удельный заряд от 500 до 500000 мкКл/г в расчете на массу покрытого диэлектриком электродного тела.
27. Применение электролитических конденсаторов по п.25 или 26 в электронных схемах.
28. Электронная схема, содержащая электролитический конденсатор по п.25 или 26.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005043828.8 | 2005-09-13 | ||
DE102005043828A DE102005043828A1 (de) | 2005-09-13 | 2005-09-13 | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2008113845A RU2008113845A (ru) | 2009-10-20 |
RU2417472C2 true RU2417472C2 (ru) | 2011-04-27 |
Family
ID=37496460
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2008113845/07A RU2417472C2 (ru) | 2005-09-13 | 2006-09-02 | Способ получения электролитических конденсаторов |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8058135B2 (ru) |
EP (2) | EP1927120B1 (ru) |
JP (3) | JP5747170B2 (ru) |
KR (1) | KR101369488B1 (ru) |
CN (2) | CN101263568B (ru) |
AT (1) | ATE552601T1 (ru) |
CA (1) | CA2620516A1 (ru) |
DE (1) | DE102005043828A1 (ru) |
IL (1) | IL189464A0 (ru) |
RU (1) | RU2417472C2 (ru) |
TW (1) | TWI417918B (ru) |
WO (1) | WO2007031206A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2543982C2 (ru) * | 2013-07-10 | 2015-03-10 | Ирина Юрьевна Сапурина | Способ получения композиционного полимер-углеродного электродного материала с высокой электрохимической емкостью |
RU2782433C1 (ru) * | 2021-12-28 | 2022-10-26 | Частное Учреждение По Обеспечению Научного Развития Атомной Отрасли "Наука И Инновации" (Частное Учреждение "Наука И Инновации") | Способ электрофоретического осаждения слоя твердого электролита на непроводящих подложках |
Families Citing this family (126)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009009998A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | コンデンサ及びその製造方法 |
US8213158B2 (en) * | 2007-09-28 | 2012-07-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and its production method |
DE102007048212A1 (de) | 2007-10-08 | 2009-04-09 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit polymerer Zwischenschicht |
DE102008005568A1 (de) | 2008-01-22 | 2009-07-23 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von leitfähigen Polymeren |
EP2250693A4 (en) * | 2008-02-08 | 2011-09-07 | Univ Monash | ELECTRODE FOR ELECTROCHEMICAL CELLS |
US8094434B2 (en) * | 2008-04-01 | 2012-01-10 | Avx Corporation | Hermetically sealed capacitor assembly |
DE102008024805A1 (de) | 2008-05-23 | 2009-12-03 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren |
DE102008026304A1 (de) * | 2008-06-02 | 2009-12-03 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit niedrigem Leckstrom |
DE102008032578A1 (de) | 2008-07-11 | 2010-01-14 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren |
JP2010087401A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-15 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | コンデンサの製造方法 |
DE102009007594A1 (de) | 2009-02-05 | 2010-08-12 | H.C. Starck Clevios Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit polymerer Außenschicht. |
WO2010100888A1 (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-10 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
GB2471017B (en) * | 2009-06-10 | 2012-02-15 | Friedrich Wilhelm Wieland | Improved fuel cell cathode and fuel cell |
JP5308982B2 (ja) | 2009-10-06 | 2013-10-09 | 信越ポリマー株式会社 | 固体電解キャパシタ及びその製造方法並びに固体電解キャパシタ用溶液 |
US8194395B2 (en) | 2009-10-08 | 2012-06-05 | Avx Corporation | Hermetically sealed capacitor assembly |
US8125768B2 (en) | 2009-10-23 | 2012-02-28 | Avx Corporation | External coating for a solid electrolytic capacitor |
JP2011171674A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | キャパシタ及びその製造方法 |
JP5444057B2 (ja) * | 2010-03-16 | 2014-03-19 | 信越ポリマー株式会社 | 固体電解キャパシタ及びその製造方法並びに固体電解キャパシタ用溶液 |
US8259436B2 (en) | 2010-08-03 | 2012-09-04 | Avx Corporation | Mechanically robust solid electrolytic capacitor assembly |
US8279584B2 (en) | 2010-08-12 | 2012-10-02 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor assembly |
US8824121B2 (en) | 2010-09-16 | 2014-09-02 | Avx Corporation | Conductive polymer coating for wet electrolytic capacitor |
US9508491B2 (en) | 2010-10-01 | 2016-11-29 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Method for improving electrical parameters in capacitors comprising PEDOT/PSS as a solid electrolyte through a polyalkylene glycol |
DE102010047086A1 (de) | 2010-10-01 | 2012-04-05 | Heraeus Clevios Gmbh | Schichtaufbauten mit verbesserten elektrischen Kenngrößen beinthaltend PEDOT/PSS sowie einen Stabilisator |
DE102010047087A1 (de) | 2010-10-01 | 2012-04-05 | Heraeus Clevios Gmbh | Verfahren zur Verbesserung der elektrischen Kenngrößen in Kondensatoren enthaltend PEDOT/PSS als Feststoffelektrolyt durch ein Polyalkylenglykol |
US8824122B2 (en) * | 2010-11-01 | 2014-09-02 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor for use in high voltage and high temperature applications |
KR101412827B1 (ko) * | 2010-11-12 | 2014-06-30 | 삼성전기주식회사 | 콘덴서 소자, 고체 전해 콘덴서, 및 그 제조방법 |
US8848342B2 (en) | 2010-11-29 | 2014-09-30 | Avx Corporation | Multi-layered conductive polymer coatings for use in high voltage solid electrolytic capacitors |
US8576543B2 (en) * | 2010-12-14 | 2013-11-05 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a poly(3,4-ethylenedioxythiophene) quaternary onium salt |
US8493713B2 (en) | 2010-12-14 | 2013-07-23 | Avx Corporation | Conductive coating for use in electrolytic capacitors |
WO2012112680A2 (en) * | 2011-02-15 | 2012-08-23 | Kemet Electronics Corporation | Process for producing electrolytic capacitors and capacitors made thereby |
DE102011013068A1 (de) | 2011-03-06 | 2012-09-06 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Verbesserung der elektrischen Kenngrößen in Kondensatoren enthaltend PEDOT/PSS als Feststoffelektrolyt durch Polyglycerin |
JP5995262B2 (ja) | 2011-03-06 | 2016-09-21 | ヘレウス ドイチェラント ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー | Pedot/pssを固体電解質として含有するコンデンサにおける電気パラメータをポリグリセロールによって改善するための方法 |
US8451588B2 (en) | 2011-03-11 | 2013-05-28 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a conductive coating formed from a colloidal dispersion |
CN102959659B (zh) * | 2011-03-25 | 2015-01-14 | 松下电器产业株式会社 | 电解电容器的制造方法 |
JP5674522B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2015-02-25 | 信越ポリマー株式会社 | 導電性高分子溶液、導電性塗膜および入力デバイス |
US9767964B2 (en) | 2011-04-07 | 2017-09-19 | Avx Corporation | Multi-anode solid electrolytic capacitor assembly |
US8379372B2 (en) | 2011-04-07 | 2013-02-19 | Avx Corporation | Housing configuration for a solid electrolytic capacitor |
US8947857B2 (en) | 2011-04-07 | 2015-02-03 | Avx Corporation | Manganese oxide capacitor for use in extreme environments |
US8300387B1 (en) | 2011-04-07 | 2012-10-30 | Avx Corporation | Hermetically sealed electrolytic capacitor with enhanced mechanical stability |
DE102011016493A1 (de) | 2011-04-08 | 2012-10-11 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Verbesserung der elektrischen Kenngrößen in Kondensatoren enthaltend PEDOT/PSS als Feststoffelektrolyt durch Additive |
US10879010B2 (en) | 2012-02-27 | 2020-12-29 | Kemet Electronics Corporation | Electrolytic capacitor having a higher cap recovery and lower ESR |
US11482382B2 (en) | 2012-02-27 | 2022-10-25 | Kemet Electronics Corporation | Electrolytic capacitor and process for forming an electrolytic capacitor |
US10643796B2 (en) * | 2012-02-27 | 2020-05-05 | Kemet Electronics Corporation | Conductive polymer dispersion with enhanced coverage |
DE102013101443A1 (de) | 2012-03-01 | 2013-09-05 | Avx Corporation | Ultrahigh voltage solid electrolytic capacitor |
DE102012004692A1 (de) | 2012-03-12 | 2013-09-12 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Zusatz von Polymeren zu Thiophen-Monomeren bei der In Situ-Polymerisation |
US8971019B2 (en) | 2012-03-16 | 2015-03-03 | Avx Corporation | Wet capacitor cathode containing an alkyl-substituted poly(3,4-ethylenedioxythiophene) |
JP2013219362A (ja) | 2012-04-11 | 2013-10-24 | Avx Corp | 過酷な条件下で強化された機械的安定性を有する固体電解コンデンサ |
DE102013213728A1 (de) | 2012-07-19 | 2014-01-23 | Avx Corporation | Nichtionisches Tensid zur Verwendung in einem festen Elektrolyten eines Elektrolytkondensators |
DE102013213720A1 (de) | 2012-07-19 | 2014-01-23 | Avx Corporation | Temperaturstabiler Festelektrolytkondensator |
DE102013213723A1 (de) | 2012-07-19 | 2014-01-23 | Avx Corporation | Festelektrolytkondensator mit erhöhter Feucht-zu-Trocken-Kapazität |
US9548163B2 (en) | 2012-07-19 | 2017-01-17 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved performance at high voltages |
JP5933397B2 (ja) | 2012-08-30 | 2016-06-08 | エイヴィーエックス コーポレイション | 固体電解コンデンサの製造方法および固体電解コンデンサ |
DE102012018978A1 (de) | 2012-09-27 | 2014-03-27 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Verwendung von PEDOT/PSS-Dispersionen mit hohem PEDOT-Anteil zur Herstellung von Kondensatoren und Solarzellen |
DE102012018976A1 (de) * | 2012-09-27 | 2014-03-27 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Verwendung von Mischungen aus selbstdotierten und fremddotierten leitfähigen Polymeren in einem Kondensator |
CN104718588B (zh) * | 2012-10-16 | 2018-08-28 | 三菱化学株式会社 | 导电性组合物以及使用所述组合物得到的固体电解电容器 |
WO2014087617A1 (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | パナソニック株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
US9928966B2 (en) * | 2012-12-28 | 2018-03-27 | Intel Corporation | Nanostructured electrolytic energy storage devices |
GB2512480B (en) | 2013-03-13 | 2018-05-30 | Avx Corp | Solid electrolytic capacitor for use in extreme conditions |
US9324503B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-26 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor |
US9892862B2 (en) | 2013-05-13 | 2018-02-13 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a pre-coat layer |
GB2517019B (en) | 2013-05-13 | 2018-08-29 | Avx Corp | Solid electrolytic capacitor containing conductive polymer particles |
US9472350B2 (en) | 2013-05-13 | 2016-10-18 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a multi-layered adhesion coating |
DE112014003398T5 (de) * | 2013-07-24 | 2016-06-09 | Kemet Electronics Corp. | Zusammensetzung eines leitfähigen Polymers mit Dualvernetzungsmittelsystem für Kondensatoren |
JP6480653B2 (ja) * | 2013-09-26 | 2019-03-13 | 株式会社トーキン | 導電性高分子溶液 |
US10319535B2 (en) | 2013-09-27 | 2019-06-11 | Intel Corporation | High voltage high power energy storage devices, systems, and associated methods |
US9236193B2 (en) | 2013-10-02 | 2016-01-12 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor for use under high temperature and humidity conditions |
US9589733B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-03-07 | Avx Corporation | Stable solid electrolytic capacitor containing a nanocomposite |
EP2950317B1 (en) | 2014-05-30 | 2017-08-23 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Two or polyfunctional compounds as adhesion primers for conductive polymers |
EP2950316B1 (en) | 2014-05-30 | 2019-11-06 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Monofunctional amines as adhesion primers for conductive polymers |
EP2950318A1 (en) | 2014-05-30 | 2015-12-02 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Addition of polymers to thiophene monomers in the in situ polymerization |
WO2016002176A1 (ja) * | 2014-07-03 | 2016-01-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
EP3037497A1 (en) | 2014-12-23 | 2016-06-29 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Process for producing functionalized polythiophenes |
US9928963B2 (en) | 2015-03-13 | 2018-03-27 | Avx Corporation | Thermally conductive encapsulant material for a capacitor assembly |
US10014108B2 (en) | 2015-03-13 | 2018-07-03 | Avx Corporation | Low profile multi-anode assembly |
US9754730B2 (en) | 2015-03-13 | 2017-09-05 | Avx Corporation | Low profile multi-anode assembly in cylindrical housing |
US10297393B2 (en) | 2015-03-13 | 2019-05-21 | Avx Corporation | Ultrahigh voltage capacitor assembly |
US9672989B2 (en) | 2015-05-29 | 2017-06-06 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor assembly for use in a humid atmosphere |
US9767963B2 (en) | 2015-05-29 | 2017-09-19 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with an ultrahigh capacitance |
US9972444B2 (en) | 2015-05-29 | 2018-05-15 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor element for use in dry conditions |
US9991055B2 (en) | 2015-05-29 | 2018-06-05 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor assembly for use at high temperatures |
JP6956319B2 (ja) * | 2015-06-30 | 2021-11-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電解コンデンサおよびその製造方法 |
CN107851517B (zh) * | 2015-07-31 | 2020-05-19 | 松下知识产权经营株式会社 | 电解电容器及其制造方法 |
CN108292566B (zh) * | 2015-11-27 | 2020-05-01 | 松下知识产权经营株式会社 | 电解电容器及其制造方法 |
EP3391398B1 (en) * | 2015-12-15 | 2023-11-15 | Kemet Electronics Corporation | Conductive polymer dispersion with enhanced coverage |
CN105761938B (zh) * | 2016-02-25 | 2019-02-15 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种铝电解质电容器及其制备方法 |
CN105761937B (zh) * | 2016-02-25 | 2019-02-15 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种铝电解质电容器及其制备方法 |
CN109478466B (zh) * | 2016-07-29 | 2021-03-09 | 松下知识产权经营株式会社 | 电解电容器及其制造方法 |
US10763046B2 (en) | 2016-09-15 | 2020-09-01 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
IT201600092814A1 (it) | 2016-09-15 | 2018-03-15 | El En Spa | Metodo e dispositivo per il trattamento di ulcere cutanee |
US10529497B2 (en) | 2016-09-16 | 2020-01-07 | Japan Capacitor Industrial Co., Ltd. | Stereostructure |
CN109844882A (zh) | 2016-10-18 | 2019-06-04 | 阿维科斯公司 | 固体电解电容器组件 |
CN109891536B (zh) * | 2016-10-18 | 2022-07-12 | 京瓷Avx元器件公司 | 在高温度和电压下具有改进的性能的固体电解电容器 |
US10741333B2 (en) | 2016-10-18 | 2020-08-11 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
US10431389B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-10-01 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor for high voltage environments |
JP7233003B2 (ja) * | 2016-12-28 | 2023-03-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電解コンデンサおよびその製造方法 |
CN110419087A (zh) | 2017-03-06 | 2019-11-05 | 阿维科斯公司 | 固体电解电容器组装件 |
KR102414097B1 (ko) | 2017-05-31 | 2022-06-27 | 소켄 케미칼 앤드 엔지니어링 캄파니, 리미티드 | 도전성 고분자 고체 전해 콘덴서의 제조 방법 및 도전성 고분자 |
JP7273946B2 (ja) * | 2018-07-26 | 2023-05-15 | ケメット エレクトロニクス コーポレーション | 高静電容量回復率及び低esrを有する電解コンデンサを形成する方法 |
US11081288B1 (en) | 2018-08-10 | 2021-08-03 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor having a reduced anomalous charging characteristic |
US11114250B2 (en) | 2018-08-10 | 2021-09-07 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor formed from conductive polymer particles |
US11183342B2 (en) | 2018-08-10 | 2021-11-23 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing polyaniline |
CN112889123A (zh) | 2018-08-10 | 2021-06-01 | 阿维科斯公司 | 包含本征导电聚合物的固体电解电容器 |
CN118213199A (zh) | 2018-12-11 | 2024-06-18 | 京瓷Avx元器件公司 | 含有本征导电聚合物的固体电解电容器 |
US11380492B1 (en) | 2018-12-11 | 2022-07-05 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor |
JP2022533161A (ja) | 2019-05-17 | 2022-07-21 | キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション | 固体電解キャパシタ |
DE112020004416T5 (de) | 2019-09-18 | 2022-06-15 | KYOCERA AVX Components Corporation | Festelektrolytkondensator zur Verwendung bei hohen Spannungen |
US11756742B1 (en) | 2019-12-10 | 2023-09-12 | KYOCERA AVX Components Corporation | Tantalum capacitor with improved leakage current stability at high temperatures |
DE112020006024T5 (de) | 2019-12-10 | 2022-10-06 | KYOCERA AVX Components Corporation | Tantalkondensator mit erhöhter Stabilität |
DE112020006028T5 (de) | 2019-12-10 | 2022-10-06 | KYOCERA AVX Components Corporation | Festelektrolytkondensator, der eine Vorbeschichtung und ein intrinsisch leitfähiges Polymer enthält |
EP3889980A1 (en) | 2020-04-02 | 2021-10-06 | Heraeus Deutschland GmbH & Co KG | Process for producing polymer capacitors for high reliability applications |
US11763998B1 (en) | 2020-06-03 | 2023-09-19 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor |
US11631548B2 (en) | 2020-06-08 | 2023-04-18 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a moisture barrier |
TWI722973B (zh) * | 2020-10-26 | 2021-03-21 | 鈺邦科技股份有限公司 | 電解質電容器的製備方法 |
CN114496578A (zh) * | 2020-10-26 | 2022-05-13 | 钰邦科技股份有限公司 | 电解质电容器的制备方法 |
EP3996119A1 (en) | 2020-11-06 | 2022-05-11 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Layer composition and process for its production |
US11837415B2 (en) | 2021-01-15 | 2023-12-05 | KYOCERA AVX Components Corpration | Solid electrolytic capacitor |
CN117460779A (zh) | 2021-06-04 | 2024-01-26 | 爱克发-格法特公司 | 聚噻吩/聚阴离子组合物 |
KR20240005927A (ko) | 2021-06-08 | 2024-01-12 | 아그파-게바에르트 엔.브이. | 신규한 폴리티오펜/폴리음이온 조성물 |
EP4151640A1 (en) | 2021-09-20 | 2023-03-22 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Process for producing functionalized polythiophenes |
US11935705B2 (en) | 2021-09-28 | 2024-03-19 | Kemet Electronics Corporation | Advanced polymer dispersion and a capacitor on its base |
EP4160632A1 (en) | 2021-09-29 | 2023-04-05 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Process for producing polymer capacitors for high reliability applications |
WO2023171657A1 (ja) * | 2022-03-09 | 2023-09-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電解コンデンサ |
EP4324866A1 (en) | 2022-08-17 | 2024-02-21 | Heraeus Epurio GmbH | High purity sulfonated thiophene monomers |
WO2024046965A1 (en) | 2022-09-01 | 2024-03-07 | Agfa-Gevaert Nv | Method of preparing a polymer capacitor, a conductive polymer composition, and it's use as a conductive layer in an electronic device |
EP4386796A1 (en) | 2022-12-16 | 2024-06-19 | Heraeus Epurio GmbH | Process for producing polymer capacitors for high reliability applications |
CN116949546B (zh) * | 2023-09-19 | 2023-12-26 | 滨州市华亿电器设备有限公司 | 一种用于电容器引出线的清洗控制方法 |
Family Cites Families (71)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5739042B2 (ru) * | 1974-03-26 | 1982-08-19 | ||
DE3814730A1 (de) | 1988-04-30 | 1989-11-09 | Bayer Ag | Feststoff-elektrolyte und diese enthaltende elektrolyt-kondensatoren |
DE59010247D1 (de) | 1990-02-08 | 1996-05-02 | Bayer Ag | Neue Polythiophen-Dispersionen, ihre Herstellung und ihre Verwendung |
US5538811A (en) * | 1992-07-23 | 1996-07-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ionic conductive polymer electrolyte |
US5711988A (en) | 1992-09-18 | 1998-01-27 | Pinnacle Research Institute, Inc. | Energy storage device and its methods of manufacture |
TW278096B (ru) * | 1992-09-24 | 1996-06-11 | Dsm Nv | |
JP2765462B2 (ja) * | 1993-07-27 | 1998-06-18 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JPH0745481A (ja) * | 1993-07-29 | 1995-02-14 | Nec Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
US5394875A (en) * | 1993-10-21 | 1995-03-07 | Lewis; Judith T. | Automatic ultrasonic localization of targets implanted in a portion of the anatomy |
JPH07118370A (ja) * | 1993-10-27 | 1995-05-09 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ピロール系重合体微粒子およびその製造方法 |
JP3070408B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2000-07-31 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP2818110B2 (ja) * | 1994-04-05 | 1998-10-30 | 積水化学工業株式会社 | 有機導電性高分子塗料 |
JP2536458B2 (ja) * | 1994-08-16 | 1996-09-18 | 日本電気株式会社 | ジスルホン酸化合物、それをド―パントとする導電性高分子、導電材およびそれを用いた固体電解コンデンサ |
US6059727A (en) * | 1995-06-15 | 2000-05-09 | The Regents Of The University Of Michigan | Method and apparatus for composition and display of three-dimensional image from two-dimensional ultrasound scan data |
US5619999A (en) * | 1995-12-28 | 1997-04-15 | Siemens Medical Systems, Inc. | Body surface position locator for ultrasound transducer |
US5812367A (en) | 1996-04-04 | 1998-09-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitors comprising a conductive layer made of a polymer of pyrrole or its derivative |
DE19627071A1 (de) | 1996-07-05 | 1998-01-08 | Bayer Ag | Elektrolumineszierende Anordnungen |
JP3235475B2 (ja) * | 1996-07-16 | 2001-12-04 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP3228155B2 (ja) * | 1996-11-20 | 2001-11-12 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
US6134099A (en) * | 1997-06-03 | 2000-10-17 | Matsushita Electric Industrial | Electrolytic capacitor having a conducting polymer layer without containing an organic acid-type dopant |
JPH1145824A (ja) * | 1997-07-24 | 1999-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサ及びその製造方法 |
WO1999067797A1 (fr) * | 1998-06-25 | 1999-12-29 | Nichicon Corporation | Condensateur a electrolyte solide et procede de fabrication |
US6001281A (en) * | 1998-09-04 | 1999-12-14 | Kemet Electronics Corporation | Preparation of conductive polymers from stabilized precursor solutions |
US6375688B1 (en) * | 1998-09-29 | 2002-04-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of making solid electrolyte capacitor having high capacitance |
US6515847B1 (en) * | 1998-09-30 | 2003-02-04 | Nippon Chemi-Con Corporation | Solid electrolyte capacitor and its manufacturing method |
JP2000235937A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
EP1054414B1 (en) | 1999-05-20 | 2003-03-12 | Agfa-Gevaert | Method for patterning a layer of conductive polymer |
US6340496B1 (en) | 1999-05-20 | 2002-01-22 | Agfa-Gevaert | Method for patterning a layer of conductive polymers |
US6136176A (en) * | 1999-05-21 | 2000-10-24 | Kemet Electronics Corporation | Capacitor with conductive polymer |
JP2001102255A (ja) | 1999-07-28 | 2001-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | タンタル固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP3536772B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2004-06-14 | 松下電器産業株式会社 | 導電性組成物前駆体、導電性組成物及び固体電解コンデンサの製造方法 |
US6602741B1 (en) * | 1999-09-14 | 2003-08-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive composition precursor, conductive composition, solid electrolytic capacitor, and their manufacturing method |
JP3834746B2 (ja) * | 1999-09-22 | 2006-10-18 | 潤二 伊藤 | 多孔質ゴム系電極用バインダー、これを用いた多孔質ゴム系電極及び多孔質ゴム系電極基材 |
JP3864651B2 (ja) | 1999-12-03 | 2007-01-10 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
CN1184653C (zh) * | 1999-12-03 | 2005-01-12 | 松下电器产业株式会社 | 固体电解电容器的制作方法及固体电解电容器 |
JP2001250743A (ja) * | 2000-03-06 | 2001-09-14 | Marcon Electronics Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2001325991A (ja) * | 2000-05-15 | 2001-11-22 | Nisshinbo Ind Inc | 電気部品及びその製造方法 |
CN1239561C (zh) * | 2000-06-26 | 2006-02-01 | 爱克发-格法特公司 | 包含聚噻吩的可再分散性胶乳 |
US6504705B2 (en) * | 2000-10-12 | 2003-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrolytic capacitor, circuit board containing electrolytic capacitor, and method for producing the same |
IL139351A0 (en) * | 2000-10-30 | 2001-11-25 | Al Coat Ltd | Solutions of conducting polyaniline |
DE10058116A1 (de) | 2000-11-22 | 2002-05-23 | Bayer Ag | Polythiophene |
CA2333224A1 (en) * | 2001-01-31 | 2002-07-31 | University Technologies International Inc. | Non-invasive diagnostic method and apparatus for musculoskeletal systems |
AU2002254047B2 (en) * | 2001-02-27 | 2006-11-16 | Smith & Nephew, Inc. | Total knee arthroplasty systems and processes |
JP4500492B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2010-07-14 | アグフア−ゲヴエルト,ナームローゼ・フエンノートシヤツプ | 安定なエレクトロルミネッセント装置 |
US7149074B2 (en) | 2001-04-19 | 2006-12-12 | Cabot Corporation | Methods of making a niobium metal oxide |
JP4329299B2 (ja) | 2001-07-16 | 2009-09-09 | パナソニック株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP4050097B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2008-02-20 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP4328483B2 (ja) * | 2001-11-26 | 2009-09-09 | Necトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2003229330A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサとその製造方法 |
US6671168B2 (en) * | 2001-11-30 | 2003-12-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
JP2003264127A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
JP2003289019A (ja) | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
US6796023B2 (en) | 2002-07-08 | 2004-09-28 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for integrated circuit storage tube retention pin removal and insertion |
US7118692B2 (en) * | 2004-10-04 | 2006-10-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Substituted thienothiophene monomers and conducting polymers |
JP3971266B2 (ja) * | 2002-08-02 | 2007-09-05 | ローム株式会社 | Nbコンデンサおよびこれの製造方法 |
DE10241069B4 (de) * | 2002-09-05 | 2004-07-15 | Aesculap Ag & Co. Kg | Vorrichtung zur Erfassung der Kontur einer Oberfläche |
US6882522B2 (en) * | 2003-01-31 | 2005-04-19 | Showa Denko K.K. | Production method of solid electrolytic capacitor |
JP4566593B2 (ja) * | 2003-04-14 | 2010-10-20 | 昭和電工株式会社 | 焼結体電極及びその焼結体電極を用いた固体電解コンデンサ |
JP4387131B2 (ja) | 2003-06-30 | 2009-12-16 | 富山薬品工業株式会社 | 導電性高分子物質の有機溶剤分散液及びその製造方法 |
DE10331673A1 (de) | 2003-07-14 | 2005-02-10 | H.C. Starck Gmbh | Polythiophen mit Alkylenoxythiathiophen-Einheiten in Elektrolytkondensatoren |
JP2005109252A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
EP1524678B2 (de) | 2003-10-17 | 2018-06-20 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Elektrolytkondensatoren mit polymerer Aussenschicht |
DE102004022110A1 (de) * | 2004-05-05 | 2005-12-01 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren |
JP2006068926A (ja) | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Alps Electric Co Ltd | 樹脂製光学部品用の成形型の製造方法 |
JP2006185973A (ja) | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 導電性高分子溶液及びその製造方法、導電体、コンデンサ及びその製造方法 |
JP4626334B2 (ja) | 2005-02-23 | 2011-02-09 | 横浜ゴム株式会社 | タイヤ加硫用ブラダ−及びその製造方法 |
DE102005016727A1 (de) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | H.C. Starck Gmbh | Elektrolytkondensatoren mit polymerer Außenschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE102005033839A1 (de) * | 2005-07-20 | 2007-01-25 | H.C. Starck Gmbh | Elektrolytkondensatoren mit polymerer Außenschicht und Verfahren zur ihrer Herstellung |
DE102005043829A1 (de) * | 2005-09-13 | 2007-04-05 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit hoher Nennspannung |
US20070077450A1 (en) | 2005-10-04 | 2007-04-05 | Yen Feng-Wen | Conjugated compounds containing triarylamine structural elements, and their use |
US7563290B2 (en) | 2006-07-06 | 2009-07-21 | Kemet Electronics Corporation | High voltage solid electrolytic capacitors using conductive polymer slurries |
-
2005
- 2005-09-13 DE DE102005043828A patent/DE102005043828A1/de not_active Ceased
-
2006
- 2006-09-02 EP EP06791797A patent/EP1927120B1/de active Active
- 2006-09-02 CN CN2006800331027A patent/CN101263568B/zh active Active
- 2006-09-02 KR KR1020087006138A patent/KR101369488B1/ko active IP Right Grant
- 2006-09-02 AT AT06791797T patent/ATE552601T1/de active
- 2006-09-02 WO PCT/EP2006/008583 patent/WO2007031206A1/de active Application Filing
- 2006-09-02 CN CN2011104628001A patent/CN102568830A/zh active Pending
- 2006-09-02 RU RU2008113845/07A patent/RU2417472C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2006-09-02 JP JP2008530373A patent/JP5747170B2/ja active Active
- 2006-09-02 CA CA002620516A patent/CA2620516A1/en not_active Abandoned
- 2006-09-02 EP EP10012041A patent/EP2267738A1/de not_active Withdrawn
- 2006-09-12 TW TW095133560A patent/TWI417918B/zh active
- 2006-09-13 US US11/520,330 patent/US8058135B2/en active Active
-
2008
- 2008-02-12 IL IL189464A patent/IL189464A0/en unknown
-
2011
- 2011-10-06 US US13/267,361 patent/US8699208B2/en active Active
-
2012
- 2012-10-05 JP JP2012223039A patent/JP2013009009A/ja active Pending
-
2014
- 2014-11-12 JP JP2014230014A patent/JP2015029156A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2543982C2 (ru) * | 2013-07-10 | 2015-03-10 | Ирина Юрьевна Сапурина | Способ получения композиционного полимер-углеродного электродного материала с высокой электрохимической емкостью |
RU2782433C1 (ru) * | 2021-12-28 | 2022-10-26 | Частное Учреждение По Обеспечению Научного Развития Атомной Отрасли "Наука И Инновации" (Частное Учреждение "Наука И Инновации") | Способ электрофоретического осаждения слоя твердого электролита на непроводящих подложках |
RU2821335C1 (ru) * | 2023-10-04 | 2024-06-21 | Акционерное общество "Элеконд" | Способ создания диэлектрической пленки анода высоковольтного танталового конденсатора и конденсатор с твердым электролитом и рабочим напряжением до 125 В включительно |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101369488B1 (ko) | 2014-03-05 |
JP5747170B2 (ja) | 2015-07-08 |
US20120075772A1 (en) | 2012-03-29 |
ATE552601T1 (de) | 2012-04-15 |
RU2008113845A (ru) | 2009-10-20 |
JP2009508341A (ja) | 2009-02-26 |
JP2013009009A (ja) | 2013-01-10 |
CA2620516A1 (en) | 2007-03-22 |
TW200737248A (en) | 2007-10-01 |
EP1927120B1 (de) | 2012-04-04 |
US8699208B2 (en) | 2014-04-15 |
IL189464A0 (en) | 2008-08-07 |
JP2015029156A (ja) | 2015-02-12 |
KR20080043834A (ko) | 2008-05-19 |
WO2007031206A1 (de) | 2007-03-22 |
CN101263568B (zh) | 2012-08-08 |
TWI417918B (zh) | 2013-12-01 |
US8058135B2 (en) | 2011-11-15 |
EP1927120A1 (de) | 2008-06-04 |
CN102568830A (zh) | 2012-07-11 |
CN101263568A (zh) | 2008-09-10 |
EP2267738A1 (de) | 2010-12-29 |
US20080005878A1 (en) | 2008-01-10 |
DE102005043828A1 (de) | 2007-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2417472C2 (ru) | Способ получения электролитических конденсаторов | |
RU2417473C2 (ru) | Способ получения электролитических конденсаторов с высоким номинальным сопротивлением | |
KR101638993B1 (ko) | 고분자 중간층을 갖는 전해 캐패시터의 제조 방법 | |
JP5406282B2 (ja) | 電解コンデンサを製造するためのプロセス | |
US7377947B2 (en) | Electrolyte capacitors having a polymeric outer layer and process for their production | |
US9111680B2 (en) | Process for producing electrolytic capacitors with a polymeric outer layer | |
KR101305900B1 (ko) | 중합체 외층을 갖는 전해 커패시터 및 이의 제조 방법 | |
US7279015B2 (en) | Process for the producing of electrolytic capacitors | |
JP2023549642A (ja) | 層組成物の製造方法 | |
MXPA06004114A (en) | Electrolyte capacitors having a polymeric outer layer and process for their production |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20110903 |