RU2004116073A - Подложка для эпитаксии - Google Patents

Подложка для эпитаксии Download PDF

Info

Publication number
RU2004116073A
RU2004116073A RU2004116073/15A RU2004116073A RU2004116073A RU 2004116073 A RU2004116073 A RU 2004116073A RU 2004116073/15 A RU2004116073/15 A RU 2004116073/15A RU 2004116073 A RU2004116073 A RU 2004116073A RU 2004116073 A RU2004116073 A RU 2004116073A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
nitride
single crystal
crystal
gallium
bulk
Prior art date
Application number
RU2004116073/15A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2312176C2 (ru
Inventor
Роберт ДВИЛИНСКИ (PL)
Роберт Двилински
Роман ДОРАДЗИНСКИ (PL)
Роман Дорадзински
Ежи ГАРШИНСКИ (PL)
Ежи Гаршински
Лешек П СЕШПУТОВСКИ (PL)
Лешек П СЕШПУТОВСКИ
Ясуо КАНБАРА (JP)
Ясуо Канбара
Original Assignee
АММОНО Сп. з о.о (PL)
АММОНО Сп. з о.о
Нития Корпорейшн (Jp)
Нития Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from PL35037501A external-priority patent/PL350375A1/xx
Priority claimed from PL354740A external-priority patent/PL205838B1/pl
Application filed by АММОНО Сп. з о.о (PL), АММОНО Сп. з о.о, Нития Корпорейшн (Jp), Нития Корпорейшн filed Critical АММОНО Сп. з о.о (PL)
Publication of RU2004116073A publication Critical patent/RU2004116073A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2312176C2 publication Critical patent/RU2312176C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/38—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C30B29/406—Gallium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C30B7/10—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by application of pressure, e.g. hydrothermal processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H01S5/0281—Coatings made of semiconductor materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Claims (54)

1. Объемный монокристалл нитрида в качестве подложки для эпитаксии, отличающийся тем, что он представляет собой монокристалл нитрида галлия, и его поперечное сечение в плоскости, перпендикулярной с-оси гексагональной кристаллической решетки нитрида галлия, имеет площадь поверхности больше 100 мм2 его толщина больше 1,0 мкм, и его плотность поверхностных дислокаций плоскости С меньше 106/см2, в то время как его объем достаточен для получения, по меньшей мере, одной пригодной для дальнейшей обработки пластины с неполярной плоскостью А или плоскостью М, имеющей площадь поверхности, предпочтительно, по меньшей мере, 100 мм2.
2. Объемный монокристалл нитрида по п.1, отличающийся тем, что его качество не ухудшается с ростом толщины.
3. Объемный монокристалл нитрида по п.1 или 2, отличающийся тем, что он также содержит элементы группы 1 (ИЮПАК 1989).
4. Объемный монокристалл нитрида по п.1, отличающийся тем, что он также содержит такие элементы, как Ti, Fe, Co, Cr и Ni.
5. Объемный монокристалл нитрида по п.1, отличающийся тем, что он дополнительно содержит донорные, и/или акцепторные, и/или магнитные легирующие примеси в концентрациях от 1017/см3 до 1021/см3.
6. Объемный монокристалл нитрида по п.1, отличающийся тем, что он кристаллизуется на поверхности затравочного кристалла.
7. Объемный монокристалл нитрида по п.6, отличающийся тем, что затравочный кристалл является затравочным кристаллом нитрида галлия.
8. Объемный монокристалл нитрида по п.7, отличающийся тем, что затравочный кристалл имеет форму плоской пластины с двумя параллельными сторонами, перпендикулярными с-оси гексагональной кристаллической решетки нитрида галлия, в то время как объемный монокристалл, нитрида галлия кристаллизуется только на стороне (000-1), завершающейся азотом, затравочного кристалла, при этом сторона (0001), завершающаяся галлием, блокирована для предотвращения на ней роста монокристалла нитрида галлия.
9. Объемный монокристалл нитрида по п.6, отличающийся тем, что затравочный кристалл представляет собой гетеро-затравочный кристалл, сформированный из сапфира, карбида кремния или подобного материала, с верхним буферным слоем из нитрида, по меньшей мере, на его с-плоскости, состоящей, по существу из нитрида галлия, и объемный монокристалл нитрида кристаллизуется на буферном слое, в то время как, по меньшей мере, одна, предпочтительно, все остальные поверхности гетеро-затравочного кристалла покрыты защитным маскирующим слоем.
10. Объемный монокристалл нитрида по п.6, отличающийся тем, что он кристаллизуется на множестве поверхностей, пригодных для поперечного роста нитрида, причем эти поверхности разнесены друг от друга, и остальные поверхности затравочного кристалла покрыты защитным маскирующим слоем.
11. Объемный монокристалл нитрида по п.1, отличающийся тем, что значение его плотности поверхностных дислокаций на стороне, завершающейся азотом, близко к 104/см2, и одновременно значение полной ширины на уровне полумаксимума (ПШПМ) кривой качания рентгеновских лучей близко к 60 угловых секунд.
12. Объемный монокристалл нитрида отличающийся тем, что он представляет собой монокристалл нитрида, содержащего галлий, и его поперечное сечение в плоскости, перпендикулярной с-оси гексагональной кристаллической решетки нитрида, содержащего галлий, имеет площадь поверхности больше 100 мм2, его толщина больше 1,0 мкм и его плотность поверхностных дислокаций меньше 106/см2.
13. Объемный монокристалл нитрида по п.12, отличающийся тем, что он является по существу плоским так, что его кривизна меньше 20 мкм.
14. Объемный монокристалл нитрида по п.12, отличающийся тем, что он имеет высокое значение больше, чем 10Е5 Ом/см2 удельного поверхностного сопротивления, предпочтительно больше 10Е7 Ом/см2.
15. Объемный монокристалл нитрида по любому из предыдущих пп.12-14, отличающийся тем, что его толщина составляет, по меньшей мере, 100 мкм.
16. Объемный монокристалл нитрида по п.15, отличающийся тем, что его объем достаточен для получения, по меньшей мере, одной пригодной для дальнейшей обработки пластины с неполярной плоскостью А или плоскостью М, имеющей площадь поверхности, по меньшей мере, 100 мм2.
17. Объемный монокристалл нитрида по любому из предыдущих пп.12-14, отличающийся тем, что он имеет площадь поверхности больше, чем 2 см2, предпочтительно больше, чем 5 см2 (диаметр 1 дюйм - 2,54 см), плоскости, перпендикулярной с-оси его гексагональной кристаллической решетки.
18. Объемный монокристалл нитрида по любому из предыдущих пп.12-14, отличающийся тем, что его качество не ухудшается с ростом толщины.
19. Объемный монокристалл нитрида по любому из предыдущих пп.12-14, отличающийся тем, что он также содержит элементы группы I (ИЮПАК 1989).
20. Объемный монокристалл нитрида по любому из предыдущих пп.12-14, отличающийся тем, что он также содержит такие элементы, как Ti, Fe, Co, Cr и Ni.
21. Объемный монокристалл нитрида по любому из предыдущих пп.12-14, отличающийся тем, что он дополнительно содержит донорные и/или акцепторные, и/или магнитные легирующие примеси в концентрациях от 1017/см3 до 1021/см3
22. Объемный монокристалл нитрида по п.12, отличающийся тем, что он кристаллизуется на поверхности затравочного кристалла.
23. Объемный монокристалл нитрида по п.22, отличающийся тем, что затравочный кристалл является затравочным кристаллом нитрида, содержащего галлий.
24. Объемный монокристалл нитрида по п.23, отличающийся тем, что затравочный кристалл имеет такой же состав, что и объемный монокристалл нитрида (гомо-затравочный кристалл).
25. Объемный монокристалл нитрида по п.24, отличающийся тем, что, как затравочный кристалл, так и объемный монокристалл нитрида состоят, по существу, и, нитрида галлия.
26. Объемный монокристалл нитрида по п.22, отличающийся тем, что затравочный кристалл представляет собой гетеро-затравочный кристалл, приготовленный из сапфира, карбида кремния или подобного материала, с верхним буферным слоем из нитрида, по меньшей мере, на одной его стороне, и объемный монокристалл нитрида кристаллизуется на буферном слое, в то время как, по меньшей мере, одна, предпочтительно, все остальные поверхности гетеро-затравочного кристалла покрыты защитным маскирующим слоем.
27. Объемный монокристалл нитрида но п.26, отличающийся тем, что верхний буферный слой из нитрида и объемный монокристалл нитрида, кристаллизующийся на буферном слое, по существу, состоят из нитрида галлия.
28. Объемный монокристалл нитрида но любому из предыдущих пп.22-27, отличающийся тем, что он кристаллизуется на множестве поверхностей, пригодных для поперечного выращивания нитрида, причем эти поверхности отделены друг от друга, и остальные поверхности затравочного кристалла покрыты защитным маскирующим слоем.
29. Объемный монокристалл нитрида по любому из предыдущих пп.22-27, отличающийся тем, что он кристаллизуется на гомо-затравочном кристалле в виде пластины с двумя параллельными плоскостями, по существу, перпендикулярными с-оси его гексагональной кристаллической решетки, и объемный монокристалл кристаллизуются на всех поверхностях затравочного кристалла.
30. Объемный монокристалл нитрида по п.29, отличающийся тем, что затравочный кристалл и объемный монокристалл нитрида состоят, по существу, из нитрида галлия, и затравочный кристалл имеет форму плоской пластины с двумя параллельными сторонами (0001) и (000-1), перпендикулярными с-оси гексагональной кристаллической решетки нитрида, содержащего галлий, в то время как два объемных монокристалла нитрида галлия кристаллизуются на обеих таких сторонах затравочного кристалла.
31. Объемный монокристалл нитрида по п.30, отличающийся тем, что он кристаллизуется на затравочном кристалле, одна из сторон (0001) или (000-1) которого, перпендикулярная с-оси гексагональной кристаллической решетки нитрида, содержащего галлий, закрыта металлической пластиной, изготовленной предпочтительно из серебра.
32. Объемный монокристалл нитрида по п.30, отличающийся тем, что он кристаллизуется на затравочном кристалле, одна из сторон (0001) или (000-1) которого, перпендикулярная с-оси гексагональной кристаллической решетки нитрида, содержащего галлий, покрыта слоем металла, предпочтительно серебра.
33. Объемный монокристалл нитрида по п.30, отличающийся тем, что он кристаллизуется на затравочном кристалле, одна из сторон (0001) или (000-1) которого, перпендикулярная с-оси гексагональной кристаллической решетки нитрида, содержащего галлий, блокирована путем установки на этой плоскости затравочного кристалла второго затравочного кристалла такого же размера так, что у него та же сторона (0001) или (000-1) обращена к соответствующей блокируемой стороне первого затравочного кристалла.
34. Объемный монокристалл нитрида по любому из предыдущих пп.31-33, отличающийся тем, что он кристаллизуется только на стороне (000-1), завершающейся азотом, затравочного кристалла.
35. Объемный монокристалл нитрида по п.34, отличающийся тем, что он имеет лучшее качество поверхности, чем объемный монокристалл, который может кристаллизоваться на стороне (0001), завершающейся галлием, затравочного кристалла.
36. Объемный монокристалл нитрида по п.34, отличающийся тем, что он имеет более низкую плотность поверхностных дислокаций, чем объемный монокристалл, который может кристаллизоваться на стороне (0001), завершающейся галлием, затравочного кристалла.
37. Объемный монокристалл нитрида по п.34, отличающийся тем, что он имеет лучшее значение удельного электрического сопротивления, чем объемный монокристалл, который может кристаллизоваться на стороне (0001), завершающейся галлием, затравочного кристалла.
38. Объемный монокристалл нитрида по п.34, отличающийся тем, что он имеет более низкие значения полной ширины на половине максимума (ПШПМ) кривой качания рентгеновских лучей, чем объемный монокристалл, который может кристаллизоваться на стороне (0001), завершающейся галлием, затравочного кристалла.
39. Объемный монокристалл нитрида по п.34, отличающийся тем, что значение его плотности поверхностных дислокаций на стороне, завершающейся азотом, близко к 104/см2, и одновременно значение ПШПМ кривой качания рентгеновских лучей близко к 60 угловых секунд.
40. Объемный монокристалл нитрида по пп.1 и 2, отличающийся тем, что его получают путем растворения соответствующего исходного материала из элементов группы XIII (ИЮПАК, 1989) в сверхкритическом растворителе с перенасыщением сверхкритического раствора по отношению к требуемому нитриду, содержащему галлий, которое достигается с помощью градиента температуры и/или изменения давления, и кристаллизацию требуемого нитрида, содержащего галлий, на поверхности затравочного кристалла при температуре выше и/или давлении ниже, чем используют в процессе растворения.
41. Объемный монокристалл нитрида по п.40, отличающийся тем, что сверхкритический растворитель содержит NH3 и/или его производные, и содержит ионы элементов группы I (ИЮПАК 1989), по меньшей мере, ионы калия или натрия, исходный материал состоит, по существу из нитрида, содержащего галлий, и/или его предшественников, выбранных из группы, включающей азиды, имиды, амидо-имиды, амиды, гидриды, соединения и сплавы металлов, содержащие галлий, а также элементы-металлы из группы XIII (ИЮПАК, 1989), в частности, металлический галлий.
42. Объемный монокристалл нитрида по п.41, отличающийся тем, что в процессе его получения происходит кристаллизация нитрида, содержащего галлий, в автоклаве, при температурах от 100 до 800°С и под давлением в диапазоне от 10 до 1000 МПа, и при молярном соотношении ионов элементов группы I (ИЮПАК 1989) к остальным компонентам сверхкритического растворителя в диапазоне от 1:200 до 1:2.
43. Объемный монокристалл нитрида по п.41, отличающийся тем, что в качестве источника ионов щелочного металла используют щелочные металлы или соединения щелочных металлов, за исключением тех, которые содержат галогены.
44. Объемный монокристалл нитрида по п.41, отличающийся тем, что его кристаллизацией управляют путем регулирования температуры и давления на этапе растворения и температуры и давления на этапе кристаллизации.
45. Объемный монокристалл нитрида по п.44, отличающийся тем, что он кристаллизуется при температуре в диапазоне от 400 до 600°С.
46. Объемный монокристалл нитрида по п.41, отличающийся тем, что он кристаллизуется в автоклаве с двумя разделенными зонами, зоной растворения и зоной кристаллизации, и разность температур между этими двумя зонами в ходе кристаллизации не превышает 150°С, предпочтительно не больше, чем 100°С.
47. Объемный монокристалл нитрида по п.46, отличающийся тем, что он кристаллизуется в условиях управления перенасыщением сверхкритического раствора в зоне кристаллизации автоклава с двумя разделенными зонами, и при поддержании заданной разности температур между этими двумя зонами путем использования перегородки или перегородок, разделяющих эти две зоны, для управления химическим (массовым) переносом между этими двумя зонами.
48. Объемный монокристалл нитрида по п.46 или 47, отличающийся тем, что управление перенасыщением сверхкритического раствора в зоне кристаллизации автоклава с двумя разделенными зонами и заданной разностью температур между этими двумя зонами обеспечивают путем использования исходного материала, содержащего галлий, в виде соответствующих кристаллов нитрида, имеющих большую общую площадь поверхности, чем общая площадь поверхности используемых затравочных кристаллов.
49. Объемный монокристалл нитрида, выращенный в направлении, параллельном с-оси гексагональной кристаллической решетки затравочного кристалла нитрида галлия в сверхкритическом NH3, содержащем комплексные соединения галлия, при молярном соотношении Ga:NH3 большем 1:50, для получения толщины, достаточной для формирования, по меньшей мере, одной, пригодной для дальнейшей обработки подложки из нитрида галлия с плоскостью А или плоскостью М.
50. Объемный монокристалл нитрида, выращенный на затравочном кристалле, не имеющий существенного наклона оси кристалла, с использованием сверхкритического NH3, содержащего комплексные соединения галлия, не имеющий такую высокую степень шероховатости поверхности, которая уменьшает срок службы устройства на основе нитридного полупроводника, сформированного из него.
51. Объемный монокристалл нитрида по п.1, отличающийся тем, что он пригоден для эпитаксиального выращивания слоев нитридного полупроводника.
52. Подложка для эпитаксии на основе объемного монокристалла нитрида, полученного по пп.1-51, отличающаяся тем, что она имеет форму с-ориентированного объемного монокристалла GaN диаметром 5,08 см (2 дюйма).
53. Подложка для эпитаксии по п.52, отличающаяся тем, что она имеет форму пластины из монокристалла нитрида, содержащего галлий, с плоскостью А или плоскостью М, имеющей площадь поверхности, пригодной для дальнейшей обработки, по меньшей мере, 100 мм2.
54. Подложка для эпитаксии по п.52, отличающаяся тем, что она имеет форму пластины из монокристалла GaN с плоскостью А или плоскостью М, имеющей площадь поверхности, пригодной для дальнейшей обработки, по меньшей мере, 100 мм2.
RU2004116073/15A 2001-10-26 2002-10-25 Подложка для эпитаксии (варианты) RU2312176C2 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PLP-350375 2001-10-26
PL35037501A PL350375A1 (en) 2001-10-26 2001-10-26 Epitaxial layer substrate
PLP-354740 2002-06-26
PL354740A PL205838B1 (pl) 2002-06-26 2002-06-26 Podłoże do epitaksji

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004116073A true RU2004116073A (ru) 2005-04-10
RU2312176C2 RU2312176C2 (ru) 2007-12-10

Family

ID=26653409

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004116073/15A RU2312176C2 (ru) 2001-10-26 2002-10-25 Подложка для эпитаксии (варианты)

Country Status (17)

Country Link
US (2) US7132730B2 (ru)
EP (1) EP1442162B1 (ru)
JP (2) JP4693351B2 (ru)
KR (1) KR100904501B1 (ru)
CN (1) CN1316070C (ru)
AT (1) ATE452999T1 (ru)
AU (1) AU2002347692C1 (ru)
CA (1) CA2464083C (ru)
DE (1) DE60234856D1 (ru)
HU (1) HUP0401882A3 (ru)
IL (2) IL161420A0 (ru)
NO (1) NO20042119L (ru)
PL (1) PL225235B1 (ru)
RU (1) RU2312176C2 (ru)
TW (1) TWI231321B (ru)
UA (1) UA82180C2 (ru)
WO (1) WO2003035945A2 (ru)

Families Citing this family (181)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6677619B1 (en) * 1997-01-09 2004-01-13 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
MY141883A (en) * 2001-06-06 2010-07-16 Ammono Sp Zoo Process and apparatus for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
JP4383172B2 (ja) * 2001-10-26 2009-12-16 アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン 窒化物バルク単結晶層を用いる発光素子構造及びその製造方法
CA2464083C (en) * 2001-10-26 2011-08-02 Ammono Sp. Z O.O. Substrate for epitaxy
WO2003089694A1 (en) * 2002-04-15 2003-10-30 The Regents Of The University Of California NON-POLAR (A1,B,In,Ga) QUANTUM WELL AND HETEROSTRUCTURE MATERIALS AND DEVICES
US8809867B2 (en) * 2002-04-15 2014-08-19 The Regents Of The University Of California Dislocation reduction in non-polar III-nitride thin films
PL225427B1 (pl) * 2002-05-17 2017-04-28 Ammono Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością Struktura urządzenia emitującego światło, zwłaszcza do półprzewodnikowego urządzenia laserowego
US20060138431A1 (en) * 2002-05-17 2006-06-29 Robert Dwilinski Light emitting device structure having nitride bulk single crystal layer
US7811380B2 (en) 2002-12-11 2010-10-12 Ammono Sp. Z O.O. Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
AU2003285766A1 (en) * 2002-12-11 2004-06-30 Ammono Sp. Z O.O. Process for obtaining bulk-crystalline gallium-containing nitride
JP4860927B2 (ja) * 2002-12-11 2012-01-25 アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン エピタキシ用基板及びその製造方法
US7427555B2 (en) * 2002-12-16 2008-09-23 The Regents Of The University Of California Growth of planar, non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
US7186302B2 (en) * 2002-12-16 2007-03-06 The Regents Of The University Of California Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition
KR101086155B1 (ko) * 2002-12-16 2011-11-25 독립행정법인 과학기술진흥기구 수소화합물 기상 성장법에 의한 평면, 비극성 질화 갈륨의 성장
EP3211659A1 (en) 2002-12-27 2017-08-30 Soraa Inc. Gallium nitride crystal
JP5096677B2 (ja) * 2003-04-15 2012-12-12 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 非極性（Ａｌ、Ｂ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ量子井戸
JP4920875B2 (ja) * 2003-05-29 2012-04-18 パナソニック株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法、およびｉｉｉ族窒化物基板の製造方法
JP3841092B2 (ja) * 2003-08-26 2006-11-01 住友電気工業株式会社 発光装置
EP1670106A4 (en) 2003-09-25 2007-12-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd SEMICONDUCTOR DEVICE IN NITRIDE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
JP2005191530A (ja) * 2003-12-03 2005-07-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
US7846757B2 (en) 2005-06-01 2010-12-07 The Regents Of The University Of California Technique for the growth and fabrication of semipolar (Ga,A1,In,B)N thin films, heterostructures, and devices
US7504274B2 (en) 2004-05-10 2009-03-17 The Regents Of The University Of California Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition
KR101365604B1 (ko) * 2004-05-10 2014-02-20 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 유기금속 화학기상증착법을 이용한 비극성 질화인듐갈륨 박막들, 이중 구조들 및 소자들의 제조
US7956360B2 (en) * 2004-06-03 2011-06-07 The Regents Of The University Of California Growth of planar reduced dislocation density M-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
US20080163814A1 (en) * 2006-12-12 2008-07-10 The Regents Of The University Of California CRYSTAL GROWTH OF M-PLANE AND SEMIPOLAR PLANES OF (Al, In, Ga, B)N ON VARIOUS SUBSTRATES
US6987063B2 (en) * 2004-06-10 2006-01-17 Freescale Semiconductor, Inc. Method to reduce impurity elements during semiconductor film deposition
KR100848380B1 (ko) * 2004-06-11 2008-07-25 암모노 에스피. 제트오. 오. 갈륨 함유 질화물의 벌크 단결정 및 그의 어플리케이션
JP4579294B2 (ja) * 2004-06-11 2010-11-10 アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン 第１３族元素窒化物の層から製造される高電子移動度トランジスタ（ｈｅｍｔ）およびその製造方法
TWI408263B (zh) * 2004-07-01 2013-09-11 Sumitomo Electric Industries ＡｌｘＧａｙＩｎ１-ｘ-ｙＮ基板、ＡｌｘＧａｙＩｎ１-ｘ-ｙＮ基板之清潔方法、ＡｌＮ基板及ＡｌＮ基板之清潔方法
JP4206086B2 (ja) * 2004-08-03 2009-01-07 住友電気工業株式会社 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子を製造する方法
DE102004048454B4 (de) * 2004-10-05 2008-02-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung von Gruppe-III-Nitrid-Volumenkristallen oder-Kristallschichten aus Metallschmelzen
DE102004048453A1 (de) 2004-10-05 2006-04-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Erhöhung des Umsatzes von Gruppe-III-Metall zu Gruppe-III-Nitrid in einer Gruppe-III-haltigen Metallschmelze
PL371405A1 (pl) 2004-11-26 2006-05-29 Ammono Sp.Z O.O. Sposób wytwarzania objętościowych monokryształów metodą wzrostu na zarodku
JP4140606B2 (ja) * 2005-01-11 2008-08-27 ソニー株式会社 ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法
KR101145753B1 (ko) * 2005-03-10 2012-05-16 재팬 사이언스 앤드 테크놀로지 에이젼시 평면의 반극성 갈륨 질화물의 성장을 위한 기술
EP1701203B1 (de) * 2005-03-10 2007-05-16 Nanogate Advanced Materials GmbH Flachbildschirm
KR100673873B1 (ko) * 2005-05-12 2007-01-25 삼성코닝 주식회사 열전도도가 우수한 질화갈륨 단결정 기판
KR100691176B1 (ko) * 2005-05-31 2007-03-09 삼성전기주식회사 질화물 반도체 단결정 성장방법
TWI377602B (en) * 2005-05-31 2012-11-21 Japan Science & Tech Agency Growth of planar non-polar {1-100} m-plane gallium nitride with metalorganic chemical vapor deposition (mocvd)
TW200703463A (en) * 2005-05-31 2007-01-16 Univ California Defect reduction of non-polar and semi-polar III-nitrides with sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO)
JP4277826B2 (ja) * 2005-06-23 2009-06-10 住友電気工業株式会社 窒化物結晶、窒化物結晶基板、エピ層付窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法
JP4913375B2 (ja) 2005-08-08 2012-04-11 昭和電工株式会社 半導体素子の製造方法
US8425858B2 (en) * 2005-10-14 2013-04-23 Morpho Detection, Inc. Detection apparatus and associated method
JP4807081B2 (ja) * 2006-01-16 2011-11-02 ソニー株式会社 ＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法、並びに、ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法
US20120161287A1 (en) * 2006-01-20 2012-06-28 Japan Science And Technology Agency METHOD FOR ENHANCING GROWTH OF SEMI-POLAR (Al,In,Ga,B)N VIA METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
JP5896442B2 (ja) 2006-01-20 2016-03-30 国立研究開発法人科学技術振興機構 Ｉｉｉ族窒化物膜の成長方法
JP4905125B2 (ja) * 2006-01-26 2012-03-28 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
US9406505B2 (en) * 2006-02-23 2016-08-02 Allos Semiconductors Gmbh Nitride semiconductor component and process for its production
WO2007106502A2 (en) * 2006-03-13 2007-09-20 Nanogram Corporation Thin silicon or germanium sheets and photovoltaics formed from thin sheets
US9783910B2 (en) 2006-04-07 2017-10-10 Sixpoint Materials, Inc. High pressure reactor and method of growing group III nitride crystals in supercritical ammonia
US9466481B2 (en) 2006-04-07 2016-10-11 Sixpoint Materials, Inc. Electronic device and epitaxial multilayer wafer of group III nitride semiconductor having specified dislocation density, oxygen/electron concentration, and active layer thickness
US9790616B2 (en) 2006-04-07 2017-10-17 Sixpoint Materials, Inc. Method of fabricating bulk group III nitride crystals in supercritical ammonia
US9834863B2 (en) 2006-04-07 2017-12-05 Sixpoint Materials, Inc. Group III nitride bulk crystals and fabrication method
US9518340B2 (en) 2006-04-07 2016-12-13 Sixpoint Materials, Inc. Method of growing group III nitride crystals
US10161059B2 (en) 2006-04-07 2018-12-25 Sixpoint Materials, Inc. Group III nitride bulk crystals and their fabrication method
US9909230B2 (en) 2006-04-07 2018-03-06 Sixpoint Materials, Inc. Seed selection and growth methods for reduced-crack group III nitride bulk crystals
US9754782B2 (en) 2006-04-07 2017-09-05 Sixpoint Materials, Inc. Group III nitride substrates and their fabrication method
US20070234946A1 (en) * 2006-04-07 2007-10-11 Tadao Hashimoto Method for growing large surface area gallium nitride crystals in supercritical ammonia and lagre surface area gallium nitride crystals
US8764903B2 (en) 2009-05-05 2014-07-01 Sixpoint Materials, Inc. Growth reactor for gallium-nitride crystals using ammonia and hydrogen chloride
US9803293B2 (en) 2008-02-25 2017-10-31 Sixpoint Materials, Inc. Method for producing group III-nitride wafers and group III-nitride wafers
EP2041794A4 (en) * 2006-06-21 2010-07-21 Univ California OPTOELECTRONIC AND ELECTRONIC DEVICES USING N-FACIAL OR M-PLANNED GAN SUBSTRATES PREPARED BY AMMONIOTHERMIC GROWTH
JP4884866B2 (ja) * 2006-07-25 2012-02-29 三菱電機株式会社 窒化物半導体装置の製造方法
US7585772B2 (en) 2006-07-26 2009-09-08 Freiberger Compound Materials Gmbh Process for smoothening III-N substrates
US8778078B2 (en) 2006-08-09 2014-07-15 Freiberger Compound Materials Gmbh Process for the manufacture of a doped III-N bulk crystal and a free-standing III-N substrate, and doped III-N bulk crystal and free-standing III-N substrate as such
CN101506947B (zh) * 2006-08-09 2011-06-08 夫莱堡复合材料公司 用来制造掺杂的ⅲ-n大块晶体以及自支撑的、掺杂的ⅲ-n衬底的方法以及掺杂的ⅲ-n大块晶体和自支撑的、掺杂的ⅲ-n衬底
JP5129527B2 (ja) * 2006-10-02 2013-01-30 株式会社リコー 結晶製造方法及び基板製造方法
CN101522962A (zh) * 2006-10-16 2009-09-02 三菱化学株式会社 氮化物半导体的制造方法、结晶生长速度增加剂、氮化物单晶、晶片及器件
JP5066639B2 (ja) * 2006-10-16 2012-11-07 三菱化学株式会社 窒化物半導体の製造方法、窒化物単結晶、ウエハ及びデバイス
EP2092093A4 (en) * 2006-10-25 2017-06-14 The Regents of The University of California Method for growing group iii-nitride crystals in a mixture of supercritical ammonia and nitrogen, and group iii-nitride crystals grown thereby
US8193020B2 (en) * 2006-11-15 2012-06-05 The Regents Of The University Of California Method for heteroepitaxial growth of high-quality N-face GaN, InN, and AlN and their alloys by metal organic chemical vapor deposition
JP2010509177A (ja) * 2006-11-15 2010-03-25 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 有機金属化学気相成長法による、高品質のＮ面ＧａＮ、ＩｎＮおよびＡｌＮならびにそれらの合金のヘテロエピタキシャル成長の方法
US7834367B2 (en) 2007-01-19 2010-11-16 Cree, Inc. Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating
US20080197378A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-21 Hua-Shuang Kong Group III Nitride Diodes on Low Index Carrier Substrates
JP4739255B2 (ja) * 2007-03-02 2011-08-03 豊田合成株式会社 半導体結晶の製造方法
EP2154272A4 (en) * 2007-05-17 2011-04-27 Mitsubishi Chem Corp METHOD FOR MANUFACTURING A NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL OF AN ELEMENT BELONGING TO GROUP III, A NITRIDE-FORMED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE OF A GROUP III ELEMENT, AND A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
JP5118392B2 (ja) * 2007-06-08 2013-01-16 ローム株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
JP4992616B2 (ja) * 2007-09-03 2012-08-08 日立電線株式会社 Ｉｉｉ族窒化物単結晶の製造方法及びｉｉｉ族窒化物単結晶基板の製造方法
US9012937B2 (en) 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
US8545626B2 (en) * 2008-03-03 2013-10-01 Mitsubishi Chemical Corporation Nitride semiconductor crystal and its production method
JP2011523931A (ja) * 2008-05-28 2011-08-25 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 低濃度アルカリ金属保有の六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層およびその生成方法
TWI460323B (zh) 2008-06-04 2014-11-11 Sixpoint Materials Inc 用於生長第iii族氮化物結晶之高壓容器及使用高壓容器生長第iii族氮化物結晶之方法及第iii族氮化物結晶
JP5431359B2 (ja) * 2008-06-04 2014-03-05 シックスポイント マテリアルズ， インコーポレイテッド 最初のｉｉｉ族−窒化物種晶からの熱アンモニア成長による改善された結晶性のｉｉｉ族−窒化物結晶を生成するための方法
US8097081B2 (en) 2008-06-05 2012-01-17 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US9157167B1 (en) 2008-06-05 2015-10-13 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US8871024B2 (en) 2008-06-05 2014-10-28 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
EP2286007B1 (en) * 2008-06-12 2018-04-04 SixPoint Materials, Inc. Method for testing gallium nitride wafers and method for producing gallium nitride wafers
US9404197B2 (en) 2008-07-07 2016-08-02 Soraa, Inc. Large area, low-defect gallium-containing nitride crystals, method of making, and method of use
US8673074B2 (en) * 2008-07-16 2014-03-18 Ostendo Technologies, Inc. Growth of planar non-polar {1 -1 0 0} M-plane and semi-polar {1 1 -2 2} gallium nitride with hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
WO2010017232A1 (en) * 2008-08-07 2010-02-11 Soraa, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US8021481B2 (en) 2008-08-07 2011-09-20 Soraa, Inc. Process and apparatus for large-scale manufacturing of bulk monocrystalline gallium-containing nitride
US8430958B2 (en) 2008-08-07 2013-04-30 Soraa, Inc. Apparatus and method for seed crystal utilization in large-scale manufacturing of gallium nitride
US8323405B2 (en) * 2008-08-07 2012-12-04 Soraa, Inc. Process and apparatus for growing a crystalline gallium-containing nitride using an azide mineralizer
US10036099B2 (en) 2008-08-07 2018-07-31 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US8979999B2 (en) 2008-08-07 2015-03-17 Soraa, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
JP2010105903A (ja) * 2008-08-21 2010-05-13 Mitsubishi Chemicals Corp 第１３族金属窒化物結晶の製造方法および半導体デバイスの製造方法
US7976630B2 (en) 2008-09-11 2011-07-12 Soraa, Inc. Large-area seed for ammonothermal growth of bulk gallium nitride and method of manufacture
US8354679B1 (en) 2008-10-02 2013-01-15 Soraa, Inc. Microcavity light emitting diode method of manufacture
WO2010045567A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-22 Sixpoint Materials, Inc. Reactor design for growing group iii nitride crystals and method of growing group iii nitride crystals
US8455894B1 (en) 2008-10-17 2013-06-04 Soraa, Inc. Photonic-crystal light emitting diode and method of manufacture
US20110203514A1 (en) * 2008-11-07 2011-08-25 The Regents Of The University Of California Novel vessel designs and relative placements of the source material and seed crystals with respect to the vessel for the ammonothermal growth of group-iii nitride crystals
US8852341B2 (en) 2008-11-24 2014-10-07 Sixpoint Materials, Inc. Methods for producing GaN nutrient for ammonothermal growth
USRE47114E1 (en) 2008-12-12 2018-11-06 Slt Technologies, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US8987156B2 (en) 2008-12-12 2015-03-24 Soraa, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US9589792B2 (en) 2012-11-26 2017-03-07 Soraa, Inc. High quality group-III metal nitride crystals, methods of making, and methods of use
US9543392B1 (en) 2008-12-12 2017-01-10 Soraa, Inc. Transparent group III metal nitride and method of manufacture
US8461071B2 (en) 2008-12-12 2013-06-11 Soraa, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US8878230B2 (en) 2010-03-11 2014-11-04 Soraa, Inc. Semi-insulating group III metal nitride and method of manufacture
JP5328931B2 (ja) * 2008-12-24 2013-10-30 サン−ゴバン クリストー エ デテクトゥール 低欠陥密度の自立窒化ガリウム基板の製法およびそれにより製造されたデバイス
US7953134B2 (en) * 2008-12-31 2011-05-31 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting device
US8299473B1 (en) 2009-04-07 2012-10-30 Soraa, Inc. Polarized white light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and transparent phosphors
JP5383313B2 (ja) 2009-05-20 2014-01-08 パナソニック株式会社 窒化物半導体発光装置
US8509275B1 (en) 2009-05-29 2013-08-13 Soraa, Inc. Gallium nitride based laser dazzling device and method
US9250044B1 (en) 2009-05-29 2016-02-02 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium and nitrogen containing laser diode dazzling devices and methods of use
US9800017B1 (en) 2009-05-29 2017-10-24 Soraa Laser Diode, Inc. Laser device and method for a vehicle
EP2267197A1 (en) * 2009-06-25 2010-12-29 AMMONO Sp.z o.o. Method of obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride, bulk mono-crystalline gallium-containing nitride, substrates manufactured thereof and devices manufactured on such substrates
US8435347B2 (en) 2009-09-29 2013-05-07 Soraa, Inc. High pressure apparatus with stackable rings
US9175418B2 (en) 2009-10-09 2015-11-03 Soraa, Inc. Method for synthesis of high quality large area bulk gallium based crystals
US8629065B2 (en) * 2009-11-06 2014-01-14 Ostendo Technologies, Inc. Growth of planar non-polar {10-10} M-plane gallium nitride with hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
US20110217505A1 (en) * 2010-02-05 2011-09-08 Teleolux Inc. Low-Defect nitride boules and associated methods
JP5887697B2 (ja) * 2010-03-15 2016-03-16 株式会社リコー 窒化ガリウム結晶、１３族窒化物結晶、結晶基板、およびそれらの製造方法
US9564320B2 (en) 2010-06-18 2017-02-07 Soraa, Inc. Large area nitride crystal and method for making it
US8729559B2 (en) 2010-10-13 2014-05-20 Soraa, Inc. Method of making bulk InGaN substrates and devices thereon
CN102146585A (zh) * 2011-01-04 2011-08-10 武汉华炬光电有限公司 非极性面GaN外延片及其制备方法
US8786053B2 (en) 2011-01-24 2014-07-22 Soraa, Inc. Gallium-nitride-on-handle substrate materials and devices and method of manufacture
CN102214557A (zh) * 2011-04-28 2011-10-12 中山大学 一种半极性、非极性GaN自支撑衬底的制备方法
EP2723680A1 (en) 2011-06-27 2014-04-30 Sixpoint Materials Inc. Synthesis method of transition metal nitride and transition metal nitride
US8492185B1 (en) 2011-07-14 2013-07-23 Soraa, Inc. Large area nonpolar or semipolar gallium and nitrogen containing substrate and resulting devices
US9694158B2 (en) 2011-10-21 2017-07-04 Ahmad Mohamad Slim Torque for incrementally advancing a catheter during right heart catheterization
US10029955B1 (en) 2011-10-24 2018-07-24 Slt Technologies, Inc. Capsule for high pressure, high temperature processing of materials and methods of use
US8569153B2 (en) 2011-11-30 2013-10-29 Avogy, Inc. Method and system for carbon doping control in gallium nitride based devices
US8482104B2 (en) 2012-01-09 2013-07-09 Soraa, Inc. Method for growth of indium-containing nitride films
US10435812B2 (en) * 2012-02-17 2019-10-08 Yale University Heterogeneous material integration through guided lateral growth
JP6015053B2 (ja) * 2012-03-26 2016-10-26 富士通株式会社 半導体装置の製造方法及び窒化物半導体結晶の製造方法
US9976229B2 (en) 2012-03-29 2018-05-22 Mitsubishi Chemical Corporation Method for producing nitride single crystal
US10145026B2 (en) 2012-06-04 2018-12-04 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of semipolar gallium nitride boules
JP6541229B2 (ja) 2012-08-23 2019-07-10 シックスポイント マテリアルズ， インコーポレイテッド 窒化ガリウムおよび金属酸化物の複合基板
KR102062901B1 (ko) 2012-08-24 2020-01-06 서울반도체 주식회사 비스무트 도핑된 반절연성 3족 질화물 웨이퍼 및 그의 제조 방법
CN104781057B (zh) 2012-08-28 2018-04-24 希波特公司 第iii族氮化物晶片和其制造方法
US9275912B1 (en) 2012-08-30 2016-03-01 Soraa, Inc. Method for quantification of extended defects in gallium-containing nitride crystals
JP6002508B2 (ja) * 2012-09-03 2016-10-05 住友化学株式会社 窒化物半導体ウェハ
JP6169704B2 (ja) 2012-09-25 2017-07-26 シックスポイント マテリアルズ， インコーポレイテッド Ｉｉｉ族窒化物結晶を成長させる方法
WO2014051684A1 (en) 2012-09-26 2014-04-03 Sixpoint Materials, Inc. Group iii nitride wafers and fabrication method and testing method
US9299555B1 (en) 2012-09-28 2016-03-29 Soraa, Inc. Ultrapure mineralizers and methods for nitride crystal growth
TWI535055B (zh) 2012-11-19 2016-05-21 新世紀光電股份有限公司 氮化物半導體結構及半導體發光元件
TWI499080B (zh) 2012-11-19 2015-09-01 Genesis Photonics Inc 氮化物半導體結構及半導體發光元件
TWI524551B (zh) 2012-11-19 2016-03-01 新世紀光電股份有限公司 氮化物半導體結構及半導體發光元件
CN103972341B (zh) * 2013-01-25 2017-03-01 新世纪光电股份有限公司 氮化物半导体结构及半导体发光元件
WO2014129544A1 (ja) * 2013-02-22 2014-08-28 三菱化学株式会社 周期表第１３族金属窒化物結晶およびその製造方法
JP5629340B2 (ja) * 2013-03-04 2014-11-19 フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングＦｒｅｉｂｅｒｇｅｒ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｇｍｂｈ ドープｉｉｉ−ｎバルク結晶及び自立型ドープｉｉｉ−ｎ基板
US9711352B2 (en) 2013-03-15 2017-07-18 Yale University Large-area, laterally-grown epitaxial semiconductor layers
US9650723B1 (en) 2013-04-11 2017-05-16 Soraa, Inc. Large area seed crystal for ammonothermal crystal growth and method of making
WO2015006712A2 (en) 2013-07-11 2015-01-15 Sixpoint Materials, Inc. An electronic device using group iii nitride semiconductor and its fabrication method and an epitaxial multi-layer wafer for making it
WO2015025931A1 (ja) 2013-08-22 2015-02-26 日本碍子株式会社 １３族元素窒化物の製造方法および融液組成物
WO2015093447A1 (ja) 2013-12-18 2015-06-25 日本碍子株式会社 複合基板および機能素子
KR20150072066A (ko) * 2013-12-19 2015-06-29 서울바이오시스 주식회사 반도체 성장용 템플릿, 성장 기판 분리 방법 및 이를 이용한 발광소자 제조 방법
WO2015109211A1 (en) 2014-01-17 2015-07-23 Sixpoint Materials, Inc. Group iii nitride bulk crystals and fabrication method
CN106233429B (zh) 2014-04-16 2019-06-18 耶鲁大学 获得平坦的半极性氮化镓表面的方法
CN106233471A (zh) 2014-04-16 2016-12-14 耶鲁大学 蓝宝石衬底上的氮‑极性的半极性GaN层和器件
WO2015179852A1 (en) 2014-05-23 2015-11-26 Sixpoint Materials, Inc. Group iii nitride bulk crystals and their fabrication method
DE102014116999A1 (de) * 2014-11-20 2016-05-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
WO2016090045A1 (en) 2014-12-02 2016-06-09 Sixpoint Materials, Inc. Group iii nitride crystals, their fabrication method, and method of fabricating bulk group iii nitride crystals in supercritical ammonia
JP6456502B2 (ja) * 2014-12-04 2019-01-23 シックスポイント マテリアルズ， インコーポレイテッド Ｉｉｉ族窒化物基板およびそれらの製造方法
WO2016210428A1 (en) 2015-06-25 2016-12-29 Sixpoint Materials, Inc. High pressure reactor and method of growing group iii nitride crystals in supercritical ammonia
TW201810383A (zh) 2016-08-12 2018-03-16 耶魯大學 通過在生長期間消除氮極性面的生長在異質基板上的無堆疊錯誤的半極性及非極性ＧａＮ
US10134883B2 (en) 2016-12-23 2018-11-20 Sixpoint Materials, Inc. Electronic device using group III nitride semiconductor and its fabrication method
US10174438B2 (en) 2017-03-30 2019-01-08 Slt Technologies, Inc. Apparatus for high pressure reaction
JP6931827B2 (ja) 2017-04-07 2021-09-08 日本製鋼所Ｍ＆Ｅ株式会社 結晶製造用圧力容器
US10354863B2 (en) 2017-09-26 2019-07-16 Sixpoint Materials, Inc. Seed crystal for growth of gallium nitride bulk crystal in supercritical ammonia and fabrication method
US10242868B1 (en) 2017-09-26 2019-03-26 Sixpoint Materials, Inc. Seed crystal for growth of gallium nitride bulk crystal in supercritical ammonia and fabrication method
US10287709B2 (en) 2017-09-26 2019-05-14 Sixpoint Materials, Inc. Seed crystal for growth of gallium nitride bulk crystal in supercritical ammonia and fabrication method
JP2020535092A (ja) 2017-09-26 2020-12-03 シックスポイント マテリアルズ， インコーポレイテッド 超臨界アンモニアの中での窒化ガリウムバルク結晶の成長のための種結晶および製造方法
US11767609B2 (en) 2018-02-09 2023-09-26 Sixpoint Materials, Inc. Low-dislocation bulk GaN crystal and method of fabricating same
JP2021512838A (ja) 2018-02-09 2021-05-20 シックスポイント マテリアルズ， インコーポレイテッド 低転位バルクＧａＮ結晶およびこれを製作する方法
KR102544296B1 (ko) * 2018-09-13 2023-06-16 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 표면발광레이저 소자 및 이를 구비한 표면발광레이저 장치
US11421843B2 (en) 2018-12-21 2022-08-23 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber-delivered laser-induced dynamic light system
US11239637B2 (en) 2018-12-21 2022-02-01 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber delivered laser induced white light system
US11466384B2 (en) 2019-01-08 2022-10-11 Slt Technologies, Inc. Method of forming a high quality group-III metal nitride boule or wafer using a patterned substrate
US11884202B2 (en) 2019-01-18 2024-01-30 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system
US12000552B2 (en) 2019-01-18 2024-06-04 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system for a vehicle
US11721549B2 (en) 2020-02-11 2023-08-08 Slt Technologies, Inc. Large area group III nitride crystals and substrates, methods of making, and methods of use
EP4104201A1 (en) 2020-02-11 2022-12-21 SLT Technologies, Inc. Improved group iii nitride substrate, method of making, and method of use

Family Cites Families (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8656A (en) * 1852-01-13 Loom foe
US22154A (en) * 1858-11-30 Tackle-block
JPH0722692B2 (ja) 1988-08-05 1995-03-15 株式会社日本製鋼所 水熱合成用容器
JPH02137287A (ja) 1988-11-17 1990-05-25 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
CN1014535B (zh) 1988-12-30 1991-10-30 中国科学院物理研究所 利用改进的矿化剂生长磷酸钛氧钾单晶的方法
US5456204A (en) 1993-05-28 1995-10-10 Alfa Quartz, C.A. Filtering flow guide for hydrothermal crystal growth
JP3184717B2 (ja) 1993-10-08 2001-07-09 三菱電線工業株式会社 ＧａＮ単結晶およびその製造方法
US5679152A (en) 1994-01-27 1997-10-21 Advanced Technology Materials, Inc. Method of making a single crystals Ga*N article
JPH07249830A (ja) 1994-03-10 1995-09-26 Hitachi Ltd 半導体発光素子の製造方法
EP0711853B1 (en) 1994-04-08 1999-09-08 Japan Energy Corporation Method for growing gallium nitride compound semiconductor crystal, and gallium nitride compound semiconductor device
US5777350A (en) 1994-12-02 1998-07-07 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting device
JPH08250802A (ja) 1995-03-09 1996-09-27 Fujitsu Ltd 半導体レーザ及びその製造方法
US5679965A (en) * 1995-03-29 1997-10-21 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact, non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
US5670798A (en) * 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
JP3728332B2 (ja) 1995-04-24 2005-12-21 シャープ株式会社 化合物半導体発光素子
US6377596B1 (en) * 1995-09-18 2002-04-23 Hitachi, Ltd. Semiconductor materials, methods for fabricating semiconductor materials, and semiconductor devices
JPH09134878A (ja) * 1995-11-10 1997-05-20 Matsushita Electron Corp 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
JP3778609B2 (ja) 1996-04-26 2006-05-24 三洋電機株式会社 半導体素子の製造方法
JPH107496A (ja) 1996-06-25 1998-01-13 Hitachi Cable Ltd 窒化物結晶の製造方法およびその装置
JP3179346B2 (ja) * 1996-08-27 2001-06-25 松下電子工業株式会社 窒化ガリウム結晶の製造方法
JPH1084161A (ja) 1996-09-06 1998-03-31 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザ及びその製造方法
US6031858A (en) * 1996-09-09 2000-02-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor laser and method of fabricating same
US6542526B1 (en) * 1996-10-30 2003-04-01 Hitachi, Ltd. Optical information processor and semiconductor light emitting device suitable for the same
EP1017113B1 (en) 1997-01-09 2012-08-22 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
US6677619B1 (en) 1997-01-09 2004-01-13 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
US5868837A (en) 1997-01-17 1999-02-09 Cornell Research Foundation, Inc. Low temperature method of preparing GaN single crystals
PL184902B1 (pl) * 1997-04-04 2003-01-31 Centrum Badan Wysokocisnieniowych Pan Sposób usuwania nierówności i obszarów silnie zdefektowanych z powierzchni kryształów i warstw epitaksjalnych GaN i Ga AL In N
JP3491492B2 (ja) 1997-04-09 2004-01-26 松下電器産業株式会社 窒化ガリウム結晶の製造方法
US5888389A (en) * 1997-04-24 1999-03-30 Hydroprocessing, L.L.C. Apparatus for oxidizing undigested wastewater sludges
PL186905B1 (pl) * 1997-06-05 2004-03-31 Cantrum Badan Wysokocisnieniow Sposób wytwarzania wysokooporowych kryształów objętościowych GaN
PL183687B1 (pl) * 1997-06-06 2002-06-28 Centrum Badan Sposób wytwarzania półprzewodnikowych związków grupy A-B o przewodnictwie elektrycznym typu p i typu n
GB2333520B (en) 1997-06-11 2000-04-26 Hitachi Cable GaN crystal growth method
TW519551B (en) * 1997-06-11 2003-02-01 Hitachi Cable Methods of fabricating nitride crystals and nitride crystals obtained therefrom
US6270569B1 (en) * 1997-06-11 2001-08-07 Hitachi Cable Ltd. Method of fabricating nitride crystal, mixture, liquid phase growth method, nitride crystal, nitride crystal powders, and vapor phase growth method
JP3239812B2 (ja) 1997-08-07 2001-12-17 日本電気株式会社 ＩｎＧａＮ層を含む窒化ガリウム系半導体層の結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子およびその製造方法
JP3234799B2 (ja) 1997-08-07 2001-12-04 シャープ株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
US6593589B1 (en) * 1998-01-30 2003-07-15 The University Of New Mexico Semiconductor nitride structures
JPH11224856A (ja) * 1998-02-05 1999-08-17 Sony Corp ＧａＮ系半導体の成長方法およびＧａＮ系半導体成長用基板
JPH11307813A (ja) 1998-04-03 1999-11-05 Hewlett Packard Co <Hp> 発光装置、その製造方法およびディスプレイ
US6249534B1 (en) 1998-04-06 2001-06-19 Matsushita Electronics Corporation Nitride semiconductor laser device
JPH11340576A (ja) * 1998-05-28 1999-12-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化ガリウム系半導体デバイス
JP3727187B2 (ja) 1998-07-03 2005-12-14 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
JP2000031533A (ja) 1998-07-14 2000-01-28 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP2000044399A (ja) * 1998-07-24 2000-02-15 Sharp Corp 窒化ガリウム系化合物半導体のバルク結晶製造方法
TW413956B (en) * 1998-07-28 2000-12-01 Sumitomo Electric Industries Fluorescent substrate LED
JP2000082863A (ja) 1998-09-04 2000-03-21 Sony Corp 半導体発光素子の製造方法
US6423984B1 (en) 1998-09-10 2002-07-23 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using gallium nitride compound semiconductor
US6252261B1 (en) * 1998-09-30 2001-06-26 Nec Corporation GaN crystal film, a group III element nitride semiconductor wafer and a manufacturing process therefor
TW498102B (en) * 1998-12-28 2002-08-11 Futaba Denshi Kogyo Kk A process for preparing GaN fluorescent substance
US6372041B1 (en) 1999-01-08 2002-04-16 Gan Semiconductor Inc. Method and apparatus for single crystal gallium nitride (GaN) bulk synthesis
JP2000216494A (ja) 1999-01-20 2000-08-04 Sanyo Electric Co Ltd 半導体発光素子およびその製造方法
US6177057B1 (en) * 1999-02-09 2001-01-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Process for preparing bulk cubic gallium nitride
DE60043536D1 (de) 1999-03-04 2010-01-28 Nichia Corp Nitridhalbleiterlaserelement
FR2796657B1 (fr) * 1999-07-20 2001-10-26 Thomson Csf Procede de synthese de materiaux massifs monocristallins en nitrures d'elements de la colonne iii du tableau de la classification periodique
JP3968920B2 (ja) * 1999-08-10 2007-08-29 双葉電子工業株式会社 蛍光体
JP2001085737A (ja) 1999-09-10 2001-03-30 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子
US6265322B1 (en) * 1999-09-21 2001-07-24 Agere Systems Guardian Corp. Selective growth process for group III-nitride-based semiconductors
EP1142033A1 (en) 1999-09-27 2001-10-10 LumiLeds Lighting U.S., LLC A light emitting diode device that produces white light by performing complete phosphor conversion
JP4145437B2 (ja) 1999-09-28 2008-09-03 住友電気工業株式会社 単結晶ＧａＮの結晶成長方法及び単結晶ＧａＮ基板の製造方法と単結晶ＧａＮ基板
US6398867B1 (en) * 1999-10-06 2002-06-04 General Electric Company Crystalline gallium nitride and method for forming crystalline gallium nitride
EP1104031B1 (en) * 1999-11-15 2012-04-11 Panasonic Corporation Nitride semiconductor laser diode and method of fabricating the same
US6653663B2 (en) * 1999-12-06 2003-11-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Nitride semiconductor device
JP4899241B2 (ja) * 1999-12-06 2012-03-21 ソニー株式会社 不揮発性半導体記憶装置およびその動作方法
US6447604B1 (en) * 2000-03-13 2002-09-10 Advanced Technology Materials, Inc. Method for achieving improved epitaxy quality (surface texture and defect density) on free-standing (aluminum, indium, gallium) nitride ((al,in,ga)n) substrates for opto-electronic and electronic devices
JP3946427B2 (ja) 2000-03-29 2007-07-18 株式会社東芝 エピタキシャル成長用基板の製造方法及びこのエピタキシャル成長用基板を用いた半導体装置の製造方法
JP2001339121A (ja) 2000-05-29 2001-12-07 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子とそれを含む光学装置
JP2002016285A (ja) * 2000-06-27 2002-01-18 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 半導体発光素子
US6586762B2 (en) 2000-07-07 2003-07-01 Nichia Corporation Nitride semiconductor device with improved lifetime and high output power
JP3968968B2 (ja) * 2000-07-10 2007-08-29 住友電気工業株式会社 単結晶ＧａＮ基板の製造方法
JP4154558B2 (ja) * 2000-09-01 2008-09-24 日本電気株式会社 半導体装置
US6858882B2 (en) 2000-09-08 2005-02-22 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor light-emitting device and optical device including the same
JP4416297B2 (ja) 2000-09-08 2010-02-17 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子、ならびにそれを使用した発光装置および光ピックアップ装置
JP2002094189A (ja) 2000-09-14 2002-03-29 Sharp Corp 窒化物半導体レーザ素子およびそれを用いた光学装置
US6936488B2 (en) 2000-10-23 2005-08-30 General Electric Company Homoepitaxial gallium-nitride-based light emitting device and method for producing
JP4063520B2 (ja) * 2000-11-30 2008-03-19 日本碍子株式会社 半導体発光素子
ATE528421T1 (de) * 2000-11-30 2011-10-15 Univ North Carolina State Verfahren zur herstellung von gruppe-iii- metallnitrid-materialien
US6806508B2 (en) * 2001-04-20 2004-10-19 General Electic Company Homoepitaxial gallium nitride based photodetector and method of producing
MY141883A (en) 2001-06-06 2010-07-16 Ammono Sp Zoo Process and apparatus for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
PL207400B1 (pl) 2001-06-06 2010-12-31 Ammono Społka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością Sposób i urządzenie do otrzymywania objętościowego monokryształu azotku zawierającego gal
US6488767B1 (en) * 2001-06-08 2002-12-03 Advanced Technology Materials, Inc. High surface quality GaN wafer and method of fabricating same
JP4383172B2 (ja) * 2001-10-26 2009-12-16 アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン 窒化物バルク単結晶層を用いる発光素子構造及びその製造方法
CA2464083C (en) * 2001-10-26 2011-08-02 Ammono Sp. Z O.O. Substrate for epitaxy
US7097707B2 (en) * 2001-12-31 2006-08-29 Cree, Inc. GaN boule grown from liquid melt using GaN seed wafers
US20030209191A1 (en) * 2002-05-13 2003-11-13 Purdy Andrew P. Ammonothermal process for bulk synthesis and growth of cubic GaN
PL225427B1 (pl) * 2002-05-17 2017-04-28 Ammono Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością Struktura urządzenia emitującego światło, zwłaszcza do półprzewodnikowego urządzenia laserowego
AU2002354463A1 (en) * 2002-05-17 2003-12-02 Ammono Sp.Zo.O. Bulk single crystal production facility employing supercritical ammonia
PL225422B1 (pl) 2002-06-26 2017-04-28 Ammono Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością Sposób otrzymywania objętościowych monokryształów azotku zawierającego gal
US7811380B2 (en) 2002-12-11 2010-10-12 Ammono Sp. Z O.O. Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride

Also Published As

Publication number Publication date
WO2003035945A3 (en) 2003-10-16
CN1575357A (zh) 2005-02-02
ATE452999T1 (de) 2010-01-15
US7420261B2 (en) 2008-09-02
HUP0401882A1 (hu) 2004-12-28
WO2003035945A2 (en) 2003-05-01
EP1442162B1 (en) 2009-12-23
US20070040240A1 (en) 2007-02-22
JP2010222247A (ja) 2010-10-07
NO20042119D0 (no) 2004-05-24
KR20040049324A (ko) 2004-06-11
EP1442162A2 (en) 2004-08-04
US20040261692A1 (en) 2004-12-30
HUP0401882A3 (en) 2005-11-28
JP4693351B2 (ja) 2011-06-01
TWI231321B (en) 2005-04-21
JP2005506271A (ja) 2005-03-03
NO20042119L (no) 2004-05-24
IL161420A (en) 2007-10-31
JP5123984B2 (ja) 2013-01-23
DE60234856D1 (de) 2010-02-04
UA82180C2 (ru) 2008-03-25
RU2312176C2 (ru) 2007-12-10
CA2464083C (en) 2011-08-02
IL161420A0 (en) 2004-09-27
KR100904501B1 (ko) 2009-06-25
PL225235B1 (pl) 2017-03-31
AU2002347692C1 (en) 2008-03-06
AU2002347692B2 (en) 2007-08-02
PL373986A1 (en) 2005-09-19
CA2464083A1 (en) 2003-05-01
US7132730B2 (en) 2006-11-07
CN1316070C (zh) 2007-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2004116073A (ru) Подложка для эпитаксии
JP4860927B2 (ja) エピタキシ用基板及びその製造方法
KR100865348B1 (ko) 갈륨함유 질화물 단결정의 이종기판상의 형성법
US8398767B2 (en) Bulk mono-crystalline gallium-containing nitride and its application
US20060032428A1 (en) Process for obtaining of bulk monocrystalline gallium-containing nitride
US7314517B2 (en) Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
PL225423B1 (pl) Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną ( podłoża typu template), z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
PL225424B1 (pl) Sposób wytwarzania podłoża typu template z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal