KR910009780B1 - 전기적 접속접점과 그 형성방법 및 그것을 사용한 실장기판 - Google Patents

전기적 접속접점과 그 형성방법 및 그것을 사용한 실장기판 Download PDF

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도시오 쯔다
야스히꼬 호리오
요시히로 벳쇼
도오루 이시다
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마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤
다니이 아끼오
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Abstract

내용 없음.

Description

전기적 접속접점과 그 형성방법 및 그것을 사용한 실장기판
제1도는 본 발명의 제1실시예의 전기적 접속접점의 측면도.
제2도는 본 발명의 제2실시예의 전기적 접속접점의 단면도.
제3도는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 실장기판의 단면도.
제4도는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 전도성 접착제를 실장기판으로 전사하는 방법을 설명하는 보조단면도.
제5a도, 제5b도, 제5c도, 제5d도, 제5e도, 제5f도, 제5g도는 본 발명의 바람직한 실시예의 전기적 접속접점을 형성하는 방법의 공정을 나타내는 단면도.
제6도, 제7a도, 제7b도는 본 발명의 바람직한 실시예의 다른 공정에 의하여 형성한 전기적 접속접점의 단면도.
제8도는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 전기적 접속접점을 반도체칩의 기판위에 다수 접속한 상태를 나타내는 사시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : 전극패드
3 : 캐필러리 4 : 구멍
5 : 금선 6 : 보올
7 : 1차 돌출부분 8 : 2차 돌출부분
9 : 금접점 10 : 칩서포트 프레임
11 : 전도성 터미널 12 : 전도성 접착제
13 : 열블럭 14 : 판
15 : 반도체 회로패턴
본 발명은 반도체 IC칩과 같은 전자마이크로 회로칩을 칩서포트프레임위에 놓인 터미널전극에 전기적으로 연결하기 위한 전기적 접속접점과 그런 전기적 접속접점이 설치된 실장기판 그리고 그와 같은 전기적 접속접점을 형성하는 방법에 관한 것이다.
전자마이크로회로칩을 칩서프트프레임위에 놓인 전도성 터미널로 연결하는데 납땜이 종종 사용되었다. 그러나 최근의 소형화로 인한 전자마이크로회로의 연결터미널 사이에 간격이 줄고 납짝한 실장기판 IC같은 전자마이크로회로의 연결터미널의 숫자가 증가하였기 때문에 그와 같은 목적으로 종래의 납땜 사용은 어렵게 되었다. 게다가 납땜 대신에 대단히 효율적이고 정확한 전기적 연결기술을 요하는 전자탁상계산기 전자시계 액정디스플레이에서 실장기판의 공간을 효율적으로 사용하기 위해 유리 기판위에서 형성된 전극에 직접 IC칩을 붙이는 경향이 있다.
미국 특허 번호 4,661,192는 IC칩을 칩서포트프레임위에 있는 전극에 전기적으로 접착하기 위한 처리과정을 나타내고 여기에서 접속결점은 IC칩의 접착패드위에 형성되고 칩서포트프레임위에 있는 IC칩을 직접 결합하기 위하여 전도성 접착제에 의하여 칩서포트프레임위에 전도성 터미널에 접착된다.
하나의 IC칩 입출력전극 패드위에 그와 같은 접속접점을 형성하기 위한 하나의 공정은 이미 알려진 도금기술을 이용하는 것이고 같은 목적을 달성하기 위한 다른 공정은 하나의 금속접속보올이 와이어 본더에 의해 IC칩의 전극패드에 고정되고 그다음에 금속와이어가 접속보올의 목에서 절단되는 미국특허번호 4,661,192에 해당하는 보올접착공정이다. 미국특허번호 4,442,967에서 알려진 또다른 공정은 금속보올이 와이어본더에 의하여 전극패드에 고정되고 금속보올의 중심에서 금속와이어 직경의 1.5 내지 2배이상의 거리까지 캐필레리(Capillary)를 측면으로 이동하고 그 다음에 캐필레리의 끝단으로 금속와이어를 잘라내기 위해 캐필레리를 아래로 낮추는 보올본딩 공정이다.
접속접점을 형성하기 위한 이와 같이 알려진 보올본딩 공정들은 칩서포트프레임위에 있는 IC칩을 직접 결합하는데 필요하고 대단히 균일한 형태를 이루는 전도성 접착제를 IC칩으로 운반하기에 충분한 높이에서 접속접점을 형성할 수 없다. 게다가 돌출된 접속점의 윗면이 납짝하기 때문에 전도성 접착제는 칩서포트프레임위에 IC칩을 조립하는 돌출된 접속점 둘레에 퍼져서 인접한 터미널의 누전 원인이 되며 매우 좁은 간격에서 접속접점을 형성하는데는 이들 보올본딩 공정들이 적합하지 않다. 한편 도금기술을 이용한 돌출 접속점 형성공정은 복잡하고 많은 처리단계와 향상된 에칭 및 도금기술을 요한다. 또한 도금정밀도와 비용때문에 돌출접속점의 높이는 제한을 받는다. 따라서 미세한 전도성 터미널이 설치된 칩서포트프레임과 칩서포트프레임의 미세한 전도성 터미널에 각각 부합하는 입출력터미널을 갖춘 전자마이크로회로로 구성되는 실장기판을 제공하는 것이 본 발명의 첫째 목적이며 실장기판에서 칩서포트프레임과 전자마이크로회로는 높은 신뢰성을 가지고 전기적으로 연결된다.
상기한 실장기판에서 고밀도 실장기판화에 적합한 형태와 충분한 높이를 가지고 있는 최적의 전기적 접속접점을 제공하는 것이 본 발명의 두번째 목적이다.
매우 간단한 공정을 통해 균일한 전기적 접속접점을 형성하는 방법을 제공하는 것이 본 발명의 세번째 목적이다.
본 발명에 의한 전기적 접속접점은 전극 패드위에 형성된 1차 돌출부분과 1차 돌출부분위에 형성되고 1차 돌출부분의 단면보다 저 작은 단면을 가진 2차 돌출부분으로 이루어지는 2단계 구조이다. 2단계 전기적 접속접점은 전자마이크로회로칩의 입출력터미널패드위에 형성되고 전도성 접착제로 칩서포트프레임위에 있는 전도성 터미널에 각각 접착된다.
전도성 접착제가 2차 돌출부분을 덮기 위해 1차 돌출부분의 윗면에 얇은 막으로 형성되어 있기 때문에 전도성 접착제는 실제적으로 1차 돌출부분의 측면주위에 흘러내리지 않는다.
2단계의 구조로 이루어진 전기적 접속접점은 전도성 접착제를 전자마이크로회로 칩으로 운반하는 것을 용이하게 하는 충분한 크기의 높이를 가지고 있다. 전도성 접착제로 전자마이크로회로칩을 칩서포트프레임에 연결하는데 있어서 돌출된 전기적 접속접점의 상부끝면은 칩서포트프레임의 전도성 터미널과 각각 접속하고 전도성 접착제의 퍼짐은 1차 돌출부분과 2차 돌출부분의 계단진 구조에 의해 통제된다.
터미널 패드표면에 평행한 평면에서 전기적 접속접점의 1차 돌출부분과 2차 돌출부분의 단면비율은 3대 2 내지 5대 1의 비율의 범위에 있고 1차 돌출부분과 2차 돌출부분의 높이 비율은 1대 2 내지 2대 1의 범위에 있는 것이 바람직하다.
이와 같은 조건이 높은 기계적강도와 전기적 접속접점의 안전성을 보장하고 전자마이크로회로칩을 칩서포트프레임으로 연결하는데 충분한 양의 전도성 접착제를 확보할 수 있는 계단을 제공한다. 바람직하게는 전기적 접속접점의 폭이 60 내지 120㎛의 범위에 있고 전도성 접속접점의 높이 즉 1차 2차 돌출부분의 높이의 합이 30 내지 90㎛의 범위에 있을 때 뛰어난 접착효과가 기대된다.
유연한 전도성 접착제의 사용이 더 바람직하다. 전도성 접착제의 충분한 양을 확보할 수 있는 전기적 접속접점의 상기 형상과 함께 유연한 전도성 접착제의 사용이 가능하면 전기적 접속접점은 기계적 응력에 대하여 대단히 안전하게 칩서포트프레임위에 있는 전도성 터미널에 접착될 수 있다. 따라서 본 발명은 미세하고 높은 신뢰성이 있는 연결구조와 높은 실용가치를 가지고 있는 실장기판을 제공한다.
본 발명에 의한 실장기판에서 사용된 전기적 접속접점은 보올본딩 장치로 만들어질 수 있다. 전도성 보올은 개필레리에 의해 1차 돌출부분을 형성하기 위해 전극패턴이 설치된 기판위에 있는 터미널패드에 고정되고 1차 돌출부분에서 뻗어나오는 전도성와이어는 루우프 형태의 2차 돌출부분을 만들기 위하여 루우프 형태로 굽혀진다. 따라서 전술한 조건에 일치하는 2단계 전기적 접속접점이 쉽고 견고하게 형성된다. 2차 돌출부분이 루우프형태에서 1차 돌출부분으로부터 계속하여 튀어나오기 때문에 2차 돌출부분은 안전한 강도를 가지고 1차 2차 돌출부분의 단면 비율은 전도성 접착제 막을 형성하는데 적합한 형태로 만들어진다.
보올본딩장치의 연속적인 작업을 통해 전기적 접속접점을 형성하기 위한 상기 방법에 의해 전체적으로 필요한 1차 2차 돌출부분이 만들어진다.
따라서 본 방법은 실제적으로 매우 유리한 단순작업을 통하여 충분한 크기의 강도와 균일한 형태의 전기적 접속접점을 형성할 수 있다.
이하 본 발명의 제1실시예의 전기적 접속접점을 제1도의 첨부도면을 참조하여 설명한다.
전기적 접속접점은 1차 돌출부분(7)과 2차 돌출부분(8)을 가지고 있다. 예를들면 반도체 IC칩기판(1)위에 있는 전극패드(2)위에서 1차 돌출부분(7)이 형성된다. 전극패드(2)와 접하는 1차 돌출부분(7)의 면적은 전극패드(2)의 면적과 같거나 더 작다. 1차 돌출부분(7)의 폭 w는 60 내지 120㎛의 범위에 있다. 1차 돌출부분(7)은 전극패드(2)에 수직한 평면의 정면도에서는 실제적으로 사다리꼴이거나 직사각형이고 윗면에서 보면 원형 혹은 사각형같은 어떤 적당한 형태가 될 것이다.
전기적 접속접점의 2차 돌출부분(8)은 1차 돌출부분(7)위에 형성되어 있다. 전극패드(2)의 윗면과 평행한 평면인 2차 돌출부분(8)의 단면a는 전극패드(2)의 윗면에 평행한 평면인 1차 돌출부분(7)의 단면a보다 작다. 비율 A/a는 3/2 내지 5/1의 범위에 속한다. 1차 돌출부분(7)위에 있는 2차 돌출부분(8)의 위치와 형상은 2차 돌출부분이 접해있고 1차 돌출부분(7)로부터 윗방향으로 튀어나온것에 의하여 임의로 정해진다. 1차 돌출부분(7)의 높이 H와 2차 돌출부분(8)의 높이 h의 비율 즉 H/h는 1/2 내지 2/1의 범위에 속한다. 1차 돌출부분(7)과 2차 돌출부분(8)은 금,동,알루미늄 혹은 하나의 주성분에서 앞에서 나열한 금속들중에 하나를 포함하는 합금으로 이루어진다.
제2도를 참조하여 본 발명의 2차 실시에서의 전기적 접속접점을 설명한다. 전기적 접속접점은 1차 돌출부분(7)과 2차 돌출부분(8)을 가지고 있다. 예를들면 반도체 IC칩의 기판(1)위에 있는 전극패드위에서 1차 돌출부분(7)이 형성된다. 전극패드(2)에 접한 1차 돌출부분(7)의 면적은 전극패드(2)의 면적크기와 같거나 작다. 1차 돌출부분(7)의 폭(w)는 60 내지 120㎛범위에 있다.
1차 돌출부분(7)은 전극패드(2)에 수직한 평면의 정면도에서 실제적으로 사다리꼴이나 직사각형이고 윗면에서 보아서는 어떤 형태가 되어도 좋다. 전기적 접속접점의 2차 돌출부분(8)은 1차 돌출부분(7)의 상부끝으로부터 돌출하는 하나의 전도체 와이어루프이다. 전극패드(2)의 윗면에 평행한 평면에서 2차 돌출부분(8)의 단면 a는 전극패드(2)의 윗면에 평행한 평면에서 1차 돌출부위(7)의 단면 A보다 작고 비율 A/a는 3/2 내지 5/1의 범위에 있다. 1차 돌출부위(7)에 있는 2차 돌출부위(8)의 형상과 위치는 2차 돌출부분(8)이 접하고 1차 돌출부분(7)의 윗끝에서 위로 튀어나온것에 의해 임의로 정해진다. 1차 돌출부분(7)의 높이 H와 2차 돌출부분(8)의 높이 h의 비율 즉 H/h는 1/2 내지 2/1의 범위에 속한다. 1차 돌출부분(7)과 2차 돌출부분(8)은 금, 구리, 알루미늄 또는 주성분으로서 앞에서 나열한 금속중에 하나를 포함하는 합금으로 만들어져 있다.
따라서 전도성 와이어를 루우프형태로 굽혀서 만들어진 전기적 접속접점의 2차 돌출부분(8)은 안정된 기계적 강도를 지닌다.
본 발명의 바람직한 실시예서 다음에 제3도 제4도를 참조하여 제2도의 전기적 접속접점을 이용한 실장기판을 설명한다.
제3도에 있어서 전도성 터미널(11)을 장착한 칩서포트프레임(10)과 예를들면 전극(2)를 가지고 반도체 IC칩을 형성하는 기판(1)은 각각 해당 전도성 터미널(11)에 반대방향에 위치하는 전극패드(2)로 배열된다.
2차 돌출부분(8)은 유연한 전도성 접착제(12)의 방울로 각각 봉해진다. 전도성 접착제(12)의 방울을 형성하기 위하여 전도성 접착제는 제4도에서 나타낸 것과 같은 10 내지 40㎛범위의 균일한 두께를 가지는 얇은 막으로 평판(14)의 표면위에 칠해진다. 그 다음에 전도성 접착제(12)의 얇은 막을 마주보는 전기적 접속접점이 장착된 기판(1)의 표면을 가진 반도체 IC칩이 판(14)위에 놓이므로 2차 돌출부분(8)과 2차돌출부분(8)이 1차 돌출부분(7)에 연결된 1차 돌출부위(7)의 끝면이 전도성 접착제(12)의 얇은 막속으로 묻힌다.
그 다음 반도체 IC칩의 (1)을 전도성 접착제(12)가 입혀진 판(14)의 표면에 수직한 방향으로 들어올린다. 따라서 반도체 IC칩의 (1)위에 형성된 전기적 접속접점의 2차 돌출부위(8)에 완벽하고 개별적이며 동시에 전도성 접착제(12)를 바를 수 있다. 2차 돌출부분(8)에 이같은 방법에서 전도성 접착제(12)가 칠해지므로 전도성 접착제가 전극패드(2)가까이에 있는 1차 돌출부분 아래로 퍼지지 않고 따라서 인접한 전극패드(2)들이 연결 신뢰성을 높이는 전도성 접착제(12)로 인해 단락될 가능성이 없다. 2차 돌출부위(8)을 전도성 접착제(12)의 얇은 막 두께가 10 내지 40㎛범위에 있는 전도성 접착제로 칠하는 과정이 상기에 기술되었지만 전도성 접착제(12)의 얇은 막의 두께는 반도체 IC칩의 기판(1)의 전극패드(2)위에서, 형성된 전기적 접속접점의 높이에 좌우되고 상기 명세는 단지 하나의 예에 불과하며 제한되어 있는 것은 아니다.
기판(1)은 전도성 접착제(12)의 방울과 함께 칩서포트프레임위에 놓이고 칩서포트프레임(10)위에 있는 해당 전도성 터미널(11)과 동시에 각각 접촉한다.
이와 같은 2단계 전기적 접속접점을 실장기판에서 전도성 접착제(12)의 얇은 막의 두께와 전도성 접착제의 얇은 막의 퍼짐은 전기적 접속접점에 의해 통제되고 따라서 전기적 접속접점이 매우 조밀하게 설치될 수 있다. 유연한 전도성 접착제의 사용으로 인하여 실장기판은 응력에 크게 저항할 수 있게 되고 실장기판의 신뢰성도 높여준다.
다음에 제5a도 내지 제5g도 제6도 제7a도 제7b도를 참조하여 제2도의 전기적 접속접점을 형성하는 방법에 대하여 설명한다. 이 방법은 전기적 접속접점을 형성하기 위하여 일반적으로 이 분야에서 사용되는 보올본딩장치를 이용한다. 본 실시예에 있어서, 보올본딩장치는 쿠리케와 소파사의 모델 1419에 해당하나 보올본딩장치가 이것에 한정되어 있는 것은 아니며 어떤 적당한 보올본딩장치도 사용될 수 있다. 본 실시예에 있어서, 반도체 IC칩의 기판(1)위에 형성된 전극패드(2)는 두께 1㎛폭 100㎛의 알루미늄패드이다. 반도체 IC칩은 표준 MOS IC칩이고 기판(1)의 치수는 236밀×236밀×20밀이다.
제5a도에 있어서 기판(1)은 180℃로 가열된 열블럭(13)위에 놓이고 기판(1)을 가열하기 위해 그 자리에서 진공으로 고정된다. 이예에서 열블럭의 온도는 초음파와 열을 사용하여 접착할 목적으로 180℃가 되었지만 이온도가 제한되어 있는 것은 아니고 접착처리에 적당한 어떤 온도도 가능하다.
제5b도에서 나타낸 바와 같이 직경 1밀의 금선을 표준 캐필레리(3)의 구멍(4)속으로 삽입하고 캐필레리는 전극패드(2)에 닿지 않도록 하기 위해 전극패드(2)의 정점으로부터 전극패드(2)의 바로 위에 놓인다. 금선(5)의 직경의 2 내지 3배에 해당하는 직경인 보올(6)은 전자방전으로 발전된 열에너지에 의해서 금선(5)의 자유단끝에서 형성된다. 본예에서 사용된 금선(5)이 보올본딩을 위하여 순도가 99.99%인 금선이다 하더라도 금선(5)이 그것에 한정된 것은 아니다. 더 바람직하게도 본 와이어는 열에너지로 와이어가 용융될 때에 보올(6)에 인접한 부분인 와이어의 좁은 부분에서의 재결정에 의하여 거칠은 크리스탈이 형성되는 열저항 특성을 가지고 있다.
그다음 제5c도에서와 같이 캐필레리(3)을 1차 돌출부분(7)을 만들 목적으로 금선(5)의 끝단에서 형성된 볼(6)을 전극패드(2)와 고정시키기 위해 전극패드(2)를 향해 아래로 끌어내린다. 여기에서 형성된 전기적 접속접점의 1차 돌출부분(7)의 직경은 85㎛이고 높이는 30㎛가 되었다. 이같은 본딩처리는 이같은 기술분야에서 일반적으로 사용되는 열음파 접착처리로 알려졌고 여기에서 가열되는 동안 초음파 진동과 압력이 동시에 와이어에 가해진다.
그 다음에 제5d도에서와 같이 전기적 접속접점의 1차 돌출부분(7)로부터 위로 향하는 금선(5)의 약 5밀만큼 캐필레리(3)을 기판(1)의 표면에 수직하게 들어올린다.
본예에서 캐필레리(3)의 끝단 높이가 5밀이라도, 그 높이가 3밀보다 더 적지 않을때에도 어려움없이 작업이 이행될 수 있다.
다음 제5e도에서 처럼 들어올린 위치로부터 기판의 표면에 평행하게 1 내지 1밀정도 캐필레리(3)을 계속하여 이동시키고 그것은 역방향운동으로 불린다.
역방향운동이 있은 후 수직으로 캐필레리(3)을 다시 100밀정도 들어올린다. 캐필레리(3)의 이와 같은 수직이동거리는 2차 돌출부분(8)의 형상에 따라 좌우되고 그 거리가 10 내지 200밀의 범위에 있을때에 실제적인 문제는 없다.
그 다음 제5f도에서와 같은 단계로 수직이동된 위치에서 캐필레리(3)의 끝단과 함께 금선(5)를 1차 돌출부분(7)까지 내리누르기 위하여 1차 돌출부(7)위에서의 반경 4 내지 6밀이내의 둥근면적내에서 역방향운동과 반대하는 방향 그리고 대각선 방향으로 캐필레리(3)의 위치를 아래로 낮춘다. 따라서 2차 돌출부분(8)을 안전하게 형성하기 위해서 원의 반경은 전기적 접속접점의 1차 돌출부분의 반경과 캐필레리(3)의 끝단 반경과의 합보다 근사하게 작은것이 바람직하다.
캐필레리가 금선(5)의 루우프를 형성하기 위해 이동하고 반도체 IC칩의 기판(1)의 표면에 수직한 평면이내에서 같은 길을 이동하지 않는다는 점을 제외하고는 구멍(4)를 통과한 금선(5)에 상대적인 캐필레리(3)의 미끄럼운동의 거리 및 궤도에 관한 어떤 특별한 제한은 없다.
제5f도에서와 같이 같은 열음파 접착거리로 금선(5)를 1차 돌출부분에 접착시키기 위해 1차 돌출부분의 주변에 캐필레리(3)의 끝단부위와 함께 금선(5)를 압착한다.
그다음 제5g도와 같이 금선(5)와 루우프의 연결시점에서 루우프로부터 금선(5)를 절단하기 위해 금선(5)를 캐필레리(3)과 함께 끌어 당긴다. 따라서 2차 돌출부분(8)은 1차 돌출부분(7)위에서 형성된다.
본 예에서 금선(5)의 루우프끝단이 1차 돌출부분(7)의 주변에 접착되었지만 금선(5)의 루우프 끝단은 1차 돌출부분(7)의 주변위치보다는 다른 위치에서 1차 돌출부분(7)에 접착될 수도 있다.
예로서 제6도에서와 같이 루우프의 자유단이 캐필레리(3)을 좀더 낮추는 방법에 의해 1차 돌출부분(7)이 형성된 전극패드(2)위에서도 접착될 수 있다. 제7a 제7b도에서 나타낸 바와 같이 도금에 의해서 베이스 패드로 형성된 금접점(9)위에서 같은 볼접착처리를 통하여 제5a도와 제6도에서와 같은 전기적 접속접점을 형성하는 것도 가능하다.
이렇게 형성된 2단계 전기적 접속접점의 직경 85㎛이고 1차 돌출부분(7)의 높이 H와 2차 돌출부분(8)의 높이 h의 합 즉 H+h는 80㎛이였다. 높이는 1 내지 5㎛의 범위에서 전기적 접속 접점사이에서 변했다. 필요한 경우에 높이에 변화가 좀더 축소될 수 있고 예를들면 전기적 접속접점의 꼭대기를 포함하는 평면의 편평성은 높이에 변화를 0 내지 1㎛의 범위로 줄이기 위하여 반도체 IC칩의 기판표면과 평행하게 전기적 접속접점을 판의 납작하거나 매끄러운 표면으로 누르는 것으로 한층더 개선될 수 있다. 게다가 금선자유끝단에서 형성된 보올(6)의 직경을 적당히 조절하고 2단계 전기적 접속접점의 형상 및 목적에 따라 적당한 직경을 가진 금선을 사용하는 방법으로 필요한 직경과 높이의 2단계 전기적 접속접점을 만들 수 있다. 동선이나 알루미늄선과 같은 보올본딩에 적합한 금속선이 금선대용으로 이용될 수 있다.
제8도는 본 발명의 바람직한 실시에서 전기적 접속접점 형성방법에 의해 반도체 IC칩의 기판위에 형성된 1차 2차 돌출부분(7)과 (8)로 구성되는 다수의 전기적 접속접점을 나타내는 사시도이다. 반도체 회로패턴(15)와 다수에 전극패드(2)가 반도체 IC칩의 기판(1)위에 형성되어 있고 다수의 전기적 접속접점이 전극패드(2)위에서 각각 형성되어 있다.
전도성 터미널이 설치된 하나의 기판과 전극패드 및 전극패드위에서 형성되고 1차 돌출부분과 1차 돌출부분위에 형성된 2차 돌출부분으로 구성되는 2단계 전기적 접속접점이 설치된 또다른 기판이 전도성 접착제 방울들이 각각 칠해진 2차 돌출부분과 전도성 접착제 방울에 의한 전도성 터미널을 접착하는 방법으로 견고하게 결합된다. 전극패드의 표면에 평행한 평면에서 1차 돌출부분의 단면적의 비율은 1차 돌출부분의 단면에 평행한 2차 돌출부분의 단면적의 비율보다 이미 정해진 비율에서 더 크다. 전기적 접속접점을 형성하기 위한 전형적인 방법으로 2차 돌출부분은 보올본딩장치로 전도성 와이어를 루우프형상으로 굽히는 것으로 형성된다.

Claims (22)

  1. 기판위에 착설된 전극 패드위에서 형성된 전기적 접속접점에 있어서, 전극패드에 접착된 1차 돌출부분과 1차 돌출부분으로 형성되고 전극패드에 평행한 평면에서의 1차 돌출부분의 단면보다 더 작은 전극패드의 표면에 평행한 평면에서 단면을 가지고 있는 2차 돌출부분으로 구성되는 전기적 접속접점.
  2. 제1항에 있어서, 1차 돌출부분의 단면과 2차 돌출부분의 단면비율이 3/2 내지 5/1의 범위에 속하고 1차 돌출부분의 높이와 2차 돌출부분의 높이에 비율이 1/2 내지 2/1의 범위에 속하는 전기적 접속접점.
  3. 제1항에 있어서, 1차 돌출부분의 폭이 60 내지 120㎛의 범위에 속하는 전기적 접속접점.
  4. 제1항에 있어서, 1차 2차 돌출부분의 높이의 합이 30 내지 90㎛의 범위에 속하는 전기적 접속접점.
  5. 제1항에 있어서, 1차 2차 돌출부분이 금, 구리, 알루미늄 혹은 금, 구리, 알루미늄의 1종을 주성분으로 함유하는 합금으로 이루어진 전기적 접속접점.
  6. 기판의 전극패드위에서 형성된 전기적 접속접점에 있어서, 전극패드에 부착된 1차 돌출부분과 1차 돌출부분위에 형성되고 루우프형태로 굽혀진 전도성 와이어로 형성된 2차 돌출부분으로 구성되는 전기적 접속접점.
  7. 제6항에 있어서, 1차 2차 돌출부분은 금, 구리, 알루미늄 또는 하나의 주성분으로 금, 구리 알루미늄의 1종을 주성분으로 함유하는 합금으로 이루어진 전기적 접속접점.
  8. 다수의 전도성 터미널이 설치된 1차 기판과 1차 기판의 전도성 터미널이 일치하는 위치에서 각각 다수의 전극패드가 설치된 2차 기판과 다수의 전극패드위에 각각 형성되고 같은 전극패드에 부착된 1차 돌출부분 및 2차 돌출부분의 단면에 평행한 1차 돌출부분의 단면보다 전극패드에 평행한 평면에서의 2차 돌출부분의 단면이 더 적은 단면을 가지고 1차 돌출부분위에서 형성된 2차 돌출부분으로 구성되는 전기적 접속접점과 전기적 접속접점을 1차 기판의 해당 전도성 터미널에 각각 접착하는 전도성 접착제 방울들로 구성되는 실장기판.
  9. 제8항에 있어서, 상기 전도성 접착제의 각 방울은 실제적으로 2차 돌출부분이 형성되는 1차 돌출부분의 표면에만 접촉하는 실장기판.
  10. 제8항에 있어서, 상기 전도성 접착제가 유연한 실장기판.
  11. 제8항에 있어서, 상기 전극패드의 표면에 평행한 1차 돌출부분의 단면적대 1차 돌출부분의 단면에 평행한 2차 돌출부분의 단면적의 비율은 3/2 내지 5/1의 범위에 속하고 1차 돌출부분의 높이와 2차 돌출부분의 높이의 비율은 1/2 내지 2/1의 범위에 속하는 실장기판.
  12. 제8항에 있어서, 상기 1차 돌출부분의 폭은 60 내지 120㎛의 범위에 속하는 실장기판.
  13. 제8항에 있어서, 상기 1차 돌출부분과 2차 돌출부분의 높이에 합은 30 내지 90㎛의 범위에 속하는 실장기판.
  14. 제8항에 있어서, 상기 전기적 접속접점이 금, 구리, 알루미늄이나 또는 금, 구리, 알루미늄의 1종을 주성분으로 포함하는 합금으로 이루어진 실장기판.
  15. 다수의 전도성 터미널이 설치된 1차 기판과 1차 기판의 전도성 터미널에 부합하는 위치에 있는 다수의 전극패드가 설치된 2차 기판과 2차 기판의 전극패드위에서 각각 형성하고 전극패드에 부착된 1차 돌출부분과 1차 돌출부분위에 형성되고 루우프형태로 굽혀진 전도성 와이어로 형성된 2차 돌출부분으로 구성되는 다수의 전기적 접속접점과 전기적 접속접점을 1차 기판의 해당 전도성 터미널에 접착하는 전도성 접착제의 방울들로 구성되는 실장기판.
  16. 제15항에 있어서, 상기 전도성 접착제의 방울은 2차 돌출부분이 형성되는 1차 돌출부분의 표면에만 실제적으로 접촉하는 실장기판.
  17. 제15항에 있어서, 상기 전도성 접착제는 유연성이 있는 실장기판.
  18. 제15항에 있어서, 상기 전기적 접속접점은 금, 구리, 알루미늄 또 금, 구리, 알루미늄의 1종을 주성분으로 포함하는 합금으로 이루어진 실장기판.
  19. 1차 돌출부분과 루우프형태의 2차 돌출부분으로 구성되는 전기적 접속접점을 형성하는 방법에 있어서, 1차 돌출부분을 형성하기 위하여 캐필레리로 기판위에 형성된 전극패드에 전도성 와이어의 자유끝단에서 형성된 보올을 고착하기 위한 첫째단계와 캐필레리로 2차 돌출부분을 형성하기 위해 1차 돌출부분위에서 루우프형태로 전도성 와이어를 루우핑하고 루우프의 자유끝단에서 전도성와이어를 절단하는 둘째단계로 구성되는 전기적 접속접점을 형성하기 위한 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 전도성 와이어는 금, 구리, 알루미늄 또는 금, 구리, 알루미늄의 1종을 주성분으로 함유하는 합금으로 이루어진 전기적 접속접점을 형성하기 위한 방법.
  21. 제19항에 있어서, 상기 2차 공정에서 전도성 와이어를 루우핑하여 형성된 전도성 와이어의 루우프 끝단이 1차 돌출부분에 고정되고 전도성 와이어가 루우프의 자유끝단에서 절단되는 전기적 접속접점을 형성하기 위한 방법.
  22. 제19항에 있어서, 상기 제2차 공정에서 전도성 와이어의 루우핑으로 형성된 전도성 와이어 루우프의 자유끝단이 1차 돌출부분이 형성된 전극패드의 1차 돌출부위에 고정된 후에 전도성 와이어가 루우프로부터 절단되는 전기적 접속접점을 형성하기 위한 방법.
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