JP4000743B2 - 電子部品の実装方法 - Google Patents

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    • H01L2224/48638Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399Material
    • H01L2224/854Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85401Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/85411Tin (Sn) as principal constituent
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    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399Material
    • H01L2224/854Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85417Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/85424Aluminium (Al) as principal constituent
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    • H01L2224/8538Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
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    • H01L2224/854Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85439Silver (Ag) as principal constituent
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    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399Material
    • H01L2224/854Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85444Gold (Au) as principal constituent
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    • H01L2224/85447Copper (Cu) as principal constituent
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線用基材上に導電性接合材を配設し、この導電性接合材を介して配線用基材に電子部品を搭載した後、配線用基材に形成された配線部と電子部品とをワイヤボンディングするようにした電子部品の実装方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
この種の実装方法は、一般に、表面が銅や銀等でメッキされた配線部を有するセラミック等の基板(配線用基材)上に、導電性接着剤や半田等の導線性接合材を配設し、この導電性接合材上にICチップ等の電子部品を搭載した後、上記配線部と電子部品とを、金のワイヤボンディングを行うことで電気的に接続するものである。
【0003】
このような実装方法においては、上記ワイヤボンディングを行うにあたり、表面が銅や銀等でメッキされた配線部と金ワイヤとの接合性(ワイヤボンディング性)が悪い。そのため、例えば、特開平10−112471号公報では、導電性接合材上にICチップ等の電子部品を搭載した後、配線部上に、ボールボンディングを行って金よりなるバンプを形成し、この金バンプを介して配線部におけるワイヤボンディングを行うことにより、ワイヤボンディング性を確保する方法が、提案されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明者等の検討によれば、従来の実装方法においては、例えば、導電性接着剤のブリード(導電性接着剤に含まれる樹脂中の成分が硬化せずに外に流れ出す現象)や半田フラックスの流出が発生したり、半田接合時の加熱または導電性接着剤硬化時の加熱等により配線部表面の酸化が発生する等、即ち、導電性接合材による配線部表面の汚染が発生するという問題がある。
【0005】
そのため、上記従来方法において、配線部におけるワイヤボンディング部位に下地部材(金バンプ等)を形成する際、上記の配線部表面の汚染により、この下地部材と配線部との接合性が悪くなり、結果的に、配線部におけるワイヤボンディング性が悪化する。
【0006】
そこで、本発明は上記問題に鑑み、配線用基材の配線部と、該基材上に導電性接合材を介して搭載された電子部品とをワイヤボンディングするものであって、該配線部におけるワイヤボンディング部位に予め下地部材を形成する電子部品の実装方法において、導電性接合材による配線部の汚染を防止し、下地部材と配線部との接合性を向上させることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1〜請求項13記載の発明では、配線用基材(10)上に導電性接合材(40)を配設し、この導電性接合材を介して配線用基材に電子部品(20)を搭載した後、配線用基材に形成された配線部(12)と電子部品とをワイヤボンディングするようにした電子部品の実装方法において、配線用基材に導電性接合材を配設する工程の前に、配線部におけるワイヤボンディングされる部位に、金よりなるワイヤボンディング用のパッド部(50)を形成することを特徴としている。
【0008】
それによれば、導電性接合材を配線用基材上に配設する前に、下地部材となるパッド部が形成が行われることとなるため、そもそも、導電性接合材による配線部の汚染という問題を回避できる。
【0009】
また、従来、パッド部の形成工程前に行われていた導電性接合材の配設及び電子部品の搭載といった工程が、パッド部の形成工程の後に行われるため、パッド部の形成工程に至るまでの工程時間が短縮される。そのため、配線部におけるワイヤボンディング部表面が放置される時間が少なく、該表面の酸化を極力抑制できる。よって、本発明によれば、導電性接合材による配線部の汚染を防止し、下地部材であるパッド部と配線部との接合性を向上させることができる。
【0010】
ここで、請求項の発明のように、パッド部(50)を、ワイヤボンディング用のワイヤを用いて形成するようにすれば、ワイヤボンディング工程に用いるワイヤボンディング用装置を用いてパッド部を形成でき、使用する装置に関するコストの低減や工程の簡略化等の利点がある。
【0011】
また、ワイヤボンディング用のワイヤを用いる場合、パッド部(50)は、ボールボンディング法を用いて凸形状に形成することができる(請求項の発明)。さらに、この場合、パッド部(50)を凸形状に形成した後、パッド部の先端側を押圧することにより、該先端側の表面を平坦形状に変形させるようにしても良い(請求項の発明)。それにより、パッド部のワイヤボンディングされる表面を平坦状とでき、ワイヤボンディングし易くなる。
【0012】
また、配線用基材(10)に導電性接合材(40)を配設する工程が、所望の部位に開口部を有するマスク部材(100)にて配線用基材の表面を覆った状態で導電性接合材を印刷するようにした工程である場合、請求項に記載のパッド部の先端側を押圧変形させる工程は、マスク部材にて配線用基材の表面を覆う時に、マスク部材によりパッド部の先端側を押圧すること(請求項の発明)で実現しても良い。それにより、導電性接合材の印刷とパッド部の平坦化とを同時に実行でき、工程の簡素化が図れる。
【0013】
さらに、請求項の発明のように、マスク部材(100)として、パッド部(50)の先端側を押圧する部位に凹部(102)を形成し、この凹部の形状によって該押圧によるパッド部の先端側の変形を規定するようにしたものを、用いることも可能である。それにより、凹部形状を適宜調整して形成することにより、該押圧によるパッド部の変形を所望のものにし易くできる。
【0014】
また、ワイヤボンディング用のワイヤを用い、且つ、ボールボンディング法を用いて、パッド部を凸形状に形成する場合、パッド部(50)を凸形状に形成した後、その先端側の部位を切断して除去することにより、残部の表面を平坦面とするようにしても良い(請求項の発明)。それにより、請求項の発明と同様の効果が得られる。
【0015】
また、線部(12)におけるワイヤボンディングされる部位の表面に形成されるパッド部(50)は、該表面を金よりなる部材(K3)でこすることにより該表面に膜状に形成しても良いし(請求項の発明)、該表面に金よりなる箔(K5)を貼り付けることにより形成しても良い(請求項の発明)。
【0016】
また、請求項9、10の発明では、線用基材(10)に導電性接合材(40)を配設する工程が、所望の部位に開口部を有するマスク部材(100)によって配線用基材の表面を覆った状態で導電性接合材を印刷する場合、マスク部材として、配線用基材の表面を覆う面のうち、配線部(12)に形成されたパッド部(50)に対応する位置に、パッド部の厚み分凹んだ凹部(101)を形成したものを、用いることを特徴としている。
【0017】
それにより、導電性接合材を配設する工程において、少なくともパッド部の厚み分凹んだ凹部が形成されたマスク部材によって、配線用基材の表面を覆った状態で導電性接合材を印刷することとなる。そのため、パッド部が凹部内に収納され、適切に保護され、パッド部の変形等を防止することができる。
【0018】
また、請求項11、12の発明では、パッド部(50)を形成した後であって配線用基材(10)に導電性接合材(40)を配設する工程の前に、パッド部及びパッド部が形成された配線部(12)を加熱処理することを特徴としている。それにより、パッド部と配線部との界面を跨いで熱的な拡散が起きるため、パッド部と配線部との接合性がより向上する。
【0019】
また、請求項13の発明のように、この加熱処理を、窒素ガス雰囲気若しくは水素ガス雰囲気にて行うようにすれば、他の部位の配線等の酸化を防止できる。なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。なお、以下の各実施形態における各図中、互いに同一部分には、同一符号を付してある。
【0021】
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る電子部品の実装方法を示す流れ図であり、図2は本実装方法の工程図である。ここで、図2(a)〜(e)は、最終的に図2(f)に示す様なワイヤボンディングが施された電子部品の実装構造を製造する途中工程での概略断面形状を示している。
【0022】
まず、図2(f)に示す実装構造は、アルミナ等のセラミックよりなるセラミック基板(本発明でいう配線用基材)10を備えている。このセラミック基板10の一面11上には、その表面が銅や銀等よりなる配線部12が形成されている。この配線部12は、例えば、タングステンやモリブデン等を下地とし、その上に銅や銀がメッキされてなるものとできる。
【0023】
また、配線部12の一部には、導電性接着剤(本発明でいう導電性接合材)40が配設され、この導電性接着剤40を介して、ICチップ(本発明でいう電子部品)20やコンデンサ等の部品(ワイヤボンディングされない部品、以下、非WB部品という)30が、配線部12に電気的に接続されてセラミック基板10の一面11上に搭載されている。導電性接着剤40は、エポキシ等の熱硬化性樹脂中に、Ag、Ag/Pd、Ag/Pt、Au、Cu、Ni等を導電性フィラーとして混入し、これらの物理的接触によって導電性を得るようにした接着剤である。
【0024】
そして、ICチップ20の周囲の配線部12上には、金よりなるパッド部(下地部材)50が形成され、このパッド部50とICチップ20とは、金のワイヤボンディングにより形成されたワイヤ60により結線され、電気的に接続されている。次に、この実装構造の実装方法について、工程順に説明していく。
【0025】
まず、基板用意工程S1では、図2(a)に示す様に、一面11上に配線部12が形成されたセラミック基板10を用意する。次に、プラズマクリーニング工程S2を行う。この工程S2は、図示しないプラズマ発生装置のチャンバ内に、セラミック基板10を設置して行う。
【0026】
図2(b)に示す様に、例えば、上記チャンバ内をアルゴンと水素の混合ガス雰囲気として、装置における一対の電極間に電界を印加(例えば500W〜750W、1分〜3分)し、プラズマ放電によって発生するイオン粒子(Ar+、H+等)を基板10の一面11に衝突させ、配線部12を含む該一面11を清浄化する。
【0027】
次に、パッド部形成工程S3では、図2(c)に示す様に、配線部12におけるワイヤボンディングされる部位に、上記した金よりなるワイヤボンディング用のパッド部50を形成する。ここで、パッド部形成工程S3におけるパッド部50の各種の形成方法を図3及び図4を参照して説明する。
【0028】
まず、図3(a)は、パッド部50を、ワイヤボンディング用のワイヤを用い、且つ、ボールボンディング法を用いて形成するものである。この方法によれば、図3(a)に示す様に、パッド部50は各種の凸形状に形成される。具体的には、上記特開平10−112471号公報に記載されているように、ボールボンディングを行ってバンプを形成する方法により、行うことができる。
【0029】
また、図3(b)及び(c)は、ワイヤボンディング用のワイヤを用い、且つ、ウェッジボンディング法を用いて形成するものである。具体的には、図3(b)に示す様に、ウェッジボンディングのツールK1を用いて、金ワイヤK2を配線部12に押し当て、超音波振動させながら加圧した後、図3(c)に示す様に、不要部を切断することにより、略平坦形状なパッド部50が形成できる。
【0030】
また、図3(d)は、人手や治具等を用いて、配線部12の表面を、金よりなる部材(例えば、金の棒等)K3でこすることにより、膜状のパッド部50を該表面に形成するものである。また、図3(e)は、配線部12の表面に、金よりなる箔を接着剤K4にて貼り付けることにより、箔状のパッド部50を形成するものである。
【0031】
また、箔状のパッド部50を形成する方法としては、図4に示す様な金箔を加熱圧着させて貼り付ける方法でも良い。これは、まず、金箔(例えば厚さ0.5μm)K5の一面側をセラミック基板10上の配線部12と対向させ(図4(a)の状態)、配線部12のワイヤボンディング部に対応して形成された突起を有する加熱圧着治具K6を用いて、金箔K5の他面側から、金箔K5を該配線部12の表面に加熱圧着させる(図4(b)の状態)。
【0032】
続いて、切断治具K7を用いて、金箔K5における加熱圧着された部分の周囲を切断し(図4(c)の状態)、金箔K5の不要部分を取り除く(図4(d)の状態)。こうして、配線部12の表面に加熱圧着により貼り付けられた箔状のパッド部50が形成される。
【0033】
このように、パッド部50の形成は、ボールボンディング法、ウェッジボンディング法、金部材のこすりつけ、金箔貼付といった各種方法により、行うことができる。配線部12上に形成されたパッド部50の平面形状の一例を、ワイヤ60で結線された状態として、図5に示す。図5に示す様に、パッド部50(ハッチングにて図示)は、ワイヤボンディングによるワイヤ60の位置ずれ幅A及びワイヤボンディングの精度等を考慮して、狙いのボンディング面積よりも大きめとなっている。
【0034】
パッド部形成工程S3を行ってパッド部50を形成した後、加熱工程S4を行う。この工程S4では、パッド部50及びパッド部50が形成された配線部12を加熱処理することにより、パッド部50と配線部12との界面(例えば、金と銅の界面)を跨いで、例えば金または銅の原子を熱的に拡散させ、パッド部50と配線部12との接合性をより向上させるものである。
【0035】
この加熱工程S4における加熱処理は、加熱炉内を窒素ガス雰囲気若しくは水素ガス雰囲気として行うことが好ましく、それにより、パッド部50が形成されていない配線部12等、他の部位の酸化を防止できる。加熱条件としては、200℃以上(本例では300℃)で10分間以上(本例では10分間)が好ましい。
【0036】
次に、導電性接着剤印刷工程(配線用基材に導電性接合材を配設する工程)S5を行う。図2(d)に示す例では、所望の部位即ち配線部12のうちICチップ20や非WB部品30を搭載する部位に、開口部を有するマスク(本発明でいうマスク部材)100を用い、このマスク100にてセラミック基板10の一面11を覆った状態で、スキージ110を用いてペースト状の導電性接着剤40を印刷する。
【0037】
このマスク100は、例えばステンレス等の金属よりなるものとできる。そして、本例のマスク100においては、セラミック基板10の一面11を覆う面のうち、配線部12に形成されたパッド部50に対応する位置に、少なくともパッド部50の厚み分凹んだ凹部(パッド部保護用凹部)101が形成されている。これにより、パッド部50が該凹部101内に収納されて、適切に保護されるため、パッド部50の変形等を防止することができる。
【0038】
次に、図2(e)に示す様に、部品マウント工程(電子部品搭載工程)S6を行って、導電性接着剤40を介してセラミック基板10にICチップ20及び非WB部品30を搭載し、続いて、硬化工程S7を行って、ペースト状の導電性接着剤40を硬化させ、セラミック基板10上の配線部12とICチップ20及び非WB部品30とを、接着し電気的に接続する。なお、硬化工程S7は、他の配線部12を酸化させないように、N2雰囲気下で熱処理(例えば150℃、10分間)することが好ましい。
【0039】
上記各工程S1〜S7を経た後、ワイヤボンディング工程S8を行う。即ち、ICチップ20を1次ボンディング側、パッド部50を2次ボンディング側として、金ワイヤを用いたワイヤボンディングを行う。こうして、ワイヤ60によってICチップ20とパッド部50とが、結線され電気的に接続され、図2(f)に示す様な実装構造が出来上がる。
【0040】
ところで、上記した本実施形態の実装方法によれば、導電性接着剤印刷工程(配線用基材に導電性接合材を配設する工程)S5の前に、パッド部形成工程S3を行い、配線部12におけるワイヤボンディングされる部位に、金よりなるワイヤボンディング用のパッド部50を形成するようにしている。それにより、導電性接着剤40のブリードや、硬化工程時の加熱等による配線部12表面の酸化等、即ち、導電性接着剤40による配線部12表面の汚染という問題が発生しない。
【0041】
ここで、導電性接合材としては、半田を用いても良い。つまり、上記導電性接着剤印刷工程S5の代わりに、ペースト状の半田を印刷あるいは塗布した後、部品マウント工程S6を行い、その後、硬化工程S7の代わりに、半田をリフローさせる等により、ICチップ20等を固定するようにしても良い。この半田を用いた場合でも、本実装方法によれば、半田フラックスの流出や、半田接合時の加熱による配線部12表面の酸化等、半田(導電性接合材)による配線部12表面の汚染という問題を回避できる。
【0042】
また、本実装方法によれば、従来、パッド部形成工程前に行われていた導電性接合材の配設工程S5及び電子部品の搭載工程S6が、パッド部形成工程S3の後に行われるため、パッド部形成工程S3に至るまでの工程時間が短縮される。そのため、配線部12におけるワイヤボンディング部の表面が放置される時間が少なく、該表面の酸化を極力抑制できる。よって、本実装方法によれば、導電性接合材40による配線部12の汚染を防止し、下地部材であるパッド部50と配線部12との接合性を向上させることができる。
【0043】
また、本実装方法において、上記図3(a)〜(c)に示したように、パッド部50を、ワイヤボンディング用のワイヤを用いて形成するようにすれば、ワイヤボンディング工程S8に用いるワイヤボンディング用装置を用いてパッド部50を形成でき、使用する装置に係るコストを低減したり、工程を簡略化することができる。
【0044】
(第2実施形態)
ところで、上記第1実施形態においては、パッド部50の形成を、ボールボンディング法、ウェッジボンディング法、金部材のこすりつけ、金箔貼付といった各種方法により、行うことができる。ここで、ボールボンディング法を用いた場合、上記図3(a)に示す様に、パッド部50は山形の凸形状となる。一方、ウェッジボンディング法、金部材のこすりつけ、金箔貼付といった方法を用いた場合、上記図3(c)等に示す様に、パッド部50は平坦形状となる。
【0045】
図6は、ワイヤボンディングされたワイヤ60の結線状態を示す概略断面図であり、(a)は凸形状のパッド部50の場合、(b)は平坦形状のパッド部50の場合である。ボールボンディング法を用いた場合、他の方法に比べて、パッド部50の形状が複雑となるため、2次ボンディングの位置とパッド部50の位置合わせにおいて、高い精度が必要となり、また、これらのことから、ワイヤ60とパッド部50との接合強度のばらつきが大きくなる。
【0046】
従って、ボールボンディング法を用いてパッド部50を形成した場合にも、パッド部50の上部(ワイヤボンディング部)を平坦形状となるように、パッド部50を整形することが好ましい。本実施形態は、ボールボンディング法を用いて凸形状のパッド部50を形成した後、更に、このようなパッド部の整形を行う実装方法に係るものであり、上記第1実施形態との相違について、主として説明することとする。
【0047】
図7は、本実施形態に係るパッド部整形方法の第1の例((a)及び(b))、第2の例((c)及び(d))を示す概略断面図である。まず、図7(a)及び(b)に示す第1の例は、せん断法である。これは、パッド部50を凸形状に形成した後、その先端側の部位を、カッター等のせん断治具(刃具)K8により、切断して除去することにより、残部の表面を平坦面とするものである。
【0048】
また、図7(c)及び(d)に示す第2の例は、パッド部50を凸形状に形成した後、治具等を用いて、パッド部50の先端側を押圧することにより、該先端側の表面を平坦形状に変形させるものである。図示例では、上記導電性接着剤印刷工程S5において、この工程S5に用いるマスク100を押圧用の治具として利用している。
【0049】
図7(c)及び(d)では、マスク100にてセラミック基板10の一面11を覆う時に、マスク100におけるセラミック基板10の一面11を覆う面(基板被覆面)によって、凸形状のパッド部50の先端側(凸の頂部側)を押圧する。この押圧は、印刷時のスキージ110の圧力(スキージ圧力)を利用して行うことができる。
【0050】
ここで、図7(c)及び(d)では、マスク100における基板被覆面には、上記図2(d)に示したパッド部保護用凹部101が存在せず、面全体に平坦状となっているが、凹部が形成されていた方が好ましい。この第2の例の好ましい形態について、図8に示す工程図(概略断面図)を参照して、具体的寸法や条件等を示しながら説明する。
【0051】
図8(a)は、ボールボンディング法を用いてパッド部50を形成した後(上記第1実施形態では加熱工程S4の後)の状態を示す。セラミック基板10の配線部12におけるワイヤボンディングされる部位に、凸形状のパッド部50が形成されている。本例では、パッド部50の高さH1は60μm、幅(最大幅)W1は120μmとしている。
【0052】
そして、図8(b)に示す様に、マスク100において、セラミック基板10の一面11を覆う面のうちパッド部50の先端側を押圧する部位に、凹部102が形成されている。この凹部102はパッド部整形用凹部であり、上記図2(d)に示したパッド部保護用凹部101とは目的を異とするものである。つまり、この凹部102の形状によって、押圧によるパッド部50の先端側の変形度合を規定する。
【0053】
本例では、ICチップ20のランドピッチが400μm、ランドサイズ140μm□の場合、マスク100として、その厚みD1が70μmのステンレスマスクを用いている。そして、凹部(パッド部整形用凹部)102は、エッチングまたはメッキ等にて形成することができ、本例では、凹部102の深さH2は35μm、凹部102の内径W2は200μmとすることができる。
【0054】
そして、図8(c)に示す様に、金属製のスキージ110を用いて、マスク100を押圧しながら、マスク100上を一定方向へ移動させ、導電性接着剤40や半田の印刷を行う。このとき、スキージ圧力により、凹部102内のパッド部50は、その先端側から潰れ、最終的に、図8(d)に示す様に、パッド部50の先端側表面は平坦形状に変形したものとなる。本例では、印刷条件は、スキージ圧力が10kg、スキージの移動速度が30cm/秒とし、整形されたパッド部50の厚さ(高さ)H3は35〜40μmとできる。
【0055】
なお、凹部(パッド部整形用凹部)102の深さは、パッド部50をどのように潰して変形させたいかで決まる。即ち、多く潰したい場合には、凹部102の深さを浅くすれば良い。また、凹部102の径や形状は、潰したいパッド部50の形状によって適正なものを選ぶ必要がある。
【0056】
また、スキージ圧力は、潰して変形させたいパッド部50の形状によって決まる。即ち、多く潰したいときには、高い圧力をかければよい。また、スキージ圧力は、パッド部50の硬さによっても決まる。固い場合には高い圧力が必要である。また、スキージ110の移動速度によっても、パッド部50の潰れ方は異なり、遅いほど潰れ方は大きい。従って、上記要因については、適正な条件を確認しておくことが必要である。
【0057】
更に、スキージ110で押圧するときに、パッド部50の影響でマスク100が持ち上がり(浮き上がり)、転写される導電性接着剤40や半田の転写量が増大する場合があるので、このことも考慮して上記印刷条件を決定する必要がある。
【0058】
更に、使用するマスク100については、金属マスクが好ましいが、パッド部整形用凹部102が必要でないときで且つパッド部50が柔らかい場合には、メッシュマスクを使用しても良い。マスクの材質は、潰したいパッド部50の硬さや印刷条件によって、適正なものを選定する必要がある。また、凹部102の深さも、マスク100の材質によっては、限界があるため、考慮する必要がある。
【0059】
以上のように、本実施形態によれば、上記第1実施形態に比べて、パッド部の整形工程が追加されるが、パッド部50のワイヤボンディングされる表面を平坦状とできるため、上記したパッド部50の形状複雑化、2次ボンディングの位置とパッド部50の位置合わせにおける高精度化の要求等の問題を回避でき、ワイヤボンディングし易くなるとともに、ワイヤ60とパッド部50との接合強度のばらつきを低減することができる。
【0060】
特に、マスク100を押圧用の治具として利用した整形方法では、上記導電性接着剤印刷工程S5において、該工程S5の流れの中で、パッド部50の整形を同時に行うことができるため、上記第1実施形態と比べても、工程数を増加させることが無い。更に、パッド部整形用凹部102を形成したマスク100を用いた整形方法によれば、該凹部102の形状を適宜調整して形成することにより、押圧によるパッド部50の変形を所望のものにし易い。
【0061】
また、マスク100を用いた整形方法において、よりパッド部50を潰しやすくするための工夫としては、図9に示す各種の変形例が挙げられる。図9(a)(b)、(c)、(d)に示す様に、整形の際にパッド部50に当接する凹部102の底面を尖らせたり、図9(e)に示す様に、凹部102の底面を焼き入れした鋼(硬化部)103で形成して硬くしたり、更には、図9(f)に示す様に、セラミック基板10をヒータK9上に設置し、パッド部50を加熱して柔らかくしながら整形及び印刷を行うようにしても良い。
【0062】
(他の実施形態)
なお、配線用基材は、上記したセラミック基板10以外にも、上記同様の銅や銀等よりなる配線部が形成されたガラスエポキシ基板であっても良い。また、リードフレームの本体に、銀メッキしたものであってもよい。この場合、リードフレームの本体が配線用基材、銀メッキが配線部に相当する。
【0063】
また、上記のプラズマクリーニング工程S2及び加熱工程S4は、必要に応じて行うようにして良く、場合によっては省略しても良い。また、導電性接合材の配設は、マスク印刷以外にも、選択的に塗布する等の方法を用いて行っても良い。
【0064】
要するに、本発明は、配線用基材上に配設された導電性接合材を介して配線用基材に電子部品を搭載した後、配線用基材に形成された配線部と電子部品とをワイヤボンディングするようにした電子部品の実装方法において、導電性接合材配設工程S5の前に、パッド部形成工程S3を実行すること要部とするものであり、細部は適宜変更しても良い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係る電子部品の実装方法を示す流れ図である。
【図2】図1に示す実装方法を説明する工程図である。
【図3】上記第1実施形態における各種のパッド部形成方法を示す説明図である。
【図4】金箔を加熱圧着させてパッド部を形成する方法を示す説明図である。
【図5】パッド部の平面形状の一例を示す図である。
【図6】ワイヤの結線状態を示す説明図であり、(a)は凸形状パッド部の場合、(b)は平坦形状パッド部の場合である。
【図7】本発明の第2実施形態に係るパッド部整形方法の第1の例及び第2の例を示す説明図である。
【図8】上記第2実施形態に係るパッド部整形方法の第2の例において、パッド部整形用凹部を形成したマスクを用いた例を示す説明図である。
【図9】マスクを用いた整形方法におけるパッド部を潰しやすくするための各種の変形例を示す説明図である。
【符号の説明】
10…セラミック基板、12…配線部、20…ICチップ、
40…導電性接着剤、50…パッド部、100…マスク、
101…パッド部保護用凹部、102…パッド部整形用凹部、
K3…金よりなる部材、K5…金箔。

Claims (13)

  1. 配線用基材(10)上に導電性接合材(40)を配設し、この導電性接合材を介して前記配線用基材に電子部品(20)を搭載した後、前記配線用基材に形成された配線部(12)と前記電子部品とをワイヤボンディングするようにした電子部品の実装方法において、
    前記配線用基材に前記導電性接合材を配設する工程の前に、前記配線部における前記ワイヤボンディングされる部位に、金よりなるワイヤボンディング用のパッド部(50)を形成するパット部形成工程を有し、
    前記パット部形成工程では、前記パッド部(50)を、ワイヤボンディング用のワイヤを用いて形成することを特徴とする電子部品の実装方法。
  2. 前記パッド部(50)を、ボールボンディング法を用いて凸形状に形成することを特徴とする請求項に記載の電子部品の実装方法。
  3. 前記パッド部(50)を前記凸形状に形成した後、前記パッド部の先端側を押圧することにより、該先端側の表面を平坦形状に変形させることを特徴とする請求項に記載の電子部品の実装方法。
  4. 前記配線用基材(10)に前記導電性接合材(40)を配設する工程は、所望の部位に開口部を有するマスク部材(100)にて前記配線用基材の表面を覆った状態で前記導電性接合材を印刷するものであり、
    前記マスク部材にて前記配線用基材の表面を覆う時に、前記マスク部材により前記パッド部の先端側を押圧することを特徴とする請求項に記載の電子部品の実装方法。
  5. 前記マスク部材(100)として、前記パッド部(50)の先端側を押圧する部位に凹部(102)が形成され、この凹部の形状によって該押圧による前記パッド部の先端側の変形を規定するようにしたものを、用いることを特徴とする請求項に記載の電子部品の実装方法。
  6. 前記パッド部(50)を、前記凸形状に形成した後、その先端側の部位を切断して除去することにより、残部の表面を平坦面とすることを特徴とする請求項に記載の電子部品の実装方法。
  7. 配線用基材(10)上に導電性接合材(40)を配設し、この導電性接合材を介して前記配線用基材に電子部品(20)を搭載した後、前記配線用基材に形成された配線部(12)と前記電子部品とをワイヤボンディングするようにした電子部品の実装方法において、
    前記配線用基材に前記導電性接合材を配設する工程の前に、前記配線部における前記ワイヤボンディングされる部位に、金よりなるワイヤボンディング用のパッド部(50)を形成するパット部形成工程を有し、
    前記パット部形成工程では、前記配線部(12)における前記ワイヤボンディングされる部位の表面を金よりなる部材(K3)でこすることにより、該表面に前記パッド部(50)を膜状に形成することを特徴とす電子部品の実装方法。
  8. 配線用基材(10)上に導電性接合材(40)を配設し、この導電性接合材を介して前記配線用基材に電子部品(20)を搭載した後、前記配線用基材に形成された配線部(12)と前記電子部品とをワイヤボンディングするようにした電子部品の実装方法において、
    前記配線用基材に前記導電性接合材を配設する工程の前に、前記配線部における前記ワイヤボンディングされる部位に、金よりなるワイヤボンディング用のパッド部(50)を形成するパット部形成工程を有し、
    前記パット部形成工程では、前記パッド部(50)を、前記配線部(12)における前記ワイヤボンディングされる部位の表面に、金よりなる箔(K5)を貼り付けることにより、形成することを特徴とす電子部品の実装方法。
  9. 配線用基材(10)上に導電性接合材(40)を配設し、この導電性接合材を介して前記配線用基材に電子部品(20)を搭載した後、前記配線用基材に形成された配線部(12)と前記電子部品とをワイヤボンディングするようにした電子部品の 実装方法において、
    前記配線用基材に前記導電性接合材を配設する工程の前に、前記配線部における前記ワイヤボンディングされる部位に、金よりなるワイヤボンディング用のパッド部(50)を形成するパット部形成工程を有し、
    前記配線用基材(10)に前記導電性接合材(40)を配設する工程は、所望の部位に開口部を有するマスク部材(100)にて前記配線用基材の表面を覆った状態で前記導電性接合材を印刷するものであり、
    前記マスク部材として、前記配線用基材の表面を覆う面のうち、前記配線部(12)に形成された前記パッド部(50)に対応する位置に、少なくとも前記パッド部の厚み分凹んだ凹部(101)が形成されているものを、用いることを特徴とする電子部品の実装方法。
  10. 前記配線用基材(10)に前記導電性接合材(40)を配設する工程は、所望の部位に開口部を有するマスク部材(100)にて前記配線用基材の表面を覆った状態で前記導電性接合材を印刷するものであり、
    前記マスク部材として、前記配線用基材の表面を覆う面のうち、前記配線部(12)に形成された前記パッド部(50)に対応する位置に、少なくとも前記パッド部の厚み分凹んだ凹部(101)が形成されているものを、用いることを特徴とする請求項1ないし及びないしのいずれか1つに記載の電子部品の実装方法。
  11. 配線用基材(10)上に導電性接合材(40)を配設し、この導電性接合材を介して前記配線用基材に電子部品(20)を搭載した後、前記配線用基材に形成された配線部(12)と前記電子部品とをワイヤボンディングするようにした電子部品の実装方法において、
    前記配線用基材に前記導電性接合材を配設する工程の前に、前記配線部における前記ワイヤボンディングされる部位に、金よりなるワイヤボンディング用のパッド部(50)を形成するパット部形成工程を有し、
    前記パッド部(50)を形成した後であって、前記配線用基材(10)に前記導電性接合材(40)を配設する工程の前に、前記パッド部及び前記パッド部が形成された前記配線部(12)を加熱処理することを特徴とす電子部品の実装方法。
  12. 前記パッド部(50)を形成した後であって、前記配線用基材(10)に前記導電性接合材(40)を配設する工程の前に、前記パッド部及び前記パッド部が形成された前記配線部(12)を加熱処理することを特徴とする請求項1ないし10のいずれか1つに記載の電子部品の実装方法。
  13. 前記加熱処理は、窒素ガス雰囲気若しくは水素ガス雰囲気にて行うことを特徴とする請求項11または12に記載の電子部品の実装方法。
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