JPS58215057A - バンプ形成装置 - Google Patents
バンプ形成装置Info
- Publication number
- JPS58215057A JPS58215057A JP9767482A JP9767482A JPS58215057A JP S58215057 A JPS58215057 A JP S58215057A JP 9767482 A JP9767482 A JP 9767482A JP 9767482 A JP9767482 A JP 9767482A JP S58215057 A JPS58215057 A JP S58215057A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- guide
- electrode
- diameter
- auxiliary electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｘ発明に王として牛導体素子におけるバンプ電換に形成
するバンブ＃成装置に関する。
するバンブ＃成装置に関する。
侭米、たとえば、第１図に示すように、ンリコンダイオ
ード票子形成用のウェーハ１の表面に銀バンプ電憾２〒
形成する場合、第２凶Ｖこ示すような半婆俸用バンブメ
ッキ装置（特卵昭５５−８５６ｉ９２号にて既に開示ざ
ｎている。）４川いて行なっている。この装置では、メ
ッキ沿３勿ふち４で取り囲まｎる主面上に収容するとと
もに、工面底に、導電性のスポンジ５と多孔質布６紫車
ねて載置するカーボンからなる円板状２極板７ｒＭして
いる。この電極板７は回転する回伝畑８して支持されて
いる。また、前記布６上Ｖｃにウェー・・ｌが載置され
る。ウェーハｌはガイド９の下面甲央部に配設さ几る電
極１０に真仝吸看１１芒几る。
ード票子形成用のウェーハ１の表面に銀バンプ電憾２〒
形成する場合、第２凶Ｖこ示すような半婆俸用バンブメ
ッキ装置（特卵昭５５−８５６ｉ９２号にて既に開示ざ
ｎている。）４川いて行なっている。この装置では、メ
ッキ沿３勿ふち４で取り囲まｎる主面上に収容するとと
もに、工面底に、導電性のスポンジ５と多孔質布６紫車
ねて載置するカーボンからなる円板状２極板７ｒＭして
いる。この電極板７は回転する回伝畑８して支持されて
いる。また、前記布６上Ｖｃにウェー・・ｌが載置され
る。ウェーハｌはガイド９の下面甲央部に配設さ几る電
極１０に真仝吸看１１芒几る。
この結果、ウェーハ１と電極１０とに成気同に尋辿状態
となる。また、ガイド９と電４ｔｏのウェー・・ｌとの
接触面はウェー・・１の変形？生じ芒せないように向一
平面となっている。ぼた、ガイド９と電極１０の周面と
の開力）らにエアー１２か吹さ出１阻 ウェー・・１の
深待面にメッキ液３が侵入しないようにとっている。ま
た、このエアー１２のリークのために、ガイド９面にζ
紬かな溝Ｉ３が設げら几ている。そして、ウェー・・１
面に波バンブ電極τ形成する′際ｌこに、ガイド９でウ
ェー−・ｌ？昧待するとともに、ウェー・・ｌｋ凸転す
る荀６に押し当て、電塵１０と屯憾板７間に所定電圧に
印７＋ＯＬでバンプに惟ｒメッキに工って形成する。
となる。また、ガイド９と電４ｔｏのウェー・・ｌとの
接触面はウェー・・１の変形？生じ芒せないように向一
平面となっている。ぼた、ガイド９と電極１０の周面と
の開力）らにエアー１２か吹さ出１阻 ウェー・・１の
深待面にメッキ液３が侵入しないようにとっている。ま
た、このエアー１２のリークのために、ガイド９面にζ
紬かな溝Ｉ３が設げら几ている。そして、ウェー・・１
面に波バンブ電極τ形成する′際ｌこに、ガイド９でウ
ェー−・ｌ？昧待するとともに、ウェー・・ｌｋ凸転す
る荀６に押し当て、電塵１０と屯憾板７間に所定電圧に
印７＋ＯＬでバンプに惟ｒメッキに工って形成する。
しかし、この装置では、メッキ電流の流ｎ汀、ウェーハ
周辺部に集子して流ｎ、そのためにウェーハ周辺のダイ
オード素子のバンプ電極２μ、成長速度が早く、第３図
のように、ウェーハ顧辺のバンプ厄惟２晶さが中央部の
パン７″籠極２エリも旨く、径も甲六邪のａ［対して周
辺部のｂと大さくなった。このため、ウェーハがら、ベ
レット２切り出丁ダインング葎莱時に、ぽみ比したバン
ブ成憧才切断して、ダイシング用のカッタ刃の前面が短
かくなったり、ブた、バンズ逼極高さかバラツクことＶ
Ｃより、ダイオードとしての特性不良の原因となる、。
周辺部に集子して流ｎ、そのためにウェーハ周辺のダイ
オード素子のバンプ電極２μ、成長速度が早く、第３図
のように、ウェーハ顧辺のバンプ厄惟２晶さが中央部の
パン７″籠極２エリも旨く、径も甲六邪のａ［対して周
辺部のｂと大さくなった。このため、ウェーハがら、ベ
レット２切り出丁ダインング葎莱時に、ぽみ比したバン
ブ成憧才切断して、ダイシング用のカッタ刃の前面が短
かくなったり、ブた、バンズ逼極高さかバラツクことＶ
Ｃより、ダイオードとしての特性不良の原因となる、。
したかつて、不発明の目的にバンズ−の高さ、直径が均
一に形成でさるバンブ形成装置ｒ提供することにめる。
一に形成でさるバンブ形成装置ｒ提供することにめる。
このような目的？達成するために不発明は 第２図に示
す従来装置におけるガイドに叉待さｎる電極以外に、カ
イトの外周部ｌこメッキ電流のつ工−ハ周辺への果〒を
防止する梱助邂惨忙堰９督げてなるものである。Ｉｔ、
この亦、ウェーハにそのｔが縁部？補助町・極とそ岬さ
せないように０〜０．５ｍ（ｔｚ）隙−１ゲめげてセッ
トして味付さ几るものである。
す従来装置におけるガイドに叉待さｎる電極以外に、カ
イトの外周部ｌこメッキ電流のつ工−ハ周辺への果〒を
防止する梱助邂惨忙堰９督げてなるものである。Ｉｔ、
この亦、ウェーハにそのｔが縁部？補助町・極とそ岬さ
せないように０〜０．５ｍ（ｔｚ）隙−１ゲめげてセッ
トして味付さ几るものである。
以下、実施ダ］［より本発明〒訳明する。
第４区１（グ本今明の一夷弛例によるバンブ醒憾形成装
置の８！Ｉ溺曲面図、第５図に回じ〈一部の払大断面図
である。
置の８！Ｉ溺曲面図、第５図に回じ〈一部の払大断面図
である。
この実施例に２ける装置に、第２凶に示す従来装置にお
いて、ガイド９の直径ｔウェー／・１の直径よりも小さ
くシ、かつこのガイド９の外周部にリング状の補助電極
＋４ｉ配設した構造となっているーしたかつて、ウェー
・・ｔ’２位置決のして一極１０に真空吸着味付した状
態で汀、ウェー・・Ｉの外周縁（′Ｉ袖助こ憾１４より
も数ｍ（ｌｒ）芙出する。ウェーハｌＶＣ均一なバンプ
冴億２がでさるように、ガイド９Ｖ？−取り囲ｉｆ−る
電車１０に少く、補助ｆｉｉ！１４に多く電流ｒ九丁。
いて、ガイド９の直径ｔウェー／・１の直径よりも小さ
くシ、かつこのガイド９の外周部にリング状の補助電極
＋４ｉ配設した構造となっているーしたかつて、ウェー
・・ｔ’２位置決のして一極１０に真空吸着味付した状
態で汀、ウェー・・Ｉの外周縁（′Ｉ袖助こ憾１４より
も数ｍ（ｌｒ）芙出する。ウェーハｌＶＣ均一なバンプ
冴億２がでさるように、ガイド９Ｖ？−取り囲ｉｆ−る
電車１０に少く、補助ｆｉｉ！１４に多く電流ｒ九丁。
匠丁亀流比はバンプ蛋慣形成用の井地となるコンタクト
４ブ住ρ・１１００ｐφの場合ぼ、たとえば、＋ｘｑ２
〜２．２．１５０μｍφの楊合ぼｌ対３〜３．４とする
。
４ブ住ρ・１１００ｐφの場合ぼ、たとえば、＋ｘｑ２
〜２．２．１５０μｍφの楊合ぼｌ対３〜３．４とする
。
このような装置に、Ｊ：ｆｌは、第６１スで示すように
、ウェー・・ｌ上に形成ざｎる各バンフ砥蜆２な尚さが
一定でかつその径もＣと略本−となる。したがって、ｌ
恒のウェーハからのダイオード用ベレット（素子シカ良
品数に２〜１０％佳度促米、、ｃ９も同上する。
、ウェー・・ｌ上に形成ざｎる各バンフ砥蜆２な尚さが
一定でかつその径もＣと略本−となる。したがって、ｌ
恒のウェーハからのダイオード用ベレット（素子シカ良
品数に２〜１０％佳度促米、、ｃ９も同上する。
なお、Ｘ発明は削肥実歴百１に２良定さｎなりつ丁なわ
ｂ、バンフ電極に銀以外の金等でめっても工い。また、
ウェーハとしてＤ Ｉ ＣＪｉ ’％のウェーハのバン
ブ電極の形成にも２〜片でさるとともに、訃の抜処哩物
へのバンズ（電極でなくともよく牢なる盛り上がった金
瓜部）の形成にも適用でさる。
ｂ、バンフ電極に銀以外の金等でめっても工い。また、
ウェーハとしてＤ Ｉ ＣＪｉ ’％のウェーハのバン
ブ電極の形成にも２〜片でさるとともに、訃の抜処哩物
へのバンズ（電極でなくともよく牢なる盛り上がった金
瓜部）の形成にも適用でさる。
以上のように、本発明の装置によ７″１．ば、奏−なバ
ンブ邂倦〒杉成すること〃・でさる。
ンブ邂倦〒杉成すること〃・でさる。
区１面の藺早な説明
第１図はウェーハ上のバンク岨欣ｒ示す故、明凶、第２
図ａ促来の牛導坏用バンフメッキ装置の砺面図、 第３図に不均一なバンブ酊憾τ有するウェー・・を示す
訝明図、 ４４図Ｑ１ｘ発明の一実厖め１によるバンプ闇屋形５５
Ｃ装置？示す傍略断面図、 第５図は同じぐ一部のＪ大、ｄ丁面必、第６図４２（司
しく本発明装置によってバンプ鑞ツｒ形成したウェー・
・？示′前記明）８１である。
図ａ促来の牛導坏用バンフメッキ装置の砺面図、 第３図に不均一なバンブ酊憾τ有するウェー・・を示す
訝明図、 ４４図Ｑ１ｘ発明の一実厖め１によるバンプ闇屋形５５
Ｃ装置？示す傍略断面図、 第５図は同じぐ一部のＪ大、ｄ丁面必、第６図４２（司
しく本発明装置によってバンプ鑞ツｒ形成したウェー・
・？示′前記明）８１である。
１・・・ウェー・・、２・・・バンブ屯＞＝、３・・・
メツーｔ−液、５−スポンジ、６・・・多孔層布、７・
・・電、罠仮、９−・ガイド、ＩＯ・・・電極、１ ｌ
・・・真゛空吸着、１２・・エアー、１３・−・溝、１
４・・・補助亀陣。
メツーｔ−液、５−スポンジ、６・・・多孔層布、７・
・・電、罠仮、９−・ガイド、ＩＯ・・・電極、１ ｌ
・・・真゛空吸着、１２・・エアー、１３・−・溝、１
４・・・補助亀陣。
代理人 ７Ｐ理士 薄 １）利 辛 ）さ”
−
第 １ 図
第 ２ 図
第 ３ 図
Claims (1)
- １ バンプ形成用のメッキ液ヲ主面に収容するとともに
、その工面底に多孔性弾性相ケＭする辺憾板と、前記布
上に載置烙れるパンプオ形成する伝処哩体紫真仝吸Ｍ保
持するとともに、その沫待甲央部が１極となるガイドと
、忙肩するバンプ形成装置において、前記ガイドの外す
部に仇処哩蓮の周縁部に対応する補助電極？設けてなる
こと〒待機とするバンプ形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9767482A JPS58215057A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | バンプ形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9767482A JPS58215057A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | バンプ形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58215057A true JPS58215057A (ja) | 1983-12-14 |
| JPS649733B2 JPS649733B2 (ja) | 1989-02-20 |
Family
ID=14198559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9767482A Granted JPS58215057A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | バンプ形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58215057A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5014111A (en) * | 1987-12-08 | 1991-05-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrical contact bump and a package provided with the same |
| US6022761A (en) * | 1996-05-28 | 2000-02-08 | Motorola, Inc. | Method for coupling substrates and structure |
-
1982
- 1982-06-09 JP JP9767482A patent/JPS58215057A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5014111A (en) * | 1987-12-08 | 1991-05-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrical contact bump and a package provided with the same |
| US5090119A (en) * | 1987-12-08 | 1992-02-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming an electrical contact bump |
| US6022761A (en) * | 1996-05-28 | 2000-02-08 | Motorola, Inc. | Method for coupling substrates and structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS649733B2 (ja) | 1989-02-20 |
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