JPS5817625A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS5817625A
JPS5817625A JP11589981A JP11589981A JPS5817625A JP S5817625 A JPS5817625 A JP S5817625A JP 11589981 A JP11589981 A JP 11589981A JP 11589981 A JP11589981 A JP 11589981A JP S5817625 A JPS5817625 A JP S5817625A
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JP
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solder
pellet
projection
substrate
thickness
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JP11589981A
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Iwao Matsushima
松島　「巌」
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NEC Home Electronics Ltd
NEC Corp
Original Assignee
NEC Home Electronics Ltd
Nippon Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はトランジスタやｘｏ　Ｉ＠の半導体装置の製
造方法に闘す為ものである。
一般に、トランジスタ中ＸＯ等の半導体装置の製造には
、半導体ベレットをステム上に固着する所曙ペレットマ
クント工程がある０このペレットマクントは簡単には第
１図に示すように、ベレット（１）を半田（りを介して
ステム又は放熱板ｑｌＯ基板Ｅｌｌ上に＃Ｐ田付けする
だけのことであるが、これには次のような問題を含んで
い九〇即ち、従来は１板（３）を半田の融点以上に加熱
しておき、この基板（３）上に半田片を供給してこの半
田片を溶融させ九のち、溶融半田の上からベレットｉｌ
＋を供給してペレット！クントしてい為が、基板（３）
上で半田片を溶融したとき、溶融半田（幻の表面にはど
うしても酸化Ｍが生じ、これが為に半田１２１とベレッ
ト（１）とのなじみが悪くなる。更に１この酸化膜は電
気抵抗特性、熱抵抗特性中電力オンオ７＃命特性の低下
などの原因となる。
そζで、上記間−を解決する方法として従来は、第２図
に示すように１ベレツト（１）ヲコレット（４）で真空
吸着しておき、このコレット（４）でベレット（１）を
溶融し九半田Ｉｊ上でＦｌｒＪ盪Ｋ　＃かすスクラブ方
式が採用されている。このようにベレット（１）を半田
（２）上で動かすことくよに、半田（り表面の酸化ＩＩ
かペレツ）　ｉｌ＋で破壊されて周辺へと除来されてい
き、新鮮な半田面が露出されて上記の問題点を解決する
ことがてきる。
ところで、上記摺動によるスクラブ方式では、ペレット
（１）をコレット（４）で前後動する必要がある為に１
装置金体の構造が豪雑化する傾向にあり、しかも、ペレ
ットマタントに時間を要してインデックスの向上が離し
い。まえ、半田（！ｊを一定な厚さに形成することが峻
しく、半田（幻の厚さにバラツキがあり九０例えば第３
図に示すように半田（２）が所定値よ）も薄く形成され
ると、ベレン）　１１１　Ｋ所定の電流を、流し九シ遮
断する篭カオンオ７試験て簡単にペレツ）　＋１）が剥
喝したｂｉｇｌＩｌｔ、、ない迄も半田層にクラックが
入ったりま九、熱歪みでペレット（１）が破損する等の
トチプルが生じる。逆に、半田（２）が大量に用いられ
て厚くなると、電気抵抗か大−くなりて、ｉａ＊凰が増
すとともに熱抵抗も増大して熱款散が悪くな〉特性上に
悪彰譬を与える問題があり九・その為、半田ｔｉｔ　Ｆ
ｉ常にペレット（１）の大きさ１　　　　　Ｋ対応し九
定量を厚さ一定に形成することが望ましい・ この発明は従来の問題点に鑑み、これを改良除去すゐ為
に１ペレット裏面の要所に所定値の半田厚さに略相当す
る高さ寸法の突起部を設けるとと−に、予しめ適量の半
田を被着形成し、このペレットを加熱し九スデム上Ｋｌ
！＜押し付けゐだけで簡単にペレットマクントができ、
しかも常に半田の厚みが一定な半導体装置０ｇｊ！造方
法全方法する。以下この発明を図ＩｉＫ示す実施例を参
照して説明する。
第ｙ図は裏面１Ｍ辺に所定値（ダＯ〜／−〇μ）の半田
厚さに略相当する高さ寸法に形成した酸化シリコン、シ
リコン樹脂、ボリイセド樹ＷＩＩＩＩＩの絶縁性ｉｆ１
．．＃ｉシリーン製の突起部（Ｉｌを設け、この突起部
上）聞に半田（６）を形成した半導体ベレット（１）を
示す。このベレッＨ７ｉ＃ｉ第ｊ図乃至第２図に示すよ
うに、半導体クエーハ（８）の裏面に両面回合せ方式に
よｐ表面のスクライプＩＩ　＋９１と対応するように突
起帯いを所定値（ダθ〜／コθμ）の半田厚みよ如も若
干厚い高さ寸法で、しかもスクライプａ（−）の中心に
上記突起部（−）０３倍の幅で格子状に一体形成し、次
いで一半導体りニーへ園の裏面上に半田ペースト（１υ
をシルクスクリーン法、ベタ塗り法、ＰＲ法、スピンナ
ー法、浸漬法等によ）一括して被着してから突起帯＠土
の半田ペースト（１荀だけを除去して第１図及び第り図
に示すように突起帯晴間に半田ベース）　（１１）を形
成し、これをスクライプＩＩ　ｆｌ）　Ｋ沿ってグイサ
ーまたはレーザースクライプによシ細分割して得られる
。
そして、上記半導体ベレット（１）を！クントすゐ場合
は、第７０図に示すように、冨しットｏ匂で真空吸着し
九ベレット（１）の裏面をｍ熱した基板０１上に＠く押
し付けて載せるだけで、央起部ｆｉｌ閏く形成し丸字田
（−）が溶融して基板１１１になじみ、その後、真空吸
着を止めてコレラＮｉｌを引き上げて基板−を冷却する
と、第１／図に示すように、ペレット（マ）は半田（−
）を介して基板稙場上に半田付けされる。
上記方法ては半田（＠）が基板１ｍ＋に接触するととＫ
よって半田＋６１か溶融するので、半田（・）の表面に
酸化膜が生じることがな（、従って、ペレツトマクント
工程におけるペレット（１）のスクラブ動作を省略する
ことかで亀、これによ）装置全体の構造が簡単となり、
しかも、ペレット！クントＫｌ’する暗闇が短縮されて
インデックスの向上が図れる。まえ、上記方法ではペレ
ット（１）の裏面周縁ＫＲけた突起部慣）で半田（６）
の厚みを所定値に一定さぜることができ、特性が安定し
て信頼性並びに寿命の向上か因れる。
尚、以上説明では突起部をペレットの一面周辺に設ける
ようＫしているが、これに限定されずものでなく、滅レ
ットの裏面要所に複数個の突起を設けるだけでもよい。
以上説明し九ようにこの発＃！ＡＫよれば裏面の要所に
所定値の半田厚さＫｌｌ相当する高さ寸法の突起部を設
けるとともに予しめ適量の半田を被着形成し丸字導体ベ
レットを用い九から、ペレットマクントエｍＫおけるペ
レットのスクラブ動作を省略して装置全一体の簡単化が
でき、かつ、ペレット！クントに要する時間が短縮され
てインデックスの向上が図れると２４に１賀起郡で半田
厚Ｓを常に所定値に一定させゐことかで龜、特性が安定
して備頼性並びに寿命の向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
箪７図は半導体ｍｌの′ＩＩ！部断面図、第一図は従来
のベレットマクント工程における要部断面図、第３図は
半田の厚与が薄い場合の半導体装置のｇ！部部面面図第
ｖ図はこの発明の半導体装置の製造方法に用ｉる半導体
ベレットの断面図、Ｉｊ図は突起帯を形成した後の半導
体クエーハの１Ｌｉｋｉ図、ＩＩΔｔＩＡはその裏面図
、第２図はその要部断面図、第１図は半田ベーストを臆
布形成し良後の半導体クエーハの裏面図、第り図はその
警部Ｙｍ向図、４ｓ１０ｖＡはこの発明のペレットマク
ント工程における要Ｓ断面図を第１／図はこの発明の方
法により製造され丸字導体装置の要部断面図である。 偵）・・失起鄭、（１）・・半田、（ｆｌ・・半導体ペ
レット、０′４・・コレット、−・・基板。 第１図 ／ 第２図 第ａＷｌ ／ 第４図 ｔｇ図 １Ｐ１０図 第１１図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）裏面の要所に所定値の半田厚ＪＰ−に略相当する
    高さ寸法の突起部を設け、この突起部間に予しめ適量の
    半田を被着形成した半導体ペレットを用−１このベレッ
    トを加熱し九基板上に供給して前記半田を溶融させてペ
    レット！クントするようＫし九ことを特徴とする半導体
    装置の製造方Ｓ。
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