JP2738070B2 - ダイボンディング方法 - Google Patents

ダイボンディング方法

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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、熱的影響を受けやすいパワーモジュールな
どの製造過程において、半導体チップなどをヒートシン
ク上にダイボンディングする方法に関するものである。
従来の技術 従来から、熱的影響を受けやすいチップのダイボンデ
ィングにおいては、ヒートシンクとの接合に高温はんだ
が必要であった。そして材料の酸化を防ぐために還元雰
囲気中ではんだを溶融させた状態でヒートシンクに滴下
し、コレットに吸着させた半導体チップをはんだ上でス
クラブすることによりヒートシンクとチップを接合して
いた。
以下図面を参照しながら説明する。第３図a,bにおい
て、11はヒートシンク、12は前工程においてヒートシン
ク11上に滴下された溶融はんだ、13は半導体チップ、14
はチップ13を吸着するための貫通孔15を備え、かつ昇降
機能およびスクラブ機能を持つコレットである。溶融は
んだ12が滴下され、チップ13がダイボンディングされる
工程は300℃〜400℃の高温となっている。そして材料の
酸化を防ぐため、これらの工程はすべて還元雰囲気中で
行われる。第３図a,bに示したように吸着されたチップ1
3は、溶融はんだ12が滴下されたヒートシンク11の上方
から降下し、はんだ12がチップ13の裏面全体に広がるよ
うに、また気泡などを巻きこまないようにはんだ12上で
第３図ｂに矢印て示した方向にスクラブし接合するもの
である。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記に示した従来の方法ではスクラブ
の方向が一方向であるため、チップ裏面全体にはんだが
まわりにくく、とくに気泡を巻こんだ場合チップの駆動
時にこの部分が異常の高温となり最終的にはチップ破壊
となるという問題があった。
課題を解決するための手段 本発明は上記課題を解決するため、ヒートシンクに滴
下された溶融はんだ上で、コレットに吸着されたチップ
を回転させることにより接合するものとした。
作用 本発明は上記方法においてヒートシンクの溶融はんだ
を半導体チップの裏面全体にはんだをまわすことがで
き、気泡等を巻こみにくく完全な接合ができる。
実 施 例 以下、本発明の一実施例におけるダイボンディング方
法について、図面を参照しながら説明する。
第１図は、本発明実施例におけるダイボンディングの
様子を示したものである。第１図において、１は半導体
チップ、２はこのチップ１を吸着するコレット、３は溶
融はんだ、４はヒートシンクである。コレット２は、昇
降機能および回転機能をもっている。また、これらの工
程はすべて還元雰囲気中で行われるものである。
このような構成のもとで工程を模式的に示した第２図
ａ〜ｅを用いて説明する。溶融はんだ３がヒートシンク
４に滴下された後、チップ１がコレット２に吸着された
状態で前記ヒートシンク４上に下降する。チップ１が溶
融はんだ３に接した状態でコレット２が回転（第２図
ｄ）することにより、はんだ３がチップ１の裏面全体に
いきわたり十分な接合が完了する。
発明の効果 本発明によれば、ダイボンディング時チップが回転し
ながらはんだをまきこむため、はんだがチップ裏面全体
にまわり、気泡を巻きこむことがなく十分に安定した接
合を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例におけるダイボンディング時
の全体配置を示す斜視図、第２図ａ〜ｅはそのダイボン
ディング方法を示す工程図、第３図a,bは従来例の説明
図である。 １……半導体チップ、２……コレット、３……溶融はん
だ、４……ヒートシンク。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体チップなどのヒートシンク上へのダ
    イボンディング時、ヒートシンク上に滴下された溶融は
    んだ上で、コレットに吸着されたチップを回転させてこ
    のチップを前記ヒートシンクに接合することを特徴とす
    るダイボンディング方法。
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