JP2738069B2 - ダイボンディング方法 - Google Patents
ダイボンディング方法Info
- Publication number
- JP2738069B2 JP2738069B2 JP27410489A JP27410489A JP2738069B2 JP 2738069 B2 JP2738069 B2 JP 2738069B2 JP 27410489 A JP27410489 A JP 27410489A JP 27410489 A JP27410489 A JP 27410489A JP 2738069 B2 JP2738069 B2 JP 2738069B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- solder
- spread
- molten solder
- chip
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、熱的影響を受けやすいパワーモジュールな
どの製造過程において半導体チップをヒートシンク上に
ダイボンディングする方法に関するものである。
どの製造過程において半導体チップをヒートシンク上に
ダイボンディングする方法に関するものである。
従来の技術 従来から、熱的影響を受けやすい半導体チップのダイ
ボンディングにおいては、ヒートシンクとの接合に高温
はんだが必要であった。そして、材料の酸化を防ぐため
に還元雰囲気中ではんだを溶融させた状態でヒートシン
ク滴下し、コレットに吸着させた半導体チップをはんだ
上でスクラブすることによりヒートシンクとチップを接
合していた。
ボンディングにおいては、ヒートシンクとの接合に高温
はんだが必要であった。そして、材料の酸化を防ぐため
に還元雰囲気中ではんだを溶融させた状態でヒートシン
ク滴下し、コレットに吸着させた半導体チップをはんだ
上でスクラブすることによりヒートシンクとチップを接
合していた。
以下図面を参照しながら説明する。第２図において、
11は溶融はんだ12の入ったポット、13はヒートブロッ
ク、14はノズル、15は滴下量などをコントロールする滴
下装置であり、還元作用をもつガスが導入されている。
また、16は半導体チップ、17はヒートシンク、18は滴下
された溶融はんだ、19は半導体チップ16を吸着しかつ昇
降機能およびスクラブ機能を持つコレットである。溶融
はんだ12が滴下され、半導体チップ13がダイボンディン
グされる工程は300℃〜400℃の高温となっている。そし
て材料の酸化を防ぐため、これらの工程はすべて還元雰
囲気中で行われる。第２図に示したように吸着されたチ
ップ16は、ヒートシンク17の上方から降下し、はんだ18
が半導体チップ16の裏面全体に広がるように、また気泡
などを巻きこまないようにはんだ18上でスクラブし接合
するものである。
11は溶融はんだ12の入ったポット、13はヒートブロッ
ク、14はノズル、15は滴下量などをコントロールする滴
下装置であり、還元作用をもつガスが導入されている。
また、16は半導体チップ、17はヒートシンク、18は滴下
された溶融はんだ、19は半導体チップ16を吸着しかつ昇
降機能およびスクラブ機能を持つコレットである。溶融
はんだ12が滴下され、半導体チップ13がダイボンディン
グされる工程は300℃〜400℃の高温となっている。そし
て材料の酸化を防ぐため、これらの工程はすべて還元雰
囲気中で行われる。第２図に示したように吸着されたチ
ップ16は、ヒートシンク17の上方から降下し、はんだ18
が半導体チップ16の裏面全体に広がるように、また気泡
などを巻きこまないようにはんだ18上でスクラブし接合
するものである。
発明が解決しようとする課題 しかしながら上記に示した従来の方法では、溶融はん
だ滴下時、滴下されたはんだはヒートシンク上で十分な
拡がりをみせないため、半導体チップのスクラブ時には
んだがチップ裏面全体にいきわたらず、また気泡などを
巻きこみやすくなり、品質が劣るという課題があった。
だ滴下時、滴下されたはんだはヒートシンク上で十分な
拡がりをみせないため、半導体チップのスクラブ時には
んだがチップ裏面全体にいきわたらず、また気泡などを
巻きこみやすくなり、品質が劣るという課題があった。
課題を解決するための手段 本発明は、上記課題を解決するため、ヒートシンクに
滴下された溶融はんだに還元作用を持つ高温ガスを吹き
つけることにより、はんだをヒートシンク上で拡がら
せ、スクラブ時チップにはんだが十分まわった状態で接
合することができるようにするものとした。
滴下された溶融はんだに還元作用を持つ高温ガスを吹き
つけることにより、はんだをヒートシンク上で拡がら
せ、スクラブ時チップにはんだが十分まわった状態で接
合することができるようにするものとした。
作用 本発明は上記方法においてヒートシンク上の溶融はん
だを拡げることにより、半導体チップ裏面にはんだを十
分まわらせることができるので、気泡などの巻きこみを
なくしスクラブ後完全な接合が可能となる。
だを拡げることにより、半導体チップ裏面にはんだを十
分まわらせることができるので、気泡などの巻きこみを
なくしスクラブ後完全な接合が可能となる。
実 施 例 以下、本発明の一実施例におけるダイボンディング方
法について、図面を参照しながら説明する。
法について、図面を参照しながら説明する。
第１図は、本実施例におけるダイボンディングの様子
を示したものである。第１図において、１は半導体チッ
プ、２は溶融はんだ、３はヒートシンク、４は還元作用
を持つ高温ガスが導入される径路の備えたノズルであ
る。なお、第１図において従来例（第２図）と同一のも
のには共通符号を付して示し、説明は省略する。
を示したものである。第１図において、１は半導体チッ
プ、２は溶融はんだ、３はヒートシンク、４は還元作用
を持つ高温ガスが導入される径路の備えたノズルであ
る。なお、第１図において従来例（第２図）と同一のも
のには共通符号を付して示し、説明は省略する。
このような構成のもとで、ヒートシンク３に滴下され
た溶融はんだ２にノズル４から、はんだ２が滴下された
ヒートシンク３ごとに間欠的に高温ガスが吹き、前記は
んだ２をヒートシンク３上で拡げる。このような状態で
スクラブが行われ半導体チップ１の裏面にはんだ２がい
きわたり、十分な接合が完了する。
た溶融はんだ２にノズル４から、はんだ２が滴下された
ヒートシンク３ごとに間欠的に高温ガスが吹き、前記は
んだ２をヒートシンク３上で拡げる。このような状態で
スクラブが行われ半導体チップ１の裏面にはんだ２がい
きわたり、十分な接合が完了する。
発明の効果 本発明によれば、ヒートシンク上に滴下された溶融は
んだに還元作用のある高温ガスを吹きつけることにより
はんだをヒートシンク上で拡げることができるので、ス
クラブ時にチップ裏面全体にはんだがいきわたり十分な
接合を行うことができる。
んだに還元作用のある高温ガスを吹きつけることにより
はんだをヒートシンク上で拡げることができるので、ス
クラブ時にチップ裏面全体にはんだがいきわたり十分な
接合を行うことができる。
第１図は本発明の一実施例におけるダイボンディング方
法の全体構成図、第２図は従来例の全体構成図である。 １……半導体チップ、２……溶融はんだ、３……ヒート
シンク、４……ノズル。
法の全体構成図、第２図は従来例の全体構成図である。 １……半導体チップ、２……溶融はんだ、３……ヒート
シンク、４……ノズル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 章博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−234336（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】半導体チップなどのヒートシンク上へのダ
イボンディングにおいて、ヒートシンクに滴下された溶
融はんだにガスを吹きつけ、これをヒートシンク上に拡
げることによりチップ全体に溶融はんだをまわりやすく
することを特徴とするダイボンディング方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27410489A JP2738069B2 (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | ダイボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27410489A JP2738069B2 (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | ダイボンディング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03136255A JPH03136255A (ja) | 1991-06-11 |
| JP2738069B2 true JP2738069B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=17537060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27410489A Expired - Fee Related JP2738069B2 (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | ダイボンディング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2738069B2 (ja) |
-
1989
- 1989-10-20 JP JP27410489A patent/JP2738069B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03136255A (ja) | 1991-06-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |